JP2890068B2 - 自由電子レーザ - Google Patents
自由電子レーザInfo
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- JP2890068B2 JP2890068B2 JP2413006A JP41300690A JP2890068B2 JP 2890068 B2 JP2890068 B2 JP 2890068B2 JP 2413006 A JP2413006 A JP 2413006A JP 41300690 A JP41300690 A JP 41300690A JP 2890068 B2 JP2890068 B2 JP 2890068B2
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- electrodes
- free electron
- undulator
- electron laser
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
- H01S3/0903—Free-electron laser
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Lasers (AREA)
- Particle Accelerators (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、自由電子レーザに関
し、特に、非常に短期間だけ極めて高い磁場を生成する
ことのできる新しいパルス・パワー・アンジュレータに
よる、高利得・単一パスの自由電子レーザ（ＦＥＬ）に
関する。
し、特に、非常に短期間だけ極めて高い磁場を生成する
ことのできる新しいパルス・パワー・アンジュレータに
よる、高利得・単一パスの自由電子レーザ（ＦＥＬ）に
関する。
【０００２】
【従来の技術】通常の気体レーザ及び固体レーザは、単
色である。即ち、それらは、それらのレーザ媒質におけ
るエネルギ遷移に対応する特定の波長のみを発生するこ
とができる。色素レーザは、狭い範囲に亘って調節され
得るが、光ポンピング用の気体レーザを必要とすると共
に、比較的低いパワー・レベルで作動し得るのみであ
る。
色である。即ち、それらは、それらのレーザ媒質におけ
るエネルギ遷移に対応する特定の波長のみを発生するこ
とができる。色素レーザは、狭い範囲に亘って調節され
得るが、光ポンピング用の気体レーザを必要とすると共
に、比較的低いパワー・レベルで作動し得るのみであ
る。
【０００３】対照的に、Madey への米国特許第３，８２
２，４１０号に記載されている自由電子レーザは、極め
て適応性の高いコヒーレント放射源を提供する。何故な
らば、自由電子レーザは、実質的にあらゆる波長に調節
され得ると共に、高いパワーで作動するからである。自
由電子レーザにおいては、高エネルギ電子（即ち、光速
度に近い速度まで加速された電子）が、レーザ媒質の原
子に結び付いたままでいるのではなく、真空を通過する
ビーム内で移動する。電子は自由であるので、それらが
放出する放射の波長は、原子の２つのエネルギ・レベル
間の許容遷移に対応する特定の波長に限定されない。高
エネルギ電子ビームが、アンジュレータとして知られて
いる磁石の集成装置によって生成される、横方向の、空
間的に周期的な磁場を通過させられる際に、放射が生成
される。アンジュレータの磁場は、電子のビームを、横
方向に、左右に曲げる。ビーム内の電子が向きをそらさ
れる度に、それは、シンクロトロン（広帯域即ちインコ
ヒーレント）放射のバーストを放出する。レーザが、発
振が互いに加え合わされるよう適切に設計されているな
らば、個々のバーストの結合は、コヒーレント放射のビ
ームを、次式によって近似的に与えられる波長で産出す
る。
２，４１０号に記載されている自由電子レーザは、極め
て適応性の高いコヒーレント放射源を提供する。何故な
らば、自由電子レーザは、実質的にあらゆる波長に調節
され得ると共に、高いパワーで作動するからである。自
由電子レーザにおいては、高エネルギ電子（即ち、光速
度に近い速度まで加速された電子）が、レーザ媒質の原
子に結び付いたままでいるのではなく、真空を通過する
ビーム内で移動する。電子は自由であるので、それらが
放出する放射の波長は、原子の２つのエネルギ・レベル
間の許容遷移に対応する特定の波長に限定されない。高
エネルギ電子ビームが、アンジュレータとして知られて
いる磁石の集成装置によって生成される、横方向の、空
間的に周期的な磁場を通過させられる際に、放射が生成
される。アンジュレータの磁場は、電子のビームを、横
方向に、左右に曲げる。ビーム内の電子が向きをそらさ
れる度に、それは、シンクロトロン（広帯域即ちインコ
ヒーレント）放射のバーストを放出する。レーザが、発
振が互いに加え合わされるよう適切に設計されているな
らば、個々のバーストの結合は、コヒーレント放射のビ
ームを、次式によって近似的に与えられる波長で産出す
る。
【０００４】 λr ＝（λ0 ／２γ2 ）（１＋ｋ2 ／２＋γ2 θ2 ） （１） ここで、 λr は、コヒーレント光の波長（ｃｍ）、 λ0 は、アンジュレータ周期、即ち反対の極性の隣接す
る磁石の間の距離（ｃｍ）、 γは、電子エネルギ／静止質量エネルギ、及び ｋは、次式によって定義されるパラメータである。 ｋ＝ｅＢλ0 ／πｍｃ2 ＝０．９３４Ｂλ0 （２） ここで、 Ｂは、磁場のｒｍｓ（テスラ）である。
る磁石の間の距離（ｃｍ）、 γは、電子エネルギ／静止質量エネルギ、及び ｋは、次式によって定義されるパラメータである。 ｋ＝ｅＢλ0 ／πｍｃ2 ＝０．９３４Ｂλ0 （２） ここで、 Ｂは、磁場のｒｍｓ（テスラ）である。
【０００５】上式（１）から判るように、自由電子レー
ザの出力波長は、電子エネルギ（γに比例）を変化させ
ることによって調節され得る。短波長レージング（スペ
クトルがＸ線領域）に対しては、自由電子レーザは、極
めて高い、１ＧｅＶのオーダの電子エネルギを必要とす
る。自由電子レーザのサイズも問題である。何故なら
ば、磁石の隣接する極の間の距離が、式（２）によって
制限されるからである。ｋはＢλ0 に比例し、且つｋ≒
１が望ましいので、もしλ0 （磁石の隣接するＮ極とＳ
極との間の距離）が１０分の１に減少させられるなら
ば、Ｂは１０倍に増大させられなければならず、そし
て、１０テスラは、通常の磁石（１００個のオーダの直
列の磁極を必要とする）では非現実的である。
ザの出力波長は、電子エネルギ（γに比例）を変化させ
ることによって調節され得る。短波長レージング（スペ
クトルがＸ線領域）に対しては、自由電子レーザは、極
めて高い、１ＧｅＶのオーダの電子エネルギを必要とす
