JP2713567B2 - 光学活性ナフタレン誘導体 - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はナフタレン骨格を含む新規な光学活性化合物
および該化合物を含有してなる液晶組成物に関するもの
である。 〔従来の技術〕 現在、液晶表示素子はその低電圧動作、低消費電力
性、薄形表示が可能なこと、また受光型で目が疲れない
ことなどの優れた特徴を有しており、各種表示素子とし
て広範囲に用いられている。 なかでも、ネマチィック液晶を用いたTN(Twisted Ne
matic)型表示方式が広く利用されている。しかしこの
表示方式は応答速度が遅いという欠点がある。 最近の産業技術の進展は、液晶表示素子にも高速応答
性を強く要求し、このような要求に対しては、液晶材料
の改良による種々の試みがなされている。既に上記要望
に応えるものとして、強誘電性液晶の光スイッチング現
象を利用した表示デバイスが提案されている(アプライ
ド・フィジックス・レター(Appl.Phys.Lett.,36,899
(1980))。強誘電性液晶は液晶相としてはカイラルス
メクチックC(SC*)が実用上望ましいものであり、カ
イラルスメクチックC相を示す液晶化合物はこれまでに
もいくつか検討されており、その内で代表的なものとし
て第1表に示すものがある。 ナフタレン骨格を有する強誘電性液晶化合物に関して
は、特開昭60−248790号公報に示唆されているものの、
具体的化合物の例示は全くなされていない。またどのよ
うな骨格を有する化合物が強誘電性を有する液晶となる
のか、また強誘電性液晶となった場合、どのような物性
を示すのかに関しては全く予測することができないのが
当分野における現状である。本発明は後記の如く、該公
報に例示されている化合物に対し、ナフタレン骨格を有
する液晶化合物が著しく優れた性質を示すことを見出し
たことに基づいている。 〔発明が解決しようとする課題〕 従来の第1表の化合物は光により短時間の間に異性化
を起こしたり、また水分により加水分解を起こし液晶相
を示さなくなるという不安定要素を持つなど表示素子等
の各種光学素子として実用上好ましい特性を十分に満足
しているとは言い難い。 本発明は、液晶組成物、特に強誘電性液晶組成物とし
て好適な光および化学的安定性にすぐれた新規強誘電性
液晶物質もしくは液晶組成物の構成成分として有用な化
合物を提供するものである。 また本発明は高速応答性を有する液晶素子に適した液
晶組成物を同時に提供するものである。 〔課題を解決するための手段〕 前記の課題を解決するために本発明者らは多くの光学
活性基を含むナフタレン誘導体を合成し、検討した結果、本発明に到達した。 すなわち、本発明は一般式(I)で表わされる。 一般式(I) 〔式中、Xは水素原子 ハロゲン原子、メチル基、エチ
ル基またはメトキシ基であり、AおよびBは少なくとも
一方は不斉炭素原子を含む独立してそれぞれ基 であり、ここでC環、D環はそれぞれ独立して、1,4-フ
ェニレン、2,6-ナフチレン、ピリミジン‐2,5-ジイル、
トランス‐1,4-シクロヘキシレン、トランス‐1,3-ジオ
キサン‐2,5-ジイル、トランス‐1,3-オキサチアン‐2,
5-ジイル、トランス‐1,3-ジチアン‐2,5-ジイルまたは
トランス‐1,3,2-ジオキサボリナン‐2,5-ジイル基であ
り、これらの基はハロゲン原子、シアノ基、メチル基、
エチル基またはメトキシ基により単置換あるいは多置換
されていてもよく、mおよびnは0、1または2の整数
であり、Z1、Z2、Z3およびZ4はそれぞれ単結合、 −O−、−CH2−、−CH=CH−または−C≡C−の群か
ら選んだ1種または2種以上の結合基であり、Yは水素
原子、ハロゲン原子、または炭素数1〜20を有する直鎖
状または分岐鎖状のアルキル基あるいはアルケニルアル
キル基(但し、AおよびB中のmおよびnが同時に0で
ある場合は、Yは炭素数2〜20の直鎖または分岐鎖状の
アルキル基あるいはアルケニルアルキル基である)(こ
れらのアルキル基中の1個のCH2基または隣接していな
い2個のCH2基は−O−、 により置き換えられていてもよく、また1個の水素原子
はハロゲン原子あるいはアルコキシル基に置き換えられ
ていてもよい)である。但し、AがRO−、 (式中、Rはアルキル基を表し、Wは水素原子またはハ
ロゲン原子を表す)であり、A,Bに含まれるアルキル基
の少なくとも一方は不斉炭素原子を含む下記式で表され
る炭素数4〜8の光学活性なアルキル基であり、 (ここで、pは0〜3の整数、qは1または2の整数を
示し、*は不斉炭素原子を示す) 且つ、他方のアルキル基が炭素数4〜18のアルキル基を
表す場合、および、AがR′−(R′は炭素数4〜10の
アルキル基)であり、 (*は不斉炭素原子を示す)である場合を除く。〕で示
される光学活性ナフタレン誘導体および該化合物を少な
くとも一種含有する液晶組成物である。 一般式(I)の化合物の多くは強誘電性液晶相として
重要なカイラルスメクチックC相を単独で示す。 また一般式(I)の化合物の中にはスメクチックA相
および(または)カイラルネマチック(コレステリッ
ク)相のみを示しカイラルスメクチックC相を示さない
もの、あるいは単独では液晶相を示さないものも存在す
るが、これらは複数の(I)式で表わされる化合物の配
合、あるいは他のカイラルスメクチック液晶化合物、さ
らには他のスメクチック液晶化合物等との配合等によ
り、強誘電性を示す液晶組成物として用いることができ
る。 一般式(I)においてAおよびBのナフタレン環に置
換する位置についてはAおよびBが1位と4位、1位と
5位または2位と6位に置換しているのが好ましく、2
位と6位に置換しているのがより好ましい。 またXは水素原子、ハロゲン原子またはメチル基が好
ましい。 一般式(I)においてAおよびB中のZ1、Z2、Z3およ
びZ4は単結合、 −O−、−CH2−、−CH=CH−または−C≡C−の中か
ら1種又は2種以上を任意に選択できるが光化学的ある
いは化学的安定性を考慮すると、単結合、 −O−または−CH2−が好ましく、さらに−Z1−Z2−基
および−Z3−Z4−基が単結合、 または−OCH2−であるのがより好ましい。 C環、D環は1,4-フェニレン、2,6-ナフチレン、ピリ
ミジン‐2,5-ジイル、トランス‐1,4-シクロヘキシレ
ン、トランス‐1,3-ジオキサン‐2,5-ジイル、トランス
‐1,3-オキサチン‐2,5-ジイル、トランス‐1,3-ジチア
ン‐2,5-ジイルまたはトランス‐1,3,2-ジオキサボリナ
ン‐2,5-ジイル基あるいはそれらの水素原子がハロゲン
原子、シアノ基、メチル基、エチル基またはメトキシ基
で単置換または多置換された基より任意に選択すること
ができるが、好ましくは1,4-フェニレン、2,6-ナフチレ
ン、ピリミジン‐2,5-ジイル、トランス‐1,4-シクロヘ
キシレンまたはトランス‐1,3,2-ジオキサボリナン基あ
るいはそれらのハロゲン原子、シアノ基、メチル基、エ
チル基またはメトキシ基により置換された基であり、さ
らに好ましくは1,4-フェニレン、2,6-ナフチレンまたは
トランス‐1,4-シクロヘキシレン基あるいはそれらのハ
ロゲン原子、シアノ基、メチル基、エチル基またはメト
キシ基により置換された基である。 またAおよびB中のmおよびnは0、1または2の整
数であるが、より好ましくはm+n≦2を満たす。 一般式(I)で示される化合物の中で特に好ましい化
合物を一般式で示すと次の通りである。 このタイプの具体的一般式としては このタイプの具体的一般式としては このタイプの具体的一般式としては このタイプの具体的一般式としては このタイプの具体的一般式としては このタイプの具体的一般式としては (但し、R1およびR2は少なくとも一方は光学活性基を含
む、独立してそれぞれ基−R、−OR、 であり、ここでRは水素原子、ハロゲン原子又は炭素数
1〜20個(但し、一般式(12−0)の場合は2〜20個)
を有する直鎖状または分岐鎖状のアルキル基、アルコキ
シアルキル基、ハロゲノアルキル基、アルケニルアルキ
ル基、アルコキシカルボニルアルキル基を示し、X1、X2
は水素原子、ハロゲン原子、メチル基、エチル基または
メトキシ基、X3〜X6は水素原子、ハロゲン原子、メチル
基、エチル基、シアノ基またはメトキシ基であり、Zは
単結合、 CH2O−、または−OCH2−基を示す。) 一般式(I)の化合物には少なくとも1個以上の不斉
炭素原子が存在するが、それはAおよび(または)B中
のYの中に存在するのが好ましい。Yは水素原子、ハロ
ゲン原子または炭素数1〜20個を有する直鎖状あるいは
分岐鎖状のアルキル基またはアルケニルアルキル基(但
し、AおよびB中のmおよびnが同時に0である場合
は、Yは炭素数2〜20の直鎖または分岐鎖状のアルキル
基あるいはアルケニルアルキル基である)であり、さら
にこれらのアルキル基中の1個のCH2基または隣接して
ない2個のCH2基は−O−、 または により置き換えられていてもよく、また1個の水素原子
はハロゲン原子、シアノ基あるいはアルコキシル基に置
き換えられていてもよく、より好ましくはYは水素原
子、ハロゲン原子または炭素数1〜20個を有する直鎖状
あるいは分岐鎖状のアルキル基またはアルケニルアルキ
ル基(これらのアルキル基中の1個のCH2基または隣接
していない2個のCH2基は−O−または に、また1個の水素原子はハロゲン原子あるいはアルコ
キシル基に置き換えられていてもよい。)である。 不斉炭素原子としては、すべての光学活性物質が有用
であるが、特に光学活性アルコール類および光学活性カ
ルボン酸類が出発原料として有用である。 光学活性アルコール類としては例えば、光学活性2-メ
チル‐ブタノール、光学活性3-メチル‐ペンタノール、
光学活性4-メチル‐ヘキサノール、光学活性5-メチル‐
ヘプタノール、光学活性6-メチル‐オクタノール、光学
活性シトロネロール、光学活性3,7-ジメチルオクタノー
ル、光学活性2-ブタノール、光学活性2-ペンタノール、
光学活性2-ヘキサノール、光学活性2-ヘプタノール、光
学活性2-オクタノール、光学活性2-ノナノール、光学活
性2-デカノール、光学活性2-ウンデカノール、光学活性
2-ドデカノール、光学活性2-メチル‐ペンタノール、光
学活性2-メチル‐ヘキサノール、光学活性2-アルキルオ
キシプロパノール、光学活性3-アルキルオキシブタノー
ル、光学活性3-アルキルオキシペンタノール、光学活性
乳酸エステル、光学活性3-ヒドロキシ‐2-メチル‐プロ
パン酸エステル、光学活性3-ヒドロキシブタン酸エステ
ル、光学活性3-ヒドロキシペンタン酸エステル、光学活
性2-ハロゲノ‐プロパノール、光学活性2-ハロゲノ‐ブ
タノール、光学活性2-ハロゲノ‐ペンタノール、光学活
性2-ハロゲノ‐ヘキサノール、光学活性2-ハロゲノ‐ヘ
プタノール、光学活性2-ハロゲノ‐オクタノール、光学
活性2-ハロゲノ‐ノナノール、光学活性2-ハロゲノ‐デ
カノール、光学活性2-ハロゲノ‐ウンデカノール、光学
活性2-ハロゲノ‐ドデカノールが有用である。 光学活性カルボン酸としては例えば光学活性2-メチル
‐ブタン酸、光学活性3-メチル‐ペンタン酸、光学活性
4-メチル‐ヘキサン酸、光学活性2-メチル‐ペンタン
酸、光学活性3,7-ジメチル‐オクタン酸、光学活性3-メ
チル‐2-ハロゲノ‐ペンタン酸、光学活性4-メチル‐2-
ハロゲノ‐ブタン酸、光学活性2-アルキルオキシ‐プロ
パン酸、光学活性3-アルキルオキシ‐ブタン酸、光学活
