JP2853892B2 - Vertical heat treatment equipment - Google Patents
Vertical heat treatment equipmentInfo
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Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、縦型熱処理装置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Object of the Invention] (Industrial application field) The present invention relates to a vertical heat treatment apparatus.
［従来の技術］ 近年の半導体製造装置は、素子の高密度化が進み、よ
り緻密な処理が要求されるようになっている。縦型炉ま
たは横型炉などの熱処理炉内反応容器内で処理されたウ
エハは、その後処理路外部にアンローディングされるこ
とになるが、処理直後の反応管の蓋を開にした際の外部
との温度差による対流が生ずるため、高温状態のウエハ
雰囲気をクリーンに保つことが、より緻密な処理が為さ
れるウエハの歩留まりの向上を図ることが必要である。[Related Art] In recent semiconductor manufacturing apparatuses, the density of elements has been increased, and more precise processing has been required. Wafers processed in a reaction vessel in a heat treatment furnace such as a vertical furnace or a horizontal furnace are then unloaded to the outside of the processing path, but they are unloaded when the reaction tube lid is opened immediately after processing. Since the convection occurs due to the temperature difference, it is necessary to keep the wafer atmosphere in a high temperature state clean so as to improve the yield of wafers for performing more precise processing.
ここで、縦型路よりアンローディングされたウエハに
対して、クリーンなエアをサイドフローする装置が、特
開昭61−11152,特開昭62−146265,実開昭62−8633号公
報などに開示されている。一方、横型路よりアンローデ
ィングされたウエハに対してダウンフローを行う装置
は、特開昭62−36817号公報に開示され、横型路のアン
ローディング位置にてサイドフローを行う装置は実開昭
64−26833号公報に開示されている。Here, an apparatus for performing a side flow of clean air on a wafer unloaded from a vertical path is disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 61-11152, 62-146265, and 62-8633. It has been disclosed. On the other hand, an apparatus for performing a downflow on a wafer unloaded from a horizontal path is disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. Sho 62-36817, and an apparatus for performing a sideflow at an unloading position of a horizontal path is disclosed in
64-26833.
上述した各公報においては、モーターファン等により
送風されたウエハをフィルタを介することでクリーンな
エアとし、これをアンローディングされたウエハに対し
てフローするように構成している。In each of the above-mentioned publications, the wafer blown by a motor fan or the like is made to be clean air by passing through a filter, and this is configured to flow to the unloaded wafer.
（発明が解決しようとする課題） ところで、ファン駆動によりアンローディング位置に
クリーンエアを送風するためには、下記のことを考慮し
なければならない。すなわち、同一室内のエアを循環さ
せて送風すると、該室内の温度が上昇してしまうので、
ファンにより別の室内からエアを引き込まなければなら
ない。この際、上記アンローディング位置はいわゆるメ
インテナンスルームとなっているので、周囲のクリーン
ルームに対して差圧が設けられており、クリーンルーム
側が陽圧となっている。したがって、ファン駆動により
メインテナンスルームのエアをクリーンルーム側に導こ
うとすると、上記差圧のためにファンに過大な負荷が作
用してしまう。この差圧は、ユーザにより種々様々であ
るので、同一能力のファンでは差圧により送風量が区々
となり、場合によっては送風不能となる事態が生じてし
まう。(Problems to be Solved by the Invention) In order to blow clean air to the unloading position by driving the fan, the following must be considered. That is, when air is circulated and blown in the same room, the temperature in the room increases,
Air must be drawn from another room by a fan. At this time, since the unloading position is a so-called maintenance room, a differential pressure is provided for the surrounding clean room, and the clean room side is at a positive pressure. Therefore, when trying to guide the air in the maintenance room to the clean room side by driving the fan, an excessive load acts on the fan due to the differential pressure. Since the pressure difference varies depending on the user, the flow rate of the fan having the same capacity varies depending on the pressure difference, and in some cases, the air cannot be blown.
