JP2964945B2 - 接触式磁気ディスク装置 - Google Patents
接触式磁気ディスク装置Info
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- JP2964945B2 JP2964945B2 JP5586996A JP5586996A JP2964945B2 JP 2964945 B2 JP2964945 B2 JP 2964945B2 JP 5586996 A JP5586996 A JP 5586996A JP 5586996 A JP5586996 A JP 5586996A JP 2964945 B2 JP2964945 B2 JP 2964945B2
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- Japan
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- magnetic disk
- magnetic head
- film
- polybutene
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、コンピュータの外
部記憶装置等に用いられる接触式磁気ディスク装置に関
する。
部記憶装置等に用いられる接触式磁気ディスク装置に関
する。
【０００２】
【従来の技術】近年、情報記憶ファイルの分野におい
て、高記録密度化が着実に向上している。磁気ディスク
装置では、情報を読み書きする磁気ヘッドと情報を保持
している磁気ディスク媒体との間隔（以下「スペーシン
グ」という。）を小さくすることが高密度化の重要な要
素の一つとなっている。スペーシングを小さくするため
に、磁気ヘッドを空気の動圧力で浮上させる方式に代わ
り、磁気ヘッドを磁気ディスク媒体上に直接接触させる
接触式磁気ディスク装置が開発されている（例えば、H.
Hamilton: Journal of the Magnetic Society of Japa
n, Vol.15, Supplement No.S2(1991)483 又は特願平５
−５０８８０８号公報）。
て、高記録密度化が着実に向上している。磁気ディスク
装置では、情報を読み書きする磁気ヘッドと情報を保持
している磁気ディスク媒体との間隔（以下「スペーシン
グ」という。）を小さくすることが高密度化の重要な要
素の一つとなっている。スペーシングを小さくするため
に、磁気ヘッドを空気の動圧力で浮上させる方式に代わ
り、磁気ヘッドを磁気ディスク媒体上に直接接触させる
接触式磁気ディスク装置が開発されている（例えば、H.
Hamilton: Journal of the Magnetic Society of Japa
n, Vol.15, Supplement No.S2(1991)483 又は特願平５
−５０８８０８号公報）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記の接触式
磁気ディスク装置は、磁気へッドスライダと磁気ディス
ク媒体とを高速で接触させるために、次のような問題が
あった。．磁気ヘッドスライダ及び磁気ディスク媒体
が摩耗損傷しやすい。．磁気ディスク媒体上での磁気
ヘッドスライダの跳躍が大きくなることにより、スペー
シング変動が大きくなるので、記録密度が上がりにく
い。
磁気ディスク装置は、磁気へッドスライダと磁気ディス
ク媒体とを高速で接触させるために、次のような問題が
あった。．磁気ヘッドスライダ及び磁気ディスク媒体
が摩耗損傷しやすい。．磁気ディスク媒体上での磁気
ヘッドスライダの跳躍が大きくなることにより、スペー
シング変動が大きくなるので、記録密度が上がりにく
い。
【０００４】また、特開平５−１５１７３５号公報に
は、磁気ディスク媒体表面の炭素保護膜上に潤滑剤を被
覆することが開示されている。この潤滑剤は、ダイキン
社の「ＤＥＭＮＵＭ ＳＰ」からなる１つの極性基を有
するパーフロロポリエーテル又はポリ−１−デセンから
なる炭化水素潤滑剤である。しかし、このような潤滑剤
（液体）は、膜形成能力が小さいため磁気ヘッドスライ
ダの摩耗を防ぐことは困難である。
は、磁気ディスク媒体表面の炭素保護膜上に潤滑剤を被
覆することが開示されている。この潤滑剤は、ダイキン
社の「ＤＥＭＮＵＭ ＳＰ」からなる１つの極性基を有
するパーフロロポリエーテル又はポリ−１−デセンから
なる炭化水素潤滑剤である。しかし、このような潤滑剤
（液体）は、膜形成能力が小さいため磁気ヘッドスライ
ダの摩耗を防ぐことは困難である。
【０００５】
【発明の目的】本発明の目的は、上記問題点を解決して
耐摩耗性及び信頼性を向上させることにより、高記録密
度化を容易にした接触式磁気ディスク装置（以下、単に
「磁気ディスク装置」という。）を提供することであ
る。
耐摩耗性及び信頼性を向上させることにより、高記録密
度化を容易にした接触式磁気ディスク装置（以下、単に
「磁気ディスク装置」という。）を提供することであ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明に係る磁気ディス
ク装置は、下地体上に結合層及びその上のポリブテンか
らなる２層潤滑膜を被覆した薄膜磁気ディスク媒体と、
この薄膜磁気ディスク媒体上に直接接触することにより
当該薄膜磁気ディスク媒体に対して情報の記録又は再生
を行う接触型磁気ヘッドと、この接触型磁気ヘッドを装
着した磁気ヘッドスライダと、この磁気ヘッドスライダ
を支持する磁気へッドスライダ支持機構とを備えてい
る。前記潤滑膜は、粘度が１００ｃＳｔ以上かつ１０万
ｃＳｔ以下、好ましくは１万ｃＳｔのポリブテンであ
る。前記磁気へッドスライダ支持機構は、前記磁気ヘッ
ドスライダを例えば５００ｍｇ重以下の荷重で支持する
ものである。
ク装置は、下地体上に結合層及びその上のポリブテンか
らなる２層潤滑膜を被覆した薄膜磁気ディスク媒体と、
この薄膜磁気ディスク媒体上に直接接触することにより
当該薄膜磁気ディスク媒体に対して情報の記録又は再生
を行う接触型磁気ヘッドと、この接触型磁気ヘッドを装
着した磁気ヘッドスライダと、この磁気ヘッドスライダ
を支持する磁気へッドスライダ支持機構とを備えてい
る。前記潤滑膜は、粘度が１００ｃＳｔ以上かつ１０万
ｃＳｔ以下、好ましくは１万ｃＳｔのポリブテンであ
る。前記磁気へッドスライダ支持機構は、前記磁気ヘッ
ドスライダを例えば５００ｍｇ重以下の荷重で支持する
ものである。
【０００７】また、前記潤滑膜は、粘度が１００ｃＳｔ
（センチストークス）以上かつ１０万ｃＳｔ以下のポリ
ブテンとしてもよいし、又は粘度が１００ｃＳｔ以下若
しくは１０万ｃＳｔ以上のポリブテンの混合体としても
よい。
（センチストークス）以上かつ１０万ｃＳｔ以下のポリ
ブテンとしてもよいし、又は粘度が１００ｃＳｔ以下若
しくは１０万ｃＳｔ以上のポリブテンの混合体としても
よい。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明の発明の実施形態につい
て、図面を参照して説明する。
て、図面を参照して説明する。
【０００９】図１及び図３に示すように、本発明の磁気
ディスク装置１は、記録再生素子８が設けられた接触型
磁気ヘッド３と、接触型磁気ヘッド３を５００ｍｇ以下
の荷重で支持する支持ばね６が取り付けられたヘッドア
ーム４と、磁気ディスク媒体２とから構成されている。
磁気ディスク媒体２は、下地体１５上に結合層１４とポ
リブテン１０との２層からなる潤滑剤が被覆されたもの
である。下地体１５は、基板１３上に磁性薄膜１２が被
覆され、さらに磁性薄膜１２上に保護膜１１が被覆され
たものである。ポリブテン１０は、具体的には以下の基
本構造を有する有機化合物であり、その一つの系列は以
下の一般式で表される。
ディスク装置１は、記録再生素子８が設けられた接触型
磁気ヘッド３と、接触型磁気ヘッド３を５００ｍｇ以下
の荷重で支持する支持ばね６が取り付けられたヘッドア
ーム４と、磁気ディスク媒体２とから構成されている。
磁気ディスク媒体２は、下地体１５上に結合層１４とポ
リブテン１０との２層からなる潤滑剤が被覆されたもの
である。下地体１５は、基板１３上に磁性薄膜１２が被
覆され、さらに磁性薄膜１２上に保護膜１１が被覆され
たものである。ポリブテン１０は、具体的には以下の基
本構造を有する有機化合物であり、その一つの系列は以
下の一般式で表される。
【００１０】
【化１】
【００１１】ポリブテンの粘度は、ｎの数により定ま
り、ｎが３〜７０の範囲では１９．５ｃＳｔ〜１２０万
ｃＳｔとなる。ポリブテンは、線状のポリマーであり、
特開平５−１５１７３５号公報に開示されているポリ−
１−デセンやパーフロロポリエーテルなどの他のポリマ
ーに比べて、液状を保ったまま分子量又は粘度を広範に
変えることができる。すなわち、液体潤滑膜として耐摩
耗性に優れた特性を示す。
り、ｎが３〜７０の範囲では１９．５ｃＳｔ〜１２０万
ｃＳｔとなる。ポリブテンは、線状のポリマーであり、
特開平５−１５１７３５号公報に開示されているポリ−
１−デセンやパーフロロポリエーテルなどの他のポリマ
ーに比べて、液状を保ったまま分子量又は粘度を広範に
変えることができる。すなわち、液体潤滑膜として耐摩
耗性に優れた特性を示す。
【００１２】図３は、本発明の実施態様を示し、潤滑膜
１６が結合層１４とポリブテン１０との２層からなる場
合である。この場合、結合層１４の液体分子は、下地体
１５と良く結合する以下の基本構造を有する有機化合物
であり、その一つの系列は以下の一般式で表される。
１６が結合層１４とポリブテン１０との２層からなる場
合である。この場合、結合層１４の液体分子は、下地体
１５と良く結合する以下の基本構造を有する有機化合物
であり、その一つの系列は以下の一般式で表される。
【００１３】Ｇ1 −Ｒ1 −Ｇ2 ・・・・・ 式
【００１４】ここで、Ｇ1 又はＧ2 は、−ＯＨ，−ＣＯ
ＯＨ，−ＣＯＯＲ，−ＯＯＣＣ（ＣＨ3 ）＝ＣＨ2 ，−
ＮＨ2 ，−Ｎ（ＣＨ3 ）2 ，−ＣＨ＝ＣＨ2 ，−ＮＣ
Ｏ，−ＳＯ3 Ｈ，−Ｎ＝Ｎ−ＮＨ2 から選ばれる官能基
である。ただしＲ1 はＣh Ｘ2h +1または−Ｃ6 Ｘ5 （ベ
ンゼン環），−Ｃn Ｘ2n+1Ｃ6 Ｘ5 （ｈおよびｎは１以
上４以下の整数）である。官能基は２重結合やベンゼン
環などのπ電子を持つものよりは、酸素を含むもの特に
ＯＨやＣＯＯＨなどの官能基あるいはアミノ基，スルホ
ン酸基などの官能基がより強い相互作用力を有するため
望ましい。また特願平４−４０６３１号公報に開示され
た官能基を使用する事もできる。
ＯＨ，−ＣＯＯＲ，−ＯＯＣＣ（ＣＨ3 ）＝ＣＨ2 ，−
ＮＨ2 ，−Ｎ（ＣＨ3 ）2 ，−ＣＨ＝ＣＨ2 ，−ＮＣ
Ｏ，−ＳＯ3 Ｈ，−Ｎ＝Ｎ−ＮＨ2 から選ばれる官能基
である。ただしＲ1 はＣh Ｘ2h +1または−Ｃ6 Ｘ5 （ベ
ンゼン環），−Ｃn Ｘ2n+1Ｃ6 Ｘ5 （ｈおよびｎは１以
上４以下の整数）である。官能基は２重結合やベンゼン
環などのπ電子を持つものよりは、酸素を含むもの特に
