JP2895143B2 - Semiconductor laser drive circuit - Google Patents

Semiconductor laser drive circuit

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JP2895143B2 JP2029101A JP2910190A JP2895143B2 JP 2895143 B2 JP2895143 B2 JP 2895143B2 JP 2029101 A JP2029101 A JP 2029101A JP 2910190 A JP2910190 A JP 2910190A JP 2895143 B2 JP2895143 B2 JP 2895143B2
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体レーザの駆動回路に関し、特にその異
常検出技術に関する。
Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a driving circuit for a semiconductor laser, and more particularly to a technique for detecting an abnormality of the driving circuit.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

近年、高性能の半導体レーザが安価に供給できる様に
なってきており、様々な情報機器の部品として利用され
ている。例えば、コンパクトディスクプレーヤの情報読
取り用ヘッド、光ディスクメモリの情報読取り書込み用
ヘッド、POS端末に用いられるバーコードリーダの読取
りヘッド、レーザビームポインタ、あるいはレーザビー
ムプリンタの印字ヘッド等においてレーザビーム光源と
して広く用いられている。これら種々の情報機器におい
て、半導体レーザの駆動回路は一般的にレーザビーム光
量自動制御回路を具備しており、レーザビーム光量を一
定に保つ様にしている。
In recent years, high-performance semiconductor lasers can be supplied at low cost, and are used as components of various information devices. For example, it is widely used as a laser beam light source in information reading heads of compact disc players, information reading and writing heads of optical disc memories, reading heads of bar code readers used in POS terminals, laser beam pointers, and printing heads of laser beam printers. Used. In these various information devices, the drive circuit of the semiconductor laser generally has a laser beam light amount automatic control circuit to keep the laser beam light amount constant.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problems to be solved by the invention]

しかしながら、かかる自動光量制御回路は複数の回路
部品から構成されており、必ずしも故障が皆無であると
はいえない。かかる場合、自動光量制御が働かなくな
り、半導体レーザが過大発光する虞れがある。過大発光
が人間の目に直接入射すると失明を起こす虞れがあると
いう問題点があった。又、光ディスクメモリやレーザビ
ームプリンタにおいて、過大発光が生じると情報の破壊
が起こる危険性があるという問題点があった。
However, such an automatic light amount control circuit is composed of a plurality of circuit components, and it cannot be said that there is no failure. In such a case, the automatic light quantity control does not work, and the semiconductor laser may emit excessive light. There is a problem that if excessive light emission is directly incident on human eyes, blindness may occur. In addition, in an optical disk memory or a laser beam printer, there is a problem that when excessive light emission occurs, there is a risk that information is destroyed.

〔問題点を解決する為の手段〕[Means to solve the problem]

上述した従来の技術の問題点に鑑み、本発明は半導体
レーザ駆動回路の安全性を高める事を目的とする。この
目的を達成する為に、本発明においては自動制御回路の
異常を検出する為の異常検出回路が具備されている。そ
して、この異常検出回路が自動光量制御回路の異常時に
おいて正しく動作できるかどうかを事前に確認する為の
チェック回路をも具備している。かかる二重の対策を講
ずる事により、半導体レーザ駆動回路の安全性が従来に
比し著しく向上する。一般に、自動光量制御回路が故障
を起こす確率は低く、異常検出回路は稀にしか動作しな
い。その為に、定期的に異常検出回路が正しく動作する
かどうかを確認する事は極めて重要である。
SUMMARY OF THE INVENTION In view of the above-mentioned problems of the related art, an object of the present invention is to improve the safety of a semiconductor laser drive circuit. In order to achieve this object, the present invention includes an abnormality detection circuit for detecting an abnormality in the automatic control circuit. A check circuit is also provided for confirming in advance whether the abnormality detection circuit can operate properly when the automatic light amount control circuit is abnormal. By taking such a double measure, the safety of the semiconductor laser drive circuit is significantly improved as compared with the related art. Generally, the probability of the automatic light quantity control circuit causing a failure is low, and the abnormality detection circuit rarely operates. Therefore, it is extremely important to periodically check whether the abnormality detection circuit operates properly.

第1図に本発明にかかる半導体レーザ駆動回路の基本
構成を示す。図示する様に、半導体レーザ駆動回路はレ
ーザパッケージ1を有する。このレーザパッケージ1に
は、駆動電力に応じてレーザビームを放射する半導体レ
ーザ例えばレーザダイオード1aと、レーザビームを光電
変換し対応する電気信号を出力する受光素子例えばPIN
フォトダイオード1bを内蔵している。フォトダイオード
1bにはモニタ回路101が接続されており、該電気信号を
モニタしレーザビーム光量の変動に応じたモニタ信号を
出力する。モニタ回路101には制御回路102が接続されて
おり、モニタ信号と所定の基準信号を比較しその差分に
応じた制御信号を出力する。制御回路102には電力回路1
03が接続されており、制御信号に従ってモニタ信号と基
準信号の差分を打消す様に駆動電力をレーザダイオード
1aに供給する。これらレーザパッケージ1、モニタ回路
101、制御回路102及び電力回路103はサーボループから
なる自動光量制御機構を構成し、定常状態においてレー
ザダイオード1aのレーザビーム光量が一定となる様に制
御している。
FIG. 1 shows a basic configuration of a semiconductor laser drive circuit according to the present invention. As shown, the semiconductor laser drive circuit has a laser package 1. The laser package 1 includes a semiconductor laser such as a laser diode 1a that emits a laser beam according to the driving power, and a light receiving element such as a PIN that photoelectrically converts the laser beam and outputs a corresponding electric signal.
Built-in photodiode 1b. Photodiode
A monitor circuit 101 is connected to 1b, monitors the electric signal, and outputs a monitor signal according to a change in the amount of laser beam. A control circuit 102 is connected to the monitor circuit 101, compares the monitor signal with a predetermined reference signal, and outputs a control signal according to the difference. The control circuit 102 has a power circuit 1
03 is connected, and the drive power is changed to a laser diode so as to cancel the difference between the monitor signal and the reference signal according to the control signal.
Supply 1a. These laser package 1, monitor circuit
101, the control circuit 102, and the power circuit 103 constitute an automatic light amount control mechanism including a servo loop, and perform control so that the laser beam amount of the laser diode 1a is constant in a steady state.

