JP3153436B2 - ＣｄＴｅ結晶の製造方法 - Google Patents
ＣｄＴｅ結晶の製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＣｄＴｅ結晶の製造方
法に関し、特にＣｄ原料とＴｅ原料とからＣｄＴｅ結晶
を合成する方法に関するものである。
法に関し、特にＣｄ原料とＴｅ原料とからＣｄＴｅ結晶
を合成する方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＣｄＴｅ単結晶は、放射線検出素子、赤
外線検出素子や太陽電池などの基板として使用されてい
る。ＣｄＴｅ単結晶は、まずＣｄ原料とＴｅ原料とから
ＣｄＴｅ多結晶を合成し、つぎにそのＣｄＴｅ多結晶を
原料としてブリッジマン法やグラディエントフリ−ジン
グ法、トラベリングヒ−タ法（ＴＨＭ法）などにより製
造される。
外線検出素子や太陽電池などの基板として使用されてい
る。ＣｄＴｅ単結晶は、まずＣｄ原料とＴｅ原料とから
ＣｄＴｅ多結晶を合成し、つぎにそのＣｄＴｅ多結晶を
原料としてブリッジマン法やグラディエントフリ−ジン
グ法、トラベリングヒ−タ法（ＴＨＭ法）などにより製
造される。
【０００３】ＣｄＴｅ多結晶の合成は、９９．９９９９
％以上の高純度Ｃｄ原料と高純度Ｔｅ原料を石英アンプ
ル中に真空又は不活性ガス雰囲気で封入して、加熱反応
させてＣｄＴｅ合金の融液とし、これを石英アンプルの
一端から冷却凝固させることによって行なわれている。
％以上の高純度Ｃｄ原料と高純度Ｔｅ原料を石英アンプ
ル中に真空又は不活性ガス雰囲気で封入して、加熱反応
させてＣｄＴｅ合金の融液とし、これを石英アンプルの
一端から冷却凝固させることによって行なわれている。
【０００４】しかしながら、Ｃｄ原料とＴｅ原料が反応
するときに発熱して、石英アンプル内の温度が急激に上
昇し、石英アンプル内のＣｄ蒸気圧が急増して石英アン
プルが破裂してしまうという問題があった。
するときに発熱して、石英アンプル内の温度が急激に上
昇し、石英アンプル内のＣｄ蒸気圧が急増して石英アン
プルが破裂してしまうという問題があった。
【０００５】そのため、特公平２−４５６０では、石英
アンプルの一部だけが反応温度になるように炉の温度分
布を徐々に変化させるか、石英アンプルを徐々に反応温
度の領域に移動することによってこれを防ぐ方法が提案
されている。しかし、この方法では、反応を徐々に行な
わせるために、長時間を要し、同時にエネルギ−コスト
が大きくなるという欠点がある。
アンプルの一部だけが反応温度になるように炉の温度分
布を徐々に変化させるか、石英アンプルを徐々に反応温
度の領域に移動することによってこれを防ぐ方法が提案
されている。しかし、この方法では、反応を徐々に行な
わせるために、長時間を要し、同時にエネルギ−コスト
が大きくなるという欠点がある。
【０００６】また、特開昭６４−２２３３９では、石英
アンプルを圧力容器内に入れ、石英アンプルの内圧と外
圧を釣り合わせて反応をさせることによって、石英アン
プルの破裂を防ぐ方法が提案されている。しかし、この
方法では、特公平２−４５６０より多結晶合成に要する
時間が短いものの、高価な圧力容器（高圧炉）を必要と
し、コストが高くなってしまうという欠点がある。
アンプルを圧力容器内に入れ、石英アンプルの内圧と外
圧を釣り合わせて反応をさせることによって、石英アン
プルの破裂を防ぐ方法が提案されている。しかし、この
方法では、特公平２−４５６０より多結晶合成に要する
時間が短いものの、高価な圧力容器（高圧炉）を必要と
し、コストが高くなってしまうという欠点がある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記の問題点
を解決したもので、その目的は多結晶合成に長時間を要
することなく、また高価な圧力容器（高圧炉）を使用す
ることなく、石英アンプルの破裂を防ぐ方法を提供する
ものである。
