JP2755223B2 - Via holes forming method and apparatus - Google Patents

Via holes forming method and apparatus

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JP2755223B2
JP2755223B2 JP24133295A JP24133295A JP2755223B2 JP 2755223 B2 JP2755223 B2 JP 2755223B2 JP 24133295 A JP24133295 A JP 24133295A JP 24133295 A JP24133295 A JP 24133295A JP 2755223 B2 JP2755223 B2 JP 2755223B2
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insulating film
via hole
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進午 村上
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日本電気株式会社
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Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【発明の属する技術分野】本発明は、大規模集積回路(LSI)や、液晶ディスプレイ(LCD)等に形成される微細回路パターンを修正するために、その導体線間の絶縁層にバイアホールを形成する方法および装置に関する。 BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention is, and large-scale integrated circuit (LSI), in order to correct a fine circuit pattern to be formed on a liquid crystal display (LCD) or the like, a via hole in the insulating layer between the conductor lines method for forming and apparatus.

【0001】 [0001]

【従来の技術】LSI等の配線を修正するために、その配線パターンを形成した後、バイアホールを形成する方法が、「1989年春季第36回応用物理学関係連合講演会予稿集 2p−L−10」に開示されている。 In order to modify the wiring such as the Related Art LSI, that after the formation of the wiring pattern, a method of forming a via hole, "1989 Spring 36th of Applied Physics and Related Union Lecture Proceedings 2p-L It is disclosed in -10 ". この従来のバイアホール形成方法は、図3Aおよび図3Bを参照すると、絶縁膜21下の導体配線22の表面にレーザ光41を集光照射し、配線22表面でのレーザ光41 The conventional via hole forming method, with reference to FIGS. 3A and 3B, the laser beam 41 is focused and irradiated on the surface of the insulating film 21 under the conductor wire 22, the laser beam 41 on the wire 22 surface
の吸収、配線22表面の局所加熱、蒸散のプロセスを経て、この蒸散時の圧力を利用して配線22上方の絶縁膜21を吹き飛ばすことによって、バイアホール42を形成するものである。 Absorption, local heating of the wire 22 surface, through a process of evaporation, by blowing an insulating film 21 of the upper wiring 22 by utilizing the pressure at the time of evaporation, thereby forming a via hole 42.

【0002】また、絶縁膜に対しある程度吸収される紫外域の波長を有するレーザ光を用い、そのレーザ光を絶縁膜表面に照射することによって、絶縁膜をその表面から徐々に削り取るようにしてバイアホールを形成する方法も考えられている。 [0002] Further, using a laser beam having a wavelength in the ultraviolet range which is somewhat absorbed to an insulating film, by irradiating the laser beam on the surface of the insulating film, the vias so as to scrape off gradually insulating film from the surface thereof a method of forming a hole has also been considered. この場合、加工用のレーザ光としては、Nd:YAGレーザの第四高調波光あるいはKr In this case, the laser light for machining, Nd: fourth harmonic light or Kr of YAG laser
Fエキシマレーザ光等の利用が検討されている。 Use such as F excimer laser light has been studied.

【0003】また、LSIやLCDへの適用例とは異なるが、多層構造のプリント配線基板のバイアホールをレーザ光により形成する際に、絶縁膜のポリマー層に染料を混入させてレーザ光の吸収を促進させる方法が、特開平1−206698号公報に開示されている。 [0003] is different from the example of application to LSI and LCD, a via hole of a printed wiring board having a multilayer structure when formed by the laser beam, absorption by mixing the dye laser beam to the polymer layer of the insulating film method for promoting is disclosed in JP-a-1-206698.

【0004】 [0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、レーザ光を導体配線表面に集光照射してバイアホールを形成する方法では、導体配線表面の蒸散による爆発圧力が等方的に作用するため、下降領域がレーザ光の照射スポット周辺にまで大きく広がる。 [SUMMARY OF THE INVENTION However, in the method of forming the via holes by irradiating light collecting a laser beam on the conductor wire surface, since the explosion pressure by evaporation of the conductor wire surface acts isotropically, descending region There spread increased to the irradiation around the spot of the laser beam. この結果、図3Bに示すように、加工形状がすり鉢状の穴となってしまい、加工品質が著しく低下するという問題点がある。 As a result, as shown in FIG. 3B, machining shape becomes a bowl-shaped hole, there is a problem that processing quality is remarkably lowered. 近年LSIの配線の多層化が進み、導体配線層が絶縁膜表面に対してより深い位置に存在するようになってきていることから、 Recently progress in multi-layered LSI wiring, since the conductor interconnect layers have come to be present at a position deeper than the insulating film surface,
加工形状がすり鉢状となる傾向が顕著である。 Tendency for machining shape is conical is remarkable. しかも、 In addition,
この穴形状を制御することは非常に困難である。 It is very difficult to control this hole shape.

【0005】また、上述の方法では、絶縁膜の膜厚が厚い場合には、蒸散による爆発圧力を高める必要があり、 [0005] In the above-described method, when the thickness of the insulating film is thick, it is necessary to increase the explosion pressure by evaporation,
そのために、レーザ光の照射強度を高めなければならない。 Therefore, it should enhance the irradiation intensity of the laser beam. しかしながら、レーザ光の照射強度を高めることは、既存の導体配線を消失させてしまうという結果を招きかねず、信頼性上重大な問題を有している。 However, increasing the irradiation intensity of the laser beam, not can lead to results that would abolished existing conductor wiring has a reliability serious problem.

【0006】一方、紫外域のレーザ光を絶縁膜表面に照射することによってバイアホールを形成する方法では、 On the other hand, in the method of forming a via hole by irradiating a laser beam of ultraviolet region in the insulating film surface,
一般に紫外域のレーザ光として実用可能なKrFエキシマレーザ(波長248mm)、Nd:YAGレーザの第四高調波光(波長266mm)の使用を前提とした場合、LSI等で絶縁膜として一般的に用いられるシリコン酸化膜やシリコン窒化膜に対するレーザ光の吸収は十分とは言えず、形状制御性の良い加工を実現することは容易ではない。 Generally practicable as a laser beam in the ultraviolet range of the KrF excimer laser (wavelength 248mm), Nd: When assuming the use of the fourth harmonic beam of a YAG laser (wavelength 266 mm), commonly used as an insulating film in LSI, etc. absorption of the laser light to the silicon oxide film or a silicon nitride film is not sufficient, it is not easy to realize a machining shapes controllability.

【0007】また、多層配線プリント基板に適用されている絶縁膜に染料を混入し、その部分にレーザ光を照射することによってバイアホールを形成する方法をLSI Further, LSI a method of forming a via hole by a dye mixed into the insulating film being applied to a multilayer wiring printed circuit board is irradiated with a laser beam that portion
やLCD等の加工に適用する場合も加工信頼性の面で重大な問題がある。 When applied to processing or LCD or the like are also a serious problem in terms of processability reliability.

【0008】すなわち、LSIでは、その集積度を向上させるために配線の多層化が進み、結果として、製造プロセス過程が複雑化しているために、導体配線間の絶縁膜を薄くする傾向にある。 [0008] That is, in the LSI, the multilayer of wiring advances in order to improve the degree of integration, as a result, for the manufacturing process step is complicated, there is a tendency to thin the insulating film between conductor wirings. そして、この薄くなった絶縁膜を用いた場合であっても、十分な絶縁性を持たせるために、様々な工夫が払われている。 Then, even when using the thinned insulating layer, in order to provide sufficient insulation, it has been paid a variety of ideas. このような状況下で、絶縁膜に異物(染料)を混入させることは、信頼性上大いに問題である。 Under these circumstances, it is mixed with foreign matter (dye) on the insulating film, a reliability greatly problem.

【0009】さらに、この方法を適用するためには、L [0009] In addition, in order to apply this method, L
SIの絶縁膜形成プロセス中に染料を混入するための工程を含める必要があるなど、プロセス全体を変更する必要があり、前述の信頼性の問題を考慮すると、この方法は極めて現実性に乏しいと言わざるを得ない。 During SI insulating film forming process, such as is necessary to include a process for incorporating a dye, it is necessary to change the overall process, considering the reliability of the problems set forth above, this method has poor very realistic I have to say.

【0010】 [0010]

【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するために、本発明のバイアホール形成方法および装置は、導体配線上に絶縁膜が被覆された試料に対して第1のレーザ光を照射して、絶縁膜を除去することによってバイアホールを形成するものであり、特に、絶縁膜表面に、第1のレーザ光を吸収する薄膜を形成し、形成された薄膜に対して第1のレーザ光を照射することによって、その薄膜下部の絶縁膜を除去するものである。 In order to solve the above problems SUMMARY OF THE INVENTION The via hole forming method and apparatus of the present invention, irradiating the first laser beam to the sample in which an insulating film is coated on the conductor wire to, is intended to form a via hole by removing the insulating film, in particular, on the surface of the insulating film, a thin film that absorbs a first laser beam to form the first laser with respect to the formed thin film by irradiating light, and removing the thin lower insulating film.

【0011】さらに、本発明は、絶縁膜表面に、第1のレーザ光の吸収層となる薄膜を形成する方法として、レーザCVD技術を用いるものである。 Furthermore, the present invention is a surface of the insulating film, as a method for forming a thin film made of the absorption layer of the first laser beam, is to use a laser CVD techniques.

【0012】さらに、本発明は、導体配線上の絶縁膜の厚さが大きい場合には、前述の薄膜の形成工程およびその薄膜下部の絶縁膜を除去する工程を複数回繰り返すものである。 Furthermore, the present invention, when the thickness of the insulating film on the conductor wiring is large, in which repeated a plurality of times a step of removing the insulating film forming step and the thin bottom of the thin film described above.

【0013】 [0013]

【発明の実施の形態】次に、本発明のバイアホール形成方法および装置の第1の実施形態について図面を参照して詳細に説明する。 DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Next, a first embodiment of the via hole forming method and apparatus of the present invention with reference to the accompanying drawings.

【0014】本実施形態は、導体配線を覆う絶縁膜表面にバイアホール形成用レーザ光の吸収層を設け、この吸収層による加熱作用を利用して絶縁膜を除去することによって、バイアホールを形成するものである。 [0014] The present embodiment is provided with an absorption layer of the via hole forming laser beam to the surface of the insulating film covering the conductor wire, by removing the insulating film by using a heating effect of this absorption layer, forming a via hole it is intended to.

【0015】図1は、本実施例の装置構成を示す模式図である。 [0015] Figure 1 is a schematic diagram showing an apparatus configuration of the present embodiment. リザーバ1内には、レーザCVD用原料、例えば、クロムカルボニル(Cr(CO)6)粉末が蓄積されている。 Within the reservoir 1, a raw material for laser CVD, for example, chromium carbonyl (Cr (CO) 6) powder is accumulated. このクロムカルボニル粉末は、リザーバ1内で加熱されることにより昇華する。 Chromium carbonyl powder is sublimated by being heated in the reservoir 1. 昇華して得られたクロムカルボニルガスは、アルゴン(Ar)ガス等の希ガスをキャリアとして、これと混合されてチェンバ2内に供給される。 Chromium carbonyl gas obtained by sublimation, a rare gas such as argon (Ar) gas as a carrier, is mixed with this fed into chamber 2. キャリアガスは、マスフローコントローラ(図示せず)を利用することによって、その流量が制御されている。 Carrier gas, by utilizing a mass flow controller (not shown), the flow rate is controlled.

【0016】チェンバ2内では、試料3が、ヒータ4上に配置されている。 [0016] In chamber within 2 the sample 3 is disposed on the heater 4. ヒータ4は、試料3の温度と供給されるCVD原料ガスの温度とのバランスをとるために試料3を加熱するものである。 The heater 4 is for heating the sample 3 to balance the temperature of the CVD source gas supplied to the temperature of the sample 3. また、ヒータ4は、XYステージ5上に載置されている。 The heater 4 is placed on the XY stage 5.

【0017】フラッシュランプ励起QスイッチNd:Y [0017] The flash lamp pumped Q-switched Nd: Y
AGレーザ発振器6あるいは連続励起QスイッチNd: AG laser oscillator 6 or a continuous excitation Q-switched Nd:
YAGレーザ発振器7から出射されるレーザ光8あるいは9は、ビームエキスパンダ10でビーム径が拡大された後、スリット機構11を透過し、このスリット機構1 Laser beam 8 or 9 is emitted from the YAG laser oscillator 7, after the beam diameter is expanded by the beam expander 10 is transmitted through the slit mechanism 11, the slit mechanism 1
1の開口イメージを試料3の表面に転写する形で照射される。 1 of the aperture image is illuminated in a manner to be transferred to the surface of the sample 3. スリット機構11の開口サイズを変えることで、 By changing the aperture size of the slitting mechanism 11,
形成すべきバイアホールの径に応じた任意のスポットサイズを有するレーザ光8あるいは9を試料3の表面に照射することができる。 The laser beam 8 or 9 having an arbitrary spot size corresponding to the diameter of the via hole to be formed can be irradiated to the surface of the sample 3.

【0018】そして、レーザ発振器7から出射される連続励起QスイッチNd:YAGレーザの第四高調波光(以下、FH光とする)9を、チェンバ2内に配置される試料3の表面に照射することによって、その試料3の表面にクロム薄膜を形成することができる。 [0018] Then, continuous excitation emitted from the laser oscillator 7 Q switched Nd: fourth harmonic light of YAG laser (hereinafter referred to as FH light) 9 is irradiated onto the surface of the sample 3 is arranged in a chamber within 2 by, it is possible to form a chromium thin film on the surface of the sample 3. すなわち、 That is,
レーザCVD法を利用して、試料3の表面にクロム薄膜を形成する。 By utilizing laser CVD method to form a chromium thin film on the surface of the sample 3.

【0019】一方、レーザ発振器6から出射されるフラッシュランプ励起QスイッチNd:YAGレーザの第二高調波光(SH光、波長532nm)8を、試料3の表面に形成されたクロム薄膜に照射することによって、試料3にバイアホールを形成することができる。 Meanwhile, the flash lamp pumped Q-switched Nd emitted from the laser oscillator 6: second harmonic light of the YAG laser (SH light, wavelength 532 nm) to 8, irradiating the chromium thin film formed on the surface of the sample 3 Accordingly, it is possible to form the via hole in the sample 3.

【0020】なお、本実施形態のレーザ加工装置には、 [0020] Incidentally, in the laser machining apparatus of this embodiment,
レーザ光の照射位置および加工状態を観察するための観察系、例えば、顕微鏡12、CCDカメラ13およびモニタ14が備えられている。 Observation system for observing the irradiation position and processing conditions of the laser beam, for example, a microscope 12, CCD camera 13 and the monitor 14 are provided.

【0021】次に、本実施形態のバイアホールの形成方法について図2も併せ参照して説明する。 Next, the method of forming the via holes of the present embodiment 2 also together with reference to described.

【0022】本実施形態のバイアホール形成方法は、絶縁膜の表面に薄膜を形成する第1の工程と、その薄膜にレーザ光を照射することによって、バイアホールを形成する第2の工程とを含んでいる。 The via hole forming method of the present embodiment includes a first step of forming a thin film on the surface of the insulating film by irradiating a laser beam to the thin film, and a second step of forming a via hole which comprise. 特に、第1の工程は、 In particular, the first step,
レーザCVDの技術を利用して絶縁膜表面に、バイアホール形成用レーザ光の吸収層となる薄膜を形成するものである。 A surface of the insulating film by using the laser CVD techniques, and forms a thin film to be the absorbing layer of the via hole forming laser beam.

【0023】図2Aを参照すると、バイアホールを形成すべき試料3は、導体配線22の上部に絶縁膜21が被覆されている。 Referring to Figure 2A, the sample 3 for forming the via hole, an upper insulating layer 21 of the conductor wiring 22 are covered. 図2Bに示すように、第1の工程として、クロムカルボニルガスが充満しているチェンバ2内に配置される試料3の表面に、連続励起QスイッチN As shown in Figure 2B, as a first step, the surface of the sample 3 chromium carbonyl gas is disposed in the chamber 2 is filled, continuously pumped Q switch N
d:YAGレーザ発振器7から出射されるFH光9を照射することによって、クロム薄膜23が形成される。 d: by irradiating the FH light 9 emitted from the YAG laser oscillator 7, the chromium thin film 23 is formed. このクロム薄膜23の形成領域は、形成すべきバイアホールの径に応じて設定される。 The formation region of the chromium thin film 23 is set according to the diameter of the via hole to be formed.

【0024】ここで、本実施形態では、FH光9の出力は、Qスイッチ周波数を2kHzとした場合、試料表面上で0.1mW/μm2のオーダーである。 [0024] Here, in the present embodiment, the output of the FH light 9, when a 2kHz the Q-switching frequency of the order of 0.1 mW / .mu.m @ 2 on the sample surface. また、CV In addition, CV
D原料ガスとして、リザーバ1を45℃で保温してクロムカルボニルガスを発生させ(分圧約1Torr)、そのクロムカルボニルガスをArガスで希釈した上で、蒸気圧0.3Torr程度で使用している。 As D material gas, the reservoir 1 is kept at 45 ° C. caused the chromium carbonyl gas (partial pressure of about 1 Torr), the chromium carbonyl gas on diluted with Ar gas, is used in about the vapor pressure 0.3Torr . このような条件のもとで、FH光9を試料3の表面に照射すると、3 Under such conditions, when the FH beam 9 is irradiated on the surface of the sample 3, 3
〜4秒の照射で1000オングストローム程度のクロム薄膜23を形成することが可能である。 It is possible to form a chromium thin film 23 of about 1000 angstroms by irradiation to 4 seconds. また、XYステージ5を駆動させて、試料3をFH光9のスポットに対し相対的に移動させることによって、絶縁膜21の表面に形成される薄膜23を配線状に連ねさせることができる。 Further, by driving the XY stage 5, the sample 3 by relatively moving with respect to the spot of the FH light 9 can give been chosen thin film 23 formed on the surface of the insulating film 21 on the wiring pattern.

【0025】照射時間あるいはレーザ出力の増減により、形成される薄膜の厚さは、所定の範囲内でリニアに可変できる。 [0025] The irradiation time or increase or decrease of the laser output, the thickness of the thin film to be formed can be varied linearly within a predetermined range. したがって、最適な条件を選択することで、バイアホールの形成箇所における絶縁膜の厚みに応じて所望の厚さを有する薄膜を形成することができる。 Thus, by selecting optimum conditions, it is possible to form a thin film having a desired thickness according to the thickness of the insulating film in the area where the via hole.

【0026】次に、図2Cに示すように、第2の工程として、絶縁膜21の表面に形成されたクロム薄膜23 Next, as shown in Figure 2C, the second as a process, the chromium thin film 23 formed on the surface of the insulating film 21
に、レーザ発振器6から出射されるパルス幅4〜5ms The pulse width 4~5ms emitted from the laser oscillator 6
のSH光8を照射することによって、バイアホール24 By irradiating the SH light 8, via holes 24
を形成する。 To form. すなわち、絶縁膜21の表面に形成されたクロム薄膜23は、SH光8の吸収層となっており、この吸収層による加熱作用により、クロム薄膜23の下部の絶縁膜21が除去され、バイアホール24が形成される。 That is, the chromium thin film 23 formed on the surface of the insulating film 21 has a absorbing layer of SH light 8, the heating effect of this absorption layer, a lower insulating film 21 of the thin chromium film 23 is removed, via holes 24 is formed.

【0027】本実施形態では、バイアホール形成用レーザ光(SH光)の吸収層を予め絶縁膜表面に設けているために、レーザ光エネルギーの効率的な利用が可能となり、レーザ光の照射領域にほぼ等しい径を有するバイアホールを形成することができる。 [0027] In this embodiment, in order to provided for the advance surface of the insulating film absorption layer via hole forming laser beam (SH light) enables efficient use of the laser beam energy, the irradiation region of the laser beam it is possible to form a via hole having a diameter almost equal to. さらに、絶縁膜表面に形成される薄膜の形状を制御することにより、バイアホールの形状制御を容易に行うことができる。 Further, by controlling the shape of a thin film formed on the insulating film surface, it is possible to easily shape control of the via hole.

【0028】なお、第1の工程で用いられるレーザ光は、連続発振あるいはkHzオーダーの繰り返しパルス発振レーザであればよく、また、第2の工程で用いられるレーザ光は、尖頭値の高いパルス励起レーザであればよい。 [0028] The laser beam used in the first step may be any repetitive pulsed laser of continuous oscillation or kHz order, also, the laser beam used in the second step, high peak pulse it may be an excitation laser.

【0029】次に、本発明の第2の実施形態について図3を参照して詳細に説明する。 [0029] Next, a second embodiment of the present invention with reference to FIG. 3 will be described in detail.

【0030】本実施形態は、特に、導体配線を被覆している絶縁膜の厚さが大きい場合に適用すると好ましいバイアホールの形成方法である。 [0030] This embodiment is in particular a method for forming a preferred via hole is applied to the case where the thickness of the insulating film covering the conductive wires is large. すなわち、絶縁膜の厚さが大きい場合に、1回のSH光の照射により、バイアホールを形成するのではなく、SH光の吸収層の形成工程と、その吸収層にSH光を照射して絶縁膜を除去する工程とを複数回繰り返して、最終的にバイアホールを形成するというものである。 That is, when a large thickness of the insulating film, by irradiation of a single SH light, instead of forming a via hole, a process of forming the absorbing layer of the SH light is irradiated with SH light to the absorbing layer repeated several times and the step of removing the insulating film, it is that ultimately form the via hole.

【0031】図3は、本実施形態のバイアホール形成方法の形成手順を示す図であり、まず、図3Aに示すように、導体配線22を被覆する絶縁膜21の表面に、FH [0031] FIG. 3 is a diagram showing a procedure of forming the via hole forming method of the present embodiment, first, as shown in FIG. 3A, the surface of the insulating film 21 to cover the conductive wire 22, FH
光9を照射することによってレーザCVD技術を利用して、バイアホール形成用レーザ光(SH光)の吸収層であるクロム薄膜23が形成される。 By utilizing laser CVD technique by irradiating the light 9, the thin chromium film 23 is an absorption layer of the via hole forming laser beam (SH light) is formed. 次に、図3Bに示すように、その薄膜23にSH光8を照射することによって、薄膜23の下部の絶縁膜21が除去される。 Next, as shown in FIG. 3B, by irradiating the SH light 8 on the thin film 23, the lower portion of the insulating film 21 of the thin film 23 is removed. ここで、SH光8の出力レベルが導体配線22を損傷しない程度のレベルに抑えられているために、1回のSH光8 Here, in order to output level of the SH light 8 is suppressed to a level so as not to damage the conductive wires 22, one of the SH light 8
の照射では、前述の第1の実施形態とは異なり、導体配線22まで穴あけされない。 In the irradiation, unlike the first embodiment described above, it is not drilled until the conductor wires 22. そこで、図3Cに示すように、導体配線22上に残存している絶縁膜21の表面に、再度、前述と同様に、FH光9の照射によるレーザCVD技術を利用して、薄膜23が形成される。 Therefore, as shown in FIG. 3C, the surface of the insulating film 21 remaining on the conductor wire 22, again, in the same manner as described above, by using a laser CVD technology by irradiation of FH light 9, the thin film 23 is formed It is. そして、新たに形成された薄膜23に対し、2回目のSH光8の照射を行うことにより、図3Dに示すように、バイアホール24を形成することができる。 Then, with respect to the thin film 23 which is newly formed by performing irradiation of the second SH light 8, as shown in Figure 3D, it is possible to form the via hole 24. ここで、絶縁膜21の表面への薄膜23の形成工程およびその薄膜23 Here, formation of the thin film 23 to the surface of the insulating film 21 process and its thin film 23
にSH光8を照射することによって絶縁膜21を除去する工程は、それぞれ前述の第1の工程および第2の工程に相当するものである。 Step of removing the insulating film 21 by irradiating the SH light 8, are those respectively corresponding to the first and second processes of the aforementioned.

【0032】本実施形態によれば、導体配線を被覆する絶縁膜の厚さが厚い場合であっても、SH光の出力を上げることなく、バイアホールを形成することができるために、導体配線に対しダメージを与えることを防ぐことができる。 According to the present embodiment, even when the thickness of the insulating film covering the conductive wires is large, without increasing the output of the SH light, in order to be able to form the via hole, the conductor wirings it is possible to prevent against damage.

【0033】 [0033]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によるバイアホール形成方法および装置によれば、バイアホール形成用レーザ光の吸収層を、バイアホール形成が必要とされる領域にのみ形成し、その吸収層に対し、バイアホール形成用レーザ光を照射することによって、バイアホールを形成しているために、高品質のバイアホールを形成することができ、結果として、LSIおよびLCDの配線修正あるいは組み替え作業における信頼性を飛躍的に向上させることができる。 As described in the foregoing, according to the via hole forming method and apparatus according to the present invention, the absorption layer of the via hole forming laser beam, formed only in a region where the via hole formation is required, the respect absorbing layer, by irradiating the via hole forming laser beam, in order to form the via hole, it is possible to form a high quality via holes, as a result, LSI and LCD wiring modifications or recombinant it can dramatically improve the reliability in operation.

【0034】さらに、その吸収層をLSIあるいはLC [0034] In addition, the absorption layer LSI or LC
Dの製造プロセスで一般的に用いられているレーザCV Laser CV that is commonly used in D manufacturing process
D技術により形成しているために、製造プロセスを変更する必要もなく、容易に、高品質のバイアホールを形成することができる。 To is formed by D technology, without having to change the manufacturing process, it is possible to easily form a high-quality via holes.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】本発明の一実施形態の構成を示す模式図である。 1 is a schematic diagram showing a configuration of an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の第1の実施形態による加工手順を示す図である。 2 is a diagram illustrating a processing procedure according to the first embodiment of the present invention.

【図3】本発明の第2の実施形態による加工手順を示す図である。 3 is a diagram illustrating a processing procedure according to a second embodiment of the present invention.

【図4】従来のバイアホール形成方法による加工手順を示す図である。 4 is a diagram illustrating a processing procedure of the conventional via hole forming method.

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1 リザーバ 2 チェンバ 3 試料 4 ヒータ 5 XYステージ 6 フラッシュランプ励起QスイッチNd:YAGレーザ発振器 7 連続励起QスイッチNd:YAGレーザ発振器 8 SH光 9 FH光 10 ビームエキスパンダ 11 スリット機構 12 顕微鏡 13 CCDカメラ 14 モニタ 21 絶縁膜 22 導体配線 23 クロム薄膜 24 バイアホール 1 reservoir 2 chamber 3 Sample 4 heater 5 XY stage 6 flash lamp pumped Q-switched Nd: YAG laser oscillator 7 consecutive excitation Q-switched Nd: YAG laser oscillator 8 SH light 9 FH light 10 beam expander 11 slit mechanism 12 microscope 13 CCD camera 14 monitor 21 insulating film 22 the conductor wiring 23 chromium thin film 24 via holes

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl. 6 ,DB名) H01L 21/28 - 21/288 H01L 21/3205 H01L 21/3213 H01L 21/44 - 21/445 H01L 21/768 H01L 29/40 - 29/51 ────────────────────────────────────────────────── ─── of the front page continued (58) investigated the field (Int.Cl. 6, DB name) H01L 21/28 - 21/288 H01L 21/3205 H01L 21/3213 H01L 21/44 - 21/445 H01L 21 / 768 H01L 29/40 - 29/51

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】 (57) [the claims]
  1. 【請求項1】 導体配線上に絶縁膜が被覆された試料に対して第1のレーザ光を照射して、前記絶縁膜を除去することによってバイアホールを形成する方法であって、 We claim: 1. insulating film on the conductor wiring is irradiated with the first laser beam to the coated sample, a method for forming a via hole by removing the insulating film,
    前記絶縁膜表面に、前記第1のレーザ光を吸収する薄膜を形成する第1の工程と、 前記薄膜に対して前記第1のレーザ光を照射することによって、その薄膜下部の前記絶縁膜を除去する第2の工程とを含み、 前記第1の工程は、化合物気体雰囲気中に配置される前 The surface of the insulating film, a first step of forming a thin film absorbing the first laser beam, by irradiating the first laser beam to the thin film, the insulating film of the thin film lower and a second step of removing said first step, before being placed in a compound gaseous atmosphere
    記試料の絶縁膜表面に第2のレーザ光を照射することに To irradiate the second laser beam on the surface of the insulating film of the serial sample
    よって、その第2のレーザ光が照射された領域に、前記 Therefore, in a region where the second laser beam is irradiated, the
    化合物気体分子の分解反応により局所的に前記薄膜を形 Form locally the thin film by the decomposition reaction of the compound gas molecules
    成することを特徴とするバイアホール形成方法。 Via hole forming method which is characterized in that formed.
  2. 【請求項2】 前記第2の工程の後、前記導体配線の上 Wherein after said second step, on the conductor wirings
    部に前記絶縁膜が残存している場合には、前記第1の工 When said insulating film is left in the parts, the first Engineering
    程及び前記第2の工程を少なくとも1回以上繰り返し実 Degree and the second step at least one time repeating real
    行することを特徴とする請求項1記載のバイアホール形成方法。 Via hole forming method according to claim 1, wherein the rows.
  3. 【請求項3】 導体配線上に絶縁膜が被覆された試料に To 3. A sample insulating film on the conductor wire is coated
    対して第1のレーザ光を照射して、前記絶縁膜を除去す By irradiating a first laser beam for, to remove the insulating film
    ることによってバイアホールを形成する装置であって、 前記絶縁膜表面に、前記第1のレーザ光を吸収する薄膜 An apparatus for forming a via hole by Rukoto, thin film on the insulating film surface, absorbing the first laser beam
    を形成する第1の手段と、 前記薄膜に対して前記第1のレーザ光を照射することに First means for forming a to irradiate the first laser beam to the thin film
    よって、その薄膜下部の前記絶縁膜を除去する第2の手 Therefore, the second hand removing the insulation film of the thin film lower
    段とを備え、 前記第2の手段は、化合物気体雰囲気中に配置される前 And a stage, said second means, before being placed in a compound gaseous atmosphere
    記試料の絶縁膜表面に第2のレーザ光を照射することに To irradiate the second laser beam on the surface of the insulating film of the serial sample
    よって、その第2のレーザ光が照射された領域に、前記 Therefore, in a region where the second laser beam is irradiated, the
    化合物気体分子の分解反応により局所的に前記薄膜を形 Form locally the thin film by the decomposition reaction of the compound gas molecules
    成するレーザCVD装置であることを特徴とするバイア Vias, which is a laser CVD apparatus for forming
    ホール形成装置。 Hole forming apparatus.
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