JP2591474Y2 - カラー受像管 - Google Patents
カラー受像管Info
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- JP2591474Y2 JP2591474Y2 JP1987111921U JP11192187U JP2591474Y2 JP 2591474 Y2 JP2591474 Y2 JP 2591474Y2 JP 1987111921 U JP1987111921 U JP 1987111921U JP 11192187 U JP11192187 U JP 11192187U JP 2591474 Y2 JP2591474 Y2 JP 2591474Y2
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Description
【考案の詳細な説明】
〔考案の目的〕
（産業上の利用分野）
この考案は、カラー受像管に係り、特に地磁気の影響
を少なくしたカラー受像管に関する。 （従来の技術） シャドウマスク形カラー受像管は、第５図に示すよう
に、外囲器（１）の前面部を構成するパネル（２）の内
面に蛍光面（３）が設けられ、この蛍光面に対向してそ
の内側に、多数の電子ビーム通過孔が所定の配列で形成
されたシャドウマスク（４）が配設されている。また、
上記パネル（２）と一体のファンネル（５）のネック部
（６）内には、上記蛍光面（３）に向って電子ビームを
放出する電子銃（７）が配設されている。さらに、上記
シャドウマスク（４）の背面には、上記電子ビームを地
磁気などの外部磁界から遮蔽するための内部磁気シール
ド（８）が設けられている。 この内部磁気シールド（８）は、矩形状パネル（２）
を有するカラー受像管においては、第６図に示すよう
に、断面ほぼ矩形中空の台形状に形成されている。 ところで、このカラー受像管には、通常、テレビ放送
などの受像に用いられる一般家庭用と、高精細な画像の
再生が要求されるディスプレイ用とがある。 このうち、一般家庭用のカラー受像管は、画面の垂直
軸方向を長手方向とするストライプ状の３色蛍光体層で
蛍光面（３）が形成され、この蛍光面（３）に対して同
一水平面上を通る３電子ビームを放出するインライン形
電子銃（７）が用いられている。これに対し、ディスプ
レイ用のカラー受像管は、60°の角度で交差する方向に
３色蛍光体ドットが配列された蛍光面（３）を有し、電
子銃（７）としては、デルタ形またはインライン形配列
のものが用いられている。 いずれにおいても、このディスプレイ用カラー受像管
は、高精細な画像を表示させるために、シャドウマスク
（４）の電子ビーム通過孔の孔径は一般家庭用にくらべ
て小さく、かつその配列ピッチも小さく形成されてお
り、蛍光体ドットに対する電子ビームのランディング余
裕度は、一般家庭用のカラー受像管にくらべて、いちじ
るしく小さくなっている。 ゆうまでもなく、カラー受像管は、第７図に蛍光体ド
ット（Ｇ），（Ｂ），（Ｒ）のそれぞれに対して同心の
ビームスポット（10B），（10G），（10R）で示したよ
うに、電子ビームが正しく入射するように設計製作さ
れ、外部磁界により電子ビームの軌道が変化しないよう
に内部磁気シールド（８）を配設することもその一手段
である。しかし、上記従来構造の内部磁気シールド
（８）は、ランディング余裕度の大きい一般家庭用カラ
ー受像管については十分にその効果を発揮しているが、
ディスプレイ用カラー受像管に対しては十分でない。 第４図（Ａ）ないし（Ｃ）図は、それぞれ13吋、15
吋、12吋ディスレイ用カラー受像管について、地磁気の
影響を示したものであり、カラー受像管を初め北向きに
セット（パネルを北向き）して、第８図を示すように、
そのときの特定蛍光体ドット、たとえば緑色蛍光体ドッ
ト（Ｇ）に対するビームスポット（10G1）の位置を測定
し、つぎに、このカラー受像管を南向きにしてそのとき
のビームスポット（10G2）の位置を測定し、これらビー
ムスポット（10G1），（10G2）からその中心の移動量ａ
をNSベクトルビーム移動量として、最も移動量の大きい
画面（11）の四隅部について示したものである。矢印
（12a）〜（12d）は、上記第６図に示した内部磁気シー
ルド（８）を有するカラー受像管のNSベクトルビーム移
動量である。 このようなベクトルビーム移動量を少なくするため
に、本出願人に係る特開昭58−166625号公報には、第９
図に示すように、ほぼ矩形台形状の内部磁気シールド
（8a）の長側面（14）の電子銃側端縁部に、長側面面積
の約50％を占める半円形状の切欠部（15）を形成したも
のが湿されている。かかる内部磁気シールド（8a）を有
するカラー受像管のNSベクトルビーム移動量を同じく第
４図（Ａ）ないし（Ｃ）図に矢印（16a）〜（16d）で示
した。 13吋カラー受像管の場合（第４図Ａ図）、上記画面
（11）四隅部におけるNSベクトルビーム移動量は、矢印
（12a）〜（12d）については、28.4μｍであり、矢印
（16a）〜（16d）については、26.5μｍである。特にこ
れらNSベクトルビーム移動量は、いずれもベクトルのＸ
軸方向成分に比較してＹ軸方向成分が大きいことに注意
を要する。 ところで、13吋ディスプレイ用カラー受像管の場合、
蛍光体ドット（Ｂ），（Ｇ），（Ｒ）は、直径100μｍ
の大きさに形成され、この蛍光体ドット（Ｂ），
（Ｇ），（Ｒ）に対して、電子ビームのビームスポット
（10B），（10G），（10R）の直径が160μｍになるよう
に構成されている。したがって蛍光体ドット（Ｂ），
（Ｇ），（Ｒ）に対する電子ビームのランディングずれ