を解決したもので、その目的は多結晶合成に長時間を要
することなく、また高価な圧力容器（高圧炉）を使用す
ることなく、石英アンプルの破裂を防ぐ方法を提供する
ものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段および作用】すなわち、本
発明は、ＣｄＴｅ結晶を製造する方法において、チャン
ク状のＴｅ原料がＣｄ原料の下になるように石英アンプ
ル中にチャ−ジした後、真空又は不活性ガス雰囲気で封
入し、該石英アンプルを加熱昇温して、チャ−ジしたＣ
ｄ原料とＴｅ原料が反応して生成したＣｄ−Ｔｅ合金を
融解した後、該石英アンプルの一端から冷却して、Ｃｄ
Ｔｅ結晶を析出させることを特徴とするＣｄＴｅ結晶の
製造方法を提供するものである。
発明は、ＣｄＴｅ結晶を製造する方法において、チャン
ク状のＴｅ原料がＣｄ原料の下になるように石英アンプ
ル中にチャ−ジした後、真空又は不活性ガス雰囲気で封
入し、該石英アンプルを加熱昇温して、チャ−ジしたＣ
ｄ原料とＴｅ原料が反応して生成したＣｄ−Ｔｅ合金を
融解した後、該石英アンプルの一端から冷却して、Ｃｄ
Ｔｅ結晶を析出させることを特徴とするＣｄＴｅ結晶の
製造方法を提供するものである。
【０００９】また、前記チャンク状Ｔｅ原料が前記Ｃｄ
原料の下になっている層が２層以上であることを特徴と
するＣｄＴｅ結晶の製造方法を提供するものである。
原料の下になっている層が２層以上であることを特徴と
するＣｄＴｅ結晶の製造方法を提供するものである。
【００１０】さらに、前記チャンク状Ｔｅ原料の一片の
重量が最大で５０ｇ以下であることを特徴とするＣｄＴ
ｅ結晶の製造方法を提供するものである。
重量が最大で５０ｇ以下であることを特徴とするＣｄＴ
ｅ結晶の製造方法を提供するものである。
【００１１】さらにまた、前記石英アンプルにチャ−ジ
するＴｅ原料とＣｄ原料のモル比（Ｔｅ／Ｃｄ）が１以
上５以下であることを特徴とするＣｄＴｅ結晶の製造方
法を提供するものである。
するＴｅ原料とＣｄ原料のモル比（Ｔｅ／Ｃｄ）が１以
上５以下であることを特徴とするＣｄＴｅ結晶の製造方
法を提供するものである。
【００１２】まず、本発明者らは、ＣｄとＴｅの合成反
応の機構を検討するために、合成反応時の石英アンプル
の温度変化の測定と１回目の発熱反応終了後のサンプル
の内部観察を行った。
応の機構を検討するために、合成反応時の石英アンプル
の温度変化の測定と１回目の発熱反応終了後のサンプル
の内部観察を行った。
【００１３】ＣｄインゴットとＴｅインゴットを図５に
示すような状態で石英アンプル中に入れてこれを加熱昇
温していくと、石英アンプルは図６に示すような温度変
化を示した。図６より、Ｃｄがまず３２１℃で融解し、
次にＴｅが４５０℃で融解したときに、第１回目の発熱
反応が生じており、つぎに８００℃付近で２回目の発熱
反応が生じていることがわかる。石英アンプルが破裂す
るのはこのように２回目の発熱反応時に石英アンプル温
度が異常に高くなったときであると考えた。
示すような状態で石英アンプル中に入れてこれを加熱昇
温していくと、石英アンプルは図６に示すような温度変
化を示した。図６より、Ｃｄがまず３２１℃で融解し、
次にＴｅが４５０℃で融解したときに、第１回目の発熱
反応が生じており、つぎに８００℃付近で２回目の発熱
反応が生じていることがわかる。石英アンプルが破裂す
るのはこのように２回目の発熱反応時に石英アンプル温
度が異常に高くなったときであると考えた。
【００１４】そこで１回目の反応の終了後、石英アンプ
ルを冷却し、サンプルをとりその内部を観察した。その
組織の概略図を図７に示す。図７より、ＣｄとＴｅの界
面にＣｄＴｅが生じていることがわかる。このことか
ら、Ｃｄ融液とＴｅ融液との界面に生じたＣｄＴｅがそ
の温度では固体であるため、Ｃｄ融液とＴｅ融液のさら
なる接触による反応を妨害し、さらに石英アンプル温度
を上げていくときに、ＣｄＴｅがＣｄ融液およびＴｅ融
