JP2666156B2

JP2666156B2 - 高周波ｉｃ用フイルムキヤリア

Info

Publication number: JP2666156B2
Application number: JP1093187A
Authority: JP
Inventors: 久冨室; 文則石塚; 信夫佐藤; 孝明大崎
Original assignee: Nippon Telegraph and Telephone Corp
Current assignee: Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority date: 1988-04-15
Filing date: 1989-04-14
Publication date: 1997-10-22
Anticipated expiration: 2012-10-22
Also published as: JPH0234948A

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、高周波マイクロ波デバイスを評価・実装す
るために用いる高周波IC用フィルムキャリアに関するも
のである。

実装の形態としては、高周波マイクロデバイスをパッ
ケージ内に収容するのが一般的である。このパッケージ
は、内側にデバイスとの内部接続端子を有し、この接続
端子はパッケージの外部に導かれて、パッケージ入出力
端子となる。本発明のフィルムキャリアは、パッケージ
内に収容されたデバイスとパッケージの接続端子の間に
適用される。

〔従来の技術〕

従来、パッケージに収容されたデバイスであるベアチ
ップ半導体素子とパッケージの接続端子を配線する方法
としては、第12図に示すワイヤボンディングによる方法
があった。

図において、201はセラミックス等からなるパッケー
ジ、202はパッケージに形成された内部接続用端子、203
はパッケージの外部接続用端子、109はベアチップ半導
体素子、110はベアチップ半導体素子109の電極パッド、
206は金等からなるワイヤである。

ここで、ベアチップ半導体素子109への入出力は、パ
ッケージの内部接続用端子202からこのワイヤ206を介し
て行なわれる。そして、ワイヤ206と内部接続用端子202
との接続は熱圧着等により行なわれる。

また、第２の配線方法としては、フィルム状の導体
（フィルムキャリア）を用いる方法があった。

第13図は従来のフィルムキャリアにより接続された状
態を示す。この方法は、第12図に示すワイヤ206をフィ
ルムキャリア207に置き換えたものである。この種のフ
ィルムキャリア207は、第14図（Ａ），（Ｂ）に示すよ
うに、絶縁性フレキシブル基板101、この絶縁性フレキ
シブル基板101に設けられた開口部102、同じく絶縁性フ
レキシブル基板101の片面に形成された導電体からなる
高周波用電極103、バイアス供給用電極104、接地用電極
105等、さらにこの絶縁性フレキシブル基板101に設けら
れた開口部102において、高周波用電極103,バイアス供
給用電極104,接地用電極105と、それぞれに接続された
リード106とからなる構造のものとして予め形成され
る。形成の工程は、予め開口部102を設けたフレキシブ
ル基板101に接着材107で銅等の導電箔を接着し、汎用的
なフォトエッチングの方法で所定の形状に導体箔を加工
して上記構造が形成される。又は、絶縁性フレキシブル
基板101に接着剤107等で接着した銅等の導体箔を汎用的
なフォトエッチングの方法で、所定の形状に加工した
後、絶縁性フレキシブル基板101のみを侵すエッチャン
トを用いて開口部102を形成する。さらに、リード106の
先端部において、メッキ等によってバンプ108を形成す
る場合もある。このバンプ108は、リード106とデバイス
との電気的接続を簡便かつ確実にする効果がある。ベア
チップ半導体素子109とフィルムキャリア207との接続
は、第14図（Ｃ）に示すように、ベアチップ半導体素子
109等の表面に形成された電極パッド110と、このフィル
ムキャリア207のリード106の先端との間をキャピラリー
111で加熱し、熱圧着することによって行なわれる。

第14図（Ｄ）はフィルムキャリア207にベアチップ半
導体素子109を接続した状態を示す斜視図である。フィ
ルムキャリア207はベアチップ半導体素子109等を接続し
た状態（第14図（Ｄ））で、第14図（Ｅ）に示すごとく
実装用基板112等の所定の位置に持ってゆき、実装用基
板112上に形成された電極113とベアチップ半導体素子10
9に接続したリード106の反対側とを、キャピラリー111
で加熱し熱圧着した後、第14図（Ｃ）に示す切断部114
で切断し、不要なリード106及び絶縁性フレキシブル基
板101を廃棄して、第14図（Ｅ）のように完了する。

ベアチップ半導体素子109をパッケージ201に収容する
場合は、パッケージ201の内部接続用端子202に対して同
様の熱圧着及び不要部分の廃棄を行なう。

〔発明が解決しようとする課題〕

フィルムキャリアの複数のリードはベアチップ半導体
素子等の表面の複数の電極パッド及びパッケージに形成
された複数の内部接続端子にそれぞれ一括して接続する
ことを主眼として構成されていたので、接続を要するリ
ードの長さに余裕を持たせる必要があった。従って、リ
ードの長さに応じたインダクタンス成分を無限小にする
とができないため、ベアチップ半導体素子等とパッケー
ジとの間の接続がベアチップ半導体素子あるいは複数の
ベアチップ半導体素子で構成された高周波モジュールの
周波数特性を劣化させるという欠点があった。

この発明は、これらの欠点を解決するため、ベアチッ
プ半導体素子の入出力インピーダンスとパッケージの特
性インピーダンス間のインピーダンスを整合させた導波
路を絶縁性フレキシブル基板の表裏面あるいは内部に生
成するとともに、リードの長さを短縮させた構造のフィ
ルムキャリアとすることによってベアチップ半導体素子
とパッケージの接続端子との間を低インダクタンスで、
かつインピーダンス的に整合させた状態で接続・実装す
るものである。パッケージ内には、複数の素子を実装す
ることも可能でありパッケージ内の素子間においても、
インピーダンスを整合させた接続が実現できる。

〔課題を解決するための手段〕

この発明に係る高周波IC用フィルムキャリアは、絶縁
性フレキシブル基板の一部に少なくとも１つ又はそれ以
上の開口部を設け、リードをこれらの開口部に形成し、
絶縁性フレキシブル基板の片側又は表裏面に高周波用電
極，バイアス供給用電極，接地用電極を設け、高周波用
電極，接地用電極及び絶縁性フレキシブル基板とで所要
の特性インピーダンスを有する導波路を構成したもので
ある。

そして、導波路としてコプレーナ導波路，マイロスト
リップ線路或いはスロット線路を用いることができる。
開口部に設けられるリードは、絶縁性フレキシブル基板
の片側にのみ形成され、ベアチップ半導体素子との接続
を容易にする。

〔作用〕

この発明においては、少なくとも高周波信号を伝播す
る高周波用電極は、絶縁性フレキシブル基板と接地用電
極と共に導波路構成となっており、且つこの構成である
ための所要の特性インピーダンスを実現でき、ベアチッ
プ半導体素子間或いはベアチップ半導体素子とパッケー
ジの接続端子間をインピーダンス的に容易に整合させる
ことができる。

〔実施例〕

（実施例1:コプレーナ導波路構造）第１図（Ａ）〜（Ｃ）は本発明の第１の実施例を説明
する図であって、第１図（Ａ）は全体の斜視図、第１図
（Ｂ）は第１図（Ａ）のI B−I B線による断面図、第１
図（Ｃ）は同じくI C−I C線による断面図（フィルムキ
ャリアのコプレーナ導波路部分）を示している。

図において、1A,1Bは絶縁性フレキシブル基板、２は
絶縁性フレキシブル基板1Bに形成された第１の開口部、
３は高周波用電極、４はバイアス供給用電極、５は接地
用電極、６はリード、８は素子側バンプ、８′はパッケ
ージ側バンプ、９はベアチップ半導体素子、10は電極パ
ッド、11はキャピラリー、12は実装用基板、13は電極、
14は切断部である。また、15は絶縁性フレキシブル基板
1Aに形成された第２の開口部である。接着剤107は絶縁
性フレキシブル基板1A,1Bの誘電率を変化させるので使
用していないが、第14図と同様に用いることもできる。

はじめに、本発明の製造方法の一例を図面を用いて説
明する。

本発明に係る導波路形フィルムキャリアを形成するに
は、第２図（Ａ）に示すようにポリイミドフィルムから
成る絶縁性フレキシブル基板１の表裏両面に、例えば銅
等の金属を下地導体膜51としてスパッタ、蒸着等により
堆積する。このとき、ポリイミドフィルムの厚さは50μ
ｍ程度である。ポリイミドフィルムと下地導体膜51との
付着を良好とするには、蒸着前にポリイミドフィルムの
表面をArイオンで少量逆スパッタリングすることが有効
である。