性3-アルキルオキシ‐ペンタン酸が有用である。 本発明によって提供される液晶組成物は一般式(I)
で表わされる本発明の化合物2種以上を組み合わせて構
成することができるが、次の一般式(II)で表わされる
化合物と任意に組み合わせても構成することができる。 (式中、EおよびF環はそれぞれ独立して基 (Gは水素原子、ハロゲン原子、シアノ基またはメチル
基)であり、aおよびbはそれぞれ0、1または2の整
数でありZ5、Z6およびZ7は単結合、−O−、 −CH2O−、−OCH2−または−CH2CH2−であり、Rおよび
R′は水素原子、ハロゲン原子、シアノ基あるいは1〜
20個の炭素原子よりなるアルキル基、アルコキシル基、
光学活性アルキル基、光学活性アルコキシル基、光学活
性アルコキシアルキル基、光学活性アルケニルアルキル
基または光学活性ハロゲノアルキル基である。) 本発明の一般式(I)で表わされる化合物でカイラル
スメクチックC相を単独で示す化合物の構成成分として
の割合は5重量%以上が好ましい。10重量%存在すれ
ば、公知の液晶化合物の応答速度を非常に速める。SC*
相を表わさない構成成分の割合としては50重量%未満が
好ましい。 一般式(I)の化合物は文献(たとえば、ホーベン・
ヴェィルによるメトーデン・デル・オルガニッシェン・
ヘミーのような標準的学術書)に記載されている各単位
操作それ自体既知である方法に準じ組合せて製造でき
る。この点に関しては本明細書に詳細には記載されてい
ないそれ自体既知の変形方法もまた用いることができ
る。 式(I)中のAまたは(および)Bの−Z1−Z2−が または(および) の場合、原料物質として好ましくは式(III)、(IV)
の化合物 そして(V)〜(VIII)の化合物である。 (X、Z1、Z2、Z3、Z4、環C、DおよびYは前記と同
じ) すなわち式(III)の化合物と式(VI)あるいは(VII
I)の化合物または式(IV)の化合物と式(V)あるい
は式(VII)の化合物とで通常用いられるエステル化の
方法により一般式(I)の化合物を製造できる。たとえ
ばカルボン酸化合物式(IV)、(VI)および(VIII)の
化合物をカルボン酸ハロライド(特にクロライド、ブロ
マイド)あるいはカルボン酸無水物等の反応性誘導体と
した後に式(III)、(V)あるいは(VII)の化合物と
反応させる方法である。 Aまたは(および)Bの−Z1−Z2−が−CH2O−または
(および)−OCH2−の場合、原料物質として好ましくは
式(III)、(V)、(VII)の化合物および式(IX),
(X)、(XI)の化合物である。 エーテル化の反応は通常用いられる方法、たとえば塩
基(水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水素化ナトリ
ウム、水素化カリウム等)存在下、ヒドロキシ化合物を
ハロゲン化物等の反応性アルキル誘導体と反応させて製
造できる。 第2表に本発明の化合物の代表的化合物を列挙する。 〔実施例〕 以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、勿
論、本発明の主旨と適用範囲はこれらの実施例によって
限定されるものではない。 表中、Cは結晶相、SC*はカイラルスメクチックC
相、SAはスメクチックA相、Chはコレステリック(カイ
ラルネマティック)相、Iは等方性液体、そしてSXは素
性不明のスメクチック相を表わし、各相の・印とその右
側の数字がその相から右側の相への転移温度を示し、−
印はその相を示さないことを意味する。なお、( )内
の値はモノトロピック相転移温度である。また*は不斉
炭素原子を表わす。 実施例1 (R)‐6-ベンジルオキシナフタレン‐2-カルボン酸
1′‐メチル‐ヘプチルエステルの製造 6-ベンジルオキシナフタレン‐2-カルボン酸65gを500
mlのベンゼン中、50gのシュウ酸塩化物と4時間加熱還
流した後過剰のシュウ酸塩化物とベンゼンを減圧下留去
し、酸塩化物を得た。この酸塩化物を100mlのベンゼン
に溶解し、この溶液に(R)‐2-オクタノール30gをピ
リジン30mlに溶解した溶液を加え、室温で8時間放置し
た。析出したピリジン塩酸塩を濾別した後有機層を2N-
塩酸、2N-水酸化ナトリウム水溶液を洗い、さらに中性
になるまで水洗した。有機層を分離し、無水硫酸マグネ
シウムで乾燥させベンゼンを減圧下留去した後、残渣を
エタノールより再結晶し、目的とする(R)‐6-ベンジ
ルオキシナフタレン‐2-カルボン酸1′‐メチル‐ヘプ
チルエステル80gを得た。 この化合物の相転移温度は第3表に示した。 またこの化合物の元素分析値は次のとおり理論値とよ
く一致した。 理論値(C26H30O9として) 分析値 C 79.9% 79.89% H 7.74% 7.70% 実施例2〜7 実施例1において(R)‐2-オクタノールの代りに種
々の光学活性アルコールを使用し、同様の反応を行なう
ことにより種々の光学活性‐6-ベンジルオキシナフタレ
ン‐2-カルボン酸アルキルエステルを製造した。その物
性値である相転移温度を第3表に示した。 実施例9 (R)‐6-(4′‐デシルオキシフェニルカルボニルオ
キシ)‐2-ナフタレンカルボン酸1″‐メチル‐ヘプチ
ルエステルの製造 (i)実施例1で製造した(R)‐6-ベンジルオキシナ
フタレン‐2-カルボン酸1′‐メチル‐ヘプチルエステ
ル30gを200mlのエタノールに溶解し、5%‐パラジウム
/炭素4gの存在下常圧、40℃で水素化した。パラジウム
/炭素を濾別後溶媒を減圧下留去し、融点67〜68℃の脱
ベンジル化生成物23gを得た。 (ii)(i)で得た生成物(R)‐6-ヒドロキシナフタ
レン‐2-カルボン酸1′‐メチル‐ヘプチルエステル4.
0g、4-デシルオキシ安息香酸3.7g、N,N′‐ジシクロヘ
キシルカルボジイミド2.6g及び10mlの4-ピロリジノピリ
ジンを50mlのクロロホルムに溶解し、8時間室温に放置
した。副生したN,N′‐ジシクロヘキシル尿素を濾別後
有機層を2N-塩酸、2N-水酸化ナトリウム水溶液で洗浄し
さらに水洗した。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥
し、溶媒を留去し粗生成物を得た。このものをベンゼン
を溶出液としシリカゲルカラムクロマトグラフィーを用
い精製した。さらにエタノールより再結晶し無色針状の
結晶として目的とする(R)‐6-(4′‐デシルオキシ
フェニルカルボニルオキシ)‐2-ナフタレンカルボン酸
1″‐メチル‐ヘプチルエステル5.0gを得た。収率67
%。この化合物の相転移温度は第3表に示した。またこ
の化合物の元素分析値は次のとおり理論値とよく一致し
ている。 理論値(C36H48O5として) 分析値 C 77.11% 77.25% H 8.63% 8.59% またSC*−SA転移温度よりも10℃低い温度で求めた自
発分極(Ps)の値は87nC/cm2であった。 実施例10〜19 実施例9の(ii)において、4-デシルオキシ安息香酸
の代わりに各種4-アルキルオキシ安息香酸、4-アルキル
安息香酸あるいは4-アルキルオキシ‐3-ハロゲノ安息香
酸を用いることにより各種のエステル化合物を製造し
た。その物性値である相転移温度は第3表にまとめて示
した。 実施例20〜37 実施例9(i)に示した方法に準じた方法により製造
した種々光学活性‐6-ヒドロキシナフタレン‐2-カルボ
ン酸アルキルエステル、あるいは各種光学活性‐6-ヒド
ロキシ‐5-ハロゲノナフタレン‐2-カルボン酸アルキル
エステルと種々の4-アルコキシ安息香酸、4-アルコキシ
‐3-ハロゲノ安息香酸、あるいは4-光学活性アルコキシ
安息香酸とを実施例9(ii)に示した方法に準じた方法
により各種エステル化合物を製造した。その物性値であ
る相転移温度は第3表に示した。 実施例39 (s)‐6-(2′‐メチル‐ブチルオキシ)‐2-ナフチ
ル‐4″‐デシルオキシ安息香酸エステルの製造 4-デシルオキシ安息香酸1.0g、(s)‐6-(2′‐メ
チル‐ブチルオキシ)‐2-ナフトール750mg、N,N′‐ジ
シクロヘキシルカルボジイミド700mgおよび4-ピロリジ
ノピリジン20mgを50mlの塩化メチレンに入れ室温で4時
間放置した。副生したN,N′‐ジシクロヘキシルウレア
を濾別した後、有機層を5%塩酸、5%水酸化ナトリウ
ム水溶液、水の順で洗浄し、無水硫酸マグネシウムを用
いて乾燥させた。塩化メチレンを留去した後、残渣をベ
ンゼンを溶出液とし、シリカゲルカラムクロマトグラフ
ィーを用い精製した。さらに得られた結晶をエタノール
より2回再結晶を行い750mg無色針状晶の結晶として、
目的とする(s)‐6-(2′‐メチルブチルオキシ)‐
2-ナフチル‐4″‐デシルオキシ安息香酸エステルを得
た。収率47%であった。このものの相転移温度は第3表
に示した。元素分析値は次の如くであり理論値とよく一
致している。 理論値(C32H42O4として) 分析値 C 78.33% 78.41% H 8.63% 8.72% またSC*−SA転移温度よりも10℃低い温度で求めた自
発分極(Ps)の値は2nC/cm2であった。 実施例40〜49 実施例39において4-デシルオキシ安息香酸の代わりに
種々の4-アルコキシ安息香酸あるいは4-アルキル安息香
酸を用いた他は実施例39の方法に従い各種の光学活性エ
ステル化合物を製造した。その物性値である相転移温度
は第3表に示した。 実施例50〜67及び71〜73 各種光学活性6-アルキルオキシ‐2-ナフトール、ある
いは光学活性6-アルコキシアルキルオキシ‐2-ナフトー
ルと4-アルコキシ安息香酸、または各種6-アルコキシ‐
2-ナフトールと光学活性4-アルコキシ安息香酸とを実施
例39に記載した方法に準じて反応させ各種光学活性エス
テルを製造した。その物性値である相転移温度は第3表
に示した。 実施例74 (s)‐4′‐(2″‐メチルブチル)フェニル‐6-ブ
チルオキシナフタレン‐2-カルボン酸エステルの製造 6-ブチルオキシナフタレン‐2-カルボン酸2.4g、
(s)‐4-(2′‐メチルブチル)フェノール1.6g、N,
N′‐ジシクロヘキシルカルボジイミド2.1gおよび4-ピ
ロリジノピリジン50mgを50mlの塩化メチレンに溶かし、
室温で15時間放置した。副生したN,N′‐ジシクロヘキ
シル尿素を濾別した後、有機層を5%塩酸、5%水酸化
ナトリウム水溶液、水の順で洗浄し無水硫酸マグネシウ
ムを用い乾燥させた。塩化メチレンを留去した後、残渣
をベンゼンを溶出液とし、シリカゲルカラムクロマトグ
ラフィーを用い精製した。さらに得られた液晶をエタノ
ールより2回再結晶し、2.1gの無色針状晶の結晶として
目的とする(s)‐4′‐(2″‐メチルブチル)フェ
ニル‐6-ブチルオキシナフタレン‐2-カルボン酸エステ
ルを得た。収率54% この化合物の相転移温度は第3表に示した。またこの
化合物の元素物性値は次の通り理論値とよく一致した。 理論値(C26H30O3として) 分析値 C 80.00% 80.10% H 7.69% 7.70% 実施例75 (s)‐4′‐(2″‐メチルブチル)フェニル‐6-ヘ
プチルオキシナフタレン‐2-カルボン酸エステルの製造 実施例74において、6-ブチルオキシナフタレン‐2-カ
ルボン酸の代わりに、6-ヘプチルオキシナフタレン‐2-
カルボン酸を使用した以外は、実施例74に示した方法に
従い、(s)‐4′‐(2″‐メチルブチル)フェニル
‐6-ヘプチルオキシナフタレン‐2-カルボン酸エステル
を製造した。 物性値である相転移温度は第3表に示した。 実施例76 (s)‐4′‐フルオロフェニル‐6′‐(1″‐メチ
ルヘプチルオキシ)ナフタレン‐2-カルボン酸エステル
の製造 実施例74において、6-ブチルオキシナフタレン‐2-カ
ルボン酸の代わりに(s)‐6-(1′‐メチルヘプチル
オキシ)ナフタレン‐2-カルボン酸を使用し、さらに、
(s)‐4-(2″‐メチルブチル)フェノールの代わり
に4-フルオロフェノールを使用した以外は、実施例74に
示した方法に従い、(s)‐4′‐フルオロフェニル‐
6-(1″‐メチルヘプチルオキシ)ナフタレン‐2-カル
ボン酸エステルを製造した。 物性値である相転移温度は第3表に示した。 実施例77 (R)‐4-〔6′‐(2″‐ブチルオキシエチルオキ
シ)‐2′‐ナフトイルオキシ〕安息香酸‐1‐メチ
ルプロピルエステルの製造 (R)‐4-ヒドロキシ安息香酸‐1″‐メチルプロピ
ルエステル1.9g、6-(2′‐ブチルオキシエチルオキ
シ)‐2-ナフタレンカルボン酸2.9g、N,N′‐ジシクロ
ヘキシルカルボジイミド2.1gおよび4-ピロリジノピリジ
ン50mgを30mlの塩化メチレンに溶かし、室温で10時間放
置した。副生したN,N′‐ジシクロヘキシル尿素を濾別
した後、有機層を5%塩酸、5%水酸化ナトリウム水溶
液、水の順で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムを用い
乾燥させた。塩化メチレンを留去した後、残渣をベンゼ
ンを溶出液とし、シリカゲルカラムクロマトグラフィー
により精製し、得られた結晶をエタノールより再結晶
し、無色針状晶の結晶として目的とする(R)‐4-
〔6′‐(2″‐ブチルオキシエチルオキシ)‐2′‐
ナフトイルオキシ〕安息香酸‐1‐メチルプロピルエ
ステルを2.3g得た。収率50% この化合物の相転移温度は第3表に示した。またこの
化合物の元素分析値は次のとおり理論値とよく一致し
た。 理論値(C28H32O6として) 分析値 C 72.41% 72.50% H 6.90% 6.91% 実施例78〜83 実施例77において、6-(2′‐ブチルオキシエチルオ
キシ)ナフタレン‐2-カルボン酸を使用する代わりに、
各種6-アルキルオキシナフタレン‐2-カルボン酸を使用
し、さらに、(R)‐4-ヒドロキシ安息香酸‐1′‐メ
チルプロピルエステルの代わりに、(R)‐4-ヒドロキ
シ安息香酸‐1′‐メチルペンチルエステルまたは
(R)‐4-ヒドロキシ安息香酸‐1′‐メチルヘキシル
エステルを使用した以外は、実施例77に記載した方法に
従い、各種エステル化合物を製造した。その物性値であ
る相転移温度は第3表に示した。 実施例84 (R)‐6-(4″‐ヘプチルビフェニル‐4′‐カルボ
ニルオキシ)‐2-ナフタレンカルボン酸‐1‐メチル
プロピルエステルの製造 4′‐ヘプチルビフェニル‐4-カルボン酸3.0gと20ml
の塩化チオニルを300mlのベンゼン中で、5時間加熱還
流後、過剰の塩化チオニルとベンゼンを減圧下留去し
た。残渣のカルボン酸クロライドに、(R)‐6-ヒドロ
キシナフタレン‐2-カルボン酸‐1′‐メチルプロピル
エステル2.5gと30mlのピリジンおよび300mlのベンゼン
を加え、5時間加熱還流した。 室温にまで冷却後、ピリジン塩酸塩を濾別後、濾液を
水、10%塩酸、飽和NaHCO3水、水の順で洗浄した後、無
水硫酸マグネシウムを用い乾燥させた。ベンゼンを留去
後、ベンゼンを溶出液とし、シリカゲルカラムクロマト
グラフィーを用い、分離精製した。さらに得られた結晶
をエタノール‐酢酸エチルエステルより再結晶し、2.9g
の無色の結晶として目的の(R)‐6-(4″‐ヘプチル
ビフェニル‐4′‐カルボニルオキシ)‐2-ナフタレン
カルボン酸‐1‐メチルプロピルエステルを得た。収
率55% この化合物の相転移温度は第4表に示した。またこの
化合物の元素分析値は次の通り理論値とよく一致した。 理論値(C35H38O4として) 分析値 C 80.50% 80.65% H 7.28% 7.24% 実施例85 (R)‐6-(4″‐オクチルビフェニル‐4′‐カルボ
ニルオキシ)‐2-ナフタレンカルボン酸‐1‐メチル
プロピルエステルの製造 実施例84において、4′‐ヘプチルビフェニル‐4-カ
ルボン酸の代わりに4′‐オクチルビフェニル‐4-カル
ボン酸を使用した以外は、実施例84に示した方法に従
い、(R)‐6-(4″‐オクチルビフェニル‐4′‐カ
ルボニルオキシ)‐2-ナフタレンカルボン酸‐1‐メ
チルプロピルエステルを製造した。 物性値である相転移温度は第4表に示した。 実施例86〜93 実施例84において、4′‐ヘプチルビフェニル‐4-カ
ルボン酸の代わりに、種々の4′‐アルキルオキシビフ
ェニル‐4-カルボン酸あるいは4′‐アルキルビフェニ
ル‐4-カルボン酸あるいは3′‐ハロゲノ‐4′‐アル
キルオキシビフェニル‐4-カルボン酸を使用し、さらに
(R)‐6-ヒドロキシナフタレン‐2-カルボン酸‐1′
‐メチルプロピルエステルの代わりに、(R)‐6-ヒド
ロキシナフタレン‐2-カルボン酸‐1′‐メチルヘプチ
ルエステルを使用した以外は、実施例84に示した方法に
従い、各種光学活性エステル化合物を製造した。その物
性値である相転移温度は第4表に示した。 実施例94 (S)‐6-(2′‐メチルブチルオキシ)‐2-ナフチル
‐4″‐オクチルオキシビフェニル‐4‐カルボン酸
エステルの製造 4′‐オクチルオキシビフェニル‐4-カルボン酸400m
g、(S)‐6-(2′‐メチルブチルオキシ)‐2-ナフ
トール290mg、N,N′‐ジシクロヘキシルカルボジイミド
260mgおよび4-ピロリジノピリジン20mgを30mlの塩化メ
チレンに入れ室温で20時間放置した。副生したN,N′‐
ジシクロヘキシルウレアを濾別した後、有機層を、5%
塩酸、5%水酸化ナトリウム水溶液、水の順で洗浄し、
無水硫酸マグネシウムを用いて乾燥させた。 塩化メチレンを留去した後、残渣をベンゼンを溶出液
とし、シリカゲルカラムクロマトグラフィーを用いて精
製した。さらに得られた結晶をエタノール‐酢酸エチル
より再結晶し280mgの無色針状晶状の結晶として目的の
(S)‐6-(2′‐メチルブチルオキシ)‐2-ナフチル
‐4″‐オクチルオキシビフェニル‐4‐カルボン酸
エステルを得た。その収率は42%であり、相転移温度は
第4表に示した。また元素分析値は次のとおり理論値と
よく一致している。 理論値(C36H42O4として) 分析値 C 80.26% 80.07% H 7.86% 7.85% またSC*−SA転移温度より10℃低い温度で求めた自発分
極(Ps)の値は2nc/cm2であった。 実施例95〜99 実施例94において4′‐オクチルオキシビフェニル‐
4-カルボン酸の代わりに種々の4′‐アルキルオキシビ
フェニル‐4-カルボン酸あるいは光学活性4′‐アルキ
ルオキシビフェニル‐4-カルボン酸を使用しさらに
(S)‐6-(2′‐メチルブチルオキシ)‐2-ナフトー
ルの代わりに種々光学活性6-(アルキルオキシ)‐2-ナ
フトールあるいは6-アルキルオキシ‐2-ナフトールある
いは6-アルキル‐2-ナフトールを使用し実施例94に記載
した方法に従い各種光学活性エステル化合物を製造し
た。その物性値である相転移温度は第4表に示した。 実施例100 (S)‐6-デシルオキシ‐2-ナフチル‐6′‐(2″‐
メチルブチルオキシ)ナフタレン‐2′‐カルボン酸エ
ステルの製造 (S)‐6-(2′‐メチルブチルオキシ)‐ナフタレ
ン‐2-カルボン酸300mg、6-デシルオキシ‐2-ナフトー
ル350mg、N,N′‐ジシクロヘキシルカルボジイミド240m
g、4-ピロリジノピリジン10mgを20mlの塩化メチレンに
入れ室温で3時間放置した。副生したN,N′‐ジシクロ
ヘキシルウレアを濾別後、有機層を5%塩酸、5%水酸
化ナトリウム水溶液、水の順で洗浄し無水硫酸マグネシ
ウムを用い乾燥させた。塩化メチレンを留去後残渣をベ
ンゼンを溶出液としシリカゲルカラムクロマトグラフィ
ーを用い精製した。さらに得られた結晶をエタノール‐
酢酸エチルより再結晶し320mgの無色針状の結晶として
目的とする(S)‐6-デシルオキシ‐2-ナフチル‐6′
‐(2″‐メチルブチルオキシ)ナフタレン‐2′‐カ
ルボン酸エステルを得た。収率51%。この化合物の相転
移温度は第5表に示した。また元素分析値は次のとおり
理論値とよく一致している。 理論値(C36H44O4として) 分析値 C 79.96% 80.03% H 8.20% 8.15% 実施例101 実施例100において(S)‐6-(2′‐メチルブチル
オキシ)‐ナフタレン‐2-カルボン酸の代りに(S)‐
6-(4′‐メチルヘキシルオキシ)‐ナフタレン‐2-カ
ルボン酸を使用した以外は実施例100に記載した方法に
より光学活性エステル化合物を製造した。その物性値で
ある相転移温度は第5表に示した。 実施例102 (R)‐6-(トランス‐4′‐ブチルシクロヘキシルカ
ルボニルオキシ)‐2-ナフタレンカルボン酸1″‐メチ
ル‐ヘプチルエステルの製造 トランス‐4-ブチルシクロヘキシルカルボン酸1g、
(R)‐6-ヒドロキシナフタレン‐2-カルボン酸1′‐
メチル‐ヘプチルエステル1.7g、N,N′‐ジシクロヘキ
シルカルボジイミド1.2g及び20mgの4-ピロリジノピリジ
ンを50mlのクロロホルムに溶解し、8時間室温に放置し
た。副生したN,N′‐ジシクロヘキシル尿素を濾別後、
有機層を2N-塩酸、2N-水酸化ナトリウム水溶液で洗浄し
さらに水洗した。このものをベンゼンを溶出液としシリ
カゲルカラムクロマトグラフィーを用い精製し、無色の
油状物として目的とする(R)‐6-(トランス‐4′‐
ブチルシクロヘキシルカルボニルオキシ)‐2-ナフタレ
ンカルボン酸1″‐メチル‐ヘプチルエステルを1.2g得
た。収率47%。この化合物の相転移温度は第6表に示し
た。またこの化合物の元素分析値は次のとおり理論値と
よく一致している。 理論値(C30H42O4として) 分析値 C 77.21% 77.25% H 9.07% 9.10% 実施例103 実施例102においてトランス‐4-ブチルシクロヘキシ
ルカルボン酸の代りにトランス‐4-ノニルシクロヘキシ
ルカルボン酸を使用した以外は実施例102に記載した方
法により光学活性エステル化合物を製造した。その物性
値である相転移温度は第6表に示した。 実施例104〜107 実施例102においてトランス‐4-ブチルシクロヘキシ
ルカルボン酸の代りに種々のトランス‐4-アルキルシク
ロヘキシルカルボン酸を用いさらに(R)‐6-ヒドロキ
シナフタレン‐2-カルボン酸1′‐メチル‐ヘプチルエ
ステルの代りに種々の光学活性6-ヒドロキシナフタレン
‐2-カルボン酸アルキルエステルを使用し実施例102に
記載した方法に従い各種光学活性エステル化合物を製造
した。その物性値である相転移温度は第6表に示した。 実施例108 (s)‐6-オクチルナフタレン‐2-カルボン酸‐2″‐
メチルブチルエステルの製造 6-オクチルナフタレン‐2-カルボン酸2.8gと5mlの塩
化チオニルを50mlのトルエン中、5時間加熱還流した。
トルエンおよび過剰の塩化チオニルを減圧下留去した
後、残渣を20mlのトルエンに溶解し、1gの(s)‐2-メ
チルブタノールを含む10mlのピリジン溶液に加え、10時
間室温で撹拌した。反応混合物を20%塩酸、10%水酸化
ナトリウム水溶液および水の順で洗浄した。有機層を無
水硫酸マグネシウムで乾燥後、トルエンを留去し残渣の
オイルをシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精
製し、(s)‐6-オクチルナフタレン‐2-カルボン酸‐
2″‐メチルブチルエステル1.9gを得た。収率55%。 この化合物の相転移温度は第7表に示した。 またこの化合物の元素分析値は次のとおり理論値とよ
く一致した。 理論値(C24H34O3として) 分析値 C 81.36% 81.51% H 9.60% 9.55% 実施例109〜119 実施例108において、6-オクチルナフタレン‐2-カル
ボン酸の代りに種々の6-アルキルオキシナフタレン‐2-
カルボン酸を使用し、さらに(s)‐2-メチル‐ブタノ
ールの代りに種々の光学活性アルコール類を使用し実施
例108に記載した方法により各種光学活性エステルを製
造した。その物性値である相転移温度は第7表に示し
た。 実施例120 (s)‐4-メチルカプロン酸‐2′‐(6′‐デシルオ
キシ)ナフチルエステルの製造 6-デシルオキシ‐2-ナフトール600mg、(s)‐4-メ
チルカプロン酸260mg、N,N′‐ジシクロヘキシルカルボ
ジイミド420mgおよび4-ピロリジノピリジン10mgを15ml
の塩化メチレンに入れ室温で2時間放置した。副生した
N,N′‐ジシクロヘキシルウレアを濾別した後、有機層
を、5%塩酸、5%水酸化ナトリウム水溶液、水の順で
洗浄し、無水硫酸マグネシウムを用い乾燥させた。塩化
メチレンを留去した後残渣をベンゼンを溶出液としシリ
カゲルカラムクロマトグラフィーを用いて精製し、600m
gの(s)‐4-メチルカプロン酸‐2′‐(6′‐デシ
ルオキシ)ナフチルエステルを得た。収率73%、このも
のの相転移温度を第7表に示した。 このものの元素分析値は次のとおり理論値とよく一致
した。 理論値(C27H40O3として) 分析値 C 78.59% 78.40% H 9.77% 9.80% 実施例121〜123 実施例120において、6-デシルオキシ‐2-ナフトール
の代りに種々の6-アルキルオキシ‐2-ナフトールを使用
した以外は実施例120に記載した方法に従い各種光学活
性エステルを製造した。その物性値である相転移温度は
第7表に示した。 実施例124〜127 実施例120において、6-デシルオキシ‐2-ナフトール
の代りに種々の6-アルキルオキシ‐2-ナフトールを使用
し、さらに(s)‐4-メチルカプロン酸の代りに種々の
光学活性カルボン酸類を使用し実施例120に記載した方
法により各種光学活性エステル化合物を製造した。その
物性値である相転移温度を第7表に示した。 実施例128本発明の液晶化合物 から構成された液晶組成物は47℃までSC*相を示し47〜
95℃まではSA相それ以上の温度では等方性液体となり、
室温付近での表示素子として適している。 この混合物を電極面にシリカの斜方蒸着を施した電極
間隔が5μmのセルに注入した。この液晶セルを直交ニ
コル状態に配置した2枚の偏光子の間にはさみ、10Vの
低周波数(1Hz)の交流を印加したところ、明瞭なスイ
ッチング現象が観察され、コントラストも非常に良く、
さらには応答速度も非常に速い(80μsec)液晶表示素
子が得られた。なお自発分極の値Psは42nC/cm2であっ
た。 実施例129 本発明の液晶化合物 から構成された液晶組成物は40℃までSC*相を示し40〜
67℃まではSA相、それ以上の温度では等方性液体とな
り、室温付近での表示素子として適している。 この混合物を電極面にシリカの斜方蒸着を施した電極
間隔が5μmのセルに注入した。この液晶セルを直交ニ
コル状態に配置した2枚の偏光子の間にはさみ、10Vの
低周波数(1Hz)の交流を印加したところ、明瞭なスイ
ッチング現象が観察され、コントラストも非常に良く、
さらには応答速度も非常に速い(100μsec)液晶表示素
子が得られた。なお自発分極の値Psは38nc/cm2であっ
た。 実施例130 公知の液晶性化合物 (このものは結晶 等方性液体の相転移温度を示し、応答速度は1msecであ
る。) 本発明の化合物 添加した液晶組成物は の相転移温度を示した。 またこのものを実施例128で示したセルに注入し応答
速度を測定したところ500μsecと非常に速まった。 実施例131 実施例130と同様に、本発明の化合物 液晶化合物(応答速度1msec) 添加した液晶混合物は の相転移温度を示し、室温で動作し、このものを実施例
128で示したセルに注入し応答度を測定したところ、200
μsecと非常に速くなった。 このように本発明の化合物のうち液晶相をまったく示
さない化合物も室温付近で動作し、かつ応答速度のより
速い液晶組成物を得るのに非常に有用な化合物である。 比較例1 実施例130において、本発明の化合物の代わりに、 を使用して、調整した液晶組成物は、 の相転移温度を示した。 この液晶組成物の応答速度は、1.2msecであった。 実施例132 実施例9で製造した化合物と第1表中の1の構造で示
される公知の光学活性4-デシルオキシベンジリデン‐
4′‐アミノ‐2″‐メチルブチルシンナメート(DOBA
MBC)をそれぞれサンプル管に入れ、温度60℃、湿度90
%雰囲気中に40時間放置し、その前後でのSC*−SA転移
温度の変化を調べた。 DOBAMBCのSC*−SA転移温度は95℃から75℃へと20℃
も低下したのに対し、実施例9で製造した化合物の転移
温度はまったく変化せず、水分に対し非常に安定である
ことが判明した。 実施例133 実施例9で製造した化合物と公知のDOBAMBCをそれぞ
れガラス管に入れ、カーボンアークを用いて30時間照射
し、その前後でのSC*−SA転移温度の変化を調べた。DO
BAMBCのSC*−SA転移温度は95℃から72℃へと23℃も低
下したのに対し、実施例9で製造した化合物の転移温度
はまったく変化せず、光に対し非常に安定であることが
判明した。 〔発明の効果〕 本発明は光および光学的に安定な一般式(I)で示さ
れる光学活性なナフタレン誘導体化合物および該化合物
を少なくとも1種を含有する強誘電性スメクチック液晶
組成物を提供することにより、高速応答可能な表示素子
を構成し得るという優れた効果を有する。
および該化合物を含有してなる液晶組成物に関するもの
である。 〔従来の技術〕 現在、液晶表示素子はその低電圧動作、低消費電力
性、薄形表示が可能なこと、また受光型で目が疲れない
ことなどの優れた特徴を有しており、各種表示素子とし
て広範囲に用いられている。 なかでも、ネマチィック液晶を用いたTN(Twisted Ne
matic)型表示方式が広く利用されている。しかしこの
表示方式は応答速度が遅いという欠点がある。 最近の産業技術の進展は、液晶表示素子にも高速応答
性を強く要求し、このような要求に対しては、液晶材料
の改良による種々の試みがなされている。既に上記要望
に応えるものとして、強誘電性液晶の光スイッチング現
象を利用した表示デバイスが提案されている(アプライ
ド・フィジックス・レター(Appl.Phys.Lett.,36,899
(1980))。強誘電性液晶は液晶相としてはカイラルス
メクチックC(SC*)が実用上望ましいものであり、カ
イラルスメクチックC相を示す液晶化合物はこれまでに
もいくつか検討されており、その内で代表的なものとし
て第1表に示すものがある。 ナフタレン骨格を有する強誘電性液晶化合物に関して
は、特開昭60−248790号公報に示唆されているものの、
具体的化合物の例示は全くなされていない。またどのよ
うな骨格を有する化合物が強誘電性を有する液晶となる
のか、また強誘電性液晶となった場合、どのような物性
を示すのかに関しては全く予測することができないのが
当分野における現状である。本発明は後記の如く、該公
報に例示されている化合物に対し、ナフタレン骨格を有
する液晶化合物が著しく優れた性質を示すことを見出し
たことに基づいている。 〔発明が解決しようとする課題〕 従来の第1表の化合物は光により短時間の間に異性化
を起こしたり、また水分により加水分解を起こし液晶相
を示さなくなるという不安定要素を持つなど表示素子等
の各種光学素子として実用上好ましい特性を十分に満足
しているとは言い難い。 本発明は、液晶組成物、特に強誘電性液晶組成物とし
て好適な光および化学的安定性にすぐれた新規強誘電性
液晶物質もしくは液晶組成物の構成成分として有用な化
合物を提供するものである。 また本発明は高速応答性を有する液晶素子に適した液
晶組成物を同時に提供するものである。 〔課題を解決するための手段〕 前記の課題を解決するために本発明者らは多くの光学
活性基を含むナフタレン誘導体を合成し、検討した結果、本発明に到達した。 すなわち、本発明は一般式(I)で表わされる。 一般式(I) 〔式中、Xは水素原子 ハロゲン原子、メチル基、エチ
ル基またはメトキシ基であり、AおよびBは少なくとも
一方は不斉炭素原子を含む独立してそれぞれ基 であり、ここでC環、D環はそれぞれ独立して、1,4-フ
ェニレン、2,6-ナフチレン、ピリミジン‐2,5-ジイル、
トランス‐1,4-シクロヘキシレン、トランス‐1,3-ジオ
キサン‐2,5-ジイル、トランス‐1,3-オキサチアン‐2,
5-ジイル、トランス‐1,3-ジチアン‐2,5-ジイルまたは
トランス‐1,3,2-ジオキサボリナン‐2,5-ジイル基であ
り、これらの基はハロゲン原子、シアノ基、メチル基、
エチル基またはメトキシ基により単置換あるいは多置換
されていてもよく、mおよびnは0、1または2の整数
であり、Z1、Z2、Z3およびZ4はそれぞれ単結合、 −O−、−CH2−、−CH=CH−または−C≡C−の群か
ら選んだ1種または2種以上の結合基であり、Yは水素
原子、ハロゲン原子、または炭素数1〜20を有する直鎖
状または分岐鎖状のアルキル基あるいはアルケニルアル
キル基(但し、AおよびB中のmおよびnが同時に0で
ある場合は、Yは炭素数2〜20の直鎖または分岐鎖状の
アルキル基あるいはアルケニルアルキル基である)(こ
れらのアルキル基中の1個のCH2基または隣接していな
い2個のCH2基は−O−、 により置き換えられていてもよく、また1個の水素原子
はハロゲン原子あるいはアルコキシル基に置き換えられ
ていてもよい)である。但し、AがRO−、 (式中、Rはアルキル基を表し、Wは水素原子またはハ
ロゲン原子を表す)であり、A,Bに含まれるアルキル基
の少なくとも一方は不斉炭素原子を含む下記式で表され
る炭素数4〜8の光学活性なアルキル基であり、 (ここで、pは0〜3の整数、qは1または2の整数を
示し、*は不斉炭素原子を示す) 且つ、他方のアルキル基が炭素数4〜18のアルキル基を
表す場合、および、AがR′−(R′は炭素数4〜10の
アルキル基)であり、 (*は不斉炭素原子を示す)である場合を除く。〕で示
される光学活性ナフタレン誘導体および該化合物を少な
くとも一種含有する液晶組成物である。 一般式(I)の化合物の多くは強誘電性液晶相として
重要なカイラルスメクチックC相を単独で示す。 また一般式(I)の化合物の中にはスメクチックA相
および(または)カイラルネマチック(コレステリッ
ク)相のみを示しカイラルスメクチックC相を示さない
もの、あるいは単独では液晶相を示さないものも存在す
るが、これらは複数の(I)式で表わされる化合物の配
合、あるいは他のカイラルスメクチック液晶化合物、さ
らには他のスメクチック液晶化合物等との配合等によ
り、強誘電性を示す液晶組成物として用いることができ
る。 一般式(I)においてAおよびBのナフタレン環に置
換する位置についてはAおよびBが1位と4位、1位と
5位または2位と6位に置換しているのが好ましく、2