液中に溶解し、ついには再びＣｄ融液とＴｅ融液とが接
触することによって、２回目の発熱反応が生じると考え
た。
ルを冷却し、サンプルをとりその内部を観察した。その
組織の概略図を図７に示す。図７より、ＣｄとＴｅの界
面にＣｄＴｅが生じていることがわかる。このことか
ら、Ｃｄ融液とＴｅ融液との界面に生じたＣｄＴｅがそ
の温度では固体であるため、Ｃｄ融液とＴｅ融液のさら
なる接触による反応を妨害し、さらに石英アンプル温度
を上げていくときに、ＣｄＴｅがＣｄ融液およびＴｅ融
液中に溶解し、ついには再びＣｄ融液とＴｅ融液とが接
触することによって、２回目の発熱反応が生じると考え
た。
【００１５】そこで、石英アンプルの破裂は、２回目の
発熱反応の前に未反応のＣｄ融液とＴｅ融液が多く残っ
ていて、これが一度に反応した時に、その大きな反応熱
で石英アンプルが異常な高温になり、結果的に内容物
（特にＣｄ）の蒸気圧がアンプルの強度を越えてしまう
ことで起こると考え、石英アンプルを破裂させないため
には、１回目の発熱反応の量を多くして、２回目の発熱
反応時の反応量を減らせばよく、その方法として、１回
目の反応直前におけるＣｄ融液とＴｅの接触面積を多く
することに着目し本発明を考えついた。
発熱反応の前に未反応のＣｄ融液とＴｅ融液が多く残っ
ていて、これが一度に反応した時に、その大きな反応熱
で石英アンプルが異常な高温になり、結果的に内容物
（特にＣｄ）の蒸気圧がアンプルの強度を越えてしまう
ことで起こると考え、石英アンプルを破裂させないため
には、１回目の発熱反応の量を多くして、２回目の発熱
反応時の反応量を減らせばよく、その方法として、１回
目の反応直前におけるＣｄ融液とＴｅの接触面積を多く
することに着目し本発明を考えついた。
【００１６】本発明によるＴｅ原料およびＣｄ原料の石
英アンプルへチャ−ジしたときの状態を図１に示す。本
発明ではＣｄ原料がＴｅ原料の上になるようにチャ−ジ
するが、加熱昇温していって、融点がＴｅより低いＣｄ
がまず溶解し、重力によってＴｅ原料の充填された隙間
に流れ込んでいき、Ｃｄ融液とＴｅとの接触面積を大き
くできるからである。また、Ｔｅ原料をチャンク状とす
るのはインゴットのままよりもＣｄ融液とＴｅとの接触
面積を大きくできるからである。なお、チャンク状とは
Ｔｅインゴットをハンマ−などで砕いたものであり、Ｔ
ｅインゴットは割れやすく図１に示すような形状にな
る。
英アンプルへチャ−ジしたときの状態を図１に示す。本
発明ではＣｄ原料がＴｅ原料の上になるようにチャ−ジ
するが、加熱昇温していって、融点がＴｅより低いＣｄ
がまず溶解し、重力によってＴｅ原料の充填された隙間
に流れ込んでいき、Ｃｄ融液とＴｅとの接触面積を大き
くできるからである。また、Ｔｅ原料をチャンク状とす
るのはインゴットのままよりもＣｄ融液とＴｅとの接触
面積を大きくできるからである。なお、チャンク状とは
Ｔｅインゴットをハンマ−などで砕いたものであり、Ｔ
ｅインゴットは割れやすく図１に示すような形状にな
る。
【００１７】なお、原料のチャ−ジ量を多くするとき
は、図２に示すようにこれを２層以上重ねて石英アンプ
ルにチャ−ジすることがより好ましい。なお、Ｔｅ原料
の充填層の厚さは１層あたり２００ｍｍ以下に、より好
ましくは１００ｍｍ以下になるようにして、Ｃｄ融液と
Ｔｅとの接触面積を大きくすることが望ましい。
は、図２に示すようにこれを２層以上重ねて石英アンプ
ルにチャ−ジすることがより好ましい。なお、Ｔｅ原料
の充填層の厚さは１層あたり２００ｍｍ以下に、より好
ましくは１００ｍｍ以下になるようにして、Ｃｄ融液と
Ｔｅとの接触面積を大きくすることが望ましい。
【００１８】また、チャンク状Ｔｅ原料の一片の最大の
重量は５０ｇ以下とすることが好ましく、より好ましく
は２０ｇ以下とする。５０ｇを超えると、Ｃｄ融液との
接触面積が小さくなり、第１回目の発熱反応が終了した
ときに未反応のＣｄ融液とＴｅ融液が多くなり第２回目
の発熱反応による石英アンプルの破裂が生じやすくなる
からである。なお、あまり細かくして粉末にすると表面
が酸化しやすくなるため、粉末状のＴｅはあまり使用す
べきではない。
重量は５０ｇ以下とすることが好ましく、より好ましく
は２０ｇ以下とする。５０ｇを超えると、Ｃｄ融液との
接触面積が小さくなり、第１回目の発熱反応が終了した
ときに未反応のＣｄ融液とＴｅ融液が多くなり第２回目
の発熱反応による石英アンプルの破裂が生じやすくなる
からである。なお、あまり細かくして粉末にすると表面
が酸化しやすくなるため、粉末状のＴｅはあまり使用す
べきではない。
【００１９】本発明では石英アンプルにチャ−ジするＴ
ｅ原料とＣｄ原料のモル比（Ｔｅ／Ｃｄ）は１以上５以
下とすることが好ましい。モル比（Ｔｅ／Ｃｄ）が５を
超えると、ＴｅがＣｄＴｅ結晶中に析出するため好まし
くない。また、モル比（Ｔｅ／Ｃｄ）が１未満のＣｄが
Ｔｅよりも過剰になるようにチャ−ジすると、石英アン
プル内のＣｄ蒸気圧が高くなり、石英アンプルが破裂し
やすくなるため好ましくない。
ｅ原料とＣｄ原料のモル比（Ｔｅ／Ｃｄ）は１以上５以
下とすることが好ましい。モル比（Ｔｅ／Ｃｄ）が５を
超えると、ＴｅがＣｄＴｅ結晶中に析出するため好まし
くない。また、モル比（Ｔｅ／Ｃｄ）が１未満のＣｄが
Ｔｅよりも過剰になるようにチャ−ジすると、石英アン
プル内のＣｄ蒸気圧が高くなり、石英アンプルが破裂し
やすくなるため好ましくない。
【００２０】なお、モル比（Ｔｅ／Ｃｄ）が１のとき、
石英アンプルはＣｄＴｅの融点の１０９２℃以上まで加
熱する必要がある。一方、モル比（Ｔｅ／Ｃｄ）を１よ
り大きくすると、完全に溶解するために必要な温度はそ
の組成により異なり、例えば、モル比（Ｔｅ／Ｃｄ）が
２のとき約９３０℃以上、５のとき約８００℃以上、９
のとき、約７００℃以上となりより低くできるが、過剰
のＴｅは無駄になるのでモル比（Ｔｅ／Ｃｄ）は１.１
以上４.０以下とするのがより好ましい。Ｔｅ過剰に原
料をチャ−ジした場合は、石英アンプルの低温側に純粋
なＣｄＴｅが析出し、反対側にＴｅ過剰のＣｄ−Ｔｅ合
金が残るので、これを切り離すことによって、ＣｄＴｅ
結晶が得られる。
石英アンプルはＣｄＴｅの融点の１０９２℃以上まで加
熱する必要がある。一方、モル比（Ｔｅ／Ｃｄ）を１よ
り大きくすると、完全に溶解するために必要な温度はそ
の組成により異なり、例えば、モル比（Ｔｅ／Ｃｄ）が
２のとき約９３０℃以上、５のとき約８００℃以上、９
のとき、約７００℃以上となりより低くできるが、過剰
のＴｅは無駄になるのでモル比（Ｔｅ／Ｃｄ）は１.１
以上４.０以下とするのがより好ましい。Ｔｅ過剰に原
料をチャ−ジした場合は、石英アンプルの低温側に純粋
なＣｄＴｅが析出し、反対側にＴｅ過剰のＣｄ−Ｔｅ合
金が残るので、これを切り離すことによって、ＣｄＴｅ
結晶が得られる。
【００２１】本発明のＣｄＴｅ結晶は、塩素などの微量
のドーパントを加えたＣｄＴｅ結晶やＣｄ０．９６Ｚｎ
０．０４ＴｅなどのＣｄＴｅを主体とした混晶をも含む
意味である。例えば、塩化カドミウムを加えて塩素をド
ープしたり、Ｃｄ原料と一緒にＺｎ原料をチャージして
混晶を製造する。
のドーパントを加えたＣｄＴｅ結晶やＣｄ０．９６Ｚｎ
０．０４ＴｅなどのＣｄＴｅを主体とした混晶をも含む
意味である。例えば、塩化カドミウムを加えて塩素をド
ープしたり、Ｃｄ原料と一緒にＺｎ原料をチャージして
混晶を製造する。
【００２２】本発明に使用する石英アンプルは、カ−ボ
ン皮膜でコ−ティングされているものを使用するのが好
ましい。内容物が直接石英アンプルの表面に接触する
と、内容物が石英と反応、付着し、アンプルが冷却中に
割れることがあり、カ−ボン皮膜でコ−ティングされて
いるものを使用することで防止できる。カ−ボン皮膜
は、メタンガスやベンゼン、アセトン等の有機物を熱分
解して得ることができる。また、カ−ボン皮膜なしでも
石英アンプルの内側に内容物が反応付着しない坩堝を入
れて、アンプルの石英表面と溶解した内容物が直接接触
しない構造としても良い。坩堝は熱分解ＢＮ製が最も好
ましく、その他、カ−ボン製などでも良い。
ン皮膜でコ−ティングされているものを使用するのが好
ましい。内容物が直接石英アンプルの表面に接触する
と、内容物が石英と反応、付着し、アンプルが冷却中に
割れることがあり、カ−ボン皮膜でコ−ティングされて
いるものを使用することで防止できる。カ−ボン皮膜
は、メタンガスやベンゼン、アセトン等の有機物を熱分
解して得ることができる。また、カ−ボン皮膜なしでも
石英アンプルの内側に内容物が反応付着しない坩堝を入
れて、アンプルの石英表面と溶解した内容物が直接接触
しない構造としても良い。坩堝は熱分解ＢＮ製が最も好
ましく、その他、カ−ボン製などでも良い。
【００２３】石英アンプルに封入する不活性ガスとして
は、窒素、Ａｒ、ヘリウム、水素、又はこれらの混合ガ
スとを使用でき、内容物が酸化しないようにする。
は、窒素、Ａｒ、ヘリウム、水素、又はこれらの混合ガ
スとを使用でき、内容物が酸化しないようにする。
【００２４】石英アンプルの一端から冷却して、ＣｄＴ
ｅ結晶を析出させる方法としては、図３に示すように石
英アンプルを固定して炉の温度分布を石英アンプルの一
端から順次低温になるように制御する方法（垂直グラデ
ィエントフリ−ジング法）か、図４に示すように石英ア
ンプルを炉の低温部に移動する方法（垂直ブリッジマン
法）などによって行われる。
ｅ結晶を析出させる方法としては、図３に示すように石
英アンプルを固定して炉の温度分布を石英アンプルの一
端から順次低温になるように制御する方法（垂直グラデ
ィエントフリ−ジング法）か、図４に示すように石英ア
ンプルを炉の低温部に移動する方法（垂直ブリッジマン
法）などによって行われる。
【００２５】この方法で得られた結晶から単結晶を切り
出して、そのまま放射線検出素子、赤外線検出素子、太
陽電池などの基板として使用することもできるし、さら
に、新たにブリッジマン法、グラジエントフリ−ジング
法、ＴＨＭ法などによる単結晶成長の原料として使用す
ることもできる。
出して、そのまま放射線検出素子、赤外線検出素子、太
陽電池などの基板として使用することもできるし、さら
に、新たにブリッジマン法、グラジエントフリ−ジング
法、ＴＨＭ法などによる単結晶成長の原料として使用す
ることもできる。
【００２６】
（実施例１）カ−ボン皮膜を設けた石英アンプルに、９
９．９９９９％のＣｄインゴットを３００ｇと９９．９
９９９％のチャンク状Ｔｅを６４０ｇを図２に示すよう
に、Ｃｄインゴットがチャンク状Ｔｅの充填層の上にな
るようにチャ−ジし、真空封入した。チャンク状Ｔｅは
一片の重量が最大でも１５ｇ以下となるような大きさま
で破砕して使用した。この石英アンプルを図４に示すよ
うにブリッジマン炉の均熱部に入るように固定し、１０
００℃まで昇温して反応させ、融液を作製した。引き続
いて、この石英アンプルを１．２ｍｍ／ｈｒの速度で低
温部に移動した。石英アンプルを約３００ｍｍ移動した
ところで電気炉を降温した。石英アンプルを割って内容
物を取り出したところ、石英アンプルの低温側に約５５
０ｇのＣｄＴｅ結晶が析出していた。
９．９９９９％のＣｄインゴットを３００ｇと９９．９
９９９％のチャンク状Ｔｅを６４０ｇを図２に示すよう
に、Ｃｄインゴットがチャンク状Ｔｅの充填層の上にな
るようにチャ−ジし、真空封入した。チャンク状Ｔｅは
一片の重量が最大でも１５ｇ以下となるような大きさま
で破砕して使用した。この石英アンプルを図４に示すよ
うにブリッジマン炉の均熱部に入るように固定し、１０
００℃まで昇温して反応させ、融液を作製した。引き続
いて、この石英アンプルを１．２ｍｍ／ｈｒの速度で低
温部に移動した。石英アンプルを約３００ｍｍ移動した
ところで電気炉を降温した。石英アンプルを割って内容
物を取り出したところ、石英アンプルの低温側に約５５
０ｇのＣｄＴｅ結晶が析出していた。