次に、第２図（Ｂ）に示すように両面に第１のホトレ
ジスト膜52を塗布，両面露光，現像して、導波路用導体
膜を形成する部分を開口する。このとき、薄いフレキシ
ブル膜にレジストを均一に塗布することは一般には困難
であり、この場合はフィルム状のレジスト、例えばデュ
ポン社の商品名リストンをフレキシブル膜にラミネート
する方法を用いることができる。

次に、第２図（Ｃ）に示すように現像によって開口し
た領域にエッチングマスク用導体膜53,例えばNiを蒸着
等の方法で形成する。この膜は、フィルムに開口部を形
成する際にマスクとして作用する。そして、第２図
（Ｄ）に示すように、一方の面のエッチングマスク用導
体膜53の表面に導波路用導体膜54を電解メッキにより形
成する。リード６の先端に素子側及びパッケージ側バン
プ8,8′を形成する場合は、第２図（Ｅ）に示すよう
に、第２のホトレジスト膜55を形成し、必要な開口を設
けた後電解メッキによりバンプ材料である金を堆積させ
る。その後、第２図（Ｆ）に示すように、第１及び第２
のホトレジスト膜52,55,下地導体膜51を除去し、第２図
（Ｇ）に示すように導波路用導体膜54とエッチングマス
ク用導体膜53をマスクとしてポリアミドフィルムをエッ
チングして、開口部を形成する。このときのエッチャン
トとしては、例えば、KOH,エタノールと水との混合液が
有効である。

このようにして、第１図（Ａ）に示すように絶縁性フ
レキシブル基板1A,1B上に高周波用電極3,バイアス供給
用電極4,接地用電極５等の導電体及びそれにつながった
リード６と、リード６の先端および中間に形成されたバ
ンプ8,8′を有するフィルムキャリアが形成される。

この実施例では、導波路がW₁,W₂,W₃,W₄の４個所に形
成されている。即ち、外側に形成された導波路W₁,W₂は
中央の高周波用電極３と、その両側の接地電極５と絶縁
性フレキシブル基板1Aとにより所要の特性インピーダン
スを持つように形成されたコプレーナ導波路である。ま
た、導波路W₃,W₄は内側に形成されており、これらも中
央の高周波用電極３と、その両側の接地用電極５と絶縁
性フレキシブル基板1Bとにより所要の特性インピーダン
スを持つように形成されたコプレーナ導波路である。そ
して、導波路W₁とW₃、W₂とW₄間が短いリード６で接続さ
れ、さらに内側の導波路W₃、W₄に第１の開口部２に突出
した短いリード６が接続されている。

第１図（Ａ）と従来例の第14図（Ａ）とを比較すれば
判るように、第14図（Ａ）では導波路はどこにも形成さ
れておらず、各電極103〜105に長いリード106が接続さ
れている。これに対し本実施例の第１図（Ａ）では、導
波路W₃、W₄を形成したためにリード６は極めて短くなっ
ている。

なお、バイアス供給用電極４は高周波用電極３と異な
るように記載しているが、バイアス供給用電極４の一部
を接地用電極５として扱うことにより接地電極５に挟ま
れたバイアス供給用電極４が構成され、コプレーナ導波
路構造となる。従って、バイアス供給用電極４にもコプ
レーナ導波路構造の考え方を適用できるのは明らかで
り、以下の実施例についても同様である。

次に、実装について説明する。第１図（Ｄ）に示すよ
うにリード６上の素子側バンプ８とベアチップ半導体素
子９上に形成された電極パッド10が重なるように、高周
波IC用フィルムキャリアをベアチップ半導体素子９の所
定の位置に持って行き、リード６とベアチップ半導体素
子９の表面の電極パッド10との間をキャピラリー11で加
熱し熱圧着して、高周波IC用フィルムキャリアとベアチ
ップ半導体素子９とを接続・実装する。

第１図（Ｅ）は接続・実装された状態を示す一部破断
図である。この状態でベアチップ半導体素子９は、その
高周波的な特性を測定するとが可能である。測定の結
果、不良なものについてはその後のパッケージへの実装
をとりやめることにより、最終製品の歩留まりを向上さ
せることができる。

