JP2719856B2 - Backfire helical antenna - Google Patents

Backfire helical antenna

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JP2719856B2
JP2719856B2 JP16597691A JP16597691A JP2719856B2 JP 2719856 B2 JP2719856 B2 JP 2719856B2 JP 16597691 A JP16597691 A JP 16597691A JP 16597691 A JP16597691 A JP 16597691A JP 2719856 B2 JP2719856 B2 JP 2719856B2
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裕彦 山本
啓二朗 東
裕幸 武部
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シャープ株式会社
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Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【産業上の利用分野】この発明は、たとえばGPS等のナビゲーションシステムで使用されるバックファイアヘリカルアンテナに関するものである。 BACKGROUND OF THE INVENTION This invention is, for example relates to backfire helical antennas for use in a navigation system such as GPS.

【0002】 [0002]

【従来の技術】近年情報化社会の発達と共に、移動体通信、衛星通信が盛んになるとともに、人工衛星の電波を受信し移動体の位置、速度を検出するGPS等のナビゲーションシステムが実用化されている。 With BACKGROUND ART recent development of information society, mobile communication, together with the satellite communication becomes popular, the position of the receiving radio waves of the satellite mobile, navigation system such as GPS for detecting the speed is practically ing. GPSでは、L In GPS, L
バンド帯の周波数の電波が使用され、受信アンテナとしてはバックファイアヘリカルアンテナやスパイラルアンテナ等が実用化されている。 Used radio frequency band band, such as a back-fire helical antenna or a spiral antenna has been put into practical use as a receiving antenna.

【0003】図6は、従来のバックファイアヘリカルアンテナの斜視図である。 [0003] Figure 6 is a perspective view of a conventional back-fire helical antenna. 円筒形状をし、誘電体であるボビン1の外周には、フレキシブル基板フィルム3が巻付けられている。 A cylindrical shape, the outer periphery of the bobbin 1 is a dielectric, flexible substrate film 3 is wound. ボビン1はフレキシブル基板フィルム3 Bobbin 1 is a flexible substrate film 3
を円筒状に保持する役目を有する。 The has a role to hold a cylindrical shape. フレキシブル基板フィルム3の表面には、螺旋状をした4本の螺旋放射導体5、7、9、11がエッチングによって形成されている。 On the surface of the flexible substrate film 3, four helical radiating conductor 5, 7, 9, 11 in which the spiral is formed by etching.

【0004】ボビン1の円筒の中心軸の位置には、同軸ケーブル38が配置されている。 [0004] position of the center axis of the cylinder of the bobbin 1, the coaxial cable 38 is disposed. 同軸ケーブル38は、 Coaxial cable 38,
同軸中心導体39と、同軸中心導体39の周囲に設けられた絶縁体41と、絶縁体41の周囲に設けられた同軸外導体43とを備えている。 A coaxial center conductor 39, an insulator 41 provided around the coaxial center conductor 39 and a coaxial outer conductor 43 disposed around the insulator 41.

【0005】同軸中心導体39の第1端部には、アーム13が半田45によって半田付けされている。 [0005] first end of the coaxial central conductor 39, the arm 13 is soldered by solder 45. アーム1 Arm 1
3の第1端部15には、螺旋放射導体5の第1端部23 3 of the first end portion 15, first end 23 of the helical radiation conductor 5
が半田19によって半田付けされている。 There has been soldered by the solder 19. アーム13の第2端部17には、螺旋放射導体7の第1端部25が半田(図示せず)によって半田付けされている。 The second end 17 of the arm 13, the first end 25 of the spiral radiating conductor 7 is soldered with solder (not shown).

【0006】同軸外導体43の第1端部には、アーム2 [0006] first end of the coaxial outer conductor 43, the arm 2
7が半田47によって半田付けされている。 7 is soldered by solder 47. アーム27 Arm 27
の第1端部29には、螺旋放射導体9の第1端部35が半田33によって半田付けされている。 The first end 29 of the first end 35 of the spiral radiating conductor 9 is soldered by solder 33. アーム27の第2端部31には、螺旋放射導体11の第1端部37が半田(図示せず)によって半田付けされている。 The second end 31 of the arm 27, first end 37 of the spiral radiating conductor 11 is soldered by solder (not shown).

