JP2589408B2 - Developer composition for resist - Google Patents
Developer composition for resistInfo
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は新規なレジスト用現像液組成物、さらに詳し
くは、特にレジストパターンの微細部分において薄膜残
りやスカムのない良好なパターンを形成させることがで
き、かつ微細なスルホールの解像性を向上させるととも
に、レジストパターンの耐熱性を低下させることのない
実用的なレジスト用現像液組成物に関するものである。Description: FIELD OF THE INVENTION The present invention relates to a novel developing solution for a resist, and more particularly, to a good pattern having no thin film residue or scum especially in a fine portion of a resist pattern. The present invention relates to a practical resist developer composition which improves the resolution of fine through-holes and does not lower the heat resistance of a resist pattern.
従来の技術 従来、半導体集積回路素子、集積回路製造用マスク、
プリント配線板、印刷板などの製造において、下地基板
に対して例えばエッチングや拡散などの処理を施すに際
し、基板を選択的に保護する目的で、紫外線、Ｘ線、電
子線などの活性放射線に感応する材料、いわゆる感放射
線レジストを用いて基板上に被膜を形成し、次いで画像
露光現像して画像を形成しこれを保護膜とすることが行
われている。2. Description of the Related Art Conventionally, semiconductor integrated circuit devices, masks for manufacturing integrated circuits,
Sensitive to actinic radiation, such as ultraviolet rays, X-rays, and electron beams, for the purpose of selectively protecting the substrate when performing processing such as etching and diffusion on the underlying substrate in the manufacture of printed wiring boards and printed boards. In general, a film is formed on a substrate using a material to be processed, that is, a radiation-sensitive resist, and is then subjected to image exposure and development to form an image, which is used as a protective film.
このレジストにはポジ型とネガ型とがあり、前者は活
性放射線の照射部が現像液に溶解し、非照射部が溶解し
ないタイプであり、後者はこれとは逆のタイプである。This resist is classified into a positive type and a negative type. The former is a type in which an irradiated portion of actinic radiation is dissolved in a developer and the non-irradiated portion is not dissolved, and the latter is a reverse type.
ところで、従来レジストに対する現像液の１つとして
アルカリ性水溶液が多く用いられているが、半導体素子
を製造する場合には現像液に金属イオンを含有するアル
カリ性水溶液を用いると、得られる半導体素子の特性に
悪影響を及ぼすため金属イオンを含まない現像液、例え
ばテトラメチルアンモニウムヒドロキシドや〔「アイビ
ーエム・テクニカル・ディスクロジャ・ビュレティン
（IBM Technical Disclosure Bulletin）」第３巻、第
７号、第2009ページ（1970年）〕、コリン（米特許第42
39661号明細書）などの水溶液が用いられている。Conventionally, an alkaline aqueous solution is often used as one of the developing solutions for resists. However, when a semiconductor device is manufactured, if an alkaline aqueous solution containing metal ions is used as the developing solution, the characteristics of the obtained semiconductor device may be reduced. Developers that do not contain metal ions due to adverse effects, such as tetramethylammonium hydroxide or [IBM Technical Disclosure Bulletin, Vol. 3, No. 7, page 2009 (1970) )], Choline (US Patent No. 42)
An aqueous solution such as that described in US Pat.
最近、半導体素子の集積化が進むに伴い、制御線幅は
１μｍ以下まで要求されるようになってきている。この
ような微細なパターン部、特に微細なコンタクトホール
の画像形成を行なう場合、前記の金属イオンを含まない
アルカリ性水溶液に界面活性剤を添加することで、濡れ
性を向上させたタイプの現像液（例えば特開昭62−3245
3号公報）が用いられているが、このような現像液にお
いては、溶解すべきパターン部分にスカムや薄膜残りが
発生するのを免れず、この現象は微細パターンの形成に
おいては無視できない大きな問題となっている。このよ
うな好ましくない現象を回避するためにオーバー露光や
オーバー現像を行っても、きれいな画像は形成されな
い。Recently, as the integration of semiconductor elements progresses, the control line width is required to be 1 μm or less. In the case of forming an image of such a fine pattern portion, particularly a fine contact hole, a developer of the type having improved wettability by adding a surfactant to the above-mentioned alkaline aqueous solution containing no metal ion ( For example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 62-3245
No. 3) is used, but in such a developing solution, scum and a thin film residue are unavoidably generated in a pattern portion to be dissolved, and this phenomenon is a serious problem that cannot be ignored in forming a fine pattern. It has become. Even if overexposure or overdevelopment is performed to avoid such an undesirable phenomenon, a clear image is not formed.
