JP3103646B2 - Alumina veljer - Google Patents

Alumina veljer

Info

Publication number
JP3103646B2
JP3103646B2 JP04016149A JP1614992A JP3103646B2 JP 3103646 B2 JP3103646 B2 JP 3103646B2 JP 04016149 A JP04016149 A JP 04016149A JP 1614992 A JP1614992 A JP 1614992A JP 3103646 B2 JP3103646 B2 JP 3103646B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
alumina
bell
ppm
quartz glass
wafer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP04016149A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH05217946A (en
Inventor
敬司 森田
駿蔵 島井
昇 五十嵐
晴司 原田
幸行 永坂
和 安藤
Original Assignee
東芝セラミックス株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=11908452&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=JP3103646(B2) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by 東芝セラミックス株式会社 filed Critical 東芝セラミックス株式会社
Priority to JP04016149A priority Critical patent/JP3103646B2/en
Publication of JPH05217946A publication Critical patent/JPH05217946A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3103646B2 publication Critical patent/JP3103646B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は、シリコンウェハ−の
プラズマエッチングに使用する釣鐘状の囲器であるベル
ジャ−に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a bell jar which is a bell-shaped envelope used for plasma etching of a silicon wafer.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、シリコンウェハ−のプラズマエッ
チングは、石英ガラスのベルジヤ−で行われてきた。
2. Description of the Related Art Conventionally, plasma etching of a silicon wafer has been performed using a quartz glass velger.

【0003】即ち、石英ガラスのベルジヤ−の中にウェ
ハ−を載置し、この中にプラズマ化されたフッ化物ガス
をに導入し、これによりシリコンウェハ−上に形成され
た薄膜をエッチングする方法が採用されている。
[0003] That is, a method in which a wafer is placed in a quartz glass belger and a fluoride gas converted into plasma is introduced into the wafer, thereby etching a thin film formed on a silicon wafer. Has been adopted.

【0004】フッ化物ガスのプラズマ化は、ベルジヤ−
の中に導入されたフッ化物ガスに高周波のマイクロ波を
照射する方法、ベルジヤ−と一体となった導入管内のフ
ッ化物ガスに外部からマイクロ波を照射し、これをシリ
コンウェハ−まで導入する方法などが行われていた。
[0004] Plasma conversion of fluoride gas is carried out by using Belgian gas.
A method of irradiating a high-frequency microwave to a fluoride gas introduced into the inside, a method of irradiating a fluoride gas in an introduction pipe integrated with a bell jig from the outside and introducing the microwave to a silicon wafer. And so on.

【0005】従来は、こうしたベルジヤ−として石英ガ
ラスがもっぱら用いられていた。石英ガラスは、ウェハ
−を汚染する不純物の含有量の少ない高純度のもが得ら
れ、しかも高熱加工が容易なため、ベルジヤ−に石英ガ
ラスが広く使用されて来たものである。
Heretofore, quartz glass has been used exclusively as such a bell jersey. Quartz glass has been widely used as a bell jar because quartz glass has a high purity with a low content of impurities contaminating the wafer and can be easily processed with high heat.

【0006】しかしながら、石英ガラスのベルジヤ−に
は、別に、腐食による多くの問題が以前から指摘されて
いた。石英ガラスとフッ化物ガスとが反応して出来るフ
ッ化珪素は、蒸気圧が高く直ぐに蒸発し、この原理でシ
リコン酸化膜などのエッチングが行われてきたが、これ
がまた、従来の石英ガラスのベルジヤ−に種々の問題を
生じさる結果となっていた。即ち、従来の石英ガラスの
ベルジヤ−の成分が酸化シリコンであるところから、こ
れがプラズマ化したフッ化物ガスで著しく腐食されてい
た。
However, a number of problems due to corrosion have previously been pointed out in quartz glass bell jewels. Silicon fluoride formed by the reaction between quartz glass and a fluoride gas has a high vapor pressure and evaporates immediately. Etching of a silicon oxide film or the like has been performed on this principle. -Resulted in various problems. That is, since the component of the conventional silica glass bell jelly is silicon oxide, it has been significantly corroded by the plasma-converted fluoride gas.

