JP2723056B2 - データ変換装置 - Google Patents

データ変換装置

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JP2723056B2
JP2723056B2 JP6259177A JP25917794A JP2723056B2 JP 2723056 B2 JP2723056 B2 JP 2723056B2 JP 6259177 A JP6259177 A JP 6259177A JP 25917794 A JP25917794 A JP 25917794A JP 2723056 B2 JP2723056 B2 JP 2723056B2
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ram
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    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
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    • G06F3/00Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/14Digital output to display device ; Cooperation and interconnection of the display device with other functional units
    • GPHYSICS
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はデータ変換装置に関し、
特に画像データの回転処理に用いるデータ変換装置に関
する。
【0002】
【従来の技術】従来の画像データの回転処理技術を、例
えば図7〜図9に示す。図7は従来のn(n≧2の整
数)ビット×nビットの画像データ回転処理に用いるデ
ータ変換装置を示し、図8は図7における○印字部分の
RAMセル(Random Access Memor
y)の詳細な回路図を示し、図9は図7における無印の
RAMセルの詳細な回路図を示す。
【0003】このような従来のデータ変換装置では、デ
ータの書込みは、アドレス選択デコーダ403により、
例えばアドレス線401_nが“H”になると、RAM
セル400_n0〜400_nnのアドレス線401が
“H”になり、402_1i〜402_niのデータが
データ線405および406によりRAMセル400_
n0〜400_nnにそれぞれ書き込まれる。このと
き、RAMセル400_n0のアドレス線401と40
2とが接続されているので、RAMセル400_n0〜
400_nnのアドレス線402が“H”になる。しか
し、データ線403および404はプリチャージ信号4
10によりプリチャージされているので、RAMセル4
00_00〜400_n0のデータは壊れることなくそ
のまま保持される。
【0004】データの読出しは、データ書込みの場合と
同様に、アドレス選択デコーダ403により、例えばア
ドレス線401_nが“H”になると、RAMセル40
0_n0〜400_nnのうちの選択されたアドレス線
401が“H”になり、またRAMセル400_00〜
400_n0のアドレス線402が“H”になる。この
とき、RAMセル400_n0〜400_nnのデータ
はデータ線405および406に読み出され、またRA
Mセル400_00〜400_n0のデータはデータ線
403および404に読み出される。
【0005】そして、回転信号411が“H”のときは
データ線403および404のデータが、“L”のとき
はデータ線405および406のデータが402_1o
〜402_noに出力されることにより、通常のRAM
としての機能と画像データ回転処理を行うデータ変換装
置(いわゆる回転RAM)としての機能とが実現されて
いた。
【0006】また、特開平4−33178号公報には、
ワークメモリの画素情報を画素単位で90度単位の任意
の角度で回転させるときに、CPUが画像情報をK画素
×L列の画素情報群に分割し、各画素情報群の各列の画
素情報をCPUのI/Oアドレス空間に各々割り付けら
れたL個のKビットの画像情報ラッチ回路に順次出力
し、L個のKビットの画像情報ラッチ回路の出力の同一
ビットが入力に接続されCPUのI/Oアドレス空間に
割り付けられたK個のLビットの回転ゲート回路から順
次読み出した後に画像情報を分割した画像情報群を一要
素として90度単位の所定の角度で回転したブロックに
書き込むようにした画像情報処理方式が開示されてい
る。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のデータ
変換装置では、特殊な8トランジスタのRAMセルを使
用し2系統のアドレス線およびデータ線を必要としてい
たので、回路規模が大きくなるという問題点があった。
また、2系統のアドレス線およびデータ線を使用するた
め、配線長が長くなりクリティカルディレイが大きくな
