JP3127098B2 - Lead frame and semiconductor device using the same - Google Patents
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Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、半導体チップ搭載用の
リードフレームおよびこれを用いた半導体装置に関す
る。The present invention relates to a lead frame for mounting a semiconductor chip and a semiconductor device using the same.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来のリードフレームを、例えば発光ダ
イオードランプ（ＬＥＤランプ）に使用されるリードフ
レームを用いて説明する。図６にそのリードフレームの
外観図を示す。2. Description of the Related Art A conventional lead frame will be described using a lead frame used for a light emitting diode lamp (LED lamp), for example. FIG. 6 shows an external view of the lead frame.
【０００３】従来のリードフレーム１は、チップ搭載用
リード２と結線用リード３とを有し、前記チップ搭載用
リード２の一端側には発光ダイオードチップを搭載する
反射カップ２ａを備えてなる。図６中、４はタイバーで
あり、５は細条である。A conventional lead frame 1 has a lead 2 for mounting a chip and a lead 3 for connection. A reflection cup 2a for mounting a light emitting diode chip is provided at one end of the lead 2 for mounting a chip. In FIG. 6, 4 is a tie bar and 5 is a strip.
【０００４】リードフレーム１を図７に従って具体的に
説明する。図７は、従来のリードフレームの製造工程図
である。The lead frame 1 will be specifically described with reference to FIG. FIG. 7 is a manufacturing process diagram of a conventional lead frame.
【０００５】前記リードフレーム１は、図７（ａ）に示
すようなリードフレーム素材（例えば、鉄，銅合金，鉄
ニッケル合金等）１ａに、まず図７（ｂ）に示すように
一次メッキ（銅メッキまたはニッケルメッキ）層１ｂが
形成され、さらに図７（ｃ）に示すように二次メッキ
（銀メッキ，金メッキ又はパラジウムメッキ）層１ｃが
形成されてなる。The lead frame 1 is formed by first plating a lead frame material (eg, iron, copper alloy, iron-nickel alloy, etc.) 1a as shown in FIG. A copper plating or nickel plating) layer 1b is formed, and a secondary plating (silver plating, gold plating or palladium plating) layer 1c is further formed as shown in FIG. 7C.
【０００６】該リードフレーム１を用いて発光ダイオー
ドランプ形成する際には、図６に示す前記素子搭載用リ
ード２の反射カップ２ａに発光ダイオードチップが銀ペ
ーストを介して搭載され、該発光ダイオードチップと結
線用リード３の一端側とがボンディングワイヤにて接続
され、前記タイバー４を切断した後に透光性の封止用エ
ポキシ樹脂等の封止樹脂にて前記発光ダイオードチップ
及びリードフレーム１の一部が封止されてなる。前記リ
ードフレーム１の該封止樹脂にて封止されていない部分
には、場合によってその表面に半田メッキ或は錫メッキ
が施される。When a light emitting diode lamp is formed using the lead frame 1, a light emitting diode chip is mounted via a silver paste on a reflection cup 2a of the element mounting lead 2 shown in FIG. And one end of the connection lead 3 are connected by a bonding wire, and after cutting the tie bar 4, one of the light emitting diode chip and the lead frame 1 is sealed with a sealing resin such as a translucent sealing epoxy resin. Part is sealed. A portion of the lead frame 1 that is not sealed with the sealing resin is subjected to solder plating or tin plating on its surface as the case may be.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】上記リードフレーム１
は、その表面の二次メッキ層１ｃ、即ち銀，金又はパラ
ジウムの表面がボンディング性に優れていることからダ
イボンドやワイヤーボンドには通常支障なく利用されて
いる。The above-mentioned lead frame 1
Is generally used without difficulty for die bonding and wire bonding because the secondary plating layer 1c on the surface thereof, that is, the surface of silver, gold or palladium has excellent bonding properties.
【０００８】しかしながら、これらボンディング性を損
なわないためには、メッキ表面の光沢度に注意を要し、
特にセレンＳｅの共析には注意を払わないと著しいボン
ディング性の低下を招くことになった。However, in order not to impair these bonding properties, attention must be paid to the glossiness of the plating surface.
In particular, if attention is not paid to the eutectoid of selenium Se, a remarkable decrease in bonding property is caused.
