JP2976137B2 - Electron beam generator, image forming apparatus and recording apparatus using the same - Google Patents

Electron beam generator, image forming apparatus and recording apparatus using the same

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  • Electrodes For Cathode-Ray Tubes (AREA)
  • Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
  • Cold Cathode And The Manufacture (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、電子放出素子と電子放出素子から放出され
る電子線を変調するための変調電極とを備えた電子線発
生装置に関し、具体的には蛍光表示管等に適用が可能な
画像形成装置及び記録装置に関する。
Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electron beam generator including an electron-emitting device and a modulation electrode for modulating an electron beam emitted from the electron-emitting device. The present invention relates to an image forming apparatus and a recording apparatus applicable to a fluorescent display tube and the like.

[従来の技術] 従来、簡単な構造で電子の放出が得られる素子とし
て、例えば、エム アイ エリンソン(M.I.Elinson)
等によって発表された冷陰極素子が知られている。[ラ
ジオ エンジニアリング エレクトロン フィジッス
(Radio Eng.Electron.Phys.)第10巻、1290〜1296
頁、1965年] この種の電子放出素子としては、前記エリンソン等に
より開発されたSnO2(Sb)薄膜を用いたもの、Au薄膜に
よるもの[ジー・ディトマー“スイン ソリド フィル
ムス”(G.Diittmer:“Thin Solid Films"),9巻,317
頁,(1972年)]、ITO薄膜によるもの[エム ハート
ウェル アンド シー ジー フォンスタッド“アイ
イー イー イー トランス”イー ディー コンフ
(M.Hartwell and C.G.Fonstad:“IEEE Trans.ED C
onf.")519頁,(1975年)]、カーボン薄膜によるもの
[荒木久他:“真空",第26巻,第1号,22頁,(1983
年)]などが報告されている。
[Prior art] Conventionally, as an element which can obtain electron emission with a simple structure, for example, MIElinson
And the like are known. [Radio Engineering Electron Phys. Vol. 10, 1290-1296
P. 1965] Examples of this type of electron-emitting device include a device using a SnO 2 (Sb) thin film developed by Elinson et al. And a device using an Au thin film [G. Diittmer, “Sin Solid Films” : “Thin Solid Films”), 9, 317
Page, (1972)], using ITO thin film [M. Hartwell and CGFonstad: “IEEE Trans.ED C”
onf. ") p. 519, (1975)], using a carbon thin film [Hisashi Araki et al .:" Vacuum ", Vol. 26, No. 1, p. 22, (1983)
Year)].

また上記以外にも薄膜熱カソードやMIM形放出素子等
有望な電子放出素子が多数報告されている。
In addition to the above, many promising electron-emitting devices such as a thin-film thermal cathode and a MIM-type electron-emitting device have been reported.

これらは、成膜技術やホトリソグラフィー技術の急速
な進歩に伴い基板上に多数の素子を形成することが可能
となりつつあり、マルチ電子線源として、蛍光表示管、
平板型CRT等の各種画像形成装置への応用が期待される
ところである。
With the rapid progress of film formation technology and photolithography technology, it is becoming possible to form a large number of devices on a substrate.
Application to various image forming apparatuses such as a flat panel type CRT is expected.

これらの素子を画像形成装置に応用した場合、一般に
は、基板上に多数の素子を配列し、各素子間を薄膜もし
くは厚膜の電極で電気的に配線し、マルチ電子線源とし
て用いている。
When these elements are applied to an image forming apparatus, generally, a large number of elements are arranged on a substrate, and each element is electrically wired with a thin or thick film electrode, and used as a multi-electron beam source. .

これら電子線ディスプレイ装置は、基本的に次のよう
な構造からなる。
These electron beam display devices basically have the following structure.

第11図及び第12図は従来ディスプレイ装置の概要を示
すものである。本図中、51は基板、52は支持体、53は配
線電極、54は電子放出部、55は電子通過孔、56は変調電
極、57はガラス板、58は透明電極、59は画像形成部材
で、例えば蛍光体、レジスト材等電子が衝突することに
より発光,変色,帯電,変質等する部材から成る。
FIG. 11 and FIG. 12 show an outline of a conventional display device. In this figure, 51 is a substrate, 52 is a support, 53 is a wiring electrode, 54 is an electron emission portion, 55 is an electron passage hole, 56 is a modulation electrode, 57 is a glass plate, 58 is a transparent electrode, and 59 is an image forming member. For example, a member such as a phosphor or a resist material that emits light, changes its color, charges, deteriorates, or the like due to collision of electrons.

60はフェースプレート、61は蛍光体の輝点である。電
子放出部54は薄膜技術により形成され、基板(ガラス)
51とは接触することがない中空構造を成すものである。
配線電極53は電子放出部材と同一の材料を用いて形成し
ても、別材料を用いても良く、一般に融点が高く電気抵
抗の小さいものが用いられる。支持体52は絶縁体材料も
しくは導電体材料で形成されている。
Numeral 60 denotes a face plate, and numeral 61 denotes a luminescent spot of the phosphor. The electron emitting portion 54 is formed by a thin film technology, and is formed on a substrate (glass).
Reference numeral 51 denotes a hollow structure that does not contact.
The wiring electrode 53 may be formed using the same material as that of the electron-emitting member, or may be formed using another material. Generally, an electrode having a high melting point and a small electric resistance is used. The support 52 is formed of an insulator material or a conductor material.

これら電子線ディスプレイ装置は、配線電極53に電圧
を印加せしめ中空構造をなす電子放出部より電子を放出
させ、これら電子流を情報信号に応じて変調する変調電
極56に電圧を印加することにより電子を取り出し、取り
出した電子を加速させ蛍光体59に衝突させるものであ
る。また、配線電極53と変調電極56でXYマトリックスを
形成せしめ、画像形成部材たる蛍光体59上に画像表示を
行うものである。
In these electron beam display devices, a voltage is applied to a wiring electrode 53 to emit electrons from an electron emission portion having a hollow structure, and a voltage is applied to a modulation electrode 56 that modulates these electron flows according to an information signal, thereby obtaining an electron. Is taken out, and the taken out electrons are accelerated to collide with the phosphor 59. Further, an XY matrix is formed by the wiring electrode 53 and the modulation electrode 56, and an image is displayed on the phosphor 59 as an image forming member.

[発明が解決しようとする課題] しかしながら、上述従来の電子線ディスプレイには、
次のような問題点があった。
[Problems to be Solved by the Invention] However, the above-mentioned conventional electron beam display includes:
There were the following problems.

.第11図に示されるように変調電極56が、電子放出素
子(支持体52,配線電極53及び電子放出部54より成る)
の電子放出方向上部に配置される為、変調電極56の電子
通過孔55と電子放出素子の電子放出部54との位置合わせ
が難しく、大画面で高精細な画像表示装置を作製しがた
い。
. As shown in FIG. 11, the modulation electrode 56 is an electron-emitting device (consisting of a support 52, a wiring electrode 53, and an electron-emitting portion 54).
Therefore, it is difficult to align the electron passage hole 55 of the modulation electrode 56 with the electron emission portion 54 of the electron emission element, and it is difficult to manufacture a large-screen and high-definition image display device.

.同図に示されるように変調電極56と電子放出素子の
電子放出部54との間に空間を有して相方配置される為、
変調電極56と電子放出素子の電子放出部54との距離を、
全ての変調電極56と電子放出部54との間で揃えることが
難しく、大画面で高精細な画像表示装置を作製しがた
い。
. As shown in the same figure, since it is arranged side by side with a space between the modulation electrode 56 and the electron-emitting portion 54 of the electron-emitting device,
The distance between the modulation electrode 56 and the electron-emitting portion 54 of the electron-emitting device is
It is difficult to align all of the modulation electrodes 56 and the electron emission portions 54, and it is difficult to manufacture a large-screen, high-definition image display device.

.大画面で高精細な画像表示装置を作製しようとする
と、表示画像の輝度むらが顕著となってしまう。
. When an attempt is made to produce a large-screen, high-definition image display device, the luminance unevenness of the displayed image becomes remarkable.

一方、第12図に示された従来の電子線ディスプレイで
は、変調電極62が線状カソード64(電子放出素子)の電
子放出方向と反対側に配置されているため先述の問題点
は解消されるが、依然として先述の問題,につい
ては解消し得ない。
On the other hand, in the conventional electron beam display shown in FIG. 12, the above-mentioned problem is solved because the modulation electrode 62 is disposed on the side opposite to the electron emission direction of the linear cathode 64 (electron emission element). However, the above-mentioned problem cannot be solved.

そこで本発明は上記問題点に鑑みてなされた発明であ
って、その目的は、変調電極と電子放出素子との位置合
せが容易であるため、その作製が簡単な電子線発生装置
及びそれを用いた画像形成装置、記録装置を提供するこ
とである。
Therefore, the present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to easily align the modulation electrode and the electron-emitting device. To provide an image forming apparatus and a recording apparatus.

更に本発明の目的は、電子ビーム間での変調ムラの少
なく変調効率が良く、更には低電位駆動の可能な電子線
発生装置及びそれを用いた画像形成装置、記録装置を提
供することである。
It is a further object of the present invention to provide an electron beam generating apparatus which has less modulation unevenness between electron beams, has a high modulation efficiency, and can be driven at a low potential, and an image forming apparatus and a recording apparatus using the same. .

更に本発明の目的は表示画像のコントラストに優れ輝
度ムラのない画像形成装置及び記録画像のコントラスト
に優れ鮮明画像の得られる記録装置を提供することであ
る。
It is still another object of the present invention to provide an image forming apparatus which is excellent in contrast of a displayed image and has no luminance unevenness, and a recording apparatus which is excellent in contrast of a recorded image and can obtain a clear image.

