JP2813499B2 - Organic EL device - Google Patents

Organic EL device

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JP2813499B2
JP2813499B2 JP3252114A JP25211491A JP2813499B2 JP 2813499 B2 JP2813499 B2 JP 2813499B2 JP 3252114 A JP3252114 A JP 3252114A JP 25211491 A JP25211491 A JP 25211491A JP 2813499 B2 JP2813499 B2 JP 2813499B2
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sealing
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浩昭 中村
正 楠本
正英 松浦
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    • H—ELECTRICITY
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    • H10K50/844—Encapsulations

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、エレクトロルミネッセ
ンス素子（ＥＬ素子）の封止方法に係り、特に有機ＥＬ
素子の封止方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for sealing an electroluminescent device (EL device), and more particularly to a method for sealing an organic EL device.
The present invention relates to a method for sealing an element.

【０００２】[0002]

【従来の技術】ＥＬ素子には無機ＥＬ素子と有機ＥＬ素
子とがあり、いずれのＥＬ素子も自己発光性であるため
に視認性が高く、また完全固体素子であるために耐衝撃
性に優れるとともに取扱が容易である。このため、グラ
フィックディスプレイの画素やテレビ画像表示装置の画
素、あるいは面光源等としての研究開発および実用化が
進められている。有機ＥＬ素子は、アントラセン等の蛍
光性の有機固体からなる発光層とトリフェニルアミン誘
導体等からなる正孔注入層、または発光層とペリレン誘
導体等からなる電子注入層、あるいは正孔注入層と発光
層と電子注入層とを、２つの電極（発光面側の電極は透
明電極）間に介在させた積層構造体を、一般に基板上に
形成してなる。2. Description of the Related Art EL elements include an inorganic EL element and an organic EL element. Both of these EL elements are self-luminous and have high visibility. Further, since they are completely solid elements, they have excellent impact resistance. It is easy to handle. For this reason, research and development and practical application as pixels for graphic displays, pixels for television image display devices, and surface light sources are being promoted. The organic EL element is composed of a light emitting layer made of a fluorescent organic solid such as anthracene and a hole injection layer made of a triphenylamine derivative, or an electron injection layer made of a light emitting layer and a perylene derivative, or a hole injection layer made of a perylene derivative. A laminated structure in which a layer and an electron injection layer are interposed between two electrodes (the electrode on the light emitting surface side is a transparent electrode) is generally formed on a substrate.

【０００３】このような有機ＥＬ素子は、発光層に注入
された電子と正孔とが再結合するときに生じる発光を利
用するものである。このため有機ＥＬ素子は、発光層の
厚さを薄くすることにより例えば４．５Ｖという低電圧
での駆動が可能で応答も速いといった利点や、輝度が注
入電流に比例するために高輝度のＥＬ素子を得ることが
できるといった利点等を有している。また、発光層とす
る蛍光性の有機固体の種類を変えることにより、青、
緑、黄、赤の可視域すべての色で発光が得られている。
有機ＥＬ素子は、このような利点、特に低電圧での駆動
が可能であるという利点を有していることから、現在、
実用化のための研究が進められている。[0003] Such an organic EL element utilizes light emission generated when electrons and holes injected into the light emitting layer recombine. For this reason, the organic EL element has an advantage that it can be driven at a low voltage of, for example, 4.5 V and has a quick response by reducing the thickness of the light emitting layer, and has a high luminance EL because the luminance is proportional to the injection current. This has the advantage that an element can be obtained. By changing the type of fluorescent organic solid used as the light emitting layer, blue,
Light emission is obtained in all colors of green, yellow and red.
Organic EL elements have such advantages, in particular, that they can be driven at a low voltage.
Research for practical use is underway.

【０００４】ところで、有機ＥＬ素子の発光層の材料で
ある蛍光性の有機固体は、水分、酸素等に弱い。また、
発光層上に直接あるいは正孔注入層または電子注入層を
介して設けられる電極（以下、対向電極ということがあ
る）は、酸化により特性が劣化し易い。このため、従来
の有機ＥＬ素子を大気中で駆動させると発光特性が急激
に劣化する。したがって、実用的な有機ＥＬ素子や有機
ＥＬデバイスを得るためには、発光層に水分や酸素等が
侵入しないように、また対向電極が酸化されないよう
に、素子を封止して長寿命化を図る必要がある。[0004] Incidentally, a fluorescent organic solid which is a material of a light emitting layer of an organic EL element is vulnerable to moisture, oxygen and the like. Also,
An electrode provided directly on a light emitting layer or through a hole injection layer or an electron injection layer (hereinafter, sometimes referred to as a counter electrode) tends to deteriorate in characteristics due to oxidation. For this reason, when the conventional organic EL element is driven in the atmosphere, the light emission characteristics are rapidly deteriorated. Therefore, in order to obtain a practical organic EL element or an organic EL device, the element is sealed so that moisture and oxygen do not enter the light emitting layer and the counter electrode is not oxidized to extend the life. It is necessary to plan.

【０００５】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、有機Ｅ
Ｌ素子については有効な封止方法が未だ開発されていな
い。例えば、無機ＥＬ素子を封止する方法、すなわち、
背面電極（対向電極）の外側に背面ガラス板を設け、背
面電極と背面ガラス板との間にシリコーンオイルを封入
する方法を有機ＥＬ素子に適用した場合には、対向電極
を介して、あるいは対向電極と正孔注入層または電子注
入層とを介してシリコーオイルが発光層に侵入し、この
シリコーンオイルにより発光層が変性してしまうため
に、有機ＥＬ素子の発光特性が大幅に劣化するかもしく
は全く発光しなくなる。However, the organic E
No effective sealing method has been developed for the L element. For example, a method of sealing an inorganic EL element,
When a rear glass plate is provided outside the rear electrode (counter electrode), and silicone oil is sealed between the rear electrode and the rear glass plate, the method is applied to an organic EL element. Silicon oil invades the light emitting layer through the electrode and the hole injection layer or the electron injection layer, and the light emitting layer is denatured by the silicone oil. No light is emitted at all.

【０００６】また、機械的保護等のために設けられてい
る樹脂コーティング層を有機ＥＬ素子の封止に応用する
ことも容易に考えつくが、この場合でも、樹脂コーティ
ング液（一般に、溶媒はテトラヒドロフラン、クロロホ
ルム、ジクロロメタン等のハロゲン系溶媒か、ベンゼ
ン、キシレン、トルエン等の芳香族炭化水素系溶媒）が
上記のようにして発光層に侵入して発光層を溶かしてし
まうために、有機ＥＬ素子の発光特性が大幅に劣化する
かもしくは全く発光しない。[0006] Further, it is easily conceivable to apply a resin coating layer provided for mechanical protection or the like to sealing of an organic EL element. In this case, too, a resin coating solution (generally, a solvent is tetrahydrofuran, As described above, a halogen-based solvent such as chloroform or dichloromethane, or an aromatic hydrocarbon-based solvent such as benzene, xylene, or toluene) penetrates the light-emitting layer and dissolves the light-emitting layer. The characteristics are significantly degraded or no light is emitted.

【０００７】したがって本発明の目的は、長寿命の有機
ＥＬ素子を得ることが可能な、有機ＥＬ素子の封止方法
を提供することにある。Accordingly, an object of the present invention is to provide a method for sealing an organic EL element, which can obtain a long-life organic EL element.

【０００８】[0008]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明の方法は、互いに対向する２つの電極間に蛍光性の有
機固体からなる発光層が少なくとも介在してなる積層構
造体を基板上に有する有機ＥＬ素子における前記の積層
構造体の外表面に、電気絶縁性無機化合物からなる保護
層を設けた後、この保護層の外側に電気絶縁性ガラスま
たは電気絶縁性高分子フィルムからなるシールド層を設
け、しかも、前記の保護層と前記のシールド層との間に
吸湿層を介在させることを特徴とするものである（以
下、この方法を「方法Ｉ」という。）。 According to the method of the present invention for achieving the above object , a fluorescent material is provided between two electrodes facing each other.
Laminated structure in which at least a light-emitting layer composed of a solid is interposed
The above-mentioned lamination in an organic EL device having a structure on a substrate
Protection made of an electrically insulating inorganic compound on the outer surface of the structure
After the layer has been applied, an electrically insulating glass
Or a shield layer made of an electrically insulating polymer film.
Between the protective layer and the shield layer.
It is characterized by interposing a moisture absorbing layer (hereinafter referred to as
Hereinafter, this method is referred to as “method I”. ).

【０００９】また、上記目的を達成する本発明の他の方
法は、互いに対向する２つの電極間に蛍光性の有機固体
からなる発光層が少なくとも介在してなる積層構造体を
基板上に有する有機ＥＬ素子における前記の積層構造体
の外表面に、電気絶縁性無機化合物からなる保護層を設
けた後、この保護層の外側に電気絶縁性気密流体からな
るシールド層を設けることを特徴とするものである（以
下、この方法を「方法II」という。）。 Another object of the present invention to achieve the above object is as follows.
The method uses a fluorescent organic solid between two electrodes facing each other.
Laminated structure having at least a light-emitting layer consisting of
The above laminated structure in an organic EL device having on a substrate
A protective layer made of an electrically insulating inorganic compound on the outer surface of
After the opening, an electrically insulating airtight fluid is
(See below).
Hereinafter, this method is referred to as “method II”. ).

【００１０】そして、上記目的を達成する本発明のもう
１つの他の方法は、互いに対向する２つの電極間に蛍光
性の有機固体からなる発光層が少なくとも介在してなる
積層構造体を基板上に有する有機ＥＬ素子における前記
の積層構造体の外表面に、前記の発光層の形成時から続
く一連の真空環境下で電気絶縁性無機化合物からなる保
護層を設けた後、この保護層の外側に、電気絶縁性ガラ
ス，電気絶縁性高分子化合物および電気絶縁性気密流体
からなる群より選択される１つからなるシールド層を設
けることを特徴とするものである（以下、この方法を
「方法III」とい う。）。 [0010] The present invention, which achieves the above object, is further improved.
One other method is to use fluorescent light between two electrodes facing each other.
Light-emitting layer made of a conductive organic solid is interposed at least
In the organic EL device having the laminated structure on the substrate,
On the outer surface of the laminated structure from the time of forming the light emitting layer.
In a series of vacuum environments, protective materials made of electrically insulating inorganic compounds
After the protective layer has been applied, an electrically insulating glass
, Electric insulating polymer compound and electric insulating airtight fluid
A shield layer consisting of one selected from the group consisting of
(Hereinafter, this method is referred to as
To as "Method III". ).

【００１１】以下、本発明を詳細に説明する。本発明の
方法Ｉ，方法IIおよび方法III のいずれも、上述のよう
に、互いに対向する２つの電極間に蛍光性の有機固体か
らなる発光層が少なくとも介在してなる積層構造体を基
板上に有する有機ＥＬ素子における前記の積層構造体の
外表面に保護層を設け、この保護層の外側にシールド層
を設けることにより、有機ＥＬ素子を封止するものであ
る。ここで、上記積層構造体の構成としては下記〜
電極（陰極）／発光層／正孔注入層／電極（陽
極） 電極（陽極）／発光層／電子注入層／電極（陰極） 電極（陽極）／正孔注入層／発光層／電子注入層／電
極（陰極） 電極（陽極または陰極）／発光層／電極（陰極または
陽極） があるが、本発明の方法Ｉ，方法IIおよび方法III はい
ずれの構成の積層構造体を有する有機ＥＬ素子に対して
も適用することができる。また、これらの積層構造体の
形状、大きさ、材質、製造方法等は有機ＥＬ素子の用途
等に応じて適宜選択されるものであるが、本発明の方法
Ｉ，方法IIおよび方法III のいずれにおいても、積層構
造体の形状、大きさ、材質、製造方法等は問わない。た
だし、長寿命の有機ＥＬ素子を得るうえからは、積層構
造体の形成過程での発光層の特性劣化をできるだけ抑止
することが望ましく、そのためには、発光層の形成から
対向電極の形成までを一連の真空環境下で行うことが特
に好ましい。Hereinafter, the present invention will be described in detail. Of the present invention
As described above , all of Method I, Method II and Method III are based on a laminated structure having at least a light-emitting layer made of a fluorescent organic solid interposed between two electrodes facing each other.
The organic EL element is sealed by providing a protective layer on the outer surface of the laminated structure of the organic EL element provided on the plate and providing a shield layer outside the protective layer. Here, the configuration of the laminated structure is as follows:
Electrode (cathode) / light-emitting layer / hole injection layer / electrode (anode) Electrode (anode) / light-emitting layer / electron injection layer / electrode (cathode) Electrode (anode) / hole injection layer / light-emitting layer / electron injection layer / Electrode (cathode) There is an electrode (anode or cathode) / light-emitting layer / electrode (cathode or anode), but the method I, the method II and the method III of the present invention are applied to an organic EL device having a laminated structure of any structure. Can also be applied. The shape of these multilayer structures, size, material, and manufacturing method and the like are those selected appropriately depending on the application of the organic EL element, the method of the present invention
In any of I, Method II and Method III, the shape, size, material, manufacturing method and the like of the laminated structure are not limited. However, in order to obtain a long-life organic EL element, it is desirable to suppress the deterioration of the characteristics of the light emitting layer during the formation process of the laminated structure as much as possible. It is particularly preferable to perform the treatment under a series of vacuum environments.

