JP2579912B2 - Charged particle generator - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は荷電粒子発生装置に関し、特に固体電子線発
生装置を用いた荷電粒子発生装置に関する。The present invention relates to a charged particle generator, and more particularly to a charged particle generator using a solid-state electron beam generator.
従来独立に制御できる複数の線源を有する荷電粒子発
生装置として、例えば米国特許第4,155,093号のような
放電を用いたイオン発生器、あるいは電子透過記録管
（Thin Film Penetraion Printing Tube）等の陰極線管
等が知られている。Conventionally, as a charged particle generator having a plurality of independently controllable radiation sources, for example, an ion generator using a discharge as disclosed in US Pat. No. 4,155,093, or a cathode ray tube such as an electron transmission recording tube (Thin Film Penetraion Printing Tube) Etc. are known.
しかしながらこれらの装置は荷電粒子線源として高精
細なものを得ることが困難であった。However, it has been difficult for these devices to obtain a high-definition charged particle beam source.
一方固体電子線発生装置として、半導体中に形成され
た異種接合に電界を印加して半導体表面から外部に電子
ビームを放射させる装置が知られている。On the other hand, as a solid-state electron beam generator, a device that applies an electric field to a heterogeneous junction formed in a semiconductor to emit an electron beam from the semiconductor surface to the outside is known.
例えば特公昭54-30274号公報には、AlPとGaPの混晶に
形成したn-p接合に順方向電圧を印加してｐ型領域の表
面から電子を放出させる装置が開示されている。特開昭
54-111272号公報（または米国特許4,259,678号）および
特開昭56-15529号公報（または米国特許4,303,930号）
に半導体表面の絶縁層に設けた開口内のp-n接合には逆
方向電圧を印加して電子線を取出す固体電子線発生装置
が開示され、またこれら特開昭54-111272号公報、特開
昭56-15529号公報にはそれぞれ半導体基板上に集積され
た電子ビーム発生装置が開示されている。また特開昭57
-38528号公報には、p-n接合に順方向バイアス電圧をか
けて表面から電子を放出させる素子を半導体基板上に集
積させたマルチ冷電子放出陰極が開示されている。For example, Japanese Patent Publication No. 54-30274 discloses a device in which electrons are emitted from the surface of a p-type region by applying a forward voltage to an np junction formed of a mixed crystal of AlP and GaP. JP
No. 54-111272 (or US Pat. No. 4,259,678) and JP-A-56-15529 (or US Pat. No. 4,303,930)
A solid-state electron beam generator for applying a reverse voltage to a pn junction in an opening provided in an insulating layer on a semiconductor surface to extract an electron beam is disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 54-111272 and 54-111272. JP-A-56-15529 discloses electron beam generators each integrated on a semiconductor substrate. In addition,
JP-38528 discloses a multi-cold electron emission cathode in which an element for emitting electrons from the surface by applying a forward bias voltage to a pn junction is integrated on a semiconductor substrate.
このような固体電子線発生源は半導体プロセスが使用
可能なため非常に高精細な荷電粒子発生装置を得る可能
性がある。Since such a solid-state electron beam source can be used in a semiconductor process, there is a possibility that a very high-definition charged particle generator can be obtained.
しかしながら、このような固体電子線発生源で大面積
あるいは長尺のものを得ることは困難であり、複数配列
する場合はその継目が問題となる。However, it is difficult to obtain a large-area or long-sized one using such a solid-state electron beam generating source.
本発明は上述した従来の欠点を解消し、荷電粒子の出
射部を任意のパターンに配列することができ、かつ長尺
化の可能な荷電粒子発生装置を提供することを目的とす
る。SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a charged particle generation apparatus which solves the above-mentioned conventional drawbacks, and in which the emission portions of charged particles can be arranged in an arbitrary pattern and can be made longer.
このような目的を達成するために、本発明の荷電粒子
発生装置は、複数の固体電子線源が配列されている基板
が複数個配設されている共通基板と、共通基板と対向し
て配設され、電子、イオン等の荷電粒子の出射部が所望
の配列となるように固体電子線源から発生した電子また
は電子によって生成した荷電粒子を偏向または吸引する
手段とを有し、固体電子線源が配列されている複数の基
板のそれぞれが複数の固体電子線源の配列方向と垂直方
向に互いにずれた位置に配列されていることを特徴とす
る。In order to achieve such an object, a charged particle generator according to the present invention is provided with a common substrate having a plurality of substrates on which a plurality of solid-state electron beam sources are arranged, and a common substrate opposed to the common substrate. Means for deflecting or attracting electrons generated from the solid-state electron beam source or charged particles generated by the electrons such that the emission portions of the charged particles such as electrons and ions have a desired arrangement. Each of the plurality of substrates on which the sources are arranged is arranged at a position deviated from each other in the direction perpendicular to the arrangement direction of the plurality of solid-state electron beam sources.
また本発明の荷電粒子発生装置は複数の固体電子線源
が配列されている基板と、基板と対向して配設された電
子透過窓を有する薄板と、固体電子線源から発生し電子
透過窓を透過した電子または電子によって生成された荷
電粒子を吸引，透過する部材とを有することを特徴とす
る。Further, the charged particle generator of the present invention comprises a substrate on which a plurality of solid-state electron beam sources are arranged, a thin plate having an electron transmission window disposed opposed to the substrate, and an electron transmission window generated from the solid-state electron beam source. And a member that attracts and transmits the electrons that have passed through or the charged particles generated by the electrons.
本発明によれば荷電粒子発生源に対向して荷電粒子を
偏向または吸引する手段を備えているので、出射された
荷電粒子は偏向または吸引される。そのために複数の固
体電子線源を配設して所望の配列の荷電粒子射出部を有
する荷電粒子発生装置を実現することができる。According to the present invention, since means for deflecting or attracting charged particles is provided facing the charged particle generation source, the emitted charged particles are deflected or attracted. Therefore, a plurality of solid-state electron beam sources can be provided to realize a charged particle generator having a charged particle emission unit in a desired arrangement.
第１図（Ａ），（Ｂ）に本発明の実施例を示す。同図
（Ａ）はそれぞれ複数の電子線源EBn,1,EBn-1,1,…,EB
1,1;EBn,2,EBn-2,2;EBn-1,3,EBn-2,3,…,EB1,3;EBn,4,
…,EB1,4が設けられている基板SU1,SU2,SU3,SU4を搭載
した共通基板BSの平面図である。以後各電子線源をEBn,
mとして参照する。第１図（Ａ）の例ではｎ＝1,2,3,4;m
＝1,2,3,4である。また電子線源EBn,mに対応する各部分
も参照符号n,mを付して参照することとする。第１図
（Ｂ）は共通基板BSに対向して設けられる加速電極AEの
平面図である。1A and 1B show an embodiment of the present invention. FIG. 3A shows a plurality of electron beam sources EBn, 1, EBn-1,1,.
1,1; EBn, 2, EBn-2,2; EBn-1,3, EBn-2,3,…, EB1,3; EBn, 4,
FIG. 9 is a plan view of a common board BS on which boards SU1, SU2, SU3, and SU4 provided with EB1 and EB4 are mounted. After that, each electron beam source is set to EBn,
referred to as m. In the example of FIG. 1A, n = 1, 2, 3, 4; m
= 1,2,3,4. In addition, each part corresponding to the electron beam source EBn, m is also referred to with a reference numeral n, m. FIG. 1B is a plan view of an acceleration electrode AE provided to face the common substrate BS.
第１図（Ａ），（Ｂ）の詳細な説明に先立って、まず
複数電子発生源EBを有する一枚の基板SUについて説明す
る。第２図（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）は本発明の荷電粒子
発生装置に用いうる電子線源の一例を示す図で、同図
（Ａ）は平面図、同図（Ｂ）および（Ｃ）はそれぞれ同
図（Ａ）のX-X線およびY-Y線に沿う断面図である。Prior to the detailed description of FIGS. 1A and 1B, one substrate SU having a plurality of electron sources EB will be described first. 2 (A), 2 (B) and 2 (C) are views showing an example of an electron beam source which can be used in the charged particle generator of the present invention. FIG. 2 (A) is a plan view, FIG. 2 (B) and FIG. (C) is a sectional view taken along line XX and YY of FIG.
図においてSUは電子線源の本体である基板であり、本
実施例ではｎ型のシリコン基板を用いた。EX1,EX2,EX3,
…はＸ方向の選択を行うＸ電極であり、各Ｘ電極EX1,EX
2,EX3,…は接点領域を介して高ドープｎ型領域HD1,HD2,
HD3,…とそれぞれ接続されている。また、EYはＹ電極
で、やはり接点領域を介して高ドープｐ形通路PPと接続
されており、Ｘ電極EX1,EX2,EX3,…とＹ電極EYとにより
マトリックスを構成している。基板SU上には絶縁層ILを
介して、引き出し電極PEが設けられ、電子線源EB1,EB2,
EB3,…を形成している。In the figure, SU is a substrate which is a main body of an electron beam source, and in this embodiment, an n-type silicon substrate is used. EX1, EX2, EX3,
… Are X electrodes for selecting in the X direction.
2, EX3, ... are highly doped n-type regions HD1, HD2,
HD3, ... respectively. EY is a Y electrode, which is also connected to the highly doped p-type channel PP via a contact area, and a matrix is constituted by the X electrodes EX1, EX2, EX3,... And the Y electrode EY. On the substrate SU, an extraction electrode PE is provided via an insulating layer IL, and the electron beam sources EB1, EB2,
EB3, ... are formed.
このように構成した複数の電子線源において、Ｘ電極
EX1,EX2,EX3,…とＹ電極EYとにアバランシェ増幅作用が
p-n接合部で生ずるような電圧を印加し、同時に引き出
し電極PEにある大きさの電圧を与えることにより、電子
線源EB1,EB2,EB3,…より電子が流出する。この時、Ｘ電
極EX1,EX2,EX3,…を適当に選択することにより任意の電
子線源より電子を取り出すことができる。In the plurality of electron beam sources configured as above, the X electrode
Avalanche amplification effect on EX1, EX2, EX3,… and Y electrode EY
By applying a voltage generated at the pn junction and simultaneously applying a certain voltage to the extraction electrode PE, electrons flow out of the electron beam sources EB1, EB2, EB3,. At this time, by appropriately selecting the X electrodes EX1, EX2, EX3,..., Electrons can be taken out from an arbitrary electron beam source.
第１図に戻り、同図（Ａ）において、EXn,1;EXn,2;EX
n,3;EXn,4はそれぞれ基板SU1,SU2,SU3,SU4上の電子線源
EBn,1;EBn,2;EBn,3;EBn,4の選択を行うためのＸ電極で
あり、EY1,EY2,EY3,EY4はそれぞれ基板SU1,SU2,SU3,SU4
のＹ方向電極である。PE1,1;PE2,1;PE1,2;…PE2,4はそ
れぞれ引き出し電極である。同図（Ｂ）において、AEn,
1;AEn-1,1;…AE1,4はそれぞれ加速電極AEに設けた穴で
あり、この穴から電子線が取り出される。Returning to FIG. 1, in FIG. 1A, EXn, 1; EXn, 2; EX
n, 3; EXn, 4 are the electron beam sources on the substrates SU1, SU2, SU3, SU4 respectively
EBn, 1; EBn, 2; EBn, 3; Xn electrodes for selecting EBn, 4; EY1, EY2, EY3, EY4 are substrates SU1, SU2, SU3, SU4, respectively.
