JP3208365U - 半導体発光装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】アンチグレア機能を有する半導体発光装置を提供する。【解決手段】半導体発光装置は、半導体発光素子110、レンズ120及び第一のグレア防止カバー130を備える。レンズは、半導体発光素子に隣り合う第一の光入射側部121と、第一の光入射側部に対向して位置する第一の光出射側部122と、を有する。第一のグレア防止カバーは、第二の光入射側部131と、第二の光入射側部と対向して位置する第二の光出射側部132と、第二の光入射側部と第二の光出射側部との間に接続された環状側壁133と、を有する。第二の光入射側部は光入射口134を有し、第二の光出射側部は光出射口135を有し、環状側壁の内径は光入射口から光出射口に向かって次第に大きくなり、且つ環状側壁の外表面には複数のV字形溝部が隣接して配置されており、各々のV字形溝部は第二の光入射側部から第二の光出射側部に向かって伸びる。【選択図】図1
Description
本考案は、発光装置に関するものであって、特に半導体発光装置に関するものである。
科学技術の進歩に伴い、現代人の需要を満足するため、さまざまな照明装置も時代とともに進歩している。多くの照明装置において、発光ダイオードは低発熱、低消費電力、長寿命、小型化などの利点を有するので、次第に従来の照明装置(例えば、蛍光ランプ、白熱電球など)に取って代わり市場の主流になってきている。
従来の技術において、発光ダイオードの照射効果を調整するために、常に発光ダイオードの上方にレンズを設置して、発光ダイオードの光線がレンズを透過してから適切な形状の光分布を生成している。レンズを採用して光の形状を調整する目的を果たすことはできるが、グレアの問題を効果的に解決することはできない。
本考案は、従来の技術に存在するグレアの問題を改善することができる半導体発光装置を提供する。
本考案に係わる半導体発光装置は、半導体発光素子、レンズ及び第一のグレア防止カバーを備える。
レンズは、半導体発光素子に隣り合う第一の光入射側部と、第一の光入射側部に対向して位置する第一の光出射側部と、を有する。
第一のグレア防止カバーは、第二の光入射側部と、第二の光入射側部に対向して位置する第二の光出射側部と、第二の光入射側部と第二の光出射側部との間に接続される環状側壁と、を有する。
第二の光入射側部は光入射口を有し、第二の光出射側部は光出射口を有し、環状側壁の内径は光入射口から光出射口に向かって次第に大きくなり、且つ環状側壁の外表面には複数のV字形溝部が互いに隣接して配置されており、各々のV字形溝部は第二の光入射側部から第二光出射側部に向かって伸びる。
レンズは、半導体発光素子に隣り合う第一の光入射側部と、第一の光入射側部に対向して位置する第一の光出射側部と、を有する。
第一のグレア防止カバーは、第二の光入射側部と、第二の光入射側部に対向して位置する第二の光出射側部と、第二の光入射側部と第二の光出射側部との間に接続される環状側壁と、を有する。
第二の光入射側部は光入射口を有し、第二の光出射側部は光出射口を有し、環状側壁の内径は光入射口から光出射口に向かって次第に大きくなり、且つ環状側壁の外表面には複数のV字形溝部が互いに隣接して配置されており、各々のV字形溝部は第二の光入射側部から第二光出射側部に向かって伸びる。
本考案の具体的な実施例において、環状側壁の内表面は菱形格子ニック(ニック溝)を有する。
本考案の具体的な実施例において、第二の光入射側部は第二の光出射側部と平行である。
本考案の具体的な実施例において、第二の光入射側部は第二の光出射側部と平行ではなく、第二の光出射側部はレンズの第一の光出射側部と平行である。
本考案の具体的な実施例において、レンズの第一の光入射側部には凹部が設置される。
本考案の具体的な実施例において、半導体発光装置は放熱素子をさらに備え、半導体発光素子は放熱素子の上に配置される。
本考案の具体的な実施例において、半導体発光装置はハウジングをさらに備え、放熱素子は搭載部及びフィン部を有し、ハウジングは半導体発光素子及びレンズを収容し、搭載部はハウジングの内側に位置して半導体発光素子を搭載し、フィン部はハウジングの外側に位置し且つ搭載部に接続される。