る。自由電子レーザのサイズも問題である。何故なら
ば、磁石の隣接する極の間の距離が、式（２）によって
制限されるからである。ｋはＢλ0 に比例し、且つｋ≒
１が望ましいので、もしλ0 （磁石の隣接するＮ極とＳ
極との間の距離）が１０分の１に減少させられるなら
ば、Ｂは１０倍に増大させられなければならず、そし
て、１０テスラは、通常の磁石（１００個のオーダの直
列の磁極を必要とする）では非現実的である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】必要な磁場強度及び電
子ビーム放射力を得ることの難しさに加えて、装置の利
得が、スペクトルの短波長（＜１０００オングストロー
ム）領域における放出に関して問題となる。もし単一パ
ス利得が１未満であるならば、レージング（光増幅）を
得るべく、光子ビームを軸方向で前後にアンジュレータ
を通過させることが必要になる。これは、通常の自由電
子レーザにおいては、アンジュレータ構造部材の対向し
た端部における鏡によって達成される。しかしながら、
Ｘ線を反射することのできる鏡は存在しない。解決法
は、レーザを、アンジュレータを通過する単一パスで結
果的に光増幅を生ずるところの超放射状態にすることで
ある。例えば、R. Bonifacio及び F. Casagrande著 "Th
e Superradiant Regime of a Free Electron Laser "、
Nuclear Instruments and Methods in Physics Researc
h、第Ａ２３９巻、第３６〜４２頁（１９８５年）参
照。
子ビーム放射力を得ることの難しさに加えて、装置の利
得が、スペクトルの短波長（＜１０００オングストロー
ム）領域における放出に関して問題となる。もし単一パ
ス利得が１未満であるならば、レージング（光増幅）を
得るべく、光子ビームを軸方向で前後にアンジュレータ
を通過させることが必要になる。これは、通常の自由電
子レーザにおいては、アンジュレータ構造部材の対向し
た端部における鏡によって達成される。しかしながら、
Ｘ線を反射することのできる鏡は存在しない。解決法
は、レーザを、アンジュレータを通過する単一パスで結
果的に光増幅を生ずるところの超放射状態にすることで
ある。例えば、R. Bonifacio及び F. Casagrande著 "Th
e Superradiant Regime of a Free Electron Laser "、
Nuclear Instruments and Methods in Physics Researc
h、第Ａ２３９巻、第３６〜４２頁（１９８５年）参
照。
【０００７】超放射を得るには、電子ビームは、非常に
濃密でなければならず（即ち、極めて高いブリリアンス
を有し、且つ低いエミッタンスでなければならない）、
そして、磁場強度は、非常に短期間だけ非常に強くなけ
ればならない。
濃密でなければならず（即ち、極めて高いブリリアンス
を有し、且つ低いエミッタンスでなければならない）、
そして、磁場強度は、非常に短期間だけ非常に強くなけ
ればならない。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明に係る自由電子レ
ーザは、短波長レージングと結び付いている上記問題点
を解決すべく設計された新規な構造を有している。特
に、本発明に係る自由電子レーザは、３つの基本的な要
素からなっている。 １）高ブリリアンス電子源／インジェクタ、 ２）電子ビームに高エネルギを与える線形加速器（ライ
ナック）、及び ３）短期間だけ極めて高い磁場（数テスラ）をもたらし
得るアンジュレータ。
ーザは、短波長レージングと結び付いている上記問題点
を解決すべく設計された新規な構造を有している。特
に、本発明に係る自由電子レーザは、３つの基本的な要
素からなっている。 １）高ブリリアンス電子源／インジェクタ、 ２）電子ビームに高エネルギを与える線形加速器（ライ
ナック）、及び ３）短期間だけ極めて高い磁場（数テスラ）をもたらし
得るアンジュレータ。
【０００９】電子注入源は、ライナック自身の最初の伝
送線路、又は高速サーキュラ・スイッチによって駆動さ
れるラジアル線路変成器である。
送線路、又は高速サーキュラ・スイッチによって駆動さ
れるラジアル線路変成器である。
【００１０】ライナックは、１９９０年１月９日に特許
された米国特許第４，８９３，０８９号に開示されてい
る構造を有しており、この構造においては、複数の加速
間隙が直列に配設されている。複数の伝送線路であっ
て、各々が個々の間隙を提供するものに沿って同時に伝
播するところの単一パルスのエネルギを放出即ちスイッ
チングすることにより、それらの間隙は、次から次へと
付勢される。伝送線路は、長さにおいて漸増し、もっ
て、加速された粒子集群が間隙を通過する際、パルス・
パワーが、各間隙に存在する。
された米国特許第４，８９３，０８９号に開示されてい
る構造を有しており、この構造においては、複数の加速
間隙が直列に配設されている。複数の伝送線路であっ
て、各々が個々の間隙を提供するものに沿って同時に伝
播するところの単一パルスのエネルギを放出即ちスイッ
チングすることにより、それらの間隙は、次から次へと
付勢される。伝送線路は、長さにおいて漸増し、もっ
て、加速された粒子集群が間隙を通過する際、パルス・
パワーが、各間隙に存在する。
【００１１】本発明に係るアンジュレータは、伝送線路
の端部が、開放されているのではなく、実質的に短絡さ
れているということを除いて、ライナックと同様な基本
構造を有しており、電場を磁場に変換する。“短絡回
路”は、完全ではなく、むしろ小さい抵抗を有すべく設
計されており、これにより、僅かな電場が残留する。こ
の電場は、ビームがアンジュレータの各間隙を横切る際
に、放射の形でビームによって失われたエネルギを補償
する。
の端部が、開放されているのではなく、実質的に短絡さ
れているということを除いて、ライナックと同様な基本
構造を有しており、電場を磁場に変換する。“短絡回
路”は、完全ではなく、むしろ小さい抵抗を有すべく設
計されており、これにより、僅かな電場が残留する。こ
の電場は、ビームがアンジュレータの各間隙を横切る際
に、放射の形でビームによって失われたエネルギを補償
する。
【００１２】
【実施例】以下、添付図面を参照して本発明の実施例に
ついて説明する。図面、特に図１及び図２を参照する
に、自由電子レーザ１０は、インジェクタ２０、線形加
速器即ちライナック３０及びアンジュレータ４０からな
っている。
ついて説明する。図面、特に図１及び図２を参照する
に、自由電子レーザ１０は、インジェクタ２０、線形加
