JP2587614B2 - Semiconductor device - Google Patents

Semiconductor device

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JP2587614B2
JP2587614B2 JP60193608A JP19360885A JP2587614B2 JP 2587614 B2 JP2587614 B2 JP 2587614B2 JP 60193608 A JP60193608 A JP 60193608A JP 19360885 A JP19360885 A JP 19360885A JP 2587614 B2 JP2587614 B2 JP 2587614B2
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JP
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scribe
semiconductor device
chips
pattern
alignment
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JP60193608A
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稔雄 遠藤
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Seiko Epson Corp
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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体装置の製造に関するものであり、特
に半導体装置の縮小投影露光用のアライメント用パター
ンに関するものである。
Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to the manufacture of semiconductor devices, and more particularly to an alignment pattern for reduction projection exposure of a semiconductor device.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来の技術は、第4図の平面図に示したごとく半導体
装置(1)1個にアライメント用パターン(3)1個が
対応する形で配置されていた。このような場合、スクラ
イブ領域(2)は、ほとんど前記アライメント用パター
ンで占有されてしまい、たとえば前記半導体装置の電気
特性を測定する場合では、前記電気特性を測定する装置
がスクライブ領域を検出して半導体基板上にマトリクス
状に配置してある前記半導体装置のレイアウトをアライ
メントして自動的に測定を行なう時、従来の技術、第3
図のようにスクライブ領域が、アライメント用パターン
で占有されている事により検出されなくなり、測定不能
となることが発生する。
In the prior art, as shown in the plan view of FIG. 4, one alignment pattern (3) is arranged corresponding to one semiconductor device (1). In such a case, the scribe region (2) is almost occupied by the alignment pattern. For example, when measuring the electric characteristics of the semiconductor device, the device for measuring the electric characteristics detects the scribe region and When performing automatic measurement by aligning the layout of the semiconductor devices arranged in a matrix on a semiconductor substrate, a conventional technique,
As shown in the figure, since the scribe area is occupied by the alignment pattern, the scribe area is not detected, and the measurement becomes impossible.

また、前記半導体装置を製造する時にエッチングする
工程を経るわけであるが、このエッチング特に最近の微
細化加工ではプラズマエッチングを用いるわけである
が、エッチング時のエッチング終了の検出に、エッチン
グ装置内のプラズマガスの発する波長を検出している。
エッチングが進行している時は、エッチング除去される
材料の反応生成物の発する波長は多く発せられるが、エ
ッチング除去されるべき材料のエッチングが終了すると
反応生成物の発する波長は減少する。この波長の減少度
合を検出したエッチングの終了を検出するにおいて、エ
ッチングされるべき材料の面積において、スクライブ領
域が占める面積が多い時、このスクライブ領域にアライ
メント用パターンを配置するとこのエッチング終了の検
出において、反応生成物の発する波長の絶対量が少なく
なり、正確に検出できなくなり、エッチング過多となり
不良品を製造してしまう原因となる。
In addition, an etching process is performed when manufacturing the semiconductor device. In this etching, particularly in recent microfabrication, plasma etching is used. The wavelength emitted by the plasma gas is detected.
When etching is in progress, the wavelength of the reaction product of the material to be etched and removed is large, but the wavelength of the reaction product is reduced when the etching of the material to be removed is completed. In detecting the end of etching by detecting the degree of decrease in the wavelength, in the area of the material to be etched, when the area occupied by the scribe region is large, if an alignment pattern is arranged in the scribe region, the detection of the end of etching In addition, the absolute amount of the wavelength generated by the reaction product is reduced, and the wavelength cannot be accurately detected, resulting in excessive etching and the production of a defective product.

さらに、スクライブ領域に、半導体装置の電気的特性
をチェックするモニター素子パターン、アライメント精
度を測定するパターン、寸法精度を測定するパターン等
のテストパターンを入れる場合においてスクライブ領域
がアライメント用パターンで占有されているわけであ
り、半導体装置の特性を作り込み評価するに必要なパタ
ーンを十分に配置することができなく、性能の良い半導
体装置の製造が不能となる。
Furthermore, when a test pattern such as a monitor element pattern for checking the electrical characteristics of the semiconductor device, a pattern for measuring the alignment accuracy, and a pattern for measuring the dimensional accuracy is put in the scribe area, the scribe area is occupied by the alignment pattern. Therefore, it is not possible to sufficiently arrange patterns necessary for producing and evaluating the characteristics of the semiconductor device, and it becomes impossible to manufacture a semiconductor device with good performance.

また、半導体装置の大きさが小さくなると、その半導
体装置を製造するに必要なアライメント用パターンの方
が大きくなってしまい、配置できなくなる。
Further, when the size of the semiconductor device is reduced, the size of the alignment pattern necessary for manufacturing the semiconductor device becomes larger, and the semiconductor device cannot be arranged.

〔発明が解決しようとする問題点及び目的〕[Problems and objects to be solved by the invention]

本発明が解決しようとする問題点は、前記従来の技術
の項で記したように、電気的特性を測定する装置のアラ
イメントを不能としないこと、エッチング終了の検出を
不能としないこと、スクライブ領域にアライメント用パ
ターン以外に半導体装置を作り込むのに必要な前記各種
パターン等を十分に配置すること、さらに、小さい半導
体装置にも十分対応できること等である。
The problems to be solved by the present invention are, as described in the section of the related art, that the alignment of the device for measuring the electrical characteristics is not disabled, the detection of the end of the etching is not disabled, and the scribe region is not disabled. That is, the various patterns and the like necessary for fabricating the semiconductor device in addition to the alignment pattern are sufficiently arranged, and further, it is possible to sufficiently cope with a small semiconductor device.

本発明の目的は、前記問題点の解決する事であり、い
かなる大きさの半導体装置にも対応できる有用な手段を
提供するものである。
An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems, and to provide a useful means capable of coping with a semiconductor device of any size.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving the problem]

本発明の半導体装置は、(a)基板上に設けられた行
方向及び列方向に延在する複数のスクライブラインによ
り個々分離されている複数のチップと、 (b)所定の列方向のスクライブラインと第1行方向ス
クライブラインとに接している第1、第2、第3及び第
4の前記チップに挟まれている前記第1行方向スクライ
ブライン上に連続して形成され、かつ、前記第1及び前
記第2のチップに挟まれている前記第1行方向スクライ
ブライン上に一端を有し、前記第3及び前記第4のチッ
プに挟まれている前記第1行方向スクライブライン上に
他端を有するアライメント用パターンと、(c)前記第
1から前記第4のチップに挟まれている前記第1行方向
スクライブラインを挟むように位置し、かつアライメン
ト用パターンを有しない第2行方向スクライブライン及
び第3行方向スクライブラインと、を有することを特徴
とする。
The semiconductor device of the present invention comprises: (a) a plurality of chips individually separated by a plurality of scribe lines provided on a substrate and extending in a row direction and a column direction; and (b) scribe lines in a predetermined column direction. And the first, second, third, and fourth chips that are in contact with the first scribe line in the first row direction are formed continuously on the first scribe line sandwiched between the chips, and One end on the first row direction scribe line sandwiched between the first and second chips, and another end on the first row direction scribe line sandwiched between the third and fourth chips. An alignment pattern having an end; and (c) a second row direction having no alignment pattern and sandwiching the first scribe line sandwiched between the first to fourth chips. A scribe line and a third line scribe line.

〔作 用〕(Operation)

本願発明によれば、近接する2個以上のチップについ
て1個のアライメント用パターンが設置されているの
で、スクライブ領域全体に占めるアライメント用パター
ンの割合を減少させることができる。
According to the present invention, since one alignment pattern is provided for two or more adjacent chips, the ratio of the alignment pattern in the entire scribe area can be reduced.