【0007】例えば、従来のベルジヤ−の腐食は激しく
て寿命が短く、その結果として、ウェハ−のエッチング
コストを高くしていた。石英ガラスのベルジヤ−が腐食
されると、これに伴って石英ガラスに含まれていた微量
の不純物がウェハ−を汚染するという問題を併発してい
た。また、従来のものは数時間のエッチングでベルジヤ
−に穴があき、長い間連続してエッチングが出来ないと
いった生産性の問題もあった。
[0007] For example, conventional corroding of jewelry is severe and its life is short, and as a result, the cost of etching a wafer is increased. If the quartz glass bell jewel is corroded, there is a problem that a small amount of impurities contained in the quartz glass contaminate the wafer. Further, the conventional one has a productivity problem that a hole is formed in the bell jewel after several hours of etching, and etching cannot be performed continuously for a long time.

【0008】石英ガラスのベルジヤ−の腐食は、従来必
ずしも均一に進行せず、弱い部分が選択的にエッチング
され、微粒子となった石英ガラスがウェハ−上に付着す
るなどの問題もあった。
Conventionally, corrosion of quartz glass bell jewels has not always proceeded uniformly, and there has been a problem that weak portions are selectively etched and quartz glass which has become fine particles adheres to the wafer.

【0009】さらに、石英ガラスとフッ化物ガスとが反
応して出来るフッ化珪素は、ベルジヤ−の中に導入され
る混合ガス中の酸素などと反応し、酸化物または酸窒化
物となってベルジヤ−囲器の低温部に蒸着する。この蒸
着物は、基材の囲器と熱膨張係数が異なるため、時折剥
離してウェハ−上に付着するといった問題も指摘されて
いる。
Further, the silicon fluoride formed by the reaction between the quartz glass and the fluoride gas reacts with oxygen or the like in the mixed gas introduced into the belljar, and becomes an oxide or an oxynitride to form the oxide. -Deposit on the cold part of the enclosure. It has also been pointed out that the deposited material has a different coefficient of thermal expansion from the envelope of the base material, so that it is sometimes peeled off and adhered to the wafer.

【0010】こうした問題を解決するために、石英ガラ
スに代えて、アルミナセラミックスをベルジヤ−に用い
ることも考えられるが、アルミナセラミックスはマイク
ロ波の吸収が多く、アルミナが部分的に加熱膨脹してク
ラックが発生し、使用することが難しいとされてきた。
またアルミナセラミックスは不純物濃度が高くウェハ−
を汚染し、この面からも実用に供することは困難である
とされていた。
In order to solve such a problem, it is conceivable to use alumina ceramic for the bell jar instead of quartz glass. However, alumina ceramic absorbs a lot of microwaves, and the alumina is partially heated and expanded to crack. Have occurred and have been considered difficult to use.
Alumina ceramics have a high impurity concentration and
Has been contaminated, and it has been said that it is difficult to put it to practical use from this aspect.

【0011】[0011]

【発明が解決しようとする課題】この発明は、フッ化物
ガスによる腐食が少なくて寿命が長く、かつウェハ−の
汚染も回避でき、さらにマイクロ波の吸収が少なくてク
ラックの発生が防止でき、生産性に適するアルミナ質ベ
ルジヤ−を得ようとするものである。
According to the present invention, there is little corrosion due to fluoride gas, a long life, and it is possible to avoid contamination of the wafer, and further, there is little absorption of microwaves, so that cracks can be prevented. The purpose is to obtain an alumina-based bell jig suitable for the property.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】この発明は、アルミナ質
ベルジヤ−において、基材のアルミナセラミックスを、
アルミナが99.9%以上、SiO2 が100ppm 未
満、アルカリ金属酸化物が50ppm 以下の多結晶アルミ
ナ質焼結体で、比重が3.96以上、平均結晶粒径が1
0μm 以上、1〜10GHz のマイクロ波で誘電体損失ta
n δが8×10- 4 以下であることを特徴とするもので
ある。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention relates to an alumina-based material.
In Belger, the alumina ceramic of the substrate is
99.9% or more alumina, SiOTwoIs not 100ppm
Fully polycrystalline aluminum with less than 50ppm alkali metal oxide
A sintered body having a specific gravity of 3.96 or more and an average crystal grain size of 1
Dielectric loss in microwaves of 0 μm or more and 1 to 10 GHz
n δ is 8 × 10- Four It is characterized by the following
is there.

【0013】この発明のアルミナ質ベルジャ−の基材
は、純度99.9%以上の高純度アルミナ質焼結体で、
SiO2 が100ppm 未満、アルカリ金属酸化物が50
ppm 以下からなるものである。これは、プラズマ化した
フッ化物ガスに対するアルミナセラミックスの耐腐食性
が、アルミナセラミックス中のアルミナ純度に比例し、
特に、SiとNa,Kなどのアルカリ金属に大きく影響
されることが判明されたためである。
The base material of the alumina-based bell jar of the present invention is a high-purity alumina-based sintered body having a purity of 99.9% or more.
SiO 2 less than 100 ppm, alkali metal oxide 50
It consists of less than ppm. This is because the corrosion resistance of alumina ceramics to fluoride gas converted into plasma is proportional to the alumina purity in the alumina ceramics,
In particular, it has been found that Si and alkali metals such as Na and K are greatly affected.

【0014】アルミナセラミックス中のSiO2 を10
0ppm 未満としたのは、これが100ppm 以上である
と、SiO2 が結晶粒界で濃縮しフッ化物ガスと反応し
て蒸発し、セラミック粒界部の腐食を促進するからであ
る。アルミナセラミックスのマイクロ波吸収は、SiO
2 、アルカリ金属等の不純物に影響されると考えられ
る。 アルカリ金属酸化物を50ppm 以下としたのは、
アルカリ金属がこの値を超えると、特にアルミナセラミ
ックスのマイクロ波吸収を高め、アルミナセラミックス
に吸収されたエネルギ−によりセラミックスの温度を上
昇させてベルジヤ−にクラックを発生させ、ベルジヤ−
の長寿命を達成することが出来ないからである。またこ
うした温度上昇は、フッ化物ガスとSiO2 の化学反応
を促進し、腐食をさらに促進させる。
[0014] SiO 2 in alumina ceramics
The reason why the content is set to less than 0 ppm is that when the content is more than 100 ppm, SiO 2 is concentrated at the crystal grain boundaries and reacts with the fluoride gas to evaporate, thereby accelerating the corrosion of the ceramic grain boundaries. The microwave absorption of alumina ceramics is SiO
2. It is thought to be affected by impurities such as alkali metals. The reason why the content of the alkali metal oxide is set to 50 ppm or less is that
If the alkali metal exceeds this value, the microwave absorption of the alumina ceramics is particularly enhanced, and the energy absorbed by the alumina ceramics raises the temperature of the ceramics to generate cracks in the belliers, thereby causing the belliers to crack.
This is because the long life cannot be achieved. Further, such a rise in temperature promotes a chemical reaction between the fluoride gas and SiO 2 , and further promotes corrosion.

【0015】かかるベルジャ−を得るには、所定の原
料、例えばアルミナが99.9%以上、SiO2 が10
0ppm 未満、アルカリ金属酸化物が100ppm 以下の原
料をベルジヤ−の形状に成形し、水素雰囲気または真空
中で1700℃以上で焼成して多結晶アルミナ質とすれ
ばよい。
In order to obtain such a bell jar, predetermined raw materials, for example, 99.9% or more of alumina and 10% of SiO 2 are used.
A raw material having a content of less than 0 ppm and an alkali metal oxide content of 100 ppm or less may be formed into a bell-jar shape and fired at 1700 ° C. or more in a hydrogen atmosphere or vacuum to obtain polycrystalline alumina.