【０００９】また、最適なボンディング性を得るために
は、高価な貴金属（銀、金、パラジウム等）をある一定
厚みメッキしなければならなく、コストアップの要因と
なっていた。Further, in order to obtain optimum bonding properties, expensive noble metals (silver, gold, palladium, etc.) must be plated to a certain thickness, which has been a factor of cost increase.
【００１０】さらに、半導体チップをダイボンドするた
めの銀ペーストの主成分が銀とエポキシ樹脂であり、リ
ードフレーム１との密着性に関与しているのはそのエポ
キシ樹脂であり、リードフレーム１の表面の銀，金，パ
ラジウムのいずれもそのエポキシ樹脂との密着性が良く
なかった。Further, the main components of the silver paste for die-bonding the semiconductor chip are silver and an epoxy resin, and the epoxy resin contributes to the adhesion to the lead frame 1. All of silver, gold and palladium did not have good adhesion to the epoxy resin.
【００１１】加えて、リードフレーム１を封止する封止
樹脂についても、封止用エポキシ樹脂によるパッケージ
を行うと、その境目に剥離が生じ、水分の浸透が発生し
たりした。 本発明は、上記課題に鑑み、塗布される接着剤及び又は
被覆される封止樹脂との強固な密着性が得られるリード
フレームおよびこれを用いた半導体装置を提供すること
を目的とするものである。In addition, with respect to the sealing resin for sealing the lead frame 1, if a package is formed using a sealing epoxy resin, peeling occurs at the boundary, and moisture permeation occurs. The present invention has been made in view of the above problems, and has as its object to provide a lead frame capable of obtaining strong adhesiveness with an applied adhesive and / or a sealing resin to be coated, and a semiconductor device using the same. is there.
【００１２】[0012]
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１記載の
リードフレームは、リードフレーム素材と、該リードフ
レーム素材を被覆するメッキ層とを備え、該メッキ層表
面に半導体チップが銀とエポキシ樹脂を主成分とする銀
ペーストを介して搭載されるリードフレームにおいて、
前記メッキ層は前記銀ペーストの主成分のエポキシ樹脂
と同一のエポキシ樹脂からなる微小物体を含有してな
り、該微少物体がメッキ層表面より露出してなることを
特徴とするものである。The lead frame of claim 1 of the present invention According to an aspect of the lead frame material, the lead frame and a plating layer covering the material, the semiconductor chip is silver epoxy on the plating layer surface Silver based on resin
In the lead frame mounted via paste ,
What the plating layer, characterized in that it contains a very small object comprising a main component of the epoxy resin <br/> the same epoxy resin of the silver paste, the fine small object becomes exposed from the plating layer surface It is.
【００１３】また、本発明の請求項２記載のリードフレ
ームは、前記メッキ層が前記微少物体を含有しリードフ
レーム素材を被覆する一次メッキ層と、貴金属よりなり
前記微少物体を外部に露出させた状態で前記一次メッキ
層を被覆する二次メッキ層とからなることを特徴とする
ものである。According to a second aspect of the present invention, in the lead frame according to the first aspect, the plating layer includes the fine object and covers the lead frame material. The first plating layer is made of a noble metal and the fine object is exposed to the outside. And a secondary plating layer covering the primary plating layer in a state.
【００１４】さらに、本発明の請求項３記載のリードフ
レームは、半導体チップの搭載部表面及び又はワイヤー
ボンド部表面に露出する微小物体を除去してなることを
特徴とするものである。Further, a lead frame according to a third aspect of the present invention is characterized in that minute objects exposed on the surface of the mounting portion of the semiconductor chip and / or the surface of the wire bond portion are removed.
【００１５】加えて、本発明の請求項４記載の半導体装
置は、上記リードフレームを備えてなる半導体装置であ
って、前記リードフレームは反射カップを備え、該反射
カップ内に異なる発光色の複数個の発光チップが配置さ
れ、該反射カップ内面の微少物体がその表面より突出し
てなることを特徴とするものである。In addition, a semiconductor device according to a fourth aspect of the present invention is a semiconductor device including the lead frame, wherein the lead frame includes a reflection cup, and a plurality of light emission colors of different colors are provided in the reflection cup. A plurality of light emitting chips are arranged, and a minute object on the inner surface of the reflection cup protrudes from the surface.
【００１６】加えて、本発明の請求項５記載の半導体装
置は、上記リードフレームを備えてなる半導体装置であ
って、前記リードフレームの一部分が前記微小物体と同
一のエポキシ樹脂からなる封止樹脂にて封止されてなる
ことを特徴とするものである。In addition, a semiconductor device according to claim 5 of the present invention is a semiconductor device provided with the lead frame, wherein a part of the lead frame is made of the same epoxy resin as the minute object. It is characterized by being sealed.
【００１７】加えて、本発明の請求項６記載の半導体装
置は、前記リードフレームの封止樹脂より突出する部分
表面に露出する微小物体を除去してなることを特徴とす
るものである。In addition, a semiconductor device according to a sixth aspect of the present invention is characterized in that a minute object exposed on a surface of a portion of the lead frame projecting from a sealing resin is removed.
【００１８】[0018]
【作用】上記構成によれば、本発明の請求項１記載のリ
ードフレームは、その表面、即ちメッキ層表面に露出す
る微小物体とメッキ層表面に塗布される銀ペーストとが
同一のエポキシ樹脂からなることから、互いが強い密着
力で結び付き半導体チップを強固に固定することができ
る。また、本発明の請求項２記載のリードフレームは、
微少物体が露出する部分以外が貴金属よりなる二次メッ
キ層にて被覆されてなる構成なので、二次メッキ層表面
のボンディング性を向上することができる。According to the above construction, in the lead frame according to the first aspect of the present invention, the surface, that is, the minute object exposed on the plating layer surface and the silver paste applied on the plating layer surface are made of the same epoxy resin. from becoming, it can be firmly fixed ties semiconductor chip in each other strong adhesion forces. Further, the lead frame according to claim 2 of the present invention,
Since the structure other than the portion where the minute object is exposed is covered with the secondary plating layer made of a noble metal, the bonding property on the surface of the secondary plating layer can be improved.
【００１９】さらに、本発明の請求項３記載のリードフ
レームは、半導体チップの搭載部表面及び又はワイヤー
ボンド部表面に露出する微小物体を除去してなる構成な
ので、その表面が梨地状で表面積が広くなり、接着剤で
ある銀ペーストとリードフレームとの密着性を向上する
ことができ、またワイヤーボンドのボンディング性を向
上することができる。Further, since the lead frame according to the third aspect of the present invention has a structure in which minute objects exposed on the surface of the mounting portion of the semiconductor chip and / or the surface of the wire bond portion are removed, the surface is matte and the surface area is reduced. It widens, with an adhesive
The adhesiveness between a certain silver paste and a lead frame can be improved, and the bonding property of a wire bond can be improved.
【００２０】加えて、本発明の請求項４記載の半導体装
置は、上記リードフレームに反射カップを備え、該反射
カップ内に発光色の異なる複数個の発光チップが配置さ
れ、該反射カップ内面の微少物体がその表面より突出し
てなる構成なので、複数個の発光チップより出射される
光は反射カップ内のリードフレーム表面で突出する微小
物体によって反射を繰り返し、該反射カップ内での光反
射を拡散することになり、複数個の発光チップの同時発
光時の色混合性を向上することができる。加えて、本発
明の請求項５記載の半導体装置は、上記リードフレーム
の一部分が上記微小物体と同一のエポキシ樹脂からなる
封止樹脂にて封止されてなる構成なので、リードフレー
ムと封止樹脂との間においても強い密着力を得ることが
できる。In addition, in the semiconductor device according to a fourth aspect of the present invention, a reflection cup is provided on the lead frame, a plurality of light-emitting chips having different emission colors are arranged in the reflection cup, and an inner surface of the reflection cup is formed. Since the minute object protrudes from the surface, the light emitted from the plurality of light emitting chips is repeatedly reflected by the minute object protruding on the lead frame surface in the reflection cup, and the light reflection in the reflection cup is diffused. Therefore, the color mixing at the time of simultaneous light emission of a plurality of light emitting chips can be improved. In addition, the semiconductor device according to claim 5 of the present invention has a configuration in which a part of the lead frame is sealed with a sealing resin made of the same epoxy resin as the minute object. A strong adhesive force can be obtained between them.
【００２１】加えて、本発明の請求項６記載の半導体装
置は、上記リードフレームの封止樹脂より突出する部分
表面に露出する微小物体を除去してなる構成なので、そ
の表面が梨地状で表面積が広くなり、実装部品として必
要な良好な半田付け性を得ることができる。In addition, the semiconductor device according to claim 6 of the present invention has a structure in which minute objects exposed on the surface of a portion of the lead frame projecting from the sealing resin are removed, so that the surface has a matte surface and a surface area. And the solderability required as a mounting component can be obtained.
