JP2723056B2 - データ変換装置 - Google Patents
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- ram
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- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 31
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 26
- 238000003491 array Methods 0.000 claims description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 2
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/14—Digital output to display device ; Cooperation and interconnection of the display device with other functional units
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T3/00—Geometric image transformations in the plane of the image
- G06T3/60—Rotation of whole images or parts thereof
- G06T3/606—Rotation of whole images or parts thereof by memory addressing or mapping
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はデータ変換装置に関し、
特に画像データの回転処理に用いるデータ変換装置に関
する。
特に画像データの回転処理に用いるデータ変換装置に関
する。
【0002】
【従来の技術】従来の画像データの回転処理技術を、例
えば図7〜図9に示す。図7は従来のn(n≧2の整
数)ビット×nビットの画像データ回転処理に用いるデ
ータ変換装置を示し、図8は図7における○印字部分の
RAMセル(Random Access Memor
y)の詳細な回路図を示し、図9は図7における無印の
RAMセルの詳細な回路図を示す。
えば図7〜図9に示す。図7は従来のn(n≧2の整
数)ビット×nビットの画像データ回転処理に用いるデ
ータ変換装置を示し、図8は図7における○印字部分の
RAMセル(Random Access Memor
y)の詳細な回路図を示し、図9は図7における無印の
RAMセルの詳細な回路図を示す。
【0003】このような従来のデータ変換装置では、デ
ータの書込みは、アドレス選択デコーダ403により、
例えばアドレス線401_nが“H”になると、RAM
セル400_n0〜400_nnのアドレス線401が
“H”になり、402_1i〜402_niのデータが
データ線405および406によりRAMセル400_
n0〜400_nnにそれぞれ書き込まれる。このと
き、RAMセル400_n0のアドレス線401と40
2とが接続されているので、RAMセル400_n0〜
400_nnのアドレス線402が“H”になる。しか
し、データ線403および404はプリチャージ信号4
10によりプリチャージされているので、RAMセル4
00_00〜400_n0のデータは壊れることなくそ
のまま保持される。
ータの書込みは、アドレス選択デコーダ403により、
例えばアドレス線401_nが“H”になると、RAM
セル400_n0〜400_nnのアドレス線401が
“H”になり、402_1i〜402_niのデータが
データ線405および406によりRAMセル400_
n0〜400_nnにそれぞれ書き込まれる。このと
き、RAMセル400_n0のアドレス線401と40
2とが接続されているので、RAMセル400_n0〜
400_nnのアドレス線402が“H”になる。しか
し、データ線403および404はプリチャージ信号4
10によりプリチャージされているので、RAMセル4
00_00〜400_n0のデータは壊れることなくそ
のまま保持される。
【0004】データの読出しは、データ書込みの場合と
同様に、アドレス選択デコーダ403により、例えばア
ドレス線401_nが“H”になると、RAMセル40
0_n0〜400_nnのうちの選択されたアドレス線
401が“H”になり、またRAMセル400_00〜
400_n0のアドレス線402が“H”になる。この
とき、RAMセル400_n0〜400_nnのデータ
はデータ線405および406に読み出され、またRA
Mセル400_00〜400_n0のデータはデータ線
403および404に読み出される。
同様に、アドレス選択デコーダ403により、例えばア
ドレス線401_nが“H”になると、RAMセル40
0_n0〜400_nnのうちの選択されたアドレス線
401が“H”になり、またRAMセル400_00〜
400_n0のアドレス線402が“H”になる。この
とき、RAMセル400_n0〜400_nnのデータ
はデータ線405および406に読み出され、またRA
Mセル400_00〜400_n0のデータはデータ線
403および404に読み出される。
【0005】そして、回転信号411が“H”のときは
データ線403および404のデータが、“L”のとき
はデータ線405および406のデータが402_1o
〜402_noに出力されることにより、通常のRAM
としての機能と画像データ回転処理を行うデータ変換装
置(いわゆる回転RAM)としての機能とが実現されて
いた。
データ線403および404のデータが、“L”のとき
はデータ線405および406のデータが402_1o
〜402_noに出力されることにより、通常のRAM
としての機能と画像データ回転処理を行うデータ変換装
置(いわゆる回転RAM)としての機能とが実現されて
いた。
【0006】また、特開平4−33178号公報には、
ワークメモリの画素情報を画素単位で90度単位の任意
の角度で回転させるときに、CPUが画像情報をK画素
×L列の画素情報群に分割し、各画素情報群の各列の画
素情報をCPUのI/Oアドレス空間に各々割り付けら
れたL個のKビットの画像情報ラッチ回路に順次出力
し、L個のKビットの画像情報ラッチ回路の出力の同一
ビットが入力に接続されCPUのI/Oアドレス空間に
割り付けられたK個のLビットの回転ゲート回路から順
次読み出した後に画像情報を分割した画像情報群を一要
素として90度単位の所定の角度で回転したブロックに
書き込むようにした画像情報処理方式が開示されてい
る。
ワークメモリの画素情報を画素単位で90度単位の任意
の角度で回転させるときに、CPUが画像情報をK画素
×L列の画素情報群に分割し、各画素情報群の各列の画
素情報をCPUのI/Oアドレス空間に各々割り付けら
れたL個のKビットの画像情報ラッチ回路に順次出力
し、L個のKビットの画像情報ラッチ回路の出力の同一
ビットが入力に接続されCPUのI/Oアドレス空間に
割り付けられたK個のLビットの回転ゲート回路から順
次読み出した後に画像情報を分割した画像情報群を一要
素として90度単位の所定の角度で回転したブロックに
書き込むようにした画像情報処理方式が開示されてい
る。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のデータ
変換装置では、特殊な8トランジスタのRAMセルを使
用し2系統のアドレス線およびデータ線を必要としてい
たので、回路規模が大きくなるという問題点があった。
また、2系統のアドレス線およびデータ線を使用するた
め、配線長が長くなりクリティカルディレイが大きくな
るという問題点があった。
変換装置では、特殊な8トランジスタのRAMセルを使
用し2系統のアドレス線およびデータ線を必要としてい
たので、回路規模が大きくなるという問題点があった。
また、2系統のアドレス線およびデータ線を使用するた
め、配線長が長くなりクリティカルディレイが大きくな
るという問題点があった。
【0008】一方、特開平4−33178号公報に開示
された画像情報処理方式では、画像情報ラッチ回路と回
転ゲート回路という画像データ回転処理のための回路を
必要とするので、回路規模が大きくなるという問題点が
ある。
された画像情報処理方式では、画像情報ラッチ回路と回
転ゲート回路という画像データ回転処理のための回路を
必要とするので、回路規模が大きくなるという問題点が
ある。
【0009】本発明の目的は、上述の点に鑑み、画像デ
ータ回転処理に2系統のアドレス線およびデータ線を必
要としない通常のRAMセルからなるRAMセルアレイ
を使用するとともに読出し/書込み(R/W)バッファ
に特殊な論理を使用することで、回路規模が小さくてす
むとともにクリティカルディレイも小さくできるように
したデータ変換装置を提供することにある。
ータ回転処理に2系統のアドレス線およびデータ線を必
要としない通常のRAMセルからなるRAMセルアレイ
を使用するとともに読出し/書込み(R/W)バッファ
