JP2555810B2 - Mold for press-molding optical glass element and method for manufacturing the same - Google Patents

Mold for press-molding optical glass element and method for manufacturing the same

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JP2555810B2
JP2555810B2 JP3226081A JP22608191A JP2555810B2 JP 2555810 B2 JP2555810 B2 JP 2555810B2 JP 3226081 A JP3226081 A JP 3226081A JP 22608191 A JP22608191 A JP 22608191A JP 2555810 B2 JP2555810 B2 JP 2555810B2
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Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明はレンズやプリズム等の光
学ガラス素子をプレス成形で製造する工程において使用
するプレス成形用型及びその製造方法に関するものであ
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a press-molding die used in a process of manufacturing an optical glass element such as a lens or a prism by press-molding, and a manufacturing method thereof.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、光学機器の簡略化と軽量化を達成
するため、光学ガラスレンズを非球面化する試みが盛ん
になされている。この非球面レンズを用いることによ
り、レンズの構成枚数が減り、また、レンズの厚みが減
ることによって、その目的が達成されるのであるが、非
球面レンズは、従来のレンズ製造における研磨法を適用
しにくく、また、従来の研磨法では量産化が困難である
という問題点を抱えている。
2. Description of the Related Art In recent years, in order to achieve simplification and weight reduction of optical equipment, attempts to make an aspherical optical glass lens have been actively made. By using this aspherical lens, the number of constituent lenses is reduced, and the objective is achieved by reducing the thickness of the lens. For the aspherical lens, the conventional polishing method in lens production is applied. However, there is a problem in that it is difficult to mass-produce by the conventional polishing method.

【0003】そのため、非球面レンズの作成に当たって
は、予め所定の面精度に仕上げた非球面上の型を用い
て、高精度にガラス塊を加熱成形するか、加熱したガラ
ス塊をプレス成形し、成形後の研磨工程を経ることなく
製造する方法が有望視されている。この手法を達成し、
また、レンズを量産化させることによって製造コストを
下げ、工業的に発展させるためには、高温度の下での化
学的安定性が高く、ガラスに対して反応せず、且つ、プ
レス面が傷つき難く、耐摩耗性に優れることによって高
精度のプレスが繰り返し可能、さらに熱衝撃性が高いと
いった様な特性を有するプレス成形用型が必要である。
Therefore, in producing an aspherical lens, a glass gob is molded with high precision using a die on an aspherical surface that has been finished to a predetermined surface accuracy in advance, or the heated glass gob is press-molded, A method of manufacturing without a polishing step after molding is considered promising. Achieved this technique,
Also, in order to reduce the manufacturing cost by mass-producing the lens and industrially develop it, it has high chemical stability under high temperature, does not react with glass, and scratches the press surface. There is a need for a press-molding die that is difficult and has excellent wear resistance so that high-precision pressing can be repeated and that it has high thermal shock resistance.

【0004】これまではプレス成形用型を構成する物質
としては、硬度が高くてプレス成形面が傷つき難く、ま
た、耐摩耗性に優れているという特性を有する超硬合金
やサーメット或いは炭化珪素や窒化珪素といったものが
使われていた。
Up to now, as a material for forming a press-molding die, a cemented carbide, a cermet, or silicon carbide, which has the characteristics that the hardness is high, the press-molding surface is not easily scratched, and the wear resistance is excellent, Something like silicon nitride was used.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、超硬合
金やサーメットは成形面を高精度に仕上げ易く、耐摩耗
性に優れるが、焼結させる際に用いるCo、Ni、Mo
といった助材がガラスと反応し易いという欠点を有す
る。また、炭化珪素や窒化珪素は、超硬合金やサーメッ
トより耐摩耗性に優れるが、脆性を有する物質のため高
精度な加工仕上げが困難であり、さらに、焼結させる際
に用いる助材がガラスと反応し易いという欠点を有す
る。
However, although cemented carbide and cermet are easy to finish the molding surface with high precision and are excellent in wear resistance, Co, Ni and Mo used for sintering are used.
Such an auxiliary material has a drawback that it easily reacts with glass. Further, although silicon carbide and silicon nitride have better wear resistance than cemented carbide and cermet, they are difficult to be processed with high precision because they are brittle substances, and the auxiliary material used for sintering is glass. It has a drawback that it easily reacts with.

【0006】そこで本発明は、耐摩耗性に優れ、化学的
安定性が高くガラスとも反応し難く、耐熱衝撃性に優
れ、光学ガラス素子の量産化に適する光学ガラス素子の
プレス成形用型及びその製造方法を提供することを目的
とする。
Therefore, the present invention provides a press-molding die for an optical glass element, which is excellent in abrasion resistance, has high chemical stability, is hard to react with glass, has excellent thermal shock resistance, and is suitable for mass production of optical glass elements. It is intended to provide a manufacturing method.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明は前記目的に従
い、不活性ガスイオン及び(又は)窒素イオンの照射に
より改質した型基体面上に窒化ホウ素含有膜を被覆して
成形面としたことを特徴とする光学ガラス素子のプレス
成形用型を提供するものである。また、本発明は前記目
的に従い、基体の所定面に不活性ガスイオン及び(又
は)窒素イオンを照射して該面を改質したのち、該面上
にホウ素元素含有物質を真空蒸着法又はスパッタ法にて
付着させると同時、交互又は該付着後に、窒素イオンを
含有するイオンを照射して成形面を形成することを特徴
とする光学ガラス素子のプレス成形用型の製造方法を提
供するものである。
According to the present invention, according to the above object, a surface of a mold substrate modified by irradiation with an inert gas ion and / or a nitrogen ion is coated with a boron nitride-containing film to form a molding surface. The present invention provides a press-molding die for an optical glass element. Further, according to the present invention, according to the above object, a predetermined surface of a substrate is irradiated with inert gas ions and / or nitrogen ions to modify the surface, and then a boron element-containing substance is vacuum-deposited or sputtered on the surface. A method for manufacturing a press-molding die for an optical glass element, characterized in that a molding surface is formed by irradiating ions containing nitrogen ions at the same time, alternately or after the adhesion by the method. is there.