【００２２】[0022]
【実施例】図１は本発明の第一実施例よりなるリードフ
レームおよびこれを用いた半導体装置を示す断面図であ
る。FIG. 1 is a sectional view showing a lead frame according to a first embodiment of the present invention and a semiconductor device using the same.
【００２３】本実施例のリードフレーム１１は、表面に
半導体ベアチップ１２が銀ペースト１３を介して搭載さ
れるものであって、具体的に説明すると鉄，銅合金，鉄
ニッケル合金等のリードフレーム素材１４を前記銀ペー
スト１３の主成分のエポキシ樹脂と同一のエポキシ樹脂
からなる微小エポキシボール１５を含有する一次メッキ
層１６にて被覆し、該一次メッキ層１６が二次メッキ層
１７にて被覆され、前記一次メッキ層１６に含有された
微小エポキシボール１５が前記二次メッキ層１７表面よ
り突出してなるものである。The lead frame 11 of the present embodiment has a semiconductor bare chip 12 mounted on the surface thereof via a silver paste 13. Specifically, a lead frame material such as iron, copper alloy, iron nickel alloy or the like is used. 14 was covered with the main component of the epoxy resin and the same epoxy resin <br/> minute epoxy ball 15 primary plating layer 16 containing a consisting of the silver paste 13, the primary plating layer 16 is the secondary plating layer 17 The fine epoxy balls 15 covered with the primary plating layer 16 and protruding from the surface of the secondary plating layer 17.
【００２４】該リードフレーム１１の製造工程を図２に
従って説明する。The manufacturing process of the lead frame 11 will be described with reference to FIG.
【００２５】まず、図２（ａ）に示すようなリードフレ
ーム素材１４に、図２（ｂ），（ｂ′）に示すように、
銅メッキ液或はニッケルメッキ液の中に大きさがφ０．
３μｍ〜φ１０μｍからなる微少エポキシボール１５を
分散させて激しく撹拌しながら電気メッキを行うことで
リードフレーム素材１４上に微少エポキシボール１５が
共析した一次メッキ層１６を形成する。なお、図２
（ｂ′）は同図（ｂ）のＡ部拡大図である。First, as shown in FIGS. 2 (b) and 2 (b '), a lead frame material 14 as shown in FIG.
The size of φ0 .0 in copper plating solution or nickel plating solution.
The primary plating layer 16 on which the fine epoxy balls 15 are eutectoid is formed on the lead frame material 14 by dispersing the fine epoxy balls 15 of 3 μm to 10 μm and performing electroplating with vigorous stirring. Note that FIG.
(B ′) is an enlarged view of a portion A in FIG.
【００２６】上記銅メッキ液及びニッケルメッキ液の代
表的なメッキ組成を図３に示す。これらのメッキ液から
なる一次メッキ層１６は内部応力が高いことから前もっ
て下地に分散剤を含まない通常のメッキを施しておく場
合もある。また、リードフレーム素材１４との密着力を
向上させるためにストライク銅メッキ或はストライクニ
ッケルメッキ（活性力を高めるための還元力の高いメッ
キ）を行う場合もある。FIG. 3 shows a typical plating composition of the copper plating solution and the nickel plating solution. Since the primary plating layer 16 made of these plating solutions has a high internal stress, there is a case where a normal plating not containing a dispersant is applied to the base in advance. In some cases, strike copper plating or strike nickel plating (plating with a high reducing power to increase the activation force) may be performed to improve the adhesion to the lead frame material 14.
【００２７】次に、図２（ｃ），（ｃ′）に示すよう
に、さらにその上に銀，金，パラジュウム等の貴金属を
前記微少エポキシボール１５が完全に隠れない程度の厚
みでメッキを施し、二次メッキ層１７を形成する。な
お、図２（ｃ′）は同図（ｃ）のＢ部拡大図である。Next, as shown in FIGS. 2 (c) and 2 (c '), a noble metal such as silver, gold, palladium or the like is further plated with a thickness such that the micro epoxy balls 15 cannot be completely hidden. Then, a secondary plating layer 17 is formed. FIG. 2 (c ') is an enlarged view of a portion B in FIG. 2 (c).
【００２８】これによって、表面に微少エポキシボール
１５が突出したリードフレーム１１が得られる。As a result, the lead frame 11 with the fine epoxy balls 15 protruding from the surface is obtained.
