JP2821286B2 - 半導体装置の製造装置 - Google Patents
半導体装置の製造装置Info
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- JP2821286B2 JP2821286B2 JP3195642A JP19564291A JP2821286B2 JP 2821286 B2 JP2821286 B2 JP 2821286B2 JP 3195642 A JP3195642 A JP 3195642A JP 19564291 A JP19564291 A JP 19564291A JP 2821286 B2 JP2821286 B2 JP 2821286B2
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- Japan
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- etching
- wafer
- point detection
- detection sensor
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/005—Control means for lapping machines or devices
- B24B37/013—Devices or means for detecting lapping completion
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B49/00—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
- B24B49/16—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation taking regard of the load
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/02—Local etching
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造装置に
関し、特にウェーハを真空吸着等により固定し、回転さ
せながらエッチング液をウェーハに滴下または吹きつ
け、金属薄膜(例:アルミニウム)のエッチングを行う
製造装置(以後、スピンエッチャーと称す)に関する。
関し、特にウェーハを真空吸着等により固定し、回転さ
せながらエッチング液をウェーハに滴下または吹きつ
け、金属薄膜(例:アルミニウム)のエッチングを行う
製造装置(以後、スピンエッチャーと称す)に関する。
【0002】
【従来の技術】従来のスピンエッチャーについて、アル
ミニウム(以下、アルミと略記する)の薄膜のスピンエ
ッチャーの例をとり、図面を参照して説明する。図7は
従来のアルミスピンエッチャーの構成図である。ウェー
ハ3には配線形成や不純物注入時のマスクとなるアルミ
薄膜が形成されており、エッチングにより所定のアルミ
パターンを得るためにアルミ薄膜上にフォトレジストの
マスクパターンが形成されている。ウェーハ3はウェー
ハチャック11上に搬送され、真空吸着固定される。ウ
ェーハ3のアルミエッチング処理は、スピンモーター1
0がウェーハチャック11を回転させることによりウェ
ーハ3を回転させ、同時にエッチング液スプレーノズル
4よりアルミエッチング液をウェーハ3上に噴射させる
ことにより行なう。アルミのエッチングの終了判定は、
終了検出センサーによりアルミのエッチング状態を監視
して行うが、アルミのエッチングの場合、波長約950
nmの赤外線用いたフォトセンサーを終点検出センサー
として用いている。
ミニウム(以下、アルミと略記する)の薄膜のスピンエ
ッチャーの例をとり、図面を参照して説明する。図7は
従来のアルミスピンエッチャーの構成図である。ウェー
ハ3には配線形成や不純物注入時のマスクとなるアルミ
薄膜が形成されており、エッチングにより所定のアルミ
パターンを得るためにアルミ薄膜上にフォトレジストの
マスクパターンが形成されている。ウェーハ3はウェー
ハチャック11上に搬送され、真空吸着固定される。ウ
ェーハ3のアルミエッチング処理は、スピンモーター1
0がウェーハチャック11を回転させることによりウェ
ーハ3を回転させ、同時にエッチング液スプレーノズル
4よりアルミエッチング液をウェーハ3上に噴射させる
ことにより行なう。アルミのエッチングの終了判定は、
終了検出センサーによりアルミのエッチング状態を監視
して行うが、アルミのエッチングの場合、波長約950
nmの赤外線用いたフォトセンサーを終点検出センサー
として用いている。
【0003】以下に終点検出機構について説明する。ま
ず、終点検出センサー光電素子部5に内蔵された発光ダ
イオードから発生した赤外線が、光ファィバーケーブル
8を通って終点検出センサー投光部7からウェーハの裏
面に照射される。アルミは赤外線を吸収する特性を有し
ているため、アルミのエッチング状態によりウェーハを
透過する赤外線の量が変化する。ウェーハ3を透過した
赤外線は、終点検出センサー受光部6から光ファィバー
ケーブル8を通って終点検出センサー光電素子部5に内
蔵されたフォトトランジスタにより光電流に変換され、
電気信号としてエッチング終点判定回路9に送られる。
エッチング終点判定回路9では、光電流による電圧降下
を監視し、単位時間あたりの電圧位置によりエッチング
終点を判定する。エッチング終点の判定がなされると、
スピンモーター10の回転およびエッチング液スプレー