【0016】さらに、この発明のベルジヤ−のアルミナ
セラミックスは、比重3.96以上とする。ベルジャ−
に気孔が多いとその一部が表面に露出する割合も多くな
り、表面のこうした気孔を介して腐食が進行する恐れが
ある。また、気孔には不純物がたまりやすく、シリンウ
ェハ−に対する汚染源となってしまう。このために、ア
ルミナ質セラミックの比重を3.96以上として表面に
気孔が実質的に存在しないようにすることが好ましい。
Furthermore, the specific gravity of the alumina ceramics of the present invention is 3.96 or more. Bell jar
If the number of pores is large, the ratio of a part of the pores exposed to the surface also increases, and there is a possibility that corrosion proceeds through such pores on the surface. In addition, impurities easily accumulate in the pores and become a source of contamination for the syringe wafer. For this reason, it is preferable that the specific gravity of the alumina ceramic is 3.96 or more so that pores are not substantially present on the surface.

【0017】また、アルミナセラミックスの腐食は、結
晶粒界から進行することから、粒界の少ないセラミック
スとすることが必要で、平均結晶粒径を10μm以上と
する。しかしながら、結晶粒径があまり大きいと機械的
強度が低下する問題があるので、その上限は100μm
とすることが好ましい。さらに、この発明ではマイクロ
波の透過性についても条件が必要である。
Further, since the corrosion of alumina ceramics proceeds from the crystal grain boundaries, it is necessary to use ceramics having few grain boundaries, and the average crystal grain size is set to 10 μm or more. However, if the crystal grain size is too large, there is a problem that the mechanical strength is reduced.
It is preferable that Further, in the present invention, conditions are required for the microwave transmission.

【0018】一般に、アルミナセラミックスはマイクロ
波照射により赤熱しクラックが発生して破損に至る場合
が多い。また、クラックによる破損に至らないまでも、
こうした温度上昇はプラズマ化されたフッ化物ガスによ
る浸蝕を促進させる。従って、耐食性の面からもマイク
ロ波の透過性の高い材料が望まれる。マイクロ波透過性
は、誘電体損失の逆数として表すことが出来る。誘電体
損失は、非誘電率と損失係数 tanδの積に比例する。ア
ルミナセラミックスは不純物の少ないものほどtanδの
値が小さいが、本発明ではこの値をサファイアイに近い
8×10- 4 以下の値とする。
In general, alumina ceramics often become red-heated by microwave irradiation, cracks occur, and are often damaged. Also, even if it does not lead to damage due to cracks,
Such a temperature increase promotes erosion by the plasma-converted fluoride gas. Therefore, a material having high microwave permeability is also desired from the viewpoint of corrosion resistance. Microwave transmission can be expressed as the reciprocal of dielectric loss. The dielectric loss is proportional to the product of the non-dielectric constant and the loss factor tanδ. Alumina ceramics having a smaller impurity have a smaller value of tan δ, but in the present invention, this value is set to 8 × 10 which is close to sapphire. Four The following values are assumed.

【0019】本願発明は、以上の如くアルミナが99.
9%以上、SiO2 が100ppm 未満、アルカリ金属酸
化物が50ppm 以下の多結晶アルミナ質焼結体で、かつ
比重3.96以上、平均結晶粒径10μm 以下、1〜1
0GHz のマイクロ波での誘電体損失 tanδが8×10-
4 以下という各種の条件を満たしたとき、フッ化物ガス
に対し優れた耐食性を有し、しかもマイクロ波の透過性
にも優れて熱ショックによる破損も回避され、従って長
い時間にわたって使用することができ実用的に満足され
るベルジャ−が得られることを見出したものである。
According to the present invention, as described above, alumina is 99.
9% or more, SiO 2 is less than 100 ppm, alkali metal oxides is not more than polycrystalline alumina sintered body 50 ppm, and a specific gravity of 3.96 or more, an average grain size 10μm or less, 1 to 1
The dielectric loss tanδ at microwave 0GHz is 8 × 10 -
Four When the following conditions are satisfied, it has excellent corrosion resistance to fluoride gas, and also has excellent microwave permeability, avoids damage due to heat shock, and can be used for a long time and practical It has been found that a bell jar satisfying the requirements can be obtained.

【0020】[0020]

【作用】この発明によれば、高純度で、SiO2 及びア
ルカリ金属酸化物の含有量を微量に限定し、しかも高比
重で、平均結晶粒径の下限、誘電体損失の上限をそれぞ
れ特定したので、耐食性、マイクロ波の透過性などに優
れ、発熱を抑制しウェハ−を汚染することなく長い時間
にわたって使用することができるアルミナ質ベルジヤ−
を得ることができ、これによってエッチングコストを安
価に提供することができる。
According to the present invention, the lower limit of the average crystal grain size and the upper limit of the dielectric loss are specified with high purity, the contents of SiO 2 and alkali metal oxides are limited to minute amounts, and the specific gravity is high. Therefore, it is excellent in corrosion resistance, microwave transmission, etc., suppresses heat generation, and can be used for a long time without polluting the wafer.
Can be obtained, whereby the etching cost can be provided at low cost.

【0021】[0021]

【実施例】【Example】

(実施例1) (Example 1)

【0022】図1は、この発明のベルジヤ−を用いたプ
ラズマエッチング装置の概要を示す説明図である。図1
において、1はガス導入管で、このガス導入管1に対し
垂直に2.4 GHzのマイクロ波2が照射され、マイクロ
波2はガス導入管1を通過して導入管内部3に達するよ
うになっている。エッチングのために導入されるガス4
は、CF4 +O2 で、導入管1内でプラズマ化された
後、ベルジヤ−7の内部5に送られ、ウェハ−6の処理
が行われた。
FIG. 1 is an explanatory view showing an outline of a plasma etching apparatus using a bell jewel according to the present invention. FIG.
In the figure, reference numeral 1 denotes a gas introduction pipe, which is irradiated with a microwave 2 of 2.4 GHz perpendicular to the gas introduction pipe 1 so that the microwave 2 passes through the gas introduction pipe 1 and reaches the inside 3 of the introduction pipe. Has become. Gas 4 introduced for etching
Was converted into plasma in the introduction tube 1 with CF 4 + O 2 , and then sent to the inside 5 of the bell jar 7 to process the wafer 6.

【0023】ベルジヤ−及びガス導入管の材質は、水素
雰囲気中1800℃で焼成した肉厚2mm、純度99.9
%の高純度アルミナセラミックスを使用し、使用可能時
間を測定した。比較例として、肉厚5mmの石英ガラス、
及び肉厚が3mmで純度99.5%の通常のアルミナセラ
ミックスを使用した。
The material of the bell jewel and the gas inlet tube is 2 mm thick and 99.9 purity, fired at 1800 ° C. in a hydrogen atmosphere.
% High-purity alumina ceramics, and the usable time was measured. As a comparative example, a quartz glass having a thickness of 5 mm,
Further, ordinary alumina ceramics having a thickness of 3 mm and a purity of 99.5% were used.

【0024】各材料のSiO2 純度は、高純度アルミナ
セラミックスでは30ppm 、石英ガラスでは100%、
通常のアルミナセラミックスでは25ppm であり、また
アルカリ金属酸化物(Na2 O、K2 Oなど)の含有率
は、高純度アルミナセラミックスでは45ppm 、石英ガ
ラスでは1ppm 以下、通常のアルミナセラミックスでは
540ppm とした。さらに、平均結晶粒径は、高純度ア
ルミナセラミックスでは25μm 、通常のアルミナセラ
ミックスでは25μm とした。この結果、この発明のア
ルミナ質ベルジヤ−は、肉厚が最も薄い2mmにもかかわ
らず、600時間の使用が可能であった。
The SiO 2 purity of each material is 30 ppm for high-purity alumina ceramics, 100% for quartz glass,
The content of alkali metal oxides (Na 2 O, K 2 O, etc.) was 45 ppm for high-purity alumina ceramics, 1 ppm or less for quartz glass, and 540 ppm for normal alumina ceramics. . The average crystal grain size was 25 μm for high-purity alumina ceramics and 25 μm for normal alumina ceramics. As a result, the alumina-based bell jewel of the present invention could be used for 600 hours despite its thinnest thickness of 2 mm.

