JP2668354B2 - 電界効果型半導体装置 - Google Patents
電界効果型半導体装置Info
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 46
- 230000005669 field effect Effects 0.000 title claims description 10
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 33
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 16
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/80—Field effect transistors with field effect produced by a PN or other rectifying junction gate, i.e. potential-jump barrier
- H01L29/802—Field effect transistors with field effect produced by a PN or other rectifying junction gate, i.e. potential-jump barrier with heterojunction gate, e.g. transistors with semiconductor layer acting as gate insulating layer, MIS-like transistors
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- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/778—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface
- H01L29/7786—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface with direct single heterostructure, i.e. with wide bandgap layer formed on top of active layer, e.g. direct single heterostructure MIS-like HEMT
- H01L29/7787—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface with direct single heterostructure, i.e. with wide bandgap layer formed on top of active layer, e.g. direct single heterostructure MIS-like HEMT with wide bandgap charge-carrier supplying layer, e.g. direct single heterostructure MODFET
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、電子親和力が相違する２種類の半導体を接
合することに依り形成される接合面の近傍に発生する電
子蓄積層に於ける電子濃度を制御電極に印加する電圧で
変化させ、前記制御電極を挟んで設けられた２個の電極
間に在る前記電子蓄積層からなる導電路のインピーダン
スを制御する形式の電界効果型半導体装置の改良に関す
る。 〔従来の技術〕 第２図は従来から知られている前記種類の電界効果型
半導体装置の一例を表す要部切断側面図である。 図に於いて、１は半絶縁性GaAs基板、２はノン・ドー
プGaAaバッファ層、３はｎ型AlGaAs電子供給層、４はソ
ース電極、５はドレイン電極、６は制御電極（ゲート電
極）、７及び８は合金化領域、９は電子蓄積（以下2DEG
と呼ぶ）層をそれぞれ示している。 図から判るように、通常、この種の電界効果型半導体
装置では、ソース電極４及びドレイン電極５と2DEG層９
とのオーミック・コンタクトをとるにはｎ型AlGaAs電子
供給層３を介してノン・ドープGaAsバッファ層２に生成
される2DEG層９に達する合金化領域７及び８に依存して
いる。 〔発明が解決しようとする問題点〕 前記従来の電界効果型半導体装置では、2DEG層９がノ
ン・ドープGaAsである為、前記のような合金化領域７及
び８を形成しても良好なオーミック・コンタクトをとる
ことは困難である。 また、通常、2DEG層９に於ける電子移動度は、大略、
ノン・ドープGaAsバッファ層２に於ける残留不純物濃度
で決まるとされている。然しながら、この残留不純物
は、結晶成長装置の性能や、或いは、非常に低濃度であ
ることから制御性が極めて悪く、安定で再現性の良い電
子移動度は得られていない。 本発明は、現在、この種の電界効果型半導体装置で得
られている電子移動度が30000〔cm2/V・sec〕乃至50000
〔cm2/V・sec〕（77〔Ｋ〕にて）であって、実際には余
り必要がない高い値であることに着目し、むしろ、電子