ノズル4からのエッチング液の噴射が停止し、エッチン
グ処理が完了する。
ず、終点検出センサー光電素子部5に内蔵された発光ダ
イオードから発生した赤外線が、光ファィバーケーブル
8を通って終点検出センサー投光部7からウェーハの裏
面に照射される。アルミは赤外線を吸収する特性を有し
ているため、アルミのエッチング状態によりウェーハを
透過する赤外線の量が変化する。ウェーハ3を透過した
赤外線は、終点検出センサー受光部6から光ファィバー
ケーブル8を通って終点検出センサー光電素子部5に内
蔵されたフォトトランジスタにより光電流に変換され、
電気信号としてエッチング終点判定回路9に送られる。
エッチング終点判定回路9では、光電流による電圧降下
を監視し、単位時間あたりの電圧位置によりエッチング
終点を判定する。エッチング終点の判定がなされると、
スピンモーター10の回転およびエッチング液スプレー
ノズル4からのエッチング液の噴射が停止し、エッチン
グ処理が完了する。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のスピン
エッチャーでは、エッチング処理中のウェーハの回転中
に、任意の箇所に固定された終点検出センサーでウェー
ハの透過光を検出しているために、エッチング状態を監
視するウェーハのエッチングパターン箇所が、ウェーハ
の回転に伴ない刻々と変化し、フォトセンサーにより得
られる終点検出信号波形が非常に不安定で、エッチング
終点判定回路によるエッチング終点の誤判定を引き起こ
しやすいという問題点があった。
エッチャーでは、エッチング処理中のウェーハの回転中
に、任意の箇所に固定された終点検出センサーでウェー
ハの透過光を検出しているために、エッチング状態を監
視するウェーハのエッチングパターン箇所が、ウェーハ
の回転に伴ない刻々と変化し、フォトセンサーにより得
られる終点検出信号波形が非常に不安定で、エッチング
終点判定回路によるエッチング終点の誤判定を引き起こ
しやすいという問題点があった。
【0005】なお、アルミのエッチングの場合の終点判
定では、フォトセンサーによる初期電圧値の1%以下の
微弱電圧変動を監視しており、安定した終点検出信号波
形が要求される。アルミのエッチングは、通常1秒間に
80オングストローム程度で進行するため、エッチング
終点を誤検出した場合、アルミパターン寸法が設計に対
し大きくずれ、半導体チップの種々の特性不良,信頼性
低下の原因となる。
定では、フォトセンサーによる初期電圧値の1%以下の
微弱電圧変動を監視しており、安定した終点検出信号波
形が要求される。アルミのエッチングは、通常1秒間に
80オングストローム程度で進行するため、エッチング
終点を誤検出した場合、アルミパターン寸法が設計に対
し大きくずれ、半導体チップの種々の特性不良,信頼性
低下の原因となる。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明のスピンエッチャ
ーはウェーハ回転機構部に固定されたエッチング終点検
出センサーを有しており、このセンサーはウェーハの回
転と同期して回転し、ウェーハの回転エッチング中も、
常時ウェーハ上の同一のパターン箇所のエッチング状態
を監視することができる。
ーはウェーハ回転機構部に固定されたエッチング終点検
出センサーを有しており、このセンサーはウェーハの回
転と同期して回転し、ウェーハの回転エッチング中も、
常時ウェーハ上の同一のパターン箇所のエッチング状態
を監視することができる。
【0007】
【実施例】次に本発明のスピンエッチャーについて、ア
ルミ薄膜のスピンエッチャーの例をとり、図面を参照し
て説明する。図1は本発明の実施例1の構成図である。
ウェーハ3には、配線形成や不純物注入時のマスクとな
るアルミ薄膜が形成されており、エッチングにより所定
のアルミパターンを得るために、アルミ上にフォトレジ
ストのマスクパターンが形成されている。ウェーハ3
は、まずウェーハ位置決めステージ1にて所定の位置合
せが行われ、続いてウェーハ搬送チャック2にてウェー
ハチャック11上に搬送され、真空吸着固定される。ウ
ェーハの位置合せを行うのは、順次処理されるウェーハ
において、毎回同一パターン箇所を終点検出センサー受
光部6,終点検出センサー投光部7の間に位置させるた
めである。
ルミ薄膜のスピンエッチャーの例をとり、図面を参照し
て説明する。図1は本発明の実施例1の構成図である。
ウェーハ3には、配線形成や不純物注入時のマスクとな
るアルミ薄膜が形成されており、エッチングにより所定
のアルミパターンを得るために、アルミ上にフォトレジ
ストのマスクパターンが形成されている。ウェーハ3
は、まずウェーハ位置決めステージ1にて所定の位置合
せが行われ、続いてウェーハ搬送チャック2にてウェー
ハチャック11上に搬送され、真空吸着固定される。ウ
ェーハの位置合せを行うのは、順次処理されるウェーハ
において、毎回同一パターン箇所を終点検出センサー受
光部6,終点検出センサー投光部7の間に位置させるた
めである。
【0008】ウェーハ3のアルミエッチング処理は、ス
ピンモーター10がウェーハチャック11を回転させる
ことによりウェーハ3を回転させ、同時にエッチング液
スプレーノズル4よりアルミのエッチング液をウェーハ
3上に噴射させることにより行う。アルミのエッチング
終了判定は、終点検出センサーによりアルミのエッチン
グ状態を監視して行うが、アルミのエッチングの場合、
波長約950nmの赤外線を用いたフォトセンサーを終
点検出センサーとして用いている。本発明においては、
この終点検出センサーがウェーハチャック11に固定さ
れており、ウェーハの回転と同期して回転する。バラン