【0007】同軸外導体43には、後部接続片49が半田によって半田付けされている。 [0007] coaxial outer conductor 43, a rear connecting piece 49 is soldered by solder. 後部接続片49の第1 The first rear connection piece 49
接続部51、第2接続部53、第3接続部55、第4接続部57には、それぞれ、螺旋放射導体11の第2端部59、螺旋放射導体7の第2端部61、螺旋放射導体5 Connecting portions 51, second connecting portion 53, the third connection portion 55, the fourth connection portion 57, respectively, the second end 59 of the spiral radiating conductor 11, the second end 61 of the spiral radiating conductor 7, a spiral radiation conductor 5
の第2端部63、螺旋放射導体9の第2端部65が半田付けされている。 The second end 63 of the second end 65 of the spiral radiating conductor 9 is soldered. 67、69は半田である。 67 and 69 is a solder. 螺旋放射導体5、7、9、11はボビン1の周りを巻くように形成されている。 Helical radiation conductor 5, 7, 9, 11 are formed so as to wrap around the bobbin 1.

【0008】図6に示すヘリカルアンテナ動作を以下説明する。 [0008] The helical antenna operation shown in FIG. 6 will be described below. 螺旋放射導体5、11、アーム13、27および後部接続片49により構成される第1のループの全長が使用する波長よりやや長く設定されるとともに、螺旋放射導体7、9、アーム13、27および後部接続片4 Helical radiation conductor 5 and 11, with the total length of the first loop constituted by the arms 13 and 27 and rear connecting piece 49 is slightly longer set than the wavelength to be used, the helical radiating conductor 7,9, arms 13 and 27 and rear connection piece 4
9により構成される第2のループの全長が使用する波長よりもやや短く設定されており、使用波長において、長いほうの第1のループが容量性インピーダンスを呈するとともに、短いほうの第2のループが誘導性インピーダンスを呈する。 9 is set slightly shorter than the wavelength to be used is the total length of the second loop formed by, in the use wavelength, with the longer first loop exhibits capacitive impedance, the shorter the second loop There exhibiting an inductive impedance.

【0009】このため、両ループの全長の長さに適宜の差を設けることにより、両ループが並列に給電されているにもかかわらず、互いに隣接する螺旋放射導体5、 [0009] Thus, by providing an appropriate difference in the total length of the two loops, despite both loops are powered in parallel, helical radiation conductor 5 adjacent to each other,
7、9、11に流れる各電流の間に互いに90度の位相差を持たせることができ、円偏波が効率よく放射される。 Phase difference of 90 degrees from each other between each current flowing through the 7, 9, 11 can have a circular polarization is efficiently radiated.

【0010】図7は、同軸中心導体39の断面図で、図8は絶縁体41の断面図である。 [0010] Figure 7 is a cross-sectional view of the coaxial central conductor 39, FIG. 8 is a sectional view of the insulator 41. 同軸中心導体39は、 Coaxial center conductor 39,
アーム13との接続部である給電部75からλ g /4の長さだけ直径が異なる構成をしている。 By a length diameter from the feeding portion 75 lambda g / 4 is a different configuration which is a connection portion of the arm 13. この部分を1/ This part 1 /
4波長変成器71という。 Of 4-wavelength transformer 71. 1/4波長変成器71は、同軸ケーブル38のインピーダンスと螺旋放射導体5、 Quarter-wave transformer 71, the impedance and the spiral radiating conductor 5 of the coaxial cable 38,
7、9、11のインピーダンスとの整合をとる役目を果たす。 It serves to take the matching of the impedance of 7, 9, 11. 絶縁体41の同軸中心導体39が挿入される空洞部73は、同軸中心導体39の形状に合うように加工されている。 Cavity 73 coaxial central conductor 39 of the insulator 41 is inserted is processed to match the shape of the coaxial central conductor 39.

【0011】 [0011]

【発明が解決しようとする課題】しかし、同軸中心導体39や空洞部73を図7、図8に示すような形状に加工するのは難しく、このためバックファイアヘリカルアンテナの生産性が悪かった。 [SUMMARY OF THE INVENTION] However, Figure 7 a coaxial center conductor 39 and the cavity 73, is difficult to process the shape shown in FIG. 8, the productivity of this for backfire helical antenna is poor.

【0012】この発明は、従来の問題点を解決するためになされたものである。 [0012] This invention has been made to solve the conventional problems. この発明の目的は、生産性の向上を図ることができ、小型化が可能なバックファイアヘリカルアンテナを提供することである。 The purpose of this invention, it is possible to improve the productivity is to provide a backfire helical antenna can be downsized.

