JP2682436B2 - Resist pattern - down method of forming - Google Patents

Resist pattern - down method of forming

Info

Publication number
JP2682436B2
JP2682436B2 JP6082221A JP8222194A JP2682436B2 JP 2682436 B2 JP2682436 B2 JP 2682436B2 JP 6082221 A JP6082221 A JP 6082221A JP 8222194 A JP8222194 A JP 8222194A JP 2682436 B2 JP2682436 B2 JP 2682436B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pattern
resist
resolution
forming
step
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP6082221A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH07273013A (en
Inventor
宏 吉野
Original Assignee
日本電気株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日本電気株式会社 filed Critical 日本電気株式会社
Priority to JP6082221A priority Critical patent/JP2682436B2/en
Publication of JPH07273013A publication Critical patent/JPH07273013A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP2682436B2 publication Critical patent/JP2682436B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Application status is Expired - Fee Related legal-status Critical

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Exposure apparatus for microlithography
    • G03F7/70058Mask illumination systems

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【産業上の利用分野】本発明は、レジストパターンの形成方法に関し、特に、半導体基板のような被加工基板上にエッチングマスク、イオン注入マスク等として用いられる、フォトレジストからなるパターンの形成方法に関する。 BACKGROUND OF THE INVENTION This invention relates to a method for forming a resist pattern, in particular, an etching mask on the substrate to be processed such as a semiconductor substrate is used as an ion implantation mask, etc., a method of forming a pattern of photoresist .

【0002】 [0002]

【従来の技術】投影露光法と呼ばれる従前の一般的露光方法では、露光装置のσ絞りには円形の光透過部を有する絞りが用いられており、従って照明光の光強度の最大値は光軸上に存在していた。 BACKGROUND OF THE INVENTION conventional general exposure method called a projection exposure method, the σ diaphragm of the exposure apparatus have been used diaphragm with a circular light transmissive portion, thus the maximum value of the light intensity of the illumination light optical They were present on the axis.

【0003】また、マスク(レチクル)としては、転写すべき回路パターンが例えば透過部として描画され、それ以外の部分は遮光部となされたものが用いられている。 [0003] As the mask (reticle), is drawn as, for example, transmitting portion circuit pattern to be transferred, the other parts are used have been made with the light-shielding portion.
この場合、レチクルに垂直に入射し、パターンで回折されずに直進する0次光が±1次回折光より十分に大きいことを前提としており、これが満たされている条件下では、レチクルの回路パターンを精度よく基板上に転写することができる。 In this case, perpendicularly incident on the reticle, 0 order light travels straight without being diffracted by the pattern has assumed that sufficiently greater than ± 1-order diffracted light under the conditions which are satisfied, the circuit pattern of the reticle it can be transferred accurately onto the substrate.

【0004】この従来方法では、回路パターンが照明光の波長に対し十分に大きいときには上記条件が満たされ、回折光の影響を受けずにレチクルのパターンを比較的正確に基板上に再現することができるが、回路パターンが微細化するにつれてこの条件が満たされないようになってきつつある。 [0004] In this conventional method, when the circuit pattern is sufficiently large relative to the wavelength of the illumination light above conditions are met, to reproduce the pattern of the reticle relatively accurately on the substrate without being affected by the diffracted light possible, the circuit patterns are becoming come to this condition is not met as finer. 現在、半導体デバイスにおいては集積度が年々高まり、回路パターンの微細化が一層進められようとしているからである。 Currently, in the semiconductor device increases integration year by year, because miniaturization of the circuit pattern is about to be further promoted.

【0005】微細化されたパターンを基板上に転写する際の技術評価項目として、解像度Rとその解像度を実現できる焦点深度DOFとがある。 [0005] As a technique evaluation items when transferring a fine pattern onto a substrate, there is a depth of focus DOF ​​can realize the resolution R and its resolution. 解像度Rは、照明光の波長をλ、開口数をNAとして次式で与えられる。 Resolution R is given by the following equation wavelength of the illumination light lambda, the numerical aperture as NA. R=k1・λ/NA (但し、k1は定数) 従って、解像度を高めるには照明光を短波長化し、露光装置の開口数を大きくすればよいことになる。 R = k1 · λ / NA (where, k1 is a constant) Therefore, shorter wavelength illumination light to increase the resolution, it is sufficient to increase the numerical aperture of the exposure apparatus. 現に、この照明光の短波長化と開口数の向上によりパターン微細化への対応が図られてきた。 In fact, corresponding to the fine patterns have been achieved by improving the shortened wavelength and the numerical aperture of the illumination light.