ＯＨやＣＯＯＨなどの官能基あるいはアミノ基，スルホ
ン酸基などの官能基がより強い相互作用力を有するため
望ましい。また特願平４−４０６３１号公報に開示され
た官能基を使用する事もできる。
【００１５】Ｒ1 はＣj Ｘ2j，［Ｃj Ｘ2jＯ］で表され
るＸ（Ｈ，Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉのいずれか）を含む炭素
鎖である。ｊは１以上６以下の整数である。ｎ，ｉ，ｊ
が大きくなりすぎると常温で固体になるため記載した上
限を有する。
るＸ（Ｈ，Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉのいずれか）を含む炭素
鎖である。ｊは１以上６以下の整数である。ｎ，ｉ，ｊ
が大きくなりすぎると常温で固体になるため記載した上
限を有する。
【００１６】例えば、 （１）エチレングリコール：ＨＯＣＨ2 ＣＨ2 ＯＨ （２）プロピレングリコール：Ｈ3 ＣＣＨ（ＯＨ）ＣＨ
2 ＯＨ （３）トリメチレングリコール：ＨＯ（ＣＨ2 ）3 ＯＨ （４）1,4 −ブタンジオール：ＨＯ（ＣＨ2 ）4 ＯＨ （５）1,3 −ブチレングリコール：Ｈ3 ＣＣＨ（ＯＨ）
ＣＨ2 ＣＨ2 ＯＨ （６）1,5 −ペンタンジオール：ＨＯ（ＣＨ2 ）5 ＯＨ （７）オクタンジオール：Ｈ3 ＣＣ2 Ｈ4 ＣＨ（ＯＨ）
ＣＨ（Ｃ2 Ｈ5 ）ＣＨ2ＯＨ （８）グリセリン：ＣＨ2 （ＯＨ）ＣＨ2 （ＯＨ）ＣＨ
2 （ＯＨ） （９）ジグリセリン：Ｈ2 Ｃ（ＯＨ）ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ
2 ＯＣＨ2 ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ2 （ＯＨ） （１０）ジプロピレングリコール：（Ｈ3 ＣＣＨ（Ｏ
Ｈ）ＣＨ2 ）2 Ｏ （１１）ポリエチレングリコール：ＨＯ（ＣＨ2 ＣＨ2
Ｏ）n ＣＨ2 ＣＨ2 ＯＨ 但し、ｎは分子量１９０〜６３０で決まる整数である。
2 ＯＨ （３）トリメチレングリコール：ＨＯ（ＣＨ2 ）3 ＯＨ （４）1,4 −ブタンジオール：ＨＯ（ＣＨ2 ）4 ＯＨ （５）1,3 −ブチレングリコール：Ｈ3 ＣＣＨ（ＯＨ）
ＣＨ2 ＣＨ2 ＯＨ （６）1,5 −ペンタンジオール：ＨＯ（ＣＨ2 ）5 ＯＨ （７）オクタンジオール：Ｈ3 ＣＣ2 Ｈ4 ＣＨ（ＯＨ）
ＣＨ（Ｃ2 Ｈ5 ）ＣＨ2ＯＨ （８）グリセリン：ＣＨ2 （ＯＨ）ＣＨ2 （ＯＨ）ＣＨ
2 （ＯＨ） （９）ジグリセリン：Ｈ2 Ｃ（ＯＨ）ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ
2 ＯＣＨ2 ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ2 （ＯＨ） （１０）ジプロピレングリコール：（Ｈ3 ＣＣＨ（Ｏ
Ｈ）ＣＨ2 ）2 Ｏ （１１）ポリエチレングリコール：ＨＯ（ＣＨ2 ＣＨ2
Ｏ）n ＣＨ2 ＣＨ2 ＯＨ 但し、ｎは分子量１９０〜６３０で決まる整数である。
【００１７】他、（１２）ジエチレングリコール，（１
３）トリエチレングリコール，（１４）ヘプタエチレン
グリコール，（１５）ジョードメタン，（１６）ジブロ
モメタン，（１７）ジブロモオクタン，（１８）ジブロ
モブタン，（１９）ジブロモヘキサン，（２０）ジメチ
ルスルフォキシド，（２１）ジクロロヘキサン，（２
２）ジクロロオクタン，（２３）ジオキサン，（２４）
メタクリレートコポリマー，（２５）しゅう酸エステ
ル，（２６）マロン酸エステル，こはく酸エステル，
（（２７）こはく酸ジメチルエステル，（２８）こはく
酸モノエチルエステル，（２９）こはく酸メチルエチル
エステル，（３０）こはく酸ジ−２−オキシエチルエス
テル，（３１）こはく酸ジアリルエステル，（３２）こ
はく酸エチルエステルニトリルなど），（３３）グルタ
ル酸エステル，（３４）アジピン酸エステル，（３５）
ピメリン酸エステル，（３６）スベリン酸エステル，
（３７）アゼライン酸エステル，（３８）セバシン酸エ
ステル，マレイン酸エステル（例えば（３９）マレイン
酸ジメチルエステル：Ｈ3 ＣＯＯＣＣＨ＝ＣＨＣＯＯＣ
Ｈ3），（４０）フマル酸エステル，（４１）フタール
酸エステル，（４２）イソフタール酸エステル，（４
３）テレフタール酸エステル，（４４）グリコール酸エ
ステルまた以下に示すポリエーテルポリオールなどが挙
げられる。
３）トリエチレングリコール，（１４）ヘプタエチレン
グリコール，（１５）ジョードメタン，（１６）ジブロ
モメタン，（１７）ジブロモオクタン，（１８）ジブロ
モブタン，（１９）ジブロモヘキサン，（２０）ジメチ
ルスルフォキシド，（２１）ジクロロヘキサン，（２
２）ジクロロオクタン，（２３）ジオキサン，（２４）
メタクリレートコポリマー，（２５）しゅう酸エステ
ル，（２６）マロン酸エステル，こはく酸エステル，
（（２７）こはく酸ジメチルエステル，（２８）こはく
酸モノエチルエステル，（２９）こはく酸メチルエチル
エステル，（３０）こはく酸ジ−２−オキシエチルエス
テル，（３１）こはく酸ジアリルエステル，（３２）こ
はく酸エチルエステルニトリルなど），（３３）グルタ
ル酸エステル，（３４）アジピン酸エステル，（３５）
ピメリン酸エステル，（３６）スベリン酸エステル，
（３７）アゼライン酸エステル，（３８）セバシン酸エ
ステル，マレイン酸エステル（例えば（３９）マレイン
酸ジメチルエステル：Ｈ3 ＣＯＯＣＣＨ＝ＣＨＣＯＯＣ
Ｈ3），（４０）フマル酸エステル，（４１）フタール