移動度が前記値より若干低下しても、良好なオーミック
・コンタクトがとれて、安定且つ再現性良好な電子移動
度を実現できるような技術を提供する。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明に依る電界効果型半導体装置に於いては、基板
上に形成されたノン・ドープ化合物半導体バッファ層
と、該ノン・ドープ化合物半導体バッファ層上に形成さ
れ且つｎ型不純物が高濃度にドープされたｎ型化合物半
導体層と、該ｎ型化合物半導体層上に形成され且つ該ｎ
型化合物半導体層に比較して電子親和力が小であると共
にｎ型不純物が高濃度にドープされた化合物半導体電子
供給層とを備え、該ｎ型化合物半導体層の厚さが該化合
物半導体電子供給層から滲み出す電子蓄積層の厚さと同
等であることを特徴とするか、或いは、前記特徴に於い
て、ｎ型化合物半導体層の厚さが100〔Å〕乃至200
〔Å〕であることを特徴とする。 〔作用〕 前記構成に依ると、2DEG層はｎ型化合物半導体層に生
成されるようになっている。従って、ソース電極及びド
レイン電極とは良好なオーミック・コンタクトをとるこ
とができ、また、2DEG層に於ける電子移動度はｎ型不純
物に依って制御することができるから、所望の電子移動
度が安定に且つ再現性良く実現される。 本発明を実施すると、確実に電子移動度は低下する
が、その程度は然程大きくはなく、その犠牲は、前記利
点が補って余りある。 〔実施例〕 第１図は本発明一実施例の要部切断側面図を表し、第
２図に関して説明した部分と同部分は同記号で指示して
ある。 本実施例が第２図に示した従来例と相違する点は、ノ
ン・ドープGaAsバッファ層２及びｎ型AlGaAs電子供給層
３の間にｎ型GaAs層10が介在していることである。 この構成に依ると、ソース電極４及びドレイン電極５
の合金化領域７及び８がオーミック・コンタクトすべき
2DEG層はｎ型GaAs層10内に生成されるので、そのオーミ
ック性は2DEG層がノン・ドープGaAs層２内に生成される
場合よりも極めて良好である。 次に、前記実施例に於ける各部分のデータを挙げる。 （１）ノン・ドープGaAsバッファ層２ 厚さ:0.5〔μｍ〕 （２）ｎ型GaAs層10 厚さ:100乃至200〔Å〕 不純物：シリコン（Si） 不純物濃度:2〜５×1017〔cm-3〕 （３）ｎ型AlGaAs電子供給層３ 厚さ:0.1〔μｍ〕 不純物:Si 不純物濃度:2×1018〔cm-3〕 （４）ソース電極４及びドレイン電極５ 材料：金（Au）/Au・ゲルマニウム（Ge） （５）制御電極６ 材料：アルミニウム（Al）或いはAu 半絶縁性GaAs基板１上に前記各半導体層を成長させる
には、分子線エピタキシャル成長（molecular beam epi
taxy:MBE）法を適用することに依り連続的に行われる。 また、ｎ型GaAs層10の厚みは、ｎ型AlGaAs電子供給層
３からしみだす2DEG層の分布から前記のような値とす
る。 （発明の効果） 本発明に依る電界効果型半導体装置に於いては、基板
上に形成されたノン・ドープ化合物半導体バッファ層
と、該ノン・ドープ化合物半導体バッファ層上に形成さ
れ且つｎ型不純物が高濃度にドープされたｎ型化合物半
導体層と、該ｎ型化合物半導体層上に形成され且つ該ｎ
型化合物半導体層に比較して電子親和力が小であると共
にｎ型不純物が高濃度にドープされた化合物は半導体電
子供給層とを備え、該ｎ型化合物半導体層の厚さが該化
合物半導体電子供給層から滲み出す電子蓄積層の厚さと
同等であることを特徴とするか、或いは、前記特徴に於
いて、ｎ型化合物半導体層の厚さが100〔Å〕乃至200
〔Å〕であることを特徴とする。 この構成に依ると2DEG層はｎ型化合物半導体層に生成
されるので、ソース電極及びドレイン電極は2DEG層と低
抵抗の良好なオーミック・コンタクトをとることがで
き、そして、2DEG層がｎ型化合物半導体層に生成されて
も電子移動度の低下は然程大きくはなく、むしろ、ノン
・ドープ化合物半導体層に生成される場合に問題となる
残留不純物がｎ型化合物半導体層であることに依りキャ
ンセルされ、安定で、しかも、再現性が良い電子移動度
を実現できる。 従って、この種の電界効果型半導体装置としては特性
が向上する。
合することに依り形成される接合面の近傍に発生する電
子蓄積層に於ける電子濃度を制御電極に印加する電圧で
変化させ、前記制御電極を挟んで設けられた２個の電極
間に在る前記電子蓄積層からなる導電路のインピーダン
スを制御する形式の電界効果型半導体装置の改良に関す
る。 〔従来の技術〕 第２図は従来から知られている前記種類の電界効果型
半導体装置の一例を表す要部切断側面図である。 図に於いて、１は半絶縁性GaAs基板、２はノン・ドー
プGaAaバッファ層、３はｎ型AlGaAs電子供給層、４はソ
ース電極、５はドレイン電極、６は制御電極（ゲート電
極）、７及び８は合金化領域、９は電子蓄積（以下2DEG
と呼ぶ）層をそれぞれ示している。 図から判るように、通常、この種の電界効果型半導体
装置では、ソース電極４及びドレイン電極５と2DEG層９
とのオーミック・コンタクトをとるにはｎ型AlGaAs電子
供給層３を介してノン・ドープGaAsバッファ層２に生成
される2DEG層９に達する合金化領域７及び８に依存して
いる。 〔発明が解決しようとする問題点〕 前記従来の電界効果型半導体装置では、2DEG層９がノ
ン・ドープGaAsである為、前記のような合金化領域７及
び８を形成しても良好なオーミック・コンタクトをとる
ことは困難である。 また、通常、2DEG層９に於ける電子移動度は、大略、
ノン・ドープGaAsバッファ層２に於ける残留不純物濃度
で決まるとされている。然しながら、この残留不純物
は、結晶成長装置の性能や、或いは、非常に低濃度であ
ることから制御性が極めて悪く、安定で再現性の良い電
子移動度は得られていない。 本発明は、現在、この種の電界効果型半導体装置で得
られている電子移動度が30000〔cm2/V・sec〕乃至50000
〔cm2/V・sec〕（77〔Ｋ〕にて）であって、実際には余
り必要がない高い値であることに着目し、むしろ、電子
移動度が前記値より若干低下しても、良好なオーミック
・コンタクトがとれて、安定且つ再現性良好な電子移動
度を実現できるような技術を提供する。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明に依る電界効果型半導体装置に於いては、基板
上に形成されたノン・ドープ化合物半導体バッファ層
と、該ノン・ドープ化合物半導体バッファ層上に形成さ
れ且つｎ型不純物が高濃度にドープされたｎ型化合物半
導体層と、該ｎ型化合物半導体層上に形成され且つ該ｎ
型化合物半導体層に比較して電子親和力が小であると共
にｎ型不純物が高濃度にドープされた化合物半導体電子
供給層とを備え、該ｎ型化合物半導体層の厚さが該化合
物半導体電子供給層から滲み出す電子蓄積層の厚さと同
等であることを特徴とするか、或いは、前記特徴に於い
て、ｎ型化合物半導体層の厚さが100〔Å〕乃至200
〔Å〕であることを特徴とする。 〔作用〕 前記構成に依ると、2DEG層はｎ型化合物半導体層に生
成されるようになっている。従って、ソース電極及びド
レイン電極とは良好なオーミック・コンタクトをとるこ
とができ、また、2DEG層に於ける電子移動度はｎ型不純
物に依って制御することができるから、所望の電子移動
度が安定に且つ再現性良く実現される。 本発明を実施すると、確実に電子移動度は低下する
が、その程度は然程大きくはなく、その犠牲は、前記利
点が補って余りある。 〔実施例〕 第１図は本発明一実施例の要部切断側面図を表し、第
２図に関して説明した部分と同部分は同記号で指示して
ある。 本実施例が第２図に示した従来例と相違する点は、ノ
ン・ドープGaAsバッファ層２及びｎ型AlGaAs電子供給層
３の間にｎ型GaAs層10が介在していることである。 この構成に依ると、ソース電極４及びドレイン電極５
の合金化領域７及び８がオーミック・コンタクトすべき
2DEG層はｎ型GaAs層10内に生成されるので、そのオーミ
ック性は2DEG層がノン・ドープGaAs層２内に生成される
場合よりも極めて良好である。 次に、前記実施例に於ける各部分のデータを挙げる。 （１）ノン・ドープGaAsバッファ層２ 厚さ:0.5〔μｍ〕 （２）ｎ型GaAs層10 厚さ:100乃至200〔Å〕 不純物：シリコン（Si） 不純物濃度:2〜５×1017〔cm-3〕 （３）ｎ型AlGaAs電子供給層３ 厚さ:0.1〔μｍ〕 不純物:Si 不純物濃度:2×1018〔cm-3〕 （４）ソース電極４及びドレイン電極５ 材料：金（Au）/Au・ゲルマニウム（Ge） （５）制御電極６ 材料：アルミニウム（Al）或いはAu 半絶縁性GaAs基板１上に前記各半導体層を成長させる
には、分子線エピタキシャル成長（molecular beam epi
taxy:MBE）法を適用することに依り連続的に行われる。 また、ｎ型GaAs層10の厚みは、ｎ型AlGaAs電子供給層
３からしみだす2DEG層の分布から前記のような値とす
る。 （発明の効果） 本発明に依る電界効果型半導体装置に於いては、基板
上に形成されたノン・ドープ化合物半導体バッファ層
と、該ノン・ドープ化合物半導体バッファ層上に形成さ
れ且つｎ型不純物が高濃度にドープされたｎ型化合物半
導体層と、該ｎ型化合物半導体層上に形成され且つ該ｎ
型化合物半導体層に比較して電子親和力が小であると共
にｎ型不純物が高濃度にドープされた化合物は半導体電
子供給層とを備え、該ｎ型化合物半導体層の厚さが該化
合物半導体電子供給層から滲み出す電子蓄積層の厚さと
同等であることを特徴とするか、或いは、前記特徴に於
いて、ｎ型化合物半導体層の厚さが100〔Å〕乃至200
〔Å〕であることを特徴とする。 この構成に依ると2DEG層はｎ型化合物半導体層に生成
されるので、ソース電極及びドレイン電極は2DEG層と低
抵抗の良好なオーミック・コンタクトをとることがで
き、そして、2DEG層がｎ型化合物半導体層に生成されて
も電子移動度の低下は然程大きくはなく、むしろ、ノン
・ドープ化合物半導体層に生成される場合に問題となる
残留不純物がｎ型化合物半導体層であることに依りキャ
ンセルされ、安定で、しかも、再現性が良い電子移動度
を実現できる。 従って、この種の電界効果型半導体装置としては特性
が向上する。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明一実施例の要部切断側面図、第２図は従
来例の要部切断側面図をそれぞれ表している。 図に於いて、１は半絶縁性GaAs基板、２はノン・ドープ
GaAsバッファ層、３はｎ型AlGaAs電子供給層、４はソー
ス電極、５はドレイン電極、６は制御電極、７及び８は
オーミック・コンタクトをとる為の合金化領域、９は電
子蓄積層、10はｎ型GaAs層をそれぞれ示している。
来例の要部切断側面図をそれぞれ表している。 図に於いて、１は半絶縁性GaAs基板、２はノン・ドープ
GaAsバッファ層、３はｎ型AlGaAs電子供給層、４はソー
ス電極、５はドレイン電極、６は制御電極、７及び８は
オーミック・コンタクトをとる為の合金化領域、９は電
子蓄積層、10はｎ型GaAs層をそれぞれ示している。
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 １．基板上に形成されたノン・ドープ化合物半導体バッ
ファ層と、 該ノン・ドープ化合物半導体バッファ層上に形成され且
つｎ型不純物が高濃度にドープされたｎ型化合物半導体
層と、 該ｎ型化合物半導体層上に形成され且つ該ｎ型化合物半
導体層に比較して電子親和力が小であると共にｎ型不純
物が高濃度にドープされた化合物半導体電子供給層とを
備え、 該ｎ型化合物半導体層の厚さが該化合物半導体電子供給
層から滲み出す電子蓄積層の厚さと同等であること を特徴とする電界効果型半導体装置。 ２．ｎ型化合物半導体層の厚さが100〔Å〕乃至200
〔Å〕であることを特徴とする特許請求の範囲１記載の
電界効果型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59175859A JP2668354B2 (ja) | 1984-08-25 | 1984-08-25 | 電界効果型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59175859A JP2668354B2 (ja) | 1984-08-25 | 1984-08-25 | 電界効果型半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6154673A JPS6154673A (ja) | 1986-03-18 |
| JP2668354B2 true JP2668354B2 (ja) | 1997-10-27 |
Family
ID=16003443
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59175859A Expired - Lifetime JP2668354B2 (ja) | 1984-08-25 | 1984-08-25 | 電界効果型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2668354B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS637668A (ja) * | 1986-06-28 | 1988-01-13 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体素子 |
| JP2519212B2 (ja) * | 1986-08-01 | 1996-07-31 | 沖電気工業株式会社 | 半導体素子の製造方法 |
| JPH03162298A (ja) * | 1990-05-08 | 1991-07-12 | Kanebo Ltd | 製品液充填装置 |
| EP0531550B1 (en) * | 1991-03-28 | 1997-12-29 | Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha | Field effect transistor |
| FR2780203B1 (fr) * | 1998-06-23 | 2003-07-04 | Thomson Csf | Detecteur a puits quantique avec couche de stockage des electrons photoexcites |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07111976B2 (ja) * | 1982-02-26 | 1995-11-29 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JPS594085A (ja) * | 1982-06-30 | 1984-01-10 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
-
1984
- 1984-08-25 JP JP59175859A patent/JP2668354B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6154673A (ja) | 1986-03-18 |
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| JPS63153866A (ja) | 電界効果型トランジスタ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |