JP2624451B2 - 半導体装置の製造装置 - Google Patents
半導体装置の製造装置Info
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- H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
- H01L21/223—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities using diffusion into or out of a solid from or into a gaseous phase
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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- C30B33/005—Oxydation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
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- C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
- C30B31/06—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion material in the gaseous state
- C30B31/16—Feed and outlet means for the gases; Modifying the flow of the gases
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造装置
に関し、特に酸化膜の形成や不純物の拡散などに用いら
れる半導体装置の製造装置に関する。
に関し、特に酸化膜の形成や不純物の拡散などに用いら
れる半導体装置の製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、水素と酸素を反応させ発生する水
蒸気を用いて半導体ウェーハ（以下単にウェェーハとい
う）の酸化及び熱処理を行う装置は図５に示すような構
造となっている。酸素（Ｏ2 ）は燃焼管３の一端に設け
られたノズル４Ａから供給され、水素（Ｈ2 ）は燃焼管
３の内部でＵ字形に曲げられたノズル１Ａから供給さ
れ、燃焼管３の内部で水素の燃焼により生成される水蒸
気により、ウェーハの酸化及び熱処理が行なわれる。ノ
ズルや燃焼管は一般には石英から作られている。
蒸気を用いて半導体ウェーハ（以下単にウェェーハとい
う）の酸化及び熱処理を行う装置は図５に示すような構
造となっている。酸素（Ｏ2 ）は燃焼管３の一端に設け
られたノズル４Ａから供給され、水素（Ｈ2 ）は燃焼管
３の内部でＵ字形に曲げられたノズル１Ａから供給さ
れ、燃焼管３の内部で水素の燃焼により生成される水蒸
気により、ウェーハの酸化及び熱処理が行なわれる。ノ
ズルや燃焼管は一般には石英から作られている。
【０００３】又ウェーハ処理部を構成する燃焼管３とは
別に設けられた燃焼部に酸素と水素をノズルにより供給
し、生成される水蒸気をウェーハ処理部に供給し、ウェ
ーハの酸化や熱処理を行う装置もある。
別に設けられた燃焼部に酸素と水素をノズルにより供給
し、生成される水蒸気をウェーハ処理部に供給し、ウェ
ーハの酸化や熱処理を行う装置もある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この従来の半導体装置
の製造装置はノズル１Ａより供給される水素が別のノズ
ル４Ａより供給され酸素と反応（燃焼）する時、ノズル
１Ａの先端部８Ａには図６（ａ）に示すように、高温の
水素炎５ができる。その後水素の供給が停止することで
燃焼が終了し、先端部８Ａの温度は急激に低下する。こ
のように石英製ノズルの先端部８Ａは水素の着火と燃焼
と燃焼終了を繰返すことで劣化が進む。劣化したノズル
の先端部８Ａは図６（ｂ）に示すように、粉末となり、
飛散し、ウェーハに付着するため半導体装置の不良の発
生の原因になるという問題があった。
の製造装置はノズル１Ａより供給される水素が別のノズ
ル４Ａより供給され酸素と反応（燃焼）する時、ノズル
１Ａの先端部８Ａには図６（ａ）に示すように、高温の
水素炎５ができる。その後水素の供給が停止することで
燃焼が終了し、先端部８Ａの温度は急激に低下する。こ
のように石英製ノズルの先端部８Ａは水素の着火と燃焼
と燃焼終了を繰返すことで劣化が進む。劣化したノズル
の先端部８Ａは図６（ｂ）に示すように、粉末となり、
飛散し、ウェーハに付着するため半導体装置の不良の発
生の原因になるという問題があった。
【０００５】なお、特開平１−２９７８２６号公報の図
１には、Ｈ2 ガス用ノズルの外側にＯ2 ノズルを設けた
２重管構造のノズルが示されているが、このノズルも先
端に水素炎ができるので上述の従来技術と同じ欠点があ
る。
１には、Ｈ2 ガス用ノズルの外側にＯ2 ノズルを設けた
２重管構造のノズルが示されているが、このノズルも先
端に水素炎ができるので上述の従来技術と同じ欠点があ
る。
【０００６】本発明の目的は、水素導入用ノズルの先端
部の劣化を低減した半導体装置の製造装置を提供するこ
とにある。
部の劣化を低減した半導体装置の製造装置を提供するこ
とにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】第１の半導体装置の製造
装置は、一端に酸素導入用の第１のノズルが設けられ他
端が開放された燃焼管と、この燃焼管の一端から燃焼管
の内部に延在して設けられた水素導入用の第２のノズル
とを有し、この第２のノズルの先端部で水素を燃焼させ
て水蒸気を生成する半導体装置の製造装置において、前
記第２のノズルの先端部には先端部の周囲をかこみ、前
記第２のノズルの先端より水素ガス放出方向に突出した
円筒状のカバーが設けられていることを特徴とするもの
である。
装置は、一端に酸素導入用の第１のノズルが設けられ他
端が開放された燃焼管と、この燃焼管の一端から燃焼管
の内部に延在して設けられた水素導入用の第２のノズル
とを有し、この第２のノズルの先端部で水素を燃焼させ
て水蒸気を生成する半導体装置の製造装置において、前
記第２のノズルの先端部には先端部の周囲をかこみ、前
記第２のノズルの先端より水素ガス放出方向に突出した
円筒状のカバーが設けられていることを特徴とするもの
である。
【０００８】第２の半導体装置の製造装置は一端に酸素
導入用の第１のノズルが設けられ他端が開放された燃焼
管と、この燃焼管の一端から燃焼管の内部に延在して設
けられた水素導入用の第２のノズルとを有し、この第２
のノズルの先端部で水素を燃焼させて水蒸気を生成する
半導体装置の製造装置において、前記第２のノズルの先
端部は耐熱性材料からなりかつ着脱可能に構成されてい
ることを特徴とするものである。
導入用の第１のノズルが設けられ他端が開放された燃焼
管と、この燃焼管の一端から燃焼管の内部に延在して設
けられた水素導入用の第２のノズルとを有し、この第２
のノズルの先端部で水素を燃焼させて水蒸気を生成する
半導体装置の製造装置において、前記第２のノズルの先
端部は耐熱性材料からなりかつ着脱可能に構成されてい
ることを特徴とするものである。
【０００９】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。図１は本発明の第１の実施例の断面図であ
り、図２は図１におけるＸ部の拡大断面図である。
て説明する。図１は本発明の第１の実施例の断面図であ
り、図２は図１におけるＸ部の拡大断面図である。
【００１０】図１及び図２において、半導体装置の製造
装置は、一端に酸素導入用の第１のノズル４が設けられ
他端が開放された石英製の燃焼管３と、この燃焼管３の
内部に延在し先端がＵ字形に曲げられた水素導入用の第
２のノズル１と、この第２のノズル１の先端部に設けら
れ、第２のノズル１の先端より水素ガスの放出方向に突
出した円筒状のカバー２とから主に構成されている。
装置は、一端に酸素導入用の第１のノズル４が設けられ
他端が開放された石英製の燃焼管３と、この燃焼管３の
内部に延在し先端がＵ字形に曲げられた水素導入用の第
２のノズル１と、この第２のノズル１の先端部に設けら
れ、第２のノズル１の先端より水素ガスの放出方向に突
出した円筒状のカバー２とから主に構成されている。
【００１１】このように構成された第１の実施例におい
ては、予め酸素を第１のノズル４から燃焼管３内に供給
し、その後、第２のノズル１から供給される水素がノズ
ルの先端部８より放出されることで、水素の燃焼が起
る。水素の燃焼により発生する高温の水素炎５は、水素
の供給量に対して十分供給されている燃焼当初は先端部
８の近傍に発生するが、ノズルの先端部８の外側に設け
られた円筒状のカバー２が、酸素の自由な供給を阻害す
るため、水素炎５の高温部６はカバー２の開孔部付近に
移動し、ノズルの先端部８から離れる。この為従来のよ
うに、第２のノズル１の先端部８の劣化はほとんどなく
なる。
ては、予め酸素を第１のノズル４から燃焼管３内に供給
し、その後、第２のノズル１から供給される水素がノズ
ルの先端部８より放出されることで、水素の燃焼が起
る。水素の燃焼により発生する高温の水素炎５は、水素
の供給量に対して十分供給されている燃焼当初は先端部
８の近傍に発生するが、ノズルの先端部８の外側に設け
られた円筒状のカバー２が、酸素の自由な供給を阻害す
るため、水素炎５の高温部６はカバー２の開孔部付近に
移動し、ノズルの先端部８から離れる。この為従来のよ
うに、第２のノズル１の先端部８の劣化はほとんどなく
なる。
【００１２】水素炎の高温部６と先端部８との距離Ｌ0
は、先端部８とカバー２の開放部迄の距離Ｌ1 とカバー
２の内径Ｄ2 と先端部８の内径Ｄ1 との差｛（Ｄ2 −Ｄ
1 ）／２｝と酸素の供給量と第２のノズル内を流れる水
素の流速により決定される。酸素の供給量を５〜２０ｌ
／ｍｉｎ，水素の流速を２〜１５ｍ／ｓｅｃとした場
合、Ｌ1 は２０〜５０ｍｍ，｛（Ｄ2 −Ｄ1 ）／２｝は
５〜１５ｍｍにすることでＬ0 を大きくとることができ
る。
は、先端部８とカバー２の開放部迄の距離Ｌ1 とカバー
２の内径Ｄ2 と先端部８の内径Ｄ1 との差｛（Ｄ2 −Ｄ
1 ）／２｝と酸素の供給量と第２のノズル内を流れる水
素の流速により決定される。酸素の供給量を５〜２０ｌ
／ｍｉｎ，水素の流速を２〜１５ｍ／ｓｅｃとした場
合、Ｌ1 は２０〜５０ｍｍ，｛（Ｄ2 −Ｄ1 ）／２｝は
５〜１５ｍｍにすることでＬ0 を大きくとることができ
る。
【００１３】図３は本発明の第２の実施例の断面図であ
り、図４は図３におけるＹ部の拡大断面図である。図３
及び図４において、第２の実施例の第１の実施例と異な
る所は、第２のノズルの先端部が耐熱性材料からなり着
脱可能に、すなわち差し込み式のＳｉＣ製先端部７とな
っていることである。
り、図４は図３におけるＹ部の拡大断面図である。図３
及び図４において、第２の実施例の第１の実施例と異な
る所は、第２のノズルの先端部が耐熱性材料からなり着
脱可能に、すなわち差し込み式のＳｉＣ製先端部７とな
っていることである。
【００１４】上述したように急激な温度上昇と降下及び
水素炎にさらされるノズルの先端部をＳｉＣで形成する
ことにより先端部の劣化を低減でき、しかも着脱可能に
していることから劣化したＳｉＣ製先端部７を容易に交
換できるため、劣化による粉末の飛散を完全になくすこ
とができる。
水素炎にさらされるノズルの先端部をＳｉＣで形成する
ことにより先端部の劣化を低減でき、しかも着脱可能に
していることから劣化したＳｉＣ製先端部７を容易に交
換できるため、劣化による粉末の飛散を完全になくすこ
とができる。
【００１５】尚、この第２の実施例においては耐熱性材
料としてＳｉＣを用いた場合について説明したがＳｉを
用いることも可能である。
料としてＳｉＣを用いた場合について説明したがＳｉを
用いることも可能である。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように第１の本発明は、水
素導入用のノズルの先端部に円筒状のカバーを取りつけ
ることで、水素炎の高温部をノズルの先端部とはなすこ
とができるため、ノズルの先端部が燃焼開始後の急激な
温度上昇，高温加熱，燃焼終了時の急激な温度降下にさ
らされる影響を低減でき、ノズル先端部の劣化を低減で
きる。
素導入用のノズルの先端部に円筒状のカバーを取りつけ
ることで、水素炎の高温部をノズルの先端部とはなすこ
とができるため、ノズルの先端部が燃焼開始後の急激な
温度上昇，高温加熱，燃焼終了時の急激な温度降下にさ
らされる影響を低減でき、ノズル先端部の劣化を低減で
きる。
【００１７】第２の発明では、ノズルの先端部をＳｉＣ
等の耐熱材質に変更することによりカバーを取り付ける
場合と同様にノズルの先端部の劣化を少くすることがで
きる。このためノズル先端部の劣化による粉末飛散に伴
うウェーハへの付着による半導体装置の不良を１０％以
下に低減できるという効果を有する。
等の耐熱材質に変更することによりカバーを取り付ける
場合と同様にノズルの先端部の劣化を少くすることがで
きる。このためノズル先端部の劣化による粉末飛散に伴
うウェーハへの付着による半導体装置の不良を１０％以
下に低減できるという効果を有する。
【図１】本発明の第１の実施例の断面図。
【図２】図１のＸ部の拡大断面図。
【図３】本発明の第２の実施例の断面図。
【図４】図３のＹ部の拡大断面図。
【図５】従来の製造装置の一例の断面図。
【図６】図５のＺ部の拡大断面図。
１ 第２のノズル １Ａ 水素ノズル ２ カバー ３ 燃焼管 ４ 第１のノズル ４Ａ 酸素ノズル ５ 水素炎 ６ 水素炎高温部 ７ ＳｉＣ製先端部 ８，８Ａ，８Ｂ 先端部
Claims (3)
- 【請求項１】 一端に酸素導入用の第１のノズルが設け
られ他端が開放された燃焼管と、この燃焼管の一端から
燃焼管の内部に延在して設けられた水素導入用の第２の
ノズルとを有し、この第２のノズルの先端部で水素を燃
焼させて水蒸気を生成する半導体装置の製造装置におい
て、前記第２のノズルの先端部には、一方の端部がこの
先端部の周囲に固定され他方の開放された端部が前記第
２のノズルの先端より水素ガス放出方向に突出した円筒
状のカバーが設けられていることを特徴とする半導体装
置の製造装置。 - 【請求項２】 一端に酸素導入用の第１のノズルが設け
られ他端が開放された燃焼管と、この燃焼管の一端から
燃焼管の内部に延在して設けられた水素導入用の第２の
ノズルとを有し、この第２のノズルの先端部で水素を燃
焼させて水蒸気を生成する半導体装置の製造装置におい
て、前記第２のノズルの先端部は耐熱性材料からなりか
つ着脱可能に構成されていることを特徴とする半導体装
置の製造装置。 - 【請求項３】 耐熱性材料はＳｉＣまたはＳｉである請
求項２記載の 半導体装置の製造装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6141421A JP2624451B2 (ja) | 1994-06-23 | 1994-06-23 | 半導体装置の製造装置 |
| US08/492,446 US5588831A (en) | 1994-06-23 | 1995-06-19 | Furnace system equipped with protected combustion nozzle used in fabrication of semiconductor device |
| KR1019950016997A KR0153584B1 (ko) | 1994-06-23 | 1995-06-23 | 반도체 장치의 제조에 사용된 보호 연소 노즐을 구비한 노 시스템 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6141421A JP2624451B2 (ja) | 1994-06-23 | 1994-06-23 | 半導体装置の製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH088241A JPH088241A (ja) | 1996-01-12 |
| JP2624451B2 true JP2624451B2 (ja) | 1997-06-25 |
Family
ID=15291613
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6141421A Expired - Fee Related JP2624451B2 (ja) | 1994-06-23 | 1994-06-23 | 半導体装置の製造装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5588831A (ja) |
| JP (1) | JP2624451B2 (ja) |
| KR (1) | KR0153584B1 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6442736B1 (en) * | 2000-10-03 | 2002-08-27 | L'air Liquide Societe Anonyme A Directoire Et Conseil De Surveillance Pour L'etude Et L'expolitation Des Procedes Georges Claude | Semiconductor processing system and method for controlling moisture level therein |
| US7184850B1 (en) * | 2002-09-06 | 2007-02-27 | National Semiconductor Corporation | System and method for allocating multi-function resources for a wetdeck process in semiconductor wafer fabrication |
| US6957113B1 (en) | 2002-09-06 | 2005-10-18 | National Semiconductor Corporation | Systems for allocating multi-function resources in a process system and methods of operating the same |
| JP4453693B2 (ja) * | 2005-11-14 | 2010-04-21 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置の製造方法及び電子機器の製造方法 |
| US20140026816A1 (en) * | 2012-07-27 | 2014-01-30 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone quartz gas distribution apparatus |
| CN113091055B (zh) * | 2021-03-18 | 2023-06-16 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 点火装置和半导体设备 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1203489A (en) * | 1968-08-20 | 1970-08-26 | Geo Bray & Company Ltd | Improvements in or relating to shrouded gas burners |
| JPS5730338A (en) * | 1980-07-30 | 1982-02-18 | Nec Corp | Thermal oxidizing device for semiconductor |
| JPS62116819A (ja) * | 1985-11-13 | 1987-05-28 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | 石油残渣を燃料とする火炉 |
| JPH0647929B2 (ja) * | 1989-09-29 | 1994-06-22 | いすゞ自動車株式会社 | 副室式アルコールエンジン |
-
1994
- 1994-06-23 JP JP6141421A patent/JP2624451B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-06-19 US US08/492,446 patent/US5588831A/en not_active Expired - Fee Related
- 1995-06-23 KR KR1019950016997A patent/KR0153584B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR0153584B1 (ko) | 1998-12-01 |
| JPH088241A (ja) | 1996-01-12 |
| US5588831A (en) | 1996-12-31 |
| KR960002539A (ko) | 1996-01-26 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19970204 |
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