JP2932501B2 - Semiconductor integrated circuit device - Google Patents
Semiconductor integrated circuit deviceInfo
- Publication number
- JP2932501B2 JP2932501B2 JP14634889A JP14634889A JP2932501B2 JP 2932501 B2 JP2932501 B2 JP 2932501B2 JP 14634889 A JP14634889 A JP 14634889A JP 14634889 A JP14634889 A JP 14634889A JP 2932501 B2 JP2932501 B2 JP 2932501B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- potential
- input
- semiconductor integrated
- output
- integrated circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体集積回路装置に係り、特に通常使用さ
れる状態とは異なった信号を加える事によりその半導体
集積回路装置がもつ別の機能が動作するようにした半導
体集積回路装置に関する。Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor integrated circuit device, and more particularly, to applying a signal different from a normally used state to another function of the semiconductor integrated circuit device. The present invention relates to a semiconductor integrated circuit device that operates.
第4図(a)、第4図(b)に、従来の例を示すよう
に、論理素子1とインバータ論理素子2とが、入力I11
のピン4につながっている。論理素子2の出力は、次の
インバータ論理素子3につながり、この出力が、入力ピ
ン4の下位ビットの出力O12の出力端子5、論理素子1
の出力が、上位ビットの出力O11の出力端子6に接続さ
れていた。4 (a) and 4 (b), as shown in the conventional example, the logic element 1 and the inverter logic element 2 are connected to the input I 11.
It is connected to pin 4. The output of the logic element 2 leads to the next inverter logic element 3, the output, the output terminal 5 of the output O 12 of the lower bits of the input pins 4, logic element 1
Output has been connected to the output terminal 6 of the output O 11 of the upper bit.
次にこの回路の動作を説明する。論理素子2は、通常
の電源電圧と接地(GND)との間に論理しきい値をも
ち、入力の変化に供い、次段へ信号を伝える。この結
果、出力端子5の出力O12には入力と同相の信号が現わ
れる。Next, the operation of this circuit will be described. The logic element 2 has a logic threshold between a normal power supply voltage and ground (GND), and transmits a signal to the next stage in response to an input change. As a result, the signal input and phase appears at the output O 12 of the output terminal 5.
一方論理素子1は論理しきい値が電源電圧より高い所
にあり、このしきい値を超える高い電圧を入力した時の
み出力O11に出力が現われる。つまり出力O12側にはI11
を入力とする回路がつながり、この半導体集積回路が動
作している時、この入力端子4の電圧を高くしても通常
の動作には影響を与えず、新たに別機能の動作が可能と
なる。これは、例えば専用の入力ピンを設ける事によっ
ても実現できるが、ICにはパッケージのピン数の制限を
受ける場合が少なくない為、このような多値入力のでき
る入力ピンが必要となる。Meanwhile logic element 1 is at logic threshold is higher than the supply voltage, the output to only the output O 11 when you enter a high voltage exceeding this threshold appears. In other words, I 11 is on the output O 12 side.
When the semiconductor integrated circuit is operating, even if the voltage of the input terminal 4 is increased, the normal operation is not affected, and the operation of another function can be newly performed. . This can be realized, for example, by providing dedicated input pins. However, since the number of pins of a package is often limited in an IC, such an input pin capable of multi-level input is required.
前述した従来の半導体集積回路は、入力ピンに電源よ
り高い電圧を加えなければならない。旧型のICの中に
は、16kbit DRAMのように、+5V,+12V,−5Vと多様な電
源を使う製品があった為この+12Vの電源を使い、“2"
のレベルの信号を作る事が容易であった。しかし、最近
のICは、5V単一電源がほとんどとなってきている為、電
源電圧以上の信号を作る事が困難となっている。In the above-described conventional semiconductor integrated circuit, a voltage higher than the power supply must be applied to the input pin. Some older ICs use various power supplies, such as + 5V, + 12V, and -5V, such as 16kbit DRAM.
It was easy to make a signal of the level. However, most of recent ICs have a single 5V power supply, which makes it difficult to generate signals higher than the power supply voltage.