【００１２】本発明の方法Ｉ，方法IIおよび方法III の
いずれにおいても、まず、上述した積層構造体の外表面
に電気絶縁性無機化合物からなる保護層を設ける。保護
層は、少なくとも対向電極の主表面上に設けられていれ
ばよいが、積層構造体の外表面全面に設けられているこ
とが特に好ましい。また、構造上、対向電極が発光層、
正孔注入層または電子注入層のいずれかの層の主表面の
一部に設けられている有機ＥＬ素子では、少なくとも、
対向電極の下地となった層の主表面のうちで対向電極が
設けられていない部分上と、対向電極の主表面上とに保
護層を設けることが好ましい。The method I, method II and method III of the present invention
In any case , first, a protective layer made of an electrically insulating inorganic compound is provided on the outer surface of the above-mentioned laminated structure. The protective layer may be provided at least on the main surface of the counter electrode, but is particularly preferably provided on the entire outer surface of the multilayer structure. Also, due to the structure, the counter electrode is a light emitting layer,
In the organic EL element provided on a part of the main surface of either the hole injection layer or the electron injection layer, at least:
It is preferable to provide a protective layer on a portion of the main surface of the layer that is the base of the counter electrode, where the counter electrode is not provided, and on the main surface of the counter electrode.

【００１３】保護層の材料である電気絶縁性無機化合物
は、物理蒸着法（以下、ＰＶＤ法ということがある）に
より成膜可能な電気絶縁性のものであればよく、具体例
としてはＭｇＯ、Ａｌ2 Ｏ3 、ＮｉＯ、ＣａＯ、Ｂａ
Ｏ、Ｆｅ2 Ｏ3 、Ｙ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、酸化チタン等の
酸化物や、ＡｌＮ、ＢＮ、Ｓｉ3 Ｎ4 、Ｌｉ3 Ｎ等の窒
化物、ＳｉＣ、ＴｉＣ等の炭化物、ＳｒＳ、ＥｕＳ、Ｃ
ｕＳ、ＺｎＳ等の硫化物、あるいはＭｇＦ2 、Ｍｇ（Ｏ
Ｈ）2 、ＢａＳＯ4 等、各種の電気絶縁性無機化合物が
あげられる。これらの電気絶縁性無機化合物のうち、反
応性蒸着法等により比較的マイルドな条件で成膜可能な
ＭｇＯ、Ａｌ2 Ｏ3 、ＮｉＯ等の金属酸化物が特に好ま
しい。The electrically insulating inorganic compound as a material of the protective layer may be an electrically insulating inorganic compound which can be formed into a film by a physical vapor deposition method (hereinafter sometimes referred to as a PVD method). Al 2 O 3 , NiO, CaO, Ba
Oxides such as O, Fe 2 O 3 , Y 2 O 3 , SiO 2 and titanium oxide, nitrides such as AlN, BN, Si 3 N 4 and Li 3 N, carbides such as SiC and TiC, SrS, EuS , C
sulfides such as uS and ZnS, or MgF 2 , Mg (O
H) 2 , BaSO 4, etc., and various electrically insulating inorganic compounds. Among these electrically insulating inorganic compounds, metal oxides such as MgO, Al 2 O 3 , and NiO, which can be formed under relatively mild conditions by a reactive evaporation method or the like, are particularly preferable.

【００１４】電気絶縁性無機化合物からなる保護層は、
用いる無機化合物に応じたＰＶＤ法により設けることが
できる。保護層を設けた側を発光面とする場合には、有
機ＥＬ素子からのＥＬ光に対する透光性に優れた保護層
が得られるように材料および形成方法を選択する。ＰＶ
Ｄ法としては種々の方法が知られているが、真空蒸着法
またはスパッタ法を適用することが好ましい。それらは
例えば以下のように細分することができるが、いずれの
手法であっても適用することができる。 ａ．真空蒸着法 抵抗加熱法、電子ビーム加熱法、高周波誘導加熱法、反
応性蒸着法、分子線エピタキシー法、ホットウォール蒸
着法、イオンプレーティング法、クラスターイオンビー
ム法等 ｂ．スパッタ法 ２極スパッタ法、２極マグネトロンスパッタ法、３極お
よび４極プラズマスパッタ法、反応性スパッタ法、イオ
ンビームスパッタ法、あるいはこれらを組合せた方法等The protective layer made of an electrically insulating inorganic compound comprises:
It can be provided by a PVD method according to the inorganic compound used. In the case where the side on which the protective layer is provided is used as a light emitting surface, a material and a forming method are selected so that a protective layer having excellent transparency to EL light from an organic EL element is obtained. PV
Although various methods are known as the method D, it is preferable to apply a vacuum evaporation method or a sputtering method. They can be subdivided, for example, as follows, but any method can be applied. a. Vacuum evaporation method Resistance heating method, electron beam heating method, high-frequency induction heating method, reactive evaporation method, molecular beam epitaxy method, hot wall evaporation method, ion plating method, cluster ion beam method, etc. b. Sputtering method Two-pole sputtering, two-pole magnetron sputtering, three-pole and four-pole plasma sputtering, reactive sputtering, ion beam sputtering, or a combination thereof

【００１５】保護層の成膜は、保護層を設けようとする
積層構造体を構成している有機物が変性しないように行
うことが望ましい。有機物が変性しないための条件は、
その種類、換言すればその有機物が有する耐熱性などの
特性により異なるが、一般に有機物の温度を２００℃以
下に保つことが好ましく、さらには１００℃以下に保つ
ことが好ましい。勿論、発光層等用の有機物として高分
子化合物のように熱に強い材料を使用したときは、この
限りでない。以下に、方法別に好ましい成膜条件を述べ
る。The formation of the protective layer is desirably performed so that the organic substance constituting the laminated structure on which the protective layer is to be provided is not denatured. The conditions for the organic matter not to be denatured are
In general, the temperature of the organic substance is preferably maintained at 200 ° C. or lower, more preferably 100 ° C. or lower, although it varies depending on the type, in other words, the properties of the organic substance such as heat resistance. Of course, this does not apply when a heat-resistant material such as a polymer compound is used as the organic substance for the light emitting layer or the like. Hereinafter, preferable film forming conditions for each method will be described.

【００１６】真空蒸着法 このなかでも好ましい方法は反応性蒸着法、電子ビーム
蒸着法であり、例えば反応性蒸着法で金属酸化物（Ｍｇ
Ｏ）からなる保護膜を成膜する場合を例にとると、蒸着
時間は２時間以下、好ましくは１時間以下がよい。さら
に好ましくは２０分以下がよい。蒸着前の真空チャンバ
ー内の真空度は１×１０-2Ｐａ以下、特に６×１０-3Ｐ
ａ以下が好ましく、その後真空チャンバー内に酸素およ
び／または水蒸気を導入した段階では真空チャンバー内
の圧力を７×１０-3Ｐａ以上、好ましくは１×１０-2Ｐ
ａ以上にし、この後、蒸着原料である金属Ｍｇを１００
０℃以下に加熱して蒸着する。蒸着速度は１０ｎｍ／ｓ
以下、特に３ｎｍ／ｓ以下が好ましい。Preferred methods among these are a reactive evaporation method and an electron beam evaporation method. For example, a metal oxide (Mg
Taking the case of forming a protective film made of O) as an example, the deposition time is 2 hours or less, preferably 1 hour or less. More preferably, the time is 20 minutes or less. The degree of vacuum in the vacuum chamber before vapor deposition is 1 × 10 −2 Pa or less, particularly 6 × 10 −3 P
a or less, and when the oxygen and / or water vapor is introduced into the vacuum chamber, the pressure in the vacuum chamber is increased to 7 × 10 −3 Pa or more, preferably 1 × 10 −2 P
a, and thereafter, metal Mg as a deposition material is
Deposit by heating to 0 ° C. or less. The deposition rate is 10 nm / s
Below, especially 3 nm / s or less is preferred.

【００１７】スパッタ法 スパッタ法は、イオンでターゲットから堆積させたい物
質をはじき出すため、一般に真空蒸着法よりもエネルギ
ーが高い。したがって真空蒸着法よりも条件は厳しい。
スパッタ法の中で特に好ましい方法は反応性スパッタ
法、イオンビームスパッタ法である。Sputtering method Since the sputtering method repels a substance to be deposited from a target with ions, it generally has higher energy than the vacuum evaporation method. Therefore, the conditions are more severe than the vacuum deposition method.
Particularly preferred methods among the sputtering methods are a reactive sputtering method and an ion beam sputtering method.

【００１８】反応性のイオンビームスパッタ法でＭｇＯ
からなる保護膜を成膜する（酸素のイオンビームで金属
Ｍｇをスパッタしかつ酸化する）場合を例にとると、蒸
着時間は１時間以下、好ましくは３０分以下、さらに好
ましくは１０分以下がよい。また、酸素イオンの加速電
圧は１２００Ｖ以下、特に６００Ｖ以下が好ましく、ビ
ーム電流は５００ｍＡ以下、特に６０ｍＡ以下が好まし
い。The reactive ion beam sputtering method uses MgO
In the case of forming a protective film made of (sputtering and oxidizing metallic Mg with an oxygen ion beam) as an example, the deposition time is 1 hour or less, preferably 30 minutes or less, and more preferably 10 minutes or less. Good. The acceleration voltage of oxygen ions is preferably 1200 V or less, particularly preferably 600 V or less, and the beam current is preferably 500 mA or less, particularly preferably 60 mA or less.

【００１９】上述のようにして成膜される保護層の厚み
は、蒸着速度と蒸着時間とのかねあいで決まる。保護層
は厚いほどその効果が期待できるが、厚い保護層を設け
るためには蒸着時間を長くするか蒸着速度を速くしなけ
ればならず、これに伴って積層構造体中の有機物のダメ
ージも大きくなる。したがって、保護層の厚みにも上限
が必要となる。例えば反応性蒸着法でＭｇＯを成膜する
場合、最高の蒸着速度（１０ｎｍ／ｓ）で成膜すると有
機物が受けるダメージが大きいため、この場合の蒸着時
間は２０分以下にする必要がある。そして、この時の膜
厚の上限値は約１２μｍである。一方、保護層の厚みの
下限はその保護効果の有無により決まり、一般に約１０
ｎｍ未満では薄すぎて保護層としての機能を十分に発揮
することができない。The thickness of the protective layer formed as described above is determined by a balance between the deposition rate and the deposition time. The effect can be expected as the protective layer is thicker, but in order to provide a thicker protective layer, the vapor deposition time must be extended or the vapor deposition rate must be increased, and the damage of organic substances in the laminated structure also increases with this. Become. Therefore, an upper limit is also required for the thickness of the protective layer. For example, in the case of forming a MgO film by the reactive evaporation method, if the film is formed at the highest evaporation rate (10 nm / s), the organic substance is greatly damaged. Therefore, the evaporation time in this case needs to be 20 minutes or less. The upper limit of the film thickness at this time is about 12 μm. On the other hand, the lower limit of the thickness of the protective layer is determined by the presence or absence of the protective effect.
If it is less than nm, it is too thin to function sufficiently as a protective layer.

