JP2901129B2 - サンドブラストレジストインキ - Google Patents
サンドブラストレジストインキInfo
- Publication number
- JP2901129B2 JP2901129B2 JP6900894A JP6900894A JP2901129B2 JP 2901129 B2 JP2901129 B2 JP 2901129B2 JP 6900894 A JP6900894 A JP 6900894A JP 6900894 A JP6900894 A JP 6900894A JP 2901129 B2 JP2901129 B2 JP 2901129B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- water
- resist ink
- sandblast
- resist
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24C—ABRASIVE OR RELATED BLASTING WITH PARTICULATE MATERIAL
- B24C1/00—Methods for use of abrasive blasting for producing particular effects; Use of auxiliary equipment in connection with such methods
- B24C1/04—Methods for use of abrasive blasting for producing particular effects; Use of auxiliary equipment in connection with such methods for treating only selected parts of a surface, e.g. for carving stone or glass
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
- H05K3/04—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed mechanically, e.g. by punching
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、サンドブラストレジス
トインキに関する。本発明のサンドブラストレジストイ
ンキによると、ガラス、石材、陶磁器、金属、プラスチ
ックス、木質材などの加工材料の表面により写真画、模
様、文字などの画像を彫刻現出させるサンドブラスト加
工において、レジストマスクの形成工程及びレジストマ
スクの剥離工程などのすべての加工工程で有機溶剤を必
要としないでレジストマスクが形成できる。
トインキに関する。本発明のサンドブラストレジストイ
ンキによると、ガラス、石材、陶磁器、金属、プラスチ
ックス、木質材などの加工材料の表面により写真画、模
様、文字などの画像を彫刻現出させるサンドブラスト加
工において、レジストマスクの形成工程及びレジストマ
スクの剥離工程などのすべての加工工程で有機溶剤を必
要としないでレジストマスクが形成できる。
【０００２】
【従来の技術】機械的あるいは科学的な表面加工によっ
てガラス、石材、陶磁器、金属、プラスチックス、水質
材などの表面に写真画、模様、文字などの画像を彫刻現
出させたものは表示板、装飾用品、芸術作品などの各種
分野で利用されている。
てガラス、石材、陶磁器、金属、プラスチックス、水質
材などの表面に写真画、模様、文字などの画像を彫刻現
出させたものは表示板、装飾用品、芸術作品などの各種
分野で利用されている。
【０００３】これらの材料の表面に画像を彫刻現出させ
る表面加工で従来行なわれている方法はレジストマスク
を使用しない方法と使用する方法に大別される。前者の
レジストマスクを使用しない方法は刃物による手彫り、
切削機による機械彫りする方法である。また、後者のレ
ジストマスクを使用する方法は被加工表面上にレジスト
マスクを形成した後、酸化アルミニウムのような金属粉
を空気の圧力で吹き付けでレジストマスクのない部分の
被加工材料表面を研磨、彫刻して画像を現出させる方法
である。この方法はプラスト装置を必要とするが処理方
法は簡便であり、比較的短時間で画像の彫刻が得られる
利点があるため近年盛んに行なわれている。
る表面加工で従来行なわれている方法はレジストマスク
を使用しない方法と使用する方法に大別される。前者の
レジストマスクを使用しない方法は刃物による手彫り、
切削機による機械彫りする方法である。また、後者のレ
ジストマスクを使用する方法は被加工表面上にレジスト
マスクを形成した後、酸化アルミニウムのような金属粉
を空気の圧力で吹き付けでレジストマスクのない部分の
被加工材料表面を研磨、彫刻して画像を現出させる方法
である。この方法はプラスト装置を必要とするが処理方
法は簡便であり、比較的短時間で画像の彫刻が得られる
利点があるため近年盛んに行なわれている。
【０００４】後者の方法におけるサンドブラストのため
のレジストマスクを形成する方法は従来からスクリーン
印刷法が主に行なわれている。スクリーン印刷法は被加
工表面に直接、サンドブラストレジストインキを用いて
スクリーン印刷して目的の画像レジストマスクを形成す
る方法や離型性のある基材上にスクリーン印刷したもの
をマスクと称して被加工表面に転写して画像レジストマ
スクを形成する方法である。このスクリーン印刷法は同
一画像のものを多量に加工する場合には能率的で経済的
である。
のレジストマスクを形成する方法は従来からスクリーン
印刷法が主に行なわれている。スクリーン印刷法は被加
工表面に直接、サンドブラストレジストインキを用いて
スクリーン印刷して目的の画像レジストマスクを形成す
る方法や離型性のある基材上にスクリーン印刷したもの
をマスクと称して被加工表面に転写して画像レジストマ
スクを形成する方法である。このスクリーン印刷法は同
一画像のものを多量に加工する場合には能率的で経済的
である。
【０００５】従来のサンドブラストレジストマスク作製
のためのスクリーン印刷用レジストインキの主成分は、
ポリ塩化ビニル樹脂をトルエン、酢酸ブチル、ブチルセ
ロソルブなどの有機溶剤に溶解したものであり、このレ
ジストインキは印刷した後、室温で乾燥するだけでは膜
強度が不十分なため、高温で熱処理する工程が必要であ
る。
のためのスクリーン印刷用レジストインキの主成分は、
