JP2563507Y2 - Semiconductor device - Google Patents
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- H10W74/00—
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- H10W90/726—
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本考案は、LOC型(リードフレ
ーム・オン・チップ)の半導体装置に係る、詳細には、
ボンディングワイヤのループを低く形成し、樹脂封止の
成形欠陥の発生を防止した半導体装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention relates to a LOC type (lead frame on chip) semiconductor device.
The present invention relates to a semiconductor device in which a loop of a bonding wire is formed low to prevent occurrence of a molding defect in resin sealing.
【0002】[0002]
【従来技術】近来、半導体装置は、半導体素子の高集積
化、大容量化に伴い半導体チップのサイズが大型化して
いるが、樹脂封止サイズは小さく抑え、実装密度を高め
る傾向にある。従って、この種の半導体装置は、特開昭
61−241959の公報に開示された、半導体チップ
の回路形成面上に多数本のリードが両面に接着材を備え
た電気的に絶縁する絶縁テープを介在させて熱圧着さ
れ、ボンディングワイヤの一端部が前記半導体チップの
電極端子パッドに連結され、他端部が前記リードに連結
されて電気的導通回路が形成されており、これらを樹脂
部材で封止したLOC(Lead on Chip)構
造のものが採用されている。2. Description of the Related Art In recent years, in semiconductor devices, the size of a semiconductor chip has been increasing with the increase in the degree of integration and capacity of semiconductor elements, but the resin sealing size has tended to be small and the mounting density has been increasing. Accordingly, this type of semiconductor device is disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 61-241959, in which an electrically insulating insulating tape having a large number of leads provided with adhesives on both surfaces is provided on a circuit forming surface of a semiconductor chip. One end of the bonding wire is connected to the electrode terminal pad of the semiconductor chip, and the other end is connected to the lead to form an electrical conduction circuit, and these are sealed with a resin member. has been adopted as of seals was LOC (Lead on Chip) structure.
【0003】この半導体装置によれば、半導体チップの
形状に規制されず半導体チップの電極端子パッドに前記
リードを自由に引き回せるので、サイズの大きな半導体
チップを封止することができる。しかし、この種の技術
においては、絶縁性テープを半導体チップの回路表面領
域に接着する際に、該半導体チップの回路表面領域を損
傷させるという問題や前記リードのワイヤボンディング
領域に圧着接続する際に、前記半導体チップの回路表面
領域に衝撃荷重や圧着荷重が加わり、前記半導体チップ
の回路表面領域を破損させるなどの問題を有していた。According to this semiconductor device, since the leads can be freely routed to the electrode terminal pads of the semiconductor chip without being restricted by the shape of the semiconductor chip, a large-sized semiconductor chip can be sealed. However, in this kind of technology, when the insulating tape is bonded to the circuit surface area of the semiconductor chip, there is a problem that the circuit surface area of the semiconductor chip is damaged, and when the insulating tape is crimped and connected to the wire bonding area of the lead. In addition, there has been a problem that an impact load or a compression load is applied to the circuit surface area of the semiconductor chip to damage the circuit surface area of the semiconductor chip.
【0004】そこで、上記の問題点を解消するために、
リードフレーム本体の複数のリード群が前記半導体チッ
プの回路表面領域面の上方に浮いた状態で配設するため
に、前記半導体チップを搭載した別体に構成された半導
体チップ搭載ケージを前記リードフレーム本体の下面側
に設けており、ボンディングワイヤを介在させて前記リ
ード群の一端部が前記半導体チップの電極端子パッドに
接続されて電気的導通回路が形成されており、これらの
半導体チップ及び前記リード群の一端部側をモールド樹
脂で封止された構造の半導体装置が提案されている。Therefore, in order to solve the above problems,
To disposed in a state in which a plurality of lead group of the lead frame body is lifted above the circuit surface area face of the semiconductor chip, the lead frame of the semiconductor chip mounting cage configured separately mounted with the semiconductor chip One end of the lead group is connected to an electrode terminal pad of the semiconductor chip with a bonding wire interposed therebetween to form an electrical conduction circuit, and the semiconductor chip and the lead are provided on the lower surface side of the main body. A semiconductor device having a structure in which one end side of a group is sealed with a mold resin has been proposed.
