JP2592511B2 - Vertical-type semiconductor manufacturing system - Google Patents

Vertical-type semiconductor manufacturing system


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【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体装置の製造に関し、特に、半導体装置の製造等における種々の皮膜形成,エッチング処理を同時に行うことのできる縦型半導体製造システムに関するものである。 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention [relates] relates the manufacture of a semiconductor device, particularly, vertical-type semiconductor manufacturing system capable of performing a variety of film formation in the manufacture of semiconductor devices, an etching process at the same time it relates.

〔従来の技術〕 [Prior art]

半導体装置の製造においては、種々の皮膜を形成する必要があり、例えば、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、ポリシリコンなどを気相成長させる。 In the manufacture of semiconductor devices, it is necessary to form various film, for example, a silicon oxide film, a silicon nitride film, the polysilicon and grow the gas phase. 成長温度の低温化のため、プラズマを利用することもある。 For lowering the growth temperature, sometimes utilizing plasma. いずれの場合も、成長温度は異なり、用いるガスの種類も異なっている。 In either case, unlike the growth temperature, and different types of gas used. 従って、専用の反応装置が必要であり、処理すべきウェハーは、カセットに収容した状態で各専用の反応装置まで運搬する必要があり、この間のウェハー保管には汚染防止の手段をとらなければならない。 Therefore, it is necessary to dedicated reactor, wafers to be treated, must be transported to the reactor for each dedicated while accommodated in the cassette must for that time of the wafer storage taking means pollution .

気相成長の一例として、古典的なエピタキシャル成長には、縦型反応管中にカーボンサセプターを配置し、塩化シリコンガスを上方から供給するものであった。 An example of vapor deposition, the classical epitaxial growth, the carbon susceptor is placed in a vertical reaction tube, it was to supply silicon chloride gas from the top. この装置は、枚葉式であり、処理枚数の改善のため、ウェハーを周囲に多数枚セットできるサセプタを備えた装置が開発されてきた。 This device is a single wafer, for improved processing sheets, apparatus having a susceptor that can be multiple sheets set wafers around have been developed.

シリコン酸化膜を始めとする上記の各種の皮膜の気相成にあたっては、現状では、ホット・ウォール型のCVD Vapor phase when the above various films including a silicon oxide film, at present, a hot wall type CVD
装置が主流であり、横型の反応管の中に、ウェハーを立てて配置して、一度に処理できる枚数の改善が図られている。 Device is a mainstream, in horizontal reaction tube, and placed upright wafer, improvements in processing may number is achieved at a time.

上述した縦型炉および横型炉において、さらに処理枚数の改善を図るとすると、装置自体を複数配置する以外に方策がなく、縦型炉にあっては、複数の炉を縦に配置し、ウェハーカセットを供給するシステムが提案されている。 In the vertical furnace and horizontal furnace described above, when further improve the processing number, no measures have in addition to arranging a plurality of device itself, in the vertical furnace, by arranging a plurality of furnace vertically, wafer system for supplying the cassette has been proposed.

また、横型炉では、拡散炉としては、古くから、炉芯管を横に複数配置して、おのおのにウェハーカセットを供給する装置を備えて、処理枚数の改善を図っている。 Also, in the horizontal furnace, a diffusion furnace, a long time, arranging a plurality of furnace tube laterally, provided with a device for supplying wafer cassette each, thereby achieving an improvement in the number of processing sheets.

所で、半導体デバイスを益々小型化すると共に複雑な構造をとるようになってきており、反応ガスの流れや温度分布などの微妙な違いにより、ウェハー間分布,ウェハー内分布の均一性が保てない場合が発生してきた。 Where, with increasingly miniaturized semiconductor devices have come to take a complex structure, with subtle differences in flow and temperature distribution of the reaction gas, the wafer between the distribution uniformity of the wafer distribution maintained If it does not have occurred. 即ち、上記のホット・ウォール型のCVD装置において、反応ガスの入口側と出口側とでは、供給する反応ガス(2 That is, in the hot wall type CVD device, at the inlet side and the outlet side of the reaction gas, and supplies the reaction gas (2
種以上の組み合わせ)の分圧変動が生じる。 Resulting partial pressure variation of more combinations of) species. 従って、バッチ内で均一に調整することが難しい。 Therefore, it is difficult to uniformly adjust the batch. 特に、シリコンオキシナイトライド形成時に、反応ガスはモノシラン, In particular, when silicon oxynitride is formed, the reaction gas is monosilane,
アンモニア,一酸化窒素の3成分となり、ますますその調整が難しくなる。 Ammonia, becomes a 3 component of nitric oxide, it becomes difficult more and more the adjustment.

そこで、各ウェハーは、それぞれ精密に制御された雰囲気の中に置き、再現性良く加工する枚葉式装置の必要が出てきた。 Accordingly, each wafer is placed in an atmosphere that is precisely controlled, respectively, came the need for reproducibly processed to single-wafer apparatus. 枚葉式装置では、ウェハーの大口径化にも対応し易く、また、一台の装置で各種製造プロセスに柔軟に対応できる利点があるが、一時に処理できる枚数が限られている。 Single-wafer apparatus, easily also correspond to larger diameter wafers, also has the advantage that flexibly accommodate various manufacturing processes by a single device, it is limited number of images that can be processed at one time. これを改善するために、一台の装置に複数のチャンバーを設けて同時に同じ処理を行うマルチチャンバー方式が提案され、スパッタ装置,プラズマCVD To improve this, the proposed multi-chamber system that simultaneously the same treatment to provide a plurality of chambers on a single device, a sputtering device, plasma CVD
装置にて採用され始めている。 It has begun to be employed in the apparatus.

更に、最近の報告では、複数のチャンバーにて同じプロセスではなく、各チャンバー毎に異なる種類のプロセスを実行できる機能を持たせたマルチプロセス装置が登場してきている。 Furthermore, recent reports rather than the same process in a plurality of chambers, multi-process system has appeared to have a function that can perform different types of processes for each chamber. 例えば、第3図に示す様に、4つのプロセスチャンバーを用意し、プラズマCVD、減圧CVD、プラズマエッチ、スパッタエッチを行うことで、多層配線の層間絶縁膜形成プロセスが一台の装置で均一且つ平坦に自動形成できるとされている。 For example, as shown in Figure 3, prepared four process chambers, plasma CVD, reduced pressure CVD, plasma etch, by performing sputter etching, the interlayer insulating film forming process of the multilayer wiring is uniform and in one single apparatus there is a possible flat automatic formation.

〔発明が解決しようとする問題点〕 [Problems to be Solved by the Invention]

上記のマルチプロセス装置では、中央に多角形乃至円形の真空室を設け、その周囲に独立した排気系の複数のプロセスチャンバーを配した構造であり、設置できるチャンバーの数に制限があり、規定以上の増設が不可能である。 In the above multi-process system, a polygonal or circular vacuum chamber at the center provided is a structure which arranged a plurality of process chambers independent exhaust system around, there is a limit to the number of chambers that can be installed, more than specified expansion of is impossible. 更にチャンバーを増設しようとすると、同じ装置系を併置する必要がある。 Further when you try expansion chamber, it is necessary to collocate same apparatus system. 装置全体は全て平面的な配置となるため、床面積が多くなる欠点がある。 All entire apparatus to become a planar arrangement, there is a disadvantage that the floor area increases.

又、多数のチャンバーに対して、ウェハーのチャンバーへの出し入れのロボットが一台のため、同時にウェハーをセットしたり、取り出したりすることはできない。 Moreover, for a number of chambers, for loading and unloading of the robot into the chamber of the wafer is single, or setting the wafer at the same time, it is impossible to take out.

〔問題点を解決するための手段〕 [Means for Solving the Problems]

上記の問題点を解決するため、本発明では、上下方向に、仕切られた空間の各段位置にプロセスチャンバー(2)を設置し、当該複数の縦型配置されたプロセスチャンバー(2)の前面側にはウェハーのロード・アンロード機構を設けたことを特徴とする縦型半導体製造システムとしている。 To solve the above problems, the present invention, in the vertical direction, established the process chamber (2) to each stage position of the partitioned spaces, the front of the plurality of vertical arranged process chamber (2) the side has a vertical semiconductor manufacturing system characterized in that a loading and unloading mechanism of the wafer.

〔作用〕 [Action]

本発明では、従来のマルチプロセス装置が平面的な配置構成を有し、チャンバーの増設が規定以上は不可能であり、また、各チャンバーに対するウェハーのロード・ In the present invention, a conventional multi-process apparatus a planar arrangement, expansion of the chamber is higher than a prescribed one impossible, also, a wafer load of for each chamber
アンロードを並列に行えない問題点を有していることに鑑みて、床面積が少なくても枚様式のスループットを改善でき、しかもチャンバーの増設が極めて簡単な装置とすべく検討を重ねた結果、高価なクリーンルームを有効活用するべく、各プロセスチャンバーを上下方向に積み重ねていく縦型システムの概念に至った。 Results In view of the fact that a problem can not perform the unloading in parallel, even with a small floor area can improve the throughput of the single-wafer, yet extensive investigations in order to a very simple device expansion chamber , in order to effectively utilize the expensive clean room, leading to the concept of vertical-type systems going stacking each process chamber in the vertical direction. 即ち、本発明の好適な実施例では、上下方向に、プロセスチャンバーと排気ポンプとの対を積み重ねて固定させる。 That is, in the preferred embodiment of the present invention, in the vertical direction, is fixed by stacking pairs of process chamber and the exhaust pump. こうして、チャンバーの増設を容易としている。 In this way, it has been facilitating the expansion of the chamber. 各チャンバーは、プラズマCVD、スパッタリング、プラズマセルフクリーニング付き熱CVD、ドライエッチングに適した内部構造、例えば、平行平板型の電極(ガス供給)構造を持ち、各々の処理に適した内部圧力とするために、この排気ポンプを動作させる。 Each chamber plasma CVD, sputtering, plasma self-cleaning with thermal CVD, the internal structure suitable for dry etching, for example, has a parallel plate type electrode (gas supply) structure, to an internal pressure suitable for each treatment to, to operate the exhaust pump. プロセスチャンバーの排気ポンプ側とは反対の前面側においては、ウェハーカセットの入出を行うロード・アンロード機構を設けるが、この機構としては、まず、プロセスチャンバーの前面側には各チャンバーにまたがって共通するカセットエレベータを設置する。 In the front side opposite to the exhaust pump side of the process chamber, providing a loading and unloading mechanism for entry and exit wafer cassette but, as the mechanism, firstly, on the front side of the process chamber across the chamber common the cassette elevator to be installed. また、前記各段のプロセスチャンバーの前面側の他の位置にカセット収納室を設ける。 Also, provision of the cassette accommodation chamber the other positions on the front side of the process chamber of each stage.

カセットエレベータは、各プロセスチャンバーに連接して、上下方向にエレベータ動作を行い、カセットを任意の位置段に運ぶ。 Cassette elevator is continuously connected to each process chamber performs elevator operation in the vertical direction, carrying the cassette into any position stage.

各プロセスチャンバーの前面位置には、各チャンバーにウェハーを出し入れするウェハーロード・アンロード機構を設ける。 The front position of the process chamber, providing a wafer loading and unloading mechanism for loading and unloading the wafer into each chamber. 即ち、運ばれたウェハーカセットから、 In other words, from the carried wafer cassette,
一枚づつウェハーを抜き取ってプロセスチャンバーに送り、所定のプロセスが終了したら、カセット収納室にあるカセットに処理済ウェハーを移し返すウェハー移送機構(ロボット)が配置されている。 Feeding into the process chamber withdrawn one by one wafer, after a predetermined process is completed, the wafer transfer mechanism that returns transferred processed wafer to the cassette in the cassette storage chamber (robot) are arranged. この移送機構は、ウェハーを平板棒の先端に乗せて水平方向に移動する形式のものであってもよいし、伸縮自在のロボットでもよい。 The transport mechanism may be of the type that moves horizontally the wafer placed on a distal end of the flat bar, may be telescopic robot. より好ましくは、チャンバーでの加熱時間を短縮するため、各プロセスチャンバーの前面位置には、ウェハー載置台を設けておき、この台にヒーターを内蔵させ、 More preferably, in order to shorten the heating time in the chamber, the front position of each process chamber, may be provided a wafer mounting table, is built in heater this table,
プリヒートをさせ、その後、上記のロード・アンロード機構により、ウェハーをチャンバーに移すのがよい。 By preheating, then, by the above-mentioned loading and unloading mechanism, better to transfer the wafer to the chamber.

