JP3206377B2

JP3206377B2 - 配線形成方法

Info

Publication number: JP3206377B2
Application number: JP16951895A
Authority: JP
Inventors: 克郎水越; 幹雄本郷; 利夫山田
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1995-07-05
Filing date: 1995-07-05
Publication date: 2001-09-10
Anticipated expiration: 2015-07-05
Also published as: JPH0922984A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ＬＳＩの不良箇所の特
定や補修のための配線形成方法に係り、特に、信号ある
いは電源を複数の配線と授受するに好適な配線の形成方
法に関する。

【０００２】

【従来の技術】ＬＳＩは、高性能化を目指して配線等の
微細化や多層化が行われている。その結果、開発の難度
は高まり、開発期間の長期化を招いている。

【０００３】このような状況は、カットアンドトライの
ような回路製作技法が必要であることを示している。即
ち、不良回路を特定し、この回路の配線を切断したり、
任意箇所に補修配線を付加形成して不良回路の配線を他
の配線と接続することで不良回路を補修し、暫定的・部
分的に完全な動作が得られるＬＳＩを製造すれば、それ
に引き続く特性評価や設計変更が迅速に行えることとな
る。

【０００４】任意箇所の配線切断および補修配線の付加
形成を短時間で実現する技術として、『月刊 Semicondu
ctor Wold』1987年９月号第27頁乃至第32頁で論じられ
ている方法がある。この方法は、集束イオンビーム(以
下、ＦＩＢ（Focused Ion Beam)と略記）を用いて不良
ＬＳＩ内の配線そのものに除去加工およびＣＶＤ（Chem
ical Vapor Deposition）を施し、配線切断と配線接続
とを行うものである。具体的には、ＬＳＩ内の切断ある
いは結線すべき配線上の保護膜や絶縁膜に0.2μm程度の
スポット径を有するＦＩＢを数μｍ□の領域に照射・走
査する。被照射部の保護膜および絶縁膜はＦＩＢのスパ
ッタリング効果により除去され、数μｍ□の開口が形成
され、ＬＳＩ配線が露出する。この状態でＦＩＢ照射を
停止すると、開口は補修配線との接続のための接続穴と
なる。配線切断の場合には、ＦＩＢ照射を更に行うこと
で露出しているＬＳＩ配線がスパッタリング除去され
る。

【０００５】加工部が接続穴の場合、引き続きＣＶＤガ
ス雰囲気中で接続穴を含む領域にＦＩＢ照射・走査す
る。ＦＩＢ被照射部に吸着したＣＶＤガス分子は、ＦＩ
Ｂのエネルギによって解離し、配線膜となる。このＦＩ
Ｂ照射による選択ＣＶＤ（以下、ＦＩＢ−ＣＶＤと略
記）を対をなす接続穴間に行うことで、補修配線が形成
され、２本のＬＳＩ配線同士が接続される。

【０００６】従来技術以外に、任意箇所に補修配線を形
成する技術として、『レーザ協会会報』第12巻・第２号
(1987年４月発行)第１頁乃至第６頁で論じられている方
法がある。この方法は、先ず接続すべきＡｌ配線上の保
護膜に紫外レーザ光を照射して配線幅(φ２μｍ)程度の
接続穴を形成する。次いで、ＣＶＤガス(Ｍo(ＣＯ)₆)雰
囲気中で接続穴内にレーザ照射を行い、レーザ照射によ
って生じた熱でＣＶＤガスを分解して接続穴内にＭoを
埋め込んでＡｌ配線とオーミックコンタクトを取った
後、対をなす接続穴までレーザ光を走査して補修配線
(Ｍo配線)を形成し、同様に接続穴内にＭoを埋め込んで
２本のＡｌ配線同士を接続する。レーザＣＶＤの特徴
は、ＦＩＢ−ＣＶＤに比べて配線寸法の微細性は劣るも
のの、比抵抗の小さい配線の高速形成が可能なことであ
る。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】従来例では、対をなす
ＬＳＩ配線にそれぞれ接続穴を形成し、１本の補修配線
で両配線間を接続する技術について開示している。しか
し、１本のＬＳＩ配線と複数本のＬＳＩ配線との間の信
号あるいは電源の授受に好適な配線の形成方法について
は何ら論じられていない。

【０００８】例えば、図11に示すように、パッド102に
繋がるＬＳＩ配線101aからの信号あるいは電源を他のＬ
ＳＩ配線101b,101c,101dの３本に供給する場合、従来例
では補修配線１が３本、接続穴２が６ヶ所必要である。
特に、ＬＳＩ配線101aには、他のＬＳＩ配線101b,101c,
101dとそれぞれ補修配線で接続するため、接続穴が３ヶ
所も必要である。

【０００９】前述したように、ＬＳＩは配線等の微細化
や多層化が著しく、高精度で微細な加工が可能なＦＩＢ
と言えども配線切断・接続穴形成の難度は高まってい
る。

【００１０】従って、ＬＳＩ配線101aに３ヶ所も接続穴
２を形成することは、加工歩留まりの低下を招く他、補
修時間の増大も招く。

【００１１】本発明の目的は、ＬＳＩの不良箇所の特定
や補修のための配線形成方法において、信号あるいは電
源を複数の配線と授受するに好適な配線形成方法を提供
することにある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明では下記方法の何れかあるいはそれらを組み
合わせ、１本の補修配線の途中から別の補修配線を分岐
形成し、１本の補修配線の接続先を複数化することとし
た。

【００１３】(1) 対をなす接続穴間を接続する第一の補
修配線と、前記補修配線と他の接続穴とを接続するため
の第二の補修配線とを０〜90°の角度で交差接続する。

【００１４】(2) 対をなす接続穴間を接続する第一の補
修配線と、前記補修配線と他の接続穴とを接続するため
の第二の補修配線との両配線の一部同士を重ね合わせて
接続する。

【００１５】(3) 少なくとも補修配線の分岐部のみに、
ＬＳＩ表面の保護膜と補修配線に対し物理的な密着性に
優れる下地膜を形成後、補修配線を分岐形成する。

【００１６】(4) 少なくとも補修配線の分岐部のみに、
ＬＳＩ表面の保護膜と補修配線に対し物理的な密着性お
よび導電性に優れる下地膜を形成後、前記下地膜を介し
て補修配線を分岐形成する。

【００１７】(5) 少なくとも補修配線の分岐部のみのＬ
ＳＩ表面の保護膜表面に微細な凹凸を面状に形成後、補
修配線を分岐形成する。

【００１８】

【作用】本発明の構成で述べたように、１本の補修配線
の途中から別の補修配線を分岐形成し、１本の補修配線
の接続先を複数化することとしたため、各ＬＳＩ配線に
形成する接続穴は１ヶ所ずつで良い。その結果、接続穴
の数が低減すると共に、補修配線の形成長も低減する。

【００１９】また、補修配線の分岐部において、両配線
の幅に応じて両配線の交差する角度を０〜90°としたこ
とにより、両配線の接触長さが増大し、両配線の接続抵
抗が低減する。これと共に、ＬＳＩ表面保護膜(ＳiＯ₂
またはＳiＮ)と補修配線(金属)との熱膨張係数の違いに
よって生ずる応力に対しても強度が増大する。

【００２０】また、両補修配線の一部同士を重ね合わせ
て分岐部を形成したことにより、両配線同士の重なりに
よる厚膜化は一部分となる。その結果、ＬＳＩ保護膜と
補修配線との熱膨張係数の違いによって生じる応力の増
加は小さくなる。

【００２１】また、補修配線の分岐部にＬＳＩ表面保護
膜と補修配線に対して物理的な密着性に優れる下地膜を
形成したことで、下地膜上に形成する補修配線の強度が
増し、クラックや剥離が生じにくくなる。

【００２２】また、補修配線の分岐部に微細な凹凸を面
状に形成することにより、その後に形成する補修配線と
ＬＳＩ表面保護膜との接触面積が増大し、両者の密着性
が高まる。その結果、補修配線にクラックや剥離が生じ
にくくなる。

