JP2613266B2 - 電圧・電流変換回路 - Google Patents
電圧・電流変換回路Info
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- JP2613266B2 JP2613266B2 JP63166772A JP16677288A JP2613266B2 JP 2613266 B2 JP2613266 B2 JP 2613266B2 JP 63166772 A JP63166772 A JP 63166772A JP 16677288 A JP16677288 A JP 16677288A JP 2613266 B2 JP2613266 B2 JP 2613266B2
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- mirror circuit
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/34—DC amplifiers in which all stages are DC-coupled
- H03F3/343—DC amplifiers in which all stages are DC-coupled with semiconductor devices only
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は電圧信号を電流信号に変換する電圧・電流変
換回路に係り、特に電圧・電流変換の周波数応答の劣化
を防ぐに好適な電圧・電流変換回路に関する。
換回路に係り、特に電圧・電流変換の周波数応答の劣化
を防ぐに好適な電圧・電流変換回路に関する。
従来の電圧・電流変換回路は、特公昭60−59765号公
報の第1図に示される抵抗とカレント・ミラー回路より
構成される回路が知られており、このトランジスタで構
成されるカレント・ミラー回路に流れる電流は入力端子
に加えられる電圧のみで決まっていた。
報の第1図に示される抵抗とカレント・ミラー回路より
構成される回路が知られており、このトランジスタで構
成されるカレント・ミラー回路に流れる電流は入力端子
に加えられる電圧のみで決まっていた。
上記従来技術は、トランジスタ端子の電流依存性によ
る利得帯域幅積の変動が問題となり、印加される直流電
圧が小さくなった場合にはカレント・ミラー回路を構成
するトランジスタのコレクタ電流が減少するために、利
得帯域幅積Tも低下して電圧・電流変換における入力
電圧に対する周波数応答が劣化するという問題があっ
た。
る利得帯域幅積の変動が問題となり、印加される直流電
圧が小さくなった場合にはカレント・ミラー回路を構成
するトランジスタのコレクタ電流が減少するために、利
得帯域幅積Tも低下して電圧・電流変換における入力
電圧に対する周波数応答が劣化するという問題があっ
た。
本発明の目的は、印加される直流電圧が小さくなって
も電圧・電流変換の周波数応答の劣化を防ぎうる電圧・
電流変換回路を提供するにある。
も電圧・電流変換の周波数応答の劣化を防ぎうる電圧・
電流変換回路を提供するにある。
上記目的は、トランジスタ等で構成され入力端子に抵
抗を介して信号入力端子を接続して出力端子を信号出力
端子とするカレント・ミラー回路の上記入力端子にバイ
アス用の第1の定電流源を接続し、上記カレント・ミラ
ー回路の出力端子にバイアス電流分を補正する第2の定
電流源を接続した電圧・電流変換回路により達成され、
また第1および第2の電圧・電流変換回路の入力電圧間
の同相および差動電流と差動電圧を出力する電圧・電流
変換回路の第1および第2のカレント・ミラー回路の入
力端子間に定電流源を接続した電圧・電流変換回路によ
り達成される。
抗を介して信号入力端子を接続して出力端子を信号出力
端子とするカレント・ミラー回路の上記入力端子にバイ
アス用の第1の定電流源を接続し、上記カレント・ミラ
ー回路の出力端子にバイアス電流分を補正する第2の定
電流源を接続した電圧・電流変換回路により達成され、
また第1および第2の電圧・電流変換回路の入力電圧間
の同相および差動電流と差動電圧を出力する電圧・電流
変換回路の第1および第2のカレント・ミラー回路の入
力端子間に定電流源を接続した電圧・電流変換回路によ
り達成される。
上記電圧・電流変換回路のカレント・ミラー回路を構
成するトランジスタには上記カレント・ミラー回路の入
力端子に接続した第1の定電流源によってバイアス電流
が流れるため、信号入力端子に印加される直流電圧が小
さくなっても上記カレント・ミラー回路を構成するトラ
ンジスタにはバイアス電流にほぼ等しい電流が流れるの
で、利得帯域幅積の低下する下限がバイアス電流によっ
て決まる値に抑制されて周波数応答の劣化を防ぎ、上記
カレント・ミラー回路の出力端子に接続した第2の定電
流源によってバイアス電流分を打ち消すように電流を流
すので、信号出力端子には信号入力端子の入力電圧に応
じた電流が得られ、また、第1および第2の電圧・電流
回路の入力電圧間の同相および差動電流と差動電圧を出
力する電圧・電流変換回路の第1および第2のカレント
・ミラー回路の入力端子間に接続した定電流源によって
同様な作用から利得帯域幅積の低下を抑制して周波応答
の劣化を防ぐことができる。
成するトランジスタには上記カレント・ミラー回路の入
力端子に接続した第1の定電流源によってバイアス電流
が流れるため、信号入力端子に印加される直流電圧が小
さくなっても上記カレント・ミラー回路を構成するトラ
ンジスタにはバイアス電流にほぼ等しい電流が流れるの
で、利得帯域幅積の低下する下限がバイアス電流によっ
て決まる値に抑制されて周波数応答の劣化を防ぎ、上記
カレント・ミラー回路の出力端子に接続した第2の定電
流源によってバイアス電流分を打ち消すように電流を流
すので、信号出力端子には信号入力端子の入力電圧に応
じた電流が得られ、また、第1および第2の電圧・電流
回路の入力電圧間の同相および差動電流と差動電圧を出
力する電圧・電流変換回路の第1および第2のカレント
・ミラー回路の入力端子間に接続した定電流源によって
同様な作用から利得帯域幅積の低下を抑制して周波応答
の劣化を防ぐことができる。
以下に本発明の実施例を第1図から第6図により説明
する。
する。
第1図は本発明による電圧・電流変換回路の第1の実
施例を示す回路図である。第1図において、1はnpnト
ランジスタQ1,Q2で構成されるカレント・ミラー回路、
2はカレント・ミラー回路1を構成するトランジスタ
Q1,Q2をバイアスするためのバイアス用定電流源、3は
定電流源2により発生するバイアス電流分を補正する定
電流源、4は電圧・電流変換回路の信号出力端子、5は
同じく信号入力端子、R1は電圧・電流変換係数を決定す
る抵抗である。
施例を示す回路図である。第1図において、1はnpnト
ランジスタQ1,Q2で構成されるカレント・ミラー回路、
2はカレント・ミラー回路1を構成するトランジスタ
Q1,Q2をバイアスするためのバイアス用定電流源、3は
定電流源2により発生するバイアス電流分を補正する定
電流源、4は電圧・電流変換回路の信号出力端子、5は
同じく信号入力端子、R1は電圧・電流変換係数を決定す
る抵抗である。
この構成において、いま信号入力端子5に直流電圧VI
と交流電圧viが印加された場合の入出力特性を求める。
まず交流成分の入出力特性は次式のようになる。
と交流電圧viが印加された場合の入出力特性を求める。
まず交流成分の入出力特性は次式のようになる。
ここでi0は電圧・電流変換回路の出力電流の交流成
分、iC1,iC2はトランジスタQ1,Q2のコレクタ電流の交流
成分、R1は抵抗R1の抵抗値、re1はトランジスタQ1のエ
ミッタ抵抗、h eはトランジスタQ1,Q2の電流増幅率
である。エミッタ抵抗re1はトランジスタQ1.のコレク
タ電流の直流成分をIC1とすると一般に次式のようにな
る。
分、iC1,iC2はトランジスタQ1,Q2のコレクタ電流の交流
成分、R1は抵抗R1の抵抗値、re1はトランジスタQ1のエ
ミッタ抵抗、h eはトランジスタQ1,Q2の電流増幅率
である。エミッタ抵抗re1はトランジスタQ1.のコレク
タ電流の直流成分をIC1とすると一般に次式のようにな
る。
re126mV/IC1 (2) また、電流増幅率h eは6dB/ocで低下する周波数
領域において一般に次式の関係がある。
領域において一般に次式の関係がある。
h e T/ (3) ここでTは利得帯域幅積、は使用周波数である。
さらに利得帯域幅積Tは一般に第2図に示すトランジ
スタのT−ICの特性例図のようにコレクタ電流ICが小
さくなると、利得帯域幅積Tも小さくなる傾向にあ
る。このためコレクタ電流の直流成分IC1が小さくなる
と、電流増幅率h eも小さくなる。そこで(1)式に
(2),(3)式を代入すると次式となる。
さらに利得帯域幅積Tは一般に第2図に示すトランジ
スタのT−ICの特性例図のようにコレクタ電流ICが小
さくなると、利得帯域幅積Tも小さくなる傾向にあ
る。このためコレクタ電流の直流成分IC1が小さくなる
と、電流増幅率h eも小さくなる。そこで(1)式に
(2),(3)式を代入すると次式となる。
(4)式より、トランジスタQ1のコレクタ電流の直流
成分IC1が小さくなると、(4)式の分母のエミッタ抵
抗分26mV/IC1が大きくなるとともに、2/Tも大き
くなって電圧・電流変換の周波数応答が劣化する。
成分IC1が小さくなると、(4)式の分母のエミッタ抵
抗分26mV/IC1が大きくなるとともに、2/Tも大き
くなって電圧・電流変換の周波数応答が劣化する。
つぎに直流成分の入出力特性は次式のようになる。
ここでIC1,IC2はトランジスタQ1,Q2のコレクタ電流の
直流成分、VBE1はトランジスタQ1のベース・エミッタ間
電圧、Ibiasは定電流源2に流れる電流である。(5)
式から明らかなように定電流源2のバイアス電流Ibias
により、直流入力電圧V1が小さくなっても(但しVI≧V
BE1)、次式が常に成り立つ。
直流成分、VBE1はトランジスタQ1のベース・エミッタ間
電圧、Ibiasは定電流源2に流れる電流である。(5)
式から明らかなように定電流源2のバイアス電流Ibias
により、直流入力電圧V1が小さくなっても(但しVI≧V
BE1)、次式が常に成り立つ。
したがって直流入力電圧VIが小さくなっても、トラン
ジスタQ1,Q2のコレクタ電流の直流成分IC1,IC2が(6)
式の値よりも小さくなることがないので、利得帯域幅積
Tの最小値も(6)式のコレクタ電流IC1(min),IC2
(min)の時の利得帯域幅積T(min)に抑制され、そ
れ以下に小さくなることがない。これにより周波数応答
の劣化を防ぐことができる。さらに定電流源3は電圧・
電流変換回路の出力端子4に現れるオフセット電流の補
正を次のように行う。すなわち定電流源3の電流Irを次
式のように設定する。
ジスタQ1,Q2のコレクタ電流の直流成分IC1,IC2が(6)
式の値よりも小さくなることがないので、利得帯域幅積
Tの最小値も(6)式のコレクタ電流IC1(min),IC2
(min)の時の利得帯域幅積T(min)に抑制され、そ
れ以下に小さくなることがない。これにより周波数応答
の劣化を防ぐことができる。さらに定電流源3は電圧・
電流変換回路の出力端子4に現れるオフセット電流の補
正を次のように行う。すなわち定電流源3の電流Irを次
式のように設定する。
このときは出力端子4に流れる出力電流の直流成分I0
は(7)式と(5)式により次式のようになる。
は(7)式と(5)式により次式のようになる。
(8)式により抵抗R1で決まる直流成分の入出力特性
が得られる。
が得られる。
このように本実施例によれば、カレント・ミラー回路
1の入力にバイアス用定電流源2を接続することによ
り、トランジスタQ1,Q2の利得帯域幅積Tの低下を抑
制し、電圧・電流変換回路の周波数応答の劣化を防ぐこ
とができる。
1の入力にバイアス用定電流源2を接続することによ
り、トランジスタQ1,Q2の利得帯域幅積Tの低下を抑
制し、電圧・電流変換回路の周波数応答の劣化を防ぐこ
とができる。
第3図は本発明による電圧・電流変換回路の第2の実
施例を示す回路図である。第3図は第1図のカレント・
ミラー回路1を構成するnpnトランジスタQ1,Q2をそれぞ
れnpnトランジスタQ3とQ4,Q5とQ6にダーリントン化する
ことにより、カレント・ミラー回路1Aの直流的な精度の
向上をはかった例であり、その他は第1図と同様であ
る。
施例を示す回路図である。第3図は第1図のカレント・
ミラー回路1を構成するnpnトランジスタQ1,Q2をそれぞ
れnpnトランジスタQ3とQ4,Q5とQ6にダーリントン化する
ことにより、カレント・ミラー回路1Aの直流的な精度の
向上をはかった例であり、その他は第1図と同様であ
る。
この構成において、トランジスタQ3,Q4のベース・エ
ミッタ間電圧をVBE2,VBE4とし、トランジスタQ3,Q4,Q5,
Q6の電流増幅率h eとすると、直流成分の入出力特性
は次式のようになる。
ミッタ間電圧をVBE2,VBE4とし、トランジスタQ3,Q4,Q5,
Q6の電流増幅率h eとすると、直流成分の入出力特性
は次式のようになる。
ここで定電流源3の電流Irを次式のように設定する。
このとき次式のような抵抗R1できまる直流成分の入出
力特性が得られる。
力特性が得られる。
(11)式に示されるように(8)式に対してダーリン
トン化により入出力特性に掛ける項が次のように変わ
り、その値が1により近づいて精度が向上する。
トン化により入出力特性に掛ける項が次のように変わ
り、その値が1により近づいて精度が向上する。
また第1図と同様に定電流源2により、カレント・ミ
ラー回路1AのトランジスタQ3,Q5がバイアス電流Ibiasに
バイアスされ、トランジスタQ4,Q6がバイアス電流Ibias
の1/h eにバイアスされる。これにより入力端子5へ
の直流電圧VIが小さくなっても、トランジスタQ3,Q4,
Q5,Q6はバイアスにより利得帯域幅積Tの低下が抑制
され、周波数応答の劣化を防ぐことができる。
ラー回路1AのトランジスタQ3,Q5がバイアス電流Ibiasに
バイアスされ、トランジスタQ4,Q6がバイアス電流Ibias
の1/h eにバイアスされる。これにより入力端子5へ
の直流電圧VIが小さくなっても、トランジスタQ3,Q4,
Q5,Q6はバイアスにより利得帯域幅積Tの低下が抑制
され、周波数応答の劣化を防ぐことができる。
第4図は本発明による電圧・電流変換回路の第3の実
施例を示す回路図である。第4図は第3図のカレント・
ミラー回路1を構成するnpnトランジスタQ3,Q4,Q5,Q5の
ダーリントン化に加えて、エミッタ抵抗R2,R3を挿入す
ることにより、さらにカレント・ミラー回路1Bの直流的
な精度の向上をはかり、電圧・電流変換回路の直流成分
について高精度化を行った例であり、その他は第3図と
同様である。
施例を示す回路図である。第4図は第3図のカレント・
ミラー回路1を構成するnpnトランジスタQ3,Q4,Q5,Q5の
ダーリントン化に加えて、エミッタ抵抗R2,R3を挿入す
ることにより、さらにカレント・ミラー回路1Bの直流的
な精度の向上をはかり、電圧・電流変換回路の直流成分
について高精度化を行った例であり、その他は第3図と
同様である。
第5図は本発明による電圧・電流変換回路の第4の実
施例を示す回路図である。第5図において、1Cは入力電
流と同方向に電流を流す2つの出力端子を持つカレント
・ミラー回路で、ダーリントン接続したnpnトランジス
タQ3〜Q8と抵抗R2〜R4により高精度なカレント・ミラー
回路を構成している。6は入力電流と、同方向および逆
方向に電流を流す2つの出力端子を持つカレント・ミラ
ー回路で、ダーリントン接続したnpnトランジスタQ9〜Q
12およびnpnトランジスタQ13〜Q16と抵抗R5,R6により高
精度なカレント・ミラー回路を構成している。2はカレ
ント・ミラー回路1C,6のバイアス用定電流源、5,8は電
圧・電流変換回路の信号入力端子、9は電源(VBB)、1
0はnpnトランジスタQ19,Q20と抵抗R9で構成された電流
・電圧変換回路、11はpnpトランジスタQ17,Q18と抵抗R8
とコンデンサC1で構成された電源フィルタ、12は定電流
源、13は差動電圧出力端子、7は同相電流出力端子、14
は差動電流出力端子、R1,R7は電圧・電流変換係数を決
定する抵抗である。
施例を示す回路図である。第5図において、1Cは入力電
流と同方向に電流を流す2つの出力端子を持つカレント
・ミラー回路で、ダーリントン接続したnpnトランジス
タQ3〜Q8と抵抗R2〜R4により高精度なカレント・ミラー
回路を構成している。6は入力電流と、同方向および逆
方向に電流を流す2つの出力端子を持つカレント・ミラ
ー回路で、ダーリントン接続したnpnトランジスタQ9〜Q
12およびnpnトランジスタQ13〜Q16と抵抗R5,R6により高
精度なカレント・ミラー回路を構成している。2はカレ
ント・ミラー回路1C,6のバイアス用定電流源、5,8は電
圧・電流変換回路の信号入力端子、9は電源(VBB)、1
0はnpnトランジスタQ19,Q20と抵抗R9で構成された電流
・電圧変換回路、11はpnpトランジスタQ17,Q18と抵抗R8
とコンデンサC1で構成された電源フィルタ、12は定電流
源、13は差動電圧出力端子、7は同相電流出力端子、14
は差動電流出力端子、R1,R7は電圧・電流変換係数を決
定する抵抗である。
この構成において、まず信号入力端子5および信号入
力端子8に交流差動電圧vdと同相電圧vcが印加された場
合の交流成分の入出力特性を求める。ここで入力端子5
の交流印加電圧vAをvA=vc−vd/2とし、入力端子8の交
流印加電圧vBをvB=vc+vd/2とする。またnpn,pnpトラ
ンジスタQ3〜Q16の電流増幅率を説明の簡単化のために
同じh eとし、ダーリントン化したnpn,pnpトランジ
スタQ3〜Q16の後段のトランジスタのエミッタ抵抗を同
じく簡単化のために同じreとする。また後段のトランジ
スタのエミッタ抵抗をreとした場合に、前段のトランジ
スタだけのエミッタ抵抗はh e・reとなり、ダーリン
トン・トランジスタを1つのトランジスタと考えた場合
のエミッタ抵抗はおよそ2reとなるとする。そうすると
交流成分の入出力特性は次式のようになる。
力端子8に交流差動電圧vdと同相電圧vcが印加された場
合の交流成分の入出力特性を求める。ここで入力端子5
の交流印加電圧vAをvA=vc−vd/2とし、入力端子8の交
流印加電圧vBをvB=vc+vd/2とする。またnpn,pnpトラ
ンジスタQ3〜Q16の電流増幅率を説明の簡単化のために
同じh eとし、ダーリントン化したnpn,pnpトランジ
スタQ3〜Q16の後段のトランジスタのエミッタ抵抗を同
じく簡単化のために同じreとする。また後段のトランジ
スタのエミッタ抵抗をreとした場合に、前段のトランジ
スタだけのエミッタ抵抗はh e・reとなり、ダーリン
トン・トランジスタを1つのトランジスタと考えた場合
のエミッタ抵抗はおよそ2reとなるとする。そうすると
交流成分の入出力特性は次式のようになる。
ここでiA,iBは入力端子5,8の電流の交流成分、iC3〜i
C14はトランジスタQ3〜Q14のコレクタ電流の交流成分、
R1,R2,R7,R5は抵抗R1,R2,R7,R5の抵抗値、ωは交流周波
数、C1はコンデンサC1の容量値である。(13)式の分母
において、 の状態となるように抵抗R1,R2,R5,R7,コンテンサC1を選
択すると、同相電流出力端子7に流れる同相電流の交流
成分iCは次式のようになる。
C14はトランジスタQ3〜Q14のコレクタ電流の交流成分、
R1,R2,R7,R5は抵抗R1,R2,R7,R5の抵抗値、ωは交流周波
数、C1はコンデンサC1の容量値である。(13)式の分母
において、 の状態となるように抵抗R1,R2,R5,R7,コンテンサC1を選
択すると、同相電流出力端子7に流れる同相電流の交流
成分iCは次式のようになる。
(17)式より入力端子5−8間に印加された同相電圧
の交流成分vCに比例した同相電流の交流成分iCが得られ
る。同様に差動電流出力端子14に流れる差動電流の交流
成分はidは次式のようになる。
の交流成分vCに比例した同相電流の交流成分iCが得られ
る。同様に差動電流出力端子14に流れる差動電流の交流
成分はidは次式のようになる。
(18)式より入力端子5−8間に印加された差動電圧
の交流成分vdに比例した差動電流の交流成分idが得られ
る。さらに電圧・電流変換回路10を構成するトランジス
タQ19,Q20と抵抗9のインピーダンスと、カレント・ミ
ラー回路6を構成するトランジスタQ13,Q14と抵抗5の
インピーダンスとが、トランジスタQ19,Q20とトランジ
スタQ13,Q14がそれぞれ1つのトランジスタと考えた場
合のエミッタ抵抗2reと考えて、次式のように設定す
る。
の交流成分vdに比例した差動電流の交流成分idが得られ
る。さらに電圧・電流変換回路10を構成するトランジス
タQ19,Q20と抵抗9のインピーダンスと、カレント・ミ
ラー回路6を構成するトランジスタQ13,Q14と抵抗5の
インピーダンスとが、トランジスタQ19,Q20とトランジ
スタQ13,Q14がそれぞれ1つのトランジスタと考えた場
合のエミッタ抵抗2reと考えて、次式のように設定す
る。
R5+2re=R9+2re (19) このとき差動電圧出力端子13に出力される差動電圧の
交流成分v0は次式のようになる。
交流成分v0は次式のようになる。
(20)式より明らかなように、入力端子5−8間に印
加された差動電圧の交流成分vdに比例した差動電流の交
流成分v0が差動電圧出力端子13に出力される。
加された差動電圧の交流成分vdに比例した差動電流の交
流成分v0が差動電圧出力端子13に出力される。
つぎに直流成分の入出力特性を求める。入力端子5,8
への直流印加電圧をそれぞれVA,VBとし、入力端子5−
8間の直流差動電圧をVd,同相電圧をVeとして、まず直
流成分の入出力特性を求めると次式のようになる。
への直流印加電圧をそれぞれVA,VBとし、入力端子5−
8間の直流差動電圧をVd,同相電圧をVeとして、まず直
流成分の入出力特性を求めると次式のようになる。
ここで、IB,IAは入力端子8,5の直流入力電流、VBEは
トランジスタのベース・エミッタ間電圧、Ibiasは定電
流源2のバイアス電流である。ここでVB<0,VBB<VA<
0で、抵抗R8の電圧降下は極めて小さいものとする。
(21),(22)式より同相電流出力端子7に流れる直流
出力電流ICは抵抗値R2=R5,R1=R7となるように選択す
ることにより次式のようになる。
トランジスタのベース・エミッタ間電圧、Ibiasは定電
流源2のバイアス電流である。ここでVB<0,VBB<VA<
0で、抵抗R8の電圧降下は極めて小さいものとする。
(21),(22)式より同相電流出力端子7に流れる直流
出力電流ICは抵抗値R2=R5,R1=R7となるように選択す
ることにより次式のようになる。
ここで入力端子5,8の直流印加電圧VA,VBを次式のよう
に表す。
に表す。
VA=Vc−Vd/2 (24) VB=Vc+Vd/2 (25) すると(23)式は次式となる。
(26)式より明らかなように同相電流出力端子7には
入力端子5−8間の直流同相電圧Vcに比例した同送電流
ICが得られる。同用に差動電流出力端子14に流れる電流
Idは定電流源12に流れる電流をIrとすると次式のように
なる。
入力端子5−8間の直流同相電圧Vcに比例した同送電流
ICが得られる。同用に差動電流出力端子14に流れる電流
Idは定電流源12に流れる電流をIrとすると次式のように
なる。
ここで定電流源12に流れる電流Irを次式のように設定
する。
する。
すると(27)式は次式となる。
(29)式のように差動電流出力端子14には入力端子5
−8間の直流差動電圧Vdに比例した差動電流Idが得られ
る。
−8間の直流差動電圧Vdに比例した差動電流Idが得られ
る。
このように本実施例によれば、上記には定電流源2に
よるバイアス電流Ibiasについては特に説明しなかった
が、第1図で説明したのと同様に定電流源2のバイアス
電流Ibiasにより入力端子5,8への直流印加電圧VA,VBが
それぞれVAVBB+4VBE,VB−4VBEとなって、カレント
・ミラー回路1C,6を構成するトランジスタのコレクタ電
流の減少によりトランジスタの利得帯域幅積Tの低下
を抑制して、電圧・電流変換回路の周波数応答の劣化を
防ぐことができる。
よるバイアス電流Ibiasについては特に説明しなかった
が、第1図で説明したのと同様に定電流源2のバイアス
電流Ibiasにより入力端子5,8への直流印加電圧VA,VBが
それぞれVAVBB+4VBE,VB−4VBEとなって、カレント
・ミラー回路1C,6を構成するトランジスタのコレクタ電
流の減少によりトランジスタの利得帯域幅積Tの低下
を抑制して、電圧・電流変換回路の周波数応答の劣化を
防ぐことができる。
なお第5図ではカレント・ミラー回路6のトランジス
タQ9〜Q16の段数が4段であり、差動電圧出力端子13に
出力される電圧v0は(20)式で示される通りであった。
そこでエミッタ抵抗reはre=(hT/g)/ICで一般的に示
されることから明らかなように温度Tにより変動するの
で、(20)式の場合にR7=R5と設定することによって次
式のように温度Tの影響を受けにくくすることができ
る。
タQ9〜Q16の段数が4段であり、差動電圧出力端子13に
出力される電圧v0は(20)式で示される通りであった。
そこでエミッタ抵抗reはre=(hT/g)/ICで一般的に示
されることから明らかなように温度Tにより変動するの
で、(20)式の場合にR7=R5と設定することによって次
式のように温度Tの影響を受けにくくすることができ
る。
しかしこの場合には差動電圧出力端子13への電圧・電
圧変換率は1/2と固定される。このため第5図と電圧・
電圧変換率は同じにして電圧変換率を1/4とした場合の
例を次に示す。
圧変換率は1/2と固定される。このため第5図と電圧・
電圧変換率は同じにして電圧変換率を1/4とした場合の
例を次に示す。
第6図は本発明による電圧・電流変換回路の第5の実
施例を示す回路図である。この回路は上記した第5図の
(30)式の場合の差動電圧出力端子13への電圧・電圧変
換率が1/2と固定されてしまうため、第5図と電圧・電
流変換率は同じにして電圧・電圧変換率を1/4とした場
合の例を示す。第6図において、Q21はnpnトランジスタ
で、カレント・ミラー回路6および電流・電圧変換回路
10のトランジスタ構成が第5図と異なるほか、第5図と
同様の構成である。
施例を示す回路図である。この回路は上記した第5図の
(30)式の場合の差動電圧出力端子13への電圧・電圧変
換率が1/2と固定されてしまうため、第5図と電圧・電
流変換率は同じにして電圧・電圧変換率を1/4とした場
合の例を示す。第6図において、Q21はnpnトランジスタ
で、カレント・ミラー回路6および電流・電圧変換回路
10のトランジスタ構成が第5図と異なるほか、第5図と
同様の構成である。
この構成において、第5図の(20)式を導くのと同様
に差動電圧出力端子に出力される電圧v0を求めると次式
となる。
に差動電圧出力端子に出力される電圧v0を求めると次式
となる。
ここでR5+re=R9+re,R7=3R5,R1=3R2,R7+R5+4re
=R1+R2+4reと設定することにより次式となる。
=R1+R2+4reと設定することにより次式となる。
(32)式より電圧・電圧変換率が1/4の差動電圧v0が
得られる。また電圧・電流変換率については上記の第5
図の(17),(18),(26),(29)と同じである。こ
のようにしてカレント・ミラー回路を構成するトランジ
スタの利得帯域幅積Tの低下を抑制して、周波数応答
の劣化を防ぐことができる。
得られる。また電圧・電流変換率については上記の第5
図の(17),(18),(26),(29)と同じである。こ
のようにしてカレント・ミラー回路を構成するトランジ
スタの利得帯域幅積Tの低下を抑制して、周波数応答
の劣化を防ぐことができる。
本発明によれば、入力端子に印加された直流電圧が小
さくなってもカレント・ミラー回路を構成するトランジ
スタの利得帯域幅積Tの低下が抑制されるので、周波
数応答の劣化を防ぎうる電圧・電流変換回路を提供でき
る効果がある。
さくなってもカレント・ミラー回路を構成するトランジ
スタの利得帯域幅積Tの低下が抑制されるので、周波
数応答の劣化を防ぎうる電圧・電流変換回路を提供でき
る効果がある。
第1図は本発明による電圧・電流変換回路の第1の実施
例を示す回路図、第2図は第1図のトランジスタのT
−IC特性図、第3図は本発明による電圧・電流変換回路
の第2の実施例を示す回路図、第4図は同じく第3の実
施例を示す回路図、第5図は同じく第4の実施例を示す
回路図、第6図は同じく第5の実施例を示す回路図であ
る。 1,1A,1B,1C……カレント・ミラー回路、 2,3,12……定電流源、 4……信号出力端子、5,8……信号入力端子、 7……同相電流出力端子、 9……電源、10……電流・電圧変換回路、 11……電源フィルタ、13……差動電圧出力端子、 14……差動電流出力端子、 R1〜R9……抵抗、 Q1〜Q21……トランジスタ、 C1……コンデンサ。
例を示す回路図、第2図は第1図のトランジスタのT
−IC特性図、第3図は本発明による電圧・電流変換回路
の第2の実施例を示す回路図、第4図は同じく第3の実
施例を示す回路図、第5図は同じく第4の実施例を示す
回路図、第6図は同じく第5の実施例を示す回路図であ
る。 1,1A,1B,1C……カレント・ミラー回路、 2,3,12……定電流源、 4……信号出力端子、5,8……信号入力端子、 7……同相電流出力端子、 9……電源、10……電流・電圧変換回路、 11……電源フィルタ、13……差動電圧出力端子、 14……差動電流出力端子、 R1〜R9……抵抗、 Q1〜Q21……トランジスタ、 C1……コンデンサ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭59−181802(JP,A) 特開 平1−311706(JP,A)
Claims (1)
- 【請求項1】トランジスタ素子等で構成され入力端子の
入力電流と同方向の出力電流を流す2つの出力端子をも
つ第1のカレント・ミラー回路の上記入力端子に第1の
抵抗を介して第1の信号入力端子を接続した第1の電圧
・電流変換回路と、上記第1のカレント・ミラー回路と
入力端子の入力電流が逆方向でかつ入力電流と同方向お
よび逆方向の出力電流を流す2つの出力端子をもつ第2
のカレント・ミラー回路の上記入力端子に第2の抵抗を
介して第2の信号入力端子を接続した第2の電圧・電流
変換回路と、入出力端子間に流れる電流を電圧に変換す
る電流・電圧変換回路とを備え、上記第1のカレント・
ミラー回路の一方の出力端子を上記第2のカレント・ミ
ラー回路の入力電流と同方向の出力電流を流す出力端子
に接続し、前記第2のカレント・ミラー回路に生じる電
圧を基準にして電圧を発生するように上記電流・電圧変
換回路を接続し、上記第1のカレント・ミラー回路の他
方の出力端子を上記電流・電圧変換回路を通して上記第
2のカレント・ミラー回路の入力電流と逆方向の出力電
流を流す出力端子に接続し、上記第1と第2の電圧・電
流変換回路の第1と第2の信号入力端子の入力電圧間の
同相電流と差動電流と差動電圧をそれぞれ上記第1のカ
レント・ミラー回路の一方の出力端子と上記第2のカレ
ント・ミラー回路の入力電流と逆方向の出力電流を流す
出力端子と上記第1のカレント・ミラー回路の他方の出
力端子から出力する構成の電圧・電流変換回路におい
て、上記第1と第2のカレント・ミラー回路の入力端子
間に定電流源を接続したことを特徴とする電圧・電流変
換回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63166772A JP2613266B2 (ja) | 1988-07-06 | 1988-07-06 | 電圧・電流変換回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63166772A JP2613266B2 (ja) | 1988-07-06 | 1988-07-06 | 電圧・電流変換回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0217704A JPH0217704A (ja) | 1990-01-22 |
| JP2613266B2 true JP2613266B2 (ja) | 1997-05-21 |
Family
ID=15837403
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63166772A Expired - Lifetime JP2613266B2 (ja) | 1988-07-06 | 1988-07-06 | 電圧・電流変換回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2613266B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59181802A (ja) * | 1983-03-31 | 1984-10-16 | Toshiba Corp | 電流入力型増幅装置 |
| JP2674096B2 (ja) * | 1988-06-10 | 1997-11-05 | ソニー株式会社 | 乗算回路 |
-
1988
- 1988-07-06 JP JP63166772A patent/JP2613266B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0217704A (ja) | 1990-01-22 |
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