本発明の目的は、前記欠点が解決され、通常の論理レ
ベルで信号を他の半導体集積回路に送る事ができるよう
にした半導体集積回路を提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a semiconductor integrated circuit in which the above-mentioned drawbacks are solved and a signal can be sent to another semiconductor integrated circuit at a normal logic level.
本発明の半導体集積回路装置は、通常動作時には、高
電位、低電位がそれぞれ供給され、別機能動作時には、
前記通常動作時とは逆に低電位、高電位がそれぞれ供給
される高電位側端子、低電位側端子と、前記高電位側端
子及び前記低電位側端子の間に接続されA/Dコンバータ
回路の比較電圧を発生するRストリング回路を内蔵する
半導体集積回路装置において、前記高電位側端子と前記
低電位側端子とに接続され、別機能動作時の前記高電位
側端子と前記低電位側端子との電位関係が前記通常動作
時とは逆になっていることを検出する検出回路を備える
ことを特徴とする。In the semiconductor integrated circuit device of the present invention, a high potential and a low potential are supplied during normal operation, and during a different function operation,
A / D converter circuit connected between the high potential side terminal, the low potential side terminal to which the low potential and the high potential are supplied, and the high potential side terminal and the low potential side terminal, respectively, In the semiconductor integrated circuit device having a built-in R string circuit for generating a comparison voltage, the high potential side terminal and the low potential side terminal which are connected to the high potential side terminal and the low potential side terminal when another function is operated. And a detection circuit for detecting that the potential relationship is opposite to that in the normal operation.
次に図面を参照しながら本発明を説明する。 Next, the present invention will be described with reference to the drawings.
第1図(a)は本発明の第1の実施例を示す回路図、
第1(b)は第1図(a)の動作を示す図である。FIG. 1 (a) is a circuit diagram showing a first embodiment of the present invention,
FIG. 1 (b) is a diagram showing the operation of FIG. 1 (a).
第1図(a)において、本発明の第1の実施例の半導
体集積回路装置は、例えばA/Dコンバータの比較電圧を
発生するRストリング回路(Rs)11の高電位側端子9の
入力I+と低電位側端子10の入力I-とのそれぞれを、排他
的(イクスクルーシブ)OR7に入力し、この出力O1をも
う一度入力とするNANDゲートからなる論理回路8で論理
を取り、出力信号O2を得る。排他的論理積7は入力I+,I
-を各々入力とする入力端子9,10を有し、NANDゲートの
回路8は、この出力O1と、入力I-とを入力とし、出力端
子12に出力O2を出力する。In FIG. 1 (a), a semiconductor integrated circuit device according to a first embodiment of the present invention includes, for example, an input I of a high potential side terminal 9 of an R string circuit (Rs) 11 for generating a comparison voltage of an A / D converter. + the input I of the low potential side terminal 10 - each and are input to an exclusive (exclusive) OR @ 7, the logical in the logic circuit 8 comprising a NAND gate which receives the output O 1 again, the output obtaining a signal O 2. Exclusive AND 7 is input I + , I
- each having an input terminal 9, 10 to input circuit 8 of NAND gate has an output O 1, input I - as input and outputs an output O 2 to the output terminal 12.
第1図(b)にこの動作を示すように、まず通常はI+
>I-の関係が保たれている。もし、この回路装置が使用
されていない所は、“1"か“0"に固定される為、I+=I-
の状態も有る。従って、これらの組合せの時は出力端子
12の出力O2は同じ値を示し、I+=I-の関係になった時の
み違う値になるような論理が組まれている事がわかる。
このI+<I-は、通常の使用状態では絶対に起こらない組
合せで、従って普通の動作をこのICがしている限りは出
力O2が“0"になる事はない。As shown the operation in Fig. 1 (b), first, usually I +
> I - relationship is maintained. If this circuit device is not used, it is fixed to “1” or “0”, so I + = I −
There is also a state. Therefore, when these combinations are used,
Output O 2 of 12 have the same value, I + = I - seen that the logic is organized such that different value only when it is related.
The I + <I -, in normal use in combination does not occur absolutely therefore as long as the normal operation is the IC output O 2 is "0" it is not to be.
第2図は第1図(a)の回路装置を実際に使用した例
を示す回路図である。第2図において、入力I+は、入力
端子14に印加され、スイッチS2の電極がつながり、他方
のスイッチS1の電極には入力端子13のリファレンス電圧
V+がつながる。また入力I0には、スイッチS4の電極即ち
入力端子16がつながり、他方のスイッチS3の電極にはリ
ファレンス電圧V-即ち入力端子15がつながる。ここで、
スイッチS1とS3,及びスイッチ2とS4は、それぞれ同相
であるが、S1のグループと、S2のグループとは互に逆相
の関係になっている。電圧V+とV-の電圧関係は、V+>V-
で、入力I1は“0"レベル、入力I0は“1"レベルにそれぞ
れ固定されていたとすると、スイッチS1〜4の極性を
切り換える信号をこの切り換え回路に入力すると、それ
までI+=V+>I-=V-だったのが、I+=I1<I-=I0にな
り、これによりIC内の出力O2が変化し、このICに信号が
入力できる。もちろん、この時他の入力ポートは本来の
信号を受けている時でも影響される事はない。FIG. 2 is a circuit diagram showing an example in which the circuit device of FIG. 1A is actually used. In Figure 2, the input I + is applied to the input terminal 14, connection of the electrode switches S 2, the electrodes of the other switch S 1 reference voltage input terminal 13
V + leads. Also the input I 0, electrode or an input terminal 16 of the switch S 4 is lead, the electrode of the other switches S 3 Reference Voltage V - that is, the input terminal 15 leads. here,
Switch S 1 and S 3, and the switch 2 and S 4 is respectively in phase and group S 1, have become mutually opposite phase relation to the group of S 2. Voltage V + and V - voltage relationship is, V +> V -
In the input I 1 is "0" level, the input I 0 is assuming that is fixed to the "1" level, when a signal for switching the polarity of the switches S 1 to 4 is input to the switching circuit, it until I + = From V + > I − = V − , I + = I 1 <I − = I 0 , whereby the output O 2 in the IC changes and a signal can be input to this IC. Of course, at this time, the other input ports are not affected even when receiving the original signal.
尚第1図(a)において、入力端子9,10以外は半導体
集積回路チップ30内に形成される。In FIG. 1A, components other than the input terminals 9 and 10 are formed in the semiconductor integrated circuit chip 30.
本実施例の半導体集積回路はA/D変換器やコンパレー
タ等の基準電源の上側入力I1と、下側入力I-との電位関
係を比較する回路を有しており、極性をもつ抵抗列に逆
極性になるように外部から信号を印加して、半導体集積
回路装置内の一部の回路機能を換えるようにしている。The semiconductor integrated circuit of this embodiment the upper input I 1 of the reference power source, such as A / D converters and comparators, lower input I - has a circuit for comparing the potential relation, the resistor string having a polarity A signal is applied from the outside so as to have the opposite polarity, and some circuit functions in the semiconductor integrated circuit device are changed.
第3図は本発明の第2の実施例の半導体集積回路装置
を示す回路図である。FIG. 3 is a circuit diagram showing a semiconductor integrated circuit device according to a second embodiment of the present invention.
本回路では、特別な追加する素子はなく、A/D変換器
を構成する素子をそのまま使用している。まず、アナロ
グスイッチ20はクロックが入力され、Rストリング回
路(Rs)11の低電位側入力端子22を選ぶスイッチのうち
適当なものを、アナログスイッチ21はクロックφが入力
され、高電位側入力端子23を選ぶスイッチのうち適当な
ものをそれぞれ選び使用する。点線内のコンパレータ24
は、A/D変換器で使用されているものを使用する。コン
パレータ24の構成は、入力としてサンプル・アンド・ホ
ールド容量25があり、これが反転増幅器26の入力につな
がっている。また、バイアス用トランジスタ27が反転増
幅器26の入出力間につながり、このトランジスタ27のゲ
ートにはクロックφが入力されている。コンパレータ24
の出力は、反転増幅器26の出力であるが、ロジック・レ
ベルに変換する為のレベル変換器28を介して出力O2を行
ている。In this circuit, there are no special additional elements, and the elements that make up the A / D converter are used as they are. First, the analog switch 20 receives a clock and selects an appropriate one of switches for selecting the low-potential-side input terminal 22 of the R string circuit (Rs) 11. The analog switch 21 receives a clock φ and inputs a high-potential-side input terminal. Select and use the appropriate switch from among the 23 switches. Comparator 24 inside the dotted line
Uses the one used in the A / D converter. The configuration of the comparator 24 has a sample-and-hold capacitance 25 as an input, which is connected to the input of the inverting amplifier 26. A bias transistor 27 is connected between the input and output of the inverting amplifier 26, and a clock φ is input to the gate of the transistor 27. Comparator 24
The output of the inversion is a output of the amplifier 26, and line output O 2 via a level converter 28 for converting logic levels.
第3図の回路装置の動作はまずプリチャージ期間が有
り、この時クロックφは“1"で、Rストリング回路11の
上位側を選ぷトランジスタスイッチ21がオンして、コン
パレータ24にRストリングのレベルを入力している。コ
ンパレータ24は、この時バイアスを行なっている期間
で、トランジスタ27がオンレ容量20を充電している。出
力レベルは、レベル変換器28を介し、出力O2に,“1"を
出力している。The operation of the circuit device shown in FIG. 3 first has a precharge period. At this time, the clock φ is “1”, the upper side of the R string circuit 11 is selected, and the transistor switch 21 is turned on. You have entered a level. In the comparator 24, the transistor 27 charges the on-capacitance 20 during the biasing period. Output level, through a level converter 28, the output O 2, and outputs a "1".
次に比較期間が有り、今度はRストリング回路11の下
位側を選ぶトランジスタ20がオンし、コンパレータ24に
入力している。コンパレータ24は、トランジスタ27がオ
フしているから、もしI+>I-なら入力側の電位は下へ行
くが、もともと出力はレベル変換器28により“1"となっ
ているので、出力O2は変化しない。しかし、I+<I-な
ら、この逆で出力O2は“0"となる。このI+<I-の条件
は、前述した第1の実施例でも説明したように、通常の
使用では生じない組合せである。Next, there is a comparison period. This time, the transistor 20 for selecting the lower side of the R string circuit 11 is turned on and is input to the comparator 24. Comparator 24, since the transistor 27 is off, if I +> I - if the potential of the input side is going down, so the original output is "1" by the level converter 28, the output O 2 Does not change. However, I + <I - if the output O 2 in the reverse is "0". The I + <I - conditions, as described in the first embodiment described above, a combination that does not occur in normal use.
A/Dやコンパレータ回路を内蔵した半導体集積回路、
とくにマイクロプロセッサは、これらの機能を常時使用
しているわけではないので、使用してない期間にI+<I-
を検出する為の前述したサイクルを設ける事は何の支障
もない。Semiconductor integrated circuits with built-in A / D and comparator circuits,
In particular the microprocessor, since these do not have always used a function, the period of non-use I + <I -
There is no problem in providing the above-described cycle for detecting the error.
以上説明したように、本発明は、Rストリング部が通
常I+I-になっている事を利用した場合には、外部信号
でI+<I-の状態を作る事で、IC内部にこの外部信号を入
力できるという効果がある。As described above, the invention, R string section normal I + I - in the case of utilizing the fact that is the, I + <I by external signals - By making the state of this in the IC There is an effect that an external signal can be input.
第1図(a)は本発明の第1の実施例の半導体集積回路
を示す論理回路図、第1図(b)は第1(a)の真理値
表を示す図、第2図は第1図(a)の回路装置の応用例
を示す回路図、第3図は本発明の第2の実施例の半導体
集積回路を示す論理回路図、第4図(a)は従来の半導
体集積回路を示す論理回路図、第4図(b)は第4図
(a)の真理値表を示す図である。 1,2,3,7,8……論理素子、4,9,10,13,14,15,16,22,23…
…入力端子、5,6,12……出力端子、24……コンパレー
タ、26……反転増幅器、28……レベル変換器、20,21…
…スイッチ、27……トランジスタ、25……サンプル・ア
ンド・ホールド容量。FIG. 1A is a logic circuit diagram showing a semiconductor integrated circuit according to a first embodiment of the present invention, FIG. 1B is a diagram showing a truth table of FIG. 1A, and FIG. 1A is a circuit diagram showing an application example of the circuit device, FIG. 3 is a logic circuit diagram showing a semiconductor integrated circuit according to a second embodiment of the present invention, and FIG. 4A is a conventional semiconductor integrated circuit. FIG. 4 (b) is a diagram showing a truth table of FIG. 4 (a). 1,2,3,7,8 …… Logic elements, 4,9,10,13,14,15,16,22,23…
... input terminals, 5, 6, 12 ... output terminals, 24 ... comparators, 26 ... inverting amplifiers, 28 ... level converters, 20, 21 ...
... switch, 27 ... transistor, 25 ... sample-and-hold capacitance.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H01L 27/04 H01L 21/822 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (58) Fields surveyed (Int.Cl. 6 , DB name) H01L 27/04 H01L 21/822
Claims (1)
れ供給され、別機能動作時には、前記通常動作時とは逆
に低電位、高電位がそれぞれ供給される高電位側端子、
低電位側端子と、前記高電位側端子及び前記低電位側端
子の間に接続されA/Dコンバータ回路の比較電圧を発生
するRストリング回路を内蔵する半導体集積回路装置に
おいて、前記高電位側端子と前記低電位側端子とに接続
され、別機能動作時の前記高電位側端子と前記低電位側
端子との電位関係が前記通常動作時とは逆になっている
ことを検出する検出回路を備えることを特徴とする半導
体集積回路装置。1. A high potential side terminal to which a high potential and a low potential are respectively supplied during a normal operation, and a low potential and a high potential which are respectively supplied in a different function operation in reverse to the normal operation.
A semiconductor integrated circuit device including a low-potential-side terminal and an R string circuit connected between the high-potential-side terminal and the low-potential-side terminal for generating a comparison voltage of an A / D converter circuit; And a detection circuit connected to the low-potential-side terminal and detecting that the potential relationship between the high-potential-side terminal and the low-potential-side terminal during another function operation is opposite to that during the normal operation. A semiconductor integrated circuit device comprising:
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14634889A JP2932501B2 (en) | 1989-06-07 | 1989-06-07 | Semiconductor integrated circuit device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14634889A JP2932501B2 (en) | 1989-06-07 | 1989-06-07 | Semiconductor integrated circuit device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH039557A JPH039557A (en) | 1991-01-17 |
JP2932501B2 true JP2932501B2 (en) | 1999-08-09 |
Family
ID=15405677
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14634889A Expired - Lifetime JP2932501B2 (en) | 1989-06-07 | 1989-06-07 | Semiconductor integrated circuit device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2932501B2 (en) |
-
1989
- 1989-06-07 JP JP14634889A patent/JP2932501B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH039557A (en) | 1991-01-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS5951177B2 (en) | Auto clear signal generation circuit | |
KR100221799B1 (en) | Mode circuit and mode device | |
JP2932501B2 (en) | Semiconductor integrated circuit device | |
JP3074015B2 (en) | Semiconductor device | |
JPH05267464A (en) | Semiconductor device | |
JPH0257377B2 (en) | ||
JP2003332902A (en) | Input buffer circuit and semiconductor integrated circuit device | |
JP2001339285A (en) | Power-off detecting circuit | |
JPH06343025A (en) | Schmitt trigger circuit | |
JP2842733B2 (en) | Semiconductor integrated circuit | |
JP2692555B2 (en) | Self overcurrent protection circuit | |
JP2798510B2 (en) | Semiconductor integrated circuit | |
JP3184101B2 (en) | Semiconductor device | |
JP2656660B2 (en) | Semiconductor integrated circuit | |
JP2812074B2 (en) | Semiconductor device | |
JPH08272491A (en) | Voltage detection circuit | |
JP3647277B2 (en) | Digital / analog converter | |
JPS59201524A (en) | Output circuit | |
JPH04237214A (en) | Clocked inverter | |
JPS61150515A (en) | Semiconductor integrated circuit | |
JP3031223B2 (en) | Semiconductor integrated circuit | |
JP2712432B2 (en) | Majority logic | |
JPH06224701A (en) | Schmitt trigger circuit | |
KR940006505B1 (en) | Transistor-transistor-logic input buffer | |
JP3181306B2 (en) | Semiconductor integrated circuit |