本考案の具体的な実施例において、半導体発光装置はハウジングの側壁に結合されるホルダーをさらに備え、第一のグレア防止カバーはホルダーに固定される。
本考案の具体的な実施例において、半導体発光装置はホルダーに固定されるトップカバーをさらに備え、トップカバーは第一のグレア防止カバーの第二の光出射側部を覆い、トップカバーは開口部を有するので第一のグレア防止カバーの第二の光出射側部の部分の光出口部を露出する。
本考案の具体的な実施例において、V字形溝部の2つの側壁の間の夾角は、第一のグレア防止カバーの第二の光出射側部から第一のグレア防止カバーの第二の光入射側部に向かって次第に小さくなるか又は次第に大きくなる。
本考案の具体的な実施例において、第一のグレア防止カバーの第二の光出射側部の一端に位置するV字形溝部の2つの側壁の間の夾角はφであり、第一のグレア防止カバーの第二の光入射側部の一端に位置するV字形溝部の2つの側壁の間の夾角はσであり、且つφ−30°≦σ≦φ+30°であり、φとσは、各々60°より大きいか又は等しい。
本考案の具体的な実施例において、半導体発光装置は第一のグレア防止カバーとレンズとの間に配置された第二のグレア防止カバーをさらに備え、第二のグレア防止カバーは対向する第三の光入射側部と第三の光出射側部とを有し、第三の光入射側部と第三の光出射側部には、各々開口部が設けられている。
本考案の具体的な実施例において、第二のグレア防止カバーは第三の光入射側部から延在して形成される結合部をさらに備え、結合部はレンズに結合される。
本考案に係る半導体発光装置は、レンズの上方に第一のグレア防止カバーを設置し、且つ第一のグレア防止カバーの環状側壁の外表面には複数のV字形溝部が隣接して配置されているので、グレアの問題を効果的に改善することができる。
本考案の目的、特徴及び利点をさらに明確するために、以下、図面を参照しながら詳細に説明を行う。
図1は本考案の実施例に係る半導体発光装置の断面図であり、図2は図1の第一のグレア防止カバーの立体図である。図1と図2を参照すると、本実施例に係る半導体発光装置100は、半導体発光素子110、レンズ120及び第一のグレア防止カバー130を備え、レンズ120は半導体発光素子110と第一のグレア防止カバー130との間に位置する。レンズ120は、半導体発光素子110に隣り合う第一の光入射側部121と、第一の光入射側部121に対向して位置する第一の光出射側部122と、を備える。
第一のグレア防止カバー130は、第二の光入射側部131と、第二の光入射側部131に対向して位置する第二の光出射側部132と、第二の光入射側部131と第二の光出射側部132との間に接続された環状側壁133と、を備える。
第二の光入射側部131は光入射口134を有し、第二の光出射側部132は光出射口135を有し、環状側壁133の内径Dは光入射口134から光出射口135に向かって次第に大きくなる。
環状側壁133の外表面136には複数のV字形溝部137が隣接して配置されており、各々のV字形溝部137は第二の光入射側部131から第二の光出射側部132に向かって伸びる。
第一のグレア防止カバー130は、第二の光入射側部131と、第二の光入射側部131に対向して位置する第二の光出射側部132と、第二の光入射側部131と第二の光出射側部132との間に接続された環状側壁133と、を備える。
第二の光入射側部131は光入射口134を有し、第二の光出射側部132は光出射口135を有し、環状側壁133の内径Dは光入射口134から光出射口135に向かって次第に大きくなる。
環状側壁133の外表面136には複数のV字形溝部137が隣接して配置されており、各々のV字形溝部137は第二の光入射側部131から第二の光出射側部132に向かって伸びる。
半導体発光素子110は基板111及び基板111の上に配置される半導体光源112を備え、半導体光源112は発光ダイオードチップ又は他の半導体光源である。
