JP2941644B2 - 磁性体板の駆動装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、電磁石による磁性体板
の非接触駆動に関し、より具体的には、これに限定する
意図ではないが、熱間圧延後又は冷間圧延後の薄鋼板の
搬送又は巻取り，もしくはメッキ処理ライン又は連続熱
処理ラインにおける薄鋼板の搬送において、薄鋼板の幅
方向の位置ずれ制御に関する。

【０００２】

【従来の技術】例えば上述の如き搬送中の薄鋼板の幅方
向位置ずれ矯正には、従来より種々の方法が実施されて
いる。最も代表的には、サイドガイドが用いられるが、
薄鋼板の側端がサイドガイドに当ると側縁部に折れ又は
曲りを生じ、形状不良を生じ易い。薄鋼板を支えるロ−
ラの一端を、薄鋼板の一側端の張力が増加する方向に駆
動する態様では、やはり接触式であるので鋼板に傷が付
き易いと共に、薄鋼板との接触弧長が全周の１／４以下
では効果が低い。

【０００３】電磁石あるいはリニアモ−タを薄鋼板の搬
送ライン近傍に配設し、非接触で薄鋼板に吸引力又は推
力を与えて薄鋼板のセンタリングを行なう提案もある
（例えば特公昭51-41990号公報,特公昭51-41991号公報,
特開昭63-12556号公報)。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかし、電磁石あるい
はリニアモ−タを面対向で配設しこれらで薄鋼板をセン
タリングする提案では、所要の吸引力又はリニアモ−タ
推力を薄鋼板に与えるために、電磁石あるいはリニアモ
−タと薄鋼板とのギャップを比較的に短く設定する必要
があり、通常の鋼板（キュリ−点未満の温度；磁性体）
では、ギャップがある小さい値になると瞬時に薄鋼板が
電磁石あるいはリニアモ−タに吸着し、これが面接触で
あるので離れにくく、吸着部にすり傷を生ずるばかりで
なく、高速搬送の場合には吸着部の後続部が凸又は凹に
たくれて大きな搬送トラブルになってしまうおそれがあ
る。

【０００５】また、ロールによる方式においては、ロー
ルに対して鋼板の持つ角度が９０度以下の接触部分で
は、十分なステアリングは発生しない。

【０００６】本発明は、磁性体板をその板面に沿う方向
に非接触で駆動することを第１の目的とし、このため電
磁石を用いるが、電磁石への磁性体板の吸着抑止が容易
な駆動装置を提供することを第２の目的とし、磁性体板
の幅方向および法線方向の位置ずれを非接触で抑制する
ことを第３の目的とし、この位置ずれ抑制の安定性を向
上することを第４の目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】第１番の発明の、磁性体
板の駆動装置は、磁性体板(FP)の端部近傍に配設され、
それぞれの磁極端面が該磁性体板(FP)の表板面又はその
延長面および裏板面又はその延長面に対向する１対の電
磁石(1A,1B)；該１対の電磁石(1A,1B)に、前記磁極端面
が同極となる電流を通電する通電手段(4a,4b)；磁性体
板(FP)の端部と前記電磁石(1A,1B)との、磁性体板の板
面に沿う方向ｙの距離を検出するｙ距離検出手段(6y)；
および、ｙ距離検出手段(6y)が検出する距離に対応し
て、それが長いと高レベルの、短いと低レベルの電流
を、前記通電手段(4a,4b)を介して電磁石(1A,1B)に通電
する通電制御手段(5a,5b)；を備える。

【０００８】第２番の発明の、磁性体板の駆動装置は、
磁性体板の端部近傍に配設され、磁極端面が該磁性体板
の表板面又はその延長面に対向する第１電磁石(1A)；磁
極端面が該磁性体板の表板面又はその延長面および第１
電磁石(1A)の前記磁極端面に対向する第２電磁石(1B)；
第１電磁石(1A)に通電する第１通電手段(4a)；第２電磁
石(1B)の前記磁極端面が第１電磁石(1A)の前記磁極端面
と同極になる電流を通電する第２通電手段(4b)；磁性体
板の端部と前記電磁石との、磁性体板の板面に沿う方向
ｙの距離を検出するｙ距離検出手段(6y)；第１および第
２電磁石(1A & 1B)の前記磁極端面の少くとも一方と磁
性体板の板面との、ｙ方向に直交する方向ｘの距離を検
出するｘ距離検出手段(6x1)；ｙ距離検出手段(6y)が検
出する距離ｙおよび第１電磁石(1A)の前記磁極端面と磁
性体板の板面とのｘ方向の距離ｘ₁に対応して、距離ｙ
が長いと高レベル短いと低レベル、かつ距離ｘ₁が長い
と高レベル短いと低レベルの電流を、第１通電手段(4a)
を介して第１電磁石(1A)に通電する第１通電制御手段(5
a)；および、ｙ距離検出手段(6y)が検出する距離ｙおよ
び第２電磁石(1B)の前記磁極端面と磁性体板の板面との
ｘ方向の距離ｘ₂に対応して、距離ｙが長いと高レベル
短いと低レベル、かつ距離ｘ₂が長いと高レベル短いと
低レベルの電流を、第２通電手段(4b)を介して第２電磁
石(1B)に通電する第２通電制御手段(5b)；を備える。

【０００９】第３番の発明の、磁性体板の駆動装置は、
磁性体板(FP)の一端部近傍に配設され、それぞれの磁極
端面が該磁性体板の表板面又はその延長面および裏板面
又はその延長面に対向する第１組の１対の電磁石(1A,1
B)；磁性体板の他端部近傍に配設され、それぞれの磁極
端面が該磁性体板の表板面又はその延長面および裏板面
又はその延長面に対向する第２組の１対の電磁石(1C,1
D)；第１組の１対の電磁石(1A,1B)に、前記磁極端面が
同極となる電流を通電する第１組の通電手段(4a,4b)；
第２組の１対の電磁石(1C,1D)に、前記磁極端面が同極
となる電流を通電する第２組の通電手段(4c,4d)；磁性
体板の前記一端部と第１組の電磁石(1A,1B)との、磁性
体板の板面に沿う方向ｙの距離ｙ₁と、磁性体板の前記
他端部と第２組の電磁石との、磁性体板の板面に沿う方
向ｙの距離ｙ₂の、少くとも一方を検出するｙ距離検出
手段(6y)；距離ｙ₁に対応して、それが長いと高レベル
の、短いと低レベルの電流を、第１組の通電手段(4a,4
b)を介して第１組の１対の電磁石(1A,1B)に通電する第
１組の通電制御手段(5a,5b)；および、距離ｙ₂に対応し
て、それが長いと高レベルの、短いと低レベルの電流
を、第２組の通電手段(4c,4d)を介して第２組の１対の
電磁石(1C,1D)に通電する第２組の通電制御手段(5c,5
d)；を備える。

【００１０】第４番の発明の、磁性体板の駆動装置は、
磁性体板の一端部近傍に配設され、磁極端面が該磁性体
板の表板面又はその延長面に対向する第１組の第１電磁
石(1A)；磁極端面が該磁性体板の表板面又はその延長面
および第１組の第１電磁石(1A)の前記磁極端面に対向す
る第１組の第２電磁石(1B)；第１組の第１電磁石(1A)に
通電する第１組の第１通電手段(4a)；第１組の第２電磁
石(1B)の前記磁極端面が第１組の第１電磁石(1A)の前記
磁極端面と同極になる電流を通電する第１組の第２通電
手段(4b)；磁性体板の他端部近傍に配設され、磁極端面
が該磁性体板の表板面又はその延長面に対向する第２組
の第１電磁石(1C)；磁極端面が該磁性体板の表板面又は
その延長面および第２組の第１電磁石(1C)の前記磁極端
面に対向する第２組の第２電磁石(1D)；第２組の第１電
磁石(1C)に通電する第２組の第１通電手段(4c)；第２組
の第２電磁石(1D)の前記磁極端面が第２組の第１電磁石
(1C)の前記磁極端面と同極になる電流を通電する第２組
の第２通電手段(4d)；磁性体板の前記一端部と第１組の
電磁石(1A,1B)との、磁性体板の板面に沿う方向ｙの距
離ｙ₁と、磁性体板の前記他端部と第２組の電磁石(1C,1
D)との、磁性体板の板面に沿う方向ｙの距離ｙ₂の、少
くとも一方を検出するｙ距離検出手段(6y)；第１組の第
１および第２電磁石(1A,1B)の前記磁極端面の少くとも
一方と磁性体板の板面との、ｙ方向に直交する方向ｘの
距離を検出する第１組のｘ距離検出手段(6x1)；第２組
の第１および第２電磁石(1C,1D)の前記磁極端面の少く
とも一方と磁性体板の板面との、ｙ方向に直交する方向
ｘの距離を検出する第２組のｘ距離検出手段(6x2)；距
離ｙ₁および第１組の第１電磁石(1A)の前記磁極端面と
磁性体板の板面とのｘ方向の距離ｘ₁₁に対応して、距離
ｙ₁が長いと高レベル短いと低レベル、かつ距離ｘ₁₁が
長いと高レベル短いと低レベルの電流を、第１組の第１
通電手段(4a)を介して第１組の第１電磁石(1A)に通電す
る第１組の第１通電制御手段(5a)；距離ｙ₁および第１
組の第２電磁石(1B)の前記磁極端面と磁性体板の板面と
のｘ方向の距離ｘ₁₂に対応して、距離ｙ₁が長いと高レ
ベル短いと低レベル、かつ距離ｘ₁₂が長いと高レベル短
いと低レベルの電流を、第１組の第２通電手段(4b)を介
して第１組の第２電磁石(1B)に通電する第１組の第２通
電制御手段(5b)；距離ｙ₂および第２組の第１電磁石(1
C)の前記磁極端面と磁性体板の板面とのｘ方向の距離ｘ
₂₁に対応して、距離ｙ₂が長いと高レベル短いと低レベ
ル、かつ距離ｘ₂₁が長いと高レベル短いと低レベルの電
流を、第２組の第１通電手段(4c)を介して第２組の第１
電磁石(1C)に通電する第２組の第１通電制御手段(5c)；
および、距離ｙ₂および第２組の第２電磁石(1D)の前記
磁極端面と磁性体板の板面とのｘ方向の距離ｘ₂₂に対応
して、距離ｙ₂が長いと高レベル短いと低レベル、かつ
距離ｘ₂₂が長いと高レベル短いと低レベルの電流を、第
２組の第２通電手段(4d)を介して第２組の第２電磁石(1
D)に通電する第２組の第２通電制御手段(5d)；を備え
る。