通常、スカムや薄膜残りを除去するために、現像後に
酸素プラズマやスパッタリングなどで軽く処理すること
が行なわれている。しかしながら、この場合、レジスト
形状が劣化したり、パターン形状が悪くなるなど、好ま
しくない事態を招来し、特に酸素プラズマ処理では、そ
の制御が困難である上、１μｍ近辺のコンタクトホール
などのパターン部においては酸素プラズマ処理の均一性
が低く、円滑にスカムなどが除去されにくいなどの問題
がある。Usually, in order to remove scum and thin film residue, light treatment is performed after development with oxygen plasma or sputtering. However, in this case, unfavorable situations such as deterioration of the resist shape and deterioration of the pattern shape are caused. Particularly, in the oxygen plasma treatment, the control is difficult, and in the pattern portion such as the contact hole near 1 μm. However, there is a problem that the uniformity of the oxygen plasma treatment is low, and it is difficult to remove scum or the like smoothly.
また、スカムや薄膜残りをなくすために、非イオン性
の界面活性剤を現像液に添加する方法も知られている
が、（特開昭63−25650号公報）、この方法において
は、スカムや薄膜残りのある程度改善できるものの、レ
ジストの耐熱性が低下する傾向があり、現像処理後の加
熱処理時にレジスト形状の劣化が生じやすくなるなどの
欠点がある。A method of adding a nonionic surfactant to a developer to eliminate scum and thin film residue is also known (Japanese Patent Application Laid-Open No. 63-25650). Although the remainder of the thin film can be improved to some extent, there are drawbacks in that the heat resistance of the resist tends to decrease, and the shape of the resist tends to deteriorate during heat treatment after development.
発明が解決しようとする課題 本発明は、このような事情のもとで、１μｍ以下の微
細パターンの形成や微細なコンタクトホールの形成にお
いて、現像処理後にスカムや薄膜残りのない良好なパタ
ーンを形成するとともに、パターン形成後の加熱処理時
の耐熱性の低下を生じさせることのない金属イオンを含
まない有機塩基を主剤とするレジスタ用現像液組成物を
提供することを目的としてなされたものである。SUMMARY OF THE INVENTION Under such circumstances, the present invention forms a fine pattern having no scum or thin film residue after a development process in forming a fine pattern of 1 μm or less or forming a fine contact hole. The object of the present invention is to provide a resist developer composition mainly containing an organic base containing no metal ion without causing a decrease in heat resistance during heat treatment after pattern formation. .
課題を解決するための手段 本発明者らは、前記の好ましい性質を有するレジスト
用現像液組成物を開発すべく鋭意研究を重ねた結果、従
来の有機第四級アンモニウム塩基を主剤とするレジスト
用現像液に、特定の陰イオン性界面活性剤を所定の割合
で添加することにより、その目的を達成しうることを見
い出し、この知見に基づいて本発明を完成するに至っ
た。Means for Solving the Problems The present inventors have conducted intensive studies to develop a resist developer composition having the above preferable properties, and as a result, a conventional organic quaternary ammonium base-based resist It has been found that the object can be achieved by adding a specific anionic surfactant to the developer at a predetermined ratio, and the present invention has been completed based on this finding.
すなわち、本発明は、有機第四級アンモニウム塩基を
主剤とするレジスタ用現像液に、一般式 （式中のR1及びR2は少なくとも１つが炭素数５〜18の
アルキル基又はアルコキシ基で、残りが水素原子、炭素
数５〜18のアルキル基又はアルコキシ基であり、R3、R4
及びR5は少なくとも１つがスルホン酸アンモニウム基又
はスルホン酸置換アンモニウム基で、残りが水素原子、
スルホン酸アンモニウム基又はスルホン酸置換アンモニ
ウム基である） で表わされる陰イオン性界面活性剤の中から選ばれた少
なくとも１種を500〜50000ppmの割合で添加したことを
特徴とするレジスト用現像液組成物を提供するものであ
る。That is, the present invention relates to a developing solution for a register containing an organic quaternary ammonium base as a main component, a general formula (In the formula, at least one of R 1 and R 2 is an alkyl group or an alkoxy group having 5 to 18 carbon atoms, and the rest is a hydrogen atom, an alkyl group or an alkoxy group having 5 to 18 carbon atoms, and R 3 and R 4
And R 5 is at least one of a sulfonate ammonium group or a sulfonate-substituted ammonium group, and the remainder is a hydrogen atom,
And at least one selected from anionic surfactants represented by the following formulas: (a) ammonium sulfonate groups or sulfonate-substituted ammonium groups) in a proportion of 500 to 50,000 ppm. It provides things.
以下、本発明を詳細に説明する。Hereinafter, the present invention will be described in detail.
本発明組成物において、主剤として用いられる有機第
四級アンモニウム塩基は、低級アルキル基又は低級ヒド
ロキシアルキル基をもつ第四級アンモニウム塩基であっ
て、特に好ましいものは、テトラメチルアンモニウムヒ
ドロキシド及びトリメチル（２−ヒドロキシエチル）ア
ンモニウムヒドロキシドすなわちコリンである。この有
機第四級アンモニウム塩基は、単独で用いてもよいし、
２種以上を組み合わせて用いてもよい。In the composition of the present invention, the organic quaternary ammonium base used as the main agent is a quaternary ammonium base having a lower alkyl group or a lower hydroxyalkyl group, and particularly preferred are tetramethylammonium hydroxide and trimethyl ( 2-hydroxyethyl) ammonium hydroxide or choline. This organic quaternary ammonium base may be used alone,
Two or more kinds may be used in combination.
本発明で用いるレジスト用現像液には、前記の有機第
四級アンモニウム塩基とともに、所望に応じ従来レジス
ト用現像液に慣用されている添加成分、例えば湿潤剤、
安定剤、溶解助剤のほかに、レジスト膜の露光部と非露
光部との溶解選択性を改善するめの陽イオン性界面活性
剤などを添加することができる。これらの添加成分はそ
れぞれ単独で添加してもよいし、２種以上組み合わせて
添加してもよい。The resist developer used in the present invention, together with the organic quaternary ammonium base, if necessary, additional components conventionally used in conventional resist developers, for example, wetting agents,
In addition to the stabilizer and the dissolution aid, a cationic surfactant for improving the dissolution selectivity between the exposed part and the non-exposed part of the resist film can be added. These additional components may be added alone or in combination of two or more.
本発明において、前記レジスト用現像液に添加される
陰イオン性界面活性剤は、一般式 （式中のR1、R2、R3、R4及びR5は前記と同じ意味をも
つ） で表わされるジフェニルエーテル誘導体の中から選ばれ
る。In the present invention, the anionic surfactant to be added to the resist developing solution has a general formula (Wherein R 1 , R 2 , R 3 , R 4 and R 5 have the same meaning as described above).
前記一般式（Ｉ）におけるR3、R4及びR5は、その中の
少なくとも１つがスルホン酸アンモニウム基又はスルホ
ン酸置換アンモニウム基であって、該スルホン酸置換ア
ンモニウム基はモノ置換、ジ置換、トリ置換及びテトラ
置換アンモニウム基のいずれであってもよく、置換基と
しては、例えば−CH3、−C2H5、−CH2OH、−C2H4OHなど
が挙げられる。また、多置換アンモニウム基の場合は、
置換基は同じものであってもよいし、異なるものであっ
てもよい。In formula (I), at least one of R 3 , R 4 and R 5 is an ammonium sulfonate group or a sulfonate-substituted ammonium group, and the sulfonate-substituted ammonium group is mono-substituted, di-substituted, may be any of trisubstituted and tetrasubstituted ammonium group, examples of the substituent, for example -CH 3, -C 2 H 5, -CH 2 OH, and the like -C 2 H 4 OH. In the case of a polysubstituted ammonium group,
The substituents may be the same or different.