半導体発光素子110はレンズ120に向かって光線を発し、レンズ120は光の形状を調整する。例えば、レンズ120の第一の光入射側部121には凹部123が設置される。凹部123の具体的な形状は要求に従い調整することができる。凹部123の各々の壁面124の形状、角度などの設計を介して光線の屈折経路を調整することができ、さらにレンズ120の第一の光入射側部121と第一の光出射側部122との間に位置する側面125の形状、角度などの設計を介してレンズ120内の光線が側面125から反射した後の経路を改変することができ、従って第一の光出射側部122から射出する光線の配光形状を調整することができる。
半導体発光素子110はレンズ120に向かって光線を発し、レンズ120は光の形状を調整する。例えば、レンズ120の第一の光入射側部121には凹部123が設置される。凹部123の具体的な形状は要求に従い調整することができる。凹部123の各々の壁面124の形状、角度などの設計を介して光線の屈折経路を調整することができ、さらにレンズ120の第一の光入射側部121と第一の光出射側部122との間に位置する側面125の形状、角度などの設計を介してレンズ120内の光線が側面125から反射した後の経路を改変することができ、従って第一の光出射側部122から射出する光線の配光形状を調整することができる。
従来の技術に存在するグレアの問題を改善するために、本実施例の半導体発光装置100はレンズ120の上方に第一のグレア防止カバー130を設置し、且つ第一のグレア防止カバー130の環状側壁133の外表面136には複数のV字形溝部137が隣接して配置されている。図3に示されるように、隣り合う2つのV字形溝部137の間には1つのプリズム191が形成され、環状側壁133の内表面139から環状側壁133内に入る光線Lはプリズム191の2つの側壁192で順次全反射されるので、V字形溝部137は第一のグレア防止カバー130が優れた光反射及びグレア防止効果を有することになる。
V字形溝部137毎の2つの側壁138の間の夾角θ1の角度は異なる要求によって定めることができる。例えば、プリズム191に入る光線Lをプリズム191から離れる光線Lに平行させるために、夾角θ1を90度に設計し、プリズム191の2つの側壁192の間の夾角θ2を90度とする。又、異なる特性の半導体光源112と異なる形状のレンズ120に適合するために、V字形溝部137毎の2つの側壁138の間の夾角θ1を他の異なる角度に設計して、プリズム191の2つの側壁192の間の夾角θ2の角度を改変することができる。
V字形溝部137毎の2つの側壁138の間の夾角θ1の角度は異なる要求によって定めることができる。例えば、プリズム191に入る光線Lをプリズム191から離れる光線Lに平行させるために、夾角θ1を90度に設計し、プリズム191の2つの側壁192の間の夾角θ2を90度とする。又、異なる特性の半導体光源112と異なる形状のレンズ120に適合するために、V字形溝部137毎の2つの側壁138の間の夾角θ1を他の異なる角度に設計して、プリズム191の2つの側壁192の間の夾角θ2の角度を改変することができる。
図2と図3を参照すると、単一のV字形溝部137の2つの側壁138の間の夾角θ1は変化可能である。例えば、夾角θ1は第一のグレア防止カバー130の第二の光出射側部132から第二の光入射側部131に向かって次第に小さくなるか又は次第に大きくなることができる。1つの実施例において、第一のグレア防止カバー130の第二の光出射側部132の一端に位置する夾角θ1は、例えば、φであり、第一のグレア防止カバー130の第二の光入射側部131の一端に位置する夾角θ1は、例えば、σであり、φ−30°≦σ≦φ+30°であり、φとσは、例えば、各々60°より大きいか又は等しい。このような角度設計は設計要求に適合するためだけではなく、加工精度を向上することにも役立つ。
一般的に図1のレンズ120の第一の光出射側部122から出射する光線において、出射角が大きい光線は通常グレアを引き起こす。図4は、図1の第一のグレア防止カバーによりグレアを改善することを示す図である。
図3と図4を参照すると、グレアを引き起こす出射角が大きい光線L1が第二の光入射側部131から第一のグレア防止カバー130に入ってから、光線L1は環状側壁133に入り、それからプリズム191の2つの側壁192に反射されて(図3参照)、第二の光出射側部132から出射され、且つV字形溝部137の2つの側壁138の間の夾角θ1の設計を介して光線L1の出射角を縮小することができる。
それ故、本実施例の第一のグレア防止カバー130はグレアを効果的に改善することができるばかりではなく、グレアを引き起こす光線L1を有効利用する光線に変えることができ、従って光利用効率を高める。
図3と図4を参照すると、グレアを引き起こす出射角が大きい光線L1が第二の光入射側部131から第一のグレア防止カバー130に入ってから、光線L1は環状側壁133に入り、それからプリズム191の2つの側壁192に反射されて(図3参照)、第二の光出射側部132から出射され、且つV字形溝部137の2つの側壁138の間の夾角θ1の設計を介して光線L1の出射角を縮小することができる。
それ故、本実施例の第一のグレア防止カバー130はグレアを効果的に改善することができるばかりではなく、グレアを引き起こす光線L1を有効利用する光線に変えることができ、従って光利用効率を高める。
再び図1及び図2を参照すると、グレアの問題をいっそう改善するために、環状側壁133の内表面139は菱形格子ニック139aを有することができる。菱形格子ニック139aのニック毎の幅は0.4mm〜5mmであることができ、ニックの深さは、例えば、0.1mm〜0.5mmである。
菱形格子ニック139aはライトスポットを均一にする効果を有し、且つ半導体発光装置100の外観が視覚的には従来のランプにもっと近づくことになり、使用者も受け入れ易い。
菱形格子ニック139aはライトスポットを均一にする効果を有し、且つ半導体発光装置100の外観が視覚的には従来のランプにもっと近づくことになり、使用者も受け入れ易い。
本実施例において、第一のグレア防止カバー130の第二の光入射側部131は第二の光出射側部132に対して傾斜し、即ち第一のグレア防止カバー130の第二の光入射側部131は第二の光出射側部132に平行でなく、第一のグレア防止カバー130の第二の光出射側部132はレンズ120の第一の光出射側部122に平行である。
このように設計すると、光収集量を増加することができ、光線がレンズ120を経て第一のグレア防止カバー130に入る時に光エネルギーの損失を多くしないようにする。
このように設計すると、光収集量を増加することができ、光線がレンズ120を経て第一のグレア防止カバー130に入る時に光エネルギーの損失を多くしないようにする。
他の実施例において、第一のグレア防止カバー130をその第二の光入射側部131がレンズ120の第一の光出射側部122に平行に設置するか、又は第一のグレア防止カバー130をその第二の光入射側部131及び第二の光出射側部132が全てレンズ120の第一の光出射側部122に平行にならないように設置する。
本考案において、第二の光入射側部131が第二の光出射側部132に平行でないことに限定されるものではなく、他の実施例において、第一のグレア防止カバー130をその第二の光入射側部131が第二の光出射側部132に平行するように設計することができる。
本考案において、第二の光入射側部131が第二の光出射側部132に平行でないことに限定されるものではなく、他の実施例において、第一のグレア防止カバー130をその第二の光入射側部131が第二の光出射側部132に平行するように設計することができる。
図5は、本考案の別の実施例に係る半導体発光装置の断面図である。図5を参照すると、本実施例の半導体発光装置100aは上述した半導体発光装置100と類似するが、半導体発光装置100aは放熱素子140をさらに備え、半導体発光素子110は放熱素子140の上に配置される。本考案は放熱素子140の具体的な形状及び材質を限定しない。
本実施例において、半導体発光装置100aはハウジング180をさらに備える。放熱素子140は搭載部142及びフィン部143を有する。ハウジング180は半導体発光素子110及びレンズ120を収容する。
具体的に説明すると、ハウジング180は底壁181及び側壁182を有し、底壁181と側壁182との間には半導体発光素子110及びレンズ120を収容するために用いられる収容空間Sが形成される。搭載部142もハウジング180の内側に位置して(即ち、収容空間S内に位置する)半導体発光素子110を搭載する。
フィン部143はハウジング180の外側に位置し且つ搭載部142に接続される。フィン部143と搭載部142はハウジング180の底壁181の貫通孔(図示せず)を貫いて互いに接続される。
半導体発光素子110から生じる熱は搭載部142によってフィン部143に熱伝導されて放熱する。
他の実施例において、ハウジング180は放熱効果を有する金属材質からなり、例えば、ハウジング180と放熱素子140の材質は同じである。このようにすると、ハウジング180の底壁181に貫通孔を開設せず、フィン部143はハウジング180の底壁181を介して搭載部142に接続される。
具体的に説明すると、ハウジング180は底壁181及び側壁182を有し、底壁181と側壁182との間には半導体発光素子110及びレンズ120を収容するために用いられる収容空間Sが形成される。搭載部142もハウジング180の内側に位置して(即ち、収容空間S内に位置する)半導体発光素子110を搭載する。
フィン部143はハウジング180の外側に位置し且つ搭載部142に接続される。フィン部143と搭載部142はハウジング180の底壁181の貫通孔(図示せず)を貫いて互いに接続される。
半導体発光素子110から生じる熱は搭載部142によってフィン部143に熱伝導されて放熱する。
他の実施例において、ハウジング180は放熱効果を有する金属材質からなり、例えば、ハウジング180と放熱素子140の材質は同じである。このようにすると、ハウジング180の底壁181に貫通孔を開設せず、フィン部143はハウジング180の底壁181を介して搭載部142に接続される。
半導体発光装置100aはハウジング180の側壁182に結合されるホルダー150をさらに備え、第一のグレア防止カバー130はホルダー150に固定される。ホルダー150は固定部材151によってハウジング180の側壁182に固定される。第一のグレア防止カバー130はその第二の光出射側部132を介してホルダー150の頂部に固定される。異なる設計要求によって半導体発光装置100aはトップカバー160をさらに備えることができ、トップカバー160はホルダー150に固定されて第一のグレア防止カバー130の第二の光出射側部132を覆う。トップカバー160は開口部161を有するので第一のグレア防止カバー130の第二の光出射側部132の部分の光出口135を露出する。
図6は、本考案のさらに別の実施例に係る半導体発光装置の断面図である。図6を参照すると、本実施例の半導体発光装置100bは上述した半導体発光装置100aと類似するが、半導体発光装置100bは第一のグレア防止カバー130とレンズ120との間に配置される第二のグレア防止カバー170をさらに備える。
第二のグレア防止カバー170は対向して設置される第三の光入射側部171と第三の光出射側部172を有し、第三の光入射側部171と第三の光出射側部172には各々開口部173、174が設けられ、レンズ120の第一の光出射側部122から射出する光線を通過させる。
第二のグレア防止カバー170の第三の光入射側部171と第三の光出射側部172との間の環状側壁175の内表面は曲面であるが、その形状は設計要求によって調整することができる。
第二のグレア防止カバー170は第三の光入射側部171から延在して形成される結合部176をさらに備え、結合部176はレンズ120に結合される。第二のグレア防止カバー170の結合部176はレンズ120の第一の光出射側部122に当接する環形シャシー177及び環形シャシー177から延伸する側壁178を有し、結合部176の側壁178はレンズ120の第一の光出射側部122を囲む。
第二のグレア防止カバー170は対向して設置される第三の光入射側部171と第三の光出射側部172を有し、第三の光入射側部171と第三の光出射側部172には各々開口部173、174が設けられ、レンズ120の第一の光出射側部122から射出する光線を通過させる。
第二のグレア防止カバー170の第三の光入射側部171と第三の光出射側部172との間の環状側壁175の内表面は曲面であるが、その形状は設計要求によって調整することができる。
第二のグレア防止カバー170は第三の光入射側部171から延在して形成される結合部176をさらに備え、結合部176はレンズ120に結合される。第二のグレア防止カバー170の結合部176はレンズ120の第一の光出射側部122に当接する環形シャシー177及び環形シャシー177から延伸する側壁178を有し、結合部176の側壁178はレンズ120の第一の光出射側部122を囲む。
本実施例の半導体発光装置100bは、第一のグレア防止カバー130及び第二のグレア防止カバー170を有するので、グレアの問題をいっそう改善することができる。上述した各実施例の半導体発光装置(例えば、図1に示された半導体発光装置100)も第二のグレア防止カバー170を設置することができる。
上述したように、本考案の実施例に係る半導体発光装置はレンズの上方に第一のグレア防止カバーを設置し、且つ第一のグレア防止カバーの環状側壁の外表面には複数のV字形溝部が隣接して配置されているので、グレアの問題を効果的に改善することができる。
本考案の1つの実施例において、半導体発光装置は第一のグレア防止カバーとレンズとの間に第二のグレア防止カバーを設置するので、グレアの問題をいっそう改善することができる。
本考案の1つの実施例において、半導体発光装置は第一のグレア防止カバーとレンズとの間に第二のグレア防止カバーを設置するので、グレアの問題をいっそう改善することができる。
以上実施例に基づいて本考案を具体的に説明したが、本考案は上述の実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない限り、添付の請求の範囲の精神及び範囲内に含まれる種々の変更や類似の構成は、すべて最も広い解釈によって本考案の保護範囲内に含まれる。
100,100a,100b 半導体発光装置
110 半導体発光素子
111 基板
112 半導体光源
120 レンズ
121 第一の光入射側部
122 第一の光出射側部
123 凹部
124 壁面
125 側面
130 第一のグレア防止カバー
131 第二の光入射側部
132 第二の光出射側部
133,175 環状側壁
134 光入射口
135 光出射口
136 外表面
137 V字形溝部
138,178,182,192 側壁
139 内表面
139a 菱形格子ニック
140 放熱素子
142 搭載部
143 フィン部
150 ホルダー
151 固定部材
160 トップカバー
161,173,174 開口部
170 第二のグレア防止カバー
171 第三の光入射側部
172 第三の光出射側部
176 結合部
177 環形シャシー
180 ハウジング
181 底壁
191 プリズム
D 内径
L,L1 光線
S 収容空間
θ1,θ2 夾角
110 半導体発光素子
111 基板
112 半導体光源
120 レンズ
121 第一の光入射側部
122 第一の光出射側部
123 凹部
124 壁面
125 側面
130 第一のグレア防止カバー
131 第二の光入射側部
132 第二の光出射側部
133,175 環状側壁
134 光入射口
135 光出射口
136 外表面
137 V字形溝部
138,178,182,192 側壁
139 内表面
139a 菱形格子ニック
140 放熱素子
142 搭載部
143 フィン部
150 ホルダー
151 固定部材
160 トップカバー
161,173,174 開口部
170 第二のグレア防止カバー
171 第三の光入射側部
172 第三の光出射側部
176 結合部
177 環形シャシー
180 ハウジング
181 底壁
191 プリズム
D 内径
L,L1 光線
S 収容空間
θ1,θ2 夾角
Claims (13)
- 半導体発光素子と、レンズと、第一のグレア防止カバーとを備え、
前記レンズは、前記半導体発光素子に隣り合う第一の光入射側部と、前記第一の光入射側部に対向して位置する第一の光出射側部と、を有し、
前記第一のグレア防止カバーは、第二の光入射側部と、前記第二の光入射側部に対向して位置する第二の光出射側部と、前記第二の光入射側部と前記第二の光出射側部との間に接続された環状側壁と、を有し、
前記第二の光入射側部は光入射口を有し、
前記第二の光出射側部は光出射口を有し、
前記環状側壁の内径は前記光入射口から前記光出射口に向かって次第に大きくなり、且つ前記環状側壁の外表面には複数のV字形溝部が隣接して配置されており、各前記V字形溝部は前記第二の光入射側部から前記第二の光出射側部に向かって伸びる
ことを特徴とする半導体発光装置。 - 前記環状側壁の内表面は菱形格子ニックを有することを特徴とする請求項1に記載の半導体発光装置。
- 前記第二の光入射側部は前記第二の光出射側部と平行であることを特徴とする請求項1に記載の半導体発光装置。
- 前記第二の光入射側部は前記第二の光出射側部に平行でなく、前記第二の光出射側部は前記レンズの第一の光出射側部に平行であることを特徴とする請求項1に記載の半導体発光装置。
- 前記レンズの第一の光入射側部には凹部が設置されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体発光装置。
- 放熱素子をさらに備え、前記半導体発光素子は前記放熱素子の上に配置されている
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体発光装置。 - ハウジングをさらに備え、前記放熱素子は搭載部及びフィン部を有し、
前記ハウジングは前記半導体発光素子及び前記レンズを収容し、
前記搭載部は前記ハウジングの内側に位置して前記半導体発光素子を搭載し、
前記フィン部は前記ハウジングの外側に位置し且つ前記搭載部に接続されていることを特徴とする請求項6に記載の半導体発光装置。 - 前記ハウジングの側壁に結合されるホルダーをさらに備え、前記第一のグレア防止カバーは前記ホルダーに固定されることを特徴とする請求項7に記載の半導体発光装置。
- 前記ホルダーに固定されるトップカバーをさらに備え、前記トップカバーは前記第一のグレア防止カバーの第二の光出射側部を覆い、前記トップカバーは開口部を有し、前記第一のグレア防止カバーの第二の光出射側部の部分の光出口を露出することを特徴とする請求項8に記載の半導体発光装置。
- 前記V字形溝部の2つの側壁の間の夾角は前記第一のグレア防止カバーの第二の光出射側部から前記第一のグレア防止カバーの第二の光入射側部に向かって次第に小さくなるか又は次第に大きくなることを特徴とする請求項1に記載の半導体発光装置。
- 前記第一のグレア防止カバーの第二の光出射側部の一端に位置する前記V字形溝部の2つの側壁の間の夾角はφであり、前記第一のグレア防止カバーの第二の光入射側部の一端に位置する前記V字形溝部の2つの側壁の間の夾角はσであり、且つφ−30°≦σ≦φ+30°であり、φとσは各々60°より大きいか又は等しいことを特徴とする請求項10に記載の半導体発光装置。
- 前記第一のグレア防止カバーと前記レンズとの間に配置された第二のグレア防止カバーをさらに備え、前記第二のグレア防止カバーは対向して位置する第三の光入射側部と第三の光出射側部を有し、
前記第三の光入射側部と前記第三の光出射側部には各々開口部が設けられている
ことを特徴とする請求項1乃至11のいずれか一項記載の半導体発光装置。 - 前記第二のグレア防止カバーは前記第三の光入射側部から延在して形成された結合部をさらに備え、
前記結合部は前記レンズに結合されていることを特徴とする請求項12に記載の半導体発光装置。
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JP2016005173U Active JP3208365U (ja) | 2016-08-12 | 2016-10-26 | 半導体発光装置 |
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