に特殊な論理を使用することで、回路規模が小さくてす
むとともにクリティカルディレイも小さくできるように
したデータ変換装置を提供することにある。
【0010】
【0011】
【0012】
【課題を解決するための手段】 本発明のデータ変換装置
は、幅n(ビット)×高さn(ビット)の正方形のq
(q≧2の整数)個の画像データWDijp (i=1〜n
(行方向)、j=1〜n(列方向)、p=1〜q(個
数))を、+90度回転したq個の画像データRDlmp
(l=1〜n(行方向)、m=1〜n(列方向)、p=
1〜q(個数))に変換する画像データ回転処理を行う
データ変換装置において、n2 個のRAMセルからなる
RAMセルアレイのq個の集合であるRAMセルマトリ
クスと、このRAMセルマトリクスから1つのRAMセ
ルアレイを選択するRAMセルアレイ選択手段と、nビ
ットの画像データWDijp (i=1〜n)を前記RAM
セルアレイ選択手段により選択されたp番目の前記RA
Mセルアレイの{(i−1)n+j}番地(i=1〜
n)のRAMセルに一括して書き込むデータ書込み手段
と、nビットの画像データRDlmp (l=1〜n)を前
記RAMセルアレイ選択手段により選択されたp番目の
前記RAMセルアレイの{n(n−m)+l}番地(l
=1〜n)のRAMセルから一括して読み出すデータ読
出し手段とを有する。
は、幅n(ビット)×高さn(ビット)の正方形のq
(q≧2の整数)個の画像データWDijp (i=1〜n
(行方向)、j=1〜n(列方向)、p=1〜q(個
数))を、+90度回転したq個の画像データRDlmp
(l=1〜n(行方向)、m=1〜n(列方向)、p=
1〜q(個数))に変換する画像データ回転処理を行う
データ変換装置において、n2 個のRAMセルからなる
RAMセルアレイのq個の集合であるRAMセルマトリ
クスと、このRAMセルマトリクスから1つのRAMセ
ルアレイを選択するRAMセルアレイ選択手段と、nビ
ットの画像データWDijp (i=1〜n)を前記RAM
セルアレイ選択手段により選択されたp番目の前記RA
Mセルアレイの{(i−1)n+j}番地(i=1〜
n)のRAMセルに一括して書き込むデータ書込み手段
と、nビットの画像データRDlmp (l=1〜n)を前
記RAMセルアレイ選択手段により選択されたp番目の
前記RAMセルアレイの{n(n−m)+l}番地(l
=1〜n)のRAMセルから一括して読み出すデータ読
出し手段とを有する。
【0013】また、本発明のデータ変換装置は、幅n
(ビット)×高さn(ビット)の正方形のq(q≧2の
整数)個の画像データWDijp (i=1〜n(行方
向)、j=1〜n(列方向)、p=1〜q(個数))
を、−90度回転したq個の画像データRDlmp (l=
1〜n(行方向)、m=1〜n(列方向)、p=1〜q
(個数))に変換する画像データ回転処理を行うデータ
変換装置において、n2 個のRAMセルからなるRAM
セルアレイのq個の集合であるRAMセルマトリクス
と、このRAMセルマトリクスから1つのRAMセルア
レイを選択するRAMセルアレイ選択手段と、nビット
の画像データWDijp (i=1〜n)を前記RAMセル
アレイ選択手段により選択されたp番目の前記RAMセ
ルアレイの{in−j+1}番地(i=1〜n)のRA
Mセルに一括して書き込むデータ書込み手段と、nビッ
トの画像データRDlmp (l=1〜n)を前記RAMセ
ルアレイ選択手段により選択されたp番目の前記RAM
セルアレイの{n(m−1)+l}番地(l=1〜n)
のRAMセルから一括して読み出すデータ読出し手段と
を有する。
(ビット)×高さn(ビット)の正方形のq(q≧2の
整数)個の画像データWDijp (i=1〜n(行方
向)、j=1〜n(列方向)、p=1〜q(個数))
を、−90度回転したq個の画像データRDlmp (l=
1〜n(行方向)、m=1〜n(列方向)、p=1〜q
(個数))に変換する画像データ回転処理を行うデータ
変換装置において、n2 個のRAMセルからなるRAM
セルアレイのq個の集合であるRAMセルマトリクス
と、このRAMセルマトリクスから1つのRAMセルア
レイを選択するRAMセルアレイ選択手段と、nビット
の画像データWDijp (i=1〜n)を前記RAMセル
アレイ選択手段により選択されたp番目の前記RAMセ
ルアレイの{in−j+1}番地(i=1〜n)のRA
Mセルに一括して書き込むデータ書込み手段と、nビッ
トの画像データRDlmp (l=1〜n)を前記RAMセ
ルアレイ選択手段により選択されたp番目の前記RAM
セルアレイの{n(m−1)+l}番地(l=1〜n)
のRAMセルから一括して読み出すデータ読出し手段と
を有する。
【0014】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して詳細に
説明する。
説明する。
【0015】図1は、本発明の第1実施例に係るデータ
変換装置の構成を示す回路図である。本実施例のデータ
変換装置は、nビットのデータバス101と、データバ
ス101に接続されたn本の1ビットのデータ線111
〜11nと、各データ線111〜11nのn本の分岐線
にそれぞれ設けられたトランスファーゲート1211〜
121n,1221〜122n,…,12n1〜12n
nと、トランスファーゲート1211〜121n,12
21〜122n,…,12n1〜12nnを選択的に開
閉するセレクト信号線131〜13nと、セレクト信号
線131〜13nが導出されたY方向セレクタ103
と、n2 個のRAMセル100_1〜100_n2 から
なるRAMセルアレイ200と、RAMセルアレイ20
0の各RAMセル100_1〜100_n2 に接続され
たn本の1ビットのデータ線161〜16nのn本の分
岐線にそれぞれ設けられたトランスファーゲート141
1〜141n,1421〜142n,…,14n1〜1
4nnと、トランスファーゲート1411〜141n,
1421〜142n,…,14n1〜14nnを選択的
に開閉するセレクト信号線151〜15nと、セレクト
信号線151〜15nが導出されたY方向セレクタ10
4と、n本の1ビットのデータ線161〜16nが接続
されたセンスアンプ102と、センスアンプ102から
導出されてデータバス101に接続されたn本の1ビッ
トのデータ線171〜17nとから構成されている。
変換装置の構成を示す回路図である。本実施例のデータ
変換装置は、nビットのデータバス101と、データバ
ス101に接続されたn本の1ビットのデータ線111
〜11nと、各データ線111〜11nのn本の分岐線
にそれぞれ設けられたトランスファーゲート1211〜
121n,1221〜122n,…,12n1〜12n
nと、トランスファーゲート1211〜121n,12
21〜122n,…,12n1〜12nnを選択的に開
閉するセレクト信号線131〜13nと、セレクト信号
線131〜13nが導出されたY方向セレクタ103
と、n2 個のRAMセル100_1〜100_n2 から
なるRAMセルアレイ200と、RAMセルアレイ20
0の各RAMセル100_1〜100_n2 に接続され
たn本の1ビットのデータ線161〜16nのn本の分
岐線にそれぞれ設けられたトランスファーゲート141
1〜141n,1421〜142n,…,14n1〜1
4nnと、トランスファーゲート1411〜141n,
1421〜142n,…,14n1〜14nnを選択的
に開閉するセレクト信号線151〜15nと、セレクト
信号線151〜15nが導出されたY方向セレクタ10
4と、n本の1ビットのデータ線161〜16nが接続
されたセンスアンプ102と、センスアンプ102から
導出されてデータバス101に接続されたn本の1ビッ
トのデータ線171〜17nとから構成されている。
【0016】データ線111のn本の分岐線は、トラン
スファーゲート1211〜121nをそれぞれ介してR
AMセルアレイ200のRAMセル100_1〜100
_nに接続されている。同様に、各データ線112ない
し11nのn本の分岐線は、トランスファーゲート12
21〜122nないし12n1〜12nnをそれぞれ介
してRAMセルアレイ200のRAMセル100_n+
1〜100_2nないし100_n2 −n+1〜100
_n2 に接続されている。
スファーゲート1211〜121nをそれぞれ介してR
AMセルアレイ200のRAMセル100_1〜100
_nに接続されている。同様に、各データ線112ない
し11nのn本の分岐線は、トランスファーゲート12
21〜122nないし12n1〜12nnをそれぞれ介
してRAMセルアレイ200のRAMセル100_n+
1〜100_2nないし100_n2 −n+1〜100
_n2 に接続されている。
【0017】セレクト信号線131は、各データ線11
1〜11nの1番目の分岐線に設けられたn個のトラン
スファーゲート1211〜12n1を一括して開閉する
ようになっている。同様に、セレクト信号線132ない
し13nは、各データ線111〜11nの2番目ないし
n番目の分岐線に設けられたn個のトランスファーゲー
ト1212〜12n2ないし121n〜12nnを一括
して開閉するようになっている。
1〜11nの1番目の分岐線に設けられたn個のトラン