[課題を解決するための手段] 上記の目的を達成すべくなされた本発明の構成は、以
下の通りである。
[Means for Solving the Problems] The configuration of the present invention achieved to achieve the above object is as follows.

すなわち、本発明の第1は、基板上に、基板面に沿っ
て並設された電極間に、該電極を介して電圧が印加され
る電子放出部を有する電子放出素子と、該電子放出素子
から放出される電子ビームを情報信号に応じて変調す
る、電子放出素子とは電気的に独立して設けた変調電極
とを有する電子線発生装置において、前記電子放出素子
と前記変調電極とが、前記基板の同一面上に配置されて
おり、前記変調電極の厚さは、前記電子放出素子の電極
の厚さよりも厚いことを特徴とする電子線発生装置にあ
る。
That is, a first aspect of the present invention is to provide an electron-emitting device having an electron-emitting portion to which a voltage is applied via electrodes between electrodes arranged side by side on a substrate and the electron-emitting device. Modulate the electron beam emitted from the information signal according to the information signal, the electron emitting device and a modulation electrode provided independently electrically, in the electron beam generator, the electron emitting element and the modulation electrode, The electron beam generator is arranged on the same surface of the substrate, wherein a thickness of the modulation electrode is larger than a thickness of an electrode of the electron-emitting device.

上記本発明の第1の電子線発生装置は、さらにその特
徴として、 前記変調電極が、前記電子放出素子を中心に該電子放
出素子から離れるに従ってより厚くなるような厚さの勾
配を有していること、またこの場合に、前記厚さの勾配
は、変調電極に設けられた段差によって形成されている
こと、 前記変調電極が、前記電子放出素子の電子放出部の長
さ方向により厚くなるような厚さの勾配を有しているこ
と、またこの場合に、前記厚さの勾配は、変調電極に設
けられた段差によって形成されていること、 前記変調電極の厚さが0.05μm〜3000μmの範囲であ
り、前記電子放出素子の電極の厚さが0.01μm〜500μ
mの範囲であること、 前記電子放出素子は、表面伝導形電子放出素子である
こと、をも含む。
The first electron beam generator of the present invention further has a feature that the modulation electrode has a thickness gradient such that the modulation electrode becomes thicker as the distance from the electron-emitting device increases with respect to the electron-emitting device. In this case, the thickness gradient is formed by a step provided in the modulation electrode, and the modulation electrode is thicker in the length direction of the electron emission portion of the electron emission element. In this case, the thickness gradient is formed by a step provided on the modulation electrode, and the modulation electrode has a thickness of 0.05 μm to 3000 μm. And the thickness of the electrode of the electron-emitting device is 0.01 μm to 500 μm.
m, and the electron-emitting device is a surface conduction electron-emitting device.

また、本発明の第2は、上記本発明の第1の電子線発
生装置の電子放出側に、電子の衝突により画像を形成す
る画像形成部材を有することを特徴とする画像形成装置
にある。
According to a second aspect of the present invention, there is provided the image forming apparatus according to the first aspect of the present invention, further comprising an image forming member on the electron emission side of the first electron beam generating apparatus for forming an image by collision of electrons.

また、本発明の第3は、上記本発明の第1の電子線発
生装置の電子放出側に、電子の衝突により発光する発光
体と該発光体からの光の照射により画像記録される被記
録体を有することを特徴とする記録装置にある。
Also, a third aspect of the present invention is a luminous element which emits light by collision of electrons and an image to be recorded on the electron emission side of the first electron beam generator of the present invention by irradiating light from the luminous element. The recording device has a body.

さらに、本発明の第4は、上記本発明の第1の電子線
発生装置の電子放出側に、電子の衝突により発光する発
光体と該発光体からの光の照射により画像記録される被
記録体の支持手段を有することを特徴とする記録装置に
ある。
In a fourth aspect of the present invention, a luminous body which emits light due to collision of electrons and an image to be recorded on the electron emission side of the first electron beam generator according to the first aspect of the present invention by irradiating light from the luminous body. A recording apparatus having a body support means.

第1図は本発明の電子線発生装置の一実施例を示す斜
視図であり、1は基板(リアプレート)、2は変調電極
(グリッド電極)、3は素子電極、4は電子放出部であ
る。第2図は第1図のA−A′線における断面図を示
す。
FIG. 1 is a perspective view showing an embodiment of an electron beam generator according to the present invention, in which 1 is a substrate (rear plate), 2 is a modulation electrode (grid electrode), 3 is an element electrode, and 4 is an electron emitting portion. is there. FIG. 2 is a sectional view taken along line AA 'of FIG.

ここで、基板1の材料としては、金属,ガラス,セラ
ミックス材料等、耐熱性、耐溶剤性に優れていればいず
れでも良い。
Here, the material of the substrate 1 may be any material such as metal, glass, and ceramics as long as it has excellent heat resistance and solvent resistance.

また、本発明における電子放出部4の形成に関して
は、従来公知の方法を用いることが可能であり、電極の
材料としては高い伝導性を有するものであればよく、例
えばAu,Ag,Al,In,Pt,Pd,Sn,Pb等の金属や、これらの合
金といった数多くの材料の適用が考えられる。
In addition, regarding the formation of the electron-emitting portion 4 in the present invention, a conventionally known method can be used, and any material having high conductivity may be used as a material of the electrode, for example, Au, Ag, Al, In, and the like. Numerous materials, such as metals such as Pt, Pt, Pd, Sn, and Pb, and alloys thereof, can be considered.

次に、上述した構成要素の具体的な寸法については、
基板1の板厚については、特に素子特性に影響を及ぼす
わけではないが、機械的強度等の面から0.8mm〜1mmが好
ましい。
Next, regarding the specific dimensions of the components described above,
The thickness of the substrate 1 does not particularly affect the element characteristics, but is preferably 0.8 mm to 1 mm in terms of mechanical strength and the like.

本発明においては、例えば図1に示されるように、電
子放出素子が、基板面に沿って並設された電極間に、こ
の電極を介して電圧が印加される電子放出部が有する電
子放出素子であり、変調電極2の厚さは、電子放出素子
の電極の厚さよりも厚く設計される。ここで、電子放出
素子の電極の厚さとは、電子放出素子の電子放出部に隣
接し合う電極部分の厚さをいう。通常、変調電極厚(第
2図中、L)は0.05〜3000μmであり、素子電極厚(第
2図中、l)は0.01〜500μmである。また変調電極と
素子電極との間隔(第2図中、S)は5〜500μmが好
ましい。
In the present invention, for example, as shown in FIG. 1, the electron-emitting device has an electron-emitting device in which an electron-emitting portion to which a voltage is applied via electrodes between electrodes arranged in parallel along the substrate surface The thickness of the modulation electrode 2 is designed to be larger than the thickness of the electrode of the electron-emitting device. Here, the thickness of the electrode of the electron-emitting device refers to the thickness of the electrode portion adjacent to the electron-emitting portion of the electron-emitting device. Normally, the modulation electrode thickness (L in FIG. 2) is 0.05 to 3000 μm, and the element electrode thickness (1 in FIG. 2) is 0.01 to 500 μm. The distance between the modulation electrode and the device electrode (S in FIG. 2) is preferably 5 to 500 μm.

また、後述の実施例で示す第4図〜第6図のように、
変調電極を段差状に形成することで、電子ビームの成
形、収束、変調をより容易にすることができる。
In addition, as shown in FIGS.
Forming, converging, and modulating the electron beam can be made easier by forming the modulation electrode in a stepped shape.

即ち、本発明においては、まず電子放出素子及び変調
電極が上記の配置を採ることによって、従来の変調電極
の電子通過孔と電子放出部との位置合せの問題と、変調
電極−電子放出部間距離の変動と不揃いの問題とを同時
に解決し得たのである。又、変調電極は本来、電子ビー
ムの放出経路内に配置されてある方が、変調効率の点で
望ましい。本発明においては、上記の配置を採るに伴
い、電子ビームの変調効率の点及び低電圧駆動化におい
ても更に改善された電子線発生装置とし得たのである。
That is, in the present invention, first, the above-described arrangement of the electron-emitting device and the modulation electrode causes the problem of alignment between the electron-passing hole of the conventional modulation electrode and the electron-emitting portion, and the gap between the modulation electrode and the electron-emitting portion. The problem of distance fluctuation and the problem of irregularity could be solved at the same time. Also, it is originally desirable that the modulation electrode is arranged in the emission path of the electron beam in terms of modulation efficiency. In the present invention, with the above arrangement, an electron beam generator can be further improved in terms of electron beam modulation efficiency and low voltage driving.

次に、本発明に係る電子放出素子について、更に詳述
する。
Next, the electron-emitting device according to the present invention will be described in more detail.

本発明における電子放出素子は先述した如く、上記の
条件を満すものであれば、一般に熱陰極,冷陰極と呼ば
れるいずれの電子放出素子であっても良いが、熱陰極の
場合には該絶縁性基体への熱拡散により、冷陰極の場合
よりも電子放出効率及び応答速度が低下する為、好まし
くは後述する表面伝導形放出素子、半導体電子放出素子
等の冷陰極が用いられる。特に、冷陰極の中でも表面伝
導形放出素子と呼ばれる電子放出素子を用いた方が、 1)一層高い電子放出効率が得られる、 2)構造が簡単であるため、製造が容易である、 3)同一基板上に高密度に多数の素子を配列形成でき
る、 4)応答速度が速い、 5)輝度コントラストが一層優れている、 等の利点を有するので特に好ましい。ここで、表面伝導
形放出素子とは、例えば、エム・アイ・エリンソン(M.
I.Elinson)等によって発表された冷陰極素子[ラジオ
・エンジニアリング・エレクトロン・フィジィッス(Ra
dio Eng.Electron.Phys.)第10巻,1290〜1296頁,1965
年]であり、これは基板面上に設けられた電極(素子電
極)間に形成された小面積の薄膜(電子放出部)に、該
電極間に電圧を印加して、該薄膜面に平行に電流を流す
ことによって電子放出する素子であり、前記エリンソン
等により開発されたSnO2(Sb)薄膜を用いたものの他、
Au薄膜によるもの[ジー・ディトマー:“スイン・ソリ
ッド・フィルムス”(G.Dittmer:“Thin Solid Film
s"),9巻,317頁,(1972年)]、ITO薄膜によるもの
[エム・ハートウェル・アンド・シー・ジー・フォンス
タッド:“アイ・イー・イー・イー・トランス・イー・
ディー・コンフ(M.Hartwell and C.G.Fonstad:“IEE
E Trans.ED Conf.")519頁,(1975年)]、カーボン
薄膜によるもの[荒木久他:“真空",第26巻,第1号,2
2頁,(1983年)]等が報告されている。また、我々は
鋭意検討した結果、新型表面伝導形電子放出素子を技術
開示した。
As described above, the electron-emitting device of the present invention may be any one of a so-called hot cathode and a cold cathode as long as it satisfies the above-mentioned conditions. Since the electron emission efficiency and the response speed are lower than the case of the cold cathode due to the thermal diffusion to the conductive substrate, a cold cathode such as a surface conduction electron-emitting device and a semiconductor electron-emitting device described later is preferably used. In particular, among the cold cathodes, the use of an electron-emitting device called a surface conduction electron-emitting device is advantageous in that: 1) higher electron emission efficiency is obtained; 2) the structure is simpler, and the production is easier; 3). It is particularly preferable because it has such advantages that a large number of elements can be arranged on the same substrate at high density, 4) the response speed is fast, and 5) the luminance contrast is more excellent. Here, the surface conduction electron-emitting device is, for example, MI Elinson (M.
I. Elinson, et al. [Cold cathode devices [Radio Engineering Electron Physics (Ra
dio Eng. Electron. Phys.) Volume 10, 1290-1296, 1965
In this method, a voltage is applied to a small-area thin film (electron-emitting portion) formed between electrodes (device electrodes) provided on the substrate surface, and a voltage is applied between the electrodes so as to be parallel to the thin-film surface. Is a device that emits electrons by passing a current through the device. In addition to the device using a SnO 2 (Sb) thin film developed by Elinson et al.,
By Au thin film [G. Dittmer: “Thin Solid Films”
s "), Vol. 9, p. 317, (1972)], using ITO thin film [M. Hartwell and C. G. Fonstad:" I.E.E.E.Trans.E.E. "
Dee Konf (M. Hartwell and CGFonstad: “IEE
E Trans. ED Conf. ") P. 519, (1975)], using a carbon thin film [Hisashi Araki et al .:" Vacuum ", Vol. 26, No. 1, 2,
2 (1983)]. As a result of our intensive studies, we have disclosed a new type of surface conduction electron-emitting device.

本発明で使用される表面伝導形電子放出素子は、上記
以外にも後述する様に、その電子放出部が金属微粒子の
分散によって形成されているものであっても良い。一般
に表面伝導形電子放出素子とは前記電極間隔が0.01μm
〜100μm、前記電子放出部のシート抵抗が103Ω/□〜
109Ω/□のものをいう。
The surface conduction electron-emitting device used in the present invention may be one in which the electron-emitting portion is formed by dispersion of metal fine particles as described later in addition to the above. Generally, the distance between the electrodes is 0.01 μm with a surface conduction electron-emitting device.
100100 μm, the sheet resistance of the electron-emitting portion is 10 3 Ω / □□
It refers to 10 9 Ω / □.

又、本発明においては、電子放出素子と変調電極に電
圧を印加する電圧印加手段は、別個独立して設けられ、
又、かかる電圧印加手段は各々、印加電圧可変手段をも
具備している。
Further, in the present invention, voltage applying means for applying a voltage to the electron-emitting device and the modulation electrode are provided separately and independently,
Each of the voltage applying means also has an applied voltage varying means.

又、本発明においては、その用途にもよるが、好まし
くは、電子放出素子がライン状に複数の電子放出部を有
する線電子放出素子であって、該線電子放出素子の複数
と該変調電極の複数とがXYマトリックスを構成するもの
である。この様に、電子放出部を多数有する、マルチ電
子線発生装置にあっては、特に、本発明の如き構成要件
を具備することは、各電子ビーム間での電子放出量ム
ラ、変調ムラを防止する上で好ましい。
In the present invention, although it depends on its use, preferably, the electron-emitting device is a linear electron-emitting device having a plurality of electron-emitting portions in a line, and a plurality of the linear electron-emitting devices and the modulation electrode Of the XY matrix. As described above, in the multi-electron beam generator having a large number of electron-emitting portions, in particular, having the constitutional requirements as in the present invention prevents unevenness in the amount of electron emission and unevenness in modulation between electron beams. It is preferable in doing.

以上、本発明の、主として電子線発生装置について詳
述したが、かかる電子線発生装置は画像形成装置及び記
録装置の電子源として特に好適に用いられる。
The electron beam generator of the present invention has been described in detail above, but such an electron beam generator is particularly suitably used as an electron source of an image forming apparatus and a recording apparatus.

本発明の電子線発生装置を用いた画像形成装置の一態
様例を第3図に示す。
FIG. 3 shows an embodiment of an image forming apparatus using the electron beam generator of the present invention.

第3図は表示パネルの構造を示しており、図中、17は
ガラス製の真空容器で、その一部である11は表示面側の
フェースプレートを示している。フェースプレート11の
内面には、例えばITOを材料とする透明電極が形成さ
れ、さらにその内側には、赤,緑,青の蛍光体(画像形
成部材)がモザイク状に塗り分けられ、CRTの分野では
公知のメタルバック処理が施されている。(透明電極,
蛍光体,メタルバックは図示せず。)また、前記透明電
極は、加速電圧を印加する為に端子13を通じて、真空容
器外と電気的に接続されている。
FIG. 3 shows the structure of the display panel. In the figure, reference numeral 17 denotes a vacuum vessel made of glass, and a part 11 thereof denotes a face plate on the display surface side. Transparent electrodes made of, for example, ITO are formed on the inner surface of the face plate 11, and red, green, and blue phosphors (image forming members) are separately painted in a mosaic shape on the inner side thereof, and are used in the field of CRT. A known metal back treatment is performed. (Transparent electrode,
Phosphor and metal back are not shown. Also, the transparent electrode is electrically connected to the outside of the vacuum vessel through a terminal 13 for applying an acceleration voltage.

また、前記真空容器17の底面には、本発明の電子線発
生装置が固定されている。1はガラス基板(絶縁性基
体)で、その上面には電子放出素子がN個×l列にわた
り配列形成されている。該電子放出素子群は、列毎に電
気的に並列接続されており、各列の正極側配線14(負極
側配線15)は、端子Dp1〜Dpl(端子Dm1〜Dml)によって
真空容器外と電気的に接続されている。
The electron beam generator of the present invention is fixed to the bottom surface of the vacuum vessel 17. Reference numeral 1 denotes a glass substrate (insulating substrate), on the upper surface of which electron emitting elements are arranged and formed in N × 1 rows. Electron-emitting device group is electrically connected in parallel for each column, positive-side wiring of each row 14 (the negative-side wiring 15), a terminal D p1 to D p l (terminal D m1 to D m l) Is electrically connected to the outside of the vacuum vessel.

また、基板1の上面には、変調電極(グリッド電極)
が設けられている。かかる変調電極(グリッド電極)2
は、前記素子列と直交してN本設けられており、また、
各変調電極(グリッド電極)2は、端子16(G1〜GN)に
よって真空容器外と電気的に接続されている。
A modulation electrode (grid electrode) is provided on the upper surface of the substrate 1.
Is provided. Such a modulation electrode (grid electrode) 2
Are provided N at right angles to the element row.
Each modulation electrode (grid electrode) 2 is electrically connected to the outside of the vacuum vessel by terminals 16 (G 1 to G N ).

本表示パネルでは、l個の電子放出素子列(線電子放
出素子)と、N個の変調電極(グリッド電極)列によ
り、XYマトリクスが構成されている。上記電子放出素子
列を一列づつ順次駆動(走査)するのと同期して変調電
極(グリッド電極)に情報信号に応じて画像1ライン分
の変調信号を同時に印加することにより、各電子ビーム
の蛍光体への照射を制御し、画像を1ラインづつ表示し
ていくものである。
In this display panel, an XY matrix is constituted by one electron emission element row (line electron emission element) and N modulation electrode (grid electrode) rows. By simultaneously applying a modulation signal for one line of an image to a modulation electrode (grid electrode) in accordance with an information signal in synchronization with sequentially driving (scanning) the electron emission element rows one by one, the fluorescence of each electron beam is increased. The irradiation to the body is controlled, and the image is displayed line by line.