前記一般式（Ｉ）で表わされる陰イオン性界面活性剤
の具体例としてはアルキルジフェニルエーテルスルホン
酸アンモニウム、アルキルジフェニルエーテルスルホン
酸テトラメチルアンモニウム、アルキルジフェニルエー
テルスルホン酸トリメチルエタノールアンモニウム、ア
ルキルジフェニルエーテルスルホン酸トリエチルアンモ
ニウム、アルキルジフェニルエーテルジスルホン酸アン
モニウム、アルキルジフェニルエーテルジスルホン酸ジ
エタノールアンモニウム、アルキルジフェニルエーテル
ジスルホン酸テトラメチルアンモニウムなどが挙げられ
る。前記化合物におけるアルキル基は炭素数が５〜18の
ものであり、また、炭素数５〜18のアルコキシ基と置き
換えられてもよい。本発明で用いられる陰イオン性界面
活性剤は、もちろんこれらに限定されるものではなく、
また１種用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用い
てもよい。Specific examples of the anionic surfactant represented by the general formula (I) include ammonium alkyldiphenyl ether sulfonate, tetramethyl ammonium alkyl diphenyl ether sulfonate, trimethyl ethanol ammonium alkyl diphenyl ether sulfonate, triethyl ammonium alkyl diphenyl ether sulfonate, and alkyl Examples thereof include ammonium diphenyl ether disulfonate, diethanol ammonium alkyl diphenyl ether disulfonate, and tetramethyl ammonium alkyl diphenyl ether disulfonate. The alkyl group in the compound has 5 to 18 carbon atoms, and may be replaced with an alkoxy group having 5 to 18 carbon atoms. The anionic surfactant used in the present invention is, of course, not limited to these,
One type may be used or two or more types may be used in combination.
これらの陰イオン性界面活性剤の添加量は、有機第四
級アンモニウム塩基を主剤とするレジスト用現像液に対
し、500〜50,000ppm、好ましくは1000〜30,000ppmの範
囲で選ばれる。この量が500ppm未満では濡れ性の効果が
弱くて、解像性が低いし、50,000ppmを超えると活性放
射線の照射部と非照射部との溶解選択性が悪くなり、現
像後のレジスト形状が劣化しやすく、レジストの耐熱性
も低下する。The amount of these anionic surfactants to be added is selected in the range of 500 to 50,000 ppm, preferably 1000 to 30,000 ppm, based on the resist developing solution mainly containing an organic quaternary ammonium base. If the amount is less than 500 ppm, the wettability effect is weak and the resolution is low, and if it exceeds 50,000 ppm, the dissolution selectivity between the irradiated part and the non-irradiated part of the active radiation becomes poor, and the resist shape after development becomes poor. The resist tends to deteriorate, and the heat resistance of the resist also decreases.
本発明の現像液組成物が適用されるレジストについて
は、アルカリ性現像液で現像できるものであればよく、
特に制限されず、ポジ型タイプ、ネガ型タイプのいずれ
にも適用できる。The resist to which the developer composition of the present invention is applied may be any as long as it can be developed with an alkaline developer.
There is no particular limitation, and the present invention can be applied to both positive type and negative type.
発明の効果 本発明のレジスト用現像液組成物は、特定の陰イオン
性界面活性剤を有機塩基を主剤とする現像液に添加する
ことにより、微細パターン部分に対する現像液の浸透性
を高め、かつその洗浄性及び溶解性により、スカムや薄
膜を基板上からほぼ完全に除去することができるととも
に、得られたレジストパターンの耐熱性を低下させるこ
とがないなど、優れた効果を奏する。Effect of the Invention The resist developer composition of the present invention, by adding a specific anionic surfactant to a developer containing an organic base as a main component, enhances the permeability of the developer to the fine pattern portion, and Due to the cleaning property and the solubility, the scum and the thin film can be almost completely removed from the substrate, and excellent effects such as not reducing the heat resistance of the obtained resist pattern can be obtained.
実施例 次に実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、
本発明はこれらの例によってなんら限定されるものでは
ない。Examples Next, the present invention will be described in more detail with reference to Examples.
The present invention is not limited in any way by these examples.
実施例１〜12、比較例1,2 現像液として、2.38重量％テトラメチルアンモニウム
ヒドロキシド水溶液に対して、別表に示す種々の陰イオ
ン性界面活性剤を、それぞれ1,000〜10,000ppmの範囲で
該表に示すとおり加えたものを準備した。Examples 1 to 12 and Comparative Examples 1 and 2 Various anionic surfactants shown in the attached table were added to a 2.38% by weight aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide as a developer in the range of 1,000 to 10,000 ppm, respectively. The additions were prepared as shown in the table.