【００２０】なお、長寿命の有機ＥＬ素子を得るうえか
らは、保護層の形成過程での発光層や対向電極の特性劣
化をできるだけ抑止することが望ましく、そのためには
真空環境下で保護層を設けることが特に好ましい。同様
の理由から、方法III におけるように、積層構造体を構
成する発光層の形成から保護層の形成までを一連の真空
環境下で行うことが特に好ましい。In order to obtain a long-life organic EL device, it is desirable to suppress the deterioration of the characteristics of the light emitting layer and the counter electrode during the formation of the protective layer as much as possible. It is particularly preferable to provide them. As well
For this reason, it is particularly preferable to perform from the formation of the light-emitting layer constituting the laminated structure to the formation of the protective layer in a series of vacuum environments as in the method III .

【００２１】本発明の方法Ｉ，方法IIおよび方法III で
は、このようにして設けた保護層の外側に、電気絶縁性
ガラス、電気絶縁性高分子化合物または電気絶縁性気密
流体からなるシールド層を設ける。このとき、積層構造
体は保護層により守られたかたちになっているので、シ
ールド層の形成には種々の方法を適用することができ
る。以下、材料毎にシールド層の形成方法を説明する。The method of the present invention I, in Method II and Method III, the outer protective layer provided in this way, electrically insulating glass, a shield layer made of an electrically insulating polymer or electrically insulating airtight fluid Provide. At this time, since the laminated structure is protected by the protective layer, various methods can be applied to the formation of the shield layer. Hereinafter, a method of forming the shield layer for each material will be described.

【００２２】a.電気絶縁性ガラス ガラス基板等の基板上に設けられた積層構造体の外表面
に保護層を設けた後、保護層の上からこの電気絶縁性ガ
ラスを被せ、基板の縁部と電気絶縁性ガラスの縁部とを
接着剤等を用いて貼り合わせることによりシールド層を
設ける。この電気絶縁性ガラスにおける保護層側の表面
は、フォトマスクグレードの研磨面であることが好まし
い。また、このガラスはアルカリ含有量の少ない高体積
抵抗（３５０℃において１０7 Ωｍ以上）のものが好ま
しく、具体例としてはコーニング社製＃７０５９が挙げ
られる。この電気絶縁性ガラスは、保護層に直接接触さ
せて設けてもよいし、ポリビニルアルコールやナイロン
６６等からなる吸湿層を介して保護層の外側に設けても
よい。ただし、方法Ｉにおいては、当該電気絶縁性ガラ
スからなる シールド層を前記の吸湿層を介して保護層の
外側に設ける。吸湿層を介在させる場合、吸湿層は予め
電気絶縁性ガラスの表面に設けておくことが好ましい。
また、この場合のガラス面は、フォトマスクグレードよ
り粗い面でもよい。A. Electrically Insulating Glass After providing a protective layer on the outer surface of a laminated structure provided on a substrate such as a glass substrate, the electrical insulating glass is placed over the protective layer, and the edge of the substrate is covered. And the edge of the electrically insulating glass are bonded to each other with an adhesive or the like to provide a shield layer. The surface on the protective layer side of the electrically insulating glass is preferably a polished surface of a photomask grade. The glass is preferably one having a high alkali resistance and a high volume resistance (10 7 Ωm or more at 350 ° C.), and a specific example is Corning # 7059. This electrically insulating glass may be provided in direct contact with the protective layer, or may be provided outside the protective layer via a moisture absorbing layer made of polyvinyl alcohol, nylon 66, or the like. However, in the method I, the electrically insulating glass
Of the protective layer through the moisture absorbing layer
Provide outside. When a moisture absorbing layer is interposed, the moisture absorbing layer is preferably provided in advance on the surface of the electrically insulating glass.
In this case, the glass surface may be a surface rougher than the photomask grade.

【００２３】b.電気絶縁性高分子化合物 電気絶縁性の液状樹脂または固形樹脂を用いて、例えば
以下の方法によりシールド層を形成する。なお、以下に
例示する方法のうち、浸漬法およびトランスファー成形
法では素子全体（積層構造体が基板上に設けられている
場合はこの基板も含める）がシールド層により覆われる
ため、封止しようとする有機ＥＬ素子からのＥＬ光に対
して実用上十分な透光性が得られるようにシールド層の
材料を選択する。また、他の方法では、積層構造体が基
板上に設けられている場合には保護層側の面だけにシー
ルド層を形成することが可能であるため、保護層側の面
を発光面としない限りは、シールド層の透光性について
は勘案しなくてもよい。B. Electrically insulating polymer compound A shield layer is formed using, for example, the following method using an electrically insulating liquid resin or solid resin. Among the methods exemplified below, in the immersion method and the transfer molding method, the whole element (including the substrate when the laminated structure is provided on the substrate) is covered with the shield layer, so that the sealing is performed. The material of the shield layer is selected so that practically sufficient translucency for the EL light from the organic EL element to be obtained is obtained. In another method, when the laminated structure is provided on the substrate, the shield layer can be formed only on the surface on the protective layer side, so that the surface on the protective layer side is not used as the light emitting surface. As far as possible, it is not necessary to consider the translucency of the shield layer.

【００２４】1.液状樹脂を用いる場合 ・注型法：この方法では、保護層を設けた有機ＥＬ素子
（以下、保護層付素子ということがある）を型容器内に
置き、この型容器内へ、触媒や硬化剤を添加しておいた
液状樹脂を注入して保護層付素子の保護層側の面をこの
液状樹脂により覆い、硬化・離型した後にオーブン中で
完全に硬化させることによりシールド層を設ける。より
好ましくは、硬化・離型の後に、温度制御したオーブン
中で硬化させる。この場合の液状樹脂は、電気絶縁性
（以下、条件(i) ということがある）であれば熱硬化型
でも光硬化型でもよいが、保護層側の面を発光層とする
場合には、封止しようとする有機ＥＬ素子からのＥＬ光
に対して実用上十分な透光性を有する（以下、条件(ii)
ということがある）樹脂層が得られるものを選択する。
また熱硬化型の樹脂については、保護層を形成している
電気絶縁性高分子化合物の軟化点よりも硬化温度が低い
（以下、条件(iii) ということがある）ものを用いるこ
とが好ましい。1. When a liquid resin is used: Casting method: In this method, an organic EL device provided with a protective layer (hereinafter, sometimes referred to as a device with a protective layer) is placed in a mold container, and the inside of the mold container is removed. Inject the liquid resin to which a catalyst and a curing agent have been added, cover the surface of the element with a protective layer on the protective layer side with this liquid resin, cure and release it, and then completely cure it in an oven. Provide a shield layer. More preferably, after the curing and release, the composition is cured in a temperature-controlled oven. The liquid resin in this case may be a thermosetting type or a photocuring type as long as it is electrically insulating (hereinafter sometimes referred to as condition (i)), but when the surface on the protective layer side is a light emitting layer, Has practically sufficient translucency for EL light from the organic EL element to be sealed (hereinafter, condition (ii)
A resin layer can be obtained.
As for the thermosetting resin, it is preferable to use a resin having a curing temperature lower than the softening point of the electrically insulating polymer compound forming the protective layer (hereinafter, may be referred to as condition (iii)).

【００２５】条件(i) および(ii)を満たす熱硬化型の液
状樹脂の中で特に好ましいものとしては、エポキシ樹
脂、シリコーン樹脂、エポキシシリコーン樹脂、フェノ
ール樹脂、ジアクリルフタレート樹脂、アルキッド樹脂
等が挙げられ、実用に際しては、条件(iii) を満たすか
否かにより適宜選択される。また条件(i) および(ii)を
満たす光硬化型の液状樹脂としては、ＢＹ−３００Ｂ
（エン・チオール系の光硬化型液状樹脂の商品名、旭電
化社製）、ＢＵ−２３０Ｕ（アクリル系の光硬化型液状
樹脂の商品名、東亜合成化学社製）、ＵＶ１００１（ポ
リエステル系の光硬化型液状樹脂の商品名、ソニーケミ
カル社製）等の紫外線硬化型のものや、ＬＣＲ０００
（商品名、アイ・シー・ジャパン社製）等の可視光硬化
型のものが挙げられる。これらの液状樹脂の硬化温度お
よび硬化時間は樹脂によって異なるが、例えば熱硬化型
のエポキシ樹脂を用いた場合は１６０〜１８０℃で１〜
２分である。また、熱硬化型および光硬化型のいづれの
液状樹脂についても、触媒や硬化剤を樹脂に添加した後
に真空中での脱気工程を加えることがより好ましい。Among the thermosetting liquid resins satisfying the conditions (i) and (ii), particularly preferred are epoxy resins, silicone resins, epoxy silicone resins, phenol resins, diacryl phthalate resins, alkyd resins and the like. In practical use, it is appropriately selected depending on whether or not the condition (iii) is satisfied. The photocurable liquid resin satisfying the conditions (i) and (ii) is BY-300B
(Trade name of en-thiol-based photo-curable liquid resin, manufactured by Asahi Denka Co., Ltd.), BU-230U (trade name of acrylic-based photo-curable liquid resin, manufactured by Toa Gosei Chemical Co., Ltd.), UV1001 (polyester-based light UV-curable resin such as a product name of a curable liquid resin (manufactured by Sony Chemical Co., Ltd.), and LCR000
(Trade name, manufactured by IC Japan Co., Ltd.) and the like. The curing temperature and curing time of these liquid resins differ depending on the resin. For example, when a thermosetting epoxy resin is used, the
2 minutes. It is more preferable to add a deaeration step in vacuum after adding a catalyst or a curing agent to the resin for both thermosetting and photocuring liquid resins.

【００２６】・真空ポッティング法：この方法では、上
述した注型法の全工程を真空中で行うことによりシール
ド層を設ける。注型法よりもさらに好ましい方法であ
る。Vacuum potting method: In this method, a shield layer is provided by performing all the steps of the casting method described above in a vacuum. This is a more preferable method than the casting method.

【００２７】・浸漬法：この方法では、前述した液状樹
脂中に保護層付素子を浸漬した後に引上げ、この後、保
護層付素子に付着した液状樹脂液を加熱処理または風乾
により硬化させることによりシールド層を設ける。樹脂
は、条件(i) および(ii)を満たすものであれば種々の熱
可塑性樹脂、熱硬化性樹脂または光硬化性樹脂を用いる
ことができる。Immersion method: In this method, the element with a protective layer is immersed in the liquid resin described above and then pulled up, and then the liquid resin liquid attached to the element with the protective layer is cured by heat treatment or air drying. Provide a shield layer. As the resin, various thermoplastic resins, thermosetting resins or photocurable resins can be used as long as they satisfy the conditions (i) and (ii).

【００２８】・その他：液状樹脂をヘラ等により保護層
付素子の保護層側の面に塗布した後に硬化させるとによ
り、シールド層を設けてもよい。液状樹脂としては上述
した液状樹脂をそのまま用いることができるが、保護層
側の面を発光面としない場合には、条件(ii)を満たさな
い液状樹脂であっても用いることができる。Others: A shield layer may be provided by applying a liquid resin to the surface of the element with a protective layer on the protective layer side with a spatula or the like and then curing the liquid resin. As the liquid resin, the above-described liquid resin can be used as it is, but when the surface on the protective layer side is not used as the light emitting surface, a liquid resin that does not satisfy the condition (ii) can be used.

【００２９】2.固形樹脂を液状にして用いる場合 ・ホットメルト法：この方法では、加熱溶融した樹脂を
注型あるいは真空ポッティングすることによりシールド
層を設ける。この方法で用いる樹脂としては、条件(i)
を満たし、かつ保護層を形成している電気絶縁性高分子
化合物の軟化点よりも融点の低い（以下、条件(iv)とい
うことがある）熱可塑性樹脂が好ましい。2. When the solid resin is used in a liquid state • Hot melt method: In this method, a heat-melted resin is cast or vacuum potted to provide a shield layer. As the resin used in this method, the condition (i)
And a melting point lower than the softening point of the electrically insulating polymer compound forming the protective layer (hereinafter, may be referred to as condition (iv)).

