JP2963328B2 - 半導体ウェハのウェハマップ作成方法及び作成装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は半導体ウェハのウェハマ
ップ作成装置に関する。半導体装置の製造では、半導体
ウェハの状態で複数の半導体チップのプロセス処理が行
われ、このプロセス処理の後、各半導体チップのプロー
ブテストが行われる。この後、ウェハはダイシングライ
ンに沿って切断され、各半導体チップが分離される。こ
の後、各チップは切断前のウェハ上における相対位置に
保持されてダイスボンダに搬送され、ダイスボンダによ
りアセンブリ処理が施される。このアセンブリ処理にお
いて、処理対象とすべきチップを容易に判別するため
に、半導体ウェハのウェハマップが使用されるが、この
ウェハマップを容易に作成できることが望まれている。

【０００２】

【従来の技術】従来の半導体ウェハのウェハマップの作
成方法として特開昭６０−５３０４２号公報に開示され
るものがある。この作成方法では、Ｘ，Ｙ方向に動作す
る移動手段にウェハを固定する。このウェハには二次元
的にダイシングラインが形成され、ウェハはそのダイシ
ングラインと移動手段の移動方向とが合致するように固
定される。移動手段がＸ方向及びＹ方向に移動され、第
１のセンサ（容量センサ）によってウェハ上を相対的に
走査し、第１のセンサと接続した制御手段によりウェハ
の中心点が測定される。この後、移動手段が別の領域に
移され、前記制御手段によりその領域に位置する第２の
センサ（レーザー測長器）の中心とウェハの中心点とが
一致させられる。移動手段がＸ方向及びＹ方向に移動さ
れ、第２のセンサによってウェハ上を相対的に走査し、
ウェハの中心点から最初のＸ方向及びＹ方向に延びるダ
イシングラインまでの距離が検出され、第２のセンサと
接続した前記制御手段によりその距離が測定される。測
定した中心点からダイシングラインまでの距離及び前記
制御手段に記憶されたＸ方向のダイシングライン間の寸
方、Ｙ方向のダイシングライン間の寸方により、作成す
べきウェハと同形状のオリエンテーションフラットを有
する円にＸ方向に延びるダイシングライン及びＹ方向に
延びるダイシングラインが描かれる。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】ところが、従来のウェ
ハマップの作成方法においては、移動手段をＸ，Ｙ方向
に移動させるための機構や、２個のセンサを必要とする
ため、装置のコストが高くなる。また、ウェハ毎にウェ
ハマップを作成するとともに、ウェハマップを作成する
ために複数の工程が必要となり、作成に時間がかかる。

【０００４】本発明は上記問題点を解決するためになさ
れたものであって、その目的は、コストを低減できると
ともに、容易にウェハマップを作成して作成能率を向上
できる半導体ウェハのウェハマップ作成装置を提供する
ことにある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、第１の発明は、半導体ウェハのサイズのデータに基
づいて半導体ウェハの外形線を表示器に表示させるとと
もに、半導体ウェハ上に作成される半導体チップのサイ
ズのデータに基づいて半導体チップを作成するためのダ
イシングラインを外形線に重ね合わせて表示させる工程
と、外形線内に完全に含まれる複数の半導体チップを認
識すべき対象としてそれらの半導体チップの存在範囲と
それ以外の範囲とを区別するための識別表示を行わせる
工程と、外形線のデータ、ダイシングラインのデータ及
び半導体チップの存在範囲のデータを記憶手段に記憶さ
せる工程とを備える。

【０００６】第２の発明は、外形線及びダイシングライ
ンを相対移動させる工程と、外形線のデータ及びダイシ
ングラインのデータを記憶手段から読み出し、相対移動
後の外形線及びダイシングラインを表示器に表示させる
工程と、相対移動後の外形線内に完全に含まれる半導体
チップの存在範囲とそれ以外の範囲とを区別するための
識別表示を行わせる工程とを備える。

【０００７】第３の発明は、外形線内に少なくとも一部
が含まれる任意の半導体チップを認識対象の半導体チッ
プ又は認識対象外の半導体チップとして選択する工程
と、選択された認識対象の半導体チップに対して識別表
示を行わせてそのチップを存在範囲に含め、かつ、選択
された認識対象外の半導体チップに対する識別表示を解
除して存在範囲から除外する工程とを備える。

【０００８】第４の発明は、情報を表示するための表示
器と、半導体ウェハのサイズのデータ及び同ウェハ上に
作成される半導体チップのサイズのデータを入力するた
めの入力手段と、ウェハサイズのデータに基づいて半導
体ウェハの外形線を表示器に表示させるとともに、チッ
プサイズのデータに基づいて半導体チップを作成するた
めのダイシングラインを外形線に重ね合わせて表示させ
る第１の表示制御手段と、外形線内に完全に含まれる複
数の半導体チップを認識すべき対象としてそれらの半導
体チップの存在範囲とそれ以外の範囲とを区別するため
の識別表示を行わせる第２の表示制御手段と、第１の表
示制御手段によって表示された外形線のデータ及びダイ
シングラインのデータを記憶するとともに、第２の表示
制御手段によって表示された半導体チップの存在範囲の
データを記憶するための記憶手段とを備える。

【０００９】第５の発明は、外形線及びダイシングライ
ンを相対移動させるための操作手段を備える。第１の表
示制御手段は外形線のデータ及びダイシングラインのデ
ータを記憶手段から読み出し、操作手段の操作に基づく
相対移動後の外形線及びダイシングラインを表示器に表
示させる。第２の表示制御手段は相対移動後の外形線内
に完全に含まれる半導体チップの存在範囲とそれ以外の
範囲とを区別するための識別表示を行わせる。

【００１０】さらに、第６の発明は、外形線内に少なく
とも一部が含まれる任意の半導体チップを認識対象の半
導体チップ又は認識対象外の半導体チップとして選択す
るための選択手段を備える。第２の表示制御手段は選択
された認識対象の半導体チップに対して識別表示を行わ
せてそのチップを存在範囲に含め、かつ、選択された認
識対象外の半導体チップに対する識別表示を解除して存
在範囲から除外する。

【００１１】

【作用】第１及び第４の発明では、ウェハサイズのデー
タ及びチップサイズのデータを入力すると、ウェハの外
形線及びダイシングラインが重ね合わされて表示器に表
示される。外形線内に完全に含まれる複数の半導体チッ
プの存在範囲とそれ以外の範囲とを区別するための識別
表示が行われ、その存在範囲の半導体チップが認識すべ
き対象とされる。表示器に表示された外形線のデータ及
びダイシングラインのデータと、半導体チップの存在範
囲のデータが記憶される。これらのデータに基づいて認
識すべき対象となる半導体チップが容易に判別される。

【００１２】第２及び第５の発明では、表示器に表示さ
れた外形線及びダイシングラインを相対移動させること
によって、表示された外形線と半導体チップとの位置関
係を、実際の半導体ウェハと半導体チップとの位置関係
に容易に近似させることができる。そして、相対移動後
の外形線内に完全に含まれる複数の半導体チップの存在
範囲とそれ以外の範囲とを区別するための識別表示が行
われる。

【００１３】さらに、第３及び第６の発明では、外形線
内に少なくとも一部が含まれる任意の半導体チップが認
識対象の半導体チップ又は認識対象外の半導体チップと
して変更される。そのため、実際の半導体ウェハにおい
て欠けのないチップが表示器の表示においては存在範囲
に一部しか含まれないとき、その表示された半導体チッ
プを存在範囲に含めることが可能になる。また、実際の
半導体ウェハにおける位置決め用や条件確認用のモニタ
ーチップや、傷等のある不良チップを存在範囲から除外
することが可能になる。

【００１４】

【実施例】以下、本発明を具体化した一実施例を図面に
従って説明する。図１には本実施例のウェハマップ作成
装置１が示されている。作成装置１はＣＰＵ２、ウェハ
マップを作成するための制御プログラムを記憶したプロ
グラムメモリ３、記憶手段としての半導体メモリ４を備
える。作成装置１は情報を表示するための表示器として
のＣＲＴ５を備える。ＣＲＴ５は入力手段、選択手段及
び操作手段としてのキーボード６を備えるとともに、選
択手段及び操作手段としてのマウス７を備えている。さ
らに、設計装置１には記憶手段としての出力ファイル８
を備えられ、出力ファイル８には設計装置１によって作
成されたウェハマップのデータが格納される。

【００１５】ＣＰＵ２は前記制御プログラムとともに、
第１及び第２の表示制御手段を構成する。ＣＰＵ２には
キーボード６のキー操作に基づいて作成しようとする半
導体ウェハのサイズのデータ及び同ウェハ上に作成され
る半導体チップのサイズのデータが入力される。ＣＰＵ
２は入力されたウェハサイズのデータに基づいてグラフ
ィック処理を行い、図２に示すように半導体ウェハの外
形線１０をＣＲＴ５に表示させる。また、ＣＰＵ２は入
力されたチップサイズのデータに基づいてグラフィック
処理を行い、Ｘ，Ｙ方向に延びる複数のダイシングライ
ン１１，１２を前記外形線１０に重ね合わせてＣＲＴ５
に表示させる。これらのダイシングライン１１，１２に
よって複数の半導体チップ１３が作成される。なお、図
２ではウェハサイズ（直径）は１００ｍｍに設定され、
チップサイズは１０ｍｍ（Ｘ方向）×１０ｍｍ（Ｙ方
向）に設定されている。また、ＣＲＴ５の画素（ドッ
ト）の間隔は、１画素当たり１０μｍに設定されてい
る。

【００１６】ＣＰＵ２によって作成された図２に示す外
形線１０のデータ、ＣＲＴ５における外形線１０の位置
データ、ダイシングライン１１，１２のデータ、及びＣ
ＲＴ５におけるダイシングライン１１，１２の位置デー
タはメモリ４に記憶される。

【００１７】次に、キーボード６の操作に基づいてダイ
シングライン１１，１２の移動処理が指示されるととも
に、キー操作によってＸ，Ｙ方向の移動量Δｘ，Δｙの
データが入力される。移動量Δｘ，Δｙは正又は負の値
をとることができる。

【００１８】すると、ＣＰＵ２はメモリ４からダイシン
グライン１１，１２のデータを読み出し、それらの位置
データに移動量データを加算して新たな位置データを算
出する。ＣＰＵ２は外形線１０の表示位置は固定したま
ま、新たな位置データに基づいてダイシングライン１
１，１２を外形線１０に対して相対移動させ、移動後の
外形線及びダイシングラインを表示器に表示させる。こ
の相対移動によって、ＣＲＴ５に表示された外形線１０
及びダイシングライン１１，１２の位置関係を、実際の
半導体ウェハと半導体チップとの位置関係に近似させる
ことができる。

【００１９】図２において、Δｘが正の値である場合、
ダイシングライン１１，１２は下方向に移動され、Δｘ
が負の値である場合、ダイシングライン１１，１２は上
方向に移動される。また、Δｙが正の値である場合、ダ
イシングライン１１，１２は右方向に移動され、Δｙが
負の値である場合、ダイシングライン１１，１２は左方
向に移動される。すなわち、ダイシングライン１１，１
２は移動量Δｘ，Δｙの値に基づいて図２の上下左右に
移動される。

【００２０】従って、移動量Δｘ，Δｙとして正の値が
入力されると、ＣＰＵ２は図３に示すように、ダイシン
グライン１１，１２を破線で示す位置から実線で示す位
置に移動させ、前記外形線１０及び実線で示される新た
なダイシングライン１１，１２を表示させる。

【００２１】その結果、メモリ４に記憶されたダイシン
グライン１１，１２の位置データは、図３に示す新たな
ダイシングライン１１，１２の位置データに更新され
る。なお、ダイシングライン１１，１２の移動処理はマ
ウス７によって行うこともできる。この場合にはマウス
７の操作に基づいてＣＲＴ５上でダイシングライン１
１，１２の移動位置がカーソルによって指示される。す
ると、ＣＰＵ２はそのＸ，Ｙ方向の移動量Δｘ，Δｙを
算出し、その算出結果に基づいてダイシングライン１
１，１２を移動させる。

【００２２】ダイシングラインの移動が完了すると、Ｃ
ＰＵ２は、図４に示すように外形線１０内に完全に含ま
れる複数の半導体チップ１３の存在範囲２０（斜線で示
す）を判別する。そして、ＣＰＵ２は存在範囲２０を例
えばグラフィック処理で塗りつぶし又は高輝度で表示さ
せることにより、存在範囲２０とそれ以外の範囲とを区
別するための識別表示を行う。それにより、存在範囲２
０に含まれる複数の半導体チップ１３が認識すべき対象
として判別される。

【００２３】ＣＰＵ２によって作成された図４に示す存
在範囲２０のデータがメモリ４に記憶される。次に、キ
ーボード６の操作に基づいてチップの変更処理が指示さ
れるとともに、キー操作によって外形線１０内に少なく
とも一部が含まれる任意の半導体チップが認識対象又は
認識対象外の半導体チップとして選択される。

【００２４】例えば、図４において、実際の半導体ウェ
ハにおいて完全な製品でない２つの位置決め用チップ１
３ａ及び条件確認用のモニターチップ１３ｃが認識対象
外のチップとして選択される。実際の半導体ウェハにお
いて傷等のある不良チップも認識対象外のチップとして
選択される。また、実際の半導体ウェハにおいては欠け
のないチップであるにもかかわらず、ＣＲＴ５の表示に
おいては外形線１０内に一部しか含まれない２つのチッ
プ１３ｂが認識対象のチップとして選択される。なお、
このチップの選択も前記マウス７の操作に基づいて行う
ことができる。

【００２５】すると、ＣＰＵ２はメモリ４から前記存在
範囲２０のデータを読み出す。ＣＰＵ２は対象外チップ
として選択された位置決め用チップ１３ａ及び条件確認
用のモニターチップ１３ｃに対する前記識別表示を解除
し、図５に示すようにチップ１３ａ，１３ｃを存在範囲
２０から除外する。また、ＣＰＵ２は対象チップとして
選択されたチップ１３ｂに対して前記識別表示を行っ
て、図５に示すようにチップ１３ｂを存在範囲２０に含
める。

【００２６】その結果、メモリ４に記憶された存在範囲
２０のデータは、図５に示す新たな存在範囲２０のデー
タに更新される。チップの変更処理が完了すると、ＣＰ
Ｕ２は図６に示すように、互いに隣接する一対のダイシ
ングライン１２間を右方から順に座標Ｘ０〜Ｘ９とする
とともに、互いに隣接する一対のダイシングライン１１
間を上方から順に座標Ｙ０〜Ｙ９とする。ＣＰＵ２は座
標Ｘ０〜Ｘ９の１つと座標Ｙ０〜Ｙ９の１つでチップの
アドレスを定義する。そして、ＣＰＵ２は前記存在範囲
２０に含まれるチップ１３に対応するアドレスにデータ
「１」を格納し、存在範囲２０に含まれないチップに対
応するアドレスにデータ「０」を格納し、このデータを
メモリ４に記憶させる。例えば、図６において、（Ｘ
０，Ｙ０），（Ｘ０，Ｙ１），・・・等のアドレスには
「０」が格納され、（Ｘ１，Ｙ２），（Ｘ１，Ｙ３），
・・・等のアドレスには「１」が格納される。

【００２７】図６に示す全アドレスについてメモリ４に
データ「１」，「０」が記憶されると、ウェハマップの
データが完成し、このウェハマップデータは出力ファイ
ル８に転送され、ファイル８に格納される。

【００２８】この出力ファイル８はダイシングされた半
導体チップのアセンブリ処理を行うダイスボンダに装着
される。ダイスボンダはファイル８に記憶されたウェハ
マップデータにおいてデータ「１」が格納されているア
ドレスに対応するチップのみを認識する。

【００２９】そのため、ダイスボンダにおけるチップ認
識の作業能率を向上することができる。ダイスボンダは
処理対象として認識した半導体チップにプローブテスト
の結果であるインクマークがあるか否かを判定する。ダ
イスボンダはインクマークのない良品のチップであれ
ば、そのチップに対応するウェハマップのアドレスに例
えば、データ「Ｇ」を格納し、インクマークのある不良
品のチップであれば、そのチップに対応するウェハマッ
プのアドレスに例えば、データ「Ｎ」を格納する。

【００３０】このデータは後工程のダイボンディングで
活用できる。このように、本実施例のウェハマップ作成
装置１では、半導体チップのプローブテストの結果チッ
プに付加されるインクマークの有無を判定させる際に用
いられるウェハマップのデータを簡単な操作で容易に作
成することができる。また、作成装置１は従来のように
複雑な機構が不要であるため、設計装置１のコストを低
減することができる。

【００３１】また、作成装置１はＣＲＴ５に表示された
外形線１０と半導体チップとの位置関係を、実際の半導
体ウェハと半導体チップとの位置関係に容易に近似させ
ることができる。また、外形線１０内に完全に含まれる
複数の半導体チップの存在範囲２０を識別表示すること
により、チップを認識するための存在範囲２０を必要最
小限にすることができる。

【００３２】また、作成装置１は、任意の半導体チップ
を認識対象又は認識対象外のチップとして選択すること
により、そのチップを存在範囲２０に含めたり、除外し
たりする変更処理を容易に行うことができる。

【００３３】また、本実施例の作成装置１は、ウェハサ
イズ及びチップサイズが等しい複数のウェハに対しては
１枚目のウェハについてウェハマップを作成すれば、そ
のウェハマップを２枚目以降のウェハのウェハマップと
して利用できる。そのため、ウェハマップの作成時間を
短縮することができる。

【００３４】なお、外形線１０とダイシングライン１
１，１２との相対移動は、ダイシングライン１１，１２
の表示位置を固定し、外形線１０をダイシングライン１
１，１２に対して相対移動させるようにしてもよい。

【００３５】表示器・・・この明細書において、表示器
とは視覚情報を電気的に表示できるものを意味し、ＣＲ
Ｔ以外に液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイ等を
含む。

【００３６】

【発明の効果】以上詳述したように、第１及び第４の発
明によれば、コストを低減できるとともに、容易にウェ
ハマップを作成して作成能率を向上することができる。

【００３７】第２及び第５の発明によれば、外形線と半
導体チップとの位置関係を、実際の半導体ウェハと半導
体チップとの位置関係に容易に近似させることができ
る。また、チップを認識するための存在範囲を必要最小
限にすることができる。

【００３８】さらに、第３及び第６の発明によれば、認
識する半導体チップの変更処理を容易に行うことができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を具体化した一実施例のウェハマップ作
成装置を示すブロック図である。

【図２】ウェハサイズ及びチップサイズの入力後のＣＲ
Ｔの表示を示す説明図である。

【図３】ウェハの外形線及びダイシングラインの相対移
動時のＣＲＴの表示を示す説明図である。

【図４】半導体チップの存在範囲の識別表示を示す説明
図である。

【図５】チップの変更処理後の半導体チップの存在範囲
の識別表示を示す説明図である。

【図６】ウェハマップデータを示す説明図である。

【符号の説明】

２ 第１及び第２の表示制御手段としてのＣＰＵ ４ 記憶手段としての半導体メモリ ５ 表示器としてのＣＲＴ ６ 入力手段、操作手段及び選択手段としてのキーボー
ド ８ 記憶手段としての出力ファイル １０ 外形線 １１，１２ ダイシングライン １３ 半導体チップ ２０ 存在範囲

Claims (6)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体ウェハのサイズのデータに基づい
   て半導体ウェハの外形線（１０）を表示器（５）に表示
   させるとともに、前記半導体ウェハ上に作成される半導
   体チップ（１３）のサイズのデータに基づいて半導体チ
   ップ（１３）を作成するためのダイシングライン（１
   １，１２）を前記外形線（１０）に重ね合わせて表示さ
   せる工程と、 前記外形線（１０）内に完全に含まれる複数の半導体チ
   ップ（１３）を認識すべき対象としてそれらの半導体チ
   ップ（１３）の存在範囲（２０）とそれ以外の範囲とを
   区別するための識別表示を行わせる工程と、 前記外形線のデータ、ダイシングラインのデータ及び前
   記半導体チップの存在範囲（２０）のデータを記憶手段
   （４，８）に記憶させる工程とを備える半導体ウェハの
   ウェハマップ作成方法。
2. 【請求項２】 前記外形線（１０）及びダイシングライ
   ン（１１，１２）を相対移動させる工程と、 前記外形線（１０）のデータ及びダイシングラインのデ
   ータを前記記憶手段（４）から読み出し、前記相対移動
   後の外形線（１０）及びダイシングライン（１１，１
   ２）を前記表示器（５）に表示させる工程と、 前記相対移動後の外形線（１０）内に完全に含まれる半
   導体チップ（１３）の存在範囲（２０）とそれ以外の範
   囲とを区別するための識別表示を行わせる工程とを備え
   る請求項１に記載の半導体ウェハのウェハマップ作成方
   法。
3. 【請求項３】 前記外形線（１０）内に少なくとも一部
   が含まれる任意の半導体チップを認識対象の半導体チッ
   プ又は認識対象外の半導体チップとして選択する工程
   と、 前記選択された認識対象の半導体チップに対して識別表
   示を行わせてそのチップを前記存在範囲（２０）に含
   め、かつ、選択された認識対象外の半導体チップに対す
   る識別表示を解除して前記存在範囲（２０）から除外す
   る工程とからなる請求項１又は２に記載の半導体ウェハ
   のウェハマップ作成方法。
4. 【請求項４】 情報を表示するための表示器（５）と、 半導体ウェハのサイズのデータ及び同ウェハ上に作成さ
   れる半導体チップのサイズのデータを入力するための入
   力手段（６）と、 前記ウェハサイズのデータに基づいて前記半導体ウェハ
   の外形線（１０）を前記表示器（５）に表示させるとと
   もに、前記チップサイズのデータに基づいて半導体チッ
   プ（１３）を作成するためのダイシングライン（１１，
   １２）を前記外形線（１０）に重ね合わせて表示させる
   第１の表示制御手段（２）と、 前記外形線（１０）内に完全に含まれる複数の半導体チ
   ップ（１３）を認識すべき対象としてそれらの半導体チ
   ップ（１３）の存在範囲（２０）とそれ以外の範囲とを
   区別するための識別表示を行わせる第２の表示制御手段
   （２）と、 前記第１の表示制御手段（２）によって表示された外形
   線のデータ及びダイシングラインのデータを記憶すると
   ともに、前記第２の表示制御手段（２）によって表示さ
   れた半導体チップの存在範囲（２０）のデータを記憶す
   るための記憶手段（４，８）とを備える半導体ウェハの
   ウェハマップ作成装置。
5. 【請求項５】 前記外形線（１０）及びダイシングライ
   ン（１１，１２）を相対移動させるための操作手段
   （６）を備え、 前記第１の表示制御手段（２）は外形線のデータ及びダ
   イシングラインのデータを前記記憶手段（４）から読み
   出し、前記操作手段（６）の操作に基づく相対移動後の
   外形線（１０）及びダイシングライン（１１，１２）を
   前記表示器（５）に表示させることと、 前記第２の表示制御手段（２）は相対移動後の外形線
   （１０）内に完全に含まれる半導体チップ（１３）の存
   在範囲（２０）とそれ以外の範囲とを区別するための識
   別表示を行わせることとからなる請求項４に記載の半導
   体ウェハのウェハマップ作成装置。
6. 【請求項６】 前記外形線（１０）内に少なくとも一部
   が含まれる任意の半導体チップを認識対象の半導体チッ
   プ又は認識対象外の半導体チップとして選択するための
   選択手段（６）を備え、 前記第２の表示制御手段（２）は前記選択された認識対
   象の半導体チップに対して前記識別表示を行わせてその
   チップを前記存在範囲（２０）に含め、かつ、選択され
   た認識対象外の半導体チップに対する識別表示を解除し
   て前記存在範囲（２０）から除外することとからなる請
   求項４又は５に記載の半導体ウェハのウェハマップ作成
   装置。