速器即ちライナック３０及びアンジュレータ４０からな
っている。
【００１３】インジェクタ２０は、図２に示されている
ラジアル線路変成器（ＲＬＴ）、又は、より好適に、図
３に示されているライナック３０の第１段である。図３
に示されている実施例においては、電子は、プレート２
２とプレート２４との間の電場のパルスにより、参照符
号２１で指示されている領域から抽出される。抽出され
た電子は、プレート２４内のアパーチャ２８を通過し、
ライナック３０の加速構造部材に入る。
ラジアル線路変成器（ＲＬＴ）、又は、より好適に、図
３に示されているライナック３０の第１段である。図３
に示されている実施例においては、電子は、プレート２
２とプレート２４との間の電場のパルスにより、参照符
号２１で指示されている領域から抽出される。抽出され
た電子は、プレート２４内のアパーチャ２８を通過し、
ライナック３０の加速構造部材に入る。
【００１４】インジェクタ２０に印加されるパルスは、
ブルームライン(Blumlein)型スイッチ（後述）により、
数十ピコ秒のオーダの立上がり時間で好適にもたらされ
る。利得を更に増大させ、且つ、電場放出電流に起因す
る、振幅及びパルス形状のゆらぎを除去するため、イン
ジェクタ２０は、高誘電率材料２３（例えば、サファイ
ア、水晶、あるいは他の高周波・低損失プラスチック誘
電体）を充填されている。
ブルームライン(Blumlein)型スイッチ（後述）により、
数十ピコ秒のオーダの立上がり時間で好適にもたらされ
る。利得を更に増大させ、且つ、電場放出電流に起因す
る、振幅及びパルス形状のゆらぎを除去するため、イン
ジェクタ２０は、高誘電率材料２３（例えば、サファイ
ア、水晶、あるいは他の高周波・低損失プラスチック誘
電体）を充填されている。
【００１５】本発明に係る上述のインジェクタは、陽極
／陰極間隙に印加される非常に大きい電場により、極め
て高いブリリアンス且つ低いエミッタンスの電子源を提
供する。上述のように、低エミッタンス且つ高ブリリア
ンスは、短波長超放射にとって必要である。最短の波長
は、電子ビームのエミッタンスのオーダであり、そし
て、単一パスにおける高利得は、高電流密度によっての
み可能である。
／陰極間隙に印加される非常に大きい電場により、極め
て高いブリリアンス且つ低いエミッタンスの電子源を提
供する。上述のように、低エミッタンス且つ高ブリリア
ンスは、短波長超放射にとって必要である。最短の波長
は、電子ビームのエミッタンスのオーダであり、そし
て、単一パスにおける高利得は、高電流密度によっての
み可能である。
【００１６】インジェクタ２０から抽出された電子集群
は、３ＭｅＶのオーダのエネルギでインジェクタ２０を
離れる。しかしながら、短波長レージングのためには、
自由電子レーザは、数百ＭｅＶから１ＧｅＶまでのオー
ダの電子エネルギを必要とする。従って、電子集群にエ
ネルギを加えることが必要であり、これはライナック３
０によって達成される。
は、３ＭｅＶのオーダのエネルギでインジェクタ２０を
離れる。しかしながら、短波長レージングのためには、
自由電子レーザは、数百ＭｅＶから１ＧｅＶまでのオー
ダの電子エネルギを必要とする。従って、電子集群にエ
ネルギを加えることが必要であり、これはライナック３
０によって達成される。
【００１７】図４は、多素子ライナック３０の１つの素
子を示している。なお、多素子ライナックは、米国特許
第４，８９３，０８９号（１９８８年９月１４日出願の
米国特許出願第２４４，１２１号）、及びF. Villa 著
“A New Switched Power Linac Structure ”、ＳＬＡ
Ｃ−ＰＵＢ−４８９４（１９８９年３月）に記載されて
おり、これらの開示は、引用によって本明細書中に組み
入れられている。手短に言えば、ライナック３０は、直
列に配列されている複数の加速間隙を備えている。複数
の伝送線路であって、各々が個々の間隙を提供するもの
に沿って同時に伝播するところの単一パルスのエネルギ
を放出即ちスイッチングすることにより、それらの間隙
は、次から次へと付勢される。伝送線路は長さ方向に累
進的にされており、加速器電子集群が通過する各間隙に
パワー・パルスが存在する。
子を示している。なお、多素子ライナックは、米国特許
第４，８９３，０８９号（１９８８年９月１４日出願の
米国特許出願第２４４，１２１号）、及びF. Villa 著
“A New Switched Power Linac Structure ”、ＳＬＡ
Ｃ−ＰＵＢ−４８９４（１９８９年３月）に記載されて
おり、これらの開示は、引用によって本明細書中に組み
入れられている。手短に言えば、ライナック３０は、直
列に配列されている複数の加速間隙を備えている。複数
の伝送線路であって、各々が個々の間隙を提供するもの
に沿って同時に伝播するところの単一パルスのエネルギ
を放出即ちスイッチングすることにより、それらの間隙
は、次から次へと付勢される。伝送線路は長さ方向に累
進的にされており、加速器電子集群が通過する各間隙に
パワー・パルスが存在する。
【００１８】より具体的には、図４のライナック３０
は、離隔した平行なプレート３１，３２を備えており、
それらは、それらの縦方向の中間領域が縦方向に裂かれ
て、狭いストリップ即ちリボン３１−１〜３２−５を形
成されており、これらのリボンは曲折され、プレート３
１，３２の曲折されていない部分が配列させられている
面に直角な面内に、それらは配列させられている（ある
いは、加速器は、１９９０年１２月４日に特許された米
国特許第４，９７５，９１７号（米国特許出願第４６
１，０５９号）に記載されている“捩れのない”構造を
有していてもよい）。リボン３１−１〜３２−５の各々
の中心にはアパーチャ３３が存在し、このアパーチャを
貫通してほぼ直線の粒子路即ち加速路３９が延在してい
る。ライナック３０にパワーを注入する手段は、電荷蓄
積プレート３４及びノーマルオープンのスイッチ３５に
よって概略的に図示されている。電荷蓄積プレート３４
は、パワー入力領域３６における伝送線路プレート３
１，３２間に配置されている。ライナック３０用のイン
ジェクタは、図４の左側と、図３におけるライナック３
０の２つの右側のユニットに図示されている。スイッチ
３５は、図４の左上隅にのみに象徴的に示されている。
実際の構造においては、スイッチは、中央の電極即ち電
荷蓄積プレート３４に沿い、同じ形をしている。
は、離隔した平行なプレート３１，３２を備えており、
それらは、それらの縦方向の中間領域が縦方向に裂かれ
て、狭いストリップ即ちリボン３１−１〜３２−５を形
成されており、これらのリボンは曲折され、プレート３
１，３２の曲折されていない部分が配列させられている
面に直角な面内に、それらは配列させられている（ある
いは、加速器は、１９９０年１２月４日に特許された米
国特許第４，９７５，９１７号（米国特許出願第４６
１，０５９号）に記載されている“捩れのない”構造を
有していてもよい）。リボン３１−１〜３２−５の各々
の中心にはアパーチャ３３が存在し、このアパーチャを
貫通してほぼ直線の粒子路即ち加速路３９が延在してい
る。ライナック３０にパワーを注入する手段は、電荷蓄
積プレート３４及びノーマルオープンのスイッチ３５に
よって概略的に図示されている。電荷蓄積プレート３４
は、パワー入力領域３６における伝送線路プレート３
１，３２間に配置されている。ライナック３０用のイン
ジェクタは、図４の左側と、図３におけるライナック３
０の２つの右側のユニットに図示されている。スイッチ
３５は、図４の左上隅にのみに象徴的に示されている。
実際の構造においては、スイッチは、中央の電極即ち電
荷蓄積プレート３４に沿い、同じ形をしている。
【００１９】ライナック３０のアパーチャ３３と破線Ａ
−Ａ′との間の部分においては、リボン３１−１〜３２
−５を形成すべくプレート３１，３２に切り込まれてい
るスリットは、破線Ａ−Ａ′で始まり、この破線は、そ
れぞれのプレート３１、３２の端縁３１−６，３２−６
に対して非平行である。このことは、パワー入力領域３
６において注入されるパワー・パルスがリボン３１−
５，３２−５に到達するのに、それがリボン３１−１，
３２−１に到達するときよりもより長い時間がかかると
いうことを意味する。従って、加速エネルギは、リボン
３１−５及び３２−５の間の粒子路即ち加速路３９の区
間に到達する前に、リボン３１−１及び３２−１の間の
区間に到達し、もって、第３図に関して上方向の加速路
３９に沿って進むようになるエネルギ勾配が効果的にも
たらされる。
−Ａ′との間の部分においては、リボン３１−１〜３２
−５を形成すべくプレート３１，３２に切り込まれてい
るスリットは、破線Ａ−Ａ′で始まり、この破線は、そ
れぞれのプレート３１、３２の端縁３１−６，３２−６
に対して非平行である。このことは、パワー入力領域３
６において注入されるパワー・パルスがリボン３１−
５，３２−５に到達するのに、それがリボン３１−１，
３２−１に到達するときよりもより長い時間がかかると
いうことを意味する。従って、加速エネルギは、リボン
３１−５及び３２−５の間の粒子路即ち加速路３９の区
間に到達する前に、リボン３１−１及び３２−１の間の
区間に到達し、もって、第３図に関して上方向の加速路
３９に沿って進むようになるエネルギ勾配が効果的にも
たらされる。
【００２０】誘電材料３８が、そこを通って加速路３９
が延在しているところのアパーチャ３３を有する、リボ
ン３１−１〜３２−５の中央部を除いて、プレート３
１，３２の間の空間を満たしている。エネルギ・パルス
の通過時間は、絶縁体としての誘電材料３８の誘電率に
よって制御される。パワー入力領域即ちパルス注入領域
３６における間隔ｇ1 が加速領域３７における間隔ｇ2
よりも大きいことによる、プレート３１及び３２の間の
空間のテーパは、加速領域３７における電場を制御す
る。電場を更に増大させるため、リボン３１−１〜３２
−５の各々は、そのパルス注入領域において、加速領域
３７における幅ｗ2よりも大きい幅ｗ1を有している。
が延在しているところのアパーチャ３３を有する、リボ
ン３１−１〜３２−５の中央部を除いて、プレート３
１，３２の間の空間を満たしている。エネルギ・パルス
の通過時間は、絶縁体としての誘電材料３８の誘電率に
よって制御される。パワー入力領域即ちパルス注入領域
３６における間隔ｇ1 が加速領域３７における間隔ｇ2
よりも大きいことによる、プレート３１及び３２の間の
空間のテーパは、加速領域３７における電場を制御す
る。電場を更に増大させるため、リボン３１−１〜３２
−５の各々は、そのパルス注入領域において、加速領域
３７における幅ｗ2よりも大きい幅ｗ1を有している。
【００２１】図５は、エネルギの単一パルスをライナッ
ク３０中へ生成するためのスイッチ６０を示している。
スイッチ６０は、レーザでトリガされる気体電子なだれ
スイッチであり、この気体電子なだれスイッチは、適度
な高電圧における比較的高電流の高信頼性・超高速スイ
ッチングに使用されるものである。そのようなスイッチ
は、R. E. Cassel ，F. Villa著“High Speed Switchin
g in Gasses”、ＳＬＡＣ−ＰＵＢ−４８５８（１９８
９年２月）に記載されている。気体電子なだれスイッチ
６０は好適なスイッチであるが、他のスイッチ（例え
ば、固体スイッチあるいは光電スイッチ）も、たとえそ
れらの効率が多少悪くても、同様に可能である。
ク３０中へ生成するためのスイッチ６０を示している。
スイッチ６０は、レーザでトリガされる気体電子なだれ
スイッチであり、この気体電子なだれスイッチは、適度
な高電圧における比較的高電流の高信頼性・超高速スイ
ッチングに使用されるものである。そのようなスイッチ
は、R. E. Cassel ，F. Villa著“High Speed Switchin
g in Gasses”、ＳＬＡＣ−ＰＵＢ−４８５８（１９８
９年２月）に記載されている。気体電子なだれスイッチ
６０は好適なスイッチであるが、他のスイッチ（例え
ば、固体スイッチあるいは光電スイッチ）も、たとえそ
れらの効率が多少悪くても、同様に可能である。
【００２２】図５に示されている気体電子なだれスイッ
チ６０は、水晶素子６１を含むブルームライン型パルス
形成網であり、この水晶素子は、ＵＶ光に対して透明で
あり、そして、例えば３０気圧まで加圧されているガス
６２で満たされているキャビティ６３を設けられてい
る。キャビティ６３は、電荷蓄積プレート即ち蓄積電極
３４のほぼ全幅に亘って延在しており、この蓄積電極の
縁部３４ａは、キャビティ６３内に配置されている。伝
送線路プレート３２の造形されている縁部３２ａは、キ
ャビティ６３内に配置されている一方、プレート３１
は、キャビティ６３内へ延出していない。プレート３１
の縁部３１ａは、水晶素子６１のスロット６１ａ内に配
置されている。水晶素子６０の一部は、蓄積電極３４及
びプレート３１，３２の間に、並びに直接プレート３１
及び３２の間に挿入されている。
チ６０は、水晶素子６１を含むブルームライン型パルス
形成網であり、この水晶素子は、ＵＶ光に対して透明で
あり、そして、例えば３０気圧まで加圧されているガス
６２で満たされているキャビティ６３を設けられてい
る。キャビティ６３は、電荷蓄積プレート即ち蓄積電極
３４のほぼ全幅に亘って延在しており、この蓄積電極の
縁部３４ａは、キャビティ６３内に配置されている。伝
送線路プレート３２の造形されている縁部３２ａは、キ
ャビティ６３内に配置されている一方、プレート３１
は、キャビティ６３内へ延出していない。プレート３１
の縁部３１ａは、水晶素子６１のスロット６１ａ内に配
置されている。水晶素子６０の一部は、蓄積電極３４及
びプレート３１，３２の間に、並びに直接プレート３１
及び３２の間に挿入されている。
【００２３】ガス６２の最初のイオン化は、レーザ光に
よってもたらされ、このレーザ光は、キャビティ６３内
に向けられており、且つ蓄積電極即ち陽極３４の縁部即
ち陽極電極３４ａの比較的近傍に集中させられている。
これは、電子に、陽極電極３４ａに向けての電子なだれ
を引き起こさせる。イオン化領域は、最初の分布から広
がって行く。何故ならば、電子なだれによって生成され
た電子は、周囲のガス６２をイオン化し、そして、電子
は、電場の影響の下に運動するからである。電子なだれ
の変位電流は、プレート即ち電極３１，３２を横切るパ
ルスを誘導する。
よってもたらされ、このレーザ光は、キャビティ６３内
に向けられており、且つ蓄積電極即ち陽極３４の縁部即
ち陽極電極３４ａの比較的近傍に集中させられている。
これは、電子に、陽極電極３４ａに向けての電子なだれ
を引き起こさせる。イオン化領域は、最初の分布から広
がって行く。何故ならば、電子なだれによって生成され
た電子は、周囲のガス６２をイオン化し、そして、電子
は、電場の影響の下に運動するからである。電子なだれ
の変位電流は、プレート即ち電極３１，３２を横切るパ
ルスを誘導する。
【００２４】電気パルスの極端に短い持続時間のため
に、ライナック３０のピーク勾配は、３Ｇｖ／ｍのオー
ダと非常に高く、このため、ライナックの長さは、１Ｇ
ｅＶの電子エネルギに対して１メートルのオーダであり
得る。ビームの安定性を維持するのに必要な磁気集束装
置（四極以上）は、図示されていないが、当業者には自
明である。
に、ライナック３０のピーク勾配は、３Ｇｖ／ｍのオー
ダと非常に高く、このため、ライナックの長さは、１Ｇ
ｅＶの電子エネルギに対して１メートルのオーダであり
得る。ビームの安定性を維持するのに必要な磁気集束装
置（四極以上）は、図示されていないが、当業者には自
明である。
【００２５】アンジュレータ４０は、構造的にライナッ
ク３０と同様であり、パルス・パワー技術で作動する。
主要な相違は、アンジュレータ４０の各セクションの端
部が、磁場を最小にすべく短絡させられているというこ
とである（ライナック３０の場合には開放されてい
る）。この構造を裏付ける理論は、以下の通りである。
ク３０と同様であり、パルス・パワー技術で作動する。
主要な相違は、アンジュレータ４０の各セクションの端
部が、磁場を最小にすべく短絡させられているというこ
とである（ライナック３０の場合には開放されてい
る）。この構造を裏付ける理論は、以下の通りである。
【００２６】負荷Ｒで終端するインピーダンスＺの平行
プレート線路を考慮する。Ｒ＝Ｚの場合、パルスは、末
端から反射せず、そして、Ｅ及びＢは、Ｅ／ｃ＝Ｂ（ｃ
は光速度）で関係付けられる。
プレート線路を考慮する。Ｒ＝Ｚの場合、パルスは、末
端から反射せず、そして、Ｅ及びＢは、Ｅ／ｃ＝Ｂ（ｃ
は光速度）で関係付けられる。
【００２７】一般に、最初のパルス及びその反射の重畳
に起因するＲの値を変化させることにより、（末端から
ある距離において）磁場を電場と交換することができ
る。 Ｅ＝ＥT ・２Ｒ／（Ｚ＋Ｒ） 及び Ｂ＝ＥT ・２Ｚ／ｃ（Ｚ＋Ｒ） ここで、ＥT は、末端前の、波の進行構造と結び付いて
いる電場である。
に起因するＲの値を変化させることにより、（末端から
ある距離において）磁場を電場と交換することができ
る。 Ｅ＝ＥT ・２Ｒ／（Ｚ＋Ｒ） 及び Ｂ＝ＥT ・２Ｚ／ｃ（Ｚ＋Ｒ） ここで、ＥT は、末端前の、波の進行構造と結び付いて
いる電場である。
【００２８】上記の２つの式から、Ｒ＝０のとき（末端
が短絡されているとき）、磁場は倍になり、電場はゼロ
になるということが判る。逆に、Ｒ＝∞のとき（又は、
Ｒが線路特性インピーダンスＺよりもずっと大きいと
き）、電場は倍になり、磁場はゼロになる。Ｒについて
のこれらの２つの極値の間で、ゼロから２Ｂまでの連続
的なＢの値の組が、そして、２Ｅからゼロまでの対応す
る電場の組が、それぞれ存在する。従って、電場を最大
にすべく、ライナック３０の個々の伝送線路の端部は、
開放されている。対照的に、アンジュレータ４０におい
ては、伝送線路の端部は、磁場を最大にすべく、短絡さ
れている。
が短絡されているとき）、磁場は倍になり、電場はゼロ
になるということが判る。逆に、Ｒ＝∞のとき（又は、
Ｒが線路特性インピーダンスＺよりもずっと大きいと
き）、電場は倍になり、磁場はゼロになる。Ｒについて
のこれらの２つの極値の間で、ゼロから２Ｂまでの連続
的なＢの値の組が、そして、２Ｅからゼロまでの対応す
る電場の組が、それぞれ存在する。従って、電場を最大
にすべく、ライナック３０の個々の伝送線路の端部は、
開放されている。対照的に、アンジュレータ４０におい
ては、伝送線路の端部は、磁場を最大にすべく、短絡さ
れている。
【００２９】アンジュレータ４０を形成する線路は、加
速器の線路と異なる。何故ならば、アンジュレータによ
って要求される磁場は、その符号を交互に変えるからで
ある。これは、２つの接地面によって取り巻かれている
中央の導体からなる構造によって達成される。
速器の線路と異なる。何故ならば、アンジュレータによ
って要求される磁場は、その符号を交互に変えるからで
ある。これは、２つの接地面によって取り巻かれている
中央の導体からなる構造によって達成される。
【００３０】実際、アンジュレータ４０における伝送線
路は、完全には短絡されておらず、アンジュレータのエ
ネルギ間隙の横断の間の放射に起因する電子集群のエネ
ルギ損失を補償するための小さい電場を保持するための
小さいインピーダンスを有している。その小さい電場か
らの付加されたエネルギは、アンジュレータをテーパ構
造にすることなく、コヒーレンスに必要な限度内にビー
ムを保つ。小さい残留電場は、短絡素子の適切な形状に
より、及び／又は僅かに抵抗性の材料を末端に使用する
ことにより、調節され得る。
路は、完全には短絡されておらず、アンジュレータのエ
ネルギ間隙の横断の間の放射に起因する電子集群のエネ
ルギ損失を補償するための小さい電場を保持するための
小さいインピーダンスを有している。その小さい電場か
らの付加されたエネルギは、アンジュレータをテーパ構
造にすることなく、コヒーレンスに必要な限度内にビー
ムを保つ。小さい残留電場は、短絡素子の適切な形状に
より、及び／又は僅かに抵抗性の材料を末端に使用する
ことにより、調節され得る。
【００３１】加速器３０及びアジュレータ４０の形状も
異なっている。図３及び図６（加速器の端面図）に示さ