【0013】 [0013]

【課題を解決するための手段】請求項1に記載の発明は、螺旋状に配置された第1および第2放射導体を備えたバックファイアヘリカルアンテナであって、主表面および裏面を有する誘電体基板と、主表面上に形成されたストリップ線路と、裏面に形成された導電性地板とを有するストリップ線路と、主表面上に形成され第1および第2放射導体のインピーダンスとストリップ線路のインピーダンスとの整合をとる変成手段とを備えている。 SUMMARY OF THE INVENTION The invention described in claim 1 is a backfire helical antenna with first and second radiation conductors arranged helically, the dielectric having a main surface and a back surface a substrate, a strip line formed on the main surface, the impedance of the strip line and, formed on the main surface the first and second radiation conductors of the impedance the strip line having a formed on the rear surface conductive ground plane and a transformer means for taking matching.

【0014】第1および第2放射導体は、変成手段を含むストリップ線路を中心としてストリップ線路を覆うように螺旋状に配置されている。 [0014] The first and second radiation conductors are arranged in a spiral shape so as to cover the strip line around a strip line including a transformer means. 第1放射導体の第1端部は変成手段と接続され、第2端部は導電性地板と接続されている。 The first end of the first radiation conductor is connected to the transformer means, the second end is connected to the conductive ground plane. 第2放射導体の第1および第2端部は導電性地板と接続されている。 First and second ends of the second radiating conductor is connected to the conductive ground plane. 請求項2に記載の発明は、請求項1記載のバックファイアヘリカルアンテナであって、 According to a second aspect of the invention, a backfire helical antenna according to claim 1,
誘電体基板はさらに主表面上にストリップ線路と変成手段との間に低雑音増幅器が形成される。 Low noise amplifier is formed between the strip line and the transformer means to the dielectric substrate further main surface.

【0015】 [0015]

【作用】この発明に従ったバックファイアヘリカルアンテナは、同軸ケーブルの代わりにスリップ線路を用いている。 [Action] backfire helical antenna according to the invention uses a slip line in place of the coaxial cable. 誘電体基板の主表面上に形成されるストリップ導電体はエッチングによって形成できるので、変成手段もエッチングによって形成できる。 Since the strip conductors are formed on the main surface of the dielectric substrate can be formed by etching, transforming means can be formed by etching. したがって、変成手段を容易に形成することができる。 Therefore, it is possible to easily form the modified unit. また、誘電体基板の主表面上にストリップ線路と変成手段との間に低雑音増幅器を形成するので、アンテナを小型化することができる。 Also, because it forms a low noise amplifier between the stripline and the transformer unit on the main surface of the dielectric substrate, it is possible to miniaturize the antenna.

【0016】 [0016]

【実施例】図1は、この発明に従ったバックファイアヘリカルアンテナの斜視図である。 DETAILED DESCRIPTION FIG. 1 is a perspective view of a backfire helical antenna in accordance with the present invention. 円筒形状をし、誘電体であるボビン1の外周には、フレキシブル基板フィルム3が巻付けられている。 A cylindrical shape, the outer periphery of the bobbin 1 is a dielectric, flexible substrate film 3 is wound. ボビン1はフレキシブル基板フィルム3を円筒状に保持する役目を有する。 Bobbin 1 has a role of holding the flexible substrate film 3 into a cylindrical shape. フレキシブル基板フィルム3の表面には螺旋状をした4本の螺旋放射導体5、7、9、11がエッチングにて形成されている。 The surface of the flexible substrate film 3 four helical radiating conductor 5, 7, 9, 11 in which the spiral is formed by etching. ボビン1内には、マイクロストリップ線路12が配置されている。 Within the bobbin 1, the microstrip line 12 is disposed. マイクロストリップ線路12は、ガラスエポキシ等からなる誘電体基板2と、誘電体基板2の主表面上に形成された銅箔からなる1/4波長変成器7 Microstrip line 12 includes a dielectric substrate 2 made of glass epoxy or the like, the dielectric quarter-wave transformer 7 made of a copper foil formed on the main surface of the substrate 2
1、銅箔からなるストリップ導体4と、誘電体基板2の裏面に形成された銅箔からなる地板(図1には図示せず)とからなる。 1, it consists of a strip conductor 4 made of copper foil, base plate made of copper foil formed on the rear surface of the dielectric substrate 2 (not shown in Figure 1).

【0017】1/4波長変成器71には、アーム13が半田45によって半田付けされている。 [0017] 1/4 wave transformer 71, the arm 13 is soldered by solder 45. アーム13の第1端部15には、螺旋放射導体5の第1端部23が半田19によって半田付けされている。 The first end 15 of the arm 13, the first end 23 of the helical radiation conductor 5 is soldered by solder 19. アーム13の第2端部17には、螺旋放射導体7の第1端部25が半田(図示せず)によって半田付けされている。 The second end 17 of the arm 13, the first end 25 of the spiral radiating conductor 7 is soldered with solder (not shown).

【0018】地板(図1には図示せず)には、アーム2 [0018] The base plate (not shown in FIG. 1), the arms 2
7が半田47によって半田付けされている。 7 is soldered by solder 47. アーム27 Arm 27
の第1端部29には、螺旋放射導体9の第1端部35が半田33によって半田付けされている。 The first end 29 of the first end 35 of the spiral radiating conductor 9 is soldered by solder 33. アーム27の第2端部31は、螺旋放射導体11の第1端部37が半田(図示せず)によって半田付けされている。 The second end 31 of the arm 27, first end 37 of the spiral radiating conductor 11 is soldered by solder (not shown).

【0019】地板には、後部接続片49が半田によって半田付けされている。 [0019] The base plate, rear connection piece 49 is soldered by the solder. 後部接続片49の第1接続部5 The first connecting portion of the rear connecting piece 49 5
1、第2接続部53、第3接続部55、第4接続部57 1, the second connecting portion 53, the third connecting portion 55, the fourth connection portion 57
には、それぞれ、螺旋放射導体11の第2端部59、螺旋放射導体7の第2端部61、螺旋放射導体5の第2端部63、螺旋放射導体9の第2端部65が半田付けされている。 The respective second ends 59 of the spiral radiating conductor 11, the second end 61 of the spiral radiating conductor 7, the second end 63 of the helical radiation conductor 5, the second end 65 of the spiral radiating conductor 9 is solder It is attached. 67、69は半田である。 67 and 69 is a solder. 螺旋放射導体5、 Helical radiation conductor 5,
7、9、11はボビン1の周りを巻くように形成されている。 7, 9, and 11 are formed so as to wrap around the bobbin 1.

【0020】図2は、マイクロストリップ線路12の平面図である。 [0020] FIG. 2 is a plan view of a microstrip line 12. ストリップ導体4と1/4波長変成器71 Strip conductor 4 and the quarter-wave transformer 71
とは、誘電体基板2の主表面上に形成された銅箔をエッチングすることによって形成される。 And it is formed by etching a copper foil formed on the main surface of the dielectric substrate 2.

【0021】図3は、後部接続片49の平面図である。 [0021] FIG. 3 is a plan view of the rear connecting piece 49.
誘電体基板2の裏面に形成された地板6は後部接続片4 Main plate 6 formed on the back surface of the dielectric substrate 2 is a rear connection piece 4
9と接続されているが、ストリップ導体4と後部接続片49とは空間部8があるため接続されていない。 9 to be connected, but the strip conductor 4 and the rear connecting piece 49 is not connected because of the space 8.

【0022】図4は、この発明に従ったバックファイアヘリカルアンテナの第2実施例に備えられるマイクロストリップ線路の斜視図である。 FIG. 4 is a perspective view of a microstrip line provided in the second embodiment of the backfire helical antenna in accordance with the present invention. このマイクロストリップ線路においては、1/4波長変成器の代わりにバランを用いている。 In this microstrip line is used balun instead of 1/4-wavelength transformer. 4はストリップ導体、6は地板を示している。 4 strip conductors, 6 indicates a base plate. このマイクロストリップ線路は空気を誘電体にしているが、ストリップ導体4と地板6との間に誘電体基板を設けてもよい。 This microstrip line has an air dielectric may be provided with a dielectric substrate between the strip conductor 4 and the ground plane 6. 第2実施例はマイクロストリップ線路の構造以外は第1実施例と同じであり、ストリップ導体4のaで示す部分にはアーム13(図1参照)が接続され、地板6のbで示す部分にはアーム27(図1参照) The second embodiment except the structure of the microstrip line is the same as the first embodiment, the portion indicated by a strip conductor 4 is connected arm 13 (see FIG. 1), the portion indicated by b of the base plate 6 arm 27 (see FIG. 1)
が接続され、地板6のcで示す部分には後部接続片49 There are connected, rear connecting piece 49 to the portion indicated by c of the base plate 6
(図1参照)が接続される。 (See FIG. 1) is connected. このバランはエッチングによって形成できるのでバランを容易に形成できる。 The balun balun can easily form can be formed by etching.

【0023】図5は、この発明に従ったバックファイアヘリカルアンテナの第3実施例に備えられる誘電体基板の平面図である。 FIG. 5 is a plan view of a dielectric substrate provided in the third embodiment of the backfire helical antenna in accordance with the present invention. 誘電体基板2には、電界効果トランジスタ77等からなる低雑音増幅回路が形成されている。 The dielectric substrate 2, a low-noise amplifier circuit is formed comprising a field-effect transistor 77 and the like.

【0024】誘電体基板2には、ストリップ導体4、1 [0024] The dielectric substrate 2, the strip conductors 4,1
/4波長変成器71、配線パターン79a〜79fが形成されている。 / 4 wave transformers 71, the wiring pattern 79a~79f is formed. これらはエッチングによって同時に形成された。 These were formed simultaneously by etching. 誘電体基板2のうち、ストリップ導体4と1/ Of the dielectric substrate 2, the strip conductor 4 and 1 /
4波長変成器71との間にある部分には電界効果トランジスタ77が形成されている。 Field effect transistor 77 is formed in a portion located between the quarter-wave transformer 71. 電界効果トランジスタ7 Field-effect transistor 7
7のゲートはリード83cによって配線パターン79d 7 of the gate wiring by lead 83c pattern 79d
と接続されている。 And it is connected to the. ドレインはリード83aによって配線パターン79bと接続されている。 The drain is connected to the wiring patterns 79b by a lead 83a. ソースはリード8 Source lead 8
3b、83dによってそれぞれ配線パターン79f、7 3b, respectively, by 83d wiring pattern 79f, 7
9cに接続されている。 It is connected to 9c.

【0025】配線パターン79aと配線パターン79b [0025] The wiring pattern 79a and the wiring pattern 79b
とはチップ部品81a、81gによって接続され、配線パターン79cと配線パターン79dとはチップ部品8 Connected chip components 81a, by 81g and a wiring pattern 79c and the wiring pattern 79d is chip component 8
1b、81cによって接続され、配線パターン79dと1/4波長変成器71とはチップ部品81dによって接続され、配線パターン79fと配線パターン79eとはチップ部品81fによって接続されている。 1b, are connected by 81c, the wiring patterns 79d and a quarter-wave transformer 71 is connected by chip parts 81d, are connected by a chip component 81f has a wiring pattern 79f and the wiring pattern 79 e. チップ部品とは、チップ状をした抵抗やコンデンサ等のことである。 The chip component, is that such resistors and capacitors in which the chips. 配線パターン79d,79eはそれぞれスルーホール85a,85bを通して誘電体基板2の裏面の地板6 Wiring patterns 79d, 79 e are through holes 85a respectively, the land of the back surface of the dielectric substrate 2 through 85b plate 6
と接続されている。 And it is connected to the. 低雑音増幅回路はシールドケース8 Low-noise amplifier circuit shield case 8
7によって覆われている。 It is covered by 7. シールドケース87は低雑音増幅回路の構成がわかるように一部が切欠かれているが、実際はこのような切欠はない。 The shield case 87 has a part as seen configuration of the low noise amplifier circuit is cut out, in practice such cutouts are not.

【0026】1/4波長変成器71を伝送された信号は、低雑音増幅回路で増幅されストリップ導体4に伝送される。 The transmitted signal quarter wave transformer 71 is transmitted to the strip conductor 4 is amplified by the low noise amplifier circuit. この第3実施例においては低雑音増幅回路を誘電体基板2に形成しているので、アンテナの小型化を図ることが可能となる。 Since forming the low noise amplifier circuit to the dielectric substrate 2 in this third embodiment, it is possible to reduce the size of the antenna.

【0027】第1、第2、第3実施例においては4線式バックファイアヘリカルアンテナについて説明したが、 The first, second, in the third embodiment has been described 4-wire backfire helical antenna,
この発明においてはこれに限定されるわけではなく、2 Is not limited thereto in the present invention, 2
線式、6線式等であってもよい。 Line type, it may be a 6-wire, or the like.

