JP2611369B2 - The thermal head protection circuit - Google Patents

The thermal head protection circuit

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Description

【発明の詳細な説明】 〔概 要〕 サーマルヘッドの発熱抵抗体に電流を供給する回路に関し、 電解腐食の主要因となるスイッチング回路の漏れ電流を、完全に遮断できるサーマルヘッド保護回路の提供を目的とし、 サーマルヘッド電源Vddと発熱抵抗体との間に、半導体装置からなるスイッチング回路と、電磁継電器の切換え接点とが設けられ、サーマルヘッドの待機中は切換え接点が開いて、スイッチング回路に印加される電流が完全に遮断されるよう構成する。 Relates DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Outline] circuit for supplying a current to the heating resistor of the thermal head, the leakage current of the switching circuit as a main cause of galvanic corrosion, to provide a thermal head protection circuit can be completely blocked the purpose, between the heating resistor and a thermal head power source Vdd, and a switching circuit composed of semiconductor device, provided with a switching contact of the electromagnetic relay, waiting for the thermal head switching contacts open, applied to the switching circuit current is configured to be completely blocked.

〔産業上の利用分野〕 [Relates]

本発明はサーマルヘッドの発熱抵抗体に電流を供給する回路に係り、特に電解腐食による発熱抵抗体の劣化を防止する保護回路に関する。 The present invention relates to a circuit for supplying a current to the heating resistor of the thermal head, more particularly to a protection circuit for preventing deterioration of the heating resistor due to galvanic corrosion.

第3図は電解腐食が発生する仕組みを示す側断面図である。 Figure 3 is a side sectional view showing how the electrolytic corrosion occurs.

第3図(a)に示す如くサーマルヘッド1は基板11上に発熱抵抗体12と、発熱抵抗体12に電流を供給する導体層13が形成されており、発熱抵抗体12と導体層13は保護膜14によって被覆されている。 Figure 3 the thermal head 1 as shown in (a) is a heating resistor 12 on the substrate 11, the heating resistor 12 and the conductive layer 13 is formed to supply a current to the heating resistor 12 and the conductive layer 13 It is covered with a protective film 14.

一方図示省略された印刷用紙は若干の水分を含んでおり、印字時に加熱された水分は水蒸気15となって放出される。 Meanwhile the printing paper which is not shown includes a slight moisture, moisture is heated during printing is released as steam 15. この水蒸気15が保護膜14のピンホール等から内部に侵入し、水滴となって発熱抵抗体12や導体層13の表面に付着する。 The water vapor 15 may enter the inside through the pinholes in the protective film 14 is adhered to the surface of the heating resistor 12 and the conductive layer 13 become water droplets.

第3図(b)に示す如く発熱抵抗体12と導体層13が電解質、例えば水分16中に浸漬され、且つ発熱抵抗体(陰極)12から導体層(陽極)13に漏れ電流iが流れると、 Figure 3 (b) are shown as the heat generating resistor 12 and the conductor layer 13 is an electrolyte, for example, it is immersed in the water 16, and the heating resistor (cathode) conductor layer 12 (anode) 13 When the leakage current i flows ,
電解腐食によって発熱抵抗体12が劣化し甚だしい場合は断線する。 When the heating resistor 12 by electrolytic corrosion extreme deteriorated disconnected.

そこで発熱抵抗体や導体層に水分が付着しないサーマルヘッドを開発すると共に、電解腐食の発生要因となる漏れ電流を遮断できるサーマルヘッド保護回路の開発が望まれている。 So with water to the heating resistor and the conductive layer to develop a thermal head does not stick, the development of the thermal head protection circuit capable of interrupting the leakage current becomes a cause of galvanic corrosion is desired.

〔従来の技術〕 [Prior art]

第4図は従来のサーマルヘッド駆動回路を示す回路図である。 FIG. 4 is a circuit diagram showing a conventional thermal head driving circuit.

図においてサーマルヘッド1は基板11上に形成された数多くの発熱抵抗体12と、それぞれの発熱抵抗体12に直列接続されたダイオード2を具えており、発熱抵抗体12 The thermal head 1 in the figure with a number of the heat generating resistor 12 formed on the substrate 11, and comprises a series connected diode 2 to the respective heating resistors 12, heating resistor 12
とダイオード2はマトリックス状に接続されている。 A diode 2 is connected in a matrix.

マトリックス状に接続された発熱抵抗体12とダイオード2の一方は、複数のスイッチング回路3を介してサーマルヘッド電源Vddに接続され、他方は複数のスイッチング回路4を介して接地線Gに接続されている。 One matrix to the connected heating resistors 12 and the diode 2 is connected to the thermal head power source Vdd via a plurality of switching circuits 3 and the other is connected to the ground line G through the plurality of switching circuits 4 there.

したがってスイッチング回路3から任意のスイッチング回路を選んで導通状態にし、且つスイッチング回路4 Thus in a conductive state to choose any switching circuit from the switching circuit 3, and the switching circuit 4
から任意のスイッチング回路を選んで導通状態にすることによって、サーマルヘッド電源Vddから任意の発熱抵抗体12に電流を供給することができる。 By the conducting state by selecting any switching circuit from a current can be supplied from the thermal head power source Vdd to any of the heating resistor 12.

上記スイッチング回路3、4として例えば電磁継電器を用いることも可能である。 It is also possible to use an electromagnetic relay, for example, as the switching circuits 3 and 4. しかしサーマルプリンタでは大電流を高速度で切り換える必要があり、かかるスイッチング回路3、4に電磁継電器を用いると接点の消耗が著しい。 However, in the thermal printer must be switched high currents at high speed, significant depletion of the contacts when an electromagnetic relay in accordance switching circuits 3 and 4. しかも装置の小型化を実現するため実装空間が制約される。 Moreover mounting space for realizing miniaturization of the apparatus is restricted. そこで一般に半導体装置からなるスイッチング回路が用いられている。 So generally comprises a semiconductor device switching circuit is used.

〔発明が解決しようとする課題〕 [Problems that the Invention is to Solve]

しかるにトランジスタからなるスイッチング回路は通常の切換スイッチと異なり、電流の供給を遮断している状態においても若干の漏れ電流が流れる。 However the switching circuit consisting of transistors, unlike conventional changeover switch, flows even slight leakage current in a state in which interrupts the supply of current. したがってサーマルヘッドの待機中においても発熱抵抗体から導体層に漏れ電流が流れ、発熱抵抗体や導体層に水分が付着している場合は電解腐食を生じるという問題があった。 Thus the leakage current flows in the conductor layer from the heating resistor even during standby for the thermal head, when water in the heating resistor and the conductive layer is attached has a problem that results in a galvanic corrosion.

本発明の目的は電解腐食の主要因となるスイッチング回路の漏れ電流を、完全に遮断できるサーマルヘッド保護回路を提供することにある。 An object of the present invention is to provide a thermal head protection circuit leakage current of the switching circuit as a main cause of galvanic corrosion can be completely blocked.

〔課題を解決するための手段〕 [Means for Solving the Problems]

第1図は本発明になる保護回路の原理を示すブロック図である。 Figure 1 is a block diagram showing the principle of the protection circuit according to the present invention. なお全図を通し同じ対象物は同一記号で表している。 Note the same object through all the drawings are represented by same symbols.

上記課題は、サーマルヘッド電源Vddと発熱抵抗体12 Above-mentioned problems, a thermal head power source Vdd and the heating resistor 12
との間に、半導体装置からなるスイッチング回路3と、 A switching circuit 3, the comprising a semiconductor device between,
電磁継電器5の切換え接点51とが設けられ、かつ、切換え接点51とスイッチング回路3と発熱抵抗体12とを含む回路から独立し、信号が入力されると前記電磁継電器5 A switching contact 51 of the electromagnetic relay 5 is provided, and, independent of the circuit including the switching contact 51 and the switching circuit 3 and the heating resistor 12, the signal is input electromagnetic relay 5
を駆動するトランジスタ52が設けられ、サーマルヘッド1の待機中は切換え接点51が開いて、スイッチング回路3に印加される電流が、完全に遮断されるよう構成してなる本発明のサーマルヘッド保護回路によって達成される。 Transistor 52 for driving are provided, of waiting open switching contacts 51 thermal head 1, current applied to the switching circuit 3, a thermal head protection circuit of the present invention made be configured to be completely blocked It is achieved by.

〔作用〕 [Action]

第1図においてサーマルヘッド電源Vddと発熱抵抗体との間に、半導体装置からなるスイッチング回路と電磁継電器の切換え接点とを設け、サーマルヘッドの待機中は切換え接点を開放状態にすることによって、サーマルヘッド電源Vddからスイッチング回路に印加される電流が遮断され、電解腐食の主要因となるスイッチング回路の漏れ電流を、完全に遮断できるサーマルヘッド保護回路を実現することができる。 Between the first view a thermal head power supply Vdd and the heating resistor in, provided with switching contact of the switching circuit and the electromagnetic relay having the semiconductor device, waiting for the thermal head by the switching contacts in an open state, thermal is interrupted current applied from the head power supply Vdd to the switching circuit, the leakage current of the switching circuit as a main cause of galvanic corrosion, it is possible to realize a thermal head protection circuit can be completely shut off.

〔実施例〕 〔Example〕

以下添付図により本発明の実施例について説明する。 Examples of the present invention are described by the accompanying diagram.
第2図は本発明になる保護回路の一実施例を示す回路図である。 Figure 2 is a circuit diagram showing an embodiment of a protection circuit according to the present invention.

第2図に示す駆動回路が第4図に示す従来のサーマルヘッド駆動回路と異なる点は、本発明になるサーマルヘッド保護回路を具えている点にある。 Driving circuit shown in FIG. 2 is different from the conventional thermal head driving circuit shown in FIG. 4, in that it comprises a thermal head protection circuit according to the present invention. 即ち半導体装置からなる複数のスイッチング回路3と、サーマルヘッド電源Vddの間に電磁継電器5の切換え接点51が設けられており、トランジスタ52を介して電磁継電器5を制御することによって、スイッチング回路3とサーマルヘッド電源Vddとの間を開閉することができる。 That a plurality of switching circuits 3 of a semiconductor device, and switching contact 51 of the electromagnetic relay 5 is provided between the thermal head power source Vdd, by controlling the electromagnetic relay 5 via the transistor 52, the switching circuit 3 it can be opened and closed between the thermal head power Vdd.

サーマルプリンタにおいて印字しているときは切換え接点51が閉じており、スイッチング回路3から任意のスイッチング回路を選んで導通状態にし、且つスイッチング回路4から任意のスイッチング回路を選んで導通状態にすることによって、サーマルヘッド電源Vddから任意の発熱抵抗体12に電流を供給することができる。 While printing in the thermal printer is closed switching contact 51 by the conductive state to choose any switching circuit from the switching circuit 3, and into a conductive state from the switching circuit 4 to select any switching circuit , a current can be supplied from the thermal head power source Vdd to any of the heating resistor 12.

しかしサーマルヘッド1の待機中は切換え接点51を開放状態にすることによって、サーマルヘッド電源Vddからスイッチング回路3に印加される電流が遮断される。 But while waiting for the thermal head 1 by the switching contact 51 to the open state, current applied from the thermal head power source Vdd to the switching circuit 3 is cut off.
その結果、電解腐食の主要因となるスイッチング回路の漏れ電流が完全に遮断され、その間における電解腐食に起因する発熱抵抗体12の劣化が防止される。 As a result, the leakage current of the switching circuit as a main cause of galvanic corrosion is completely shut off, the deterioration of the heating resistor 12 due to electrolytic corrosion in between is prevented.

このようにサーマルヘッド電源Vddと発熱抵抗体との間に、半導体装置からなるスイッチング回路と電磁継電器の切換え接点とを設け、サーマルヘッドの待機中は切換え接点を開放状態にすることによって、サーマルヘッド電源Vddからスイッチング回路に印加される電流が遮断され、電解腐食の主要因となるスイッチング回路の漏れ電流を、完全に遮断できるサーマルヘッド保護回路を実現することができる。 Thus between the thermal head power source Vdd and the heating resistor is provided and a switching contact of the switching circuit and the electromagnetic relay having the semiconductor device, waiting for the thermal head by the switching contacts in an open state, the thermal head current applied to the switching circuit is cut off from the power supply Vdd, the leakage current of the switching circuit as a main cause of galvanic corrosion, it is possible to realize a thermal head protection circuit can be completely shut off.

〔発明の効果〕 〔Effect of the invention〕

上述の如く本発明によれば電解腐食に起因する発熱抵抗体の劣化を防止するサーマルヘッド保護回路を提供することができる。 According to the present invention as described above can provide a thermal head protection circuit for preventing deterioration of the heating resistor due to galvanic corrosion.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

第1図は本発明になる保護回路の原理を示すブロック図、 第2図は本発明になる保護回路の一実施例を示す回路図、 第3図は電解腐食が発生する仕組みを示す側断面図、 第4図は従来のサーマルヘッド駆動回路を示す回路図、 である。 Figure 1 is a block diagram showing the principle of the protection circuit according to the present invention, FIG. 2 is a circuit diagram showing an embodiment of a protection circuit according to the present invention, FIG. 3 is a side cross-section showing how the galvanic corrosion occurs Figure, Figure 4 is a circuit diagram showing a conventional thermal head drive circuit is. 図において、 1はサーマルヘッド、 2はダイオード、 3、4はスイッチング回路、 5は電磁継電器、 11は基板、 12は発熱抵抗体、 51は切換え接点、 52はトランジスタ、 をそれぞれ表す。 In the figure, reference numeral 1 denotes a thermal head, 2 a diode, 3 and 4 the switching circuit, 5 is an electromagnetic relay, 11 denotes each substrate, 12 is a heating resistor, 51 changeover contacts, 52 transistor.

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】 (57) [the claims]
  1. 【請求項1】サーマルヘッド電源Vddと発熱抵抗体(1 1. A thermal head power source Vdd and the heat-generating resistor (1
    2)との間に、半導体装置からなるスイッチング回路(3)と、電磁継電器(5)の切換え接点(51)とが設けられ、 かつ、該切換え接点(51)と該スイッチング回路(3) Between 2), a switching circuit (3) consisting of a semiconductor device, switching the contacts (51) are provided in the electromagnetic relay (5), and said switching contacts (51) and said switching circuit (3)
    と該発熱抵抗体(12)とを含む回路から独立し、信号が入力されると前記電磁継電器(5)を駆動するトランジスタ(52)が設けられ、 サーマルヘッド(1)の待機中は該切換え接点(51)が開いて、該スイッチング回路(3)に印加される電流が、完全に遮断されるように構成してなることを特徴とするサーマルヘッド保護回路。 And independent of the circuit including a heat generating resistor (12), wherein a signal is input electromagnetic relay (5) for driving the transistor (52) is provided, while waiting for the thermal head (1) is said switching contact (51) is opened, current applied to the switching circuit (3) is a thermal head protection circuit characterized by being configured to be completely blocked.
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