【００２９】また、前記一次メッキ層１６の形成後に、
図４に示すように、所定部分の微少エポキシボール１５
のエポキシ樹脂を溶剤によって溶解することによって、
その表面状態が梨地状で表面積を広く形成することがで
きる。具体的には、図４（ａ）に示すように一次メッキ
層１６を形成した後、微少エポキシボール１５を溶解す
る部分について図４（ｂ）に示すようにエポキシボール
溶解液に浸し微少エポキシボール１５を溶解する。これ
により、図４（ｃ）に示すような構造となり、最後に図
４（ｄ）に示すように二次メッキ層１７を施してなる。After the formation of the primary plating layer 16,
As shown in FIG.
By dissolving the epoxy resin of the solvent with
The surface condition is satin-like and the surface area can be widened. Specifically, after the primary plating layer 16 is formed as shown in FIG. 4A, the portion where the fine epoxy ball 15 is dissolved is immersed in an epoxy ball solution as shown in FIG. Dissolve 15 As a result, the structure as shown in FIG. 4C is obtained. Finally, as shown in FIG. 4D, the secondary plating layer 17 is formed.
【００３０】本実施例よりなるリードフレーム１１は、
その半導体ベアチップ１２搭載部分及びワイヤー１８に
よるワイヤーボンディング部分において微少エポキシボ
ール１５を除去しており、これによってその表面形状に
よりワイヤーボンディングのボンディング性を高め、更
に銀ペースト１３とリードフレーム１１との密着力をリ
ードフレーム１１の表面積が大きくなった分だけ向上す
ることができる。The lead frame 11 according to the present embodiment is
The minute epoxy balls 15 are removed at the portion where the semiconductor bare chip 12 is mounted and at the portion where the wires 18 are bonded, thereby improving the bonding properties of the wire bonding by the surface shape, and furthermore, the adhesion between the silver paste 13 and the lead frame 11. Can be improved by an increase in the surface area of the lead frame 11.
【００３１】また、本実施例においては、半導体ベアチ
ップ１２搭載部分の微少エポキシボール１５を除去した
が、除去しない構造であっても、銀ペースト１３と微少
エポキシボール１５とが同一のエポキシ樹脂からなるこ
とから強い密着力を得ることができる。Further, in this embodiment, the minute epoxy balls 15 on the mounting portion of the semiconductor bare chip 12 are removed. However, even if the structure is not removed, the silver paste 13 and the minute epoxy balls 15 are made of the same epoxy resin. Therefore, a strong adhesion can be obtained.
【００３２】さらに、リードフレーム表面が銀，金、パ
ラジューム等よりなる貴金属の二次メッキ層１７からな
るので、従来同様、ダイボンド，ワイヤーボンドが良好
なボンディング性を得ることができる。しかも、リード
フレーム表面の数パーセント〜数十パーセントが微少エ
ポキシボール１５で覆われていることから、従来よりも
貴金属のメッキ量を低減することができ、コスト低減を
図ることができる。Further, since the surface of the lead frame is made of the secondary plating layer 17 of a noble metal made of silver, gold, palladium, etc., good bonding properties can be obtained by die bonding and wire bonding as in the conventional case. In addition, since a few percent to several tens percent of the lead frame surface is covered with the minute epoxy balls 15, the amount of plating of the noble metal can be reduced as compared with the related art, and the cost can be reduced.
【００３３】上記リードフレーム１１を半導体装置に用
いる、即ち、半導体ベアチップ１２及び該半導体ベアチ
ップ１２を搭載したリードフレーム１１の一部を封止用
エポキシ樹脂１９にて封止することにより、リードフレ
ーム１１表面に突出した微少エポキシボール１５と封止
用エポキシ樹脂１９とが同一のエポキシ樹脂からなり、
両者の間で強い密着力を得ることができる。したがっ
て、リードフレーム１１と封止用エポキシ樹脂１９との
間より水分が侵入することを防止でき、半導体装置とし
て信頼性の向上が図れる。The lead frame 11 is used in a semiconductor device, that is, the semiconductor bare chip 12 and a part of the lead frame 11 on which the semiconductor bare chip 12 is mounted are sealed with an epoxy resin 19 for sealing. The micro epoxy ball 15 and the sealing epoxy resin 19 projecting from the surface are made of the same epoxy resin ,
Strong adhesion can be obtained between the two. Therefore, it is possible to prevent moisture from entering from between the lead frame 11 and the sealing epoxy resin 19, and the reliability of the semiconductor device can be improved.
【００３４】また、前記リードフレーム１１の封止用エ
ポキシ樹脂１９より突出する部分表面に突出する微少エ
ポキシボール１５を除去することにより、その表面が梨
地状で表面積が広くなり、表面実装部品として必要な良
好な半田付け性を備えた半導体装置を得ることができ
る。さらに、腐食電流の集中を防ぐことができ、錆びに
くくなり、屋外等の環境の悪いところでの使用される半
導体装置において好耐食性を持たせることができる。Also, by removing the minute epoxy balls 15 protruding from the surface of the lead frame 11 protruding from the sealing epoxy resin 19, the surface becomes matte and has a large surface area, which is necessary as a surface mount component. A semiconductor device having excellent solderability can be obtained. Further, concentration of corrosion current can be prevented, rust is less likely to occur, and good corrosion resistance can be imparted to a semiconductor device used in a poor environment such as outdoors.
【００３５】図５（ａ）は、本発明の第二実施例よりな
るリードフレームおよびこれを用いた半導体装置を示す
断面図である。本実施例について、上記実施例と相違す
る点のみ説明する。FIG. 5A is a sectional view showing a lead frame according to a second embodiment of the present invention and a semiconductor device using the same. In the present embodiment, only the points different from the above embodiment will be described.
【００３６】本実施例のリードフレーム２１は、チップ
搭載用リード２２と結線用リード２３とからなり、前記
チップ搭載用リード２２の一端側に発光色の異なる複数
個の発光ダイオードチップ２４が搭載される反射カップ
２２ａを備えてなり、該リードフレーム２１は、上記実
施例同様、リードフレーム素材を微小エポキシボール２
５を含有する一次メッキ層にて被覆し、該一次メッキ層
が二次メッキ層にて被覆され、前記一次メッキ層に含有
された微小エポキシボール２５を前記二次メッキ層表面
より突出してなるものである。The lead frame 21 of this embodiment comprises a chip mounting lead 22 and a connection lead 23, and a plurality of light emitting diode chips 24 of different emission colors are mounted on one end of the chip mounting lead 22. The lead frame 21 is made of a fine epoxy ball 2 like the above-described embodiment.
5 is coated with a primary plating layer, the primary plating layer is coated with a secondary plating layer, and the minute epoxy balls 25 contained in the primary plating layer protrude from the surface of the secondary plating layer. It is.
【００３７】前記発光ダイオードチップ２４としては、
例えばレッド，グリーン，ブルーの３色の発光ダイオー
ドチップを用い、これによってフルカラー表現が可能と
なる。なお、図５においては、２つの発光ダイオードチ
ップをＲ，Ｙにて示している。As the light emitting diode chip 24,
For example, light-emitting diode chips of three colors of red, green, and blue are used, thereby enabling full-color expression. In FIG. 5, two light emitting diode chips are indicated by R and Y.
【００３８】これにより、従来のリードフレーム２１′
を用いた半導体装置では、図５（ｂ）に示すように、発
光ダイオードチップ２４′から出た光束が反射カップ２
２ａ′内面で鏡面反射をしていたのに対し、本実施例の
上記リードフレーム２１を用いた半導体装置では、図５
（ａ）に示すように、発光ダイオードチップ２４から出
た光束は反射カップ２２ａ内面に突出する微少エポキシ
ボール２５で乱反射し、反射カップ２２ａ内部で発光色
の異なる複数個の発光ダイオードチップ２４が同時発光
した際に複数の発光色の色混合性を向上することができ
る。Thus, the conventional lead frame 21 '
5B, the light flux emitted from the light emitting diode chip 24 'is reflected by the reflection cup 2 as shown in FIG.
In contrast to the mirror reflection at the inner surface 2a ', the semiconductor device using the lead frame 21 of the present embodiment differs from the semiconductor device shown in FIG.
As shown in (a), the light flux emitted from the light emitting diode chip 24 is irregularly reflected by the minute epoxy balls 25 projecting from the inner surface of the reflecting cup 22a, and a plurality of light emitting diode chips 24 having different emission colors are simultaneously reflected inside the reflecting cup 22a. When light is emitted, color mixing of a plurality of emission colors can be improved.
【００３９】[0039]
【発明の効果】以上説明したように、本発明の請求項１
記載のリードフレームによれば、その表面に露出する微
小物体と該表面に塗布される接着剤である銀ペーストと
が強い密着力で結び付き、半導体チップが強固に固定す
ることが可能なリードフレームを提供することができ
る。As described above, according to the first aspect of the present invention,
According to the lead frame described above, a fine object exposed on the surface thereof and a silver paste which is an adhesive applied to the surface are bonded with a strong adhesive force, and a lead frame capable of firmly fixing a semiconductor chip is provided. Can be provided.
【００４０】また、本発明の請求項２記載のリードフレ
ームは、微少物体が露出する部分以外が貴金属よりなる
二次メッキ層にて被覆されてなる構成なので、二次メッ
キ層表面、即ちリードフレーム表面のボンディング性を
向上することができる。The lead frame according to the second aspect of the present invention has a structure in which a portion other than a portion where a minute object is exposed is covered with a secondary plating layer made of a noble metal. The bonding property of the surface can be improved.
【００４１】さらに、本発明の請求項３記載のリードフ
レームは、半導体チップの搭載部表面及び又はワイヤー
ボンド部表面に露出する微小物体を除去してなる構成な
ので、その表面が梨地状で表面積が広くなり、接着剤で
ある銀ペーストとリードフレームとの密着性を向上する
ことができ、またワイヤーボンドのボンディング性を向
上することができる。Furthermore, the lead frame according to the third aspect of the present invention has a structure in which minute objects exposed on the surface of the mounting portion of the semiconductor chip and / or the surface of the wire bond portion are removed, so that the surface is matte and the surface area is large. It widens, with an adhesive
The adhesiveness between a certain silver paste and a lead frame can be improved, and the bonding property of a wire bond can be improved.
【００４２】加えて、本発明の請求項４記載の半導体装
置は、上記リードフレームに反射カップを備え、該反射
カップ内に発光色の異なる複数個の発光チップが配置さ
れ、前記反射カップ内面の微少物体がその表面より突出
してなる構成なので、複数個の発光チップより出射され
る光はそれぞれ反射カップ内で突出する微少物体によっ
て光反射を拡散することになり、複数個の発光チップの
同時発光時の色混合性が向上された半導体装置を提供す
ることができる。加えて、本発明の請求項５記載の半導
体装置は、上記リードフレームの一部分が上記微小物体
と同一のエポキシ樹脂からなる封止樹脂にて封止されて
なる構成なので、リードフレームと封止樹脂とが強い密
着力で結び付き、リードフレームと封止樹脂との間より
水分が侵入することを防止でき、半導体装置の信頼性の
向上が図れる。In addition, in the semiconductor device according to a fourth aspect of the present invention, the lead frame includes a reflection cup, a plurality of light-emitting chips having different emission colors are arranged in the reflection cup, and the reflection cup has an inner surface. Since the minute object protrudes from the surface, the light emitted from the plurality of light emitting chips diffuses the light reflection by the minute object protruding in the reflection cup. A semiconductor device with improved color mixing at the time can be provided. In addition, the semiconductor device according to claim 5 of the present invention has a configuration in which a part of the lead frame is sealed with a sealing resin made of the same epoxy resin as the minute object. Are bonded with a strong adhesive force, thereby preventing intrusion of moisture from between the lead frame and the sealing resin, thereby improving the reliability of the semiconductor device.
【００４３】加えて、本発明の請求項６記載の半導体装
置は、上記リードフレームの封止樹脂より突出する部分
表面に露出する微小物体を除去してなる構成なので、そ
の表面が梨地状で表面積が広くなり、実装部品として必
要な良好な半田付け性を備えた半導体装置が得られる。In addition, the semiconductor device according to claim 6 of the present invention has a structure in which a minute object exposed on the surface of a portion of the lead frame projecting from the sealing resin is removed, so that the surface has a matte surface and a surface area. And a semiconductor device having good solderability required as a mounting component can be obtained.
【図１】本発明の第一実施例よりなるリードフレームお
よびこれを用いた半導体装置を示す断面図である。FIG. 1 is a sectional view showing a lead frame according to a first embodiment of the present invention and a semiconductor device using the same.
【図２】図１に示すリードフレームの製造工程図であ
る。FIG. 2 is a manufacturing process diagram of the lead frame shown in FIG. 1;
【図３】銅メッキ液及びニッケルメッキ液の代表的なメ
ッキ組成を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing typical plating compositions of a copper plating solution and a nickel plating solution.
【図４】図１に示すリードフレームの製造工程図であ
る。FIG. 4 is a manufacturing process diagram of the lead frame shown in FIG. 1;
【図５】（ａ）は本発明の第二実施例よりなるリードフ
レームおよびこれを用いた半導体装置を示す断面図であ
り、（ｂ）は該実施例に対応する従来例を示す断面図で
ある。5A is a cross-sectional view showing a lead frame according to a second embodiment of the present invention and a semiconductor device using the same, and FIG. 5B is a cross-sectional view showing a conventional example corresponding to the embodiment. is there.
【図６】従来のリードフレームを示す外観図である。FIG. 6 is an external view showing a conventional lead frame.
【図７】図６に示すリードフレームの製造工程図であ
る。FIG. 7 is a manufacturing process diagram of the lead frame shown in FIG. 6;
１１，２１ リードフレーム １２ 半導体ベアチップ（半導体チップ） １３ 銀ペースト（接着剤） １４ リードフレーム素材 １５，２５ 微少エポキシボール １６ 一次メッキ層 １７ 二次メッキ層 １９ 封止用エポキシ樹脂 ２２ チップ搭載用リード ２２ａ 反射カップ ２４ 発光ダイオードチップ（半導体チップ） 11, 21 Lead frame 12 Semiconductor bare chip (semiconductor chip) 13 Silver paste (adhesive) 14 Lead frame material 15, 25 Fine epoxy ball 16 Primary plating layer 17 Secondary plating layer 19 Epoxy resin for sealing 22 Lead 22a for chip mounting Reflection cup 24 Light-emitting diode chip (semiconductor chip)
Claims (6)
ム素材を被覆するメッキ層とを備え、該メッキ層表面に
半導体チップが銀とエポキシ樹脂を主成分とする銀ペー
ストを介して搭載されるリードフレームにおいて、 前記メッキ層は前記銀ペーストの主成分のエポキシ樹脂
と同一のエポキシ樹脂からなる微小物体を含有してな
り、該微少物体がメッキ層表面より露出してなることを
特徴とするリードフレーム。1. A lead frame comprising: a lead frame material; and a plating layer covering the lead frame material, wherein a semiconductor chip is mounted on a surface of the plating layer via a silver paste containing silver and epoxy resin as main components. 3. The lead frame according to claim 1, wherein the plating layer contains a minute object made of the same epoxy resin as the epoxy resin as a main component of the silver paste, and the minute object is exposed from the surface of the plating layer.
リードフレーム素材を被覆する一次メッキ層と、貴金属
よりなり前記微少物体を外部に露出させた状態で前記一
次メッキ層を被覆する二次メッキ層とからなることを特
徴とする請求項１記載のリードフレーム。2. The plating layer includes a primary plating layer containing the microscopic object and covering a lead frame material, and a secondary plating layer made of a noble metal and covering the primary plating layer in a state where the microscopic object is exposed to the outside. 2. The lead frame according to claim 1, comprising a plating layer.
ヤーボンド部表面に露出する微小物体を除去してなるこ
とを特徴とする請求項１記載のリードフレーム。3. The lead frame according to claim 1, wherein minute objects exposed on the surface of the mounting portion of the semiconductor chip and / or the surface of the wire bond portion are removed.
レームを備えてなる半導体装置であって、前記リードフ
レームは反射カップを備え、該反射カップ内に異なる発
光色の複数個の発光チップが配置され、前記反射カップ
内面の微少物体がその表面より突出してなることを特徴
とする半導体装置。4. A semiconductor device comprising the lead frame according to claim 1, 2 or 3 , wherein the lead frame has a reflection cup, and a plurality of light emission of different emission colors are provided in the reflection cup. A semiconductor device in which a chip is arranged and a minute object on the inner surface of the reflection cup protrudes from the surface.
レームを備えてなる半導体装置であって、前記リードフ
レームの一部分が前記微小物体と同一のエポキシ樹脂か
らなる封止樹脂にて封止されてなることを特徴とする半
導体装置。5. A semiconductor device comprising the lead frame according to claim 1, 2 or 3 , wherein a part of the lead frame is sealed with a sealing resin made of the same epoxy resin as the minute object. A semiconductor device which is stopped.
する部分表面に露出する微小物体を除去してなることを
特徴とする請求項５記載の半導体装置。6. The semiconductor device according to claim 5, wherein a minute object exposed on a surface of a part of said lead frame projecting from a sealing resin is removed.
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