を考慮すると、ビームスポット（10B），（10G），（10
R）が蛍光体ドット（Ｂ），（Ｇ），（Ｒ）からずれ
て、電子ビームが正しくランディングしたとき本来同心
であるべき蛍光体ドット（Ｂ），（Ｇ），（Ｒ）に非発
光部を生ずる欠け余裕度は、（160μｍ−100μｍ）/2＝
30μｍであるが、隣接する他色蛍光体ドットをランディ
ングする他色打ち余裕度は各蛍光体ドット（Ｂ），
（Ｇ），（Ｒ）の配列形状から35μｍとなっている。実
際に製作されるカラー受像管は、蛍光体ドット（Ｂ），
（Ｇ），（Ｒ）の大きさのばらつきや配列ずれのため、
上記ランディング余裕度は、それぞれ10μｍ減少し、欠
き余裕度は20μｍ、他色打ち余裕度は25μｍとなる。 一方、色純度特性については、蛍光内ドット（Ｂ），
（Ｇ），（Ｒ）に非発光部を生ずる欠けは、色純度劣化
をおこさず、５μｍ程度の欠けは、実質的に問題になら
ない。しかし、他色蛍光体をランディングする場合は、
５μｍ以下であっても色純度の劣化をおこす。したがっ
て、各蛍光体ドット（Ｂ），（Ｇ），（Ｒ）に対する電
子ビームのランディングずれ、すなわちビーム移動量
は、最大25μｍを許容値とし、それ以下にすることが必
要である。 しかしながら、前記したNSベクトルビーム移動量は、
第６図に示した通常の内部磁気シールド（８）をもつカ
ラー受像管は勿論、第９図に示した改良内部磁気シール
ド（8a）を有するカラー受像管でも、上記許容値（25μ
ｍ）を越えており、色純度劣化をおこすことを示してい
る。 さらに、地磁気の影響は、カラー受像管を東向き、西
向きにセットした場合にも生じ、前記NSベクトルビーム
移動量と同様に測定されたEWベクトルビームの平均移動
量は、上記第６図に示した通常の内部磁気シールド
（８）をもつカラー受像管で8.9μｍ、第９図に示した
改良内部磁気シールド（8a）を有するカラー受像管で7.
2μｍである。したがって、NSベクトルビーム移動量とE
Wベクトルビーム移動量の総和は、前者で28.4μｍ＋8.9
μｍ＝37.3μｍ、後者で26.5μｍ＋7.2μｍ＝33.7μｍ
となり、上記許容値を大幅にオーバーする。 このようなことは、他のカラー受像管でもおこる。す
なわち、15吋ディスプレイ用カラー受像管（第4B図）に
ついては、画面（11）四隅部におけるNSベクトルビーム
移動量は、矢印（12a）〜（12d）については35.7μｍで
あり、矢印（16a）〜（16d）については32.4μｍであ
る。一方、蛍光体ドット（Ｂ），（Ｇ），（Ｒ）は直径
110μｍに、この蛍光体ドット（Ｂ），（Ｇ），（Ｒ）
に対して電子ビームは、ビームスポット（10B），（10
G），（10R）の直径が170μｍになるように構成されて
いる。したがって、蛍光体ドット（Ｂ），（Ｇ），
（Ｒ）に非発光部を生ずる欠け余裕度は（170μｍ−110
μｍ）/2＝30μｍ、他色打ち余裕度は40μｍとなり、10
μｍのばらつきを考慮すると、その許容値は最大30μｍ
となり、それ以下にすることが必要となる。さらに、EW
ベクトルビーム移動量は、第６図に示した内部磁気シー
ルド（８）をもつカラー受像管で10.2μｍ、第９図に示
した内部磁気シールド（8a）をもつカラー受像管で9.1
μｍとなり、NSベクトルビーム移動量とEWベクトルビー
ム移動量の総和は、前者で35.7μｍ＋10.2μｍ＝45.9μ
ｍ、後者で32.4μｍ＋9.1μｍ＝41.5μｍとなる。 また、12吋ディスプレイ用カラー受像管（第4C図）に
ついては、画面（11）四隅部におけるNSベクトルビーム
移動量は、矢印（12a）〜（12d）については17.8μｍで
あり、矢印（16a）〜（16d）については16.3μｍであ
る。一方、蛍光体ドット（Ｂ），（Ｇ），（Ｒ）は直径
110μｍに、この蛍光体ドット（Ｂ），（Ｇ），（Ｒ）
に対して電子ビームは、ビームスポット（10B），（10
G），（10R）の直結が160μｍになるように構成されて
いる。したがって、蛍光体ドット（Ｂ），（Ｇ），
（Ｒ）に非発光部を生ずる欠け余裕度は（160μｍ−110
μｍ）/2＝25μｍ、他色打ち余裕度は27μｍとなり、10
μｍのばらつきを考慮すると、その許容値は最大15μｍ
となり、それ以下にすることが必要となる。さらに、EW
ベクトルビーム移動量は、第６図に示した内部磁気シー
ルド（８）をもつカラー受像管で9.7μｍ、第９図に示
した内部磁気シールド（8a）をもつカラー受像管で8.4
μｍとなり、NSベクトルビーム移動量とEWベクトルビー
ム移動量の総和は、前者で17.8μｍ＋9.7μｍ＝27.5μ
ｍ、後者で16.3μｍ＋8.4μｍ＝24.7μｍとなり、いず
れのカラー受像管においても、許容値を越え、色純度の
劣化を生ずる。 （考案が解決しようとする問題点） 上記のように、従来のカラー受像管は、電子ビームの
ランディングに対して外部磁界の影響を防止する内部磁
気シールドが外囲器内に配設されているが、通常の内部
磁気シールドは勿論、改良された内部磁気シールドで
も、ビーム移動量、すなわちNSベクトルビーム移動量と
EWベクトルビーム移動量の総和が大きく、特にNSベクト
ルビーム移動量が大きく、色純度の劣化を生ずる。 この考案は、上記従来の問題点を解決するためになさ
れたものであり、セットの向きに関係なく地磁気によっ
て色純度の劣化をおこさないカラー受像管を構成するこ
とを目的とする。 〔考案の構成〕 （問題点を解決するための手段） ほぼ矩形中空状の内部磁気シールドを有するカラー受
像管において、上記内部磁気シールドの長側面の電子銃
側開口端縁部にこの長側面の電子銃側開口端縁の長さを
ｌ、上記長側面の沿面高さをｈとし、かつαを0.25〜0.
60として、上記長側面の電子銃側開口端縁を弦として ｛（αｈ）ｚ＋（l/2）ｚ｝/2αｈ を半径とする切欠円からなる切欠き部を設けた。 （作用） 地磁気による色純度劣化を軽減するためには、ビーム
移動量、なかんずくビーム移動量の大きな割合を占める
NSベクトルを小さくするとともに、そのＸ軸方向成分お
よびＹ軸方向成分をともに小さくするように均等化する
ことが望ましいが、上記のように内部磁気シールドの長
側面の電子銃側開口端縁に所定形状の切欠き部を形成す
ると、13吋カラー受像管でα＝0.28、15吋カラー受像管
でα＝0.54、12吋カラー受像管でα＝0.42とすることに
より、NSベクトルビーム移動量のＸ軸方向成分とＹ軸方
向成分の比を１とし、かつそのNSベクトルビーム移動量
を最少とすることができ、カラー受像管全体として、α
＝0.25〜0.60の範囲で色純度の劣化を十分に防止するこ
とができる。 （実施例） 以下、図面を参照してこの考案を実施例に基づいて説
明する。 第１図にこの考案の一実施例であるディスプレイ用カ
ラー受像管の構成を示す。このカラー受像管は、ほぼ矩
形状のパネル（２）の内面に３色蛍光体ドットからなる
蛍光面（３）が形成され、この蛍光面（３）に対向して
その内側にシャドウマスク（４）が配設されている。ま
た、上記パネル（２）と一体の外囲器（１）を構成する
ファンネル（５）のネック部（６）には、上記蛍光面
（３）に向って３電子ビームを放出するデルタ形または
インライン形電子銃（７）が配設されている。 しかして、上記シャドウマスク（４）は、多数の電子
ビーム通過孔が所定の配列で形成されて上記蛍光面
（３）と対向するマスク本体（20）と、このマスク本体
（20）の周辺部を支持するフレーム（21）とを有し、こ
のフレーム（21）に上記ネック部（６）に配設された電
子銃（７）方向に延在する内部磁気シールド（22）が取
付けられている。 この内部磁気シールド（22）は、断面ほぼ矩形の中空
状をなし、かつ電子銃側の開口径がフレーム取付け側の
開口径より小さい台形状に形成されている。そして、第
２図に示すように、その長側面（23）の電子銃側開口端
縁部には、下記形状の切欠き部（24）が形成されてい
る。すなわち、上記長側面（23）の電子銃側開口端縁の
長さをｌ、上記長側面（23）の沿面高さをｈとし、か
つ、α＝0.25〜0.60として、上記長側面（23）の電子銃
側開口端縁を弦として ｛（αｈ）ｚ＋（l/2）ｚ｝/2αｈ ……（１） を半径とする切欠円からなる切欠き部（24）が形成され
ている。この（１）式において、αを0.25〜0.60とした
ことは、切欠円の最大深さが長側面（23）の沿面高さｈ
の25〜60％であることを意味している。 第３図（Ａ）ないし（Ｃ）図に、それぞれ13吋、15
吋、12吋ディスプレイ用カラー受像管について、上記ｌ
を最大径として深さの異なる切欠円からなる切欠き部
（24）を形成したときのNSベクトルビーム移動量を破線
（25）で、またNSベクトルビーム移動量のＹ軸方向成分
とＸ軸方向成分の比を実線（26）で示す。 （Ａ）図に示すように、13吋カラー受像管の場合は、
α＝0.28としたとき、NSベクトルビーム移動量のＹ軸方
向成分とＸ軸方向成分の比がほぼ１となり、画面四隅部
で測定したNSベクトルビーム移動量の平均値が点（27）
で示すように24.1μｍとなった。 また、（Ｂ）図に示すように、15吋カラー受像管の場
合は、α＝0.54としたとき、NSベクトルビーム移動量の
Ｙ軸方向成分とＸ軸方向成分の比がほぼ１となり、画面
四隅部でのNSベクトルビーム移動量の平均値が点（27）
で示すように29.4μｍ、また、（Ｃ）図に示すように、
12吋カラー受像管の場合は、α＝0.42としたとき、NSベ
クトルビーム移動量のＹ軸方向成分とＸ軸方向成分の比
がほぼ１となり、画面四隅部でのNSベクトルビーム移動
量の平均値が点（27）で示すように13.9μｍとなった。 なお、第４図（Ａ）ないし（Ｃ）図に、上記画面（1
1）四隅部におけるNSベクトルビーム移動量を従来のカ
ラー受像管のNSベクトルビーム移動量とともに矢印（28
a）〜（28d）で示した。 上記のように13吋、15吋、12吋の各カラー受像管にお
いて、それぞれα＝0.28、0.54、0.42としたとき、NSベ
クトルビーム移動量のＹ軸方向成分とＸ軸方向成分の比
がほぼ１となり、画面（11）四隅部におけるNSベクトル
ビーム移動量の平均値がそれぞれ24.1μｍ、29.4μｍ、
13.9μｍであるということは、前記したそれぞれのビー
ム移動量の許容値25μｍ、30μｍ、15μｍにくらべて十
分に小さく、実際に色純度劣化におこさないことが確認
されている。 また、上記各カラー受像管の画面（11）四隅部におけ
るEWベクトルビーム移動量の平均値は、13吋カラー受像
管の場合、6.3μｍ、15吋カラ受像管の場合、8.3μｍ、
12吋カラー受像管の場合、7.1μｍであり、NSベクトル
ビーム移動量とEWベクトルビーム移動量の総和は、それ
ぞれ24.1μｍ＋6.3μｍ＝30.4μｍ（13吋カラー受像
管）、29.4μｍ＋8.3μｍ＝37.7μｍ（15吋カラー受像
管）、13.9μｍ＋7.1μｍ＝21.0μｍ（12吋カラー受像
管）となり、それぞれ前記第６図に示した従来の通常の
内部磁気シールドを有するカラー受像管の場合の37.3μ
ｍ、45.9μｍ、27.5μｍにくらべて、18.5％、17.9％、
27.5％向上しており、また、第９図に示した改良内部磁
気シールドを有するカラー受像管の場合の33.7μｍ、4
1.5μｍ、24.7μｍにくらべても、それぞれ9.5％、9.2
％、15.0％向上している。 なお、ビーム移動量の許容値が13吋カラー受像管の場
合、25μｍ、15吋カラー受像管の場合、30μｍ、12吋カ
ラー受像管の場合、15μｍであることから、上記第３図
（Ａ）ないし（Ｃ）図の破線（25）からわかるように、
色純度を劣化させない切欠き部（24）は、前記（１）式
を半径とする切欠円からなる切欠き部（24）を、α＝0.
25および0.60を限界として、この範囲で（１）式を満足
するように形成するとき、すべてのカラー受像管に適用
でき、地磁気によるビーム移動量を許容値以下におさえ
て、色純度劣化をおこさない所要のカラー受像管とする
そとができる。 〔考案の効果〕 断面がほぼ矩形状の内部磁気シールドを有するカラー
受像管において、その内部磁気シールドの長側面の電子
銃側開口端縁部に、α＝0.25〜0.60とし、かつ長側面の
電子銃側開口端縁を弦として ｛（αｈ）ｚ＋（l/2）ｚ｝/2αｈ を半径とする切欠円からなる切欠き部を形成すると、地
磁気に基づく電子ビームのビーム移動量を小さく、かつ
そのＸ軸方向成分およびＹ軸方向成分を均等化して、色
純度劣化をおこさないカラー受像管とすることができ
る。
を少なくしたカラー受像管に関する。 （従来の技術） シャドウマスク形カラー受像管は、第５図に示すよう
に、外囲器（１）の前面部を構成するパネル（２）の内
面に蛍光面（３）が設けられ、この蛍光面に対向してそ
の内側に、多数の電子ビーム通過孔が所定の配列で形成
されたシャドウマスク（４）が配設されている。また、
上記パネル（２）と一体のファンネル（５）のネック部
（６）内には、上記蛍光面（３）に向って電子ビームを
放出する電子銃（７）が配設されている。さらに、上記
シャドウマスク（４）の背面には、上記電子ビームを地
磁気などの外部磁界から遮蔽するための内部磁気シール
ド（８）が設けられている。 この内部磁気シールド（８）は、矩形状パネル（２）
を有するカラー受像管においては、第６図に示すよう
に、断面ほぼ矩形中空の台形状に形成されている。 ところで、このカラー受像管には、通常、テレビ放送
などの受像に用いられる一般家庭用と、高精細な画像の
再生が要求されるディスプレイ用とがある。 このうち、一般家庭用のカラー受像管は、画面の垂直
軸方向を長手方向とするストライプ状の３色蛍光体層で
蛍光面（３）が形成され、この蛍光面（３）に対して同
一水平面上を通る３電子ビームを放出するインライン形
電子銃（７）が用いられている。これに対し、ディスプ
レイ用のカラー受像管は、60°の角度で交差する方向に
３色蛍光体ドットが配列された蛍光面（３）を有し、電
子銃（７）としては、デルタ形またはインライン形配列
のものが用いられている。 いずれにおいても、このディスプレイ用カラー受像管
は、高精細な画像を表示させるために、シャドウマスク
（４）の電子ビーム通過孔の孔径は一般家庭用にくらべ
て小さく、かつその配列ピッチも小さく形成されてお
り、蛍光体ドットに対する電子ビームのランディング余
裕度は、一般家庭用のカラー受像管にくらべて、いちじ
るしく小さくなっている。 ゆうまでもなく、カラー受像管は、第７図に蛍光体ド
ット（Ｇ），（Ｂ），（Ｒ）のそれぞれに対して同心の
ビームスポット（10B），（10G），（10R）で示したよ
うに、電子ビームが正しく入射するように設計製作さ
れ、外部磁界により電子ビームの軌道が変化しないよう
に内部磁気シールド（８）を配設することもその一手段
である。しかし、上記従来構造の内部磁気シールド
（８）は、ランディング余裕度の大きい一般家庭用カラ
ー受像管については十分にその効果を発揮しているが、
ディスプレイ用カラー受像管に対しては十分でない。 第４図（Ａ）ないし（Ｃ）図は、それぞれ13吋、15
吋、12吋ディスレイ用カラー受像管について、地磁気の
影響を示したものであり、カラー受像管を初め北向きに
セット（パネルを北向き）して、第８図を示すように、
そのときの特定蛍光体ドット、たとえば緑色蛍光体ドッ
ト（Ｇ）に対するビームスポット（10G1）の位置を測定
し、つぎに、このカラー受像管を南向きにしてそのとき
のビームスポット（10G2）の位置を測定し、これらビー
ムスポット（10G1），（10G2）からその中心の移動量ａ
をNSベクトルビーム移動量として、最も移動量の大きい
画面（11）の四隅部について示したものである。矢印
（12a）〜（12d）は、上記第６図に示した内部磁気シー
ルド（８）を有するカラー受像管のNSベクトルビーム移
動量である。 このようなベクトルビーム移動量を少なくするため
に、本出願人に係る特開昭58−166625号公報には、第９
図に示すように、ほぼ矩形台形状の内部磁気シールド
（8a）の長側面（14）の電子銃側端縁部に、長側面面積
の約50％を占める半円形状の切欠部（15）を形成したも
のが湿されている。かかる内部磁気シールド（8a）を有
するカラー受像管のNSベクトルビーム移動量を同じく第
４図（Ａ）ないし（Ｃ）図に矢印（16a）〜（16d）で示
した。 13吋カラー受像管の場合（第４図Ａ図）、上記画面
（11）四隅部におけるNSベクトルビーム移動量は、矢印
（12a）〜（12d）については、28.4μｍであり、矢印
（16a）〜（16d）については、26.5μｍである。特にこ
れらNSベクトルビーム移動量は、いずれもベクトルのＸ
軸方向成分に比較してＹ軸方向成分が大きいことに注意
を要する。 ところで、13吋ディスプレイ用カラー受像管の場合、
蛍光体ドット（Ｂ），（Ｇ），（Ｒ）は、直径100μｍ
の大きさに形成され、この蛍光体ドット（Ｂ），
（Ｇ），（Ｒ）に対して、電子ビームのビームスポット
（10B），（10G），（10R）の直径が160μｍになるよう
に構成されている。したがって蛍光体ドット（Ｂ），
（Ｇ），（Ｒ）に対する電子ビームのランディングずれ
を考慮すると、ビームスポット（10B），（10G），（10
R）が蛍光体ドット（Ｂ），（Ｇ），（Ｒ）からずれ
て、電子ビームが正しくランディングしたとき本来同心
であるべき蛍光体ドット（Ｂ），（Ｇ），（Ｒ）に非発
光部を生ずる欠け余裕度は、（160μｍ−100μｍ）/2＝
30μｍであるが、隣接する他色蛍光体ドットをランディ
ングする他色打ち余裕度は各蛍光体ドット（Ｂ），
（Ｇ），（Ｒ）の配列形状から35μｍとなっている。実
際に製作されるカラー受像管は、蛍光体ドット（Ｂ），
（Ｇ），（Ｒ）の大きさのばらつきや配列ずれのため、
上記ランディング余裕度は、それぞれ10μｍ減少し、欠
き余裕度は20μｍ、他色打ち余裕度は25μｍとなる。 一方、色純度特性については、蛍光内ドット（Ｂ），
（Ｇ），（Ｒ）に非発光部を生ずる欠けは、色純度劣化
をおこさず、５μｍ程度の欠けは、実質的に問題になら
ない。しかし、他色蛍光体をランディングする場合は、
５μｍ以下であっても色純度の劣化をおこす。したがっ
て、各蛍光体ドット（Ｂ），（Ｇ），（Ｒ）に対する電
子ビームのランディングずれ、すなわちビーム移動量
は、最大25μｍを許容値とし、それ以下にすることが必
要である。 しかしながら、前記したNSベクトルビーム移動量は、
第６図に示した通常の内部磁気シールド（８）をもつカ
ラー受像管は勿論、第９図に示した改良内部磁気シール
ド（8a）を有するカラー受像管でも、上記許容値（25μ
ｍ）を越えており、色純度劣化をおこすことを示してい
る。 さらに、地磁気の影響は、カラー受像管を東向き、西
向きにセットした場合にも生じ、前記NSベクトルビーム
移動量と同様に測定されたEWベクトルビームの平均移動
量は、上記第６図に示した通常の内部磁気シールド
（８）をもつカラー受像管で8.9μｍ、第９図に示した
改良内部磁気シールド（8a）を有するカラー受像管で7.
2μｍである。したがって、NSベクトルビーム移動量とE
Wベクトルビーム移動量の総和は、前者で28.4μｍ＋8.9
μｍ＝37.3μｍ、後者で26.5μｍ＋7.2μｍ＝33.7μｍ
となり、上記許容値を大幅にオーバーする。 このようなことは、他のカラー受像管でもおこる。す
なわち、15吋ディスプレイ用カラー受像管（第4B図）に
ついては、画面（11）四隅部におけるNSベクトルビーム
移動量は、矢印（12a）〜（12d）については35.7μｍで
あり、矢印（16a）〜（16d）については32.4μｍであ
る。一方、蛍光体ドット（Ｂ），（Ｇ），（Ｒ）は直径
110μｍに、この蛍光体ドット（Ｂ），（Ｇ），（Ｒ）
に対して電子ビームは、ビームスポット（10B），（10
G），（10R）の直径が170μｍになるように構成されて
いる。したがって、蛍光体ドット（Ｂ），（Ｇ），
（Ｒ）に非発光部を生ずる欠け余裕度は（170μｍ−110
μｍ）/2＝30μｍ、他色打ち余裕度は40μｍとなり、10
μｍのばらつきを考慮すると、その許容値は最大30μｍ
となり、それ以下にすることが必要となる。さらに、EW
ベクトルビーム移動量は、第６図に示した内部磁気シー
ルド（８）をもつカラー受像管で10.2μｍ、第９図に示
した内部磁気シールド（8a）をもつカラー受像管で9.1
μｍとなり、NSベクトルビーム移動量とEWベクトルビー
ム移動量の総和は、前者で35.7μｍ＋10.2μｍ＝45.9μ
ｍ、後者で32.4μｍ＋9.1μｍ＝41.5μｍとなる。 また、12吋ディスプレイ用カラー受像管（第4C図）に
ついては、画面（11）四隅部におけるNSベクトルビーム
移動量は、矢印（12a）〜（12d）については17.8μｍで
あり、矢印（16a）〜（16d）については16.3μｍであ
る。一方、蛍光体ドット（Ｂ），（Ｇ），（Ｒ）は直径
110μｍに、この蛍光体ドット（Ｂ），（Ｇ），（Ｒ）
に対して電子ビームは、ビームスポット（10B），（10
G），（10R）の直結が160μｍになるように構成されて
いる。したがって、蛍光体ドット（Ｂ），（Ｇ），
（Ｒ）に非発光部を生ずる欠け余裕度は（160μｍ−110
μｍ）/2＝25μｍ、他色打ち余裕度は27μｍとなり、10
μｍのばらつきを考慮すると、その許容値は最大15μｍ
となり、それ以下にすることが必要となる。さらに、EW
ベクトルビーム移動量は、第６図に示した内部磁気シー
ルド（８）をもつカラー受像管で9.7μｍ、第９図に示
した内部磁気シールド（8a）をもつカラー受像管で8.4
μｍとなり、NSベクトルビーム移動量とEWベクトルビー
ム移動量の総和は、前者で17.8μｍ＋9.7μｍ＝27.5μ
ｍ、後者で16.3μｍ＋8.4μｍ＝24.7μｍとなり、いず
れのカラー受像管においても、許容値を越え、色純度の
劣化を生ずる。 （考案が解決しようとする問題点） 上記のように、従来のカラー受像管は、電子ビームの
ランディングに対して外部磁界の影響を防止する内部磁
気シールドが外囲器内に配設されているが、通常の内部
磁気シールドは勿論、改良された内部磁気シールドで
も、ビーム移動量、すなわちNSベクトルビーム移動量と
EWベクトルビーム移動量の総和が大きく、特にNSベクト
ルビーム移動量が大きく、色純度の劣化を生ずる。 この考案は、上記従来の問題点を解決するためになさ
れたものであり、セットの向きに関係なく地磁気によっ
て色純度の劣化をおこさないカラー受像管を構成するこ
とを目的とする。 〔考案の構成〕 （問題点を解決するための手段） ほぼ矩形中空状の内部磁気シールドを有するカラー受
像管において、上記内部磁気シールドの長側面の電子銃
側開口端縁部にこの長側面の電子銃側開口端縁の長さを
ｌ、上記長側面の沿面高さをｈとし、かつαを0.25〜0.
60として、上記長側面の電子銃側開口端縁を弦として ｛（αｈ）ｚ＋（l/2）ｚ｝/2αｈ を半径とする切欠円からなる切欠き部を設けた。 （作用） 地磁気による色純度劣化を軽減するためには、ビーム
移動量、なかんずくビーム移動量の大きな割合を占める
NSベクトルを小さくするとともに、そのＸ軸方向成分お
よびＹ軸方向成分をともに小さくするように均等化する
ことが望ましいが、上記のように内部磁気シールドの長
側面の電子銃側開口端縁に所定形状の切欠き部を形成す
ると、13吋カラー受像管でα＝0.28、15吋カラー受像管
でα＝0.54、12吋カラー受像管でα＝0.42とすることに
より、NSベクトルビーム移動量のＸ軸方向成分とＹ軸方
向成分の比を１とし、かつそのNSベクトルビーム移動量
を最少とすることができ、カラー受像管全体として、α
＝0.25〜0.60の範囲で色純度の劣化を十分に防止するこ
とができる。 （実施例） 以下、図面を参照してこの考案を実施例に基づいて説
明する。 第１図にこの考案の一実施例であるディスプレイ用カ
ラー受像管の構成を示す。このカラー受像管は、ほぼ矩
