JP3077688B1 - 有機薄膜ｅｌパネルとその製造方法 - Google Patents
有機薄膜ｅｌパネルとその製造方法Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
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- H10K59/1795—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals comprising structures specially adapted for lowering the resistance
-
- H—ELECTRICITY
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8052—Cathodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
Abstract
【要約】
【課題】 金属電極形成時における蒸着源からの輻射熱
による有機膜のガラス転移を防ぎ、配線抵抗の低い金属
電極を有する有機薄膜ＥＬパネルとその製造方法を提供
する。 【解決手段】 透明支持基板上に配置された複数の帯状
透明電極と、透明支持基板及び透明電極の上に配置され
た発光層を含む有機積層膜と、有機積層膜上に透明電極
と直交する方向に配置された複数の帯状金属電極とを備
えた有機薄膜ＥＬパネルにおいて、金属電極を透明電極
と交差する領域に配置された透明電極と交差する領域以
外の部分も有する電極部と、電極部間を透明電極と直交
する方向に透明電極と交差する領域以外の部分で接続す
るように配置された配線部とから構成するようにし、配
線部の形成時に透明電極と交差する領域をマスクするよ
うにした。
による有機膜のガラス転移を防ぎ、配線抵抗の低い金属
電極を有する有機薄膜ＥＬパネルとその製造方法を提供
する。 【解決手段】 透明支持基板上に配置された複数の帯状
透明電極と、透明支持基板及び透明電極の上に配置され
た発光層を含む有機積層膜と、有機積層膜上に透明電極
と直交する方向に配置された複数の帯状金属電極とを備
えた有機薄膜ＥＬパネルにおいて、金属電極を透明電極
と交差する領域に配置された透明電極と交差する領域以
外の部分も有する電極部と、電極部間を透明電極と直交
する方向に透明電極と交差する領域以外の部分で接続す
るように配置された配線部とから構成するようにし、配
線部の形成時に透明電極と交差する領域をマスクするよ
うにした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、有機薄膜ＥＬパネ
ルに関し、特に金属電極の構造とその製造方法に関す
る。
ルに関し、特に金属電極の構造とその製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】有機薄膜ＥＬ（electroluminescence）
素子は、ガラスなどの透明支持基板上に、ＩＴＯ（indi
um tin oxide）等の透明電極を設けて、その上に正孔輸
送層と発光層と電子輸送層からなる有機薄膜を積層し、
この上に仕事関数の小さな金属を用いた金属電極が形成
された構成を有する発光素子である。この有機薄膜ＥＬ
素子は、透明電極側をプラスにして、金属電極との間に
１０Ｖ前後の直流電圧を印加することにより、透明電極
から放出された正孔と、金属電極から放出された電子と
が、発光層で再結合して発光し、透明支持基板側から光
が放出される。
素子は、ガラスなどの透明支持基板上に、ＩＴＯ（indi
um tin oxide）等の透明電極を設けて、その上に正孔輸
送層と発光層と電子輸送層からなる有機薄膜を積層し、
この上に仕事関数の小さな金属を用いた金属電極が形成
された構成を有する発光素子である。この有機薄膜ＥＬ
素子は、透明電極側をプラスにして、金属電極との間に
１０Ｖ前後の直流電圧を印加することにより、透明電極
から放出された正孔と、金属電極から放出された電子と
が、発光層で再結合して発光し、透明支持基板側から光
が放出される。
【０００３】ここで、透明電極は、陽極としての機能と
発光した光を透過させる機能を有しており、主にＩＴＯ
が用いられる。正孔輸送層は、陽極からの正孔の注入を
容易にする機能、正孔を輸送する機能及び電子を妨げる
機能を有しており、テトラフェニルジアミン（ＴＰ
Ｄ）、ヒドラゾン誘導体、トリアゾール誘導体又はポリ
チオフェン等が用いられる。発光層は、正孔と電子の注
入機能、それらの輸送機能及び正孔と電子の再結合によ
る発光機能を有しており、トリス（８−キノリライト）
アルミニウム等の有機金属錯体、キナクリドン、ルブレ
ン又はペリレン等が用いられる。電子輸送層は、金属電
極からの電子の注入を容易にする機能、電子を輸送する
機能及び正孔を妨げる機能を有しており、トリス（８−
キノリライト）アルミニウム等の有機金属錯体、ペリレ
ン誘導体、ピリジン誘導体又はキノリン誘導体等が用い
られる。金属電極は、陰極としての機能を有しており、
電子注入を効果的に行うために、リチウム、マグネシウ
ム、アルミニウム又は銀等の仕事関数の小さな金属元素
を単体で用いるか、又は安定性を向上させるためにマグ
ネシウム・銀やリチウム・アルミニウム等の合金が用い
られる。
発光した光を透過させる機能を有しており、主にＩＴＯ
が用いられる。正孔輸送層は、陽極からの正孔の注入を
容易にする機能、正孔を輸送する機能及び電子を妨げる
機能を有しており、テトラフェニルジアミン（ＴＰ
Ｄ）、ヒドラゾン誘導体、トリアゾール誘導体又はポリ
チオフェン等が用いられる。発光層は、正孔と電子の注
入機能、それらの輸送機能及び正孔と電子の再結合によ
る発光機能を有しており、トリス（８−キノリライト）
アルミニウム等の有機金属錯体、キナクリドン、ルブレ
ン又はペリレン等が用いられる。電子輸送層は、金属電
極からの電子の注入を容易にする機能、電子を輸送する
機能及び正孔を妨げる機能を有しており、トリス（８−
キノリライト）アルミニウム等の有機金属錯体、ペリレ
ン誘導体、ピリジン誘導体又はキノリン誘導体等が用い
られる。金属電極は、陰極としての機能を有しており、
電子注入を効果的に行うために、リチウム、マグネシウ
ム、アルミニウム又は銀等の仕事関数の小さな金属元素
を単体で用いるか、又は安定性を向上させるためにマグ
ネシウム・銀やリチウム・アルミニウム等の合金が用い
られる。
【０００４】このような有機薄膜ＥＬ素子を用いた、従
来のドットマトリクス型カラー有機薄膜ＥＬパネルの構
成を示す説明図を図７に示す。ここで、（ａ）は平面
図、（ｂ）はＡ−Ａ断面図である。同図において、透明
支持基板１上に複数の帯状透明電極２が設けられ、透明
支持基板１と透明電極２の上には、正孔輸送層３が形成
されている。この正孔輸送層３の上に赤色発光層４ａ、
緑色発光層４ｂ及び青色発光層４ｃが透明電極２と平行
に形成され、それらの上に電子輸送層５が形成されてい
る。この電子輸送層５の上に透明電極２と直交する方向
に複数の帯状金属電極６が設けられている。ここで、透
明電極２と金属電極６の間に透明電極２側をプラスにし
て直流電圧を印加すると透明電極２と金属電極６が交差
した部分が発光するので、この交差部分が画素となる。
来のドットマトリクス型カラー有機薄膜ＥＬパネルの構
成を示す説明図を図７に示す。ここで、（ａ）は平面
図、（ｂ）はＡ−Ａ断面図である。同図において、透明
支持基板１上に複数の帯状透明電極２が設けられ、透明
支持基板１と透明電極２の上には、正孔輸送層３が形成
されている。この正孔輸送層３の上に赤色発光層４ａ、
緑色発光層４ｂ及び青色発光層４ｃが透明電極２と平行
に形成され、それらの上に電子輸送層５が形成されてい