るという問題点があった。
【0008】一方、特開平4−33178号公報に開示
された画像情報処理方式では、画像情報ラッチ回路と回
転ゲート回路という画像データ回転処理のための回路を
必要とするので、回路規模が大きくなるという問題点が
ある。
【0009】本発明の目的は、上述の点に鑑み、画像デ
ータ回転処理に2系統のアドレス線およびデータ線を必
要としない通常のRAMセルからなるRAMセルアレイ
を使用するとともに読出し/書込み(R/W)バッファ
に特殊な論理を使用することで、回路規模が小さくてす
むとともにクリティカルディレイも小さくできるように
したデータ変換装置を提供することにある。
【0010】
【0011】
【0012】
【課題を解決するための手段】 本発明のデータ変換装置
は、幅n(ビット)×高さn(ビット)の正方形のq
(q≧2の整数)個の画像データWDijp (i=1〜n
(行方向)、j=1〜n(列方向)、p=1〜q(個
数))を、+90度回転したq個の画像データRDlmp
(l=1〜n(行方向)、m=1〜n(列方向)、p=
1〜q(個数))に変換する画像データ回転処理を行う
データ変換装置において、n2 個のRAMセルからなる
RAMセルアレイのq個の集合であるRAMセルマトリ
クスと、このRAMセルマトリクスから1つのRAMセ
ルアレイを選択するRAMセルアレイ選択手段と、nビ
ットの画像データWDijp (i=1〜n)を前記RAM
セルアレイ選択手段により選択されたp番目の前記RA
Mセルアレイの{(i−1)n+j}番地(i=1〜
n)のRAMセルに一括して書き込むデータ書込み手段
と、nビットの画像データRDlmp (l=1〜n)を前
記RAMセルアレイ選択手段により選択されたp番目の
前記RAMセルアレイの{n(n−m)+l}番地(l
=1〜n)のRAMセルから一括して読み出すデータ読
出し手段とを有する。
【0013】また、本発明のデータ変換装置は、幅n
(ビット)×高さn(ビット)の正方形のq(q≧2の
整数)個の画像データWDijp (i=1〜n(行方
向)、j=1〜n(列方向)、p=1〜q(個数))
を、−90度回転したq個の画像データRDlmp (l=
1〜n(行方向)、m=1〜n(列方向)、p=1〜q
(個数))に変換する画像データ回転処理を行うデータ
変換装置において、n2 個のRAMセルからなるRAM
セルアレイのq個の集合であるRAMセルマトリクス
と、このRAMセルマトリクスから1つのRAMセルア
レイを選択するRAMセルアレイ選択手段と、nビット
の画像データWDijp (i=1〜n)を前記RAMセル
アレイ選択手段により選択されたp番目の前記RAMセ
ルアレイの{in−j+1}番地(i=1〜n)のRA
Mセルに一括して書き込むデータ書込み手段と、nビッ
トの画像データRDlmp (l=1〜n)を前記RAMセ
ルアレイ選択手段により選択されたp番目の前記RAM
セルアレイの{n(m−1)+l}番地(l=1〜n)
のRAMセルから一括して読み出すデータ読出し手段と
を有する。
【0014】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して詳細に
説明する。
【0015】図1は、本発明の第1実施例に係るデータ
変換装置の構成を示す回路図である。本実施例のデータ
変換装置は、nビットのデータバス101と、データバ
ス101に接続されたn本の1ビットのデータ線111
〜11nと、各データ線111〜11nのn本の分岐線
にそれぞれ設けられたトランスファーゲート1211〜
121n,1221〜122n,…,12n1〜12n
nと、トランスファーゲート1211〜121n,12
21〜122n,…,12n1〜12nnを選択的に開
閉するセレクト信号線131〜13nと、セレクト信号
線131〜13nが導出されたY方向セレクタ103
と、n2 個のRAMセル100_1〜100_n2 から
なるRAMセルアレイ200と、RAMセルアレイ20
0の各RAMセル100_1〜100_n2 に接続され
たn本の1ビットのデータ線161〜16nのn本の分
岐線にそれぞれ設けられたトランスファーゲート141
1〜141n,1421〜142n,…,14n1〜1
4nnと、トランスファーゲート1411〜141n,
1421〜142n,…,14n1〜14nnを選択的
に開閉するセレクト信号線151〜15nと、セレクト
信号線151〜15nが導出されたY方向セレクタ10
4と、n本の1ビットのデータ線161〜16nが接続
されたセンスアンプ102と、センスアンプ102から
導出されてデータバス101に接続されたn本の1ビッ
トのデータ線171〜17nとから構成されている。
【0016】データ線111のn本の分岐線は、トラン
スファーゲート1211〜121nをそれぞれ介してR
AMセルアレイ200のRAMセル100_1〜100
_nに接続されている。同様に、各データ線112ない
し11nのn本の分岐線は、トランスファーゲート12
21〜122nないし12n1〜12nnをそれぞれ介
してRAMセルアレイ200のRAMセル100_n+
1〜100_2nないし100_n2 −n+1〜100
