JP3013214B2 - Method for manufacturing thin-film magnetic head - Google Patents

Method for manufacturing thin-film magnetic head

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JP3013214B2
JP3013214B2 JP4208044A JP20804492A JP3013214B2 JP 3013214 B2 JP3013214 B2 JP 3013214B2 JP 4208044 A JP4208044 A JP 4208044A JP 20804492 A JP20804492 A JP 20804492A JP 3013214 B2 JP3013214 B2 JP 3013214B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は、情報処理装置の磁気
記憶装置である磁気ディスク装置で使用する薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a thin-film magnetic head used in a magnetic disk device as a magnetic storage device of an information processing device.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、情報処理装置の磁気記憶装置とし
て使用される磁気ディスク装置の小型化・大容量化に伴
い、この磁気ディスク装置で使用する薄膜磁気ヘッドも
小型かつ高性能なものが要求されている。
2. Description of the Related Art In recent years, as a magnetic disk device used as a magnetic storage device of an information processing device has been reduced in size and increased in capacity, a thin-film magnetic head used in the magnetic disk device has been required to be smaller and have higher performance. Have been.

【0003】図8は従来一般の磁気ディスク装置で使用
される薄膜磁気ヘッドの組立体の斜視図であり、1は薄
膜磁気ヘッドで、弾性板2の先端部2aに取付けられて
おり、この弾性板2の基端部2bは図示しないキャリッ
ジアームに取付けられるようになっている。3はリード
線で、電磁変換素子部1aを形成した薄膜コイルに連設
した端子1bに接続されている。
FIG . 8 is a perspective view of an assembly of a thin-film magnetic head used in a conventional general magnetic disk drive. Numeral 1 denotes a thin-film magnetic head, which is attached to a front end 2a of an elastic plate 2 and has an elasticity. The base end 2b of the plate 2 is adapted to be attached to a carriage arm (not shown). Reference numeral 3 denotes a lead wire which is connected to a terminal 1b connected to the thin film coil on which the electromagnetic conversion element 1a is formed.

【0004】図9はこの薄膜磁気ヘッド1の拡大斜視図
で、その大きさは、たとえば幅Aが2.5mm程度、奥
行きBが3mm程度、厚さCが0.6mm程度の小さな
ものであり、前記端子1bは、薄膜コイルと磁極層と磁
気ギャップなどからなる電磁変換素子部1aを形成する
薄膜コイルに連設されている。電磁変換素子部1aおよ
び端子1bは二個形成されているが、そのうちの一個を
選択して使用するようにしている。
FIG . 9 is an enlarged perspective view of the thin-film magnetic head 1. The size of the thin-film magnetic head 1 is as small as about 2.5 mm in width A, about 3 mm in depth B, and about 0.6 mm in thickness C. The terminal 1b is connected to a thin-film coil forming an electromagnetic transducer element portion 1a including a thin-film coil, a magnetic pole layer, a magnetic gap, and the like. Although two electromagnetic conversion element portions 1a and two terminals 1b are formed, one of them is selected and used.

【0005】図10図9のXーX線における断面図で
あり、フォトリソグラフィ技術、電気めっき技術、真空
蒸着技術などの薄膜形成技術を組み合わせることによ
り、セラミックの基板1cの上に下地のアルミナ膜1d
を成膜し、この下地のアルミナ膜1dの上に下部の磁極
層1eを形成し、この下部の磁極層1eおよびアルミナ
膜1dの上に絶縁層1fを介して薄膜コイル1gを形成
する。
FIG . 10 is a cross-sectional view taken along the line X--X in FIG. 9. By combining a thin film forming technique such as a photolithography technique, an electroplating technique, and a vacuum deposition technique, an underlying alumina is formed on a ceramic substrate 1c. Membrane 1d
And a lower magnetic pole layer 1e is formed on the underlying alumina film 1d, and a thin film coil 1g is formed on the lower magnetic pole layer 1e and the alumina film 1d via an insulating layer 1f.

【0006】この薄膜コイル1gの上に磁気ギャップ1
hを設けて上部の磁極層1e′を形成するとともに、薄
膜コイル1gに連設された端子形成部1i,1i′に端
子1bを形成し、この端子1bおよび上部の磁極層1
e′の上にアルミナ保護層1jを成膜し、このアルミナ
保護層1jの上面および磁気ギャップ1hの先端部を研
磨して薄膜磁気ヘッド1が完成する。なお、前記端子形
成部1i,1i′は紙面に対して垂直方向の前後にずれ
ており、互いに非接触状態にある。
A magnetic gap 1 is placed on the thin film coil 1g.
h, the upper magnetic pole layer 1e 'is formed, and the terminals 1b are formed in the terminal forming portions 1i, 1i' connected to the thin film coil 1g, and the terminal 1b and the upper magnetic pole layer 1e are formed.
An alumina protective layer 1j is formed on e ', and the upper surface of the alumina protective layer 1j and the tip of the magnetic gap 1h are polished to complete the thin-film magnetic head 1. The terminal forming portions 1i and 1i 'are displaced back and forth in the direction perpendicular to the plane of the paper, and are in a non-contact state with each other.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】しかし、この種の薄膜
磁気ヘッドは、図9に示したように、きわめて小さなも
のであり、かつ、薄膜コイル1gの両端には100V以
上の電圧が印加されるので、薄膜コイル1g間に介在す
る絶縁層1fの絶縁が不完全であると、薄膜コイル1g
間でショートを起こし、薄膜磁気ヘッドが破壊されると
いった問題があった。
However, as shown in FIG. 9 , this type of thin film magnetic head is extremely small, and a voltage of 100 V or more is applied to both ends of the thin film coil 1g. Therefore, if the insulation of the insulating layer 1f interposed between the thin-film coils 1g is incomplete,
There is a problem that a short circuit occurs between the thin films and the thin film magnetic head is destroyed.

【0008】また、薄膜コイル1gと磁極層1e,1
e′間に介在する絶縁層1fの絶縁が不完全であると、
この磁極層1e,1e′を介して薄膜コイル1g間でシ
ョートを起こし、薄膜磁気ヘッドが破壊され、また、磁
極層1e,1e′の浮上面が凸形状になり、これが磁気
ディスクに接触するとスパイク状のノイズが発生し、リ
ード・ライトのエラーが多発し、ヘッドクラッシュなど
を起こすといった問題があった。
The thin-film coil 1g and the pole layers 1e, 1
If insulation of the insulating layer 1f interposed between e ′ is incomplete,
A short circuit occurs between the thin-film coils 1g via the pole layers 1e and 1e ', and the thin-film magnetic head is destroyed. Further, the flying surfaces of the pole layers 1e and 1e' become convex, and when they come into contact with the magnetic disk, spikes occur. Noise occurs, read / write errors occur frequently, and a head crash or the like occurs.

【0009】また、図4を参照して説明すると、薄膜コ
イル1gの上部を絶縁するための絶縁層13を形成した
際に、めっきによる薄膜コイル1gとこれに連接したリ
ード線21と端子17の形成時に用いた余計なめっきベ
ースを取り除いた際に前記絶縁層13の周りに、めっき
ベースの残渣があると、このめっきベースの残渣がその
後の薄膜磁気ヘッドの製造段階において剥離して、この
めっきベースの残渣がリード線21間や下部の磁極層1
2と上部の磁極層12′間をショートさせる、といった
問題があった。
Referring to FIG. 4, when an insulating layer 13 for insulating the upper part of the thin-film coil 1g is formed , the thin-film coil 1g formed by plating, the lead wire 21 connected to the thin-film coil 1g, and the terminal 17 are formed. If there is a residue of the plating base around the insulating layer 13 when the extra plating base used in the formation is removed, the residue of the plating base is peeled off in a later manufacturing step of the thin-film magnetic head, and this plating is removed. The residue of the base is formed between the lead wires 21 and the lower magnetic pole layer 1.
2 and the upper magnetic pole layer 12 '.

【0010】また、薄膜コイル1gの上部の絶縁層13
の上に、上部の磁極層12′を形成し、その上部の磁極
層12′の形成時に用いた余計なめっきベースを取り除
いた際に、前記上部の磁極層12′の周りにめっきベー
スの残渣があると、このめっきベースの残渣がその後の
薄膜磁気ヘッドの製造段階において剥離して、そのめっ
きベースの残渣が下部の磁極層12と上部の磁極層1
2′間をショートさせる、といった問題があった。
Also, the insulating layer 13 on the thin film coil 1g
The upper magnetic pole layer 12 'is formed on the upper magnetic pole layer 12', and when the extra plating base used in forming the upper magnetic pole layer 12 'is removed, the plating base residue is formed around the upper magnetic pole layer 12'. In this case, the residue of the plating base is peeled off in the subsequent manufacturing stage of the thin film magnetic head, and the residue of the plating base is removed from the lower magnetic pole layer 12 and the upper magnetic pole layer 1.
There was a problem of short-circuiting between 2 '.

