JP2921802B2 - 光電変換装置の短絡箇所の除去方法 - Google Patents
光電変換装置の短絡箇所の除去方法Info
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- JP2921802B2 JP2921802B2 JP3103577A JP10357791A JP2921802B2 JP 2921802 B2 JP2921802 B2 JP 2921802B2 JP 3103577 A JP3103577 A JP 3103577A JP 10357791 A JP10357791 A JP 10357791A JP 2921802 B2 JP2921802 B2 JP 2921802B2
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は表面層に透明導電性材料
の層を有する光電変換装置の短絡部分を除去する方法に
関する。
の層を有する光電変換装置の短絡部分を除去する方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】最近、二酸化炭素の増加による温室効果
で地球の温暖化が生じることが予測され、二酸化炭素発
生を伴わないクリーンなエネルギーの要求がますます高
まっている。また、二酸化炭素を排出しない原子力発電
も、なお諸種の問題を指摘する声があり、よりクリーン
なエネルギーが望まれている。
で地球の温暖化が生じることが予測され、二酸化炭素発
生を伴わないクリーンなエネルギーの要求がますます高
まっている。また、二酸化炭素を排出しない原子力発電
も、なお諸種の問題を指摘する声があり、よりクリーン
なエネルギーが望まれている。
【０００３】将来期待されているクリーンなエネルギー
のなかでも、特に太陽電池はそのクリーンさ、安全性及
び取り扱いやすさから、大きな期待を寄せられている。
各種の太陽電池の中で、アモルファスシリコン太陽電池
は大面積体に製造でき、製造コストも低いことから、盛
んに研究されている。しかし、大面積体に製造すれば、
電気的に短絡した箇所が往々にして発生し、製品の歩留
まり低下を引き起こしていた。
のなかでも、特に太陽電池はそのクリーンさ、安全性及
び取り扱いやすさから、大きな期待を寄せられている。
各種の太陽電池の中で、アモルファスシリコン太陽電池
は大面積体に製造でき、製造コストも低いことから、盛
んに研究されている。しかし、大面積体に製造すれば、
電気的に短絡した箇所が往々にして発生し、製品の歩留
まり低下を引き起こしていた。
【０００４】太陽電池等の光電変換装置の短絡箇所の除
去方法として、特公昭62-53958号公報では、短絡箇所に
レーザビーム等のエネルギービームを照射することによ
って除去する方法が提案されている。しかし、この方法
はエネルギービームを照射する前に、短絡箇所を確定し
なければならないことと、短絡箇所が多い場合には、そ
の数に応じて前述した短絡箇所の除去処理を行なう為に
多くの処理時間を要することなどの欠点を有している。
去方法として、特公昭62-53958号公報では、短絡箇所に
レーザビーム等のエネルギービームを照射することによ
って除去する方法が提案されている。しかし、この方法
はエネルギービームを照射する前に、短絡箇所を確定し
なければならないことと、短絡箇所が多い場合には、そ
の数に応じて前述した短絡箇所の除去処理を行なう為に
多くの処理時間を要することなどの欠点を有している。
【０００５】米国特許4451970 号明細書及び特開昭59-9
4473号公報には、基板上に半導体層と導電性光透過材膜
とが存在することによって形成されている光電池デバイ
スの短絡電流エリアで前記導電性光透過材膜に電解液か
ら被膜を形成させ、前記基板に対して電解質を正に維持
する様に電圧を印加して、短絡電流経路を除去する方法
とシステムとが提案されている。該資料には更に、短絡
電流経路が除去されたエリアに絶縁材料を堆積させるこ
とも記載されている。しかし、電解質にはカソードとア
ノードとがそれぞれ接しており、電解質全体に正の電荷
を付与し得ない。
4473号公報には、基板上に半導体層と導電性光透過材膜
とが存在することによって形成されている光電池デバイ
スの短絡電流エリアで前記導電性光透過材膜に電解液か
ら被膜を形成させ、前記基板に対して電解質を正に維持
する様に電圧を印加して、短絡電流経路を除去する方法
とシステムとが提案されている。該資料には更に、短絡
電流経路が除去されたエリアに絶縁材料を堆積させるこ
とも記載されている。しかし、電解質にはカソードとア
ノードとがそれぞれ接しており、電解質全体に正の電荷
を付与し得ない。
【０００６】米国特許4,510,674 号及び4,510,675 号明
細書に開示されている短絡電流経路の欠陥除去方は次の
内容のものである： 短絡部位を予め確定した後に、エッチング液で短絡部位
の透明導電性酸化物を除去する（更に、透明導電性酸化
物が除去された部位に、絶縁材を堆積させる）。 短絡部位の予備確定は次の様に行なわれている：米国特
許4,510,674号： 光電池の透明導電性酸化物膜と活性領域とに順方向又は
逆方向のバイアス電圧を印加して何れの部位で電流が流
れるかを検知する 米国特許4,510,675 号： 光電池に光を照射しながら透明導電性酸化物膜と活性領
域とに逆方向バイアス電圧又は順・逆方向のバイアス電
圧を印加して何れの部位で電流が流れるかを検知するし
かし、これらの方法には次の問題が伴う： ・短絡部位が多数箇所に存在する場合には、場所の確定
に相当の時間を要する。 ・エッチング液によって、短絡部分以外の透明導電性酸
化物までもエッチングされる結果、光電池デバイスの特
性低下を来す。
細書に開示されている短絡電流経路の欠陥除去方は次の
内容のものである： 短絡部位を予め確定した後に、エッチング液で短絡部位
の透明導電性酸化物を除去する（更に、透明導電性酸化
物が除去された部位に、絶縁材を堆積させる）。 短絡部位の予備確定は次の様に行なわれている：米国特
許4,510,674号： 光電池の透明導電性酸化物膜と活性領域とに順方向又は
逆方向のバイアス電圧を印加して何れの部位で電流が流
れるかを検知する 米国特許4,510,675 号： 光電池に光を照射しながら透明導電性酸化物膜と活性領
域とに逆方向バイアス電圧又は順・逆方向のバイアス電
圧を印加して何れの部位で電流が流れるかを検知するし
かし、これらの方法には次の問題が伴う： ・短絡部位が多数箇所に存在する場合には、場所の確定
に相当の時間を要する。 ・エッチング液によって、短絡部分以外の透明導電性酸
化物までもエッチングされる結果、光電池デバイスの特
性低下を来す。
【０００７】米国特許4,729,970 号明細書には、透明導
電性酸化物を電極にする薄膜電子デバイスの短絡電流経
路の欠陥被覆方法として、次の方法が提案されている：
ルイス酸である塩化アルミニウム、塩化亜鉛、塩化第二
錫、塩化第一錫、四塩化チタン等の塩を含む溶液中で半
導体と対極との間に電流を流し、透明導電性酸化物を酸
化又は還元して、透明導電性酸化物の化学量論比を変え
ることによって、高抵抗にする。
電性酸化物を電極にする薄膜電子デバイスの短絡電流経
路の欠陥被覆方法として、次の方法が提案されている：
ルイス酸である塩化アルミニウム、塩化亜鉛、塩化第二
錫、塩化第一錫、四塩化チタン等の塩を含む溶液中で半
導体と対極との間に電流を流し、透明導電性酸化物を酸
化又は還元して、透明導電性酸化物の化学量論比を変え
ることによって、高抵抗にする。
【０００８】しかし、実際に塩化亜鉛、塩化第二錫又は
塩化第一錫の水溶液を用いて、太陽電池の基板を負極
（カソード）、対極を正極（アノード）にしてこの方法
を試した処、期待に反してデバイスの短絡箇所は修復さ
れず、短絡箇所には金属塩の構成元素である金属（Zn,
Sn) が析出した結果、却って短絡によるリーク電流が増
大してしまった。
塩化第一錫の水溶液を用いて、太陽電池の基板を負極
（カソード）、対極を正極（アノード）にしてこの方法
を試した処、期待に反してデバイスの短絡箇所は修復さ
れず、短絡箇所には金属塩の構成元素である金属（Zn,
Sn) が析出した結果、却って短絡によるリーク電流が増
大してしまった。
【０００９】1986年秋季応用物理学会予稿集 29p-Z-5に
は、アモルファスシリコン( α-Si)太陽電池の電気化学
的処理による効率改善法が発表されている：ガラス／Ｉ
ＴＯ／ｐｉｎ ａ−Ｓｉ：Ｈ／Alのの構造の太陽電池に
おいてリーク電流が生じるピンホール部の修復方法とし
て、該Alを酸に溶解した後に、太陽電池の修復すべきサ
ンプルと白金極とを希硫酸に浸し、ａ−Ｓｉ：Ｈ側に負
の電位を印加して、電気化学的にＩＴＯを溶解させた後
に、再びAlを蒸着して電池を作製する。
は、アモルファスシリコン( α-Si)太陽電池の電気化学
的処理による効率改善法が発表されている：ガラス／Ｉ
ＴＯ／ｐｉｎ ａ−Ｓｉ：Ｈ／Alのの構造の太陽電池に
おいてリーク電流が生じるピンホール部の修復方法とし
て、該Alを酸に溶解した後に、太陽電池の修復すべきサ
ンプルと白金極とを希硫酸に浸し、ａ−Ｓｉ：Ｈ側に負
の電位を印加して、電気化学的にＩＴＯを溶解させた後
に、再びAlを蒸着して電池を作製する。
【００１０】しかし、上記方法では、絶縁基板であるガ
ラス基板上にＩＴＯ、ｐｉｎ層のａ−Ｓｉ：Ｈ層、Al層
が順次形成された構成の太陽電池の短絡部の修復につい
て有効であっても、導電性基板上に光電変換部材として
の半導体層、透明導電層が順次形成された構成の光電変
換装置の短絡修復に関しては、半導体層が透明導電層に
被われていることから、上記の手法の様に半導体層に負
の電位を印加することは困難である。
ラス基板上にＩＴＯ、ｐｉｎ層のａ−Ｓｉ：Ｈ層、Al層
が順次形成された構成の太陽電池の短絡部の修復につい
て有効であっても、導電性基板上に光電変換部材として
の半導体層、透明導電層が順次形成された構成の光電変
換装置の短絡修復に関しては、半導体層が透明導電層に
被われていることから、上記の手法の様に半導体層に負
の電位を印加することは困難である。
【００１１】また、透明導電層を一部分エッチング除去
した半導体層に電圧を印加しても、光電変換装置が大面
積を占める場合には、半導体層の高い抵抗に妨げられて
光電変換装置全体を処理することはできず、飽くまでも
電圧印加箇所周辺だけにおいて効果を生じたに過ぎな
い。
した半導体層に電圧を印加しても、光電変換装置が大面
積を占める場合には、半導体層の高い抵抗に妨げられて
光電変換装置全体を処理することはできず、飽くまでも
電圧印加箇所周辺だけにおいて効果を生じたに過ぎな
い。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、従来
の光電変化装置のシャント（電流分岐）部分及び電流短
絡部分の除去部分のうち、エネルギービームを用いる方
法は短絡部の予備検知が必要であり、短絡部分が多数存
在している場合には長い処理時間を必要とし、生産効率
に欠ける。従来の電気化学的手法には、的確な条件が確
立されていない。この課題を解決する方法であって、更
に大面積の光電変換装置にも適用でき、十分な生産性で
電流短絡部分を除去する方法の確立が望まれている。
の光電変化装置のシャント（電流分岐）部分及び電流短
絡部分の除去部分のうち、エネルギービームを用いる方
法は短絡部の予備検知が必要であり、短絡部分が多数存
在している場合には長い処理時間を必要とし、生産効率
に欠ける。従来の電気化学的手法には、的確な条件が確
立されていない。この課題を解決する方法であって、更
に大面積の光電変換装置にも適用でき、十分な生産性で
電流短絡部分を除去する方法の確立が望まれている。
【００１３】本発明の目的は上述した従来の課題を解決
し、導電性基板上に光電変換部材としての半導体層及び
透明導電層が順次形成された光電変換装置の電流短絡部
を除去する方法を提供することにある。
し、導電性基板上に光電変換部材としての半導体層及び
透明導電層が順次形成された光電変換装置の電流短絡部
を除去する方法を提供することにある。
【００１４】本発明の第２の目的は大面積の光電変換装
置であっても、複数の電流短絡箇所を短時間で除去する
にも適用でき、生産性に優れた経済的な短絡部の除去方
法を提供することにある。
置であっても、複数の電流短絡箇所を短時間で除去する
にも適用でき、生産性に優れた経済的な短絡部の除去方
法を提供することにある。
【００１５】本発明の第３の目的は下部電極と上部電極
（背面電極）との間に光起電力を発生する為の半導体層
を有する光電変換装置の電流短絡箇所の除去方法におい
て、前記上部電極と対向電極都の間に水素イオン及びヒ
ドロニウムイオンから選ばれる１以上のイオンを含有す
る電解液を介して電圧を印加することを特徴とする光電
変換装置の短絡箇所の除去方法を提供することにある。
（背面電極）との間に光起電力を発生する為の半導体層
を有する光電変換装置の電流短絡箇所の除去方法におい
て、前記上部電極と対向電極都の間に水素イオン及びヒ
ドロニウムイオンから選ばれる１以上のイオンを含有す
る電解液を介して電圧を印加することを特徴とする光電
変換装置の短絡箇所の除去方法を提供することにある。
【００１６】本発明の第４の目的は下部電極と上部電極
との間に光起電力を発生する為の半導体層を有する光電
変換装置の短絡箇所の除去方法において、フレキシブル
基体上に設けられた前記光電変換装置と対向電極との間
に水素イオン及びヒドロニウムイオンから選ばれる１以
上のイオンを含有する電解液を介して電圧を印加し、前
記フレキシブル基体上に設けられた前記光電変換装置短
絡箇所の除去方法を提供することにある。
との間に光起電力を発生する為の半導体層を有する光電
変換装置の短絡箇所の除去方法において、フレキシブル
基体上に設けられた前記光電変換装置と対向電極との間
に水素イオン及びヒドロニウムイオンから選ばれる１以
上のイオンを含有する電解液を介して電圧を印加し、前
記フレキシブル基体上に設けられた前記光電変換装置短
絡箇所の除去方法を提供することにある。
【００１７】
【課題を解決するための手段】本発明は、上述した課題
を解決するための手段として、下部電極と上部電極との
間に光起電力を発生する為の半導体層を有する光電変換
装置の短絡箇所の除去方法において、前記下部電極と対
向電極との間に水素イオン及びヒドロニウムイオンから
選ばれる１以上を含有する電解質の濃度が２×１０ -4 ｍ
ｏｌ／ｌ以上で５．０ｍｏｌ／ｌ以下で、且つ比導電率
が０．００１Ｓ／ｃｍ以上で１０Ｓ／ｃｍ以下の電解液
を介して、２．０Ｖ以上５．０Ｖ以下の電圧を印加する
ことを特徴とする光電変換装置の短絡箇所の除去方法を
提供するものである。
を解決するための手段として、下部電極と上部電極との
間に光起電力を発生する為の半導体層を有する光電変換
装置の短絡箇所の除去方法において、前記下部電極と対
向電極との間に水素イオン及びヒドロニウムイオンから
選ばれる１以上を含有する電解質の濃度が２×１０ -4 ｍ
ｏｌ／ｌ以上で５．０ｍｏｌ／ｌ以下で、且つ比導電率
が０．００１Ｓ／ｃｍ以上で１０Ｓ／ｃｍ以下の電解液
を介して、２．０Ｖ以上５．０Ｖ以下の電圧を印加する
ことを特徴とする光電変換装置の短絡箇所の除去方法を
提供するものである。
【００１８】以下、本発明の実施態様例につき説明す
る。 ［電解液］本発明の光電変換装置の短絡箇所の除去方法
に使用し得る電解液としては、水素イオン及び／又はヒ
ドロニウムイオンを含む電解液が望ましい。
る。 ［電解液］本発明の光電変換装置の短絡箇所の除去方法
に使用し得る電解液としては、水素イオン及び／又はヒ
ドロニウムイオンを含む電解液が望ましい。
【００１９】該電解液に水素イオン及び／又はヒドロニ
ウムイオンを含有させるためには無機酸や有機酸等の
酸、無機塩基や有機塩基等の塩基及び標準電極電位Ｅ°
がゼロ（標準水素電極電位ＥH °）以下であって、かつ
標準電極電位の絶対値が水素過電圧よりも大きい金属の
金属塩から選ばれる少なくとも１つの電解質を含む溶液
が望ましい。
ウムイオンを含有させるためには無機酸や有機酸等の
酸、無機塩基や有機塩基等の塩基及び標準電極電位Ｅ°
がゼロ（標準水素電極電位ＥH °）以下であって、かつ
標準電極電位の絶対値が水素過電圧よりも大きい金属の
金属塩から選ばれる少なくとも１つの電解質を含む溶液
が望ましい。
【００２０】前記電解質の具体例を以下に例示するが本
発明に使用し得る電解質は以下に示す材料のみに何等限
定されるものではない。
発明に使用し得る電解質は以下に示す材料のみに何等限
定されるものではない。
【００２１】無機酸としては、例えば塩酸、硝酸、フッ
酸、硫酸等が挙げられる。
酸、硫酸等が挙げられる。
【００２２】有機酸としては、例えば酢酸、ギ酸、シュ
ウ酸、酒石酸、安息香酸等が挙げられる。
ウ酸、酒石酸、安息香酸等が挙げられる。
【００２３】無機塩基としては、例えば水酸化カリウ
ム、水酸化ナトリウム等が挙げられる。
ム、水酸化ナトリウム等が挙げられる。
【００２４】有機塩基としては、エチレンジアミン、ア
ニリン等のアミンやピリジン等が挙げられる。
ニリン等のアミンやピリジン等が挙げられる。
【００２５】標準電極電位が０以下であり、かつ標準電
極電位の絶対値が水素過電圧よりも大きい金属の金属塩
としては、例えばＬｉＣｌ、ＫＣｌ、ＮａＣｌ、ＣａＣ
ｌ2 、ＭｇＣｌ2 、Ｌｉ2 ＳＯ4 、ＫＦ、ＫＢｒ、Ｋ
Ｉ、Ｋ2 ＳＯ4 、Ｋ2 ＣＯ3 、Ｋ3 ＰＯ4 、ＮａＢｒ、
ＮａＩ、Ｎａ2 ＳＯ4 、Ｎａ3 ＰＯ4 、ＣａＳＯ4 、Ｍ
ｇＳＯ4 、ＢａＣｌ2 、ＣｅＣｌ3 、Ｃｅ2 （ＳＯ4 ）
3 、ＡｌＣｌ3 、Ａｌ2 （ＳＯ4 ）3 、ＹＣｌ3 、Ｙ2
（ＳＯ4 ）3 、ＳｃＣｌ3 及びＳｃ2 （ＳＯ4 ）3 等が
挙げられる。
極電位の絶対値が水素過電圧よりも大きい金属の金属塩
としては、例えばＬｉＣｌ、ＫＣｌ、ＮａＣｌ、ＣａＣ
ｌ2 、ＭｇＣｌ2 、Ｌｉ2 ＳＯ4 、ＫＦ、ＫＢｒ、Ｋ
Ｉ、Ｋ2 ＳＯ4 、Ｋ2 ＣＯ3 、Ｋ3 ＰＯ4 、ＮａＢｒ、
ＮａＩ、Ｎａ2 ＳＯ4 、Ｎａ3 ＰＯ4 、ＣａＳＯ4 、Ｍ
ｇＳＯ4 、ＢａＣｌ2 、ＣｅＣｌ3 、Ｃｅ2 （ＳＯ4 ）
3 、ＡｌＣｌ3 、Ａｌ2 （ＳＯ4 ）3 、ＹＣｌ3 、Ｙ2
（ＳＯ4 ）3 、ＳｃＣｌ3 及びＳｃ2 （ＳＯ4 ）3 等が
挙げられる。
【００２６】前記電解液は溶媒としてアルコール系、フ
ェノール系等の非水有機溶媒、又は水等が望ましい。そ
の理由は水素イオン及び／又はヒドロニウムイオンの存
在する電解液を形成することにある。
ェノール系等の非水有機溶媒、又は水等が望ましい。そ
の理由は水素イオン及び／又はヒドロニウムイオンの存
在する電解液を形成することにある。
【００２７】ここで前述の標準電極電位が０以下かつ標
準電極電位の絶対値が水素過電圧よりも大きい金属の金
属塩以外の金属塩、例えばＣｕＳＯ4 、ＦｅＣｌ3 、Ｚ
ｎＣｌ2 等を用いた場合には短絡部に金属、例えばＣ
ｕ、Ｆｅ、Ｚｎ等が析出することから、短絡部のリーク
を増加させてしまう。
準電極電位の絶対値が水素過電圧よりも大きい金属の金
属塩以外の金属塩、例えばＣｕＳＯ4 、ＦｅＣｌ3 、Ｚ
ｎＣｌ2 等を用いた場合には短絡部に金属、例えばＣ
ｕ、Ｆｅ、Ｚｎ等が析出することから、短絡部のリーク
を増加させてしまう。
【００２８】このように短絡部に析出してしまう金属と
しては上記の金属以外にＣｒ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｐｂ及びＡ
ｇ等が挙げられる。
しては上記の金属以外にＣｒ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｐｂ及びＡ
ｇ等が挙げられる。
【００２９】電解液は光電変換装置の短絡箇所を電気化
学的に選択的に除去し得る条件で用いることが望まし
い。本発明の短絡箇所除去の電気化学反応は電解液の酸
性度が高い程起り易いが、電解液と光電変換装置の上部
電極材料とが接触するだけで激しく反応して該上部電極
全面をエッチングするようであってはならない。電解液
を選択する場合には上部電極材料に対して、激しくは化
学反応しない電解液を選択するか又は化学反応速度の低
い濃度及び温度に電解液を調製することが望ましい。
学的に選択的に除去し得る条件で用いることが望まし
い。本発明の短絡箇所除去の電気化学反応は電解液の酸
性度が高い程起り易いが、電解液と光電変換装置の上部
電極材料とが接触するだけで激しく反応して該上部電極
全面をエッチングするようであってはならない。電解液
を選択する場合には上部電極材料に対して、激しくは化
学反応しない電解液を選択するか又は化学反応速度の低
い濃度及び温度に電解液を調製することが望ましい。
【００３０】例えば上部電極の材料が光透過性導電性酸
化物の１つであるＺｎＯの場合には、電解液としては反
応性の低いＬｉＣｌ、ＮａＣｌ、ＫＣｌ又はＭｇＣｌ2
等を含む水溶液を使用するのが望ましい。即ち、ＺｎＯ
が酸にも塩基にも高い反応性を有するからである。
化物の１つであるＺｎＯの場合には、電解液としては反
応性の低いＬｉＣｌ、ＮａＣｌ、ＫＣｌ又はＭｇＣｌ2
等を含む水溶液を使用するのが望ましい。即ち、ＺｎＯ
が酸にも塩基にも高い反応性を有するからである。
【００３１】また、光電変換装置の短絡部で電気化学反
応を効率よく行なって短絡部を除去するためには、電解
液の電気抵抗率が低いことが望ましい。電解液の比導電
率の値としては０．００１Ｓ／ｃｍ以上で１０Ｓ／ｃｍ
以下、好ましくは０．００５Ｓ／ｃｍ以上で５．０Ｓ／
ｃｍ以下、最適には０．０５Ｓ／ｃｍ以上で１．０Ｓ／
ｃｍ以下とする。
応を効率よく行なって短絡部を除去するためには、電解
液の電気抵抗率が低いことが望ましい。電解液の比導電
率の値としては０．００１Ｓ／ｃｍ以上で１０Ｓ／ｃｍ
以下、好ましくは０．００５Ｓ／ｃｍ以上で５．０Ｓ／
ｃｍ以下、最適には０．０５Ｓ／ｃｍ以上で１．０Ｓ／
ｃｍ以下とする。
【００３２】また、電解液中に含有される電解質の濃度
としては、２．０×１０-4ｍｏｌ／ｌ以上で５．０ｍｏ
ｌ／ｌ以下、好ましくは５．０×１０-4ｍｏｌ／ｌ以上
で２．０ｍｏｌ／ｌ以下とする。
としては、２．０×１０-4ｍｏｌ／ｌ以上で５．０ｍｏ
ｌ／ｌ以下、好ましくは５．０×１０-4ｍｏｌ／ｌ以上
で２．０ｍｏｌ／ｌ以下とする。
【００３３】また、電解液の温度は電解液が蒸発した
り、凝固したりしない温度に選ぶことが望ましい。例え
ば電解液が水溶液の場合には−１０℃以上で１００℃以
下、好ましくは０℃以上で９０℃以下とする。
り、凝固したりしない温度に選ぶことが望ましい。例え
ば電解液が水溶液の場合には−１０℃以上で１００℃以
下、好ましくは０℃以上で９０℃以下とする。
【００３４】電解液の温度は使用する溶媒の種類、電解
液と上部電極との電気化学反応の温度依存性に応じて適
宜定めればよい。［光電変換装置］光電変換装置は光透
過性材料で構成された透明電極（上部電極）と背面電極
との間に入射した光を吸収して光起電力を発生する半導
体層を有する構造を採っている。
液と上部電極との電気化学反応の温度依存性に応じて適
宜定めればよい。［光電変換装置］光電変換装置は光透
過性材料で構成された透明電極（上部電極）と背面電極
との間に入射した光を吸収して光起電力を発生する半導
体層を有する構造を採っている。
【００３５】前記透明電極は光電変換装置の光入射側に
配された光透過性の導電材料で構成されている。
配された光透過性の導電材料で構成されている。
【００３６】透明電極の材料としては、例えばＩｎ2 Ｏ
3 、ＳｎＯ2 、Ｉｎ2 Ｏ3 −ＳｎＯ 2 、ＺｎＯ、ＴｉＯ
2 及びＣｄ2 ＳｎＯ4 等が挙げられる。
3 、ＳｎＯ2 、Ｉｎ2 Ｏ3 −ＳｎＯ 2 、ＺｎＯ、ＴｉＯ
2 及びＣｄ2 ＳｎＯ4 等が挙げられる。
【００３７】半導体層は光を吸収して光起電力を発生す
る構造を有していればどのような構造であってもよく、
例えばショットキー接合型、ｐｎ接合型、ｐｉｎ接合型
等のいずれでもよく、更にこれらの多重積層されたいわ
ゆるタンデム型、トリプル型等のスタック構造であって
もよい。
る構造を有していればどのような構造であってもよく、
例えばショットキー接合型、ｐｎ接合型、ｐｉｎ接合型
等のいずれでもよく、更にこれらの多重積層されたいわ
ゆるタンデム型、トリプル型等のスタック構造であって
もよい。
【００３８】また、半導体材料としては水素、ゲルマニ
ウム、炭素、窒素、酸素等を含むシリコン系半導体、Ｓ
ｅ又はＴｅ等を主成分とするカルコゲン元素半導体、Ｃ
ｕＩｎＳｅ2 、ＣｄＳ、ＧａＡｓ又はＩｎＰ等の化合物
半導体等が使用される。これ等は非晶質、多結晶質又は
単結晶質のいずれであってもよい。
ウム、炭素、窒素、酸素等を含むシリコン系半導体、Ｓ
ｅ又はＴｅ等を主成分とするカルコゲン元素半導体、Ｃ
ｕＩｎＳｅ2 、ＣｄＳ、ＧａＡｓ又はＩｎＰ等の化合物
半導体等が使用される。これ等は非晶質、多結晶質又は
単結晶質のいずれであってもよい。
【００３９】背面電極としては金属等からなる導電性基
体や表面に導電性材料の層を設ける等の表面導電処理を
施した有機材料や無機材料が挙げられる。
体や表面に導電性材料の層を設ける等の表面導電処理を
施した有機材料や無機材料が挙げられる。
【００４０】具体的な例としては、耐食鋼（ステンレス
スチール）、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｍｏ、Ｗ、Ａｇ
及びＮｉ等の金属材料の基体、プラスチック等の高分子
材料やガラス等の表面に前記金属材料等の薄層を形成し
た基体等が挙げられる。［対向電極］対向電極は光電変
換装置の短絡箇所にて電気化学反応を起こす為の電位を
与えるアノードとして機能する。対向電極の材料として
は化学的に不活性な材料が挙げられ、例えば金、白金、
チタン等が好適に使用される。また、電解液の種類に応
じて他の電極材料も対向電極として使用し得る。
スチール）、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｍｏ、Ｗ、Ａｇ
及びＮｉ等の金属材料の基体、プラスチック等の高分子
材料やガラス等の表面に前記金属材料等の薄層を形成し
た基体等が挙げられる。［対向電極］対向電極は光電変
換装置の短絡箇所にて電気化学反応を起こす為の電位を
与えるアノードとして機能する。対向電極の材料として
は化学的に不活性な材料が挙げられ、例えば金、白金、
チタン等が好適に使用される。また、電解液の種類に応
じて他の電極材料も対向電極として使用し得る。
【００４１】例えば、電解液が硫酸水溶液であれば対向
電極材料として鉛−銀合金又は鉛−アンチモン−銀合金
が好適に使用し得る。また、電解液が硫酸根イオン、強
酸イオン又は強アルカリイオンの何れも含まない場合に
は、対向電極材料として黒鉛が好適に使用し得る。他
方、電解液が酸又は塩素イオンの何れをも含まない場合
には対向電極材料としてニッケルが好適に使用し得る。
電極材料として鉛−銀合金又は鉛−アンチモン−銀合金
が好適に使用し得る。また、電解液が硫酸根イオン、強
酸イオン又は強アルカリイオンの何れも含まない場合に
は、対向電極材料として黒鉛が好適に使用し得る。他
方、電解液が酸又は塩素イオンの何れをも含まない場合
には対向電極材料としてニッケルが好適に使用し得る。
【００４２】以下、光電変換装置の短絡箇所の除去方法
の実施態様例につき説明する。
の実施態様例につき説明する。
【００４３】短絡箇所を有する光電変換装置の模式的な
構成を図１に示す。図１に図示する光電変換装置は下部
電極を兼ねた導電性基体、光起電力を発生する半導体層
１０１、透明導電性酸化物層（上部電極）１０２及び電
流短絡部を有している。
構成を図１に示す。図１に図示する光電変換装置は下部
電極を兼ねた導電性基体、光起電力を発生する半導体層
１０１、透明導電性酸化物層（上部電極）１０２及び電
流短絡部を有している。
【００４４】前記電流短絡部１０３を除去するための電
気化学反応処理を施すための電解還元装置の模式図を図
２に示す。図２に図示する電解還元装置は、導電性基体
２００、半導体層２０１及び透明電極２０２を有する光
電変換装置（被処理体）と該基体２００を被覆する絶縁
被覆層２０３、アノード２０４、電解液２０５、電源２
０６及び電解層２０７を有している。
気化学反応処理を施すための電解還元装置の模式図を図
２に示す。図２に図示する電解還元装置は、導電性基体
２００、半導体層２０１及び透明電極２０２を有する光
電変換装置（被処理体）と該基体２００を被覆する絶縁
被覆層２０３、アノード２０４、電解液２０５、電源２
０６及び電解層２０７を有している。
【００４５】図２に示す装置においては、カソードとな
る光電変換装置の導電性基体２００側から電流が流れ、
光電変換装置の短絡箇所で電気化学反応が効率よく起こ
らなくなるのを防ぐために導電性基体２００表面に例え
ばアセチルセルロース、ゴム磁石、絶縁塗料等の絶縁性
材料で絶縁被覆層２０２を形成した例を示している。短
絡部を除去する方法としては、まず対向電極２０４と光
電変換装置とを電解液２０５に浸漬し、対向電極２０４
をアノードとし、光電変換装置の導電性基板２００をカ
ソードとして、両者の間に電圧を印加して前記短絡部に
て優先的に電解反応を行なわせることからなる。電源２
０６からアノード２０４とカソード２００との間に電圧
が印加され、電子が電源からカソード２００へ流れ、短
絡部で優先的に電流が流れることに起因する電解反応が
該短絡部で生じて、電解液と接する短絡部の透明導電性
材料が水素イオンにより還元される。その結果、金属イ
オンとして短絡部の透明導電性材料は電解液中に溶出す
る。即ち、短絡部の透明導電性材料が除去されることに
なる。
る光電変換装置の導電性基体２００側から電流が流れ、
光電変換装置の短絡箇所で電気化学反応が効率よく起こ
らなくなるのを防ぐために導電性基体２００表面に例え
ばアセチルセルロース、ゴム磁石、絶縁塗料等の絶縁性
材料で絶縁被覆層２０２を形成した例を示している。短
絡部を除去する方法としては、まず対向電極２０４と光
電変換装置とを電解液２０５に浸漬し、対向電極２０４
をアノードとし、光電変換装置の導電性基板２００をカ
ソードとして、両者の間に電圧を印加して前記短絡部に
て優先的に電解反応を行なわせることからなる。電源２
０６からアノード２０４とカソード２００との間に電圧
が印加され、電子が電源からカソード２００へ流れ、短
絡部で優先的に電流が流れることに起因する電解反応が
該短絡部で生じて、電解液と接する短絡部の透明導電性
材料が水素イオンにより還元される。その結果、金属イ
オンとして短絡部の透明導電性材料は電解液中に溶出す
る。即ち、短絡部の透明導電性材料が除去されることに
なる。
【００４６】透明導電性材料として例えば三酸化インジ
ウム−酸化第二錫を使用した場合に、カソード側では以
下の反応が起きていると考えられる。
ウム−酸化第二錫を使用した場合に、カソード側では以
下の反応が起きていると考えられる。
【００４７】 Ｉｎ2 Ｏ3 ＋８Ｈ+ ＋２ｅ- → ２Ｉｎ3+＋３Ｈ2 Ｏ＋Ｈ2 ＳｎＯ2 ＋４Ｈ+ ＋２ｅ- → Ｓｎ2+＋２Ｈ2 Ｏ 本発明の電解還元による短絡部に存在する透明導電性酸
化物の除去は集電用のグリッド電極の形成工程の前に行
なうのがより効果的である。
化物の除去は集電用のグリッド電極の形成工程の前に行
なうのがより効果的である。
【００４８】また、図２に図示する電解還元装置におい
ては、被処理体である光電変換装置を電解液中に浸漬す
るタイプであったが、図３に示す装置のように光電変換
装置全体を浸漬しないタイプであってもよい。
ては、被処理体である光電変換装置を電解液中に浸漬す
るタイプであったが、図３に示す装置のように光電変換
装置全体を浸漬しないタイプであってもよい。
【００４９】図３に示す電解還元装置は電解液をしみ込
ませた電解液保持部材３０５に透明電極（上部電極）３
０１と半導体層３０２と背面電極３０３とを有する光電
変換装置３００の上部電極３０１側を接触させ、電源３
０６から光電変換装置３００と対向電極３０４との間に
短絡箇所の除去の為の電圧を印加するものである。
ませた電解液保持部材３０５に透明電極（上部電極）３
０１と半導体層３０２と背面電極３０３とを有する光電
変換装置３００の上部電極３０１側を接触させ、電源３
０６から光電変換装置３００と対向電極３０４との間に
短絡箇所の除去の為の電圧を印加するものである。
【００５０】電解液保持部材３０５としては、電解液と
反応せず電解液を保持できる材料であればよく、例えば
スポンジ等の多孔質体、ポリエステルファイバー、ナイ
ロンファイバー、セルロースファイバー等の有機高分子
材料、セラミックウィスカー、アスベスト等の無機材料
等が使用し得る。
反応せず電解液を保持できる材料であればよく、例えば
スポンジ等の多孔質体、ポリエステルファイバー、ナイ
ロンファイバー、セルロースファイバー等の有機高分子
材料、セラミックウィスカー、アスベスト等の無機材料
等が使用し得る。
【００５１】また、図３に示す電解還元装置のように、
電解液を電解液保持部材３０５に供給するための電解液
供給手段３０７を設けてもよい。また電解液を電解液保
持手段３０５から排出するための排出手段３０８を設け
てもよい。尚、前記電解液供給手段３０７及び排出手段
には必要に応じてポンプ等の加圧及び減圧する手段を設
けてもよい。
電解液を電解液保持部材３０５に供給するための電解液
供給手段３０７を設けてもよい。また電解液を電解液保
持手段３０５から排出するための排出手段３０８を設け
てもよい。尚、前記電解液供給手段３０７及び排出手段
には必要に応じてポンプ等の加圧及び減圧する手段を設
けてもよい。
【００５２】図３に示す装置を用いた場合には、背面電
極３０３を覆う被覆層を設けることなく短絡部を効率よ
く除去することができると共に、電解液量が少なく温度
制御が容易であり、電解液を流過して使用することによ
る電解液の汚れの問題が生じない。
極３０３を覆う被覆層を設けることなく短絡部を効率よ
く除去することができると共に、電解液量が少なく温度
制御が容易であり、電解液を流過して使用することによ
る電解液の汚れの問題が生じない。
【００５３】本発明の光電変換装置の短絡箇所の除去方
法を実施するためには電解液と接するアノードとしての
対向電極とカソードとしての光電変換装置間にＮｅｒｎ
ｓｔの式で定義される電極電位を用いて計算される水素
発生電位（電解液の電気分解により水素が発生し始める
電位）以上の電圧を印加するのが望ましい。
法を実施するためには電解液と接するアノードとしての
対向電極とカソードとしての光電変換装置間にＮｅｒｎ
ｓｔの式で定義される電極電位を用いて計算される水素
発生電位（電解液の電気分解により水素が発生し始める
電位）以上の電圧を印加するのが望ましい。
【００５４】電解液が水溶液である場合には２５℃、１
気圧の標準状態での水の理論分解電圧に相当する１．２
３Ｖ以上の電圧を印加するのが望ましい。しかしなが
ら、あまり高い電圧を印加した場合には短絡部の除去以
外の副反応が起きやすくなる。従って、本発明における
両電極間に印加する電圧としては好ましくは１．２３Ｖ
以上１０．０Ｖ以下とするのが望ましい。
気圧の標準状態での水の理論分解電圧に相当する１．２
３Ｖ以上の電圧を印加するのが望ましい。しかしなが
ら、あまり高い電圧を印加した場合には短絡部の除去以
外の副反応が起きやすくなる。従って、本発明における
両電極間に印加する電圧としては好ましくは１．２３Ｖ
以上１０．０Ｖ以下とするのが望ましい。
【００５５】また、前記理論分解電圧に電極の抵抗や液
抵抗等による電力損失や過電圧を考慮すると共に高電圧
時の電気化学反応の不均一性を考慮すると両電極間に印
加する電圧は一層好ましくは２．０Ｖ以上５．０Ｖ以下
とする。電解液中での水素発生電位は電気分解に使用す
るアノード及びカソードの電極材料及び電解液の種類に
より異なるから、前述の印加電圧の範囲で適正な電圧を
印加すればよい。
抵抗等による電力損失や過電圧を考慮すると共に高電圧
時の電気化学反応の不均一性を考慮すると両電極間に印
加する電圧は一層好ましくは２．０Ｖ以上５．０Ｖ以下
とする。電解液中での水素発生電位は電気分解に使用す
るアノード及びカソードの電極材料及び電解液の種類に
より異なるから、前述の印加電圧の範囲で適正な電圧を
印加すればよい。
【００５６】また、電圧の印加は電解還元処理中一定の
電圧印加でもよく、印加する電圧を変化させて副反応を
防いでもよい。不均一な電圧の印加としては例えばパル
ス状ノコギリ波状、カマボコ波状等の波形の電圧を印加
し得る。
電圧印加でもよく、印加する電圧を変化させて副反応を
防いでもよい。不均一な電圧の印加としては例えばパル
ス状ノコギリ波状、カマボコ波状等の波形の電圧を印加
し得る。
【００５７】電解還元処理中に被処理体である光電変換
装置に流れる電流密度は主反応である水素イオンによる
電気化学的還元反応が起こる最低の電流密度から副反応
が起きない電流密度の範囲とするのが望ましい。
装置に流れる電流密度は主反応である水素イオンによる
電気化学的還元反応が起こる最低の電流密度から副反応
が起きない電流密度の範囲とするのが望ましい。
【００５８】光電変換装置に流れる平均電流密度の範囲
は経験的には０．１ｍＡ／ｃｍ2 以上１Ａ／ｃｍ2 以
下、好ましくは１．０ｍＡ／ｃｍ2 以上１００ｍＡ／ｃ
ｍ2 以下とする。
は経験的には０．１ｍＡ／ｃｍ2 以上１Ａ／ｃｍ2 以
下、好ましくは１．０ｍＡ／ｃｍ2 以上１００ｍＡ／ｃ
ｍ2 以下とする。
【００５９】電解還元反応処理を施す時間としては、シ
ャント部や短絡部等の短絡箇所の透明電極材料が除去さ
れるに充分な時間であればよい。また、短絡箇所の透明
電極材料が除去された後にも電圧を印加して電流を流し
続けると、好ましくない副反応を起す可能性があるので
必要以上に処理時間を長くすることは好ましくない。経
験的には、電解還元反応処理を施す時間を０．５秒以上
３００秒以下、好ましくは１秒以上１２０秒以下に設定
する。
ャント部や短絡部等の短絡箇所の透明電極材料が除去さ
れるに充分な時間であればよい。また、短絡箇所の透明
電極材料が除去された後にも電圧を印加して電流を流し
続けると、好ましくない副反応を起す可能性があるので
必要以上に処理時間を長くすることは好ましくない。経
験的には、電解還元反応処理を施す時間を０．５秒以上
３００秒以下、好ましくは１秒以上１２０秒以下に設定
する。
【００６０】
【実施例】以下実施例に基づいて本発明を詳細に説明す
るが、本発明はこれ等の実施例のみに限定されるもので
はない。
るが、本発明はこれ等の実施例のみに限定されるもので
はない。
【００６１】実施例１図４（ａ）に示す構成で短絡箇所
を有する光電変換装置１２個に対して短絡箇所の除去処
理を施し、グリッド電極４０８を形成させて、図４
（ｂ）に示す光電変換装置を作成した。同じ条件で作成
した同数の図４（ａ）に示す構成の光電変換装置に短絡
箇所除去処理を施さないでグリッド電極を形成させ、図
４（ｂ）に示す光電変換装置を作成して、本発明の光電
変換装置の短絡箇所除去方法の効果と比較した。
を有する光電変換装置１２個に対して短絡箇所の除去処
理を施し、グリッド電極４０８を形成させて、図４
（ｂ）に示す光電変換装置を作成した。同じ条件で作成
した同数の図４（ａ）に示す構成の光電変換装置に短絡
箇所除去処理を施さないでグリッド電極を形成させ、図
４（ｂ）に示す光電変換装置を作成して、本発明の光電
変換装置の短絡箇所除去方法の効果と比較した。
【００６２】図４（ａ）及び図４（ｂ）に示す光電変換
装置は金属基板（５ｃｍ×５ｃｍステンレス基板）４０
０、背面電極（銀）４０１、銀拡散防止層（酸化亜鉛）
４０２、リンをドープしたｎ型アモルファスシリコン層
４０３、ノンドープ（ｉ型）アモルファスシリコン・ゲ
ルマニウム層４０４、ホウ素をドープしたｐ型アモルフ
ァスシリコン層４０５、ノンドープのアモルファスシリ
コン層４０６、酸化第二錫透明導電性酸化物層４０７、
Ｃｒ／Ａｇ／Ｃｒのグリッド電極４０８を有している。
装置は金属基板（５ｃｍ×５ｃｍステンレス基板）４０
０、背面電極（銀）４０１、銀拡散防止層（酸化亜鉛）
４０２、リンをドープしたｎ型アモルファスシリコン層
４０３、ノンドープ（ｉ型）アモルファスシリコン・ゲ
ルマニウム層４０４、ホウ素をドープしたｐ型アモルフ
ァスシリコン層４０５、ノンドープのアモルファスシリ
コン層４０６、酸化第二錫透明導電性酸化物層４０７、
Ｃｒ／Ａｇ／Ｃｒのグリッド電極４０８を有している。
【００６３】まず、図４（ａ）に示す光電変換装置に電
気接点を取った後、金属基板４００の表面をアセチルセ
ルロース膜２０３で被覆した。
気接点を取った後、金属基板４００の表面をアセチルセ
ルロース膜２０３で被覆した。
【００６４】続いて図２に示す電解還元装置を用いて光
電変換装置をカソードとして以下の条件で短絡箇所除去
処理（電解還元処理）を行なった。
電変換装置をカソードとして以下の条件で短絡箇所除去
処理（電解還元処理）を行なった。
【００６５】 電圧印加停止後に光電変換装置を水洗し、次にアルコ
ール洗浄した後に１００℃のドライエアで乾燥した。
ール洗浄した後に１００℃のドライエアで乾燥した。
【００６６】光電変換装置のＡＭ１．５、１００ｍＷ／
ｃｍ2 の光照射条件での電流−電圧（Ｉ−Ｖ）特性測定
結果として電解還元処理前（処理前の光電変換装置にグ
リッド電極を形成して測定）のデーターの代表値を図５
に、電解還元処理後のデーターの代表値を図６に示し
た。また、開放端電圧ＶOC、短絡電流ＩSC、フィルファ
クターＦＦ、光電変換効率、シャント抵抗ＲSh、シリー
ズ抵抗ＲS の測定結果の平均値を表１に示した。
ｃｍ2 の光照射条件での電流−電圧（Ｉ−Ｖ）特性測定
結果として電解還元処理前（処理前の光電変換装置にグ
リッド電極を形成して測定）のデーターの代表値を図５
に、電解還元処理後のデーターの代表値を図６に示し
た。また、開放端電圧ＶOC、短絡電流ＩSC、フィルファ
クターＦＦ、光電変換効率、シャント抵抗ＲSh、シリー
ズ抵抗ＲS の測定結果の平均値を表１に示した。
【００６７】
【表１】 なお、Ｉ−Ｖ特性の測定は図７に示す測定回路を用いて
行なった。図７に示す測定回路は光電変換装置７０１、
電圧計７０２、電流計７０３、直流電源７０４を有して
おり、該光電変換装置７０１に光７００を照射し得る構
成である。
行なった。図７に示す測定回路は光電変換装置７０１、
電圧計７０２、電流計７０３、直流電源７０４を有して
おり、該光電変換装置７０１に光７００を照射し得る構
成である。
【００６８】図５及び図６に示されたＩ−Ｖ特性及び表
１に示された各特性の測定値から明らかなように、電解
還元処理後にはＩ−Ｖ特性が向上し、それと共に光電変
換効率Ｅff、シャント抵抗ＲShが特に増加しており、電
流短絡部を除去した効果が明らかに認められた。
１に示された各特性の測定値から明らかなように、電解
還元処理後にはＩ−Ｖ特性が向上し、それと共に光電変
換効率Ｅff、シャント抵抗ＲShが特に増加しており、電
流短絡部を除去した効果が明らかに認められた。
【００６９】本実施例によれば、透明導電性材料の短絡
部で、電解還元反応を効率的に進めることができた。そ
の結果、光電変換装置に含まれる電流短絡部の除去に対
する従来の方法の問題点を解決することができたと共
に、短絡部に存在する透明導電性材料を溶解除去するこ
とができた。また多数の短絡箇所を含む大面積の光電変
換装置の確実な短絡部除去には特に有効であった。即
ち、処理の為の工程及び設備が簡単で済むことから、製
品の歩留まりを高めて生産コストを大幅に削減できた。
部で、電解還元反応を効率的に進めることができた。そ
の結果、光電変換装置に含まれる電流短絡部の除去に対
する従来の方法の問題点を解決することができたと共
に、短絡部に存在する透明導電性材料を溶解除去するこ
とができた。また多数の短絡箇所を含む大面積の光電変
換装置の確実な短絡部除去には特に有効であった。即
ち、処理の為の工程及び設備が簡単で済むことから、製
品の歩留まりを高めて生産コストを大幅に削減できた。
【００７０】実施例２図８（ａ）に示す構成で短絡箇所
のある光電変換装置に対して短絡箇所の除去を行ない、
グリッド電極５０８を設け、図８（ｂ）に示す光電変換
装置を形成した。
のある光電変換装置に対して短絡箇所の除去を行ない、
グリッド電極５０８を設け、図８（ｂ）に示す光電変換
装置を形成した。
【００７１】図８（ａ）及び図８（ｂ）に示す光電変換
装置は５ｃｍ×６ｃｍのステンレス製基板５００、Ａｇ
電極５０１、ＺｎＯ層５０２、リンをドープしたｎ型ア
モルファスシリコン層５０３、ノンドープアモルファス
シリコン・ゲルマニウム層５０４、ホウ素をドープした
ｐ+ 型アモルファスシリコン層５０５、ノンドープのア
モルファスシリコン層５０６、Ｉｎ2 Ｏ3 −ＳｎＯ2 透
明電極層５０７、Ｃｒ／Ａｇ／Ｃｒのグリッド電極５０
８を有するいわゆるトリプル型の光電変換装置である。
装置は５ｃｍ×６ｃｍのステンレス製基板５００、Ａｇ
電極５０１、ＺｎＯ層５０２、リンをドープしたｎ型ア
モルファスシリコン層５０３、ノンドープアモルファス
シリコン・ゲルマニウム層５０４、ホウ素をドープした
ｐ+ 型アモルファスシリコン層５０５、ノンドープのア
モルファスシリコン層５０６、Ｉｎ2 Ｏ3 −ＳｎＯ2 透
明電極層５０７、Ｃｒ／Ａｇ／Ｃｒのグリッド電極５０
８を有するいわゆるトリプル型の光電変換装置である。
【００７２】以下に示す電解還元処理条件とし、実施例
１と同様にして図２に示す電解還元処理装置を用いて電
解還元処理を図８（ａ）に示す光電変換装置に施した。 対向電極： 黒鉛（６ｃｍ×６ｃｍ） 電解液 ： 組成 ０．０５ｍｏｌ／ｌ ＭｇＣｌ2 水溶液 温度 ５０℃ 比導電率 ０．０１Ｓ／ｃｍ 印加電圧： ４．０Ｖ 電流密度： １０ｍＡ／ｃｍ2 通電時間： １分間 電圧印加停止後に実施例１と同様に光電変換装置を洗浄
及び乾燥後、光照射時のＩ−Ｖ特性を測定した。電解還
元処理前のＩ−Ｖ特性の測定データーの代表値を図９に
示す。また、電解還元処理後のＩ−Ｖ特性の測定データ
ーの代表値を図１０に示す。更に、光電変換装置の各特
性測定結果の平均値を表２に示した。
１と同様にして図２に示す電解還元処理装置を用いて電
解還元処理を図８（ａ）に示す光電変換装置に施した。 対向電極： 黒鉛（６ｃｍ×６ｃｍ） 電解液 ： 組成 ０．０５ｍｏｌ／ｌ ＭｇＣｌ2 水溶液 温度 ５０℃ 比導電率 ０．０１Ｓ／ｃｍ 印加電圧： ４．０Ｖ 電流密度： １０ｍＡ／ｃｍ2 通電時間： １分間 電圧印加停止後に実施例１と同様に光電変換装置を洗浄
及び乾燥後、光照射時のＩ−Ｖ特性を測定した。電解還
元処理前のＩ−Ｖ特性の測定データーの代表値を図９に
示す。また、電解還元処理後のＩ−Ｖ特性の測定データ
ーの代表値を図１０に示す。更に、光電変換装置の各特
性測定結果の平均値を表２に示した。
【００７３】
【表２】 図９、図１０及び表２から明らかな通り、処理後の光電
変換装置においては、Ｉ−Ｖ特性が向上し、シャント抵
抗ＲSh、光電変換効率Ｅff及びフィルファクターＦＦが
何れも増加したことが認められた。
変換装置においては、Ｉ−Ｖ特性が向上し、シャント抵
抗ＲSh、光電変換効率Ｅff及びフィルファクターＦＦが
何れも増加したことが認められた。
【００７４】比較例１標準電極電位が０以下であるが標
準電極電位の絶対値が水素過電圧よりも小さいＺｎＣｌ
2 を電解質として含む電解液を用いて以下の条件で実施
例１と同様の電流密度、電解液温度に設定して電解還元
処理を施した。
準電極電位の絶対値が水素過電圧よりも小さいＺｎＣｌ
2 を電解質として含む電解液を用いて以下の条件で実施
例１と同様の電流密度、電解液温度に設定して電解還元
処理を施した。
【００７５】対向電極： 白金板（５ｃｍ×５ｃ
ｍ）電解液：組成 １ｍｏｌ／ｌ ＺｎＣｌ2 水溶
液温度 ２５℃比導電率 ０．１Ｓ／ｃｍ印
加電圧： ３．０Ｖ電流密度： ５．０ｍ
Ａ／ｃｍ2 通電時間：３０ｓｅｃ処理を施す前と後との
シャント抵抗ＲSh及び光電変換効率Ｅffを測定したとこ
ろ、本比較例の処理を施した後の光電変換装置の特性は
表３に示すように明らかに低下していた。
ｍ）電解液：組成 １ｍｏｌ／ｌ ＺｎＣｌ2 水溶
液温度 ２５℃比導電率 ０．１Ｓ／ｃｍ印
加電圧： ３．０Ｖ電流密度： ５．０ｍ
Ａ／ｃｍ2 通電時間：３０ｓｅｃ処理を施す前と後との
シャント抵抗ＲSh及び光電変換効率Ｅffを測定したとこ
ろ、本比較例の処理を施した後の光電変換装置の特性は
表３に示すように明らかに低下していた。
【００７６】
【表３】 光学顕微鏡とＸ線マイクロアナリシス（ＸＭＡ）とで光
電変換装置の透明電極（上部電極）表面を観察した処、
金属亜鉛の粒が短絡部上に析出していることが判った。
電変換装置の透明電極（上部電極）表面を観察した処、
金属亜鉛の粒が短絡部上に析出していることが判った。
【００７７】実施例３図１１（ａ）に示す光電変換装置
に対して図２に示す電解還元装置を用いて電解還元処理
を施し、グリッド電極６０５を形成させて図１１（ｂ）
に示す光電変換装置を作成した。図１１（ａ）及び図１
１（ｂ）に示す光電変換装置はガラス基板（コーニング
社製 ＃７０５９）６００、Ｍｏ製背面電極６０１、Ｃ
ｕＩｎＳｅ2 層６０２、ＣｄＳ層６０３、ＺｎＯ層６０
４、Ｃｒ／Ａｇ／Ｃｒのグリッド電極６０５を有してい
る。
に対して図２に示す電解還元装置を用いて電解還元処理
を施し、グリッド電極６０５を形成させて図１１（ｂ）
に示す光電変換装置を作成した。図１１（ａ）及び図１
１（ｂ）に示す光電変換装置はガラス基板（コーニング
社製 ＃７０５９）６００、Ｍｏ製背面電極６０１、Ｃ
ｕＩｎＳｅ2 層６０２、ＣｄＳ層６０３、ＺｎＯ層６０
４、Ｃｒ／Ａｇ／Ｃｒのグリッド電極６０５を有してい
る。
【００７８】該光電変換装置の背面電極６０１に電気接
点を取り、アクリル樹脂で被覆した該光電変換装置に対
して以下の条件で電解還元処理を施した。
点を取り、アクリル樹脂で被覆した該光電変換装置に対
して以下の条件で電解還元処理を施した。
【００７９】 対向電極： 白金板（５ｃｍ×６ｃｍ） 電解液 ： 組成 ０．０２ｍｏｌ／ｌ Ａｌ2 （ＳＯ4 ）3 水溶液 温度 ２５℃ 比導電率 ０．０１Ｓ／ｃｍ 印加電圧： ２．５Ｖ（一定） 電流密度： ５ｍＡ／ｃｍ2 通電時間： ２分間電解還元処理終了後に実施例
１と同様に該光電変換装置を洗浄及び乾燥した。また、
電解還元処理前後のＡＭ１．５、１００ｍＷ／ｃｍ2 に
おける光照射時のＩ−Ｖ特性、シャント抵抗ＲSh及び光
電変換効率Ｅffを測定したところ、いずれの特性も本実
施例の電解還元処理により向上したことが確認できた。
電解還元処理前後のシャント抵抗ＲSh及び光電変換効率
Ｅffの測定データを表４に示す。
１と同様に該光電変換装置を洗浄及び乾燥した。また、
電解還元処理前後のＡＭ１．５、１００ｍＷ／ｃｍ2 に
おける光照射時のＩ−Ｖ特性、シャント抵抗ＲSh及び光
電変換効率Ｅffを測定したところ、いずれの特性も本実
施例の電解還元処理により向上したことが確認できた。
電解還元処理前後のシャント抵抗ＲSh及び光電変換効率
Ｅffの測定データを表４に示す。
【００８０】
【表４】 実施例４〜１８光電変換装置の透明電極（上部電極）材
料をＳｎＯ2 とし、以下に示す電解液及び処理条件を用
いた以外には実施例１と同様にして電解還元処理を行な
った。電解還元処理条件を以下に示す。 電解還元処理による短絡部除去の評価は処理前のシャン
ト抵抗ＲSh（Ａ）と処理後のシャント抵抗ＲSh（Ｂ）と
の比ＲSh（Ｂ）／ＲSh（Ａ）の値で行なった。各実施例
に用いた電解液（水溶液）中に含まれる電解質と前述の
評価の結果とをまとめて表５に示す。
料をＳｎＯ2 とし、以下に示す電解液及び処理条件を用
いた以外には実施例１と同様にして電解還元処理を行な
った。電解還元処理条件を以下に示す。 電解還元処理による短絡部除去の評価は処理前のシャン
ト抵抗ＲSh（Ａ）と処理後のシャント抵抗ＲSh（Ｂ）と
の比ＲSh（Ｂ）／ＲSh（Ａ）の値で行なった。各実施例
に用いた電解液（水溶液）中に含まれる電解質と前述の
評価の結果とをまとめて表５に示す。
【００８１】
【表５】 表５から明らかなように、各実施例においては光電変換
装置の短絡箇所が効率よく除去され、シャント抵抗の飛
躍的向上が認められる。
装置の短絡箇所が効率よく除去され、シャント抵抗の飛
躍的向上が認められる。
【００８２】実施例１９ 耐食鋼（ステンレス）フィルム基体（厚さ０．２ｍｍ×
幅０．３ｍ×長さ１０ｍ）上に実施例１と同様に図４
（ａ）に示す構成の光電変換装置のパターンを１００個
形成し、図１２に示す電解還元処理装置を用いて短絡箇
所を除去した。
幅０．３ｍ×長さ１０ｍ）上に実施例１と同様に図４
（ａ）に示す構成の光電変換装置のパターンを１００個
形成し、図１２に示す電解還元処理装置を用いて短絡箇
所を除去した。
【００８３】図１２に示す電解還元装置は、フレキシブ
ル耐食鋼フィルム上に形成された光電変換装置３００、
フレキシブルフィルム送りローラー兼ステンレスフィル
ム基板と導通するカソード電極３０１、アノード電極３
０２、電解液３０３、直流電源３０４、電解槽３０５、
洗浄液３０６、洗浄槽３０７、乾燥用赤外線ランプ３０
８、ロール状光電変換装置３０９及び巻き取り用ローラ
ー３１０を有している。
ル耐食鋼フィルム上に形成された光電変換装置３００、
フレキシブルフィルム送りローラー兼ステンレスフィル
ム基板と導通するカソード電極３０１、アノード電極３
０２、電解液３０３、直流電源３０４、電解槽３０５、
洗浄液３０６、洗浄槽３０７、乾燥用赤外線ランプ３０
８、ロール状光電変換装置３０９及び巻き取り用ローラ
ー３１０を有している。
【００８４】尚、本実施例においてはフレキシブルフィ
ルムであるステンレスフィルムを基体とし、透明電極材
料としてＳｎＯ2 を用いた光電変換装置を使用した。
ルムであるステンレスフィルムを基体とし、透明電極材
料としてＳｎＯ2 を用いた光電変換装置を使用した。
【００８５】電解還元処理条件は以下のとおりであっ
た。
た。
【００８６】 アノード（対向電極）： Ｐｂ−Ｓｂ−Ａｇ合金 電解液 ： 組成 ０．５ｍｏｌ／ｌ Ｈ2 ＳＯ4 水溶液 温度 ２５℃ 比導電率 ０．２Ｓ／ｃｍ 印加電圧 ： ３．５Ｖ 実施例１と同様にして光電変換装置のＩ−Ｖ特性を測定
した。また、電解還元処理前後の総数１００個の光電変
換装置のシャント抵抗ＲShを測定した。シャント抵抗
１．０×１０3 Ω・ｃｍ2 未満の光電変換装置の割合を
短絡率として短絡率を評価した。その結果、電解還元処
理によってＩ−Ｖ特性が格段に向上していることがわか
った。更に、処理前の前記短絡率５４％が処理後には０
％に激減した。
した。また、電解還元処理前後の総数１００個の光電変
換装置のシャント抵抗ＲShを測定した。シャント抵抗
１．０×１０3 Ω・ｃｍ2 未満の光電変換装置の割合を
短絡率として短絡率を評価した。その結果、電解還元処
理によってＩ−Ｖ特性が格段に向上していることがわか
った。更に、処理前の前記短絡率５４％が処理後には０
％に激減した。
【００８７】実施例２０ 実施例１と同様にして以下の様に実験を行なった。図４
（ａ）に示した構成で短絡箇所を有する光電変換装置１
０個に対して短絡箇所除去処理を施してグリッド電極を
形成させ、図４（ｂ）に示す光電変換装置を作成した。
同じ条件で作成した同数の図４（ａ）に示す構成の光電
変換装置に短絡箇所除去処理を施さないでグリッド電極
を形成させ、図４（ｂ）に示す光電変換装置を作成し
た。実施例１におけると同様にして本発明の光電変換装
置の短絡箇所除去方法の効果を無処理のそれと比較し
た。
（ａ）に示した構成で短絡箇所を有する光電変換装置１
０個に対して短絡箇所除去処理を施してグリッド電極を
形成させ、図４（ｂ）に示す光電変換装置を作成した。
同じ条件で作成した同数の図４（ａ）に示す構成の光電
変換装置に短絡箇所除去処理を施さないでグリッド電極
を形成させ、図４（ｂ）に示す光電変換装置を作成し
た。実施例１におけると同様にして本発明の光電変換装
置の短絡箇所除去方法の効果を無処理のそれと比較し
た。
【００８８】図４（ａ）及び図４（ｂ）に示す光電変換
装置は金属基板（５ｃｍ×５ｃｍステンレス基板）４０
０、背面電極（銀）４０１、銀拡散防止層（酸化亜鉛）
４０２、リンをドープしたｎ型アモルファスシリコン層
４０３、ノンドープ（ｉ型）アモルファスシリコン・ゲ
ルマニウム層４０４、ホウ素をドープしたｐ型アモルフ
ァスシリコン層４０５、ノンドープのアモルファスシリ
コン層４０６、酸化第二錫透明導電性酸化物層４０７、
Ｃｒ／Ａｇ／Ｃｒのグリッド電極４０８を有している。
装置は金属基板（５ｃｍ×５ｃｍステンレス基板）４０
０、背面電極（銀）４０１、銀拡散防止層（酸化亜鉛）
４０２、リンをドープしたｎ型アモルファスシリコン層
４０３、ノンドープ（ｉ型）アモルファスシリコン・ゲ
ルマニウム層４０４、ホウ素をドープしたｐ型アモルフ
ァスシリコン層４０５、ノンドープのアモルファスシリ
コン層４０６、酸化第二錫透明導電性酸化物層４０７、
Ｃｒ／Ａｇ／Ｃｒのグリッド電極４０８を有している。
【００８９】実施例１と同様にして光電変換装置の金属
基板面をアセチルセルロース膜で被覆し、図２に示した
電解槽を用い、電解液として比導電率０．５ｓ／ｃｍの
賞賛水溶液を用いると共に対極には白金板を用いた。導
電性基板４００をカソード、白金極をアノード、両極間
に直流電圧３．０Ｖを印加し、カソード電極当りの電流
密度を２０ｍＡ／ｃｍ2 として３０ｓｅｃ間電解反応を
行なった。次に電圧印加を停止し、光電変換装置を水洗
及びアルコール洗浄の後に１００℃乾燥した。電解還元
前後の光電変換装置［図４（ｂ）］に対してＡＭ１．
５、１００ｍＷ／ｃｍ2 の光照射時の電流−電圧（Ｉ−
Ｖ）特性測定並びに光電変換効率Ｅff、フィルファクタ
ーＦＦ、シャント抵抗Ｒsh及びシリーズ抵抗Ｒs の各特
性測定を実施例１と同様にして各光電変換装置について
行なった。短絡箇所除去の為の電解還元処理後には各特
性が向上して降り、電流短絡部を除去した効果が現われ
ていることが判った。更に、上部電極４０７の材料を酸
化インジウムとした光電変換装置に対して本発明の短絡
箇所除去方法を適用した処、前述の各特性の向上が確認
された。
基板面をアセチルセルロース膜で被覆し、図２に示した
電解槽を用い、電解液として比導電率０．５ｓ／ｃｍの
賞賛水溶液を用いると共に対極には白金板を用いた。導
電性基板４００をカソード、白金極をアノード、両極間
に直流電圧３．０Ｖを印加し、カソード電極当りの電流
密度を２０ｍＡ／ｃｍ2 として３０ｓｅｃ間電解反応を
行なった。次に電圧印加を停止し、光電変換装置を水洗
及びアルコール洗浄の後に１００℃乾燥した。電解還元
前後の光電変換装置［図４（ｂ）］に対してＡＭ１．
５、１００ｍＷ／ｃｍ2 の光照射時の電流−電圧（Ｉ−
Ｖ）特性測定並びに光電変換効率Ｅff、フィルファクタ
ーＦＦ、シャント抵抗Ｒsh及びシリーズ抵抗Ｒs の各特
性測定を実施例１と同様にして各光電変換装置について
行なった。短絡箇所除去の為の電解還元処理後には各特
性が向上して降り、電流短絡部を除去した効果が現われ
ていることが判った。更に、上部電極４０７の材料を酸
化インジウムとした光電変換装置に対して本発明の短絡
箇所除去方法を適用した処、前述の各特性の向上が確認
された。
【００９０】
【発明の効果】光電変換装置の短絡箇所を除去する本発
明の方法は多数の短絡した箇所を有する大面積の光電変
換装置の修復を短時間で効率的におよび経済的に行い得
る点で特に有用である。また、その工程及び設備も簡単
であることから、大面積の光電変換装置の生産コスト低
減に非常に有利である。
明の方法は多数の短絡した箇所を有する大面積の光電変
換装置の修復を短時間で効率的におよび経済的に行い得
る点で特に有用である。また、その工程及び設備も簡単
であることから、大面積の光電変換装置の生産コスト低
減に非常に有利である。
【図１】短絡箇所を有する光電変換装置の模式的断面図
である。
である。
【図２】短絡箇所の除去を行なうに好適な処理装置の模
式的構成図である。
式的構成図である。
【図３】短絡箇所の除去を行なうに好適な処理装置の模
式的構成図である。
式的構成図である。
【図４】光電変換装置の模式的構成図である。
【図５】光電変換装置の電流−電圧特性を示す図であ
る。
る。
【図６】光電変換装置の電流−電圧特性を示す図であ
る。
る。
【図７】電流−電圧特性を測定するための回路の説明図
である。
である。
【図８】光電変換装置の模式的構成図である。
【図９】光電変換装置の電流−電圧特性を示す図であ
る。
る。
【図１０】光電変換装置の電流−電圧特性を示す図であ
る。
る。
【図１１】光電変換装置の模式的構成図である。
【図１２】短絡箇所の除去を行なうに好適な処理装置の
模式的構成図である。
模式的構成図である。
１００ 導電体 １０１ 半導体層 １０２ 透明導電性酸化物層 １０３ 電流短絡部 ２００ 導電体 ２０１ 半導体層 ２０２ 透明導電性酸化物層 ２０３ 保護皮膜 ２０４ アノード極 ２０５ 電解液 ２０６ 直流電源 ２０７ 電解槽 ３００ 光電変換装置 ３０１ 送りローラー兼カソード極 ３０２ アノード極 ３０３ 電解液 ３０４ 直流電源 ３０５ 電解槽 ３０６ 洗浄液 ３０７ 洗浄槽 ３０８ 乾燥装置 ３０９ 光電変換装置 ３１０ 巻き取りローラー ４００ 導電体 ４０１ 導電体 ４０２ シャント防止層 ４０３ 半導体層 ４０４ 半導体層 ４０５ 半導体層 ４０６ 半導体層 ４０７ 透明導電性酸化物層 ４０８ グリッド電極 ５００ 導電体 ５０１ 導電体 ５０２ シャント防止層 ５０３ 半導体層 ５０４ 半導体層 ５０５ 半導体層 ５０６ 半導体層 ５０７ 透明導電性酸化物層 ５０８ グリッド電極 ６０１ 導電体 ６０２ 半導体層 ６０３ 半導体層 ６０４ 透明導電性酸化物層 ６０５ グリッド電極 ７００ 光 ７０１ 光電変換装置 ７０２ 電圧計 ７０３ 電流計 ７０４ 直流電源
Claims (17)
- 【請求項１】 下部電極と上部電極との間に光起電力を
発生する為の半導体層を有する光電変換装置の短絡箇所
の除去方法において、前記下部電極と対向電極との間に
水素イオン及びヒドロニウムイオンから選ばれる１以上
を含有する電解質の濃度が２×１０ -4 ｍｏｌ／ｌ以上で
５．０ｍｏｌ／ｌ以下で、且つ比導電率が０．００１Ｓ
／ｃｍ以上で１０Ｓ／ｃｍ以下の電解液を介して、２．
０Ｖ以上５．０Ｖ以下の電圧を印加することを特徴とす
る光電変換装置の短絡箇所の除去方法。 - 【請求項２】 前記対向電極をアノードとして電圧を印
加する請求項１に記載の光電変換装置の短絡箇所の除去
方法。 - 【請求項３】 前記電解液が無機酸、有機酸、無機塩
基、有機塩基及び金属塩であってその標準電極電位が０
以下且つその標準電極電位の絶対値が水素過電圧よりも
大きな金属の塩で構成される群から選択される少なくと
も１つの電解質を含有する請求項１又は２に記載の光電
変換装置の短絡箇所の除去方法。 - 【請求項４】 前記比導電率が０．００５Ｓ／ｃｍ以上
で５．０Ｓ／ｃｍ以下である請求項１記載の光電変換装
置の短絡箇所の除去方法。 - 【請求項５】 前記電解質の濃度が５．０×１０ -4 ｍｏ
ｌ／ｌ以上で２．０ｍｏｌ／ｌ以下である請求項１記載
の光電変換装置の短絡箇所の除去方法。 - 【請求項６】 前記電圧の印加により、前記光電変換装
置に流れる平均電流密度が０．１ｍＡ／ｃｍ2 以上で１
Ａ／ｃｍ2 以下である請求項１記載の光電変換装置の短
絡箇所の除去方法。 - 【請求項７】 前記電圧の印加により、前記光電変換装
置に流れる平均電流密度が１．０ｍＡ／ｃｍ 2 以上１０
０ｍＡ／ｃｍ 2 以下である請求項１記載の光電変換装置
の短絡箇所の除去方法。 - 【請求項８】 下部電極と上部電極との間に光起電力を
発生する為の半導体層とを有する光電変換装置の短絡箇
所の除去方法において、フレキシブル基体上に設けられ
た前記光電変換装置と対向電極との間に水素イオン及び
ヒドロニウムイオンから選ばれる１以上のイオンを含有
する電解質の濃度が２×１０ -4 ｍｏｌ／ｌ以上で５．０
ｍｏｌ／ｌ以下で、且つ比導電率が０．００１Ｓ／ｃ
ｍ以上 で１０Ｓ／ｃｍ以下の電解液を介して２．０Ｖ以
上５．０Ｖ以下の電圧を印加し、前記フレキシブル基体
上に設けられた前記光電変換装置を搬送することを特徴
とする光電変換装置の短絡箇所の除去方法。 - 【請求項９】 前記対向電極をアノードとして電圧を印
加する請求項８に記載の光電変換装置の短絡箇所の除去
方法。 - 【請求項１０】 前記電解液が無機酸、有機酸、無機塩
基、有機塩基及び金属塩であってその標準電極電位が０
以下且つその標準電極電位の絶対値が水素過電圧よりも
大きな金属の塩で構成される群から選択される少なくと
も１つの電解質を含有する請求項８又は９に記載の光電
変換装置の短絡箇所の除去方法。 - 【請求項１１】 前記比導電率が０．００５Ｓ／ｃｍ以
上で５．０Ｓ／ｃｍ以下である請求項８記載の光電変換
装置の短絡箇所の除去方法。 - 【請求項１２】 前記電解質の濃度が５．０×１０ -4 ｍ
ｏｌ／ｌ以上で２．０ｍｏｌ／ｌ以下である請求項８記
載の光電変換装置の短絡箇所の除去方法。 - 【請求項１３】 前記電圧の印加により、前記光電変換
装置に流れる平均電流密度が０．１ｍＡ／ｃｍ2 以上で
１Ａ／ｃｍ2 以下である請求項８記載の光電変換装置の
短絡箇所の除去方法。 - 【請求項１４】 前記電圧の印加により、前記光電変換
装置に流れる平均電流密度が１．０ｍＡ／ｃｍ 2 以上１
００ｍＡ／ｃｍ 2 以下である請求項８記載の光電変換装
置の短絡箇所の除去方法。 - 【請求項１５】 第１の巻き取りローラーにロール状に
収納された前記フレキシブル基体上に設けられた前記光
電変換装置が、第２の巻き取りローラーにロール状に巻
き取るように搬送される請求項８に記載の光電変換装置
の短絡箇所の除去方法。 - 【請求項１６】 前記電解液中に、前記光電変換装置を
浸漬した状態で前記電圧を印加する請求項１又は８記載
の光電変換装置の短絡箇所の除去方法。 - 【請求項１７】 前記電解液をしみ込ませた電解液保持
部材に前記上部電極を接触させた状態で前記電圧を印加
する請求項１又は８記載の光電変換装置の短絡箇所の除
去方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3103577A JP2921802B2 (ja) | 1990-05-07 | 1991-04-10 | 光電変換装置の短絡箇所の除去方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2-115822 | 1990-05-07 | ||
| JP11582290 | 1990-05-07 | ||
| JP3103577A JP2921802B2 (ja) | 1990-05-07 | 1991-04-10 | 光電変換装置の短絡箇所の除去方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04226085A JPH04226085A (ja) | 1992-08-14 |
| JP2921802B2 true JP2921802B2 (ja) | 1999-07-19 |
Family
ID=26444201
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3103577A Expired - Lifetime JP2921802B2 (ja) | 1990-05-07 | 1991-04-10 | 光電変換装置の短絡箇所の除去方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2921802B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6902948B2 (en) | 2003-02-06 | 2005-06-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of producing photovoltaic element |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112002772B (zh) * | 2020-08-28 | 2022-03-08 | 晶科能源股份有限公司 | 太阳能电池栅线结构和光伏组件 |
-
1991
- 1991-04-10 JP JP3103577A patent/JP2921802B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6902948B2 (en) | 2003-02-06 | 2005-06-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of producing photovoltaic element |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04226085A (ja) | 1992-08-14 |
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