形状のパネル（２）の内面に３色蛍光体ドットからなる
蛍光面（３）が形成され、この蛍光面（３）に対向して
その内側にシャドウマスク（４）が配設されている。ま
た、上記パネル（２）と一体の外囲器（１）を構成する
ファンネル（５）のネック部（６）には、上記蛍光面
（３）に向って３電子ビームを放出するデルタ形または
インライン形電子銃（７）が配設されている。 しかして、上記シャドウマスク（４）は、多数の電子
ビーム通過孔が所定の配列で形成されて上記蛍光面
（３）と対向するマスク本体（20）と、このマスク本体
（20）の周辺部を支持するフレーム（21）とを有し、こ
のフレーム（21）に上記ネック部（６）に配設された電
子銃（７）方向に延在する内部磁気シールド（22）が取
付けられている。 この内部磁気シールド（22）は、断面ほぼ矩形の中空
状をなし、かつ電子銃側の開口径がフレーム取付け側の
開口径より小さい台形状に形成されている。そして、第
２図に示すように、その長側面（23）の電子銃側開口端
縁部には、下記形状の切欠き部（24）が形成されてい
る。すなわち、上記長側面（23）の電子銃側開口端縁の
長さをｌ、上記長側面（23）の沿面高さをｈとし、か
つ、α＝0.25〜0.60として、上記長側面（23）の電子銃
側開口端縁を弦として ｛（αｈ）ｚ＋（l/2）ｚ｝/2αｈ ……（１） を半径とする切欠円からなる切欠き部（24）が形成され
ている。この（１）式において、αを0.25〜0.60とした
ことは、切欠円の最大深さが長側面（23）の沿面高さｈ
の25〜60％であることを意味している。 第３図（Ａ）ないし（Ｃ）図に、それぞれ13吋、15
吋、12吋ディスプレイ用カラー受像管について、上記ｌ
を最大径として深さの異なる切欠円からなる切欠き部
（24）を形成したときのNSベクトルビーム移動量を破線
（25）で、またNSベクトルビーム移動量のＹ軸方向成分
とＸ軸方向成分の比を実線（26）で示す。 （Ａ）図に示すように、13吋カラー受像管の場合は、
α＝0.28としたとき、NSベクトルビーム移動量のＹ軸方
向成分とＸ軸方向成分の比がほぼ１となり、画面四隅部
で測定したNSベクトルビーム移動量の平均値が点（27）
で示すように24.1μｍとなった。 また、（Ｂ）図に示すように、15吋カラー受像管の場
合は、α＝0.54としたとき、NSベクトルビーム移動量の
Ｙ軸方向成分とＸ軸方向成分の比がほぼ１となり、画面
四隅部でのNSベクトルビーム移動量の平均値が点（27）
で示すように29.4μｍ、また、（Ｃ）図に示すように、
12吋カラー受像管の場合は、α＝0.42としたとき、NSベ
クトルビーム移動量のＹ軸方向成分とＸ軸方向成分の比
がほぼ１となり、画面四隅部でのNSベクトルビーム移動
量の平均値が点（27）で示すように13.9μｍとなった。 なお、第４図（Ａ）ないし（Ｃ）図に、上記画面（1
1）四隅部におけるNSベクトルビーム移動量を従来のカ
ラー受像管のNSベクトルビーム移動量とともに矢印（28
a）〜（28d）で示した。 上記のように13吋、15吋、12吋の各カラー受像管にお
いて、それぞれα＝0.28、0.54、0.42としたとき、NSベ
クトルビーム移動量のＹ軸方向成分とＸ軸方向成分の比
がほぼ１となり、画面（11）四隅部におけるNSベクトル
ビーム移動量の平均値がそれぞれ24.1μｍ、29.4μｍ、
13.9μｍであるということは、前記したそれぞれのビー
ム移動量の許容値25μｍ、30μｍ、15μｍにくらべて十
分に小さく、実際に色純度劣化におこさないことが確認
されている。 また、上記各カラー受像管の画面（11）四隅部におけ
るEWベクトルビーム移動量の平均値は、13吋カラー受像
管の場合、6.3μｍ、15吋カラ受像管の場合、8.3μｍ、
12吋カラー受像管の場合、7.1μｍであり、NSベクトル
ビーム移動量とEWベクトルビーム移動量の総和は、それ
ぞれ24.1μｍ＋6.3μｍ＝30.4μｍ（13吋カラー受像
管）、29.4μｍ＋8.3μｍ＝37.7μｍ（15吋カラー受像
管）、13.9μｍ＋7.1μｍ＝21.0μｍ（12吋カラー受像
管）となり、それぞれ前記第６図に示した従来の通常の
内部磁気シールドを有するカラー受像管の場合の37.3μ
ｍ、45.9μｍ、27.5μｍにくらべて、18.5％、17.9％、
27.5％向上しており、また、第９図に示した改良内部磁
気シールドを有するカラー受像管の場合の33.7μｍ、4
1.5μｍ、24.7μｍにくらべても、それぞれ9.5％、9.2
％、15.0％向上している。 なお、ビーム移動量の許容値が13吋カラー受像管の場
合、25μｍ、15吋カラー受像管の場合、30μｍ、12吋カ
ラー受像管の場合、15μｍであることから、上記第３図
（Ａ）ないし（Ｃ）図の破線（25）からわかるように、
色純度を劣化させない切欠き部（24）は、前記（１）式
を半径とする切欠円からなる切欠き部（24）を、α＝0.
25および0.60を限界として、この範囲で（１）式を満足
するように形成するとき、すべてのカラー受像管に適用
でき、地磁気によるビーム移動量を許容値以下におさえ
て、色純度劣化をおこさない所要のカラー受像管とする
そとができる。 〔考案の効果〕 断面がほぼ矩形状の内部磁気シールドを有するカラー
受像管において、その内部磁気シールドの長側面の電子
銃側開口端縁部に、α＝0.25〜0.60とし、かつ長側面の
電子銃側開口端縁を弦として ｛（αｈ）ｚ＋（l/2）ｚ｝/2αｈ を半径とする切欠円からなる切欠き部を形成すると、地
磁気に基づく電子ビームのビーム移動量を小さく、かつ
そのＸ軸方向成分およびＹ軸方向成分を均等化して、色
純度劣化をおこさないカラー受像管とすることができ
る。
【図面の簡単な説明】
第１図ないし第４図はこの考案の実施例説明図で、第１
図はディスプレイ用カラー受像管の構成を示す断面図、
第２図はその要部を示す斜視図、第３図（Ａ）ないし
（Ｃ）図はそれぞれ13吋、15吋、12吋ディスプレイ用カ
ラー受像管の内部磁気シールドの切欠き部とビーム移動
量およびそのY/X成分比との関係を示す図、第４図
（Ａ）ないし（Ｃ）図はそれぞれ13吋、15吋、12吋ディ
スプレイ用カラー受像管の画面四隅部におけるビーム移
動量を従来のカラー受像管のビーム移動量と比較して示
す図、第５図は従来のカラー受像管の構成を示す図、第
６図はその要部を示す斜視図、第７図は蛍光体ドットと
電子ビームのビームスポットとの関係を示す図、第８図
はベクトルビーム移動量の測定方法を説明するための
図、第９図は従来の改良された内部磁気シールドを有す
るカラー受像管の要部を示す図である。 （１）…外囲器、（２）…パネル （３）…蛍光面、（４）…シャドウマスク （５）…ファンネル、（６）…ネック部 （７）…電子銃、（21）…フレーム （22）…内部磁気シールド （23）…長側面、（24）…切欠き部 （25）…NSベクトルビーム移動量 （26）…NSベクトルビーム移動量のY/X成分比 （28a）〜（28d）…NSベクトルビーム移動量
図はディスプレイ用カラー受像管の構成を示す断面図、
第２図はその要部を示す斜視図、第３図（Ａ）ないし
（Ｃ）図はそれぞれ13吋、15吋、12吋ディスプレイ用カ
ラー受像管の内部磁気シールドの切欠き部とビーム移動
量およびそのY/X成分比との関係を示す図、第４図
（Ａ）ないし（Ｃ）図はそれぞれ13吋、15吋、12吋ディ
スプレイ用カラー受像管の画面四隅部におけるビーム移
動量を従来のカラー受像管のビーム移動量と比較して示
す図、第５図は従来のカラー受像管の構成を示す図、第
６図はその要部を示す斜視図、第７図は蛍光体ドットと
電子ビームのビームスポットとの関係を示す図、第８図
はベクトルビーム移動量の測定方法を説明するための
図、第９図は従来の改良された内部磁気シールドを有す
るカラー受像管の要部を示す図である。 （１）…外囲器、（２）…パネル （３）…蛍光面、（４）…シャドウマスク （５）…ファンネル、（６）…ネック部 （７）…電子銃、（21）…フレーム （22）…内部磁気シールド （23）…長側面、（24）…切欠き部 （25）…NSベクトルビーム移動量 （26）…NSベクトルビーム移動量のY/X成分比 （28a）〜（28d）…NSベクトルビーム移動量
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 昭62−296335（ＪＰ，Ａ)
特開 昭58−166625（ＪＰ，Ａ)
実開 昭60−94760（ＪＰ，Ｕ)
(58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名)
H01J 29/02
Claims (1)
- (57)【実用新案登録請求の範囲】 １．外囲器内側に蛍光面に向って電子ビームを放出する
電子銃およびこの電子銃から放出された電子ビームを外
部磁界から遮蔽する断面ほぼ矩形状の内部磁気シールド
を管軸方向に沿って有するカラー受像管において、 上記内部磁気シールドの長側面の電子銃側開口端縁部の
みに切欠き部を設け、この切欠き部が上記長側面の電子
銃側開口端縁の長さをｌ、上記長側面の沿面高さをｈと
し、かつαを0.25〜0.06とし、上記長側面の電子銃側開
口端縁を弦として ｛（αｈ）２＋（l/2）２｝/2αｈ を半径とする切欠円からなるとともに、 上記内部磁気シールドの上記管軸方向に直交する任意の
一断面における上記垂直軸（Ｙ軸）方向の幅がコーナー
部から上記垂直軸（Ｙ軸）にかけて一定であることを特
徴とするカラー受像管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987111921U JP2591474Y2 (ja) | 1986-08-14 | 1987-07-23 | カラー受像管 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61-124030 | 1986-08-14 | ||
| JP12403086 | 1986-08-14 | ||
| JP1987111921U JP2591474Y2 (ja) | 1986-08-14 | 1987-07-23 | カラー受像管 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63108151U JPS63108151U (ja) | 1988-07-12 |
| JP2591474Y2 true JP2591474Y2 (ja) | 1999-03-03 |
Family
ID=33161349
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1987111921U Expired - Lifetime JP2591474Y2 (ja) | 1986-08-14 | 1987-07-23 | カラー受像管 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2591474Y2 (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58166625A (ja) * | 1982-03-29 | 1983-10-01 | Toshiba Corp | カラ−受像管 |
| JPS6094760U (ja) * | 1983-12-05 | 1985-06-28 | 株式会社東芝 | カラ−受像管 |
| JPS62296335A (ja) * | 1986-06-16 | 1987-12-23 | Nec Corp | カラ−受像管装置 |
-
1987
- 1987-07-23 JP JP1987111921U patent/JP2591474Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63108151U (ja) | 1988-07-12 |
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