【0006】一方、焦点深度DOFは、次式で与えられる。 [0006] On the other hand, the depth of focus DOF ​​is given by the following equation. DOF=k2・λ/(NA) 2 (但し、k2は定数) よって、解像度Rを向上させると焦点深度の低下を招くことになる。 DOF = k2 · λ / (NA ) 2 ( where, k2 is a constant) Therefore, when improving the resolution R which leads to reduction in the depth of focus. 而して、実際の半導体基板の表面は平坦ではなく様々な回路要素により段差が形成されており、しかも半導体装置の多機能化、高性能化の動きに伴って表面の段差は拡大する傾向にある。 And Thus, the surface of the actual semiconductor substrate is formed with a stepped by various circuit elements rather than flat, yet multifunctional semiconductor device, a tendency for the step of the surface will expand along with the movement of the performance is there.

【0007】そこで、焦点深度を下げることなく解像度を向上させる手法が求められ、最近では、超解像露光技術と呼ばれる位相シフト法や変形照明法が開発され、実用化されてきている。 [0007] Therefore, a demand is a technique for improving the resolution without reducing the depth of focus, in recent years, phase-shift method and modified illumination method called super-resolution exposure techniques have been developed, it has been put to practical use. 位相シフト法は、マスク上の一定の間隔で繰り返されるパターンにおいて、一つおきのパターンに位相シフタとよばれる光の位相を180°遅らせる膜を設け、位相シフタの設けられていないパターンを透過した光と位相シフタのあるパターンを透過した光とを干渉させることにより、パターン像のコントラストを向上させる方法である。 Phase shift method, in a pattern repeated at regular intervals on the mask, provided the film to delay 180 ° the phase of light called phase shifter pattern of every other, passed through the pattern not provided a phase shifter by interfering with light passing through the pattern of light and a phase shifter, a method of improving the contrast of the pattern image.

【0008】一方、変形照明法は、σ絞りの形状を、透過部の中心が光軸上ではなく光軸を中心として点対称の位置にくるようにして、マスクへの入射光を斜めにする方法である。 On the other hand, modified illumination method, the σ diaphragm shape, the center of the transparent portion so as to come to the position of point symmetry about the optical axis rather than on the optical axis, the incident light to the mask obliquely it is a method. この方法では、0次光とマスクでの1次光の2光束のみが投影レンズを通して基板上に結像されるため、解像度を向上させることができ、焦点深度を広げることができる(“変形照明”に、輪帯状絞りを用いた照明を含めない場合があるが、本明細書では、4点透過部乃至2点透過部の絞り等を用いた照明のみならず、輪帯状絞りを用いたものをも含むものとする)。 In this method, since only two light beams of the primary light in the 0 order light and the mask is imaged onto a substrate through a projection lens, it is possible to improve the resolution, it is possible to widen the depth of focus ( "modified illumination to "one, but may not include the illumination with annular diaphragm, in the present specification, the not only the illumination using such squeeze four points transmission part or two-point transmission unit, using the zonal aperture It is intended to include also).

【0009】上記の位相シフト法及び変形照明法は、半導体記憶素子のメモリ領域のように回路パターンに周期性のあるものでは、解像度の向上に効果がある。 [0009] The phase shift method and modified illumination method is intended to a periodicity in the circuit pattern as in the memory area of ​​the semiconductor memory device is effective in improvement in resolution. しかし、これらの超解像露光技術では、配線形成工程において現れる孤立パターンやコンタクト形成工程における孤立パターン等に対しては全く効果がない。 However, these super-resolution exposure technique, no effect for isolated patterns, etc. in the isolated pattern and contact formation process which appears in the wiring formation step. そこで、孤立パターンに対しては、特開平4−273428号公報に示されているように、本来のパターンに近接して補助パターンを設けることによってパターンに周期性をもたせる方法が提案されている。 Therefore, for the isolated pattern, as shown in JP-A-4-273428, a method to have a periodicity in the pattern by providing the auxiliary pattern close to the original pattern has been proposed.

【0010】 [0010]

【発明が解決しようとする課題】孤立パターンに対して補助パターンを設けて超解像露光を行う場合、補助パターンの大きさは、できるだけ本パターンの大きさに近づけた方が超解像露光の効果を高めることができる。 [SUMMARY OF THE INVENTION When performing super-resolution exposure is provided an auxiliary pattern for an isolated pattern, the size of the auxiliary pattern, it was closer to the size of the possible present patterns of super-resolution exposure effect can be increased.