【0011】この発明は、薄膜成形された薄膜コイル間
および薄膜コイルと磁極層間を絶縁する絶縁層の絶縁性
能を改善することによって、また、絶縁層の周りに残る
めっきベースの残渣や上部の磁極層の周りに残るめっき
ベースの残渣を除去することによって、従来例のような
問題点をなくすようにすることを目的としたものであ
る。
The present invention improves the insulating performance of an insulating layer that insulates between a thin-film coil formed between thin-film coils and between a thin-film coil and a magnetic pole layer, as well as a plating base residue and an upper magnetic pole remaining around the insulating layer. by divided the plating base residue remaining around the layers is intended to ensure that eliminate the problems in the prior art.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】この発明は、薄膜磁気ヘ
ッドの製造段階における、薄膜コイル間に絶縁層を成膜
し、その成膜した絶縁層を硬化させる硬化条件を、N2
気体雰囲気中で行うこと、また、薄膜コイルと上部の磁
極層との間に絶縁層を成膜し、その成膜した絶縁層を硬
化させる硬化条件を、N2 気体雰囲気中で行うこと、ま
た、薄膜コイルの上部を絶縁した絶縁層の周りに残るめ
っきベースの残渣を、また、前記絶縁層の上に形成した
上部の磁極層の周りのめっきベースの残渣を除去するこ
とによって、前記目的を達成するようにしたものであ
る。
According to the present invention, in a manufacturing stage of a thin film magnetic head, an insulating layer is formed between thin film coils, and curing conditions for curing the formed insulating layer are set to N 2.
In a gas atmosphere, an insulating layer is formed between the thin-film coil and the upper magnetic pole layer, and curing conditions for curing the formed insulating layer are performed in an N 2 gas atmosphere. the plating base residue remaining around the insulating layer insulates the top of the thin film coil, also by divided the plating base residue around the magnetic pole layer of the upper formed on the insulating layer, the object Is achieved.

【0013】[0013]

【作用】薄膜コイルを形成した後にこの薄膜コイルを絶
縁する絶縁層を成膜し、その成膜した絶縁層を硬化する
硬化条件を、N2 気体雰囲気中で行うことによって、絶
縁層が緻密に成膜されて絶縁破壊が起き難くなる。
After forming a thin-film coil, an insulating layer for insulating the thin-film coil is formed, and the hardening condition for hardening the formed insulating layer is performed in an N 2 gas atmosphere, so that the insulating layer becomes dense. The film is formed and dielectric breakdown hardly occurs.

【0014】また、薄膜コイルの上部に絶縁層を介して
上部の磁極層を形成する前に形成した前記絶縁層を硬化
する硬化条件を、N2 気体雰囲気中で行うことによっ
て、絶縁層が緻密に成膜されて、磁極層と薄膜コイル間
の絶縁破壊が起き難くなる。
The insulating layer formed before the upper magnetic pole layer is formed on the thin-film coil via an insulating layer is cured in an N 2 gas atmosphere so that the insulating layer becomes dense. And dielectric breakdown between the pole layer and the thin-film coil hardly occurs.

【0015】また、薄膜コイルを絶縁した絶縁層の周り
に残る薄膜コイルの形成時に用いためっきベースの残渣
や前記絶縁層の上に形成した上部の磁極層の周りに残る
磁極層の形成時に用いためっきベースの残渣を除去する
ことにより、前記めっきベースの残渣が剥離して薄膜コ
イルに連接したリード線間や下部の磁極層と上部の磁極
層間をショートさせることを防止することができる。
[0015] Further, there is a residue of the plating base used when forming the thin-film coil remaining around the insulating layer that insulates the thin-film coil, and it is used when forming a pole layer remaining around the upper pole layer formed on the insulating layer. by divided the plating base residue had, it is possible to prevent shorting the plating base residue is peeled between the leads were connected to the thin film coil and the lower magnetic pole layer and an upper magnetic pole layers.

【0016】[0016]

【実施例】図1は、この発明の薄膜磁気ヘッドの製造方
法によって製造された薄膜磁気ヘッドの構造を拡大断面
図で示すもので、フォトリソグラフィ技術、電気めっき
技術、真空蒸着技術などの薄膜形成技術を組み合わせる
ことにより、セラミックの基板10の上に下地のアルミ
ナ膜11を形成し、この下地のアルミナ膜11の上に下
部の磁極層12を形成し、この下部の磁極層12および
アルミナ膜11の上に絶縁層13を介して薄膜コイル1
4を形成する。
FIG. 1 is an enlarged sectional view showing the structure of a thin-film magnetic head manufactured by the method of manufacturing a thin-film magnetic head according to the present invention. The thin-film magnetic head is manufactured by photolithography, electroplating, or vacuum deposition. By combining the techniques, an underlying alumina film 11 is formed on a ceramic substrate 10, a lower magnetic pole layer 12 is formed on the underlying alumina film 11, and the lower magnetic pole layer 12 and the alumina film 11 are formed. On the thin film coil 1 via an insulating layer 13
4 is formed.

【0017】この薄膜コイル14の上に磁気ギャップ1
5を設けて上部の磁極層12′を形成するとともに、薄
膜コイル14に連設された互いに非接触状態にある端子
形成部16,16′に端子17を形成し、この端子17
および上部の磁極層12′の上にアルミナ保護層18を
形成し、このアルミナ保護層18の上面および磁気ギャ
ップ15の先端部を研磨して薄膜磁気ヘッド19が製造
される点は、従来と同じである。
The magnetic gap 1 is placed on the thin-film coil 14.
5 to form an upper magnetic pole layer 12 ', and a terminal 17 is formed in a terminal forming portion 16 and 16' which are connected to the thin film coil 14 and which are not in contact with each other.
An alumina protective layer 18 is formed on the upper magnetic pole layer 12 ', and the upper surface of the alumina protective layer 18 and the tip of the magnetic gap 15 are polished to produce a thin film magnetic head 19 as in the conventional case. It is.

【0018】この発明は、前記のように製造される薄膜
磁気ヘッドの各部の製造段階が後述するように相違す
る。その第一の発明(請求項1に係る発明)は、図2の
(a)に示すように、薄膜磁気ヘッドの製造段階におけ
る、薄膜コイル14を絶縁するための絶縁層13を従来
より厚く成膜し、その成膜した絶縁層13を硬化させる
硬化条件を、N2 気体雰囲気中で行うようにしたもので
ある。
In the present invention, the steps of manufacturing each part of the thin-film magnetic head manufactured as described above are different as described later. In the first invention (the invention according to claim 1), as shown in FIG. 2A, an insulating layer 13 for insulating a thin film coil 14 in a manufacturing stage of a thin film magnetic head is made thicker than before. The curing conditions for forming a film and curing the formed insulating layer 13 are performed in an N 2 gas atmosphere.

【0019】この絶縁層13としては、たとえばノボラ
ック樹脂と有機溶剤などが混合されたレジストを塗布
し、これを加熱硬化させたものであり、この加熱硬化に
より、有機溶剤が蒸発してレジスト(以下、絶縁層とい
う)が収縮する。
The insulating layer 13 is formed, for example, by applying a resist in which a novolak resin and an organic solvent are mixed, and then heating and curing the resist. , The insulating layer) shrinks.

【0020】従来は、図2の(b)に示すように、塗布
した絶縁層1fの加熱硬化を、大気中すなわちO2 雰囲
気中で行っており、塗布した絶縁層が15%程度収縮し
て硬化していたが、この第一の発明においては、この絶
縁層の加熱硬化をN2 気体雰囲気中で行うことにより、
図2の(a)に示すように、塗布した絶縁層が35%程
度収縮して硬化することが実験の結果確認された。
Conventionally, as shown in FIG. 2B, the applied insulating layer 1f is heat-cured in the air, that is, in an O 2 atmosphere, and the applied insulating layer shrinks by about 15%. In the first invention, the insulating layer was cured by heating in an N 2 gas atmosphere.
As shown in FIG. 2A, it was confirmed from an experiment that the applied insulating layer contracted by about 35% and hardened.

【0021】そこで、N2 気体雰囲気中で絶縁層の加熱
硬化を行うと、この絶縁層が35%程度収縮することを
勘案して、その分厚くレジストを塗布しておく。絶縁層
が大きく収縮して硬化するということは、絶縁層13が
緻密になって、絶縁耐力が大きくなり、薄膜コイル14
間および薄膜コイル14と磁極層12,12′との間の
絶縁性が良くなり、これらの間でショートし難くなる。
In consideration of the fact that when the insulating layer is cured by heating in an N 2 gas atmosphere, the insulating layer is contracted by about 35%, and the resist is applied thicker accordingly. The fact that the insulating layer is largely shrunk and hardened means that the insulating layer 13 becomes dense, the dielectric strength increases, and the thin-film coil 14
The insulation between the thin-film coil 14 and the pole layers 12, 12 'is improved, and short-circuiting between them becomes difficult.

【0022】また、第二の発明(請求項2に係る発明)
は、図3の(a)に示すように、薄膜磁気ヘッドの製造
段階における、磁極層12,12′と薄膜コイル14間
に介在する絶縁層13を従来より厚く成膜し、すなわ
ち、図3の(b)に示す従来例における薄膜コイル1g
と磁極層1e′との間隔dより、図3の(a)に示すこ
の発明の薄膜コイル14と磁極層12′との間隔Dが充
分大きくなるように成膜し、その成膜した絶縁層13を
硬化させる硬化条件を、N2 気体雰囲気中で行うように
したものである。前記絶縁層13の加熱硬化をN2 気体
雰囲気中で行うことにより、塗布した絶縁層13が35
%程度収縮(従来は15%程度収縮)して硬化すること
により、前記絶縁層13が緻密になって、絶縁耐力が大
きくなり、従って、磁極層12,12′と薄膜コイル1
4間の絶縁破壊が起き難くなる。
Further, the second invention (the invention according to claim 2)
As shown in FIG. 3A, the insulating layer 13 interposed between the pole layers 12, 12 'and the thin-film coil 14 is formed thicker than before, as shown in FIG. 1g of the thin film coil in the conventional example shown in FIG.
3A, the distance D between the thin-film coil 14 of the present invention and the pole layer 12 'shown in FIG. 3A is sufficiently larger than the distance d between the pole layer 1e' and the insulating layer. The hardening condition for hardening 13 is performed in an N 2 gas atmosphere. By performing heat curing of the insulating layer 13 in an N 2 gas atmosphere, the applied insulating layer 13
% (Conventionally shrinks by about 15%) and hardens, the insulating layer 13 becomes denser and has a higher dielectric strength. Therefore, the magnetic pole layers 12, 12 'and the thin film coil 1 are hardened.
4 is less likely to cause dielectric breakdown.

【0023】また、第三の発明(請求項3に係る発明)
は、図4の(a),(b)に示すように、薄膜磁気ヘッ
ドの製造段階における、薄膜コイル14とこれに連接し
たリード線21およびリード線21の端子17の形成時
に用いた余計なめっきベースを取り除いて、薄膜コイル
14とこれに連接したリード線21およびリード線21
の端子17を形成し、これらの上を絶縁するための絶縁
層13を成膜し、めっきによる薄膜コイル14とこれに
連接したリード線21およびリード線21の端子17の
形成時に用いた余計なめっきベースを取り除いた際に前
記絶縁層13の周りに残るめっきベースの残渣20のう
ち、図4の(b)に示すように、薄膜コイル14に連接
したリード線21,21や上部の磁極層12′の磁気ギ
ャップ15(図1参照)の近傍のめっきベースの残渣を
除去するようにしたものである。なお、前記めっきベー
スの残渣20が生ずる原因は、めっきベースの上にホト
レジストで薄膜コイルパターン(マスク)を形成した後
に、マスクされていないめっきベース上に電解めっきに
よって導電薄膜(銅薄膜)を形成した後、余計な導電薄
膜およびめっきベースをイオンミーリングで取り除いて
(エッチング)、薄膜コイルおよびリード線を形成する
が、前記導電薄膜と絶縁層との境界部において、エッチ
ングレート差により溝(トレンチング)が形成される。
この溝にイオンミーリングで取り除かれためっきベース
材料が堆積してめっきベースの残渣20が生じる(図4
の(b)参照)。また、めっきベースの残渣は磁極層を
形成する際にも生じることは、周知のことである。
Further, the third invention (the invention according to claim 3)
As shown in FIGS. 4 (a) and 4 (b), extra parts used in forming the thin film coil 14, the lead wire 21 connected thereto and the terminal 17 of the lead wire 21 in the manufacturing stage of the thin film magnetic head. The plating base is removed, and the thin film coil 14 is connected to the lead wire 21 and the lead wire 21 connected thereto.
Are formed, an insulating layer 13 for insulating them is formed thereon, and the thin film coil 14 by plating, the lead wire 21 connected thereto, and the extraneousness used in forming the terminal 17 of the lead wire 21 are formed. As shown in FIG. 4 (b), of the residues 20 of the plating base remaining around the insulating layer 13 when the plating base is removed, as shown in FIG. This is to remove the residue of the plating base near the magnetic gap 15 (see FIG. 1) 12 '. The cause of the residue 20 of the plating base is that a conductive thin film (copper thin film) is formed by electrolytic plating on an unmasked plating base after forming a thin-film coil pattern (mask) with a photoresist on the plating base. After that, unnecessary conductive thin film and plating base are removed by ion milling (etching) to form a thin film coil and a lead wire. ) Is formed.
In this groove, the plating base material removed by ion milling is deposited, and a residue 20 of the plating base is generated (FIG. 4).
(B)). It is well known that the residue of the plating base is also generated when forming the pole layer.

【0024】前記のように、リード線21,21や磁極
層12′の磁気ギャップ15の近傍のめっきベースの残
渣を除去するには、図4の(a)に示すように、前記リ
ード線21を挟んだ両側あるいは磁極層12′の磁気ギ
ャップ部15の両側の一部を除いてレジスト22を塗布
しておき、その後に前記レジスト22から露出しためっ
きベースの残渣20をエッチングにより取り除くことが
できる。22′はレジスト22を取り除いた部分であ
る。
As described above, to remove the residue of the plating base in the vicinity of the magnetic gap 15 of the lead wires 21 and 21 and the pole layer 12 ', as shown in FIG. A resist 22 is applied except for portions on both sides of the magnetic gap portion 15 of the pole layer 12 ′, and then the plating base residue 20 exposed from the resist 22 can be removed by etching. . Reference numeral 22 'denotes a portion from which the resist 22 has been removed.

【0025】 また、第四の発明(請求項4に係る発明)
は、薄膜磁気ヘッドの製造段階における、薄膜コイル1
4とこれに連接したリード線21およびリード線21の
端子17の形成時に用いた余計なめっきベースを取り除
いて、薄膜コイル14とこれに連接したリード線21お
よびリード線21の端子17を形成し、これらの上部を
絶縁するための絶縁層13を形成し(図5の(a)参
照)、前記絶縁層13の周りに残るめっきベースの残渣
20を取り除くため、図5の(b)に示すように、プラ
ズマ・アッシャーによって前記絶縁層13の点線で示す
表面を剥離し、さらに、図示しないが超音波洗浄を行う
ことにより、絶縁層13の周りに残るめっきベースの残
渣20を完全に取り除くことができる。
Further, the fourth invention (the invention according to claim 4)
Is a thin film coil 1 in a manufacturing stage of a thin film magnetic head.
4 and the extra plating base used in forming the lead wire 21 and the terminal 17 of the lead wire 21 connected thereto were removed, and the thin film coil 14 and the lead wire 21 and the terminal 17 of the lead wire 21 connected thereto were formed. Then, an insulating layer 13 for insulating these portions is formed (see FIG. 5A), and a plating base residue 20 remaining around the insulating layer 13 is removed, as shown in FIG. As described above, the surface indicated by the dotted line of the insulating layer 13 is peeled off by a plasma asher, and further, ultrasonic cleaning (not shown) is performed to completely remove the plating base residue 20 remaining around the insulating layer 13. Can be.

【0026】 また、第五の発明(請求項5に係る発明)
は、薄膜磁気ヘッドの製造段階における、薄膜コイル1
4とこれに連接したリード線21およびリード線21の
端子17の形成時に用いた余計なめっきベースを取り除
いて、薄膜コイル14とこれに連接したリード線21お
よびリード線21の端子17を形成し、これらの上部を
絶縁するための絶縁層13を形成し、この絶縁層13の
周りに残る薄膜コイルやリード線やリード線の端子の成
形時に用いた図6の(a)に示すようなめっきベースの
残渣20を、図6の(b)に示すように、酸性溶液24
たとえば10%のH2 SO4 でケミカル・エッチングに
より除去するようにしたものである。
Further, the fifth invention (the invention according to claim 5)
Is a thin film coil 1 in a manufacturing stage of a thin film magnetic head.
4 and the extra plating base used in forming the lead wire 21 and the terminal 17 of the lead wire 21 connected thereto were removed, and the thin film coil 14 and the lead wire 21 and the terminal 17 of the lead wire 21 connected thereto were formed. Then, an insulating layer 13 for insulating these upper portions is formed, and a thin-film coil, a lead wire, and a plating as shown in FIG. As shown in FIG. 6B, the residue 20 of the base is
For example, it is removed by chemical etching with 10% H 2 SO 4 .

【0027】 前記第四および第五の発明によって、薄膜
コイル14を絶縁した絶縁層13の周りに残るめっきベ
ースの残渣20を除去することにより、除去しないで残
されためっきベースの残渣が、その後の薄膜磁気ヘッド
の製造段階において剥離して悪影響を与え、完成した製
品を劣化させる、すなわち、薄膜コイル14に接続され
たリード線21間や上部の磁極層12と下部の磁極層1
2′間が剥離しためっきベースの残渣によりショートさ
れるようなことがなくなる。
[0027] The by fourth and fifth invention, by removing the plating base residue 20 remaining around the insulating layer 13 that insulates the thin film coil 14, the plating base residue left without removed, then In the manufacturing stage of the thin-film magnetic head of the present invention, which has an adverse effect and deteriorates the finished product, that is, between the lead wires 21 connected to the thin-film coil 14, or between the upper magnetic pole layer 12 and the lower magnetic pole layer 1.
There is no short circuit between the 2 'and the residue of the plating base that has peeled off.

【0028】 なお、薄膜コイル14の絶縁層13と、上
部の磁極層12′と、薄膜コイル14のリード線21
と、その端子17などを保護する絶縁性のアルミナ保護
層18(図1参照)を成膜するスパッタリングにおい
て、図7の(a)に示すようなスパッタリング装置のカ
ソード25のクリーニングを行う予備スパッタおよび薄
膜コイル14の絶縁層13および上部の磁極層12′の
上面へのアルミナ保護層18の密着をよくするため逆ス
パッタ時間を短くする。
[0028] Note that the insulating layer 13 of the thin film coil 14, an upper magnetic pole layer 12 ', a lead wire of the thin film coil 14 21
In the sputtering for forming an insulating alumina protective layer 18 (see FIG. 1) for protecting the terminals 17 and the like, preliminary sputtering for cleaning the cathode 25 of the sputtering apparatus as shown in FIG. The reverse sputtering time is shortened to improve the adhesion of the alumina protective layer 18 to the upper surface of the insulating layer 13 of the thin film coil 14 and the upper magnetic pole layer 12 '.

【0029】 このようにしたことにより、前記薄膜磁気
ヘッド19が多数形成された基板(ウエハ)26の放熱
を良くするために、基板26に設けたInGa27やリード
線21および端子17を形成したCuなどが、カソード2
5側に付着し、それが図7の(b)に示すように、本ス
パッタリングの際に薄膜コイル14の絶縁層13と上部
の磁極層12′と端子17などの上に堆積されて、絶縁
性のアルミナ保護層18の絶縁性能を悪化させるような
ことがなくなる。
In this manner, in order to improve the heat radiation of the substrate (wafer) 26 on which a large number of the thin-film magnetic heads 19 are formed, the InGa 27 provided on the substrate 26, the lead wire 21 and the Cu on which the terminals 17 are formed are formed. The cathode 2
5B , which is deposited on the insulating layer 13 of the thin-film coil 14, the upper pole layer 12 ', the terminal 17 and the like during the main sputtering, as shown in FIG. The insulating performance of the protective alumina protective layer 18 does not deteriorate.

【0030】[0030]

【発明の効果】以上説明したように、この発明の薄膜磁
気ヘッドの製造方法は、薄膜磁気ヘッドの製造段階にお
ける、薄膜コイル間を絶縁するための絶縁層を成膜し、
その成膜した絶縁層を硬化する硬化条件を、N2 気体雰
囲気中で行うことによって、絶縁層が緻密に成膜され
て、薄膜コイル間の絶縁破壊が起き難くなる。
As described above, according to the method of manufacturing a thin-film magnetic head of the present invention, an insulating layer for insulating between thin-film coils is formed at the stage of manufacturing a thin-film magnetic head.
By performing the curing conditions for curing the formed insulating layer in an N 2 gas atmosphere, the insulating layer is formed densely, and the dielectric breakdown between the thin film coils hardly occurs.

【0031】 また、薄膜コイルの上部に絶縁層を介して
上部の磁極層を形成する前に成膜した前記絶縁層を硬化
する硬化条件を、N2 気体雰囲気中で行うことによっ
て、絶縁層が緻密に成膜されて磁極層と薄膜コイル間の
絶縁破壊が起き難くなる。
The insulating layer formed before the upper magnetic pole layer is formed on the thin film coil via the insulating layer is cured in an N 2 gas atmosphere to cure the insulating layer. The film is densely formed, so that dielectric breakdown between the pole layer and the thin-film coil hardly occurs.

【0032】 また、薄膜コイルの上部を絶縁した絶縁層
の周りに残る薄膜コイルの形成時に用いためっきベース
の残渣や、前記絶縁層の上に形成した上部の磁極層の周
りに残る磁極層の形成時に用いためっきベースの残渣
去することにより、前記めっきベースの残渣が剥離し
て薄膜コイルに連接したリード線間や下部の磁極層と上
部の磁極層間をショートさせることを防止することがで
きる。
Further, the plating base used during formation of the thin film coil which remains around the insulating layer insulates the top of the thin film coil residues and, the pole layer remaining around the top of the pole layer formed on the insulating layer Residue of plating base used during formation
By divided, it is possible to prevent shorting the plating base residue is peeled between the leads were connected to the thin film coil and the lower magnetic pole layer and an upper magnetic pole layers.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】この発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法によって
製造された薄膜磁気ヘッドの構造の拡大断面図である。
FIG. 1 is an enlarged sectional view of the structure of a thin-film magnetic head manufactured by a method of manufacturing a thin-film magnetic head according to the present invention.

【図2】第一の発明の説明図である。FIG. 2 is an explanatory diagram of the first invention.

【図3】第二の発明の説明図である。FIG. 3 is an explanatory diagram of the second invention.

【図4】第三の発明の説明図である。FIG. 4 is an explanatory diagram of the third invention.

【図5】第四の発明の説明図である。FIG. 5 is an explanatory diagram of the fourth invention.

【図6】第五の発明の説明図である。FIG. 6 is an explanatory diagram of the fifth invention.

【図7】アルミナ保護層を成膜するスパッタリングの説
明図である。
FIG. 7 is an explanatory diagram of sputtering for forming an alumina protective layer.

【図8】従来一般の薄膜磁気ヘッドの組立体の斜視図で
ある。
FIG. 8 is a perspective view of a conventional general thin film magnetic head assembly.

【図9】従来一般の薄膜磁気ヘッドの拡大図である。FIG. 9 is an enlarged view of a conventional general thin film magnetic head.

【図10】図9のX−X線における断面図である。FIG. 10 is a sectional view taken along line XX of FIG. 9;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 セラミックの基板 11 アルミナ膜 12 磁極層 12′ 上部の磁極層 13 絶縁層 14 薄膜コイル 15 磁気ギャップ 16 端子形成部 16′ 端子形成部 17 端子 18 アルミナ保護層 19 薄膜磁気ヘッド 20 めっきベースの残渣 20′ めっきベースの残渣 21 リード線 22 レジスト 22′ レジストを取り除いた部分 23 絶縁層 24 酸性溶液 25 カソード 26 基板(ウエハ) 27 InGa DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Ceramic substrate 11 Alumina film 12 Magnetic pole layer 12 'Upper magnetic pole layer 13 Insulating layer 14 Thin film coil 15 Magnetic gap 16 Terminal formation part 16' Terminal formation part 17 Terminal 18 Alumina protective layer 19 Thin film magnetic head 20 Plating base residue 20 'Residue of plating base 21 Lead wire 22 Resist 22' Part where resist is removed 23 Insulating layer 24 Acid solution 25 Cathode 26 Substrate (wafer) 27 InGa

Claims (5)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】薄膜磁気ヘッドの製造段階における、薄膜
コイルを絶縁するための絶縁層を成膜し、その成膜した
絶縁層を硬化させる硬化条件を、N2 気体雰囲気中で行
うことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
In a manufacturing step of a thin-film magnetic head, an insulating layer for insulating a thin-film coil is formed, and curing conditions for curing the formed insulating layer are performed in an N 2 gas atmosphere. Of manufacturing a thin film magnetic head.
【請求項2】薄膜磁気ヘッドの製造段階における、磁極
層と薄膜コイル間に介在する絶縁層を成膜し、その成膜
した絶縁層を硬化させる硬化条件を、N2 気体雰囲気中
で行うことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
2. A method for forming an insulating layer interposed between a magnetic pole layer and a thin film coil in a manufacturing step of a thin film magnetic head, and curing the formed insulating layer in an N 2 gas atmosphere. A method for manufacturing a thin-film magnetic head, comprising:
【請求項3】薄膜磁気ヘッドの製造段階における、薄膜
コイルとこれに連接したリード線およびリード線の端子
の形成時に用いた余計なめっきベースを取り除いて、薄
膜コイルとこれに連接したリード線およびリード線の端
子を形成し、これらの上を絶縁するための絶縁層を成膜
し、めっきによる薄膜コイルとこれに連接したリード線
と端子の形成時に用いた余計なめっきベースを取り除い
た際に前記絶縁層の周りに残るめっきベースの残渣のう
ち、薄膜コイルに連接したリード線や磁気ギャップの近
傍のめっきベースの残渣を、その近傍以外をマスクして
エッチングにより除去することを特徴とする薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法。
3. A thin film coil, a lead wire connected to the thin film coil, and an unnecessary plating base used for forming a terminal of the lead wire are removed in a manufacturing stage of the thin film magnetic head, and the thin film coil and the lead wire connected thereto are removed. When forming the terminals of the lead wire, forming an insulating layer to insulate them, and removing the plating thin film coil and the extra plating base used when forming the lead wire and terminal connected to it A thin film characterized in that, among the residues of the plating base remaining around the insulating layer, the residues of the plating base near the lead wire or the magnetic gap connected to the thin-film coil are removed by etching except for the vicinity of the plating base. A method for manufacturing a magnetic head.
【請求項4】 薄膜磁気ヘッドの製造段階における、薄膜
コイルとこれに連接したリード線およびリード線の端子
の形成時に用いた余計なめっきベースを取り除いて、薄
膜コイルとこれに連接したリード線およびリード線の端
子を形成し、これらの上を絶縁するための絶縁層を成膜
し、この絶縁層の表面を少しプラズマ・アッシャーによ
って剥離し、超音波洗浄を行うことにより、前記絶縁層
の周りに残る薄膜コイルやリード線やリード線の端子の
成形時に用いためっきベースの残渣を除去することを特
徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
4. A thin-film coil, a lead wire connected to the thin-film coil, and an unnecessary plating base used for forming terminals of the lead wire in a manufacturing stage of the thin-film magnetic head are removed, and the thin-film coil and the lead wire connected thereto are removed. Form the terminals of the lead wires, form an insulating layer for insulating them, and peel off the surface of this insulating layer a little with a plasma asher, and perform ultrasonic cleaning. A method for manufacturing a thin-film magnetic head, comprising: removing a residue of a plating base used in forming a thin-film coil, a lead wire, or a terminal of a lead wire remaining in the magnetic head.
【請求項5】 薄膜磁気ヘッドの製造段階における、薄膜
コイルとこれに連接したリード線およびリード線の形成
時に用いた余計なめっきベースを取り除いて、薄膜コイ
ルとこれに連接したリード線およびリード線の端子を形
成し、これらの上を絶縁するための絶縁層を成膜し、こ
の絶縁層の周りに残る薄膜コイルやリード線やリード線
の端子の成形時に用いためっきベースの残渣を酸性溶液
でケミカル・エッチングにより除去するようにしたこと
を特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
5. A thin-film coil, a lead wire connected to the thin-film coil, and an unnecessary plating base used for forming the lead wire are removed in a manufacturing stage of the thin-film magnetic head. The terminal of the plating base is formed, an insulating layer for insulating the above is formed, and the residue of the plating base used for forming the thin-film coil, the lead wire and the terminal of the lead wire remaining around the insulating layer is removed with an acidic solution. 3. A method for manufacturing a thin-film magnetic head according to claim 1, wherein said thin-film magnetic head is removed by chemical etching.
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