【0008】前記成形型の基体は、ステンレス鋼、高速
度工具鋼などの各種金属、或いは炭化タングステン(W
C)を主成分とする各種超硬合金、或いは炭化チタン
(TiC)、アルミナ(Al2 3 )、窒化チタン(T
iN)、炭化クロム(Cr3 2 )等よりなる各種サー
メット、及びジルコニア(ZrO2 )、窒化ケイ素(S
3 4 )、炭化ケイ素(SiC)等よりなる材料を所
定の形状、面精度に仕上げて得ることができる。なお、
成形型基体材としては前記材料以外のものも任意に使用
することができる。
The base of the mold is stainless steel, high speed
Various metals such as tool steel or tungsten carbide (W
Various cemented carbides containing C) as the main component, or titanium carbide
(TiC), alumina (Al2O3), Titanium nitride (T
iN), chromium carbide (Cr3C 2) Etc.
Met and zirconia (ZrO2), Silicon nitride (S
i3NFour), Silicon carbide (SiC), etc.
It can be obtained by finishing to a fixed shape and surface accuracy. In addition,
Any material other than the above materials can be used as the mold base material.
can do.

【0009】成形型基体の所定面に不活性ガスイオン及
び(又は)窒素イオンを照射する際、照射するイオン1
個当たりの加速エネルギーとしては、40KeV以下が
好ましい例として挙げられる。40KeVを超えた場合
は、照射イオンによる形成型の損傷が過大になり、その
ため、イオン照射面の硬度が劣下したりする恐れがあ
る。
When a predetermined surface of the molding die substrate is irradiated with an inert gas ion and / or a nitrogen ion, the irradiation ion 1
The acceleration energy per piece is preferably 40 KeV or less. If it exceeds 40 KeV, damage to the forming mold due to irradiation ions becomes excessive, which may result in deterioration of hardness of the ion irradiation surface.

【0010】また、イオンの照射量としては、1×10
15個/cm2 以上、1×1017個/cm2 以下を好まし
い例として挙げ得る。1×1015個/cm2 より少ない
と、イオン照射の効果が顕著に現れず、1×1017個/
cm2 を超えると、照射イオンによる成形型の損傷が過
大になる恐れがある。また、前記方法において、真空蒸
着やスパッタに使用するホウ素元素含有物質としては、
ホウ素単体、ホウ素元素の酸化物、或いは窒化物等が選
ばれる。また、真空蒸着源方式は特に限定されるもので
はなく、例えば、電子ビーム(EB)、レーザ又は高周
波等の手段を用いるものが適宜選択される。
The ion dose is 1 × 10.
A preferable example is 15 pieces / cm 2 or more and 1 × 10 17 pieces / cm 2 or less. If it is less than 1 × 10 15 pieces / cm 2 , the effect of ion irradiation does not appear remarkably and 1 × 10 17 pieces / cm 2
If it exceeds cm 2 , damage to the mold due to irradiation ions may be excessive. Further, in the above method, as the boron element-containing substance used for vacuum deposition or sputtering,
A simple substance of boron, an oxide of elemental boron, a nitride, or the like is selected. Further, the vacuum vapor deposition source system is not particularly limited, and for example, a system using means such as electron beam (EB), laser or high frequency is appropriately selected.

【0011】また、スパッタ法を採用するときは、スパ
ッタさせる手法も特に限定されず、イオンビーム、マグ
ネトロン、或いは高周波等の手段でもって、スパッタさ
れる。前記方法において、形成される薄膜内に含有され
るホウ素と窒素の原子数比(B/N組成比)は20以下
になるように、成膜中のホウ素含有物質の蒸着量と、窒
素イオンを含有するイオンの照射量を適宜調整する。
When the sputtering method is adopted, the sputtering method is not particularly limited, and the sputtering is performed by means such as ion beam, magnetron, or high frequency. In the above method, the deposition amount of the boron-containing substance during the film formation and the nitrogen ions are adjusted so that the atomic ratio of boron and nitrogen (B / N composition ratio) contained in the formed thin film is 20 or less. The irradiation dose of the contained ions is adjusted appropriately.

【0012】これは、BN含有薄膜のB/N組成比が2
0を超えた場合、光学ガラス素子の成形中、ホウ素粒子
とガラス材が反応する危険性があるためである。本発明
成形用型は、その成形面を形成している窒化ホウ素(B
N)の化学的安定性が高く、ガラスと反応し難い。この
窒化ホウ素は、種々のタイプのものが考えられるが、中
でも、立方晶系の結晶構造のもの(c−BN)やウルツ
鉱型の結晶構造のもの(w−BN)とするときは、これ
らは硬度が高く耐摩耗性に優れ、耐衝撃性も優れるた
め、これによって被覆された光学ガラス成形用型は、と
りわけ、プレス成形を繰り返し行っても安全であり、レ
ンズの量産化を可能にし易く、結果として、レンズ製造
のコストを下げることができる点で好ましい。
This is because the BN-containing thin film has a B / N composition ratio of 2
This is because if it exceeds 0, there is a risk that the boron particles react with the glass material during the molding of the optical glass element. The molding die of the present invention has a boron nitride (B
N) has high chemical stability and is hard to react with glass. Various types of boron nitride are conceivable. Among them, when the boron nitride has a cubic crystal structure (c-BN) or a wurtzite crystal structure (w-BN), these are Has high hardness, excellent wear resistance, and excellent impact resistance, so the optical glass molding die coated with it is safe even when press molding is repeated, and it is easy to mass produce lenses. As a result, it is preferable in that the lens manufacturing cost can be reduced.

【0013】また、本発明型によれば、型基体を超硬合
金やサーメットなどの加工精度に優れたもので高精度に
作成して、これを利用できるので、研磨工程を必要とし
ない精度の高い光学ガラス素子の成形を行うことができ
る。本発明方法によると、成形面の窒化ホウ素を含有す
る膜は、真空下におけるホウ素元素含有物質の蒸着によ
る付着又はスパッタによる付着と同時、交互又は該付着
後に窒素イオンを含有するイオンの照射によって形成さ
れ、それによって窒化ホウ素含有膜の中にc−BNやw
−BNを形成することが可能で、これらの形成により膜
の硬度、化学的安定性を高め、さらに、膜の耐摩耗性、
ガラスとの反応性を著しく改善できる。
Further, according to the mold of the present invention, the mold base can be made with high accuracy by using a cemented carbide, cermet or the like having excellent processing accuracy, and this can be utilized. A high optical glass element can be molded. According to the method of the present invention, the film containing boron nitride on the molding surface is formed by the deposition of the elemental boron-containing substance under vacuum or the deposition by sputtering, at the same time, alternately or after the deposition by irradiation with ions containing nitrogen ions. As a result, c-BN or w
-It is possible to form BN, and by forming these, the hardness and chemical stability of the film are increased, and further, the abrasion resistance of the film,
The reactivity with glass can be significantly improved.