_n2 に接続されている。
【0017】セレクト信号線131は、各データ線11
1〜11nの1番目の分岐線に設けられたn個のトラン
スファーゲート1211〜12n1を一括して開閉する
ようになっている。同様に、セレクト信号線132ない
し13nは、各データ線111〜11nの2番目ないし
n番目の分岐線に設けられたn個のトランスファーゲー
ト1212〜12n2ないし121n〜12nnを一括
して開閉するようになっている。
【0018】データ線161のn本の分岐線は、トラン
スファーゲート1411〜14n1をそれぞれ介してR
AMセルアレイ200のRAMセル100_1,100
_n+1,…,100_n2 −n+1に接続されてい
る。同様に、各データ線162ないし16nのn本の分
岐線は、トランスファーゲート1412〜14n2ない
し141n〜14nnをそれぞれ介してRAMセルアレ
イ200のRAMセル100_2,100_n+2,
…,100_n2 −n+2ないし100_n,100_
2n,…,100_n2 に接続されている。
【0019】セレクト信号線151は、データ線161
〜16nの1番目の分岐線に設けられたn個のトランス
ファーゲート1411〜141nを一括して開閉するよ
うになっている。同様に、セレクト信号線152〜15
nは、各データ線162〜16nの2〜n番目の分岐線
に設けられたn個のトランスファーゲート1421〜1
42nないし14n1〜14nnを一括して開閉するよ
うになっている。
【0020】図2は、一般のスタティックRAMなどに
使用されるRAMセル100_k(1≦k≦n2 )の一
例を示す回路図である。このRAMセル100_kは、
いわゆるデプレション負荷型と呼ばれる6トランジスタ
構成のものであり、すでに公知のものであるので、その
詳しい動作については説明を割愛する。なお、RAMセ
ル100_kが、図2に示した構成のRAMセルに限定
されるものでないことはいうまでもない。
【0021】次に、このように構成された第1実施例の
データ変換装置の動作について説明する。
【0022】(1) 幅n(ビット)×高さn(ビッ
ト)の正方形の画像データWDij(i=1〜n(行方
向)、j=1〜n(列方向))を、+90度回転した画
像データRDlm(l=1〜n(行方向)、m=1〜n
(列方向))に変換する画像データ回転処理の場合
【0023】バスマスタ(図示せず)がデータバス10
1を介してデータ線111〜11nよりRAMセルアレ
イ200に1ワード(以下、行方向にnビットを1ワー
ドとする)の画像データWDij(i=1〜n)を転送す
るとき、Y方向セレクタ103からのセレクト信号線1
3jにより選択されたトランスファーゲート121j〜
12njが開放されてn個のRAMセル100_k(た
だし、k=(i−1)n+j;i=1〜n)に画像デー
タWDij(i=1〜n)が一括して書き込まれる。これ
を、j=1〜nについて同様に繰り返すことにより、R
AMセルアレイ200のすべてのRAMセル100_k
(k=1〜n2 )に画像データWDij(i=1〜n、j
=1〜n)が重なり合うことなしに書き込まれる。
【0024】次に、RAMセルアレイ200より1ワー
ドの画像データRDlm(l=1〜n)を読み出すとき、
Y方向セレクタ104からのセレクト信号線15mによ
り選択されたトランスファーゲート14m1〜14mn
が開放されて、RAMセル100_k(ただし、k=n
(n−m)+l;l=1〜n)からデータ線161〜1
6n,センスアンプ102およびデータ線171〜17
nを通り画像データRDlm(l=1〜n)がデータバス
101に読み出される。これを、m=1〜nについて同
様に繰り返すことにより、RAMセルアレイ200のす
べてのRAMセル100_k(k=1〜n2 )から画像
データRDlm(l=1〜n、m=1〜n)がすべて欠け
ることなしに読み出される。
【0025】この結果、画像データWDij(i=1〜
n、j=1〜n)を、+90度回転処理した画像データ
RDlm(l=1〜n、m=1〜n)を得ることができ
る。
【0026】(2) 幅n(ビット)×高さn(ビッ
ト)の正方形の画像データWDij(i=1〜n(行方
向)、j=1〜n(列方向))を、−90度回転した画
像データRDlm(l=1〜n(行方向)、m=1〜n
(列方向))に変換する画像データ回転処理の場合
【0027】バスマスタ(図示せず)がデータバス10
1を介してデータ線111〜11nよりRAMセルアレ
イ200に1ワードの画像データWDij(i=1〜n)
を転送するとき、Y方向セレクタ103からのセレクト
信号線13jにより選択されたトランスファーゲート1
21j〜12njが開放されてn個のRAMセル100
_k(ただし、k=in−j+1;i=1〜n)に画像
データWDij(i=1〜n)が一括して書き込まれる。
これを、j=n〜1についてセレクト信号線13n〜1
31を順次アクティブにして同様に繰り返すことによ
り、RAMセルアレイ200のすべてのRAMセル10
0_k(k=1〜n2 )に画像データWDij(i=1〜
n、j=1〜n)が重なり合うことなしに書き込まれ
る。
【0028】次に、RAMセルアレイ200より1ワー
ドの画像データRDlm(l=1〜n)を読み出すとき、
Y方向セレクタ104からのセレクト信号線15mによ
り選択されたトランスファーゲート14m1〜14mn
が開放されて、RAMセル100_k(ただし、k=n
(m−1)+l;l=1〜n)からデータ線161〜1
6n,センスアンプ102およびデータ線171〜17
nを通り画像データRDlm(l=1〜n)がデータバス
101に読み出される。これを、m=1〜nについて同
様に繰り返すことにより、RAMセルアレイ200のす
べてのRAMセル100_k(k=1〜n2 )から画像
データRDlm(l=1〜n、m=1〜n)がすべて欠け
ることなしに読み出される。
【0029】この結果、画像データWDij(i=1〜
n、j=1〜n)を、−90度回転処理した画像データ
RDlm(l=1〜n、m=1〜n)を得ることができ
る。
【0030】図3は、本発明の第2実施例に係るデータ
変換装置の構成を示す回路図である。本実施例のデータ
変換装置は、図1に示した第1実施例のデータ変換装置
におけるRAMセルアレイ200をRAMセルマトリク
ス300に置換するとともに、RAMセルマトリクス3
00中のq(q≧2の整数)個のRAMセルアレイ20
0_1〜200_q(図4参照)のうちの1つを選択す
るセレクト信号線181〜18qを導出するX方向デコ
ーダ105を追加するようにしたものである。RAMセ
ルマトリクス300は、図4に示すように、q個のRA
Mセルアレイ200_1〜200_qの集合であり、各
RAMセルアレイ200_1〜200_qはRAMセル
100_1〜100_n2 のn2 ビットの集合でなる。
なお、その他の部分は、第1実施例のデータ変換装置に
おける対応部分と同一なので、対応する部分には同一符
号を付してそれらの詳しい説明を省略する。
【0031】次に、このように構成された第2実施例の
データ変換装置の動作について説明する。
【0032】(3) 幅n(ビット)×高さn(ビッ
ト)の正方形のq個の画像データWDijp (i=1〜n
(行方向)、j=1〜n(列方向)、p=1〜q(個
数))を+90度回転したq個の画像データRD
lmp (l=1〜n(行方向)、m=1〜n(列方向)、
p=1〜q(個数))に変換する画像データ回転処理の
場合
【0033】まず、X方向デコーダ105からセレクト
信号線18pをアクティブにしてRAMセルマトリクス
300中のp番目のRAMセルアレイ200_pを選択
する。この状態からバスマスタ(図示せず)がデータバ
ス101を介してデータ線111〜11nよりRAMセ
ルアレイ200_pに1ワードの画像データWD
ijp(i=1〜n)を転送するとき、Y方向セレクタ1
03からのセレクト信号線13jにより選択されたトラ
ンスファーゲート121j〜12njが開放されてn個
のRAMセル100_k(ただし、k=(i−1)n+
j;i=1〜n)に画像データWDij(i=1〜n)が
一括して書き込まれる。これを、j=1〜nについて同
様に繰り返すことにより、RAMセルアレイ200_p
のすべてのRAMセル100_k(k=1〜n2 )に画
像データWDijp (i=1〜n、j=1〜n)が重なり
合うことなしに書き込まれる。さらにこれを、p=1〜
qについて繰り返すことにより、q個の画像データWD
ijp (i=1〜n、j=1〜n、p=1〜q)がRAM
セルマトリクス300のすべてのRAMセルアレイ20
0_p(p=1〜q)のすべてのRAMセル100_k
(k=1〜n2 )に重なり合うことなしに書き込まれ
る。
【0034】次に、X方向デコーダ105からセレクト
信号線18pをアクティブにしてRAMセルマトリクス
300中のp番目のRAMセルアレイ200_pを選択
する。この状態からRAMセルアレイ200_pより1
ワードの画像データRDlmp(l=1〜n)を読み出す
とき、Y方向セレクタ104からのセレクト信号線15
mにより選択されたトランスファーゲート14m1〜1
4mnが開放されて、RAMセル100_k(ただし、
k=n(n−m)+l;l=1〜n)からデータ線16
1〜16n,センスアンプ102およびデータ線171
〜17nを通り画像データRDlmp (l=1〜n)がデ
ータバス101に読み出される。これを、m=1〜nに
ついて同様に繰り返すことにより、RAMセルアレイ2
00_pのすべてのRAMセル100_k(k=1〜n
2 )から画像データRDlm1 (l=1〜n、m=1〜
n)がすべて欠けることなしに読み出される。さらにこ
れを、p=1〜qについて繰り返すことにより、q個の
画像データWDijp (i=1〜n、j=1〜n、p=1
〜q)がRAMセルマトリクス300のすべてのRAM
セルアレイ200_p(p=1〜q)のすべてのRAM
セル100_k(k=1〜n2 )から欠けることなしに
読み出される。
【0035】この結果、q個の画像データWDijp (i
=1〜n、j=1〜n、p=1〜q)を、+90度回転
処理したq個の画像データRDlmp (l=1〜n、m=
1〜n、p=1〜q)を得ることができる。