る。この電子輸送層５の上に透明電極２と直交する方向
に複数の帯状金属電極６が設けられている。ここで、透
明電極２と金属電極６の間に透明電極２側をプラスにし
て直流電圧を印加すると透明電極２と金属電極６が交差
した部分が発光するので、この交差部分が画素となる。
【０００５】このカラー有機薄膜ＥＬパネルは、次のよ
うにして製造される。まず、ガラス等の透明支持基板１
に、スパッタ法によりＩＴＯ等の透明導電膜を形成した
後、フォトリソグラフィーとウェットエッチングにより
帯状の透明電極２を形成する。次に、ＴＰＤ等を真空蒸
着して透明支持基板１と透明電極２を覆う正孔輸送層３
を形成する。次に、シャドーマスク法を用いて、正孔輸
送層３上に透明電極２と平行に赤色発光層４ａ、緑色発
光層４ｂ及び青色発光層４ｃがこの順で隣接するように
順次形成する。次に、トリス（８−キノリライト）アル
ミニウム等を真空蒸着して各発光層上に電子輸送層５を
形成する。
うにして製造される。まず、ガラス等の透明支持基板１
に、スパッタ法によりＩＴＯ等の透明導電膜を形成した
後、フォトリソグラフィーとウェットエッチングにより
帯状の透明電極２を形成する。次に、ＴＰＤ等を真空蒸
着して透明支持基板１と透明電極２を覆う正孔輸送層３
を形成する。次に、シャドーマスク法を用いて、正孔輸
送層３上に透明電極２と平行に赤色発光層４ａ、緑色発
光層４ｂ及び青色発光層４ｃがこの順で隣接するように
順次形成する。次に、トリス（８−キノリライト）アル
ミニウム等を真空蒸着して各発光層上に電子輸送層５を
形成する。
【０００６】次に、帯状の開口部を有するメタルマスク
を透明支持基板１の電子輸送層５側に開口部が透明電極
２と直交するように取り付けて、マグネシウムと銀、又
はリチウムとアルミニウム等の仕事関数の小さい金属を
同時に蒸着して金属電極６を形成する。次に、メタルマ
スクを外して、ＳｉＯ2等の無機材料又はフッ素樹脂等
の有機材料からなる保護層をスパッタ法等で形成する。
最後に湿気の侵入を防ぐため、低吸湿性の光硬化性接着
剤、エポキシ系接着剤又はシリコーン系接着剤等を用い
てガラス板等の封止板を接着して密封する。ここで、メ
タルマスクを用いた真空蒸着法で金属電極の形成を行っ
ているのは、有機薄膜が水分に弱く、有機溶剤や薬品に
対する耐久性にも乏しいため、フォトリソグラフィーと
ウェットエッチングによるパターン形成ができないため
である。
を透明支持基板１の電子輸送層５側に開口部が透明電極
２と直交するように取り付けて、マグネシウムと銀、又
はリチウムとアルミニウム等の仕事関数の小さい金属を
同時に蒸着して金属電極６を形成する。次に、メタルマ
スクを外して、ＳｉＯ2等の無機材料又はフッ素樹脂等
の有機材料からなる保護層をスパッタ法等で形成する。
最後に湿気の侵入を防ぐため、低吸湿性の光硬化性接着
剤、エポキシ系接着剤又はシリコーン系接着剤等を用い
てガラス板等の封止板を接着して密封する。ここで、メ
タルマスクを用いた真空蒸着法で金属電極の形成を行っ
ているのは、有機薄膜が水分に弱く、有機溶剤や薬品に
対する耐久性にも乏しいため、フォトリソグラフィーと
ウェットエッチングによるパターン形成ができないため
である。
【０００７】ところで、上記の金属電極形成方法では、
帯状に金属を蒸着するため、電極と配線が一体となって
いる。このため、金属蒸着時の熱輻射により画素部分に
ダメージを与えてしまうため膜厚を厚く形成できない。
よって金属電極の配線抵抗が大きく、画素の位置により
配線抵抗が変わるため各画素の輝度がばらつくという問
題がある。この問題を防ぐため、従来は電極となる合金
の蒸着後も、抵抗率が低い方の金属の蒸着を続けて配線
抵抗を下げている。
帯状に金属を蒸着するため、電極と配線が一体となって
いる。このため、金属蒸着時の熱輻射により画素部分に
ダメージを与えてしまうため膜厚を厚く形成できない。
よって金属電極の配線抵抗が大きく、画素の位置により
配線抵抗が変わるため各画素の輝度がばらつくという問
題がある。この問題を防ぐため、従来は電極となる合金
の蒸着後も、抵抗率が低い方の金属の蒸着を続けて配線
抵抗を下げている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記の金属
電極形成方法では、合金の混合比を一定にするため低蒸
着レートで蒸着されるので、電極形成に時間を要する
上、引き続き抵抗率が低い方の金属を蒸着するため、蒸
着源からの輻射熱により基板温度が有機膜のガラス転移
温度以上に上昇し、有機膜が凝集して膜表面に凹凸が生
じたり、膜中にピンホールが生じて透明電極と金属電極
が短絡するという問題がある。本発明の目的は、上記課
題を解決するため、金属電極形成時における蒸着源から
の輻射熱による有機膜のガラス転移を防ぎ、配線抵抗の
低い金属電極を有する有機薄膜ＥＬパネルとその製造方
法を提供することである。
電極形成方法では、合金の混合比を一定にするため低蒸
着レートで蒸着されるので、電極形成に時間を要する
上、引き続き抵抗率が低い方の金属を蒸着するため、蒸
着源からの輻射熱により基板温度が有機膜のガラス転移
温度以上に上昇し、有機膜が凝集して膜表面に凹凸が生
じたり、膜中にピンホールが生じて透明電極と金属電極
が短絡するという問題がある。本発明の目的は、上記課
題を解決するため、金属電極形成時における蒸着源から
の輻射熱による有機膜のガラス転移を防ぎ、配線抵抗の
低い金属電極を有する有機薄膜ＥＬパネルとその製造方
法を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ために、本発明の有機薄膜ＥＬパネルは、透明支持基板
上に配置された複数の帯状透明電極と、透明支持基板及
び透明電極の上に配置された発光層を含む有機積層膜
と、有機積層膜上に透明電極と直交する方向に配置され
た複数の帯状金属電極とを備えており、金属電極は、透
明電極と交差する領域に配置された透明電極と交差する
領域以外の部分も有する電極部と、電極部間を透明電極
と直交する方向に透明電極と交差する領域以外の部分で
接続するように配置された配線部とから構成するように
したことによって特徴づけられる。また、上記有機薄膜
ＥＬパネルは、電極部の膜厚が１０〜５００ｎｍである
金属電極を備えているものが提供される。また、電極部
が仕事関数の小さな材料で構成され、配線部が抵抗率の
低い材料で構成されている金属電極を備えた有機薄膜Ｅ
Ｌパネルが提供される。
ために、本発明の有機薄膜ＥＬパネルは、透明支持基板
上に配置された複数の帯状透明電極と、透明支持基板及
び透明電極の上に配置された発光層を含む有機積層膜
と、有機積層膜上に透明電極と直交する方向に配置され
た複数の帯状金属電極とを備えており、金属電極は、透
明電極と交差する領域に配置された透明電極と交差する
領域以外の部分も有する電極部と、電極部間を透明電極
と直交する方向に透明電極と交差する領域以外の部分で
接続するように配置された配線部とから構成するように
したことによって特徴づけられる。また、上記有機薄膜
ＥＬパネルは、電極部の膜厚が１０〜５００ｎｍである
金属電極を備えているものが提供される。また、電極部
が仕事関数の小さな材料で構成され、配線部が抵抗率の
低い材料で構成されている金属電極を備えた有機薄膜Ｅ
Ｌパネルが提供される。
【００１０】また、上記有機薄膜ＥＬパネルの製造方法
において、金属電極の形成工程は、透明電極と交差する
領域を含む開口部を複数有するマスクを用いて電極部構
成材料の蒸着を行う電極部形成工程と、透明電極と交差
する部分がマスクされた透明電極と直交する方向に複数
の開口部を有するマスクを用いて配線部構成材料の蒸着
を行う配線部形成工程とを備えたことを特徴とする製造
