JP3091047B2 - 光信号増幅回路 - Google Patents

光信号増幅回路

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JP3091047B2 JP05086314A JP8631493A JP3091047B2 JP 3091047 B2 JP3091047 B2 JP 3091047B2 JP 05086314 A JP05086314 A JP 05086314A JP 8631493 A JP8631493 A JP 8631493A JP 3091047 B2 JP3091047 B2 JP 3091047B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、受信した光信号を電気
信号に変換し増幅して出力する増幅回路と、上記増幅回
路の出力信号に基づく差動増幅出力を得る差動増幅回路
とを備えた光信号増幅回路に関するものである。
【0002】
【従来の技術】図3に示すように、従来の光信号増幅回
路は、光信号を受光し、電気信号に変換するフォトダイ
オード31と、上記電気信号を増幅する増幅回路32
と、上記増幅回路の出力信号を入力信号とし、差動増幅
出力を得る差動増幅回路33とを備えている。
【0003】フォトダイオード31が光信号を受光する
と、抵抗R34を電流I32が流れることにより、 I32×R34(V) の電圧降下が生ずる。これを抵抗R32および抵抗R33
増幅(例えば、振幅を2倍)して、次段の差動増幅回路
33に供給する増幅回路32の出力信号とする。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記従来の
構成では、例えば3(V)の低電源電圧で光信号増幅回
路を駆動することが困難であり、消費電力が大きいとい
う問題点が有る。その理由を以下に説明する。
【0005】コレクタが電源電圧Vccに接続され、ベー
スが定電圧電源32aに接続されたトランジスタTr31
のベース電位Vaおよびエミッタ電位Vbは、抵抗R31
に流れる電流をI31、ベース・エミッタ間電圧をVBE
約0.7(V)とすると、 となる。
【0006】次に、 VccとVaとの大きさを比べる
と、 Vcc > Va … であるから、より、 Vcc > Va=I31×R31+2.8(V)… となる。
【0007】したがって、従来の光信号増幅回路では、
電源電圧Vccの大きさが上記式で制限され、その電源
電圧以下では動作しないため、例えば3(V)の低電源
電圧で駆動することは困難である。
【0008】
【課題を解決するための手段】請求項1の発明に係る光
信号増幅回路は、上記の課題を解決するために、受光し
た光信号を電気信号に変換する変換素子(例えば、フォ
トダイオード)と、上記電気信号を増幅する増幅回路
と、上記増幅回路の出力信号に基づく差動増幅出力を得
る差動増幅回路とを備えた光信号増幅回路において、上
記増幅回路の出力と上記差動増幅回路の入力とに接続さ
れ、上記差動増幅回路の動作範囲まで、上記増幅回路の
出力信号をレベルシフトするレベルシフト回路を備えて
いることを特徴としている。
【0009】請求項2の発明に係る光信号増幅回路は、
上記の課題を解決するために、受光した光信号を電気信
号に変換する変換素子(例えば、フォトダイオード)
と、上記電気信号を増幅する増幅回路と、上記増幅回路
の出力信号に基づく差動増幅出力を得る差動増幅回路と
を備えた光信号増幅回路において、上記増幅回路の出力
と上記差動増幅回路の入力とに接続され、上記差動増幅
回路の動作範囲まで、上記増幅回路の出力信号をレベル
シフトするレベルシフト回路を備え、基板をコレクタと
した縦型pnpトランジスタを用いたエミッタフォロア
回路で、上記レベルシフト回路を構成したことを特徴と
している。
【0010】なお、上記エミッタフォロア回路は、請求
項3に記載したように、上記縦型pnpトランジスタ
と、該縦型pnpトランジスタのエミッタに接続された
定電流 源とから構成してもよい。
【0011】
【作用】上記の構成により、光信号増幅回路の電源電圧
を下げて、増幅回路の出力信号レベルが下がったとして
も、レベルシフト回路によって、増幅回路の出力信号レ
ベルは、次段の差動増幅回路の動作範囲までレベルシフ
トされるので、差動増幅回路を動作させ、増幅回路の出
力信号に基づく差動増幅出力を得ることができる。した
がって、従来よりも低い電源電圧で光信号増幅回路を駆
動することが可能となるので、消費電力を小さくするこ
とができる。
【0012】しかも、基板をコレクタとした縦型pnp
トランジスタを用いたエミッタフォロア回路は、ベース
・エミッタ間電圧(約0.7V)に相当するだけ、増幅回
路の出力信号の直流成分を大きくすることによって、次
段の差動増幅回路の動作範囲までレベルシフトさせるこ
とができる。さらに、縦型pnpトランジスタは応答が
速いので、広い周波数帯域の光通信に充分対応すること
ができる。
【0013】
【実施例】本発明の一実施例について図1および図2に
基づいて説明すれば、以下のとおりである。
【0014】図1に示すように、本発明に係る光信号増
幅回路は、光信号を受光し、電気信号に変換する変換素
子1と、上記電気信号を増幅する増幅回路2と、例えば
カレントミラー回路で構成された定電流回路3と、特許
請求の範囲に記載のレベルシフト回路としてのエミッタ
ホロワ回路(エミッタフォロア回路)4と、上記増幅回
路2の出力信号に基づく差動増幅出力を得る差動増幅回
路5とを備え、モノリシック集積回路として構成されて
いる。上記変換素子1として、例えばフォトダイオード
を用いることができる。
【0015】上記増幅回路2の入力側に配置されたnp
nトランジスタTr1 は、ベースに変換素子1の出力が
接続されると共に、コレクタに能動負荷としての定電流
回路3が接続されている。
【0016】上記エミッタホロワ回路4は、接地された
基板をコレクタとする縦型pnpトランジスタTr
3 と、縦型pnpトランジスタTr3 のエミッタに接続
された抵抗R3 とで構成されている。この抵抗R3 は、
図2に示すように、定電流源4aで置き換えることがで
きる。また、縦型pnpトランジスタTr3 のベース
は、増幅回路2の出力側に配置されたnpnトランジス
タTr2 のエミッタに接続され、縦型pnpトランジス
タTr3 のエミッタは、差動増幅回路5の入力側のnp
nトランジスタTr4 のベースに接続されている。
【0017】なお、差動増幅回路5の出力側のnpnト
ランジスタTr5 のベースには、基準電圧 refが供給さ
れ、定電流回路3、エミッタホロワ回路4、および差動
増幅回路5には、電源電圧Vccが供給されている。
【0018】このように、図3に示す従来の光信号増幅
回路と比較すると、増幅回路2のnpnトランジスタT
2 のコレクタを電源電圧Vccに直接接続し、このnp
nトランジスタTr2 のベース電位Vdが電源電圧Vcc
に依存しないように、従来の抵抗R31を定電流回路3に
置き換えている。さらに、定電流回路3が飽和すること
を防ぐために、npnトランジスタTr2 の接地された
エミッタ抵抗を小さくし、抵抗R2 のみとしている。
【0019】上記の構成において、定電流回路3中の電
位VcとnpnトランジスタTr2のベース電位Vdと
電源電圧Vccとの関係は、トランジスタのベース・エミ
ッタ間電圧をVBE=約0.7(V)とすると、 Vc=Vcc−VBE=Vcc−0.7(V)…(1) Vc>Vd=2VBE=1.4(V) …(2) となり、上式(1) (2) より、 Vcc−0.7(V)>1.4(V) となる。したがって、Vccの下限は、 Vcc> 2. 1 (V) となる。
【0020】しかしながら、Vccの下限を下げるため
に、npnトランジスタTr2 のエミッタ抵抗を小さく
したため、増幅回路2の出力もまた小さくなってしま
う。その結果、増幅回路2の出力をそのまま差動増幅回
路5に入力すると、差動増幅回路5中の定電流回路5a
を構成するトランジスタが飽和した状態となり、差動増
幅回路5が動作しない。
【0021】そこで、エミッタホロワ回路4によって、
差動増幅回路5が動作し得るレベルまで、増幅回路2の
出力をレベルシフトすることが不可欠である。エミッタ
ホロワ回路4は、縦型pnpトランジスタTr3 を用い
ているので、ベース・エミッタ間電圧VBEに相当する約
0.7(V)だけ増幅回路2の出力信号の直流成分を大き
くすることができる。これにより、本発明に係る光信号
増幅回路は、Vcc> 2. 1 (V)の電源電圧で動作可能
であり、5V系電源の光信号増幅回路としてだけではな
く、3V系電源の光信号増幅回路としても採用すること
ができる。
【0022】また、基板をコレクタとする縦型pnpト
ランジスタTr3 は、fT =10MHz程度の応答しか
ないラテラルpnpトランジスタよりベース幅が狭いた
め、応答が速いという特徴を備えている。この結果、本
発明の光信号増幅回路は、広い周波数帯域の光通信に充
分対応することができ、低電源電圧で動作可能としたこ
とによる低消費電力の効果を得ることもできる。
【0023】
【発明の効果】発明に係る光信号増幅回路は、以上の
ように、増幅回路の出力と差動増幅回路の入力とに接続
され、上記差動増幅回路の動作範囲まで、上記増幅回路
の出力信号をレベルシフトするレベルシフト回路を備え
ている構成である。
【0024】それゆえ、電源電圧を従来より低くして増
幅回路の出力信号が小さくなっても、レベルシフト回路
により差動増幅回路を動作させることができるので、従
来より低い電源電圧で光信号増幅回路を駆動することが
可能となる。これにより、光信号増幅回路の消費電力を
小さくすることができる。
【0025】また、上記の構成に加えて、上記レベルシ
フト回路を基板をコレクタとした縦型pnpトランジ
スタを用いたエミッタフォロア回路から成る構成とした
場合、応答が速い縦型pnpトランジスタを用いたこと
によって、本発明に係る光信号増幅回路は、広い周波数
帯域の光通信に充分対応することができるという効果を
併せて奏する。
【0026】なお、上記エミッタフォロア回路は、上記
縦型pnpトランジスタと、該縦型pnpトランジスタ
のエミッタに接続された定電流源とから構成してもよ
い。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る光信号増幅回路の一構成例を示す
回路図である。
【図2】本発明に係る光信号増幅回路の他の構成例を示
す回路図である。
【図3】従来の光信号増幅回路の一構成例を示す回路図
である。
【符号の説明】
1 変換素子 2 増幅回路 4 エミッタホロワ回路(レベルシフト回路) 5 差動増幅回路 Tr3 縦型pnpトランジスタ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H03F 3/08 H01L 31/10

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】受光した光信号を電気信号に変換する変換
    素子と、上記電気信号を増幅する増幅回路と、上記増幅
    回路の出力信号に基づく差動増幅出力を得る差動増幅回
    路とを備えた光信号増幅回路において、 上記増幅回路の出力と上記差動増幅回路の入力とに接続
    され、上記差動増幅回路の動作範囲まで、上記増幅回路
    の出力信号をレベルシフトするレベルシフト回路を備え
    ていることを特徴とする光信号増幅回路。
  2. 【請求項2】受光した光信号を電気信号に変換する変換
    素子と、上記電気信号を増幅する増幅回路と、上記増幅
    回路の出力信号に基づく差動増幅出力を得る差動増幅回
    路とを備えた光信号増幅回路において、 上記増幅回路の出力と上記差動増幅回路の入力とに接続
    され、上記差動増幅回路の動作範囲まで、上記増幅回路
    の出力信号をレベルシフトするレベルシフト回路を備
    え、 基板をコレクタとした縦型pnpトランジスタを用いた
    エミッタフォロア回路で、上記レベルシフト回路を構成
    したことを特徴とする光信号増幅回路。
  3. 【請求項3】上記エミッタフォロア回路は、上記縦型p
    npトランジスタと、該縦型pnpトランジスタのエミ
    ッタに接続された定電流源とから構成されていることを
    特徴とする請求項2に記載の光信号増幅回路。
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