次に、ベアチップ半導体素子９を接続・実装した導波
路形フィルムキャリアを、パッケージに接続・実装する
方法について説明する。まず、第１図（Ｂ）の14の位置
でリード６を切断する。切断の後、パッケージに挿入す
ることにより、リード６に形成されたパッケージ側バン
プ８′とパッケージの内部接続用端子202の位置が一致
し、この重なった部分をキャピラリーで加熱し熱圧着し
て接続する。

第３図はパッケージ内に実装された状態を示す断面図
である。図において、201はパッケージ、202はパッケー
ジ201に形成された内部接続用端子、203はパッケージの
外部接続用端子、60はハンダ、70はフィルムキャリアで
ある。また、ベアチップ半導体素子９とフィルムキャリ
ア70との接続点及びパッケージの内部接続用端子202と
の接続点は同じ高さにあるとが好ましい。ベアチップ半
導体素子９とパッケージ201のハンダ60は高さを揃える
役割も有している。このハンダ60は接着材で置き換える
こともできる。

次に、実装用基板に接続・実装する方法について説明
する。まず、第１の実装例は、第１図（Ｆ）に示すよう
に、高周波IC用フィルムキャリアごと実装用基板12上の
所定の位置に持って行き、リード６と実装用基板12表面
の電極13との間をキャピラリー11で加熱し熱圧着して、
導波路形フィルムキャリアと実装用基板12とを接続・実
装し、その後、ベアチップ半導体素子９の裏面と実装用
基板12の間をはんだ等により溶解接続する（図示せ
ず）。

また、実装用基板12への第２の実装例は、第１図
（Ｇ）に示すように、ベアチップ半導体素子９を接続・
実装した導波路形フィルムキャリアをベアチップ半導体
素子９の電極面が実装用基板12の電極13面となるように
高周波IC用フィルムキャリアを反転させて、高周波IC用
フィルムキャリアごと実装用基板12上の所定の位置に持
って行き、リード６と実装用基板12表面の電極13との間
をキャピラリー11で加熱し熱圧着して、高周波IC用フィ
ルムキャリアと実装用基板12とを接続・実装する。最後
に、第１図（Ｆ），第１図（Ｇ）のいずれの実装の場合
も、第２の開口部15に設けた切断部14（第１図（Ｄ））
で切断して、不要のリード6,絶縁フレキシブル基板1A,1
Bのうちの外周部分を廃棄する。

以上述べたように、ベアチップ半導体素子９とパッケ
ージ201または実装用基板12との間の接続に、インピー
ダンス的に整合の取られた導波路W₃、W₄を有する高周波
IC用フィルムキャリアを使用しているため、従来のワイ
ヤ、リボン等による接続に比べて高周波特性の改善を図
ることができる。

第４図は、本実施例のコプレーナ導波路の伝送特性を
示す図である。この導波路はDCから30GHzにわたり、不
要な共振等は現れず広帯域回路に適用できる導波路とな
っている。

第５図は、ベアチップ半導体素子に直接測定器をつな
いで測定した高周波特性80と、本発明のフィルムキャリ
アを介してパッケージに実装した同じ素子の特性をパッ
ケージの外部から測定した特性81と、ワイヤーを介して
パッケージに実装して同じ素子の特性をパッケージの外
部から測定した特性82を比較したものである。

図から明らかなように、ワイヤーを介してパッケージ
に実装した場合には、共振等により高周波特性に劣化が
見られる。しかしながら、本発明のフィルムキャリアを
介してパッケージに実装する場合には、ベアチップ半導
体素子に直接測定器をつないで測定した特性を忠実に再
現でき、本発明のフィルムキャリアが高周波モジュール
の実装に有効であることが明らかである。

また、第６図は、他のベアチップ半導体素子に直接測
定器をつないで測定した高周波特性80と、本発明のフィ
ルムキャリアを介してパッケージに実装した同じ素子の
特性をパッケージの外部から測定した特性81を比較した
ものである。

図から明らかなように、本発明のフィルムキャリアを
用いた場合には、略本来の特性に追従する特性が得られ
ており、フィルムキャリアの部分での損失が小さく、ま
たリード部分のインダクタンス成分による不要な共振等
もないことが判る。

（実施例2:マイクロストリップ線路構造）第７図（Ａ）〜（Ｄ）はこの発明の第２の実施例を説
明する図であって、第７図（Ａ）は全体図、第７図
（Ｂ）は第７図（Ａ）のVII B−VII B線の断面図、第７
図（Ｃ）は同じくVII C−VII C断面図である。接地電極
５は、高周波用電極３と反対側の面に形成されており第
７図（Ｂ）に示すようにリード６との間はスルーホール
16により接続されている。第７図（Ｅ）はベアチップ半
導体素子９を実装した状態を示す。導波路はW₁〜W₄の部
分に形成されている。

この実施例のフィルムキャリアは、接続に用いるリー
ドがすべて絶縁性基板の片側に形成されている点におい
て、第１の実施例と共通でありベアチップ半導体素子９
の高周波IC用フィルムキャリアへの接続方法、高周波IC
用フィルムキャリアのパッケージ又は実装用基板12への
接続方法は第１の実施例と同一である。

（実施例3:コプレーナ導波路構造）第８図（Ａ）、（Ｂ）はこの発明の第３の実施例を説
明する図であって、複数のベアチップ半導体素子を接続
する導波路形フィルムキャリアの例である。17は第２の
ベアチップ半導体素子、18は第３の開口部、19は第３の
ベアチップ半導体素子である。

実施例３での高周波IC用フィルムキャリアのパッケー
ジへの接続・実装方法は第１の実施例と同様である。

以上述べたように、インピーダンス的に整合を取った
導波路W₁〜W₅を有する導波路形フィルムキャリアで複数
のベアチップ半導体素子９、17、19の接続を行なってい
るため、従来のワイヤ、リボン等による接続に比べて高
周波特性の改善が図れる。また、高周波IC用フィルムキ
ャリアのパターンは、エッチングマスクを変えることで
容易に変更できるため、パッケージの統一化が容易であ
る。

（実施例4:マイクロストリップ線路）第９図（Ａ）、（Ｂ）はこの発明の第４の実施例を説
明する図であって、１〜19は第８図の実施例と同じであ
る。インピーダンス的に整合を取った導波路W₁〜W₅を有
する高周波IC用フィルムキャリアで複数のベアチップ半
導体素子９、17、19の接続を行なっているため、従来の
ワイヤ、リボン等による接続に比べて高周波特性の改善
が図れる。また、高周波IC用フィルムキャリアのパター
ンは容易に変更できるため、パッケージの統一化が容易
である。

第10図は上述した各実施例における導波路W₁〜W₅とし
てのシールド付コプレーナ導波路を示す斜視図である。
絶縁性フレキシブル基板１の表面に高周波用電極３と、
その両側に接地用電極５が配置されてコプレーナ導波路
を形成すると共に、絶縁性フレキシブル基板１の裏面に
シールド作用をする接地用電極５を設けたものである。
表面の接地用電極５と裏面の接地用電極５はスルーホー
ルにより接続されている。

（実施例5:スロット線路構造）第11図はこの発明の第５の実施例を説明するための要
部の斜視図を示す。この実施例では絶縁性フレキシブル
基板１の片面に高周波電極３と接地用電極５が一対をな
して形成される。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明は、絶縁性フレキシブル基
板の一部に少なくとも１つ又はそれ以上の開口部を設
け、リードをこれらの開口部に形成し、絶縁性フレキシ
ブル基板上または内部に高周波用電極，バイアス供給用
電極，接地用電極を設け、高周波用電極，接地用電極及
び絶縁性フレキシブル基板とで所要の特性インピーダン
スを有する導波路を構成したもので、リード長さを短縮
でき、且つリードのインダクタンス成分を低減できると
共にインピーダンス的な整合が容易になる。従って、イ
ンピーダンスを整合させてベアチップ半導体素子を実装
できるだけでなく、絶縁性フレキシブル基板を用いて複
数のベアチップ半導体素子を近接接続できるため、高周
波特性の向上を図ったマイクロ波デバイスのマルチチッ
プ一括実装が可能となる。

また、リードを絶縁性フレキシブル基板と一体とし基
板の同一面にリードを形成しているために、チップとの
接続、パッケージとの接続においてリード部を変形させ
る必要がなく、機械的強度及び長期にわたる信頼性が向
上する。さらには、導波路形フィルムキャリアのパター
ン変更がホトリソグラフィ技術を用いて容易にできるた
めマルチチップ実装用パッケージの統一化が図れる等の
利点を有する。

さらに、導波路として、コプレーナ導波路，マイクロ
ストリップ線路，スロット線路を使用することができ、
実装するベアチップ半導体素子の数等に応じ適合させる
ことが可能である利点を有する。

【図面の簡単な説明】

第１図（Ａ）はこの発明の高周波IC用フィルムキャリア
の第１の実施例を示す斜視図、第１図（Ｂ）は第１図
（Ａ）のI B−I B線による断面図、第１図（Ｃ）は第１
図（Ａ）のI C−I C線によるコプレーナ導波路の断面
図、第１図（Ｄ），（Ｅ）はこの発明の高周波IC用フィ
ルムキャリアにベアチップ半導体素子を接続した場合の
断面図と一部を破断した斜視図、第１図（Ｆ），（Ｇ）
はそれぞれこの発明の第１の実施例の高周波IC用フィル
ムキャリアを実装基板に接続した場合の断面図、第２図
（Ａ）〜（Ｇ）は本発明の高周波IC用フィルムキャリア
の製作工程を説明する図、第３図は本発明の高周波IC用
フィルムキャリアでベアチップ半導体素子をパッケージ
に実装した状態を示す断面図、第４図は本発明の高周波
IC用フィルムキャリアの第１の実施例におけるコプレー
ナ導波路の高周波特性の測定結果を示す図、第５図、第
６図は本発明の高周波IC用フィルムキャリアで高周波IC
をパッケージに実装した状態での高周波特性の測定結果
を示す図、第７図（Ａ）はこの発明の第２の実施例の高
周波ICフィルムキャリアの上面図、第７図（Ｂ），
（Ｃ）はそれぞれこの発明の第２の実施例を示す第７図
（Ａ）のVII B−VII B線,VII C−VII C線における断面
図を上下反転させた図、第７図（Ｄ）は第７図（Ａ）の
VII D−VII D線によるマイクロストリップ線路の断面
図、第７図（Ｅ）はこの発明の第２の実施例の高周波IC
用フィルムキャリアのベアチップ半導体素子を接続した
場合の一部を破断した斜視図、第８図（Ａ），（Ｂ）は
それぞれこの発明の第３の実施例の高周波ICフィルムキ
ャリアの上面図、斜視図、第９図（Ａ），（Ｂ）はそれ
ぞれこの発明の第４の実施例の高周波ICフィルムキャリ
アの上面図、斜視図、第10図はシールド付きコプレーナ
導波路を示す斜視図、第11図はこの発明の第５の実施例
を説明するための要部の斜視図、第12図は従来のワイヤ
によりベアチップ半導体素子をパッケージに実装したこ
とを示す斜視図、第13図は従来のフィルムキャリアによ
りベアチップ半導体素子をパッケージに実装したことを
示す斜視図、第14図（Ａ）は従来のフィルムキャリアを
示す斜視図、第14図（Ｂ）は従来のフィルムキャリアの
断面図、第14図（Ｃ）は従来のフィルムキャリアをベア
チップ半導体素子に接続する状態を説明した断面図、第
14図（Ｄ）は従来のフィルムキャリアをベアチップ半導
体素子に接続した状態を示す斜視図、第14図（Ｅ）はベ
アチップ半導体素子を接続した従来のフィルムキャリア
を実装用基板に接続する状態を説明する断面図である。 1,1A,1B……絶縁性フレキシブル基板、２……第１の開
口部、３……高周波用電極、４……バイアス供給用電
極、５……接地用電極、６……リード、８……素子側バ
ンプ、８′……パッケージ側バンプ、９……ベアチップ
半導体素子、10……電極パッド、11……キャピラリー、
12……実装用基板、13……電極、14……切断部、15……
第２の開口部、16……高周波電極及び裏面に形成された
接地用電極を接続させるスルーホール、17……第２のベ
アチップ半導体素子、18……第３の開口部、19……第３
のベアチップ半導体素子、51……下地導体膜、52……第
１のフォトレジスト膜、53……エッチングマスク用導体
膜、54……導波路用導体膜、55……バンプ8,8′を形成
するための第２のフォトレジスト膜、60……ベアチップ
半導体を固定するためのはんだ、70……本発明の高周波
IC用のフィルムキャリア、80……シールリング、101…
…絶縁性フレキシブル基板、102……開口部、103……高
周波用電極、104……バイアス供給用電極、105……接地
用電極、106……リード、107……接着剤層、108……バ
ンプ、109……ベアチップ半導体素子、110……電極パッ
ド、111……キャピラリー、112……実装用基板、113…
…電極、114……切断部、201……パッケージ、202……
パッケージの内部接続用端子、203……パッケージの外
部接続用端子、206……ワイヤ、207……フィルムキャリ
ア、W₁〜W₅……導波路。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者大崎孝明東京都千代田区内幸町１丁目１番６号日本電信電話株式会社内 (56)参考文献特開昭64−84625（ＪＰ，Ａ) 1989年電子情報通信学会春季全国講演論文集（２)

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】絶縁性フレキシブル基板と、この絶縁性フ
レキシブル基板上に形成された高周波用電極，バイアス
供給用電極，接地用電極と、これら各電極に接続された
リードとから構成され、ベアチップ半導体素子をパッケ
ージ内に実装してベアチップ半導体素子の電極パッドと
パッケージの内部接続端子の間を高周波的に接続するた
めの高周波IC用フィルムキャリアであって、前記絶縁性
フレキシブル基板の一部に実装されるベアチップ半導体
に対応する開口部を有し、前記リードは開口部に突出し
て、実装されるベアチップ半導体の電極パッドに対応す
る位置に形成され、また、絶縁性基板の外周部において
はパッケージの内部接続端子に対応する位置に突出して
リードが形成され、さらに少なくとも高周波信号伝播に
寄与する前記高周波用電極、接地用電極及び絶縁性フレ
キシブル基板とより構成される導波路を１つ以上備え、
導波路は高周波用電極、接地用電極が絶縁性フレキシブ
ル基板の片面に形成されたコプレーナ導波路であること
を特徴とする高周波IC用フィルムキャリア。
【請求項２】絶縁性フレキシブル基板と、この絶縁性フ
レキシブル基板上に形成された高周波用電極，バイアス
供給用電極，接地用電極と、これら各電極に接続された
リードとから構成され、ベアチップ半導体素子をパッケ
ージ内に実装してベアチップ半導体素子の電極パッドと
パッケージの内部接続端子の間を高周波的に接続するた
めの高周波IC用フィルムキャリアであって、前記絶縁性
フレキシブル基板の一部に実装されるベアチップ反導体
に対応する開口部を有し、前記リードは開口部に突出し
て、実装されるベアチップ半導体の電極パッドに対応す
る位置に形成され、また、絶縁性基板の外周部において
はパッケージの内部接続端子に対応する位置に突出して
リードが形成され、さらに少なくとも高周波信号伝播に
寄与する前記高周波用電極、接地用電極及び絶縁性フレ
キシブル基板とより構成される導波路を１つ以上備え、
導波路は高周波用電極、接地用電極が絶縁性フレキシブ
ル基板の片面に形成されたスロット線路であることを特
徴とする高周波IC用フィルムキャリア。
【請求項３】絶縁性フレキシブル基板と、この絶縁性フ
レキシブル基板上に形成された高周波用電極，バイアス
供給用電極，接地用電極と、これら各電極に接続された
リードとから構成され、ベアチップ半導体素子をパッケ
ージ内に実装してベアチップ半導体素子の電極パッドと
パッケージの内部接続端子の間を高周波的に接続するた
めの高周波IC用フィルムキャリアであって、前記絶縁性
フレキシブル基板の一部に実装されるベアチップ半導体
に対応する開口部を有し、前記リードは開口部に突出し
て、実装されるベアチップ半導体の電極パッドに対応す
る位置に形成され、また、絶縁性基板の外周部において
はパッケージの内部接続端子に対応する位置に突出して
リードが形成され、さらに少なくとも高周波信号伝播に
寄与する前記高周波用電極、接地用電極及び絶縁性フレ
キシブル基板とより構成される導波路を１つ以上備え、
導波路は高周波用電極、接地用電極が絶縁性フレキシブ
ル基板の両面にそれぞれ形成されたマイクロストリップ
線路であり、リードが設けられた面と他面の電極はスル
ーホールにより接続されていることを特徴とする高周波
IC用フィルムキャリア。
【請求項４】リードは、絶縁性フレキシブル基板の同一
面の延長上に突出して設けられていることを特徴とする
請求項（１）から（３）いずれか記載の高周波IC用フィ
ルムキャリア。
【請求項５】リードは、先端部に金からなるバンプが形
成されていることを特徴とする請求項（１）から（４）
いずれか記載の高周波IC用フィルムキャリア。