【0025】これに対し、石英ガラスベルジヤ−は、肉
厚が5mmと厚いにもかかわらず、20時間で腐食による
穴があき、また、普通のアルミナセラミックスでは10
0時間でクラックが発生して使用できなくなった。 (実施例2)
On the other hand, the quartz glass bell jewel has a hole due to corrosion in 20 hours despite its thickness of 5 mm.
At 0 hours, cracks occurred and could not be used. (Example 2)

【0026】水素雰囲気で焼成されたアルミナセラミッ
クスの純度を変化させ(SiO2 ,NaO2 含有率を変
化)、密度、平均結晶粒径を変化させたアルミナ質ベル
ジヤ−を作成した。
The purity of alumina ceramics fired in a hydrogen atmosphere was changed (the content of SiO 2 and NaO 2 was changed), and an alumina velzier was formed in which the density and the average crystal grain size were changed.

【0027】即ち、純度99.9%の原料粉末に、必要
に応じてSiO2 ,NaO2 を分散,添加し、これに有
機バインダ−とイオン交換水を加えたスラリ−をスプレ
−ドライヤ−で造粒した。これをラバ−プレスで1.0
t/cm2 で成形し、つづいて1000℃で仮焼し、水蒸
気雰囲気中1700〜1800℃で保持時間1〜8時間
で焼成した。
That is, if necessary, SiO 2 and NaO 2 are dispersed and added to the raw material powder having a purity of 99.9%, and a slurry obtained by adding an organic binder and ion-exchanged water thereto is sprayed with a spray dryer. Granulated. It is 1.0 with rubber press.
t / cm 2 , And then calcined at 1000 ° C., and baked at 1700 to 1800 ° C. for 1 to 8 hours in a steam atmosphere.

【0028】焼成後の大きさは、径180mm、高さ10
0mmの半球形状で、厚さは2mmであった。このベルジヤ
−の上部から、2.45 GHzのマイクロ波を100時間
照射した。マイクロ波導波管近傍のベルジヤ−表面温度
を表面温度計で測定した。ベルジヤ−の中にはCF4
2 混合ガスを導入し、ベルジヤ−の下部には酸化膜が
形成されたシリコンウェハ−を配置した。
The size after firing is 180 mm in diameter and 10 mm in height.
It was a 0 mm hemispherical shape and 2 mm thick. A microwave of 2.45 GHz was irradiated for 100 hours from the top of the bell jewel. Belger surface temperature near the microwave waveguide was measured with a surface thermometer. Berujiya - Some of CF 4 +
An O 2 mixed gas was introduced, and a silicon wafer on which an oxide film was formed was placed below the bell jersey.

【0029】また、上記と同じ造粒物を用いて10mm×
10mmの円柱状成形体をプレス成形により作成し、上記
ベルジヤ−と同様の条件で仮焼し、水素雰囲気で焼成し
た。これを tanδ測定用サンプルとした。 tanδは、1
0GHz で円柱共振法で測定した。結果を表1に示す。
Further, the same granulated material as described above was used to obtain 10 mm ×
A 10 mm cylindrical molded body was prepared by press molding, calcined under the same conditions as in the above-mentioned bell jewel, and calcined in a hydrogen atmosphere. This was used as a tan δ measurement sample. tanδ is 1
It was measured at 0 GHz by the cylindrical resonance method. Table 1 shows the results.

【0030】[0030]

【表1】 [Table 1]

【0031】[0031]

【発明の効果】この発明のアルミナ質ベルジヤ−は、フ
ッ化物ガスに対し優れた耐食性を有し、しかもマイクロ
波の透過性にも優れて熱ショックによる破損も回避され
る。従って、この発明のベルジヤ−は長い時間にわたっ
て使用することができて、結果的にエッチングコストを
安価にすることが出来る。さらに、この発明のベルジヤ
−は、フッ化物ガスによる腐食も少なく、このため不純
物が発生してウェハ−を汚染するようなことも回避でき
るようになった。
Industrial Applicability The alumina-based bell jewel of the present invention has excellent corrosion resistance to fluoride gas, and also has excellent microwave permeability, so that breakage due to thermal shock can be avoided. Therefore, the bell jewel of the present invention can be used for a long time, and as a result, the etching cost can be reduced. Further, the bell jer according to the present invention is less corroded by the fluoride gas, so that it is possible to prevent impurities from being generated and contaminating the wafer.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】この発明のアルミナ質ベルジヤ−を用いて行う
プラズマエッチング装置の概要を示す説明図。
FIG. 1 is an explanatory view showing an outline of a plasma etching apparatus performed by using an alumina-based bell jewel of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1……ガス導入管、2……マイクロ波2、7……ベルジ
ヤ−、6……ウェハ−。
1 ... Gas introduction pipe, 2 ... Microwave 2,7 ... Bergier, 6 ... Wafer.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 原田 晴司 千葉県東金市小沼田字戌開1573の8 東 芝セラミックス株式会社東金工場内 (72)発明者 永坂 幸行 千葉県東金市小沼田字戌開1573の8 東 芝セラミックス株式会社東金工場内 (72)発明者 安藤 和 千葉県東金市小沼田字戌開1573の8 東 芝セラミックス株式会社東金工場内 (56)参考文献 特開 昭63−221621(JP,A) 特開 昭64−56873(JP,A) 特開 平1−213910(JP,A) 特許3029488(JP,B2) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/3065 C23F 4/00 C30B 25/08 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Haruji Harada Haruka Onumada, Togane-shi, Chiba Prefecture 1573-8 Inside the Togane Plant of Toshiba Ceramics Co., Ltd. 1573-8 In the Togane Plant of Toshiba Ceramics Co., Ltd. (72) Inventor Kazuto Ando Kazuma Onuma, Togane-shi, Chiba Pref. (JP, A) JP-A-64-56873 (JP, A) JP-A-1-213910 (JP, A) Patent 3029488 (JP, B2) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) H01L 21/3065 C23F 4/00 C30B 25/08

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】アルミナが99.9%以上、SiO2 が1
00ppm 未満、アルカリ金属酸化物が50ppm 以下の多
結晶アルミナ質焼結体で、比重が3.96以上、平均結
晶粒径が10μm 以上、1〜10GHz のマイクロ波で誘
電体損失 tanδが8×10- 4 以下であることを特徴と
するアルミナ質ベルジヤ−。
(1) at least 99.9% of alumina and SiOTwoIs 1
Less than 00 ppm, alkali metal oxide less than 50 ppm
Crystalline alumina sintered body with specific gravity of 3.96 or more
Induced by microwaves with a crystal grain size of 10 μm or more and 1 to 10 GHz
Electric body loss tanδ is 8 × 10- Four It is characterized by the following
Alumina Belger.
JP04016149A 1992-01-31 1992-01-31 Alumina veljer Expired - Lifetime JP3103646B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP04016149A JP3103646B2 (en) 1992-01-31 1992-01-31 Alumina veljer

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP04016149A JP3103646B2 (en) 1992-01-31 1992-01-31 Alumina veljer

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH05217946A JPH05217946A (en) 1993-08-27
JP3103646B2 true JP3103646B2 (en) 2000-10-30

Family

ID=11908452

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP04016149A Expired - Lifetime JP3103646B2 (en) 1992-01-31 1992-01-31 Alumina veljer

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3103646B2 (en)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0708065A1 (en) * 1994-10-18 1996-04-24 Applied Materials, Inc. Plasma fluorine resistant polycristalline alumina ceramic material and method of making
US6083451A (en) * 1995-04-18 2000-07-04 Applied Materials, Inc. Method of producing a polycrystalline alumina ceramic which is resistant to a fluorine-comprising plasma
US6447937B1 (en) 1997-02-26 2002-09-10 Kyocera Corporation Ceramic materials resistant to halogen plasma and components using the same
US6645585B2 (en) 2000-05-30 2003-11-11 Kyocera Corporation Container for treating with corrosive-gas and plasma and method for manufacturing the same
JP3904874B2 (en) 2001-10-03 2007-04-11 京セラ株式会社 Components for semiconductor manufacturing equipment
US7084084B2 (en) 2002-03-11 2006-08-01 Tosoh Corporation Highly durable silica glass, process for producing same, member comprised thereof, and apparatus provided therewith
JP2005158675A (en) * 2003-10-30 2005-06-16 Kyocera Corp Plasma processing device
US7304010B2 (en) 2004-02-23 2007-12-04 Kyocera Corporation Aluminum oxide sintered body, and members using same for semiconductor and liquid crystal manufacturing apparatuses
CN102288036A (en) * 2011-06-22 2011-12-21 湖南阳东磁性材料有限公司 Microwave furnace and furnace lining thereof
JP6462449B2 (en) * 2015-03-26 2019-01-30 京セラ株式会社 High-frequency window member, semiconductor manufacturing device member, and flat panel display (FPD) manufacturing device member
WO2019069939A1 (en) * 2017-10-05 2019-04-11 クアーズテック株式会社 Alumina sintered body and manufacturing method therefor
JP7154912B2 (en) * 2017-10-05 2022-10-18 クアーズテック株式会社 Alumina sintered body and its manufacturing method
JP7231367B2 (en) * 2018-09-26 2023-03-01 クアーズテック株式会社 Alumina sintered body
US11760694B2 (en) 2017-10-05 2023-09-19 Coorstek Kk Alumina sintered body and manufacturing method therefor
JP2022165905A (en) 2021-04-20 2022-11-01 東ソー株式会社 Glass and its manufacturing method, member as well as device therewith
CN113611589B (en) * 2021-10-08 2021-12-24 中微半导体设备(上海)股份有限公司 Component, plasma device, method for forming corrosion-resistant coating and device thereof
TW202337871A (en) 2021-12-28 2023-10-01 日商闊斯泰股份有限公司 Alumina sintered body and method for manufacturing the same

Also Published As

Publication number Publication date
JPH05217946A (en) 1993-08-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3103646B2 (en) Alumina veljer
JP3261044B2 (en) Components for plasma processing equipment
US6794047B2 (en) Rare earth-containing oxide member
JP4683783B2 (en) Method for manufacturing plasma-resistant member for semiconductor manufacturing apparatus
JP2006089338A (en) Corrosion resistant member, manufacturing method therefor, and member for semiconductor/liquid crystal manufacturing apparatus using the member
JP3488373B2 (en) Corrosion resistant materials
CN101898890A (en) Aluminum oxide ceramic for semiconductor equipment and preparation technology thereof
JPH10330150A (en) Corrosion resistant member
JP4854420B2 (en) Alumina sintered body, processing apparatus member and processing apparatus using the same, sample processing method, and method for producing alumina sintered body
US6699401B1 (en) Method for manufacturing Si-SiC member for semiconductor heat treatment
JP3093897B2 (en) High purity alumina ceramics and method for producing the same
JP2000103689A (en) Alumina sintered compact, its production and plasma- resistant member
CA2478657A1 (en) Method of producing silicon carbide sintered body jig, and silicon carbide sintered body jig obtained by the production method
JP2006021990A (en) Yttria ceramic component for use in plasma treatment device and its manufacturing method
JPH10275524A (en) Plasma resistance member
JPH0881258A (en) Alumina ceramic sintered compact
JPH1067554A (en) Anticorrosive ceramic member
JP2001151559A (en) Corrosion-resistant member
JP3716386B2 (en) Plasma-resistant alumina ceramics and method for producing the same
JP3769416B2 (en) Components for plasma processing equipment
JP4623794B2 (en) Alumina corrosion resistant member and plasma apparatus
JP2005022971A (en) Member for plasma processing device
JP2002280316A (en) Wafer and manufacturing method therefor
JP2000247728A (en) Alumina ceramic sintered compact having excellent corrosion resistance
JP2000247726A (en) Member for semiconductor producing apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080825

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080825

Year of fee payment: 8

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080825

Year of fee payment: 8

R371 Transfer withdrawn

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080825

Year of fee payment: 8

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080825

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090825

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090825

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100825

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110825

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110825

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120825

Year of fee payment: 12

EXPY Cancellation because of completion of term
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120825

Year of fee payment: 12