スファーゲート1211〜12n1を一括して開閉する
ようになっている。同様に、セレクト信号線132ない
し13nは、各データ線111〜11nの2番目ないし
n番目の分岐線に設けられたn個のトランスファーゲー
ト1212〜12n2ないし121n〜12nnを一括
して開閉するようになっている。
【0018】データ線161のn本の分岐線は、トラン
スファーゲート1411〜14n1をそれぞれ介してR
AMセルアレイ200のRAMセル100_1,100
_n+1,…,100_n2 −n+1に接続されてい
る。同様に、各データ線162ないし16nのn本の分
岐線は、トランスファーゲート1412〜14n2ない
し141n〜14nnをそれぞれ介してRAMセルアレ
イ200のRAMセル100_2,100_n+2,
…,100_n2 −n+2ないし100_n,100_
2n,…,100_n2 に接続されている。
スファーゲート1411〜14n1をそれぞれ介してR
AMセルアレイ200のRAMセル100_1,100
_n+1,…,100_n2 −n+1に接続されてい
る。同様に、各データ線162ないし16nのn本の分
岐線は、トランスファーゲート1412〜14n2ない
し141n〜14nnをそれぞれ介してRAMセルアレ
イ200のRAMセル100_2,100_n+2,
…,100_n2 −n+2ないし100_n,100_
2n,…,100_n2 に接続されている。
【0019】セレクト信号線151は、データ線161
〜16nの1番目の分岐線に設けられたn個のトランス
ファーゲート1411〜141nを一括して開閉するよ
うになっている。同様に、セレクト信号線152〜15
nは、各データ線162〜16nの2〜n番目の分岐線
に設けられたn個のトランスファーゲート1421〜1
42nないし14n1〜14nnを一括して開閉するよ
うになっている。
〜16nの1番目の分岐線に設けられたn個のトランス
ファーゲート1411〜141nを一括して開閉するよ
うになっている。同様に、セレクト信号線152〜15
nは、各データ線162〜16nの2〜n番目の分岐線
に設けられたn個のトランスファーゲート1421〜1
42nないし14n1〜14nnを一括して開閉するよ
うになっている。
【0020】図2は、一般のスタティックRAMなどに
使用されるRAMセル100_k(1≦k≦n2 )の一
例を示す回路図である。このRAMセル100_kは、
いわゆるデプレション負荷型と呼ばれる6トランジスタ
構成のものであり、すでに公知のものであるので、その
詳しい動作については説明を割愛する。なお、RAMセ
ル100_kが、図2に示した構成のRAMセルに限定
されるものでないことはいうまでもない。
使用されるRAMセル100_k(1≦k≦n2 )の一
例を示す回路図である。このRAMセル100_kは、
いわゆるデプレション負荷型と呼ばれる6トランジスタ
構成のものであり、すでに公知のものであるので、その
詳しい動作については説明を割愛する。なお、RAMセ
ル100_kが、図2に示した構成のRAMセルに限定
されるものでないことはいうまでもない。
【0021】次に、このように構成された第1実施例の
データ変換装置の動作について説明する。
データ変換装置の動作について説明する。
【0022】(1) 幅n(ビット)×高さn(ビッ
ト)の正方形の画像データWDij(i=1〜n(行方
向)、j=1〜n(列方向))を、+90度回転した画
像データRDlm(l=1〜n(行方向)、m=1〜n
(列方向))に変換する画像データ回転処理の場合
ト)の正方形の画像データWDij(i=1〜n(行方
向)、j=1〜n(列方向))を、+90度回転した画
像データRDlm(l=1〜n(行方向)、m=1〜n
(列方向))に変換する画像データ回転処理の場合
【0023】バスマスタ(図示せず)がデータバス10
1を介してデータ線111〜11nよりRAMセルアレ
イ200に1ワード(以下、行方向にnビットを1ワー
ドとする)の画像データWDij(i=1〜n)を転送す
るとき、Y方向セレクタ103からのセレクト信号線1
3jにより選択されたトランスファーゲート121j〜
12njが開放されてn個のRAMセル100_k(た
だし、k=(i−1)n+j;i=1〜n)に画像デー
タWDij(i=1〜n)が一括して書き込まれる。これ
を、j=1〜nについて同様に繰り返すことにより、R
AMセルアレイ200のすべてのRAMセル100_k
(k=1〜n2 )に画像データWDij(i=1〜n、j
=1〜n)が重なり合うことなしに書き込まれる。
1を介してデータ線111〜11nよりRAMセルアレ
イ200に1ワード(以下、行方向にnビットを1ワー
ドとする)の画像データWDij(i=1〜n)を転送す
るとき、Y方向セレクタ103からのセレクト信号線1
3jにより選択されたトランスファーゲート121j〜
12njが開放されてn個のRAMセル100_k(た
だし、k=(i−1)n+j;i=1〜n)に画像デー
タWDij(i=1〜n)が一括して書き込まれる。これ
を、j=1〜nについて同様に繰り返すことにより、R
AMセルアレイ200のすべてのRAMセル100_k
(k=1〜n2 )に画像データWDij(i=1〜n、j
=1〜n)が重なり合うことなしに書き込まれる。
【0024】次に、RAMセルアレイ200より1ワー
ドの画像データRDlm(l=1〜n)を読み出すとき、
Y方向セレクタ104からのセレクト信号線15mによ
り選択されたトランスファーゲート14m1〜14mn
が開放されて、RAMセル100_k(ただし、k=n
(n−m)+l;l=1〜n)からデータ線161〜1
6n,センスアンプ102およびデータ線171〜17
nを通り画像データRDlm(l=1〜n)がデータバス
101に読み出される。これを、m=1〜nについて同
様に繰り返すことにより、RAMセルアレイ200のす
べてのRAMセル100_k(k=1〜n2 )から画像
データRDlm(l=1〜n、m=1〜n)がすべて欠け
ることなしに読み出される。
ドの画像データRDlm(l=1〜n)を読み出すとき、
Y方向セレクタ104からのセレクト信号線15mによ
り選択されたトランスファーゲート14m1〜14mn
が開放されて、RAMセル100_k(ただし、k=n
(n−m)+l;l=1〜n)からデータ線161〜1
6n,センスアンプ102およびデータ線171〜17
nを通り画像データRDlm(l=1〜n)がデータバス
101に読み出される。これを、m=1〜nについて同
様に繰り返すことにより、RAMセルアレイ200のす
べてのRAMセル100_k(k=1〜n2 )から画像
データRDlm(l=1〜n、m=1〜n)がすべて欠け
ることなしに読み出される。
【0025】この結果、画像データWDij(i=1〜
n、j=1〜n)を、+90度回転処理した画像データ
RDlm(l=1〜n、m=1〜n)を得ることができ
る。
n、j=1〜n)を、+90度回転処理した画像データ
RDlm(l=1〜n、m=1〜n)を得ることができ
る。
【0026】(2) 幅n(ビット)×高さn(ビッ
ト)の正方形の画像データWDij(i=1〜n(行方
向)、j=1〜n(列方向))を、−90度回転した画
像データRDlm(l=1〜n(行方向)、m=1〜n
(列方向))に変換する画像データ回転処理の場合
ト)の正方形の画像データWDij(i=1〜n(行方
向)、j=1〜n(列方向))を、−90度回転した画
像データRDlm(l=1〜n(行方向)、m=1〜n
(列方向))に変換する画像データ回転処理の場合
【0027】バスマスタ(図示せず)がデータバス10
1を介してデータ線111〜11nよりRAMセルアレ
イ200に1ワードの画像データWDij(i=1〜n)
を転送するとき、Y方向セレクタ103からのセレクト
信号線13jにより選択されたトランスファーゲート1
21j〜12njが開放されてn個のRAMセル100
_k(ただし、k=in−j+1;i=1〜n)に画像
データWDij(i=1〜n)が一括して書き込まれる。
これを、j=n〜1についてセレクト信号線13n〜1
31を順次アクティブにして同様に繰り返すことによ
り、RAMセルアレイ200のすべてのRAMセル10
0_k(k=1〜n2 )に画像データWDij(i=1〜
n、j=1〜n)が重なり合うことなしに書き込まれ
る。
1を介してデータ線111〜11nよりRAMセルアレ
イ200に1ワードの画像データWDij(i=1〜n)
を転送するとき、Y方向セレクタ103からのセレクト
信号線13jにより選択されたトランスファーゲート1
21j〜12njが開放されてn個のRAMセル100
_k(ただし、k=in−j+1;i=1〜n)に画像
データWDij(i=1〜n)が一括して書き込まれる。
これを、j=n〜1についてセレクト信号線13n〜1
31を順次アクティブにして同様に繰り返すことによ
り、RAMセルアレイ200のすべてのRAMセル10
0_k(k=1〜n2 )に画像データWDij(i=1〜
n、j=1〜n)が重なり合うことなしに書き込まれ
る。
【0028】次に、RAMセルアレイ200より1ワー
ドの画像データRDlm(l=1〜n)を読み出すとき、
Y方向セレクタ104からのセレクト信号線15mによ
り選択されたトランスファーゲート14m1〜14mn
が開放されて、RAMセル100_k(ただし、k=n
(m−1)+l;l=1〜n)からデータ線161〜1
6n,センスアンプ102およびデータ線171〜17
nを通り画像データRDlm(l=1〜n)がデータバス
101に読み出される。これを、m=1〜nについて同
様に繰り返すことにより、RAMセルアレイ200のす
べてのRAMセル100_k(k=1〜n2 )から画像
データRDlm(l=1〜n、m=1〜n)がすべて欠け
ることなしに読み出される。
ドの画像データRDlm(l=1〜n)を読み出すとき、
Y方向セレクタ104からのセレクト信号線15mによ
り選択されたトランスファーゲート14m1〜14mn
が開放されて、RAMセル100_k(ただし、k=n
(m−1)+l;l=1〜n)からデータ線161〜1
6n,センスアンプ102およびデータ線171〜17
nを通り画像データRDlm(l=1〜n)がデータバス
101に読み出される。これを、m=1〜nについて同
様に繰り返すことにより、RAMセルアレイ200のす
べてのRAMセル100_k(k=1〜n2 )から画像
データRDlm(l=1〜n、m=1〜n)がすべて欠け
ることなしに読み出される。
【0029】この結果、画像データWDij(i=1〜
n、j=1〜n)を、−90度回転処理した画像データ
RDlm(l=1〜n、m=1〜n)を得ることができ
る。
n、j=1〜n)を、−90度回転処理した画像データ
RDlm(l=1〜n、m=1〜n)を得ることができ
る。
【0030】図3は、本発明の第2実施例に係るデータ
変換装置の構成を示す回路図である。本実施例のデータ
変換装置は、図1に示した第1実施例のデータ変換装置
におけるRAMセルアレイ200をRAMセルマトリク
ス300に置換するとともに、RAMセルマトリクス3
00中のq(q≧2の整数)個のRAMセルアレイ20
0_1〜200_q(図4参照)のうちの1つを選択す
るセレクト信号線181〜18qを導出するX方向デコ
ーダ105を追加するようにしたものである。RAMセ
ルマトリクス300は、図4に示すように、q個のRA
Mセルアレイ200_1〜200_qの集合であり、各
RAMセルアレイ200_1〜200_qはRAMセル
100_1〜100_n2 のn2 ビットの集合でなる。
なお、その他の部分は、第1実施例のデータ変換装置に
おける対応部分と同一なので、対応する部分には同一符
号を付してそれらの詳しい説明を省略する。
変換装置の構成を示す回路図である。本実施例のデータ
変換装置は、図1に示した第1実施例のデータ変換装置
におけるRAMセルアレイ200をRAMセルマトリク
ス300に置換するとともに、RAMセルマトリクス3
00中のq(q≧2の整数)個のRAMセルアレイ20
0_1〜200_q(図4参照)のうちの1つを選択す
るセレクト信号線181〜18qを導出するX方向デコ
ーダ105を追加するようにしたものである。RAMセ
ルマトリクス300は、図4に示すように、q個のRA
Mセルアレイ200_1〜200_qの集合であり、各
RAMセルアレイ200_1〜200_qはRAMセル
100_1〜100_n2 のn2 ビットの集合でなる。
なお、その他の部分は、第1実施例のデータ変換装置に
おける対応部分と同一なので、対応する部分には同一符
号を付してそれらの詳しい説明を省略する。
【0031】次に、このように構成された第2実施例の
データ変換装置の動作について説明する。
データ変換装置の動作について説明する。
【0032】(3) 幅n(ビット)×高さn(ビッ
ト)の正方形のq個の画像データWDijp (i=1〜n
(行方向)、j=1〜n(列方向)、p=1〜q(個
数))を+90度回転したq個の画像データRD
lmp (l=1〜n(行方向)、m=1〜n(列方向)、
p=1〜q(個数))に変換する画像データ回転処理の
場合
ト)の正方形のq個の画像データWDijp (i=1〜n
(行方向)、j=1〜n(列方向)、p=1〜q(個
数))を+90度回転したq個の画像データRD
lmp (l=1〜n(行方向)、m=1〜n(列方向)、
p=1〜q(個数))に変換する画像データ回転処理の
場合
【0033】まず、X方向デコーダ105からセレクト
信号線18pをアクティブにしてRAMセルマトリクス
300中のp番目のRAMセルアレイ200_pを選択
する。この状態からバスマスタ(図示せず)がデータバ
ス101を介してデータ線111〜11nよりRAMセ
ルアレイ200_pに1ワードの画像データWD
ijp(i=1〜n)を転送するとき、Y方向セレクタ1
03からのセレクト信号線13jにより選択されたトラ
ンスファーゲート121j〜12njが開放されてn個
のRAMセル100_k(ただし、k=(i−1)n+
j;i=1〜n)に画像データWDij(i=1〜n)が
一括して書き込まれる。これを、j=1〜nについて同
様に繰り返すことにより、RAMセルアレイ200_p
のすべてのRAMセル100_k(k=1〜n2 )に画
像データWDijp (i=1〜n、j=1〜n)が重なり
合うことなしに書き込まれる。さらにこれを、p=1〜
qについて繰り返すことにより、q個の画像データWD
ijp (i=1〜n、j=1〜n、p=1〜q)がRAM
セルマトリクス300のすべてのRAMセルアレイ20
0_p(p=1〜q)のすべてのRAMセル100_k
(k=1〜n2 )に重なり合うことなしに書き込まれ
る。
信号線18pをアクティブにしてRAMセルマトリクス
300中のp番目のRAMセルアレイ200_pを選択
する。この状態からバスマスタ(図示せず)がデータバ
ス101を介してデータ線111〜11nよりRAMセ
ルアレイ200_pに1ワードの画像データWD
ijp(i=1〜n)を転送するとき、Y方向セレクタ1
03からのセレクト信号線13jにより選択されたトラ
ンスファーゲート121j〜12njが開放されてn個
のRAMセル100_k(ただし、k=(i−1)n+
j;i=1〜n)に画像データWDij(i=1〜n)が
一括して書き込まれる。これを、j=1〜nについて同
様に繰り返すことにより、RAMセルアレイ200_p
のすべてのRAMセル100_k(k=1〜n2 )に画
像データWDijp (i=1〜n、j=1〜n)が重なり
合うことなしに書き込まれる。さらにこれを、p=1〜
qについて繰り返すことにより、q個の画像データWD
ijp (i=1〜n、j=1〜n、p=1〜q)がRAM
セルマトリクス300のすべてのRAMセルアレイ20
0_p(p=1〜q)のすべてのRAMセル100_k
(k=1〜n2 )に重なり合うことなしに書き込まれ
る。
【0034】次に、X方向デコーダ105からセレクト
信号線18pをアクティブにしてRAMセルマトリクス
300中のp番目のRAMセルアレイ200_pを選択
する。この状態からRAMセルアレイ200_pより1
ワードの画像データRDlmp(l=1〜n)を読み出す
とき、Y方向セレクタ104からのセレクト信号線15
mにより選択されたトランスファーゲート14m1〜1
4mnが開放されて、RAMセル100_k(ただし、
k=n(n−m)+l;l=1〜n)からデータ線16
1〜16n,センスアンプ102およびデータ線171
〜17nを通り画像データRDlmp (l=1〜n)がデ
ータバス101に読み出される。これを、m=1〜nに
ついて同様に繰り返すことにより、RAMセルアレイ2
00_pのすべてのRAMセル100_k(k=1〜n
2 )から画像データRDlm1 (l=1〜n、m=1〜
n)がすべて欠けることなしに読み出される。さらにこ
れを、p=1〜qについて繰り返すことにより、q個の
画像データWDijp (i=1〜n、j=1〜n、p=1
〜q)がRAMセルマトリクス300のすべてのRAM
セルアレイ200_p(p=1〜q)のすべてのRAM
セル100_k(k=1〜n2 )から欠けることなしに
読み出される。
信号線18pをアクティブにしてRAMセルマトリクス
300中のp番目のRAMセルアレイ200_pを選択
する。この状態からRAMセルアレイ200_pより1
ワードの画像データRDlmp(l=1〜n)を読み出す
とき、Y方向セレクタ104からのセレクト信号線15
mにより選択されたトランスファーゲート14m1〜1
4mnが開放されて、RAMセル100_k(ただし、
k=n(n−m)+l;l=1〜n)からデータ線16
1〜16n,センスアンプ102およびデータ線171
〜17nを通り画像データRDlmp (l=1〜n)がデ
ータバス101に読み出される。これを、m=1〜nに
ついて同様に繰り返すことにより、RAMセルアレイ2
00_pのすべてのRAMセル100_k(k=1〜n
2 )から画像データRDlm1 (l=1〜n、m=1〜
n)がすべて欠けることなしに読み出される。さらにこ
れを、p=1〜qについて繰り返すことにより、q個の
画像データWDijp (i=1〜n、j=1〜n、p=1
〜q)がRAMセルマトリクス300のすべてのRAM
セルアレイ200_p(p=1〜q)のすべてのRAM
セル100_k(k=1〜n2 )から欠けることなしに
読み出される。
【0035】この結果、q個の画像データWDijp (i
=1〜n、j=1〜n、p=1〜q)を、+90度回転
処理したq個の画像データRDlmp (l=1〜n、m=
1〜n、p=1〜q)を得ることができる。
=1〜n、j=1〜n、p=1〜q)を、+90度回転
処理したq個の画像データRDlmp (l=1〜n、m=
1〜n、p=1〜q)を得ることができる。
【0036】(4) 幅n(ビット)×高さn(ビッ
ト)の正方形のq個の画像データWDijp (i=1〜n
(行方向)、j=1〜n(列方向)、p=1〜q(個
数))を−90度回転したq個の画像データRD
lmp (l=1〜n(行方向)、m=1〜n(列方向)、
p=1〜q(個数))に変換する画像データ回転処理の
場合
ト)の正方形のq個の画像データWDijp (i=1〜n
(行方向)、j=1〜n(列方向)、p=1〜q(個
数))を−90度回転したq個の画像データRD
lmp (l=1〜n(行方向)、m=1〜n(列方向)、
p=1〜q(個数))に変換する画像データ回転処理の
場合
【0037】まず、X方向デコーダ105からセレクト
信号線18pをアクティブにしてRAMセルマトリクス
300中のp番目のRAMセルアレイ200_pを選択
する。この状態からバスマスタ(図示せず)がデータバ
ス101を介してデータ線111〜11nよりRAMセ
ルアレイ200_pに1ワードの画像データWD
ijp(i=1〜n)を転送するとき、Y方向セレクタ1
03からのセレクト信号線13jにより選択されたトラ
ンスファーゲート121j〜12njが開放されてn個
のRAMセル100_k(ただし、k=in−j+1;
i=1〜n)に画像データWDijp (i=1〜n)が一
括して書き込まれる。これを、j=n〜1について同様
に繰り返すことにより、RAMセルアレイ200_pの
すべてのRAMセル100_k(k=1〜n2 )に画像
データWDijp (i=1〜n、j=1〜n)が重なり合
うことなしに書き込まれる。さらにこれを、p=1〜q
について繰り返すことにより、q個の画像データWD
ijp (i=1〜n、j=1〜n、p=1〜q)がRAM
セルマトリクス300のすべてのRAMセルアレイ20
0_p(p=1〜q)のすべてのRAMセル100_k
(k=1〜n2 )に重なり合うことなしに書き込まれ
る。
信号線18pをアクティブにしてRAMセルマトリクス
300中のp番目のRAMセルアレイ200_pを選択
する。この状態からバスマスタ(図示せず)がデータバ
ス101を介してデータ線111〜11nよりRAMセ
ルアレイ200_pに1ワードの画像データWD
ijp(i=1〜n)を転送するとき、Y方向セレクタ1
03からのセレクト信号線13jにより選択されたトラ
ンスファーゲート121j〜12njが開放されてn個
のRAMセル100_k(ただし、k=in−j+1;
i=1〜n)に画像データWDijp (i=1〜n)が一
括して書き込まれる。これを、j=n〜1について同様
に繰り返すことにより、RAMセルアレイ200_pの
すべてのRAMセル100_k(k=1〜n2 )に画像
データWDijp (i=1〜n、j=1〜n)が重なり合
うことなしに書き込まれる。さらにこれを、p=1〜q
について繰り返すことにより、q個の画像データWD
ijp (i=1〜n、j=1〜n、p=1〜q)がRAM
セルマトリクス300のすべてのRAMセルアレイ20
0_p(p=1〜q)のすべてのRAMセル100_k
(k=1〜n2 )に重なり合うことなしに書き込まれ
る。
【0038】次に、X方向デコーダ105からセレクト
信号線18pをアクティブにしてRAMセルマトリクス
300中のp番目のRAMセルアレイ200_pを選択
する。この状態からRAMセルアレイ200_pより1
ワードの画像データRDljp(l=1〜n)を読み出す
とき、Y方向セレクタ104からのセレクト信号線15
pにより選択されたトランスファーゲート141j〜1
4njが開放されて、RAMセル100_k(ただし、
k=n(n−m)+l;l=1〜n)からデータ線16
1〜16n,センスアンプ102およびデータ線171
〜17nを通り画像データRDlmp (l=1〜n)がデ
ータバス101に読み出される。これを、m=1〜nに
ついて同様に繰り返すことにより、RAMセルアレイ2
00_1のすべてのRAMセル100_k(k=1〜n
2 )から画像データRDlmp (l=1〜n、m=1〜
n)がすべて欠けることなしに読み出される。さらにこ
れを、p=1〜qについて繰り返すことにより、q個の
画像データWDijp (i=1〜n、j=1〜n、p=1
〜q)がRAMセルマトリクス300のすべてのRAM
セルアレイ200_p(p=1〜q)のすべてのRAM
セル100_k(k=1〜n2 )から欠けることなしに
読み出される。
信号線18pをアクティブにしてRAMセルマトリクス
300中のp番目のRAMセルアレイ200_pを選択
する。この状態からRAMセルアレイ200_pより1
ワードの画像データRDljp(l=1〜n)を読み出す
とき、Y方向セレクタ104からのセレクト信号線15
pにより選択されたトランスファーゲート141j〜1
4njが開放されて、RAMセル100_k(ただし、
k=n(n−m)+l;l=1〜n)からデータ線16
1〜16n,センスアンプ102およびデータ線171
〜17nを通り画像データRDlmp (l=1〜n)がデ
ータバス101に読み出される。これを、m=1〜nに
ついて同様に繰り返すことにより、RAMセルアレイ2
00_1のすべてのRAMセル100_k(k=1〜n
2 )から画像データRDlmp (l=1〜n、m=1〜
n)がすべて欠けることなしに読み出される。さらにこ
れを、p=1〜qについて繰り返すことにより、q個の
画像データWDijp (i=1〜n、j=1〜n、p=1
〜q)がRAMセルマトリクス300のすべてのRAM
セルアレイ200_p(p=1〜q)のすべてのRAM
セル100_k(k=1〜n2 )から欠けることなしに
読み出される。
【0039】この結果、q個の画像データWDijp (i
=1〜n、j=1〜n、p=1〜q)を、−90度回転
処理したq個の画像データRDlmp (l=1〜n、m=
1〜n、p=1〜q)を得ることができる。
=1〜n、j=1〜n、p=1〜q)を、−90度回転
処理したq個の画像データRDlmp (l=1〜n、m=
1〜n、p=1〜q)を得ることができる。
【0040】図5および図6は、第2実施例のデータ変
換装置において、2個の4ビット×4ビットの画像デー
タを±90度回転処理する場合の動作例を示す図であ
る。
換装置において、2個の4ビット×4ビットの画像デー
タを±90度回転処理する場合の動作例を示す図であ
る。
【0041】図5を参照しながら+90度回転処理する
場合について説明すると、まず、セレクト信号線181
をアクティブとして、RAMセルマトリクス300中の
RAMセルアレイ200_1を選択する。この状態から
バスマスタがデータ線111〜114よりRAMセルア
レイ200_1に1ワードの画像データ(11,12,
13,14)(ここで、11,12,13,14等は画
像データの位置を示す。以下同様)を転送するとき、セ
レクト信号線131により選択されたトランスファーゲ
ート1211,1221,1231および1241が開
放されて、画像データ(11,12,13,14)がR
AMセルアレイ200_1のRAMセル100_1,1
00_5,100_9および100_13にそれぞれ書
き込まれる。同様にして、画像データ(21,22,2
3,24)がセレクト信号線132により選択されたト
ランスファーゲート1212,1222,1232およ
び1242を介してRAMセルアレイ200_1のRA
Mセル100_2,100_6,100_10および1
00_14にそれぞれ書き込まれる。同様にして、画像
データ(31,32,33,34)がセレクト信号線1
33により選択されたトランスファーゲート1213,
1223,1233および1243を介してRAMセル
アレイ200_1のRAMセル100_3,100_
7,100_11および100_15にそれぞれ書き込
まれる。同様にして、画像データ(41,42,43,
44)がセレクト信号線134により選択されたトラン
スファーゲート1214,1224,1234および1
244を介してRAMセルアレイ200_1のRAMセ
ル100_4,100_8,100_12および100
_16にそれぞれ書き込まれる。これにより、4ビット
×4ビットの画像データがRAMセルアレイ200_1
のすべてのRAMセル100_1〜100_16に重な
り合うことなしに書き込まれたことになる。次に、セレ
クト信号線182をアクティブとして、RAMセルマト
リクス300中のRAMセルアレイ200_2を選択し
た状態から、同様にして、画像データ(11’,1
2’,13’,14’),(21’,22’,23’,
24’),(31’,32’,33’,34’)および
(41’,42’,43’,44’)を順次転送する
と、4ビット×4ビットの画像データがRAMセルアレ
イ200_2のすべてのRAMセル100_1〜100
_16に重なり合うことなしに書き込まれたことにな
る。この結果、2個の4ビット×4ビットの画像データ
がRAMセルマトリクス300に図5に示すように格納
される。
場合について説明すると、まず、セレクト信号線181
をアクティブとして、RAMセルマトリクス300中の
RAMセルアレイ200_1を選択する。この状態から
バスマスタがデータ線111〜114よりRAMセルア
レイ200_1に1ワードの画像データ(11,12,
13,14)(ここで、11,12,13,14等は画
像データの位置を示す。以下同様)を転送するとき、セ
レクト信号線131により選択されたトランスファーゲ
ート1211,1221,1231および1241が開
放されて、画像データ(11,12,13,14)がR
AMセルアレイ200_1のRAMセル100_1,1
00_5,100_9および100_13にそれぞれ書
き込まれる。同様にして、画像データ(21,22,2
3,24)がセレクト信号線132により選択されたト
ランスファーゲート1212,1222,1232およ
び1242を介してRAMセルアレイ200_1のRA
Mセル100_2,100_6,100_10および1
00_14にそれぞれ書き込まれる。同様にして、画像
データ(31,32,33,34)がセレクト信号線1
33により選択されたトランスファーゲート1213,
1223,1233および1243を介してRAMセル
アレイ200_1のRAMセル100_3,100_
7,100_11および100_15にそれぞれ書き込
まれる。同様にして、画像データ(41,42,43,
44)がセレクト信号線134により選択されたトラン
スファーゲート1214,1224,1234および1
244を介してRAMセルアレイ200_1のRAMセ
ル100_4,100_8,100_12および100
_16にそれぞれ書き込まれる。これにより、4ビット
×4ビットの画像データがRAMセルアレイ200_1
のすべてのRAMセル100_1〜100_16に重な
り合うことなしに書き込まれたことになる。次に、セレ
クト信号線182をアクティブとして、RAMセルマト
リクス300中のRAMセルアレイ200_2を選択し
た状態から、同様にして、画像データ(11’,1
2’,13’,14’),(21’,22’,23’,
24’),(31’,32’,33’,34’)および
(41’,42’,43’,44’)を順次転送する
と、4ビット×4ビットの画像データがRAMセルアレ
イ200_2のすべてのRAMセル100_1〜100
_16に重なり合うことなしに書き込まれたことにな
る。この結果、2個の4ビット×4ビットの画像データ
がRAMセルマトリクス300に図5に示すように格納
される。
【0042】次に、セレクト信号線181をアクティブ
として、RAMセルマトリクス300のRAMセルアレ
イ200_1を選択する。この状態から、セレクト信号
線154をアクティブとしてRAMセルアレイ200_
1より1ワードの画像データを読み出すと、セレクト信
号線154により選択されたトランスファーゲート14
41〜1444が開放してRAMセルアレイ200_1
のRAMセル100_13,100_14,100_1
5および100_16から画像データ(14,24,3
4,44)が読み出されデータバス101に転送され
る。続いて、セレクト信号線153,152および15
1を順次アクティブとしてRAMセルアレイ200_1
より1ワードの画像データを読み出すと、セレクト信号
線153,152および151により選択されたトラン
スファーゲート1431〜1434,1421〜142
4および1411〜1414が順次開放してRAMセル
アレイ200_1のRAMセル100_9,100_1
0,100_11および100_12,RAMセル10
0_5,100_6,100_7および100_8,な
らびにRAMセル100_1,100_2,100_3
および100_4から画像データ(13,23,33,
43),(12,22,32,42)および(11,2
1,31,41)が順次読み出されデータバス101に
転送される。これにより、RAMセル200_1のRA
Mセル100_1〜100_16上の4ビット×4ビッ
トの画像データが欠けることなく読み出される。次に、
セレクト信号線182をアクティブとして、RAMセル
マトリクス300のRAMセルアレイ200_2につい
て同様の処理を繰り返すことにより、RAMセルアレイ
200_2のRAMセル100_1〜100_16から
画像データ(14’,24’,34’,44’),(1
3’,23’,33’,43’),(12’,22’,
32’,42’)および(14’,24’,34’,4
4’)がこの順に読み出されてデータバス101に転送
される。これにより、RAMセルアレイ200_2のR
AMセル100_1〜100_16上の4ビット×4ビ
ットの画像データが欠けることなく読み出される。この
結果、図5中に示すような+90度回転した2個の画像
データを得ることができる。
として、RAMセルマトリクス300のRAMセルアレ
イ200_1を選択する。この状態から、セレクト信号
線154をアクティブとしてRAMセルアレイ200_
1より1ワードの画像データを読み出すと、セレクト信
号線154により選択されたトランスファーゲート14
41〜1444が開放してRAMセルアレイ200_1
のRAMセル100_13,100_14,100_1
5および100_16から画像データ(14,24,3
4,44)が読み出されデータバス101に転送され
る。続いて、セレクト信号線153,152および15
1を順次アクティブとしてRAMセルアレイ200_1
より1ワードの画像データを読み出すと、セレクト信号
線153,152および151により選択されたトラン
スファーゲート1431〜1434,1421〜142
4および1411〜1414が順次開放してRAMセル
アレイ200_1のRAMセル100_9,100_1
0,100_11および100_12,RAMセル10
0_5,100_6,100_7および100_8,な
らびにRAMセル100_1,100_2,100_3
および100_4から画像データ(13,23,33,
43),(12,22,32,42)および(11,2
1,31,41)が順次読み出されデータバス101に
転送される。これにより、RAMセル200_1のRA
Mセル100_1〜100_16上の4ビット×4ビッ
トの画像データが欠けることなく読み出される。次に、
セレクト信号線182をアクティブとして、RAMセル
マトリクス300のRAMセルアレイ200_2につい
て同様の処理を繰り返すことにより、RAMセルアレイ
200_2のRAMセル100_1〜100_16から
画像データ(14’,24’,34’,44’),(1
3’,23’,33’,43’),(12’,22’,
32’,42’)および(14’,24’,34’,4
4’)がこの順に読み出されてデータバス101に転送
される。これにより、RAMセルアレイ200_2のR
AMセル100_1〜100_16上の4ビット×4ビ
ットの画像データが欠けることなく読み出される。この
結果、図5中に示すような+90度回転した2個の画像
データを得ることができる。
【0043】図6を参照しながら−90度回転処理する
場合について説明すると、まず、セレクト信号線181
をアクティブとして、RAMセルマトリクス300中の
RAMセルアレイ200_1を選択する。この状態から
バスマスタがデータ線111〜114よりRAMセルア
レイ200_1に1ワードの画像データ(11,12,
13,14)を転送するとき、セレクト信号線134に
より選択されたトランスファーゲート1214,122
4,1234および1244が開放されて、画像データ
(11,12,13,14)がRAMセルアレイ200
_1のRAMセル100_4,100_8,100_1
2および100_16にそれぞれ書き込まれる。同様に
して、画像データ(21,22,23,24)がセレク
ト信号線133により選択されたトランスファーゲート
1213,1223,1233および1243を介して
RAMセルアレイ200_1のRAMセル100_3,
100_7,100_11および100_15にそれぞ
れ書き込まれる。同様にして、画像データ(31,3
2,33,34)がセレクト信号線132により選択さ
れたトランスファーゲート1212,1222,123
2および1242を介してRAMセルアレイ200_1
のRAMセル100_2,100_6,100_10お
よび100_14にそれぞれ書き込まれる。同様にし
て、画像データ(41,42,43,44)がセレクト
信号線131により選択されたトランスファーゲート1
211,1221,1231および1241を介してR
AMセルアレイ200_1のRAMセル100_1,1
00_5,100_9および100_13にそれぞれ書
き込まれる。これにより、4ビット×4ビットの画像デ
ータがRAMセルアレイ200_1のすべてのRAMセ
ル100_1〜100_16に重なり合うことなしに書
き込まれたことになる。次に、セレクト信号線182を
アクティブとして、RAMセルマトリクス300中のR
AMセルアレイ100_2を選択した状態から、同様に
して、画像データ(11’,12’,13’,1
4’),(21’,22’,23’,24’),(3
1’,32’,33’,34’)および(41’,4
2’,43’,44’)を順次転送すると、4ビット×
4ビットの画像データがRAMセルアレイ200_2の
すべてのRAMセル100_1〜100_16に重なり
合うことなしに書き込まれたことになる。この結果、2
個の4ビット×4ビットの画像データがRAMセルマト
リクス300に図6に示すように格納される。
場合について説明すると、まず、セレクト信号線181
をアクティブとして、RAMセルマトリクス300中の
RAMセルアレイ200_1を選択する。この状態から
バスマスタがデータ線111〜114よりRAMセルア
レイ200_1に1ワードの画像データ(11,12,
13,14)を転送するとき、セレクト信号線134に
より選択されたトランスファーゲート1214,122
4,1234および1244が開放されて、画像データ
(11,12,13,14)がRAMセルアレイ200
_1のRAMセル100_4,100_8,100_1
2および100_16にそれぞれ書き込まれる。同様に
して、画像データ(21,22,23,24)がセレク
ト信号線133により選択されたトランスファーゲート
1213,1223,1233および1243を介して
RAMセルアレイ200_1のRAMセル100_3,
100_7,100_11および100_15にそれぞ
れ書き込まれる。同様にして、画像データ(31,3
2,33,34)がセレクト信号線132により選択さ
れたトランスファーゲート1212,1222,123
2および1242を介してRAMセルアレイ200_1
のRAMセル100_2,100_6,100_10お
よび100_14にそれぞれ書き込まれる。同様にし
て、画像データ(41,42,43,44)がセレクト
信号線131により選択されたトランスファーゲート1
211,1221,1231および1241を介してR
AMセルアレイ200_1のRAMセル100_1,1
00_5,100_9および100_13にそれぞれ書
き込まれる。これにより、4ビット×4ビットの画像デ
ータがRAMセルアレイ200_1のすべてのRAMセ
ル100_1〜100_16に重なり合うことなしに書
き込まれたことになる。次に、セレクト信号線182を
アクティブとして、RAMセルマトリクス300中のR
AMセルアレイ100_2を選択した状態から、同様に
して、画像データ(11’,12’,13’,1
4’),(21’,22’,23’,24’),(3
1’,32’,33’,34’)および(41’,4
2’,43’,44’)を順次転送すると、4ビット×
4ビットの画像データがRAMセルアレイ200_2の
すべてのRAMセル100_1〜100_16に重なり
合うことなしに書き込まれたことになる。この結果、2
個の4ビット×4ビットの画像データがRAMセルマト
リクス300に図6に示すように格納される。
【0044】次に、セレクト信号線181をアクティブ
として、RAMセルマトリクス300のRAMセルアレ
イ200_1を選択する。この状態から、セレクト信号
線151をアクティブとしてRAMセルアレイ200_
1より1ワードの画像データを読み出すと、セレクト信
号線151により選択されたトランスファーゲート14
11〜1414が開放してRAMセルアレイ200_1
のRAMセル100_1,100_2,100_3およ
び100_4から画像データ(41,31,21,1
1)が読み出されデータバス101に転送される。続い
て、セレクト信号線152,153および154を順次
アクティブとしてRAMセルアレイ200_1より1ワ
ードの画像データを読み出すと、セレクト信号線15
2,153および154により選択されたトランスファ
ーゲート1421〜1424,1431〜1434およ
び1441〜1444が順次開放してRAMセルアレイ
200_1のRAMセル100_5,100_6,10
0_7および100_8,RAMセル100_9,10
0_10,100_11および100_12,ならびに
RAMセル100_13,100_14,100_15
および100_16から画像データ(42,32,2
2,12),(43,33,23,13)および(4
4,34,24,14)が順次読み出されデータバス1
01に転送される。これにより、RAMセル200_1
のRAMセル100_1〜100_16上の4ビット×
4ビットの画像データが欠けることなく読み出される。
次に、セレクト信号線182をアクティブとして、RA
Mセルマトリクス300のRAMセルアレイ200_2
について同様の処理を繰り返すことにより、RAMセル
アレイ200_2のRAMセル100_1〜100_1
6から画像データ(41’,31’,21’,1
1’),(42’,32’,22’,12’),(4
3’,33’,23’,13’)および(44’,3
4’,24’,14’)がこの順に読み出されてデータ
バス101に転送される。これにより、RAMセルアレ
イ200_2のRAMセル100_1〜100_16上
の4ビット×4ビットの画像データが欠けることなく読
み出される。この結果、図6中に示すような−90度回
転した2個の画像データを得ることができる。
として、RAMセルマトリクス300のRAMセルアレ
イ200_1を選択する。この状態から、セレクト信号
線151をアクティブとしてRAMセルアレイ200_
1より1ワードの画像データを読み出すと、セレクト信
号線151により選択されたトランスファーゲート14
11〜1414が開放してRAMセルアレイ200_1
のRAMセル100_1,100_2,100_3およ
び100_4から画像データ(41,31,21,1
1)が読み出されデータバス101に転送される。続い
て、セレクト信号線152,153および154を順次
アクティブとしてRAMセルアレイ200_1より1ワ
ードの画像データを読み出すと、セレクト信号線15
2,153および154により選択されたトランスファ
ーゲート1421〜1424,1431〜1434およ
び1441〜1444が順次開放してRAMセルアレイ
200_1のRAMセル100_5,100_6,10
0_7および100_8,RAMセル100_9,10
0_10,100_11および100_12,ならびに
RAMセル100_13,100_14,100_15
および100_16から画像データ(42,32,2
2,12),(43,33,23,13)および(4
4,34,24,14)が順次読み出されデータバス1
01に転送される。これにより、RAMセル200_1
のRAMセル100_1〜100_16上の4ビット×
4ビットの画像データが欠けることなく読み出される。
次に、セレクト信号線182をアクティブとして、RA
Mセルマトリクス300のRAMセルアレイ200_2
について同様の処理を繰り返すことにより、RAMセル
アレイ200_2のRAMセル100_1〜100_1
6から画像データ(41’,31’,21’,1
1’),(42’,32’,22’,12’),(4
3’,33’,23’,13’)および(44’,3
4’,24’,14’)がこの順に読み出されてデータ
バス101に転送される。これにより、RAMセルアレ
イ200_2のRAMセル100_1〜100_16上
の4ビット×4ビットの画像データが欠けることなく読
み出される。この結果、図6中に示すような−90度回
転した2個の画像データを得ることができる。
【0045】特に、本発明のデータ変換装置をプリント
バッファに適用することにより、画像データを±90度
回転してプリントヘッドに直接転送する場合などに利用
できる。
バッファに適用することにより、画像データを±90度
回転してプリントヘッドに直接転送する場合などに利用
できる。
【0046】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、n2 個の
RAMセルからなるRAMセルアレイと、nビットの画
像データをRAMセルアレイの所定番地のRAMセルに
一括して書き込むデータ書込み手段と、nビットの画像
データをRAMセルアレイの所定番地のRAMセルから
一括して読み出すデータ読出し手段とを設けたことによ
り、nビット×nビットの画像データの±90度回転処
理を2系統のアドレス線およびデータ線を必要としない
通常のRAMセルで実現することができ、データ変換装
置の回路規模を小さくして面積を縮小することができる
という効果がある。面積については、6トランジスタ構
成のRAMセルを使用した場合には、従来の8トランジ
スタ構成のRAMセルを使用したデータ変換装置に比べ
て、30〜40%の縮小が可能である。また、配線長を
短くしてクリティカルディレイを短縮することができる
という効果がある。
RAMセルからなるRAMセルアレイと、nビットの画
像データをRAMセルアレイの所定番地のRAMセルに
一括して書き込むデータ書込み手段と、nビットの画像
データをRAMセルアレイの所定番地のRAMセルから
一括して読み出すデータ読出し手段とを設けたことによ
り、nビット×nビットの画像データの±90度回転処
理を2系統のアドレス線およびデータ線を必要としない
通常のRAMセルで実現することができ、データ変換装
置の回路規模を小さくして面積を縮小することができる
という効果がある。面積については、6トランジスタ構
成のRAMセルを使用した場合には、従来の8トランジ
スタ構成のRAMセルを使用したデータ変換装置に比べ
て、30〜40%の縮小が可能である。また、配線長を
短くしてクリティカルディレイを短縮することができる
という効果がある。
【0047】また、n2 個のRAMセルからなるRAM
セルアレイの複数個の集合であるRAMセルマトリクス
と、RAMセルマトリクスから1つのRAMセルアレイ
を選択するRAMセルアレイ選択手段と、nビットの画
像データをRAMセルアレイの所定番地のRAMセルに
一括して書き込むデータ書込み手段と、nビットの画像
データをRAMセルアレイの所定番地のRAMセルから
一括して読み出すデータ読出し手段とを設けたことによ
り、複数個のnビット×nビットの画像データの±90
度回転処理を2系統のアドレス線およびデータ線を必要
としない通常のRAMセルで実現することができ、デー
タ変換装置の回路規模を小さくして面積を縮小すること
ができるとともに、配線長を短くしてクリティカルディ
レイを短縮することができるという効果がある。
セルアレイの複数個の集合であるRAMセルマトリクス
と、RAMセルマトリクスから1つのRAMセルアレイ
を選択するRAMセルアレイ選択手段と、nビットの画
像データをRAMセルアレイの所定番地のRAMセルに
一括して書き込むデータ書込み手段と、nビットの画像
データをRAMセルアレイの所定番地のRAMセルから
一括して読み出すデータ読出し手段とを設けたことによ
り、複数個のnビット×nビットの画像データの±90
度回転処理を2系統のアドレス線およびデータ線を必要
としない通常のRAMセルで実現することができ、デー
タ変換装置の回路規模を小さくして面積を縮小すること
ができるとともに、配線長を短くしてクリティカルディ
レイを短縮することができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施例に係るデータ変換装置の構
成を示す回路図である。
成を示す回路図である。
【図2】図1中のRAMセルの構成を詳しく例示する回
路図である。
路図である。
【図3】本発明の第2実施例に係るデータ変換装置の構
成を示す回路図である。
成を示す回路図である。
【図4】図3中のRAMセルマトリクスの構成を詳しく
例示する図である。
例示する図である。
【図5】第2実施例のデータ変換装置による画像データ
の+90°回転処理の動作を例示する図である。
の+90°回転処理の動作を例示する図である。
【図6】第2実施例のデータ変換装置による画像データ
の−90°回転処理の動作を例示する図である。
の−90°回転処理の動作を例示する図である。
【図7】従来のデータ変換装置の一例を示す回路図であ
る。
る。
【図8】図7のデータ変換装置における○印字部分のR
AMセルの詳細な回路図である。
AMセルの詳細な回路図である。
【図9】図7のデータ変換装置における無印のRAMセ
ルの詳細な回路図である。
ルの詳細な回路図である。
100_1〜100_n2 RAMセル 101 データバス 103,104 Y方向セレクタ 105 X方向デコーダ 111〜11n,161〜16n,171〜17n デ
ータ線 131〜13n,151〜15n セレクト信号線 181〜18q セレクト信号線 200,200_1〜200_q RAMセルアレイ 300 RAMセルマトリクス 1211〜121n,1221〜122n,…,12n
1〜12nn,1411〜141n,1421〜142
n,…,14n1〜14nn トランスファーゲート
ータ線 131〜13n,151〜15n セレクト信号線 181〜18q セレクト信号線 200,200_1〜200_q RAMセルアレイ 300 RAMセルマトリクス 1211〜121n,1221〜122n,…,12n
1〜12nn,1411〜141n,1421〜142
n,…,14n1〜14nn トランスファーゲート
Claims (6)
- 【請求項1】 幅n(ビット)×高さn(ビット)の正
方形のq(q≧2の整数)個の画像データWDijp (i
=1〜n(行方向)、j=1〜n(列方向)、p=1〜
q(個数))を、+90度回転したq個の画像データR
Dlmp (l=1〜n(行方向)、m=1〜n(列方
向)、p=1〜q(個数))に変換する画像データ回転
処理を行うデータ変換装置において、 n2 個のRAMセルからなるRAMセルアレイのq個の
集合であるRAMセルマトリクスと、 このRAMセルマトリクスから1つのRAMセルアレイ
を選択するRAMセルアレイ選択手段と、 nビットの画像データWDijp (i=1〜n)を前記R
AMセルアレイ選択手段により選択されたp番目の前記
RAMセルアレイの{(i−1)n+j}番地(i=1
〜n)のRAMセルに一括して書き込むデータ書込み手
段と、 nビットの画像データRDlmp (l=1〜n)を前記R
AMセルアレイ選択手段により選択されたp番目の前記
RAMセルアレイの{n(n−m)+l}番地(l=1
〜n)のRAMセルから一括して読み出すデータ読出し
手段とを有することを特徴とするデータ変換装置。 - 【請求項2】 幅n(ビット)×高さn(ビット)の正
方形のq(q≧2の整数)個の画像データWDijp (i
=1〜n(行方向)、j=1〜n(列方向)、p=1〜
q(個数))を、−90度回転したq個の画像データR
Dlmp (l=1〜n(行方向)、m=1〜n(列方
向)、p=1〜q(個数))に変換する画像データ回転
処理を行うデータ変換装置において、 n2 個のRAMセルからなるRAMセルアレイのq個の
集合であるRAMセルマトリクスと、 このRAMセルマトリクスから1つのRAMセルアレイ
を選択するRAMセルアレイ選択手段と、 nビットの画像データWDijp (i=1〜n)を前記R
AMセルアレイ選択手段により選択されたp番目の前記
RAMセルアレイの{in−j+1}番地(i=1〜
n)のRAMセルに一括して書き込むデータ書込み手段
と、 nビットの画像データRDlmp (l=1〜n)を前記R
AMセルアレイ選択手段により選択されたp番目の前記
RAMセルアレイの{n(m−1)+l}番地(l=1
〜n)のRAMセルから一括して読み出すデータ読出し
手段とを有することを特徴とするデータ変換装置。 - 【請求項3】 前記データ書込み手段が、前記RAMセ
ルアレイの各RAMセルに接続されたデータ線と、これ
らデータ線を開閉するトランスファーゲートと、これら
トランスファーゲートの開閉を指示するセレクト信号線
と、これらセレクト信号線が導出されたY方向セレクタ
とからなる書込みバッファでなる請求項1または2記載
のデータ変換装置。 - 【請求項4】 前記データ読出し手段が、前記RAMセ
ルアレイの各RAMセルに接続されたデータ線と、これ
らデータ線を開閉するトランスファーゲートと、これら
トランスファーゲートの開閉を指示するセレクト信号線
と、これらセレクト信号線が導出されたY方向セレクタ
とからなる読出しバッファでなる請求項1または2記載
のデータ変換装置。 - 【請求項5】 前記RAMセルアレイ選択手段が、前記
RAMセルマトリクスの1つのRAMセルアレイを選択
するセレクト信号線と、これらセレクト信号線を導出す
るX方向デコーダとからなる請求項1または2記載のデ
ータ変換装置。 - 【請求項6】 前記RAMセルが、6トランジスタ構成
でなる請求項1または2記載のデータ変換装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6259177A JP2723056B2 (ja) | 1994-09-29 | 1994-09-29 | データ変換装置 |
US08/536,341 US5909222A (en) | 1994-09-29 | 1995-09-29 | Data transformation device |
KR1019950032764A KR100204851B1 (ko) | 1994-09-29 | 1995-09-29 | 데이타변환장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6259177A JP2723056B2 (ja) | 1994-09-29 | 1994-09-29 | データ変換装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0896122A JPH0896122A (ja) | 1996-04-12 |
JP2723056B2 true JP2723056B2 (ja) | 1998-03-09 |
Family
ID=17330438
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6259177A Expired - Lifetime JP2723056B2 (ja) | 1994-09-29 | 1994-09-29 | データ変換装置 |
Country Status (3)
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US (1) | US5909222A (ja) |
JP (1) | JP2723056B2 (ja) |
KR (1) | KR100204851B1 (ja) |
Families Citing this family (5)
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