サー12は、ウェーハチャック11が安定して回転する
ためにセンサー部との重量バランスをとるためのもので
ある。
ピンモーター10がウェーハチャック11を回転させる
ことによりウェーハ3を回転させ、同時にエッチング液
スプレーノズル4よりアルミのエッチング液をウェーハ
3上に噴射させることにより行う。アルミのエッチング
終了判定は、終点検出センサーによりアルミのエッチン
グ状態を監視して行うが、アルミのエッチングの場合、
波長約950nmの赤外線を用いたフォトセンサーを終
点検出センサーとして用いている。本発明においては、
この終点検出センサーがウェーハチャック11に固定さ
れており、ウェーハの回転と同期して回転する。バラン
サー12は、ウェーハチャック11が安定して回転する
ためにセンサー部との重量バランスをとるためのもので
ある。
【0009】以下に本実施例の終点検出機構について説
明する。まず、終点検出センサー光電素子部5に内蔵さ
れた発光ダイオードから発生した赤外線が、光ファィバ
ーケーブル8を通って終点検出センサー投光部7からウ
ェーハの裏面に照射される。アルミは赤外線を吸収する
特性を有しているため、アルミのエッチング状態により
ウェーハを透過する赤外線の量が変化する。ウェーハ3
を透過した赤外線は、終点検出センサー受光部6から光
ファィバーケーブル8を通って終点検出センサー光電素
子部5に内蔵されたフォトトランジスタにより光電流に
変換され、電気信号としてエッチング終点判定回路9に
送られる。エッチング終点判定回路9では、光電流によ
る電圧降下を監視し、単位時間あたりの電圧変位量によ
りエッチング終点を判定する。エッチング終点の判定が
なされると、スピンモーター10,エッチング液スプレ
ーノズル4からのエッチング液の噴射が停止し、エッチ
ング処理が完了する。
明する。まず、終点検出センサー光電素子部5に内蔵さ
れた発光ダイオードから発生した赤外線が、光ファィバ
ーケーブル8を通って終点検出センサー投光部7からウ
ェーハの裏面に照射される。アルミは赤外線を吸収する
特性を有しているため、アルミのエッチング状態により
ウェーハを透過する赤外線の量が変化する。ウェーハ3
を透過した赤外線は、終点検出センサー受光部6から光
ファィバーケーブル8を通って終点検出センサー光電素
子部5に内蔵されたフォトトランジスタにより光電流に
変換され、電気信号としてエッチング終点判定回路9に
送られる。エッチング終点判定回路9では、光電流によ
る電圧降下を監視し、単位時間あたりの電圧変位量によ
りエッチング終点を判定する。エッチング終点の判定が
なされると、スピンモーター10,エッチング液スプレ
ーノズル4からのエッチング液の噴射が停止し、エッチ
ング処理が完了する。
【0010】図2は、図1のウェーハチャック部を上面
から見た図で同図(a),(b)はそれぞれ動作説明図
である。本実施例では先に述べた様に、終点検出センサ
ーがウェーハチャック11に固定されているいため、ウ
ェーハ3の回転と終点検出センサー投,受光部13の回
転が同期しており、ウェーハ3が同図(a)の状態から
同図(b)の状態に回転しても、終点検出センサーは常
にウェーハ上の同一箇所のパターンのエッチング状態を
監視し、安定した終点検出信号波形を得ることができ
る。
から見た図で同図(a),(b)はそれぞれ動作説明図
である。本実施例では先に述べた様に、終点検出センサ
ーがウェーハチャック11に固定されているいため、ウ
ェーハ3の回転と終点検出センサー投,受光部13の回
転が同期しており、ウェーハ3が同図(a)の状態から
同図(b)の状態に回転しても、終点検出センサーは常
にウェーハ上の同一箇所のパターンのエッチング状態を
監視し、安定した終点検出信号波形を得ることができ
る。
【0011】続いて、本発明の実施例2について図面を
参照して説明する。図3は実施例2の構成図である。実
施例1との相違点として、終点検出センサー受光部6と
終点検出センサー投光部7の位置をセンサー位置決め機
構部14により調整することができる。このセンサー位
置調整機構を有することにより、終点検出信号波形が最
も適正に得られるウェーハ上のパターン位置に、センサ
ー位置をエッチング処理前にあらかじめ調整することが
できる。バランサー位置決め機構部15は、センサー調
整に対応してバランサー12の位置決めを行うものであ
る。図4は図3のウェーハチャックを上面から見た図
で、同図(a),(b)はそれぞれ動作説明図である。
終点検出センサー投,受光部の位置を、同図(a)の初
期設定位置16から同図(b)の最適信号波形検出位置
17に位置決め機構部14により調整しており、終点検
出精度を向上させている。
参照して説明する。図3は実施例2の構成図である。実
施例1との相違点として、終点検出センサー受光部6と
終点検出センサー投光部7の位置をセンサー位置決め機
構部14により調整することができる。このセンサー位
置調整機構を有することにより、終点検出信号波形が最
も適正に得られるウェーハ上のパターン位置に、センサ
ー位置をエッチング処理前にあらかじめ調整することが
できる。バランサー位置決め機構部15は、センサー調
整に対応してバランサー12の位置決めを行うものであ
る。図4は図3のウェーハチャックを上面から見た図
で、同図(a),(b)はそれぞれ動作説明図である。
終点検出センサー投,受光部の位置を、同図(a)の初
期設定位置16から同図(b)の最適信号波形検出位置
17に位置決め機構部14により調整しており、終点検
出精度を向上させている。
【0012】続いて本発明の実施例3について図面を参
照して説明する。図5は実施例3の構成図である。実施
例3では、ウェーハ3の所定位置に、終点検出専用フォ
トレジスタパターン形成部18を設け、ここに終点検出
専用のフォトレジストパターン19を形成し、エッチン
グ時に、その専用パターンが終点検出センサー受光部6
と終点検出センサー投光部7の間に位置され、アルミの
エッチング状態が監視されている。本実施例は、特にウ
ェーハ上にエッチング面積の極端に異なるパターンが混
在するために終点検出信号波形における変位点が多段階
に発生し、エッチング終点の判定が困難な場合や、エッ
チング終点マージンが非常に厳しいエッチングパターン
をエッチングする場合に効果が大きい。本実施例では、
終点検出信号波形が最適に得られる専用パターンのエッ
チング状態を監視することができるため、終点検出精度
を大きく向上することができる。図6は終点検出専用の
フォトレジストパターン19の拡大図である。すなわ
ち、格子状のフォトレジストパターンを規則的に配置
し、均一なエッチングが進行する様にパターンを形成し
ている。
照して説明する。図5は実施例3の構成図である。実施
例3では、ウェーハ3の所定位置に、終点検出専用フォ
トレジスタパターン形成部18を設け、ここに終点検出
専用のフォトレジストパターン19を形成し、エッチン
グ時に、その専用パターンが終点検出センサー受光部6
と終点検出センサー投光部7の間に位置され、アルミの
エッチング状態が監視されている。本実施例は、特にウ
ェーハ上にエッチング面積の極端に異なるパターンが混
在するために終点検出信号波形における変位点が多段階
に発生し、エッチング終点の判定が困難な場合や、エッ
チング終点マージンが非常に厳しいエッチングパターン
をエッチングする場合に効果が大きい。本実施例では、
終点検出信号波形が最適に得られる専用パターンのエッ
チング状態を監視することができるため、終点検出精度
を大きく向上することができる。図6は終点検出専用の
フォトレジストパターン19の拡大図である。すなわ
ち、格子状のフォトレジストパターンを規則的に配置
し、均一なエッチングが進行する様にパターンを形成し
ている。
【0013】
【発明の効果】以上説明したように本発明はスピンエッ
チャーにおけるエッチング終点検出用のセンサーをウェ
ーハの回転機構部に固定したため、センサーがウェーハ
の回転と同期し、常時ウェーハの同一パターン箇所のエ
ッチング状態を監視することが可能となり、安定した終
点検出信号波形が得られるためにエッチング終点の誤差
判定を防止できるという効果がある。
チャーにおけるエッチング終点検出用のセンサーをウェ
ーハの回転機構部に固定したため、センサーがウェーハ
の回転と同期し、常時ウェーハの同一パターン箇所のエ
ッチング状態を監視することが可能となり、安定した終
点検出信号波形が得られるためにエッチング終点の誤差
判定を防止できるという効果がある。
【図1】本発明の実施例1の構成図である。
【図2】図1の一部を示す上面図で、同図(a),
(b)はそれぞれ動作説明図である。
(b)はそれぞれ動作説明図である。
【図3】本発明の実施例2の構成図である。
【図4】図3の一部を示す上面図で、同図(a),
(b)はそれぞれ動作説明図である。
(b)はそれぞれ動作説明図である。
【図5】本発明の実施例3の構成図である。
【図6】図5に示した終点検出用フォトレジストパター
ンの一例を説明した上面図である。
ンの一例を説明した上面図である。
【図7】従来の半導体装置の製造装置の構成図である。
1 ウェーハ位置決めステージ 2 ウェーハ搬送チャック 3 ウェーハ 4 エッチング液スプレーノズル 5 終点検出センサー光電素子部 6 終点検出センサー受光部 7 終点検出センサー投光部 8 光ファイバーケーブル 9 エッチング終点判定回路 10 スピンモーター 11 ウェーハチャック 12 バランサー 13 終点検出センサー投,受光部 14 終点検出センサー投,受光部の位置決め機構部 15 バランサー位置決め機構部 16 終点検出センサー投,受光部初期設定位置 17 終点検出センサー投,受光部最適信号波形検出
位置 18 終点検出専用フォトレジストパターン形成部 19 終点検出専用フォトレジストパターン
位置 18 終点検出専用フォトレジストパターン形成部 19 終点検出専用フォトレジストパターン
Claims (1)
- 【請求項1】 半導体ウェーハを固定し回転させる機構
部と、この回転機構部上のウェーは表面に形成された金
属薄膜をエッチングするためのエッチング液を滴下また
は吹きつける機構部を有する半導体装置の製造装置にお
いて、前記回転機構部に固定されてウェーハの回転と同
期して回転するエッチング終点検出用のセンサーとこの
エッチング終点検出用のセンサーからの電気的信号によ
りエッチングの終点を判断する回路とを有することを特
徴とする半導体装置の製造装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3195642A JP2821286B2 (ja) | 1991-08-06 | 1991-08-06 | 半導体装置の製造装置 |
US07/912,846 US5244527A (en) | 1991-08-06 | 1992-07-13 | Manufacturing unit for semiconductor devices |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3195642A JP2821286B2 (ja) | 1991-08-06 | 1991-08-06 | 半導体装置の製造装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0541371A JPH0541371A (ja) | 1993-02-19 |
JP2821286B2 true JP2821286B2 (ja) | 1998-11-05 |
Family
ID=16344569
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3195642A Expired - Lifetime JP2821286B2 (ja) | 1991-08-06 | 1991-08-06 | 半導体装置の製造装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5244527A (ja) |
JP (1) | JP2821286B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109939952A (zh) * | 2019-03-15 | 2019-06-28 | 福建省福联集成电路有限公司 | 一种用于判断晶圆缺角的装置 |
US11171022B2 (en) | 2018-08-27 | 2021-11-09 | Toshiba Memory Corporation | Substrate treatment apparatus and method of manufacturing semiconductor device |
Families Citing this family (49)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5597442A (en) * | 1995-10-16 | 1997-01-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Chemical/mechanical planarization (CMP) endpoint method using measurement of polishing pad temperature |
US5846882A (en) * | 1996-10-03 | 1998-12-08 | Applied Materials, Inc. | Endpoint detector for a chemical mechanical polishing system |
US7582490B2 (en) * | 1999-06-22 | 2009-09-01 | President And Fellows Of Harvard College | Controlled fabrication of gaps in electrically conducting structures |
US7258838B2 (en) | 1999-06-22 | 2007-08-21 | President And Fellows Of Harvard College | Solid state molecular probe device |
US7118657B2 (en) * | 1999-06-22 | 2006-10-10 | President And Fellows Of Harvard College | Pulsed ion beam control of solid state features |
US6464842B1 (en) | 1999-06-22 | 2002-10-15 | President And Fellows Of Harvard College | Control of solid state dimensional features |
US6783643B2 (en) * | 1999-06-22 | 2004-08-31 | President And Fellows Of Harvard College | Control of solid state dimensional features |
EP1192453B1 (en) * | 1999-06-22 | 2012-02-15 | President and Fellows of Harvard College | Molecular and atomic scale evaluation of biopolymers |
US6179586B1 (en) | 1999-09-15 | 2001-01-30 | Honeywell International Inc. | Dual diaphragm, single chamber mesopump |
US7420659B1 (en) | 2000-06-02 | 2008-09-02 | Honeywell Interantional Inc. | Flow control system of a cartridge |
US6837476B2 (en) | 2002-06-19 | 2005-01-04 | Honeywell International Inc. | Electrostatically actuated valve |
US6729856B2 (en) | 2001-10-09 | 2004-05-04 | Honeywell International Inc. | Electrostatically actuated pump with elastic restoring forces |
JP2003318140A (ja) * | 2002-04-26 | 2003-11-07 | Applied Materials Inc | 研磨方法及び装置 |
SG113449A1 (en) * | 2003-02-21 | 2005-08-29 | Sensfab Pte Ltd | Wet time etching |
US20060134510A1 (en) * | 2004-12-21 | 2006-06-22 | Cleopatra Cabuz | Air cell air flow control system and method |
US7222639B2 (en) * | 2004-12-29 | 2007-05-29 | Honeywell International Inc. | Electrostatically actuated gas valve |
US7328882B2 (en) | 2005-01-06 | 2008-02-12 | Honeywell International Inc. | Microfluidic modulating valve |
US7445017B2 (en) * | 2005-01-28 | 2008-11-04 | Honeywell International Inc. | Mesovalve modulator |
JP4601452B2 (ja) * | 2005-02-22 | 2010-12-22 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
US7320338B2 (en) * | 2005-06-03 | 2008-01-22 | Honeywell International Inc. | Microvalve package assembly |
US7517201B2 (en) | 2005-07-14 | 2009-04-14 | Honeywell International Inc. | Asymmetric dual diaphragm pump |
US20070051415A1 (en) * | 2005-09-07 | 2007-03-08 | Honeywell International Inc. | Microvalve switching array |
US7624755B2 (en) | 2005-12-09 | 2009-12-01 | Honeywell International Inc. | Gas valve with overtravel |
US7523762B2 (en) | 2006-03-22 | 2009-04-28 | Honeywell International Inc. | Modulating gas valves and systems |
US8007704B2 (en) * | 2006-07-20 | 2011-08-30 | Honeywell International Inc. | Insert molded actuator components |
US7543604B2 (en) * | 2006-09-11 | 2009-06-09 | Honeywell International Inc. | Control valve |
US7644731B2 (en) | 2006-11-30 | 2010-01-12 | Honeywell International Inc. | Gas valve with resilient seat |
US8905063B2 (en) | 2011-12-15 | 2014-12-09 | Honeywell International Inc. | Gas valve with fuel rate monitor |
US9557059B2 (en) | 2011-12-15 | 2017-01-31 | Honeywell International Inc | Gas valve with communication link |
US8839815B2 (en) | 2011-12-15 | 2014-09-23 | Honeywell International Inc. | Gas valve with electronic cycle counter |
US9074770B2 (en) | 2011-12-15 | 2015-07-07 | Honeywell International Inc. | Gas valve with electronic valve proving system |
US9995486B2 (en) | 2011-12-15 | 2018-06-12 | Honeywell International Inc. | Gas valve with high/low gas pressure detection |
US9835265B2 (en) | 2011-12-15 | 2017-12-05 | Honeywell International Inc. | Valve with actuator diagnostics |
US9851103B2 (en) | 2011-12-15 | 2017-12-26 | Honeywell International Inc. | Gas valve with overpressure diagnostics |
US8947242B2 (en) | 2011-12-15 | 2015-02-03 | Honeywell International Inc. | Gas valve with valve leakage test |
US9846440B2 (en) | 2011-12-15 | 2017-12-19 | Honeywell International Inc. | Valve controller configured to estimate fuel comsumption |
US8899264B2 (en) | 2011-12-15 | 2014-12-02 | Honeywell International Inc. | Gas valve with electronic proof of closure system |
US10422531B2 (en) | 2012-09-15 | 2019-09-24 | Honeywell International Inc. | System and approach for controlling a combustion chamber |
US9234661B2 (en) | 2012-09-15 | 2016-01-12 | Honeywell International Inc. | Burner control system |
JP6339333B2 (ja) * | 2013-08-27 | 2018-06-06 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | ドライエッチング装置およびエッチング量測定方法 |
EP2868970B1 (en) | 2013-10-29 | 2020-04-22 | Honeywell Technologies Sarl | Regulating device |
US10024439B2 (en) | 2013-12-16 | 2018-07-17 | Honeywell International Inc. | Valve over-travel mechanism |
JP6306974B2 (ja) * | 2013-12-20 | 2018-04-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布膜除去装置 |
US9841122B2 (en) | 2014-09-09 | 2017-12-12 | Honeywell International Inc. | Gas valve with electronic valve proving system |
US9645584B2 (en) | 2014-09-17 | 2017-05-09 | Honeywell International Inc. | Gas valve with electronic health monitoring |
US10503181B2 (en) | 2016-01-13 | 2019-12-10 | Honeywell International Inc. | Pressure regulator |
US10564062B2 (en) | 2016-10-19 | 2020-02-18 | Honeywell International Inc. | Human-machine interface for gas valve |
US11073281B2 (en) | 2017-12-29 | 2021-07-27 | Honeywell International Inc. | Closed-loop programming and control of a combustion appliance |
US10697815B2 (en) | 2018-06-09 | 2020-06-30 | Honeywell International Inc. | System and methods for mitigating condensation in a sensor module |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06103687B2 (ja) * | 1988-08-12 | 1994-12-14 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 回転式表面処理方法および回転式表面処理における処理終点検出方法、ならびに回転式表面処理装置 |
US5069002A (en) * | 1991-04-17 | 1991-12-03 | Micron Technology, Inc. | Apparatus for endpoint detection during mechanical planarization of semiconductor wafers |
-
1991
- 1991-08-06 JP JP3195642A patent/JP2821286B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1992
- 1992-07-13 US US07/912,846 patent/US5244527A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11171022B2 (en) | 2018-08-27 | 2021-11-09 | Toshiba Memory Corporation | Substrate treatment apparatus and method of manufacturing semiconductor device |
CN109939952A (zh) * | 2019-03-15 | 2019-06-28 | 福建省福联集成电路有限公司 | 一种用于判断晶圆缺角的装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5244527A (en) | 1993-09-14 |
JPH0541371A (ja) | 1993-02-19 |
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