ポリ塩化ビニル樹脂をトルエン、酢酸ブチル、ブチルセ
ロソルブなどの有機溶剤に溶解したものであり、このレ
ジストインキは印刷した後、室温で乾燥するだけでは膜
強度が不十分なため、高温で熱処理する工程が必要であ
る。
【０００６】また、さらに接着強度や膜強度を改良する
ために硬化剤を使用する反応型インクにしたり、感光性
インクで印刷して活性光線で架橋させる光架橋性インク
なども利用されている。
ために硬化剤を使用する反応型インクにしたり、感光性
インクで印刷して活性光線で架橋させる光架橋性インク
なども利用されている。
【０００７】しかしながら、いずれのタイプのスクリー
ン印刷用レジストインクもトルエン、アセトン、酢酸ブ
チルなどの有機溶剤などに溶解したものであり、スクリ
ーン印刷版や使用器具の洗浄は専用の有機溶剤で処理し
なければならない。さらにはプラスト加工した後、被加
工材料表面からレジストマスクを取り除く時にもレジス
トマスクが強固に接着しているため簡単に剥がすことが
できず、有機溶剤を使用しなければならない。
ン印刷用レジストインクもトルエン、アセトン、酢酸ブ
チルなどの有機溶剤などに溶解したものであり、スクリ
ーン印刷版や使用器具の洗浄は専用の有機溶剤で処理し
なければならない。さらにはプラスト加工した後、被加
工材料表面からレジストマスクを取り除く時にもレジス
トマスクが強固に接着しているため簡単に剥がすことが
できず、有機溶剤を使用しなければならない。
【０００８】したがって、経済的にも不利であるばかり
でなく、作業環境の問題も抱えている。このような問題
点を解決するためにアルカリ水溶液可溶タイプのものも
提唱されているが、硬化させた後はアルカリ水溶液に不
溶化してしまうため、レジストマスクを除去するために
はどうしても有機溶剤を使用する必要があり、満足でき
るものではなかった。
でなく、作業環境の問題も抱えている。このような問題
点を解決するためにアルカリ水溶液可溶タイプのものも
提唱されているが、硬化させた後はアルカリ水溶液に不
溶化してしまうため、レジストマスクを除去するために
はどうしても有機溶剤を使用する必要があり、満足でき
るものではなかった。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明はこのような状
況に鑑みなされたもので、ガラス、金属、プラスチック
スなどの適宜の被加工材料の表面にサンドブラストを施
す際に用いられるレデストマスクにおいて、被加工材料
との接着性が十分あり、サンドブラスト加工に耐える十
分な強度を有し、レジストマスクの形成から加工後のレ
ジストマスクの除去に至るまでのすべての加工工程で、
有機溶剤を使用する必要のないサンドブラストレジスト
マスク用水性インキ、特にスクリーン印刷に適するサン
ドブラストレジストインキを提供することにある。
況に鑑みなされたもので、ガラス、金属、プラスチック
スなどの適宜の被加工材料の表面にサンドブラストを施
す際に用いられるレデストマスクにおいて、被加工材料
との接着性が十分あり、サンドブラスト加工に耐える十
分な強度を有し、レジストマスクの形成から加工後のレ
ジストマスクの除去に至るまでのすべての加工工程で、
有機溶剤を使用する必要のないサンドブラストレジスト
マスク用水性インキ、特にスクリーン印刷に適するサン
ドブラストレジストインキを提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、従来の溶
剤使用のサンドブラスト加工におけるレジストマスク用
インキの欠点を解決すべく鋭意検討を重ね本発明をなす
に至った。本発明ではサンドブラストレジストマスクを
作製するための水性組成物において、（Ａ）ポリ酢酸ビ
ニル系樹脂、エチレン・酢酸ビニル系共重合体、及びポ
リウレタン系重合体よりなる群から選ばれた少なくとも
１種の重合体の水分散体と、（Ｂ）アルギン酸ナトリウ
ム、ナトリウムカルボキシメチルセルロース、メチルセ
ルロース、及びポリエチレンオキシドよりなる群から選
ばれる少なくとも１種の水溶性高分子、とよりなる水性
組成物に関する。さらに、（Ａ）の重合体の最低造膜温
度は１０℃以下であり、この重合体の水分散体を主成分
として、これに（Ｂ）の水溶性高分子を混合した水性組
成物が好ましい。そして、得られた水性組成物の乾燥被
膜の２０℃水における膨潤度が０．１〜１．５の範囲で
あるものがよい。また、本発明はこのような水性組成物
にインキ成分を加えたスクリーン印刷に適するサンドブ
ラストレジストインキを提供するものである。
剤使用のサンドブラスト加工におけるレジストマスク用
インキの欠点を解決すべく鋭意検討を重ね本発明をなす
に至った。本発明ではサンドブラストレジストマスクを
作製するための水性組成物において、（Ａ）ポリ酢酸ビ
ニル系樹脂、エチレン・酢酸ビニル系共重合体、及びポ
リウレタン系重合体よりなる群から選ばれた少なくとも
１種の重合体の水分散体と、（Ｂ）アルギン酸ナトリウ
ム、ナトリウムカルボキシメチルセルロース、メチルセ
ルロース、及びポリエチレンオキシドよりなる群から選
ばれる少なくとも１種の水溶性高分子、とよりなる水性
組成物に関する。さらに、（Ａ）の重合体の最低造膜温
度は１０℃以下であり、この重合体の水分散体を主成分
として、これに（Ｂ）の水溶性高分子を混合した水性組
成物が好ましい。そして、得られた水性組成物の乾燥被
膜の２０℃水における膨潤度が０．１〜１．５の範囲で
あるものがよい。また、本発明はこのような水性組成物
にインキ成分を加えたスクリーン印刷に適するサンドブ
ラストレジストインキを提供するものである。
【００１１】ここで最低造膜温度は『ＪＩＳ Ｋ−６８
２８の酢酸ビニル樹脂エマルジョン試験方法』に記載さ
れている４．９項の造膜性温度測定方法により測定する
ことができる。
２８の酢酸ビニル樹脂エマルジョン試験方法』に記載さ
れている４．９項の造膜性温度測定方法により測定する
ことができる。
【００１２】また本発明で用いる（Ａ）の水分散性重合
体の最低造膜温度は次のように調整する。例えばポリ酢
酸ビニル系重合体であれば、ポリビニルアルコール（Ｐ
ＶＡ）系樹脂のような保護コロイドを使用して乳化重合
したり、界面活性剤を使用して乳化重合した後で、ジブ
チルフタレート、ジオクチルフタレート、ジメチルグリ
コールセバケート、ジメチルグリコールフタレートなど
の可塑剤を添加することにより最低造膜温度を調整する
ことができる。
体の最低造膜温度は次のように調整する。例えばポリ酢
酸ビニル系重合体であれば、ポリビニルアルコール（Ｐ
ＶＡ）系樹脂のような保護コロイドを使用して乳化重合