半導体レーザ駆動回路はさらに、設定回路104を含
む。設定回路104は基準信号より大きく且つ正常時にモ
ニタ信号が越える事のない大きさを有する上限信号を設
定する。合わせて基準信号をも設定している。設定回路
104には異常検出回路105が接続されており、上限信号と
モニタ信号とを比較する事により自動光量制御機構の異
常を検出し異常信号LDOVERを出力する。異常検出回路10
5にはチェック回路106が接続されており、レーザダイオ
ード1aが自動光量制御機構の作用により正常に点灯して
いる時、チェック信号LDCHKに応答して上限信号の大き
さを基準信号の大きさ以下に下げ、疑似的に異常信号LD
OVERを出力させる事により異常検出回路105の動作を定
期的に確認している。
The semiconductor laser drive circuit further includes a setting circuit 104. The setting circuit 104 sets an upper limit signal that is larger than the reference signal and has a magnitude that the monitor signal does not exceed during normal operation. The reference signal is also set. Setting circuit
An abnormality detection circuit 105 is connected to 104, and detects an abnormality of the automatic light amount control mechanism by comparing the upper limit signal and the monitor signal, and outputs an abnormality signal LDOVER. Error detection circuit 10
A check circuit 106 is connected to 5, and when the laser diode 1a is normally lit by the action of the automatic light amount control mechanism, the magnitude of the upper limit signal is smaller than the magnitude of the reference signal in response to the check signal LDCHK. To pseudo, abnormal signal LD
The operation of the abnormality detection circuit 105 is periodically checked by outputting OVER.

この異常検出回路は、上限信号に対してモニタ信号が
上回った時反転信号を出力する比較回路と、反転信号を
記憶し異常信号を持続的に出力する為のラッチ回路とを
有している。加えて、該チェック回路は、チェック信号
LDCHKに応じて上限信号の大きさを基準信号の大きさ以
下に切り換える切換回路と、チェック信号LDOCHKの解除
に応じてラッチ回路をリセットし疑似的に出力された異
常信号LDOVERを解除する為のリセット回路とを含んでい
る。最後に、好ましくは半導体レーザ駆動回路は、異常
信号LDOVERに応答してレーザダイオード1aを強制的に消
灯する為の強制消灯回路を有している。
This abnormality detection circuit includes a comparison circuit that outputs an inverted signal when the monitor signal exceeds the upper limit signal, and a latch circuit that stores the inverted signal and continuously outputs the abnormal signal. In addition, the check circuit includes a check signal
A switching circuit that switches the size of the upper limit signal to the size of the reference signal or less according to LDCHK, and a reset that resets the latch circuit in response to the release of the check signal LDOCHK and releases the abnormally output abnormal signal LDOVER Circuit. Finally, the semiconductor laser drive circuit preferably has a forced turn-off circuit for forcibly turning off the laser diode 1a in response to the abnormal signal LDOVER.

〔作用〕[Action]

本発明によれば、異常検出回路は常時、上限信号に対
してモニタ信号を監視しておりモニタ信号が上限信号を
上回った時異常信号を出力しレーザダイオード1aの過大
発光を防止する様にしている。さらに、チェック回路は
定期的に異常検出回路105をチェックしており、自動光
量制御機構の異常が発生した場合に異常検出回路が正し
く異常検出を行なう事ができる様にしている。
According to the present invention, the abnormality detection circuit constantly monitors the monitor signal for the upper limit signal, and outputs an abnormal signal when the monitor signal exceeds the upper limit signal to prevent excessive emission of the laser diode 1a. I have. Further, the check circuit periodically checks the abnormality detection circuit 105 so that when an abnormality occurs in the automatic light amount control mechanism, the abnormality detection circuit can correctly detect the abnormality.

〔実 施 例〕〔Example〕

以下図面を参照して、本発明の好適な実施例を詳細に
説明する。第2図は本発明にかかる半導体レーザ駆動回
路の詳細回路図である。図示する様に、半導体レーザ駆
動回路はレーザパッケージ1を有する。レーザパッケー
ジ1にはレーザダイオード1aとフォトダイオード1bが互
いに接近して内蔵されている。レーザダイオード1aのア
ノード端子及びフォトダイオード1bのカソード端子は共
に電源ラインVccに接続されている。レーザダイオード1
aは駆動電流に応じてレーザビームを放射しフォトダイ
オード1bは放射されたレーザビームを受光し且つ光電変
換して対応する電流信号を出力する。
Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 2 is a detailed circuit diagram of the semiconductor laser drive circuit according to the present invention. As shown, the semiconductor laser drive circuit has a laser package 1. In the laser package 1, a laser diode 1a and a photodiode 1b are built in close proximity to each other. The anode terminal of the laser diode 1a and the cathode terminal of the photodiode 1b are both connected to a power supply line Vcc . Laser diode 1
a emits a laser beam in accordance with the drive current, and the photodiode 1b receives the emitted laser beam, performs photoelectric conversion, and outputs a corresponding current signal.