れているように、ライナック３０における加速器伝送線
路は、異なる方向（６０°ずつ離れている）からビーム
に向かって収束する。対照的に、図３及び図７（アンジ
ュレータにおける２つの隣接する伝送線路の先端部の拡
大図）に示されているように、アンジュレータ４０は、
単一の平面内にのみ横たわっている。
異なっている。図３及び図６（加速器の端面図）に示さ
れているように、ライナック３０における加速器伝送線
路は、異なる方向（６０°ずつ離れている）からビーム
に向かって収束する。対照的に、図３及び図７（アンジ
ュレータにおける２つの隣接する伝送線路の先端部の拡
大図）に示されているように、アンジュレータ４０は、
単一の平面内にのみ横たわっている。
【００３２】アンジュレータの一素子の先端部の詳細
が、図９（図８に対して９０°回転させられている）に
示されている。矢印を有する線は、磁力線を表してい
る。
が、図９（図８に対して９０°回転させられている）に
示されている。矢印を有する線は、磁力線を表してい
る。
【００３３】図１０及び図１１は、アンジュレータの一
素子の先端部における電場及び磁場の方向を示す概略図
である。図１０に示されているように、電場Ｅの強度
は、構造部材の端部における短絡回路のために、非常に
弱い。本質的に、２倍の波強度を有する磁場のみが存在
する。
素子の先端部における電場及び磁場の方向を示す概略図
である。図１０に示されているように、電場Ｅの強度
は、構造部材の端部における短絡回路のために、非常に
弱い。本質的に、２倍の波強度を有する磁場のみが存在
する。
【００３４】図１２は、アンジュレータ４０における３
つの連続的な伝送線路対を示しており、これらは、図１
３に示されているような、磁場についての３つの全周期
の合計を与える。ずっと多くの構造部材（５０〜１００
まで）が、アンジュレータ４０を構成すべく使用され
る。
つの連続的な伝送線路対を示しており、これらは、図１
３に示されているような、磁場についての３つの全周期
の合計を与える。ずっと多くの構造部材（５０〜１００
まで）が、アンジュレータ４０を構成すべく使用され
る。
【００３５】図面は排気される領域を示していないが、
自由電子レーザのライナック３０及びアンジュレータ４
０の両方における電子の経路は真空の領域を通って延び
ており、且つスイッチ６０も真空中にあるということ
は、当業者にとっては明らかであろう。
自由電子レーザのライナック３０及びアンジュレータ４
０の両方における電子の経路は真空の領域を通って延び
ており、且つスイッチ６０も真空中にあるということ
は、当業者にとっては明らかであろう。
【００３６】アンジュレータ４０の各素子で発生される
電場は非常に短時間（サブ−ナノ秒）の間のみ保持され
るので、構造部材は、永久磁石構造部材から得られ得る
強度よりもずっと大きい強度（２０テスラのオーダ）の
磁場を支持することができる。この非常に高い磁場は、
アンジュレータの構造がかなり短くなり、自由電子レー
ザ全体でテーブルトップを占有するのみであるという結
果をもたらす。
電場は非常に短時間（サブ−ナノ秒）の間のみ保持され
るので、構造部材は、永久磁石構造部材から得られ得る
強度よりもずっと大きい強度（２０テスラのオーダ）の
磁場を支持することができる。この非常に高い磁場は、
アンジュレータの構造がかなり短くなり、自由電子レー
ザ全体でテーブルトップを占有するのみであるという結
果をもたらす。
【００３７】次表は、自由電子レーザに関する可能なパ
ラメータの組を含んでいる。これらの数字は、“テーブ
ルトップ”短波長自由電子レーザのパラメータの粗い見
積りである。
ラメータの組を含んでいる。これらの数字は、“テーブ
ルトップ”短波長自由電子レーザのパラメータの粗い見
積りである。
【００３８】 Ｅｍａｘ ４ ３ ３ Ｇｅｖ／ｍ アンジュレータ長 ２００ ２００ ２００ ｃｍ レーザ波長 ２ ２ １５０ ｎｍ Ｂ ２６ ２０ ２０ テスラ λ ０．４ ０．８ ０．８ ｍｍ パルス長τ ０．２ ０．５ ０．５ ｐｓ 電流密度(J) １．３ １０ ５．３ ×106 Ａ／cm2 γ ４６０ ６５２ ７５ Ｅビーム ２３５ ３３３ ３８ ＭｅＶ 利得／メートル １６ ８ １７ １／メートル 加速セクション長 ２０ ２０ ２０ ｃｍ ビーム負荷 ０．８％ ０．８％ ０．８％ 壁コンセント電力 １５ １５ １５ ｋＷ （ほぼ２０ｐｐｓ）
【００３９】この装置に関する実際の繰返し数は、パル
ス・パワー源を用いた場合、１００〜２００ｐｐｓのオ
ーダである。もし構造部材が合成パルス法によって駆動
されるならば、より高い繰返し数も可能である。いずれ
にせよ、パルス−パルス安定性は重要である。１％未満
のオーダでの安定性は、通常、巧に設計されたパルス・
パワー装置によって得られ得るが、本発明の自由電子レ
ーザは、ライナック３０及びアンジュレータ４０におけ
るＥ及びＢの（短期間及び長期間に亘る）極端に安定な
値（１００００分の１のオーダ）を必要とする。
ス・パワー源を用いた場合、１００〜２００ｐｐｓのオ
ーダである。もし構造部材が合成パルス法によって駆動
されるならば、より高い繰返し数も可能である。いずれ
にせよ、パルス−パルス安定性は重要である。１％未満
のオーダでの安定性は、通常、巧に設計されたパルス・
パワー装置によって得られ得るが、本発明の自由電子レ
ーザは、ライナック３０及びアンジュレータ４０におけ
るＥ及びＢの（短期間及び長期間に亘る）極端に安定な
値（１００００分の１のオーダ）を必要とする。
【００４０】
【発明の効果】以上のように、本発明に係る自由電子レ
ーザは、電場を磁場に変換すべく、１９９０年１月９日
に特許された米国特許第４，８９３，０８９号に記載さ
れている加速構造及び１９９０年１月９日に特許された
米国特許第４，８９３，０８９号と類似の別の構造を、
アンジュレータとして使用する。電場の僅かな部分が残
留することを許容され、これにより、アンジュレータ
は、電子集群を共振状態に保ちつつ、放射で失ったエネ
ルギをビームに返す。パルス・パワー可能になる高い電
場及び磁場のため、装置は、他の自由電子レーザと比較
して、極めてコンパクトである。
ーザは、電場を磁場に変換すべく、１９９０年１月９日
に特許された米国特許第４，８９３，０８９号に記載さ
れている加速構造及び１９９０年１月９日に特許された
米国特許第４，８９３，０８９号と類似の別の構造を、
アンジュレータとして使用する。電場の僅かな部分が残
留することを許容され、これにより、アンジュレータ
は、電子集群を共振状態に保ちつつ、放射で失ったエネ
ルギをビームに返す。パルス・パワー可能になる高い電
場及び磁場のため、装置は、他の自由電子レーザと比較
して、極めてコンパクトである。
【図１】本発明に係る自由電子レーザを示すブロック図
である。
である。
【図２】本発明に係る自由電子レーザを示す概略図であ
る。
る。
【図３】電子インジェクタとして使用すべく形成されて
いる、ライナックの第１段の概略図である。
いる、ライナックの第１段の概略図である。
【図４】本発明に使用される多素子ライナックの一素子
の概略図である。
の概略図である。
【図５】ライナックにパルス・パワーを注入するのに使
用される高速スイッチング装置の概略図である。
用される高速スイッチング装置の概略図である。
【図６】加速器構成部材の端面図である。
【図７】アンジュレータにおける２つの隣接する伝送線
路の先端部の拡大図である。
路の先端部の拡大図である。
【図８】本発明で使用されるアンジュレータの一素子の
概略図である。
概略図である。
【図９】一素子の先端部の拡大図である。
【図１０】アンジュレータの一素子の先端部における電
場及び磁場の方向を示す概略図である。
場及び磁場の方向を示す概略図である。
【図１１】アンジュレータの一素子の先端部における磁
場の方向を示す概略図である。
場の方向を示す概略図である。
【図１２】アンジュレータにおける３つの連続的な伝送
線路対を示す図である。
線路対を示す図である。
【図１３】磁場についての周期を示す図である。
１０ 自由電子レーザ ２０ インジェクタ ２３ 高誘電率材料 ３０ ライナック ３３ アパーチャ ３４ 電荷蓄積プレート ３５ スイッチ ３６ パワー入力領域 ３７ 加速領域 ３８ 誘電材料 ３９ 加速路 ４０ アンジュレータ ６０ 気体電子なだれスイッチ ６１ 水晶素子 ６２ ガス ６３ キャビティ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−271187（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−109300（ＪＰ，Ａ) 特公 昭38−9200（ＪＰ，Ｂ１) 米国特許3822410（ＵＳ，Ａ) 米国特許4570103（ＵＳ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01S 3/30 G21K 1/093 H05H 7/04
Claims (6)
- 【請求項１】 自由電子レーザであって、 直線状の経路に沿って移動する荷電粒子を放出する第１
の手段と、 該荷電粒子を加速領域内で加速する第２の手段であっ
て、該加速領域において直列に配列される複数の加速間
隙を画成し、各該加速間隙は、該直線状の経路を横断し
て配列される一対の離隔した電極によって画定され、各
該電極は、そこを通って該直線状の経路が延在するとこ
ろのアパーチャを有しており、該電極は、それぞれの伝
送線路によってエネルギ・パルス源に各々接続されてお
り、離隔した電極の各対用の該伝送線路は、それらの端
部において互いに他に対して開放されており、該荷電粒
子は、該荷電粒子が該加速間隙を通過する際、各該エネ
ルギ・パルスから得られる電場によって発生される加速
力の影響下に置かれる、ものと、 該第２の手段の後の該直線状の経路に沿って直列に配列
される複数の対向する磁場を発生する第３の手段であっ
て、該対向する磁場は、該直線状の経路を横断して配列
される離隔した電極のそれぞれの対によって各々生成さ
れ、各該電極は、そこを通って該直線状の経路が延在す
るところのアパーチャを有しており、各該電極は、それ
ぞれの伝送線路によってエネルギ・パルス源に接続され
ており、離隔した電極の各対の該伝送線路は、それらの
端部において互いに他に対して実質的に短絡されてお
り、該荷電粒子は、該荷電粒子が当該第３の手段を通過
する際、各該エネルギ・パルスによって発生される該対
向する磁場の影響下に置かれる、ものと、 を具備し、 加速された上記荷電粒子が、上記対向する磁場の影響下
に置かれた際、実質的にコヒーレントな電磁放射を放出
する、自由電子レーザ。 - 【請求項２】 前記第１の手段が、ラジアル線路変成器
を備えている請求項１記載の自由電子レーザ。 - 【請求項３】 前記第２の手段が、線形加速器からなっ
ており、且つ、隣接する前記加速間隙の前記伝送線路の
対が、互いに６０°離れて配列されている請求項１記載
の自由電子レーザ。 - 【請求項４】 前記第３の手段が、アンジュレータから
なっており、該アンジュレータの伝送線路が、単一の平
面内に配列されている請求項１記載の自由電子レーザ。 - 【請求項５】 前記アンジュレータの電極の各対の前記
伝送線路の末端が、小さいインピーダンスを有してお
り、もって、前記荷電粒子が該アンジュレータの各対向
する磁場を通過する際、該荷電粒子によって失われるエ
ネルギを補償するための電場が発生される請求項４記載
の自由電子レーザ。 - 【請求項６】 前記第２の手段及び前記第３の手段に加
えられる前記エネルギ・パルスが、電子なだれスイッチ
装置によって発生される請求項１記載の自由電子レー
ザ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US461058 | 1990-01-04 | ||
| US07/461,058 US4972420A (en) | 1990-01-04 | 1990-01-04 | Free electron laser |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04124892A JPH04124892A (ja) | 1992-04-24 |
| JP2890068B2 true JP2890068B2 (ja) | 1999-05-10 |
Family
ID=23831053
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2413006A Expired - Fee Related JP2890068B2 (ja) | 1990-01-04 | 1990-12-25 | 自由電子レーザ |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4972420A (ja) |
| EP (1) | EP0436479B1 (ja) |
| JP (1) | JP2890068B2 (ja) |
| CA (1) | CA2033349C (ja) |
| DE (1) | DE69008835T2 (ja) |
| ES (1) | ES2049689T3 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2687254B1 (fr) * | 1990-12-27 | 1995-04-07 | Thomson Csf | Onduleur pour la generation d'energie lumineuse a partir d'un faisceau d'electrons. |
| US5208844A (en) * | 1991-05-20 | 1993-05-04 | Jupiter Toy Company | Electronic devices using discrete, contained charged particle bundles and sources of same |
| JP2794535B2 (ja) * | 1994-09-27 | 1998-09-10 | 株式会社自由電子レーザ研究所 | アンジュレータおよび自由電子レーザ発振方法 |
| JP2794534B2 (ja) * | 1994-09-27 | 1998-09-10 | 株式会社自由電子レーザ研究所 | アンジュレータおよび自由電子レーザー装置 |
| US6326861B1 (en) * | 1999-07-16 | 2001-12-04 | Feltech Corporation | Method for generating a train of fast electrical pulses and application to the acceleration of particles |
| WO2002013906A1 (en) * | 2000-08-16 | 2002-02-21 | Vanderbilt University | Methods and devices for optical stimulation of neural tissues |
| DE102008031757A1 (de) * | 2008-07-04 | 2010-01-14 | Siemens Aktiengesellschaft | Beschleuniger zur Beschleunigung von geladenen Teilchen |
| DE102008031634A1 (de) * | 2008-07-04 | 2010-01-14 | Siemens Aktiengesellschaft | Beschleuniger zur Beschleunigung von geladenen Teilchen und Verfahren zum Betreiben eines Beschleunigers |
| DE102010008992A1 (de) | 2010-02-24 | 2011-08-25 | Siemens Aktiengesellschaft, 80333 | Gleichspannungs-Hochspannungsquelle und Teilchenbeschleuniger |
| DE102010008991A1 (de) | 2010-02-24 | 2011-08-25 | Siemens Aktiengesellschaft, 80333 | Beschleuniger für geladene Teilchen |
| DE102010008995A1 (de) | 2010-02-24 | 2011-08-25 | Siemens Aktiengesellschaft, 80333 | Gleichspannungs-Hochspannungsquelle und Teilchenbeschleuniger |
| RU2645780C2 (ru) * | 2016-06-28 | 2018-02-28 | Лев Семенович Гликин | Способ возбуждения импульсов лазерной системы генератор-усилитель на самоограниченных переходах |
| US11483920B2 (en) * | 2019-12-13 | 2022-10-25 | Jefferson Science Associates, Llc | High efficiency normal conducting linac for environmental water remediation |
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-
1990
- 1990-01-04 US US07/461,058 patent/US4972420A/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-12-19 ES ES90850416T patent/ES2049689T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1990-12-19 EP EP90850416A patent/EP0436479B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-12-19 DE DE69008835T patent/DE69008835T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-12-25 JP JP2413006A patent/JP2890068B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1990-12-28 CA CA002033349A patent/CA2033349C/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3822410A (en) | 1972-05-08 | 1974-07-02 | J Madey | Stimulated emission of radiation in periodically deflected electron beam |
| US4570103A (en) | 1982-09-30 | 1986-02-11 | Schoen Neil C | Particle beam accelerators |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| ES2049689T3 (es) | 1994-07-01 |
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| US4972420A (en) | 1990-11-20 |
| EP0436479B1 (en) | 1994-05-11 |
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