位と6位に置換しているのがより好ましい。 またXは水素原子、ハロゲン原子またはメチル基が好
ましい。 一般式(I)においてAおよびB中のZ1、Z2、Z3およ
びZ4は単結合、 −O−、−CH2−、−CH=CH−または−C≡C−の中か
ら1種又は2種以上を任意に選択できるが光化学的ある
いは化学的安定性を考慮すると、単結合、 −O−または−CH2−が好ましく、さらに−Z1−Z2−基
および−Z3−Z4−基が単結合、 または−OCH2−であるのがより好ましい。 C環、D環は1,4-フェニレン、2,6-ナフチレン、ピリ
ミジン‐2,5-ジイル、トランス‐1,4-シクロヘキシレ
ン、トランス‐1,3-ジオキサン‐2,5-ジイル、トランス
‐1,3-オキサチン‐2,5-ジイル、トランス‐1,3-ジチア
ン‐2,5-ジイルまたはトランス‐1,3,2-ジオキサボリナ
ン‐2,5-ジイル基あるいはそれらの水素原子がハロゲン
原子、シアノ基、メチル基、エチル基またはメトキシ基
で単置換または多置換された基より任意に選択すること
ができるが、好ましくは1,4-フェニレン、2,6-ナフチレ
ン、ピリミジン‐2,5-ジイル、トランス‐1,4-シクロヘ
キシレンまたはトランス‐1,3,2-ジオキサボリナン基あ
るいはそれらのハロゲン原子、シアノ基、メチル基、エ
チル基またはメトキシ基により置換された基であり、さ
らに好ましくは1,4-フェニレン、2,6-ナフチレンまたは
トランス‐1,4-シクロヘキシレン基あるいはそれらのハ
ロゲン原子、シアノ基、メチル基、エチル基またはメト
キシ基により置換された基である。 またAおよびB中のmおよびnは0、1または2の整
数であるが、より好ましくはm+n≦2を満たす。 一般式(I)で示される化合物の中で特に好ましい化
合物を一般式で示すと次の通りである。 このタイプの具体的一般式としては このタイプの具体的一般式としては このタイプの具体的一般式としては このタイプの具体的一般式としては このタイプの具体的一般式としては このタイプの具体的一般式としては (但し、R1およびR2は少なくとも一方は光学活性基を含
む、独立してそれぞれ基−R、−OR、 であり、ここでRは水素原子、ハロゲン原子又は炭素数
1〜20個(但し、一般式(12−0)の場合は2〜20個)
を有する直鎖状または分岐鎖状のアルキル基、アルコキ
シアルキル基、ハロゲノアルキル基、アルケニルアルキ
ル基、アルコキシカルボニルアルキル基を示し、X1、X2
は水素原子、ハロゲン原子、メチル基、エチル基または
メトキシ基、X3〜X6は水素原子、ハロゲン原子、メチル
基、エチル基、シアノ基またはメトキシ基であり、Zは
単結合、 CH2O−、または−OCH2−基を示す。) 一般式(I)の化合物には少なくとも1個以上の不斉
炭素原子が存在するが、それはAおよび(または)B中
のYの中に存在するのが好ましい。Yは水素原子、ハロ
ゲン原子または炭素数1〜20個を有する直鎖状あるいは
分岐鎖状のアルキル基またはアルケニルアルキル基(但
し、AおよびB中のmおよびnが同時に0である場合
は、Yは炭素数2〜20の直鎖または分岐鎖状のアルキル
基あるいはアルケニルアルキル基である)であり、さら
にこれらのアルキル基中の1個のCH2基または隣接して
ない2個のCH2基は−O−、 または により置き換えられていてもよく、また1個の水素原子
はハロゲン原子、シアノ基あるいはアルコキシル基に置
き換えられていてもよく、より好ましくはYは水素原
子、ハロゲン原子または炭素数1〜20個を有する直鎖状
あるいは分岐鎖状のアルキル基またはアルケニルアルキ
ル基(これらのアルキル基中の1個のCH2基または隣接
していない2個のCH2基は−O−または に、また1個の水素原子はハロゲン原子あるいはアルコ
キシル基に置き換えられていてもよい。)である。 不斉炭素原子としては、すべての光学活性物質が有用
であるが、特に光学活性アルコール類および光学活性カ
ルボン酸類が出発原料として有用である。 光学活性アルコール類としては例えば、光学活性2-メ
チル‐ブタノール、光学活性3-メチル‐ペンタノール、
光学活性4-メチル‐ヘキサノール、光学活性5-メチル‐
ヘプタノール、光学活性6-メチル‐オクタノール、光学
活性シトロネロール、光学活性3,7-ジメチルオクタノー
ル、光学活性2-ブタノール、光学活性2-ペンタノール、
光学活性2-ヘキサノール、光学活性2-ヘプタノール、光
学活性2-オクタノール、光学活性2-ノナノール、光学活
性2-デカノール、光学活性2-ウンデカノール、光学活性
2-ドデカノール、光学活性2-メチル‐ペンタノール、光
学活性2-メチル‐ヘキサノール、光学活性2-アルキルオ
キシプロパノール、光学活性3-アルキルオキシブタノー
ル、光学活性3-アルキルオキシペンタノール、光学活性
乳酸エステル、光学活性3-ヒドロキシ‐2-メチル‐プロ
パン酸エステル、光学活性3-ヒドロキシブタン酸エステ
ル、光学活性3-ヒドロキシペンタン酸エステル、光学活
性2-ハロゲノ‐プロパノール、光学活性2-ハロゲノ‐ブ
タノール、光学活性2-ハロゲノ‐ペンタノール、光学活
性2-ハロゲノ‐ヘキサノール、光学活性2-ハロゲノ‐ヘ
プタノール、光学活性2-ハロゲノ‐オクタノール、光学
活性2-ハロゲノ‐ノナノール、光学活性2-ハロゲノ‐デ
カノール、光学活性2-ハロゲノ‐ウンデカノール、光学
活性2-ハロゲノ‐ドデカノールが有用である。 光学活性カルボン酸としては例えば光学活性2-メチル
‐ブタン酸、光学活性3-メチル‐ペンタン酸、光学活性
4-メチル‐ヘキサン酸、光学活性2-メチル‐ペンタン
酸、光学活性3,7-ジメチル‐オクタン酸、光学活性3-メ
チル‐2-ハロゲノ‐ペンタン酸、光学活性4-メチル‐2-
ハロゲノ‐ブタン酸、光学活性2-アルキルオキシ‐プロ
パン酸、光学活性3-アルキルオキシ‐ブタン酸、光学活
性3-アルキルオキシ‐ペンタン酸が有用である。 本発明によって提供される液晶組成物は一般式(I)
で表わされる本発明の化合物2種以上を組み合わせて構
成することができるが、次の一般式(II)で表わされる
化合物と任意に組み合わせても構成することができる。 (式中、EおよびF環はそれぞれ独立して基 (Gは水素原子、ハロゲン原子、シアノ基またはメチル
基)であり、aおよびbはそれぞれ0、1または2の整
数でありZ5、Z6およびZ7は単結合、−O−、 −CH2O−、−OCH2−または−CH2CH2−であり、Rおよび
R′は水素原子、ハロゲン原子、シアノ基あるいは1〜
20個の炭素原子よりなるアルキル基、アルコキシル基、
光学活性アルキル基、光学活性アルコキシル基、光学活
性アルコキシアルキル基、光学活性アルケニルアルキル
基または光学活性ハロゲノアルキル基である。) 本発明の一般式(I)で表わされる化合物でカイラル
スメクチックC相を単独で示す化合物の構成成分として
の割合は5重量%以上が好ましい。10重量%存在すれ
ば、公知の液晶化合物の応答速度を非常に速める。SC*
相を表わさない構成成分の割合としては50重量%未満が
好ましい。 一般式(I)の化合物は文献(たとえば、ホーベン・
ヴェィルによるメトーデン・デル・オルガニッシェン・
ヘミーのような標準的学術書)に記載されている各単位
操作それ自体既知である方法に準じ組合せて製造でき
る。この点に関しては本明細書に詳細には記載されてい
ないそれ自体既知の変形方法もまた用いることができ
る。 式(I)中のAまたは(および)Bの−Z1−Z2−が または(および) の場合、原料物質として好ましくは式(III)、(IV)
の化合物 そして(V)〜(VIII)の化合物である。 (X、Z1、Z2、Z3、Z4、環C、DおよびYは前記と同
じ) すなわち式(III)の化合物と式(VI)あるいは(VII
I)の化合物または式(IV)の化合物と式(V)あるい
は式(VII)の化合物とで通常用いられるエステル化の
方法により一般式(I)の化合物を製造できる。たとえ
ばカルボン酸化合物式(IV)、(VI)および(VIII)の
化合物をカルボン酸ハロライド(特にクロライド、ブロ
マイド)あるいはカルボン酸無水物等の反応性誘導体と
した後に式(III)、(V)あるいは(VII)の化合物と
反応させる方法である。 Aまたは(および)Bの−Z1−Z2−が−CH2O−または
(および)−OCH2−の場合、原料物質として好ましくは
式(III)、(V)、(VII)の化合物および式(IX),
(X)、(XI)の化合物である。 エーテル化の反応は通常用いられる方法、たとえば塩
基(水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水素化ナトリ
ウム、水素化カリウム等)存在下、ヒドロキシ化合物を
ハロゲン化物等の反応性アルキル誘導体と反応させて製
造できる。 第2表に本発明の化合物の代表的化合物を列挙する。 〔実施例〕 以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、勿
論、本発明の主旨と適用範囲はこれらの実施例によって
限定されるものではない。 表中、Cは結晶相、SC*はカイラルスメクチックC
相、SAはスメクチックA相、Chはコレステリック(カイ
ラルネマティック)相、Iは等方性液体、そしてSXは素
性不明のスメクチック相を表わし、各相の・印とその右
側の数字がその相から右側の相への転移温度を示し、−
印はその相を示さないことを意味する。なお、( )内
の値はモノトロピック相転移温度である。また*は不斉
炭素原子を表わす。 実施例1 (R)‐6-ベンジルオキシナフタレン‐2-カルボン酸
1′‐メチル‐ヘプチルエステルの製造 6-ベンジルオキシナフタレン‐2-カルボン酸65gを500
mlのベンゼン中、50gのシュウ酸塩化物と4時間加熱還
流した後過剰のシュウ酸塩化物とベンゼンを減圧下留去
し、酸塩化物を得た。この酸塩化物を100mlのベンゼン
に溶解し、この溶液に(R)‐2-オクタノール30gをピ
リジン30mlに溶解した溶液を加え、室温で8時間放置し
た。析出したピリジン塩酸塩を濾別した後有機層を2N-
塩酸、2N-水酸化ナトリウム水溶液を洗い、さらに中性
になるまで水洗した。有機層を分離し、無水硫酸マグネ
シウムで乾燥させベンゼンを減圧下留去した後、残渣を
エタノールより再結晶し、目的とする(R)‐6-ベンジ
ルオキシナフタレン‐2-カルボン酸1′‐メチル‐ヘプ
チルエステル80gを得た。 この化合物の相転移温度は第3表に示した。 またこの化合物の元素分析値は次のとおり理論値とよ
く一致した。 理論値(C26H30O9として) 分析値 C 79.9% 79.89% H 7.74% 7.70% 実施例2〜7 実施例1において(R)‐2-オクタノールの代りに種
々の光学活性アルコールを使用し、同様の反応を行なう
ことにより種々の光学活性‐6-ベンジルオキシナフタレ
ン‐2-カルボン酸アルキルエステルを製造した。その物
性値である相転移温度を第3表に示した。 実施例9 (R)‐6-(4′‐デシルオキシフェニルカルボニルオ
キシ)‐2-ナフタレンカルボン酸1″‐メチル‐ヘプチ
ルエステルの製造 (i)実施例1で製造した(R)‐6-ベンジルオキシナ
フタレン‐2-カルボン酸1′‐メチル‐ヘプチルエステ
ル30gを200mlのエタノールに溶解し、5%‐パラジウム
/炭素4gの存在下常圧、40℃で水素化した。パラジウム
/炭素を濾別後溶媒を減圧下留去し、融点67〜68℃の脱
ベンジル化生成物23gを得た。 (ii)(i)で得た生成物(R)‐6-ヒドロキシナフタ
レン‐2-カルボン酸1′‐メチル‐ヘプチルエステル4.
0g、4-デシルオキシ安息香酸3.7g、N,N′‐ジシクロヘ
キシルカルボジイミド2.6g及び10mlの4-ピロリジノピリ
ジンを50mlのクロロホルムに溶解し、8時間室温に放置
した。副生したN,N′‐ジシクロヘキシル尿素を濾別後
有機層を2N-塩酸、2N-水酸化ナトリウム水溶液で洗浄し
さらに水洗した。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥
し、溶媒を留去し粗生成物を得た。このものをベンゼン
を溶出液としシリカゲルカラムクロマトグラフィーを用
い精製した。さらにエタノールより再結晶し無色針状の
結晶として目的とする(R)‐6-(4′‐デシルオキシ
フェニルカルボニルオキシ)‐2-ナフタレンカルボン酸
1″‐メチル‐ヘプチルエステル5.0gを得た。収率67
%。この化合物の相転移温度は第3表に示した。またこ
の化合物の元素分析値は次のとおり理論値とよく一致し
ている。 理論値(C36H48O5として) 分析値 C 77.11% 77.25% H 8.63% 8.59% またSC*−SA転移温度よりも10℃低い温度で求めた自
発分極(Ps)の値は87nC/cm2であった。 実施例10〜19 実施例9の(ii)において、4-デシルオキシ安息香酸
の代わりに各種4-アルキルオキシ安息香酸、4-アルキル
安息香酸あるいは4-アルキルオキシ‐3-ハロゲノ安息香
酸を用いることにより各種のエステル化合物を製造し
た。その物性値である相転移温度は第3表にまとめて示
した。 実施例20〜37 実施例9(i)に示した方法に準じた方法により製造
した種々光学活性‐6-ヒドロキシナフタレン‐2-カルボ
ン酸アルキルエステル、あるいは各種光学活性‐6-ヒド
ロキシ‐5-ハロゲノナフタレン‐2-カルボン酸アルキル
エステルと種々の4-アルコキシ安息香酸、4-アルコキシ
‐3-ハロゲノ安息香酸、あるいは4-光学活性アルコキシ
安息香酸とを実施例9(ii)に示した方法に準じた方法
により各種エステル化合物を製造した。その物性値であ
る相転移温度は第3表に示した。 実施例39 (s)‐6-(2′‐メチル‐ブチルオキシ)‐2-ナフチ
ル‐4″‐デシルオキシ安息香酸エステルの製造 4-デシルオキシ安息香酸1.0g、(s)‐6-(2′‐メ
チル‐ブチルオキシ)‐2-ナフトール750mg、N,N′‐ジ
シクロヘキシルカルボジイミド700mgおよび4-ピロリジ
ノピリジン20mgを50mlの塩化メチレンに入れ室温で4時
間放置した。副生したN,N′‐ジシクロヘキシルウレア
を濾別した後、有機層を5%塩酸、5%水酸化ナトリウ
ム水溶液、水の順で洗浄し、無水硫酸マグネシウムを用
いて乾燥させた。塩化メチレンを留去した後、残渣をベ
ンゼンを溶出液とし、シリカゲルカラムクロマトグラフ
ィーを用い精製した。さらに得られた結晶をエタノール
より2回再結晶を行い750mg無色針状晶の結晶として、
目的とする(s)‐6-(2′‐メチルブチルオキシ)‐
2-ナフチル‐4″‐デシルオキシ安息香酸エステルを得
た。収率47%であった。このものの相転移温度は第3表
に示した。元素分析値は次の如くであり理論値とよく一
致している。 理論値(C32H42O4として) 分析値 C 78.33% 78.41% H 8.63% 8.72% またSC*−SA転移温度よりも10℃低い温度で求めた自
発分極(Ps)の値は2nC/cm2であった。 実施例40〜49 実施例39において4-デシルオキシ安息香酸の代わりに
種々の4-アルコキシ安息香酸あるいは4-アルキル安息香
酸を用いた他は実施例39の方法に従い各種の光学活性エ
ステル化合物を製造した。その物性値である相転移温度
は第3表に示した。 実施例50〜67及び71〜73 各種光学活性6-アルキルオキシ‐2-ナフトール、ある
いは光学活性6-アルコキシアルキルオキシ‐2-ナフトー
ルと4-アルコキシ安息香酸、または各種6-アルコキシ‐
2-ナフトールと光学活性4-アルコキシ安息香酸とを実施
例39に記載した方法に準じて反応させ各種光学活性エス
テルを製造した。その物性値である相転移温度は第3表
に示した。 実施例74 (s)‐4′‐(2″‐メチルブチル)フェニル‐6-ブ
チルオキシナフタレン‐2-カルボン酸エステルの製造 6-ブチルオキシナフタレン‐2-カルボン酸2.4g、
(s)‐4-(2′‐メチルブチル)フェノール1.6g、N,
N′‐ジシクロヘキシルカルボジイミド2.1gおよび4-ピ
ロリジノピリジン50mgを50mlの塩化メチレンに溶かし、
室温で15時間放置した。副生したN,N′‐ジシクロヘキ
シル尿素を濾別した後、有機層を5%塩酸、5%水酸化
ナトリウム水溶液、水の順で洗浄し無水硫酸マグネシウ
ムを用い乾燥させた。塩化メチレンを留去した後、残渣
をベンゼンを溶出液とし、シリカゲルカラムクロマトグ
ラフィーを用い精製した。さらに得られた液晶をエタノ
ールより2回再結晶し、2.1gの無色針状晶の結晶として
目的とする(s)‐4′‐(2″‐メチルブチル)フェ
ニル‐6-ブチルオキシナフタレン‐2-カルボン酸エステ
ルを得た。収率54% この化合物の相転移温度は第3表に示した。またこの
化合物の元素物性値は次の通り理論値とよく一致した。 理論値(C26H30O3として) 分析値 C 80.00% 80.10% H 7.69% 7.70% 実施例75 (s)‐4′‐(2″‐メチルブチル)フェニル‐6-ヘ
プチルオキシナフタレン‐2-カルボン酸エステルの製造 実施例74において、6-ブチルオキシナフタレン‐2-カ
ルボン酸の代わりに、6-ヘプチルオキシナフタレン‐2-
カルボン酸を使用した以外は、実施例74に示した方法に
従い、(s)‐4′‐(2″‐メチルブチル)フェニル
‐6-ヘプチルオキシナフタレン‐2-カルボン酸エステル
を製造した。 物性値である相転移温度は第3表に示した。 実施例76 (s)‐4′‐フルオロフェニル‐6′‐(1″‐メチ
ルヘプチルオキシ)ナフタレン‐2-カルボン酸エステル
の製造 実施例74において、6-ブチルオキシナフタレン‐2-カ
ルボン酸の代わりに(s)‐6-(1′‐メチルヘプチル
オキシ)ナフタレン‐2-カルボン酸を使用し、さらに、
(s)‐4-(2″‐メチルブチル)フェノールの代わり
に4-フルオロフェノールを使用した以外は、実施例74に
示した方法に従い、(s)‐4′‐フルオロフェニル‐
6-(1″‐メチルヘプチルオキシ)ナフタレン‐2-カル
ボン酸エステルを製造した。 物性値である相転移温度は第3表に示した。 実施例77 (R)‐4-〔6′‐(2″‐ブチルオキシエチルオキ
シ)‐2′‐ナフトイルオキシ〕安息香酸‐1‐メチ
ルプロピルエステルの製造 (R)‐4-ヒドロキシ安息香酸‐1″‐メチルプロピ
ルエステル1.9g、6-(2′‐ブチルオキシエチルオキ
シ)‐2-ナフタレンカルボン酸2.9g、N,N′‐ジシクロ
ヘキシルカルボジイミド2.1gおよび4-ピロリジノピリジ
ン50mgを30mlの塩化メチレンに溶かし、室温で10時間放
置した。副生したN,N′‐ジシクロヘキシル尿素を濾別
した後、有機層を5%塩酸、5%水酸化ナトリウム水溶
液、水の順で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムを用い
乾燥させた。塩化メチレンを留去した後、残渣をベンゼ
ンを溶出液とし、シリカゲルカラムクロマトグラフィー
により精製し、得られた結晶をエタノールより再結晶
し、無色針状晶の結晶として目的とする(R)‐4-
〔6′‐(2″‐ブチルオキシエチルオキシ)‐2′‐
ナフトイルオキシ〕安息香酸‐1‐メチルプロピルエ
ステルを2.3g得た。収率50% この化合物の相転移温度は第3表に示した。またこの
化合物の元素分析値は次のとおり理論値とよく一致し
た。 理論値(C28H32O6として) 分析値 C 72.41% 72.50% H 6.90% 6.91% 実施例78〜83 実施例77において、6-(2′‐ブチルオキシエチルオ
キシ)ナフタレン‐2-カルボン酸を使用する代わりに、
各種6-アルキルオキシナフタレン‐2-カルボン酸を使用
し、さらに、(R)‐4-ヒドロキシ安息香酸‐1′‐メ
チルプロピルエステルの代わりに、(R)‐4-ヒドロキ
シ安息香酸‐1′‐メチルペンチルエステルまたは
(R)‐4-ヒドロキシ安息香酸‐1′‐メチルヘキシル
エステルを使用した以外は、実施例77に記載した方法に
従い、各種エステル化合物を製造した。その物性値であ
る相転移温度は第3表に示した。 実施例84 (R)‐6-(4″‐ヘプチルビフェニル‐4′‐カルボ
ニルオキシ)‐2-ナフタレンカルボン酸‐1‐メチル
プロピルエステルの製造 4′‐ヘプチルビフェニル‐4-カルボン酸3.0gと20ml
の塩化チオニルを300mlのベンゼン中で、5時間加熱還
流後、過剰の塩化チオニルとベンゼンを減圧下留去し
た。残渣のカルボン酸クロライドに、(R)‐6-ヒドロ
キシナフタレン‐2-カルボン酸‐1′‐メチルプロピル
エステル2.5gと30mlのピリジンおよび300mlのベンゼン
を加え、5時間加熱還流した。 室温にまで冷却後、ピリジン塩酸塩を濾別後、濾液を
水、10%塩酸、飽和NaHCO3水、水の順で洗浄した後、無
水硫酸マグネシウムを用い乾燥させた。ベンゼンを留去
後、ベンゼンを溶出液とし、シリカゲルカラムクロマト
グラフィーを用い、分離精製した。さらに得られた結晶
をエタノール‐酢酸エチルエステルより再結晶し、2.9g
の無色の結晶として目的の(R)‐6-(4″‐ヘプチル
ビフェニル‐4′‐カルボニルオキシ)‐2-ナフタレン
カルボン酸‐1‐メチルプロピルエステルを得た。収
率55% この化合物の相転移温度は第4表に示した。またこの
化合物の元素分析値は次の通り理論値とよく一致した。 理論値(C35H38O4として) 分析値 C 80.50% 80.65% H 7.28% 7.24% 実施例85 (R)‐6-(4″‐オクチルビフェニル‐4′‐カルボ
ニルオキシ)‐2-ナフタレンカルボン酸‐1‐メチル
プロピルエステルの製造 実施例84において、4′‐ヘプチルビフェニル‐4-カ
ルボン酸の代わりに4′‐オクチルビフェニル‐4-カル
ボン酸を使用した以外は、実施例84に示した方法に従
い、(R)‐6-(4″‐オクチルビフェニル‐4′‐カ
ルボニルオキシ)‐2-ナフタレンカルボン酸‐1‐メ
チルプロピルエステルを製造した。 物性値である相転移温度は第4表に示した。 実施例86〜93 実施例84において、4′‐ヘプチルビフェニル‐4-カ
ルボン酸の代わりに、種々の4′‐アルキルオキシビフ
ェニル‐4-カルボン酸あるいは4′‐アルキルビフェニ
ル‐4-カルボン酸あるいは3′‐ハロゲノ‐4′‐アル
キルオキシビフェニル‐4-カルボン酸を使用し、さらに
(R)‐6-ヒドロキシナフタレン‐2-カルボン酸‐1′
‐メチルプロピルエステルの代わりに、(R)‐6-ヒド
ロキシナフタレン‐2-カルボン酸‐1′‐メチルヘプチ
ルエステルを使用した以外は、実施例84に示した方法に
従い、各種光学活性エステル化合物を製造した。その物
性値である相転移温度は第4表に示した。 実施例94 (S)‐6-(2′‐メチルブチルオキシ)‐2-ナフチル
‐4″‐オクチルオキシビフェニル‐4‐カルボン酸
エステルの製造 4′‐オクチルオキシビフェニル‐4-カルボン酸400m
g、(S)‐6-(2′‐メチルブチルオキシ)‐2-ナフ
トール290mg、N,N′‐ジシクロヘキシルカルボジイミド
260mgおよび4-ピロリジノピリジン20mgを30mlの塩化メ
チレンに入れ室温で20時間放置した。副生したN,N′‐
ジシクロヘキシルウレアを濾別した後、有機層を、5%
塩酸、5%水酸化ナトリウム水溶液、水の順で洗浄し、
無水硫酸マグネシウムを用いて乾燥させた。 塩化メチレンを留去した後、残渣をベンゼンを溶出液
とし、シリカゲルカラムクロマトグラフィーを用いて精
製した。さらに得られた結晶をエタノール‐酢酸エチル
より再結晶し280mgの無色針状晶状の結晶として目的の
(S)‐6-(2′‐メチルブチルオキシ)‐2-ナフチル
‐4″‐オクチルオキシビフェニル‐4‐カルボン酸
エステルを得た。その収率は42%であり、相転移温度は
第4表に示した。また元素分析値は次のとおり理論値と