〔実施例1〕 第1図に近接する4個の半導体装置に1個のアライメ
ント用パターン3をスクライブ領域に配置した時の平面
図を示した。この結果スクライブ領域に占めるアライメ
ント用パターンの占有率は4分の1になった。
Example 1 A plan view when one alignment pattern 3 was arranged in a scribe region in four semiconductor devices close to FIG. 1 was shown. As a result, the occupation ratio of the alignment pattern in the scribe area was reduced to one fourth.

〔実施例2〕 第2図にY方向のスクライブ領域における例の平面図
を示す。この例は5:1縮小投影型露光装置でダイバイダ
イアライメント用パターンをY方向スクライブ領域に配
置する必要がある装置である。このようにすることによ
りY方向のスクライブ領域に占めるアライメント用パタ
ーンの割合はやはり4分の1になった。
Embodiment 2 FIG. 2 shows a plan view of an example in a scribe area in the Y direction. This example is a 5: 1 reduction projection type exposure apparatus which needs to arrange a die-by-die alignment pattern in a Y-direction scribe area. By doing so, the ratio of the alignment pattern occupying the scribe area in the Y direction also became 1/4.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

本発明は実施例1,実施例2で示したごとく、スクライ
ブ領域に配置するアライメント用パターンの個数を、半
導体装置を近接する2個以上に1個とすることにより2
分の1、4分の1というように大幅に減少させることが
できた。この事により、スクライブ領域におけるアライ
メント用パターンの占有面積が即減りこのために、スク
ライブ領域に、半導体装置の電気的特性をチェックする
モニター素子パターン、アライメント精度を測定するパ
ターン、寸法精度を測定するパターン等のテストパター
ンを十分に配置できるようになった。さらに、スクライ
ブ領域の検出が容易となり電気的特性の自動測定が可能
となる、エッチング工程においてエッチングの検出が正
確に出来る、小さい半導体装置にも十分に対応できるな
ど、前記解決しようとする問題点すべてに対して大きな
効果を発揮できた。
According to the present invention, as shown in the first and second embodiments, the number of alignment patterns to be arranged in the scribe area is reduced to one for two or more adjacent semiconductor devices.
It could be greatly reduced by a factor of 1/4. As a result, the area occupied by the alignment pattern in the scribe area is immediately reduced. For this reason, the monitor element pattern for checking the electrical characteristics of the semiconductor device, the pattern for measuring the alignment precision, and the pattern for measuring the dimensional precision are provided in the scribe area. Etc. can be arranged sufficiently. Further, all the problems to be solved, such as easy detection of the scribe region and automatic measurement of the electrical characteristics, accurate detection of the etching in the etching process, and sufficient support for a small semiconductor device. Has a great effect on

また、使用する製造装置(アライナー)毎に、アライ
メント精度を最良にできるスクライブ領域内の箇所に配
置しアライメント精度の向上をはかることができた。
In addition, for each manufacturing apparatus (aligner) to be used, it is arranged at a position in the scribe area where the alignment accuracy can be optimized, so that the alignment accuracy can be improved.

以上のごとく、本発明の効果は使用する装置の影響は
何らうけるものではなく、その装置の性能を十分に引き
出すものである。また、エッチングにおける特性も向上
し性能の良い半導体装置製造が可能となった。また、歩
留りも向上するものである。さらには電気的特性、アラ
イメント精度、寸法精度を十分に測定することが可能と
なりこれにより半導体装置の性能向上信頼性向上がはか
られた。
As described above, the effect of the present invention is not influenced by the device used, but is to bring out the performance of the device sufficiently. In addition, the characteristics in etching have been improved, and it has become possible to manufacture a semiconductor device having good performance. Also, the yield is improved. In addition, the electrical characteristics, alignment accuracy, and dimensional accuracy can be sufficiently measured, thereby improving the performance and reliability of the semiconductor device.

また、本発明の手法により、半導体装置の大きさが、
必要となるアライメント用パターンの大きさより小さい
場合、従来ならば製造は不可能であったが、これも可能
となり、本発明は半導体装置の大きさの影響を全く受け
ないものである。
Further, according to the method of the present invention, the size of the semiconductor device is
If the size is smaller than the required size of the alignment pattern, it has not been possible to manufacture the device in the past, but this is also possible, and the present invention is completely unaffected by the size of the semiconductor device.

さらに、本発明によると、スクライブ領域に配置され
る各種パターンは減少することとなり、この結果として
スクライブ領域の中で何らパターンがない領域が増加す
ることとなる。この事によりこのスクライブ領域の断面
構造は半導体装置の長期信頼性を得る事のできる構造を
より忠実に守ることとなり信頼性は増す事となった。
Further, according to the present invention, various patterns arranged in the scribe area are reduced, and as a result, an area in the scribe area having no pattern is increased. As a result, the cross-sectional structure of the scribe region adheres more faithfully to the structure capable of obtaining the long-term reliability of the semiconductor device, and the reliability increases.

本発明の効果は、大きさの異なる半導体装置を製造す
る時においても有用な技術となる。また、アライメント
用パターンを標準化することにより設計の効率も大幅に
向上するものとなる等、本発明の効果は広範囲にわたり
得ることのできる非常に有効なものである。
The effect of the present invention is a useful technique even when manufacturing semiconductor devices having different sizes. In addition, the standardization of the alignment pattern greatly improves the efficiency of design. For example, the effects of the present invention can be obtained over a wide range and are very effective.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図は本発明による実施例1の平面図。 第2図は本発明による実施例2の平面図。 第3図は従来技術の平面図。 1……半導体装置、2……スクライブ領域 3……アライメント用パターン 4……電気的特性測定用パターン 5……寸法精度測定パターン 6……アライメント精度測定パターン FIG. 1 is a plan view of a first embodiment according to the present invention. FIG. 2 is a plan view of a second embodiment according to the present invention. FIG. 3 is a plan view of the prior art. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Semiconductor device 2 ... Scribe area 3 ... Alignment pattern 4 ... Electrical characteristic measurement pattern 5 ... Dimensional accuracy measurement pattern 6 ... Alignment accuracy measurement pattern

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】(a)基板上に設けられた行方向及び列方
向に延在する複数のスクライブラインにより個々分離さ
れている複数のチップと、 (b)所定の列方向のスクライブラインと第1行方向ス
クライブラインとに接している第1、第2、第3及び第
4の前記チップに挟まれている前記第1行方向スクライ
ブライン上に連続して形成され、かつ、前記第1及び前
記第2のチップに挟まれている前記第1行方向スクライ
ブライン上に一端を有し、前記第3及び前記第4のチッ
プに挟まれている前記第1行方向スクライブライン上に
他端を有するアライメント用パターンと、 (c)前記第1から前記第4のチップに挟まれている前
記第1行方向スクライブラインを挟むように位置し、か
つアライメント用パターンを有しない第2行方向スクラ
イブライン及び第3行方向スクライブラインと、 を有する半導体装置。
(A) a plurality of chips provided on a substrate and separated by a plurality of scribe lines extending in a row direction and a column direction; and (b) a plurality of scribe lines in a predetermined column direction. The first, second, third, and fourth chips that are in contact with a one-row scribe line are formed continuously on the first scribe line sandwiched between the chips, and One end is located on the first row scribe line sandwiched between the second chips, and the other end is located on the first row scribe line sandwiched between the third and fourth chips. (C) a second row direction scriber that is located so as to sandwich the first row direction scribe line sandwiched between the first to fourth chips and does not have an alignment pattern. A semiconductor device having a line and third row direction scribe line, the.
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