【００３０】条件(i) を満たす熱可塑性樹脂の具体例と
してはポリ塩化ビニル、ポリ臭化ビニル、ポリフッ化ビ
ニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル−
エチレン共重合体、塩化ビニル−プロピレン共重合体、
塩化ビニル−塩化ビニリデン共重合体、塩化ビニル−ブ
タジエン共重合体、塩化ビニル−アクリル酸エステル共
重合体、塩化ビニル−アクリルニトリル共重合体、塩化
ビニル−スチレン−アクリルニトリル三元共重合体、塩
化ビニル−塩化ビニリデン−酢酸ビニル共重合体、ポリ
塩化ビニリデン、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフ
ッ化ビニリデン、ポリクロロトリフルオロエチレン、特
開昭６３−１８９６４号公報に開示されているフッ素系
高分子化合物、特開昭６３−２２２０６号公報に開示さ
れているフッ素系高分子化合物、特開昭６３−２３８１
１５号公報に開示されているフッ素系高分子化合物等
の、ハロゲン化ビニル重合体またはハロゲン化ビニル共
重合体；Specific examples of the thermoplastic resin satisfying the condition (i) include polyvinyl chloride, polyvinyl bromide, polyvinyl fluoride, vinyl chloride-vinyl acetate copolymer, vinyl chloride
Ethylene copolymer, vinyl chloride-propylene copolymer,
Vinyl chloride-vinylidene chloride copolymer, vinyl chloride-butadiene copolymer, vinyl chloride-acrylate copolymer, vinyl chloride-acrylonitrile copolymer, vinyl chloride-styrene-acrylonitrile terpolymer, chloride Vinyl-vinylidene chloride-vinyl acetate copolymer, polyvinylidene chloride, polytetrafluoroethylene, polyvinylidene fluoride, polychlorotrifluoroethylene, a fluorine-based polymer compound disclosed in JP-A-63-18964, Fluorinated polymer compounds disclosed in Japanese Unexamined Patent Publication No. 63-22206;
No. 15, a halogenated vinyl polymer or a vinyl halide copolymer such as a fluorine-containing polymer compound;

【００３１】ポリビニルアルコール、ポリアリルアルコ
ール、ポリビニルエーテル、ポリアリルエーテル等の、
不飽和アルコールもしくは不飽和エーテルの重合体また
は不飽和アルコールと不飽和エーテルとの共重合体； アクリル酸やメタアクリル酸等の不飽和カルボン酸の重
合体または共重合体； ポリ酢酸ビニル等のポリビニルエステルやポリフタル酸
等のポリアクリルエステル等、アルコール残基中に不飽
和結合を持つものの重合体または共重合体； ポリアクリル酸エステル、ポリメタクリル酸エステル、
マレイン酸エステル重合体、フマル酸エステル重合体等
の、酸残基中または酸残基中とアルコール残基中とに不
飽和結合を持つものの重合体または共重合体； アクリルニトリル重合体、メタアクリルニトリル重合
体、アクリルニトリルとメタアクリルニトリルとの共重
合体、ポリシアン化ビニリデン、マロノニトリル重合
体、フマロノニトリル重合体、マロノニトリルとフマロ
ノニトリルとの共重合体；[0031] Polyvinyl alcohol, polyallyl alcohol, polyvinyl ether, polyallyl ether, etc.
Polymer of unsaturated alcohol or unsaturated ether or copolymer of unsaturated alcohol and unsaturated ether; Polymer or copolymer of unsaturated carboxylic acid such as acrylic acid or methacrylic acid; Polyvinyl such as polyvinyl acetate Polymers or copolymers having unsaturated bonds in alcohol residues, such as esters and polyacrylic esters such as polyphthalic acid; polyacrylic esters, polymethacrylic esters,
Polymers or copolymers having unsaturated bonds in acid residues or in acid residues and alcohol residues, such as maleic acid ester polymers and fumaric acid ester polymers; acrylonitrile polymers, methacrylic A nitrile polymer, a copolymer of acrylonitrile and methacrylonitrile, a polyvinylidene cyanide, a malononitrile polymer, a fumarononitrile polymer, a copolymer of malononitrile and fumarononitrile;

【００３２】ポリスチレン、ポリα−メチルスチレン、
ポリｐ−メチルスチレン、スチレン−ｐ−メチルスチレ
ン共重合体、ポリビニルベンゼン、ポリハロゲン化スチ
レン等、芳香族ビニル化合物の重合体また共重合体； ポリビニルピリジン、ポリ−Ｎ−ビニルピロリジン、ポ
リ−Ｎ−ビニルピロリドン等、複素環式化合物の重合体
または共重合体； ポリカーボネート等のポリエステル縮合物や、ナイロン
６、ナイロン６６等のポリアミド縮合物； 無水マレイン酸、無水フマール酸、無水マレイン酸のイ
ミド化合物および無水フマール酸のイミド化合物からな
る群より選択される１種の物質の重合体、または前記群
より選択される少なくも２種の物質の共重合体； ポリアミド、ポリエーテルイミド、ポリイミド、ポリフ
ェニレンオキサイド、ポリフェニレンサルファイド、ポ
リスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート等
の耐熱性高分子化合物； ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタ
レート、ポリメチルメタクリレート、特開平２−２５３
９５２号公報に開示されているサーモトロピック液晶ポ
リマー； 等が挙げられ、実用に際しては、条件(iv)を満たすか否
かにより適宜選択される。Polystyrene, poly α-methylstyrene,
Polymers or copolymers of aromatic vinyl compounds such as poly p-methylstyrene, styrene-p-methylstyrene copolymer, polyvinylbenzene, polyhalogenated styrene, etc .; polyvinylpyridine, poly-N-vinylpyrrolidine, poly-N A polymer or copolymer of a heterocyclic compound such as vinylpyrrolidone; a polyester condensate such as polycarbonate or a polyamide condensate such as nylon 6 or nylon 66; an imide compound of maleic anhydride, fumaric anhydride, or maleic anhydride And a copolymer of at least two substances selected from the group consisting of imide compounds of fumaric anhydride and polyamides, polyetherimides, polyimides, and polyphenylene oxides , Polyphenylene sulfide, polysulfone, polyether Heat-resistant polymer compounds such as tersulfone and polyarylate; polyethylene, polypropylene, polyethylene terephthalate, polymethyl methacrylate, JP-A-2-253
No. 952, thermotropic liquid crystal polymer; and the like, and in practical use, are appropriately selected depending on whether or not the condition (iv) is satisfied.

【００３３】・流動浸漬法：微細孔底板と、多孔質底板
と、この多孔質底板の下方に空気（圧搾空気）溜りとを
備えた容器を用い、この容器の微細孔底板上に２００〜
３００メッシュの大きさに粉砕した固形樹脂（粉体樹
脂）を置いて、下方から多孔質底板を介して圧搾空気を
流すと、粉体樹脂は流体のように扱うことができる。し
たがって、この方法では、粉体樹脂に圧搾空気を流した
状態の容器を傾けて、粉体樹脂の軟化点以上の温度に加
熱した保護層付素子をこの容器内に入れ、加熱された保
護層付素子に粉体樹脂を溶融付着させることによりシー
ルド層を設ける。この方法で使用する樹脂としては、ホ
ットメルト法の説明の中で例示した熱可塑性樹脂が好ま
しい。Fluid immersion method: A container provided with a microporous bottom plate, a porous bottom plate, and an air (compressed air) reservoir below the porous bottom plate is used.
When a solid resin (powder resin) crushed to a size of 300 mesh is placed and compressed air is flowed from below through a porous bottom plate, the powder resin can be treated like a fluid. Therefore, in this method, the container with the compressed air flowing through the powder resin is tilted, and the element with the protective layer heated to a temperature equal to or higher than the softening point of the powder resin is put into the container, and the heated protective layer A shield layer is provided by melting and adhering a powder resin to the attached element. As the resin used in this method, the thermoplastic resin exemplified in the description of the hot melt method is preferable.

【００３４】・トランスファー成形法：この方法では、
保護層付素子を金型（小穴を有するもの）内に置き、ポ
ット内で溶融させた樹脂を、小穴を通じて金型のキャビ
ティ内に送り込んで硬化させることによりシールド層を
設ける。この方法で使用する樹脂としては、ホットメル
ト法の説明の中で例示した熱可塑性樹脂の中で前述の条
件(ii)を満たすものが好ましい。Transfer molding method: In this method,
The element with a protective layer is placed in a mold (having a small hole), and the resin melted in the pot is fed into the cavity of the mold through the small hole and cured to provide a shield layer. The resin used in this method is preferably a thermoplastic resin exemplified in the description of the hot melt method and satisfying the above condition (ii).

【００３５】・その他：樹脂溶液を保護層付素子の保護
層側の面に塗布した後、樹脂溶液中の溶媒を加熱処理ま
たは風乾により揮散させることによりシールド層を設け
てもよい。この場合の樹脂は、保護層側の面を発光面と
しない場合には少なくとも条件(i) を満たし、かつハロ
ゲン系溶媒、芳香族炭化水素系溶媒、フッ素系溶媒等の
溶媒のいずれかに可溶であればよい。好ましい樹脂とし
ては、アクリル樹脂、ポリスチレン等が挙げられる。ま
た、有機溶媒揮散型接着剤も好ましい例の１つであり、
具体的には１００１Ｂ（エラストマー系の有機溶媒揮散
型接着剤の商品名、日本ゼオン社製）やＳＧ４６９３
（有機溶媒揮散型接着剤の商品名、３Ｍ社製）等があ
る。Others: A shield layer may be provided by applying a resin solution to the surface of the element with a protective layer on the protective layer side and then volatilizing the solvent in the resin solution by heat treatment or air drying. In this case, when the surface on the protective layer side is not used as the light emitting surface, the resin satisfies at least the condition (i) and can be used in any of solvents such as a halogen-based solvent, an aromatic hydrocarbon-based solvent, and a fluorine-based solvent. It only has to be soluble. Preferred resins include acrylic resins and polystyrene. Further, an organic solvent volatilization type adhesive is also one of preferred examples,
Specifically, 1001B (trade name of an elastomer-based organic solvent volatile adhesive, manufactured by Zeon Corporation) and SG4693
(Trade name of an organic solvent-evaporating adhesive, manufactured by 3M).

【００３６】3.フィルム封止 この方法では、高分子フィルムで保護層付素子を覆うこ
とによりシールド層を設ける。この場合、保護層付素子
の全体（積層構造体が基板上に設けられている保護層付
素子ではこの基板も含める）を高分子フィルムで覆って
もよし、積層構造体が基板上に設けられている保護層付
素子では、保護層付素子の保護層側の面のみを高分子フ
ィルムで覆ってもよい。保護層付素子の全体を高分子フ
ィルムで覆う場合は、高分子フィルを上下から保護層付
素子に被せ、上下の高分子フィルム同士を保護層付素子
の縁部にそって互いに熱融着させる。また、保護層側の
面のみを高分子フィルムで覆う場合は、高分子フィルム
の縁部と基板とを接着剤等により接着させるか、積層構
造体が高分子基板上に設けられている場合には高分子フ
ィルムの縁部と基板とを熱融着させる。3. Film Sealing In this method, a shield layer is provided by covering the element with a protective layer with a polymer film. In this case, the whole of the device with a protective layer (including the substrate in the case of a device with a protective layer in which a laminated structure is provided on a substrate) may be covered with a polymer film, or the laminated structure may be provided on a substrate. In such a device with a protective layer, only the surface on the protective layer side of the device with a protective layer may be covered with a polymer film. When covering the entire device with a protective layer with a polymer film, a polymer fill is placed over the device with a protective layer from above and below, and the upper and lower polymer films are thermally fused to each other along the edge of the device with a protective layer. . When only the surface on the protective layer side is covered with the polymer film, the edge of the polymer film and the substrate are bonded with an adhesive or the like, or when the laminated structure is provided on the polymer substrate. Thermally bonds the edge of the polymer film to the substrate.

【００３７】高分子フィルムの材質は条件(i) および(i
i)を満たす高分子化合物が好ましい。具体例としては、
ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタ
レート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポ
リエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリカーボネー
ト、ポリウレタン、アクリル樹脂、ポリアクリルニトリ
ル、ポリビニルアセタール、ポリアミド、ポリイミド、
ジアクリルフタレート樹脂、セルロース系プラスチッ
ク、ポリ酢酸ビニル、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリ
デン等や、これらの２つまたは３つ以上の共重合体が挙
げられる。特に好ましい高分子フィルムとしては、ポリ
ビニルフロライド、ポリクロロトリフルオロエチレン、
ポリテトラフルオロエチレン、特開昭６３−１８９６４
号公報に開示されているフッ素系高分子化合物、特開昭
６３−２２２０６号公報に開示されているフッ素系高分
子化合物、特開昭６３−２３８１１５号公報に開示され
ているフッ素系高分子化合物等のような透湿度の小さい
高分子化合物を延伸等の方法でフィルムにしたものが挙
げられる。なお、保護層付素子における発光面以外の面
を覆う高分子フィルムは、条件(ii)を満たさなくてもよ
い。このとき用いる高分子フィルムは単層でもよいが、
ナイロン６６やポリビニルアルコール等からなる吸湿層
が設けられた複層構造の高分子フィルムを用いることが
より好ましい。ただし、方法Ｉにおいては、当該高分子
フィルムからなるシールド層を前記の吸湿層を介して保
護層の外側に設け る。吸湿層が設けられた複層構造の高
分子フィルムは、吸湿層が少なくとも保護層と接するよ
うにして使用する。The material of the polymer film depends on the conditions (i) and (i)
Polymer compounds satisfying i) are preferred. As a specific example,
Polyethylene, polypropylene, polyethylene terephthalate, polymethyl methacrylate, polystyrene, polyethersulfone, polyarylate, polycarbonate, polyurethane, acrylic resin, polyacrylonitrile, polyvinyl acetal, polyamide, polyimide,
Examples include diacryl phthalate resin, cellulosic plastic, polyvinyl acetate, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, and copolymers of two or more of these. Particularly preferred polymer films include polyvinyl fluoride, polychlorotrifluoroethylene,
Polytetrafluoroethylene, JP-A-63-18964
Fluoropolymer disclosed in JP-A-63-22206, Fluorinated polymer disclosed in JP-A-63-238115 And those obtained by forming a polymer compound having a small water vapor transmission rate into a film by a method such as stretching. The polymer film covering the surface other than the light emitting surface of the element with a protective layer may not satisfy the condition (ii). The polymer film used at this time may be a single layer,
It is more preferable to use a polymer film having a multilayer structure provided with a moisture absorbing layer made of nylon 66, polyvinyl alcohol, or the like. However, in method I, the polymer
The shielding layer made of film is retained via the moisture absorbing layer.
Ru is provided on the outer surface of the Mamoruso. The polymer film having a multilayer structure provided with a moisture absorbing layer is used such that the moisture absorbing layer is at least in contact with the protective layer.

【００３８】c.電気絶縁性気密流体 前述した条件(i) を満たすガラス製容器、セラミクス製
容器、プラスチック製容器等の容器内に、条件(i) を満
たす気体または液体と共に保護層を設けた有機ＥＬ素子
（保護層付素子）を封入することによりシールド層を設
ける。保護層付素子の発光面の外側にも容器壁および気
密流体を位置させる場合には、これらは前述した条件(i
i)をも満たす必要がある。積層構造体が基板上に設けら
れている保護層付素子では、この基板を上記容器の一部
として利用してもよい。容器の形成は、必要部材同士を
低融点ガラス、ハンダ、気密封止用エポキシ樹脂等で接
着することにより行われる。容器内に封入する気体とし
ては、Ｈｅガス、Ａｒガス、Ｎｅガス等の不活性ガスが
好ましい。また液体としては、シリコーンオイル等が好
ましい。基板を容器の一部として利用してこの容器内に
液体を封入する場合には、保護層付素子の保護層側を発
光面としないことを前提として、シリカゲル、活性炭等
の吸湿材を混入させてもよい。C. Electrically Insulating Airtight Fluid A protective layer was provided together with a gas or liquid satisfying the condition (i) in a container such as a glass container, a ceramics container, or a plastic container satisfying the above condition (i). A shield layer is provided by enclosing an organic EL element (element with a protective layer). When the container wall and the airtight fluid are also positioned outside the light emitting surface of the element with a protective layer, these conditions are set as described above (i.
i) must also be satisfied. In an element with a protective layer in which a laminated structure is provided on a substrate, the substrate may be used as a part of the container. The container is formed by bonding necessary members to each other with low-melting glass, solder, epoxy resin for hermetic sealing, or the like. As the gas to be sealed in the container, an inert gas such as He gas, Ar gas, Ne gas or the like is preferable. As the liquid, silicone oil or the like is preferable. When the substrate is used as a part of the container and the liquid is sealed in the container, assuming that the protective layer side of the device with the protective layer is not used as the light emitting surface, a moisture absorbing material such as silica gel or activated carbon is mixed. You may.

【００３９】以上説明したようにして保護層とシールド
層とを設けることにより、これらの層により水分や酸素
の発光層への侵入が抑制され、これにより有機ＥＬ素子
が長寿命化される。By providing the protective layer and the shield layer as described above, the penetration of moisture and oxygen into the light-emitting layer is suppressed by these layers, thereby extending the life of the organic EL device.

【００４０】[0040]

【実施例】以下、本発明の実施例について図面を用いて
説明する。 実施例１ ２５×７５×１．１ｍｍのサイズのガラス板［ＨＯＹＡ
（株）製の白板ガラス］を基板として用い、この基板上
にＩＴＯ膜を１００ｎｍの厚さで成膜して透明電極とし
た（以下、ＩＴＯ膜が成膜された基板を透明支持基板と
いう）。この透明支持基板をイソプロピルアルコールで
３０分間超音波洗浄した後、純水で５分間洗浄し、その
後イソプロピルアルコールでリンスした後に乾燥Ｎ2 ガ
スを吹き付けて乾燥させた。最後に、ＵＶオゾン洗浄装
置［（株）サムコインターナショナル製］で１０分間洗
浄した。洗浄後の透明支持基板を市販の真空蒸着装置
［日本真空技術（株）製］の基板ホルダーに固定し、モ
リブデン製抵抗加熱ボートにＮ，Ｎ′−ジフェニル−
Ｎ，Ｎ′−ビス−（３−メチルフェニル）−［１，１′
−ビフェニル］−４，４′−ジアミン（以下、ＴＰＤＡ
という）を２００ｍｇ入れ、また違うモリブデン製抵抗
加熱ボートにトリス（８−キノリノール）アルミニウム
（以下、Ａｌｑ．という）を２００ｍｇ入れて、真空チ
ャンバー内を１×１０-4Ｐａまで減圧した。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. Example 1 A glass plate having a size of 25 × 75 × 1.1 mm [HOYA
White plate glass manufactured by Co., Ltd.] as a substrate, and an ITO film having a thickness of 100 nm was formed on this substrate to form a transparent electrode (hereinafter, the substrate on which the ITO film was formed is referred to as a transparent support substrate). . The transparent support substrate was ultrasonically cleaned with isopropyl alcohol for 30 minutes, then with pure water for 5 minutes, rinsed with isopropyl alcohol, and dried by blowing dry N 2 gas. Lastly, the substrate was washed for 10 minutes with a UV ozone cleaning device [manufactured by Samco International]. The washed transparent support substrate was fixed to a substrate holder of a commercially available vacuum evaporation apparatus [manufactured by Nippon Vacuum Technology Co., Ltd.], and N, N'-diphenyl- was added to a molybdenum resistance heating boat.
N, N'-bis- (3-methylphenyl)-[1,1 '
-Biphenyl] -4,4'-diamine (hereinafter TPDA)
200 mg, and 200 mg of tris (8-quinolinol) aluminum (hereinafter, referred to as Alq.) In a molybdenum resistance heating boat, and the pressure in the vacuum chamber was reduced to 1 × 10 −4 Pa.

【００４１】次いで、ＴＰＤＡを入れた前記抵抗加熱ボ
ートを２１５〜２２０℃まで加熱して、ＴＰＤＡを蒸着
速度０．１〜０．３ｎｍ／ｓで透明支持基板のＩＴＯ膜
上に堆積させて、膜厚６０ｎｍの正孔注入層を成膜し
た。このときの基板温度は室温であった。次いで、正孔
注入層が成膜された透明支持基板を基板ホルダーに固定
したまま、Ａｌｑ．を入れたモリブデン製抵抗加熱ボー
トを２７５℃まで加熱して、Ａｌｑ．を蒸着速度０．１
〜０．２ｎｍ／ｓで正孔注入層上に堆積させて、膜厚６
０ｎｍの発光層を成膜した。このときの基板温度も室温
であった。次に、マグネシウム（Ｍｇ）１ｇを予め入れ
ておいたモリブデン製抵抗加熱ボートと銀（Ａｇ）５０
０ｍｇを予め入れておいたモリブデン製抵抗加熱ボート
とをそれぞれ加熱し、Ｍｇを１．５ｎｍ／ｓの蒸着速度
で蒸着させ、同時にＡｇを０．１ｎｍ／ｓの蒸着速度で
蒸着させて、ＭｇとＡｇとの混合金属からなる膜厚１５
０ｎｍの電極（対向電極）を発光層上に設けた。ガラス
基板上にＩＴＯ膜（電極）、正孔注入層、発光層、およ
び対向電極を設けたことで有機ＥＬ素子が得られた。な
お、この有機ＥＬ素子では、ガラス基板上に設けられた
ＩＴＯ膜、正孔注入層、発光層、および対向電極により
積層構造体が形成されている。Then, the resistance heating boat containing TPDA was heated to 215 to 220 ° C., and TPDA was deposited on the ITO film on the transparent support substrate at a deposition rate of 0.1 to 0.3 nm / s. A 60-nm thick hole injection layer was formed. At this time, the substrate temperature was room temperature. Then, while the transparent support substrate on which the hole injection layer was formed was fixed to the substrate holder, Alq. Is heated to 275 ° C., and the Alq. At a deposition rate of 0.1
Deposited on the hole injecting layer at a thickness of ~ 0.2 nm / s to a thickness of 6
A 0 nm light emitting layer was formed. The substrate temperature at this time was also room temperature. Next, a molybdenum resistance heating boat pre-filled with 1 g of magnesium (Mg) and silver (Ag) 50
Each of the molybdenum resistance heating boats containing 0 mg in advance was heated, and Mg was deposited at a deposition rate of 1.5 nm / s, and simultaneously, Ag was deposited at a deposition rate of 0.1 nm / s. Film thickness 15 of mixed metal with Ag
An 0 nm electrode (counter electrode) was provided on the light emitting layer. An organic EL element was obtained by providing an ITO film (electrode), a hole injection layer, a light emitting layer, and a counter electrode on a glass substrate. In this organic EL device, a laminated structure is formed by an ITO film, a hole injection layer, a light emitting layer, and a counter electrode provided on a glass substrate.

【００４２】この後、対向電極作製後の真空蒸着装置の
真空を破らずに、換言すれば正孔注入層および発光層の
形成からの一連の真空環境下で、上記積層構造体の外表
面に以下の要領で保護層を設けた。まず、対向電極作製
後直ちに真空チャンバー内に酸素を導入して、真空チャ
ンバー内の圧力を８×１０-2Ｐａにした。次いで、Ｍｇ
が入ったモリブデン製抵抗加熱ボート（対向電極作製時
のもの）を４８５℃に加熱して、Ｍｇを０．５ｎｍ／ｓ
の蒸着速度で蒸発させるとともに真空チャンバー内の酸
素と反応させて、積層構造体の外表面に膜厚０．３μｍ
（３００ｎｍ）のＭｇＯ膜（保護層）を設けた。After that, without breaking the vacuum of the vacuum evaporation apparatus after the counter electrode is produced, in other words, under a series of vacuum environments from the formation of the hole injection layer and the light emitting layer, the outer surface of the above-mentioned laminated structure is formed. The protective layer was provided in the following manner. First, oxygen was introduced into the vacuum chamber immediately after the preparation of the counter electrode, and the pressure in the vacuum chamber was set to 8 × 10 −2 Pa. Then, Mg
The molybdenum resistance heating boat (at the time of producing the counter electrode) containing therein was heated to 485 ° C. to reduce the Mg by 0.5 nm / s.
Vaporized at the deposition rate and reacted with oxygen in the vacuum chamber to form a film having a thickness of 0.3 μm on the outer surface of the multilayer structure.
A (300 nm) MgO film (protective layer) was provided.

【００４３】なお、ＩＴＯ電極を除く各層の膜厚および
蒸着速度は、真空チャンバー内に配置されている水晶振
動式膜厚計［日本真空技術（株）製］により蒸着膜の膜
厚をモニターしながら制御した。また、得られた各層の
膜厚は触針式膜厚計で測定し、水晶振動式膜厚計の読み
と一致することを確認した。The thickness and the deposition rate of each layer except for the ITO electrode were monitored by monitoring the thickness of the deposited film with a quartz vibrating thickness gauge [manufactured by Nippon Vacuum Engineering Co., Ltd.] disposed in a vacuum chamber. While controlling. The thickness of each of the obtained layers was measured with a stylus-type film thickness meter, and it was confirmed that the thickness agreed with the reading of the quartz-crystal vibrating thickness meter.

【００４４】次に、保護層を設けた有機ＥＬ素子（以
下、保護層付素子ということがある）を真空チャンバー
から取り出して、保護層の外側に以下の要領でシールド
層を設けた。まず、一主表面に吸湿層として膜厚３５０
ｎｍのポリビニルアルコール（以下、ＰＶＡという）層
が設けられた電気絶縁性ガラス基板（ガラス板のサイズ
は２５×７５×１．１ｍｍ）を用意した。このガラス基
板は、ＰＶＡ粉末３重量％、塩酸０．５重量％、水９
６．５重量％を混ぜ合わせた液体１ｍｌをスライドガラ
スに滴下し、スピンコート装置［ミカサ（株）製］で５
００rpm 、３０秒の条件でスピンコートした後に８時間
風乾し、さらに真空乾燥器［ヤマト化学（株）製］の中
に入れ６０℃で１０時間乾燥させて得た。Next, the organic EL device provided with the protective layer (hereinafter, sometimes referred to as a device with a protective layer) was taken out of the vacuum chamber, and a shield layer was provided outside the protective layer in the following manner. First, a film thickness of 350 was formed on one main surface as a moisture absorbing layer.
An electrically insulating glass substrate (a glass plate size of 25 × 75 × 1.1 mm) provided with a polyvinyl alcohol (hereinafter referred to as PVA) layer having a thickness of nm was prepared. This glass substrate is composed of 3% by weight of PVA powder, 0.5% by weight of hydrochloric acid and 9% by weight of water.
1 ml of a liquid mixed with 6.5% by weight was dropped on a slide glass, and the solution was mixed with a spin coater [manufactured by Mikasa Corporation].
After spin coating under the conditions of 00 rpm and 30 seconds, the resultant was air-dried for 8 hours, further placed in a vacuum drier (manufactured by Yamato Chemical Co., Ltd.) and dried at 60 ° C. for 10 hours.

【００４５】次いで、上記ガラス基板のＰＶＡ層側の面
の縁部にエポキシ系接着剤（商品名セメダインハイスー
パー５、セメダイン社製）を幅約０．５ｍｍで塗布した
後、このガラス基板と保護層付素子とを重ね合わせた。
このときの重ね合わせは、ＰＶＡ層と保護層とが接する
ようにして行った。またエポキシ系接着剤は、主剤と硬
化剤とをヘラで２０回かき混ぜてから用いた。この後、
エポキシ系接着剤を１０時間大気中で硬化さて、電気絶
縁性ガラス板からなるシールド層を設けた。Next, an epoxy-based adhesive (trade name: Cemedine High Super 5, manufactured by Cemedine Co.) having a width of about 0.5 mm was applied to the edge of the surface of the glass substrate on the PVA layer side. The layered device was overlaid.
The superposition at this time was performed such that the PVA layer and the protective layer were in contact with each other. The epoxy adhesive was used after stirring the main agent and the curing agent 20 times with a spatula. After this,
The epoxy adhesive was cured in the atmosphere for 10 hours to provide a shield layer made of an electrically insulating glass plate.

【００４６】実施例２ まず、実施例１と全く同様にして有機ＥＬ素子を作製し
た。ただし、真空蒸着装置に付属している電子ビーム蒸
着装置に、保護層用蒸着源として酸化アルミニウム（Ａ
ｌ2 Ｏ3 ）ペレット５ｇを予めセットしておいた。対向
電極作製後、真空蒸着装置の真空を破らず直ちに、４ｋ
Ｖの加速電圧で加速した電子を上記Ａｌ2 Ｏ3 ペレット
の表面に当ててペレットを加熱し、積層構造体の外表面
に０．０５ｎｍ／ｓの蒸着速度で膜厚５００ｎｍのＡｌ
2 Ｏ3 膜（保護層）を設けて、保護層付素子を得た。こ
の後、保護層付素子を真空チャンバーから取り出し、保
護層の上に２ｍｍの厚みでエポキシ系接着剤（商品名セ
メダインハイスーパー５、セメダイン社製）を塗布した
後、大気中に５時間放置してエポキシ系接着剤を硬化さ
せて、シールド層を設けた。なおエポキシ系接着剤は、
主剤と硬化剤とをヘラで２０回かき混ぜた後、この混合
物をヘラに乗せて塗布した。Example 2 First, an organic EL device was manufactured in exactly the same manner as in Example 1. However, aluminum oxide (A) was used as an evaporation source for the protective layer in an electron beam evaporation apparatus attached to the vacuum evaporation apparatus.
l 2 O 3 ) 5 g of pellets were set in advance. Immediately after producing the counter electrode, 4k without breaking the vacuum of the vacuum deposition equipment
Electrons accelerated at an accelerating voltage of V are applied to the surface of the Al 2 O 3 pellet to heat the pellet, and a 500 nm thick Al is deposited on the outer surface of the laminated structure at a deposition rate of 0.05 nm / s.
An element with a protective layer was obtained by providing a 2 O 3 film (protective layer). Thereafter, the device with the protective layer was taken out of the vacuum chamber, and an epoxy-based adhesive (trade name: Cemedine High Super 5, manufactured by Cemedine Co., Ltd.) was applied on the protective layer with a thickness of 2 mm, and then left in the air for 5 hours. The epoxy adhesive was cured to provide a shield layer. In addition, epoxy adhesive
After the main agent and the curing agent were stirred 20 times with a spatula, the mixture was applied on a spatula.

【００４７】実施例３図１に示すように、２５×７５×
１．１ｍｍのサイズのガラス板１［ＨＯＹＡ（株）製の
白板ガラス］上に、１０ｍｍ×７５ｍｍ×１００ｎｍの
ＩＴＯ膜２ａおよび２ｂが成膜されたものを透明支持基
板３として用いて、以下の要領で保護層付素子を得た。
まず、ＩＴＯ膜２ａにマスクをかけた後に実施例１と全
く同様にして、正孔注入層と発光層とを成膜した。次い
で、蒸着装置に付いているマスク自動交換機構を用い
て、ＩＴＯ膜２ａにかけたマスクを外した。次に、上記
機構でもってＩＴＯ膜２ａの長手方向の外側縁部に幅５
ｍｍに亘ってマスクをかけた後、実施例１と全く同様に
して対向電極と保護層とを設けて保護層付素子を得た。Embodiment 3 As shown in FIG.
A glass plate 1 having a size of 1.1 mm [white glass manufactured by HOYA CORPORATION] on which ITO films 2a and 2b each having a size of 10 mm × 75 mm × 100 nm were formed as a transparent support substrate 3 was used. An element with a protective layer was obtained in the same manner.
First, after masking the ITO film 2a, a hole injection layer and a light emitting layer were formed in exactly the same manner as in Example 1. Next, the mask applied to the ITO film 2a was removed using an automatic mask changing mechanism provided for the vapor deposition apparatus. Next, a width of 5 mm is formed on the outer edge of the ITO film 2a in the longitudinal direction by the above mechanism.
After masking over mm, a counter electrode and a protective layer were provided in exactly the same manner as in Example 1 to obtain a device with a protective layer.

【００４８】図２に示すように、このようにして得られ
た保護層付素子４では、２つのＩＴＯ膜２ａおよび２ｂ
の間のガラス板１表面上からＩＴＯ膜２ｂの主表面上に
かけて正孔注入層５が設けられており、この正孔注入層
５上に発光層６が設けられている。そして、この発光層
６上とＩＴＯ膜２ａの内側半分の主表面上とには対向電
極７が設けられており、対向電極７の主表面上には保護
層８が設けられている。この保護層付素子４では、ＩＴ
Ｏ電極２ｂ、正孔注入層５、発光層６、および対向電極
７により積層構造体９が形成されている。これで、正孔
注入層５から保護層８までが全て、一連の真空環境下で
作製された。As shown in FIG. 2, in the element 4 with the protective layer thus obtained, two ITO films 2a and 2b
Between the surface of the glass plate 1 and the main surface of the ITO film 2b, a hole injection layer 5 is provided, and a light emitting layer 6 is provided on the hole injection layer 5. An opposing electrode 7 is provided on the light emitting layer 6 and on the main surface of the inner half of the ITO film 2a, and a protective layer 8 is provided on the main surface of the opposing electrode 7. In the element 4 with the protective layer, the IT
A stacked structure 9 is formed by the O electrode 2b, the hole injection layer 5, the light emitting layer 6, and the counter electrode 7. Thus, everything from the hole injection layer 5 to the protective layer 8 was produced under a series of vacuum environments.

【００４９】この後、保護層付素子４を真空チャンバー
から取り出して、以下の要領でシールド層を設けて、封
止まで施した有機ＥＬ素子を得た。まず、ＩＴＯ膜２ｂ
の長手方向の外側縁部から幅５ｍｍに亘って、ＩＴＯ膜
２ｂ上に設けられている正孔注入層５、発光層６、対向
電極７および保護層８を切除した。またガラス板１の短
手方向の縁部についても、その厚さが実質的にガラス板
１の厚さとＩＴＯ膜の厚さとの和になるように、幅５ｍ
ｍに亘って正孔注入層５、発光層６、対向電極７および
保護層８を切除した。Thereafter, the device 4 with the protective layer was taken out of the vacuum chamber, a shield layer was provided in the following manner, and an organic EL device which had been subjected to sealing was obtained. First, the ITO film 2b
The hole injection layer 5, the light emitting layer 6, the counter electrode 7, and the protective layer 8 provided on the ITO film 2b were cut off over a width of 5 mm from the outer edge in the longitudinal direction. The width of the edge of the glass plate 1 in the width direction is 5 m so that the thickness is substantially the sum of the thickness of the glass plate 1 and the thickness of the ITO film.
m, the hole injection layer 5, the light emitting layer 6, the counter electrode 7, and the protective layer 8 were cut off.

【００５０】次いで、１８×７３×２ｍｍの凹部と、こ
の凹部の底に設けられた直径２ｍｍの貫通孔（以下、注
入口という）とを有するガラス板（外寸：２０×７５×
３ｍｍ、以下シールドガラスという）を用意し、このシ
ールドガラスと保護層付素子４とをエポキシ系接着剤
（商品名：セメダインハイスーパー５、セメダイン社
製）により貼り合わせた。エポキシ系接着剤は、主剤と
硬化剤とを混ぜ合わせてヘラで２０回かき混ぜてから、
上記保護層付素子４の縁部に幅１ｍｍでほぼ２０×７５
ｍｍの長方形に塗布した。またシールドガラスと保護層
付素子４とは、対向電極７および保護層８がシールドガ
ラスの凹部内に収まるようにして貼り合わせた。貼り合
わせ後、大気中に１０時間放置して、エポキシ系接着剤
を硬化させた。Next, a glass plate (external size: 20 × 75 × 2 mm) having a recess of 18 × 73 × 2 mm and a through-hole of 2 mm in diameter (hereinafter referred to as an inlet) provided at the bottom of the recess.
A shield glass (3 mm, hereinafter referred to as a shield glass) was prepared, and the shield glass and the element 4 with a protective layer were bonded with an epoxy-based adhesive (trade name: Cemedine High Super 5, manufactured by Cemedine Co., Ltd.). Epoxy adhesive, after mixing the main agent and the curing agent and stirring 20 times with a spatula,
Approximately 20 × 75 with a width of 1 mm at the edge of the element 4 with the protective layer
mm. The shield glass and the element 4 with a protective layer were bonded together such that the counter electrode 7 and the protective layer 8 were accommodated in the concave portion of the shield glass. After bonding, the epoxy-based adhesive was cured by being left in the air for 10 hours.

【００５１】次いで、シールドガラスに設けられている
注入口から、吸湿用のシリカゲル（粒径５０μｍ）を８
体積％分散させたシリコーンオイル［商品名：ＴＳＫ４
５１、東芝（株）製。以下絶縁油という］を注入して、
シールドガラスの凹部と保護層付素子４とにより形成さ
れた空間内を絶縁油で満たした。この後、注入口をガラ
ス製の蓋で封鎖して、シールド層まで設けた有機ＥＬ素
子を得た。なお、ガラス製の蓋は、上述したエポキシ系
接着剤によりシールドガラスに接着させた。Next, 8 g of silica gel (particle size: 50 μm) for absorbing moisture was injected through an injection port provided in the shield glass.
Silicone oil dispersed in volume% [trade name: TSK4
51, manufactured by Toshiba Corporation. Hereafter called insulating oil]
The space formed by the concave portion of the shield glass and the element 4 with the protective layer was filled with insulating oil. Thereafter, the injection port was closed with a glass lid to obtain an organic EL element provided up to the shield layer. The glass lid was adhered to the shield glass with the above-mentioned epoxy adhesive.

【００５２】最終的に得られた有機ＥＬ素子の端面を模
式的に図３に示す。図３に示すように、封止まで施した
有機ＥＬ素子１０は、ガラス板１の表面に設けられたＩ
ＴＯ膜２ｂ、正孔注入層５、発光層６および対向電極７
からなる積層構造体９を備え、この積層構造体９の外表
面にはＭｇＯ膜からなる保護層８が設けられている。そ
して、保護層８の外側には絶縁油からなるシールド層１
１が設けられており、シールド層１１の外側には、この
シールド層１１を設けるためにエポキシ系接着剤１２に
より貼り合わされたシールドガラス１３が位置してい
る。また、シールドガラス１３に設けられている注入口
１４は、エポキシ系接着剤１５により接着されたガラス
製の蓋１６により封鎖されている。なお対向電極７は、
ガラス板１の表面に設けられたＩＴＯ膜２ａとも接して
いる。FIG. 3 schematically shows an end face of the organic EL device finally obtained. As shown in FIG. 3, the organic EL element 10 which has been subjected to sealing is provided with an I
TO film 2b, hole injection layer 5, light emitting layer 6, and counter electrode 7
And a protective layer 8 made of an MgO film is provided on the outer surface of the multilayer structure 9. The shield layer 1 made of insulating oil is provided outside the protective layer 8.
1, a shield glass 13 bonded with an epoxy adhesive 12 to provide the shield layer 11 is located outside the shield layer 11. The injection port 14 provided in the shield glass 13 is closed by a glass lid 16 adhered by an epoxy adhesive 15. The counter electrode 7 is
It is also in contact with the ITO film 2a provided on the surface of the glass plate 1.

【００５３】実施例４ 実施例１と全く同様にして有機ＥＬ素子を作成した後、
この有機ＥＬ素子を真空蒸着装置から取り出してイオン
ビームスパッタ装置［日立製作所（株）］にセットし、
８×１０-5Ｐａまで減圧した。次に、プラズマ室に酸素
プラズマを発生させ、電圧印加により酸素ビームを引き
出して金属マグネシウムのターゲットに当ててスパッタ
し、スパッタされた粒子を有機ＥＬ素子の対向電極上に
１００ｎｍの厚みに堆積させて、保護層を形成した。こ
のときの印加電圧は６００Ｖ、ビーム電流は６０ｍＡで
あった。また、このようにして設けられた保護層は、透
明な硬い膜でできていた。この後、上述のようにして保
護層を設けた有機ＥＬ素子（保護層付素子）と一主表面
に予めナイロン６６を貼り合わせＰＣＴＦＥ（ポリクロ
ロトリフルオロエチレン）フィルムとを貼り合わせて、
シールド層まで設けた有機ＥＬ素子を得た。両者の貼り
合わせは、保護層付素子の保護層側表面の縁部に幅３ｍ
ｍに亘って塗布したエポキシ系接着剤（商品名：セメダ
インハイスーパー５、セメダイン社製）により行い、こ
のとき、ナイロン６６が保護層と接触するようにした。Example 4 After an organic EL device was prepared in exactly the same manner as in Example 1,
The organic EL element was taken out of the vacuum evaporation apparatus and set in an ion beam sputtering apparatus [Hitachi, Ltd.]
The pressure was reduced to 8 × 10 −5 Pa. Next, an oxygen plasma is generated in a plasma chamber, an oxygen beam is extracted by applying a voltage, and is sputtered against a metal magnesium target. The sputtered particles are deposited to a thickness of 100 nm on a counter electrode of the organic EL element. A protective layer was formed. At this time, the applied voltage was 600 V, and the beam current was 60 mA. Further, the protective layer provided in this manner was made of a transparent hard film. Thereafter, the organic EL element provided with the protective layer as described above (the element with a protective layer) and a nylon 66 on one main surface in advance, and a PCTFE (polychlorotrifluoroethylene) film,
An organic EL device provided up to the shield layer was obtained. The two layers were bonded together at a width of 3 m at the edge of the protective layer side surface of the device with a protective layer.
m of epoxy-based adhesive (trade name: Cemedine High Super 5, manufactured by Cemedine Co., Ltd.), and at this time, nylon 66 was brought into contact with the protective layer.

【００５４】比較例１ 実施例１と全く同様にして有機ＥＬ素子を得、この有機
ＥＬ素子には保護層およびシールド層を設けなかった。Comparative Example 1 An organic EL device was obtained in exactly the same manner as in Example 1, except that the organic EL device was not provided with a protective layer and a shield layer.

【００５５】比較例２ 実施例１と全く同様にして有機ＥＬ素子を得、この有機
ＥＬ素子には実施例１と全く同様にして保護層のみを設
けた。Comparative Example 2 An organic EL device was obtained in exactly the same manner as in Example 1, and this organic EL device was provided with only a protective layer exactly as in Example 1.

【００５６】比較例３ 実施例１と全く同様にして有機ＥＬ素子を得、この有機
ＥＬ素子の対向電極上に直接、実施例２と同様にしてエ
ポキシ系接着剤の硬化層を設けた。Comparative Example 3 An organic EL device was obtained in exactly the same manner as in Example 1, and a cured layer of an epoxy adhesive was provided directly on the counter electrode of this organic EL device in the same manner as in Example 2.

【００５７】寿命測定 実施例１〜実施例４および比較例１〜比較例３で得られ
た各素子を大気中に７日間放置した後、各試料に初期輝
度が１００ｃｄ／ｍ2 となるように直流電流を流し、こ
の後、定電流（初期輝度が１００ｃｄ／ｍ2 になった直
流電流値）で一定時間ごとに輝度を測定して、輝度が初
期輝度の１／２になるのに要する時間を試料毎に測定し
た。また、輝度が初期輝度の１／２になった後も電流を
流し続け、輝度が０ｃｄ／ｍ2 になるまでの時間を測定
して、この時間を素子の破壊時間とした。なお輝度の測
定は、その上に電子注入層が設けられたＩＴＯ膜を陽極
とし、このＩＴＯ膜上に正孔注入層および発光層を介し
て設けられた対向電極を陰極として素子に直流電流を流
し、素子からのＥＬ光をフォトダイオードで光電変換し
て得られた出力電圧の値から輝度を算出することで行っ
た。この輝度の測定は大気中で行った。測定結果を表１
に示す。 Life Measurement The devices obtained in Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 to 3 were allowed to stand in the air for 7 days, and then each sample was adjusted to have an initial luminance of 100 cd / m 2. A DC current is passed, and thereafter, the luminance is measured at regular intervals with a constant current (a DC current value at which the initial luminance has become 100 cd / m 2 ), and the time required for the luminance to become の of the initial luminance is measured. Was measured for each sample. In addition, the current was continued to flow even after the luminance was reduced to half of the initial luminance, and the time required for the luminance to reach 0 cd / m 2 was measured, and this time was defined as the element breakdown time. The luminance was measured by applying a direct current to the device using the ITO film on which an electron injection layer was provided as an anode and the counter electrode provided on the ITO film via a hole injection layer and a light emitting layer as a cathode. The luminance was calculated from the value of an output voltage obtained by photoelectric conversion of EL light from the element by a photodiode. The measurement of the luminance was performed in the atmosphere. Table 1 shows the measurement results.
Shown in

【００５８】[0058]

【表１】 [Table 1]

【００５９】表１から明らかなように、本発明の方法に
より封止した実施例１〜実施例４の有機ＥＬ素子は、比
較例１〜比較例３のいずれの有機ＥＬ素子よりも遥かに
長寿命である。As is clear from Table 1, the organic EL devices of Examples 1 to 4 sealed by the method of the present invention are much longer than any of the organic EL devices of Comparative Examples 1 to 3. Life is long.

【００６０】参考例１（ＭｇＯ膜生成の確認） 実施例１と同じ条件で、真空チャンバーに酸素を導入し
た後に金属Ｍｇを抵抗加熱して蒸発させ、チャンバー内
で酸化して、金（Ａｕ）を蒸着したガラス基板上に蒸着
させて膜厚３０ｎｍの膜を作製した。この膜をＸＰＳ
（Ｘ線光電子分光法）で分析した結果、Ｍｇのピークの
シフトと、膜内のＭｇと酸素の量の割合とから、この膜
はＭｇＯであることを確認した。なお、ガラス基板上の
Ａｕは、ＭｇＯの酸素とガラス基板の酸素との測定混同
を避けるために設けたものである。 Reference Example 1 (Confirmation of MgO Film Formation) Under the same conditions as in Example 1, after introducing oxygen into the vacuum chamber, the metal Mg was evaporated by resistance heating, and oxidized in the chamber to obtain gold (Au). Was deposited on a glass substrate on which was vapor-deposited to form a film having a thickness of 30 nm. This film is XPS
As a result of analysis by (X-ray photoelectron spectroscopy), this film was confirmed to be MgO from the shift of the Mg peak and the ratio of the amounts of Mg and oxygen in the film. Note that Au on the glass substrate is provided in order to avoid measurement confusion between oxygen of MgO and oxygen of the glass substrate.

【００６１】参考例２（ＭｇＯ膜生成の確認） 実施例４と同じ条件で金属Ｍｇを酸素ビームでスパッタ
し、Ａｕを蒸着したガラス基板上に堆積させて、膜厚３
０ｎｍの膜を作製した。この膜を参考例１と同じように
ＸＰＳで分析した結果、ＭｇＯであることが判明した。
この結果から、酸素ビームが金属Ｍｇをスパッタすると
きに反応がおこり、ＭｇＯが生成したことがわかる。 REFERENCE EXAMPLE 2 (Confirmation of MgO film formation) Metal Mg was sputtered with an oxygen beam under the same conditions as in Example 4 and deposited on a glass substrate on which Au had been deposited.
A 0 nm film was produced. As a result of analyzing this film by XPS in the same manner as in Reference Example 1, it was found that the film was MgO.
From this result, it can be seen that a reaction occurred when the oxygen beam sputtered the metal Mg, and MgO was generated.

【００６２】[0062]

【発明の効果】以上説明したように、本発明を実施する
ことにより、素子としての寿命の長い有機ＥＬ素子を提
供することが可能になり、これに伴って長寿命の有機Ｅ
Ｌデバイスを提供することも可能となる。As described above, by practicing the present invention, it is possible to provide an organic EL device having a long lifetime as a device, and accordingly, a long-life organic EL device.
It is also possible to provide an L device.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】は実施例３で用いた透明支持基板を模式的に示
す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view schematically showing a transparent support substrate used in Example 3.

【図２】は実施例３で得られた保護層付素子の断面を模
式的に示す図である。FIG. 2 is a view schematically showing a cross section of the element with a protective layer obtained in Example 3.

【図３】は実施例３で最終的に得られた、封止まで施し
た有機ＥＬ素子を模式的に示す端面図である。FIG. 3 is an end view schematically showing an organic EL element finally obtained in Example 3 and subjected to sealing.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１…ガラス板、 ２ａ，２ｂ…ＩＴＯ膜、 ３…透明支
持基板、 ４…保護層付素子、 ５…正孔注入層、 ６
…発光層、 ７…対向電極、 ８…保護層、９…積層構
造体、１０…封止まで施した有機ＥＬ素子、 １１…シ
ールド層、１２，１５…エポキシ系接着剤、 １３…シ
ールドガラス、 １４…注入口、１６…ガラス製の蓋。DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Glass plate, 2a, 2b ... ITO film, 3 ... Transparent support substrate, 4 ... Element with a protective layer, 5 ... Hole injection layer, 6
... Light-emitting layer, 7 ... Counter electrode, 8 ... Protective layer, 9 ... Laminated structure, 10 ... Organic EL element that has been subjected to sealing, 11 ... Shield layer, 12, 15 ... Epoxy adhesive, 13 ... Shield glass, 14 ... injection port, 16 ... glass lid.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H05B 33/04──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on front page (58) Field surveyed (Int.Cl. 6 , DB name) H05B 33/04

Claims (10)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項１】 互いに対向する２つの電極間に蛍光性の
有機固体からなる発光層が少なくとも介在してなる積層
構造体を基板上に有する有機ＥＬ素子における前記の積
層構造体の外表面に、電気絶縁性無機化合物からなる保
護層を設けた後、この保護層の外側に電気絶縁性ガラス
または電気絶縁性高分子フィルムからなるシールド層を
設け、しかも、前記の保護層と前記のシールド層との間
に吸湿層を介在させることを特徴とする有機ＥＬ素子の
封止方法。1. An organic EL device having a laminated structure having at least a light-emitting layer made of a fluorescent organic solid interposed between two electrodes facing each other on an outer surface of the laminated structure in an organic EL device. After providing a protective layer made of an electrically insulating inorganic compound, an electrically insulating glass is formed outside the protective layer.
Alternatively, a shield layer made of an electrically insulating polymer film is provided , and between the protective layer and the shield layer.
A method of sealing an organic EL element , wherein a moisture absorbing layer is interposed in the device. 【請求項２】 保護層を物理蒸着法により設ける、請求
項１に記載の有機ＥＬ素子の封止方法。2. The method for sealing an organic EL device according to claim 1, wherein the protective layer is provided by a physical vapor deposition method. 【請求項３】 保護層として反応性蒸着法により厚みが
１２μｍ以下の電気絶縁性無機化合物膜を設ける、請求
項１または請求項２に記載の有機ＥＬ素子の封止方法。3. The method for sealing an organic EL device according to claim 1, wherein an electrically insulating inorganic compound film having a thickness of 12 μm or less is provided as a protective layer by a reactive vapor deposition method. 【請求項４】 互いに対向する２つの電極間に蛍光性の
有機固体からなる発光層が少なくとも介在してなる積層
構造体を基板上に有する有機ＥＬ素子における前記の積
層構造体の外表面に、電気絶縁性無機化合物からなる保
護層を設けた後、この保護層の外側に電気絶縁性気密流
体からなるシールド層を設けることを特徴とする有機Ｅ
Ｌ素子の封止方法。 4. A fluorescent material between two electrodes facing each other.
Lamination with at least an emission layer composed of an organic solid interposed
The above product in an organic EL device having a structure on a substrate
A protective layer made of an electrically insulating inorganic compound is provided on the outer surface of the layered structure.
After providing a protective layer, an electrically insulating airtight flow
Organic E characterized by providing a shield layer made of a body
L element sealing method. 【請求項５】 保護層を物理蒸着法により設ける、請求
項４に記載の有機ＥＬ素子の封止方法。 5. The method according to claim 1, wherein the protective layer is provided by a physical vapor deposition method.
Item 5. The method for sealing an organic EL device according to Item 4. 【請求項６】 保護層として反応性蒸着法により厚みが
１２μｍ以下の電気絶縁性無機化合物膜を設ける、請求
項４または請求項５に記載の有機ＥＬ素子の封止方法。 6. A protective layer having a thickness by reactive vapor deposition.
Providing an electrically insulating inorganic compound film having a thickness of 12 μm or less;
The method for sealing an organic EL device according to claim 4 or 5. 【請求項７】 電気絶縁性気密流体として電気絶縁性気
密液体を用い、該電気絶縁性気密液体からなるシールド
層内に吸湿材を混入させる、請求項４〜請求項６のいず
れか１項に記載の有機ＥＬ素子の封止方法。 7. An electrically insulating airtight fluid as an electrically insulating airtight fluid.
A shield made of the electrically insulating airtight liquid using a dense liquid
7. A method according to claim 4, wherein a moisture absorbing material is mixed in the layer.
2. The method for sealing an organic EL device according to claim 1. 【請求項８】 互いに対向する２つの電極間に蛍光性の
有機固体からなる発光層が少なくとも介在してなる積層
構造体を基板上に有する有機ＥＬ素子における 前記の積
層構造体の外表面に、前記の発光層の形成時から続く一
連の真空環境下で電気絶縁性無機化合物からなる保護層
を設けた後、この保護層の外側に、電気絶縁性ガラス，
電気絶縁性高分子化合物および電気絶縁性気密流体から
なる群より選択される１つからなるシールド層を設ける
ことを特徴とする有機ＥＬ素子の封止方法。 8. A fluorescent material between two electrodes facing each other.
Lamination with at least an emission layer composed of an organic solid interposed
The above product in an organic EL device having a structure on a substrate
On the outer surface of the layer structure, one of the following light emitting layers is formed.
Protective layer made of inorganic compound electrically insulating under continuous vacuum environment
After that, an electrically insulating glass,
From electrically insulating polymer compounds and electrically insulating airtight fluids
Providing a shield layer made of one selected from the group consisting of
A method for sealing an organic EL element, characterized by comprising: 【請求項９】 保護層を物理蒸着法により設ける、請求
項８に記載の有機ＥＬ素子の封止方法。 9. The method according to claim 1, wherein the protective layer is provided by a physical vapor deposition method.
Item 10. The method for sealing an organic EL device according to Item 8. 【請求項１０】 保護層として反応性蒸着法により厚み
が１２μｍ以下の電気絶縁性無機化合物膜を設ける、請
求項８または請求項９に記載の有機ＥＬ素子の封止方
法。 10. The thickness of a protective layer formed by a reactive vapor deposition method.
Providing an electrically insulating inorganic compound film having a thickness of 12 μm or less;
A method for sealing an organic EL device according to claim 8 or claim 9.
Law.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6611098B2 (en) 2000-02-04 2003-08-26 Nec Corporation Hermetic encapsulation package and method of fabrication thereof

Families Citing this family (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3334408B2 (en) * 1995-03-01 2002-10-15 三菱化学株式会社 Organic electroluminescent device and method of manufacturing the same
US5771562A (en) * 1995-05-02 1998-06-30 Motorola, Inc. Passivation of organic devices
US6195142B1 (en) 1995-12-28 2001-02-27 Matsushita Electrical Industrial Company, Ltd. Organic electroluminescence element, its manufacturing method, and display device using organic electroluminescence element
US6049167A (en) * 1997-02-17 2000-04-11 Tdk Corporation Organic electroluminescent display device, and method and system for making the same
US6268071B1 (en) 1997-08-29 2001-07-31 Tdk Corporation Organic electroluminescent device
JPH11121167A (en) * 1997-10-16 1999-04-30 Tdk Corp Organic electroluminescent element
JP2000003783A (en) 1998-06-12 2000-01-07 Tdk Corp Organic electroluminescent display device
JP2002522884A (en) 1998-08-03 2002-07-23 ユニアックス コーポレイション Encapsulation of polymer-based solid devices with inorganic materials
JP3782245B2 (en) * 1998-10-28 2006-06-07 Ｔｄｋ株式会社 Manufacturing apparatus and manufacturing method of organic EL display device
JP4532453B2 (en) * 1999-06-04 2010-08-25 株式会社半導体エネルギー研究所 Method for manufacturing electro-optical device
JP4532452B2 (en) * 1999-06-04 2010-08-25 株式会社半導体エネルギー研究所 Electro-optic device
US7288420B1 (en) 1999-06-04 2007-10-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing an electro-optical device
JP4515469B2 (en) * 1999-06-04 2010-07-28 株式会社半導体エネルギー研究所 Method for manufacturing electro-optical device
US6660409B1 (en) 1999-09-16 2003-12-09 Panasonic Communications Co., Ltd Electronic device and process for producing the same
JP4556282B2 (en) * 2000-03-31 2010-10-06 株式会社デンソー Organic EL device and method for manufacturing the same
US6583557B2 (en) 2000-04-26 2003-06-24 Canon Kabushiki Kaisha Organic luminescent element
JP2002175877A (en) 2000-09-27 2002-06-21 Seiko Epson Corp Organic electroluminescence device, manufacturing method of the organic electroluminescence device, and electronic equipment
JP2003045646A (en) * 2001-07-26 2003-02-14 Victor Co Of Japan Ltd Organic electroluminescent element
US6936131B2 (en) * 2002-01-31 2005-08-30 3M Innovative Properties Company Encapsulation of organic electronic devices using adsorbent loaded adhesives
DE10222958B4 (en) * 2002-04-15 2007-08-16 Schott Ag Process for producing an organic electro-optical element and organic electro-optical element
JP2004119015A (en) 2002-09-20 2004-04-15 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Light emitting device and its manufacturing method
JP2004119016A (en) 2002-09-20 2004-04-15 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Light emitting device
JP2004235058A (en) * 2003-01-31 2004-08-19 Sanyo Electric Co Ltd Sealing can for organic el element, and organic el element
JP3984183B2 (en) * 2003-03-20 2007-10-03 株式会社 日立ディスプレイズ Organic EL display device
JP4162025B2 (en) * 2006-09-21 2008-10-08 住友化学株式会社 Organic electroluminescence device
JP5007941B2 (en) * 2007-07-26 2012-08-22 日本精機株式会社 Organic EL panel
KR100840117B1 (en) 2007-09-05 2008-06-19 삼성에스디아이 주식회사 Light emitting display device and fabrication method for the same
KR101245079B1 (en) * 2008-09-29 2013-03-18 미쓰이 가가쿠 가부시키가이샤 Sealant, sealing member and organic el device
JP5201347B2 (en) 2008-11-28 2013-06-05 株式会社スリーボンド Photocurable resin composition for sealing organic EL elements
JPWO2011027815A1 (en) 2009-09-04 2013-02-04 株式会社スリーボンド Organic EL element sealing member
JP5499612B2 (en) * 2009-10-09 2014-05-21 大日本印刷株式会社 Organic electroluminescence device and method for producing the same
JP2011154795A (en) * 2010-01-26 2011-08-11 Seiko Epson Corp Manufacturing method of organic el device and organic el device
US9373815B2 (en) 2012-09-10 2016-06-21 Kaneka Corporation Sealing layer of organic EL device
JP6192912B2 (en) * 2012-09-14 2017-09-06 株式会社カネカ Organic EL device
JP6405587B2 (en) 2013-11-26 2018-10-17 株式会社Ｊｏｌｅｄ Organic EL panel, manufacturing method thereof, and color filter substrate
WO2022244864A1 (en) * 2021-05-21 2022-11-24 出光興産株式会社 Mixed powder, vapor deposition method for organic compound, method for producing organic electroluminescent element, method for selecting organic compound, and vapor deposition method

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04212287A (en) * 1990-05-29 1992-08-03 Toppan Printing Co Ltd Organic membranous electro-luminescence(el) element

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6611098B2 (en) 2000-02-04 2003-08-26 Nec Corporation Hermetic encapsulation package and method of fabrication thereof

Also Published As

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JPH0589959A (en) 1993-04-09

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