【0005】しかしながら、提案された従来技術の半導
体装置では、半導体チップの回路形成面上に浮いた状態
で共用リード(バスバーリード)を有する複数のリード
群を配設しているからワイヤボンディングの際に前記共
用リードを越えてワイヤボンディングするので、ワイヤ
ボンディングのループを高く形成する必要があり、ボン
ディングワイヤの使用量の増加や樹脂封止部の厚みが増
すなど経済性や構造上の問題があった。However, in the proposed prior art semiconductor device, a plurality of lead groups having a common lead (bus bar lead) are provided in a state of being floated on the circuit forming surface of the semiconductor chip, so that a wire bonding is required. wherein since the wire bonding over a shared lead, wire
It is necessary to form a high bonding loop, and there are economical and structural problems such as an increase in the amount of bonding wires used and an increase in the thickness of the resin sealing portion .
【0006】また、前記半導体チップの電極端子パッド
に接続される前記リード群の先端部が自由端となり、前
記リード群相互の寄りや浮き沈みが生じてワイヤボンデ
ィング位置が不安定となり、ワイヤボンディング作業の
効率を低下させるという問題があった。Further, the tip portion of the lead group connected to the semiconductor chip of the electrode terminal pad <br/> becomes a free end, before
Wire bonding position occurs more or ups and downs of the serial lead groups each other becomes unstable, there is a problem that reduces the efficiency of the wire bonding operation.
【0007】本考案の目的は、複数のリード群が半導体
チップの回路形成面上に離間した状態で配設された半導
体装置において、前記半導体チップと前記リード群を接
続して電気的導通回路を構成する際に用いるボンディン
グワイヤの流れ現象など成形欠陥を防ぎ半導体装置の長
期信頼性の優れた半導体装置を提供することにある。An object of the present invention is to provide a semiconductor device which is arranged in a state in which a plurality of lead groups are separated from each other on the circuit forming surface of the semiconductor chip, an electrical continuity circuit by connecting the lead groups and said semiconductor chip An object of the present invention is to provide a semiconductor device which prevents molding defects such as a flow phenomenon of a bonding wire used in the construction and has excellent long-term reliability of the semiconductor device.
【0008】他の目的は、リード群の先端部の寄りや浮
き沈みを防止し、ワイヤボンディング作業の効率化を図
り経済性を向上させた半導体装置を提供することにあ
る。Another object of the present invention is to provide a semiconductor device in which the leading end of a lead group is prevented from being shifted or raised and lowered, thereby improving the efficiency of wire bonding work and improving the economic efficiency.