【００２７】このような方法で１５回ＣｄＴｅ結晶を製
造したが、１回も石英アンプルは破裂しなかった。
造したが、１回も石英アンプルは破裂しなかった。
【００２８】（実施例２） カーボン皮膜を設けた石英アンプルに９９．９９９９％
のＣｄインゴットを４００ｇと９９．９９９９％のチャ
ンク状Ｔｅを４５５ｇを図２に示すように、Ｃｄインゴ
ットがチャンク状Ｔｅの充填層の上になるように真空封
入した。チャンク状Ｔｅは一片の重量が最大でも１０ｇ
以下となるような大きさまで破砕して使用した。この石
英アンプルを図４に示すようにブリッジマン炉の均熱部
に入るように固定し、１１２０℃まで昇温して反応さ
せ、ＣｄＴｅ融液を作製した。引き続いて、この石英ア
ンプルを３ｍｍ／ｈｒの速度で低温部に移動した。石英
アンプルを３００ｍｍ移動したところで電気炉を降温
し、石英アンプルを割って内容物を取り出した。大きな
単結晶粒を含むＣｄＴｅ結晶が得られた。
のＣｄインゴットを４００ｇと９９．９９９９％のチャ
ンク状Ｔｅを４５５ｇを図２に示すように、Ｃｄインゴ
ットがチャンク状Ｔｅの充填層の上になるように真空封
入した。チャンク状Ｔｅは一片の重量が最大でも１０ｇ
以下となるような大きさまで破砕して使用した。この石
英アンプルを図４に示すようにブリッジマン炉の均熱部
に入るように固定し、１１２０℃まで昇温して反応さ
せ、ＣｄＴｅ融液を作製した。引き続いて、この石英ア
ンプルを３ｍｍ／ｈｒの速度で低温部に移動した。石英
アンプルを３００ｍｍ移動したところで電気炉を降温
し、石英アンプルを割って内容物を取り出した。大きな
単結晶粒を含むＣｄＴｅ結晶が得られた。
【００２９】このような方法で９回ＣｄＴｅ結晶を製造
したが、１回も石英アンプルは破裂しなかった。
したが、１回も石英アンプルは破裂しなかった。
【００３０】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、合成時
間を長くすることなく、また高圧炉のような高価な設備
を使用しなくても、石英アンプルを破損せずにＣｄＴｅ
結晶を簡単に製造できるという効果がある。
間を長くすることなく、また高圧炉のような高価な設備
を使用しなくても、石英アンプルを破損せずにＣｄＴｅ
結晶を簡単に製造できるという効果がある。
【図１】 本発明による石英アンプルへのＣｄ原料とＴ
ｅ原料の充填方法（Ｃｄ原料とＴｅ原料がそれぞれ１層
づつの場合）を示す図である。
ｅ原料の充填方法（Ｃｄ原料とＴｅ原料がそれぞれ１層
づつの場合）を示す図である。
【図２】 本発明による石英アンプルへのＣｄ原料とＴ
ｅ原料の充填方法（Ｃｄ原料とＴｅ原料がそれぞれ２層
づつの場合）を示す図である。
ｅ原料の充填方法（Ｃｄ原料とＴｅ原料がそれぞれ２層
づつの場合）を示す図である。
【図３】 本発明によるＣｄＴｅ結晶の析出方法を示す
図で、アンプルを炉の中に固定し、炉の温度分布を変化
させる方法である。
図で、アンプルを炉の中に固定し、炉の温度分布を変化
させる方法である。
【図４】 本発明によるＣｄＴｅ結晶の析出方法を示す
図で、アンプルを炉の低温部に移動させる方法である。
図で、アンプルを炉の低温部に移動させる方法である。
【図５】 従来のＣｄ原料とＴｅ原料の充填方法を示す
図である。
図である。
【図６】 Ｃｄ原料とＴｅ原料をチャ−ジした石英アン
プルを一定の昇温速度で加熱した時のアンプルの温度変
化を示す図である。
プルを一定の昇温速度で加熱した時のアンプルの温度変
化を示す図である。
【図７】 Ｃｄ原料とＴｅ原料をチャ−ジした石英アン
プルを加熱し、１回目の発熱反応が終了した後の内容物
の状態を示す図である。
プルを加熱し、１回目の発熱反応が終了した後の内容物
の状態を示す図である。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−97993（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−215791（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−22339（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−58900（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−21300（ＪＰ，Ａ) 特開 昭52−2896（ＪＰ，Ａ) 特公 平２−4560（ＪＰ，Ｂ２) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C30B 1/00 - 35/00 C22C 1/02 502 H01L 21/368 ＣＡ（ＳＴＮ) ＪＩＣＳＴファイル（ＪＯＩＳ)
Claims (4)
- 【請求項１】 ＣｄＴｅ結晶を製造する方法において、
チャンク状のＴｅ原料がＣｄ原料の下になるように石英
アンプル中にチャ−ジした後、真空又は不活性ガス雰囲
気で封入し、該石英アンプルを加熱昇温して、チャ−ジ
したＣｄ原料とＴｅ原料が反応して生成したＣｄ−Ｔｅ
合金を融解した後、該石英アンプルの一端から冷却し
て、ＣｄＴｅ結晶を析出させることを特徴とするＣｄＴ
ｅ結晶の製造方法 - 【請求項２】 前記チャンク状Ｔｅ原料が前記Ｃｄ原料
の下になっている層が２層以上であることを特徴とする
請求項１記載のＣｄＴｅ結晶の製造方法。 - 【請求項３】 前記チャンク状Ｔｅ原料の一片の重量が
最大で５０ｇ以下であることを特徴とする請求項１また
は２記載のＣｄＴｅ結晶の製造方法。 - 【請求項４】 前記石英アンプルにチャ−ジするＴｅ原
料とＣｄ原料のモル比（Ｔｅ／Ｃｄ）が１以上５以下で
あることを特徴とする請求項１、２または３記載のＣｄ
Ｔｅ結晶の製造方法。
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|---|---|---|---|
| JP09323495A JP3153436B2 (ja) | 1995-03-28 | 1995-03-28 | ＣｄＴｅ結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09323495A JP3153436B2 (ja) | 1995-03-28 | 1995-03-28 | ＣｄＴｅ結晶の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08259399A JPH08259399A (ja) | 1996-10-08 |
| JP3153436B2 true JP3153436B2 (ja) | 2001-04-09 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP09323495A Expired - Lifetime JP3153436B2 (ja) | 1995-03-28 | 1995-03-28 | ＣｄＴｅ結晶の製造方法 |
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| JP (1) | JP3153436B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
1995
- 1995-03-28 JP JP09323495A patent/JP3153436B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Publication date |
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| JPH08259399A (ja) | 1996-10-08 |
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