そこで、本発明の目的とするところは、縦型熱処理装
置の特殊性に鑑み、エアをファンに導くためのダクトを
改善することで、ファンに作用する負荷を低減しながら
アンローディング位置でのクリーン度を保つことのでき
る縦型熱処理装置を提供することにある。In view of the particularity of the vertical heat treatment apparatus, the purpose of the present invention is to improve the duct for guiding air to the fan, thereby reducing the load acting on the fan and improving the cleanness at the unloading position. It is an object of the present invention to provide a vertical heat treatment apparatus that can maintain the degree.
［発明の構成］ （課題を解決するための手段） 本発明は、被処理基板を収容した基板収容器と、縦型
熱処理炉に向けて上下動可能に支持され、上記熱処理炉
下方をアンローディング位置とする基板処理容器と、上
記各容器間で基板を移載する移載機とを、筐体内部に配
置して成る縦型熱処理装置において、 上記アンローディング位置に設置される上記基板処理
容器と対向する側方位置に設けられたフィルタと、 筐体内部の圧力より陽圧に設定されたクリーンルーム
内と一端が連通し、上記筐体の下方を通って他端が上記
フィルタの設置箇所に連通するダクトと、を有し、 上記ダクトに沿って導いたクリーンエアを、上記フィ
ルタを介して上記アンローディング位置に向けてサイド
フローすることを特徴とする。[Constitution of the Invention] (Means for Solving the Problems) According to the present invention, a substrate container accommodating a substrate to be processed is supported so as to be vertically movable toward a vertical heat treatment furnace, and the lower part of the heat treatment furnace is unloaded. In a vertical heat treatment apparatus having a substrate processing container to be positioned and a transfer machine for transferring a substrate between the containers, the substrate processing container installed at the unloading position One end communicates with a filter provided at a side position opposite to the inside of the clean room set at a positive pressure than the pressure inside the housing, and the other end passes below the housing and is provided at a place where the filter is installed. And a duct communicating therewith, wherein clean air guided along the duct flows sideward toward the unloading position via the filter.
（作用） 本発明では、アンローディング位置が設定される筐体
内部の圧力よりも陽圧に設定されたクリーンルームよ
り、ダクトを介してフィルタが設置されている箇所にエ
アが導かれる。このため、陽圧側のクリーンルームよ
り、差圧によるにしたがって無理無くエアが流入し、サ
イドフローのための送風を実現するファンなどに負荷を
与えることがないこのダクトは、縦型熱処理装置の場合
被処理体の移載のための各種構成を内蔵する筐体の下方
に設置できるので、設置スペースを増大せずに配置する
ことが可能となる。(Operation) In the present invention, air is guided to a place where the filter is installed via a duct from a clean room in which the pressure inside the housing where the unloading position is set is set to a positive pressure than the pressure inside the housing. For this reason, the air flows from the clean room on the positive pressure side without difficulty according to the differential pressure, and does not impose any load on the fan that realizes the air blowing for the side flow. Since the components can be installed below the housing in which various components for transferring the processing object are incorporated, the components can be arranged without increasing the installation space.
（実施例） 以下、本発明を縦型熱処理装置に適用した一実施例に
ついて、図面を参照して説明する。(Example) Hereinafter, one example in which the present invention is applied to a vertical heat treatment apparatus will be described with reference to the drawings.
第１図において、筐体10の内部は仕切板14によって上
部ゾーン及び下部ゾーンに仕切られ、上部ゾーンには熱
処理路12が配設される。下部ゾーンには第３図に示す移
載機20,ボートエレベータ30及びカセット収容部38がそ
れぞれ設けられ、この下部ゾーンはメインテナンスルー
ムを構成している。In FIG. 1, the inside of a housing 10 is partitioned into an upper zone and a lower zone by a partition plate 14, and a heat treatment path 12 is provided in the upper zone. The lower zone is provided with a transfer machine 20, a boat elevator 30, and a cassette accommodating section 38 shown in FIG. 3, respectively, and this lower zone constitutes a maintenance room.
第３図において、移載機20における駆動ブロック22
は、例えば５本のウエハ支持用アーム24を有し、これら
支持用アーム24を単独にあるいは一体的に進退駆動可能
に支持している。この駆動ブロック22は、たとえば200
゜以上の角度にわたって矢印θ１方向に回転可能であ
り、エレベータ26に支持されることによって上下動可能
である。前記ボートエレベータ30は、熱処理炉12の下方
の位置からウエハボート34をローディングし、あるいは
アンローディングする構成となっている。例えば石英な
どからなり、複数例えば100数十枚の半導体ウエハを保
持可能に構成された前記ボート34は、保温筒32上にほぼ
垂直に載置され、熱処理炉12の下方からローディングさ
れ、熱処理例えばCVD膜の形成を行った後に、アンロー
ディング位置Ａにアンローディングする構成となってい
る。In FIG. 3, the drive block 22 in the transfer machine 20
Has, for example, five wafer support arms 24, and supports these support arms 24 independently or integrally so as to be able to move forward and backward. The drive block 22 is, for example, 200
Over an angle of more degrees it is rotatable in the arrow theta 1 direction, and is movable up and down by being supported by the elevator 26. The boat elevator 30 is configured to load or unload the wafer boat 34 from a position below the heat treatment furnace 12. For example, the boat 34 made of quartz or the like and configured to be able to hold a plurality of, for example, more than 100 dozens of semiconductor wafers is placed almost vertically on the heat retaining tube 32, loaded from below the heat treatment furnace 12, and subjected to heat treatment, for example. After the CVD film is formed, the unloading position A is unloaded.
なお、ボートエレベータ30は矢印θ２方向に回動で
き、かつ、ウエハボート34を矢印θ３方向に回動できる
ように、それぞれモータ（図示せず）が設けられる。Incidentally, the boat elevator 30 can be rotated in the arrow theta 2 direction, and as the wafer boat 34 can be rotated in the arrow theta 3 direction, a motor (not shown) are respectively provided.
前記カセット収容部38は、複数例えば25枚の半導体ウ
エハを収納可能に構成され、例えば８つのウエハカセッ
ト38a〜38hを載置可能でなる。The cassette accommodating portion 38 is configured to accommodate a plurality of, for example, 25 semiconductor wafers, and can accommodate, for example, eight wafer cassettes 38a to 38h.
このウエハカセット収容部38は、矢印θ４方向に回動
自在に構成され、このウエハカセット収容部38を回動さ
せ、ウエハカセット38a〜38hを前記移載機20の方向に向
け、移載機20における支持アーム24の進退駆動により、
ウエハの取出しを可能としている。The wafer cassette accommodating section 38 is configured to be rotatable in the arrow theta 4 direction, by rotating the wafer cassette accommodating portion 38, toward the wafer cassette 38a~38h in the direction of the transfer machine 20, transfer machine By the forward and backward drive of the support arm 24 at 20,
The wafer can be taken out.
次に、筐体10の下部ゾーンの雰囲気をクリーンに保つ
ための構成について説明する。Next, a configuration for keeping the atmosphere in the lower zone of the housing 10 clean will be described.
まず、第１図に示すように、前記ウエハカセット収容
部38の上方には、仕切板14を介して下部ゾーンに臨むよ
うに配設されたフィルタユニット16が設けられており、
たとえば風量9.9m3/minでクリーンエアを送風するよう
に構成している。また、筐体10の下部ゾーンにおける熱
排気は、筐体10の上方に沿って伸びる熱排気管18によ
り、例えば2m3/minの風量にて実現される。First, as shown in FIG. 1, a filter unit 16 is provided above the wafer cassette accommodating portion 38 so as to face the lower zone via the partition plate 14, and
For example, it is configured to blow clean air at a flow rate of 9.9 m 3 / min. Further, the heat exhaust in the lower zone of the housing 10 is realized by the heat exhaust pipe 18 extending along the upper part of the housing 10 at a flow rate of, for example, 2 m 3 / min.