【0009】上記の目的を達成する請求項1記載の半導
体装置は、半導体チップの回路形成面側にあって、該半
導体チップの電極端子の近傍に位置するように共用リー
ド(バスバーリード)を含む複数のリード群を配設した
リードフレーム本体と、該リードフレーム本体の下面に
あって、中央に前記リードフレーム本体と平行にダウン
セットした半導体チップ搭載部とこれに連接した屈曲部
を有する支持リードとを備えた導電性又は非導電性の部
材で別体に形成された半導体チップ搭載ケージと、該半
導体チップ搭載ケージに搭載され、内部表面領域に複数
の電極端子パッドを有する半導体チップと、一端部を前
記半導体チップの電極端子パッドに、他端部をこれに対
応する前記リードフレームの各リード及び前記バスバー
リードに接続して電気的導通回路を形成するボンディン
グワイヤと、前記リード群の一端部側、半導体チップ、
ボンディングワイヤ及び半導体チップ搭載ケージを樹脂
封止したモールド樹脂部とを具備して構成された半導体
装置において、前記共用リード(バスバーリード)の側
縁部に、半導体チップの電極端子パッドに対応する所要
数のワイヤボンディング用タブを設けると共に、前記共
用リード(バスバーリード)のワイヤボンディング用タ
ブ及び各リードの先端部のワイヤボンディング領域が露
出するように、共用リード及びリード群の上面側の一端
部側を一括連結した絶縁層を設けたことを特徴とするも
のである。According to a first aspect of the present invention, there is provided a semiconductor device including a common lead (bus bar lead) on a circuit forming surface side of a semiconductor chip and near an electrode terminal of the semiconductor chip. A support lead having a lead frame main body on which a plurality of lead groups are provided, a semiconductor chip mounting portion on the lower surface of the lead frame main body, and a down-set in the center parallel to the lead frame main body, and a bent portion connected to the semiconductor chip mounting portion Doo and the semiconductor chip mounting cage, which is formed separately from a conductive or non-conductive member provided with, is mounted on the semiconductor chip mounting cage, a semiconductor chip having a plurality of electrode terminal pad on the inner surface area, one end In front of the department
The other ends of the electrode terminal pads of the semiconductor chip and the corresponding leads of the lead frame and the bus bar
Bondin connecting to leads to form an electrical conduction circuit
Wire , one end side of the lead group, a semiconductor chip,
In the semiconductor device configured by including the bonding wires and the semiconductor chip molded resin portion mounted cage and the resin sealing, the side edge portions of the shared lead (bus bar leads), the required corresponding to the electrode terminal pads of the semiconductor chip A plurality of wire bonding tabs, and a wire bonding tab of the common lead (bus bar lead ) .
Lead and one end on the top side of the lead group so that the wire bonding area at the tip of each lead is exposed.
An insulating layer is provided in which the unit sides are collectively connected.
【0010】[0010]
【作用】請求項1記載の半導体装置においては、前記共
用リード(バスバーリード)の側縁部に半導体チップの
電極端子パッドに対応する所要数のワイヤボンディング
用タブを配設し、ワイヤボンディング用タブ及び各リー
ドの先端部のワイヤボンディング領域が露出するよう
に、前記共用リード(バスバーリード)及びリード群の
上面の所定の部分に、これらを一括連結する絶縁層を設
けた構造としているので、 従来、共用リードの所要部
分の絶縁層を除去してワイヤボンディング領域を露出し
ていたのに比べて、共用リードの所部分の絶縁層を除去
する必要がなくなり絶縁層を形成する作業が容易にな
る。In the semiconductor device according to the first aspect of the present invention, a required number of wire bonding tabs corresponding to the electrode terminal pads of the semiconductor chip are arranged on the side edges of the common lead (bus bar lead). In addition, the common lead (bus bar lead) and a predetermined portion on the upper surface of the lead group are provided with an insulating layer for connecting them collectively so that the wire bonding region at the tip of each lead is exposed. As compared with the case where the wire bonding region is exposed by removing the insulating layer of the required portion of the common lead, it is not necessary to remove the insulating layer of the portion of the common lead, and the work of forming the insulating layer becomes easier. .
【0011】 さらに、 半導体チップの電極端子パッド
と共用リードとの電気的な導通回路の形成がワイヤボン
ディング用タブを介して接続できる構成としているの
で、ボンディングワイヤの長さを短縮することができ、
半導体チップの電極端子パッドと共用リードとの電気的
な導通回路の形成が簡素化される。 [0011] Further, the length of the bonding wire can be shortened because the formation of an electrical conduction circuit between the electrode terminal pad of the semiconductor chip and the common lead can be connected via a wire bonding tab. It is possible,
The formation of an electrical conduction circuit between the electrode terminal pads of the semiconductor chip and the common leads is simplified.
【0012】 さらにまた、リード群と半導体チップとを
接続するワイヤボンディングを行う際に、共用リードの
上面が絶縁層で被覆されているので、リード群と半導体
チップの電極端子パッドとを共用リードを越えて接続す
る際に、共用リードに直接ボンディングワイヤが接触す
ることを防止することができる。その結果として、ボン
デングワイヤのループ高さを低くすることができる。 [0012] Further, when performing wire bonding for connecting the lead group and the semiconductor chip, the upper surface of the common lead is coated with an insulating layer, a common lead and the electrode terminal pads of the lead group and semiconductor chips When connecting beyond, it is possible to prevent the bonding wire from directly contacting the common lead. As a result, the loop height of the bonding wire can be reduced.
【0013】 さらに、前記共用リード(バスバーリー
ド)及びリード群の上面の所定の部分に、これらを一括
連結する絶縁層を設けているから、リード群の先端部の
寄りや浮き沈みが少なくなり、ワイヤボンディング領域
部が安定し、ボンダビリティを向上させることができ
る。 Furthermore, a predetermined portion of an upper surface of said shared lead (bus bar leads) and lead group, these because they provided an insulating layer of collectively connecting, the less deviation and ups and downs of the tip portion of the lead group, wire The bonding region is stabilized, and the bondability can be improved.
【0014】[0014]
【実施例】続いて、添付した図面に基づき、本考案の詳
細について説明する。図1は本考案の半導体装置の実施
の一例の概要を示す断面図、図2は図1に示す実施の一
例に用いたリードフレーム本体の概要を示す平面図、図
3は本考案の半導体装置の実施の一例に用いた半導体チ
ップ搭載ケージに半導体チップを搭載した状態を示す斜
視図である。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The details of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a sectional view showing an outline of an embodiment of the semiconductor device according to the present invention. FIG. 2 is a plan view showing an outline of a lead frame body used in the embodiment shown in FIG.
FIG. 3 is a perspective view showing a state where a semiconductor chip is mounted on a semiconductor chip mounting cage used in an embodiment of the semiconductor device of the present invention.
【0015】つぎに、本考案の半導体装置(LOC型)
は、図1に示すように、内部表面領域の所定位置に複数
の信号用、電源用及び接地用の電極端子パッドを配置し
た半導体チップ11と、信号用リード12と電源用又は
接地用の共用リード12a、12bを有するリード群
A,Bとで構成され、前記共用リード(バスバーリー
ド)の側縁部に、半導体チップの電源用又は接地用の電
極端子パッドに対応する所要数のワイヤボンディング用
タブ12c、12dを備えている。そして該ワイヤボン
ディング用タブ12c、12d及び前記リード12の先
端部分に設けたワイヤボンディング領域20が露出する
ように、共用リード12a、12b及びリード群A、B
のリードの上面の所定部分を絶縁層13の一例である絶
縁性樹脂テープ13aに接着材13bを塗布した接合テ
ープ13cで一括して連結被覆した構成としたリードフ
レーム本体16と、図5に示すように、該リードフレー
ム本体16のリード群A、Bのリード12一部及び共用
リード12a、12bが前記半導体チップ11の内部表
面側に設けた電極端子パッドの近傍に延び、且つ前記半
導体チップから離間した状態で配接されるように、前記
半導体チップ11を搭載する半導体チップ搭載部18と
該半導体チップ搭載部18の両端面に連接した屈曲部1
5aを有亜する支持リード15を備えた導電性材を用い
て別体に形成した半導体チップ搭載ケージ14とを構成
部材としている。 Next, the semiconductor device of the present invention (LOC type)
As shown in FIG. 1, a semiconductor chip 11 in which a plurality of signal, power, and ground electrode terminal pads are arranged at predetermined positions in an internal surface area, and a signal lead 12 and a common power supply or ground. And lead groups A and B having leads 12a and 12b. The common lead (bus bar lead) has a side edge portion corresponding to a power supply or ground electrode terminal pad of the semiconductor chip. It is provided with a number of wire bonding tabs 12c and 12d. The common leads 12a and 12b and the lead groups A and B are so exposed that the wire bonding tabs 12c and 12d and the wire bonding area 20 provided at the tip of the lead 12 are exposed.
FIG. 5 shows a lead frame main body 16 in which a predetermined portion of the upper surface of the lead is integrally connected and covered with a bonding tape 13c in which an adhesive 13b is applied to an insulating resin tape 13a which is an example of the insulating layer 13. As described above, a part of the leads 12 of the lead groups A and B of the lead frame body 16 and the common leads 12a and 12b extend near electrode terminal pads provided on the inner surface side of the semiconductor chip 11, and extend from the semiconductor chip. The semiconductor chip mounting portion 18 on which the semiconductor chip 11 is mounted and the bent portions 1 connected to both end surfaces of the semiconductor chip mounting portion 18 so as to be connected in a separated state.
The semiconductor chip mounting cage 14 which is separately formed using a conductive material provided with the support lead 15 having the core 5a is used as a constituent member .
【0016】これによって、共用リードに直接ボンディ
ングワイヤが接触することがなく、ボンデングワイヤの
ループを低くすることができると共に、リードの先端部
の寄りや浮き沈みが少なくなり、ボンデングワイヤの接
続部が安定し、ボンダビリティを向上させることができ
る。[0016] Thus, the bonding wire does not come into direct contact with the common lead, thereby reducing the loop of the bonding wire. Is stable and bondability can be improved.
【0017】ここで、前記ワイヤボンディング用タブ1
2c、12d及びリード群A、Bのリード上面のワイヤ
ボンディング領域を除く所定の領域を被覆する絶縁層1
3の一例として絶縁性樹脂テープ13aに接着材13b
を塗布した接合テープ13cで一括して連結被覆した構
成としたが、前記絶縁性樹脂テープ13aを非導電性テ
ープ(一例として、アルミナの薄板材)17に替えた接
合テープ17aで連結被覆しても(図3(a)、(b)
参照)同様な効果が得られると共に、熱拡散効率を向上
させる部材の選択が可能となり設計の自由度が図れる。 Here, the wire bonding tab 1
2c, 12d and an insulating layer 1 covering a predetermined area except the wire bonding area on the upper surface of the lead of the lead group A, B
As an example of 3, an insulating resin tape 13a and an adhesive 13b
The insulating resin tape 13a is connected and covered with a joining tape 17a in which the insulating resin tape 13a is replaced with a non-conductive tape (for example, a thin alumina plate material) 17. (FIGS. 3A and 3B)
(See Reference) The same effect can be obtained, and a member that improves the heat diffusion efficiency can be selected, so that the degree of freedom in design can be improved.
【0018】そして、前記半導体チップ搭載ケージ14
の半導体チップ搭載部18に前記半導体チップ11を搭
載固着し、これを前記リードフレーム本体16の下面側
に位置するように接着材を介して装着し、ボンデングワ
イヤ19の一端部が前記半導体チップの電極端子パッド
に連結され、その他端部がリード群A,Bのリード12
の露出したワイヤボンディング領域20又は共用リード
12a、12bのワイヤボンディング用タブ12c、1
2dに選択的に接続されて電気的な導通回路が構成され
ている。The semiconductor chip mounting cage 14
The semiconductor chip 11 is mounted and fixed on the semiconductor chip mounting portion 18 of the above, and this is mounted via an adhesive so as to be positioned on the lower surface side of the lead frame main body 16. One end of the bonding wire 19 is connected to the semiconductor chip. And the other ends of the leads 12 of the lead groups A and B
Exposed wire bonding area 20 or wire bonding tabs 12c, 1b of common leads 12a, 12b.
2d is selectively connected to form an electrical conduction circuit.
【0019】前記半導体チップ11、半導体チップ搭載
ケージ14及びリード群A、Bのワイヤボンディング領
域側の一端部を樹脂封止し、この樹脂封止部21から露
出したリードの不要部分の除去を行い、該リードを所定
の形状にフォーミングすることによって半導体装置が形
成される。The semiconductor chip 11, the semiconductor chip mounting cage 14, and one end of the lead groups A and B on the wire bonding area side are resin-sealed, and unnecessary portions of the leads exposed from the resin sealing portion 21 are removed. The semiconductor device is formed by forming the leads into a predetermined shape.
【0020】以上、本考案の実施例について説明した
が、本考案の特徴とするところは、前記共用リード(バ
スバーリード)及びリード群A、Bの上面に、前記半導
体チップの電極端子パッドと電気的な導電回路を形成す
るワイヤボンディング領域及び電源用又は接地用の電極
端子パッドに対応する所要数のワイヤボンディング用タ
ブ12c、12dが露出するように絶縁層を設け、ボン
デングワイヤのループを低く形成した構成としたことに
ある。したがって、本考案は、この実施例に限定される
ものではなく、要旨を逸脱しない範囲において種々の変
更が可能であることは勿論である。The embodiment of the present invention has been described above. The feature of the present invention is that the common terminal (bus bar lead) and the electrode terminal pads of the semiconductor chip are provided on the upper surfaces of the lead groups A and B. An insulating layer is provided so as to expose a required number of wire bonding tabs 12c and 12d corresponding to a wire bonding region for forming a typical conductive circuit and a power supply or ground electrode terminal pad , thereby lowering the bonding wire loop. That is, the configuration is formed. Therefore, the present invention is not limited to this embodiment, and it is needless to say that various modifications can be made without departing from the scope of the invention.
【0021】[0021]
【考案の効果】請求項1記載の半導体装置によれば、共
用リードの側縁部にワイヤボンデング用タブを備え、リ
ードの先端部のワイヤボンデング領域近傍を一括連結し
た構成としているので、長期信頼性の優れた半導体装置
を低コストで提供することができる。 According to the semiconductor device of the first aspect,
A wire bonding tab is provided on the side edge of the
The area near the wire bonding area at the tip of the
Semiconductor device with excellent long-term reliability
Can be provided at low cost.
【図1】 本考案の実施例の一例である半導体装置の概要
を示す断面図である。 FIG. 1 is a sectional view showing an outline of a semiconductor device as an example of an embodiment of the present invention.
【図2】 本考案の実施例の一例である半導体装置に用い
たリードフレーム本体の概要を示す平面図である。 FIG. 2 is a plan view showing an outline of a lead frame main body used for a semiconductor device which is an example of an embodiment of the present invention.
【図3】 本考案の実施例の一例である半導体装置に用い
た半導体チップ搭載ケージに半導体チップを搭載した状
態を示す斜視図である。 FIG. 3 is a perspective view showing a state in which a semiconductor chip is mounted on a semiconductor chip mounting cage used in a semiconductor device according to an embodiment of the present invention;
10 半導体装置 11 半導体チップ 12 信号用リード 12a 電源用の共用リード 12b 接地用の共用リード 12c ワイヤボンディング用タブ 12d ワイヤボンディング用タブ 13 絶縁層 13a 絶縁性樹脂テープ 13b 接着剤 13c 接合テープ 14 半導体チップ搭載ケージ 15 支持リード 15a 屈曲部 16 リードフレーム本体 17 非導電テープ 17a 接合テープ 18 半導体チップ搭載部 19 ボンディングワイヤ 20 ワイヤボンデング領域 20a ワイヤボンデング領域 21 樹脂封止部 A リード群 B リード群 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Semiconductor device 11 Semiconductor chip 12 Signal lead 12a Common lead for power supply 12b Common lead for ground 12c Tab for wire bonding 12d Tab for wire bonding 13 Insulating layer 13a Insulating resin tape 13b Adhesive 13c Joining tape 14 Semiconductor chip mounting Cage 15 Support lead 15a Bend 16 Lead frame main body 17 Non-conductive tape 17a Bonding tape 18 Semiconductor chip mounting part 19 Bonding wire 20 Wire bonding area 20a Wire bonding area 21 Resin sealing part A Lead group B Lead group
Claims (1)
該半導体チップの電極端子の近傍に位置するように共用
リード(バスバーリード)を含む複数のリード群を配設
したリードフレーム本体と、該リードフレーム本体の下
面に位置し、中央に前記リードフレーム本体と平行にダ
ウンセットした半導体チップ搭載部とこれに連接した屈
曲部を有する支持リードとを備えた導電性又は非導電性
の部材で別体に形成された半導体チップ搭載ケージと、
該半導体チップ搭載ケージに搭載され、内部表面領域に
複数の電極端子パッドを有する半導体チップと、一端部
を前記半導体チップの電極端子パッドに、他端部をこれ
に対応する前記リードフレームの各リード及び前記バス
バーリードに接続して電気的導通回路を形成するボンデ
ィングワイヤと、前記リード群の一端部側、半導体チッ
プ、ボンディングワイヤ及び半導体チップ搭載ケージを
樹脂封止したモールド樹脂部とを具備して構成された半
導体装置において、 前記共用リード(バスバーリード)の側縁部に、半導体
チップの電極端子パッドに対応する所要数のワイヤボン
ディング用タブを設けると共に、前記共用リードのワイ
ヤボンディング用タブ及び各リードの先端部のワイヤボ
ンディング領域が露出するように、共用リード及びリー
ド群の上面側の一端部側を一括連結した絶縁層を設けた
ことを特徴とする半導体装置。1. A method according to claim 1, further comprising the step of:
A lead frame main body in which a plurality of lead groups including a common lead (bus bar lead) are disposed so as to be located in the vicinity of the electrode terminal of the semiconductor chip; A semiconductor chip mounting cage formed separately from a conductive or non-conductive member having a semiconductor chip mounting portion downset in parallel with a support lead having a bent portion connected thereto,
It is mounted on the semiconductor chip mounting cage, a semiconductor chip having a plurality of electrode terminal pad on the inner surface area, one end
The electrode terminal pads of the semiconductor chip, the leads and the bus of the lead frame corresponding to the other end to
Bond that connects to bar leads to form an electrical conduction circuit
And Inguwaiya, one end of the lead group, a semiconductor chip, a semiconductor device which is configured by including the bonding wires and the semiconductor chip mounting cage and the resin sealing mold resin portion, the side of the shared lead (bus bar leads) the edge, provided with a required number of wire bonding tab corresponding to the electrode terminal pads of the semiconductor chip, the common lead wire
The common lead and lead are so exposed that the wire bonding area at the tip of each
A semiconductor device provided with an insulating layer integrally connecting one end side of the upper surface side of the gate group .
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1993003825U JP2563507Y2 (en) | 1993-01-14 | 1993-01-14 | Semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1993003825U JP2563507Y2 (en) | 1993-01-14 | 1993-01-14 | Semiconductor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0660150U JPH0660150U (en) | 1994-08-19 |
| JP2563507Y2 true JP2563507Y2 (en) | 1998-02-25 |
Family
ID=11567980
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1993003825U Expired - Fee Related JP2563507Y2 (en) | 1993-01-14 | 1993-01-14 | Semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2563507Y2 (en) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0478241A3 (en) * | 1990-09-24 | 1993-04-28 | Texas Instruments Incorporated | Insulated lead frame for integrated circuits and method of manufacture thereof |
-
1993
- 1993-01-14 JP JP1993003825U patent/JP2563507Y2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0660150U (en) | 1994-08-19 |
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