【００２３】

【実施例】以下、本発明の具体的な実施例を図を用いて
説明する。

【００２４】図１(a)は、本発明における補修配線の分
岐形成の一例を示すものである。ここに示した例は、図
11を用いて述べた従来例において１本のＬＳＩ配線101a
からの信号あるいは電源を３本のＬＳＩ配線101b,101c,
101dに供給する場合のものである。先ず、ＦＩＢを用い
て接続すべきＬＳＩ配線上の保護膜および絶縁膜を除去
してＬＳＩ配線の一部を露出させる(接続穴形成)。次
に、ＣＶＤガス雰囲気中にＬＳＩ100を置き、接続穴２
内にＦＩＢあるいはレーザ光９を照射してＣＶＤガスを
分解せしめ、金属８を接続穴２内に埋め込む(穴埋め)。
全ての接続穴２を埋め込んだ後、ＦＩＢあるいはレーザ
光９を走査してＬＳＩ配線101aと101cの接続穴間に第一
の補修配線１aを形成する。次いで、ＬＳＩ配線101bお
よび101dの接続穴２と第一の補修配線１aの所定位置と
の間にＦＩＢあるいはレーザ光９を走査し、第二，第三
の補修配線１b,１cを形成する(図１(b))。全ての補修配
線を形成後、ＣＶＤガスを排気し、ＬＳＩ100を装置(図
示せず)から取り出して終了となる。

【００２５】これらの第一の補修配線１aと第二，第三
の補修配線１b,１cとの交差部が、補修配線の分岐部と
なる。本実施例と図６に示した従来例とを比較すると、
本実施例の方が接続穴の数は２ヶ所少なく、補修配線の
形成長さも短い。その分、加工歩留まりを維持向上で
き、補修時間の短縮も図れる。本実施例において、第
二，第三の補修配線１b,１cを先に形成後、第一の補修
配線１aを形成しても問題は無い。

【００２６】ここで用いるＣＶＤガスは、ＦＩＢあるい
はレーザ光の照射によって分解し、金属を析出するもの
ならば何でも良い。例えば、金属としてＭo，Ｗ，Ｃr，
Ｎi等を析出するカルボニル化合物，ハロゲン化合物、
あるいは金属としてＡu，Ｃu，Ｐt，Ａｌ等を析出する
有機化合物、等の何れかを用いれば良い。また、ＣＶＤ
ガスを分解するためのＦＩＢは、従来例にも用いられて
いるＧaをイオン源とするもの以外に、ＡrやＨe等の不
活性ガスをイオン源として用いても良い。スポット径に
ついては、補修の要求仕様にもよるが、φ10μｍ以下で
も十分に適用可能である。一方、レーザ光については、
１μｍ程度以下の波長のものが適している(例えば、Ａr
レーザ，ＹＡＧレーザ等)。そして、パルス光でも連続
光でも良い。但し、パルス光の場合には補修時間短縮の
観点から、高繰り返しのものが良い。

【００２７】補修配線の分岐形成の基本的な形態は、図
２(a)に示すように２本の補修配線１a,１b同士をＴ字形
に接続するものである。形態をレーザＣＶＤで形成する
と、同図に示すように、分岐部分の補修配線にクラック
が生じることがある。特に、補修配線の幅や膜厚が大き
く異なる場合に顕著である。図２(a)は、第二の補修配
線１bを第一の補修配線１aよりも細く形成した場合を示
す。図２(b)は、逆に第一の補修配線１aを第二の補修配
線１bよりも細く形成した場合を示す。どちらも細い配
線にクラックが生じる。このクラック発生は、ＬＳＩ表
面の保護膜(ＳiＯ₂またはＳiＮが一般的)と補修配線(金
属)との熱膨張係数の違いによって生じた応力に起因し
ている。応力は補修配線形成後も残留しており、配線の
布設方向、幅方向共に配線を収縮させる方向に働いてお
り、配線幅や膜厚に依存している。従って、幅の大きい
配線に生じた応力に細い配線が耐えられずにクラックを
生じたことが理解できる。

【００２８】そして、ＬＳＩ表面の保護膜と補修配線と
の物理的密着性が低い場合、クラック発生をきっかけに
補修配線が剥離することがある。従って、図２に示す基
本的形態で補修配線を分岐する場合には、同程度の配線
幅と膜厚を有する補修配線同士で行う様にすべきであ
る。

【００２９】図３は、図２における第二の補修配線１b
の形成長さを長くし、第一の補修配線１aを突き抜けて
形成したものである。これにより、図２では第二の補修
配線１bの布設方向の応力によって引っ張られていた第
一の補修配線１aへの負荷を低減することができ、補修
配線分岐部の信頼性を高めることができる。さらに、微
細な補修配線同士で分岐部を形成する場合、ステージ精
度等により配線布設経路がばらつき、接続ができないと
言うような不良の発生を防止できる。本実施例における
突き出し量Ｌは、分岐接続の対象配線(第一の補修配線
１a)の幅Ｗの１〜２倍程度が適当である。

【００３０】図４は図２の基本的な形態の適用が難しい
配線幅の異なる補修配線同士で分岐部を形成するに好適
な形態である。第一の補修配線１aを形成後、分岐のた
めの第二の補修配線１bを形成する。その際、第二の補
修配線１bは、接続穴２から形成を開始し、図４に示す
ように第一の補修配線１aの布設方向に対して直交する
方向で形成する。そして、第一の補修配線１aの中心か
らの距離ｐに達した時点で配線の布設方向を90°変え、
所定の距離Ｌだけ第一の補修配線１aと平行に進んだ時
点でレーザ照射を停止し、第二の補修配線１bの形成を
終える。

【００３１】第一の補修配線１aと第二の補修配線１bと
の中心間距離ｐは、太い配線の幅の１/２以上であり、
且つ、両配線幅Ｗ1,Ｗ2の和の１/２よりも小さい値が望
ましい〔Ｗ1／２≦ｐ＜(Ｗ1＋Ｗ2)／２〕。例えば、第
一の補修配線の幅が10μｍで、第二の補修配線の幅が６
μｍの場合、５μｍ≦ｐ＜８μｍとなる。また、第一の
補修配線と第二の補修配線とが平行に形成される距離Ｌ
は、いくつでも良いが、長くするほど後述のように信頼
性は高まるものの、補修時間が長大化するため、第二の
補修配線幅の３〜５倍程度を上限とすれば良い。そし
て、中心距離ｐおよび平行距離Ｌは、予め配線形成の条
件出しを行う際に両配線の幅を求めておき、補修配線の
座標データに組み込んでおけば良い。

【００３２】以上のように補修配線の分岐部を形成する
ことにより、補修配線同士の重なり部は最大でも細い配
線の幅の１/２以下となるため、補修配線同士の重なり
による応力の増加は最小限に抑えることができる。ま
た、配線の一部同士を平行に重ね合わせているため、共
に幅方向の応力で引き合うこととなり、クラックが生じ
にくい状態となる。さらに、平行に配線同士を重ね合わ
せている分、両配線の接触は長くなり分岐部での抵抗値
増加を抑制できる。

【００３３】図５は、第二の補修配線１bを第一の補修
配線１aに対し、角度θを持って一部同士を重ね合わせ
ることで、図４の実施例における細い第二の補修配線１
bの折れ曲がり部への負荷を軽減し、部分内側へのクラ
ック発生を防止したものである。方法は、第一の補修配
線１aを形成後、所定の接続穴２から所定条件で第二の
補修配線形成を開始する。第一の補修配線１aの布設方
向に直交する方向から形成してきた第二の補修配線１b
が両補修配線の中心間距離ｐの位置に達した時点で布設
方向を角度θだけ変える。そして、距離Ｌ1あるいはＬ2
だけ進んだ時点でレーザ照射を停止し、第二の補修配線
形成を終える。

【００３４】両補修配線の中心間距離ｐは、両配線幅Ｗ
1,Ｗ2の和の１/２よりも大きい値であり、且つ両配線幅
Ｗ1,Ｗ2の和よりも小さい値が望ましい〔(Ｗ1＋Ｗ2)／
２≦ｐ≦(Ｗ1＋Ｗ2)〕。例えば、第一の補修配線の幅Ｗ
1が10μｍで、第二の補修配線の幅Ｗ2が６μｍの場合、
８μｍ≦ｐ≦16μｍとなる。また、第二の補修配線の形
成角度θは、距離Ｌ1およびＬ2により決定されるが、45
°以上が望ましい。そして、中心距離ｐおよび距離Ｌ1
およびＬ2は、図４の実施例と同様に、補修配線の座標
データに組み込んでおけば良い。

【００３５】図６に示した実施例も、図４の実施例にお
ける細い第二の補修配線１bの折れ曲がり部への負荷を
軽減し、部分内側へのクラック発生を防止したものであ
る。第一の補修配線１aに比べて第二の補修配線１bが著
しく細い場合に特に有効である。本実施例において、両
配線の中心間距離ｐは図４の実施例と同じである。そし
て、両配線の平行距離Ｌ1は、第二の補修配線１bの幅Ｗ
2を上限とし、その１/２以上を下限とする。また、第二
の補修配線１bの折り返す距離Ｌ2は、補修配線幅Ｗ2の
１/２以上であれば良い。

【００３６】図７は、補修配線の分岐部分に下地膜を形
成し、配線とＬＳＩ表面保護膜との物理的な密着性の向
上を図り、配線へのクラックや剥離の発生防止を目的と
しているものである。

【００３７】先ず、図７(a)に示すように、接続穴２を
形成したＬＳＩ100をＣＶＤガス雰囲気中におき、ＦＩ
Ｂ10を少なくとも補修配線の分岐部分に面状に照射す
る。これにより、走査部に吸着したＣＶＤガスはＦＩＢ
10のエネルギにより分解して下地膜11を形成する。次に
補修配線を形成するためのＣＶＤガス雰囲気中に下地膜
11を形成したＬＳＩ100を置き、図１に示した第１の実
施例と同様にレーザ照射を行い、接続穴２への埋め込み
と補修配線１a,１bの形成を行う(図７(b))。

【００３８】図７(c)は、工程まで行ったＬＳＩ100にお
ける補修配線１a,１bの分岐部の平面図を示す。全ての
補修配線形成を終えたならばＣＶＤガスを排気し、装置
からＬＳＩ100を取り出して終了となる。

【００３９】実施例において、下地膜11を形成するため
のＣＶＤガスは、ＦＩＢ10の照射によりＬＳＩ100表面
の保護膜及び補修配線１a,１bに対し、物理的密着性に
優れる膜を析出するものであれば何れでも良い。具体的
には、Ｃrを析出するＣr(ＣＯ)₆，Ｔiを析出するＴi
Ｉ，Ｎiを析出するＮi(ＣＯ)₄，Ｗを析出するＷ(Ｃ
Ｏ)₆，ＷＦ₆等がある。これらは何れも金属を析出する
が、密着性を高めるものであるならば、非金属でも差し
支えない。

【００４０】接続穴２への埋め込み及び補修配線形成に
用いるＣＶＤガスは、図１の実施例で述べたものと同じ
である。従って、下地膜形成11から補修配線の形成まで
を同一のＣＶＤガスを用いて実施することも可能であ
る。

【００４１】また、ＦＩＢ−ＣＶＤで下地膜を形成して
いるが、これに限るものでなく、電子ビームを用いたＣ
ＶＤや各種のスパッタリング蒸着なども用い得る。そし
てもし、ＬＳＩ100全面に下地膜11を形成した場合に
は、全ての補修配線形成後、スパッタ・エッチング等で
不要な下地膜11を除去する。尚、下地膜11の膜厚は、１
μｍ以下で十分である。