【0036】(4) 幅n(ビット)×高さn(ビッ
ト)の正方形のq個の画像データWDijp (i=1〜n
(行方向)、j=1〜n(列方向)、p=1〜q(個
数))を−90度回転したq個の画像データRD
lmp (l=1〜n(行方向)、m=1〜n(列方向)、
p=1〜q(個数))に変換する画像データ回転処理の
場合
【0037】まず、X方向デコーダ105からセレクト
信号線18pをアクティブにしてRAMセルマトリクス
300中のp番目のRAMセルアレイ200_pを選択
する。この状態からバスマスタ(図示せず)がデータバ
ス101を介してデータ線111〜11nよりRAMセ
ルアレイ200_pに1ワードの画像データWD
ijp(i=1〜n)を転送するとき、Y方向セレクタ1
03からのセレクト信号線13jにより選択されたトラ
ンスファーゲート121j〜12njが開放されてn個
のRAMセル100_k(ただし、k=in−j+1;
i=1〜n)に画像データWDijp (i=1〜n)が一
括して書き込まれる。これを、j=n〜1について同様
に繰り返すことにより、RAMセルアレイ200_pの
すべてのRAMセル100_k(k=1〜n2 )に画像
データWDijp (i=1〜n、j=1〜n)が重なり合
うことなしに書き込まれる。さらにこれを、p=1〜q
について繰り返すことにより、q個の画像データWD
ijp (i=1〜n、j=1〜n、p=1〜q)がRAM
セルマトリクス300のすべてのRAMセルアレイ20
0_p(p=1〜q)のすべてのRAMセル100_k
(k=1〜n2 )に重なり合うことなしに書き込まれ
る。
【0038】次に、X方向デコーダ105からセレクト
信号線18pをアクティブにしてRAMセルマトリクス
300中のp番目のRAMセルアレイ200_pを選択
する。この状態からRAMセルアレイ200_pより1
ワードの画像データRDljp(l=1〜n)を読み出す
とき、Y方向セレクタ104からのセレクト信号線15
pにより選択されたトランスファーゲート141j〜1
4njが開放されて、RAMセル100_k(ただし、
k=n(n−m)+l;l=1〜n)からデータ線16
1〜16n,センスアンプ102およびデータ線171
〜17nを通り画像データRDlmp (l=1〜n)がデ
ータバス101に読み出される。これを、m=1〜nに
ついて同様に繰り返すことにより、RAMセルアレイ2
00_1のすべてのRAMセル100_k(k=1〜n
2 )から画像データRDlmp (l=1〜n、m=1〜
n)がすべて欠けることなしに読み出される。さらにこ
れを、p=1〜qについて繰り返すことにより、q個の
画像データWDijp (i=1〜n、j=1〜n、p=1
〜q)がRAMセルマトリクス300のすべてのRAM
セルアレイ200_p(p=1〜q)のすべてのRAM
セル100_k(k=1〜n2 )から欠けることなしに
読み出される。
【0039】この結果、q個の画像データWDijp (i
=1〜n、j=1〜n、p=1〜q)を、−90度回転
処理したq個の画像データRDlmp (l=1〜n、m=
1〜n、p=1〜q)を得ることができる。
【0040】図5および図6は、第2実施例のデータ変
換装置において、2個の4ビット×4ビットの画像デー
タを±90度回転処理する場合の動作例を示す図であ
る。
【0041】図5を参照しながら+90度回転処理する
場合について説明すると、まず、セレクト信号線181
をアクティブとして、RAMセルマトリクス300中の
RAMセルアレイ200_1を選択する。この状態から
バスマスタがデータ線111〜114よりRAMセルア
レイ200_1に1ワードの画像データ(11,12,
13,14)(ここで、11,12,13,14等は画
像データの位置を示す。以下同様)を転送するとき、セ
レクト信号線131により選択されたトランスファーゲ
ート1211,1221,1231および1241が開
放されて、画像データ(11,12,13,14)がR
AMセルアレイ200_1のRAMセル100_1,1
00_5,100_9および100_13にそれぞれ書
き込まれる。同様にして、画像データ(21,22,2
3,24)がセレクト信号線132により選択されたト
ランスファーゲート1212,1222,1232およ
び1242を介してRAMセルアレイ200_1のRA
Mセル100_2,100_6,100_10および1
00_14にそれぞれ書き込まれる。同様にして、画像
データ(31,32,33,34)がセレクト信号線1
33により選択されたトランスファーゲート1213,
1223,1233および1243を介してRAMセル
アレイ200_1のRAMセル100_3,100_
7,100_11および100_15にそれぞれ書き込
まれる。同様にして、画像データ(41,42,43,
44)がセレクト信号線134により選択されたトラン
スファーゲート1214,1224,1234および1
244を介してRAMセルアレイ200_1のRAMセ
ル100_4,100_8,100_12および100
_16にそれぞれ書き込まれる。これにより、4ビット
×4ビットの画像データがRAMセルアレイ200_1
のすべてのRAMセル100_1〜100_16に重な
り合うことなしに書き込まれたことになる。次に、セレ
クト信号線182をアクティブとして、RAMセルマト
リクス300中のRAMセルアレイ200_2を選択し
た状態から、同様にして、画像データ(11’,1
2’,13’,14’),(21’,22’,23’,
24’),(31’,32’,33’,34’)および
(41’,42’,43’,44’)を順次転送する
と、4ビット×4ビットの画像データがRAMセルアレ
イ200_2のすべてのRAMセル100_1〜100
_16に重なり合うことなしに書き込まれたことにな
る。この結果、2個の4ビット×4ビットの画像データ
がRAMセルマトリクス300に図5に示すように格納
される。
【0042】次に、セレクト信号線181をアクティブ
として、RAMセルマトリクス300のRAMセルアレ
イ200_1を選択する。この状態から、セレクト信号
線154をアクティブとしてRAMセルアレイ200_
1より1ワードの画像データを読み出すと、セレクト信
号線154により選択されたトランスファーゲート14
41〜1444が開放してRAMセルアレイ200_1
のRAMセル100_13,100_14,100_1
5および100_16から画像データ(14,24,3
4,44)が読み出されデータバス101に転送され
る。続いて、セレクト信号線153,152および15
1を順次アクティブとしてRAMセルアレイ200_1
より1ワードの画像データを読み出すと、セレクト信号
線153,152および151により選択されたトラン
スファーゲート1431〜1434,1421〜142
4および1411〜1414が順次開放してRAMセル
アレイ200_1のRAMセル100_9,100_1
0,100_11および100_12,RAMセル10
0_5,100_6,100_7および100_8,な
らびにRAMセル100_1,100_2,100_3
および100_4から画像データ(13,23,33,
43),(12,22,32,42)および(11,2
1,31,41)が順次読み出されデータバス101に
転送される。これにより、RAMセル200_1のRA
Mセル100_1〜100_16上の4ビット×4ビッ
トの画像データが欠けることなく読み出される。次に、
セレクト信号線182をアクティブとして、RAMセル
マトリクス300のRAMセルアレイ200_2につい
て同様の処理を繰り返すことにより、RAMセルアレイ
200_2のRAMセル100_1〜100_16から
画像データ(14’,24’,34’,44’),(1
3’,23’,33’,43’),(12’,22’,
32’,42’)および(14’,24’,34’,4
4’)がこの順に読み出されてデータバス101に転送
される。これにより、RAMセルアレイ200_2のR
AMセル100_1〜100_16上の4ビット×4ビ
ットの画像データが欠けることなく読み出される。この
結果、図5中に示すような+90度回転した2個の画像
データを得ることができる。
【0043】図6を参照しながら−90度回転処理する
場合について説明すると、まず、セレクト信号線181
をアクティブとして、RAMセルマトリクス300中の
RAMセルアレイ200_1を選択する。この状態から
バスマスタがデータ線111〜114よりRAMセルア
レイ200_1に1ワードの画像データ(11,12,
13,14)を転送するとき、セレクト信号線134に
より選択されたトランスファーゲート1214,122
4,1234および1244が開放されて、画像データ
(11,12,13,14)がRAMセルアレイ200
_1のRAMセル100_4,100_8,100_1
2および100_16にそれぞれ書き込まれる。同様に
して、画像データ(21,22,23,24)がセレク
ト信号線133により選択されたトランスファーゲート
1213,1223,1233および1243を介して
RAMセルアレイ200_1のRAMセル100_3,
100_7,100_11および100_15にそれぞ
れ書き込まれる。同様にして、画像データ(31,3
2,33,34)がセレクト信号線132により選択さ
れたトランスファーゲート1212,1222,123
2および1242を介してRAMセルアレイ200_1
のRAMセル100_2,100_6,100_10お
よび100_14にそれぞれ書き込まれる。同様にし
て、画像データ(41,42,43,44)がセレクト
信号線131により選択されたトランスファーゲート1
211,1221,1231および1241を介してR
AMセルアレイ200_1のRAMセル100_1,1
00_5,100_9および100_13にそれぞれ書
き込まれる。これにより、4ビット×4ビットの画像デ
ータがRAMセルアレイ200_1のすべてのRAMセ
ル100_1〜100_16に重なり合うことなしに書
き込まれたことになる。次に、セレクト信号線182を
アクティブとして、RAMセルマトリクス300中のR
AMセルアレイ100_2を選択した状態から、同様に
して、画像データ(11’,12’,13’,1
4’),(21’,22’,23’,24’),(3
1’,32’,33’,34’)および(41’,4
2’,43’,44’)を順次転送すると、4ビット×
4ビットの画像データがRAMセルアレイ200_2の
すべてのRAMセル100_1〜100_16に重なり
合うことなしに書き込まれたことになる。この結果、2
個の4ビット×4ビットの画像データがRAMセルマト
リクス300に図6に示すように格納される。
【0044】次に、セレクト信号線181をアクティブ
として、RAMセルマトリクス300のRAMセルアレ
イ200_1を選択する。この状態から、セレクト信号
線151をアクティブとしてRAMセルアレイ200_
1より1ワードの画像データを読み出すと、セレクト信
号線151により選択されたトランスファーゲート14
11〜1414が開放してRAMセルアレイ200_1
のRAMセル100_1,100_2,100_3およ
び100_4から画像データ(41,31,21,1
1)が読み出されデータバス101に転送される。続い
て、セレクト信号線152,153および154を順次
アクティブとしてRAMセルアレイ200_1より1ワ
ードの画像データを読み出すと、セレクト信号線15
2,153および154により選択されたトランスファ
ーゲート1421〜1424,1431〜1434およ
び1441〜1444が順次開放してRAMセルアレイ
200_1のRAMセル100_5,100_6,10
0_7および100_8,RAMセル100_9,10
0_10,100_11および100_12,ならびに
RAMセル100_13,100_14,100_15
および100_16から画像データ(42,32,2
2,12),(43,33,23,13)および(4
4,34,24,14)が順次読み出されデータバス1
01に転送される。これにより、RAMセル200_1
のRAMセル100_1〜100_16上の4ビット×
4ビットの画像データが欠けることなく読み出される。
次に、セレクト信号線182をアクティブとして、RA
Mセルマトリクス300のRAMセルアレイ200_2
について同様の処理を繰り返すことにより、RAMセル
アレイ200_2のRAMセル100_1〜100_1
6から画像データ(41’,31’,21’,1
1’),(42’,32’,22’,12’),(4
3’,33’,23’,13’)および(44’,3
4’,24’,14’)がこの順に読み出されてデータ
バス101に転送される。これにより、RAMセルアレ
イ200_2のRAMセル100_1〜100_16上
の4ビット×4ビットの画像データが欠けることなく読
み出される。この結果、図6中に示すような−90度回
転した2個の画像データを得ることができる。
【0045】特に、本発明のデータ変換装置をプリント
バッファに適用することにより、画像データを±90度
回転してプリントヘッドに直接転送する場合などに利用
できる。
【0046】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、n2 個の
RAMセルからなるRAMセルアレイと、nビットの画
像データをRAMセルアレイの所定番地のRAMセルに
一括して書き込むデータ書込み手段と、nビットの画像
データをRAMセルアレイの所定番地のRAMセルから
一括して読み出すデータ読出し手段とを設けたことによ
り、nビット×nビットの画像データの±90度回転処
理を2系統のアドレス線およびデータ線を必要としない
通常のRAMセルで実現することができ、データ変換装
置の回路規模を小さくして面積を縮小することができる
という効果がある。面積については、6トランジスタ構
成のRAMセルを使用した場合には、従来の8トランジ
スタ構成のRAMセルを使用したデータ変換装置に比べ
て、30〜40%の縮小が可能である。また、配線長を
短くしてクリティカルディレイを短縮することができる
という効果がある。
【0047】また、n2 個のRAMセルからなるRAM
セルアレイの複数個の集合であるRAMセルマトリクス
と、RAMセルマトリクスから1つのRAMセルアレイ
を選択するRAMセルアレイ選択手段と、nビットの画
像データをRAMセルアレイの所定番地のRAMセルに
一括して書き込むデータ書込み手段と、nビットの画像
データをRAMセルアレイの所定番地のRAMセルから
一括して読み出すデータ読出し手段とを設けたことによ
り、複数個のnビット×nビットの画像データの±90
度回転処理を2系統のアドレス線およびデータ線を必要
としない通常のRAMセルで実現することができ、デー
タ変換装置の回路規模を小さくして面積を縮小すること
ができるとともに、配線長を短くしてクリティカルディ
レイを短縮することができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施例に係るデータ変換装置の構
成を示す回路図である。
【図2】図1中のRAMセルの構成を詳しく例示する回
路図である。
【図3】本発明の第2実施例に係るデータ変換装置の構
成を示す回路図である。
【図4】図3中のRAMセルマトリクスの構成を詳しく
例示する図である。
【図5】第2実施例のデータ変換装置による画像データ
