JP2773604B2 - Electrostatic driving optical scanning device and method of manufacturing the same - Google Patents
Electrostatic driving optical scanning device and method of manufacturing the sameInfo
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Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、ファクシミリやプリン
タ−の書き込み用や、光ピックアップのトラッキング調
整用光走査装置として、また将来の光コンピュ−ティン
グに代表される光情報処理分野において重要なデバイス
として利用されるであろう光走査装置とその製造方法に
関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical scanning device for writing in a facsimile or a printer, for adjusting a tracking of an optical pickup, and in an optical information processing field represented by future optical computing. And a method of manufacturing the same.
【０００２】[0002]
【従来の技術】以下、従来の１軸方向走査用の光走査装
置について図８、９をもちいて説明する。図８、９にお
いて、６０は半導体レ−ザ、６１はポリゴンミラ−、６
２は中間光学系、６３は感光ドラム、６４は半導体レ−
ザと光学系ブロック、６５は光ディスク、６６はレン
ズ、６７は固定ミラ−、６８はトラッキング調整用光走
査装置である。2. Description of the Related Art A conventional optical scanning device for scanning in one axial direction will be described with reference to FIGS. 8 and 9, reference numeral 60 denotes a semiconductor laser; 61, a polygon mirror;
2 is an intermediate optical system, 63 is a photosensitive drum, and 64 is a semiconductor laser.
And an optical system block, 65 is an optical disk, 66 is a lens, 67 is a fixed mirror, and 68 is an optical scanning device for tracking adjustment.
【０００３】以上のように構成された１軸方向走査用の
光走査装置について、その動作を説明する。図８は、レ
−ザプリンタに用いられるポリゴンミラ−による光走査
装置で、半導体レ−ザ６０から出た光がポリゴンミラ−
６１に反射され、中間光学系６２を経て感光ドラム６３
上に潜像を形成する。[0003] The operation of the optical scanning device for scanning in one axis direction configured as described above will be described. FIG. 8 shows an optical scanning device using a polygon mirror used in a laser printer. Light emitted from a semiconductor laser 60 is reflected by a polygon mirror.
The photosensitive drum 63 is reflected by
A latent image is formed thereon.
【０００４】図９は、光磁気ディスク装置に用いられる
トラッキング調整用光走査装置である。半導体レ−ザと
光学系ブロック６４から出た光が、トラッキング調整用
光走査装置６８により反射され、固定ミラ−６７、レン
ズ６６を通過して光ディスク６５に入射する。トラッキ
ング調整用光走査装置６８は、ミラ−部とそれを動かす
ためのマグネットやコイルなどから構成されている。FIG. 9 shows an optical scanning device for tracking adjustment used in a magneto-optical disk drive. Light emitted from the semiconductor laser and the optical system block 64 is reflected by the tracking adjustment optical scanning device 68, passes through the fixed mirror 67 and the lens 66, and enters the optical disk 65. The tracking adjustment optical scanning device 68 includes a mirror portion and a magnet and a coil for moving the mirror portion.
【０００５】つぎに、近年マイクロマシンの研究が盛ん
に行われるようになり、シリコンマイクロマシニングを
用いた小型光走査装置が作られている。例えば、静電型
シリコンねじり振動子（富士電気，中川ほか）、日本機
械学会第６８期全国大会講演会講演論文集Ｖｏｉ．Ｄ、
（１９９０）などである。Next, researches on micromachines have been actively conducted in recent years, and compact optical scanning devices using silicon micromachining have been manufactured. For example, an electrostatic silicon torsional vibrator (Fuji Electric, Nakagawa et al.), Proceedings of the 68th Annual Conference of the Japan Society of Mechanical Engineers, Voi. D,
(1990).
【０００６】以下、近年の小型光走査装置について、図
１０、１１を用いて説明する。図１０、１１において、
６９は振動子、７０は可動板、７１はスパンバウンド、
７２は枠、７３はガラス基板、７４はスペ−サである。
次にその構成と動作について説明する。Hereinafter, a recent compact optical scanning device will be described with reference to FIGS. 10 and 11,
69 is a vibrator, 70 is a movable plate, 71 is a spanbound,
72 is a frame, 73 is a glass substrate, and 74 is a spacer.
Next, the configuration and operation will be described.
【０００７】図１０は、静電型シリコンねじり振動子の
外観図である。振動子６９は、可動板７０とスパンバウ
ンド７１と枠７２からなり、厚さ０．３ｍｍのシリコン
からエッチングにより一体形成している。可動板７０と
スパンバウンド７１の厚さは２０μｍである。シリコン
振動子６９は、電極を形成したガラス基板７３にスペ−
サ７４を挟んで接着している。FIG. 10 is an external view of an electrostatic type silicon torsional vibrator. The vibrator 69 includes a movable plate 70, a span bound 71, and a frame 72, and is integrally formed by etching from silicon having a thickness of 0.3 mm. The thickness of the movable plate 70 and the span bound 71 is 20 μm. The silicon vibrator 69 has a space on the glass substrate 73 on which the electrodes are formed.
It is bonded with the support 74 therebetween.
【０００８】図１１は、静電型シリコンねじり振動子の
運動状態を示した断面図である。Ｓ字型のスパンバウン
ド７１で支持された可動板７０と電極間に電圧を印加す
ると、両者の間に静電力が働き、可動板７０はスパンバ
ウンド７１を軸として電極に静電吸引され振動する。FIG. 11 is a sectional view showing a state of movement of the electrostatic type silicon torsional vibrator. When a voltage is applied between the electrode and the movable plate 70 supported by the S-shaped spanbound 71, an electrostatic force acts between the two, and the movable plate 70 is electrostatically attracted to the electrode about the spanbound 71 and vibrates. .
【０００９】[0009]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これら
の従来の光走査装置の場合、ポリゴンミラ−を用いた方
式は、ポリゴンミラ−やミラ−を回転させるモ−タが必
要であり、全体を小型化することが困難である。またミ
ラ−とマグネット、コイルを用いた光磁気ディスク用の
光走査装置もさらに小型化しようとすると課題が多い。However, in the case of these conventional optical scanning devices, the method using a polygon mirror requires a polygon mirror or a motor for rotating the mirror, and the whole is small in size. It is difficult to convert. Also, there are many problems in further miniaturizing an optical scanning device for a magneto-optical disk using a mirror, a magnet, and a coil.