以上述べた画像形成装置は、先述した本発明の電子線
発生装置の有する利点に起因して、とりわけ高解像性,
輝度むらがなく、高輝度、高コントラストの表示画像が
得られる画像形成装置となる。
The above-described image forming apparatus has high resolution, especially, because of the advantages of the electron beam generator of the present invention described above.
The image forming apparatus is capable of obtaining a display image with high brightness and high contrast without uneven brightness.

次に、本発明の電子線発生装置を用いた記録装置の一
態様例を第7図に示す。
Next, FIG. 7 shows an embodiment of a recording apparatus using the electron beam generator of the present invention.

第7図は光プリンターの概略構造を示しており、図
中、47はガラス製の真空容器で、その一部である41は被
記録体45に向け光線が発せられるフェースプレートを示
している。フェースプレート41の内面には、例えばITO
を材料とする透明電極が形成され、さらにその内側に
は、蛍光体(発光体)が配設されており、CRTの分野で
は公知のメタルバック処理が施されている。(透明電
極,蛍光体,メタルバックは図示せず。)また、前記透
明電極は、加速電圧を印加する為に端子43を通じて、真
空容器外と電気的に接続されている。
FIG. 7 shows a schematic structure of an optical printer. In the figure, reference numeral 47 denotes a vacuum container made of glass, in which 41, a part of which is a face plate, which emits a light beam toward a recording medium 45. On the inner surface of the face plate 41, for example, ITO
Is formed, and a phosphor (light-emitting body) is further provided inside the transparent electrode, and a metal back treatment known in the field of CRT is performed. (The transparent electrode, the phosphor, and the metal back are not shown.) The transparent electrode is electrically connected to the outside of the vacuum vessel through a terminal 43 for applying an acceleration voltage.

また、前記真空容器47の底面には、先述した本発明の
電子線発生装置が固定されている。1はガラス基板(絶
縁性基体)で、その上面には電子放出素子が1列に配列
形成されている。該電子放出素子群の正極側配線(負極
側配線)44は、端子Dp,Dmによって真空容器外と電気的
に接続されている。
The above-described electron beam generator of the present invention is fixed to the bottom surface of the vacuum container 47. Reference numeral 1 denotes a glass substrate (insulating base) on which electron-emitting devices are arranged in a row. Positive-side wiring of the electron-emitting element group (the negative-side wiring) 44 is electrically connected to the vacuum chamber outside the terminal D p, D m.

また、基板1の上面には、変調電極(グリッド電極)
が設けられている。かかる変調電極(グリッド電極)4
は、前記素子列と直交してN本設けられており、また、
各変調電極(グリッド電極)4は、端子46(G1〜GN)に
よって真空容器外と電気的に接続されている。
A modulation electrode (grid electrode) is provided on the upper surface of the substrate 1.
Is provided. Such a modulation electrode (grid electrode) 4
Are provided N at right angles to the element row.
Each modulation electrode (grid electrode) 4 is electrically connected to the vacuum chamber outside the terminal 46 (G 1 ~G N).

本光プリンターでは、上記電子放出素子列を駆動する
のと同期して変調電極(グリッド電極)に情報信号に応
じて画像1ライン分の変調信号を同時に印加することに
より、各電子ビームの蛍光体(発光体)への照射を制御
し、画像1ライン分の発光パターンを形成する。該発光
パターンに従い、発光体から放出された光線は、被記録
体に照射され、該被記録体が感光材である場合には感光
パターンが形成され、又、該被記録体が感熱材である場
合には感熱パターンが、被記録体表面に形成される。以
上の動作を、第8図(a),(b)に示す如く被記録体
或いは発光源51(第7図、48)を1ライン毎に走査しな
がら全画像ラインに対して順次繰返すことにより、被記
録体表面に画像記録を行う。ここで、該被記録体は、第
8図(a),(b)に示す様に感光(感熱)シート54で
あって良く、この場合、記録装置は該シートを支持する
為の支持体(例えば、ドラム52,搬送ローラ53)を有し
ている。又、該被記録体は第9図に示す様に感光ドラム
64であっても良い。
In this optical printer, the modulation signal for one line of the image is simultaneously applied to the modulation electrode (grid electrode) in accordance with the information signal in synchronization with the driving of the above-mentioned electron emission element array, so that the phosphor of each electron beam is emitted. The irradiation of the (light emitting body) is controlled to form a light emitting pattern for one line of the image. According to the light emission pattern, the light emitted from the light emitter is irradiated on the recording medium, and when the recording medium is a photosensitive material, a photosensitive pattern is formed, and the recording medium is a heat-sensitive material. In this case, a heat-sensitive pattern is formed on the surface of the recording medium. The above operation is sequentially repeated for all image lines while scanning the recording medium or the light emitting source 51 (FIG. 7, 48) line by line as shown in FIGS. 8 (a) and 8 (b). Then, image recording is performed on the surface of the recording medium. Here, the recording medium may be a photosensitive (heat-sensitive) sheet 54 as shown in FIGS. 8 (a) and 8 (b), and in this case, the recording apparatus uses a support ( For example, it has a drum 52 and a transport roller 53). The recording medium is a photosensitive drum as shown in FIG.
It may be 64.

第9図の装置を説明すると、ドラム状の被記録体64の
周囲には、上記発光源61の他に、回転方向に沿って順
に、現像機65、除電器66、クリーナー67及び帯電器68が
設けられている。
9, the developing device 65, the static eliminator 66, the cleaner 67, and the charger 68 are arranged around the drum-shaped recording medium 64 along the rotation direction in addition to the light emitting source 61. Is provided.

まず、発光源61の発光によって画像が表わされ、この
画像の光が被記録体64に照射されて被記録体64を感光さ
せる。被記録体64の感光部分は除電し、非感光部が現像
機65から供給されるトナーを吸着する。
First, an image is represented by light emission of the light emitting source 61, and light of this image is irradiated on the recording medium 64 to expose the recording medium 64. The photosensitive portion of the recording medium 64 is neutralized, and the non-photosensitive portion adsorbs the toner supplied from the developing device 65.

上記トナーを吸着した部分は被記録体64の回転と共に
移動し、除電器66によって帯電が解除されると、吸着さ
れていたトナーが落下する。この時、被記録体64と除電
器66の間には、画像を形成すべき紙69が位置しており、
トナーはこの紙69上に落下される。
The portion on which the toner is adsorbed moves with the rotation of the recording medium 64, and when the charge is released by the charge remover 66, the adsorbed toner drops. At this time, a paper 69 on which an image is to be formed is located between the recording medium 64 and the static eliminator 66,
The toner is dropped on the paper 69.

トナーを受止めた紙69は、定着装置(図示されていな
い)へと移動し、ここでトナーが紙69上に定着され、紙
69上に、発光源61で表わされた画像が再現記録される。
The paper 69 having received the toner moves to a fixing device (not shown), where the toner is fixed on the paper 69,
An image represented by the light emitting source 61 is reproduced and recorded on 69.

一方、ドラム状の被記録体64は更に回転してクリーナ
ー67へと移動し、ここで残留するトナーが払い落され、
更に帯電器68によって帯電状態を形成するものである。
On the other hand, the drum-shaped recording medium 64 further rotates and moves to the cleaner 67, where the remaining toner is removed,
Further, a charged state is formed by the charger 68.

以上述べた記録装置は、先述した本発明の電子線発生
装置の有する利点に起因して、とりわけ高解像性、高速
性に優れ、露光むらがなく、高コントラストで鮮明な記
録画像が得られる。
The recording apparatus described above is particularly excellent in high resolution, high speed, has no exposure unevenness, and can obtain a clear and high-contrast recorded image due to the advantages of the electron beam generator of the present invention described above. .

[実施例] 以下、本発明に係る実施例により、本発明の具体的製
造例と作用効果を示す。
[Examples] Hereinafter, specific examples of the present invention and the effects thereof will be described by examples according to the present invention.

実施例1 第1図及び第2図に示す態様の電子線発生装置を作製
した。
Example 1 An electron beam generator of the embodiment shown in FIGS. 1 and 2 was manufactured.

まず、製造工程を詳述する。 First, the manufacturing process will be described in detail.

リアプレート1である石英ガラス(コーニング社製)
を、中性洗剤によるこすり洗い、有機溶剤による超音波
洗浄等で十分に洗浄した後、ホトリソグラフィー技術に
よりレジストパターンを形成した。
Quartz glass as rear plate 1 (Corning)
Was sufficiently cleaned by rubbing with a neutral detergent, ultrasonic cleaning with an organic solvent, and the like, and then forming a resist pattern by photolithography.

次に抵抗加熱法により、密着性向上のための下引き材
であるTiを膜厚50Åとなるように、また素子電極材であ
るNiを膜厚950Åとなるようにレジストパターン上に全
面蒸着した後、リフトオフ法により素子電極パターンを
形成した。この時の素子電極3の幅は15μm、厚さは0.
1μm、電極ギャップは2μmであった。
Next, by a resistance heating method, Ti, which is an undercoating material for improving adhesion, was deposited on the resist pattern so as to have a thickness of 50 mm, and Ni, which was an element electrode material, to have a thickness of 950 mm. Thereafter, an element electrode pattern was formed by a lift-off method. At this time, the width of the device electrode 3 is 15 μm, and the thickness is 0.
1 μm and the electrode gap was 2 μm.

次に放出材料をパターニングするためのCrを抵抗加熱
法により、膜厚1000Åとなるように全面蒸着した。
Next, Cr for patterning the emission material was vapor-deposited on the entire surface by a resistance heating method so as to have a thickness of 1000 mm.