の+90°回転処理の動作を例示する図である。
【図6】第2実施例のデータ変換装置による画像データ
の−90°回転処理の動作を例示する図である。
【図7】従来のデータ変換装置の一例を示す回路図であ
る。
【図8】図7のデータ変換装置における○印字部分のR
AMセルの詳細な回路図である。
【図9】図7のデータ変換装置における無印のRAMセ
ルの詳細な回路図である。
【符号の説明】
100_1〜100_n2 RAMセル 101 データバス 103,104 Y方向セレクタ 105 X方向デコーダ 111〜11n,161〜16n,171〜17n デ
ータ線 131〜13n,151〜15n セレクト信号線 181〜18q セレクト信号線 200,200_1〜200_q RAMセルアレイ 300 RAMセルマトリクス 1211〜121n,1221〜122n,…,12n
1〜12nn,1411〜141n,1421〜142
n,…,14n1〜14nn トランスファーゲート

Claims (6)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 幅n(ビット)×高さn(ビット)の正
    方形のq(q≧2の整数)個の画像データWDijp (i
    =1〜n(行方向)、j=1〜n(列方向)、p=1〜
    q(個数))を、+90度回転したq個の画像データR
    lmp (l=1〜n(行方向)、m=1〜n(列方
    向)、p=1〜q(個数))に変換する画像データ回転
    処理を行うデータ変換装置において、 n2 個のRAMセルからなるRAMセルアレイのq個の
    集合であるRAMセルマトリクスと、 このRAMセルマトリクスから1つのRAMセルアレイ
    を選択するRAMセルアレイ選択手段と、 nビットの画像データWDijp (i=1〜n)を前記R
    AMセルアレイ選択手段により選択されたp番目の前記
    RAMセルアレイの{(i−1)n+j}番地(i=1
    〜n)のRAMセルに一括して書き込むデータ書込み手
    段と、 nビットの画像データRDlmp (l=1〜n)を前記R
    AMセルアレイ選択手段により選択されたp番目の前記
    RAMセルアレイの{n(n−m)+l}番地(l=1
    〜n)のRAMセルから一括して読み出すデータ読出し
    手段とを有することを特徴とするデータ変換装置。
  2. 【請求項2】 幅n(ビット)×高さn(ビット)の正
    方形のq(q≧2の整数)個の画像データWDijp (i
    =1〜n(行方向)、j=1〜n(列方向)、p=1〜
    q(個数))を、−90度回転したq個の画像データR
    lmp (l=1〜n(行方向)、m=1〜n(列方
    向)、p=1〜q(個数))に変換する画像データ回転
    処理を行うデータ変換装置において、 n2 個のRAMセルからなるRAMセルアレイのq個の
    集合であるRAMセルマトリクスと、 このRAMセルマトリクスから1つのRAMセルアレイ
    を選択するRAMセルアレイ選択手段と、 nビットの画像データWDijp (i=1〜n)を前記R
    AMセルアレイ選択手段により選択されたp番目の前記
    RAMセルアレイの{in−j+1}番地(i=1〜
    n)のRAMセルに一括して書き込むデータ書込み手段
    と、 nビットの画像データRDlmp (l=1〜n)を前記R
    AMセルアレイ選択手段により選択されたp番目の前記
    RAMセルアレイの{n(m−1)+l}番地(l=1
    〜n)のRAMセルから一括して読み出すデータ読出し
    手段とを有することを特徴とするデータ変換装置。
  3. 【請求項3】 前記データ書込み手段が、前記RAMセ
    ルアレイの各RAMセルに接続されたデータ線と、これ
    らデータ線を開閉するトランスファーゲートと、これら
    トランスファーゲートの開閉を指示するセレクト信号線
    と、これらセレクト信号線が導出されたY方向セレクタ
    とからなる書込みバッファでなる請求項1または2記載
    のデータ変換装置。
  4. 【請求項4】 前記データ読出し手段が、前記RAMセ
    ルアレイの各RAMセルに接続されたデータ線と、これ
    らデータ線を開閉するトランスファーゲートと、これら
    トランスファーゲートの開閉を指示するセレクト信号線
    と、これらセレクト信号線が導出されたY方向セレクタ
    とからなる読出しバッファでなる請求項1または2記載
    のデータ変換装置。
  5. 【請求項5】 前記RAMセルアレイ選択手段が、前記
    RAMセルマトリクスの1つのRAMセルアレイを選択
    するセレクト信号線と、これらセレクト信号線を導出す
    るX方向デコーダとからなる請求項1または2記載のデ
    ータ変換装置。
  6. 【請求項6】 前記RAMセルが、6トランジスタ構成
    でなる請求項1または2記載のデータ変換装置。
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