【0011】しかしながら、補助パターンを有する孤立パターンの半導体基板上での光強度分布は、図4「露光装置における被加工基板上での光強度分布を示す図」に示すように、三つ山となり、補助パターンが本パターンの大きさに近いほど補助パターンでの光強度が高くなる。 [0011] However, the light intensity distribution in the semiconductor substrate of the isolated pattern with auxiliary pattern, as shown in "Figure showing a light intensity distribution on the substrate to be processed in the exposure apparatus" 4, becomes three mountain , the auxiliary pattern is the light intensity is high at the auxiliary pattern closer to the size of the pattern. なお、図4において、10はマスク、11は孤立パターン、12は補助パターンを示す。 In FIG. 4, 10 denotes a mask, the isolated pattern 11, 12 denotes an auxiliary pattern. そのため、補助パターンの大きさを大きくした場合、フォトレジストを解像する光強度しきい値Ithと補助パターンでの光強度との差が少なくなる。 Therefore, if you increase the size of the auxiliary pattern, the difference between the light intensity threshold Ith to resolve photoresist with the light intensity of the auxiliary pattern is reduced.

【0012】例えば、図7「従来例の工程A〜Bよりなる工程順断面図」を参照してこれを説明すると、シリコン酸化膜21とAl薄膜22とを有するシリコン基板20上に、高解像度フォトレジスト24を塗付し、これを露光し、現像を行った場合、図7工程Aに示されるように、 [0012] For example, when describing this with reference to "process sequence sectional view consisting prior art processes A~B" Figure 7, on a silicon substrate 20 having the silicon oxide film 21 and the Al film 22, the high-resolution It denoted coating the photoresist 24, exposing the other hand, when performing the development, as shown in FIG. 7 step a,
補助パターン部分も解像しかかることになる。 Auxiliary pattern portion also would Kakaru resolved. その結果、次のエッチング工程では、レジストとAlとのエッチング選択比が小さいため、図7工程Bに示されるように、補助パターン部分のAl薄膜22までエッチングされてしまう。 As a result, in the subsequent etching step, etching selectivity between the resist and the Al is small, as shown in FIG. 7 step B, it is etched to the Al thin film 22 of the auxiliary pattern portion.

【0013】即ち、従来方法では、補助パターンの大きさは解像しない範囲内でしか大きくすることはできず、 [0013] That is, in the conventional method, the size of the auxiliary pattern can not be increased only within a range not resolved,
孤立パターンに対して、周期性のあるパターンと同程度の解像度及び焦点深度を得ることはできなかった。 For an isolated pattern, it could not be obtained periodicity of a pattern comparable to the resolution and depth of focus. 本発明は、この点に鑑み成されたものであって、その目的とするところは、孤立パターンに近接して設けられる補助パターンの大きさを孤立パターンのそれにできるだけ近づけることができるようにすることであり、このことにより孤立パターンに対する解像度及び焦点深度を周期性のあるパターンと同程度に改善することができるようにしようとするものである。 The present invention was made in view of this point, and it is an object to be able to approach as much as possible the size of the auxiliary pattern is provided in proximity to isolated pattern to that of the isolated pattern , and the it is intended to be able to improve the resolution and depth of focus for isolated patterns to the same extent as the pattern with periodicity by this.

【0014】 [0014]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するための、本発明によるレジストパターンの形成方法は、被加工基板上に低解像度フォトレジストを用いて低解像度の第1のレジストパターンを形成する工程と、高解像度フォトレジストを用いて高解像度の第2のレジストパターンを形成する工程と、を備えることを特徴としている。 To achieve the above object, there is provided a means for solving] The method of forming a resist pattern according to the present invention, to form a first resist pattern of the low resolution using a low resolution photoresist on a substrate to be processed a step, is characterized in that it comprises a step of forming a second resist pattern having a high resolution by using a high resolution photoresist.