In the Y direction. PE1,1; PE2,1; PE1,2;... PE2,4 are extraction electrodes. In FIG. 4B, AEn,
1; AEn-1, 1;... AE1, 4 are holes provided in the acceleration electrode AE, respectively, from which electron beams are extracted.
第１図（Ａ）に示すように基板SU1〜SU4を２列に配置
すると、一列に配置するより高密度に電子線を配設でき
る。しかしそうすると、電子線源は図示のＸ1およびＸ2
の２本の軸上に並ぶことになり、１本の軸上に等間隔に
配列したいという要請を満足することができない。そこ
で基板SU1〜SU4のそれぞれの引き出し電極をPE1,m,PE2,
m（ｍ＝1,2,3,4）のように２群に分割し、各引き出し電
極に印加する正の電位ＶPEn,mをＶPE1,1＜ＶPE2,1;V
PE1,2＞ＶPE2,2;VPE1,3＜ＶPE2,3;VPE1,4＞ＶPE2,4を満
足するように与えると、Ｘ1,X2軸上から出射する電子線
は軸Ｘ0の方向に偏向される。その結果加速電極AEの軸
Ｘ0上に一定間隔で設けた孔AEn,1ないしAE1,4から電子
線を取り出すことができるので、実効的に一直線上に配
列された多数の電子線源を得ることができる。またそれ
らの電子線源のうち所望のものを選択的に動作させるこ
とができる。When the substrates SU1 to SU4 are arranged in two rows as shown in FIG. 1A, electron beams can be arranged at a higher density than when they are arranged in one row. However, if so, the electron beam source will be at X 1 and X 2 as shown.
Are arranged on two axes, and it is not possible to satisfy the requirement to arrange them at equal intervals on one axis. Therefore, the lead electrodes of the substrates SU1 to SU4 are connected to PE1, m, PE2,
m (m = 1,2,3,4), and the positive potential V PEn, m applied to each lead electrode is V PE1,1 <V PE2,1 ; V
PE1,2 >VPE2,2; VPE1,3 <VPE2,3; When VPE1,4 > VPE2,4 is satisfied, the electron beam emitted from the X 1 and X 2 axes is It is deflected in the direction of X 0. It is possible to take out the electron beam from the holes AEn, 1 to AE1,4 provided at regular intervals on the axis X 0 and the resulting acceleration electrode AE, obtain multiple electron beam source arranged in effectively a straight line be able to. Further, a desired one of these electron beam sources can be selectively operated.
このように真空中において実効的に等間隔で長尺に配
設された電子線源を得ることができるが、電子線源の配
列は直線上等間隔というだけでなく、任意に配列が可能
である。In this way, it is possible to obtain an electron beam source that is disposed in a vacuum at an equal interval and effectively, but the arrangement of the electron beam sources can be arbitrarily arranged not only at a straight line but at equal intervals. is there.
また電子を薄板を介して大気中に導き、電子を空気に
衝突させて荷電粒子として陽イオンもしくは陰イオンの
線源を得ることもできる。In addition, electrons can be introduced into the atmosphere through a thin plate, and the electrons collide with air to obtain a positive ion or negative ion source as charged particles.
第３図（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）にその一例を示す。同
図（Ａ）は複数の電子線源EBn,mが配設された基板SU1〜
SU4を搭載した共通基板BSの平面図、同図（Ｂ）は共通
基板BSと対向して設けられる表面板FPの平面図、同図
（Ｃ）はイオンを取り出すための選択板GEの平面図であ
る。第３図（Ａ）における電子線EBn,mは引き出し電極P
E1ないしPE4が分割されていない点を除いて第１図
（Ａ）に示した例と同様である。3 (A), (B), and (C) show an example. FIG. 3A shows substrates SU1 to SU4 on which a plurality of electron beam sources EBn, m are disposed.