【００１１】なお、カッコ内には、理解を容易にするた
めに、後述する実施例中の対応する要素の符号を、参考
までに付記した。

【００１２】

【作用】１対の電磁石(1A,1B)が磁性体板(FP)の端部近
傍に配設され、それぞれの磁極端面が該磁性体板(FP)の
表板面又はその延長面および裏板面又はその延長面に対
向する。この態様の一例を図１４の（ｂ）に示す。電磁
石(1A,1B)の鉄心３ａ，３ｂはサイズが４０mm×４０mm
×８０mmであり、それらの磁極端面は４０ｍｍのギャッ
プを置いて相対向している。そしてこの態様で電気コイ
ル２ａおよび２ｂに通電すると、電磁石(1A,1B)より磁
性体板(FP)に、板面に垂直なｘ方向の吸引力Ｉｘ／Ｒｘ
および幅方向ｙの吸引力Ｉｙ／Ｒｙが作用する。これら
の力は、磁性体板(FP)の端部が電磁石の中心位置Ａから
ｙ方向のいずれの位置にあるかにより異なる。これらの
吸引力を図１４の（ａ）に示す。

【００１３】図１４の（ａ）は、電気コイル２ａおよび
２ｂに、それぞれｊ＝２×１０⁶Ａ／ｍ²の電流を通電し
た場合のものである。電磁石(1A,1B)の相対向する磁極
端面が異極となるようにそれらの電磁石に通電したとき
には、ｘ方向の吸引力Ｒｘおよびｙ方向の吸引力Ｒｙが
共に小さいが、電磁石(1A,1B)の相対向する磁極端面が
同極となるように通電したときのｘ方向の吸引力Ｉｘお
よびｙ方向吸引力Ｉｙが大きい。ｙ方向吸引力Ｉｙは、
磁性体板(FP)の端部のｙ方向位置変化に対応してかなり
変動するが、大きな値である。

【００１４】しかして上述の第１番〜第４番の発明では
いずれにおいても、ｙ距離検出手段(6y)が、磁性体板(F
P)の端部と電磁石(1A,1B)との、磁性体板の板面に沿う
方向ｙの距離ｙを検出し、通電制御手段(5a,5b)が、距
離ｙに対応して、それが長いと高レベルの、短いと低レ
ベルの電流を、通電手段(4a,4b)を介して電磁石(1A,1B)
に通電する。これにより、ｙ方向で、磁性体板(FP)の端
部が電磁石(1A,1B)から離れているときには大きな吸引
力Ｉｙが磁性体板(FP)に作用する。すなわち大きなｙ方
向駆動力が加わり磁性体板(FP)が電磁石(1A,1B)に近づ
く方向に駆動される。磁性体板(FP)が電磁石(1A,1B)に
近づくに従って電流レベルが低下して吸引力Ｉｙが弱ま
るので、磁性体板(FP)はｙ方向のある位置でｙ方向位置
変化が止まる。１対の電磁石(1A,1B)を同一特性のもの
とし両電磁石の通電レベルを同一とすれば、両電磁石(1
A,1B)によりｘ方向の吸引力Ｉｘが拮抗する。完全にバ
ランスしない場合でも、逆方向のｘ方向吸引力Ｉｘが同
時に作用するので、それらの差し引きで、磁性体板(FP)
が一方の電磁石に吸引されるｘ方向の力は弱く、その分
磁性体板(FP)が電磁石に吸着してしまうような不具合の
可能性が低い。

【００１５】第２番および第４番の発明では、ｘ距離検
出手段(6x1)が、電磁石(1A,1B)の磁極端面の少くとも一
方と磁性体板の板面との、ｙ方向に直交する方向ｘの距
離ｘを検出し、通電制御手段(5a,5b)が、距離ｘに対応
して、磁性体板(FP)が近づく電磁石の電流レベルは下
げ、離れる電磁石の電流レベルは上げるので、磁性体板
(FP)は両電磁石の実質上中間位置に常時位置決めされ、
磁性体板(FP)が電磁石に吸着することがない。

【００１６】第３番および第４番の発明では、磁性体板
(FP)の両端にそれぞれ第1組および第2組の電磁石(1A,1
B),(1C,1D)を配置するので、磁性体板(FP)の各端部には
そこを外側に引く力が加わり、これらの力が逆方向であ
るので、両組の電磁石の電流値の制御により、磁性体板
(FP)が、両組の電磁石の間の所定位置(y方向)に位置決
めされる。第４番の発明では、磁性体板(FP)が、ｘ方向
およびｙ方向の所定位置に位置決めされる。

【００１７】いずれの発明においても、磁性体板(FP)に
は非接触でｙ方向の駆動力が加わるので、仮に磁性体板
(FP)をｘおよびｙ方向に直交するｚ方向に搬送駆動して
も、これによって磁性体板(FP)にスリ傷あるいは掻き傷
を生ずることがない。

【００１８】各発明の他の目的及び特徴は、図面を参照
した以下の実施例の説明より明らかになろう。

【００１９】

【実施例】図１に、本発明の一実施例の全体構成を示
す。図１紙面に垂直な方向ｚに移動する鋼帯ＦＰの図１
紙面に向い右側の側面近傍には、鋼帯ＦＰの右端縁を上
下方向ｘより挟んで相対向している電磁石１Ａ，１Ｂよ
りなる第１電磁石対が配置され、鋼帯ＦＰの左側の側面
近傍では鋼帯ＦＰの左端縁を上下方向より挟んで相対向
している電磁石１Ｃ，１Ｄよりなる第２電磁石対が配置
されている。鋼帯ＦＰ近傍の上側及び右側には、鋼帯Ｆ
Ｐの上面に対向してギャップセンサ６x1，６x2が、右端
面に対向してギャップセンサ６yが配置されており、６x
1は電磁石１Ａ近傍において鋼帯ＦＰとのギャップｘa
（以下第１ギャップｘaと表記）を検知し、６x2は電磁
石１Ｃ近傍において鋼帯ＦＰとのギャップｘc（以下第
３ギャップｘcと表記）を検知してそれぞれ制御回路５
a，５cに検出値ｘa*，ｘc*を出力する。また、６yは鋼
板ＦＰの右端面近傍において鋼帯ＦＰとのギャップｙa
（以下右ギャップｙaと表記）を検知して制御回路５aに
出力する。

【００２０】第１電磁石対の電磁石１Ａ，１Ｂのコイル
２a,２bの通電は、コイルドライバ４a,４bを介して制御
回路５a,５bによりそれぞれギャップセンサ６x1,６yよ
り得られる位置情報ｘa*,ｙa*及びコイルドライバ４a,
４bより出力される通電電流の検出値ｉa*,ｉb*をもとに
フィードバック制御される。

【００２１】制御回路５aは、ギャップセンサ６x1の検
出値（アナログ値）ｘa*をデジタル変換し、得られた第
１ギャップｘaを制御回路５bに出力すると同時に、その
値ｘaを上下目標値ｘoより差し引いて鋼帯ＦＰの右端縁
における上下方向の基準位置に対する現在の制御偏差を
算出し、また、ギャップセンサ６yより受け取った検出
値ｙa*をデジタル変換して得られた右ギャップｙaを制
御回路５b,５cに出力すると同時に、その値ｙaより左右
目標値ｙoを差し引いて鋼帯ＦＰの基準位置に対する左
右方向の制御偏差を算出する。更に制御回路５aは、コ
イルドライバ４aより受け取った通電電流の検出値ｉa*
をやはりデジタル変換し、電流目標値ｉoより差し引い
て、コイル２aに通電する電流の制御偏差を算出する。
各制御偏差にはそれぞれ制御回路５a内部のメモリに鋼
帯の板厚ｄ対応で格納されているゲインＫ₁〜Ｋ₅が乗算
され、それらのマイナスの代数和が操作量ｅaとしてコ
イルドライバ４aに出力される。つまり、制御回路５aは
フィードバックされる各検出値が目標値より大きければ
プラスの制御偏差として現在コイル２aに通電されてい
る電流をマイナス（低減）制御し、また、検出値が目標
値より小さければマイナスの制御偏差として現在コイル
２aに通電されている電流をプラス（増大）制御する。

【００２２】制御回路５bは、電磁石１Ａ,１Ｂ間の距離
Ｗxから、鋼帯ＦＰの板厚ｄ及び制御回路５aより送られ
た第１ギャップｘaを差し引いて、求まる鋼帯ＦＰの下
面と電磁石１Ｂとのギャップ値（以下第２ギャップｘb
と表記）を上下目標値ｘoより差し引いて鋼帯ＦＰの右
端縁における上下方向の基準位置に対する現在の制御偏
差を算出し、また、やはり制御回路５aより送られた右
ギャップ値ｙaより左右目標値ｙoを差し引いて鋼帯ＦＰ
の基準位置に対する左右方向の制御偏差を算出する。更
に制御回路５bは、コイルドライバ４bより受け取った通
電電流の検出値ｉb*をデジタル変換し、電流目標値ｉo
より差し引いて、コイル２bに通電する電流の制御偏差
を算出する。各制御偏差にはそれぞれ制御回路５b内部
のメモリに鋼帯の板厚ｄ対応で格納されているゲインＫ
₁〜Ｋ₅が乗算され、それらのマイナスの代数和が操作量
ｅbとしてコイルドライバ４bに出力される。つまり、制
御回路５bはフィードバックされる検出値及び検出値よ
り算出されるギャップ値が目標値より大きければプラス
の制御偏差として現在コイル２bに通電されている電流
をマイナス制御し、また、検出値が目標値より小さけれ
ばマイナスの制御偏差として現在コイル２bに通電され
ている電流をプラス制御する。

【００２３】第２電磁石対の電磁石１Ｃ，１Ｄのコイル
２c,２dの通電は、コイルドライバ４c,４dを介して制御
回路５c,５dによりそれぞれギャップセンサ６x2及び制
御回路５aより得られる位置情報ｘc*,ｙa*及びコイルド
ライバ４c,４dより出力される通電電流の検出値ｉc*,ｉ
d*をもとにフィードバック制御される。

【００２４】制御回路５cは、検出値ギャップセンサ６x
2により検出された位置情報ｘc*をデジタル変換し、得
られたギャップｘc（以下第３ギャップｘcと表記）を制
御回路５dに出力すると同時に、その値ｘcを上下目標値
ｘoより差し引いて鋼帯ＦＰの左端縁における上下方向
の基準位置に対する現在の制御偏差を算出し、また、左
右目標値ｙo×２に鋼帯ＦＰの板幅Ｄを加えた値Ｗyか
ら、制御回路５aより受け取った右ギャップ値ｙaを差し
引いた左端縁におけるギャップｙc（以下左ギャップｙc
と表記）を算出し、その値ｙcより左右目標値ｙoを差し
引いて鋼帯ＦＰの基準位置に対する左右方向の制御偏差
を算出する。更に制御回路５cは、コイルドライバ４cよ
り受け取った通電電流の検出値ｉc*をやはりデジタル変
換し、電流目標値ｉoより差し引いて、コイル２cに通電
する電流の制御偏差を算出する。各制御偏差にはそれぞ
れ制御回路５c内部のメモリに鋼帯の板厚ｄ対応で格納
されているゲインＫ₁〜Ｋ₅が乗算され、それらのマイナ
スの代数和が操作量ｅcとしてコイルドライバ４cに出力
される。つまり、制御回路５cはフィードバックされる
各検出値及び検出値より算出されるギャップ値が目標値
より大きければプラスの制御偏差として現在コイル２c
に通電されている電流をマイナス制御し、また、検出値
が目標値より小さければマイナスの制御偏差として現在
コイル２cに通電されている電流をプラス制御する。

【００２５】制御回路５dは、電磁石１Ａ,１Ｂ間の距離
Ｗxから、鋼帯ＦＰの板厚ｄ及び制御回路５cより送られ
た第３ギャップｘcを差し引いて求まる鋼帯ＦＰの下面
と電磁石１Ｄとのギャップ値（以下第４ギャップｘdと
表記）を上下目標値ｘoより差し引いて鋼帯ＦＰの左端
縁における上下方向の基準位置に対する現在の制御偏差
を算出し、また、制御回路５cより送られたギャップ値
ｙcより左右目標値ｙoを差し引いて鋼帯ＦＰの基準位置
に対する左右方向の制御偏差を算出する。更に５dは、
コイルドライバ４dより受け取った通電電流の検出値ｉd
*をデジタル変換し、電流目標値ｉoより差し引いてコイ
ル２dに通電する電流の制御偏差を算出する。各制御偏
差にはそれぞれ制御回路５d内部のメモリに鋼帯の板厚
ｄ対応で格納されているゲインＫ₁〜Ｋ₅が乗算され、そ
れらのマイナスの代数和が操作量ｅdとしてコイルドラ
イバ４dに出力される。つまり、制御回路５dはフィード
バックされる検出値及び検出値より算出されるギャップ
値が目標値より大きければプラスの制御偏差として現在
コイル２dに通電されている電流をマイナス制御し、ま
た、検出値が目標値より小さければマイナスの制御偏差
として現在コイル２dに通電されている電流をプラス制
御する。

【００２６】電磁石１Ａの制御回路５aの構成を図２
に、電磁石１Ｂの制御回路５bの構成を図３に示す。制
御回路５ａおよび５ｂには、搬送する鋼帯ＦＰに関する
情報すなわち板厚ｄ，左右目標値ｙo，上下目標値ｘo
（板厚ｄに一意的に対応）及び電流目標値ｉoが与えら
れ、制御回路５aのメモリ２５a,制御回路５bの２５bに
は板厚対応のゲインＫ₁〜Ｋ₅が格納されている。なお、
電流目標値ｉoは、板厚ｄの鋼板(所定規格)をギャップ
ｘa＝ｘo，ｘｂ＝ｘoなお且つギャップｙa＝ｙoに維持
するために電磁石１Ａ，１Ｂの電気コイル２a,２bに通
電する電流である。すなわち、ｉoは、ｘa＝ｘo，ｘｂ
＝ｘo，ｙa＝ｙoでセンサの劣化による測定精度の低下
などの外乱がない場合、ｘa＝ｘo，ｘｂ＝ｘoなお且つ
ギャップｙa＝ｙoを定常的に維持することができる電流
値である。

【００２７】図２を参照すると、制御回路５aの信号処
理回路１０aが、ギャップセンサ６x1が与える位置信号
ｘa*に基づいて電磁石１Ａの鉄心３aの下端面と搬送対
象の鋼帯ＦＰの上面との距離すなわち第１ギャップｘa
を算出してこれを表わすデジタルデ−タをコンピュ−タ
２８aに与えると共に、図３に示される制御回路５bの信
号処理回路１０bにも与える。また、信号処理回路９a
が、ギャップセンサ６yが与える位置信号ｙa*に基づい
て搬送対象の鋼帯ＦＰのギャップセンサ６yとの距離す
なわち右ギャップｙaを算出してこれを表わすデジタル
デ−タをコンピュ−タ２８aに与えると共に、図３以降
に示される制御回路５bのコンピュータ２８b，制御回路
５cの信号処理回路９cにも与える。電磁石１Ａの電気コ
イル２aに通電するコイルドライバ４aには、コイル電流
検出回路が内蔵され、これが電気コイル２aの電流値を
表わすアナログ信号ｉa*を信号処理回路８ａに与える。
信号処理回路８ａはこれをデジタル変換して、電気コイ
ル２aの電流値を表わすデジタルデ−タｉaをコンピュ−
タ２８aに与える。

【００２８】なお、図１において、電磁石１Ａの鉄心３
aの下端面と搬送対象の鋼帯ＦＰの上面との距離がｘa
（第１ギャップ）であり、また、電磁石１Ｂの鉄心３b
の上端面と搬送対象の鋼帯ＦＰの下面との距離がｘb
（第２ギャップ）であり、Ｗxは電磁石１Ａ／１Ｂ間の
距離である。いま、鋼帯ＦＰの板厚ｄが与えられると、
上下目標値ｘo＝（Ｗx−ｄ）／２と一意的に定まり、か
つ、第１ギャップｘaを検出すると、第２ギャップｘb＝
Ｗx−ｄ−ｘaと算出できる。なお、第１ギャップｘaの
検出と同様にして、第２ギャップｘbも検出するように
してもよい。

【００２９】図３を参照すると、制御回路５ｂのコンピ
ュータ２８ｂには、制御回路５ａより右ギャップｙaが
与えられ、信号処理回路１０ｂには、第１ギャップｘ
a，電磁石間距離Ｗxおよび板厚ｄが与えられる。信号処
理回路１０bは、第２ギャップｘb＝Ｗx−ｄ−ｘaを算出
してこれを表わすデ−タをコンピュ−タ２８bに与え
る。電磁石１Ｂの電気コイル２bに通電するコイルドラ
イバ４bには、コイル電流検出回路が内蔵され、これが
電気コイル２bの電流値を表わすアナログ信号ib*を信号
処理回路８bに与える。信号処理回路８bはこれをデジタ
ル変換して、電気コイル２bの電流値を表わすデジタル
デ−タｉbをコンピュ−タ２８bに与える。

【００３０】再び図２を参照する。電磁石１Ａの通電を
制御する制御回路５ａは、ＣＰＵを主体とするデジタル
コンピュ−タ２８a，信号処理回路８a，９a，１０aおよ
びＰＷＭ（パルス幅変調）回路７aで構成されている。
ＰＷＭ回路７aは、コンピュ−タ２８aの出力デ−タ（指
示電圧）ｉa_outに対応する通電デュ−ティを算出し、算
出した通電デュ−ティの通電指示パルスｅaをコイルド
ライバ４aに与える。コイルドライバ４aは、電気コイル
２aを通電指示パルスに応答してオン／オフする。これ
により、電気コイル２aには、前記通電デュ−ティで直
流定電圧が印加され、電気コイル２aの電圧（時系列平
均値）は、該通電デュ−ティで定まる。すなわち、電気
コイル２aの印加電圧が、コイルドライバ４aおよびＰＷ
Ｍ回路７aを介して、コンピュ−タ２８aにより制御され
る。

【００３１】図２に示すコンピュ−タ２８aは、制御す
る鋼帯ＦＰに関する情報（板厚ｄ，上下目標値ｘo，左
右目標値ｙoおよび基準電流値ｉs）が与えられるとそれ
を、レジスタ２７aに格納し、スタ−ト指令が到来する
と、レジスタ２７aの情報に基づいて電気コイル２aの印
加電圧制御を開始し、ストップ指示が到来すると電気コ
イル２aへの通電を停止し、スタ−ト等の制御指令が到
来するのを待つ。電気コイル２aの印加電圧制御におい
ては、所定周期（サンプリング周期）で信号処理回路８
a，９aおよび１０aの検出デ−タ（第１ギャップｘa，右
ギャップｙaおよび電流ｉa）を読込み、フィ−ドバック
演算により、電圧指示情報を生成しこれをＰＷＭ回路７
aに出力する。この制御動作はプログラムに従ったデジ
タル処理により行なわれる。この制御機能を、理解を簡
単にするために、図２ではハ−ドウェアブロック（機能
ブロック）で代替して示した。以下この機能ブロックを
参照してコンピュ−タ２８aの制御動作を説明する。

【００３２】なお、メモリ２４aには、板厚ｄ₁〜ｄ_nの
それぞれに宛てたゲイングル−プが、板厚対応で格納さ
れている。これを模式的に図６に示す。ここでは、１つ
の板厚に宛てたゲイングル−プを格納したメモリ領域を
メモリテ−ブル群と称する。１つの板厚ｄ_jのゲイング
ル−プのデ−タすなわち１つのメモリテ−ブル群ｄ_jの
ゲインデ−タを、やはり模式的に図７に示す。１つの板
厚ｄ_jに対するメモリテーブル群は、まず右ギャップｙa
に対応してｍ段階に設定されており、この各々をメモリ
テーブルd_jθと称する。更にメモリテーブル群ｄ_j内の
１つのメモリテーブルd_jθにおいて、第１ギャップｘa
がｎ個のギャップ領域ｘ1〜ｘnに区分され、電気コイル
電流ｉaは、ｍ個の領域ｉ1〜ｉmに区分され、ギャップ
値(ｘａ＝ｐ）および電流値（ｉa=q)で特定される各領
域に、ゲインＭ_1,1〜Ｍ_n,m（それぞれがK₁〜K₅の集合)
が書込まれている。

【００３３】前述の通り、制御する鋼帯ＦＰに関する情
報（板厚ｄ，上下目標値ｘo，左右目標値ｙoおよび電流
目標値ｉo）が与えられると、コンピュ−タ２８aはそれ
を、入力レジスタ２７aに格納する。そしてスタ−ト指
令が到来するとコンピュ−タ２８aは、所定周期（サン
プリング周期；例えば1〜3msec)で次の処理を行なう。

【００３４】コンピュータ２８aはまず、信号処理回路
８a，９aおよび１０aより、電流デ−タ(ｉa)，右ギャッ
プデータ（ｙa），および第１ギャップデ−タ(ｘa)を読
込む。次に領域判定２６aにより、第１ギャップ(ｘa)，
右ギャップ（ｙa）および電流(ｉa)が、図７に示すメモ
リテーブルd_jθ上の領域(Ｍ_p,q）のいずれにあるかを判
定する。この判定では、まず、右ギャップ（ｙa）が図
７に示される左右ギャップ領域（ｙ1〜ｙm）のいずれに
あるかを判定し、メモリテーブル群ｄ_jより対応する右
ギャップ（ｙa）に引き出されるメモリテーブルd_jθを
選択する。更に、第１ギャップ(ｘa)が上述のメモリテ
ーブルd_jθ上の領域ｐ＝１〜ｎのいずれにあるかを判定
し、続いて読込んだ電流(ｉa)が上述のｑ＝１〜ｍのい
ずれにあるかを判定する。そして、選択した領域情報
θ，ｐ，ｑと、レジスタ２７aの板厚ｄ情報より、板厚
ｄ対応のメモリテ−ブル群ｄ_jを選択し（図６のテ−ブ
ル群ｄ₁〜ｄ_nの１つ）、更に領域情報θにより選択され
たメモりテーブル群ｄ_j内のメモリテーブルd_jθ（図７
のテ−ブルd_j1〜d_jmの１つ）を特定し、メモリテ−ブル
d_jθ内の領域情報ｐ，ｑで該特定した１領域のゲイング
ル−プＭ_p,qを読出して、ゲインレジスタ２４aに書込
む。

【００３５】これにより、指定された板厚ｄ，現在の第
１ギャップ(ｘa)，右ギャップ(ｙa)および電流(ｉa)に
対応する、ゲインＫ₁〜Ｋ₅が選択されたことになる。

【００３６】コンピュータ２８aは次に、減算１４aによ
りギャップ偏差ｘj＝ｘo−ｘaを算出し、減算１８aによ
り、現在の偏差ｘjより遅延１７aにより保持する１サン
プリング周期前の偏差を減算して、ギャップ偏差の変化
速度ｄｘj/ｄｔ（以下ｘj’と表記）を算出し、減算１
９aにより左右偏差ｙj＝ｙo−ｙaを算出し、減算２０a
により電流偏差ｉj＝ｉo−ｉaを算出し、加算１５aによ
り、現在の偏差ｘjに遅延１６aにより保持する１サンプ
リング周期前の偏差累算値を加算して、ギャップ偏差の
累算値（積分値）∫ｘjｄｔを算出する。そして、乗算
１２a，１３a，２１a，２２aおよび２３aで、これらの
算出値にゲインレジスタのゲインデ−タＫ₁〜Ｋ₅を乗算
し、減算１１aにより、電気コイル２aに印加すべき電圧
を指定する情報 Ｉa_out＝−Ｋ₁・ｘj−Ｋ₂・∫ｘjｄｔ−Ｋ₃・ｘj’−Ｋ₄・
ｙj−Ｋ₅・ｉj を算出し、これを表わすデ−タをＰＷＭ回路７aに出力
する。

【００３７】ＰＷＭ回路７aは、このデ−タＩa_outに基
づいて、電磁石１Ａの電気コイル２aにＩa_outの電流を
通電するに要する電気コイル印加電圧（時系列平均値）
を与える通電（オン／オフ）デュ−ティ（パルス一周期
の間のＨ区間長）を算出し、該デュ−ティのパルスをコ
イルドライバ４aに与える。コイルドライバ４aは、ＰＷ
Ｍ回路７aが与えるパルスのＨに応答して電気コイル２a
を導通（オン）とし、該パルスのＬに応答して非導通
（オフ）とする。

【００３８】以上に説明した、第１ギャップｘa，右ギ
ャップ値ｙaおよびコイル電流値ｉoの読込，これらの値
および板厚ｄに対応するフィ−ドバックゲインの設定
（メモリ２５aより読出してレジスタ２４aに格納），設
定したゲインを用いたフィ−ドバック出力値の算出とＰ
ＷＭ回路７aへの出力、をコンピュータ２８aが所定周期
で繰返すことにより、フィ−ドバックゲインが、時々刻
々に変わるギャップおよびコイル電流値に対応したもの
に更新される。

【００３９】制御回路５bを示す図３を参照する。制御
回路５bは、制御回路５aと同じく、ＣＰＵを主体とする
デジタルコンピュ−タ２８ｂ，信号処理回路８ｂ，１０
ｂおよびＰＷＭ（パルス幅変調）回路７ｂで構成されて
いる。ＰＷＭ回路７ｂは、コンピュ−タ２８ｂの出力デ
−タ（指示電圧）に対応する通電デュ−ティを算出し、
算出した通電デュ−ティの通電指示パルスをコイルドラ
イバ４bに与える。コイルドライバ４bは、電気コイル２
bを通電指示パルスに応答してオン／オフする。これに
より、電気コイル２bには、前記通電デュ−ティで直流
定電圧が印加され、電気コイル２bの電圧（時系列平均
値）は、該通電デュ−ティで定まる。すなわち、電気コ
イル２bの印加電圧が、コイルドライバ４bおよびＰＷＭ
回路７ｂを介して、コンピュ−タ２８ｂにより制御され
る。

【００４０】図３に示すコンピュ−タ２８ｂは、制御す
る鋼帯ＦＰに関する情報（板厚ｄ，上下目標値ｘo，左
右目標値ｙoおよび電流目標値（ｉo）が与えられるとそ
れを、レジスタ２７ｂに格納し、スタ−ト指令が到来す
ると、レジスタ２７ｂの情報に基づいて電気コイル２b
の印加電圧制御を開始し、ストップ指示が到来すると電
気コイル２bへの通電を停止し、スタ−ト等の制御指令
が到来するのを待つ。電気コイル２bの印加電圧制御に
おいては、所定周期（サンプリング周期）で信号処理回
路８b，１０bの検出デ−タ（第２ギャップｘbおよび電
流ｉb）および制御回路５aより受け取った右情報ｙaを
読込み、フィ−ドバック演算により、電圧指示情報ｉb
_outを生成しこれをＰＷＭ回路７ｂに出力する。この制
御動作はプログラムに従ったデジタル処理により行なわ
れる。この制御機能を、理解を簡単にするために、図３
ではハ−ドウェアブロック（機能ブロック）で代替して
示した。以下この機能ブロックを参照してコンピュ−タ
２８ｂの制御動作を説明する。なお、メモリ２４bに
は、板厚ｄ₁〜ｄ_nのそれぞれに宛てたゲイングル−プ
が、板厚対応で格納されている。これを模式的に図８に
示す。ここでは、１つの板厚に宛てたゲイングル−プを
格納したメモリ領域をメモリテ−ブル群と称する。１つ
の板厚ｄ_jのゲイングル−プのデ−タすなわち１つのメ
モリテ−ブル群ｄ_jのゲインデ−タを、やはり模式的に
図９に示す。１つの板厚ｄ_jに対するメモリテーブル群
は、まず左右ギャップｙbに対応してｍ段階に設定され
ており、この各々をメモリテーブルd_jθと称する。更に
メモリテーブル群ｄ_j内の１つのメモリテーブルd_jθに
おいて、第２ギャップｘbがｎ個のギャップ領域ｘ1〜ｘ
nに区分され、電気コイル電流ｉbは、ｍ個の領域ｉ1〜
ｉmに区分され、ギャップ値(ｘb=p)および電流値(ｉb=
q)で特定される各領域に、ゲインＭ_1,1〜Ｍ_n,m（それぞ
れがK₁〜K₅の集合)が書込まれている。

【００４１】前述の通り、制御する鋼帯ＦＰに関する情
報（板厚ｄ，上下目標値ｘo，左右目標値ｙoおよび電流
目標値ｉo）が与えられると、コンピュ−タ２８bはそれ
を、入力レジスタ２７bに格納する。そしてスタ−ト指
令が到来するとコンピュ−タ２８bは、所定周期（サン
プリング周期；例えば1〜3msec)で次の処理を行なう。

【００４２】コンピュータ２８bはまず、信号処理回路
８bおよび１０bより、電流デ−タ(ｉb)および第２ギャ
ップデ−タ(ｘb)を読込み、制御回路５aより左右ギャッ
プデータ（ｙa）を読込む。次に領域判定２６bにより、
第２ギャップ(ｘb)，右ギャップ（ｙa）および電流(ｉ
b)が、図９に示すメモリテーブルd_jθ上の領域(Ｍ_p,q）
のいずれにあるかを判定する。この判定では、まず、右
ギャップ（ｙa）が図９に示される左右ギャップ領域
（ｙ1〜ｙm）のいずれにあるかを判定し、メモリテーブ
ル群ｄ_jより対応する右ギャップ（ｙa）に引き出される
メモリテーブルd_jθを選択する。更に、第２ギャップ
(ｘb)が上述のメモリテーブルd_jθ上の領域ｐ＝１〜ｎ
のいずれにあるかを判定し、続いて読込んだ電流(ｉb)
が上述のｑ＝１〜ｍのいずれにあるかを判定する。そし
て、選択した領域情報θ，ｐ，ｑと、レジスタ２７bの
板厚ｄ情報より、板厚ｄ対応のメモリテ−ブル群ｄ_jを
選択し（図８のテ−ブル群ｄ₁〜ｄ_nの１つ）、更に領域
情報θにより選択されたメモりテーブル群ｄ_j内のメモ
リテーブルd_jθ（図９のテ−ブルd_j1〜d_jmの１つ）を特
定し、メモリテ−ブルd_jθ内の領域情報ｐ，ｑで該特定
した１領域のゲイングル−プＭ_p,qを読出して、ゲイン
レジスタ２４bに書込む。

【００４３】これにより、指定された板厚ｄ，現在の第
２ギャップ(ｘb)，右ギャップ(ｙa)および電流(ｉb)に
対応する、ゲインＫ₁〜Ｋ₅が選択されたことになる。

【００４４】コンピュータ２８bは次に、減算１４bによ
りギャップ偏差ｘj＝ｘo−ｘbを算出し、減算１８bによ
り、現在の偏差ｘjより遅延１７bにより保持する１サン
プリング周期前の偏差を減算して、ギャップ偏差の変化
速度ｄｘj/ｄｔ（以下ｘj’と表記）を算出し、減算１
９bにより左右偏差ｙj＝ｙo−ｙaを算出し、減算２０b
により電流偏差ｉj＝ｉo−ｉbを算出し、加算１５bによ
り、現在の偏差ｘjに遅延１６bにより保持する１サンプ
リング周期前の偏差累算値を加算して、ギャップ偏差の
累算値（積分値）∫ｘjｄｔを算出する。そして、乗算
１２b，１３b，２１b，２２bおよび２３bで、これらの
算出値にゲインレジスタのゲインデ−タＫ₁〜Ｋ₅を乗算
し、減算１１bにより、電気コイル２bに印加すべき電圧
を指定する情報 Ｉb_out＝−Ｋ₁・ｘj−Ｋ₂・∫ｘjｄｔ−Ｋ₃・ｘj’−Ｋ₄・
ｙj−Ｋ₅・ｉj を算出し、これを表わすデ−タをＰＷＭ回路７bに出力
する。

【００４５】ＰＷＭ回路７bは、このデ−タＩb_outに基
づいて、電磁石１Ａの電気コイル２bにＩb_outの電流を
通電するに要する電気コイル印加電圧（時系列平均値）
を与える通電（オン／オフ）デュ−ティ（パルス一周期
の間のＨ区間長）を算出し、該デュ−ティのパルスをコ
イルドライバ４bに与える。コイルドライバ４bは、ＰＷ
Ｍ回路７bが与えるパルスのＨに応答して電気コイル２b
を導通（オン）とし、該パルスのＬに応答して非導通
（オフ）とする。

【００４６】以上に説明した、第２ギャップ値ｘb，右
ギャップ値ｙaおよびコイル電流値ｉbの読込，これらの
値および板厚ｄに対応するフィ−ドバックゲインの設定
（メモリ２５bより読出してレジスタ２４bに格納），設
定したゲインを用いたフィ−ドバック出力値の算出とＰ
ＷＭ回路７bへの出力、をコンピュータ２８bが所定周期
で繰返すことにより、フィ−ドバックゲインが、時々刻
々に変わるギャップおよびコイル電流値に対応したもの
に更新される。

【００４７】電磁石１Ａと１Ｂの電気コイル巻回方向と
通電方向は、それらの、相対向する磁極端面が、この実
施例では共にＮ極となるように設定されている。これに
より、図１に示す鋼帯ＦＰの右端には、図１４に示す右
側に向かう力Ｉｙおよび電磁石に引かれる力Ｉｘが加わ
り、それらの内のｙ方向の力Ｉｙは、上述の左右目標値
ｙｏに対する実際の右ギャップｙａの偏差ｙｏ−ｙａに
対応した、ｙａをｙｏとしようとするものとなる。ま
た、電磁石１Ａの電流値は、電磁石１Ａと鋼帯ＦＰとの
ギャップｘａが目標値Ｘｏとなるように調整され、電磁
石１Ｂの電流値は、電磁石１Ｂと鋼帯ＦＰとのギャップ
ｘｂが目標値Ｘｏとなるように調整され、これにより鋼
帯ＦＰの右端縁部は、電磁石１Ａ／１Ｂの中間点に位置
決めされる。

【００４８】電磁石１Ｃの制御回路５cの構成を図４
に，電磁石１Ｄの制御回路５dの構成を図５に示す。制
御回路５cおよび５dには、搬送する鋼帯ＦＰに関する情
報すなわち板厚ｄ，左右目標値ｙo，上下目標値ｘo（板
厚ｄに一意的に対応）及び電流目標値ｉoが与えられ、
メモリ２５c,２５dには板厚対応のゲインＫ₁〜Ｋ₅が格
納されている。なお、電流目標値ｉoは、板厚ｄの鋼板
(所定規格)をギャップｘc＝ｘo,ｘd＝ｘoなお且つギャ
ップｙc＝ｙoに維持するために電磁石１Ｃ，１Ｄの電気
コイル２c,２dに通電する電流である。すなわち、ｉo
は、ｘc＝ｘo,ｘd＝ｘo，ｙc＝ｙoでセンサの劣化によ
る測定精度の低下などの外乱がない場合、ｘc＝ｘo,ｘd
＝ｘoなお且つギャップｙc＝ｙoを定常的に維持するこ
とができる電流値である。

【００４９】図１において、搬送対象の鋼帯ＦＰとギャ
ップセンサｙaとの距離がｙa（右ギャップ）であり、い
ま、搬送対象の鋼帯ＦＰ幅方向長さＤ（板幅）及び左右
目標値ｙoが与えられると、左右目標値ｙo×２に鋼帯Ｆ
Ｐの板幅Ｄを加えた値Ｗyから、制御回路５aより受け取
ったギャップ値ｙaを差し引いた左端縁におけるギャッ
プｙc（左ギャップ）を算出できる。ここで、 ｙc＝Ｗy−Ｄ−ｙa Ｗy＝２×ｙo＋Ｄより ｙc＝（２×ｙo＋Ｄ）−Ｄ−ｙa ＝２×ｙo−ｙa であることから左ギャップｙcは、板幅Ｄに関係なく予
めユーザにより設定されている左右目標値ｙoにより算
出できる。なお、右ギャップｙaの検出と同様にして、
左ギャップｙcも検出するようにしてもよい。

【００５０】図４を参照すると、制御回路５cの信号処
理回路１０cが、ギャップセンサ６x2が与える２値信号
ｘc*に基づいて電磁石１Ｃの鉄心３cの下端面と搬送対
象の鋼帯ＦＰの上面との距離すなわち第３ギャップｘc
を算出してこれを表わすデジタルデ−タをコンピュ−タ
２８cに与えると共に、図５に示される制御回路５dの信
号処理回路１０dにも与える。また、信号処理回路９c
が、制御回路５aが与える左右ギャップデータｙa及び左
右目標値ｙoに基づいて搬送対象の鋼帯ＦＰの左右方向
における基準位置よりの偏差：左ギャップｙcを算出し
てこれを表わすデジタルデ−タをコンピュ−タ２８cに
与えると共に、図５に示される制御回路５dのコンピュ
ータ２８dにも与える。電磁石１Ｃの電気コイル２cに通
電するコイルドライバ４cには、コイル電流検出回路が
内蔵され、これが電気コイル２cの電流値を表わすアナ
ログ信号ｉc*を信号処理回路８cに与える。信号処理回
路８cはこれをデジタル変換して、電気コイル２cの電流
値を表わすデジタルデ−タｉcをコンピュ−タ２８cに与
える。

【００５１】なお、図１において、電磁石１Ｃの鉄心３
cの下端面と搬送対象の鋼帯ＦＰの上面との距離がｘc
（第３ギャップ）であり、また、電磁石１Ｄの鉄心３d
の上端面と搬送対象の鋼帯ＦＰの下面との距離がｘd
（第４ギャップ）であり、Ｗxは電磁石１Ｃ／１Ｄ間の
距離である。いま、鋼帯ＦＰの板厚ｄが与えられると、
上下目標値ｘo＝（Ｗx−ｄ）／２と一意的に定まり、か
つ、第３ギャップｘcを検出すると、第４ギャップｘd＝
Ｗx−ｄ−ｘcと算出できる。なお、第３ギャップｘcの
検出と同様にして、第４ギャップｘdも検出するように
してもよい。

【００５２】図５を参照すると、制御回路５dのコンピ
ュータ２８dには、制御回路５cより左ギャップｙcが与
えられ、信号処理回路１０dには、第３ギャップｘc，電
磁石間距離Ｗxおよび板厚ｄが与えられる。信号処理回
路１０dは、第４ギャップｘd＝Ｗx−ｄ−ｘcを算出して
これを表わすデ−タをコンピュ−タ２８dに与える。電
磁石１Ｄの電気コイル２dに通電するコイルドライバ４d
には、コイル電流検出回路が内蔵され、これが電気コイ
ル２dの電流値を表わすアナログ信号id*を信号処理回路
８dに与える。信号処理回路８dはこれをデジタル変換し
て、電気コイル２dの電流値を表わすデジタルデ−タｉd
をコンピュ−タ２８dに与える。

【００５３】再び図４を参照する。電磁石１Ｃの通電を
制御する制御回路５cは、ＣＰＵを主体とするデジタル
コンピュ−タ２８c，信号処理回路８c，９c，１０cおよ
びＰＷＭ（パルス幅変調）回路７cで構成されている。
ＰＷＭ回路７cは、コンピュ−タ２８cの出力デ−タ（指
示電圧）ｉc_outに対応する通電デュ−ティを算出し、算
出した通電デュ−ティの通電指示パルスｅcをコイルド
ライバ４cに与える。コイルドライバ４cは、電気コイル
２cを通電指示パルスｅcに応答してオン／オフする。こ
れにより、電気コイル２cには、前記通電デュ−ティで
直流定電圧が印加され、電気コイル２cの電圧（時系列
平均値）は、該通電デュ−ティで定まる。すなわち、電
気コイル２cの印加電圧が、コイルドライバ４cおよびＰ
ＷＭ回路７cを介して、コンピュ−タ２８cにより制御さ
れる。

【００５４】図４に示すコンピュ−タ２８cは、制御す
る鋼帯ＦＰに関する情報（板厚ｄ，上下目標値ｘo，左
右目標値ｙoおよび基準電流値ｉs）が与えられるとそれ
を、レジスタ２７cに格納し、スタ−ト指令が到来する
と、レジスタ２７cの情報に基づいて電気コイル２cの印
加電圧制御を開始し、ストップ指示が到来すると電気コ
イル２cへの通電を停止し、スタ−ト等の制御指令が到
来するのを待つ。電気コイル２cの印加電圧制御におい
ては、所定周期（サンプリング周期）で信号処理回路８
c，９cおよび１０cの検出デ−タ（第３ギャップｘc，左
ギャップｙcおよび電流ｉc）を読込み、フィ−ドバック
演算により、電圧指示情報を生成しこれをＰＷＭ回路７
cに出力する。この制御動作はプログラムに従ったデジ
タル処理により行なわれる。この制御機能を、理解を簡
単にするために、図４ではハ−ドウェアブロック（機能
ブロック）で代替して示した。以下この機能ブロックを
参照してコンピュ−タ２８cの制御動作を説明する。

【００５５】なお、メモリ２４cには、板厚ｄ₁〜ｄ_nの
それぞれに宛てたゲイングル−プが、板厚対応で格納さ
れている。これを模式的に図１０に示す。ここでは、１
つの板厚に宛てたゲイングル−プを格納したメモリ領域
をメモリテ−ブル群と称する。１つの板厚ｄ_jのゲイン
グル−プのデ−タすなわち１つのメモリテ−ブル群ｄ_j
のゲインデ−タを、やはり模式的に図１１に示す。１つ
の板厚ｄ_jに対するメモリテーブル群は、まず左ギャッ
プｙcに対応してｍ段階に設定されており、この各々を
メモリテーブルd_jθと称する。更にメモリテーブル群ｄ
_j内の１つのメモリテーブルd_jθにおいて、第３ギャッ
プｘcがｎ個のギャップ領域ｘ1〜ｘnに区分され、電気
コイル電流ｉcは、ｍ個の領域ｉ1〜ｉmに区分され、ギ
ャップ値(ｘc=p)および電流値(ｉc=q)で特定される各領
域に、ゲインＭ_1,1〜Ｍ_n,m（それぞれがK₁〜K₅の集合)
が書込まれている。

【００５６】前述の通り、制御する鋼帯ＦＰに関する情
報（板厚ｄ，上下目標値ｘo，左右目標値ｙoおよび電流
目標値ｉo）が与えられると、コンピュ−タ２８cはそれ
を、入力レジスタ２７cに格納する。そしてスタ−ト指
令が到来するとコンピュ−タ２８cは、所定周期（サン
プリング周期；例えば1〜3msec)で次の処理を行なう。

【００５７】コンピュータ２８cはまず、信号処理回路
８c，９cおよび１０cより、電流デ−タ(ｉc)，左ギャッ
プデータ（ｙc），および第３ギャップデ−タ(ｘc)を読
込む。次に領域判定２６cにより、第３ギャップ(ｘc)，
左ギャップ（ｙc）および電流(ｉc)が、図１１に示すメ
モリテーブルd_jθ上の領域(Ｍ_p,q）のいずれにあるかを
判定する。この判定では、まず、左ギャップ（ｙc）が
図１１に示される左右ギャップ領域（ｙ1〜ｙm）のいず
れにあるかを判定し、メモリテーブル群ｄ_jより対応す
る左ギャップ（ｙc）に引き出されるメモリテーブルd_j
θを選択する。更に、第３ギャップ(ｘc)が上述のメモ
リテーブルd_jθ上の領域ｐ＝１〜ｎのいずれにあるかを
判定し、続いて読込んだ電流(ｉc)が上述のｑ＝１〜ｍ
のいずれにあるかを判定する。そして、選択した領域情
報θ，ｐ，ｑと、レジスタ２７cの板厚ｄ情報より、板
厚ｄ対応のメモリテ−ブル群ｄ_jを選択し（図１０のテ
−ブル群ｄ₁〜ｄ_nの１つ）、更に領域情報θにより選択
されたメモりテーブル群ｄ_j内のメモリテーブルd_jθ
（図１１のテ−ブルd_j1〜d_jmの１つ）を特定し、メモリ
テ−ブルd_jθ内の領域情報ｐ，ｑで該特定した１領域の
ゲイングル−プＭ_p,qを読出して、ゲインレジスタ２４c
に書込む。

【００５８】これにより、指定された板厚ｄ，現在の第
３ギャップ(ｘc)，左ギャップ(ｙc)および電流(ｉc)に
対応する、ゲインＫ₁〜Ｋ₅が選択されたことになる。

【００５９】コンピュータ２８cは次に、減算１４cによ
りギャップ偏差ｘj＝ｘo−ｘcを算出し、減算１８cによ
り、現在の偏差ｘjより遅延１７cにより保持する１サン
プリング周期前の偏差を減算して、ギャップ偏差の変化
速度ｄｘj/ｄｔ（以下ｘj’と表記）を算出し、減算１
９cにより左右偏差ｙj＝ｙo−ｙcを算出し、減算２０c
により電流偏差ｉj＝ｉo−ｉcを算出し、加算１５cによ
り、現在の偏差ｘjに遅延１６cにより保持する１サンプ
リング周期前の偏差累算値を加算して、ギャップ偏差の
累算値（積分値）∫ｘjｄｔを算出する。そして、乗算
１２c，１３c，２１c，２２cおよび２３cで、これらの
算出値にゲインレジスタのゲインデ−タＫ₁〜Ｋ₅を乗算
し、減算１１cにより、電気コイル２cに印加すべき電圧
を指定する情報 Ｉc_out＝−Ｋ₁・ｘj−Ｋ₂・∫ｘjｄｔ−Ｋ₃・ｘj’−Ｋ₄・
ｙj−Ｋ₅・ｉj を算出し、これを表わすデ−タをＰＷＭ回路７cに出力
する。

【００６０】ＰＷＭ回路７cは、このデ−タＩc_outに基
づいて、電磁石１Ｃの電気コイル２cにＩc_outの電流を
通電するに要する電気コイル印加電圧（時系列平均値）
を与える通電（オン／オフ）デュ−ティ（パルス一周期
の間のＨ区間長）を算出し、該デュ−ティのパルスをコ
イルドライバ４cに与える。コイルドライバ４cは、ＰＷ
Ｍ回路７cが与えるパルスのＨに応答して電気コイル２c
を導通（オン）とし、該パルスのＬに応答して非導通
（オフ）とする。

【００６１】以上に説明した、第３ギャップ値ｘc，左
ギャップ値ｙcおよびコイル電流値ｉoの読込，これらの
値および板厚ｄに対応するフィ−ドバックゲインの設定
（メモリ２５cより読出してレジスタ２４cに格納），設
定したゲインを用いたフィ−ドバック出力値の算出とＰ
ＷＭ回路７cへの出力、をコンピュータ２８cが所定周期
で繰返すことにより、フィ−ドバックゲインが、時々刻
々に変わるギャップおよびコイル電流値に対応したもの
に更新される。

【００６２】制御回路５dを示す図５を参照する。制御
回路５dは、制御回路５cと同じく、ＣＰＵを主体とする
デジタルコンピュ−タ２８d，信号処理回路８d，１０d
およびＰＷＭ（パルス幅変調）回路７dで構成されてい
る。ＰＷＭ回路７dは、コンピュ−タ２８dの出力デ−タ
（指示電圧）に対応する通電デュ−ティを算出し、算出
した通電デュ−ティの通電指示パルスをコイルドライバ
４dに与える。コイルドライバ４dは、電気コイル２dを
通電指示パルスに応答してオン／オフする。これによ
り、電気コイル２dには、前記通電デュ−ティで直流定
電圧が印加され、電気コイル２dの電圧（時系列平均
値）は、該通電デュ−ティで定まる。すなわち、電気コ
イル２dの印加電圧が、コイルドライバ４dおよびＰＷＭ
回路７dを介して、コンピュ−タ２８dにより制御され
る。

【００６３】図５に示すコンピュ−タ２８dは、制御す
る鋼帯ＦＰに関する情報（板厚ｄ，上下目標値ｘo，左
右目標値ｙoおよび電流目標値（ｉo）が与えられるとそ
れを、レジスタ２７dに格納し、スタ−ト指令が到来す
ると、レジスタ２７dの情報に基づいて電気コイル２dの
印加電圧制御を開始し、ストップ指示が到来すると電気
コイル２dへの通電を停止し、スタ−ト等の制御指令が
到来するのを待つ。電気コイル２dの印加電圧制御にお
いては、所定周期（サンプリング周期）で信号処理回路
８d，１０dの検出デ−タ（第４ギャップｘdおよび電流
ｉd）および制御回路５cより受け取った左右情報ｙcを
読込み、フィ−ドバック演算により、電圧指示情報ｉd
_outを生成しこれをＰＷＭ回路７dに出力する。この制御
動作はプログラムに従ったデジタル処理により行なわれ
る。この制御機能を、理解を簡単にするために、図５で
はハ−ドウェアブロック（機能ブロック）で代替して示
した。以下この機能ブロックを参照してコンピュ−タ２
８dの制御動作を説明する。

【００６４】なお、メモリ２４dには、板厚ｄ₁〜ｄ_nの
それぞれに宛てたゲイングル−プが、板厚対応で格納さ
れている。これを模式的に図１２に示す。ここでは、１
つの板厚に宛てたゲイングル−プを格納したメモリ領域
をメモリテ−ブル群と称する。１つの板厚ｄ_jのゲイン
グル−プのデ−タすなわち１つのメモリテ−ブル群ｄ_j
のゲインデ−タを、やはり模式的に図１３に示す。１つ
の板厚ｄ_jに対するメモリテーブル群は、まず左ギャッ
プｙcに対応してｍ段階に設定されており、この各々を
メモリテーブルd_jθと称する。更にメモリテーブル群ｄ
_j内の１つのメモリテーブルd_jθにおいて、第４ギャッ
プｘdがｎ個のギャップ領域ｘ1〜ｘnに区分され、電気
コイル電流ｉdは、ｍ個の領域ｉ1〜ｉmに区分され、ギ
ャップ値(ｘd=p)および電流値(ｉd=q)で特定される各領
域に、ゲインＭ_1,1〜Ｍ_n,m（それぞれがK₁〜K₅の集合)
が書込まれている。

【００６５】前述の通り、制御する鋼帯ＦＰに関する情
報（板厚ｄ，上下目標値ｘo，左右目標値ｙoおよび電流
目標値ｉo）が与えられると、コンピュ−タ２８dはそれ
を、入力レジスタ２７dに格納する。そしてスタ−ト指
令が到来するとコンピュ−タ２８dは、所定周期（サン
プリング周期；例えば1〜3msec)で次の処理を行なう。

【００６６】コンピュータ２８dはまず、信号処理回路
８dおよび１０dより、電流デ−タ(ｉd)および第４ギャ
ップデ−タ(ｘd)を読込み、制御回路５cより左ギャップ
データ（ｙc）を読込む。次に領域判定２６dにより、第
４ギャップ(ｘd)，左ギャップ（ｙc）および電流(ｉd)
が、図１３に示すメモリテーブルd_jθ上の領域(Ｍ_p,q）
のいずれにあるかを判定する。この判定では、まず、左
ギャップ（ｙc）が図１３に示される左右ギャップ領域
（ｙ1〜ｙm）のいずれにあるかを判定し、メモリテーブ
ル群ｄ_jより対応する左ギャップ（ｙc）に引き出される
メモリテーブルd_jθを選択する。更に、第４ギャップ
(ｘd)が上述のメモリテーブルd_jθ上の領域ｐ＝１〜ｎ
のいずれにあるかを判定し、続いて読込んだ電流(ｉd)
が上述のｑ＝１〜ｍのいずれにあるかを判定する。そし
て、選択した領域情報θ，ｐ，ｑと、レジスタ２７dの
板厚ｄ情報より、板厚ｄ対応のメモリテ−ブル群ｄ_jを
選択し（図１２のテ−ブル群ｄ₁〜ｄ_nの１つ）、更に領
域情報θにより選択されたメモりテーブル群ｄ_j内のメ
モリテーブルd_jθ（図１３のテ−ブルd_j1〜d_jmの１つ）
を特定し、メモリテ−ブルd_jθ内の領域情報ｐ，ｑで該
特定した１領域のゲイングル−プＭ_p,qを読出して、ゲ
インレジスタ２４dに書込む。

【００６７】これにより、指定された板厚ｄ，現在の第
４ギャップ(ｘd)，左ギャップ(ｙc)および電流(ｉd)に
対応する、ゲインＫ₁〜Ｋ₅が選択されたことになる。

【００６８】コンピュータ２８dは次に、減算１４dによ
りギャップ偏差ｘj＝ｘo−ｘdを算出し、減算１８dによ
り、現在の偏差ｘjより遅延１７dにより保持する１サン
プリング周期前の偏差を減算して、ギャップ偏差の変化
速度ｄｘj/ｄｔ（以下ｘj’と表記）を算出し、減算１
９dにより左右偏差ｙj＝ｙo−ｙcを算出し、減算２０d
により電流偏差ｉj＝ｉo−ｉdを算出し、加算１５dによ
り、現在の偏差ｘjに遅延１６dにより保持する１サンプ
リング周期前の偏差累算値を加算して、ギャップ偏差の
累算値（積分値）∫ｘjｄｔを算出する。そして、乗算
１２d，１３d，２１d，２２dおよび２３dで、これらの
算出値にゲインレジスタのゲインデ−タＫ₁〜Ｋ₅を乗算
し、減算１１dにより、電気コイル２dに印加すべき電圧
を指定する情報 Ｉd_out＝−Ｋ₁・ｘj−Ｋ₂・∫ｘjｄｔ−Ｋ₃・ｘj’−Ｋ₄・
ｙj−Ｋ₅・ｉj を算出し、これを表わすデ−タをＰＷＭ回路７dに出力
する。

【００６９】ＰＷＭ回路７dは、このデ−タＩd_outに基
づいて、電磁石１Ｃの電気コイル２dにＩd_outの電流を
通電するに要する電気コイル印加電圧（時系列平均値）
を与える通電（オン／オフ）デュ−ティ（パルス一周期
の間のＨ区間長）を算出し、該デュ−ティのパルスをコ
イルドライバ４dに与える。コイルドライバ４dは、ＰＷ
Ｍ回路７dが与えるパルスのＨに応答して電気コイル２d
を導通（オン）とし、該パルスのＬに応答して非導通
（オフ）とする。

【００７０】以上に説明した、第４ギャップ値ｘd，左
ギャップ値ｙcおよびコイル電流値ｉdの読込，これらの
値および板厚ｄに対応するフィ−ドバックゲインの設定
（メモリ２５dより読出してレジスタ２４dに格納），設
定したゲインを用いたフィ−ドバック出力値の算出とＰ
ＷＭ回路７dへの出力、をコンピュータ２８dが所定周期
で繰返すことにより、フィ−ドバックゲインが、時々刻
々に変わるギャップおよびコイル電流値に対応したもの
に更新される。

【００７１】電磁石１Ｃと１Ｄの電気コイル巻回方向と
通電方向は、それらの、相対向する磁極端面が、この実
施例では共にＮ極となるように設定されている。これに
より、図１に示す鋼帯ＦＰの左端には、図１４に示す右
側に向かう力Ｉｙと略対称な力および電磁石に引かれる
力Ｉｘが加わり、それらの内のｙ方向の力Ｉｙ（但し左
向き）は、上述の左右目標値ｙｏに対する実際の左ギャ
ップｙｃの偏差ｙｏ−ｙｃに対応した、ｙｃをｙｏとし
ようとするものとなる。また、電磁石１Ｃの電流値は、
電磁石１Ｃと鋼帯ＦＰとのギャップｘｃが目標値Ｘｏと
なるように調整され、電磁石１Ｄの電流値は、電磁石１
Ｄと鋼帯ＦＰとのギャップｘｄが目標値Ｘｏとなるよう
に調整され、これにより鋼帯ＦＰの左端縁部は、電磁石
１Ｃ／１Ｄの中間点に位置決めされる。

【００７２】以上のようにこの実施例では、１対の電磁
石１Ａおよび１Ｂで、鋼帯ＦＰの右端縁に、右端を目標
位置ｙｏとしようとするｙ方向の力Ｉｙを加え、かつ右
端縁を電磁石１Ａ／１Ｂの中間点に位置決めする力Ｉｘ
を加え、更にもう１対の電磁石１Ｃおよび１Ｄで、鋼帯
ＦＰの左端縁に、左端を目標位置ｙｏとしようとするｙ
方向の力（Ｉｙ：左向き）を加え、かつ左端縁を電磁石
１Ｃ／１Ｄの中間点に位置決めする力Ｉｘを加えるの
で、鋼帯ＦＰは、２組の電磁石（１Ａ，１Ｂ）／（１
Ｃ，１Ｄ）の中間点すなわちｙ方向所定位置に位置決め
されると共に、電磁石１Ａ，１Ｃ／１Ｂ，１Ｄ間の中間
点すなわちｘ方向所定位置に位置決めされる。

【００７３】第１組の電磁石１Ａ，１Ｂと第２組の電磁
石１Ｃ，１Ｄは、鋼帯ＦＰを、その位置を一定にするた
めに非接触で駆動するので、また、鋼帯ＦＰの側端面が
電磁石の磁極端面に吸着することがないので、鋼帯ＦＰ
が疵つけられることが無い。また、鋼板ＦＰの厚みｄと
電磁石１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄに通電される電流ｉ及び
電磁石／鋼板ＦＰ間ギャップｘa，ｘb，ｘc，ｘd，ｙ
a，ｙcに対応した最適なゲインＫをメモリ２５a,２５b,
２５c,２５dより読み出してそれを用いて通電電流ｉa
_out，ｉb_out,ｉc_out，ｉd_outを算出するようにしている
ので、鋼板ＦＰの厚みや電流ｉ及び電磁石／鋼板ＦＰ間
ギャップに整合した吸引力が自動的に発生され、位置決
め精度が高くしかも制御の安定性が高い。

【００７４】

【発明の効果】以上の通り本願発明では、ｙ距離検出手
段(6y)が、磁性体板(FP)の端部と電磁石(1A,1B)との、
磁性体板の板面に沿う方向ｙの距離ｙを検出し、通電制
御手段(5a,5b)が、距離ｙに対応して、それが長いと高
レベルの、短いと低レベルの電流を、通電手段(4a,4b)
を介して電磁石(1A,1B)に、両磁石の磁極端が同極とな
るように通電するので、ｙ方向で、磁性体板(FP)の端部
が電磁石(1A,1B)から離れているときには大きな吸引力
Ｉｙが磁性体板(FP)に作用する。すなわち大きなｙ方向
駆動力が加わり磁性体板(FP)が電磁石(1A,1B)に近づく
方向に駆動される。

【００７５】磁性体板(FP)が電磁石(1A,1B)に近づくに
従って電流レベルが低下して吸引力Ｉｙが弱まるので、
磁性体板(FP)はｙ方向のある位置でｙ方向位置変化が止
まる。１対の電磁石(1A,1B)を同一特性のものとし両電
磁石の通電レベルを同一とすれば、両電磁石(1A,1B)に
よりｘ方向の吸引力Ｉｘが拮抗する。完全にバランスし
ない場合でも、逆方向のｘ方向吸引力Ｉｘが同時に作用
するので、それらの差し引きで、磁性体板(FP)が一方の
電磁石に吸引されるｘ方向の力は弱く、その分磁性体板
(FP)が電磁石に吸着してしまうような不具合の可能性が
低い。

【００７６】磁性体板(FP)には非接触でｙ方向の駆動力
が加わるので、仮に磁性体板(FP)をｘおよびｙ方向に直
交するｚ方向に搬送駆動しても、これによって磁性体板
(FP)にスリ傷あるいは掻き傷を生ずることがない。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の一実施例の全体構成を示すブロック
図である。

【図２】 図１に示す制御回路５aの構成概要を示すブ
ロック図である。

【図３】 図１に示す制御回路５bの構成概要を示すブ
ロック図である。

【図４】 図１に示す制御回路５cの構成概要を示すブ
ロック図である。

【図５】 図１に示す制御回路５dの構成概要を示すブ
ロック図である。

【図６】 図２に示すメモリ２５aのメモリ領域を模式
的に示すブロック図である。

【図７】 図６に示すメモリ２５aのメモリテーブルｄj
の内容を示すブロック図である。

【図８】 図３に示すメモリ２５aのメモリ領域を模式
的に示すブロック図である。

【図９】 図８に示すメモリ２５aのメモリテーブルｄj
の内容を示すブロック図である。

【図１０】 図４に示すメモリ２５aのメモリ領域を模
式的に示すブロック図である。

【図１１】 図１０に示すメモリ２５aのメモリテーブ
ルｄjの内容を示すブロック図である。

【図１２】 図５に示すメモリ２５aのメモリ領域を模
式的に示すブロック図である。

【図１３】 図１２に示すメモリ２５aのメモリテーブ
ルｄjの内容を示すブロック図である。

【図１４】 図１に示す電磁石１Ａ，１Ｂに同極通電し
た時に、鋼帯の端縁に加わるMaxwellの応力を示すグラ
フである。

【符号の説明】

１A,１B,１C,１D：電磁石 ２a,２b,２c,２
d：電気コイル ３a,３b,３c,３d：コア ４a,４b,４c,４
d：コイルドライバ ５a,５b,５c,５d：制御回路 ６x1,６x2,６
y：ギャップセンサ ７a,７b,７c,７d：ＰＷＭ回路 ８a〜d,９a〜d,１０a
〜d：信号処理回路 ２５a,２５b,２５c,２５d：メモリ ２６a,２６b,２６c,２６d：領域判定回路 ２８a,２８b,２８c,２８d：コンピュータ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−12556（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−167163（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−19107（ＪＰ，Ａ) 実開 昭52−84919（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) B65H 23/032 B65G 54/02 B21B 39/12,39/14 B21B 41/12

Claims (6)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】磁性体板の端部近傍に配設され、それぞれ
   の磁極端面が該磁性体板の表板面又はその延長面および
   裏板面又はその延長面に対向する１対の電磁石； 該１対の電磁石の磁極端面が同極となるように電流を通
   電する通電手段； 磁性体板の端部と前記電磁石との、磁性体板の板面に沿
   う方向ｙの距離を検出するｙ距離検出手段；および、 ｙ距離検出手段が検出する距離に対応して、それが長い
   と高レベルの、短いと低レベルの電流を、前記通電手段
   を介して電磁石に通電する通電制御手段； を備える磁性体板の駆動装置。
2. 【請求項２】磁性体板の端部近傍に配設され、磁極端面
   が該磁性体板の表板面又はその延長面に対向する第１電
   磁石； 磁極端面が該磁性体板の表板面又はその延長面および第
   １電磁石の前記磁極端面に対向する第２電磁石； 第１電磁石に電流を通電する第１通電手段； 第２電磁石に電流を通電する第２通電手段； 磁性体板の端部と前記電磁石との、磁性体板の板面に沿
   う方向ｙの距離を検出するｙ距離検出手段； 第１および第２電磁石の前記磁極端面の少くとも一方と
   磁性体板の板面との、ｙ方向に直交する方向ｘの距離を
   検出するｘ距離検出手段； ｙ距離検出手段が検出する距離ｙおよび第１電磁石の前
   記磁極端面と磁性体板の板面とのｘ方向の距離ｘ₁に対
   応して、距離ｙが長いと高レベル短いと低レベル、かつ
   距離ｘ₁が長いと高レベル短いと低レベルの電流を、第
   １通電手段を介して第１電磁石に通電する第１通電制御
   手段；および、 ｙ距離検出手段が検出する距離ｙおよび第２電磁石の前
   記磁極端面と磁性体板の板面とのｘ方向の距離ｘ₂に対
   応して、距離ｙが長いと高レベル短いと低レベル、かつ
   距離ｘ₂が長いと高レベル短いと低レベルの電流を、第
   ２通電手段を介して第２電磁石に通電する第２通電制御
   手段； を備える磁性体板の駆動装置。
3. 【請求項３】磁性体板の一端部近傍に配設され、それぞ
   れの磁極端面が該磁性体板の表板面又はその延長面およ
   び裏板面又はその延長面に対向する第１組の１対の電磁
   石； 磁性体板の他端部近傍に配設され、それぞれの磁極端面
   が該磁性体板の表板面又はその延長面および裏板面又は
   その延長面に対向する第２組の１対の電磁石； 第１組の１対の電磁石の磁極端面が同極となるように電
   流を通電する第１組の通電手段； 第２組の１対の電磁石の磁極端面が同極となるように電
   流を通電する第２組の通電手段； 磁性体板の前記一端部と第１組の電磁石との、磁性体板
   の板面に沿う方向ｙの距離ｙ₁と、磁性体板の前記他端
   部と第２組の電磁石との、磁性体板の板面に沿う方向ｙ
   の距離ｙ₂の、少くとも一方を検出するｙ距離検出手
   段； 距離ｙ₁に対応して、それが長いと高レベルの、短いと
   低レベルの電流を、第１組の通電手段を介して第１組の
   １対の電磁石に通電する第１組の通電制御手段；およ
   び、 距離ｙ₂に対応して、それが長いと高レベルの、短いと
   低レベルの電流を、第２組の通電手段を介して第２組の
   １対の電磁石に通電する第２組の通電制御手段；を備え
   る磁性体板の駆動装置。
4. 【請求項４】磁性体板の一端部近傍に配設され、磁極端
   面が該磁性体板の表板面又はその延長面に対向する第１
   組の第１電磁石； 磁極端面が該磁性体板の表板面又はその延長面および第
   １組の第１電磁石の前記磁極端面に対向する第１組の第
   ２電磁石； 第１組の第１電磁石に電流を通電する第１組の第１通電
   手段； 第１組の第２電磁石に電流を通電する第１組の第２通電
   手段； 磁性体板の他端部近傍に配設され、磁極端面が該磁性体
   板の表板面又はその延長面に対向する第２組の第１電磁
   石； 磁極端面が該磁性体板の表板面又はその延長面および第
   ２組の第１電磁石の前記磁極端面に対向する第２組の第
   ２電磁石； 第２組の第１電磁石に電流を通電する第２組の第１通電
   手段； 第２組の第２電磁石に電流を通電する第２組の第２通電
   手段； 磁性体板の前記一端部と第１組の電磁石との、磁性体板
   の板面に沿う方向ｙの距離ｙ₁と、磁性体板の前記他端
   部と第２組の電磁石との、磁性体板の板面に沿う方向ｙ
   の距離ｙ₂の、少くとも一方を検出するｙ距離検出手
   段； 第１組の第１および第２電磁石の前記磁極端面の少くと
   も一方と磁性体板の板面との、ｙ方向に直交する方向ｘ
   の距離を検出する第１組のｘ距離検出手段； 第２組の第１および第２電磁石の前記磁極端面の少くと
   も一方と磁性体板の板面との、ｙ方向に直交する方向ｘ
   の距離を検出する第２組のｘ距離検出手段； 距離ｙ₁および第１組の第１電磁石の前記磁極端面と磁
   性体板の板面とのｘ方向の距離ｘ₁₁に対応して、距離ｙ
   ₁が長いと高レベル短いと低レベル、かつ距離ｘ₁₁が長
   いと高レベル短いと低レベルの電流を、第１組の第１通
   電手段を介して第１組の第１電磁石に通電する第１組の
   第１通電制御手段； 距離ｙ₁および第１組の第２電磁石の前記磁極端面と磁
   性体板の板面とのｘ方向の距離ｘ₁₂に対応して、距離ｙ
   ₁が長いと高レベル短いと低レベル、かつ距離ｘ₁₂が長
   いと高レベル短いと低レベルの電流を、第１組の第２通
   電手段を介して第１組の第２電磁石に通電する第１組の
   第２通電制御手段； 距離ｙ₂および第２組の第１電磁石の前記磁極端面と磁
   性体板の板面とのｘ方向の距離ｘ₂₁に対応して、距離ｙ
   ₂が長いと高レベル短いと低レベル、かつ距離ｘ₂₁が長
   いと高レベル短いと低レベルの電流を、第２組の第１通
   電手段を介して第２組の第１電磁石に通電する第２組の
   第１通電制御手段；および、 距離ｙ₂および第２組の第２電磁石の前記磁極端面と磁
   性体板の板面とのｘ方向の距離ｘ₂₂に対応して、距離ｙ
   ₂が長いと高レベル短いと低レベル、かつ距離ｘ₂₂が長
   いと高レベル短いと低レベルの電流を、第２組の第２通
   電手段を介して第２組の第２電磁石に通電する第２組の
   第２通電制御手段； を備える磁性体板の駆動装置。
5. 【請求項５】第２通電手段は、第１電磁石と第２電磁石
   の磁極端面が同極となるように電流を通電することを特
   徴とする請求項２記載の磁性体板の駆動装置。
6. 【請求項６】第１組の第２通電手段は、第１組の第１電
   磁石と第１組の第２電磁石との磁極端面が同極となるよ
   うに電流を通電し、 第２組の第２通電手段は、第２組の第１電磁石と第２組
   の第２電磁石との磁極端面が同極となるように電流を通
   電することを特徴とする請求項４記載の磁性体板の駆動
   装置。