【0014】また、本発明方法によると、窒素イオンを
含有するイオンの照射を用いてBN含有膜を形成するこ
とにより、成形型を特に加熱させなくても、前記c−B
Nやw−BNの低温下での形成が可能であり、成形型の
熱変形が生じず、よって、高精度のプレス成形が可能な
型を製作できる。さらに、本発明方法では、窒素イオン
を含有するイオンの照射を用いてBN含有膜を形成する
ことにより、成形型を特に加熱させなくても、前記c−
BNやw−BNを密着性良く形成することができ、特に
これら膜の形成によりプレス成形を繰り返し行っても、
膜が剥離せず、結果プレス成形の量産化が可能な型を得
ることができる。
Further, according to the method of the present invention, the BN-containing film is formed by irradiation with ions containing nitrogen ions, so that the above-mentioned c-B can be obtained without particularly heating the mold.
Since N and w-BN can be formed at a low temperature, thermal deformation of the forming die does not occur, and thus a die capable of high precision press forming can be manufactured. Furthermore, in the method of the present invention, the BN-containing film is formed by irradiation with ions containing nitrogen ions, so that the above-mentioned c-
BN and w-BN can be formed with good adhesion, and even when press molding is repeated by forming these films,
The film does not peel off, and as a result, a mold that can be mass-produced by press molding can be obtained.

【0015】さらに、本発明方法によると、プレス成形
用型の基体面に不活性ガスイオン及び(又は)窒素イオ
ンを照射することによって、照射イオンが成形型基体を
構成する物質の結晶の格子点にある原子と置換したり、
格子点間に侵入したりして格子欠陥が生じ、照射した所
が硬化する。その結果、成形型基体自身の硬度が増し、
耐摩耗性が一層向上し、プレス成形の生産性が著しく向
上する成形型が提供される。
Further, according to the method of the present invention, by irradiating the substrate surface of the press-molding die with inert gas ions and / or nitrogen ions, the irradiated ions are lattice points of crystals of the substance constituting the molding die substrate. Or replace an atom in
Lattice defects occur by invading between the lattice points and the irradiated portion is cured. As a result, the hardness of the mold base itself increases,
Provided is a mold having further improved wear resistance and markedly improved press molding productivity.

【0016】また、本発明方法において、特に窒素イオ
ンを成形型基体面に予め照射するときは、該面が窒化さ
れ、その後、形成するBN含有膜との親和性が良くな
り、BN含有膜の密着性が著しく向上し、結果、プレス
成形の生産性がさらに著しく向上した成形型を提供する
ことできる。
Further, in the method of the present invention, particularly when the surface of the mold base is pre-irradiated with nitrogen ions, the surface is nitrided, and then the affinity with the BN-containing film to be formed is improved, so that the BN-containing film is formed. The adhesiveness is remarkably improved, and as a result, it is possible to provide a molding die in which the productivity of press molding is remarkably improved.

【0017】[0017]

【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。図1は本発明に係る光学ガラス素子のプレス成形
用型の製造装置例の概略構成図であり、図2には、これ
により得られるプレス成形用型の概略断面図である。図
1に於いて、1は成形型基体、2は成形型基体を支持す
るホルダ、3はホウ素元素を含有する物質を蒸発させる
蒸発源、4はイオンを照射させるためのイオン源、5は
成形型基体の所定面上に蒸着されるホウ素の個数、並び
にその膜厚を計測するための膜厚モニタ、6は成形型基
体に照射されるイオンの個数を計測するためのイオン電
流測定器である。なお、これらは真空ポンプ10にて所
定圧に減圧される真空容器100内に収容されている。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic configuration diagram of an example of a manufacturing apparatus for a press-molding die for an optical glass element according to the present invention, and FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of the press-molding die thus obtained. In FIG. 1, 1 is a mold base, 2 is a holder for supporting the mold base, 3 is an evaporation source for evaporating a substance containing a boron element, 4 is an ion source for irradiating ions, and 5 is molding. A film thickness monitor for measuring the number of boron vapor-deposited on a predetermined surface of the mold base and its film thickness, and 6 is an ion current measuring device for measuring the number of ions irradiated on the mold base. . Note that these are housed in a vacuum container 100 whose pressure is reduced to a predetermined pressure by a vacuum pump 10.

【0018】本発明に係るプレス成形用型を得るに当た
っては、まず成形型基体1をホルダ2に支持した後、真
空容器100内を1×10-5torr以下の高真空に排
気する。そして、成形型の成形面にイオン源4より不活
性ガスイオン又は(及び)窒素イオンを照射する。この
際、照射するイオン1個当たりの加速エネルギーは40
KeV以下になるようにする。
In obtaining the press mold according to the present invention, first, the mold base 1 is supported by the holder 2, and then the inside of the vacuum container 100 is evacuated to a high vacuum of 1 × 10 -5 torr or less. Then, the molding surface of the molding die is irradiated with inert gas ions or / and nitrogen ions from the ion source 4. At this time, the acceleration energy per irradiated ion is 40
Keep it below KeV.

【0019】また、イオンの照射量は1×1015個/c
2以上、1×1017個/cm2 以下とする。その後、
成形型基体1のプレス成形用面に、蒸発源3を用いて、
ホウ素元素を含有する物質30を真空蒸着させる。この
ホウ素元素を含有する物質の真空蒸着と同時、又は交互
に、又は蒸着後に、イオン源4より窒素イオンを含有す
るイオン40が、当該蒸着面に照射される。イオン40
としては、窒素イオン或いはそれに不活性ガスイオンを
混合したものが選ばれる。このイオン源4の方式は特に
限定されるものではなく、例えば、カウフマン型、バケ
ット型等のものを採用できる。
The ion dose is 1 × 10 15 ions / c
m 2 or more and 1 × 10 17 pieces / cm 2 or less. afterwards,
Using the evaporation source 3 on the press molding surface of the mold base 1,
A substance 30 containing elemental boron is vacuum deposited. Simultaneously with, or alternately with, the vacuum deposition of the substance containing the boron element, or after the vapor deposition, the ion source 4 irradiates the vapor deposition surface with the ions 40 containing nitrogen ions. Ion 40
The nitrogen ion or a mixture thereof with an inert gas ion is selected. The method of the ion source 4 is not particularly limited, and, for example, a Kauffman type, a bucket type or the like can be adopted.

【0020】以上に述べた手順により、成形型基体1の
所定面が、先ず、不活性ガスイオン及び(又は)窒素イ
オン照射で改質され、そのあと、該面に窒化ホウ素(B
N)を含有する薄膜が形成され、また、蒸着物質とイオ
ンとの衝突・反跳により、型基体の構成原子とそれらの
混合層が成形型基体1とBN含有薄膜との界面に形成さ
れ、型基体との密着性に優れたBN含有薄膜が形成され
る。
According to the procedure described above, the predetermined surface of the molding die substrate 1 is first modified by irradiation with inert gas ions and / or nitrogen ions, and then the boron nitride (B
A thin film containing N) is formed, and the constituent atoms of the mold substrate and a mixed layer thereof are formed at the interface between the mold substrate 1 and the BN-containing thin film by collision and recoil of the vapor deposition substance and ions. A BN-containing thin film having excellent adhesion to the mold substrate is formed.

【0021】なお、蒸着物質に照射されるイオンの加速
エネルギーは、イオン一個当たり40KeV以下である
ことが好ましい。40KeVを超えた場合には、照射イ
オンによる成形型の損傷が過大になるので好ましくな
い。また、形成される薄膜内に含有されるホウ素と窒素
の原子数比(B/N組成比)が20以下になるように、
成膜中のホウ素含有物質の蒸着量と、窒素イオンを含有
するイオンの照射量を適宜調整する。
The acceleration energy of the ions irradiated on the vapor deposition material is preferably 40 KeV or less per ion. When it exceeds 40 KeV, damage to the mold due to irradiation ions becomes excessive, which is not preferable. In addition, the atomic number ratio (B / N composition ratio) of boron and nitrogen contained in the formed thin film is 20 or less,
The deposition amount of the boron-containing substance during film formation and the irradiation amount of ions containing nitrogen ions are appropriately adjusted.

【0022】このB/N組成比の調整は、膜厚モニタ5
並びにイオン電流測定器6によって行われる。モニタ5
は例えば水晶振動式膜厚計であり、測定器6は2次電子
抑制電極を備えたファラデーカップ等である。前記手法
によれば、BN含有薄膜中に、軟質ながらも化学的安定
性の高い六方晶系ガラファイト型構造のBN(h−B
N)だけでなく、硬質で化学的安定性の高い立方晶系閃
亜鉛鉱型構造のBN(c−BN)や六方晶系ウルツ鉱型
構造のBN(w−BN)が含有される。従来、c−BN
やw−BNは、高温、高圧下でのみしか合成され得ない
ものであり、型の成形面に薄膜として被覆させることは
困難であった。しかし、本実施例によれば、イオンと蒸
着ホウ素原子との衝突によって、蒸着ホウ素原子が励起
され、非熱平衡過程下でc−BNやw−BNの薄膜合成
が可能である。
The B / N composition ratio is adjusted by the film thickness monitor 5
And the ion current measuring device 6. Monitor 5
Is, for example, a crystal vibrating film thickness meter, and the measuring device 6 is a Faraday cup or the like provided with a secondary electron suppressing electrode. According to the above method, a BN (h-B) having a hexagonal system galaphite structure, which is soft and has high chemical stability, is contained in a BN-containing thin film.
In addition to N), BN (c-BN) having a cubic and zinc blende type structure which is hard and has high chemical stability and BN (w-BN) having a hexagonal wurtzite type structure are contained. Conventionally, c-BN
Since w and BN can be synthesized only under high temperature and high pressure, it was difficult to coat the molding surface of the mold as a thin film. However, according to this example, the vapor-deposited boron atoms are excited by the collision between the ions and the vapor-deposited boron atoms, and the thin film synthesis of c-BN or w-BN is possible under the non-thermal equilibrium process.

【0023】これらBNは、高温下でも安定であり、ま
たc−BNは高硬度で耐摩耗性が大きいため、BN含有
薄膜で被覆された型は、光学ガラス材料と高温下でも反
応することがなく、傷つきにくい等の特徴を有する。な
お、前記型基体1を支持するホルダ2を水冷することに
よって、BN含有薄膜作成中の型基体を冷却させること
が可能で、これにより成膜中の型基体の熱変形をさらに
防ぐことが可能である。なお、成膜中、型基体が冷却さ
れることによっても、BN含有薄膜と型基体との密着
性、及びc−BNやw−BNの含有量は変化しない。
Since these BNs are stable even at high temperatures, and c-BN has high hardness and high abrasion resistance, the mold coated with the BN-containing thin film can react with the optical glass material even at high temperatures. It has no scratches and is not easily scratched. By cooling the holder 2 supporting the mold base 1 with water, it is possible to cool the mold base during the formation of the BN-containing thin film, thereby further preventing thermal deformation of the mold base during film formation. Is. Even if the mold base is cooled during film formation, the adhesion between the BN-containing thin film and the mold base and the content of c-BN or w-BN do not change.

【0024】図2に示すように、かくして得られた光学
ガラス素子プレス成形用型はその成形面が窒化ホウ素含
有薄膜1aで形成されており、また、基体表面1bに
は、BN膜形成前に注入されたイオンが分布しており、
1aと1bの界面には両者の構成原子よりなる混合層が
形成されている。これら型に加熱ガラス塊を挟み、プレ
スすることで所望の光学ガラス素子を量産できる。
As shown in FIG. 2, the optical glass element press-molding mold thus obtained has a molding surface formed of the boron nitride-containing thin film 1a, and the substrate surface 1b is formed before the BN film is formed. The implanted ions are distributed,
At the interface between 1a and 1b, a mixed layer composed of both constituent atoms is formed. A desired optical glass element can be mass-produced by sandwiching a heated glass block in these molds and pressing.

【0025】次に本発明の実施例を具体的に説明する。 実施例1 図3に断面で示すように、炭化タングステン(WC)よ
りなる超硬合金を用い、所定の曲率半径(46mm)の
凹面形状のプレス面70をもつ上型基体7と、所定の曲
率半径(200mm)の凹面形状のプレス面80をもつ
下型基体8を作る。
Next, examples of the present invention will be specifically described. Example 1 As shown in a cross section in FIG. 3, an upper die substrate 7 having a concave pressing surface 70 having a predetermined radius of curvature (46 mm) and a predetermined curvature using a cemented carbide made of tungsten carbide (WC). A lower die substrate 8 having a concave pressing surface 80 having a radius (200 mm) is prepared.

【0026】この型基体のプレス面70、80を、ダイ
ヤモンド或いはc−BN砥粒等を用いて鏡面研磨した
(本実施例ではRmax=20Å)。次に、この型基体
7、8を図1に示す装置内に収納し、真空度2×10-6
torr以下の高真空に真空容器100を排気した。そ
の後、成形基体のプレス面に窒素イオンを1個当たり1
0KeVの加速エネルギーにて1×1016個/cm2
射した。
The press surfaces 70 and 80 of this die substrate were mirror-polished with diamond or c-BN abrasive grains (Rmax = 20Å in this embodiment). Next, the mold bases 7 and 8 are housed in the apparatus shown in FIG. 1, and the degree of vacuum is 2 × 10 −6.
The vacuum container 100 was evacuated to a high vacuum of not more than torr. After that, one nitrogen ion is applied to each press surface of the molded substrate.
Irradiation was performed at 1 × 10 16 pieces / cm 2 with an acceleration energy of 0 KeV.

【0027】そして、当該イオン照射面に蒸発物質30
として、純度99%よりなるホウ素単体を選び、EB蒸
発源3により、前記のプレス面70、80にホウ素薄膜
を形成させた。さらに、そのホウ素薄膜の蒸着と同時
に、イオン源4に純度99.999%の窒素ガスを導入
し(この時の真空容器内の真空度は6×10-5tor
r)、窒素イオン40を当該ホウ素膜に照射した。
Then, the vaporized substance 30 is deposited on the ion-irradiated surface.
As a raw material, a simple substance of boron having a purity of 99% was selected, and a boron thin film was formed on the pressing surfaces 70 and 80 by the EB evaporation source 3. Simultaneously with the vapor deposition of the boron thin film, nitrogen gas having a purity of 99.999% was introduced into the ion source 4 (at this time, the vacuum degree in the vacuum container was 6 × 10 −5 torr).
r) and nitrogen ions 40 were applied to the boron film.

【0028】なお、この際の窒素イオンの加速エネルギ
ーはイオン1個当たり10KeVとし、形成される最終
膜のB/N組成比が1になるように、窒素イオンの加速
エネルギー、照射量、並びにホウ素の蒸発量を調整し
た。前記工程によって被覆された型基体7、8のプレス
面70、80の硬度はいずれもビッカース硬度(Hv)
が4500であり(10g荷重により測定)、面粗さR
maxは20Åであった。
At this time, the acceleration energy of nitrogen ions is 10 KeV per ion, and the acceleration energy of nitrogen ions, irradiation dose, and boron are adjusted so that the B / N composition ratio of the final film formed is 1. The evaporation amount of was adjusted. The pressing surfaces 70 and 80 of the mold bases 7 and 8 covered by the above process have hardnesses of Vickers hardness (Hv).
Is 4500 (measured with a load of 10 g) and surface roughness R
max was 20Å.

【0029】また、プレス面70、80に被覆させたB
N含有薄膜の膜厚は2μmであった。こうして得られた
プレス型を用いて、酸化鉛(PbO)70重量%、酸化
ケイ素(SiO2 )27重量%、微量成分3重量%より
なる半径20mmのガラス塊9を窒素雰囲気中でプレス
した。
Further, B coated on the press surfaces 70 and 80
The film thickness of the N-containing thin film was 2 μm. Using the press mold thus obtained, a glass block 9 having a radius of 20 mm and composed of 70% by weight of lead oxide (PbO), 27% by weight of silicon oxide (SiO 2 ) and 3% by weight of a minor component was pressed in a nitrogen atmosphere.

【0030】プレス時の条件は、型温度500℃、プレ
ス圧40kg/cm2 であり、2分間同条件を維持し、
その後300℃に冷却後、成形レンズを取り出した。こ
のプレス工程を1000回繰り返し、使用後の型のプレ
ス面の硬度(Hv)及び、表面粗さを測定したが実質上
当初のままであった。次に、実施例2〜9を説明する
が、これら実施例では、成形型基材の種類、イオン照射
条件、成膜条件等、特記する以外、すべて実施例1と同
じ条件である。
The pressing conditions were a mold temperature of 500 ° C. and a pressing pressure of 40 kg / cm 2 , and the same conditions were maintained for 2 minutes.
Then, after cooling to 300 ° C., the molded lens was taken out. This pressing step was repeated 1000 times, and the hardness (Hv) and the surface roughness of the pressing surface of the mold after use were measured, but they remained substantially as they were. Next, Examples 2 to 9 will be described. In these Examples, the conditions are the same as those in Example 1 except for the type of the molding die base material, the ion irradiation conditions, the film forming conditions, and the like.

【0031】実施例2 実施例1に用いたものと同じ型基体に対して、窒素イオ
ンをイオン1個当たり10KeVの加速エネルギーにて
1×1016個/cm2 照射した後、窒素イオンエネルギ
ー2KeV、BN含有膜のB/N組成比が1になるよう
に、窒素イオンのエネルギー、イオン照射量、並びにホ
ウ素の蒸着量を調整しながら、BN含有薄膜を膜厚2μ
m成膜した。
Example 2 The same type of substrate as used in Example 1 was irradiated with nitrogen ions at an acceleration energy of 10 KeV per ion of 1 × 10 16 ions / cm 2 , and then the nitrogen ion energy was 2 KeV. , A BN-containing thin film having a thickness of 2 μm while adjusting the energy of nitrogen ions, the ion irradiation amount, and the vapor deposition amount of boron so that the B / N composition ratio of the BN-containing film becomes 1.
m was formed into a film.

【0032】実施例3 実施例1に用いたものと同じ型基体に対して、窒素イオ
ンをイオン1個当たり10KeVの加速エネルギーにて
1×1016個/cm2 照射した後、窒素イオンエネルギ
ー10KeV、膜のB/N組成比が3になるように、窒
素イオンエネルギー、イオン照射量、並びにホウ素の蒸
着量を調整しながら、BN含有薄膜を膜厚2μm成膜し
た。
Example 3 The same type of substrate as used in Example 1 was irradiated with nitrogen ions at an acceleration energy of 10 KeV per ion of 1 × 10 16 ions / cm 2 , and then the nitrogen ion energy was 10 KeV. A BN-containing thin film having a thickness of 2 μm was formed while adjusting the nitrogen ion energy, the ion irradiation dose, and the vapor deposition amount of boron so that the B / N composition ratio of the film became 3.

【0033】実施例4 実施例1に用いたものと同じ型基体に対して、窒素イオ
ンをイオン1個当たり10KeVの加速エネルギーにて
1×1016個/cm2 照射した後、窒素イオンエネルギ
ー2KeV、膜のB/N組成比が3になるように、窒素
イオンエネルギー、イオン照射量、並びにホウ素の蒸着
量を調整しながら、BN含有薄膜を膜厚2μm成膜し
た。
Example 4 The same type of substrate as used in Example 1 was irradiated with nitrogen ions at an acceleration energy of 10 KeV per ion at 1 × 10 16 ions / cm 2 , and then the nitrogen ion energy was 2 KeV. A BN-containing thin film having a thickness of 2 μm was formed while adjusting the nitrogen ion energy, the ion irradiation dose, and the vapor deposition amount of boron so that the B / N composition ratio of the film became 3.

【0034】実施例5 実施例1に用いたものと同じ型基体に対して、窒素イオ
ンをイオン1個当たり10KeVの加速エネルギーにて
1×1015個/cm2 照射した後、窒素イオンエネルギ
ー2KeV、膜のB/N組成比が3になるように、窒素
イオンエネルギー、イオン照射量、並びにホウ素の蒸着
量を調整しながら、BN含有薄膜を膜厚2μm成膜し
た。
Example 5 The same type of substrate as used in Example 1 was irradiated with nitrogen ions at an acceleration energy of 10 KeV per ion of 1 × 10 15 ions / cm 2 , and then the nitrogen ion energy was 2 KeV. A BN-containing thin film having a thickness of 2 μm was formed while adjusting the nitrogen ion energy, the ion irradiation dose, and the vapor deposition amount of boron so that the B / N composition ratio of the film became 3.

【0035】実施例6 実施例1に用いたものと同じ型基体に対して、窒素イオ
ンをイオン1個当たり10KeVの加速エネルギーにて
1×1017個/cm2 照射した後、窒素イオンエネルギ
ー2KeV、膜のB/N組成比が3になるように、窒素
イオンエネルギー、イオン照射量、並びにホウ素の蒸着
量を調整しながら、BN含有薄膜を膜厚2μm成膜し
た。
Example 6 The same type substrate as used in Example 1 was irradiated with nitrogen ions at an acceleration energy of 10 KeV per ion of 1 × 10 17 ions / cm 2 , and then the nitrogen ion energy was 2 KeV. A BN-containing thin film having a thickness of 2 μm was formed while adjusting the nitrogen ion energy, the ion irradiation dose, and the vapor deposition amount of boron so that the B / N composition ratio of the film became 3.

【0036】実施例7 実施例1に用いたものと同じ型基体に対して、アルゴン
イオンと窒素イオンを混合したもの(混合は、イオン源
にアルゴンガスと窒素ガスを真空容器内の真空度がそれ
ぞれ2.5×10-5torrになるよう、同時に導入す
ることによって行った)をイオン1個当たり10KeV
の加速エネルギーにて1×1017個/cm2 照射した
後、窒素イオンエネルギー2KeV、膜のB/N組成比
が3になるように、窒素イオンエネルギー、イオン照射
量、並びにホウ素の蒸着量を調整しながら、BN含有薄
膜を膜厚2μm成膜した。
Example 7 The same type of substrate as used in Example 1 was mixed with argon ions and nitrogen ions (mixing was carried out by using argon gas and nitrogen gas as an ion source at a vacuum degree in a vacuum container). Each ion was introduced at 2.5 × 10 −5 torr) at 10 KeV per ion.
After irradiating 1 × 10 17 pieces / cm 2 with the acceleration energy of, the nitrogen ion energy, the ion irradiation amount, and the deposition amount of boron are adjusted so that the nitrogen ion energy is 2 KeV and the B / N composition ratio of the film is 3. While adjusting, a BN-containing thin film was formed to a film thickness of 2 μm.

【0037】実施例8 ジルコニア(ZrO2 )を主成分とする型基体を用い
て、他は実施例1と同じ条件で成膜を施した。 実施例9 30重量%TiC、7重量%Moを含有するTiNを主
成分とするサーメットよりなる型基体を用いて他は実施
例1と同じ条件下で成膜を施した。
Example 8 A film was formed under the same conditions as in Example 1 except that a mold base containing zirconia (ZrO 2 ) as a main component was used. Example 9 Film formation was performed under the same conditions as in Example 1 except that a mold base made of cermet containing TiN as a main component containing 30 wt% TiC and 7 wt% Mo was used.

【0038】以上、実施例2〜9の方法によって被覆さ
れた型のプレス面の硬度は、ビッカース硬度(Hv)が
実施例2〜6、8、9は4500であり、実施例7は5
000であった(10g荷重により測定)。また、面粗
さはいずれもRmax=20Åであった。次に比較例に
ついて説明する。
As to the hardness of the press surface of the mold coated by the method of Examples 2 to 9, the Vickers hardness (Hv) is 4500 in Examples 2 to 6, 8 and 9 and 5 in Example 7.
000 (measured with a 10 g load). The surface roughness was Rmax = 20Å in all cases. Next, a comparative example will be described.

【0039】比較例1 実施例1に用いたものと同じ型基体(WCを主成分とす
る型基体)を用いて、そのプレス面にBN含有薄膜を被
覆させること無しに実施例1と同じガラスプレスを行っ
た。 比較例2 実施例8に用いたものと同じ型基体(ZrO2 を主成分
とする型基体)を用いて、そのプレス面にBN含有薄膜
を被覆させること無しに実施例1と同じガラスプレスを
行った。
Comparative Example 1 The same mold base as used in Example 1 (mold base containing WC as a main component) was used, and the same glass as in Example 1 was used without coating the pressed surface of the BN-containing thin film. I made a press. Comparative Example 2 Using the same mold base as used in Example 8 (mold base containing ZrO 2 as a main component), the same glass press as in Example 1 was used without coating the pressing surface with a BN-containing thin film. went.

【0040】比較例3 実施例9に用いたものと同じ型基体(TiNを主成分と
するサーメット)を用いて、そのプレス面にBN含有薄
膜を被覆させること無しに実施例1と同じガラスプレス
を行った。 比較例4 実施例1に用いたものと同じ型基体(WCを主成分とす
る型基体)を用いて、そのプレス面に実施例1と同じB
N含有薄膜を被覆させた。但し、この際、BN膜成膜前
に窒素イオンを照射することはしなかった。
Comparative Example 3 The same glass substrate as in Example 1 was used, using the same type of substrate as that used in Example 9 (cermet containing TiN as a main component) without coating the BN-containing thin film on the pressing surface. I went. Comparative Example 4 The same mold base as used in Example 1 (mold base containing WC as a main component) was used, and the same B as in Example 1 was applied to the pressing surface.
The N-containing thin film was coated. However, at this time, irradiation with nitrogen ions was not performed before forming the BN film.

【0041】比較例5 実施例1に用いたものと同じ型基体に対して、窒素イオ
ンをイオン1個当たり10KeVの加速エネルギーにて
1×1013個/cm2 照射した後、窒素イオンエネルギ
ー10KeV、膜のB/N組成比が3になるように、窒
素イオンエネルギー、イオン照射量、並びにホウ素の蒸
着量を調整しながら、BN含有薄膜を膜厚2μm成膜し
た。
Comparative Example 5 The same type of substrate as used in Example 1 was irradiated with nitrogen ions at an acceleration energy of 10 KeV per ion of 1 × 10 13 ions / cm 2 , and then the nitrogen ion energy was 10 KeV. A BN-containing thin film having a thickness of 2 μm was formed while adjusting the nitrogen ion energy, the ion irradiation dose, and the vapor deposition amount of boron so that the B / N composition ratio of the film became 3.

【0042】比較例6 実施例1に用いたものと同じ型基体に対して、窒素イオ
ンをイオン1個当たり10KeVの加速エネルギーにて
1×1018個/cm2 照射した後、窒素イオンエネルギ
ー10KeV、膜のB/N組成比が3になるように、窒
素イオンエネルギー、イオン照射量、並びにホウ素の蒸
着量を調整しながら、BN含有薄膜を膜厚2μm成膜し
た。
Comparative Example 6 The same type of substrate as used in Example 1 was irradiated with nitrogen ions at an acceleration energy of 10 KeV per ion of 1 × 10 18 ions / cm 2 , and then the nitrogen ion energy was 10 KeV. A BN-containing thin film having a thickness of 2 μm was formed while adjusting the nitrogen ion energy, the ion irradiation dose, and the vapor deposition amount of boron so that the B / N composition ratio of the film became 3.

【0043】以上説明した実施例1〜9、比較例1〜6
のそれぞれにつき、1000回プレス使用後の成形面の
粗さ(Rmax)と、成形されたガラスレンズの表面粗
度を調べたところ表1の結果を得た。
Examples 1 to 9 and Comparative Examples 1 to 6 described above
For each of the above, the roughness (Rmax) of the molding surface after 1000 presses and the surface roughness of the molded glass lens were examined, and the results shown in Table 1 were obtained.

【0044】[0044]

【表1】 [Table 1]

【0045】以上、実施例1〜9は、硬質なBN含有薄
膜を被覆させることにより、1000回のプレス成形後
も型の表面粗さは変化せず、また、表面にキズがつくこ
とも無いため、成形後のガラスの表面状態は良好であ
り、プレス成形後の研磨工程は不要であり、且つ、プレ
ス中、ガラスとの反応が無かったため、プレス成形後の
ガラスには、変色や白濁が見られなかった。さらに、こ
の特性はプレス回数が1500回でも同じであった。
As described above, in Examples 1 to 9, by coating the hard BN-containing thin film, the surface roughness of the mold did not change even after press molding 1000 times, and the surface was not scratched. Therefore, the surface state of the glass after molding is good, the polishing step after press molding is unnecessary, and since there was no reaction with the glass during pressing, the glass after press molding has discoloration or cloudiness. I couldn't see it. Furthermore, this characteristic was the same even when the number of presses was 1500.

【0046】一方、比較例1〜3のものは、型の表面に
キズがついたことにより、成形後のガラスの表面にもキ
ズがつき、また、焼結助材等が析出したことにより型の
表面粗さが劣化し、成形後のガラスの表面精度も劣化
し、また一部の物には成形型材に含まれる焼結助材がレ
ンズに付着することに因る変色が見られた。また、比較
例4〜6のものは、プレス回数が1000回を超える
と、BN膜の一部が剥離し始めた。
On the other hand, in Comparative Examples 1 to 3, since the surface of the mold was scratched, the glass surface after molding was also scratched, and the sintering aid and the like were deposited, so that the mold The surface roughness of the glass deteriorated, the surface accuracy of the glass after molding deteriorated, and discoloration was observed in some of the objects due to the sintering aid contained in the molding die material adhering to the lens. Further, in Comparative Examples 4 to 6, when the number of presses exceeded 1000, part of the BN film began to peel off.

【0047】さらに、実施例1〜6に用いた成形型基体
は、SiC焼結体を用いた成形型基体のプレス面をRm
ax=20Åに鏡面加工するのに要する時間(約30時
間)に比べ、極端に短い時間(約1.5時間)で所望の
精度(Rmax=20Å)に仕上げることができた。よ
って、本発明によれば、高精度に加工しやすい硬度の材
料でも、1000回以上のプレス加工に耐え得る成形型
の基体とすることができる。
Further, in the mold bases used in Examples 1 to 6, the pressing surface of the mold base using the SiC sintered body was Rm.
Compared with the time required for mirror-finishing to ax = 20Å (about 30 hours), the desired accuracy (Rmax = 20Å) could be achieved in an extremely short time (about 1.5 hours). Therefore, according to the present invention, even a material having a hardness that can be processed with high precision can be used as a base body of a molding die that can withstand press working 1000 times or more.

【0048】以上説明したように、本発明実施例による
と、次の利点を有する光学ガラス素子のプレス成形用型
を提供できる。 1.硬質のc−BN、w−BNが膜内に含有されている
ので、プレス面の硬度が著しく上昇し、型の耐摩耗性が
上昇する。よって、同一の成形型基体材料を用いて繰り
返しプレス成形を行っても、型の表面にキズが入ること
がない。
As described above, according to the embodiments of the present invention, it is possible to provide a press molding die for an optical glass element having the following advantages. 1. Since hard c-BN and w-BN are contained in the film, the hardness of the press surface is remarkably increased, and the wear resistance of the mold is increased. Therefore, even if the same molding base material is repeatedly used for press molding, the surface of the mold is not scratched.

【0049】そのため、成形後のガラス表面の精度の良
好さは維持でき、プレス成形後の研磨工程を省略させる
ことができる。さらに、型の寿命が延びることにより、
型の交換回数が大幅に減り、プレス成形の生産性の向上
と、コスト低減が可能になる。 2.硬質なBNを含有する薄膜が型のプレス面に被覆さ
れるため、型基体(母材)自身の硬度が高くなくても良
く、そのため、型基体の高精度の加工を容易に施すこと
ができる。 3.高温下においても化学的に安定な、硬質なBN含有
薄膜によってプレス面が被覆されているため、従来より
用いられてきた各種成形型材の中に含まれる焼結助材等
とガラスが反応することなく、ガラスのプレス成形を行
うことができるため、成形後のガラスの表面状態は極め
て良好である。
Therefore, the precision of the glass surface after molding can be maintained, and the polishing step after press molding can be omitted. In addition, due to the extended life of the mold,
The number of times of mold replacement is significantly reduced, which makes it possible to improve press molding productivity and reduce costs. 2. Since the press surface of the mold is coated with the thin film containing hard BN, the hardness of the mold base (base material) itself does not need to be high, and therefore, the mold base can be easily processed with high precision. . 3. Since the press surface is covered with a hard BN-containing thin film that is chemically stable even at high temperatures, the reaction of glass with the sintering aids etc. contained in various molding dies that have been used conventionally Since the glass can be press-molded without being processed, the surface state of the glass after molding is extremely good.

【0050】[0050]

【発明の効果】以上説明したように本発明によると、耐
摩耗性に優れ、化学的安定性が高くガラスとも反応し難
く、耐熱衝撃性に優れ、光学ガラス素子の量産化に適す
る光学ガラス素子のプレス成形用型及びその製造方法を
提供することができる。
As described above, according to the present invention, an optical glass element which is excellent in abrasion resistance, has high chemical stability, hardly reacts with glass, has excellent thermal shock resistance, and is suitable for mass production of optical glass elements. It is possible to provide the press mold and the manufacturing method thereof.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明に係る成形用型の製造装置例の概略構成
を示す図である。
FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of an example of a molding die manufacturing apparatus according to the present invention.

【図2】図1に示す装置により得られる型例の断面図で
ある。
2 is a cross-sectional view of an example of a mold obtained by the apparatus shown in FIG.

【図3】実施例に用いた型基体の断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view of a mold base used in an example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 成形用型の基体 2 基体ホルダ 3 蒸着源 30 ホウ素元素含有物質 4 イオン源 40 イオン 5 膜厚モニタ 6 イオン電流測定器 7、8 実施例基体 70、80 基体の膜形成用面 9 ガラス塊 DESCRIPTION OF REFERENCE NUMERALS 1 molding base 2 base holder 3 vapor deposition source 30 boron element-containing substance 4 ion source 40 ions 5 film thickness monitor 6 ion current measuring device 7, 8 example substrate 70, 80 film forming surface of substrate 9 glass lump

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 不活性ガスイオン及び(又は)窒素イオ
ンの照射により改質した型基体面上に窒化ホウ素含有膜
を被覆して成形面としたことを特徴とする光学ガラス素
子のプレス成形用型。
1. A press molding of an optical glass element, characterized in that a surface of a mold substrate modified by irradiation with an inert gas ion and / or a nitrogen ion is coated with a boron nitride-containing film to form a molding surface. Type.
【請求項2】 基体の所定面に不活性ガスイオン及び
(又は)窒素イオンを照射して該面を改質したのち、該
面上にホウ素元素含有物質を真空蒸着法又はスパッタ法
にて付着させると同時、交互又は該付着後に、窒素イオ
ンを含有するイオンを照射して成形面を形成することを
特徴とする光学ガラス素子のプレス成形用型の製造方
法。
2. A predetermined surface of a substrate is irradiated with inert gas ions and / or nitrogen ions to modify the surface, and then a boron element-containing substance is deposited on the surface by a vacuum deposition method or a sputtering method. A method for manufacturing a press-molding die for an optical glass element, characterized in that the molding surface is formed by irradiating ions containing nitrogen ions at the same time, alternately or after the deposition.
【請求項3】 前記不活性ガスイオン及び(又は)窒素
イオンを照射する際の、イオン一個当たりの加速エネル
ギーを40KeV以下とし、且つ、イオン照射量を1×
1015個/cm2 以上、1×1017個/cm2 以下とす
る請求項2記載の方法。
3. The acceleration energy per ion when irradiating the inert gas ion and / or the nitrogen ion is 40 KeV or less, and the ion irradiation amount is 1 ×.
The method according to claim 2, wherein the number is 10 15 pieces / cm 2 or more and 1 × 10 17 pieces / cm 2 or less.
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