カセット収納室は、プロセスチャンバーの前面側の他の位置に設けられていて、処理済みウェハーを収納し、 Cassette accommodation chamber is provided on the other positions on the front side of the process chamber, accommodating processed wafers,
この位置からカセット毎取り出す。 Take out each cassette from this position.

カセット収納室は、各段にて独立にしてもよいが、最上段または最下段に集積できる機構とするのがよい。 Cassette storage chamber may independently in each stage, but preferably set to mechanism that can be integrated at the top or bottom.

カセットエレベータとウェハー移送機構(ロボット) Cassette elevator and the wafer transfer mechanism (robot)
ならびにカセット収納室は前方外壁面が共通の面となる様にすることができ、作業者はこの壁に向かってカセットの出し入れを行う様にするのがよい。 And cassette accommodation chamber can be as front outer wall surface is a common surface, the operator may have to the manner of performing out of the cassette towards the wall. この様な方式は、所謂スルーザウォール方式と称されている。 Such a method is referred to as a so-called through-the-wall type.

プラズマ処理に対して高周波の発振電源が必要であり、また、処理のための反応ガス系も必要であり、これらは、前述の支柱を中心として対向配置し、バランスをとって支柱にとりつけるのがよい。 Requires oscillation power of the high frequency to the plasma treatment, also the reaction gas system for processing is also necessary, they are arranged opposite about the aforementioned struts that attach to posts balancing good. 前述のチャンバー, Above the chamber,
排気ポンプ,発振電源,ガス系は全て先の壁の一方にあり、補修作業,増設作業を容易ならしめている。 Exhaust pump, located on one of the oscillating power supply, gas system all destination walls, repair work, and tighten if facilitate expansion work. ある場合には、機械設備の集積化のため、チャンバーの側壁に配管を設けて、いわゆる配管IC化を達することもできる。 In some cases, because of the integration of mechanical equipment, is provided a pipe on the side wall of the chamber, it is also possible to achieve the so-called pipe IC. 同様に、発振電源も小さくしてマッチングボックスと一体化して、プロセスチャンバーの上部空間に設置することもできる。 Similarly, integrated with matching box oscillating power is small, it can be installed in the upper space of the process chamber. 更に、支柱の内部も中空として各位置での排気管に接続し、パラレル排気の際に、支柱自体を排気管として、排気効率の改善に寄与させることもできる。 Furthermore, the interior of the strut is also connected to the exhaust pipe at each position as a hollow, in parallel exhaust, the strut itself as an exhaust pipe, it is also possible to contribute to the improvement of exhaust efficiency.

実用的には、クリーンルームは3〜3.5mの高さがあるので、旨く設計すれば6〜7チャンバーを連ねることも可能である。 In practice, the clean room because there is a height of 3~3.5M, it is also possible to contiguous with 6-7 chambers if well designed.

〔実施例〕 〔Example〕

第1図および第2図を参照して、本発明の実施例になる縦型半導体製造システムを説明する。 With reference to FIGS. 1 and 2, illustrating a vertical semiconductor manufacturing system according to the embodiment of the present invention.

第1図は、本発明実施例の縦型システムの構成を示す断面図であり、1は装置全体の支柱となるポールであり、このポールには、各プロセスチャンバー2とポンプ3とがバランスをとって機械的に固定されている。 Figure 1 is a sectional view showing the configuration of a vertical system of the present invention embodiment, 1 is a pole that can post the entire device, this pole, and each process chamber 2 and the pump 3 is a balance taken are mechanically fixed. ポンプ3は通常の形式のポンプでよく、その排気側はダクト4(第2図)を介して外気に導かれる。 Pump 3 may be a normal form of the pump, the exhaust side is guided to the outside air through a duct 4 (Fig. 2).