酸エステル，（４２）イソフタール酸エステル，（４
３）テレフタール酸エステル，（４４）グリコール酸エ
ステルまた以下に示すポリエーテルポリオールなどが挙
げられる。
【００１８】また結合層１４の液体分子のさらに別の系
列は、以下の一般式で表されるシリコーンオイル類であ
る。
列は、以下の一般式で表されるシリコーンオイル類であ
る。
【００１９】
【化２】
【００２０】例えば、（１００）末端シラノールポリジ
メチルシロキサン（Ｇ5 ：ＯＨ，Ｇ6 ：Ｈ，Ｒ9 ，
Ｒ10：ＣＨ3 ，ｎ＝７〜４０００），末端アルコールポ
リジメチルシロキサン（例えば、（１０１）末端カルビ
ノール（Ｇ5 ：ＨＯＣＨ2 ＣＨ2 Ｏ−, Ｇ6：−ＣＨ2
ＣＨ2 ＯＨ，Ｒ9 ，Ｒ10：ＣＨ3 ，ｎは分子量２４００
に相当する整数）, （１０２）末端ヒドロキシルプロピ
ル（Ｇ5 ：ＨＯＣＨ2 ＣＨ2 ＣＨ2 Ｏ−，Ｇ6 ：−ＣＨ
2 ＣＨ2 ＣＨ2 ＯＨ，Ｒ9 ，Ｒ10：ＣＨ3 ，ｎは分子量
２４００に相当する整数）），（１０３）ポリジメチル
ヒドロキシエチレンオキシドメチルシロキサン（Ｇ5 ：
−ＯＳｉ（ＣＨ3 ）3 ，Ｇ6 ：−（Ｓｉ（ＣＨ3 ）（Ｏ
ＣＨ2 ＣＨ2 ＯＨ）Ｏ）m Ｓｉ（ＣＨ3 ）3 ，Ｒ9 およ
びＲ10：ＣＨ3 ，ｍ＝3，ｎは分子量５０〜４０００に
相当する整数），（１０４）末端アセトキシポリジメチ
ルシロキサン（Ｇ5 ：−ＯＯＣＣＨ3 ，Ｇ6 ：−Ｓｉ
（ＣＨ3 ）2 ＯＯＣＣＨ3 ，Ｒ9 ，Ｒ10：−ＣＨ3 ，ｎ
は分子量３６０００に相当する整数），（１０５）末端
ジメチルアミノポリジメチルシロキサン（Ｇ5 ：−Ｎ
（ＣＨ3 ）3 ，Ｇ6 ：−Ｓｉ（ＣＨ3 ）2 Ｎ（ＣＨ3 ）
3 ，Ｒ9 ，Ｒ10：−ＣＨ3 ，ｎは分子量４２５〜６００
に相当する整数），（１０６）末瑞エトキシポリジメチ
ルシロキサン（Ｇ5 ：−ＯＣ2 Ｈ5 ，Ｇ6 ：−Ｃ
2 Ｈ5 ，Ｒ9 ，Ｒ10：−ＣＨ3 ，ｎは分子量３６０〜４
５０に相当する整数），（１０７）末端ステアロキシポ
リジメチルシロキサン（Ｇ5 ：Ｃ17Ｈ35ＣＯＯ−，
Ｇ6 ：ＯＣ17ＣＨ35，Ｒ9 ，Ｒ10：ＣＨ3 ，ｎは分子量
３６０〜４５０に相当する整数），（１０８）末端アミ
ノ基ポリジメチルシロキサン（Ｇ5 ：Ｈ2 ＮＣ3 Ｈ
6 −，Ｇ6 ：−Ｓｉ（ＣＨ3 ）2 Ｃ3 Ｈ6 ＮＨ2 ，
Ｒ9 ，Ｒ10：−ＣＨ3 ，ｎ＝１），（１０９）末端カル
ボキシルプロピルポリジメチルシロキサン（Ｇ5 ：ＨＯ
ＯＣＣ3 Ｈ6 −，Ｇ6 ：Ｓｉ（ＣＨ3 ）3 Ｃ3 Ｈ6 ＣＯ
ＯＨ，Ｒ9 ，Ｒ10：−ＣＨ3 ），（１１０）末端カルボ
キシルプロピルＴ構造ポリジメチルシロキサン（Ｇ5 ：
ＨＯＯＣＣ3 Ｈ6 −，Ｇ6：−［Ｓｉ（ＣＨ3 ）2 Ｏ］
k Ｓｉ（ＣＨ3)3 ，Ｒ9 ，Ｒ10：−Ｏ［Ｓｉ（ＣＨ
32Ｏ］l Ｓｉ（ＣＨ3 ）3 ，ここでｎ，ｋ，ｌは分子量
１００〜１００００に相当する整数），
メチルシロキサン（Ｇ5 ：ＯＨ，Ｇ6 ：Ｈ，Ｒ9 ，
Ｒ10：ＣＨ3 ，ｎ＝７〜４０００），末端アルコールポ
リジメチルシロキサン（例えば、（１０１）末端カルビ
ノール（Ｇ5 ：ＨＯＣＨ2 ＣＨ2 Ｏ−, Ｇ6：−ＣＨ2
ＣＨ2 ＯＨ，Ｒ9 ，Ｒ10：ＣＨ3 ，ｎは分子量２４００
に相当する整数）, （１０２）末端ヒドロキシルプロピ
ル（Ｇ5 ：ＨＯＣＨ2 ＣＨ2 ＣＨ2 Ｏ−，Ｇ6 ：−ＣＨ
2 ＣＨ2 ＣＨ2 ＯＨ，Ｒ9 ，Ｒ10：ＣＨ3 ，ｎは分子量
２４００に相当する整数）），（１０３）ポリジメチル
ヒドロキシエチレンオキシドメチルシロキサン（Ｇ5 ：
−ＯＳｉ（ＣＨ3 ）3 ，Ｇ6 ：−（Ｓｉ（ＣＨ3 ）（Ｏ
ＣＨ2 ＣＨ2 ＯＨ）Ｏ）m Ｓｉ（ＣＨ3 ）3 ，Ｒ9 およ
びＲ10：ＣＨ3 ，ｍ＝3，ｎは分子量５０〜４０００に
相当する整数），（１０４）末端アセトキシポリジメチ
ルシロキサン（Ｇ5 ：−ＯＯＣＣＨ3 ，Ｇ6 ：−Ｓｉ
（ＣＨ3 ）2 ＯＯＣＣＨ3 ，Ｒ9 ，Ｒ10：−ＣＨ3 ，ｎ
は分子量３６０００に相当する整数），（１０５）末端
ジメチルアミノポリジメチルシロキサン（Ｇ5 ：−Ｎ
（ＣＨ3 ）3 ，Ｇ6 ：−Ｓｉ（ＣＨ3 ）2 Ｎ（ＣＨ3 ）
3 ，Ｒ9 ，Ｒ10：−ＣＨ3 ，ｎは分子量４２５〜６００
に相当する整数），（１０６）末瑞エトキシポリジメチ
ルシロキサン（Ｇ5 ：−ＯＣ2 Ｈ5 ，Ｇ6 ：−Ｃ
2 Ｈ5 ，Ｒ9 ，Ｒ10：−ＣＨ3 ，ｎは分子量３６０〜４
５０に相当する整数），（１０７）末端ステアロキシポ
リジメチルシロキサン（Ｇ5 ：Ｃ17Ｈ35ＣＯＯ−，
Ｇ6 ：ＯＣ17ＣＨ35，Ｒ9 ，Ｒ10：ＣＨ3 ，ｎは分子量
３６０〜４５０に相当する整数），（１０８）末端アミ
ノ基ポリジメチルシロキサン（Ｇ5 ：Ｈ2 ＮＣ3 Ｈ
6 −，Ｇ6 ：−Ｓｉ（ＣＨ3 ）2 Ｃ3 Ｈ6 ＮＨ2 ，
Ｒ9 ，Ｒ10：−ＣＨ3 ，ｎ＝１），（１０９）末端カル
ボキシルプロピルポリジメチルシロキサン（Ｇ5 ：ＨＯ
ＯＣＣ3 Ｈ6 −，Ｇ6 ：Ｓｉ（ＣＨ3 ）3 Ｃ3 Ｈ6 ＣＯ
ＯＨ，Ｒ9 ，Ｒ10：−ＣＨ3 ），（１１０）末端カルボ
キシルプロピルＴ構造ポリジメチルシロキサン（Ｇ5 ：
ＨＯＯＣＣ3 Ｈ6 −，Ｇ6：−［Ｓｉ（ＣＨ3 ）2 Ｏ］
k Ｓｉ（ＣＨ3)3 ，Ｒ9 ，Ｒ10：−Ｏ［Ｓｉ（ＣＨ
32Ｏ］l Ｓｉ（ＣＨ3 ）3 ，ここでｎ，ｋ，ｌは分子量
１００〜１００００に相当する整数），
【化３】 （１１４）末端メタクリルロキシプロピルポリジメチル
シロキサン（Ｇ5 ：ＣＨ2 ＝Ｃ（ＣＨ3 ）ＣＯＯＣ3 Ｈ
6 ，Ｇ6 ：−Ｓｉ（ＣＨ3 ）2 Ｃ3 Ｈ6 ＯＯＣＣ（ＣＨ
3 ）＝ＣＨ2 ，Ｒ9 ，Ｒ10：−ＣＨ3 ，ｎは分子量３８
７に相当する整数），（１１５）ポリジメチルメタクリ
ロキシプロピルメチルシロキサン（Ｇ5 ，Ｇ6 ：（ＣＨ
3 ）3 ，ＳｉＯ−，Ｇ6 ：−［Ｓｉ（ＣＨ3 ）2 Ｏ］a
Ｓｉ（ＣＨ3 ）3 ，Ｒ9 ：−Ｃ3 Ｈ6 ＯＯＣＣ（Ｃ
Ｈ3 ）＝ＣＨ2 ，Ｒ10：−ＣＨ3 ，ｎ，ａは分子量１０
０〜１０００に相当する整数），（１１６）ポリメルカ
プトプロピルメチルシロキサン（Ｇ5 ：（ＣＨ3 ）3 Ｓ
ｉＯ−，Ｇ6 ：−Ｓｉ（ＣＨ3 ）3 ，Ｒ9 ：−Ｃ3 Ｈ6
ＳＨ，Ｒ10：−ＣＨ3 ，ｎは分子量１００〜１０００に
相当する整数）等が挙げられる。
シロキサン（Ｇ5 ：ＣＨ2 ＝Ｃ（ＣＨ3 ）ＣＯＯＣ3 Ｈ
6 ，Ｇ6 ：−Ｓｉ（ＣＨ3 ）2 Ｃ3 Ｈ6 ＯＯＣＣ（ＣＨ
3 ）＝ＣＨ2 ，Ｒ9 ，Ｒ10：−ＣＨ3 ，ｎは分子量３８
７に相当する整数），（１１５）ポリジメチルメタクリ
ロキシプロピルメチルシロキサン（Ｇ5 ，Ｇ6 ：（ＣＨ
3 ）3 ，ＳｉＯ−，Ｇ6 ：−［Ｓｉ（ＣＨ3 ）2 Ｏ］a
Ｓｉ（ＣＨ3 ）3 ，Ｒ9 ：−Ｃ3 Ｈ6 ＯＯＣＣ（Ｃ
Ｈ3 ）＝ＣＨ2 ，Ｒ10：−ＣＨ3 ，ｎ，ａは分子量１０
０〜１０００に相当する整数），（１１６）ポリメルカ
プトプロピルメチルシロキサン（Ｇ5 ：（ＣＨ3 ）3 Ｓ
ｉＯ−，Ｇ6 ：−Ｓｉ（ＣＨ3 ）3 ，Ｒ9 ：−Ｃ3 Ｈ6
ＳＨ，Ｒ10：−ＣＨ3 ，ｎは分子量１００〜１０００に
相当する整数）等が挙げられる。
【００２１】その他上記一般式からはずれるシリコーン
オイルとして例えば、ビス（アミノプロピルジメチルシ
リル）ベンゼン（１１７）Ｈ2 ＮＣ3 Ｈ6 Ｓｉ（Ｃ
Ｈ3 ）2 Ｃ6 Ｈ4 Ｓｉ（ＣＨ3 ）2 Ｃ3 Ｈ6ＮＨ2があ
る。
オイルとして例えば、ビス（アミノプロピルジメチルシ
リル）ベンゼン（１１７）Ｈ2 ＮＣ3 Ｈ6 Ｓｉ（Ｃ
Ｈ3 ）2 Ｃ6 Ｈ4 Ｓｉ（ＣＨ3 ）2 Ｃ3 Ｈ6ＮＨ2があ
る。
【００２２】また結合層１４に用いる液体分子のさらに
別の系列は、以下の一般式で表される。
別の系列は、以下の一般式で表される。
【００２３】 Ｇ7 ＣＦ2 ［ＯＣ2 Ｆ4 ］r ［ＯＣＦ］s ＯＣＦ2 Ｇ7 ・・・ 式
【００２４】ここで、Ｇ7 は、ＣＯＯＣＨ3 ，ＣＯＯ
Ｈ，ＣＨ2 ＯＨ，ＣＯＮＨＣ6 Ｈ3 （ＣＨ3 ）ＮＣＯ
（Ｉｓと表す），またはＰｉ（ピペロニル基）、ｒ，ｓ
は分子量１０００一１００００に相当する整数でｒ／ｓ
は０．５〜２．０の間である。
Ｈ，ＣＨ2 ＯＨ，ＣＯＮＨＣ6 Ｈ3 （ＣＨ3 ）ＮＣＯ
（Ｉｓと表す），またはＰｉ（ピペロニル基）、ｒ，ｓ
は分子量１０００一１００００に相当する整数でｒ／ｓ
は０．５〜２．０の間である。
【００２５】例えば、 （２００）ＨＯＣＨ2 ＣＦ2 ［ＯＣ2 Ｆ4 ］r ［ＯＣＦ
2 ］s ＯＣＦ2 ＣＨ2 ＯＨ （ｒ／ｓ＝０．８，分子量
２３００） （２０１）ＨＯＯＣＣＦ2 ［ＯＣ2 Ｆ4 ］r ［ＯＣ
Ｆ2 ］s ＯＣＦ2 ＣＯＯＨ（ｒ／ｓ＝０．８，分子量２
０００） （２０２）Ｈ3 ＣＯＯＣＣＦ2 ［ＯＣ2 Ｆ4 ］r ［ＯＣ
Ｆ2 ］s ＯＣＦ2 ＣＯＯＣＨ3 （ｒ／ｓ＝０．８，分
子量２２００） （２０３）ＰｉＣＦ2 ［ＯＣ2 Ｆ4 ］r ［ＯＣＦ2 ］s
ＯＣＦ2 Ｐｉ （ｒ／ｓ＝０．８，分子量２０００） （２０４）ＩｓＣＦ2 ［ＯＣ2 Ｆ4 ］r ［ＯＣＦ2 ］s
ＯＣＦ2 Ｉｓ （ｒ／ｓ＝０．８，分子量２５００） （２０５）Ｈ3 Ｃ（Ｓｉ（ＣＨ3 ）2 Ｏ）f Ｓｉ（ＣＨ
3 ）3 （分子量４２３０００） （２０６）Ｈ3 Ｃ（Ｓｉ（ＣＨ3 ）2 Ｏ）f Ｓｉ（ＣＨ
3 ）3 （分子量１６２） （２０７）Ｆ［ＣＦ（ＣＦ3 ）ＣＦ2 Ｏ］d Ｃ2 Ｆ4 Ｃ
ＯＯＨ （分子量７０００） （２０８）Ｆ［ＣＦ（ＣＦ3 ）ＣＦ2 Ｏ］d Ｃ2 Ｆ4 Ｃ
Ｈ2 ＯＨ （分子量４５００） （２０９）Ｆ（Ｃ3 Ｆ6 Ｏ）e Ｃ2 Ｆ4 ＣＯＯＣＨ3
（分子量４０００） （２ｌ０）Ｆ（Ｃ3 Ｆ6 Ｏ）e Ｃ2 Ｆ4 ＣＯＯＣＨ2 Ｃ
6 Ｈ5 （分子量４１００） （２ｌｌ）Ｆ（Ｃ3 Ｆ6 Ｏ）e Ｃ2 Ｆ4 ＣＯＯＨ （分
子量３３００） （２ｌ２）Ｆ（Ｃ3 Ｆ6 Ｏ）e Ｃ2 Ｆ4 ＣＨ2 ＯＨ
（分子量３４００）等が挙げられる。
2 ］s ＯＣＦ2 ＣＨ2 ＯＨ （ｒ／ｓ＝０．８，分子量
２３００） （２０１）ＨＯＯＣＣＦ2 ［ＯＣ2 Ｆ4 ］r ［ＯＣ
Ｆ2 ］s ＯＣＦ2 ＣＯＯＨ（ｒ／ｓ＝０．８，分子量２
０００） （２０２）Ｈ3 ＣＯＯＣＣＦ2 ［ＯＣ2 Ｆ4 ］r ［ＯＣ
Ｆ2 ］s ＯＣＦ2 ＣＯＯＣＨ3 （ｒ／ｓ＝０．８，分
子量２２００） （２０３）ＰｉＣＦ2 ［ＯＣ2 Ｆ4 ］r ［ＯＣＦ2 ］s
ＯＣＦ2 Ｐｉ （ｒ／ｓ＝０．８，分子量２０００） （２０４）ＩｓＣＦ2 ［ＯＣ2 Ｆ4 ］r ［ＯＣＦ2 ］s
ＯＣＦ2 Ｉｓ （ｒ／ｓ＝０．８，分子量２５００） （２０５）Ｈ3 Ｃ（Ｓｉ（ＣＨ3 ）2 Ｏ）f Ｓｉ（ＣＨ
3 ）3 （分子量４２３０００） （２０６）Ｈ3 Ｃ（Ｓｉ（ＣＨ3 ）2 Ｏ）f Ｓｉ（ＣＨ
3 ）3 （分子量１６２） （２０７）Ｆ［ＣＦ（ＣＦ3 ）ＣＦ2 Ｏ］d Ｃ2 Ｆ4 Ｃ
ＯＯＨ （分子量７０００） （２０８）Ｆ［ＣＦ（ＣＦ3 ）ＣＦ2 Ｏ］d Ｃ2 Ｆ4 Ｃ
Ｈ2 ＯＨ （分子量４５００） （２０９）Ｆ（Ｃ3 Ｆ6 Ｏ）e Ｃ2 Ｆ4 ＣＯＯＣＨ3
（分子量４０００） （２ｌ０）Ｆ（Ｃ3 Ｆ6 Ｏ）e Ｃ2 Ｆ4 ＣＯＯＣＨ2 Ｃ
6 Ｈ5 （分子量４１００） （２ｌｌ）Ｆ（Ｃ3 Ｆ6 Ｏ）e Ｃ2 Ｆ4 ＣＯＯＨ （分
子量３３００） （２ｌ２）Ｆ（Ｃ3 Ｆ6 Ｏ）e Ｃ2 Ｆ4 ＣＨ2 ＯＨ
（分子量３４００）等が挙げられる。
【００２６】上記結合層を形成する潤滑剤分子は、保護
膜と結合して潤滑膜がヘッドの摩擦により除去されるの
を防止することができるが、分子の自由度がないため潤
滑性に劣り単独では耐摩耗性をもたらすことはできな
い。しかし前記のポリブテンのような官能基を有しない
潤滑層と２層にすることにより優れた耐摩耗性をもたら
すことができる。
膜と結合して潤滑膜がヘッドの摩擦により除去されるの
を防止することができるが、分子の自由度がないため潤
滑性に劣り単独では耐摩耗性をもたらすことはできな
い。しかし前記のポリブテンのような官能基を有しない
潤滑層と２層にすることにより優れた耐摩耗性をもたら
すことができる。
【００２７】また、本発明の磁気ディスク装置を構成す
る磁気ヘッドスライダ支持機構は、バネとして有効な材
料であるステンレス，燐青銅，シリコン，アルミナなど
の材料を用いることができる。さらに、磁気ヘッドスラ
イダ又は接触パッドは、フェライト，アルミナ，アルミ
ナと炭化チタンとの焼結体，酸化ベリリウムと炭化チタ
ンとの焼結体，アルミナとＳｉＣとの焼結体，チタン酸
カルシウム，チタン酸バリウム，グラッシーカーボン，
非晶質カーボン，ＳｉＯ2 ，ＺｒＯ2 ，ＴｉＯ2 ，窒化
ほう素，サファイア，Ｓｉ，ダイアモンドなど多くの硬
質材料を用いることができる。
る磁気ヘッドスライダ支持機構は、バネとして有効な材
料であるステンレス，燐青銅，シリコン，アルミナなど
の材料を用いることができる。さらに、磁気ヘッドスラ
イダ又は接触パッドは、フェライト，アルミナ，アルミ
ナと炭化チタンとの焼結体，酸化ベリリウムと炭化チタ
ンとの焼結体，アルミナとＳｉＣとの焼結体，チタン酸
カルシウム，チタン酸バリウム，グラッシーカーボン，
非晶質カーボン，ＳｉＯ2 ，ＺｒＯ2 ，ＴｉＯ2 ，窒化
ほう素，サファイア，Ｓｉ，ダイアモンドなど多くの硬
質材料を用いることができる。
【００２８】また、潤滑膜の下地体にも、非晶質カーボ
ン，水素添加非晶質カーボン，ダイアモンド，ダイアモ
ンド状カーボン，ＢＮ，ＣＮｘ（ｘは０から０．５），
ＳｉＯ2 ，ＺｒＯ2 ，ＴｉＯ2 などの硬質薄膜を用いる
ことができる。
ン，水素添加非晶質カーボン，ダイアモンド，ダイアモ
ンド状カーボン，ＢＮ，ＣＮｘ（ｘは０から０．５），
ＳｉＯ2 ，ＺｒＯ2 ，ＴｉＯ2 などの硬質薄膜を用いる
ことができる。
【００２９】
【実施例】次に、参考例１について説明する。図１は本
発明の磁気ディスク装置１の基本構成を示す平面図で、
２は磁気ディスク媒体、３は接触型磁気ヘッド、６は支
持ばね、４はヘッドアーム、５はアクチュエータ、７は
ベースである。図２は本発明の参考例を示す磁気ヘッド
と磁気ディスクとの関係を示す側面図であり、磁気ヘッ
ドは荷重１００ミリグラムの接触型磁気ヘッド３，記録
再生素子８，支持ばね６，ヘッドアーム４からなる。磁
気ディスクは基板１３，磁性薄膜１２，保護膜１１から
なる下地体１５と潤滑層としてポリブテン膜１０からな
る。
発明の磁気ディスク装置１の基本構成を示す平面図で、
２は磁気ディスク媒体、３は接触型磁気ヘッド、６は支
持ばね、４はヘッドアーム、５はアクチュエータ、７は
ベースである。図２は本発明の参考例を示す磁気ヘッド
と磁気ディスクとの関係を示す側面図であり、磁気ヘッ
ドは荷重１００ミリグラムの接触型磁気ヘッド３，記録
再生素子８，支持ばね６，ヘッドアーム４からなる。磁
気ディスクは基板１３，磁性薄膜１２，保護膜１１から
なる下地体１５と潤滑層としてポリブテン膜１０からな
る。
【００３０】接触型磁気ヘッド３は、アルミナと炭化チ
タンの焼結体表面に、１ナノメータ厚のダイアモンドラ
イクカーボン薄膜をプラズマ化学蒸着法により被覆した
ものを用いた。接触型磁気ヘッド端面に記録再生素子８
を形成し、長さ１０ｍｍ、幅０．５ｍｍ、厚さ０．０３
ｍｍのステンレス製支持ばね６でヘッドアーム４にとり
つけ、さらにアクチュエータ５に取り付けた。
タンの焼結体表面に、１ナノメータ厚のダイアモンドラ
イクカーボン薄膜をプラズマ化学蒸着法により被覆した
ものを用いた。接触型磁気ヘッド端面に記録再生素子８
を形成し、長さ１０ｍｍ、幅０．５ｍｍ、厚さ０．０３
ｍｍのステンレス製支持ばね６でヘッドアーム４にとり
つけ、さらにアクチュエータ５に取り付けた。
【００３１】磁気ディスク媒体２は、ガラスを用いた基
板１３上に下地膜９の上に磁性薄膜１２として、ＣｏＰ
ｔＣｒをスパッタ法により３０ｎｍ成膜し、その上に保
護膜１１としてスパッタ法により水素ｌ０％添加カーボ
ンを２ｎｍ成膜して下地体１５を作製した。またその上
に潤滑膜として粘度が１０ｃＳｔから１０００万ｃＳｔ
（センチストークス）のポリブテン１０をヘキサン溶液
から浸せき法により５ナノメータ被覆して作製した。
板１３上に下地膜９の上に磁性薄膜１２として、ＣｏＰ
ｔＣｒをスパッタ法により３０ｎｍ成膜し、その上に保
護膜１１としてスパッタ法により水素ｌ０％添加カーボ
ンを２ｎｍ成膜して下地体１５を作製した。またその上
に潤滑膜として粘度が１０ｃＳｔから１０００万ｃＳｔ
（センチストークス）のポリブテン１０をヘキサン溶液
から浸せき法により５ナノメータ被覆して作製した。
【００３２】上記の磁気ヘッドと磁気ディスクを組み合
わせてベース７に組み込み、磁気ディスク装置１を作製
した。
わせてベース７に組み込み、磁気ディスク装置１を作製
した。
【００３３】次に、参考例２として、参考例１と同様に
して、但し潤滑層として粘度１９ｃＳｔと１２０万ｃＳ
ｔのポリブテン混合物（モル比１対１）膜１０を、５ナ
ノメータ厚形成して磁気ディスク装置を作製した。
して、但し潤滑層として粘度１９ｃＳｔと１２０万ｃＳ
ｔのポリブテン混合物（モル比１対１）膜１０を、５ナ
ノメータ厚形成して磁気ディスク装置を作製した。
【００３４】次に、参考例３として、参考例１と同様に
して、但し潤滑層として粘度１２５ｃＳｔと１２万ｃＳ
ｔのポリブテン混合物（モル比１対１）膜１０を、５ナ
ノメータ厚形成して磁気ディスク装置を作製した。
して、但し潤滑層として粘度１２５ｃＳｔと１２万ｃＳ
ｔのポリブテン混合物（モル比１対１）膜１０を、５ナ
ノメータ厚形成して磁気ディスク装置を作製した。
【００３５】次に実施例として、参考例１と同様にし
て、但し図３に示すように潤滑層として分子量６３０の
ポリエチレングリコールをイソプロピルアルコール溶液
から浸せき法により２ナノメータ厚形成し、さらにその
上に参考例ｌ，２，および３と同様のポリブテン膜を３
ナノメータ厚形成して磁気ディスク装置を作製した。
て、但し図３に示すように潤滑層として分子量６３０の
ポリエチレングリコールをイソプロピルアルコール溶液
から浸せき法により２ナノメータ厚形成し、さらにその
上に参考例ｌ，２，および３と同様のポリブテン膜を３
ナノメータ厚形成して磁気ディスク装置を作製した。
【００３６】比較例１として特開平５−１５１７３５号
公報に開示されたようなパーフロロポリエーテルを実施
例１と同様にして、但しパーフロロオクタン溶液から浸
せき法により５ナノメータの厚さで下地体上に被覆して
磁気ディスク装置を作製した。
公報に開示されたようなパーフロロポリエーテルを実施
例１と同様にして、但しパーフロロオクタン溶液から浸
せき法により５ナノメータの厚さで下地体上に被覆して
磁気ディスク装置を作製した。
【００３７】比較例２として特開平５−１５１７３５号
公報に開示されたパーフロロポリエーテルに水酸基がつ
いた水酸基変性パーフロロポリエーテルをパーフロロオ
クタン溶液から浸せき法により２ナノメータ厚で被覆
し、その上に官能基無しのパーフロロポリエーテルをパ
ーフロロオクタン溶液から３ナノメータ厚で浸せき塗布
し磁気ディスクを作製した。
公報に開示されたパーフロロポリエーテルに水酸基がつ
いた水酸基変性パーフロロポリエーテルをパーフロロオ
クタン溶液から浸せき法により２ナノメータ厚で被覆
し、その上に官能基無しのパーフロロポリエーテルをパ
ーフロロオクタン溶液から３ナノメータ厚で浸せき塗布
し磁気ディスクを作製した。
【００３８】上記参考例１，２，３，および実施例およ
び比較例１および２の磁気ディスク装置を毎分５４００
回転で１０００時間運転した後、磁気ヘッド表面の摩耗
体積を原子間力顕微鏡で測定した。その結果、図４に示
すように摩耗量はポリブテンの粘度に大きく依存し、低
粘度側と高粘度側で大きいことが分かった。摩耗は９０
００ｃＳｔで最小となる。これは高粘度側では、潤滑膜
形成能力が大きく磁気ヘッドの摺動による膜破断が生じ
にくい一方、拡散による自己修復性が弱いためであり、
低粘度側ではその逆となるからである。粘度が１００か
ら１０万ｃＳｔの間が摩耗が小さくなることが分かる
が、それらの範囲外の粘度を有するポリブテンであって
も参考例２および参考例３のように参考例３のような混
合体であれば摩耗を減らすことができる。また結合層と
組み合わせることによりさらに摩耗を減らすことができ
る。しかし比較例１および２の潤滑膜は耐摩耗特性に劣
り、また２層にしてもその効果が無いことが分かった。
び比較例１および２の磁気ディスク装置を毎分５４００
回転で１０００時間運転した後、磁気ヘッド表面の摩耗
体積を原子間力顕微鏡で測定した。その結果、図４に示
すように摩耗量はポリブテンの粘度に大きく依存し、低
粘度側と高粘度側で大きいことが分かった。摩耗は９０
００ｃＳｔで最小となる。これは高粘度側では、潤滑膜
形成能力が大きく磁気ヘッドの摺動による膜破断が生じ
にくい一方、拡散による自己修復性が弱いためであり、
低粘度側ではその逆となるからである。粘度が１００か
ら１０万ｃＳｔの間が摩耗が小さくなることが分かる
が、それらの範囲外の粘度を有するポリブテンであって
も参考例２および参考例３のように参考例３のような混
合体であれば摩耗を減らすことができる。また結合層と
組み合わせることによりさらに摩耗を減らすことができ
る。しかし比較例１および２の潤滑膜は耐摩耗特性に劣
り、また２層にしてもその効果が無いことが分かった。
【００３９】また図５に磁気ヘッドの荷重を変えたとき
の磁気ヘッドの摩耗量を示す。荷重が５００ミリグラム
より小さいときに特に本発明のポリブテンが優れている
ことが分かる。これはポリブテンが低荷重領域で膜形成
能力が高いためである。
の磁気ヘッドの摩耗量を示す。荷重が５００ミリグラム
より小さいときに特に本発明のポリブテンが優れている
ことが分かる。これはポリブテンが低荷重領域で膜形成
能力が高いためである。
【００４０】
【発明の効果】本発明に係る磁気ディスク装置によれ
ば、磁気記録再生素子からなる接触型磁気ヘッドと、こ
の接触型磁気ヘッドを装着した磁気ヘッドスライダと、
この磁気ヘッドスライダを支持する磁気へッドスライダ
支持機構と、下地体上に結合層及びその上のポリブテン
からなる２層潤滑膜を被覆した薄膜磁気ディスク媒体と
を備えたことにより、耐摩耗性及び信頼性を向上でき
る。なお、結合層の材料としてポリエチレングリコール
を例示したが、明細書に記した他の結合層も同様の効果
があることを確認した。
ば、磁気記録再生素子からなる接触型磁気ヘッドと、こ
の接触型磁気ヘッドを装着した磁気ヘッドスライダと、
この磁気ヘッドスライダを支持する磁気へッドスライダ
支持機構と、下地体上に結合層及びその上のポリブテン
からなる２層潤滑膜を被覆した薄膜磁気ディスク媒体と
を備えたことにより、耐摩耗性及び信頼性を向上でき
る。なお、結合層の材料としてポリエチレングリコール
を例示したが、明細書に記した他の結合層も同様の効果
があることを確認した。
【図１】本発明の磁気ディスク装置の第一実施形態を示
す概略平面図である。
す概略平面図である。
【図２】図１の磁気ディスク装置において、接触型磁気
ヘッドと磁気ディスク媒体がポリブテンを介して接触し
た状態を示す側面図である。
ヘッドと磁気ディスク媒体がポリブテンを介して接触し
た状態を示す側面図である。
【図３】本発明の磁気ディスク装置の実施形態を示し、
接触型磁気ヘッドと磁気ディスク媒体が結合層とポリブ
テンの２層の潤滑層を介して接触した状態を示す側面図
である。
接触型磁気ヘッドと磁気ディスク媒体が結合層とポリブ
テンの２層の潤滑層を介して接触した状態を示す側面図
である。
【図４】本発明の磁気ディスク装置において、接触型磁
気ヘッドの摩耗量とポリブテンの粘度の関係を表すグラ
フである。
気ヘッドの摩耗量とポリブテンの粘度の関係を表すグラ
フである。
【図５】本発明の磁気ディスク装置において、接触型磁
気ヘッドの摩耗量と荷重の関係を表すグラフである。
気ヘッドの摩耗量と荷重の関係を表すグラフである。
１ 磁気ディスク装置 ２ 磁気ディスク媒体 ３ 接触型磁気ヘッド ４ ヘッドアーム ５ アクチュエータ ６ 支持ばね ７ ベース ８ 記録再生素子 １０ ポリブテン １１ 保護膜 １２ 磁性薄膜 １３ 基板 １４ 結合層 １５ 下地体 １６ 潤滑層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G11B 5/72 C10M 107/08 C10N 40:18 G11B 25/04 ＷＰＩ／Ｌ（ＱＵＥＳＴＥＬ) ＣＡ（ＳＴＮ)
Claims (3)
- 【請求項１】 下地体上に結合層及びその上のポリブテン
からなる２層潤滑膜を被覆した薄膜磁気ディスク媒体
と、この薄膜磁気ディスク媒体上に直接接触することに
より当該薄膜磁気ディスク媒体に対して情報の記録又は
再生を行う接触型磁気ヘッドと、この接触型磁気ヘッド
を装着した磁気ヘッドスライダと、この磁気ヘッドスラ
イダを支持する磁気ヘッドスライダ支持機構とを備え、
前記潤滑膜は、粘度が１００ｃＳｔ以上かつ１０万ｃＳ
ｔ以下のポリブテンである接触式磁気ディスク装置。 - 【請求項２】 前記潤滑膜は、粘度が１万ｃＳｔのポリブ
テンである請求項１記載の接触式磁気ディスク装置。 - 【請求項３】 前記潤滑膜は、粘度が１００ｃＳｔ以下の
ポリブテンと１０万ｃＳｔ以上のポリブテンとの混合体
である請求項１記載の接触式磁気ディスク装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5586996A JP2964945B2 (ja) | 1996-03-13 | 1996-03-13 | 接触式磁気ディスク装置 |
| US08/815,630 US6040031A (en) | 1996-03-13 | 1997-03-13 | Contact recording magnetic disk device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5586996A JP2964945B2 (ja) | 1996-03-13 | 1996-03-13 | 接触式磁気ディスク装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09251635A JPH09251635A (ja) | 1997-09-22 |
| JP2964945B2 true JP2964945B2 (ja) | 1999-10-18 |
Family
ID=13011099
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5586996A Expired - Fee Related JP2964945B2 (ja) | 1996-03-13 | 1996-03-13 | 接触式磁気ディスク装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2964945B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2950301B2 (ja) | 1997-11-21 | 1999-09-20 | 日本電気株式会社 | 磁気ディスク装置 |
-
1996
- 1996-03-13 JP JP5586996A patent/JP2964945B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09251635A (ja) | 1997-09-22 |
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Legal Events
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