次に、熱処理炉12におけるアンローディング位置Ａの
雰囲気をクリーンに保つ構成について説明する。Next, a configuration for keeping the atmosphere at the unloading position A in the heat treatment furnace 12 clean will be described.
このアンローディング位置Ａと対向する側方位置に
は、前記筐体10に対して、例えばヒンジ結合され、開閉
可能なバックドア40が設けられている。このバックドア
40を開放することで、筐体10の下部ゾーンでのメインテ
ナンス作業を行えるようになっている。なお、このバッ
クドア40の周縁、またはこれと対向する筐体10の開口部
周縁に例えばシーリング材を配置することで、ドア40の
閉鎖時での気密性を確保することができる。このバック
ドア40内部は中空に形成され、前記アンローディング位
置Ａと対向する位置にクリーンモジュール42が内蔵され
ている。このクリーンモジュール42は、クリーンエアを
送風するファン（図示せず）と、例えば第２図（Ａ）〜
（Ｃ）に示すようなフィルタ44及び熱反射板50で構成さ
れている。前記フィルタ44は、ファンにより送風された
空気をクリーンにするためのものであり、例えば静電防
止樹脂で構成されたHEPAフィルタが採用される。このク
リーンモジュール42の送風能力としては、例えば、風量
11m3/minであり、フィルタ44での吹出し時の風速を、ボ
リューム調整などにより、例えば0.1〜1.0m/secに調整
できるようにしている。本実施例の場合、クリーンモジ
ュール42の前面と、アンローディングされたウエハの端
面との間の距離が例えば、150mmに設定され、この場合
フィルタ44からの吹出し速度を0.3m/secに調整してい
る。At a side position facing the unloading position A, for example, a back door 40 that is hingedly connected to the housing 10 and that can be opened and closed is provided. This backdoor
By opening 40, maintenance work in the lower zone of the housing 10 can be performed. By arranging, for example, a sealing material on the periphery of the back door 40 or the periphery of the opening of the casing 10 facing the back door 40, airtightness when the door 40 is closed can be ensured. The inside of the back door 40 is formed hollow, and a clean module 42 is built in a position facing the unloading position A. The clean module 42 includes a fan (not shown) that blows clean air, for example, as shown in FIGS.
It comprises a filter 44 and a heat reflection plate 50 as shown in FIG. The filter 44 is for cleaning air blown by a fan, and for example, a HEPA filter made of an antistatic resin is employed. The blowing capacity of the clean module 42 includes, for example,
It is 11 m 3 / min, and the wind speed at the time of blowing out from the filter 44 can be adjusted to, for example, 0.1 to 1.0 m / sec by adjusting the volume. In the case of the present embodiment, the distance between the front surface of the clean module 42 and the end surface of the unloaded wafer is set to, for example, 150 mm, and in this case, the blowing speed from the filter 44 is adjusted to 0.3 m / sec. I have.
第２図（Ａ）〜（Ｃ）に示す各熱反射板50は、アンロ
ーディングされた直後の例えば1000℃に加熱されたウエ
ハあるいはボート34からの輻射熱を反射し、フィルタ44
の温度上昇を防止するためのものである。Each of the heat reflecting plates 50 shown in FIGS. 2A to 2C reflects radiant heat from a wafer or a boat 34 heated to, for example, 1000 ° C. immediately after unloading, and a filter 44.
This is for preventing the temperature from rising.
同図（Ａ）に示す熱反射板50は、多数のパンチング穴
（通気穴）52aが穿設されたSUS製のパンチングメタル52
である。同図（Ｂ）に示す熱反射板50は、例えばSUS製
の第１のパンチングメタル54と、Al製の第２のパンチン
グメタル56とを離間して平行配置したものであり、各パ
ンチング穴54a,56aは、上下方向でずれた位置にそれぞ
れ形成されている。さらに、第１のパンチングメタル54
の表面には、サイドフローの層流状態を実現するための
フード54bが突出形成されている。同図（Ｃ）に示すも
のは、１枚の厚肉メタル58で構成され、その通気穴58a
は、フィルタ44側の裏面より表面に向けて斜め上方に傾
斜して貫通形成されている。更に、通気穴58の表面開口
側には、サイドフローの層流状態を維持するためのフー
ド58bが突出形成されている。The heat reflection plate 50 shown in FIG. 5A is a SUS punched metal 52 having a large number of punched holes (vent holes) 52a.