よく一致している。 理論値(C36H42O4として) 分析値 C 80.26% 80.07% H 7.86% 7.85% またSC*−SA転移温度より10℃低い温度で求めた自発分
極(Ps)の値は2nc/cm2であった。 実施例95〜99 実施例94において4′‐オクチルオキシビフェニル‐
4-カルボン酸の代わりに種々の4′‐アルキルオキシビ
フェニル‐4-カルボン酸あるいは光学活性4′‐アルキ
ルオキシビフェニル‐4-カルボン酸を使用しさらに
(S)‐6-(2′‐メチルブチルオキシ)‐2-ナフトー
ルの代わりに種々光学活性6-(アルキルオキシ)‐2-ナ
フトールあるいは6-アルキルオキシ‐2-ナフトールある
いは6-アルキル‐2-ナフトールを使用し実施例94に記載
した方法に従い各種光学活性エステル化合物を製造し
た。その物性値である相転移温度は第4表に示した。 実施例100 (S)‐6-デシルオキシ‐2-ナフチル‐6′‐(2″‐
メチルブチルオキシ)ナフタレン‐2′‐カルボン酸エ
ステルの製造 (S)‐6-(2′‐メチルブチルオキシ)‐ナフタレ
ン‐2-カルボン酸300mg、6-デシルオキシ‐2-ナフトー
ル350mg、N,N′‐ジシクロヘキシルカルボジイミド240m
g、4-ピロリジノピリジン10mgを20mlの塩化メチレンに
入れ室温で3時間放置した。副生したN,N′‐ジシクロ
ヘキシルウレアを濾別後、有機層を5%塩酸、5%水酸
化ナトリウム水溶液、水の順で洗浄し無水硫酸マグネシ
ウムを用い乾燥させた。塩化メチレンを留去後残渣をベ
ンゼンを溶出液としシリカゲルカラムクロマトグラフィ
ーを用い精製した。さらに得られた結晶をエタノール‐
酢酸エチルより再結晶し320mgの無色針状の結晶として
目的とする(S)‐6-デシルオキシ‐2-ナフチル‐6′
‐(2″‐メチルブチルオキシ)ナフタレン‐2′‐カ
ルボン酸エステルを得た。収率51%。この化合物の相転
移温度は第5表に示した。また元素分析値は次のとおり
理論値とよく一致している。 理論値(C36H44O4として) 分析値 C 79.96% 80.03% H 8.20% 8.15% 実施例101 実施例100において(S)‐6-(2′‐メチルブチル
オキシ)‐ナフタレン‐2-カルボン酸の代りに(S)‐
6-(4′‐メチルヘキシルオキシ)‐ナフタレン‐2-カ
ルボン酸を使用した以外は実施例100に記載した方法に
より光学活性エステル化合物を製造した。その物性値で
ある相転移温度は第5表に示した。 実施例102 (R)‐6-(トランス‐4′‐ブチルシクロヘキシルカ
ルボニルオキシ)‐2-ナフタレンカルボン酸1″‐メチ
ル‐ヘプチルエステルの製造 トランス‐4-ブチルシクロヘキシルカルボン酸1g、
(R)‐6-ヒドロキシナフタレン‐2-カルボン酸1′‐
メチル‐ヘプチルエステル1.7g、N,N′‐ジシクロヘキ
シルカルボジイミド1.2g及び20mgの4-ピロリジノピリジ
ンを50mlのクロロホルムに溶解し、8時間室温に放置し
た。副生したN,N′‐ジシクロヘキシル尿素を濾別後、
有機層を2N-塩酸、2N-水酸化ナトリウム水溶液で洗浄し
さらに水洗した。このものをベンゼンを溶出液としシリ
カゲルカラムクロマトグラフィーを用い精製し、無色の
油状物として目的とする(R)‐6-(トランス‐4′‐
ブチルシクロヘキシルカルボニルオキシ)‐2-ナフタレ
ンカルボン酸1″‐メチル‐ヘプチルエステルを1.2g得
た。収率47%。この化合物の相転移温度は第6表に示し
た。またこの化合物の元素分析値は次のとおり理論値と
よく一致している。 理論値(C30H42O4として) 分析値 C 77.21% 77.25% H 9.07% 9.10% 実施例103 実施例102においてトランス‐4-ブチルシクロヘキシ
ルカルボン酸の代りにトランス‐4-ノニルシクロヘキシ
ルカルボン酸を使用した以外は実施例102に記載した方
法により光学活性エステル化合物を製造した。その物性
値である相転移温度は第6表に示した。 実施例104〜107 実施例102においてトランス‐4-ブチルシクロヘキシ
ルカルボン酸の代りに種々のトランス‐4-アルキルシク
ロヘキシルカルボン酸を用いさらに(R)‐6-ヒドロキ
シナフタレン‐2-カルボン酸1′‐メチル‐ヘプチルエ
ステルの代りに種々の光学活性6-ヒドロキシナフタレン
‐2-カルボン酸アルキルエステルを使用し実施例102に
記載した方法に従い各種光学活性エステル化合物を製造
した。その物性値である相転移温度は第6表に示した。 実施例108 (s)‐6-オクチルナフタレン‐2-カルボン酸‐2″‐
メチルブチルエステルの製造 6-オクチルナフタレン‐2-カルボン酸2.8gと5mlの塩
化チオニルを50mlのトルエン中、5時間加熱還流した。
トルエンおよび過剰の塩化チオニルを減圧下留去した
後、残渣を20mlのトルエンに溶解し、1gの(s)‐2-メ
チルブタノールを含む10mlのピリジン溶液に加え、10時
間室温で撹拌した。反応混合物を20%塩酸、10%水酸化
ナトリウム水溶液および水の順で洗浄した。有機層を無
水硫酸マグネシウムで乾燥後、トルエンを留去し残渣の
オイルをシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精
製し、(s)‐6-オクチルナフタレン‐2-カルボン酸‐
2″‐メチルブチルエステル1.9gを得た。収率55%。 この化合物の相転移温度は第7表に示した。 またこの化合物の元素分析値は次のとおり理論値とよ
く一致した。 理論値(C24H34O3として) 分析値 C 81.36% 81.51% H 9.60% 9.55% 実施例109〜119 実施例108において、6-オクチルナフタレン‐2-カル
ボン酸の代りに種々の6-アルキルオキシナフタレン‐2-
カルボン酸を使用し、さらに(s)‐2-メチル‐ブタノ
ールの代りに種々の光学活性アルコール類を使用し実施
例108に記載した方法により各種光学活性エステルを製
造した。その物性値である相転移温度は第7表に示し
た。 実施例120 (s)‐4-メチルカプロン酸‐2′‐(6′‐デシルオ
キシ)ナフチルエステルの製造 6-デシルオキシ‐2-ナフトール600mg、(s)‐4-メ
チルカプロン酸260mg、N,N′‐ジシクロヘキシルカルボ
ジイミド420mgおよび4-ピロリジノピリジン10mgを15ml
の塩化メチレンに入れ室温で2時間放置した。副生した
N,N′‐ジシクロヘキシルウレアを濾別した後、有機層
を、5%塩酸、5%水酸化ナトリウム水溶液、水の順で
洗浄し、無水硫酸マグネシウムを用い乾燥させた。塩化
メチレンを留去した後残渣をベンゼンを溶出液としシリ
カゲルカラムクロマトグラフィーを用いて精製し、600m
gの(s)‐4-メチルカプロン酸‐2′‐(6′‐デシ
ルオキシ)ナフチルエステルを得た。収率73%、このも
のの相転移温度を第7表に示した。 このものの元素分析値は次のとおり理論値とよく一致
した。 理論値(C27H40O3として) 分析値 C 78.59% 78.40% H 9.77% 9.80% 実施例121〜123 実施例120において、6-デシルオキシ‐2-ナフトール
の代りに種々の6-アルキルオキシ‐2-ナフトールを使用
した以外は実施例120に記載した方法に従い各種光学活
性エステルを製造した。その物性値である相転移温度は
第7表に示した。 実施例124〜127 実施例120において、6-デシルオキシ‐2-ナフトール
の代りに種々の6-アルキルオキシ‐2-ナフトールを使用
し、さらに(s)‐4-メチルカプロン酸の代りに種々の
光学活性カルボン酸類を使用し実施例120に記載した方
法により各種光学活性エステル化合物を製造した。その
物性値である相転移温度を第7表に示した。 実施例128本発明の液晶化合物 から構成された液晶組成物は47℃までSC*相を示し47〜
95℃まではSA相それ以上の温度では等方性液体となり、
室温付近での表示素子として適している。 この混合物を電極面にシリカの斜方蒸着を施した電極
間隔が5μmのセルに注入した。この液晶セルを直交ニ
コル状態に配置した2枚の偏光子の間にはさみ、10Vの
低周波数(1Hz)の交流を印加したところ、明瞭なスイ
ッチング現象が観察され、コントラストも非常に良く、
さらには応答速度も非常に速い(80μsec)液晶表示素
子が得られた。なお自発分極の値Psは42nC/cm2であっ
た。 実施例129 本発明の液晶化合物 から構成された液晶組成物は40℃までSC*相を示し40〜
67℃まではSA相、それ以上の温度では等方性液体とな
り、室温付近での表示素子として適している。 この混合物を電極面にシリカの斜方蒸着を施した電極
間隔が5μmのセルに注入した。この液晶セルを直交ニ
コル状態に配置した2枚の偏光子の間にはさみ、10Vの
低周波数(1Hz)の交流を印加したところ、明瞭なスイ
ッチング現象が観察され、コントラストも非常に良く、
さらには応答速度も非常に速い(100μsec)液晶表示素
子が得られた。なお自発分極の値Psは38nc/cm2であっ
た。 実施例130 公知の液晶性化合物 (このものは結晶 等方性液体の相転移温度を示し、応答速度は1msecであ
る。) 本発明の化合物 添加した液晶組成物は の相転移温度を示した。 またこのものを実施例128で示したセルに注入し応答
速度を測定したところ500μsecと非常に速まった。 実施例131 実施例130と同様に、本発明の化合物 液晶化合物(応答速度1msec) 添加した液晶混合物は の相転移温度を示し、室温で動作し、このものを実施例
128で示したセルに注入し応答度を測定したところ、200
μsecと非常に速くなった。 このように本発明の化合物のうち液晶相をまったく示
さない化合物も室温付近で動作し、かつ応答速度のより
速い液晶組成物を得るのに非常に有用な化合物である。 比較例1 実施例130において、本発明の化合物の代わりに、 を使用して、調整した液晶組成物は、 の相転移温度を示した。 この液晶組成物の応答速度は、1.2msecであった。 実施例132 実施例9で製造した化合物と第1表中の1の構造で示
される公知の光学活性4-デシルオキシベンジリデン‐
4′‐アミノ‐2″‐メチルブチルシンナメート(DOBA
MBC)をそれぞれサンプル管に入れ、温度60℃、湿度90
%雰囲気中に40時間放置し、その前後でのSC*−SA転移
温度の変化を調べた。 DOBAMBCのSC*−SA転移温度は95℃から75℃へと20℃
も低下したのに対し、実施例9で製造した化合物の転移
温度はまったく変化せず、水分に対し非常に安定である
ことが判明した。 実施例133 実施例9で製造した化合物と公知のDOBAMBCをそれぞ
れガラス管に入れ、カーボンアークを用いて30時間照射
し、その前後でのSC*−SA転移温度の変化を調べた。DO
BAMBCのSC*−SA転移温度は95℃から72℃へと23℃も低
下したのに対し、実施例9で製造した化合物の転移温度
はまったく変化せず、光に対し非常に安定であることが
判明した。 〔発明の効果〕 本発明は光および光学的に安定な一般式(I)で示さ
れる光学活性なナフタレン誘導体化合物および該化合物
を少なくとも1種を含有する強誘電性スメクチック液晶
組成物を提供することにより、高速応答可能な表示素子
を構成し得るという優れた効果を有する。
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フロントページの続き
(51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所
C07C 255/49 9357−4H C07C 255/49
C07D 239/54 C07D 319/06
319/06 327/06
327/06 339/08
339/08 C09K 19/32
C09K 19/32 G02F 1/13 500
// G02F 1/13 500 C07D 239/54
C07M 7:00
前置審査
(56)参考文献 特開 昭62−146984(JP,A)
特開 昭59−93777(JP,A)
特公 平6−56673(JP,B2)
英国公開1603075(GB,A)
Mol.Cryst.Liq.Cry
st.(1985),Vol.127,No.
1−4,P.273−282
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 1.一般式(I) 〔式中、Xは水素原子 ハロゲン原子、メチル基、エチ
ル基またはメトキシ基であり、AおよびBは独立してそ
れぞれ次の一般式で表わされる基であり、少なくとも一
方は不斉炭素原子を含み、 ここでC環、D環はそれぞれ独立して、1,4-フェニレ
ン、2,6-ナフチレン、ピリジミン‐2,5-ジイル、トラン
ス‐1,4-シクロヘキシレン、トランス‐1,3-ジオキサン
‐2,5-ジイル、トランス‐1,3-オキサチアン‐2,5-ジイ
ル、トランス‐1,3-ジチアン‐2,5-ジイルまたはトラン
ス‐1,3,2-ジオキサボリナン‐2,5-ジイル基であり、こ
れらの基はハロゲン原子、シアノ基、メチル基、エチル
基またはメトキシ基により単置換あるいは多置換されて
いてもよく、mおよびnは0、1または2の整数であ
り、Z1、Z2、Z3およびZ4はそれぞれ単結合、 −O−、−CH2−、−CH=CH−または−C≡C−の群か
ら選んだ1種または2種以上の結合基であり、Yは水素
原子、ハロゲン原子、または炭素数1〜20を有する直鎖
状または分岐鎖状のアルキル基あるいはアルケニルアル
キル基(但し、AおよびB中のmおよびnが同時に0で
ある場合は、Yは炭素数2〜20の直鎖または分岐鎖状の
アルキル基あるいはアルケニルアルキル基である)(こ
れらのアルキル基中の1個のCH2基または隣接していな
い2個のCH2基は により置き換えられていてもよく、また1個の水素原子
はハロゲン原子あるいはアルコキシル基に置き換えられ
ていてもよい)である。 但し、AがRO−、 (式中、Rはアルキル基を表し、Wは水素原子またはハ
ロゲン原子を表す)であり、A,Bに含まれるアルキル基
の少なくとも一方は不斉炭素原子を含む下記式で表され
る炭素数4〜8の光学活性なアルキル基であり、 (ここで、pは0〜3の整数、qは1または2の整数を
示し、*は不斉炭素原子を示す) 且つ、他方のアルキル基が炭素数4〜18のアルキル基を
表す場合、および、AがR′−(R′は炭素数4〜10の
アルキル基)であり、 (*は不斉炭素原子を示す)である場合を除く。〕 で示される光学活性ナフタレン誘導体。 2.一般式(I)で示される化合物が、次の一般式(2
−0) 〔式中R1、R2は水素原子、ハロゲン原子あるいは −R、−OR(Rは、炭素数1〜20の直鎖状または分岐鎖
状のアルキル基、ハロゲノアルキル基、アルコキシアル
キル基、アルケニルアルキル基、アルコキシカルボニル
アルキル基よりなる群より選んだ1種の基である)であ
り、R1、R2の少なくとも一方に不斉炭素原子を含み、 Zは単結合、 よりなる群より選んだ結合基であり、X1、X2は水素原
子、ハロゲン原子またはメチル基、X3、X4は水素原子、
ハロゲン原子、メチル基またはシアノ基である。但し、
R1が−OR基、R2が X3およびX4が水素原子である場合で、R1、R2に含まれる
アルキル基の少なくとも一方は不斉炭素原子を含む下記
式で表される炭素数4〜8の光学活性なアルキル基で、
且つ、他方のアルキル基が炭素数4〜18のアルキル基を
表す場合、 (ここで、pは0〜3の整数、qは1または2の整数を
示し、*は不斉炭素原子を示す) およびR1が R2が炭素数4〜10のアルキル基、X3およびX4が水素原
子、Zが である場合を除く。〕で示される化合物である特許請求
の範囲第1項に記載の光学活性ナフタレン誘導体。 3.一般式(2−0)で示される化合物が次の一般式
(2−1)、(2−2)、(2−3)、(2−4)、
(2−5)、(2−6)、(2−7)、(2−8)、
(2−9)、(2−10)、(2−11)、(2−12)、
(2−13)および(2−14) (但し*印は不斉炭素原子を含むことを表わす。以下同
じ。) よりなる群より選んだ1種の化合物である特許請求の範
囲第2項に記載の光学活性ナフタレン誘導体。 4.一般式(I)で示される化合物が次の一般式(4−
0) 〔式中R1、R2は水素原子、 −Rあるいは−OR(Rは、炭素数1〜20の直鎖状または
分岐鎖状のアルキル基、ハロゲノアルキル基、アルコキ
シアルキル基、アルケニルアルキル基、アルコキシカル
ボニルアルキル基よりなる群より選んだ1種の基であ
る)であり、R1、R2の少なくとも一方に不斉炭素原子を
含み、Zは単結合、 よりなる群より選んだ結合基であり、X1、X2は水素原
子、ハロゲン原子またはメチル基であり、X3〜X6は水素
原子、ハロゲン原子、メチル基またはシアノ基である。
但し、R1が−OR基、 である場合で、R1、R2に含まれるアルキル基の少なくと
も一方は不斉炭素原子を含む下記式で表される炭素数4
〜8の光学活性なアルキル基であり、 (ここで、pは0〜3の整数、qは1または2の整数を
示し、*は不斉炭素原子を示す) 他方のアルキル基が炭素数4〜18のアルキル基を表す場
合は除く。〕 で示される化合物である特許請求の範囲第1項に記載の
光学活性ナフタレン誘導体。 5.一般式(4−0)で示される化合物が一般式(4−
1)、(4−2)、(4−3)、(4−4)、(4−
5)、(4−6)、(4−7)、(4−8)、(4−
9)、(4−10)、(4−11)、(4−12)、(4−1
3)、(4−14)、(4−15)、(4−16)、(4−1
7)、(4−18)、(4−19)、(4−20)、(4−2
1)、(4−22)、(4−23)、(4−24)、(4−2
5)および(4−26) よりなる群より選んだ1種の化合物である特許請求の範
囲第4項に記載の光学活性ナフタレン誘導体。 6.一般式(I)で示される化合物が次の一般式(6−
0) 〔式中R1、R2は水素原子、 −Rあるいは−OR(Rは炭素数1〜20の直鎖状または分
岐鎖状のアルキル基、ハロゲノアルキル基、アルコキシ
アルキル基、アルケニルアルキル基、アルコキシカルボ
ニルアルキル基よりなる群より選んだ1種の基である)
であり、R1、R2の少なくとも一方に不斉炭素原子を含
み、Zは単結合、 −CH2O−、−OCH2−よりなる群より選んだ結合基であ
り、 X1、X2は水素原子、ハロゲン原子またはメチル基であ
り、X3、X4は水素原子、ハロゲン原子、メチル基または
シアノ基である。但し、R1が−OR基、R2が である場合で、R1、R2に含まれるアルキル基の少なくと
も一方は不斉炭素原子を含む下記式で表される炭素数4
〜8の光学活性なアルキル基であり、 (ここで、pは0〜3の整数、qは1または2の整数を
示し、*は不斉炭素原子を示す) 他方のアルキル基が炭素数4〜18のアルキル基を表す場
合は除く。〕 で示される化合物である特許請求の範囲第1項に記載の
光学活性ナフタレン誘導体。 7.一般式(6−0)で示される化合物が次の一般式
(6−1)、(6−2)、(6−3)、(6−4)、
(6−5)、(6−6)、(6−7)、(6−8)、お
よび(6−9) なる群より選んだ1種の化合物である特許請求の範囲第
6項に記載の光学活性ナフタレン誘導体。 8.一般式(I)で示される化合物が次の一般式(8−
0) 〔式中、 はトランス−1,4−シクロヘキシレン基を示し、R1、R2
は水素原子、 −Rあるいは−OR(Rは炭素数1〜20の直鎖状または分
岐鎖状のアルキル基、ハロゲノアルキル基、アルコキシ
アルキル基、アルケニルアルキル基、アルコキシカルボ
ニルアルキル基よりなる群より選んだ1種の基である)
であり、R1、R2の少なくとも一方に不斉炭素原子を含
み、Zは単結合、 よりなる群より選んだ結合基であり、X1、X2は水素原
子、ハロゲン原子またはメチル基である。〕 で示される化合物である特許請求の範囲第1項に記載の
光学活性ナフタレン誘導体。 9.一般式(8−0)で示される化合物が、次の一般式
(8−1)、(8−2)、(8−3)、(8−4)、
(8−5)、(8−6)および(8−7) で示される特許請求の範囲第8項に記載の光学活性ナフ
タレン誘導体。 10.一般式(I)で示される化合物が次の一般式(10
−0) 〔式中、R1、R2は水素原子、 −Rあるいは−OR(Rは炭素数1〜20の直鎖状または分
岐鎖状のアルキル基、ハロゲノアルキル基、アルコキシ
アルキル基、アルケニルアルキル基、アルコキシカルボ
ニルアルキル基よりなる群より選んだ1種の基である)
であり、R1、R2の少なくとも一方に不斉炭素原子を含
み、Zは単結合、 −CH2O−、−OCH2−よりなる群より選んだ結合基であ
り、 X1、X2は水素原子、ハロゲン原子またはメチル基であ
り、X3〜X6は水素原子、ハロゲン原子、メチル基または
シアノ基である。但し、R1、R2が−OR基、X3、X4が水素
原子またはハロゲン原子、X5、X6が水素原子、Zが 基である場合で、R1、R2に含まれるアルキル基の少なく
とも一方は不斉炭素原子を含む下記式で表される炭素数
4〜8の光学活性なアルキル基であり、 (ここで、pは0〜3の整数、qは1または2の整数を
示し、*は不斉炭素原子を示す) 他方のアルキル基が炭素数4〜18のアルキル基を表す場
合は除く。〕 で示される化合物である特許請求の範囲第1項に記載の
光学活性ナフタレン誘導体。 11.一般式(10−0)で示される化合物が次の一般式
(10−1)、(10−2)、(10−3)、(10−4)、
(10−5)、(10−6)、(10−7)および(10−8) で示される化合物である特許請求の範囲第10項に記載の
光学活性ナフタレン誘導体。 12.一般式(I)で示される化合物が、次の一般式
(12−0) 〔式中、R1、R2は水素原子、 −Rあるいは−OR(Rは炭素数2〜20の直鎖状または分
岐鎖状のアルキル基、ハロゲノアルキル基、アルコキシ
アルキル基、アルケニルアルキル基、アルコキシカルボ
ニルアルキル基よりなる群より選んだ1種の基である)
であり、R1、R2の少なくとも一方に不斉炭素原子を含
み、X1、X2は水素原子、ハロゲン原子またはメチル基で
ある。但し、R1が−OR基、R2が である場合で、R1、R2に含まれるアルキル基の少なくと
も一方は不斉炭素原子を含む下記式で表される炭素数4
〜8の光学活性なアルキル基であり、 (ここで、pは0〜3の整数、qは1または2の整数を
示し、*は不斉炭素原子を示す) 他方のアルキル基が炭素数4〜18のアルキル基を表す場
合は除く。〕 で示される化合物である特許請求の範囲第1項に記載の
光学活性ナフタレン誘導体。 13.一般式(12−0)で示される化合物が次の一般式
(12−1)、(12−2)、(12−3)、(12−4)、
(12−5)、(12−6)、(12−7)、(12−8)およ
び(12−9) で示される化合物である特許請求の範囲第12項に記載の
光学活性ナフタレン誘導体。 14.一般式(I) 〔式中、Xは水素原子、ハロゲン原子、メチル基、エチ
ル基またはメトキシ基であり、AおよびBは独立してそ
れぞれ次の一般式で表わされる基であり、少なくとも一
方は不斉炭素原子を含み、 ここでC環、D環はそれぞれ独立して、1,4-フェニレ
ン、2,6-ナフチレン、ピリジミン‐2,5-ジイル、トラン
ス‐1,4-シクロヘキシレン、トランス‐1,3-ジオキサン
‐2,5-ジイル、トランス‐1,3-オキサチアン‐2,5-ジイ
ル、トランス‐1,3-ジチアン‐2,5-ジイルまたはトラン
ス‐1,3,2-ジオキサボリナン‐2,5-ジイル基であり、こ
れらの基はハロゲン原子、シアノ基、メチル基、エチル
基またはメトキシ基により単置換あるいは多置換されて
いてもよく、mおよびnは0、1または2の整数であ
り、Z1、Z2、Z3およびZ4はそれぞれ単結合、 −O−、−CH2−、−CH=CH−または−C≡C−の群か
ら選んだ1種または2種以上の結合基であり、Yは水素
原子、ハロゲン原子、または炭素数1〜20を有する直鎖
状または分岐鎖状のアルキル基あるいはアルケニルアル
キル基(但し、AおよびB中のmおよびnが同時に0で
ある場合は、Yは炭素数2〜20の直鎖または分岐鎖状の
アルキル基あるいはアルケニルアルキル基である)(こ
れらのアルキル基中の1個のCH2基または隣接していな
い2個のCH2基は により置き換えられていてもよく、また1個の水素原子
はハロゲン原子あるいはアルコキシル基に置き換えられ
ていてもよい)である。 但し、AがRO−、 (式中、Rはアルキル基を表し、Wは水素原子またはハ
ロゲン原子を表す) であり、A,Bに含まれるアルキル基の少なくとも一方は
不斉炭素原子を含む下記式で表される炭素数4〜8の光
学活性なアルキル基であり、 (ここで、pは0〜3の整数、qは1または2の整数を
示し、*は不斉炭素原子を示す) 且つ、他方のアルキル基が炭素数4〜18のアルキル基を
表す場合、および、AがR′−(R′は炭素数4〜10の
アルキル基)であり、 (*は不斉炭素原子を示す)である場合を除く。〕 で示される光学活性ナフタレン誘導体を少なくとも1種
含有する液晶組成物。
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