【００１０】静電型シリコンねじり振動子の場合は、小
型であるが、前記の構成では、可動板のミラ−として使
用する面がエッチング加工面であり、反射効率が悪い。
またミラ−、スペ−サ、ガラス基板から構成され、それ
ぞれを接着剤により固定しており、組立の困難さや温度
変化に対する特性変動が大きい。In the case of the electrostatic type silicon torsional vibrator, although the size is small, the surface used as the mirror of the movable plate is an etched surface and the reflection efficiency is poor in the above configuration.
Further, it is composed of a mirror, a spacer, and a glass substrate, each of which is fixed by an adhesive, so that the assembling is difficult and the characteristic variation with temperature change is large.
【００１１】本発明は、上記従来の課題を解決するもの
で、半導体プロセス加工を用いて、ミラ−やアクチェ−
タを形成し、超小型で信頼性の高い１軸方向の光走査装
置を提供することを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention solves the above-mentioned conventional problems, and uses a semiconductor process to process a mirror or an actuator.
An object of the present invention is to provide an ultra-small and highly reliable one-axis optical scanning device.
【００１２】[0012]
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明は、シリコン基板の鏡面仕上げ面に金属コーテ
ィングし、半導体レーザ光等を反射するミラー面とし、
さらにその裏面にも金属コーティングされているミラー
部と、前記ミラー部と一体で構成され、ミラー部を両側
から支持し、ミラー部が１軸方向に変位できるようにね
じれを生じる走査用の梁と、前記ミラー部と走査用の梁
と一体で形成されガラス基板と接合するためのミラー外
周部と、前記ミラー部を駆動するためにミラー部の下面
に対向する位置に配置された駆動電極と、前記駆動電極
を絶縁するための絶縁膜と、ミラーの中央部を裏面から
支持し、ミラー部と駆動電極間のギャップを決めるギャ
ップ形成部と、前記駆動電極、絶縁膜、ギャップ形成部
を有するガラス基板からなり、前記ミラー外周部とギャ
ップ形成部において陽極接合することにより一体化さ
れ、前記ミラー外周部の裏面の表面粗さが、中心線平均
粗さ（Ｒａ）でＲａ＝０．０６０μｍ以下であり、さら
に、前記ミラー部裏面の金属コーティングの最終表面が
酸化しない金属であることを特徴とする静電力駆動光走
査装置の構造や、陽極接合を可能にするためのミラー外
周部とギャップ形成部の製造方法や、ミラー外周部とギ
ャップ形成部を接合した後でドライエッチングにより不
要な部分を分離する製造方法等を示すものである。In order to achieve this object, the present invention provides a mirror-finished surface of a silicon substrate, which is coated with a metal to form a mirror surface for reflecting semiconductor laser light and the like.
Further, a mirror portion also coated with a metal on the back surface, and a scanning beam that is integrally formed with the mirror portion, supports the mirror portion from both sides, and generates a twist so that the mirror portion can be displaced in one axial direction. A mirror outer peripheral portion formed integrally with the mirror portion and the scanning beam and joined to the glass substrate, and a drive electrode disposed at a position facing a lower surface of the mirror portion to drive the mirror portion, Glass having an insulating film for insulating the drive electrode, a gap forming part for supporting a central part of the mirror from the back surface and determining a gap between the mirror part and the drive electrode, and the drive electrode, the insulating film and the gap forming part The mirror outer peripheral portion and the gap forming portion are integrated by anodic bonding , and the surface roughness of the back surface of the mirror outer peripheral portion is a center line average.
The roughness (Ra) is Ra = 0.060 μm or less.
Finally, the final surface of the metal coating on the back of the mirror section is
The structure of the electrostatic drive optical scanning device, which is a metal that does not oxidize, the method of manufacturing the outer peripheral portion of the mirror and the gap forming portion for enabling anodic bonding, and the joining of the outer peripheral portion of the mirror and the gap forming portion This shows a manufacturing method for separating unnecessary portions by dry etching later.
【００１３】[0013]
【作用】本発明は、上記構成によって、シリコン基板上
に形成されたミラ−が、駆動電極に電圧を印加すること
で１軸方向の走査が可能となり、超小型で反射ミラ−面
の効率もよい静電力駆動光走査装置を提供することがで
きる。また上記の製造方法によって、接着材を使用せ
ず、陽極接合によりほぼ同程度の熱膨脹率の材料で構成
することにより温度変化にも強く、信頼性の高い光走査
装置を提供することができる。さらにウエハの状態で接
合した後、ドライエッチングして分離することにより、
量産性があり、微小部品の組立の困難さを軽減し、歩留
まりの良い製造工程となり、低コストの光走査装置を提
供することができる。According to the present invention, the mirror formed on the silicon substrate can scan in one axis direction by applying a voltage to the driving electrode, and is ultra-compact and has high efficiency of the reflecting mirror surface. A good electrostatic drive optical scanning device can be provided. In addition, by using the above-described manufacturing method, a highly reliable optical scanning device that is resistant to temperature changes and made of a material having substantially the same thermal expansion coefficient by anodic bonding without using an adhesive can be provided. Furthermore, after bonding in the state of a wafer, by dry etching and separation,
It is mass-producible, reduces the difficulty in assembling minute components, provides a high-yield manufacturing process, and can provide a low-cost optical scanning device.
【００１４】[0014]
（実施例１）以下、本発明の第１の実施例について図面
を参照しながら説明する。図１は、本発明の第１の実施
例における静電力駆動光走査装置を示す斜視図である。
図１において、１はミラ−部、２は走査用の梁、３はミ
ラ−外周部、４は駆動電極、５は絶縁膜、６はギャップ
形成部、７はガラス基板、８は駆動電極外部リ−ド接続
部である。Embodiment 1 Hereinafter, a first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a perspective view showing an electrostatic drive optical scanning device according to a first embodiment of the present invention.
In FIG. 1, 1 is a mirror portion, 2 is a scanning beam, 3 is a mirror outer peripheral portion, 4 is a driving electrode, 5 is an insulating film, 6 is a gap forming portion, 7 is a glass substrate, 8 is a driving electrode outside. This is a lead connection.
【００１５】ミラ−部１は、シリコン基板でできてお
り、シリコン基板の鏡面仕上げ面に、図示されていない
が金属コ−ティング、たとえばクロム＋金のコ−ティン
グを行いミラ−面として用い、さらにその裏面は、エッ
チングにより薄肉に加工されているが、その面にも金属
コ−ティングされている。このミラ−部１は、ミラ−部
１を両側から支持しミラ−部１が１方向に変位できるよ
うねじれを生じるシリコン基板で形成された走査用の梁
２と、ガラス基板７と接続するためのミラ−外周部３と
一体で形成されている。The mirror portion 1 is made of a silicon substrate, and is coated with a metal coating (not shown), for example, chrome + gold (not shown) on the mirror-finished surface of the silicon substrate, and is used as a mirror surface. Further, the back surface is processed to be thin by etching, but the surface is also metal-coated. The mirror portion 1 supports the mirror portion 1 from both sides and connects the scanning beam 2 formed of a silicon substrate which is twisted so that the mirror portion 1 can be displaced in one direction to the glass substrate 7. Is formed integrally with the outer peripheral portion 3.
【００１６】前記ミラ−部１を駆動するために、ミラ−
部１の下面の対向する位置に駆動電極４が形成されてお
り、また駆動電極４を絶縁するための絶縁膜５が形成さ
れている。さらに、ミラ−部１の中央部を裏面から支持
し、ミラ−部１と駆動電極４のギャップを決めるため
に、ギャップ形成部６が形成され、これら駆動電極４と
絶縁膜５とギャップ形成部６は、ガラス基板７上に形成
される。ギャップ形成部６とミラ−外周部３は、陽極接
合により接合されており、ギャップ形成部６とミラ−部
１は接合されていない。In order to drive the mirror unit 1, a mirror is required.
The drive electrode 4 is formed at a position facing the lower surface of the portion 1, and an insulating film 5 for insulating the drive electrode 4 is formed. Further, a gap forming portion 6 is formed to support the center portion of the mirror portion 1 from the back surface and determine a gap between the mirror portion 1 and the driving electrode 4, and the driving electrode 4, the insulating film 5 and the gap forming portion are formed. 6 is formed on a glass substrate 7. The gap forming portion 6 and the mirror outer peripheral portion 3 are joined by anodic bonding, and the gap forming portion 6 and the mirror portion 1 are not joined.
【００１７】以上のように構成された静電力駆動光走査
装置について、次にその動作について説明する。ミラ−
部１は、駆動電極４に交互に電圧を印加することによ
り、静電力を受け、走査用の梁２にねじれを生じ、ミラ
−部１の中央の下部にあるギャップ形成部６を支点とし
て、１方向に走査する動作をする。また、走査角度は、
ギャップ形成部６により制限される走査範囲において、
印加電圧により制御することができる。Next, the operation of the electrostatic-power-driven optical scanning device configured as described above will be described. Mira
The unit 1 receives an electrostatic force by alternately applying a voltage to the drive electrode 4, causing the scanning beam 2 to be twisted, and using the gap forming unit 6 at the center lower part of the mirror unit 1 as a fulcrum. An operation of scanning in one direction is performed. The scanning angle is
In the scanning range limited by the gap forming unit 6,
It can be controlled by the applied voltage.
【００１８】以上のように、本実施例によれば、シリコ
ンで形成したミラ−部１を駆動電極４に電圧印加するこ
とにより、静電力を利用して１方向に走査することがで
きる光走査装置を提供することができる。As described above, according to the present embodiment, by applying a voltage to the mirror portion 1 made of silicon to the drive electrode 4, it is possible to scan in one direction using electrostatic force. An apparatus can be provided.
【００１９】（実施例２）以下、本発明の第２の実施例
について図面を参照して説明する。図２は、本実施例に
おけるミラ−部およびミラ−外周部の裏面を示す斜視図
である。図２において、９はミラ−外周部裏面、１０は
ミラ−部裏面、１１はミラ−減肉部、１２はクロム−金
コ−ティング部である。(Embodiment 2) Hereinafter, a second embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 2 is a perspective view showing the back surface of the mirror portion and the outer peripheral portion of the mirror in this embodiment. In FIG. 2, reference numeral 9 denotes a back surface of a mirror outer peripheral portion, 10 denotes a back surface of a mirror portion, 11 denotes a mirror thinned portion, and 12 denotes a chrome-gold coating portion.
【００２０】ミラ−外周部裏面９は、図１に示されてい
るギャップ形成部６と陽極接合する部分であり、陽極接
合条件を温度４００℃前後、電圧５００Ｖ程度のとき、
この接合をより確実に実現するためには、エッチング加
工後のミラ−外周部裏面９の表面粗さを、中心線平均粗
さＲａ＝０．０６０μｍ以下にする必要がある。陽極接
合条件において、印加電圧を１ｋＶ程度まで高くすると
Ｒａ＝０．０８５μｍ程度でも部分的な接合が可能であ
るが、信頼性の高い接合は難しい。The back surface 9 of the outer peripheral portion of the mirror is a portion to be anodically bonded to the gap forming portion 6 shown in FIG. 1. When the anodic bonding conditions are about 400 ° C. and a voltage of about 500 V,
In order to more reliably realize this bonding, the surface roughness of the mirror outer peripheral portion back surface 9 after the etching process needs to be not more than the center line average roughness Ra = 0.060 μm. Under the anodic bonding conditions, if the applied voltage is increased to about 1 kV, partial bonding can be performed even when Ra is about 0.085 μm, but highly reliable bonding is difficult.
【００２１】次に、ミラ−部裏面１０とミラ−外周部裏
面９の一部にクロム−金コ−ティング１２を行ってい
る。ミラ−外周部裏面９の一部までコ−ティングしてい
るには、ミラ−部裏面１０の電位を０Ｖにするためであ
り、この目的だけであれば、他の金属コ−ティングでも
良い。ここでクロム−金コ−ティングにしているのは、
ミラ−外周部裏面９とギャップ形成部６を陽極接合する
ときに、ミラ−部裏面１０と接するギャップ形成部６
が、同時にミラ−部裏面１０と接合されないように、保
護するためである。金のかわりに他の酸化しない金属で
もよい。Next, a chromium-gold coating 12 is applied to a part of the mirror back surface 10 and a part of the mirror outer peripheral surface back surface 9. In order to coat a part of the rear surface 9 of the mirror outer part, the potential of the rear surface 10 of the mirror part is set to 0 V. For this purpose only, another metal coating may be used. The chrome-gold coating here is
When anodic bonding the mirror outer peripheral surface back surface 9 and the gap forming portion 6, the gap forming portion 6 which comes into contact with the mirror portion back surface 10
However, this is for the purpose of protecting the mirror portion from being bonded to the rear surface 10 at the same time. Other non-oxidizing metals may be used instead of gold.
【００２２】以上のように、ミラ−外周部裏面９のエッ
チング加工後の表面粗さを中心線平均粗さＲａ＝０．０
６０μｍ以下とし、さらにミラ−部裏面１０にクロム−
金コ−ティング１２することにより、ミラ−外周部とギ
ャップ形成部の陽極接合が確実に行われ、ミラ−部裏面
１０とギャップ形成部６との接合を防ぐことができ、ミ
ラ−部１が、下部にあるギャップ形成部６を支点とし
て、走査することが出来る。As described above, the surface roughness of the mirror outer peripheral portion rear surface 9 after the etching process is calculated by calculating the center line average roughness Ra = 0.0.
60 μm or less, and furthermore, chrome-
By applying the gold coating 12, the anodic bonding between the outer peripheral portion of the mirror and the gap forming portion is reliably performed, and the bonding between the back surface 10 of the mirror portion and the gap forming portion 6 can be prevented. The scanning can be performed with the gap forming portion 6 at the lower portion as a fulcrum.
【００２３】（実施例３）以下、本発明の第３の実施例
について図面を参照して説明する。図３は、本実施例に
おけるミラ−部のエッチングによる製造方法を示す工程
図である。図３において、１３はシリコン基板、１４は
ＳｉＯ2 膜、１５は第１のパタ−ン、１６はミラ−面、
１７は第１段階エッチング、１８は第２のパタ−ン、１
９は第２段階エッチングである。Embodiment 3 Hereinafter, a third embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 3 is a process chart showing a manufacturing method by etching a mirror portion in the present embodiment. In FIG. 3, 13 is a silicon substrate, 14 is a SiO 2 film, 15 is a first pattern, 16 is a mirror surface,
17 is a first stage etching, 18 is a second pattern, 1
9 is a second stage etching.
【００２４】次にミラ−部の製造方法を示す。（ａ）に
示すように、シリコン基板１３のミラ−面１６として使
う面の反対の面に、ＳｉＯ2 膜１４により第１のパタ−
ン１５を形成する。次に（ｂ）に示すように、ウエット
エッチングにより第１段階エッチング１７を行う。この
エッチング量は、最終のミラ−部の肉厚の寸法差だけ加
工する。次に（ｃ）に示すように、第２のパタ−ン１８
をＳｉＯ2 膜１４に形成する。次に（ｄ）に示すように
ウエットエッチングを行い、第２段階エッチング１９を
行い所定の厚さまで加工する。このとき、第１段階エッ
チング部は、その形状が広がってくるので、あらかじ
め、その第２段階エッチングでの広がりを考慮して、第
１のパタ−ン１５は設計されている。最後は、（ｅ）に
示すように、ＳｉＯ2 膜１４を除去すると、ミラ−部の
ウエットエッチングが終了する。Next, a method of manufacturing the mirror portion will be described. As shown in FIG. 1A, a first pattern is formed on the surface of the silicon substrate 13 opposite to the surface used as the mirror surface 16 by the SiO 2 film 14.
Forming part 15. Next, as shown in (b), a first stage etching 17 is performed by wet etching. This etching amount is processed by the difference in the thickness of the final mirror part. Next, as shown in (c), the second pattern 18 is formed.
Is formed on the SiO 2 film 14. Next, as shown in (d), wet etching is performed, and second-stage etching 19 is performed to process to a predetermined thickness. At this time, since the shape of the first-stage etching portion spreads, the first pattern 15 is designed in advance in consideration of the spread in the second-stage etching. Finally, as shown in (e), when the SiO 2 film 14 is removed, the wet etching of the mirror portion is completed.
【００２５】以上のようにミラ−部のウエットエッチン
グを行うことにより、ミラ−部自体の重量コントロ−ル
をすることが可能となり、走査装置にあわせたミラ−を
作ることが出来る。 （実施例４）以下、本発明の第４の実施例について図面
を参照しながら説明する。図４は、本実施例におけるミ
ラ−部のエッチングによる製造方法の他の例を示す工程
図である。図４において、１３はシリコン基板、１４は
ＳｉＯ2 膜、１６はミラ−面、２０は第１のパタ−ン、
２１は第１段階エッチング、２２はＳｉＯ2 膜、２３は
第２のパタ−ン、２４は第２段階エッチングである。By performing the wet etching of the mirror part as described above, it is possible to control the weight of the mirror part itself, and it is possible to manufacture a mirror suitable for the scanning device. (Embodiment 4) Hereinafter, a fourth embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 4 is a process chart showing another example of the manufacturing method by etching the mirror portion in the present embodiment. In FIG. 4, 13 is a silicon substrate, 14 is a SiO 2 film, 16 is a mirror surface, 20 is a first pattern,
21 is a first stage etching, 22 is a SiO 2 film, 23 is a second pattern, and 24 is a second stage etching.
【００２６】次にミラ−部の製造方法を示す。（ａ）に
示すように、シリコン基板１３のミラ−面１６と反対の
面に、ＳｉＯ2 膜１４により第１のパタ−ン２０を形成
する。次に、（ｂ）に示すように第１段階のエッチング
２１により、この第１のパタ−ン２０の所定の厚さまで
加工する。次に（ｃ）に示すように、ＳｉＯ2 膜１４を
一度除去し、あらためてＳｉＯ2 膜２２を形成する。次
に（ｄ）に示すように、第２のパタ−ン２３を形成す
る。次に（ｅ）に示すように、第２のパタ−ン２３を第
２段階エッチングにより、所定の厚さまでエッチングす
る。次に（ｆ）に示すように、ＳｉＯ2 膜２２を除去す
れば、ミラ−部のウエットエッチングが終了する。Next, a method of manufacturing the mirror portion will be described. As shown in FIG. 1A, a first pattern 20 is formed by a SiO 2 film 14 on a surface of a silicon substrate 13 opposite to a mirror surface 16. Next, as shown in FIG. 3B, the first pattern 20 is processed to a predetermined thickness by etching 21 in the first stage. Next, as shown in (c), the SiO 2 film 14 is removed once, and a SiO 2 film 22 is formed again. Next, as shown in (d), a second pattern 23 is formed. Next, as shown in (e), the second pattern 23 is etched to a predetermined thickness by a second stage etching. Next, as shown in (f), if the SiO 2 film 22 is removed, the wet etching of the mirror portion is completed.
【００２７】以上のようにミラ−部のエッチングを行う
ことにより、第３の実施例よりも工程数は増えるが、よ
り正確にミラ−部自体の重量コントロ−ルをすることが
可能となり、走査装置にあわせたミラ−を作ることが出
来る。By performing the etching of the mirror portion as described above, the number of steps is increased as compared with the third embodiment, but the weight control of the mirror portion itself can be performed more accurately, and the scanning can be performed. Mirrors can be made to match the equipment.
【００２８】（実施例５）以下、本発明の第５の実施例
について図面を参照しながら説明する。図５は、本実施
例における駆動電極部の製作方法およびミラ−部との接
合を示す工程図である。図５において、２５は陽極接合
できるガラス基板、２６は駆動電極、２７は陽極接合で
きるガラス、２８はギャップ形成部、２９は陽極接合で
きる絶縁膜、３０はミラ−部、３１はミラ−外周部であ
る。(Embodiment 5) Hereinafter, a fifth embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 5 is a process diagram showing a method for manufacturing the drive electrode portion and bonding with the mirror portion in this embodiment. In FIG. 5, 25 is a glass substrate that can be anodically bonded, 26 is a drive electrode, 27 is a glass that can be anodically bonded, 28 is a gap forming portion, 29 is an insulating film that can be anodically bonded, 30 is a mirror portion, and 31 is a mirror outer peripheral portion. It is.
【００２９】次に製造方法を示す。（ａ）に示すように
陽極接合できるガラス基板２５に、駆動電極２６を形成
する。次に（ｂ）のように陽極接合できるガラス２７を
スパッタリング等により、ギャップとして必要な厚さだ
け形成する。次に（ｃ）に示すように陽極接合できるガ
ラス２７に、エッチングによりギャップ形成部２８を形
成する。次に（ｄ）に示すように、前工程により電極面
を露出させた駆動電極２６の上に、陽極接合できる絶縁
膜２９を形成する。ここで、陽極接合できるガラス基板
２５と陽極接合できるガラス２７と陽極接合できる絶縁
膜２９は、同一材料であってもよい。そして最後に
（ｅ）に示したように、ミラ−部３０と一体であるミラ
−外周部３１とギャップ形成部２８において陽極接合が
行われ、一体化される。Next, a manufacturing method will be described. As shown in (a), a drive electrode 26 is formed on a glass substrate 25 that can be anodically bonded. Next, as shown in FIG. 2B, a glass 27 capable of being subjected to anodic bonding is formed to a necessary thickness as a gap by sputtering or the like. Next, as shown in (c), a gap forming portion 28 is formed on the glass 27 that can be anodically bonded by etching. Next, as shown in (d), an insulating film 29 capable of anodic bonding is formed on the drive electrode 26 whose electrode surface is exposed in the previous step. Here, the same material may be used for the glass substrate 25 that can be anodically bonded, the glass 27 that can be anodically bonded, and the insulating film 29 that can be anodically bonded. Finally, as shown in (e), anodic bonding is performed at the mirror outer peripheral portion 31 and the gap forming portion 28, which are integrated with the mirror portion 30, to be integrated.
【００３０】以上の方法により、駆動電極の形成と、駆
動電極部とミラ−外周部との陽極接合が可能となり、信
頼性の高い光走査装置を提供することができる。According to the above-described method, the formation of the drive electrode and the anodic bonding between the drive electrode portion and the outer peripheral portion of the mirror can be performed, and a highly reliable optical scanning device can be provided.
【００３１】（実施例６）以下、本発明の第６の実施例
について図面を参照しながら説明する。図６は、本実施
例における他の駆動電極部の製作方法およびミラ−部と
の接合を示す工程図である。図６において、３２は陽極
接合できるガラス基板、３３はフォトレジスト、３４は
第１のパタ−ン、３５は第１のエッチング、３６はギャ
ップ形成部、３７はフォトレジスト、３８は第２のパタ
−ン、３９はアルミニウム、４０はフォトレジスト、４
１は駆動電極、４２は絶縁膜、４３はミラ−外周部、４
４はミラ−部である。Embodiment 6 Hereinafter, a sixth embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 6 is a process chart showing a method of manufacturing another drive electrode portion and bonding with a mirror portion in this embodiment. In FIG. 6, 32 is a glass substrate which can be anodically bonded, 33 is a photoresist, 34 is a first pattern, 35 is a first etching, 36 is a gap forming portion, 37 is a photoresist, and 38 is a second pattern. , 39 is aluminum, 40 is photoresist, 4
1 is a drive electrode, 42 is an insulating film, 43 is a mirror outer peripheral portion, 4
4 is a mirror part.
【００３２】次に製造方法について示す。（ａ）に示す
ように、陽極接合できるガラス基板３２上に、フォトレ
ジスト３３により第１のパタ−ン３４を形成する。次に
（ｂ）に示すように、第１のエッチング３５によりギャ
ップ形成部３６を形成する。次に（ｃ）に示すように、
フォトレジスト３３を除去し新しくフォトレジスト３７
により、第２のパタ−ン３８を形成する。Next, the manufacturing method will be described. As shown in FIG. 1A, a first pattern 34 is formed by a photoresist 33 on a glass substrate 32 which can be anodically bonded. Next, as shown in (b), a gap forming portion 36 is formed by the first etching 35. Next, as shown in (c),
The photoresist 33 is removed and a new photoresist 37 is formed.
As a result, a second pattern 38 is formed.
【００３３】次に（ｄ）に示すように、アルミニウム３
９を蒸着し、さらに（ｅ）に示すように、リフトオフに
よりフォトレジスト３７を除去し、駆動電極４１を形成
し、そしてさらに、次のフォトレジスト４０を形成す
る。Next, as shown in FIG.
Then, as shown in FIG. 9E, the photoresist 37 is removed by lift-off, a drive electrode 41 is formed, and then the next photoresist 40 is formed.
【００３４】次に（ｆ）に示すように、全面に絶縁膜を
スパッタリングしたあと、フォトレジスト４０を除去す
ることにより、駆動電極４１上には絶縁膜が形成され、
ギャップ形成部３６には絶縁膜がない状態になる。次に
（ｇ）に示すように、ミラ−部４４と一体であるミラ−
外周部４３をギャップ形成部３６の上にのせて、ミラ−
外周部４３において陽極接合することにより一体化され
る。Next, as shown in (f), after the insulating film is sputtered on the entire surface, the photoresist 40 is removed, whereby the insulating film is formed on the drive electrode 41,
The gap forming section 36 has no insulating film. Next, as shown in (g), a mirror integrated with the mirror portion 44 is formed.
The outer peripheral portion 43 is placed on the gap forming portion 36 and the mirror is formed.
The outer periphery 43 is integrated by anodic bonding.
【００３５】以上の方法により、駆動電極の形成と、駆
動電極部とミラ−外周部との陽極接合が可能となり、信
頼性の高い光走査装置を提供することができる。According to the above-described method, the formation of the driving electrode and the anodic bonding between the driving electrode portion and the outer peripheral portion of the mirror can be performed, and a highly reliable optical scanning device can be provided.
【００３６】（実施例７）以下、本発明の第７の実施例
について図面を参照しながら説明する。図７は、本実施
例におけるミラ−部と駆動電極部の組立を示す工程図で
ある。図７において、４５は陽極接合できるガラス基
板、４６は駆動電極、４７は絶縁膜、４８はギャップ形
成部、４９はミラ−外周部、５０はアルミパタ−ン、５
１はミラ−部、５２はシリコンウエハ、５３はＲＩＥ
（リアクティブ イオン エッチング）加工部である。(Embodiment 7) Hereinafter, a seventh embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 7 is a process diagram showing the assembly of the mirror portion and the drive electrode portion in this embodiment. In FIG. 7, 45 is a glass substrate which can be anodically bonded, 46 is a drive electrode, 47 is an insulating film, 48 is a gap forming portion, 49 is a mirror outer peripheral portion, 50 is an aluminum pattern, and 5 is an aluminum pattern.
1 is a mirror portion, 52 is a silicon wafer, 53 is RIE
(Reactive ion etching) Processing part.
【００３７】次に組立方法について示す。（ａ）に示す
ように、駆動電極４６とその絶縁膜４７およびギャップ
形成部４８を有する陽極接合できるガラス基板４５の上
に、ミラ−部５１、ミラ−外周部４９を形成するための
アルミパタ−ン５０を有するシリコンウエハ５２を、所
定の位置にアライメントして、ミラ−外周部４９とギャ
ップ形成部４８との間で、陽極接合を行い両者を一体化
する。次に（ｂ）に示すように、アルミパタ−ン５０を
ＲＩＥ加工のマスクとして、ミラ−部５１とミラ−外周
部４９との間や、ミラ−外周部４９と他の余分なシリコ
ンウエハ部分との間のＲＩＥ加工部５３を加工し分離す
る。Next, an assembling method will be described. As shown in FIG. 3A, an aluminum pattern for forming a mirror portion 51 and a mirror outer peripheral portion 49 is formed on a glass substrate 45 having a drive electrode 46, an insulating film 47 thereof, and a gap forming portion 48, which can be anodically bonded. The silicon wafer 52 having the mask 50 is aligned at a predetermined position, and anodically bonded between the mirror outer peripheral portion 49 and the gap forming portion 48 to integrate them. Next, as shown in FIG. 3B, the aluminum pattern 50 is used as a mask for RIE processing, and the space between the mirror portion 51 and the mirror outer peripheral portion 49 or between the mirror outer peripheral portion 49 and another extra silicon wafer portion is formed. Is processed and separated.
【００３８】以上のように、ミラ−部５１と駆動電極４
６を有するガラス基板４５を、陽極接合して一体化し、
その後ＲＩＥ加工することによりミラ−部５１を形成
し、さらに、余分なシリコンウエハ部を分離することに
より、微小部品の組立を容易にするとともに、組立後の
加工も負荷が少なく、また複数個を同時に加工すること
が可能で、歩留まりもよく、量産性のある組立方法を提
供することができる。As described above, the mirror portion 51 and the drive electrode 4
6, a glass substrate 45 having an anode 6 is integrated by anodic bonding,
Thereafter, the mirror portion 51 is formed by RIE processing, and further, by separating an extra silicon wafer portion, the assembly of minute components is facilitated. Processing can be performed at the same time, the yield is good, and an assembling method with mass productivity can be provided.
【００３９】[0039]
【発明の効果】以上のように本発明は、リコン基板の鏡
面仕上げ面に金属コーティングし、半導体レーザ光等を
反射するミラー面とし、さらにその裏面にも金属コーテ
ィングされているミラー部と、前記ミラー部と一体で構
成され、ミラー部を両側から支持し、ミラー部が１軸方
向に変位できるようにねじれを生じる走査用の梁と、前
記ミラー部と走査用の梁と一体で形成されガラス基板と
接合するためのミラー外周部と、前記ミラー部を駆動す
るためにミラー部の下面に対向する位置に配置された駆
動電極と、前記駆動電極を絶縁するための絶縁膜と、ミ
ラーの中央部を裏面から支持し、ミラー部と駆動電極間
のギャップを決めるギャップ形成部と、前記駆動電極、
絶縁膜、ギャップ形成部を有するガラス基板からなり、
前記ミラー外周部とギャップ形成部において陽極接合す
ることにより一体化され、前記ミラー外周部の裏面の表
面粗さが、中心線平均粗さ（Ｒａ）でＲａ＝０．０６０
μｍ以下であり、さらに、前記ミラー部裏面の金属コー
ティングの最終表面が酸化しない金属であることを特徴
とする静電力駆動光走査装置の構造や、陽極接合を可能
にするためのミラー外周部とギャップ形成部の製造方法
や、ミラー外周部とギャップ形成部を接合した後でドラ
イエッチングにより不要な部分を分離する製造方法を示
すものである。この構成により、シリコンで形成された
ミラー部が駆動電極に電圧を印加することにより、静電
力を利用して１方向に走査する超小型の光走査装置を提
供できる。The present invention as described above, according to the present invention is to metallic coatings on mirror-finished surface of the silicon substrate, and a mirror surface for reflecting the laser beam or the like, a mirror portion which is further metal coating to the back surface, A scanning beam that is integrally formed with the mirror section, supports the mirror section from both sides, and twists so that the mirror section can be displaced in one axis direction; and is formed integrally with the mirror section and the scanning beam. An outer peripheral portion of a mirror for bonding to a glass substrate, a driving electrode disposed at a position facing a lower surface of the mirror portion for driving the mirror portion, an insulating film for insulating the driving electrode, A gap forming unit that supports the center from the back surface and determines a gap between the mirror unit and the driving electrode;
It consists of a glass substrate having an insulating film and a gap forming portion,
The outer peripheral portion of the mirror is integrated with the outer peripheral portion of the mirror by anodic bonding at the gap forming portion.
The surface roughness is Ra = 0.060 in center line average roughness (Ra).
μm or less, and
Characteristic is that the final surface of the metal is not oxidized
The structure of the electrostatic drive optical scanning device, the method of manufacturing the outer peripheral portion of the mirror and the gap forming portion to enable anodic bonding, and the unnecessary portion by dry etching after joining the outer peripheral portion of the mirror and the gap forming portion. 1 shows a production method for separating the two. With this configuration, it is possible to provide an ultra-small optical scanning device that scans in one direction using electrostatic force by applying a voltage to a drive electrode by a mirror portion formed of silicon.
【００４０】またこの製造方法により、ミラ−外周部と
ギャップ形成部の陽極接合が、確実に行われ、ミラ−自
体の重量コントロ−ルが可能になり、信頼性が高く、か
つ量産性のある光走査装置を提供できる。Further, according to this manufacturing method, the anodic bonding between the outer peripheral portion of the mirror and the gap forming portion is reliably performed, the weight control of the mirror itself is enabled, the reliability is high, and mass production is possible. An optical scanning device can be provided.
【図１】本発明の第１の実施例における静電力駆動光走
査装置を示す斜視図FIG. 1 is a perspective view showing an electrostatic drive optical scanning device according to a first embodiment of the present invention.
【図２】本発明の第２の実施例におけるミラ−部および
ミラ−外周部の裏面を示す斜視図FIG. 2 is a perspective view showing a rear surface of a mirror portion and a mirror outer peripheral portion in a second embodiment of the present invention.
【図３】本発明の第３の実施例におけるミラ−部のエッ
チングによる製造方法を示す工程図FIG. 3 is a process diagram showing a manufacturing method by etching a mirror portion in a third embodiment of the present invention.
【図４】本発明の第４の実施例におけるミラ−部のエッ
チングによる製造方法の他の例を示す工程図FIG. 4 is a process chart showing another example of a manufacturing method by etching a mirror portion in a fourth embodiment of the present invention.
【図５】本発明の第５の実施例における駆動電極部の製
作およびミラ−部との接合を示す工程図FIG. 5 is a process chart showing fabrication of a drive electrode portion and bonding to a mirror portion in a fifth embodiment of the present invention.
【図６】本発明の第６の実施例における他の駆動電極部
の製作およびミラ−部との接合を示す工程図FIG. 6 is a process diagram showing the fabrication of another drive electrode portion and the joining with a mirror portion in a sixth embodiment of the present invention.
【図７】本発明の第７の実施例におけるミラ−部と駆動
電極部の組立を示す工程図FIG. 7 is a process diagram showing assembly of a mirror portion and a drive electrode portion in a seventh embodiment of the present invention.
【図８】従来のレ−ザプリンタに用いられるポリゴンミ
ラ−による光走査装置の説明図FIG. 8 is an explanatory view of an optical scanning device using a polygon mirror used in a conventional laser printer.
【図９】従来の光磁気ディスク装置に用いられるトラッ
キング調整用光走査装置の概念斜視図FIG. 9 is a conceptual perspective view of an optical scanning device for tracking adjustment used in a conventional magneto-optical disk device.
【図１０】従来の静電型シリコンねじり振動子の外観図FIG. 10 is an external view of a conventional electrostatic silicon torsional vibrator.
【図１１】従来の静電型シリコンねじり振動子の運動状
態を示した断面図FIG. 11 is a sectional view showing a motion state of a conventional electrostatic silicon torsional vibrator.
１ ミラ−部 ２ 走査用の梁 ３ ミラ−外周部 ４ 駆動電極 ５ 絶縁膜 ６ ギャップ形成部 ７ ガラス基板 ８ 駆動電極外部リ−ド接続部 ９ ミラ−外周部裏面 １０ ミラ−部裏面 １１ ミラ−減肉部 １２ クロム−金コ−ティング部 １３ シリコン基板 １４ ＳｉＯ2 膜 １５ 第１のパタ−ン １６ ミラ−面 １７ 第１段階エッチング １８ 第２のパタ−ン １９ 第２段階エッチング ２０ 第１のパタ−ン ２１ 第１段階エッチング ２２ ＳｉＯ2 膜 ２３ 第２のパタ−ン ２４ 第２段階エッチング ２５ 陽極接合できるガラス基板 ２６ 駆動電極 ２７ 陽極接合できるガラス ２８ ギャップ形成部 ２９ 陽極接合できる絶縁膜 ３０ ミラ−部 ３１ ミラ−外周部 ３２ 陽極接合できるガラス基板 ３３ フォトレジスト ３４ 第１のパタ−ン ３５ 第１のエッチング ３６ ギャップ形成部 ３７ フォトレジスト ３８ 第２のパタ−ン ３９ アルミニウム ４０ フォトレジスト ４１ 駆動電極 ４２ 絶縁膜 ４３ ミラ−外周部 ４４ ミラ−部 ４５ 陽極接合できるガラス基板 ４６ 駆動電極 ４７ 絶縁膜 ４８ ギャップ形成部 ４９ ミラ−外周部 ５０ アルミパタ−ン ５１ ミラ−部 ５２ シリコンウエハ ５３ ＲＩＥ加工部REFERENCE SIGNS LIST 1 mirror portion 2 scanning beam 3 mirror outer peripheral portion 4 drive electrode 5 insulating film 6 gap forming portion 7 glass substrate 8 drive electrode external lead connection portion 9 mirror outer peripheral portion back surface 10 mirror portion rear surface 11 mirror Thinned portion 12 Chromium-gold coating portion 13 Silicon substrate 14 SiO 2 film 15 First pattern 16 Mirror surface 17 First stage etching 18 Second pattern 19 Second stage etching 20 First Pattern 21 First-stage etching 22 SiO 2 film 23 Second pattern 24 Second-stage etching 25 Glass substrate capable of anodic bonding 26 Drive electrode 27 Glass anodic bonding 28 Gap forming part 29 Insulating film anodic bonding 30 mirror -Part 31 mirror outer peripheral part 32 glass substrate capable of anodic bonding 33 photoresist 34 first pattern 35 first etching Reference Signs List 6 gap forming portion 37 photoresist 38 second pattern 39 aluminum 40 photoresist 41 drive electrode 42 insulating film 43 mirror outer peripheral portion 44 mirror portion 45 anodic bonding glass substrate 46 drive electrode 47 insulating film 48 gap forming portion 49 Mirror outer peripheral part 50 Aluminum pattern 51 Mirror part 52 Silicon wafer 53 RIE processing part
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中村 邦彦 神奈川県川崎市多摩区東三田３丁目10番 １号 松下技研株式会社内 (56)参考文献 実開 平３−60311（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G02B 26/10 G02B 26/08──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (72) Kunihiko Nakamura Inventor Matsushita Giken Co., Ltd. 3-1-1, Higashi-Mita, Tama-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa Prefecture 58) Fields surveyed (Int.Cl. 6 , DB name) G02B 26/10 G02B 26/08
Claims (6)
ティングし、半導体レーザ光を反射するミラー面とし、
さらにその裏面にも金属コーティングされているミラー
部と、前記ミラー部と一体で構成され、ミラー部を両側
から支持し、ミラー部が１軸方向に変位できるようにね
じれを生じる走査用の梁と、前記ミラー部と走査用の梁
と一体で形成されガラス基板と接合するためのミラー外
周部と、前記ミラー部を駆動するためにミラー部の下面
に対向する位置に配置された駆動電極と、前記駆動電極
を絶縁するための絶縁膜と、ミラーの中央部を裏面から
支持し、ミラー部と駆動電極間のギャップを決めるギャ
ップ形成部と、前記駆動電極、絶縁膜、ギャップ形成部
を有するガラス基板からなり、前記ミラー外周部とギャ
ップ形成部において陽極接合することにより一体化さ
れ、前記ミラー外周部の裏面の表面粗さが、中心線平均
粗さ（Ｒａ）でＲａ＝０．０６０μｍ以下であり、さら
に、前記ミラー部裏面の金属コーティングの最終表面が
酸化しない金属であることを特徴とする静電力駆動光走
査装置。1. A mirror-finished surface of a silicon substrate is coated with a metal to form a mirror surface for reflecting semiconductor laser light,
Further, a mirror portion also coated with a metal on the back surface, and a scanning beam which is formed integrally with the mirror portion, supports the mirror portion from both sides, and generates a twist so that the mirror portion can be displaced in one axial direction. A mirror outer peripheral portion formed integrally with the mirror portion and the scanning beam for bonding to the glass substrate, and a drive electrode disposed at a position facing a lower surface of the mirror portion to drive the mirror portion, Glass having an insulating film for insulating the drive electrode, a gap forming part for supporting a central part of the mirror from the back surface and determining a gap between the mirror part and the drive electrode, and the drive electrode, the insulating film and the gap forming part consists substrate, said at mirror outer peripheral portion and the gap forming portion are integrated by anodic bonding, the surface roughness of the rear surface of the mirror peripheral portion, the center line average
The roughness (Ra) is Ra = 0.060 μm or less.
Finally, the final surface of the metal coating on the back of the mirror section is
An electrostatic drive optical scanning device characterized by being a metal that does not oxidize .
と薄い部分があるときに、厚肉部と薄肉部の寸法差だけ
を第１段階のエッチングで行い、次の工程で、ミラーの
厚肉部の寸法まで薄肉部を含めてエッチングすることに
より形成した請求項１記載の静電力駆動光走査装置のミ
ラー部の製造方法。2. When the thickness of the mirror portion is not uniform and there is a thick portion and a thin portion, only the dimensional difference between the thick portion and the thin portion is performed in the first stage etching, and the mirror is formed in the next step. 2. The method for manufacturing a mirror portion of an electrostatically driven optical scanning device according to claim 1, wherein the mirror portion is formed by etching including the thin portion up to the size of the thick portion.
と薄い部分があるときに、まず薄肉部のエッチングを行
い、次に薄肉部をマスキングして、その後肉厚部をエッ
チングすることにより形成した請求項１記載の静電力駆
動光走査装置のミラー部の製造方法。3. When the thickness of the mirror portion is not uniform and there is a thick portion and a thin portion, the thin portion is first etched, the thin portion is masked, and then the thick portion is etched. 2. The method for manufacturing a mirror portion of an electrostatic drive optical scanning device according to claim 1, wherein the mirror portion is formed by:
ガラス基板上に陽極接合可能なガラス材料をギャップと
して必要な厚さの膜形成し、その後に前記ガラス材料を
エッチングしてギャップ形成部を作り、次に駆動電極部
が露出しないように再度陽極接合可能なガラス材料を絶
縁膜として形成し、ミラー外周部とギャップ形成部にお
いて陽極接合を行い一体化する請求項１記載の静電力駆
動光走査装置の製造方法。4. A driving electrode is formed on a glass substrate, a film of a required thickness is formed on the glass substrate by using a glass material that can be anodically bonded as a gap, and then the glass material is etched to form a gap. 2. The electrostatic force according to claim 1, wherein a glass material that can be anodic-bonded again is formed as an insulating film so that the drive electrode portion is not exposed, and anodic bonding is performed at the outer peripheral portion of the mirror and the gap forming portion to be integrated. Manufacturing method of driving optical scanning device.
する駆動電極パターンを避けるようにエッチングにより
ギャップ形成部を作り、次に駆動電極パターンをフォト
リソグラフィ、アルミ蒸着によりガラス基板上に形成
し、次にギャップ形成部にレジストパターンを形成し、
その後駆動電極上に絶縁膜を形成し、レジストパターン
を除去して陽極接合可能なガラス基板面を露出させ、ミ
ラー外周部とギャップ形成部において陽極接合を行い一
体化する請求項１記載の静電力駆動光走査装置の製造方
法。5. A gap forming portion is formed by etching so as to avoid a drive electrode pattern to be formed later on a glass substrate capable of being anodically bonded, and then the drive electrode pattern is formed on the glass substrate by photolithography and aluminum evaporation. Then, a resist pattern is formed in the gap forming portion,
2. The electrostatic force according to claim 1, wherein an insulating film is formed on the drive electrode, the resist pattern is removed to expose the surface of the glass substrate capable of anodic bonding, and anodic bonding is performed at the outer peripheral portion of the mirror and the gap forming portion to be integrated. Manufacturing method of driving optical scanning device.
陽極接合を行った後で、ドライエッチングによりミラー
部とミラー外周部、ミラー外周部とさらに外側の不要な
シリコン材料部分を分離加工することを特徴とする請求
項１記載の静電力駆動光走査装置の製造方法。6. The method according to claim 1, wherein after the anodic bonding is performed at the outer peripheral portion of the mirror and the gap forming portion, the mirror portion, the outer peripheral portion of the mirror, and the outer peripheral portion of the mirror and unnecessary silicon material portions further outside are separated by dry etching. The method for manufacturing an electrostatic drive optical scanning device according to claim 1.
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP3060311U (en) * | 1998-09-28 | 1999-08-31 | 東京鋼器株式会社 | Mailing box |
-
1993
- 1993-09-02 JP JP5218329A patent/JP2773604B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0772409A (en) | 1995-03-17 |
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