JP3178432B2 - Method for measuring thermal characteristics of junction transistor - Google Patents
Method for measuring thermal characteristics of junction transistorInfo
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Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、ジャンクショント
ランジスタの熱特性測定方法に関し、特に、ストレス印
加中のジャンクション温度を測定することが可能なジャ
ンクショントランジスタの熱特性測定方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for measuring thermal characteristics of a junction transistor, and more particularly to a method for measuring thermal characteristics of a junction transistor capable of measuring a junction temperature during stress application.
【０００２】[0002]
【従来の技術】図３及び図４は、従来のジャンクション
トランジスタの熱特性を測定する方法を説明するための
図である。図３に示すように、ジャンクショントランジ
スタ（接合型電界効果トランジスタ）１のゲート・ソー
ス間に、パルス発生部２より発生された一定の微少電流
の連続パルス（Ｉｇ）を印加すると同時に、そのゲート
・ソース間電圧（図４のＶｇｓ１）を測定する。2. Description of the Related Art FIGS. 3 and 4 are views for explaining a method for measuring the thermal characteristics of a conventional junction transistor. As shown in FIG. 3, between the gate and source of a junction transistor (junction field effect transistor) 1, a continuous pulse (Ig) of a constant, small current generated by a pulse generator 2 is applied, and The source-to-source voltage (Vgs1 in FIG. 4) is measured.
【０００３】そして、連続パルス（Ｉｇ）を印加しつ
つ、一定時間、電力供給源３からの一定電力（Ｖｄｓ）
を、ソース・ドレイン間に印加し、チャンネルの温度を
上昇させ、この電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）の電力
（Ｖｄｓ）をＯＦＦした後、再び、ゲート・ソース間電
圧（図４のＶｇｓ２）を測定する。[0003] While applying a continuous pulse (Ig), a constant power (Vds) from the power supply source 3 for a fixed time.
Is applied between the source and the drain to increase the temperature of the channel and turn off the power (Vds) of the field effect transistor (FET), and then measure the gate-source voltage (Vgs2 in FIG. 4) again. .
【０００４】そして、ソース・ドレイン間に一定電力
（Ｖｄｓ）を印加する前後のゲート・ソース間の電圧
差、及び、予め求めておいたＦＥＴの温度係数と印加電
力とから熱抵抗値を算出する。Then, a thermal resistance value is calculated from a voltage difference between the gate and the source before and after applying a constant power (Vds) between the source and the drain, and a temperature coefficient of the FET and an applied power determined in advance. .
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この手
法では、電力印加の前後での測定値からチャンネル温度
（Ｔｃｈ）を算出するため、電力印加時のチャンネル温
度を求めることができない課題があった。However, in this method, since the channel temperature (Tch) is calculated from the measured values before and after the power is applied, there is a problem that the channel temperature when the power is applied cannot be obtained.
【０００６】本発明はこのような状況に鑑みてなされた
ものであり、実際に、周囲温度（Ｔａ）またはベース温
度（Ｔｂａｓｅ）を所定の値とし、一定電力（Ｐｏｗｅ
ｒ）を印加した状態での熱抵抗、及びチャンネル温度
（ジャンクション温度）を求めることができるようにす
るものである。The present invention has been made in view of such a situation. Actually, the ambient temperature (Ta) or the base temperature (Tbase) is set to a predetermined value, and the constant power (Power) is set.
It is intended to determine the thermal resistance and the channel temperature (junction temperature) when r) is applied.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】請求項１に記載のジャン
クショントランジスタの熱特性測定方法は、ジャンクシ
ョントランジスタのコレクタ・エミッタ間に一定の電力
を印加し、周囲温度またはベース温度を一定にしてジャ
ンクショントランジスタの熱特性を測定するジャンクシ
ョントランジスタの熱特性測定方法であって、ジャンク
ショントランジスタのコレクタ・エミッタ間に電流を流
して電力を印加し、周囲温度或いはベース温度の水準を
少なくとも２点以上振り、さらに、電力の水準を少なく
とも２点以上振り、各水準でジャンクショントランジス
タにかかるベース・エミッタ間電圧を測定し、周囲温度
或いはベース温度とベース・エミッタ間電圧の測定値と
の関係から、周囲温度またはベース温度が第１の温度
で、電力が第１の電力値のときのベース・エミッタ間電
圧の値と、電力の値が第２の電力値のときのベース・エ
ミッタ間電圧の値とが同一になるような、電力の値が第
２の電力値のときの周囲温度またはベース温度の値を読
み取り、ベース・エミッタ間電圧の温度依存性により、
熱抵抗、およびジャンクション温度の算出を行い、熱抵
抗は、周囲温度またはベース温度の変化に対応する電力
の値の変化に基づいて算出され、ジャンクション温度
は、熱抵抗の値と電力の値を乗算したものに、周囲温度
またはベース温度を加算することにより算出され、電力
は、コレクタ・エミッタ間の電圧の値と電流の値を乗算
したものと、ベース・エミッタ間の電圧の値と電流の値
を乗算したものとを加算したものであることを特徴とす
る。請求項２に記載のジャンクショントランジスタの熱
特性測定方法は、ジャンクショントランジスタのコレク
タ・エミッタ間に一定の電力を印加し、周囲温度または
ベース温度を一定にしてジャンクショントランジスタの
熱特性を測定するジャンクショントランジスタの熱特性
測定方法であって、ジャンクショントランジスタのコレ
クタ・エミッタ間に電流を流して電力を印加し、周囲温
度或いはベース温度の水準を少なくとも２点以上振り、
さらに、コレクタ・エミッタ間の電圧の水準を少なくと
も２点以上振り、各水準でジャンクショントランジスタ
にかかるベース・エミッタ間電圧を測定し、周囲温度或
いはベース温度とベース・エミッタ間電圧の測定値との
関係から、周囲温度またはベース温度が第１の温度で、
コレクタ・エミッタ間の電圧が第１の電圧値のときのベ
ース・エミッタ間電圧の値と、コレクタ・エミッタ間の
電圧の値が第２の電圧値のときのベース・エミッタ間電
圧の値とが同一になるような、コレクタ・エミッタ間の
電圧の値が第２の電圧値のときの周囲温度またはベース
温度の値を読み取り、ベース・エミッタ間電圧の温度依
存性により、熱抵抗、およびジャンクション温度の算出
を行い、熱抵抗は、周囲温度またはベース温度の変化に
対応する電力の値の変化に基づいて算出され、ジャンク
ション温度は、熱抵抗の値と電力の値を乗算したもの
に、周囲温度またはベース温度を加算することにより算
出され、電力は、コレクタ・エミッタ間の電圧の値と電
流の値を乗算したものと、ベース・エミッタ間の電圧の
値と電流の値を乗算したものとを加算したものであるこ
とを特徴とする。請求項３に記載のジャンクショントラ
ンジスタの熱特性測定方法は、ジャンクショントランジ
スタのコレクタ・エミッタ間に一定の電力を印加し、周
囲温度またはベース温度を一定にしてジャンクショント
ランジスタの熱特性を測定するジャンクショントランジ
スタの熱特性測定方法であって、ジャンクショントラン
ジスタのコレクタ・エミッタ間に電流を流して電力を印
加し、周囲温度或いはベース温度の水準を少なくとも２
点以上振り、さらに、コレクタ・エミッタ間の電流の水
準を少なくとも２点以上振り、各水準でジャンクション
トランジスタにかかるベース・エミッタ間電圧を測定
し、周囲温度或いはベース温度とベース・エミッタ間電
流の測定値との関係から、周囲温度またはベース温度が
第１の温度で、コレクタ・エミッタ間の電流が第１の電
流値のときのベース・エミッタ間電圧の値と、コレクタ
・エミッタ間の電流の値が第２の電流値のときのベース
・エミッタ間電圧の値とが同一になるような、コレクタ
・エミッタ間の電流の値が第２の電流値のときの周囲温
度またはベース温度の値を読み取り、ベース・エミッタ
間電圧の温度依存性により、熱抵抗、およびジャンクシ
ョン温度の算出を行い、熱抵抗は、周囲温度またはベー
ス温度の変化に対応する電力の値の変化に基づいて算出
され、ジャンクション温度は、熱抵抗の値と電力の値を
乗算したものに、周囲温度またはベース温度を加算する
ことにより算出され、電力は、コレクタ・エミッタ間の
電圧の値と電流の値を乗算したものと、ベース・エミッ
タ間の電圧の値と電流の値を乗算したものとを加算した
ものであることを特徴とする。請求項４に記載のジャン
クショントランジスタの熱特性測定方法は、ジャンクシ
ョントランジスタのコレクタ・エミッタ間に一定の電力
を印加し、周囲温度またはベース温度を一定にしてジャ
ンクショントランジスタの熱特性を測定するジャンクシ
ョントランジスタの熱特性測定方法であって、実際のス
トレス印加状態の各水準で、ジャンクショントランジス
タにかかるベース・エミッタ間電圧を測定し、周囲温度
またはベース温度の値と、コレクタ・エミッタ間の電流
の値を変え、安定後のベース・エミッタ間電圧の値が、
実際のストレス印加状態のベース・エミッタ間電圧の値
と同一になるような、周囲温度またはベース温度を探し
出し、周囲温度或いはベース温度とベース・エミッタ間
電圧の測定値との関係から、周囲温度またはベース温度
が第１の温度で、電力が第１の電力値のときのベース・
エミッタ間電圧の値と、電力の値が第２の電力値のとき
のベース・エミッタ間電圧の値とが同一になるような、
電力の値が第２の電力値のときの周囲温度またはベース
温度の値を読み取り、ベース・エミッタ間電圧の温度依
存性により、熱抵抗、およびジャンクション温度の算出
を行い、熱抵抗は、周囲温度またはベース温度の変化に
対応する電力の値の変化に基づいて算出され、ジャンク
ション温度は、熱抵抗の値と電力の値を乗算したもの
に、周囲温度またはベース温度を加算することにより算
出され、電力は、コレクタ・エミッタ間の電圧の値と電
流の値を乗算したものと、ベース・エミッタ間の電圧の
値と電流の値を乗算したものとを加算したものであるこ
とを特徴とする。 請求項５に記載のジャンクショントラ
ンジスタの熱特性測定方法は、ジャンクショントランジ
スタのコレクタ・エミッタ間に一定の電力を印加し、周
囲温度またはベース温度を一定にしてジャンクショント
ランジスタの熱特性を測定するジャンクショントランジ
スタの熱特性測定方法であって、実際のストレス印加状
態の各水準で、ジャンクショントランジスタにかかるベ
ース・エミッタ間電圧を測定し、周囲温度またはベース
温度の値と、コレクタ・エミッタ間電圧の値を変え、安
定後のベース・エミッタ間電圧の値が、実際のストレス
印加状態のベース・エミッタ間電圧の値と同一になるよ
うな、周囲温度またはベース温度を探し出し、周囲温度
或いはベース温度とベース・エミッタ間電圧の測定値と
の関係から、周囲温度またはベース温度が第１の温度
で、電力が第１の電力値のときのベース ・エミッタ間電
圧の値と、電力の値が第２の電力値のときのベース・エ
ミッタ間電圧の値とが同一になるような、電力の値が第
２の電力値のときの周囲温度またはベース温度の値を読
み取り、ベース・エミッタ間電圧の温度依存性により、
熱抵抗、およびジャンクション温度の算出を行い、熱抵
抗は、周囲温度またはベース温度の変化に対応する電力
の値の変化に基づいて算出され、ジャンクション温度
は、熱抵抗の値と電力の値を乗算したものに、周囲温度
またはベース温度を加算することにより算出され、電力
は、コレクタ・エミッタ間の電圧の値と電流の値を乗算
したものと、ベース・エミッタ間の電圧の値と電流の値
を乗算したものとを加算したものであることを特徴とす
る。 請求項６に記載のジャンクショントランジスタの熱
特性測定方法は、ジャンクショントランジスタのコレク
タ・エミッタ間に一定の電力を印加し、周囲温度または
ベース温度を一定にしてジャンクショントランジスタの
熱特性を測定するジャンクショントランジスタの熱特性
測定方法であって、実際のストレス印加状態の各水準
で、ジャンクショントランジスタにかかるベース・エミ
ッタ間電圧を測定し、周囲温度またはベース温度の値
と、コレクタ・エミッタ間の電流の値と、コレクタ・エ
ミッタ間の電圧の値を変え、安定後のベース・エミッタ
間電圧の値が、実際のストレス印加状態のベース・エミ
ッタ間電圧の値と同一になるような、周囲温度またはベ
ース温度を探し出し、周囲温度或いはベース温度とベー
ス・エミッタ間電圧の測定値との関係から、周囲温度ま
たはベース温度が第１の温度で、電力が第１の電力値の
ときのベース・エミッタ間電圧の値と、電力の値が第２
の電力値のときのベース・エミッタ間電圧の値とが同一
になるような、電力の値が第２の電力値のときの周囲温
度またはベース温度の値を読み取り、ベース・エミッタ
間電圧の温度依存性により、熱抵抗、およびジャンクシ
ョン温度の算出を行い、熱抵抗は、周囲温度またはベー
ス温度の変化に対応する電力の値の変化に基づいて算出
され、ジャンクション温度は、熱抵抗の値と電力の値を
乗算したものに、周囲温度またはベース温度を加算する
ことにより算出され、電力は、コレクタ・エミッタ間の
電圧の値と電流の値を乗算したものと、ベース・エミッ
タ間の電圧の値と電流の値を乗算したものとを加算した
ものであることを特徴とする。本発明に係るジャンクシ
ョントランジスタの熱特性測定方法においては、ジャン
クショントランジスタのコレクタ・エミッタ間に電流を
流して電力を印加し、周囲温度或いはベース温度の水準
を少なくとも２点以上振り、さらに、電力の水準を少な
くとも２点以上振り、各水準でジャンクショントランジ
スタにかかるベース・エミッタ間電圧を測定し、周囲温
度或いはベース温度とベース・エミッタ間電圧の測定値
との関係から、周囲温度またはベース温度が第１の温度
で、電力が第１の電力値のときのベース・エミッタ間電
圧の値と、電力の値が第２の電力値のときのベース・エ
ミッタ間電圧の値とが同一になるような、電力の値が第
２の電力値のときの周囲温度またはベース温度の値を読
み取り、ベース・エミッタ間電圧の温度依存性により、
熱抵抗、およびジャンクション温度の算出を行う。或い
は、実際のストレス印加状態の各水準で、ジャンクショ
ントランジスタにかかるベース・エミッタ間電圧を測定
し、周囲温度またはベース温度の値と、コレクタ・エミ
ッタ間の電流の値およびコレクタ・エミッタ間の電圧の
値の少なくともいずれか一方を変え、安定後のベース・
エミッタ間電圧の値が、実際のストレス印加状態のベー
ス・エミッタ間電圧の値と同一になるような、周囲温度
またはベース温度を探し出し、周囲温度或いはベース温
度とベース・エミッタ間電圧の測定値との関係から、周
囲温度またはベース温度が第１の温度で、電力が第１の
電力値のときのベース・エミッタ間電圧の値と、電力の
値が第２の電力値のときのベース・エミッタ間電圧の値
とが同一になるような、電力の値が第２の電力値のとき
の周囲温度またはベース温度の値を読み取り、ベース・
エミッタ間電圧の温度依存性により、熱抵抗、およびジ
ャンクション温度の算出を行う。 According to a first aspect of the present invention, there is provided a method for measuring thermal characteristics of a junction transistor, comprising applying a constant power between a collector and an emitter of the junction transistor to make the ambient temperature or the base temperature constant. a thermal characteristic measuring method of the junction transistor to measure the thermal properties, junk
Current flows between the collector and emitter of the transistor.
And apply power to adjust the ambient or base temperature level.
Shake at least two points and reduce the power level
Swing 2 points or more, and Junction Transistors at each level
Measure the base-emitter voltage applied to the
Or the measured values of base temperature and base-emitter voltage
From the ambient temperature or the base temperature is the first temperature
And the power between the base and the emitter when the power is the first power value.
Pressure value and the base energy when the power value is the second power value.
The power value must be the same as the value of the voltage between the transmitters.
Read the ambient temperature or base temperature at the power value of 2.
The temperature dependence of the base-emitter voltage
Calculate thermal resistance and junction temperature, and
Resistance is the power corresponding to changes in ambient or base temperature
Is calculated based on the change in the value of
Is the product of the thermal resistance value and the power value, and the ambient temperature
Or the power calculated by adding the base temperature
Multiplies the value of the collector-emitter voltage by the value of the current
And the value of base-emitter voltage and current
And a product obtained by multiplying by . According to a second aspect of the present invention, there is provided a method for measuring the thermal characteristics of a junction transistor, wherein a constant power is applied between the collector and the emitter of the junction transistor and the ambient temperature or the base temperature is kept constant to measure the thermal characteristics of the junction transistor. a thermal characteristic measuring method, the junction transistor Kore
Apply electric current by flowing current between the
At least two levels of degree or base temperature
Furthermore, the level of the voltage between the collector and the emitter should be reduced.
Also swing two or more points, junction transistor at each level
Is measured at ambient temperature or
Between the base temperature and the measured value of the base-emitter voltage.
From the relationship, the ambient or base temperature is the first temperature,
When the voltage between the collector and the emitter is the first voltage value,
Source-emitter voltage and collector-emitter
Base-emitter current when the voltage value is the second voltage value
Between the collector and emitter so that the pressure value is the same
Ambient temperature or base when voltage value is second voltage value
Read the temperature value and determine the temperature dependence of the base-emitter voltage.
Calculation of thermal resistance and junction temperature
And the thermal resistance varies with changes in ambient or base temperature.
Calculated based on the corresponding power value change, junk
Is the product of the thermal resistance value and the power value
To the ambient or base temperature.
Power is output and the value of the collector-emitter voltage and the power
Current value and the base-emitter voltage
The value is obtained by adding a value obtained by multiplying a value by a current value . According to a third aspect of the present invention, there is provided a method for measuring the thermal characteristics of a junction transistor, wherein a constant power is applied between the collector and the emitter of the junction transistor and the ambient temperature or the base temperature is kept constant to measure the thermal characteristics of the junction transistor. a thermal characteristic measuring method, the junction Trang
Apply current between the collector and emitter of the
At ambient or base temperature level of at least 2
Over the point, and the current
Swing at least two points and junction at each level
Measures base-emitter voltage applied to transistor
The ambient or base temperature and the base-emitter
The ambient or base temperature is
At the first temperature, the current between the collector and the emitter is changed to the first voltage.
The value of the base-emitter voltage at the
.Base when current value between emitters is second current value
.A collector whose emitter-to-emitter voltage value is the same
Ambient temperature when the value of the current between the emitters is the second current value
Read the value of degree or base temperature
The thermal resistance and junk resistance
Calculate the ambient temperature or the base temperature.
Calculated based on the change in power value corresponding to the temperature change
The junction temperature depends on the value of thermal resistance and the value of power.
Add the ambient or base temperature to the product
Power is calculated between the collector and the emitter.
The value obtained by multiplying the voltage value and the current value
The value of the voltage between the data and the product of the value of the current were added.
And characterized in that. The jean of claim 4
Junction transistor thermal characteristics measurement method
Constant power between collector and emitter of transistor
And adjust the ambient temperature or base temperature to
Junction for measuring thermal characteristics of junction transistors
This is a method for measuring the thermal characteristics of
Junction transistor
Measure the base-emitter voltage applied to the
Or the value of base temperature and current between collector and emitter
And the value of the base-emitter voltage after stabilization becomes
Base-emitter voltage under actual stress
Find the ambient or base temperature that is the same as
Output, ambient temperature or base temperature and base-emitter
Ambient or base temperature based on voltage measurement
Is the first temperature and the power is at the first power value.
When the value of the voltage between the emitters and the value of the power are the second power value
Such that the value of the base-emitter voltage of
Ambient temperature or base when power value is second power value
Read the temperature value and determine the temperature dependence of the base-emitter voltage.
Calculation of thermal resistance and junction temperature
And the thermal resistance varies with changes in ambient or base temperature.
Calculated based on the corresponding power value change, junk
Is the product of the thermal resistance value and the power value
To the ambient or base temperature.
Power is output and the value of the collector-emitter voltage and the power
Current value and the base-emitter voltage
Value and the value obtained by multiplying the current value
And features. The junction tiger according to claim 5.
The method for measuring the thermal characteristics of a transistor is based on the junction transistor.
Apply a certain amount of power between the collector and emitter of the
Junction with constant ambient or base temperature
Junction transistor to measure thermal characteristics of transistor
This is a method for measuring the thermal characteristics of
At each level of state, the
Measure the source-emitter voltage and
Change the temperature value and the collector-emitter voltage to
The value of the base-emitter voltage after
It will be the same as the value of the base-emitter voltage in the applied state
The ambient temperature or base temperature.
Or the measured values of base temperature and base-emitter voltage
From the ambient temperature or the base temperature is the first temperature
And the power between the base and the emitter when the power is the first power value.
Pressure value and the base energy when the power value is the second power value.
The power value must be the same as the value of the voltage between the transmitters.
Read the ambient temperature or base temperature at the power value of 2.
The temperature dependence of the base-emitter voltage
Calculate thermal resistance and junction temperature, and
Resistance is the power corresponding to changes in ambient or base temperature
Is calculated based on the change in the value of
Is the product of the thermal resistance value and the power value, and the ambient temperature
Or the power calculated by adding the base temperature
Multiplies the value of the collector-emitter voltage by the value of the current
And the value of base-emitter voltage and current
Characterized by being multiplied by
You. The heat of the junction transistor according to claim 6.
The characteristic measurement method is based on the junction transistor collector.
Apply a certain amount of power between the
Keeping the base temperature constant
Thermal characteristics of junction transistor for measuring thermal characteristics
Measurement method, each level of actual stress application state
And the base emitter on the junction transistor
The ambient temperature or the base temperature.
Current value between the collector and emitter,
Change the value of the voltage between the transmitters and the stable base-emitter
The value of the voltage between the base
Ambient temperature or reference
Find the base temperature and determine the ambient or base temperature and base temperature.
From the measured value of the emitter-emitter voltage to the ambient temperature.
Or the base temperature is the first temperature and the power is the first power value.
When the value of the base-emitter voltage and the value of the power
Is the same as the value of the base-emitter voltage at the power value of
Ambient temperature when the power value is the second power value such that
Read the value of degree or base temperature
The thermal resistance and junk resistance
Calculate the ambient temperature or the base temperature.
Calculated based on the change in power value corresponding to the temperature change
The junction temperature depends on the value of thermal resistance and the value of power.
Add the ambient or base temperature to the product
Power is calculated between the collector and the emitter.
The value obtained by multiplying the voltage value and the current value
The value of the voltage between the data and the product of the value of the current were added.
Characterized in that: In the thermal characteristic measuring method of the junction transistor according to the present invention, Jean
Current between the collector and emitter of the
And apply power to the ambient or base temperature level.
At least two points, and lower the power level.
Swing at least 2 points, and at each level
Measure the base-emitter voltage applied to the
Degree or measured value of base temperature and base-emitter voltage
The ambient temperature or the base temperature is the first temperature
And the power between the base and the emitter when the power is the first power value.
Pressure value and the base energy when the power value is the second power value.
The power value must be the same as the value of the voltage between the transmitters.
Read the ambient temperature or base temperature at the power value of 2.
The temperature dependence of the base-emitter voltage
Calculate thermal resistance and junction temperature. Some
Indicates the junction at each level of the actual stress application state.
Measures base-emitter voltage applied to transistor
The ambient or base temperature and the collector
Of the current between the
Change at least one of the values to
The value of the emitter-to-emitter voltage is
Ambient temperature at which the value of the emitter-emitter voltage becomes the same
Or find out the base temperature, ambient or base temperature
Frequency and the measured value of the base-emitter voltage,
When the ambient temperature or the base temperature is the first temperature and the power is the first
The value of the base-emitter voltage at the power value and the power
The value of the base-emitter voltage when the value is the second power value
When the power value is the second power value such that
Read the ambient or base temperature value of
Due to the temperature dependence of the voltage between emitters, thermal resistance and
Calculate the junction temperature.
【０００８】[0008]
【発明の実施の形態】図１及び図２は、本発明のジャン
クショントランジスタの熱特性測定方法を説明するため
の図である。図１に示すように、ジャンクショントラン
ジスタ１１のコレクタ・エミッタ間に電力供給源１３か
らの一定電流を流して、一定電力（Ｐｏｗｅｒ）（＝Ｖ
ｃｅ×Ｉｃｅ＋Ｖｂｅ×Ｉｂｅ≒Ｖｃｅ×Ｉｃｅ）を印
加し、周囲温度（Ｔａ）或いはベース温度（Ｔｂａｓ
ｅ）を一定にして行う試験において、Ｔａ（Ｔｂａｓ
ｅ）の水準を少なくとも２点以上振り、Ｐｏｗｅｒの水
準を少なくとも２点以上振る。ここでは、周囲温度（Ｔ
ａ）を用いることにする。そして、ジャンクショントラ
ンジスタ１１にかかるベース・エミッタ間電圧（Ｖｂ
ｅ）を各水準でモニタする。1 and 2 are diagrams for explaining a method for measuring the thermal characteristics of a junction transistor according to the present invention. As shown in FIG. 1, a constant current from the power supply 13 flows between the collector and the emitter of the junction transistor 11, and a constant power (Power) (= V
ce × Ice + Vbe × Ibe ≒ Vce × Ice, and the ambient temperature (Ta) or the base temperature (Tbas)
e) in a test conducted at a constant value, Ta (Tbas
The level of e) is assigned at least two points, and the level of Power is assigned at least two points. Here, the ambient temperature (T
a) will be used. The base-emitter voltage (Vb) applied to the junction transistor 11
e) is monitored at each level.
【０００９】そして、図２に示すように、縦軸をＶｂ
ｅ、横軸をＴａとし、Ｔａ（Ｔｂａｓｅ）−Ｖｂｅグラ
フを描き、次式から熱抵抗を求める。As shown in FIG. 2, the vertical axis is Vb
e, Ta is plotted on the horizontal axis, a Ta (Tbase) -Vbe graph is drawn, and the thermal resistance is calculated from the following equation.
【００１０】熱抵抗＝ΔＴａ／△ＰｏｗｅｒThermal resistance = ΔTa / △ Power
【００１１】さらに、試験時のＴａと、Ｐｏｗｅｒとか
ら、試験時のジャンクション温度（Ｔｊ）（又はチャン
ネル温度（Ｔｃｈ））を求める。Further, a junction temperature (Tj) (or a channel temperature (Tch)) at the time of the test is obtained from Ta at the time of the test and Power.
【００１２】つまり、Ｔａ−Ｖｂｅグラフを描くと、図
２に示すように直線となり、Ｐｏｗｅｒの差とＴａの温
度差から、次式より、実際の試験状態でのＴｊ（Ｔｃ
ｈ）を算出することができる。That is, when the Ta-Vbe graph is drawn, it becomes a straight line as shown in FIG. 2, and from the difference between Power and the temperature difference between Ta, Tj (Tc
h) can be calculated.
【００１３】熱抵抗（σ）=（Ｔａ２−Ｔａ１）／（Ｐ
ｏｗｅｒ２−Ｐｏｗｅｒ１）とすると、次式により、Ｔ
ｊ（Ｔｃｈ）を求めることができる。Thermal resistance (σ) = (Ta2-Ta1) / (P
power2-Power1), T is given by the following equation.
j (Tch) can be obtained.
【００１４】Ｔｊ（Ｔｃｈ）=Ｔａ＋σ×ＰｏｗｅｒTj (Tch) = Ta + σ × Power
【００１５】ここで、Ｔａは試験時の周囲温度であり、
Ｐｏｗｅｒは試験時にコレクタ・エミッタ間に印加され
ている電力である。Here, Ta is the ambient temperature during the test,
Power is the power applied between the collector and the emitter during the test.
【００１６】以下、図１及び図２を参照して、本発明の
ジャンクショントランジスタの熱特性測定方法について
具体的に説明する。Hereinafter, a method for measuring the thermal characteristics of a junction transistor according to the present invention will be described in detail with reference to FIGS.
【００１７】（実施の形態１）上述したように、ジャン
クショントランジスタ１１のコレクタ・エミッタ間に、
一定電流を流して、一定電力（Ｐｏｗｅｒ）（＝Ｖｃｅ
×Ｉｃｅ＋Ｖｂｅ×Ｉｂｅ≒Ｖｃｅ×Ｉｃｅ）を印加
し、周囲温度（Ｔａ）或いはベース温度（Ｔｂａｓｅ）
を一定にして行う試験において、周囲温度Ｔａ（Ｔｂａ
ｓｅ）の水準を少なくとも２点以上振り、さらに、Ｐｏ
ｗｅｒの水準を少なくとも２点以上振る。ここでは、周
囲温度（Ｔａ）を用いることにする。(Embodiment 1) As described above, between the collector and the emitter of the junction transistor 11,
A constant current is passed, and a constant power (Power) (= Vce
× Ice + Vbe × Ibe ≒ Vce × Ice), and the ambient temperature (Ta) or the base temperature (Tbase)
In a test performed with the temperature constant, the ambient temperature Ta (Tba
se) at least two points, and Po
Change the level of wer at least 2 points. Here, the ambient temperature (Ta) is used.
【００１８】従って、水準は、周囲温度ＴａとＰｏｗｅ
ｒの各水準の組み合わせ分になる。そして、各水準でジ
ャンクショントランジスタ１１にかかるベース・エミッ
タ間電圧（Ｖｂｅ）をモニタする。Therefore, the level is determined by the ambient temperature Ta and Powe.
r for each level. At each level, the base-emitter voltage (Vbe) applied to the junction transistor 11 is monitored.
【００１９】以上のようにして得られたＴａとＶｂｅと
の関係をグラフ化すると、図２のようになる。図２よ
り、周囲温度がＴａ１、Ｐｏｗｅｒの値がＰｏｗｅｒ１
のときのベース・エミッタ間の電圧Ｖｂｅの値と、Ｐｏ
ｗｅｒの値がＰｏｗｅｒ２のときのベース・エミッタ間
の電圧Ｖｂｅの値とが同一になるような、Ｐｏｗｅｒが
Ｐｏｗｅｒ２のときの周囲温度Ｔａ２を読み取る。ここ
では、Ｖｂｅの温度依存性により、熱抵抗及びＴｊ（Ｔ
ｃｈ）の算出を行う。つまり、Ｖｂｅが同一であること
が、Ｔｊ（Ｔｃｈ）が同一になっていることを意味して
おり、周囲温度Ｔａ１とＴａ２の差が、Ｐｏｗｅｒの差
によって上昇した温度分ということになる。従って、Ｖ
ｂｅの値が同一となるような周囲温度Ｔａ１とＴａ２を
求めている。この値Ｔａ２から、次式より、ＰＫＧ熱抵
抗（σ）を得ることができる。FIG. 2 is a graph showing the relationship between Ta and Vbe obtained as described above. From FIG. 2, the ambient temperature is Ta1, and the value of Power is Power1.
And the value of the voltage Vbe between the base and the emitter at the time of
An ambient temperature Ta2 when the Power is Power2 is read such that the value of the voltage Vbe between the base and the emitter when the value of the Power is Power2 becomes the same. Here, the thermal resistance and Tj (T
ch) is calculated. That is, the fact that Vbe is the same means that Tj (Tch) is the same, and the difference between the ambient temperatures Ta1 and Ta2 is the temperature increased by the difference in Power. Therefore, V
The ambient temperatures Ta1 and Ta2 are determined so that the values of be are the same. From this value Ta2, PKG thermal resistance (σ) can be obtained from the following equation.
【００２０】ＰＫＧ熱抵抗（σ）＝（Ｔａ２−Ｔａ１）
／（Ｐｏｗｅｒ２−Ｐｏｗｅｒ１）PKG thermal resistance (σ) = (Ta2-Ta1)
/ (Power2-Power1)
【００２１】このＰＫＧ熱抵抗（σ）と、実際にストレ
ス印加時（試験時）のＰｏｗｅｒ及び周囲温度Ｔａか
ら、次式より、ストレス印加時のＴｊ（Ｔｃｈ）を算出
することができる。Tj (Tch) at the time of stress application can be calculated from the thermal resistance (σ) of PKG, Power at the time of actual stress application (at the time of test) and ambient temperature Ta from the following equation.
【００２２】Ｔｊ（Ｔｃｈ）=Ｔａ＋σ×ＰｏｗｅｒTj (Tch) = Ta + σ × Power
【００２３】このように、実際に周囲温度（Ｔａ）を所
定の値に設定し、所定の一定電力（Ｐｏｗｅｒ）を印加
した状態で、ジャンクショントランジスタ１１にかかる
ベース・エミッタ間電圧（Ｖｂｅ）をモニタする。この
ベース・エミッタ間電圧（Ｖｂｅ）には温度依存性があ
る（直線性がある）ため、実測定時、即ち、周囲温度
（Ｔａ）を所定の値とし、所定の一定電力（Ｐｏｗｅ
ｒ）を印加した状態での熱抵抗、及びジャンクション温
度（チャンネル温度）を求めることができる。In this manner, the base-emitter voltage (Vbe) applied to the junction transistor 11 is monitored while the ambient temperature (Ta) is actually set to a predetermined value and a predetermined constant power (Power) is applied. I do. Since the base-emitter voltage (Vbe) has temperature dependency (has linearity), the actual temperature, that is, the ambient temperature (Ta) is set to a predetermined value, and a predetermined constant power (Powe) is set.
The thermal resistance and the junction temperature (channel temperature) with r) applied can be determined.
【００２４】このことにより、実試験状態でのジャンク
ション温度を精度よく求めることができる。また、この
値を用いて寿命試験を行うことで、測定の信頼度を高
め、精度を向上させることができる。This makes it possible to accurately determine the junction temperature in the actual test state. Further, by performing a life test using this value, the reliability of the measurement can be increased and the accuracy can be improved.
【００２５】次に、本発明のジャンクショントランジス
タの熱特性測定方法の他の実施の形態について説明す
る。Next, another embodiment of the method for measuring the thermal characteristics of a junction transistor according to the present invention will be described.
【００２６】（実施の形態２）Ｐｏｗｅｒを振る際、Ｖ
ｃｅのみに着目し、Ｖｃｅを２点以上振ることを考え
る。ジャンクショントランジスタ１１のコレクタ・エミ
ッタ間に一定電流を流して、一定電力（Ｐｏｗｅｒ=Ｖ
ｃｅ×Ｉｃｅ＋Ｖｂｅ×Ｉｂｅ≒Ｖｃｅ×Ｉｃｅ）を印
加し、周囲温度（Ｔａ）、或いはベース温度（Ｔｂａｓ
ｅ）を一定にして行う試験において、Ｔａ（Ｔｂａｓ
ｅ）を少なくとも２点以上振り、更に、Ｖｃｅを少なく
とも２点以上振る。そして、各水準でジャンクショント
ランジスタ１１にかかるベース・エミッタ間電圧（Ｖｂ
ｅ）をモニタする。ここでは、周囲温度（Ｔａ）を用い
るものとする。(Embodiment 2) When shaking the Power, V
Focusing only on ce, consider that Vce is shifted by two or more points. A constant current is passed between the collector and the emitter of the junction transistor 11 so that a constant power (Power = V
ce × Ice + Vbe × Ibe ≒ Vce × Ice, and the ambient temperature (Ta) or the base temperature (Tbas)
e) in a test conducted at a constant value, Ta (Tbas
e) is shaken at least two points, and Vce is shaken at least two points. The base-emitter voltage (Vb) applied to the junction transistor 11 at each level
e) is monitored. Here, the ambient temperature (Ta) is used.
【００２７】以上により得られたＴａとＶｂｅの関係を
グラフ化し、周囲温度がＴａ１、コレクタ・エミッタ間
の電圧がＶｃｅ１のときのＶｂｅ値と同一になるよう
な、コレクタ・エミッタ間の電圧がＶｃｅ２のときの温
度を読みとることにより、Ｔａ２が得られる。この値よ
り、次式からＰＫＧ熱抵抗を得ることができる。The relationship between Ta and Vbe obtained as described above is graphed, and the collector-emitter voltage becomes Vce2 such that the ambient temperature becomes the same as the Vbe value when Ta1 and the collector-emitter voltage becomes Vce1. By reading the temperature at the time of, Ta2 is obtained. From this value, the PKG thermal resistance can be obtained from the following equation.
【００２８】熱抵抗＝（Ｔａ２−Ｔａ１）／（（Ｖｃｅ
２×Ｉｃｅ＋Ｖｂｅ×Ｉｂｅ２）−（Ｖｃｅ１×Ｉｃｅ
＋Ｖｂｅ×Ｉｂｅ１））Thermal resistance = (Ta2-Ta1) / ((Vce
2 × Ice + Vbe × Ibe2) − (Vce1 × Ice
+ Vbe × Ibe1))
【００２９】このＰＫＧ熱抵抗と、実際にストレス印加
時（試験時）のＰｏｗｅｒから、上記実施の形態１の場
合と同様にして、ストレス印加時のＴｊ（Ｔｃｈ）を算
出することができる。Tj (Tch) at the time of stress application can be calculated from the PKG thermal resistance and Power at the time of actual stress application (at the time of test) in the same manner as in the first embodiment.
【００３０】（実施の形態３）Ｐｏｗｅｒを振る際、Ｉ
ｃｅのみに着目し、Ｉｃｅを２点以上振ることを考え
る。ジャンクショントランジスタ１１のコレクタ・エミ
ッタ間に一定電流を流して、一定電力（Ｐｏｗｅｒ=Ｖ
ｃｅ×Ｉｃｅ＋Ｖｂｅ×Ｉｂｅ≒Ｖｃｅ×Ｉｃｅ）を印
加し、周囲温度（Ｔａ）、或いはベース温度（Ｔｂａｓ
ｅ）を一定にして行う試験において、Ｔａ（Ｔｂａｓ
ｅ）を少なくとも２点以上振り、更に、Ｉｃｅを少なく
とも２点以上振る。以下では、周囲温度Ｔａを用いるこ
とにする。(Embodiment 3) When shaking the Power,
Focusing only on ce, consider giving Ice two or more points. A constant current is passed between the collector and the emitter of the junction transistor 11 so that a constant power (Power = V
ce × Ice + Vbe × Ibe ≒ Vce × Ice, and the ambient temperature (Ta) or the base temperature (Tbas)
e) in a test conducted at a constant value, Ta (Tbas
e) Swing at least two points, and swing Ice at least two points. Hereinafter, the ambient temperature Ta will be used.
【００３１】そして、各水準で、ジャンクショントラン
ジスタ１１にかかるベース・エミッタ間電圧（Ｖｂｅ）
をモニタする。以上により得られたＴａとＶｂｅとの関
係をグラフ化し、周囲温度がＴａ１、コレクタ・エミッ
タ間電流の値がＩｃｅ１のときのＶｂｅ値と同一になる
ような、コレクタ・エミッタ間の電流Ｉｃｅの値がＩｃ
ｅ２のときの温度を読みとることにより、Ｔａ２が得ら
れる。この値Ｔａ２より、次式から、ＰＫＧ熱抵抗を算
出することができる。At each level, the base-emitter voltage (Vbe) applied to the junction transistor 11
Monitor The relationship between Ta and Vbe obtained as described above is graphed, and the value of the current Ice between the collector and the emitter is set so that the ambient temperature is equal to the Vbe value when the current between the collector and the emitter is Ice1. Is Ic
By reading the temperature at e2, Ta2 is obtained. From this value Ta2, the PKG thermal resistance can be calculated from the following equation.
【００３２】熱抵抗＝（Ｔａ２−Ｔａ１）／（（Ｖｃｅ
×Ｉｃｅ２＋Ｖｂｅ×Ｉｂｅ２）−（Ｖｃｅ×Ｉｃｅ１
＋Ｖｂｅ×Ｉｂｅ１））Thermal resistance = (Ta2-Ta1) / ((Vce
× Ice2 + Vbe × Ibe2) − (Vce × Ice1
+ Vbe × Ibe1))
【００３３】このＰＫＧ熱抵抗と実際にストレス印加時
（試験時）のＰｏｗｅｒ及び周囲温度Ｔａから、上記実
施の形態１の場合と同様にして、ストレス印加時のＴｊ
（Ｔｃｈ）を算出することができる。Based on the thermal resistance of the PKG and the power and the ambient temperature Ta when the stress is actually applied (during the test), the Tj when the stress is applied is determined in the same manner as in the first embodiment.
(Tch) can be calculated.
【００３４】（実施の形態４）逆の手法として、以下に
示すようにして、ＰＫＧ熱抵抗を得ることもできる。即
ち、まず、実際のストレス印加状態（Ｔａ（Ｔｂａｓ
ｅ）、Ｖｃｅ、Ｉｃｅ）の各水準で、ジャンクショント
ランジスタ１１にかかるベース・エミッタ間電圧（Ｖｂ
ｅ）をモニタする。(Embodiment 4) As a reverse method, a PKG thermal resistance can be obtained as follows. That is, first, the actual stress application state (Ta (Tbas
e), Vce, Ice) at each level, the base-emitter voltage (Vb
e) is monitored.
【００３５】次に、Ｔａ（Ｔｂａｓｅ）及びＩｃｅを変
え、安定後のＶｂｅが、先に取った実際のストレス印加
状態のＶｂｅと同一になるような、Ｔａ（Ｔｂａｓｅ）
を探し出し、上記実施の形態１の場合と同様の手法で、
Ｔｊ（Ｔｃｈ）を算出することができる。Next, Ta (Tbase) and Ice are changed, and Ta (Tbase) is set so that Vbe after stabilization becomes the same as Vbe in the actual stress applied state previously taken.
, And in the same manner as in the first embodiment,
Tj (Tch) can be calculated.
【００３６】（実施の形態５）上記実施の形態４に示し
たように、Ｔａ（Ｔｂａｓｅ）及びＩｃｅを変えるので
はなく、Ｔａ（Ｔｂａｓｅ）及びＶｃｅを変えるように
することもできる。まず、実際のストレス印加状態（Ｔ
ａ（Ｔｂａｓｅ）、Ｖｃｅ、Ｉｃｅ）の各水準で、ジャ
ンクショントランジスタ１１にかかるベース・エミッタ
間電圧（Ｖｂｅ）をモニタする。次に、Ｔａ（Ｔｂａｓ
ｅ）及びＶｃｅを変え、安定後のＶｂｅが、先に取った
実際のストレス印加状態のＶｂｅと同一になるような、
Ｔａ（Ｔｂａｓｅ）を探し出し、上記実施の形態１の場
合と同様の手法で、Ｔｊ（Ｔｃｈ）を算出することがで
きる。(Embodiment 5) As shown in Embodiment 4, instead of changing Ta (Tbase) and Ice, it is also possible to change Ta (Tbase) and Vce. First, the actual stress application state (T
At each level of a (Tbase), Vce, Ice), the base-emitter voltage (Vbe) applied to the junction transistor 11 is monitored. Next, Ta (Tbas
e) and Vce are changed so that Vbe after stabilization becomes the same as Vbe in the actual stress applied state previously taken.
Ta (Tbase) can be found, and Tj (Tch) can be calculated in the same manner as in the first embodiment.
【００３７】（実施の形態６）上記実施の形態４及び５
で、Ｔａ（Ｔｂａｓｅ）及びＩｃｅ、或いはＴａ（Ｔｂ
ａｓｅ）及びＶｃｅを変えるのでなく、Ｔａ（Ｔｂａｓ
ｅ）と、Ｉｃｅ及びＶｃｅの両方を変えるようにするこ
ともできる。まず、実際のストレス印加状態（Ｔａ（Ｔ
ｂａｓｅ）、Ｖｃｅ、Ｉｃｅ）の各水準で、ジャンクシ
ョントランジスタ１１にかかるベース・エミッタ間電圧
（Ｖｂｅ）をモニタする。(Embodiment 6) Embodiments 4 and 5 above
And Ta (Tbase) and Ice, or Ta (Tb)
ase) and Vce, without changing Ta (Tbas
e) and both Ice and Vce can be changed. First, the actual stress application state (Ta (T
The base-emitter voltage (Vbe) applied to the junction transistor 11 is monitored at each level of (base), Vce, Ice).
【００３８】次に、ストレス（Ｔａ（Ｔｂａｓｅ）、Ｖ
ｃｅ、Ｉｃｅ）を変え、安定後のＶｂｅが、先に取った
実際のストレス印加状態のＶｂｅと同一になるような、
Ｔａ（Ｔｂａｓｅ）を探し出し、上記実施の形態１の場
合と同様の手法でＴｊ（Ｔｃｈ）を算出するようにする
ことができる。Next, stress (Ta (Tbase), V
ce, Ice) so that Vbe after stabilization becomes the same as Vbe in the actual stress applied state previously taken.
Ta (Tbase) can be found out, and Tj (Tch) can be calculated in the same manner as in the first embodiment.
【００３９】なお、上記実施の形態においては、周囲温
度（Ｔａ）を用いるようにしたが、ベース温度（Ｔｂａ
ｓｅ）を用いるようにすることも可能である。In the above embodiment, the ambient temperature (Ta) is used, but the base temperature (Tba) is used.
It is also possible to use se).
【００４０】また、接合形トランジスタについて説明し
たが、接合形電界効果トランジスタにも本発明を適用す
ることができる。Although the description has been given of the junction type transistor, the present invention can be applied to a junction type field effect transistor.
【００４１】[0041]
【発明の効果】以上の如く、本発明に係るジャンクショ
ントランジスタの熱特性測定方法によれば、ジャンクシ
ョントランジスタのコレクタ・エミッタ間に電流を流し
て電力を印加し、周囲温度或いはベース温度の水準を少
なくとも２点以上振り、さらに、電力の水準を少なくと
も２点以上振り、各水準でジャンクショントランジスタ
にかかるベース・エミッタ間電圧を測定し、周囲温度或
いはベース温度とベース・エミッタ間電圧の測定値との
関係から、周囲温度またはベース温度が第１の温度で、
電力が第１の電力値のときのベース・エミッタ間電圧の
値と、電力の値が第２の電力値のときのベース・エミッ
タ間電圧の値とが同一になるような、電力の値が第２の
電力値のときの周囲温度またはベース温度の値を読み取
り、ベース・エミッタ間電圧の温度依存性により、熱抵
抗、およびジャンクション温度の算出を行う。或いは、
実際のストレス印加状態の各水準で、ジャンクショント
ランジスタにかかるベース・エミッタ間電圧を測定し、
周囲温度またはベース温度の値と、コレクタ・エミッタ
間の電流の値およびコレクタ・エミッタ間の電圧の値の
少なくともいずれか一方を変え、安定後のベース・エミ
ッタ間電圧の値が、実際のストレス印加状態のベース・
エミッタ間電圧の値と同一になるような、周囲温度また
はベース温度を探し出し、周囲温度或いはベース温度と
ベース・エミッタ間電圧の測定値との関係から、周囲温
度またはベース温度が第１の温度で、電力が第１の電力
値のときのベース・エミッタ間電圧の値と、電力の値が
第２の電力値のときのベース・エミッタ間電圧の値とが
同一になるような、電力の値が第２の電力値のときの周
囲温度またはベース温度の値を読み取り、ベース・エミ
ッタ間電圧の温度依存性により、熱抵抗、およびジャン
クション温度の算出を行うようにしたので、実試験状
態、即ち、所定の周囲温度またはベース温度に設定し、
一定電圧を印加した状態での熱抵抗と、ジャンクション
温度またはチャンネル温度を精度よく測定することが可
能となる。As above, according to the present invention, according to the thermal characteristic measuring method of the junction transistor according to the present invention, Jankushi
Current between the collector and emitter of the transistor
Power to reduce the ambient or base temperature level.
At least two points and reduce the power level
Also swing two or more points, junction transistor at each level
Is measured at ambient temperature or
Between the base temperature and the measured value of the base-emitter voltage.
From the relationship, the ambient or base temperature is the first temperature,
Of the base-emitter voltage when the power is the first power value
And the base emission when the power value is the second power value.
The value of the power so that the value of the
Read the value of ambient temperature or base temperature at power value
The thermal resistance due to the temperature dependence of the base-emitter voltage.
Calculate resistance and junction temperature. Or,
At each level in the actual stress application state, the junction
Measure the base-emitter voltage applied to the transistor,
Ambient or base temperature values and collector / emitter
Of the value of the current between
Change at least one of them to make the bass
The value of the voltage between
Ambient temperature or
Finds the base temperature and compares it with the ambient or base temperature.
From the relationship with the measured value of the base-emitter voltage, the ambient temperature
Degrees or base temperature at first temperature and power at first power
Value of the base-emitter voltage and the power value
The value of the base-emitter voltage at the second power value is
In the case where the power value is the second power value so as to be the same,
Read the ambient or base temperature value and
The temperature dependence of the voltage between
Since the calculation of the action temperature is performed , the actual test state, that is, the predetermined ambient temperature or the base temperature is set,
It is possible to accurately measure the thermal resistance and the junction temperature or the channel temperature when a constant voltage is applied.
【図１】本発明のジャンクショントランジスタの熱特性
測定方法を説明するための図である。FIG. 1 is a diagram illustrating a method for measuring the thermal characteristics of a junction transistor according to the present invention.
【図２】図１において、ベース・エミッタ電圧Ｖｂｅと
周囲温度Ｔａの関係を表すグラフである。FIG. 2 is a graph showing a relationship between a base-emitter voltage Vbe and an ambient temperature Ta in FIG.
【図３】従来のジャンクショントランジスタの熱特性測
定方法を説明するための図である。FIG. 3 is a diagram for explaining a conventional method for measuring the thermal characteristics of a junction transistor.
【図４】図３において、パルスＩｇと、ソース・ドレイ
ン間の電力Ｐｏｗｅｒと、ゲート・ソース間電圧Ｖｇｓ
の変化を表すタイミングチャートである。4 is a diagram showing a pulse Ig, a power between a source and a drain, and a voltage between a gate and a source Vgs in FIG.
6 is a timing chart showing a change in the state.
１，１１ ジャンクショントランジスタ ２ パルス発生部 ３，１３ 電力供給源 １２ 電圧源 1,11 junction transistor 2 pulse generator 3,13 power supply source 12 voltage source
Claims (6)
・エミッタ間に一定の電力を印加し、周囲温度またはベ
ース温度を一定にして前記ジャンクショントランジスタ
の熱特性を測定するジャンクショントランジスタの熱特
性測定方法であって、前記ジャンクショントランジスタのコレクタ・エミッタ
間に電流を流して電力を印加し、前記周囲温度或いは前
記ベース温度の水準を少なくとも２点以上振り、さら
に、前記電力の水準を少なくとも２点以上振り、各水準
で前記ジャンクショントランジスタにかかるベース・エ
ミッタ間電圧を測定し、前記周囲温度或いは前記ベース
温度と前記ベース・エミッタ間電圧の測定値との関係か
ら、前記周囲温度または前記ベース温度が第１の温度
で、前記電力が第１の電力値のときの前記ベース・エミ
ッタ間電圧の値と、前記電力の値が第２の電力値のとき
の前記ベース・エミッタ間電圧の値とが同一になるよう
な、前記電力の値が第２の電力値のときの前記周囲温度
または前記ベース温度の値を読み取り、前記ベース・エ
ミッタ間電圧の温度依存性により、熱抵抗、およびジャ
ンクション温度の算出を行い、 前記熱抵抗は、前記周囲温度または前記ベース温度の変
化に対応する前記電力の値の変化に基づいて算出され、 前記ジャンクション温度は、前記熱抵抗の値と前記電力
の値を乗算したものに、前記周囲温度または前記ベース
温度を加算することにより算出され、 前記電力は、コレクタ・エミッタ間の電圧の値と電流の
値を乗算したものと、ベース・エミッタ間の電圧の値と
電流の値を乗算したものとを加算したものである ことを
特徴とするジャンクショントランジスタの熱特性測定方
法。[Claim 1] by applying a constant power between the collector and emitter junction transistor, a thermal characteristic measuring method of the junction transistor to measure the thermal properties of the junction transistor to a constant ambient temperature or the base temperature, the Collector / emitter of junction transistor
Apply a current between them to apply electric power,
Raise the base temperature level by at least two points and
At least two points of the power level
And the base energy applied to the junction transistor
Measure the voltage between the transmitters and check the ambient temperature or the base.
Relationship between temperature and measured value of base-emitter voltage
Wherein said ambient temperature or said base temperature is a first temperature
The base emitter when the power is at a first power value.
When the value of the voltage between the transmitters and the value of the power are the second power value
Is equal to the value of the base-emitter voltage of
The ambient temperature when the power value is a second power value
Alternatively, read the value of the base temperature and read the base air
Due to the temperature dependence of the voltage between
Calculation of the junction temperature, and the thermal resistance is calculated by changing the ambient temperature or the base temperature.
The junction temperature is calculated based on a change in the value of the power corresponding to the
Multiplied by the ambient temperature or the base
The power is calculated by adding the temperature, and the power is the value of the voltage between the collector and the emitter and the current.
And the value of the voltage between the base and the emitter
A method for measuring the thermal characteristics of a junction transistor, characterized by adding a product obtained by multiplying a current value .
・エミッタ間に一定の電力を印加し、周囲温度またはベ
ース温度を一定にして前記ジャンクショントランジスタ
の熱特性を測定するジャンクショントランジスタの熱特
性測定方法であって、前記ジャンクショントランジスタのコレクタ・エミッタ
間に電流を流して電力 を印加し、前記周囲温度或いは前
記ベース温度の水準を少なくとも２点以上振り、さら
に、前記コレクタ・エミッタ間の電圧の水準を少なくと
も２点以上振り、各水準で前記ジャンクショントランジ
スタにかかるベース・エミッタ間電圧を測定し、前記周
囲温度或いは前記ベース温度と前記ベース・エミッタ間
電圧の測定値との関係から、前記周囲温度または前記ベ
ース温度が第１の温度で、前記コレクタ・エミッタ間の
電圧が第１の電圧値のときの前記ベース・エミッタ間電
圧の値と、前記コレクタ・エミッタ間の電圧の値が第２
の電圧値のときの前記ベース・エミッタ間電圧の値とが
同一になるような、前記コレクタ・エミッタ間の電圧の
値が第２の電圧値のときの前記周囲温度または前記ベー
ス温度の値を読み取り、前記ベース・エミッタ間電圧の
温度依存性により、熱抵抗、およびジャンクション温度
の算出を行い、 前記熱抵抗は、前記周囲温度または前記ベース温度の変
化に対応する前記電力の値の変化に基づいて算出され、 前記ジャンクション温度は、前記熱抵抗の値と前記電力
の値を乗算したものに、前記周囲温度または前記ベース
温度を加算することにより算出され、 前記電力は、前記コレクタ・エミッタ間の電圧の値と電
流の値を乗算したものと、前記ベース・エミッタ間の電
圧の値と電流の値を乗算したものとを加算したものであ
る ことを特徴とするジャンクショントランジスタの熱特
性測定方法。Wherein applying a constant power between the collector and emitter junction transistor, a thermal characteristic measuring method of the junction transistor to measure the thermal properties of the junction transistor to a constant ambient temperature or the base temperature, the Collector / emitter of junction transistor
Apply a current between them to apply electric power ,
Raise the base temperature level by at least two points and
In addition, the level of the voltage between the collector and the emitter must be reduced.
At least two points, and at each level
Measure the base-emitter voltage applied to the
Ambient temperature or between the base temperature and the base-emitter
From the relationship with the measured voltage, the ambient temperature or the
Source temperature is the first temperature and the collector-emitter
The voltage between the base and the emitter when the voltage is the first voltage value;
And the value of the voltage between the collector and the emitter is the second value.
The value of the base-emitter voltage at the voltage value of
The collector-emitter voltage
The ambient temperature or the base when the value is a second voltage value.
The temperature of the base-emitter voltage.
Thermal resistance and junction temperature due to temperature dependence
Is calculated, and the thermal resistance is a change in the ambient temperature or the base temperature.
The junction temperature is calculated based on a change in the value of the power corresponding to the
Multiplied by the ambient temperature or the base
The electric power is calculated by adding the temperature, and the electric power is equal to the value of the voltage between the collector and the emitter.
And the current between the base and the emitter.
It is the sum of the pressure value and the current value
Thermal characteristic measuring method of the junction transistor, characterized in that that.
・エミッタ間に一定の電力を印加し、周囲温度またはベ
ース温度を一定にして前記ジャンクショントランジスタ
の熱特性を測定するジャンクショントランジスタの熱特
性測定方法であって、前記ジャンクショントランジスタのコレクタ・エミッタ
間に電流を流して電力を印加し、前記周囲温度或いは前
記ベース温度の水準を少なくとも２点以上振り、さら
に、前記コレクタ・エミッタ間の電流の水準を少なくと
も２点以上振り、各水準で前記ジャンクショントランジ
スタにかかるベース・エミッタ間電圧を測定し、前記周
囲温度或いは前記ベース温度と前記ベース・エミッタ間
電流の測定値との関係から、前記周囲温度または前記ベ
ース温度が第１の温度で、前記コレ クタ・エミッタ間の
電流が第１の電流値のときの前記ベース・エミッタ間電
圧の値と、前記コレクタ・エミッタ間の電流の値が第２
の電流値のときの前記ベース・エミッタ間電圧の値とが
同一になるような、前記コレクタ・エミッタ間の電流の
値が第２の電流値のときの前記周囲温度または前記ベー
ス温度の値を読み取り、前記ベース・エミッタ間電圧の
温度依存性により、熱抵抗、およびジャンクション温度
の算出を行い、 前記熱抵抗は、前記周囲温度または前記ベース温度の変
化に対応する前記電力の値の変化に基づいて算出され、 前記ジャンクション温度は、前記熱抵抗の値と前記電力
の値を乗算したものに、前記周囲温度または前記ベース
温度を加算することにより算出され、 前記電力は、前記コレクタ・エミッタ間の電圧の値と電
流の値を乗算したものと、前記ベース・エミッタ間の電
圧の値と電流の値を乗算したものとを加算したものであ
る ことを特徴とするジャンクショントランジスタの熱特
性測定方法。Wherein applying a constant power between the collector and emitter junction transistor, a thermal characteristic measuring method of the junction transistor to measure the thermal properties of the junction transistor to a constant ambient temperature or the base temperature, the Collector / emitter of junction transistor
Apply a current between them to apply electric power,
Raise the base temperature level by at least two points and
In addition, the level of the current between the collector and the emitter must be reduced.
At least two points, and at each level
Measure the base-emitter voltage applied to the
Ambient temperature or between the base temperature and the base-emitter
From the relationship with the measured current, the ambient temperature or the
Over scan temperature at a first temperature, between the collector and emitter
The base-emitter current when the current is a first current value;
The value of the voltage and the value of the current between the collector and the emitter are the second
And the value of the base-emitter voltage at the current value of
The current between the collector and the emitter,
The ambient temperature or the base when the value is the second current value.
The temperature of the base-emitter voltage.
Thermal resistance and junction temperature due to temperature dependence
Is calculated, and the thermal resistance is a change in the ambient temperature or the base temperature.
The junction temperature is calculated based on a change in the value of the power corresponding to the
Multiplied by the ambient temperature or the base
The electric power is calculated by adding the temperature, and the electric power is equal to the value of the voltage between the collector and the emitter.
And the current between the base and the emitter.
It is the sum of the pressure value and the current value
Thermal characteristic measuring method of the junction transistor, characterized in that that.
・エミッタ間に一定の電力を印加し、周囲温度またはベ
ース温度を一定にして前記ジャンクショントランジスタ
の熱特性を測定するジャンクショントランジスタの熱特
性測定方法であって、 実際のストレス印加状態の各水準で、ジャンクショント
ランジスタにかかるベース・エミッタ間電圧を測定し、
前記周囲温度または前記ベース温度の値と、前記コレク
タ・エミッタ間の電流の値を変え、安定後の前記ベース
・エミッタ間電圧の値が、実際のストレス印加状態の前
記ベース・エミッタ間電圧の値と同一になるような、前
記周囲温度または前記ベース温度を探し出し、 前記周囲温度或いは前記ベース温度と前記ベース・エミ
ッタ間電圧の測定値との関係から、前記周囲温度または
前記ベース温度が第１の温度で、前記電力が第１の電力
値のときの前記ベース・エミッタ間電圧の値と、前記電
力の値が第２の電力値のときの前記ベース・エミッタ間
電圧の値とが同一になるような、前記電力の値が第２の
電力値のときの前記周囲温度または前記ベース温度の値
を読み取り、前記ベース・エミッタ間電圧の温度依存性
により、熱抵抗、およびジャンク ション温度の算出を行
い、 前記熱抵抗は、前記周囲温度または前記ベース温度の変
化に対応する前記電力の値の変化に基づいて算出され、 前記ジャンクション温度は、前記熱抵抗の値と前記電力
の値を乗算したものに、前記周囲温度または前記ベース
温度を加算することにより算出され、 前記電力は、前記コレクタ・エミッタ間の電圧の値と電
流の値を乗算したものと、前記ベース・エミッタ間の電
圧の値と電流の値を乗算したものとを加算したものであ
る ことを特徴とするジャンクショントランジスタの熱特
性測定方法。4. The collector of a junction transistor
・ Apply constant power between the emitters to
The junction transistor
Characteristics of junction transistors to measure the thermal characteristics of
A sexual measuring method, at each level of the actual stress applied state, the junction DOO
Measure the base-emitter voltage applied to the transistor,
The ambient temperature or the base temperature value and the collect
Change the value of the current between the emitter and the
-The value of the voltage between the emitters before the actual stress application state
The same value as the base-emitter voltage
The ambient temperature or the base temperature is found, and the ambient temperature or the base temperature and the base
Ambient temperature or from the relationship with the measured value of the
The base temperature is a first temperature and the power is a first power
The value of the base-emitter voltage when
Between the base and the emitter when the value of the force is the second power value
The value of the power is the second value such that the value of the voltage is the same
The value of the ambient temperature or the base temperature at the power value
And the temperature dependence of the base-emitter voltage
Accordingly, thermal resistance, and the calculation of the junction temperature line
The thermal resistance varies with the ambient temperature or the base temperature.
The junction temperature is calculated based on a change in the value of the power corresponding to the
Multiplied by the ambient temperature or the base
The electric power is calculated by adding the temperature, and the electric power is equal to the value of the voltage between the collector and the emitter.
And the current between the base and the emitter.
It is the sum of the pressure value and the current value
Thermal characteristic measuring method of the junction transistor, characterized in that that.
・エミッタ間に一定の電力を印加し、周囲温度またはベ
ース温度を一定にして前記ジャンクショントランジスタ
の熱特性を測定するジャンクショントランジスタの熱特
性測定方法であって、 実際のストレス印加状態の各水準で、ジャンクショント
ランジスタにかかるベース・エミッタ間電圧を測定し、
前記周囲温度または前記ベース温度の値と、前記コレク
タ・エミッタ間電圧の値を変え、安定後の前記ベース・
エミッタ間電圧の値が、実際のストレス印加状態の前記
ベース・エミッタ間電圧の値と同一になるような、前記
周囲温度または前記ベース温度を探し出し、 前記周囲温度或いは前記ベース温度と前記ベース・エミ
ッタ間電圧の測定値との関係から、前記周囲温度または
前記ベース温度が第１の温度で、前記電力が第１の電力
値のときの前記ベース・エミッタ間電圧の値と、前記電
力の値が第２の電力値のときの前記ベース・エミッタ間
電圧の値とが同一になるような、前記電力の値が第２の
電力値のときの前記周囲温度または前記ベース温度の値
を読み取り、前記ベース・エミッタ間電圧の温度依存性
により、熱抵抗、およびジャンクション温度の算出を行
い、 前記熱抵抗は、前記周囲温度または前記ベース温度の変
化に対応する前記電力の値の変化に基づいて算出され、 前記ジャンクション温度は、前記熱抵抗の値と前記電力
の値を乗算したものに、前記周囲温度または前記ベース
温度を加算することにより算出され、 前記電力は、前記コレクタ・エミッタ間の電圧の値と電
流の値を乗算したものと、前記ベース・エミッタ間の電
圧の値と電流の値を乗算したものとを加算したものであ
る ことを特徴とするジャンクショントランジスタの熱特
性測定方法。5. The collector of a junction transistor
・ Apply constant power between the emitters to
The junction transistor
Characteristics of junction transistors to measure the thermal characteristics of
A sexual measuring method, at each level of the actual stress applied state, the junction DOO
Measure the base-emitter voltage applied to the transistor,
The ambient temperature or the base temperature value and the collect
The value of the voltage between the emitter and the
The value of the emitter-to-emitter voltage is
The same as the value of the base-emitter voltage,
The ambient temperature or the base temperature is found, and the ambient temperature or the base temperature and the base
Ambient temperature or from the relationship with the measured value of the
The base temperature is a first temperature and the power is a first power
The value of the base-emitter voltage when
Between the base and the emitter when the value of the force is the second power value
The value of the power is the second value such that the value of the voltage is the same
The value of the ambient temperature or the base temperature at the power value
And the temperature dependence of the base-emitter voltage
Calculation of thermal resistance and junction temperature
The thermal resistance varies with the ambient temperature or the base temperature.
The junction temperature is calculated based on a change in the value of the power corresponding to the
Multiplied by the ambient temperature or the base
The electric power is calculated by adding the temperature, and the electric power is equal to the value of the voltage between the collector and the emitter.
And the current between the base and the emitter.
It is the sum of the pressure value and the current value
Thermal characteristic measuring method of the junction transistor, characterized in that that.
・エミッタ間に一定の電力を印加し、周囲温度またはベ
ース温度を一定にして前記ジャンクショントランジスタ
の熱特性を測定するジャンクショントランジスタの熱特
性測定方法であって、 実際のストレス印加状態の各水準で、前記ジャンクショ
ントランジスタにかかるベース・エミッタ間電圧を測定
し、前記周囲温度または前記ベース温度の値と、前記コ
レクタ・エミッタ間の電流の値と、前記コレクタ・エミ
ッタ間の電圧の値を変え、安定後の前記ベース・エミッ
タ間電圧の値が、実際のストレス印加状態の前記ベース
・エミッタ間電圧の値と同一になるような、前記周囲温
度または前記ベース温度を探し出し、 前記周囲温度或いは前記ベース温度と前記ベース・エミ
ッタ間電圧の測定値との関係から、前記周囲温度または
前記ベース温度が第１の温度で、前記電力が第１の電力
値のときの前記ベース・エミッタ間電圧の値と、前記電
力の値が第２の電力値のときの前記ベース・エミッタ間
電圧の値とが同一になるような、前記電力の値が第２の
電力値のときの前記周囲温度または前記ベース温度の値
を読み取り、前記ベース・エミッタ間電圧の温度依存性
により、熱抵抗、およびジャンクション温度の算出を行
い、 前記熱抵抗は、前記周囲温度または前記ベース温度の変
化に対応する前記電力の値の変化に基づいて算出され、 前記ジャンクション温度は、前記熱抵抗の値と前記電力
の値を乗算したものに、前記周囲温度または前記ベース
温度を加算することにより算出され、 前記電力は、前記コレクタ・エミッタ間の電圧の値と電
流の値を乗算したものと、前記ベース・エミッタ間の電
圧の値と電流の値を乗算したものとを加算したものであ
る ことを特徴とするジャンクショントランジスタの熱特
性測定方法。6. The collector of a junction transistor
・ Apply constant power between the emitters to
The junction transistor
Characteristics of junction transistors to measure the thermal characteristics of
And measuring the junction at each level in the actual stress application state.
Measures base-emitter voltage applied to transistor
And the value of the ambient temperature or the base temperature and the value of the
The value of the current between the collector and
Change the value of the voltage between the
The value of the voltage between the data
The ambient temperature so as to be equal to the value of the voltage between the emitters
Temperature or the base temperature, find the ambient temperature or the base temperature and the base
Ambient temperature or from the relationship with the measured value of the
The base temperature is a first temperature and the power is a first power
The value of the base-emitter voltage when
Between the base and the emitter when the value of the force is the second power value
The value of the power is the second value such that the value of the voltage is the same
The value of the ambient temperature or the base temperature at the power value
And the temperature dependence of the base-emitter voltage
Calculation of thermal resistance and junction temperature
The thermal resistance varies with the ambient temperature or the base temperature.
The junction temperature is calculated based on a change in the value of the power corresponding to the
Multiplied by the ambient temperature or the base
The electric power is calculated by adding the temperature, and the electric power is equal to the value of the voltage between the collector and the emitter.
And the current between the base and the emitter.
It is the sum of the pressure value and the current value
Thermal characteristic measuring method of the junction transistor, characterized in that that.
Priority Applications (1)
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27050398A JP3178432B2 (en) | 1998-09-09 | 1998-09-09 | Method for measuring thermal characteristics of junction transistor |
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP27050398A Expired - Fee Related JP3178432B2 (en) | 1998-09-09 | 1998-09-09 | Method for measuring thermal characteristics of junction transistor |
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| CN104808130B (en) * | 2015-04-16 | 2017-08-25 | 北京工业大学 | Multichannel transistor BE ties junction temperature measurement device |
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1998
- 1998-09-09 JP JP27050398A patent/JP3178432B2/en not_active Expired - Fee Related
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