【0015】即ち、本発明は、「被加工基板上にマスクパターン形状のレジストパターンを形成する方法であって、(1) 前記被加工基板上に低解像度レジストを塗付する工程、(2) 前記マスクパターンの設けられたレチクルを用いて前記低解像度レジストを露光する工程、(3) 前記低解像度レジストを現像して該低解像度レジストからなる第1のレジストパターンを形成する工程、(4) 前記第1のレジストパターンの設けられた前記被加工基板上に高解像度レジストを塗付する工程、(5) 前記マスクパターンと該マスクパターンに近接して設けられた補助パターンとを備えたレチクルを用いて前記高解像度レジストを露光する工程、(6) 前記高解像度レジストを現像して該高解像度レジストからなる第2のレジストパターンを形成する工程、を有する [0015] Namely, the present invention is "a method of forming a resist pattern of the mask pattern shape on a substrate to be processed, (1) the subjecting the coated low-resolution resist on a substrate to be processed step, (2) exposing the low-resolution resist using a reticle provided with the said mask pattern, forming a first resist pattern consisting of low resolution resist is developed (3) the low-resolution resist, (4) the first resist pattern step of subjecting the coating to high-resolution resist on the workpiece substrate provided with the, a reticle and an auxiliary pattern that is disposed closer to (5) wherein the mask pattern and the mask pattern a step of exposing the high-resolution resist using a process of forming a second resist pattern made of the high-resolution resist is developed (6) the high resolution resist とを特徴とするレジストパターンの形成方法。」を要旨とする。 Method of forming a resist pattern characterized by and. "The a gist.

【0016】 [0016]

【作用】本発明によるパターン形成方法では、始めに低解像度のレジストを用いてパターンを形成する。 In the pattern forming method according to the present invention, a pattern is formed using a low resolution of the resist at the beginning. このレジストパターンは、低解像度故にパターンに急峻性はなく、マスクの本パターンの形状を忠実に再現するものとはなっていないものの、本パターンより小さい補助パターンが解像されていないため(そして好ましくはエッチング耐性の高い材料により形成されているため)、レジストパターン形成後に続く被加工基板のエッチング工程において、エッチングストッパとして働く。 The resist pattern is not steepness in low resolution because the pattern, although not in the intended to faithfully reproduce the shape of the pattern of the mask, (and preferably for the pattern smaller auxiliary pattern is not resolved because it is formed by a high etching resistance material), in the etching step of the substrate to be processed followed by resist pattern formation, it serves as an etching stopper.

【0017】一方、高解像度のレジストによるパターンでは、マスクの補助パターンの形状が本パターンに近いとき、本パターンの形状を正確に再現することができるものの、補助パターン部分が解像されかかって形成される。 Meanwhile, a pattern with a high resolution of the resist, when the shape of the auxiliary pattern of the mask is closer to the pattern, and although it is possible to accurately reproduce the shape of the pattern, the auxiliary pattern portion nearing resolved formed It is. しかし、補助パターン部には上記したようにエッチングストッパとなる低解像度のレジストが存在しているため、補助パターンが解像されたことによる不都合は生じない。 However, the auxiliary pattern portion for resist low resolution as an etching stopper as described above is present, the auxiliary pattern does not occur inconvenience due to have been resolved. 従って、本発明によれば、補助パターンを従来より大きく設定することが可能となり、解像度を高めることができ、かつ焦点深度を広げることができるという超解像露光の効果を享受することができるようになる。 Therefore, according to the present invention, the auxiliary pattern becomes possible to set larger than conventional, the resolution can be enhanced, and so that it is possible to receive the effect of the super-resolution exposure that it is possible to widen the depth of focus become.

【0018】 [0018]

【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する。 EXAMPLES will be described with reference to the accompanying drawings embodiments of the present invention.

【0019】(実施例1)図1は、本発明の第1の実施例(実施例1)に用いられる露光装置の概略構成図である。 [0019] (Embodiment 1) FIG. 1 is a schematic configuration diagram of an exposure apparatus used in the first embodiment of the present invention (Example 1). 同図に示されるように、光源1から出射された照明光は、楕円ミラー2、ミラー3で反射された後、蠅の目レンズ4に入射してここで均一化され、σ絞り5にて絞られた後、ミラー6により反射され、コンデンサレンズ7によってマスク10上に集光される。 As shown in the figure, the illumination light emitted from the light source 1, an elliptical mirror 2, is reflected by the mirror 3, made uniform here enters the eye lens 4 fly at σ diaphragm 5 after being squeezed, is reflected by the mirror 6, it is focused on the mask 10 by the condenser lens 7. そして、マスク10 Then, mask 10
を透過した光は、投影レンズ8によってシリコン基板20 Light transmitted through the silicon substrate 20 by the projection lens 8
上に集光される。 It is focused on the above.

【0020】図2(a)は、本実施例1において用いられるσ絞り5の平面図である。 FIG. 2 (a) is a plan view of the σ diaphragm 5 used in the embodiment 1. このσ絞り5は、輪帯状の絞りであって、遮光部5a、5a間にリング状の透過部5bが形成されている。 The σ diaphragm 5 is a an aperture of the annular light-shielding portion 5a, a ring-shaped transmission portion 5b between 5a are formed. このσ絞りにより変形照明光が得られるが、この輪帯状絞りに代えて、図2(b)に示される4点透過部のσ絞りや2点透過部のσ絞りを用いてもよい。 The σ is modified illumination light by the diaphragm is obtained, in place of the annular diaphragm, it may be used σ diaphragm of σ diaphragm and two points transmissive portion of the four-point transmission unit shown in FIG. 2 (b).

【0021】図3(a)及び(b)は、本実施例1において用いられるマスク10の平面図及び断面図である。 [0021] 3 (a) and (b) are a plan view and a sectional view of the mask 10 used in the first embodiment. マスク mask
10は、ガラス基板14上に被着された遮光膜13から孤立パターン11と補助パターン12の部分を除去して形成したものである。 10 is formed by removing a portion of the isolated pattern 11 and the auxiliary pattern 12 of a light-shielding film 13 which is deposited on the glass substrate 14. このマスクを用いた場合のシリコン基板20上での光強度の分布を図4に示す。 It shows the distribution of light intensity on a silicon substrate 20 in the case of using the mask in FIG. 図4において、Ithは高解像度フォトレジストを解像できる光強度しきい値を示す。 In FIG. 4, Ith indicates the light intensity thresholds that can resolve high resolution photoresist.

【0022】図5は、本実施例1におけるパターン形成方法を示す工程A〜Cよりなる工程順断面図である。 FIG. 5 is a process sequence sectional view made the step A~C showing a pattern forming method in the first embodiment. まず、シリコン酸化膜21、Al薄膜22が形成されたシリコン基板20上に、エッチング耐性が高い、シリコンを含有する低解像度フォトレジスト23を塗付し、上述の露光装置(図1参照)により露光し、現像を行う。 First, the exposure on a silicon substrate 20 having a silicon oxide film 21, Al film 22 is formed, etching resistance high, given a coating of low-resolution photoresist 23 containing silicon, the above exposure apparatus (see FIG. 1) and, for development.

【0023】形成されたパターンは、図5工程Aに示すように、急峻性は低く本パターンのマスクパターンを正確には再現してはいないものの、補助パターンの膜減りは低く抑えられている。 The formed pattern, as shown in FIG. 5 Step A, steepness although not the reproduced precisely the mask pattern of the pattern low, thickness loss of the auxiliary pattern is kept low. 次に、高解像度フォトレジスト Then, high-resolution photoresist
24を塗付し、低解像度フォトレジストの場合と同様、前記図3(a)、(b)に示したマスク10により露光し、現像を行う。 It denoted coating 24, as in the case of low-resolution photoresist, FIG 3 (a), was exposed by mask 10 shown (b), the perform development. 形成されたパターンは、図5工程Bに示すように、急峻性が高くマスクの本パターンを正確に再現しているものの、補助パターン部での膜減りは大きくほとんど解像されかかった状態に形成される。 The formed pattern, as shown in FIG. 5 step B, although accurately reproduce the pattern of the high mask steepness, formed film thickness reduction state was nearing is larger most resolvable auxiliary pattern portion It is.

【0024】次のエッチング工程では、高解像度フォトレジスト24は、補助パターン部において解像されるが、 [0024] In the next etching step, a high resolution photoresist 24 is being resolved in the auxiliary pattern part,
その下の低解像度フォトレジスト23がエッチングストッパとして機能しているため、図5工程Cに示すように、 Since the low-resolution photoresist 23 thereunder is functioning as an etching stopper, as shown in FIG. 5 step C,
補助パターン部が解像されることはない。 Never auxiliary pattern portion is resolved. そして、本パターンは高解像度フォトレジスト24によって正確に再現されているため、Al薄膜22のパターニングも正確に行われる。 Then, the pattern because it is accurately reproduced by the high-resolution photoresist 24, the patterning of the Al thin film 22 is also accurately carried out.

【0025】(実施例2)本実施例2は、超解像露光技術として位相シフト法を用いた場合に関する。 [0025] (Embodiment 2) Embodiment 2 relates to the case of using the phase shift method as super-resolution exposure technique. 本実施例2においても前記図1に示した露光装置が用いられる。 Exposure apparatus shown in FIG. 1 are also used in the second embodiment.
但し、輪帯状のσ絞り5は除去され、代わって透過部が円形状で光軸上に光透過部の中心が存在する絞りが用いられる。 However, sigma stop 5 orbicular is removed, diaphragm transmitting portion instead there is the center of the light transmitting portion on the optical axis in a circular shape is used.