このプロセスチャンバー2とポンプ3との対は、第1 Pair of the process chamber 2 and the pump 3, the first
図の例では3組として例示されているが、これは所定のプロセス数に応じて選択できる。 In the example of FIG illustrated as three sets, which may be selected according to the predetermined number of processes. また、プロセスチャンバー2は、スパッタリング,プラズマCVD,熱CVD,ドライエッチングのいずれかの専用チャンバーとして備えつけることができるが、マルチプロセスの観点から、異なるプロセスの連続処理(例えば、平坦化プロセスでの各種 Further, the process chamber 2, sputtering, plasma CVD, thermal CVD, may be equipped as any dedicated chamber of the dry etching, in view of the multi-process, different continuous treatment process (e.g., in the planarization process various
CVDとエッチバックプロセス)を実行できる様な内部構造を持つようにしておくができ、図の例では、反応ガスをシャワー状に噴射できる上部電極5と、ウェハーを所定の温度に加熱できるヒーターを内蔵した下部電極6を備えたチャンバーが各々のプロセスチャンバー内に設置されている。 Can it keep to have an internal structure as can perform CVD and etch back process), in the example of FIG, an upper electrode 5 can be injected reactive gas like a shower, a heater capable of heating the wafer to a predetermined temperature chamber with the lower electrode 6 with a built is installed in each of the process chamber.

プロセスチャンバー2の上部には、マッチングボックス7が配置されており、このマッチングボックス7は、 The top of the process chamber 2, the matching box 7 are arranged, the matching box 7,
発振電源8から発生された高周波(一般には13.75MHz) Frequency generated from the oscillation source 8 (typically 13.75MHz is)
を上部電極5に印加する際のインピーダンスマッチングの機能を果たす。 The functions of the impedance matching when applied to the upper electrode 5.

プロセスチャンバーに対する反応ガスの供給は、前述の通り、上記電極5の内部を通してチャンバー内に導入されるが、ガスの供給はこれに限定されるものではなく、マッチングボックス7の左端側から導入することもできる。 Supply of the reactive gas to the process chamber, as described above, but is introduced into the chamber through the interior of the electrode 5, and not the gas supply is not limited thereto, be introduced from the left side of the matching box 7 It can also be.

いずれにしても、反応ガスの供給にあたっては、そのための配管が必要であり、その配管類9は一括して支柱に取りつけるが、第2図に示した通り発振電源8の反対側にバランスを取って機械的に固定する。 Anyway, when the supply of the reaction gas, it is necessary piping therefor, the pipes 9 are attached to the posts collectively, balanced on the opposite side of the street oscillation power source 8 shown in FIG. 2 mechanically fixed Te. 第1図においては、簡単のため、発振電源8とガス系9の対は図示を省略してある。 In the first diagram, for simplicity, a pair of oscillating power supply 8 and the gas system 9 is not shown.

次に、処理すべき半導体ウェハー10の搬送機構11について説明する。 It will now be described conveyance mechanism 11 of the semiconductor wafer 10 to be processed. この実施例では、第2図の上面図を参照して明らかな通り、プロセスチャンバー2の前面側には、カセットエレベータ機構があり、これは上下方向に延びていて、各チャンバー位置までウェハーカセットを搬送する。 In this embodiment, as apparent with reference to the top view of FIG. 2, on the front side of the process chamber 2, there is a cassette elevator mechanism, which extend in the vertical direction, the wafer cassette to the chambers located to transport.

同じく前面側で、各プロセスチャンバー2の前面には、搬送されてきたカセットからウェハーを一枚づつ抜き取り、ゲート12を通ってプロセスチャンバー内にウェハー10をセットし、処理が終了したらプロセスチャンバーからウェハーを取り出して、各段位置に備えられたカセット収納室13へウェハーを収納する動作を行うウェハー移送機構(ロボット)14が設けられている。 Also at the front side, the front of each process chamber 2, sampling one by one the wafer from the cassette that has been transported, and sets the wafer 10 into the process chamber through the gate 12, the wafer from the process chamber when the process is finished the removed, wafer transport mechanism (robot) 14 for performing an operation for accommodating the wafers are provided to the cassette storage chamber 13 provided to each stage position.

ゲート12は言うまでもなく搬送機構側とプロセスチャンバー2の間にあって、両者を気密に分離することがてき、また、ウェハーの導入・導出時にはゲートが開いて、ウェハーの通過を可能とする。 Gate 12 course be between the transport mechanism side and the process chamber 2, text to separate the two air-tight, also at the time of introduction and out of the wafer gate is opened to allow the passage of wafers.

従って、第1図及び第2図の例では、カセットエレベータ機構11が上下のプロセスチャンバーにまたがって垂直の柱状となっており、各プロセスチャンバー位置にて水平方向にウェハー移送機構(ロボット)とカセット収納室を囲む仕切りがなされており、必要な空間を最少としており、排気に要する時間の節約を図っている。 Thus, in the example of FIGS. 1 and 2, has a columnar vertical cassette elevator mechanism 11 across the top and bottom of the process chamber, the wafer transfer mechanism (robot) in a horizontal direction in each process chamber positioned cassette and a partition surrounding the storage chamber is made, it has the necessary space and minimize that aim to save time required for the exhaust.

なお、図示していないが、カセットエレベータ11の最下段にカセットのロードロック機構が備えられており、 Although not shown, which cassette load lock mechanism is provided at the bottom of the cassette elevator 11,
このロードロック機構を用いてカセットを複数入れ、処理済カセットは各カセット収納室から取り出す。 Multiple put the cassette using the load lock mechanism, the processed cassette is taken out from each of the cassette storage chamber.

次に、本実施例装置の使用方法について説明する。 Next, a method used in this embodiment device.

カセットエレベータ11の最下段にあるロードロック機構付きカセット収納室に複数のカセットを設置し、第1 Installing a plurality of cassettes to the load lock mechanism with the cassette accommodation chamber in the bottom of the cassette elevator 11, a first
図の最下段にて排気と記した箇所よりカセット搬送機構部の排気を行う。 To evacuate the cassette transport mechanism than locations marked with the exhaust at the bottom of FIG. 各プロセスチャンバーは、各々のポンプ3にて予め所定圧力まで排気しておく。 Each process chamber is previously evacuated to a predetermined pressure at each of the pump 3. カセット搬送機構部での排気が完了したら、カセット収納ボックスからカセットを一つ取り出し、カセットエレベータ機構11 After evacuation is complete in the cassette transport mechanism takes out one cassette from the cassette storage box, cassette elevator mechanism 11
によって、例えば最上段の位置まで搬送し、その位置にロックしておく。 By, for example, conveyed to the position of the top, be locked in that position. 次いで、搬送機構を最下段まで下降させ、カセット収納ボックスから次のカセットを取り出し、搬送機構にて、中間段位置まで搬送し、その位置にてロックしておく。 Then, the transport mechanism is lowered to the bottom, retrieve the next cassette from the cassette storage box, by the transport mechanism, and transported to the intermediate speed position, be locked at that position. 更に、搬送機構を最下段まで下降させ、カセット収納ボックスから次のカセットを取り出し、搬送機構にて、プロセスチャンバーの最下段位置まで搬送し、その位置にてロックしておく。 Further, the transport mechanism is lowered to the bottom, from the cassette storage box retrieves the next cassette, by the transport mechanism, and conveyed to the lowermost position of the process chamber, be locked at that position.

各段位置のウェハー移送ロボット14は、当該位置にロックしておかれたカセットからウェハーの一枚づつ取り出し、前述の手順にて、プロセスチャンバー内の下部電極6の上にウェハー10をセットし、所定のプロセスが完了したら、そのウェハーを取り出してカセット収納室13 Wafer transfer robot 14 for each stage position takes out one by one wafer from the cassette placed in locked to the position set by the aforementioned steps, the wafer 10 on the lower electrode 6 of the process chamber, After a predetermined process is complete, the cassette containing chamber 13 is taken out the wafer
に収納する。 Housed in. この操作をウェハーの数だけ繰り返して各、プロセスチャンバーでの処理を完了する。 Each repeat this operation the number of wafers to complete the process in the process chamber.

上記の実施例においては、各カセットのウェハーに対して、同一または異なるプロセスを実行するものであったが、異なるプロセスを順次実行できる様にカセットエレベータを駆使することができる。 In the above embodiment, for a wafer of each cassette, but were intended to perform the same or different processes can make full use of the cassette elevator as can sequentially execute different processes.

なお、上記の実施例では、ポールを設けて各チャンバーを固定した構造としたが、棚を上下方向に設けておき、この各棚の中にチャンバー他を設置していくことも可能である。 In the above embodiment, although a structure of fixing the each chamber is provided a pole, may be provided with shelves in the vertical direction, it is possible to continue to set up the chamber other in the respective shelves. また、各チャンバーは異なる処理ができる様に独立排気としているが、全てのチャンバーにて同一条件での処理を行う場合には、ポンプは一台でよい。 Further, each chamber is an independent exhaust as may different processing, when performing the processing under the same conditions in all chambers, a pump may be a single.

〔発明の効果〕 〔Effect of the invention〕

以上の通り、本発明では、マルチプロセスチャンバーを縦積みとしてシステムを構成したので、床面積の縮小化が実現できる。 As described above, in the present invention, since the configuration system multiprocess chamber as stacked vertically, reduction in floor space can be achieved. また、ポールまたは棚に対してプロセスチャンバーを取り付けていく縦型のシステムであるので、増設が容易であり、また、いずれかのチャンバーの補修をしている間も他のチャンバーにてプロセスを実行できるし、装置全体の補修も簡便となし得る利点がある。 Further, since it is vertical-type system will attach the process chamber relative to the pole or a shelf, it is easy to expansion, also perform a process even in other chambers while the repair of any of the chambers it can, there is an advantage that can be made simple and easy even repair the whole device.

勿論、カセットを搬送機構内部で移送している限りは、ウェハー上への塵埃の付着はない。 Of course, as long as transferring the cassette within the transport mechanism, no adhesion of dust onto the wafer. 所謂、スルーザウォールの方式であれば、カセット収納室13からカセットを取り出し、再度カセット収納ボックスにセットとして、次のプロセスを実行する場合では、塵埃の付着は左程問題にはならない。 Called, if the method of through-the-wall, removed the cassette from the cassette containing chamber 13, as set in the cassette storage box again, in case of executing a next process, adhesion of dust is not a left as a problem.


第1図は本発明の本実施例になる縦型システムの構成を示す断面図であり、第2図は、第1図のシステムの上面図、第3図は従来提案されているマルチプロセスシステムの上面図である。 Figure 1 is a sectional view showing a vertical system configuration according to the present embodiment of the present invention, FIG. 2 is a top view of the Figure 1 system, Figure 3 is multiprocessing systems proposed in the prior art it is a top view of the. 図中、1は装置全体の支柱となるポール、2はプロセスチャンバー2、3はポンプ3、5は上部電極、6は下部電極6、7はマッチングボックス、8は発振電源、9はガス系、10は半導体ウェハー、11はカセットエレベータ、12はゲート、13はカセット収納室、14はウェハー移送ロボットである。 In the figure, the pole 1 is made of a strut of the entire apparatus, 2 the process chamber 2, 3 is a pump 3 and 5 the upper electrode, the lower electrode 6, 7 matching box 6, 8 oscillation power, 9 gas system, 10 semiconductor wafer, 11 is the cassette elevator, 12 denotes a gate, 13 a cassette storage room, 14 is a wafer transport robot.

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】 (57) [the claims]
  1. 【請求項1】上下方向に、仕切られた空間の各段位置にプロセスチャンバー(2)を配置し、当該複数の縦型配置されたプロセスチャンバー(2)の前面側にウェハーのロード・アンロード機構を設けたことを特徴とする縦型半導体製造システム。 To 1. A vertical direction, the process chamber (2) arranged in each speed position of the partitioned spaces, wafer loading and unloading of the front side of the plurality of vertical arranged process chamber (2) vertical semiconductor manufacturing system characterized in that a mechanism.
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