It is. The heat reflecting plate 50 shown in FIG. 7B is, for example, a SUS-made first punching metal 54 and an Al-made second punching metal 56 that are spaced apart and parallel to each other. , 56a are respectively formed at positions shifted in the vertical direction. Furthermore, the first punching metal 54
A hood 54b for realizing a laminar flow state of the side flow is formed on the surface of. The one shown in FIG. 7C is composed of one thick metal 58 and has a ventilation hole 58a.
Are formed so as to be inclined obliquely upward toward the front surface from the back surface on the filter 44 side. Further, a hood 58b for maintaining a laminar side flow state is formed protruding from the surface opening side of the ventilation hole 58.
バックドア40へのエアの導入は前記筐体10と隣接して
設けられた例えばクラス10程度のクリーン度を保つクリ
ーンルーム60より行なわれる。このために、筐体10の下
面にはダクト62が水平に設けられ、その一端側の開口64
は前記クリーンルーム60とを連通し、他端側の開口66が
バックドア40と連通している。なお、この開口66付近に
プリフィルタを設けることもできる。一般に、クリーン
ルーム60内部の圧力は、筐体10の圧力よりも、陽厚に設
定されているので、クリーンルーム60,ダクト62を介し
てバックドア40に流れ込むエアの流通が円滑に実現され
る。また、筐体10の底面には前記ダクト62と連通する開
口68aが設けられ、筐体10とクリーンルーム60との間の
側壁にも両者を連通するための開口68bが形成されてい
る。The introduction of air into the back door 40 is performed from a clean room 60 provided adjacent to the casing 10 and maintaining, for example, a class 10 clean degree. For this purpose, a duct 62 is provided horizontally on the lower surface of the housing 10 and an opening 64 at one end thereof is provided.
Communicates with the clean room 60, and an opening 66 at the other end communicates with the back door 40. Note that a pre-filter can be provided near the opening 66. Generally, the pressure inside the clean room 60 is set to be thicker than the pressure of the housing 10, so that the flow of air flowing into the back door 40 via the clean room 60 and the duct 62 is smoothly realized. An opening 68a communicating with the duct 62 is provided on the bottom surface of the casing 10, and an opening 68b for communicating the two is formed on a side wall between the casing 10 and the clean room 60.
次に、作用について説明する。 Next, the operation will be described.
熱処理炉12によって半導体ウエハの熱処理、例えばCV
D膜の形成を行う場合、移載機20の５本の支持用アーム2
4を用いて、カセット収容部38のうちの１つのウエハカ
セットより５枚の半導体ウエハを取出し、これをウエハ
ボート34上に移載する。テスト用ウエハあるいはダミー
用ウエハにおいては、１本の支持用アーム24を用い、同
様にボート34に移載することになる。ウエハボード34に
対して所定枚数のウエハの移送が完了した後、ボートエ
レベータ30が駆動され、保温筒32及びボート34を熱処理
炉12内部にローディングし、CVD膜の形成処理を行うこ
とになる。Heat treatment of semiconductor wafers by heat treatment furnace 12, e.g., CV
When the D film is formed, the five support arms 2 of the transfer machine 20 are used.
4 is used to take out five semiconductor wafers from one wafer cassette in the cassette accommodating section 38 and transfer them onto the wafer boat 34. In the case of a test wafer or a dummy wafer, one support arm 24 is used and similarly transferred to the boat 34. After the transfer of a predetermined number of wafers to the wafer board 34 is completed, the boat elevator 30 is driven, and the heat retaining cylinder 32 and the boat 34 are loaded into the heat treatment furnace 12 to perform a CVD film forming process.
熱処理炉12内部での処理が終了したら、ボートエレベ
ータ30を下降駆動し、保温筒32及びボート34をアンロー
ディング位置Ａまでアンローディングする。この際、処
理力後のウエハ及びボート34等は、かなりの高温状態に
なっているため熱対流が発生し、このアンローディング
位置での雰囲気がクリーンでないと、熱対流によりゴミ
がウエハ等に付着して、半導体素子の歩留まりを著しく
低下してしまう。本実施例では、このアンローディング
位置Ａと対向する側方位置近傍よりサイドフローを実現
し、アンローディング位置Ａ付近の雰囲気をクリーンに
維持するように構成している。この場合、サイドフロー
されるエアは、筐体10と隣接して設けられたクリーンル
ーム60より流入されることになる。すなわち、クリーン
ルーム60は筐体10内部の圧力よりも陽圧に設定されてい
るため、ダクト62を介してバックドア42へ流入するエア
の移行が円滑に行われ、クリーンモジュール42内部のフ
ァンに負荷を与えることなく、エアの円滑な循環を実現
することができる。しかも、このようなエアの流通径を
実現することで、筐体10の下部ゾーン内の圧力と、これ
よりも陽圧に設定されているクリーンルーム60の圧力と
の間の差圧が、ユーザである半導体製造メーカにより種
々様々に設定されても、ファンの送風能力をユーザ毎に
異ならせることなく、安定したサイドフローを実現でき
る。バックドア40内部に流入されたエアは、ファンの駆
動によりフィルタ44を介して吹出され、アンローディン
グ位置Ａに設定されているウエハに対するサイドフロー
が行なわれることになる。ここで、本実施例ではクリー
ンモジュール42をアンローディングされたウエハに対し
て近接した位置、例えば、150mm程度離れた位置に設定
している。この場合、フィルタ44の前面には、熱反射板
50を設けているため、高温状態のウエハあるいはボート
34からの輻射熱を効率良く反射でき、フィルタ44の温度
上昇を防止することが可能となる。従ってフィルタ44が
溶けて目づまりしてクリーンエアが出なくなったり、フ
ィルタ44が高温に加熱され不純物が発生して半導体ウエ
ハに付着して半導体素子の歩留まりを低下させることも
ない。又、この熱反射板50は、第２図（Ａ）〜（Ｃ）に
示すような通気穴を有しているので、フィルタ44より吹
き出されたクリーンエアを、層流状態を維持したままウ
エハに到達させることが可能となる。通気穴としては、
同図（Ａ）に示すものよりも、同図（Ｂ）及び（Ｃ）に
示すものが好ましい。すなわち、同図（Ａ）示すもの
は、通気穴52aがフィルタ44に向けて直線的に連通して
いるので、この通気穴52aの範囲では輻射熱の反射を実
現できない。一方、同図（Ｂ），（Ｃ）の場合には、通
気穴がフィルタ44に向けて直線的に連通していないの
で、ウエハからの輻射熱を反射することが可能となる。
但し、この場合には、クリーンエアの層流状態のサイド
フローを実現するために、フード等の付加的な構成を設
けることが好ましい。When the processing inside the heat treatment furnace 12 is completed, the boat elevator 30 is driven downward to unload the heat retaining cylinder 32 and the boat 34 to the unloading position A. At this time, the wafer and the boat 34 after the processing force are in a considerably high temperature state, and thermal convection is generated. If the atmosphere at the unloading position is not clean, dust adheres to the wafer and the like due to the thermal convection. As a result, the yield of semiconductor elements is significantly reduced. In the present embodiment, the side flow is realized from the vicinity of the side position facing the unloading position A, and the atmosphere near the unloading position A is kept clean. In this case, the side-flowed air flows in from the clean room 60 provided adjacent to the housing 10. That is, since the pressure in the clean room 60 is set to be more positive than the pressure in the housing 10, the air flowing into the back door 42 through the duct 62 is smoothly transferred, and the load in the fan in the clean module 42 is reduced. , Smooth air circulation can be realized. Moreover, by realizing such a flow diameter of air, the pressure difference between the pressure in the lower zone of the housing 10 and the pressure of the clean room 60 set to a positive pressure is set by the user. Even if various settings are made by a certain semiconductor maker, a stable side flow can be realized without changing the blowing ability of the fan for each user. The air that has flowed into the back door 40 is blown out through the filter 44 by driving the fan, and a side flow is performed on the wafer set at the unloading position A. Here, in the present embodiment, the clean module 42 is set at a position close to the unloaded wafer, for example, at a position separated by about 150 mm. In this case, the heat reflection plate
50 or high temperature wafers or boats
The radiant heat from the filter 34 can be efficiently reflected, and the temperature rise of the filter 44 can be prevented. Therefore, the filter 44 is not melted and clogged to prevent clean air from being emitted, and the filter 44 is not heated to a high temperature to generate impurities and adhere to the semiconductor wafer to lower the yield of semiconductor elements. Further, since the heat reflecting plate 50 has ventilation holes as shown in FIGS. 2A to 2C, the clean air blown out of the filter 44 is supplied to the wafer while maintaining the laminar flow state. Can be reached. As a ventilation hole,
Those shown in FIGS. (B) and (C) are more preferable than those shown in FIG. That is, in the case shown in FIG. 3A, since the ventilation holes 52a are linearly communicated toward the filter 44, reflection of radiant heat cannot be realized in the range of the ventilation holes 52a. On the other hand, in the case of FIGS. 7B and 7C, since the ventilation holes do not communicate linearly toward the filter 44, it is possible to reflect the radiant heat from the wafer.
However, in this case, it is preferable to provide an additional configuration such as a hood in order to realize a side flow in a laminar flow state of the clean air.
又、本実施例では、クリーンモジュール42をバックド
ア40内部に配設しているので、バックドア40を別個に設
けたタイプと比較すれば、装置の奥行き方向の幅も少く
することができる。従って、この種の縦型熱処理装置を
横方向に多連結する場合には、各熱処理装置の奥行きの
幅を狭めることができるので、設置面積の縮小に寄与す
ることができる。Further, in this embodiment, since the clean module 42 is provided inside the back door 40, the width of the apparatus in the depth direction can be reduced as compared with the type in which the back door 40 is separately provided. Therefore, when multiple vertical heat treatment apparatuses of this type are connected in the horizontal direction, the depth of each heat treatment apparatus can be reduced, which can contribute to a reduction in installation area.
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではな
く、本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が可能であ
る。例えば、ダクト62によりクリーンルーム60とフィル
タ44の設置箇所とを連通するものであれば、そのサイド
フローを駆動するファン等はいずれの箇所に設置して
も、該ファンなどに負荷を与えることなく安定したサイ
ドフローを実現できる。It should be noted that the present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications can be made within the scope of the present invention. For example, as long as the duct 62 connects the clean room 60 and the installation location of the filter 44, a fan or the like for driving the side flow can be installed in any location without any load on the fan or the like. Side flow can be realized.
［発明の効果］ 以上説明したように本発明によれば、サイドフローの
ためのファンの設置箇所と、これより陽圧側のクリーン
ルームとをダクトで連結し、陽圧側のエアを導いて、ア
ンローディング位置に対するサイドフローを実現してい
るので、送風駆動するファンなどに負荷を与えることな
く安定したサイドフローが実現できる。また、フィルタ
の前面に、通気穴が形成された熱反射板を介在配置する
ことで、フィルタからのクリーンエアによる層流状態で
のフローを実現しながらも、フィルタの温度上昇を防止
でき、高温状態にある被処理体への不純物の付着を大幅
に低減することが可能となる。[Effects of the Invention] As described above, according to the present invention, the installation location of the fan for the side flow and the clean room on the positive pressure side are connected by a duct, and the air on the positive pressure side is guided to perform unloading. Since the side flow with respect to the position is realized, a stable side flow can be realized without imposing a load on a fan or the like driven to blow air. In addition, by interposing a heat reflection plate with a vent hole in front of the filter, it is possible to prevent the temperature of the filter from rising while realizing laminar flow with clean air from the filter. Adhesion of impurities to the object to be processed in the state can be greatly reduced.
第１図は、本発明を縦型熱処理装置に適用した実施例を
示し、アンローディング位置でのサイドフローを行うた
めの構成を示す概略説明図、 第２図（Ａ）〜（Ｃ）は、それぞれ熱反射板の構成例を
示す概略説明図、 第３図は、第１図に示す筐体の下部ゾーンに配設される
各種部材を説明するための概略斜視図である。 10……筐体 12……熱処理炉 44……フィルタ 60……クリーンルーム 62……ダクト Ａ……アンローディング位置FIG. 1 shows an embodiment in which the present invention is applied to a vertical heat treatment apparatus, and is a schematic explanatory view showing a configuration for performing a side flow at an unloading position. FIGS. 2 (A) to 2 (C) FIG. 3 is a schematic explanatory view showing a configuration example of a heat reflecting plate, and FIG. 3 is a schematic perspective view for explaining various members provided in a lower zone of the housing shown in FIG. 10 Case 12 Heat treatment furnace 44 Filter 60 Clean room 62 Duct A Unloading position
Claims (2)
熱処理炉に向けて上下動可能に支持され、上記熱処理炉
下方をアンローディング位置とする基板処理容器と、上
記各容器間で基板を移載する移載機とを、筐体内部に配
置して成る縦型熱処理装置において、 上記アンローディング位置に設置される上記基板処理容
器と対向する側方位置に設けられたフィルタと、 筐体内部の圧力より陽圧に設定されたクリーンルーム内
と一端が連通し、上記筐体の下方を通って他端が上記フ
ィルタの設置箇所に連通するダクトと、を有し、 上記ダクトに沿って導いたクリーンエアを、上記フィル
タを介して上記アンローディング位置に向けてサイドフ
ローすることを特徴とする縦型熱処理装置。1. A substrate container accommodating a substrate to be processed, a substrate processing container supported vertically movably toward a vertical heat treatment furnace and having an unloading position below the heat treatment furnace; A transfer machine for transferring a substrate, in a vertical heat treatment apparatus arranged inside the housing, a filter provided at a side position facing the substrate processing container installed at the unloading position, A duct having one end communicating with the inside of the clean room set to a positive pressure from the pressure inside the housing, and the other end passing below the housing and communicating with the installation location of the filter, A vertical heat treatment apparatus characterized in that the clean air guided is side-flowed toward the unloading position via the filter.
に設置されたことを特徴とする縦型熱処理装置。2. The vertical heat treatment apparatus according to claim 1, wherein the filter is installed inside a door that can be opened and closed with respect to the housing.
Priority Applications (3)
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|---|---|---|---|
| JP20044090A JP2853892B2 (en) | 1990-07-27 | 1990-07-27 | Vertical heat treatment equipment |
| US07/734,784 US5221201A (en) | 1990-07-27 | 1991-07-23 | Vertical heat treatment apparatus |
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20044090A JP2853892B2 (en) | 1990-07-27 | 1990-07-27 | Vertical heat treatment equipment |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0484419A JPH0484419A (en) | 1992-03-17 |
| JP2853892B2 true JP2853892B2 (en) | 1999-02-03 |
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ID=16424331
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2853892B2 (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101376739B1 (en) * | 2012-06-22 | 2014-03-26 | (주) 예스티 | Heating and pressurization apparatus of improved cleanliness |
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Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
1990
- 1990-07-27 JP JP20044090A patent/JP2853892B2/en not_active Expired - Lifetime
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|---|---|---|---|---|
| KR101376739B1 (en) * | 2012-06-22 | 2014-03-26 | (주) 예스티 | Heating and pressurization apparatus of improved cleanliness |
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Also Published As
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|---|---|
| JPH0484419A (en) | 1992-03-17 |
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