【0028】 [0028]

【発明の効果】この発明に従ったバックファイアヘリカルアンテナにおいては、インピーダンスの整合をとるための変成手段がエッチングによってアンテナ内部に形成できるので、アンテナの生産性を向上させることが可能となる。 Effects of the Invention] In backfire helical antenna in accordance with the invention, the transformer means for impedance matching can be formed inside the antenna by etching, it is possible to improve the productivity of the antenna. また、低雑音増幅器を誘電体基板上に形成するので、アンテナを小型化することが可能になる。 Also, because it forms a low-noise amplifier on a dielectric substrate, it is possible to miniaturize the antenna.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】この発明に従ったバックファイアヘリカルアンテナの第1実施例の斜視図である。 1 is a perspective view of a first embodiment of a backfire helical antenna in accordance with the present invention.

【図2】第1実施例に備えられたマイクロストリップ線路の平面図である。 2 is a plan view of a microstrip line provided in the first embodiment.

【図3】第1実施例に備えられた後部接続片の平面図である。 3 is a plan view of the rear connecting piece provided in the first embodiment.

【図4】この発明に従ったバックファイアヘリカルアンテナの第2実施例に備えられたマイクロストリップ線路の斜視図である。 4 is a perspective view of a microstrip line provided in the second embodiment of the backfire helical antenna in accordance with the present invention.

【図5】この発明に従ったバックファイアヘリカルアンテナの第3実施例に備えられたマイクロストリップ線路の平面図である。 5 is a plan view of a provided a microstrip line to a third embodiment of the backfire helical antenna in accordance with the present invention.

【図6】従来のバックファイアヘリカルアンテナの斜視図である。 6 is a perspective view of a conventional back-fire helical antenna.

【図7】従来のバックファイアヘリカルアンテナの同軸ケーブルの同軸中心導体の断面図である。 7 is a cross-sectional view of the coaxial center conductor of the coaxial cable of conventional backfire helical antenna.

【図8】従来のバックファイアヘリカルアンテナの同軸ケーブルの絶縁体の断面図である。 8 is a cross-sectional view of the insulator of the coaxial cable of conventional backfire helical antenna.

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

2 誘電体基板 4 ストリップ導体 5、7、9、11 螺旋放射導体 6 地板 12 マイクロストリップ線路 71 1/4波長変成器 Second dielectric substrate 4 strip conductors 5, 7, 9, 11 helical radiation conductor 6 base plate 12 microstrip line 71 quarter-wave transformer

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−26004(JP,A) 特開 昭61−25301(JP,A) 実開 昭61−187106(JP,U) ────────────────────────────────────────────────── ─── front page continued (56) references Patent Sho 63-26004 (JP, a) JP Akira 61-25301 (JP, a) JitsuHiraku Akira 61-187106 (JP, U)

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】 (57) [the claims]
  1. 【請求項1】 螺旋状に配置された第1および第2放射導体を備えたバックファイアヘリカルアンテナであって、 主表面および裏面を有する誘電体基板と、前記主表面上に形成されたストリップ導体と、前記裏面に形成された導電性地板とを有するストリップ線路と、 前記主表面上に形成され、前記第1および第2放射導体のインピーダンスと前記ストリップ線路のインピーダンスとの整合をとる変成手段とを備え、 前記第1および第2放射導体は前記変成手段を含むストリップ線路を中心として、該ストリップ線路を覆うように螺旋状に配置されており、 前記第1放射導体の第1端部は前記変成手段と接続され、第2端部は前記導電性地板と接続されており、 前記第2放射導体の第1および第2端部は前記導電性地板と接続されている、 1. A backfire helical antenna with first and second radiation conductors arranged helically, a dielectric substrate having a main surface and a back surface, a strip conductor formed on said main surface If a strip line having said rear surface to form a conductive ground plane, is formed on said main surface, a transformer means for matching the impedance of the impedance between the strip line of the first and second radiating conductor wherein the first and second radiation conductors around a stripline including the transformer means are arranged in a spiral so as to cover the strip line, the first end of the first radiating conductor wherein is connected to the transformer means, the second end being connected to said conductive ground plane, the first and second ends of the second radiating conductor is connected to the conductive ground plane, ックファイアヘリカルアンテナ。 Click fire helical antenna.
  2. 【請求項2】 前記誘電体基板はさらに、前記主表面上に前記ストリップ線路と前記変成手段との間に低雑音増幅器が形成される、請求項1記載のバックファイアヘリカルアンテナ。 Wherein said dielectric substrate further low noise amplifier is formed, it backfire helical antenna of claim 1, wherein between said strip line and said transformer means on said main surface.
JP16597691A 1991-07-05 1991-07-05 Backfire helical antenna Expired - Lifetime JP2719856B2 (en)

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