【００４２】下地膜11が導電性を有している場合、下地
膜11と各ＬＳＩ配線に形成した接続穴２とをそれぞれ補
修配線で接続しても分岐形成は達成できる。この場合の
下地膜11は、補修配線の密着性向上が主目的でなく、補
修配線同士の電気的接続のためのパッド(端子)となる。
図８は、この様な下地膜11への補修配線形成を示したも
のである。下地膜11の膜厚が信号あるいは電源の授受に
悪影響を与えない程度(0.１μｍ程度以上)であるなら
ば、図に示すように、補修配線同士１a,１b,１cは接触
させる必要は無く、適当な間隔で下地膜11上に形成すれ
ば良い。この様にすることで、補修配線同士の応力によ
る影響は生じない。

【００４３】ＦＩＢや電子ビームの荷電粒子ビームを用
いたＣＶＤによる下地膜形成において、微細なスポット
径は必要ではない。従来技術に用いているＦＩＢ−ＣＶ
Ｄでも十分である。また、意図的にスポット径を大きく
し、下地膜11の形成領域にパルス的に一括照射しても良
い。逆に、微細なスポット径の荷電粒子ビームを用いた
場合、図９(a)に示すように、スポット径ｄよりも大き
いピッチｐで面状に走査することにより、図９(b)に示
すように、ＬＳＩ100の表面に微細な凹凸を下地膜11と
して形成できる。この上に補修配線を形成すれば、接触
面積が増大することで密着性は高まり、補修配線の分岐
部にクラックや剥離が生じにくくなる。

【００４４】ＬＳＩ100の表面と補修配線との密着性を
高める方法として、下地膜形成以外に、図10に示すよう
に、ＬＳＩ100の表面の保護膜に微細な凹凸12を形成
し、補修配線との接触面積の増大化を図る方法もある。
先ず図10(a)に示すように、ＬＳＩ100の表面の保護膜に
微細なスポット径のＦＩＢ10をスポット径ｄ以上のピッ
チｐで面状に走査する。ＦＩＢのスパッタリング作用に
より、ＬＳＩ保護膜表面には微細な凹凸12が多数形成さ
れる。この時、接続穴２の形成も行っておく。次に、Ｌ
ＳＩを補修配線形成のためのＣＶＤガス雰囲気中に置
き、第１の実施例と同様に、穴埋めと補修配線形成を行
う(図10(b))。

【００４５】ここでのＦＩＢ加工は、0.5μｍ以下のス
ポット径を有するＦＩＢ10を用いたスパッタリング加工
であり、微細な凹凸12を多数形成するためにはスポット
径は小さいほど良い。そして、ＦＩＢ10の走査は、一方
向のみならず、ＸおよびＹ方向の２方向で実施し、格子
状に凹凸12を形成しても良い。

【００４６】また、ＦＩＢ加工以外に、保護膜のエッチ
ングガス雰囲気中で荷電粒子ビームの照射を行い、ビー
ムのエネルギによりエッチングガスを励起し、保護膜表
面に微細な凹凸12を形成しても良い。ここで用いるエッ
チングガスは、保護膜の材質としてＳiＯ₂やＳiＮが一
般的なことから、例えばＸeＦ₂のようなＦを含んだガス
が適している。

【００４７】

【発明の効果】本発明によれば、１本の補修配線をその
形成途中から複数本に分岐して形成するため、１本のＬ
ＳＩ配線からの信号あるいは電源を複数本のＬＳＩ配線
に供給する場合、最少の接続穴で達成可能となる。ま
た、補修配線の形成長さも短くなるため、補修時間の短
縮および加工歩留まりの維持向上が図れる。

【００４８】また、補修配線の分岐部において、補修配
線とＬＳＩ表面保護膜との熱膨張係数の違いに起因して
生じる応力により補修配線にクラックや剥離が生じるこ
と無きよう、種々の対策を行っているため、実使用時の
通電のオン-オフによる熱的ストレス等に対しても十分
な信頼性がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の補修配線の分岐形成例の説明図。

【図２】本発明の補修配線の分岐の一実施例の説明図。

【図３】本発明の補修配線の分岐の第二実施例の説明
図。

【図４】本発明の補修配線の分岐の第三実施例の説明
図。

【図５】本発明の補修配線の分岐の第四実施例の説明
図。

【図６】本発明の補修配線の分岐の第五実施例の説明
図。

【図７】本発明の補修配線の分岐の第六実施例の説明
図。

【図８】本発明の補修配線の分岐の第七実施例の説明
図。

【図９】本発明の補修配線の分岐の第八実施例の説明
図。

【図10】本発明の補修配線の分岐の第九実施例の説明
図。

【図11】従来技術の配線の分岐形成の説明図。

【符号の説明】１…補修配線、２…接続穴、８…金属、９…ＦＩＢまたはレーザ光、 10…荷電粒子ビーム、 11…下地膜、 12…凹凸、 100…ＬＳＩ、 101…ＬＳＩ配線、 102…パッド。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献特開昭63−17543（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 27/04 H01L 21/3205 H01L 21/822

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】ＬＳＩの不良個所の特定や補修のための配
線形成方法であって、ＬＳＩの表面を覆う保護膜上に局
所的に下地膜を形成し、前記ＬＳＩの内部の配線に接続
して少なくとも一部が前記局所的に形成した下地膜と重
なる第１の付加配線を形成し、該形成した第１の付加配
線に該第１の配線が前記下地膜と重なる部分で接続する
第２の付加配線を前記ＬＳＩの表面を覆う保護膜上に形
成することを特徴とする配線形成方法。
【請求項２】前記下地膜が非金属膜であることを特徴と
する請求項１記載の配線形成方法。
【請求項３】表面が保護膜で覆われて内部に配線が形成
されたＬＳＩの前記表面を覆う保護膜の上に前記内部の
配線に接続する新たな配線を付加形成する配線形成方法
であって、前記ＬＳＩの表面を覆う保護膜に少なくとも
３個所以上穴を開けて前記内部の配線を少なくとも３個
所以上露出させ、前記ＬＳＩの表面を覆う保護膜の上に
前記少なくとも３個所以上露出させた配線のうちの２個
所を接続する第１の配線を付加形成し、該付加形成した
第１の配線に接続するとともに前記露出させた配線のう
ち前記第１の配線が接続する配線とは異なる配線に接続
する第２の配線を前記ＬＳＩの表面を覆う保護膜の上に
付加形成することにより、前記ＬＳＩの表面を覆う保護
膜の上に前記ＬＳＩの内部に形成された少なくとも３以
上の配線に接続する付加配線を形成することを特徴とす
る配線形成方法。
【請求項４】ＬＳＩの不良個所の特定や補修のための配
線形成方法であって、ＬＳＩの表面を覆う保護膜上に局
所的に導電性を有する金属下地膜を形成し、一端が前記
ＬＳＩの内部の配線に接続して他端が前記局所的に形成
した前記導電性を有する金属下地膜と接続する付加配線
を３本以上形成することにより、前記ＬＳＩの表面を覆
う保護膜の上に前記ＬＳＩの内部に形成された少なくと
も３以上の配線に接続する付加配線を形成することを特
徴とする配線形成方法。
【請求項５】前記付加配線を、ＣＶＤガスの雰囲気中で
集束イオンビームを用いて形成することを特徴とする請
求項１乃至４の何れかに記載の配線形成方法。
【請求項６】前記付加配線を、ＣＶＤガスの雰囲気中で
レーザ光を用いて形成することを特徴とする請求項１乃
至４の何れかに記載の配線形成方法。
【請求項７】前記ＬＳＩの表面を覆う保護膜に少なくと
も３個所以上穴を開けて前記内部の配線を少なくとも３
個所以上露出させることを、前記ＬＳＩの表面を覆う保
護膜に集束させたイオンビームを照射して行うことを特
徴とする請求項３記載の配線形成方法。