JP2739158B2 - The liquid crystal display device - Google Patents

The liquid crystal display device

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【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は液晶表示装置の構造に関する。 BACKGROUND OF THE INVENTION [FIELD OF THE INVENTION The present invention relates to a structure of a liquid crystal display device. 〔従来の技術〕 従来のアクティブマトリクスパネルの構造は、「日経エレクトロニクス 1984年9月10日号 No.351 p.211〜 The structure of the [prior art] conventional active matrix panel, "Nikkei Electronics, 1984 September 10 issue No.351 p.211~
240」に示されるようなものであった。 It was as shown in 240 ". 第2図は、アクティブマトリクスパネルの断面図の例である。 Figure 2 is an example of a cross-sectional view of an active matrix panel. 201及び2 201 and 2
02は絶縁基板、203は半導体層、204及び207は絶縁層、2 02 denotes an insulating substrate, 203 a semiconductor layer, 204 and 207 insulating layers, 2
05はゲート電極で走査線につながっている。 05 is connected to the scanning lines gate electrode. 208はデータ線、209は画素電極、210は共通電極である。 208 data lines, 209 pixel electrodes, is 210, which is a common electrode. 211は液晶であり、共通電極210との間の電界で駆動される。 211 is a liquid crystal is driven by an electric field between the common electrode 210. 〔発明が解決しようとする問題点〕 しかし前述の従来技術では以下に述べるような問題点を生じる。 In [the invention is a problem to be solved] However the above prior art results in the following problems. すなわち、液晶の容量が小さいため液晶に加わる電圧が十分に保持されず、大きなコントラスト比が得られないという問題点がある。 That is, without voltage applied to the liquid crystal for the capacity of the liquid crystal is small are sufficiently retained, there is a problem that a large contrast ratio can not be obtained. 本発明はこうした問題を解決するものであり、その目的とするところは、液晶の容量と並列に十分大きな容量を付加し、コントラスト比の大きなアクティブマトリクスパネルを実現するところにある。 The present invention has been made to solve these problems, it is an object to add a sufficiently large capacitance in parallel with the capacitance of the liquid crystal, there is to be realized large active matrix panel contrast ratio. 〔問題点を解決するための手段〕 本発明は、一対の基板間に液晶が封入され、該基板の一方の基板上にマトリクス状に配列された画素電極と該画素電極に接続されてなる薄膜トランジスタを有してなるアクティブマトリクスパネルにおいて、該薄膜トランジスタのソース・ドレイン領域は半導体層からなり、該薄膜トランジスタの該半導体層の一部を延長して形成されてなる第1電極と、該第1電極上に該第1電極の熱酸化により形成されてなる第1絶縁膜と、該第1絶縁膜を介して該第1電極と重なるように形成されてなる第2電極と、該第2電極上に形成されてなる第2絶縁膜とを具備し、該画素電極は該第2絶縁膜を介して該第2電極に重なるように形成されてなり、該第1電極と該画素電極とは電気的に接続されてなることを特徴と The present invention [Means for Solving the problems], the liquid crystal is sealed between a pair of substrates, a thin film transistor which are connected to one pixel electrode and the pixel electrodes arranged in a matrix form on a substrate of the substrate in the active matrix panel comprising a source and drain regions of the thin film transistor comprises a semiconductor layer, a first electrode formed by formed by extending a portion of the semiconductor layer of the thin film transistor, the first electrode on the in a first insulating film formed by formed by thermal oxidation of the first electrode, a second electrode are formed so as to overlap with the first electrode via the first insulating film, on the second electrode It is formed and a second insulating film made, the pixel electrode is made is formed to overlap the second electrode via the second insulating film, electrically the first electrode and the pixel electrode and characterized by being connected to the する。 To. また、 Also,
本発明は、一対の基板間に液晶が封入され、該基板の一方の基板上には、マトリクス状に配列された画素電極と該画素電極に接続されてなる薄膜トランジスタを有してなるアクティブマトリクスパネルにおいて、該薄膜トランジスタのソース・ドレイン領域は半導体層からなり、 The present invention relates to a liquid crystal is sealed between a pair of substrates, the substrate one of the substrate, an active matrix panel comprising a thin film transistor formed by connecting the pixel electrode and the pixel electrodes arranged in a matrix in the source-drain regions of the thin film transistor comprises a semiconductor layer,
該薄膜トランジスタの該半導体層の一部を延長して形成されてなる第1電極と、該第1電極上に該第1電極の熱酸化により形成されてなる第1絶縁膜と、該第1絶縁膜を介して該第1電極と重なるように形成されたITOからなる第2電極と、該第2電極上に形成されてなる第2絶縁膜とを具備し、該画素電極は該第2絶縁膜を介して該第2電極に重なるように形成されてなり、該第1電極と該画素電極とは電気的に接続されてなることを特徴とする。 A first electrode formed by formed by extending a portion of the semiconductor layer of the thin film transistor, a first insulating film formed by formed by thermal oxidation of the first electrode on the first electrode, the first insulating comprising a second electrode made of formed ITO so as to overlap with the first electrode through the film and a second insulating film formed by formed on the second electrode, the pixel electrode is said second insulating it is formed so as to overlap with the second electrode through the film, the first electrode and the pixel electrode, characterized by comprising electrically connected. 〔作用〕 本発明の上記の構成によれば、液晶の容量と並列に、 According to the configuration of the [Function] The present invention, in parallel with the capacitance of the liquid crystal,
第1の電極と第2の電極との重なりによって生じる容量及び第2の電極と画素電極との重なりによって生じる容量が付加されるため、液晶に加わる電圧が十分に保持され、コントラスト比の大きなアクティブマトリクスパネルが実現できる。 The capacitance caused by an overlap between the first electrode and the capacitor and the second electrode and the pixel electrode caused by the overlap of the second electrode is added, a voltage applied to the liquid crystal is sufficiently retained, large active contrast ratio matrix panel can be realized. 〔実施例〕 第1図は、本発明のアクティブマトリクスパネルの断面図の一例である。 EXAMPLES Figure 1 is an example of a cross-sectional view of an active matrix panel of the present invention. 以下、行程を追いながら詳細に説明する。 It will be described in detail while following a stroke. まず、絶縁基板101上にポリシリコンを1000Å程度の厚さにデポジットし、パターニングを行なって、半導体層103を形成する。 First, polysilicon on the insulating substrate 101 is deposited to a thickness of about 1000 Å, by performing patterning to form the semiconductor layer 103. 次に、半導体層103を熱酸化して絶縁層104を形成する。 Next, the semiconductor layer 103 to form the insulating layer 104 by thermal oxidation. それから、ポリシリコンをデポジットし、リンを拡散したあとパターニングを行なって、ゲート電極105を形成する。 Then, polysilicon is deposited, by performing after patterning by diffusing phosphorus, to form the gate electrode 105. そして、リンをイオン打ち込みし、半導体層103にソース領域及びドレイン領域を形成する。 Then, phosphorus is ion-implanted to form a source region and a drain region in the semiconductor layer 103. さらに、ITOをスパッタで蒸着し、パターニングを行なって中間電極106を形成する。 Further, ITO was deposited by sputtering, to form the intermediate electrode 106 by performing patterning. 次に、NSGを全面にデポジットして絶縁層107を形成し、コンタクトホールを開口した後、ITOをスパッタで蒸着し、パターニングをおこなってデータ線108及び画素電極109を形成する。 Next, deposit to form an insulating layer 107 on the entire surface of the NSG, after a contact hole, an ITO is deposited by sputtering, to form the data lines 108 and the pixel electrode 109 by performing patterning. 一方、絶縁基板102に共通電極110を形成して対向基板とし、これをアクティブマトリクス基板と数μmの空間を介して対面するように固定する。 On the other hand, the counter substrate to form a common electrode 110 on the insulating substrate 102, to fix this so as to face through the active matrix substrate and the number μm spaces. そして、この空間に液晶111を封入してアクティブマトリクスパネルが完成する。 Then, the active matrix panel is completed by sealing liquid crystal 111 in this space. 上述の行程を経てでき上った本アクティブマトリクスパネルは、中間電極106を共通電極110と同電位とすることによって、半導体層103と中間電極106との重なりによって生じる容量及び中間電極106と画素電極109との重なりによって生じる容量が、画素容量として付加される。 The present active matrix panel up can through the process described above, by the intermediate electrode 106 and the common electrode 110 at the same potential, the capacitance and the intermediate electrode 106 and the pixel electrode caused by the overlap between the semiconductor layer 103 and the intermediate electrode 106 capacitance caused by the overlap of the 109, is added as the pixel capacitor.
その結果、画素容量は飛躍的に増大する。 As a result, the pixel capacity is drastically increased. 〔発明の効果〕 以上述べたように、本発明のアクティブマトリクスパネルは、大きな画素容量を有するため、液晶自身のリーク及びTFTのリークによって生じる実効電圧の低下が極めて少なく、大きなコントラスト比が得られる。 As has been explained [Effect of the Invention, the active matrix panel of the present invention has a large pixel capacitor, lowering the effective voltage is extremely small caused by leakage of the liquid crystal itself leak and TFT, a large contrast ratio is obtained . また、 Also,
画素容量が増大した結果、データ線と画素電極との容量結合によって混入するノイズの影響が少なくなり、フリッカーが減少する。 Results pixel capacitor is increased, the influence of noise introduced by the capacitive coupling between the data line and the pixel electrode is reduced, flicker is reduced. このように、本発明はアクティブマトリクスパネルのコントラスト比を増大させ、フリッカーを低減させることによって、その表示性能を向上させるものである。 Thus, the present invention increases the contrast ratio of the active matrix panel, by reducing the flicker, thereby improving the display performance.

【図面の簡単な説明】 第1図は、本発明のアクティブマトリクスパネルの断面図。 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a cross-sectional view of the active matrix panel of the present invention. 第2図は、従来のアクティブマトリクスパネルの断面図。 Figure 2 is a cross-sectional view of a conventional active matrix panel. 103……半導体層104……絶縁層106……中間電極107……絶縁層109……画素電極 103 ...... semiconductor layer 104 ...... insulating layer 106 ...... intermediate electrode 107 ...... insulating layer 109 ...... pixel electrode

Claims (1)

  1. (57)【特許請求の範囲】 1. (57) [the claims] 1. 一対の基板間に液晶が封入され、該基板の一方の基板上には、マトリクス状に配列された画素電極と該画素電極に接続されてなる薄膜トランジスタを有してなるアクティブマトリクスパネルにおいて、該薄膜トランジスタのソース・ドレイン領域は半導体層からなり、該薄膜トランジスタの該半導体層の一部を延長して形成されてなる第1電極と、該第1電極上に該第1電極の熱酸化により形成されてなる第1絶縁膜と、該第1絶縁膜を介して該第1電極と重なるように形成されてなる第2電極と、該第2電極上に形成されてなる第2絶縁膜とを具備し、該画素電極は該第2絶縁膜を介して該第2電極に重なるように形成されてなり、該第1電極と該画素電極とは電気的に接続されてなることを特徴とするアクティブマトリクスパネル。 Liquid crystal is sealed between a pair of substrates, the substrate one of the substrate, the active matrix panel comprising a thin film transistor formed by connecting the pixel electrode and the pixel electrodes arranged in a matrix, the thin film transistor source and drain regions of consists semiconductor layer, is formed a first electrode formed by formed by extending a portion of the semiconductor layer of the thin film transistor, by thermal oxidation of the first electrode on the first electrode comprising a first insulating film made of a second electrode are formed so as to overlap with the first electrode via the first insulating film, a second insulating film formed by formed on the second electrode , active matrix, wherein the pixel electrode is made is formed to overlap the second electrode via the second insulating film, electrically connected to the first electrode and the pixel electrode panel. 2. 2. 一対の基板間に液晶が封入され、該基板の一方の基板上には、マトリクス状に配列された画素電極と該画素電極に接続されてなる薄膜トランジスタを有してなるアクティブマトリクスパネルにおいて、該薄膜トランジスタのソース・ドレイン領域は半導体層からなり、該薄膜トランジスタの該半導体層の一部を延長して形成されてなる第1電極と、該第1電極上に該第1電極の熱酸化により形成されてなる第1絶縁膜と、該第1絶縁膜を介して該第1電極と重なるように形成されたITOからなる第2電極と、該第2電極上に形成されてなる第2絶縁膜とを具備し、該画素電極は該第2絶縁膜を介して該第2電極に重なるように形成されてなり、該第1電極と該画素電極とは電気的に接続されてなることを特徴とするアクティブマトリクスパネル Liquid crystal is sealed between a pair of substrates, the substrate one of the substrate, the active matrix panel comprising a thin film transistor formed by connecting the pixel electrode and the pixel electrodes arranged in a matrix, the thin film transistor source and drain regions of consists semiconductor layer, is formed a first electrode formed by formed by extending a portion of the semiconductor layer of the thin film transistor, by thermal oxidation of the first electrode on the first electrode a first insulating film made of a second electrode made of formed ITO so as to overlap with the first electrode via the first insulating film, a second insulating film formed by formed on the second electrode provided, the pixel electrodes will be formed so as to overlap with the second electrode via the second insulating film, the first electrode and the pixel electrode, characterized by comprising electrically connected active matrix panel
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