FIG. 4B is a plan view of a surface plate FP provided to face the common substrate BS, and FIG. 4C is a plan view of a selection plate GE for extracting ions. It is. The electron beam EBn, m in FIG.
This is the same as the example shown in FIG. 1A except that E1 to PE4 are not divided.
基板BSと表面板FPは所定の間隔で配置される。表面板
FP上には加速電極AEが設けられ、その各電子線源EBn,1
〜EB1,4に対応する部位は窒化ボロン（BN），炭化珪素
（SiC）などの電子透過性の部材によって電子窓Hn,1〜H
1,4が設けられている。電子窓Hn,1〜H1,4にアルミニウ
ムやチタンなどの金属薄膜を用いて加速電極と電子窓を
兼ねることも可能である。基板BSと表面板FPの間の空間
は電子を所望のエネルギーに加速するために真空とする
必要があるが、通常10-5〜10-9Torr程度の圧力が望まし
い。こうした圧力を維持できるように基板BSと表面板FP
を気密封止する。加速電極AEに所定の電圧を印加してお
くことにより、電子線源より流出した電子は、所望のエ
ネルギーまで加速され、表面板FPの電子窓を透過する。
例えば、電子窓として、１μｍ厚のSiCを用いた場合、
加速電圧AEに25KVを印加することにより、90％の電子を
装置外に取り出すことができる。電子窓Hn,1〜H1,4から
空気中に透過した電子は空気中の分子と衝突し、陽イオ
ンおよび陰イオンを形成する。表面板と対向して配設し
た選択板GE上の選択電極GXn,1〜GX1,4に電圧を印加する
ことにより片方の極性のイオンを電極上に設けた穴GHn,
1〜GH1,4から吸引，透過させる。第３図（Ｃ）に示すよ
うに穴GHn,1〜GH1,4が軸Ｘ0上に配列するように選択電
極GXn,1〜GX1,4配設すれば直線上に配設されたイオン源
を得ることができる。選択電極GXn,1〜GX1,4は同電位で
も良いが電子線源EBn,1〜EB1,4のうち動作したものに対
応した電極のみに電圧を印加するほうがイオンのクロス
トークがなく好ましい。The substrate BS and the face plate FP are arranged at a predetermined interval. Surface plate
An acceleration electrode AE is provided on the FP, and each electron beam source EBn, 1
The parts corresponding to ~ EB1,4 are electron windows Hn, 1 ~ H by electron-permeable members such as boron nitride (BN) and silicon carbide (SiC).
1,4 are provided. It is also possible to use a metal thin film such as aluminum or titanium for the electron windows Hn, 1 to H1,4 so as to serve as both the acceleration electrode and the electron window. The space between the substrate BS and the surface plate FP needs to be evacuated in order to accelerate electrons to a desired energy, but usually a pressure of about 10 -5 to 10 -9 Torr is desirable. Substrate BS and surface plate FP to maintain such pressure
Is hermetically sealed. By applying a predetermined voltage to the acceleration electrode AE, the electrons flowing out of the electron beam source are accelerated to a desired energy and pass through the electron window of the surface plate FP.
For example, when 1 μm thick SiC is used as an electronic window,
By applying 25 KV to the acceleration voltage AE, 90% of the electrons can be taken out of the device. The electrons transmitted through the electron windows Hn, 1 to H1,4 into the air collide with molecules in the air to form cations and anions. A hole GHn in which ions of one polarity are provided on the electrodes by applying a voltage to the selection electrodes GXn, 1 to GX1, 4 on the selection plate GE disposed opposite to the surface plate.
Suction and permeate from 1 to GH1,4. Figure 3 (C) are shown as well GHn, 1~GH1,4 selection electrodes so as to be arranged on the axis X 0 Gxn, an ion source disposed in a straight line if 1~GX1,4 arrangement Can be obtained. The selection electrodes GXn, 1 to GX1,4 may have the same potential, but it is preferable to apply a voltage only to the electrode corresponding to the operated one of the electron beam sources EBn, 1 to EB1,4 without ion crosstalk.
第４図に第３図の基板BS,表面板FPおよび選択板GEを
配置した斜視図を示す。FIG. 4 is a perspective view in which the substrate BS, the surface plate FP, and the selection plate GE of FIG. 3 are arranged.
第５図は陰イオンを試料Ｓに照射する方法を説明する
図である。各電子線源EBn,mに対して例えばトランジス
タからなるスイッチTRn,mが設けられており、制御端子C
Tn,mに信号パルスを印加することによって電子放出を制
御できる。引き出し電極PEに印加する電圧ＶPはコレク
タ電圧Vccより大きくしておく。ＶAは加速電極AEに加え
る加速電圧である。電子線源EBn,mからでた電子は引き
出し電極PEnによって引き出され、加速電極AEによって
加速されて電子窓Hn,mを通って大気中に取り出され、空
気と衝突してイオンを生成する。図示を省略した選択板
上の選択電極GXn,mに印加されている電圧ＶGのために、
負電荷の粒子、陰イオンおよび電子のみが接地されてい
る試料Ｓに到達する。第６図は陽イオンを試料に照射す
る場合の例で、選択電極GXn,mに電圧を印加する電圧ＶG
の極性が異なっている以外は第５図の場合と全く同様で
ある。FIG. 5 is a view for explaining a method of irradiating the sample S with anions. For each electron beam source EBn, m, for example, a switch TRn, m comprising a transistor is provided, and a control terminal C
Electron emission can be controlled by applying a signal pulse to Tn, m. Voltage V P to be applied to the extraction electrode PE is set larger than the collector voltage Vcc. VA is an acceleration voltage applied to the acceleration electrode AE. Electrons from the electron beam sources EBn, m are extracted by the extraction electrode PEn, accelerated by the acceleration electrode AE, extracted through the electron window Hn, m into the atmosphere, and collide with air to generate ions. Selection electrode GXn on selection plates, not shown, for a voltage V G which is applied to m,
Only negatively charged particles, anions and electrons arrive at the grounded sample S. FIG. 6 shows an example of irradiating a sample with cations, and a voltage V G for applying a voltage to the selection electrode GXn, m.
Are exactly the same as in the case of FIG.
以上説明したように、本発明によれば、複数の固体電
子線源を配設して所望の配列の荷電粒子射出部を有する
荷電粒子発生装置を実現することができる。As described above, according to the present invention, it is possible to realize a charged particle generator having a plurality of charged particle emission units having a desired arrangement by arranging a plurality of solid-state electron beam sources.
第１図（Ａ），（Ｂ）は本発明の実施例を示し、同図
（Ａ）は基板の平面図、同図（Ｂ）は加速電極の平面
図、 第２図（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）は本発明に用いる固体電
子線源の一例を示し、同図（Ａ）は平面図、同図
（Ｂ），（Ｃ）はそれぞれ同図（Ａ）におけるX-X線お
よびY-Y線に沿う断面図、 第３図（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）は本発明の他の実施例を
示し、同図（Ａ）は基板の平面図、同図（Ｂ）は表面板
の平面図、同図（Ｃ）は選択板の平面図、 第４図は第３図（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）に示した実施例
の斜視図、 第５図は負の荷電粒子を試料に照射する方法を説明する
図、 第６図は正の荷電粒子を試料に照射する方法を説明する
図である。 EB1,EB2,EB3,…EBn,m……電子線源、PE,PEn……引き出
し電極、AE……加速電極、SU,SUn……基板、BS……共通
基板、FP……表面板、GE……選択板、GXn,m……選択電
極。1 (A) and 1 (B) show an embodiment of the present invention, wherein FIG. 1 (A) is a plan view of a substrate, FIG. 1 (B) is a plan view of an accelerating electrode, and FIGS. 2B and 2C show an example of a solid-state electron beam source used in the present invention. FIG. 1A is a plan view, and FIGS. 1B and 1C are XX line and YY in FIG. 1A, respectively. 3 (A), 3 (B), and 3 (C) show another embodiment of the present invention. FIG. 3 (A) is a plan view of a substrate, and FIG. 3 (B) is a surface plate. 4 (C) is a plan view of the selection plate, FIG. 4 is a perspective view of the embodiment shown in FIGS. 3 (A), (B) and (C), and FIG. 5 is a negative charge. FIG. 6 is a diagram illustrating a method of irradiating the sample with particles, and FIG. 6 is a diagram illustrating a method of irradiating the sample with positively charged particles. EB1, EB2, EB3, EBn, m… electron beam source, PE, PEn… extraction electrode, AE… acceleration electrode, SU, SUn… substrate, BS… common substrate, FP… surface plate, GE …… Selection plate, GXn, m …… Selection electrode.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中村 憲司 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ ヤノン株式会社内 (72)発明者 上里 泰生 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ ヤノン株式会社内 (72)発明者 袴田 勲 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ ヤノン株式会社内 (56)参考文献 特開 昭57−187849（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−15529（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−98827（ＪＰ，Ａ) ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Kenji Nakamura 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo Inside Canon Inc. (72) Inventor Yasuo Kamisato 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo Inside Canon Inc. (72) Inventor Isao Hakamada 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo Canon Inc. (56) References JP-A-57-187849 (JP, A) JP-A-56-15529 ( JP, A) JP-A-56-98827 (JP, A)
Claims (2)
が複数個配設されている共通基板と、 該共通基板と対向して配設され、電子、イオン等の荷電
粒子の出射部が所望の配列となるように前記固体電子線
源から発生した電子または該電子によって生成した荷電
粒子を偏向または吸引する手段とを有し、 前記固体電子線源が配列されている複数の基板のそれぞ
れが前記複数の固体電子線源の配列方向と垂直方向に互
いにずれた位置に配列されていることを特徴とする荷電
粒子発生装置。1. A common substrate provided with a plurality of substrates on which a plurality of solid-state electron beam sources are arranged, and an emission portion for charged particles such as electrons and ions, which is provided to face the common substrate. Means for deflecting or attracting electrons generated from the solid-state electron beam source or charged particles generated by the electrons so as to have a desired arrangement, and a plurality of substrates on which the solid-state electron beam sources are arranged. A charged particle generator, wherein the plurality of solid-state electron beam sources are arranged at positions shifted from each other in a direction perpendicular to an arrangement direction of the plurality of solid-state electron beam sources.
する表面板を有し、該表面板は、前記共通基板と前記出
射部の間に、該共通基板と対向して配設され、 該表面板と該共通基板の間の領域が真空領域であり、該
表面板と該出射部の間の領域が気体を有する領域である
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の荷電粒
子発生装置。A surface plate having an electron window made of an electron transmitting member, wherein the surface plate is disposed between the common substrate and the emission portion so as to face the common substrate; The charged area according to claim 1, wherein a region between the surface plate and the common substrate is a vacuum region, and a region between the surface plate and the emission portion is a region having gas. Particle generator.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18273886A JP2579912B2 (en) | 1986-08-05 | 1986-08-05 | Charged particle generator |
Applications Claiming Priority (1)
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| JP18273886A JP2579912B2 (en) | 1986-08-05 | 1986-08-05 | Charged particle generator |
Publications (2)
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ID=16123573
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP18273886A Expired - Fee Related JP2579912B2 (en) | 1986-08-05 | 1986-08-05 | Charged particle generator |
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Families Citing this family (3)
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Family Cites Families (3)
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-
1986
- 1986-08-05 JP JP18273886A patent/JP2579912B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6340242A (en) | 1988-02-20 |
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