次のホトリソグラフィー技術を用い、放出部近傍(25
μm×150μm)のCrのみを除去するためのレジストパ
ターンを形成した。
Using the following photolithography technology, the emission area (25
A resist pattern for removing only Cr (μm × 150 μm) was formed.

次にエッチングにより所望のCrを除去した。エッチャ
ントには硝酸セリウムアンモニウム、過塩素酸水溶液を
用いた。
Next, desired Cr was removed by etching. Cerium ammonium nitrate and perchloric acid aqueous solution were used as an etchant.

次に有機パラジウム(奥野製薬社製CCP−4230)を分
散塗布し、その後大気中300℃下、12分間焼成して、放
出材料であるパラジウムを全面に形成した。
Next, organic palladium (CCP-4230 manufactured by Okuno Pharmaceutical Co., Ltd.) was dispersed and applied, and then baked at 300 ° C. in the air for 12 minutes to form palladium as a release material on the entire surface.

次にのエッチャントを用い放出材料パターニング用
Crをエッチアウトした。
For patterning emission material using next etchant
Cr was etched out.

次に、抵抗加熱法のかわりにEB蒸着法を用い、Cr50Å
厚、Cu1μm厚を素子電極パターン形成と同様の方法で
形成し、変調電極2とした。この時、素子電極3・変調
電極2間の距離は25μmとした。
Next, EB evaporation was used instead of the resistance heating method,
A modulation electrode 2 having a thickness of 1 μm and a thickness of 1 μm was formed in the same manner as in the formation of the element electrode pattern. At this time, the distance between the element electrode 3 and the modulation electrode 2 was 25 μm.

上記手法により作製した電子線発生装置を、この装置
上方5mmに配置された蛍光板と共に、2×10-6Torrの環
境下において外部より蛍光板に1KVの電圧を印加し素子
電極間に14Vの電圧パルスを印加した。
The electron beam generator manufactured by the above method was applied to a fluorescent plate placed 5 mm above the device together with a fluorescent plate placed at 5 mm above, and a voltage of 1 KV was externally applied to the fluorescent plate under a 2 × 10 -6 Torr environment, and a 14 V voltage pulse was applied between the device electrodes. Was applied.

その結果、蛍光板に放出された電子ビームに対応する
スポット光が観察された。更に変調電極に−30V〜+20V
の電圧を印加したところ、変調電圧に対応して電子ビー
ム量が連続的に変化した。またこの時変調電圧が−30V
以下でOFF制御+30V以上でON制御が可能であった。
As a result, spot light corresponding to the electron beam emitted to the phosphor plate was observed. -30V to + 20V for modulation electrode
When the voltage was applied, the amount of electron beam changed continuously in accordance with the modulation voltage. At this time, the modulation voltage is -30V
Below, the ON control was possible with the OFF control + 30 V or more.

更に、上記において素子電極(幅15μm,厚さ0.1μ
m)を固定し、変調電極の幅及び厚さを変えた場合のカ
ットオフ電圧は次の通りであった。
Further, in the above, the device electrodes (width 15 μm, thickness 0.1 μm)
m) was fixed, and the cut-off voltage when the width and thickness of the modulation electrode were changed was as follows.

即ち、変調電極の厚さを大きくすることによって、OF
F制御の場合、カットオフ電圧を小さくすることができ
る。またON制御の場合には、幅が広い程収束性が向上し
た。
That is, by increasing the thickness of the modulation electrode,
In the case of F control, the cutoff voltage can be reduced. In the case of ON control, the convergence improved as the width increased.

実施例2 第3図は本発明の他の実施例として画像表示装置を示
す斜視図である。1はガラス基板、2は変調電極、3は
素子電極、4は電子放出部、11はフェースプレート、12
はリアプレートである。
Embodiment 2 FIG. 3 is a perspective view showing an image display device as another embodiment of the present invention. 1 is a glass substrate, 2 is a modulation electrode, 3 is an element electrode, 4 is an electron emitting portion, 11 is a face plate, 12
Is a rear plate.

電子放出素子をライン状に2mmピッチで複数配列し、
かつ複数の変調電極2を該ライン状電子放出素子に、配
線電極との絶縁性を保持したまま直交させた以外は実施
例1と全く同様の方法にて基板1である青板ガラス(市
川特殊ガラス社製)上に電子線発生装置を形成した。な
お、配線電極は実施例1中の変調電極も同様の方法で形
成し、上記絶縁層はスパッタ法によりSiO2を必要部のみ
にマスクデポジションした。
A plurality of electron-emitting devices are arranged in a line at a pitch of 2 mm,
In addition, except that the plurality of modulation electrodes 2 are orthogonal to the line-shaped electron-emitting devices while maintaining the insulation property with respect to the wiring electrodes, a blue plate glass (Ichikawa special glass An electron beam generator was formed on the same. Note that the wiring electrodes were formed in the same manner as the modulation electrodes in Example 1, and the insulating layer was mask-deposited with SiO 2 only on necessary portions by sputtering.

次に画像形成部材である蛍光体を有するフェースプレ
ート11を基板1から5mm(=h)離して設け、画像表示
装置を作製した。
Next, a face plate 11 having a phosphor as an image forming member was provided at a distance of 5 mm (= h) from the substrate 1 to produce an image display device.

次に、本実施例の駆動方法を説明する。 Next, a driving method of the present embodiment will be described.

蛍光体面の電圧をEV端子13を通じて0.8kV〜1.5kVに設
定する。配線14,15を通じて、一対の素子配線電極に
(本実施例では14Vの)電圧パルスを印加し、線状に並
べた複数の電子放出素子から電子を放出させる。放出さ
れた電子は、情報信号に対応して線変調電極群に配線16
を通じて電圧を印加することにより電子ビームをON/OFF
制御する。変調電極2により引き出された電子は、加速
し蛍光体に衝突する。蛍光体は情報信号に応じて一ライ
ンの表示を行う。次にこの隣りの配線電極に(本実施例
では14Vの)電圧パルスを印加し上述した一ラインの表
示を行う。これを順次行うことにより一画面の画像を形
成した。つまり、配線電極群を走査電極として、走査電
極と変調電極でXYマトリックスを形成し画像を表示し
た。尚、素子に印加するパルス電圧は、素子の材料や構
造にもよるが、一般的には8〜20Vの範囲である。
The voltage of the phosphor surface is set to 0.8 kV to 1.5 kV through the EV terminal 13. A voltage pulse (14 V in this embodiment) is applied to the pair of element wiring electrodes through the wirings 14 and 15, and electrons are emitted from the plurality of electron-emitting devices arranged in a line. The emitted electrons are connected to a line modulation electrode group in accordance with the information signal.
ON / OFF the electron beam by applying voltage through
Control. The electrons extracted by the modulation electrode 2 accelerate and collide with the phosphor. The phosphor displays one line according to the information signal. Next, a voltage pulse (14 V in this embodiment) is applied to the adjacent wiring electrode, and the above-described one-line display is performed. By sequentially performing this, an image of one screen was formed. That is, an image was displayed by forming an XY matrix with the scanning electrodes and the modulation electrodes using the wiring electrode group as the scanning electrodes. The pulse voltage applied to the device depends on the material and structure of the device, but is generally in the range of 8 to 20 V.

本実施例の表面伝導形電子放出素子は、100ピコ秒以
下の電圧パルスに応答して駆動できるので、1画面を30
分の1秒で画像を表示すると1万本以上の走査線数が形
成可能である。
The surface conduction electron-emitting device of this embodiment can be driven in response to a voltage pulse of 100 picoseconds or less, so that one screen
When an image is displayed in a fraction of a second, 10,000 or more scanning lines can be formed.

また、変調電極群に印加する電圧は−30V以下で電子
ビームをOFF制御し、20V以上でON制御した。また、−30
V〜20Vの間で電子ビームの量が連続的に変化した。よっ
て、変調電極2に印加する電圧により階調表示が可能で
あった。
Also, the voltage applied to the modulation electrode group was controlled to OFF when the electron beam was -30 V or less, and the ON control was performed when the voltage was 20 V or more. Also, -30
The amount of electron beam changed continuously between V and 20V. Therefore, gradation display was possible by the voltage applied to the modulation electrode 2.

変調電極2に印加する電圧によって電子ビームが制御
できる理由は、変調電極の電圧によって電子放出部4近
傍の電位がプラスからマイナスまで変化し、電子ビーム
が加速または減速することに基づく。また、本実施例で
は電子放出部4を挟む位置に変調電極2を設けている
が、これに限定されるものではなく、一つの変調電極で
も変調電圧を高くすれば同様に電子ビームを制御でき
る。
The reason that the electron beam can be controlled by the voltage applied to the modulation electrode 2 is based on the fact that the voltage near the electron emission portion 4 changes from plus to minus by the voltage of the modulation electrode, and the electron beam accelerates or decelerates. Further, in the present embodiment, the modulation electrode 2 is provided at a position sandwiching the electron emission portion 4, but the present invention is not limited to this, and the electron beam can be similarly controlled by increasing the modulation voltage with only one modulation electrode. .

以上説明したように、電子放出素子と変調電極が同一
基体上に同一プロセスで形成されているのでアライメン
トが容易で、かつ、薄膜製造技術で作製している為、大
画面で高精細なディスプレイを安価に得ることができ
た。さらに、電子放出部4と変調電極2の間隔を極めて
精度良く作製することができ、高解像性の画像表示装置
を得ることができた。
As described above, since the electron-emitting device and the modulation electrode are formed on the same substrate by the same process, alignment is easy, and since the thin-film manufacturing technology is used, a large-screen, high-definition display is provided. I could get it cheaply. Further, the interval between the electron emitting portion 4 and the modulation electrode 2 can be manufactured with extremely high precision, and a high-resolution image display device can be obtained.

また、表面伝導形電子放出素子においては数ボルトの
初速度を持った電子が真空中に放出されるが、このよう
な素子の変調に対して本発明は極めて有効である。
In a surface conduction electron-emitting device, electrons having an initial velocity of several volts are emitted into a vacuum. The present invention is extremely effective for modulation of such a device.

又、表示画像全体は、高輝度、高コントラストであ
り、輝度むらもなかった。
Further, the entire display image had high luminance and high contrast, and there was no luminance unevenness.

実施例3 第4図は、本発明の別の実施例を示す斜視図である。Embodiment 3 FIG. 4 is a perspective view showing another embodiment of the present invention.

第4図に示した、この実施例の製造工程を詳細に述べ
る。
The manufacturing process of this embodiment shown in FIG. 4 will be described in detail.

先ず、絶縁性基板1に石英ガラスを用い、中性洗剤に
よるこすり洗浄を行い、ついで、アセトン、IPA、酢酸
ブチルなどの有機溶剤による超音波洗浄等を充分に行
い、基板洗浄した後、フォトリソグラフィー技術によ
り、フォトレジストパターンを形成した。
First, quartz glass is used for the insulating substrate 1 and rubbing and cleaning is performed using a neutral detergent. Then, ultrasonic cleaning and the like are sufficiently performed using an organic solvent such as acetone, IPA, and butyl acetate. A photoresist pattern was formed by the technique.

次に、上記により形成した絶縁性基板1及びフォトレ
ジスト上全面に、抵抗加熱法により密着性向上の為の材
料にTiを用い、膜厚約50Åを真空成膜し、ついで素子電
極材料にNiを用い、膜厚約950Åを真空成膜した。つい
でリフトオフ法によりフォトレジストを除去し、素子電
極3,3′を形成した。本実施例では、素子電極幅を15μ
m、電極間隔を2μmとした。
Next, Ti is used as a material for improving adhesion by using a resistance heating method, and a vacuum film is formed to a thickness of about 50 mm on the entire surface of the insulating substrate 1 and the photoresist formed as described above. Was used to form a film with a thickness of about 950 mm under vacuum. Then, the photoresist was removed by a lift-off method to form device electrodes 3, 3 '. In this embodiment, the element electrode width is set to 15 μm.
m, and the electrode spacing was 2 μm.

次に、電子放出材料を電子放出部近傍のみに形成する
為、電子放出材形成材料にCrを用い、抵抗加熱法により
全面に膜厚約1000Åを真空成膜した。
Next, in order to form the electron-emitting material only in the vicinity of the electron-emitting portion, Cr was used as the electron-emitting material forming material, and a vacuum film was formed to a thickness of about 1000 mm over the entire surface by a resistance heating method.

次にフォトリソグラフィー技術により、電子放出部近
傍25μm×150μmのみ、Crを除去する為、フォトレジ
ストを形成した。
Next, a photoresist was formed by photolithography in order to remove Cr only in the vicinity of 25 μm × 150 μm near the electron-emitting portion.

次に、ウエットエッチングによりCrを所望の寸法に除
去した。使用したエッチャントは、硝酸セリウムアンモ
ニウム、過塩素酸水溶液である。
Next, Cr was removed to a desired size by wet etching. The etchants used were cerium ammonium nitrate and aqueous perchloric acid.

次に、電子放出材料に、有機パラジウム(奥野製薬製
CCP−4230)を分散塗布し、大気中で約300℃、12min間
焼成し、全面に電子放出材料を形成した。
Next, organic palladium (Okuno Pharmaceutical Co., Ltd.)
CCP-4230) was dispersed and applied, and baked at about 300 ° C. for 12 minutes in the air to form an electron emission material on the entire surface.

次にで用いたエッチャントを用い電子放出材料パタ
ーン形成用Crをエッチングし、所望の位置のみ、電子放
出材料を形成した。
Next, the electron-emitting material pattern forming Cr was etched using the etchant used in the above to form an electron-emitting material only at a desired position.

次に、変調電極を形成した。まず第1層目の変調電極
をEB蒸着法、リフトオフ法(素子電極と同様の方法によ
る)により、密着性向上の為の材料にCrを用い、膜厚約
50Å、変調電極材料にCuを用い、膜厚約1.0μmを形成
した。この時、素子電極と変調電極の間隔は25μmとし
た。
Next, a modulation electrode was formed. First, the modulation electrode of the first layer was formed by EB vapor deposition and lift-off (by the same method as the element electrode) using Cr as a material for improving the adhesion, and having a film thickness of approximately
A thickness of about 1.0 μm was formed at 50 ° using Cu as a modulation electrode material. At this time, the interval between the device electrode and the modulation electrode was 25 μm.

ついで、第2層目の変調電極を、第1層目の方法、材
料、構成により、第1層目の電極端より5μm短く、第
4図のごとく形成した。
Next, the modulation electrode of the second layer was formed by the method, material, and configuration of the first layer to be 5 μm shorter than the electrode end of the first layer, as shown in FIG.

ついで第3層目の変調電極を、第2層目の変調電極の
形成方法、材料、構成により、第2層目の電極端より5
μm短く形成した。
Then, the third-layer modulation electrode is connected to the second-layer electrode by 5 mm from the electrode end of the second-layer modulation electrode according to the method, material, and configuration of the second-layer modulation electrode.
It was formed shorter by μm.

上記の如く、製造した電子線発生装置及び前記電子線
発生装置の上方5mmの位置に配置されたガラス基板上に
透明電極、蛍光体材料、メタルバックから構成(図示せ
ず)された蛍光板5と共に、約2×10-6torrの真空雰囲
気下に於いて、外部より蛍光体5に1KVの電圧を印加
し、素子電極3,3′間に14Vの電圧パルス印加した。
As described above, together with the manufactured electron beam generator and the fluorescent plate 5 (not shown) composed of a transparent electrode, a phosphor material, and a metal back on a glass substrate arranged at a position 5 mm above the electron beam generator. Under a vacuum atmosphere of about 2 × 10 −6 torr, a voltage of 1 KV was applied to the phosphor 5 from the outside, and a voltage pulse of 14 V was applied between the device electrodes 3 and 3 ′.

その結果、蛍光板5に放出された電子ビームに対応す
るスポット光が観察された。更に、変調電極2,2′に−3
0Vから+20Vの電圧を印加したところ、変調電圧に対応
して電圧ビーム量が連続的に変化した。
As a result, spot light corresponding to the electron beam emitted to the fluorescent screen 5 was observed. Further, −3 is applied to the modulation electrodes 2, 2 ′.
When a voltage from 0 V to +20 V was applied, the voltage beam amount continuously changed according to the modulation voltage.

更に、変調電極2,2′の長手方向すなわち、電子放出
部に対し直交方向の電子ビームを容易に整形・収束出来
る効果を得ることができた。
Further, an effect of easily shaping and converging the electron beam in the longitudinal direction of the modulation electrodes 2, 2 ', that is, in the direction perpendicular to the electron emission portion, was obtained.

また、この時、変調電圧が−30V以下で、OFF制御、+
30V以上でON制御が可能であった。
At this time, when the modulation voltage is -30 V or less, OFF control, +
ON control was possible at 30V or more.

実施例4 第5図に、本発明の別の実施例を示す。Embodiment 4 FIG. 5 shows another embodiment of the present invention.

本実施例は、第4図に示した実施例と同様の製造工程
で作製した。尚、変調電極の構成は素子電極と変調電極
の間隔を25μmと、第2層目を第1層目の電極端から5
μmの位置に、さらに、第3層目を第2層目の電極端か
ら5μmの位置に、3段からなる階段状の電極とした。
This example was manufactured by the same manufacturing process as the example shown in FIG. The configuration of the modulation electrode is such that the distance between the element electrode and the modulation electrode is 25 μm, and the second layer is 5 mm from the electrode end of the first layer.
At a position of μm, the third layer was a step-like electrode having three steps at a position of 5 μm from the electrode end of the second layer.

上記の如く製造した電子線発生装置を実施例3と同様
の方法、構成で画像表示部材(フェースプレート)5に
より放出された電子ビームに対応するスポット光を観察
した。その結果、変調電極2,2′に−30Vから+20Vの電
圧を印加したところ、変調電圧に対応して電子ビーム量
が連続的に変化した。
With the electron beam generator manufactured as described above, spot light corresponding to the electron beam emitted from the image display member (face plate) 5 was observed in the same manner and configuration as in Example 3. As a result, when a voltage of −30 V to +20 V was applied to the modulation electrodes 2 and 2 ′, the amount of the electron beam continuously changed according to the modulation voltage.

更に、上記実施例3での電子ビームは、素子電極に印
加された電圧に対し、正電位側にずれる特性を示した
が、本実施例によれば、電子ビームの上記特性を補正し
て、電子ビームを変向出来る効果を得ることができた。
Further, although the electron beam in the third embodiment has a characteristic that shifts to the positive potential side with respect to the voltage applied to the element electrode, according to the present embodiment, the characteristic of the electron beam is corrected, The effect of turning the electron beam was obtained.

また、この時、変調電極電圧が−30V以下で、OFF制
御、+30V以上でON制御が可能であった。
At this time, OFF control was possible when the modulation electrode voltage was −30 V or less, and ON control was possible when the modulation electrode voltage was +30 V or more.

実施例5 第6図に、本発明の別の実施例を示す。Embodiment 5 FIG. 6 shows another embodiment of the present invention.

本実施例は、実施例3と同様の製造工程で作製した。
尚、変調電極の構成は、素子電極と変調電極の間隔を25
μmとし、第1層目の各々1辺の電極端から5μmの位
置に第2層目を形成し、さらに、第3層目を第2層目と
同様に、電極端から5μmの位置に、段差状に第6図の
如く形成した。
This example was manufactured by the same manufacturing process as Example 3.
Note that the configuration of the modulation electrode is such that the distance between the element electrode and the modulation electrode is 25.
μm, a second layer is formed at a position of 5 μm from the electrode end of each side of the first layer, and a third layer is formed at a position of 5 μm from the electrode end similarly to the second layer. It was formed as a step as shown in FIG.

上記の如く製造した、電子線発生装置を実施例3と同
様の方法、構成で、画像表示部材(フェースプレート)
5により放出された電子ビームに対応するスポット光を
観察した。その結果、変調電極2,2′に−30Vから+20V
の電圧を印加したところ、変調電圧に対応して電子ビー
ム量が連続的に変化した。
An image display member (face plate) is manufactured by using the electron beam generator manufactured as described above in the same manner and configuration as in the third embodiment.
The spot light corresponding to the electron beam emitted by 5 was observed. As a result, -30V to + 20V is applied to the modulation electrodes 2, 2 '.
When the voltage was applied, the amount of electron beam changed continuously in accordance with the modulation voltage.

更に、上記電子ビームの整形、収束、変調を容易に変
化させることが出来た。
Further, the shaping, convergence, and modulation of the electron beam could be easily changed.

つまり、素子電極厚よりも変調電極厚を厚くし、さら
に実施例3〜5で述べた様に変調電極厚に意図的に分布
をもたせることにより、更なるビーム整形,収束,変調
を容易にすることが出来る。
That is, by making the modulation electrode thickness larger than the element electrode thickness and intentionally giving the modulation electrode thickness a distribution as described in the third to fifth embodiments, further beam shaping, convergence, and modulation are facilitated. I can do it.

具体的には実施例3では電子放出部からの水平距離の
電界の歪み補正、実施例4では配線電極間の電界の歪み
補正、実施例5では前記歪み両者の補正が可能というこ
とである。
Specifically, in the third embodiment, it is possible to correct the distortion of the electric field at a horizontal distance from the electron-emitting portion, in the fourth embodiment, it is possible to correct the electric field between the wiring electrodes, and in the fifth embodiment, it is possible to correct both of the distortion.

また前記歪み補正に関して例えば第10図(a)及び
(b)に示す様に変調電極の平面形状によっても補正可
能であったことをここに述べておく。
It should be noted here that the distortion can be corrected by the planar shape of the modulation electrode as shown in FIGS. 10 (a) and 10 (b), for example.

なお、この時変調電極電圧が−30V以下でOFF制御+30
V以上でON制御が可能であった。
At this time, when the modulation electrode voltage is -30V or less, OFF control +30
ON control was possible above V.

実施例6 第7図は本発明の実施例である光プリンターの概略的
構成図である。図中47はガラス製の真空容器、41はフェ
ースプレート、43は蛍光体に電圧印加する為の電極、42
はリアプレート、1はガラス基板(絶縁性基体)、4は
表面伝導形電子放出素子の電子放出部、2は変調電極、
44は電子放出素子に電圧を印加する為の電極(DP,
Dm)、46は変調電極2に電圧を印加する為の電極(G1
GN)、48は発光源、45は被記録体である。
Embodiment 6 FIG. 7 is a schematic structural view of an optical printer according to an embodiment of the present invention. In the figure, 47 is a glass vacuum container, 41 is a face plate, 43 is an electrode for applying a voltage to the phosphor, 42
Is a rear plate, 1 is a glass substrate (insulating substrate), 4 is an electron emission portion of a surface conduction electron-emitting device, 2 is a modulation electrode,
44 is an electrode (D P ,
D m ) and 46 are electrodes (G 1 to G 1 ) for applying a voltage to the modulation electrode 2.
G N ), 48 is a light emission source, and 45 is a recording medium.

被記録体45は以下の組成よりなる感光性組成物をポリ
エチレンテレフタレート膜上に2μm厚さに均一塗布す
ることにより作製した。感光性組成物はa.バインダー:
ポリエチレンメタクリレート(商品名ダイヤナールBR,
三菱レーヨン)10重量部、b.モノマー:トリメチロール
プロペントリアクリレート(商品名TMPTA,新中村化学)
10重量部、c.重合開始剤:2−メチル−2−モルホリノ
(4−チオメチルフェニル)プロパン−1−オン(商品
名イルガキュア907,チバガイギー)2.2重量部の混合組
成物で、溶媒としてメチルエチルケトン70重量部で作製
した。
The recording medium 45 was prepared by uniformly applying a photosensitive composition having the following composition to a polyethylene terephthalate film to a thickness of 2 μm. The photosensitive composition comprises: a.
Polyethylene methacrylate (trade name: Dianal BR,
Mitsubishi Rayon) 10 parts by weight, b. Monomer: trimethylolpropene triacrylate (trade name: TMPTA, Shin-Nakamura Chemical)
10 parts by weight, c. Polymerization initiator: 2-methyl-2-morpholino (4-thiomethylphenyl) propan-1-one (trade name: Irgacure 907, Ciba-Geigy) 2.2 parts by weight, and a mixture of methyl ethyl ketone 70 as a solvent. Produced in parts by weight.

フェースプレート41の蛍光体は、けい酸塩蛍光体(B
a,Mg,Zn)3Si2O7:Pb2+を用いた。
The phosphor of the face plate 41 is a silicate phosphor (B
a, Mg, Zn) 3 Si 2 O 7 : Pb 2+ was used.

又、発光源48は実施例1と同様な方法で作製した。 The light emitting source 48 was manufactured in the same manner as in Example 1.

次に本実施例の駆動方法を第8図(a)を用いて説明
する。図中51は発光源48、54は被記録体45、52は被記録
体45の支持体であり、53は被記録体45の搬送ローラーで
ある。ここで、発光源51は被記録体54に相対向して1mm
以下の位置に配置されている。
Next, the driving method of this embodiment will be described with reference to FIG. In the figure, reference numeral 51 denotes a light emitting source 48, 54 denotes a recording medium 45, 52 denotes a support for the recording medium 45, and 53 denotes a transport roller of the recording medium 45. Here, the light emitting source 51 is 1 mm opposite to the recording medium 54.
It is located at the following locations.

本実施例では、電子放出素子列を駆動するのと同期し
て変調電極に情報信号に応じて画像1ライン分の変調信
号を同時に印加することにより、各電子ビームの蛍光体
への照射を制御し、画像1ライン分の発光パターンを形
成する。該発光パターンに従い発光体から放出された光
線は被記録体に照射され、光の照射された被記録体は共
重合し硬化する。次に搬送ローラ53を動かして同様な駆
動を行なう。このような駆動を行なうことにより、情報
信号に応じた光重合パターンが被記録体上に光重合パタ
ーンとして形成される。この光重合パターンをメチルエ
チルケトンで現像することにより光記録パターンをポリ
エチレンテレフタレート上に形成した。
In this embodiment, irradiation of each electron beam to the phosphor is controlled by simultaneously applying a modulation signal for one line of an image to a modulation electrode in accordance with an information signal in synchronization with driving of the electron emission element array. Then, a light emission pattern for one line of the image is formed. The light emitted from the illuminant according to the light emission pattern is irradiated on the recording medium, and the irradiated recording medium is copolymerized and cured. Next, the same drive is performed by moving the transport roller 53. By performing such driving, a photopolymerization pattern corresponding to the information signal is formed on the recording medium as a photopolymerization pattern. The photopolymerization pattern was developed with methyl ethyl ketone to form an optical recording pattern on polyethylene terephthalate.

本実施例の光プリンターは、均一,高速スピード,高
コントラストで鮮明な光記録パターンが得られた。
The optical printer of the present embodiment provided a clear optical recording pattern with uniformity, high speed, and high contrast.

実施例7 第9図は他の実施例である光プリンターの概略的構成
図である。61は実施例6と同様な発光源、64は被記録体
であるところの電子写真用感光体、68は帯電器、65は現
像器、66は除電器、67はクリーナー、69は画像を形成す
べき紙である。又、本実施例は、蛍光体としてZn2SiO4:
Mn(P1蛍光体)の黄緑発光蛍光体、電子写真用感光体と
してアモルファスシリコン感光体を用いた。
Embodiment 7 FIG. 9 is a schematic structural view of an optical printer according to another embodiment. 61 is a light emitting source similar to that of Example 6, 64 is an electrophotographic photosensitive member which is a recording medium, 68 is a charging device, 65 is a developing device, 66 is a static eliminator, 67 is a cleaner, and 69 is an image forming device. It should be paper. Further, in the present embodiment, Zn 2 SiO 4 :
A yellow-green emitting phosphor of Mn (P1 phosphor) and an amorphous silicon photoreceptor were used as a photoreceptor for electrophotography.

次に本実施例の光プリンターの駆動方法を説明する。
まず、帯電器68により被記録体64をプラス電圧に帯電す
る。帯電する電圧は100V〜500Vが適当であるがこれに限
るものではない。次に発光源61により情報信号に応じた
発光パターンを被記録体64に照射し、光照射部を除電し
静電潜像パターンを形成する。次に現像器65によりトナ
ー粒子で被記録体64を現像する。
Next, a driving method of the optical printer according to the present embodiment will be described.
First, the recording medium 64 is charged to a positive voltage by the charger 68. The charging voltage is suitably from 100 V to 500 V, but is not limited thereto. Next, the recording medium 64 is irradiated with a light emission pattern corresponding to the information signal by the light emission source 61, and the light irradiation part is discharged to form an electrostatic latent image pattern. Next, the recording medium 64 is developed with the toner particles by the developing device 65.

上記トナーを吸着した部分は被記録体64の回転と共に
移動し、除電器66によって帯電が解除されると、吸着さ
れていたトナーが落下する。この時、被記録体64と除電
器66の間には、画像を形成すべき紙69が位置しており、
トナーはこの紙69上に落下される。
The portion on which the toner is adsorbed moves with the rotation of the recording medium 64, and when the charge is released by the charge remover 66, the adsorbed toner drops. At this time, a paper 69 on which an image is to be formed is located between the recording medium 64 and the static eliminator 66,
The toner is dropped on the paper 69.

トナーを受止めた紙69は、定着装置(図示されていな
い)へと移動し、ここでトナーが紙69上に定着され、紙
69上に、発光源61で表わされた画像が再現記録される。
The paper 69 having received the toner moves to a fixing device (not shown), where the toner is fixed on the paper 69,
An image represented by the light emitting source 61 is reproduced and recorded on 69.

一方、ドラム状の被記録体64は更に回転してクリーナ
ー67へと移動し、ここで残留するトナーが払い落され、
更に帯電器68によって帯電状態を形成するものである。
On the other hand, the drum-shaped recording medium 64 further rotates and moves to the cleaner 67, where the remaining toner is removed,
Further, a charged state is formed by the charger 68.

以上述べた記録装置は、先述した本発明の電子線発生
装置の有する利点に起因して、とりわけ高解像性、高速
性に優れ、露光むらがなく、高コントラストで鮮明な記
録画像が得られた。
The above-described recording apparatus is particularly excellent in high resolution, high speed, without exposure unevenness, and can obtain a clear and high-contrast recorded image due to the advantages of the electron beam generator of the present invention described above. Was.

[発明の効果] 以上説明したように、本発明によれば、電子放出素子
と基板の同一面上に配置される変調電極の厚さを、電子
放出素子の電極の厚さよりも厚くすることによって、低
電圧駆動が可能となり、素子ダメージが低減され、また
ビームの収束性も向上した。このため、産業用あるいは
家庭用として、その利用範囲は大幅に広がる。
[Effects of the Invention] As described above, according to the present invention, the thickness of the modulation electrode disposed on the same surface of the electron-emitting device and the substrate is made larger than the thickness of the electrode of the electron-emitting device. Thus, low-voltage driving became possible, element damage was reduced, and beam convergence was improved. For this reason, the range of use for industrial or home use is greatly expanded.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図は本発明の電子線発生装置の一実施例を示す斜視
図、第2図は第1図のA−A′線における断面図を示
す。第3図は本発明の画像表示装置の一実施例を示す斜
視図であり、第4図〜第6図は段差状の変調電極を有す
る画像表示装置の例を示す斜視図である。第7図は光プ
リンターの概略構造を示したものである。第8図
(a),(b)は被記録体表面に画像記録を行うプロセ
スの一例を示す説明図である。第9図は本発明に係る画
像表示装置を、光を信号源として記録を行う記録装置に
応用した場合の例を示すものである。第10図(a),
(b)は変調電極の平面形状により歪み補正が可能であ
ることを示すための説明図である。第11図は従来ディス
プレイ装置の概要を示すものであり、第12図は従来ディ
スプレイ装置の他の例を示すものである。
FIG. 1 is a perspective view showing an embodiment of the electron beam generator according to the present invention, and FIG. 2 is a sectional view taken along line AA 'in FIG. FIG. 3 is a perspective view showing an embodiment of the image display device of the present invention, and FIGS. 4 to 6 are perspective views showing examples of an image display device having a stepped modulation electrode. FIG. 7 shows a schematic structure of the optical printer. FIGS. 8A and 8B are explanatory diagrams showing an example of a process for recording an image on the surface of a recording medium. FIG. 9 shows an example in which the image display device according to the present invention is applied to a recording device that performs recording using light as a signal source. FIG. 10 (a),
(B) is an explanatory diagram showing that distortion correction can be performed by the planar shape of the modulation electrode. FIG. 11 shows an outline of a conventional display device, and FIG. 12 shows another example of the conventional display device.

フロントページの続き (72)発明者 野村 一郎 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キ ヤノン株式会社内 (72)発明者 鱸 英俊 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キ ヤノン株式会社内 (72)発明者 金子 哲也 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キ ヤノン株式会社内 (56)参考文献 特開 昭57−5249(JP,A) 特開 平3−20941(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H01J 1/30,3/08,29/04 H01J 31/12 - 31/15 H01J 29/52 Continuation of the front page (72) Inventor Ichiro Nomura 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo Inside Canon Inc. (72) Inventor Hidetoshi Suzuki 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo Inside Canon Inc. (72) Inventor Tetsuya Kaneko 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo Inside Canon Inc. (56) References JP-A-57-5249 (JP, A) JP-A-3-20941 (JP, A) (58) Field surveyed (Int.Cl. 6 , DB name) H01J 1 / 30,3 / 08,29 / 04 H01J 31/12-31/15 H01J 29/52

Claims (10)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】基板上に、基板面に沿って並設された電極
間に、該電極を介して電圧が印加される電子放出部を有
する電子放出素子と、該電子放出素子から放出される電
子ビームを情報信号に応じて変調する、電子放出素子と
は電気的に独立して設けた変調電極とを有する電子線発
生装置において、前記電子放出素子と前記変調電極と
が、前記基板の同一面上に配置されており、前記変調電
極の厚さは、前記電子放出素子の電極の厚さよりも厚い
ことを特徴とする電子線発生装置。
An electron-emitting device having an electron-emitting portion to which a voltage is applied via electrodes between electrodes arranged on a substrate along the surface of the substrate, and emitted from the electron-emitting device. In an electron beam generator having a modulation electrode that modulates an electron beam in accordance with an information signal and that is provided independently of an electron emission element, the electron emission element and the modulation electrode are the same as the substrate. An electron beam generator, which is disposed on a surface, wherein a thickness of the modulation electrode is larger than a thickness of an electrode of the electron-emitting device.
【請求項2】前記変調電極が、前記電子放出素子を中心
に該電子放出素子から離れるに従ってより厚くなるよう
な厚さの勾配を有していることを特徴とする請求項1に
記載の電子線発生装置。
2. The electron according to claim 1, wherein the modulation electrode has a thickness gradient centering on the electron-emitting device and increasing with distance from the electron-emitting device. Line generator.
【請求項3】前記厚さの勾配は、変調電極に設けられた
段差によって形成されていることを特徴とする請求項2
に記載の電子線発生装置。
3. The apparatus according to claim 2, wherein the thickness gradient is formed by a step provided on the modulation electrode.
An electron beam generator according to claim 1.
【請求項4】前記変調電極が、前記電子放出素子の電子
放出部の長さ方向により厚くなるような厚さの勾配を有
していることを特徴とする請求項1に記載の電子線発生
装置。
4. The electron beam generator according to claim 1, wherein the modulation electrode has a thickness gradient such that the thickness of the modulation electrode becomes thicker in a length direction of an electron emission portion of the electron emission element. apparatus.
【請求項5】前記厚さの勾配は、変調電極に設けられた
段差によって形成されていることを特徴とする請求項4
に記載の電子線発生装置。
5. The apparatus according to claim 4, wherein the thickness gradient is formed by a step provided on the modulation electrode.
An electron beam generator according to claim 1.
【請求項6】前記変調電極の厚さが0.05μm〜3000μm
の範囲であり、前記電子放出素子の電極の厚さが0.01μ
m〜500μmの範囲であることを特徴とする請求項1〜
5のいずれかに記載の電子線発生装置。
6. The modulation electrode has a thickness of 0.05 μm to 3000 μm.
The thickness of the electrode of the electron-emitting device is 0.01μ
m to 500 [mu] m.
5. The electron beam generator according to any one of 5.
【請求項7】前記電子放出素子は、表面伝導形電子放出
素子であることを特徴とする請求項1〜6のいずれかに
記載の電子線発生装置。
7. The electron beam generator according to claim 1, wherein said electron-emitting device is a surface conduction electron-emitting device.
【請求項8】請求項1〜7のいずれかに記載の電子線発
生装置の電子放出側に、電子の衝突により画像を形成す
る画像形成部材を有することを特徴とする画像形成装
置。
8. An image forming apparatus according to claim 1, further comprising an image forming member for forming an image by collision of electrons on the electron emission side of the electron beam generating apparatus according to claim 1.
【請求項9】請求項1〜7のいずれかに記載の電子線発
生装置の電子放出側に、電子の衝突により発光する発光
体と該発光体からの光の照射により画像記録される被記
録体を有することを特徴とする記録装置。
9. A light-emitting body which emits light by collision of electrons and an image to be recorded by irradiation of light from the light-emitting body on the electron emission side of the electron beam generator according to claim 1. A recording device having a body.
【請求項10】請求項1〜7のいずれかに記載の電子線
発生装置の電子放出側に、電子の衝突により発光する発
光体と該発光体からの光の照射により画像記録される被
記録体の支持手段を有することを特徴とする記録装置。
10. A luminous body which emits light by collision of electrons and an image to be recorded on the electron emission side of the electron beam generating device according to any one of claims 1 to 7 by irradiating light from the luminous body. A recording device comprising a body supporting means.
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