【0026】また、本実施例2では、前記図3に示したマスクに代え、図6に示されるマスクが用いられる。 Further, in Example 2, instead of the mask shown in FIG. 3, the mask shown in FIG. 6 is used. 図6は本実施例2において用いられるマスク(レチクル)を説明する図であって、(a)はその平面図、(b)はその断面図である。 Figure 6 is a view for explaining a mask (reticle) employed in the present embodiment 2, (a) is its plan view, (b) is a cross-sectional view thereof. 図6(a)、(b)に示すように、本実施例2 FIG. 6 (a), the (b), the present embodiment 2
において用いられるマスク10aは、ガラス基板14上に被着された遮光膜13から孤立パターン11と補助パターン12 Mask 10a used in the auxiliary light-shielding film 13 which is deposited on the glass substrate 14 and the isolated pattern 11 pattern 12
の部分を除去し、さらに補助パターン部に照明光の位相を180°ずらせる位相シフタ15を形成したものである。 The portion removed and a further phase of the illumination light to the auxiliary pattern portion to form a 180 ° shifting the phase shifter 15.

【0027】このマスク10aを用い、前記実施例1の場合と同様、シリコン基板上のAl薄膜を低解像度フォトレジスト及び高解像度フォトレジストを用いてパターニングを行ったところ、前記実施例1における図5工程A FIG. 5 in the use of the mask 10a, where the same manner as in Example 1 was patterned, the Al thin films on a silicon substrate by using a low-resolution photoresist and a high resolution photoresist, Example 1 step A
〜工程Cに示した結果と同様の結果が得られた。 ~ Process results similar to the results shown in C was obtained.

【0028】以上本発明の好ましい実施例について説明したが、本発明はこれら実施例1、2に限定されるものではなく、本発明の要旨を変更しない範囲内において各種の変更が可能である。 [0028] been described with reference to a preferred embodiment of the above invention, but the present invention is not limited to these Examples 1 and 2, it can be variously modified in the range not changing the gist of the present invention. 例えば、実施例1、2では、低解像度フォトレジストとしてシリコン含有のレジストを用いていたが、これに代えて他のエッチング耐性の高いフォトレジストを用いてもよい。 For example, in Examples 1 and 2, it had a resist of a silicon-containing as low-resolution photoresist, may be used with high photoresist of other etching resistance instead. さらに、通常のエッチング耐性のフォトレジストを用い露光後にシリル化処理を行ってエッチング耐性を高めるようにしてもよい。 Furthermore, it is also possible to increase the etching resistance by performing the silylation treatment after exposure using a photoresist conventional etching resistance.

【0029】また、実施例1、2では、低解像度のレジストと高解像度のレジストとを同様の露光方法により露光していたが、低解像度のレジストについては、解像度及び焦点深度が十分であれば、超解像技術を用いない露光方法を採用してもよい。 Further, in Examples 1 and 2, it had been exposed by the same exposure method and a low-resolution resist high resolution resist for low-resolution resist, if the resolution and the depth of focus is sufficient it may be employed an exposure method using no super resolution technique. 即ち、変形照明を使用しないようにし、また、孤立パターンのみで補助パターンの形成されていないマスクを用いて露光するようにしてもよい。 In other words, do not use the modified illumination, or may be exposed by using a mask that is not formed of only the auxiliary pattern isolated pattern. さらに、図1に示した投影露光装置に代え反射型投影露光装置を用いるようにしてもよい。 Furthermore, it is also possible to use a reflection type projection exposure apparatus instead of the projection exposure apparatus shown in FIG.

【0030】 [0030]

【発明の効果】以上説明したように、本発明のレジストパターン形成方法は、低解像度のフォトレジストを用いて第1のレジストパターンを形成し、続いて超解像技術を用いて高解像度のレジストにより第2のレジストパターンを形成するものであるので、パターン形成時に第2 As described above, according to the present invention, a resist pattern forming method of the present invention is to form a first resist pattern by using a photoresist lower resolution, followed by a high-resolution resist using super-resolution techniques since the and forms a second resist pattern, the second during pattern formation
のレジストパターンの補助パターン部が解像されかかっていても第1のレジストパターンのエッチングストッパ機能によって被加工物のパターンに対して影響がでないようにすることができる。 It can assist pattern portion of the resist pattern so as not to affect the pattern of the workpiece by even nearing resolved etching stopper function of the first resist pattern.

【0031】従って、本発明によれば、補助パターンを本パターンと同程度の大きさとすることができるようになり、孤立パターンに対しても超解像技術により周期性のあるパターンと同様に解像度及び焦点深度を改善することが可能となる。 [0031] Therefore, according to the present invention, the auxiliary pattern will be able to the same order of magnitude as the present pattern, like the pattern of periodicity by even super-resolution technology for an isolated pattern resolution and it is possible to improve the depth of focus.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】本発明の実施例1において用いられる露光装置の概略構成図。 Schematic view of an exposure apparatus used in FIG. 1 a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の実施例1において用いられるσ絞りを説明する図であって、(a)はその一例を示すσ絞りの平面図、(b)は(a)に代えて用いることのできる他の例を示すσ絞りの平面図。 [Figure 2] A diagram illustrating a σ stop used in Example 1 of the present invention, (a) is a plan view of the σ diaphragm showing an example of, (b) is of the use instead of (a) plan view of σ diaphragm showing another example that can be.

【図3】本発明の実施例1において用いられるマスク Mask used in FIG. 3 the first embodiment of the present invention
(レチクル)を説明する図であって、(a)はその平面図、 A diagram illustrating a (reticle), (a) is its plan view,
(b)はその断面図。 (B) is a cross sectional view thereof.

【図4】図1の露光装置における被加工基板(シリコン基板20)上での光強度分布を示す図。 FIG. 4 shows a light intensity distribution on a substrate to be processed (silicon substrate 20) in the exposure apparatus of Figure 1.

【図5】本発明の実施例1におけるパターン形成方法を示す工程A〜Cよりなる工程順断面図。 Process sequence sectional views made the step A~C showing a pattern forming method in the first embodiment of the present invention; FIG.

【図6】本発明の実施例2において用いられるマスク Mask used in Example 2 of the present invention; FIG
(レチクル)を説明する図であって、(a)はその平面図、 A diagram illustrating a (reticle), (a) is its plan view,
(b)はその断面図。 (B) is a cross sectional view thereof.

【図7】従来例の工程A〜Bよりなる工程順断面図。 [7] the order of steps sectional view consisting prior art processes A-B.

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1 光源 2 楕円ミラー 3 ミラー 4 蠅の目レンズ 5 σ絞り 5a 遮光部 5b 透過部 6 ミラー 7 コンデンサレンズ 8 投影レンズ 10、10a マスク 11 孤立パターン 12 補助パターン 13 遮光膜 14 ガラス基板 15 位相シフタ 20 シリコン基板 21 シリコン酸化膜 22 Al薄膜 23 低解像度フォトレジスト 24 高解像度フォトレジスト 1 light source 2 Elliptical mirror 3 mirror 4 fly-eye lens 5 sigma aperture 5a shielding portion 5b transmitting section 6 mirror 7 condenser lens 8 projecting lens 10,10a mask 11 isolated pattern 12 auxiliary pattern 13 light shielding film 14 glass substrate 15 phase shifter 20 Silicon substrate 21 a silicon oxide film 22 Al thin film 23 low-resolution photoresist 24 high resolution photoresist

Claims (5)

    (57)【特許請求の範囲】 (57) [the claims]
  1. 【請求項1】 被加工基板上にマスクパターン形状のレジストパターンを形成する方法であって、(1) 前記被加工基板上に低解像度レジストを塗付する工程、(2) 前記マスクパターンの設けられたレチクルを用いて前記低解像度レジストを露光する工程、(3) 前記低解像度レジストを現像して該低解像度レジストからなる第1のレジストパターンを形成する工程、(4) 前記第1のレジストパターンの設けられた前記被加工基板上に高解像度レジストを塗付する工程、(5) 前記マスクパターンと該マスクパターンに近接して設けられた補助パターンとを備えたレチクルを用いて前記高解像度レジストを露光する工程、(6) 前記高解像度レジストを現像して該高解像度レジストからなる第2のレジストパターンを形成する工程、を有することを特徴とするレ 1. A method of forming a resist pattern of the mask pattern shape on a substrate to be processed, (1) the step of subjecting the coated low-resolution resist on a substrate to be processed, provided the (2) the mask pattern exposing the low-resolution resist using was reticle (3) the step of forming a first resist pattern consisting of low resolution resist is developed a low-resolution resist, (4) the first resist step subjecting the coating to high-resolution resist on the workpiece substrate provided with the pattern, (5) the high resolution by using the reticle having an auxiliary pattern provided in proximity to the mask pattern and the mask pattern exposing the resist, Les characterized by having a step, of forming a second resist pattern made of the high-resolution resist is developed (6) the high resolution resist ジストパターンの形成方法。 A method of forming a resist pattern.
  2. 【請求項2】 前記第(2)工程において、前記第(5)工程において用いられるレチクルを用いて露光を行うことを特徴とする請求項1記載のレジストパターンの形成方法。 2. A wherein the (2) step, the first (5) The method of forming a resist pattern according to claim 1, wherein the exposure is performed using a reticle to be used in the process.
  3. 【請求項3】 前記第(3)工程において形成された第1 3. A first formed in the first step (3)
    のレジストパターンが、前記第(6)工程において形成された第2のレジストパターンよりエッチング耐性が高いことを特徴とする請求項1記載のレジストパターンの形成方法。 Resist pattern, the second (6) method for forming a resist pattern according to claim 1, wherein the etching resistance than the second resist pattern is characterized by high that formed in step a.
  4. 【請求項4】 前記マスクパターン及び前記補助パターンが光透過性パターンであり、かつそれぞれのパターンの透過光の位相が同位相であることを特徴とする請求項1記載のレジストパターンの形成方法。 Wherein said mask pattern and the auxiliary pattern is a light-transmissive pattern, and the resist pattern forming method of claim 1, wherein the the phase of light transmitted through each of the patterns are in phase.
  5. 【請求項5】 前記マスクパターンが光透過性パターンであり、かつ前記補助パターンが位相シフタを備えた光透過性パターンであることを特徴とする請求項1記載のレジストパターンの形成方法。 Wherein said mask pattern is a light-transmissive pattern, and the resist pattern forming method of claim 1, wherein said auxiliary pattern is characterized in that it is a light transmissive pattern with a phase shifter.
JP6082221A 1994-03-29 1994-03-29 Resist pattern - down method of forming Expired - Fee Related JP2682436B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6082221A JP2682436B2 (en) 1994-03-29 1994-03-29 Resist pattern - down method of forming

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6082221A JP2682436B2 (en) 1994-03-29 1994-03-29 Resist pattern - down method of forming

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH07273013A JPH07273013A (en) 1995-10-20
JP2682436B2 true JP2682436B2 (en) 1997-11-26

Family

ID=13768363

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP6082221A Expired - Fee Related JP2682436B2 (en) 1994-03-29 1994-03-29 Resist pattern - down method of forming

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2682436B2 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010221308A (en) * 2009-03-19 2010-10-07 Honda Motor Co Ltd Reaming cutting tool

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1712954B1 (en) * 2005-04-12 2010-05-19 ASML MaskTools B.V. A method and program product for performing double exposure lithography
JP2011075624A (en) * 2009-09-29 2011-04-14 Toppan Printing Co Ltd Photomask and method for manufacturing the same

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010221308A (en) * 2009-03-19 2010-10-07 Honda Motor Co Ltd Reaming cutting tool

Also Published As

Publication number Publication date
JPH07273013A (en) 1995-10-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2986086B2 (en) Phase shift mask and a method of manufacturing the same
JP3958163B2 (en) Exposure method
CN1101007C (en) Illumination method and apapratus for formation of micro patterns
KR100213605B1 (en) Method of forming a pattern and projection exposure apparatus
JP3037887B2 (en) Monitoring method and apparatus for lithographic exposure
KR100265549B1 (en) Halftone type phase shift photomask and the method of manufacture
JP2732498B2 (en) Reduction projection type exposure method and apparatus
JP2642034B2 (en) Phase shift mask
US5472814A (en) Orthogonally separated phase shifted and unphase shifted mask patterns for image improvement
KR100799527B1 (en) Composite optical lithography method for patterning lines of significantly different widths
US6134008A (en) Aligner and patterning method using phase shift mask
US5636002A (en) Auxiliary mask features for enhancing the resolution of photolithography
US6004699A (en) Photomask used for projection exposure with phase shifted auxiliary pattern
KR100464843B1 (en) Avoidance of pattern shortening by using an off axis illumination with twisting dipole and polarizing apertures
JP2862183B2 (en) Method of manufacturing a mask
JP3119217B2 (en) Exposure method using a photomask and a photomask
US5308721A (en) Self-aligned method of making phase-shifting lithograhic masks having three or more phase-shifts
US5698348A (en) Phase shifting mask, manufacturing method thereof, and exposure method using such a phase shifting mask
JP2879634B2 (en) Polarization exposure apparatus using a polarizer
JPH08316124A (en) Method and apparatus for projection exposing
KR100386231B1 (en) Method for formation of semiconductor device pattern, method for designing photo mask pattern, photo mask and process for photo mask
JP2004069841A (en) Mask pattern and resist pattern forming method using the same
KR0163437B1 (en) Phase shifting masks and method thereof
JP2001297976A (en) Method of exposure and aligner
KR100955293B1 (en) Lithographic method of manufacturing a device

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees