JP2817470B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JP2817470B2 JP2817470B2 JP3250779A JP25077991A JP2817470B2 JP 2817470 B2 JP2817470 B2 JP 2817470B2 JP 3250779 A JP3250779 A JP 3250779A JP 25077991 A JP25077991 A JP 25077991A JP 2817470 B2 JP2817470 B2 JP 2817470B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造方法に
関し、特にシリコン層の加工を行うドライエッチング方
法に関する。
関し、特にシリコン層の加工を行うドライエッチング方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造工程において、フォト
レジスト膜をマスクとして例えばシリコン基板にドライ
エッチング法により深い溝を形成しようとした場合、従
来、ＳＦ6 にＣＣｌ2 Ｆ2 （フロン１２）やＣ2 ＣｌＦ
5 （フロン１１５）やＣＣｌ4 を添加したエッチングガ
スが用いられていた。
レジスト膜をマスクとして例えばシリコン基板にドライ
エッチング法により深い溝を形成しようとした場合、従
来、ＳＦ6 にＣＣｌ2 Ｆ2 （フロン１２）やＣ2 ＣｌＦ
5 （フロン１１５）やＣＣｌ4 を添加したエッチングガ
スが用いられていた。
【０００３】すなわちＳＦ6 をシリコンに対するメイン
エッチングガスとしているが、ＳＦ6 単独では、等方性
エッチングとなってしまうため、ＳＦ6 にＣＣｌ
2 Ｆ2 ，Ｃ2 ＣｌＦ5 ，ＣＣｌ4 等を添加することによ
り、添加ガスによるエッチング部の側壁への保護膜形成
作用により、異方性エッチングを実現していた。
エッチングガスとしているが、ＳＦ6 単独では、等方性
エッチングとなってしまうため、ＳＦ6 にＣＣｌ
2 Ｆ2 ，Ｃ2 ＣｌＦ5 ，ＣＣｌ4 等を添加することによ
り、添加ガスによるエッチング部の側壁への保護膜形成
作用により、異方性エッチングを実現していた。
【０００４】上述のエッチングガス系は、シリコン基板
のエッチング工程においてのみでなく、ポリシリコン層
のエッチング工程においても、ポリシリコン中の不純物
の種類によってエッチング特性があまり変化しないガス
系として、現在に至るまで用いられてきている。
のエッチング工程においてのみでなく、ポリシリコン層
のエッチング工程においても、ポリシリコン中の不純物
の種類によってエッチング特性があまり変化しないガス
系として、現在に至るまで用いられてきている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】この従来のシリコンの
ドライエッチングにおけるエッチングガスとして用いら
れている添加ガス（ＣＣｌ2 Ｆ2 ，Ｃ2 ＣｌＦ5 ，ＣＣ
ｌ4 ）は、全てフロン規制対象ガスであるため、フロン
規制が施行された場合、半導体装置の製造に支障をきた
すという問題点がある。
ドライエッチングにおけるエッチングガスとして用いら
れている添加ガス（ＣＣｌ2 Ｆ2 ，Ｃ2 ＣｌＦ5 ，ＣＣ
ｌ4 ）は、全てフロン規制対象ガスであるため、フロン
規制が施行された場合、半導体装置の製造に支障をきた
すという問題点がある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置の製
造方法は、フォトレジストをマスクにしてドライエッチ
ング法を用いてシリコン基板に溝を形成する半導体装置
の製造方法において、エッチングガスとしてＳＦ 6 とＣ
ｌ 2 を用い、ＳＦ 6 の流量を８５〜９５％、Ｃｌ 2 の流量
を１５〜５％とすることを特徴とする。また、本発明の
半導体装置の製造方法は、フォトレジストをマスクにし
てドライエッチング法を用いてシリコン基板に溝を形成
する半導体装置の製造方法において、エッチングガスと
してＳＦ 6 とＣｌ 2 とＣＨＦ 3 を用い、ＳＦ 6 の流量を８５
〜９５％、Ｃｌ 2 とＣＨＦ 3 の流量を１５〜５％とするこ
とを特徴とする。
造方法は、フォトレジストをマスクにしてドライエッチ
ング法を用いてシリコン基板に溝を形成する半導体装置
の製造方法において、エッチングガスとしてＳＦ 6 とＣ
ｌ 2 を用い、ＳＦ 6 の流量を８５〜９５％、Ｃｌ 2 の流量
を１５〜５％とすることを特徴とする。また、本発明の
半導体装置の製造方法は、フォトレジストをマスクにし
てドライエッチング法を用いてシリコン基板に溝を形成
する半導体装置の製造方法において、エッチングガスと
してＳＦ 6 とＣｌ 2 とＣＨＦ 3 を用い、ＳＦ 6 の流量を８５
〜９５％、Ｃｌ 2 とＣＨＦ 3 の流量を１５〜５％とするこ
とを特徴とする。
【０００７】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明を行
う。エッチングガスとしてＳＦ6 にＣｌ2 を混合したガ
スを用い、フォトレジスト膜をマスクとしてシリコン基
板のエッチングを行った場合のトータル流量に占めるＣ
ｌ2 ガスの割合とエッチング速度との関係を図１に、そ
して図１のＡ〜Ｄ点におけるシリコン基板のエッチング
形状を図２に示す。
う。エッチングガスとしてＳＦ6 にＣｌ2 を混合したガ
スを用い、フォトレジスト膜をマスクとしてシリコン基
板のエッチングを行った場合のトータル流量に占めるＣ
ｌ2 ガスの割合とエッチング速度との関係を図１に、そ
して図１のＡ〜Ｄ点におけるシリコン基板のエッチング
形状を図２に示す。
【０００８】シリコン基板１にフォトレジスト膜２から
なるマスクを形成したのち、ＳＦ6 にＣｌ2 を添加した
エッチングガスを用いるドライエッチング法によりシリ
コン基板１をエッチングし溝３を形成した。この時Ｃｌ
2 の混合比が少い程エッチング速度は高いが、混合比が
少なすぎると、大きなサイドエッチングが入ってしま
う。
なるマスクを形成したのち、ＳＦ6 にＣｌ2 を添加した
エッチングガスを用いるドライエッチング法によりシリ
コン基板１をエッチングし溝３を形成した。この時Ｃｌ
2 の混合比が少い程エッチング速度は高いが、混合比が
少なすぎると、大きなサイドエッチングが入ってしま
う。
【０００９】またＣｌ2 の混合比を増大して行くと、エ
ッチング速度は急激に低下して行き、エッチング形状も
縦方向にエチングが進まない分だけ横方向にエッチング
が進行するため、サイドエッチングの少い形状とはなら
ない。
ッチング速度は急激に低下して行き、エッチング形状も
縦方向にエチングが進まない分だけ横方向にエッチング
が進行するため、サイドエッチングの少い形状とはなら
ない。
【００１０】エッチングにより深い溝を形成する場合特
に必要とされるのは、サイドエッチングが少いこととエ
ッチング速度が速いことであるが、図１より明らかな様
に、以上の２点を満足させるトータルガス流量に占める
Ｃｌ2 ガス混合比の割合は、５〜１５％という範囲にし
か存在しない。
に必要とされるのは、サイドエッチングが少いこととエ
ッチング速度が速いことであるが、図１より明らかな様
に、以上の２点を満足させるトータルガス流量に占める
Ｃｌ2 ガス混合比の割合は、５〜１５％という範囲にし
か存在しない。
【００１１】以上、シリコン基板のエッチングの場合に
ついて説明したが、ポリシリコン層のエッチングの場合
についても、シリコン基板と同様サイドエッチングの少
いエッチングが実現できる。また上記実施例において
は、メインガスのＳＦ6 にＣｌ2 を添加した場合につい
て述べたが、Ｃｌ2 の代りにＣｌ2 ＋ＣＨＦ3 を５〜１
５％添加してもよい。
ついて説明したが、ポリシリコン層のエッチングの場合
についても、シリコン基板と同様サイドエッチングの少
いエッチングが実現できる。また上記実施例において
は、メインガスのＳＦ6 にＣｌ2 を添加した場合につい
て述べたが、Ｃｌ2 の代りにＣｌ2 ＋ＣＨＦ3 を５〜１
５％添加してもよい。
【００１２】この場合Ｃｌ2 の他にさらにＣＨＦ3 を添
加するため、ＣＨＦ3 ガス中のＣ及びＨの被エッチング
物側壁への付着による側壁保護効果により、さらにサイ
ドエッチングの少い溝を形成することができる。
加するため、ＣＨＦ3 ガス中のＣ及びＨの被エッチング
物側壁への付着による側壁保護効果により、さらにサイ
ドエッチングの少い溝を形成することができる。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、ＳＦ6 に
Ｃｌ2 またはＣｌ2 とＣＨＦ3 を添加することにより、
フロン規制ガスを全く使わずに従来と同様に、ポリシリ
コン層及びシリコン基板の異方性エッチングを行うこと
ができるという効果がある。
Ｃｌ2 またはＣｌ2 とＣＨＦ3 を添加することにより、
フロン規制ガスを全く使わずに従来と同様に、ポリシリ
コン層及びシリコン基板の異方性エッチングを行うこと
ができるという効果がある。
【図１】本発明の実施例に用いるエッチングガス中のＣ
ｌ2 の割合とエッチング速度との関係を示す図。
ｌ2 の割合とエッチング速度との関係を示す図。
【図２】Ｃｌ2 ガスの割合による溝の形状の変化を示す
図。
図。
１ シリコン基板 ２ フォトレジスト膜 ３ 溝
Claims (2)
- 【請求項１】 フォトレジストをマスクにしてドライエ
ッチング法を用いてシリコン基板に溝を形成する半導体
装置の製造方法において、エッチングガスとしてＳＦ6
とＣｌ2を用い、ＳＦ6の流量を８５〜９５％、Ｃｌ2の
流量を１５〜５％とすることを特徴とする半導体装置の
製造方法。 - 【請求項２】 フォトレジストをマスクにしてドライエ
ッチング法を用いてシリコン基板に溝を形成する半導体
装置の製造方法において、エッチングガスとしてＳＦ6
とＣｌ2とＣＨＦ3を用い、ＳＦ6の流量を８５〜９５
％、Ｃｌ2とＣＨＦ3の流量を１５〜５％とすることを特
徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3250779A JP2817470B2 (ja) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3250779A JP2817470B2 (ja) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0590218A JPH0590218A (ja) | 1993-04-09 |
| JP2817470B2 true JP2817470B2 (ja) | 1998-10-30 |
Family
ID=17212923
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3250779A Expired - Fee Related JP2817470B2 (ja) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2817470B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09148313A (ja) * | 1995-11-22 | 1997-06-06 | Nec Corp | ドライエッチング方法 |
| CN107895694A (zh) * | 2017-11-14 | 2018-04-10 | 扬州扬杰电子科技股份有限公司 | 一种用于干法刻蚀硅槽的方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4214946A (en) * | 1979-02-21 | 1980-07-29 | International Business Machines Corporation | Selective reactive ion etching of polysilicon against SiO2 utilizing SF6 -Cl2 -inert gas etchant |
-
1991
- 1991-09-30 JP JP3250779A patent/JP2817470B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0590218A (ja) | 1993-04-09 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19980224 |
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| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19980721 |
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