スピンナーを用いて、４インチシリコンウエハー上
に、ノボラック樹脂とナフトキノンジアジド化合物を構
成成分として含むポジ型ホトレジストであるTSMR−V3
（東京応化工業社製、商品名）を膜厚1.3μｍになるよ
うに塗布して、ホットプレート上で90℃、90秒間プレベ
ークした。TSMR-V3, a positive photoresist containing novolak resin and a naphthoquinonediazide compound as constituents on a 4-inch silicon wafer using a spinner
(Trade name, manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) was applied to a thickness of 1.3 μm, and prebaked on a hot plate at 90 ° C. for 90 seconds.
次にNSR−1505G7E縮小投影型露光装置（ニコン社製）
を用い、テストチャートレチクルを介して露光し、ホッ
トプレート上で110℃で60秒間加熱処理したのち、静止
パドル型現像装置を用いて現像処理を行った。現像プロ
セスについては、前記のようにして調製した現像液を用
い、それぞれ23℃において65秒間静止パドル法現像を行
い、その後純水によりリンスを30秒間行ったのち乾燥し
た。Next, NSR-1505G7E reduction projection type exposure equipment (Nikon Corporation)
Was exposed through a test chart reticle, heated on a hot plate at 110 ° C. for 60 seconds, and then developed using a stationary paddle type developing device. In the developing process, using the developing solutions prepared as described above, each was subjected to a stationary paddle method development at 23 ° C. for 65 seconds, followed by rinsing with pure water for 30 seconds and then drying.
このようにして得られたウエハー上のパターンを観察
し、その結果を該表に示した。The pattern on the wafer thus obtained was observed, and the results are shown in the table.
なお、耐熱製は、ホットプレート上にて100℃で５分
間ベークしたのち、1.5μｍのライン・アンド・スペー
スパターンを観察し、断面形状の変化から評価を行っ
た。The heat-resistant product was baked on a hot plate at 100 ° C. for 5 minutes, then observed for a 1.5 μm line and space pattern, and evaluated based on a change in cross-sectional shape.
実施例13 ｍ−クレゾール/p−クレゾール重量比が6/4の混合ク
レゾールを用いて得られたクレゾールノボラック樹脂
（Mw＝8,000）100重量部とナフトキノン−1,2−ジアジ
ド−５−スルホン酸の2,3,4−トリヒドロキシベンゾフ
ェノンエステル15重量部とポリビニルメチルエーテル
（Mw＝100,000）25重量部とを、エチレングリコールモ
ノエチルエーテルアセテート250重量部に溶解し、孔径
3.0μｍのメンブレンフィルターを用いてろ過し、ホト
レジスト組成物を調製した。 Example 13 100 parts by weight of a cresol novolak resin (Mw = 8,000) obtained using a mixed cresol having a weight ratio of m-cresol / p-cresol of 6/4 and naphthoquinone-1,2-diazide-5-sulfonic acid 15 parts by weight of 2,3,4-trihydroxybenzophenone ester and 25 parts by weight of polyvinyl methyl ether (Mw = 100,000) are dissolved in 250 parts by weight of ethylene glycol monoethyl ether acetate,
The mixture was filtered using a 3.0 μm membrane filter to prepare a photoresist composition.
次に、このレジスト組成物を、スパッタ法によりシリ
コンウエハー上に厚さ１μｍのAu膜を設けた基材上に、
スピンナーを用いてレジスト膜厚が25μｍになるように
塗布して、90℃温風オーブン中で40分間プレベークし
た。Next, this resist composition was applied on a substrate having a 1 μm thick Au film provided on a silicon wafer by sputtering.
The solution was applied using a spinner so that the resist film thickness became 25 μm, and prebaked in a 90 ° C. hot air oven for 40 minutes.
次いで、ミラープロジェクション露光装置（ORC社
製、HMW−661B）を用い、バンプメッキテストチャート
マスクを介して40秒間露光した（ORC社製、UV照度計UV
−MO2、UV35センサーで照度17mW/cm2）現像液として、
2.75重量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶
液にドデシルジフェニルエーテルジスルホン酸アンモニ
ウム2.00重量％を加えたものを使用し、25℃にて150秒
間浸漬揺動現像を行い、その後、純水によるリンスを30
秒間行ったのち、乾燥した。Then, using a mirror projection exposure apparatus (manufactured by ORC, HMW-661B), exposure was performed for 40 seconds through a bump plating test chart mask (manufactured by ORC, UV illuminometer UV).
-MO2, as illuminance 17 mW / cm 2) developing solution UV35 sensor,
2.75% by weight of an aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide to which 2.00% by weight of ammonium dodecyldiphenyletherdisulfonate was added, subjected to immersion rocking development at 25 ° C. for 150 seconds, and then rinsed with pure water for 30 seconds
After drying for 2 seconds, it was dried.
このようにして得られたホトレジストパターンを観察
したところ、現像残渣は全くなく、かつ膜べりも極めて
少ないことが判明した。Observation of the thus-obtained photoresist pattern revealed that there was no development residue and very little film loss.
この基材を、市販されている非シアン系金メッキ浴
〔ニュートロニクス210、田中貴金属（株）製、商品
名〕において、60℃、１時間、電流密度0.4A/dm2の条件
で金メッキを行い、均一な25μｍ厚の金バンプパターン
が得られた。This substrate was subjected to gold plating in a commercially available non-cyanide gold plating bath (Neutronics 210, manufactured by Tanaka Kikinzoku Co., Ltd., trade name) at 60 ° C. for 1 hour at a current density of 0.4 A / dm 2. Thus, a uniform gold bump pattern having a thickness of 25 μm was obtained.
また、比較として、前記界面活性剤を含有しない現像
液を用いた場合、現像残渣や膜べりの影響で金メッキが
均一に形成されない現像が発生した。As a comparison, when a developer containing no surfactant was used, development occurred in which gold plating was not uniformly formed due to the effects of development residues and film loss.
実施例14 実施例13において、ポリビニルメチルエーテルの代り
に、メタクリル酸／メタクリル酸メチル／アクリル酸ブ
チルから成るアクリル共重合体（Mw60000）を用いた以
外は、実施例13と同様にして調製したレジスト組成物を
使用した場合も実施例13と同様に均一な金バンプメッキ
パターンが得られた。Example 14 A resist prepared in the same manner as in Example 13 except that an acrylic copolymer (Mw60000) composed of methacrylic acid / methyl methacrylate / butyl acrylate was used instead of polyvinyl methyl ether. Even when the composition was used, a uniform gold bump plating pattern was obtained as in Example 13.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭59−227495（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−120745（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−158552（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−174850（ＪＰ，Ａ) ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of front page (56) References JP-A-59-227495 (JP, A) JP-A-2-120745 (JP, A) JP-A-63-158552 (JP, A) JP-A-4- 174850 (JP, A)
Claims (1)
レジスト用現像液に、一般式 （式中のR1及びR2は少なくとも１つが炭素数５〜18のア
ルキル基又はアルコキシ基で、残りが水素原子、炭素数
５〜18のアルキル基又はアルコキシ基であり、R3、R4及
びR5は少なくとも１つがスルホン酸アンモニウム基又は
スルホン酸置換アンモニウム基で、残りが水素原子、ス
ルホン酸アンモニウム基又はスルホン酸置換アンモニウ
ム基である） で表わされる陰イオン性界面活性剤の中から選ばれた少
なくとも１種を500〜50,000ppmの割合で添加したことを
特徴とするレジスト用現像液組成物。1. A resist developing solution containing an organic quaternary ammonium base as a main component, a general formula: (In the formula, at least one of R 1 and R 2 is an alkyl group or an alkoxy group having 5 to 18 carbon atoms, and the rest is a hydrogen atom, an alkyl group or an alkoxy group having 5 to 18 carbon atoms, and R 3 and R 4 And R 5 is at least one of an ammonium sulfonate group or a sulfonate-substituted ammonium group, and the remainder is a hydrogen atom, an ammonium sulfonate group or a sulfonate-substituted ammonium group). A developer composition for resists, wherein at least one of the above is added at a ratio of 500 to 50,000 ppm.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2329489A JP2589408B2 (en) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | Developer composition for resist |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2329489A JP2589408B2 (en) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | Developer composition for resist |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04204454A JPH04204454A (en) | 1992-07-24 |
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| JP2329489A Expired - Lifetime JP2589408B2 (en) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | Developer composition for resist |
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| JP (1) | JP2589408B2 (en) |
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