方法が提供される。また、電極部形成工程では、電極部
構成材料を１０〜５００ｎｍの厚さに蒸着する。また、
電極部形成工程では、仕事関数の小さな材料を蒸着し、
配線部形成工程では抵抗率の低い材料を蒸着する、金属
電極形成工程を備えた製造方法が提供される。
において、金属電極の形成工程は、透明電極と交差する
領域を含む開口部を複数有するマスクを用いて電極部構
成材料の蒸着を行う電極部形成工程と、透明電極と交差
する部分がマスクされた透明電極と直交する方向に複数
の開口部を有するマスクを用いて配線部構成材料の蒸着
を行う配線部形成工程とを備えたことを特徴とする製造
方法が提供される。また、電極部形成工程では、電極部
構成材料を１０〜５００ｎｍの厚さに蒸着する。また、
電極部形成工程では、仕事関数の小さな材料を蒸着し、
配線部形成工程では抵抗率の低い材料を蒸着する、金属
電極形成工程を備えた製造方法が提供される。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下に図を用いてこの発明の実施
の形態を説明する。はじめに、この発明の第１の実施の
形態について説明する。図１は、この発明の第１の実施
の形態におけるカラー有機薄膜ＥＬパネルの構成を示す
説明図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）はＡ−Ａ断面図
である。このカラー有機薄膜ＥＬパネルは、透明支持基
板１上に複数の帯状透明電極２が設けられており、これ
らの上を正孔輸送層３が覆っている。正孔輸送層３の上
には、赤色発光層４ａ、緑色発光層４ｂ及び青色発光層
４ｃが、この順に対向する透明電極２と平行に、隣接し
て設けられており、これらの上に電子輸送層５が設けら
れている。
の形態を説明する。はじめに、この発明の第１の実施の
形態について説明する。図１は、この発明の第１の実施
の形態におけるカラー有機薄膜ＥＬパネルの構成を示す
説明図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）はＡ−Ａ断面図
である。このカラー有機薄膜ＥＬパネルは、透明支持基
板１上に複数の帯状透明電極２が設けられており、これ
らの上を正孔輸送層３が覆っている。正孔輸送層３の上
には、赤色発光層４ａ、緑色発光層４ｂ及び青色発光層
４ｃが、この順に対向する透明電極２と平行に、隣接し
て設けられており、これらの上に電子輸送層５が設けら
れている。
【００１２】電子輸送層５の上には、透明電極２と直交
する方向に複数の帯状金属電極６が設けられており、電
極部６１と配線部６２とで構成されている。電極部６１
は、透明電極２と交差する領域に設けられ、そのパター
ン長ｂは透明電極２のパターン幅ａより長く構成されて
いる。また、電極部６１のパターン幅ｃは、画素の縦幅
となるように構成されている。配線部６２は、電極部６
１同士を透明電極２と直交する方向に接続するように配
置されており、そのパターン長ｅは、透明電極２間の絶
縁距離ｆより短く、電極部６１間の絶縁距離ｈより長く
構成されている。また、配線部６２のパターン幅ｄは、
電極部６１のパターン幅ｃより短く構成されている。こ
のような構成において、透明電極２と電極部６１の交差
する領域に、透明電極２のパターン幅ａを横幅とし、電
極部６１のパターン幅ｃを縦幅とする画素が形成され
る。
する方向に複数の帯状金属電極６が設けられており、電
極部６１と配線部６２とで構成されている。電極部６１
は、透明電極２と交差する領域に設けられ、そのパター
ン長ｂは透明電極２のパターン幅ａより長く構成されて
いる。また、電極部６１のパターン幅ｃは、画素の縦幅
となるように構成されている。配線部６２は、電極部６
１同士を透明電極２と直交する方向に接続するように配
置されており、そのパターン長ｅは、透明電極２間の絶
縁距離ｆより短く、電極部６１間の絶縁距離ｈより長く
構成されている。また、配線部６２のパターン幅ｄは、
電極部６１のパターン幅ｃより短く構成されている。こ
のような構成において、透明電極２と電極部６１の交差
する領域に、透明電極２のパターン幅ａを横幅とし、電
極部６１のパターン幅ｃを縦幅とする画素が形成され
る。
【００１３】図１において、透明支持基板１は、ガラス
基板であり、その厚さは１．１ｍｍである。透明電極２
は、厚さが１００ｎｍ、シート抵抗が１５Ω／□、パタ
ーン幅ａが０．２ｍｍのＩＴＯ膜であり、透明電極２間
の絶縁距離ｆが０．１ｍｍとなるように配置されてい
る。正孔輸送層３は、Ｎ，Ｎ’−ジフェニルＮ，Ｎ’ビ
ス（α−ナフチル）−１，１’−ビフェニル−４，４’
−ジアミン（以下、α−ＮＰＤという）で形成され、透
明電極２上で５０ｎｍの厚さを有する。また、赤色発光
層４ａは、トリス（８−キノリライト）アルミニウム錯
体（以下、Ａｌｑ3という）に４−ジシアノメチレン−
２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）−４
Ｈ−ピラン（以下、ＤＣＭという）を５ｗｔ％の濃度で
ドーピングした、厚さ５０ｎｍの有機膜で形成されてい
る。緑色発光層４ｂは、Ａｌｑ3にキナクリドンを５ｗ
ｔ％の濃度でドーピングした、厚さ５０ｎｍの有機膜で
形成されている。青色発光層４ｃは、厚さ５０ｎｍのペ
リレンで形成されている。電子輸送層５は、厚さ５０ｎ
ｍのＡｌｑ3形成されている。
基板であり、その厚さは１．１ｍｍである。透明電極２
は、厚さが１００ｎｍ、シート抵抗が１５Ω／□、パタ
ーン幅ａが０．２ｍｍのＩＴＯ膜であり、透明電極２間
の絶縁距離ｆが０．１ｍｍとなるように配置されてい
る。正孔輸送層３は、Ｎ，Ｎ’−ジフェニルＮ，Ｎ’ビ
ス（α−ナフチル）−１，１’−ビフェニル−４，４’
−ジアミン（以下、α−ＮＰＤという）で形成され、透
明電極２上で５０ｎｍの厚さを有する。また、赤色発光
層４ａは、トリス（８−キノリライト）アルミニウム錯
体（以下、Ａｌｑ3という）に４−ジシアノメチレン−
２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）−４
Ｈ−ピラン（以下、ＤＣＭという）を５ｗｔ％の濃度で
ドーピングした、厚さ５０ｎｍの有機膜で形成されてい
る。緑色発光層４ｂは、Ａｌｑ3にキナクリドンを５ｗ
ｔ％の濃度でドーピングした、厚さ５０ｎｍの有機膜で
形成されている。青色発光層４ｃは、厚さ５０ｎｍのペ
リレンで形成されている。電子輸送層５は、厚さ５０ｎ
ｍのＡｌｑ3形成されている。
【００１４】電極部６１は、マグネシウムと銀の比率が
１０：１の合金で形成されており、その膜厚は低蒸着レ
ートでも蒸着源からの輻射熱で有機膜がダメージを受け
ないように５０ｎｍとしている。また、そのパターン長
ｂは、配線部６２の蒸着時に画素をマスクして蒸着源か
らの輻射熱から有機膜を保護できるようにするため、配
線部６２との接続部分が画素の上に形成されないように
透明電極２のパターン幅ａより長い０．２５ｍｍとして
いる。また、電極部６１間の絶縁距離ｈは０．０５ｍｍ
としている。配線部６２は、配線抵抗を下げるため銅で
形成されており、その膜厚は１０００ｎｍで、パターン
長ｅは０．０８ｍｍである。
１０：１の合金で形成されており、その膜厚は低蒸着レ
ートでも蒸着源からの輻射熱で有機膜がダメージを受け
ないように５０ｎｍとしている。また、そのパターン長
ｂは、配線部６２の蒸着時に画素をマスクして蒸着源か
らの輻射熱から有機膜を保護できるようにするため、配
線部６２との接続部分が画素の上に形成されないように
透明電極２のパターン幅ａより長い０．２５ｍｍとして
いる。また、電極部６１間の絶縁距離ｈは０．０５ｍｍ
としている。配線部６２は、配線抵抗を下げるため銅で
形成されており、その膜厚は１０００ｎｍで、パターン
長ｅは０．０８ｍｍである。
【００１５】次に、このカラー有機ＥＬパネルの製造方
法について説明する。まず、厚さ１．１ｍｍのガラス基
板にスパッタ法を用いて、膜厚１００ｎｍのＩＴＯ膜を
成膜し、フォトリソグラフィーとウエットエッチングに
より配線ピッチが０．３ｍｍ、パターン幅ａが０．２ｍ
ｍの透明電極を形成する。次に、透明電極が形成された
ガラス基板を真空蒸着装置に入れ、真空ポンプでチャン
バー内を１×１０-3Ｐａ以下に排気した後、透明電極上
にα−ＮＰＤを５０ｎｍ一様に蒸着し、正孔輸送層を形
成する。なお、以後蒸着のためチャンバー内を排気する
場合の圧力は、いずれも１×１０-3Ｐａ以下である。
法について説明する。まず、厚さ１．１ｍｍのガラス基
板にスパッタ法を用いて、膜厚１００ｎｍのＩＴＯ膜を
成膜し、フォトリソグラフィーとウエットエッチングに
より配線ピッチが０．３ｍｍ、パターン幅ａが０．２ｍ
ｍの透明電極を形成する。次に、透明電極が形成された
ガラス基板を真空蒸着装置に入れ、真空ポンプでチャン
バー内を１×１０-3Ｐａ以下に排気した後、透明電極上
にα−ＮＰＤを５０ｎｍ一様に蒸着し、正孔輸送層を形
成する。なお、以後蒸着のためチャンバー内を排気する
場合の圧力は、いずれも１×１０-3Ｐａ以下である。
【００１６】次に、シャドーマスク法により赤色発光
層、緑色発光層及び青色発光層を、この順に対向する透
明電極と平行に、隣接して形成する。まず、赤色発光層
用シャドーマスクを用いてＡｌｑ3とＤＣＭをドーピン
グ濃度が５ｗｔ％となるような蒸着速度で５０ｎｍの厚
さに一様に共蒸着し、赤色発光層を形成する。次に、緑
色発光層用シャドーマスクを用いてＡｌｑ3とキナクリ
ドンをドーピング濃度が５ｗｔ％となるような蒸着速度
で５０ｎｍの厚さに一様に共蒸着し、緑色発光層を形成
する。次に、青色発光層用シャドーマスクを用いてペリ
レンを５０ｎｍの厚さに一様に蒸着する。各発光層の形
成が終了したら、Ａｌｑ3を一様に５０ｎｍ蒸着して、
電子輸送層を形成する。
層、緑色発光層及び青色発光層を、この順に対向する透
明電極と平行に、隣接して形成する。まず、赤色発光層
用シャドーマスクを用いてＡｌｑ3とＤＣＭをドーピン
グ濃度が５ｗｔ％となるような蒸着速度で５０ｎｍの厚
さに一様に共蒸着し、赤色発光層を形成する。次に、緑
色発光層用シャドーマスクを用いてＡｌｑ3とキナクリ
ドンをドーピング濃度が５ｗｔ％となるような蒸着速度
で５０ｎｍの厚さに一様に共蒸着し、緑色発光層を形成
する。次に、青色発光層用シャドーマスクを用いてペリ
レンを５０ｎｍの厚さに一様に蒸着する。各発光層の形
成が終了したら、Ａｌｑ3を一様に５０ｎｍ蒸着して、
電子輸送層を形成する。
【００１７】次に、電極部を形成するため、電極部用メ
タルマスクを電子輸送層が形成されたガラス基板に取り
付ける。図２は、電極部用メタルマスクの平面図であ
る。電極部用メタルマスク１０は、電極部用の開口部１
１がマトリクス状に配置されたＳＵＳ３０４製の金属薄
板である。開口部１１は、配線部と画素領域の外で接続
できるように、パターン長ｂが図１の透明電極２のパタ
ーン幅ａに対してｂ＞ａとなるように構成されている。
この電極部用メタルマスク１０に、このマスクを固定す
るホルダーを取り付けて、同じく固定ホルダーを取り付
けたガラス基板と対向させて電子輸送層とマスクの間隙
ｊが１０μｍとなるようにホルダー同士を固定する。
タルマスクを電子輸送層が形成されたガラス基板に取り
付ける。図２は、電極部用メタルマスクの平面図であ
る。電極部用メタルマスク１０は、電極部用の開口部１
１がマトリクス状に配置されたＳＵＳ３０４製の金属薄
板である。開口部１１は、配線部と画素領域の外で接続
できるように、パターン長ｂが図１の透明電極２のパタ
ーン幅ａに対してｂ＞ａとなるように構成されている。
この電極部用メタルマスク１０に、このマスクを固定す
るホルダーを取り付けて、同じく固定ホルダーを取り付
けたガラス基板と対向させて電子輸送層とマスクの間隙
ｊが１０μｍとなるようにホルダー同士を固定する。
【００１８】次に、電極部用メタルマスク１０を取り付
けたガラス基板を真空蒸着装置に入れて真空ポンプでチ
ャンバー内を１×１０-3Ｐａ以下に排気する。次に、別
々の抵抗加熱ボートに入れたマグネシウムと銀を加熱し
て蒸発させ、マグネシウムと銀の比率が１０：１となる
蒸着速度で電子輸送層上に厚さ５０ｎｍの電極部を形成
する。ここで、図３は電極部形成工程を示す模式図であ
り、蒸着物質２０が電極部用メタルマスク１０によって
開口部１１の電子輸送層５上のみに成膜され、電極部６
１が形成される。なお、電極部６１の膜厚は、電極部材
料とする物質と蒸着源からの輻射熱２１による基板温度
上昇によって決められるが、１０〜５００ｎｍの範囲と
するのが望ましい。ここで、膜厚を１０ｎｍ以上とする
のは、膜厚が１０ｎｍより薄いと半透明膜となり、発光
層で発生した光が裏側に漏れて実用上機能を果たさなく
なるためである。また、膜厚を５００ｎｍ以下にするの
はこれ以上成膜すると、輻射熱により発光面の有機膜に
ダメージが生じるためである。
けたガラス基板を真空蒸着装置に入れて真空ポンプでチ
ャンバー内を１×１０-3Ｐａ以下に排気する。次に、別
々の抵抗加熱ボートに入れたマグネシウムと銀を加熱し
て蒸発させ、マグネシウムと銀の比率が１０：１となる
蒸着速度で電子輸送層上に厚さ５０ｎｍの電極部を形成
する。ここで、図３は電極部形成工程を示す模式図であ
り、蒸着物質２０が電極部用メタルマスク１０によって
開口部１１の電子輸送層５上のみに成膜され、電極部６
１が形成される。なお、電極部６１の膜厚は、電極部材
料とする物質と蒸着源からの輻射熱２１による基板温度
上昇によって決められるが、１０〜５００ｎｍの範囲と
するのが望ましい。ここで、膜厚を１０ｎｍ以上とする
のは、膜厚が１０ｎｍより薄いと半透明膜となり、発光
層で発生した光が裏側に漏れて実用上機能を果たさなく
なるためである。また、膜厚を５００ｎｍ以下にするの
はこれ以上成膜すると、輻射熱により発光面の有機膜に
ダメージが生じるためである。
【００１９】次に、配線部を形成するため、配線部用メ
タルマスクを電極部が形成されたガラス基板に取り付け
る。図４は、配線部用メタルマスクの平面図である。配
線部用メタルマスク１２は、配線部用の開口部１３を備
えたＳＵＳ３０４製の板で、画素領域をマスクするた
め、透明電極２のパターン幅ａと電極部６１のパターン
長ｂとマスク部分の長さｇとがｂ≧ｇ≧ａとなるように
構成されている。また、開口部１３のパターン幅ｄは、
マスクの位置合わせを容易にさせるために、画素の縦幅
に相当するｃに対してｄ＜ｃとなるように構成されてい
る。また、開口部１３のパターン長ｅは、画素領域にか
からないように透明電極間の絶縁距離ｆに対してｅ＜ｆ
となるように構成されている。配線部用メタルマスク１
２は、上記電極部用メタルマスク１０と同様に電極部が
形成されたガラス基板に取り付けられ、電極部とマスク
の間隙ｋが１０μｍとなるように固定される。
タルマスクを電極部が形成されたガラス基板に取り付け
る。図４は、配線部用メタルマスクの平面図である。配
線部用メタルマスク１２は、配線部用の開口部１３を備
えたＳＵＳ３０４製の板で、画素領域をマスクするた
め、透明電極２のパターン幅ａと電極部６１のパターン
長ｂとマスク部分の長さｇとがｂ≧ｇ≧ａとなるように
構成されている。また、開口部１３のパターン幅ｄは、
マスクの位置合わせを容易にさせるために、画素の縦幅
に相当するｃに対してｄ＜ｃとなるように構成されてい
る。また、開口部１３のパターン長ｅは、画素領域にか
からないように透明電極間の絶縁距離ｆに対してｅ＜ｆ
となるように構成されている。配線部用メタルマスク１
２は、上記電極部用メタルマスク１０と同様に電極部が
形成されたガラス基板に取り付けられ、電極部とマスク
の間隙ｋが１０μｍとなるように固定される。
【００２０】次に、配線部用メタルマスク１２を取り付
けたガラス基板を真空蒸着装置に入れて真空ポンプでチ
ャンバー内を１×１０-3Ｐａ以下に排気する。次に、抵
抗加熱ボートに入れた銅を加熱して蒸発させ、厚さ１０
００ｎｍの配線部を形成する。ここで、図５は配線部を
成膜する工程を示す模式図であり、蒸着物質２０が配線
部用メタルマスク１２の開口部１３に露出した電極部６
１の接続部と電子輸送層５の上に成膜され、配線部６２
が形成される。このとき、図５に示すように配線部用メ
タルマスク１２のマスク部分が電極部６１と透明電極２
との交差部分に形成される画素領域をマスクするので、
蒸着中の輻射熱２１に画素領域がさらされることがなく
有機物質のダメージを防ぐことができる。
けたガラス基板を真空蒸着装置に入れて真空ポンプでチ
ャンバー内を１×１０-3Ｐａ以下に排気する。次に、抵
抗加熱ボートに入れた銅を加熱して蒸発させ、厚さ１０
００ｎｍの配線部を形成する。ここで、図５は配線部を
成膜する工程を示す模式図であり、蒸着物質２０が配線
部用メタルマスク１２の開口部１３に露出した電極部６
１の接続部と電子輸送層５の上に成膜され、配線部６２
が形成される。このとき、図５に示すように配線部用メ
タルマスク１２のマスク部分が電極部６１と透明電極２
との交差部分に形成される画素領域をマスクするので、
蒸着中の輻射熱２１に画素領域がさらされることがなく
有機物質のダメージを防ぐことができる。
【００２１】上記の製造方法によれば、従来の方法では
膜厚２００ｎｍの電極部形成後のガラス基板温度が１５
０℃であったのに対し、電極部と配線部形成後のガラス
基板温度は各々４０℃以下であった。これに対して、各
有機膜のガラス転移温度は、赤色発光層１７５℃、緑色
発光層９５℃、青色発光層１００℃、電子輸送層８５℃
であるから、ガラス基板温度は各有機膜のガラス転移温
度よりも十分低い温度に抑えられており、有機膜の凝集
によるピンホール発生等のダメージを防ぐことができ
る。
膜厚２００ｎｍの電極部形成後のガラス基板温度が１５
０℃であったのに対し、電極部と配線部形成後のガラス
基板温度は各々４０℃以下であった。これに対して、各
有機膜のガラス転移温度は、赤色発光層１７５℃、緑色
発光層９５℃、青色発光層１００℃、電子輸送層８５℃
であるから、ガラス基板温度は各有機膜のガラス転移温
度よりも十分低い温度に抑えられており、有機膜の凝集
によるピンホール発生等のダメージを防ぐことができ
る。
【００２２】次に、この発明の第２の実施の形態につい
て説明する。図６は、この発明の第２の実施の形態にお
けるモノクロ有機薄膜ＥＬパネルの構成を示す説明図で
あり、（ａ）は平面図、（ｂ）はＡ−Ａ断面図である。
このモノクロ有機薄膜ＥＬパネルは、透明支持基板１上
に複数の帯状透明電極２が設けられており、これらの上
を正孔輸送層３が覆っている。正孔輸送層３の上には、
発光層４が対向する透明電極２と平行に設けられてお
り、この上に電子輸送層５が設けられている。
て説明する。図６は、この発明の第２の実施の形態にお
けるモノクロ有機薄膜ＥＬパネルの構成を示す説明図で
あり、（ａ）は平面図、（ｂ）はＡ−Ａ断面図である。
このモノクロ有機薄膜ＥＬパネルは、透明支持基板１上
に複数の帯状透明電極２が設けられており、これらの上
を正孔輸送層３が覆っている。正孔輸送層３の上には、
発光層４が対向する透明電極２と平行に設けられてお
り、この上に電子輸送層５が設けられている。
【００２３】電子輸送層５の上には、透明電極２と直交
する方向に複数の帯状金属電極６が設けられている。金
属電極６の構成は、第１の実施の形態に示すとおりなの
で、説明を省略する。このような構成において、透明電
極２と電極部６１の交差する領域に、透明電極２のパタ
ーン幅ａを横幅とし、電極部６１のパターン幅ｃを縦幅
とする画素が形成される。
する方向に複数の帯状金属電極６が設けられている。金
属電極６の構成は、第１の実施の形態に示すとおりなの
で、説明を省略する。このような構成において、透明電
極２と電極部６１の交差する領域に、透明電極２のパタ
ーン幅ａを横幅とし、電極部６１のパターン幅ｃを縦幅
とする画素が形成される。
【００２４】図６において、透明支持基板１は、ガラス
基板であり、その厚さは１．１ｍｍである。透明電極２
は、厚さが１００ｎｍ、シート抵抗が１５Ω／□、パタ
ーン幅ａが０．３ｍｍのＩＴＯ膜であり、透明電極２間
の絶縁距離ｆが０．１ｍｍとなるように配置されてい
る。正孔輸送層３は、α−ＮＰＤで形成され、透明電極
２上で５０ｎｍの厚さを有する。また、発光層４は、Ａ
ｌｑ3にキナクリドンを５ｗｔ％の濃度でドーピングし
た、厚さ５０ｎｍの有機膜で形成されている。電子輸送
層５は、厚さ５０ｎｍのＡｌｑ3で形成されている。
基板であり、その厚さは１．１ｍｍである。透明電極２
は、厚さが１００ｎｍ、シート抵抗が１５Ω／□、パタ
ーン幅ａが０．３ｍｍのＩＴＯ膜であり、透明電極２間
の絶縁距離ｆが０．１ｍｍとなるように配置されてい
る。正孔輸送層３は、α−ＮＰＤで形成され、透明電極
２上で５０ｎｍの厚さを有する。また、発光層４は、Ａ
ｌｑ3にキナクリドンを５ｗｔ％の濃度でドーピングし
た、厚さ５０ｎｍの有機膜で形成されている。電子輸送
層５は、厚さ５０ｎｍのＡｌｑ3で形成されている。
【００２５】電極部６１は、マグネシウムと銀の比率が
１０：１の合金で形成されており、その厚さは低蒸着レ
ートでも蒸着源からの輻射熱で有機膜がダメージを受け
ないように５０ｎｍとしている。また、そのパターン長
ｂは、配線部６２の蒸着時に画素をマスクして蒸着源か
らの輻射熱から有機膜を保護できるようにするため、配
線部６２が画素上に形成されないように透明電極２のパ
ターン幅ａより大きい０．３５ｍｍとしている。また、
電極部６１間の絶縁距離ｈは０．０５ｍｍである。配線
部６２は、銅で形成されており、その膜厚は１０００ｎ
ｍで、パターン長ｅは画素上に銅が蒸着されないように
０．０８ｍｍとしている。
１０：１の合金で形成されており、その厚さは低蒸着レ
ートでも蒸着源からの輻射熱で有機膜がダメージを受け
ないように５０ｎｍとしている。また、そのパターン長
ｂは、配線部６２の蒸着時に画素をマスクして蒸着源か
らの輻射熱から有機膜を保護できるようにするため、配
線部６２が画素上に形成されないように透明電極２のパ
ターン幅ａより大きい０．３５ｍｍとしている。また、
電極部６１間の絶縁距離ｈは０．０５ｍｍである。配線
部６２は、銅で形成されており、その膜厚は１０００ｎ
ｍで、パターン長ｅは画素上に銅が蒸着されないように
０．０８ｍｍとしている。
【００２６】次に、このモノクロ有機ＥＬパネルの製造
方法について説明する。まず、厚さ１．１ｍｍのガラス
基板にスパッタ法を用いて、膜厚１００ｎｍのＩＴＯ膜
を成膜し、フォトリソグラフィーとウエットエッチング
により配線ピッチが０．４ｍｍ、パターン幅ａが０．３
ｍｍの透明電極を形成する。次に、透明電極が形成され
たガラス基板を真空蒸着装置に入れ、真空ポンプでチャ
ンバー内を１×１０-3Ｐａ以下に排気した後、透明電極
上にα−ＮＰＤを５０ｎｍ一様に蒸着し、正孔輸送層を
形成する。なお、以後蒸着のためチャンバー内を排気す
る場合の圧力は、いずれも１×１０-3Ｐａ以下である。
続けて、Ａｌｑ3とキナクリドンをドーピング濃度が５
ｗｔ％となるような蒸着速度で５０ｎｍ一様に共蒸着
し、発光層を形成する。続けて、Ａｌｑ3を一様に５０
ｎｍ蒸着して、電子輸送層を形成する。
方法について説明する。まず、厚さ１．１ｍｍのガラス
基板にスパッタ法を用いて、膜厚１００ｎｍのＩＴＯ膜
を成膜し、フォトリソグラフィーとウエットエッチング
により配線ピッチが０．４ｍｍ、パターン幅ａが０．３
ｍｍの透明電極を形成する。次に、透明電極が形成され
たガラス基板を真空蒸着装置に入れ、真空ポンプでチャ
ンバー内を１×１０-3Ｐａ以下に排気した後、透明電極
上にα−ＮＰＤを５０ｎｍ一様に蒸着し、正孔輸送層を
形成する。なお、以後蒸着のためチャンバー内を排気す
る場合の圧力は、いずれも１×１０-3Ｐａ以下である。
続けて、Ａｌｑ3とキナクリドンをドーピング濃度が５
ｗｔ％となるような蒸着速度で５０ｎｍ一様に共蒸着
し、発光層を形成する。続けて、Ａｌｑ3を一様に５０
ｎｍ蒸着して、電子輸送層を形成する。
【００２７】次に、電子輸送層が形成された面に電極部
用メタルマスクを用いて電極部を形成するが、その方法
は第１の実施の形態に示すとおりであるので、省略す
る。次に、配線部用メタルマスクを用いて配線部を形成
するが、これも第１の実施の形態に示すとおりであるの
で、省略する。
用メタルマスクを用いて電極部を形成するが、その方法
は第１の実施の形態に示すとおりであるので、省略す
る。次に、配線部用メタルマスクを用いて配線部を形成
するが、これも第１の実施の形態に示すとおりであるの
で、省略する。
【００２８】上記の製造方法によれば、従来の方法では
膜厚２００ｎｍの電極部形成後のガラス基板温度が１５
０℃であったのに対し、電極部と配線部形成後のガラス
基板温度は各々４０℃以下であった。これに対して、発
光層と電子輸送層のガラス転移温度は、９５℃と８５℃
であるから、ガラス基板温度は各有機膜のガラス転移温
度よりも十分低い温度に抑えられており、ガラス転移温
度付近での有機膜の凝集によるピンホール発生等のダメ
ージを防ぐことができる。
膜厚２００ｎｍの電極部形成後のガラス基板温度が１５
０℃であったのに対し、電極部と配線部形成後のガラス
基板温度は各々４０℃以下であった。これに対して、発
光層と電子輸送層のガラス転移温度は、９５℃と８５℃
であるから、ガラス基板温度は各有機膜のガラス転移温
度よりも十分低い温度に抑えられており、ガラス転移温
度付近での有機膜の凝集によるピンホール発生等のダメ
ージを防ぐことができる。
【００２９】なお、この発明の実施の形態において、配
線部用メタルマスク１２の開口部１３のパターン幅ｄが
画素の縦幅ｃに対してｄ＝ｃ又はｄ＞ｃの関係になるよ
うにして配線部を形成してもよい。
線部用メタルマスク１２の開口部１３のパターン幅ｄが
画素の縦幅ｃに対してｄ＝ｃ又はｄ＞ｃの関係になるよ
うにして配線部を形成してもよい。
【００３０】
【発明の効果】以上説明したように、金属電極を電極部
と配線部とから構成するようにして電極部の膜厚を１０
〜５００ｎｍにしたので、蒸着源から輻射熱を受ける時
間が短くなり、ガラス基板の温度上昇を抑えることがで
きる。また、配線部の形成に画素領域がマスクされる配
線部用メタルマスクを用いたので、蒸着源からの輻射熱
がマスクで遮られ画素領域が加熱されないので、画素領
域の温度上昇を抑えることができる。よって、本発明に
よれば、電極部と配線部の形成を通じて画素領域の温度
が有機膜のガラス転移温度よりも十分低い温度に抑えら
れ、ガラス転移温度付近での有機膜の凝集によるピンホ
ール発生等のダメージを防ぐことができるという優れた
効果が得られる。
と配線部とから構成するようにして電極部の膜厚を１０
〜５００ｎｍにしたので、蒸着源から輻射熱を受ける時
間が短くなり、ガラス基板の温度上昇を抑えることがで
きる。また、配線部の形成に画素領域がマスクされる配
線部用メタルマスクを用いたので、蒸着源からの輻射熱
がマスクで遮られ画素領域が加熱されないので、画素領
域の温度上昇を抑えることができる。よって、本発明に
よれば、電極部と配線部の形成を通じて画素領域の温度
が有機膜のガラス転移温度よりも十分低い温度に抑えら
れ、ガラス転移温度付近での有機膜の凝集によるピンホ
ール発生等のダメージを防ぐことができるという優れた
効果が得られる。
【００３１】また、金属電極を電極部と配線部とに分け
て形成するようにして、配線部の形成時に画素領域をマ
スクするようにしたので、蒸着中の輻射熱により画素領
域の有機膜がダメージを受けることを防ぐことができる
ため、仕事関数に制限されることなく抵抗率が低く融点
の高い金属を成膜することが可能となる。これにより、
金属電極の配線抵抗を下げられるので、発光素子間の輝
度のばらつきを低減できるという効果が得られる。ま
た、電極部の膜厚を１０〜５００ｎｍにしたので、電極
部の形成時に蒸着源から輻射熱を受ける時間が短くなる
ため、マスクの温度上昇が抑えられてマスクの歪みやた
わみによる蒸着物質の回り込みが抑えられる。このた
め、画素間スペースの狭い電極部パターンが形成できる
ので、開口率の大きい画素を形成できるという効果が得
られる。
て形成するようにして、配線部の形成時に画素領域をマ
スクするようにしたので、蒸着中の輻射熱により画素領
域の有機膜がダメージを受けることを防ぐことができる
ため、仕事関数に制限されることなく抵抗率が低く融点
の高い金属を成膜することが可能となる。これにより、
金属電極の配線抵抗を下げられるので、発光素子間の輝
度のばらつきを低減できるという効果が得られる。ま
た、電極部の膜厚を１０〜５００ｎｍにしたので、電極
部の形成時に蒸着源から輻射熱を受ける時間が短くなる
ため、マスクの温度上昇が抑えられてマスクの歪みやた
わみによる蒸着物質の回り込みが抑えられる。このた
め、画素間スペースの狭い電極部パターンが形成できる
ので、開口率の大きい画素を形成できるという効果が得
られる。
【図１】 本発明の第１の実施の形態におけるカラー有
機薄膜ＥＬパネルの構成を示す説明図である。
機薄膜ＥＬパネルの構成を示す説明図である。
【図２】 電極部用メタルマスクの構成を示す平面図で
ある。
ある。
【図３】 電極部形成工程を示す模式図である。
【図４】 配線部用メタルマスクの構成を示す平面図で
ある。
ある。
【図５】 配線部形成工程を示す模式図である。
【図６】 本発明の第２の実施の形態におけるモノクロ
有機薄膜ＥＬパネルの構成を示す説明図である。
有機薄膜ＥＬパネルの構成を示す説明図である。
【図７】 従来のドットマトリクス型カラー有機薄膜Ｅ
Ｌパネルの構成を示す説明図である。
Ｌパネルの構成を示す説明図である。
１…ガラス基板、２…透明電極、３…正孔輸送層、４…
発光層、４ａ…赤色発光層、４ｂ…緑色発光層、４ｃ…
青色発光層、５…電子輸送層、６…金属電極、１０…電
極部用メタルマスク、１１，１３…開口部、１２…配線
用メタルマスク、２０…蒸着物質、２１…輻射熱、６１
…電極部、６２…配線部。
発光層、４ａ…赤色発光層、４ｂ…緑色発光層、４ｃ…
青色発光層、５…電子輸送層、６…金属電極、１０…電
極部用メタルマスク、１１，１３…開口部、１２…配線
用メタルマスク、２０…蒸着物質、２１…輻射熱、６１
…電極部、６２…配線部。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平10−261491（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−106887（ＪＰ，Ａ) 特開2000−91069（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−295484（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−106752（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−22076（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H05B 33/00 - 33/28
Claims (6)
- 【請求項１】 透明支持基板上に配置された複数の帯状
透明電極と、前記透明支持基板及び前記透明電極の上に
配置された発光層を含む有機積層膜と、前記有機積層膜
上に前記透明電極と直交する方向に配置された複数の帯
状金属電極とから構成される有機薄膜ＥＬパネルにおい
て、 前記金属電極は、 前記透明電極と交差する領域に配置された前記透明電極
と交差する領域以外の部分も有する電極部と、 前記電極部間を前記透明電極と直交する方向に前記透明
電極と交差する領域以外の部分で接続するように配置さ
れた配線部とから構成されていることを特徴とする有機
薄膜ＥＬパネル。 - 【請求項２】 前記金属電極は、前記電極部の膜厚が１
０〜５００ｎｍであることを特徴とする請求項１記載の
有機薄膜ＥＬパネル。 - 【請求項３】 前記電極部は仕事関数の小さな材料で構
成され、前記配線部は抵抗率の低い材料で構成されてい
ることを特徴とする請求項１又は２記載の有機薄膜ＥＬ
パネル。 - 【請求項４】 透明支持基板上に配置された複数の帯状
透明電極と、前記透明支持基板及び前記透明電極の上に
配置された発光層を含む有機積層膜と、前記有機積層膜
上に前記透明電極と直交する方向に配置された複数の帯
状金属電極とから構成される有機薄膜ＥＬパネルの製造
方法において、 前記金属電極の形成工程は、 前記透明電極と交差する領域を含む開口部を複数有する
マスクを用いて電極部構成材料の蒸着を行う電極部形成
工程と、 前記透明電極と交差する部分がマスクされた前記透明電
極と直交する方向に複数の開口部を有するマスクを用い
て配線部構成材料の蒸着を行う配線部形成工程とからな
ることを特徴とする有機薄膜ＥＬパネルの製造方法。 - 【請求項５】 前記電極部形成工程は、電極部構成材料
を１０〜５００ｎｍの厚さに蒸着することを特徴とする
請求項４記載の有機薄膜ＥＬパネルの製造方法。 - 【請求項６】 前記電極部形成工程は仕事関数の小さな
材料を蒸着し、前記配線部形成工程は抵抗率の低い材料
を蒸着することを特徴とする請求項４又は５記載の有機
薄膜ＥＬパネルの製造方法。
Priority Applications (2)
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|---|---|---|---|
| JP11034853A JP3077688B1 (ja) | 1999-02-12 | 1999-02-12 | 有機薄膜ｅｌパネルとその製造方法 |
| US09/499,351 US6429585B1 (en) | 1999-02-12 | 2000-02-08 | Organic thin film EL panel and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11034853A JP3077688B1 (ja) | 1999-02-12 | 1999-02-12 | 有機薄膜ｅｌパネルとその製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP3077688B1 true JP3077688B1 (ja) | 2000-08-14 |
| JP2000231994A JP2000231994A (ja) | 2000-08-22 |
Family
ID=12425748
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11034853A Expired - Lifetime JP3077688B1 (ja) | 1999-02-12 | 1999-02-12 | 有機薄膜ｅｌパネルとその製造方法 |
Country Status (2)
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| JP (1) | JP3077688B1 (ja) |
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| JP2003068469A (ja) * | 2000-08-11 | 2003-03-07 | Canon Inc | 有機エレクトロルミネッセンス素子とその製造方法 |
| JP2002198171A (ja) * | 2000-12-26 | 2002-07-12 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 有機電界発光素子の製造方法 |
| US6703780B2 (en) * | 2001-01-16 | 2004-03-09 | General Electric Company | Organic electroluminescent device with a ceramic output coupler and method of making the same |
| JP2002299067A (ja) * | 2001-04-03 | 2002-10-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Ｅｌ素子及びこれを用いた照光装置 |
| KR100543003B1 (ko) | 2003-09-15 | 2006-01-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 풀칼라 유기 전계 발광 소자 및 그의 제조 방법 |
| KR20050050487A (ko) * | 2003-11-25 | 2005-05-31 | 삼성에스디아이 주식회사 | 풀칼라 유기 전계 발광 소자 |
| KR100659530B1 (ko) * | 2003-11-26 | 2006-12-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 풀칼라 유기전계발광소자 |
| JP4928073B2 (ja) * | 2004-11-16 | 2012-05-09 | グローバル・オーエルイーディー・テクノロジー・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー | 有機ｅｌパネルの製造方法および有機ｅｌパネル |
| US7985609B2 (en) | 2006-11-17 | 2011-07-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Light-emitting apparatus and production method thereof |
| JP5063294B2 (ja) * | 2006-11-17 | 2012-10-31 | キヤノン株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
| US7498603B2 (en) * | 2006-12-06 | 2009-03-03 | General Electric Company | Color tunable illumination source and method for controlled illumination |
| KR100858824B1 (ko) * | 2007-05-31 | 2008-09-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광 소자 및 이의 제조 방법 |
| US8720270B2 (en) | 2010-06-29 | 2014-05-13 | Ortho Sensor Inc. | Prosthetic component for monitoring joint health |
| US9462964B2 (en) | 2011-09-23 | 2016-10-11 | Orthosensor Inc | Small form factor muscular-skeletal parameter measurement system |
| US9839390B2 (en) | 2009-06-30 | 2017-12-12 | Orthosensor Inc. | Prosthetic component having a compliant surface |
| US20100331733A1 (en) * | 2009-06-30 | 2010-12-30 | Orthosensor | Sensing device and method for an orthopedic joint |
| US9259179B2 (en) | 2012-02-27 | 2016-02-16 | Orthosensor Inc. | Prosthetic knee joint measurement system including energy harvesting and method therefor |
| US8707782B2 (en) | 2009-06-30 | 2014-04-29 | Orthosensor Inc | Prosthetic component for monitoring synovial fluid and method |
| US8679186B2 (en) | 2010-06-29 | 2014-03-25 | Ortho Sensor Inc. | Hermetically sealed prosthetic component and method therefor |
| US8701484B2 (en) | 2010-06-29 | 2014-04-22 | Orthosensor Inc. | Small form factor medical sensor structure and method therefor |
| US8714009B2 (en) | 2010-06-29 | 2014-05-06 | Orthosensor Inc. | Shielded capacitor sensor system for medical applications and method |
| US8826733B2 (en) | 2009-06-30 | 2014-09-09 | Orthosensor Inc | Sensored prosthetic component and method |
| US8926530B2 (en) | 2011-09-23 | 2015-01-06 | Orthosensor Inc | Orthopedic insert measuring system for having a sterilized cavity |
| US9839374B2 (en) | 2011-09-23 | 2017-12-12 | Orthosensor Inc. | System and method for vertebral load and location sensing |
| US9414940B2 (en) | 2011-09-23 | 2016-08-16 | Orthosensor Inc. | Sensored head for a measurement tool for the muscular-skeletal system |
| US8911448B2 (en) | 2011-09-23 | 2014-12-16 | Orthosensor, Inc | Device and method for enabling an orthopedic tool for parameter measurement |
| US9844335B2 (en) | 2012-02-27 | 2017-12-19 | Orthosensor Inc | Measurement device for the muscular-skeletal system having load distribution plates |
| US9622701B2 (en) | 2012-02-27 | 2017-04-18 | Orthosensor Inc | Muscular-skeletal joint stability detection and method therefor |
| US9271675B2 (en) | 2012-02-27 | 2016-03-01 | Orthosensor Inc. | Muscular-skeletal joint stability detection and method therefor |
| US9237885B2 (en) | 2012-11-09 | 2016-01-19 | Orthosensor Inc. | Muscular-skeletal tracking system and method |
| US9339212B2 (en) | 2013-03-18 | 2016-05-17 | Orthosensor Inc | Bone cutting system for alignment relative to a mechanical axis |
| US11793424B2 (en) | 2013-03-18 | 2023-10-24 | Orthosensor, Inc. | Kinetic assessment and alignment of the muscular-skeletal system and method therefor |
| US10893955B2 (en) | 2017-09-14 | 2021-01-19 | Orthosensor Inc. | Non-symmetrical insert sensing system and method therefor |
| US11812978B2 (en) | 2019-10-15 | 2023-11-14 | Orthosensor Inc. | Knee balancing system using patient specific instruments |
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|---|---|---|---|---|
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| US6075317A (en) * | 1998-07-30 | 2000-06-13 | Alliedsignal Inc. | Electroluminescent device having increased brightness and resolution and method of fabrication |
-
1999
- 1999-02-12 JP JP11034853A patent/JP3077688B1/ja not_active Expired - Lifetime
-
2000
- 2000-02-08 US US09/499,351 patent/US6429585B1/en not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6429585B1 (en) | 2002-08-06 |
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