半導体レーザ駆動回路はレーザパッケージ1に加え
て、モニタ回路、制御回路及び電力回路を有しており合
わせて自動光量制御機構を構成している。モニタ回路
は、電流電圧変換抵抗2と差動増幅器3とからなる。抵
抗2はフォトダイオード1bのアノード端子と接地ライン
の間に接続されている。又差動増幅器3の正入力端子に
は電流電圧変換抵抗2の一端が接続されており、負入力
端子と出力端子は直接結線されている。このモニタ回路
により、フォトダイオード1bから出力された電流信号は
対応するモニタ信号に変換され、このモニタ信号はレー
ザダイオード1aの出力光量の変動に応じて変化する。
The semiconductor laser drive circuit has a monitor circuit, a control circuit, and a power circuit in addition to the laser package 1, and together constitutes an automatic light amount control mechanism. The monitor circuit includes a current-voltage conversion resistor 2 and a differential amplifier 3. The resistor 2 is connected between the anode terminal of the photodiode 1b and the ground line. One end of the current-voltage conversion resistor 2 is connected to the positive input terminal of the differential amplifier 3, and the negative input terminal and the output terminal are directly connected. The monitor circuit converts a current signal output from the photodiode 1b into a corresponding monitor signal, and the monitor signal changes according to a change in the output light amount of the laser diode 1a.

制御回路は積分抵抗4と、差動増幅器5と、積分コン
デンサ6と、アナログスイッチ7とから構成されてい
る。積分抵抗4は差動増幅器3の出力端子と差動増幅器
5の負入力端子の間に接続されている。差動増幅器5の
正入力端子には所定の基準電圧Vrefを有する基準信号が
印加されている。積分コンデンサ6は差動増幅器5の負
入力端子と出力端子の間に接続されている。又アナログ
スイッチ7は積分コンデサ6と並列に接続されており点
灯信号▲▼によりその開閉が制御される。かか
る構成を有する制御回路はモニタ信号と基準信号の差分
に応じた出力電圧を有する制御信号を出力する。
The control circuit includes an integrating resistor 4, a differential amplifier 5, an integrating capacitor 6, and an analog switch 7. The integrating resistor 4 is connected between the output terminal of the differential amplifier 3 and the negative input terminal of the differential amplifier 5. A reference signal having a predetermined reference voltage Vref is applied to a positive input terminal of the differential amplifier 5. The integrating capacitor 6 is connected between the negative input terminal and the output terminal of the differential amplifier 5. The analog switch 7 is connected in parallel with the integrating capacitor 6, and its opening / closing is controlled by a lighting signal ▼. The control circuit having such a configuration outputs a control signal having an output voltage according to the difference between the monitor signal and the reference signal.

電力回路は、直列に接続された一対の分圧抵抗8及び
9、駆動トランジスタ10及び電圧電流変換抵抗11とから
構成されている。一方の分圧抵抗8は差動増幅器5の出
力端子と駆動トランジスタ10のベース端子との間に接続
されており、他方の分圧抵抗9は駆動トランジスタ10の
ベース端子と接地ラインの間に接続されている。駆動ト
ランジスタ10のコレクタ端子はレーザダイオード1aのカ
ソード端子に接続されており、エミッタ端子は電圧電流
変換抵抗11を介して接地されている。かかる構成を有す
る電力回路は制御信号に応じてモニタ信号と基準信号の
差分を打消す様に駆動電流をレーザダイオード1aに供給
する。
The power circuit includes a pair of voltage-dividing resistors 8 and 9, a driving transistor 10, and a voltage-current conversion resistor 11 connected in series. One voltage dividing resistor 8 is connected between the output terminal of the differential amplifier 5 and the base terminal of the driving transistor 10, and the other voltage dividing resistor 9 is connected between the base terminal of the driving transistor 10 and the ground line. Have been. The collector terminal of the driving transistor 10 is connected to the cathode terminal of the laser diode 1a, and the emitter terminal is grounded via the voltage-current conversion resistor 11. The power circuit having such a configuration supplies a drive current to the laser diode 1a so as to cancel the difference between the monitor signal and the reference signal according to the control signal.

半導体レーザ駆動回路はさらに設定回路と、異常検出
回路と、チェック回路とを有する。設定回路は3個の直
列に接続された分圧抵抗26,27及び28から構成されてい
る。これら分圧抵抗は電源ラインと接地ラインの間に直
列に接続された電源電圧Vccを各々の抵抗比に従って分
圧している。中央の分圧抵抗27の下端部は基準電圧Vref
を設定しており、基準信号として差動増幅器5の正入力
端子に送っている。又中央の抵抗27の上端部は上限電圧
を設定し、上限信号を出力している。この上限電圧は基
準電圧より大きく且つ正常時においてモニタ信号の電圧
が越える事のない大きさを有し、例えば基準電圧に対し
て5ないし10%高めに設定されている。
The semiconductor laser drive circuit further includes a setting circuit, an abnormality detection circuit, and a check circuit. The setting circuit includes three series-connected voltage dividing resistors 26, 27 and 28. These voltage dividing resistors divide the power supply voltage Vcc connected in series between the power supply line and the ground line according to the respective resistance ratios. The lower end of the center voltage dividing resistor 27 is connected to the reference voltage V ref.
Is sent to the positive input terminal of the differential amplifier 5 as a reference signal. The upper end of the central resistor 27 sets an upper limit voltage and outputs an upper limit signal. This upper limit voltage is larger than the reference voltage and has a magnitude that does not exceed the voltage of the monitor signal in a normal state, and is set, for example, 5 to 10% higher than the reference voltage.

異常検出回路は比較回路を構成するコンパレータ33と
ラッチ回路を構成するRSフリップフロップ34とからなっ
ている。コンパレータ33の正入力端子にはモニタ信号が
入力され、負入力端子には抵抗35を介して上限信号が入
力されている。コンパレータ33は上限信号に対してモニ
タ信号が上回った時反転信号LDOVER1を出力する。RSフ
リップフロップ34のセット端子はコンパレータ33の出力
端子に接続されている。フリップフロップ34は反転信号
を記憶し異常信号LDOVER2を持続的に出力端子Qに出力
する。
The abnormality detection circuit includes a comparator 33 forming a comparison circuit and an RS flip-flop 34 forming a latch circuit. The monitor signal is input to the positive input terminal of the comparator 33, and the upper limit signal is input to the negative input terminal via the resistor 35. The comparator 33 outputs the inverted signal LDOVER1 when the monitor signal exceeds the upper limit signal. The set terminal of the RS flip-flop 34 is connected to the output terminal of the comparator 33. The flip-flop 34 stores the inverted signal and continuously outputs the abnormal signal LDOVER2 to the output terminal Q.

最後にチェック回路は切換回路とリセット回路とから
構成されている。切換回路はチェック信号LDCHKに応じ
て上限信号の大きさを基準信号の大きさ以下に切換保持
し、疑似的に異常信号LDOVER2を出力させる事により異
常検出回路の動作を確認する。又リセット回路はチェッ
ク信号LDCHKの解除に応じてフリップフロップ34をリセ
ットし疑似的に出力された異常信号LDOVER2を解除す
る。切換回路は、切換トランジスタ37と抵抗36,38及び3
9とから構成されている。切換トランジスタ37のベース
端子にはバイアス抵抗38を介してチェック信号LDCHKが
入力される様になっており、コレクタ端子は分圧抵抗36
を介してコンパレータ33の負入力端子に接続されてお
り、エミッタ端子は接地されている。リセット回路はチ
ェック信号LDCHKの立下りに応答してパルスを形成する
為の微分回路及び形成されたパルスを反転させてリセッ
トパルス信号を出力するインバータとから構成されてい
る。微分回路はコンデンサ40及び直列に接続された抵抗
41,42及び43とから構成されている。インバータはトラ
ンジスタ44と抵抗45とから構成されている。トランジス
タ44のベース端子は微分回路の出力端子に接続されてお
り、コレクタ端子はフリップフロップ34のリセット端子
Rに接続されており、エミッタ端子は接地されている。
Finally, the check circuit comprises a switching circuit and a reset circuit. The switching circuit switches the magnitude of the upper limit signal to the magnitude of the reference signal or less according to the check signal LDCHK, and confirms the operation of the abnormality detection circuit by pseudo-outputting the abnormality signal LDOVER2. Further, the reset circuit resets the flip-flop 34 in response to the release of the check signal LDCHK, and releases the abnormal signal LDOVER2 that has been pseudo-output. The switching circuit comprises a switching transistor 37 and resistors 36, 38 and 3
It consists of nine. The check signal LDCHK is input to the base terminal of the switching transistor 37 via the bias resistor 38, and the collector terminal is connected to the voltage dividing resistor 36.
Is connected to the negative input terminal of the comparator 33, and the emitter terminal is grounded. The reset circuit includes a differentiating circuit for forming a pulse in response to the falling of the check signal LDCHK, and an inverter for inverting the formed pulse and outputting a reset pulse signal. The differentiating circuit is a capacitor 40 and a resistor connected in series.
41, 42 and 43. The inverter includes a transistor 44 and a resistor 45. The base terminal of the transistor 44 is connected to the output terminal of the differentiating circuit, the collector terminal is connected to the reset terminal R of the flip-flop 34, and the emitter terminal is grounded.

最後に強制消灯回路は二入力アンドゲート24から構成
されている。一方の反転入力端子には点灯信号▲
▼が入力される様になっており、他方の反転入力端子
には異常信号LDOVER2が入力される様になっており、反
転出力端子はアナログスイッチ7に接続されている。
Finally, the forcible light-off circuit comprises a two-input AND gate 24. Lighting signal ▲
▼ is input, and an abnormal signal LDOVER2 is input to the other inverted input terminal, and the inverted output terminal is connected to the analog switch 7.

次に第2図に示す半導体レーザ駆動回路の動作を詳細
に説明する。まず、第3図Aを参照して自動光量制御機
構の動作を説明する。点灯信号▲▼が高レベル
(以下Hレベルと表記する)から低レベル(以下Lレベ
ルと表記する)に変化すると、アンドゲート24の出力端
子がLレベルとなりアナログスイッチ7が非導通状態と
なる。この結果、制御回路及び電力回路が動作を始めレ
ーザダイオード1aが発光し始める。レーザビーム光量に
比例した電流信号がフォトダイオード1bに発生する。こ
の電流信号は電流電圧変換抵抗2により電圧に変換さ
れ、さらに差動増幅器3でインピーダンスを変換された
後モニタ信号として出力される。レーザダイオード1aの
点灯とともに電流信号は増大し始めるのでモニタ信号も
立上がる。積分抵抗4、差動増幅器5及び積分コンデン
サ6により積分器が形成されているので、差動増幅器5
の正入力端子に印加されている基準電圧Vrefとモニタ信
号の電圧の差により積分コンデンサ6が充放電され、差
動増幅器5の出力電圧がこの差分に応じて決まる。差動
増幅器5の出力電圧を分圧抵抗8及び9で分圧し、トラ
ンジスタ10及び抵抗11により電流変換し駆動電流をレー
ザダイオード1aに供給して駆動している。この駆動電流
は基準電圧Vrefとモニタ信号の電圧との間の差分を打消
す様に供給されるので、定常状態においてはモニタ信号
の電圧レベルは図示する様に基準電圧レベルと等しくな
り周囲温度あるいはレーザダイオード1aの多少の劣化に
係わらず一定のレーザビーム光量を得る事ができる。次
に、点灯信号▲▼をLレベルからHレベルに切
換えレーザダイオードの消灯を指示すると、アンドゲー
ト24の反転出力端子はHレベルとなりアナログスイッチ
7は導通状態になる。この結果積分コンデンサ6に蓄積
されていた電荷は放電され差動増幅器5の出力電圧は基
準電圧と等しくなる。この出力電圧を分圧抵抗8及び9
で分圧すると駆動トランジスタ10が導通しない状態にな
る様に分圧抵抗8及び9の抵抗値が設定されている為、
レーザダイオード1aは消灯される。
Next, the operation of the semiconductor laser drive circuit shown in FIG. 2 will be described in detail. First, the operation of the automatic light amount control mechanism will be described with reference to FIG. 3A. When the lighting signal ▼ changes from a high level (hereinafter referred to as H level) to a low level (hereinafter referred to as L level), the output terminal of the AND gate 24 becomes L level, and the analog switch 7 is turned off. As a result, the control circuit and the power circuit start operating, and the laser diode 1a starts emitting light. A current signal proportional to the amount of laser beam is generated in the photodiode 1b. This current signal is converted into a voltage by the current-voltage conversion resistor 2, and the impedance is converted by the differential amplifier 3 before being output as a monitor signal. Since the current signal starts to increase with the turning on of the laser diode 1a, the monitor signal also rises. Since the integrating resistor 4, the differential amplifier 5 and the integrating capacitor 6 form an integrator, the differential amplifier 5
The integration capacitor 6 is charged and discharged by the difference between the reference voltage Vref applied to the positive input terminal and the voltage of the monitor signal, and the output voltage of the differential amplifier 5 is determined according to this difference. The output voltage of the differential amplifier 5 is divided by the voltage dividing resistors 8 and 9, the current is converted by the transistor 10 and the resistor 11, and the driving current is supplied to the laser diode 1 a for driving. Since this drive current is supplied so as to cancel the difference between the reference voltage Vref and the voltage of the monitor signal, in a steady state, the voltage level of the monitor signal becomes equal to the reference voltage level as shown in FIG. Alternatively, a constant amount of laser beam can be obtained irrespective of some deterioration of the laser diode 1a. Next, when the lighting signal 信号 is switched from the L level to the H level to instruct the laser diode to be turned off, the inverted output terminal of the AND gate 24 becomes the H level, and the analog switch 7 becomes conductive. As a result, the electric charge stored in the integrating capacitor 6 is discharged, and the output voltage of the differential amplifier 5 becomes equal to the reference voltage. This output voltage is divided by the voltage dividing resistors 8 and 9
Since the resistance values of the voltage-dividing resistors 8 and 9 are set so that the driving transistor 10 does not conduct when the voltage is divided by
The laser diode 1a is turned off.

次に同じく第3図Aを参照して異常検出回路の動作を
説明する。前述した様に、定常状態において自動光量制
御機構が正常に動作している時にはモニタ信号の電圧レ
ベルは基準電圧レベルに保持されている。コンパレータ
33の正入力端子には定常状態において基準電圧レベルに
保持されたモニタ信号が供給されており、コンパレータ
33の負入力端子には上限信号が供給されている。図示す
る様に、この上限信号の有する上限電圧レベルは基準電
圧レベルに対して高く設定されており、正常時において
モニタ信号が越える事のないレベルに設定されている。
今、仮に自動光量制御機構の異常によりレーザダイオー
ド1aの過大発光が生じた場合、又は光量モニタ用フォト
ダイオード1bの短絡異常が生じた場合、モニタ信号の電
圧レベルが上昇する。モニタ信号の電圧レベルが上限電
圧レベルを越える事により、コンパレータ33の出力端子
に現われる反転信号LDOVER1はLレベルからHレベルに
反転する。一瞬でもHレベルになるとフリップフロップ
34が反転し、フリップフロップ34の出力端子Qに現われ
る異常信号LDOVER2はLレベルからHレベルになり異常
状態の発生を周辺の上位機器や下位機器あるいはオペレ
ータに警告する。同時に、異常信号LDOVER2がHレベル
になるとアンドゲート24が遮断され点灯信号▲
▼の状態に係わらずアナログスイッチ7は導通状態に置
かれ自動光量制御機構の動作は停止しレーザダイオード
1aは強制的に消灯される。
Next, the operation of the abnormality detection circuit will be described with reference to FIG. 3A. As described above, the voltage level of the monitor signal is held at the reference voltage level when the automatic light amount control mechanism is operating normally in the steady state. comparator
The monitor signal held at the reference voltage level in the steady state is supplied to the positive input terminal of the
The upper limit signal is supplied to the negative input terminal of 33. As shown in the figure, the upper limit voltage level of the upper limit signal is set higher than the reference voltage level, and is set to a level that the monitor signal does not exceed in a normal state.
If an excessive light emission of the laser diode 1a occurs due to an abnormality of the automatic light amount control mechanism or a short circuit abnormality of the light amount monitoring photodiode 1b occurs, the voltage level of the monitor signal increases. When the voltage level of the monitor signal exceeds the upper limit voltage level, the inverted signal LDOVER1 appearing at the output terminal of the comparator 33 is inverted from L level to H level. Flip-flop when H level is reached even for a moment
The signal 34 is inverted, and the abnormal signal LDOVER2 appearing at the output terminal Q of the flip-flop 34 changes from the L level to the H level to warn the peripheral upper device, lower device or operator of the occurrence of the abnormal state. At the same time, when the abnormal signal LDOVER2 becomes H level, the AND gate 24 is shut off and the lighting signal ▲
Regardless of the state of ▼, the analog switch 7 is placed in the conductive state, the operation of the automatic light amount control mechanism is stopped, and the laser diode
1a is forcibly turned off.

最後に第3図Bを参照してチェック回路の動作を説明
する。チェック信号LDCHKはチェック期間中においてL
レベルからHレベルに切換えられる。異常検出回路のチ
ェック動作は自動光量制御機構が正常に動作している状
態即ちモニタ信号が基準電圧レベルに保持されている状
態で行なわれ、レーザダイオードの点灯後行なってもよ
く、あるいはプログラミングにより定期的に行なっても
よい。チェック信号LDCHKが立上がると、切換トランジ
スタ37が導通し、設定回路中の直列抵抗26,27及び28を
流れていた電流は抵抗26,35及び36を流れる様になる。
この時、抵抗35及び36の合成抵抗値は抵抗27及び28の合
成抵抗値よりも小さく設定されている為、上限電圧レベ
ルは基準電圧レベルを下回って切換えられる事になる。
この結果、基準電圧レベルに保持されていたモニタ信号
の電圧レベルは切換えられた上限電圧レベルを上回る事
となり疑似的に異常状態が出現する。この結果、コンパ
レータ33の出力レベルは反転し、反転信号LDOVER1はL
レベルからHレベルに変化する。この変化に応じてフリ
ップフロップ34が反転する為異常信号LDOVER2もLレベ
ルからHレベルに反転する。この異常信号LDOVER2の反
転を確認する事により、異常検出回路が正常に動作する
事が分かる。前述した様に、異常信号LDOVER2がHレベ
ルになるとレーザダイオード1aの強制消灯が行なわれ
る。この結果、モニタ信号の電圧レベルに直ちに0レベ
ルに降下する。この為、モニタ信号の電圧レベルは一次
的に切換えられた上限電圧レベルを下回る事となり、コ
ンパレータ33の出力端子に現われる反転信号LDOVER1は
Lレベルに復帰する。しかしながら、フリップフロップ
34の作用により、異常信号LDOVER2は引続きHレベルに
記憶されている。チェック期間が終了し、チェック信号
LDCHKがHレベルからLレベルに復帰すると、リセット
回路が動作しフリップフロップ34をリセットする。この
結果、異常信号LDOVER2もLレベルに復帰し通常の動作
状態に移行する。
Finally, the operation of the check circuit will be described with reference to FIG. 3B. The check signal LDCHK is L during the check period.
The level is switched from the level to the H level. The check operation of the abnormality detection circuit is performed in a state where the automatic light amount control mechanism is operating normally, that is, in a state where the monitor signal is held at the reference voltage level, and may be performed after the laser diode is turned on, or may be periodically performed by programming. It may be performed in a specific manner. When the check signal LDCHK rises, the switching transistor 37 conducts, and the current flowing through the series resistors 26, 27 and 28 in the setting circuit flows through the resistors 26, 35 and 36.
At this time, since the combined resistance value of the resistors 35 and 36 is set smaller than the combined resistance value of the resistors 27 and 28, the upper limit voltage level is switched below the reference voltage level.
As a result, the voltage level of the monitor signal held at the reference voltage level exceeds the switched upper limit voltage level, and a pseudo abnormal state appears. As a result, the output level of the comparator 33 is inverted, and the inverted signal LDOVER1 becomes L
The level changes from the level to the H level. Since the flip-flop 34 is inverted according to this change, the abnormal signal LDOVER2 is also inverted from L level to H level. By confirming the inversion of the abnormality signal LDOVER2, it can be understood that the abnormality detection circuit operates normally. As described above, when the abnormal signal LDOVER2 becomes H level, the laser diode 1a is forcibly turned off. As a result, the voltage immediately drops to the voltage level of the monitor signal. As a result, the voltage level of the monitor signal falls below the temporarily switched upper limit voltage level, and the inverted signal LDOVER1 appearing at the output terminal of the comparator 33 returns to the L level. However, flip-flops
By the operation of 34, the abnormal signal LDOVER2 is continuously stored at the H level. Check period ends, check signal
When LDCHK returns from the H level to the L level, the reset circuit operates to reset the flip-flop. As a result, the abnormal signal LDOVER2 also returns to the L level and shifts to a normal operation state.

最後にチェック回路を利用した異常検出回路の不良解
析プログラムを第4図を参照して説明する。チェック動
作をスタートさせると、まず点灯信号▲▼がL
レベルとなりレーザダイオード(以下LDと表記する)が
点灯する。LDの発光が定常状態に至るまで遅延させた
後、チェック信号LDCHKをHレベルに切換え、フリップ
フロップ34をセットする。この時、異常信号LDOVER2の
電圧レベルをチェックする。Lレベルに止まっている時
にはさらに反転信号LDOVER1の電圧レベルをチェックす
る。その結果、反転信号LDOVER1がHレベルにある時は
フリップフロップ34が不良であると判断される。逆にL
レベルにある時はコンパレータ33が不良であるか、ある
いはLDが発光していないと判断される。他方、異常信号
LDOVER2がHレベルにある時はLDが強制消灯される。所
定の遅延時間を経過した後、反転信号LDOVER1の電圧レ
ベルをチェックする。Hレベルにある時は強制消灯が実
行されておらずアンドゲート24が不良であると判断され
る。一方反転信号LDOVER1がLレベルに復帰している時
は、引続いてチェック信号LDCHKをLレベルに復帰させ
る。この結果、フリップフロップ34はリセットされる。
続いて、異常信号LDOVER2の電圧レベルをチェックす
る。Hレベルに止まっている時はフリップフロップ34が
不良であるか又はリセット回路が不良であると判断され
る。一方、Lレベルに復帰した時は強制消灯が解除され
LDは再び点灯する。最後に、点灯信号▲▼をH
レベルとしLDを通常の動作により消灯させチェック動作
を終了する。
Finally, a failure analysis program for an abnormality detection circuit using a check circuit will be described with reference to FIG. When the check operation is started, first, the lighting signal ▲ ▼ becomes L
Level, and the laser diode (hereinafter referred to as LD) lights up. After the light emission of the LD is delayed until reaching the steady state, the check signal LDCHK is switched to the H level, and the flip-flop 34 is set. At this time, the voltage level of the abnormal signal LDOVER2 is checked. When the signal remains at the L level, the voltage level of the inverted signal LDOVER1 is further checked. As a result, when the inverted signal LDOVER1 is at the H level, it is determined that the flip-flop 34 is defective. Conversely, L
When the level is at the level, it is determined that the comparator 33 is defective or the LD does not emit light. On the other hand, abnormal signal
When LDOVER2 is at H level, LD is forcibly turned off. After a lapse of a predetermined delay time, the voltage level of the inverted signal LDOVER1 is checked. When the level is at the H level, it is determined that the forced turn-off is not performed and the AND gate 24 is defective. On the other hand, when the inverted signal LDOVER1 has returned to the L level, the check signal LDCHK is subsequently returned to the L level. As a result, the flip-flop 34 is reset.
Subsequently, the voltage level of the abnormal signal LDOVER2 is checked. When the level remains at the H level, it is determined that the flip-flop 34 is defective or the reset circuit is defective. On the other hand, when returning to the L level, the forcible light is released.
LD turns on again. Finally, change the lighting signal ▲ ▼ to H
The level is set to the level, the LD is turned off by normal operation, and the check operation is completed.

第5図は第2図に示す半導体レーザ駆動回路を内蔵す
るレーザ光源を利用したバーコードリーダの模式的断面
図である。バーコードリーダはケーシング51を有する。
ケーシング51にはレーザ光源52が内蔵されている。点灯
信号の投入により自動光量制御機構が正常に動作する
と、一定光量のレーザビームが放射される。このレーザ
ビームはスキャンモータ53により回転されているポリゴ
ンミラー54により走査的に反射され反射ミラー55を介し
て物品の表面に付されたバーコード56を横切る様に照射
する。バーコード56から逆進された光は反射ミラー55及
びポリゴンミラー54を介して集光レンズ57により集光さ
れ、さらに別の反射ミラー58を介して受光センサ59によ
り受光される。受光光量の強度分布を解析する事により
バーコード56を読取る事ができる。かかるバーコードリ
ーダにおいて、レーザ光源52に内蔵されている自動光量
制御機構に異常が発生したりモニタ用フォトダイオード
に短絡異常が発生した場合には、直ちに異常検出回路が
動作し、レーザダイオードを強制的に消灯し過大発光に
よる事故を未然に防止している。又、この異常検出回路
はチェック回路によって定期的にその動作確認が行なわ
れている為、半導体レーザ駆動回路に異常が発生した場
合には、常に間違いなく異常検出動作を行なう事ができ
る。
FIG. 5 is a schematic sectional view of a bar code reader using a laser light source incorporating the semiconductor laser drive circuit shown in FIG. The bar code reader has a casing 51.
A laser light source 52 is built in the casing 51. When the automatic light amount control mechanism operates normally by inputting a lighting signal, a laser beam with a constant light amount is emitted. The laser beam is reflected by the polygon mirror 54 rotated by the scan motor 53 in a scanning manner, and is irradiated via the reflection mirror 55 so as to cross a bar code 56 attached to the surface of the article. The light reversed from the barcode 56 is condensed by a condenser lens 57 via a reflection mirror 55 and a polygon mirror 54, and received by a light receiving sensor 59 via another reflection mirror 58. The bar code 56 can be read by analyzing the intensity distribution of the received light amount. In such a barcode reader, if an abnormality occurs in the automatic light amount control mechanism built in the laser light source 52 or a short circuit abnormality occurs in the monitoring photodiode, the abnormality detection circuit immediately operates to forcibly activate the laser diode. The lights are turned off to prevent accidents caused by excessive light emission. In addition, since the operation of this abnormality detection circuit is periodically checked by the check circuit, when an abnormality occurs in the semiconductor laser drive circuit, the abnormality detection operation can always be performed without fail.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

以上説明した様に、本発明によれば、半導体レーザ駆
動回路において自動光量制御機構あるいはモニタ用フォ
トダイオードに異常が発生した時は直ちに異常検出動作
が行なわれ半導体レーザの過大発光が未然に防止できる
という効果がある。さらに、半導体レーザを過大発光さ
せる事なく安全に疑似的異常状態を作り出し、異常検出
回路の動作確認を定期的に行なう事ができる為、半導体
レーザ駆動回路の異常状態を確実に検出する事ができ安
全性が著しく向上するという効果がある。
As described above, according to the present invention, when an abnormality occurs in the automatic light amount control mechanism or the monitoring photodiode in the semiconductor laser drive circuit, the abnormality detection operation is immediately performed, and excessive emission of the semiconductor laser can be prevented beforehand. This has the effect. Furthermore, a pseudo abnormal state can be safely created without excessive emission of the semiconductor laser, and the operation of the abnormality detection circuit can be periodically checked, so that the abnormal state of the semiconductor laser drive circuit can be reliably detected. This has the effect of significantly improving safety.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図は半導体レーザ駆動回路の構成図、第2図は半導
体レーザ駆動回路の詳細回路図、第3図Aは半導体レー
ザ駆動回路の動作タイミングチャート、第3図Bは半導
体レーザ駆動回路のチェックタイミグチャート、第4図
は半導体レーザ駆動回路のチェックフローチャート、及
び第5図は半導体レーザ駆動回路を利用したバーコード
リーダの模式的断面図である。 1……レーザパッケージ 1a……レーザダイオード 1b……フォトダイオード 2……電流電圧変換抵抗、3……差動増幅器 4……積分抵抗、5……差動増幅器 6……積分コンデサ 7……アナログスイッチ 10……駆動トランジスタ、24……アンドゲート 26,27及び28……分圧抵抗、33……コンパレータ 34……RSフリップフロップ 35,36……分圧抵抗 37……切換えトランジスタ、101……モニタ回路 102……制御回路、103……電力回路 104……設定回路、105……異常検出回路 106……チェック回路
1 is a configuration diagram of a semiconductor laser drive circuit, FIG. 2 is a detailed circuit diagram of the semiconductor laser drive circuit, FIG. 3A is an operation timing chart of the semiconductor laser drive circuit, and FIG. 3B is a check of the semiconductor laser drive circuit. FIG. 4 is a check flowchart of the semiconductor laser drive circuit, and FIG. 5 is a schematic sectional view of a bar code reader using the semiconductor laser drive circuit. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Laser package 1a ... Laser diode 1b ...... Photodiode 2 ...... Current-voltage conversion resistance 3 ... Differential amplifier 4 ... Integration resistance 5 ... Differential amplifier 6 ... Integration capacitor 7 ... Analog Switch 10: Driving transistor, 24: AND gate 26, 27 and 28: Dividing resistor, 33: Comparator 34: RS flip-flop 35, 36 ... Dividing resistor 37: Switching transistor, 101 ... Monitor circuit 102: Control circuit 103: Power circuit 104: Setting circuit 105: Abnormality detection circuit 106: Check circuit

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐藤 伸一 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 柏崎 朋之 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (56)参考文献 特開 昭58−140652(JP,A) 特開 昭59−177738(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H01S 3/096 H01S 3/133 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Shinichi Sato 1015 Uedanaka, Nakahara-ku, Kawasaki City, Kanagawa Prefecture Inside Fujitsu Limited (72) Inventor Tomoyuki Kashiwazaki 1015 Kamiodanaka, Nakahara-ku, Kawasaki City, Kanagawa Prefecture Fujitsu Limited ( 56) References JP-A-58-140652 (JP, A) JP-A-57-177738 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 6 , DB name) H01S 3/096 H01S 3/133

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】駆動電力に応じてレーザビームを放射する
半導体レーザと、レーザビームを光電変換し対応する電
気信号を出力する受光素子と、電気信号をモニタしレー
ザビーム光量の変動に応じたモニタ信号を出力するモニ
タ回路と、モニタ信号と所定の基準信号を比較しその差
分に応じた制御信号を出力する制御回路と、制御信号に
従って差分を打消す様に駆動電力を半導体レーザに供給
する電力回路と、基準信号より大きく且つ正常時にモニ
タ信号が超える事のない大きさを有する上限信号を設定
する設定回路と、上限信号とモニタ信号とを比較する事
により異常を検出し異常信号を出力する異常検出回路
と、半導体レーザが正常に点灯している時上限信号の大
きさを基準信号の大きさ以下に下げ疑似的に異常信号を
出力させる事により異常検出回路の動作を確認する為の
チェック回路とからなる半導体レーザ駆動回路。
1. A semiconductor laser that emits a laser beam in accordance with drive power, a photodetector that photoelectrically converts the laser beam and outputs a corresponding electric signal, and a monitor that monitors the electric signal and responds to a change in the amount of laser beam. A monitor circuit for outputting a signal, a control circuit for comparing the monitor signal with a predetermined reference signal and outputting a control signal corresponding to the difference, and a power for supplying driving power to the semiconductor laser so as to cancel the difference according to the control signal A circuit, a setting circuit for setting an upper limit signal having a magnitude larger than the reference signal and not exceeding the monitor signal in a normal state, and detecting an abnormality by comparing the upper limit signal with the monitor signal to output an abnormal signal. An abnormality detection circuit and by lowering the magnitude of the upper limit signal to less than the magnitude of the reference signal when the semiconductor laser is operating normally, and outputting a pseudo abnormal signal Semiconductor laser drive circuit consisting of a check circuit for checking the operation of the ordinary detection circuit.
【請求項2】異常信号に応答して半導体レーザを強制的
に消灯する為の強制消灯回路を含む請求項1に記載の半
導体レーザ駆動回路。
2. The semiconductor laser drive circuit according to claim 1, further comprising a forced turn-off circuit for forcibly turning off the semiconductor laser in response to the abnormal signal.
【請求項3】該異常検出回路は、上限信号に対してモニ
タ信号が上回った時反転信号を出力する比較回路と、反
転信号を記憶し異常信号を持続的に出力するラッチ回路
とを有する請求項1に記載の半導体レーザ駆動回路。
3. The abnormality detection circuit includes a comparison circuit that outputs an inverted signal when the monitor signal exceeds the upper limit signal, and a latch circuit that stores the inverted signal and continuously outputs the abnormal signal. Item 2. A semiconductor laser drive circuit according to item 1.
【請求項4】該チェック回路は、チェック信号に応じて
上限信号の大きさを基準信号の大きさ以下に切り換える
切換回路と、チェック信号の解除に応じてラッチ回路を
リセットし疑似的に出力された異常信号を解除する為の
リセット回路とを含む請求項3に記載の半導体レーザ駆
動回路。
4. A check circuit for switching the magnitude of an upper limit signal to a magnitude equal to or less than the magnitude of a reference signal in response to a check signal, and resetting a latch circuit in response to release of the check signal to output a pseudo signal. 4. The semiconductor laser drive circuit according to claim 3, further comprising a reset circuit for canceling the abnormal signal.
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