したり、界面活性剤を使用して乳化重合した後で、ジブ
チルフタレート、ジオクチルフタレート、ジメチルグリ
コールセバケート、ジメチルグリコールフタレートなど
の可塑剤を添加することにより最低造膜温度を調整する
ことができる。
【００１３】このようなポリ酢酸ビニル系重合体とし
て、ヘキスト合成社製のモビニール１１６、モビニール
３０３、モビニール５００など、昭和高分子社製の「ポ
リゾールＳ−５Ｓ、ポリゾールＮＳ−２１５０、ポリゾ
ールＬＸ−１０５」など、東亜ペイント社製の「トアボ
ンド＃１００５、トアボンド＃６０００、トアボンドＸ
Ｂ−６Ｓ、トアボンドＸＢ−２１３１」などが挙げられ
る。
て、ヘキスト合成社製のモビニール１１６、モビニール
３０３、モビニール５００など、昭和高分子社製の「ポ
リゾールＳ−５Ｓ、ポリゾールＮＳ−２１５０、ポリゾ
ールＬＸ−１０５」など、東亜ペイント社製の「トアボ
ンド＃１００５、トアボンド＃６０００、トアボンドＸ
Ｂ−６Ｓ、トアボンドＸＢ−２１３１」などが挙げられ
る。
【００１４】エチレン・酢酸ビニル共重合体の場合は、
エチレンの含有量を調整することで得られ、エチレンの
含有量は５重量％から３０重量％の範囲が好ましい。こ
のようなエマルジョンとしてヘキスト合成社製の「モビ
ニール０８４Ｅ、モビニール１８０Ｅ、モビニール１２
３Ｅ、モビニール１９１Ｅ」など、大日本インキ化学社
製の「エバディックＳＦＣ−８０、エバディックＥＶ−
１５、エバディックＥＶ−２６０」など、大同化成工業
社製の「ビニゾール４２０、ビニゾール１４１２」な
ど、昭和高分子社製の「ポリゾールＥＶＡＰ−３、ポリ
ゾールＥＶＡ ＡＤ−２、ポリゾールＥＶＡ Ｌ−５０
３、ポリゾールＥＶＡ ＡＤ−４００、ポリゾールＥＶ
Ａ Ｐ−５Ｅ」などが挙げられる。
エチレンの含有量を調整することで得られ、エチレンの
含有量は５重量％から３０重量％の範囲が好ましい。こ
のようなエマルジョンとしてヘキスト合成社製の「モビ
ニール０８４Ｅ、モビニール１８０Ｅ、モビニール１２
３Ｅ、モビニール１９１Ｅ」など、大日本インキ化学社
製の「エバディックＳＦＣ−８０、エバディックＥＶ−
１５、エバディックＥＶ−２６０」など、大同化成工業
社製の「ビニゾール４２０、ビニゾール１４１２」な
ど、昭和高分子社製の「ポリゾールＥＶＡＰ−３、ポリ
ゾールＥＶＡ ＡＤ−２、ポリゾールＥＶＡ Ｌ−５０
３、ポリゾールＥＶＡ ＡＤ−４００、ポリゾールＥＶ
Ａ Ｐ−５Ｅ」などが挙げられる。
【００１５】ポリウレタン系重合体の水分散体は、４−
４’−ジフェニルメタンジイソシアナート、２，４−ト
リレンジイソシアナート又はヘキサメチレンジイソシア
ナートなどのポリイソシアナート化合物とポリブチレン
アジペート、ポリエチレンブチレンアジペート、ポリカ
プロラクトン又はポリオキシテトラメチレングリコール
などのポリオールとの反応によって得られ、三洋化成社
製の「サンプレンＵＸ−１１２０Ａ、サンプレンＵＸ
Ａ」など、第一工業製薬社製の「スーパーフレックス１
９０、スーパーフレックス３００、スーパーフレッスク
４６０、スーパーフレックス７５０、スーパーフレック
スＥ−２０００、スーパーフレッスクＥ−４５００」な
ど、中央理化工業社製の「リカボンドＢＡ−２６Ｎ、リ
カボンドＡＲ−５１Ｈ」などが挙げられる。
４’−ジフェニルメタンジイソシアナート、２，４−ト
リレンジイソシアナート又はヘキサメチレンジイソシア
ナートなどのポリイソシアナート化合物とポリブチレン
アジペート、ポリエチレンブチレンアジペート、ポリカ
プロラクトン又はポリオキシテトラメチレングリコール
などのポリオールとの反応によって得られ、三洋化成社
製の「サンプレンＵＸ−１１２０Ａ、サンプレンＵＸ
Ａ」など、第一工業製薬社製の「スーパーフレックス１
９０、スーパーフレックス３００、スーパーフレッスク
４６０、スーパーフレックス７５０、スーパーフレック
スＥ−２０００、スーパーフレッスクＥ−４５００」な
ど、中央理化工業社製の「リカボンドＢＡ−２６Ｎ、リ
カボンドＡＲ−５１Ｈ」などが挙げられる。
【００１６】このように前述の方法で（Ａ）の重合体の
水分散体の最低造膜温度を調節することができ、これら
は市販の各種水分散性重合体から適宜選択すればよく、
それらの形状は単量体から乳化重合によって得られるエ
マルジョン、高分子量物の機械的乳化によって得られる
ディスバージョンやコロイダルディスバージョンなどの
形状のものが使用できる。これらの水分散性重合体は一
種類で用いても複数で用いてもよく、被加工材料との接
着性が良い配合を選択すれば良い。
水分散体の最低造膜温度を調節することができ、これら
は市販の各種水分散性重合体から適宜選択すればよく、
それらの形状は単量体から乳化重合によって得られるエ
マルジョン、高分子量物の機械的乳化によって得られる
ディスバージョンやコロイダルディスバージョンなどの
形状のものが使用できる。これらの水分散性重合体は一
種類で用いても複数で用いてもよく、被加工材料との接
着性が良い配合を選択すれば良い。
【００１７】また、他方の（Ｂ）成分の水溶性高分子
は、アルギン酸ナトリウム、ナトリウムカルボキシメチ
ルセルロース、メチルセルロース、及びポリエチレンオ
キシドの群から一種類以上より選択される。これらは、
自体水溶性高分子であってこの水溶性高分子を混合する
目的はレジストマスクを形成する際に粘性を付与させ、
造膜性を向上させ、水分散性を向上させ、被加工材料と
の接着を向上させ、且つ、レジストマスクの除去作業を
簡単にするなどのためである。
は、アルギン酸ナトリウム、ナトリウムカルボキシメチ
ルセルロース、メチルセルロース、及びポリエチレンオ
キシドの群から一種類以上より選択される。これらは、
自体水溶性高分子であってこの水溶性高分子を混合する
目的はレジストマスクを形成する際に粘性を付与させ、
造膜性を向上させ、水分散性を向上させ、被加工材料と
の接着を向上させ、且つ、レジストマスクの除去作業を
簡単にするなどのためである。
【００１８】本発明の上記組成物より作製されたレジス
トインキは、水性組成物であり、乾燥する前は水に良く
分散するが、形成したマスクは乾燥して造膜し、水に不
溶化するが、水溶性高分子を含有しているので、容易に
水で膨潤するためレジストマスクの除去は簡単に行なえ
る。
トインキは、水性組成物であり、乾燥する前は水に良く
分散するが、形成したマスクは乾燥して造膜し、水に不
溶化するが、水溶性高分子を含有しているので、容易に
水で膨潤するためレジストマスクの除去は簡単に行なえ
る。
【００１９】また、除去したレジストマスクはフィルム
状になっているために排水中へ流出させることなく、フ
ィルターなどで容易に回収できるものも本発明の特徴で
ある。
状になっているために排水中へ流出させることなく、フ
ィルターなどで容易に回収できるものも本発明の特徴で
ある。
【００２０】本発明の組成物が上記の特性を発揮させる
ためには、レジストインキの乾燥被膜の２０℃水におけ
る水膨潤度を０．１〜１．５の範囲、好ましくは０．２
〜１．３に調整することも必要である。水膨潤度が０．
１未満では、レジストマスクを被加工材料から剥離する
作業が困難になり、上限が１．５以上では被加工材料か
ら剥離する作業は簡単になるが、水で膨潤したレジスト
マスクは強度がないためにフィルムの形状を保持できず
細かく分散してしまい、排水中からレジストマスクをフ
ィルターなどで回収することが困難になる。
ためには、レジストインキの乾燥被膜の２０℃水におけ
る水膨潤度を０．１〜１．５の範囲、好ましくは０．２
〜１．３に調整することも必要である。水膨潤度が０．
１未満では、レジストマスクを被加工材料から剥離する
作業が困難になり、上限が１．５以上では被加工材料か
ら剥離する作業は簡単になるが、水で膨潤したレジスト
マスクは強度がないためにフィルムの形状を保持できず
細かく分散してしまい、排水中からレジストマスクをフ
ィルターなどで回収することが困難になる。
【００２１】水膨潤度の測定方法は、常温で乾燥させた
レジストインキの被膜を２０℃の水に４８時間浸漬後、
濾紙を用いて被膜の付着水を取り除き、レジストインキ
の重量（Ｗ１）を測定して１０５℃で２時間乾燥する。
次に乾燥後の重量（Ｗ２）を測定し、（Ｗ１−Ｗ２）／
Ｗ２の式で算出することができる。
レジストインキの被膜を２０℃の水に４８時間浸漬後、
濾紙を用いて被膜の付着水を取り除き、レジストインキ
の重量（Ｗ１）を測定して１０５℃で２時間乾燥する。
次に乾燥後の重量（Ｗ２）を測定し、（Ｗ１−Ｗ２）／
Ｗ２の式で算出することができる。
【００２２】本発明によるサンドブラストレジストイン
キは、スクリーン印刷法により被加工材料表面に直接印
刷してレジストマスクを形成する方法や離型性のある基
材の上にスクリーン印刷したのを被加工材料に転写して
貼り付ける方法が有効である。転写して貼り付ける方法
で用いるときの接着剤は水でよく、被加工材表面に水を
塗りマスクを押し付けるだげでマスクが水で膨潤して被
加工材表面に密着し、密着状態で乾燥させた後は強い接
着性を示す。
キは、スクリーン印刷法により被加工材料表面に直接印
刷してレジストマスクを形成する方法や離型性のある基
材の上にスクリーン印刷したのを被加工材料に転写して
貼り付ける方法が有効である。転写して貼り付ける方法
で用いるときの接着剤は水でよく、被加工材表面に水を
塗りマスクを押し付けるだげでマスクが水で膨潤して被
加工材表面に密着し、密着状態で乾燥させた後は強い接
着性を示す。
【００２３】スクリーン印刷法以外にもパッド印刷、筆
書、スプレーコート、はけ塗り、ロール塗りなどの方法
も可能である。本発明のレジストインキは室温乾燥で十
分な接着性と耐プラスト性が発現するため、加熱による
強制乾燥をしなくともよいが、作業効率の点で加熱によ
る強制乾燥をしてもかまわない。
書、スプレーコート、はけ塗り、ロール塗りなどの方法
も可能である。本発明のレジストインキは室温乾燥で十
分な接着性と耐プラスト性が発現するため、加熱による
強制乾燥をしなくともよいが、作業効率の点で加熱によ
る強制乾燥をしてもかまわない。
【００２４】本発明のサンドブラストレジストインキ用
組成物に増粘剤やチクソ剤のような粘弾性調製材、レベ
リング剤、消泡剤、顔料、染料なども必要に応じて添加
することもできる。
組成物に増粘剤やチクソ剤のような粘弾性調製材、レベ
リング剤、消泡剤、顔料、染料なども必要に応じて添加
することもできる。
【００２５】
【発明の効果】最低造膜温度１０℃以下の、水分散性重
合体と特定の水溶性高分子の組成物を使用し、水温２０
℃における水膨潤度が０．１〜１．５の範囲に調製した
水性組成物より作製される本発明のサンドブラストレジ
ストインキは、有機溶剤やアルカリ水溶液を使用するこ
となく水だけでできる上、形成されたレジストマスクは
十分な被加材料との接着性や耐プラスト性を有している
ので、有機溶剤などの使用による作業環境の悪化を招く
ことなく、熱処理工程、光硬化工程などの二次処理工程
も省略できる効果がある。
合体と特定の水溶性高分子の組成物を使用し、水温２０
℃における水膨潤度が０．１〜１．５の範囲に調製した
水性組成物より作製される本発明のサンドブラストレジ
ストインキは、有機溶剤やアルカリ水溶液を使用するこ
となく水だけでできる上、形成されたレジストマスクは
十分な被加材料との接着性や耐プラスト性を有している
ので、有機溶剤などの使用による作業環境の悪化を招く
ことなく、熱処理工程、光硬化工程などの二次処理工程
も省略できる効果がある。
【００２６】さらに乾燥したレジストマスクラは、水に
膨潤して加工材料からの剥離が容易になり、マスクは造
膜しているため細かく分散することがないので水で除去
されたレジストマスクは排水中に流出せずに金網などの
フィルターで回収処理できる。
膨潤して加工材料からの剥離が容易になり、マスクは造
膜しているため細かく分散することがないので水で除去
されたレジストマスクは排水中に流出せずに金網などの
フィルターで回収処理できる。
【００２７】
【発明の実施の形態】以下に実施例を示して本発明の効
果をさらに詳細に説明する。なお、実施例に示す部数は
すべて重量部を示す。また％もすべて重量％を示す。
果をさらに詳細に説明する。なお、実施例に示す部数は
すべて重量部を示す。また％もすべて重量％を示す。
【実施例１】エチレン・酢酸ビニル共重合体エマルジョ
ン（大日本インキ化学社製『ＥＶ−２６０』固形分濃度
５０％、最低造膜性温度７℃）１００部とメチルセルロ
ース（信越化学工業社製『メトローズ６０ＳＨ−１０
０』１５％水溶液３０部及びポリビニルメチルエーテル
（ＢＡＳＡ社製『ルトナールＭ−４０』５０％水溶液）
１０部を攪拌混合し、さらに消泡剤（サンノブコ社製
『ＳＮデフォマー４８５』）０．１部、青顔料（山陽色
素工業社製『エマコールブルーＨＢ』１部及び水１０部
を添加して攪拌混合した。
ン（大日本インキ化学社製『ＥＶ−２６０』固形分濃度
５０％、最低造膜性温度７℃）１００部とメチルセルロ
ース（信越化学工業社製『メトローズ６０ＳＨ−１０
０』１５％水溶液３０部及びポリビニルメチルエーテル
（ＢＡＳＡ社製『ルトナールＭ−４０』５０％水溶液）
１０部を攪拌混合し、さらに消泡剤（サンノブコ社製
『ＳＮデフォマー４８５』）０．１部、青顔料（山陽色
素工業社製『エマコールブルーＨＢ』１部及び水１０部
を添加して攪拌混合した。
【００２８】得られたレジストインキの２０℃水におけ
る膨潤度は０．４であった。このレジストインキをピッ
チ３ｍｍ間隔の画像を形成させた２００メッシュのテト
ロン紗、膜厚３０μのスクリーン版を使ってアクリル板
に印刷した。これを室温で乾燥したところガラス板上に
乾燥膜厚２５μのレジストマスクが作製できた。次に空
気圧４ｋｇ／ｃｍ２で金剛砂＃１８０を２０ｃｍの距離
から３分間吹き付けてサンドブラスト加工した。
る膨潤度は０．４であった。このレジストインキをピッ
チ３ｍｍ間隔の画像を形成させた２００メッシュのテト
ロン紗、膜厚３０μのスクリーン版を使ってアクリル板
に印刷した。これを室温で乾燥したところガラス板上に
乾燥膜厚２５μのレジストマスクが作製できた。次に空
気圧４ｋｇ／ｃｍ２で金剛砂＃１８０を２０ｃｍの距離
から３分間吹き付けてサンドブラスト加工した。
【００２９】プラスト加工したアクリル板に水道水をか
けたところ３０秒後に膜の状態が流れ落ちた。マスクの
密着性や耐プラスト性は問題なく、アクリル板は１．５
ｍｍ幅で０．２ｍｍの深さに加工できた。さらに、使用
したスクリーン版、スキージは水できれいに洗浄するこ
とができ、アクリル版から剥がしたレジストマスクは２
０メッシュの金網で回収することができた。
けたところ３０秒後に膜の状態が流れ落ちた。マスクの
密着性や耐プラスト性は問題なく、アクリル板は１．５
ｍｍ幅で０．２ｍｍの深さに加工できた。さらに、使用
したスクリーン版、スキージは水できれいに洗浄するこ
とができ、アクリル版から剥がしたレジストマスクは２
０メッシュの金網で回収することができた。
【００３０】
【実施例２】ポリウレタン系樹脂ディスバージョン（第
一工業製薬社製『スーパーフレックスＥ−４５００』固
形分濃度４５％、最低造膜温度０℃）９０部とナトリウ
ムカルボキシメチルセルロース（第一工業製薬社製『セ
ロゲンＥＰ』３％水溶液１００部と増粘剤（サンノブコ
社製『ＳＮシックナー６１２固形分濃度４０％）２０部
とを攪拌混合した。さらに白顔料（山陽色素工業社製
『サンダイスーパーホワイトＵ』３部、レベリング剤
（ダイキン工業社製『ダイフロンＤＳ−１０２』）０．
５部、消泡剤（サンノブコ社製『ＳＮデフォマー４８
３』）０．５部を添加して攪拌混合した。
一工業製薬社製『スーパーフレックスＥ−４５００』固
形分濃度４５％、最低造膜温度０℃）９０部とナトリウ
ムカルボキシメチルセルロース（第一工業製薬社製『セ
ロゲンＥＰ』３％水溶液１００部と増粘剤（サンノブコ
社製『ＳＮシックナー６１２固形分濃度４０％）２０部
とを攪拌混合した。さらに白顔料（山陽色素工業社製
『サンダイスーパーホワイトＵ』３部、レベリング剤
（ダイキン工業社製『ダイフロンＤＳ−１０２』）０．
５部、消泡剤（サンノブコ社製『ＳＮデフォマー４８
３』）０．５部を添加して攪拌混合した。
【００３１】得られたレジストインキの２０℃水におけ
る膨潤度は１．１であった。このレジストインキをピッ
チ１ｍｍ間隔の画像を形成させた２５０メッシュのテト
ロン紗、膜厚５０μのスクリーン版を使って鏡面加工さ
れたステンレス版に印刷した。これを室温で乾燥したと
ころステンレス板上に乾燥膜厚４０μのレジストマスク
が形成できた。次に空気圧４ｋｇ／ｃｍ２で金剛紗＃４
００を２０ｃｍの距離から３分間吹きつけてサンドブラ
スト加工した。プラスト加工したステンレス板に水道水
をかけたところ２０秒後に膜の状態で流れ落ちた。マス
クの密着性や耐プラスト性にも問題なく、プラストした
ステンレス板は０．５ｍｍ幅で０．２ｍｍの深さに加工
できた。一方、使用したスクリーン版、スキージは水で
きれいに洗浄することができ、ステンレス版から剥がし
たレジストマスクは２０メッシュの金網で回収すること
ができた。
る膨潤度は１．１であった。このレジストインキをピッ
チ１ｍｍ間隔の画像を形成させた２５０メッシュのテト
ロン紗、膜厚５０μのスクリーン版を使って鏡面加工さ
れたステンレス版に印刷した。これを室温で乾燥したと
ころステンレス板上に乾燥膜厚４０μのレジストマスク
が形成できた。次に空気圧４ｋｇ／ｃｍ２で金剛紗＃４
００を２０ｃｍの距離から３分間吹きつけてサンドブラ
スト加工した。プラスト加工したステンレス板に水道水
をかけたところ２０秒後に膜の状態で流れ落ちた。マス
クの密着性や耐プラスト性にも問題なく、プラストした
ステンレス板は０．５ｍｍ幅で０．２ｍｍの深さに加工
できた。一方、使用したスクリーン版、スキージは水で
きれいに洗浄することができ、ステンレス版から剥がし
たレジストマスクは２０メッシュの金網で回収すること
ができた。
【００３２】
【実施例３】ポリ酢酸ビニル樹脂エマルジョン（東亜ペ
イント社製『ドアボンド＃６０００』固形分濃度４２
％、最低造膜温度３℃）５０部及びポリウレタン樹脂デ
ィスバージョン（第一工業製薬社製『スーパーフレック
スＥ−４５００』固形分濃度４５％、最低造膜温度０
℃）１００部とアルキル変性ポリビニルアルコール（信
越化学工業社製『ＣＯＴＰ−２０００』）１０％水溶液
６５部を攪拌混合した。さらにレベリング剤（ネオス社
製『フタージェント２５０』）０．１部、消泡剤（サン
ノブコ社製『ＳＮデフォマー４８３』）０．５部、青顔
料（山陽色素工業社製『エマコールブルーＨＢ』）２部
を添加して攪拌混合した。得られたレジストインキの２
０℃水における膨潤度は０．６であった。
イント社製『ドアボンド＃６０００』固形分濃度４２
％、最低造膜温度３℃）５０部及びポリウレタン樹脂デ
ィスバージョン（第一工業製薬社製『スーパーフレック
スＥ−４５００』固形分濃度４５％、最低造膜温度０
℃）１００部とアルキル変性ポリビニルアルコール（信
越化学工業社製『ＣＯＴＰ−２０００』）１０％水溶液
６５部を攪拌混合した。さらにレベリング剤（ネオス社
製『フタージェント２５０』）０．１部、消泡剤（サン
ノブコ社製『ＳＮデフォマー４８３』）０．５部、青顔
料（山陽色素工業社製『エマコールブルーＨＢ』）２部
を添加して攪拌混合した。得られたレジストインキの２
０℃水における膨潤度は０．６であった。
【００３３】このレジストインキを用いて印刷、乾燥を
行なって、サンドブラスト加工した。その結果、マスク
の密着性や耐ブラスト性にも問題なく加工でき、マスク
の剥離も水でできた。同様に使用したスクリーン版、ス
キージは水できれいに洗浄することができ、ステンレス
版から剥がしたレジストマスクは２０メッシュの金網で
回収することができた。
行なって、サンドブラスト加工した。その結果、マスク
の密着性や耐ブラスト性にも問題なく加工でき、マスク
の剥離も水でできた。同様に使用したスクリーン版、ス
キージは水できれいに洗浄することができ、ステンレス
版から剥がしたレジストマスクは２０メッシュの金網で
回収することができた。
【００３４】
【比較例１】酢酸ビニルエマルジョン（ヘキスト合成社
製『モビニール３５０』濃度４５％、最低造膜温度１８
℃）を用いてレジストインキを作成した。得られたレジ
ストインキの２０℃水における膨潤度は０．６であっ
た。このレジストインキを実施例１と同条件で評価し
た。その結果、サンドブラスト加工中にマスクが削れて
しまい、１ｍｍ幅のラインを加工することができなかっ
た。
製『モビニール３５０』濃度４５％、最低造膜温度１８
℃）を用いてレジストインキを作成した。得られたレジ
ストインキの２０℃水における膨潤度は０．６であっ
た。このレジストインキを実施例１と同条件で評価し
た。その結果、サンドブラスト加工中にマスクが削れて
しまい、１ｍｍ幅のラインを加工することができなかっ
た。
【００３５】
【比較例２】酢酸ビニル・アクリル酸エステル共重合体
エマルジョン（昭和高分子社製『ポリゾールＡＴ−１０
００』固形分濃度５０％、最低造膜温度４５℃）を用
い、レジストインキを作成した。得られたレジストイン
キの２０℃水における膨潤度を計るために乾燥被膜を水
に浸漬したところ、乾燥被膜を造膜してなかったために
細かく分散してしまった。
エマルジョン（昭和高分子社製『ポリゾールＡＴ−１０
００』固形分濃度５０％、最低造膜温度４５℃）を用
い、レジストインキを作成した。得られたレジストイン
キの２０℃水における膨潤度を計るために乾燥被膜を水
に浸漬したところ、乾燥被膜を造膜してなかったために
細かく分散してしまった。
【００３６】
【比較例３】ポリ酢酸ビニルエマルジョンを１００部、
部分けん化ＰＶＡの２０％水溶液を６０部、アルギン酸
ナトリウムの２０％水溶液を３０部の組成のレジストイ
ンキを作成した。ポリ酢酸ビニルエマルジョンを１００
部、部分けん化ＰＶＡの２０％水溶液を６０部、アルギ
ン酸ナトリウムの２０％水溶液を３０部にしてレジスト
インキを作成した。得られたレジストインキの２０℃水
における膨潤度は１．９であった。実施例１と同様にブ
ラスト加工した後、ガラス板に水道水をかけたところ３
０秒後に膜の状態で流れ落ちた。マスクの密着性や耐ブ
ラスト性にも問題なく、ガラス板は１ｍｍの幅で１ｍｍ
の深さに加工できた。一方、使用したスクリーン版、ス
キージは水できれいに洗浄することができたが、ガラス
板から剥がしたレジストマスクは２０メッシュの金網を
通り抜けてしまい回収することができなかった。この結
果、同じ材料で使用しても、水分散体（Ａ）と水溶性高
分子（Ｂ）の組成比が異なれば、水膨潤度が本発明の範
囲から外れるので、本発明の所期の目的が達成できない
ことが認められた。
部分けん化ＰＶＡの２０％水溶液を６０部、アルギン酸
ナトリウムの２０％水溶液を３０部の組成のレジストイ
ンキを作成した。ポリ酢酸ビニルエマルジョンを１００
部、部分けん化ＰＶＡの２０％水溶液を６０部、アルギ
ン酸ナトリウムの２０％水溶液を３０部にしてレジスト
インキを作成した。得られたレジストインキの２０℃水
における膨潤度は１．９であった。実施例１と同様にブ
ラスト加工した後、ガラス板に水道水をかけたところ３
０秒後に膜の状態で流れ落ちた。マスクの密着性や耐ブ
ラスト性にも問題なく、ガラス板は１ｍｍの幅で１ｍｍ
の深さに加工できた。一方、使用したスクリーン版、ス
キージは水できれいに洗浄することができたが、ガラス
板から剥がしたレジストマスクは２０メッシュの金網を
通り抜けてしまい回収することができなかった。この結
果、同じ材料で使用しても、水分散体（Ａ）と水溶性高
分子（Ｂ）の組成比が異なれば、水膨潤度が本発明の範
囲から外れるので、本発明の所期の目的が達成できない
ことが認められた。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C09D 11/00 - 13/00 B24C 1/00 - 1/10 H05K 1/09,3/04
Claims (3)
- 【請求項１】 サンドブラストレジストインキを作製す
るための、（Ａ）ポリ酢酸ビニル系樹脂、エチレン、酢
酸ビニル系共重合体、及びポリウレタン系重合体よりな
る群から選択される少なくとも１種の重合体の水分散体
と、（Ｂ）アルギン酸ナトリウム、ナトリウムカルボキ
シメチルセルロース、メチルセルロース、及びポリエチ
レンオキシドよりなる群から選択される少なくとも１種
の水溶性高分子とよりなるスクリーン印刷法に用いられ
るサンドブラストレジストインキ。 - 【請求項２】 最低造膜温度が１０℃以下である重合体
の水分散体を主成分とし、これに水溶性高分子を造膜性
改善剤として加えたものであることを特徴とする請求項
１のスクリーン印刷法に用いられるサンドブラストレジ
ストインキ。 - 【請求項３】 水性組成物より形成された乾燥被膜の２
０℃水における膨潤度が０．１〜１．５の範囲であるこ
とを特徴とする請求項１又は請求項２のスクリーン印刷
法に用いられるサンドブラストレジストインキ。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6900894A JP2901129B2 (ja) | 1994-03-14 | 1994-03-14 | サンドブラストレジストインキ |
| AT95103487T ATE211044T1 (de) | 1994-03-14 | 1995-03-10 | Polymere maske für sandstrahlen und verfahren zu deren anwendung |
| DE1995624655 DE69524655T2 (de) | 1994-03-14 | 1995-03-10 | Polymere Maske für Sandstrahlen und Verfahren zu deren Anwendung |
| EP19950103487 EP0672500B1 (en) | 1994-03-14 | 1995-03-10 | Polymeric mask for sandblasting and method for its use |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6900894A JP2901129B2 (ja) | 1994-03-14 | 1994-03-14 | サンドブラストレジストインキ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07252444A JPH07252444A (ja) | 1995-10-03 |
| JP2901129B2 true JP2901129B2 (ja) | 1999-06-07 |
Family
ID=13390147
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6900894A Expired - Fee Related JP2901129B2 (ja) | 1994-03-14 | 1994-03-14 | サンドブラストレジストインキ |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0672500B1 (ja) |
| JP (1) | JP2901129B2 (ja) |
| AT (1) | ATE211044T1 (ja) |
| DE (1) | DE69524655T2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7294609B2 (en) | 2004-06-21 | 2007-11-13 | P& Pf Co., Ltd. | Cleansing foam agent comprising a polyglycerin monocarboxylate and hinokitiol bactericide |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5776408A (en) * | 1996-08-23 | 1998-07-07 | Eastman Kodak Company | Method of engraving green ceramic articles |
| FR2770434A1 (fr) * | 1997-11-05 | 1999-05-07 | Jean Michel Hostein | Procede de gravure a l'aide d'un masque de sablage - masque obtenu selon le procede |
| EP1197530A1 (de) * | 2000-10-13 | 2002-04-17 | Kissel & Wolf GmbH | Siebdruckbarer Dispersionslack |
| EP1197351A1 (de) * | 2000-10-13 | 2002-04-17 | Kissel & Wolf GmbH | Verfahren zur Herstellung eines Musters auf einem Substrat |
| FR2874843B1 (fr) * | 2004-09-03 | 2006-12-08 | Azynox Soc Par Actions Simplif | Procede de gravure a matite variable par microbillage |
| JP5223229B2 (ja) * | 2007-04-24 | 2013-06-26 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | サンドブラスト用マスクを形成するためのインクジェットインクとそれを用いた凹凸画像形成方法 |
| JP5852448B2 (ja) * | 2012-01-20 | 2016-02-03 | 太陽ホールディングス株式会社 | サンドブラストレジスト組成物、及びそれを用いた表面加工方法 |
| EP3578296A1 (de) * | 2018-06-04 | 2019-12-11 | Audi Ag | Verfahren zum selektiven mattieren einer oberfläche |
| DE102019211858A1 (de) * | 2019-08-07 | 2021-02-11 | Audi Ag | Verfahren zum Maskieren von zu mattierenden Oberflächen |
| CN112264281A (zh) * | 2020-10-28 | 2021-01-26 | 哈尔滨电机厂有限责任公司 | 一种发电机组加工面喷砂防护方法 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54152294A (en) * | 1978-05-23 | 1979-11-30 | Sakata Shokai Ltd | Pattern preparing method |
| JPS60104938A (ja) * | 1982-05-13 | 1985-06-10 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 固体表面加工用マスク転写材 |
| JPS608100A (ja) * | 1983-06-28 | 1985-01-16 | 旭化成株式会社 | 吹き付け食刻方法 |
| JPS6020862A (ja) * | 1983-07-12 | 1985-02-02 | Asahi Chem Ind Co Ltd | サンドブラストによる段彫方法 |
| JPS6020860A (ja) * | 1983-07-12 | 1985-02-02 | Hayakawa Rubber Co Ltd | サンドブラスト彫刻法 |
| US4764449A (en) * | 1985-11-01 | 1988-08-16 | The Chromaline Corporation | Adherent sandblast photoresist laminate |
| DD248133A1 (de) * | 1986-04-14 | 1987-07-29 | Torgau Flachglas | Siebdruckpaste |
| EP0506959B1 (en) * | 1990-10-22 | 2000-09-06 | Aicello Chemical Company Limited | Method of engraving with image mask and photosensitive laminate film for said image mask |
| JPH0651811B2 (ja) * | 1990-11-05 | 1994-07-06 | 第一工業製薬株式会社 | 透湿性高分子アロイフィルムの製造方法 |
| GB9116021D0 (en) * | 1991-07-25 | 1991-09-11 | Woodberry Bros & Haines Ltd | Etching and engraving processes |
| JPH0578541A (ja) * | 1991-09-20 | 1993-03-30 | Sekisui Chem Co Ltd | ポリ酢酸ビニル系エマルジヨン組成物 |
| JP3167812B2 (ja) * | 1992-11-20 | 2001-05-21 | 東京応化工業株式会社 | サンドブラスト用感光性樹脂組成物及びこれを用いた積層フィルム |
-
1994
- 1994-03-14 JP JP6900894A patent/JP2901129B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-03-10 EP EP19950103487 patent/EP0672500B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-03-10 AT AT95103487T patent/ATE211044T1/de not_active IP Right Cessation
- 1995-03-10 DE DE1995624655 patent/DE69524655T2/de not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7294609B2 (en) | 2004-06-21 | 2007-11-13 | P& Pf Co., Ltd. | Cleansing foam agent comprising a polyglycerin monocarboxylate and hinokitiol bactericide |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0672500A3 (en) | 1996-05-29 |
| JPH07252444A (ja) | 1995-10-03 |
| EP0672500A2 (en) | 1995-09-20 |
| EP0672500B1 (en) | 2001-12-19 |
| DE69524655T2 (de) | 2002-05-29 |
| ATE211044T1 (de) | 2002-01-15 |
| DE69524655D1 (de) | 2002-01-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2901129B2 (ja) | サンドブラストレジストインキ | |
| CA1114974A (en) | Photopolymerizable latex systems | |
| DE69826456T2 (de) | Wässrige photoresiste auf urethanacrylat-basis | |
| US5989689A (en) | Sandblast mask laminate with blastable pressure sensitive adhesive | |
| JPS61162501A (ja) | 高エネルギ−線硬化樹脂組成物 | |
| CA2025831C (en) | Radiation-polymerizable mixture and process for producing a solder resist mask | |
| DE69831907T2 (de) | Starke flexible Trockenübertragungsmaterialien | |
| US5415971A (en) | Photoresist laminate including photoimageable adhesive layer | |
| US4209582A (en) | Method of preparing screen printing stencils using novel compounds and compositions | |
| CN1934179B (zh) | 高性能水基底漆 | |
| JPS608100A (ja) | 吹き付け食刻方法 | |
| KR101680606B1 (ko) | 조명용 커버 유리 제작 방법 | |
| CA2113741A1 (en) | Photosensitive resin compositions | |
| JPH0627666A (ja) | 放射線重合可能混合物およびハンダレジストマスクの製造法 | |
| JPS61501596A (ja) | スクリ−ン印刷用組成物 | |
| JP4255188B2 (ja) | 感光性樹脂組成物及びそれを用いたスクリーン印刷用版並びにスクリーン印刷用版の製造方法 | |
| JPS60247637A (ja) | 感光性樹脂組成物 | |
| JP2000128994A (ja) | 架橋可能な水溶性又は水分散性組成物の製造方法、及びその方法から得られる組成物並びに感放射線性混合物 | |
| JPS6010242A (ja) | 固体粒子による食刻に耐える光硬化性樹脂組成物 | |
| DE60308705T2 (de) | Plattierungsprozess | |
| EP0672734A1 (en) | An erasable marking composition | |
| EP0288153A2 (en) | Screen Compositions | |
| CN100448688C (zh) | 平版印刷用原版及平版印刷用版 | |
| JPH06194833A (ja) | 感光性樹脂組成物、その製造方法及びフレキソ印刷用原版 | |
| JP2930152B2 (ja) | スクリーン印刷版製造用感光性樹脂組成物、感光性フィルム及びそれらを用いて製版されたスクリーン印刷版 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080319 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090319 Year of fee payment: 10 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |