JP2538208B2 - 4−アミノメチル−1,8−ジアミノオクタンの製造法 - Google Patents

4−アミノメチル−1,8−ジアミノオクタンの製造法

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Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、アクリロニトリルを電解還元またはアマル
ガム還元等の方法によつて3量化して得るか、またはア
ジポニトリルのシアノエチル化により得られる1,3,6−
トリシアノヘキサン(以下、T.C.H.と略す)を接触水添
して、4−アミノメチル1,8−ジアミノオクタン(以
下、A.D.O.と略す)を製造する方法に関するものであ
る。
A.D.O.は一分子中に3種類の一級アミンを有する特殊
な化合物であり、エポキシ硬化剤、防錆剤、農薬、ウレ
タン、高分子凝集剤等広範囲の分野に利用できるもので
ある。
(従来の技術) 従来から提案されている方法としては、第1に米国特
許第3246000号明細書中およびジヤーナル・オブ・オー
ガニツク・ケミストリー(J.Org.Chem.),30(5),13
51(1965)に記載されている。すなわち、水素添加用金
属触媒、例えば、ラネー型触媒、担持ニツケル触媒、白
金触媒、パラジウム・カーボン触媒等やLiAlH4の如き還
元試薬を用いて水素添加することによつてA.D.O.に転化
し得るが、いずれも液体アンモニアを溶媒として数10気
圧ないし数100気圧と云う高い反応圧力を要しながら、
そのA.D.O.への収率は、概して低く60%程度である。
特に、ジヤーナル・オブ・オーガニツク・ケミストリ
ー(J.Org.Chem.),30(5),1351(1965)において
は、ラネーニツケルを触媒とした場合には、A.D.O.が得
られないことも記されている。また、特開昭48−66087
号公報では、ニトリル化合物の対応するアミンへの水素
化にラネーニツケルを使用した場合、全ての試薬(すな
わち、原料のニトリル化合物、溶媒、展開されたラネー
ニツケル、助触媒としての水酸化ナトリウムなど)を反
応器に仕込んでから反応を開始させると、水素化の速度
が次第に低下し、反応が完結することなく水素化が途中
で止まつてしまう場合がしばしばあることを指摘してい
る。
さらに、本発明者らは、特公昭57−55705号公報でラ
ネーコバルト触媒を用いてかなり効率良くA.D.O.を得た
ことを報告しているが、その場合も収率的には70%程度
であり、十分なものではない。その比較例中でラネーニ
ツケルを触媒として用いた場合について記載し、全ての
試薬(すなわち、T.C.H.、溶媒、触媒等)を反応器に仕
込んでから反応を行なうと、反応が完結しないが、全て
の試薬を反応開始前に仕込んでしまうのではなしに、反
応条件下に保持されたラネーニツケルスラリーの入つた
反応器の中へ、原料のニトリル化合物を逐次添加してゆ
くと云う方法を採ることによつて、反応を完結させるこ
とができるようになることを示しているが、収率的にこ
の場合も70%程度であり十分でない。
(発明が解決しようとする問題点) 前記のように、従来の方法においては、高い反応圧力
を要しながらA.D.O.への収率が概して低いことから、比
較的温和な反応条件下で、かつ、収率良くA.D.O.を得る
方法の出現が望まれていた。
(問題点を解決するための手段および作用) 本発明者らは、比較的温和な反応条件下で、かつ収率
良くA.D.O.を得ることを目的に鋭意研究を重ねた結果、
触媒とT.C.H.との量およびT.C.H.の水添速度が反応に大
きく影響することを見出した。すなわち、特定の反応条
件下で単位触媒当り、単位時間当りのT.C.H.の反応量を
一定量以下に設定し、反応系内に未反応ニトリル基、特
に側鎖ニトリル基が蓄積しないようにすることにより、
触媒の劣化を防止することが可能になり、その結果、反
応収率および単位触媒当りに生成可能なA.D.O.の量の大
幅な向上を可能にできることを見出した。
本発明は、以上の知見に基づくものであり、1,3,6−
トリシアノヘキサンを、ラネーニツケル触媒を用いて液
相水添し、4−アミノメチル−1,8−ジアミノオクタン
を製造するに際し、反応器中にラネーニツケル触媒、ア
ルコール溶媒、水酸化アルカリを入れ、触媒濃度1〜50
重量%、水素圧5〜50atm、内液温50〜120℃で、1,3,6
−トリシアノヘキサンを0.005〜0.045g/mm・g−ラネー
ニツケル触媒の平均速度で反応器中に逐次的に添加しな
がら反応を行なうことを特徴とするものである。
本発明で用いられるT.C.H.は、アクリロニトリルを電
解2量化する際に無視し難い量の副生物として得ること
ができる他、ナトリウムアマルガムを用いて還元2量化
する際にも得ることができる。さらには、アジポニトリ
ルをアルカリの存在下でシアノエチル化することによつ
ても得ることができる。
本発明で用いられるラネーニツケル触媒は特に限定さ
れない。ラネーニッケル触媒は、一般的に市販されてい
るニッケルとアルミニウムの合金、ラネーニッケル合金
をアルカリを用いてアルミニウムを溶かし出す展開操作
により得ることができる。この展開操作にも種々の方法
があり、一般的には、W−1〜W−8の代表的な方法が
あるが、これらのいずれの方法を用いて得たラネーニツ
ケル触媒を使用してもかまわない。触媒濃度も特に限定
されないが、反応器中に仕込んだ溶媒、助触媒に対して
1〜50重量%が好ましい。1重量%より少ないと、反応
効率が悪く、50重量%より多いと、反応液全体の撹拌混
合の点で問題が出てくる。
本発明で用いられるアルコール溶媒は、メタノール、
エタノール、プロパノール等の一般的なアルコールでよ
いが、触媒活性の維持、生成物および原料の溶解性とい
う観点からはエタノールが好ましく、特には1〜20重量
%の水を含有した含水エタノールが好ましい。エタノー
ル中の水濃度が20重量%を越えるようになると、反応収
率の低下が起つてくる。また、1重量%より少ない量の
水濃度にすることは、反応全体の水バランスを考えると
実質的に難しい。
本発明で用いられる水酸化アルカリは、水酸化ナトリ
ウム、水酸化カリウム等であり、10〜50重量%の水溶液
として反応器に仕込まれ、副生物生成を防止する助触媒
として作用する。添加量は、100%水酸化アルカリとし
て、溶媒に対して0.1〜1.0重量%である。量が少なすぎ
ると、助触媒としての効果が少なすぎ、多すぎると、ニ
トリルの加水分解等が起つてくるため好ましくない。
次に、反応温度および水素圧力であるが、それぞれ50
〜120℃および3〜100atmで反応を行なうことが好まし
い。一般的には、反応温度、圧力が高いほど反応速度は
速くなるが、高いほど有利というわけではない。反応温
度が120℃を越えるようになると、圧力も高まつてくる
だけでなく、副反応生成物であるN−アルキル化物の生
成も増大してくる。50℃より低い温度では、反応速度が
かなり低くなる。より好ましい温度は70〜100℃の範囲
である。水素圧力はプロセスの経済性に与える影響が大
きいばかりでなく、反応によつては、水素圧力の増大は
反応の選択性を低下させることがあると言われており
(アール・エル・オーガスチン,フアインケミカルにお
ける水素化反応1974年刊,日刊工業新聞社,P−48)、ま
た、あまり低いと実質的に反応が進行しなくなる。より
好ましい水素圧力は5〜50atmである。
次に、T.C.H.の反応器への添加についてであるが、こ
れはT.C.H.の水添反応に大きく影響することは前述のと
おりである。反応系内のT.C.H.濃度が増加してくると、
触媒活性が急速に低下する現象が起つてくる。その結
果、水添反応速度が低下し、さらに、それによつて、ま
すます触媒活性が低下するという悪循環に陥り、ついに
は反応が停止してしまう。その結果、反応収率も低くな
る。このような現象が起こる理由は、T.C.H.の3種類の
ニトリル基のうち、側鎖ニトリル基が最も水添されにく
く、この側鎖ニトリル基の反応系中での濃度が増加して
くると、触媒表面上に付着し触媒活性を低下させる原因
になつているのではないかと推定している。例えば、比
較例に示したように、アジポニトリルの場合は、反応器
中に原料を一括して仕込んで反応させた場合でも、反応
は進行するが、T.C.H.の場合は、途中で反応が停止す
る。すなわち、特定の反応条件で、T.C.H.、特には側鎖
ニトリル器の反応系内での濃度を一定濃度以下にし、反
応系内に未反応分の蓄積が起こらないようにすること
が、触媒の劣化防止と、その結果としての反応収率の向
上には必須要件である。
この要件を達成するためには、T.C.H.の水添速度を十
分考慮しながら反応系内にT.C.H.を添加していくことが
必要である。T.C.H.水添の反応速度には、反応温度、水
素圧力、触媒濃度等が密接に関係するが、最も大きく影
響する因子は触媒濃度である。すなわち、単位触媒当
り、単位時間当り、T.C.H.の負荷をどの程度にするかが
最大のポイントである。
反応器中に添加するT.C.H.の添加速度は、平均で0.00
5〜0.045g/mm・g−ラネーニツケル触媒である。より好
ましくは0.008〜0.04g/min・g−ラネーニッケル触媒
(以下、g/min・g−Niと略す)である。T.C.H.の添加
速度は、あくまでも平均速度であり、連続的に添加して
もよく、また、間歇的に添加してもよいが、連続的に近
い条件下で添加する方が好ましい。T.C.H.の反応器内へ
の添加速度は、もちろん反応温度、水素圧力に関係して
くる。反応温度が高く、かつ、水素圧力も高ければ相対
的にT.C.H.の添加速度を速くすることが可能になり、両
因子が低ければ相対的に添加速度を低くする必要があ
る。いずれにしても、単位触媒当り、単位時間当りのT.
C.H.の添加速度が遅ければ遅いほど、触媒劣化の防止の
点からは好ましく、反応収率も向上するが、生産効率と
いう点から下限が設定される。
さらに、反応系内での未反応ニトリル基の蓄積および
触媒活性の関連という観点からは、T.C.H.の反応器への
添加終了後に、水素吸収が実質的になくなるまでどの程
度反応を維持するかという、いわゆる後反応時間が重要
なフアクターである。水素吸収が実質的になくなるとい
う意味は、実施例にも示したとおり、圧力ゲージ変化が
毎分0.1kg/cm3以下の水素吸収速度になつた時点を言
い、いわゆる完全になくなつた時点ではない。後反応時
間があまりに長いということは、反応系内へのT.C.H.の
添加速度が速すぎるため、反応系内に未反応ニトリル基
が蓄積していることを意味しており、結果として、触媒
にダメージを与えることになり、かつ、収率も悪くな
る。T.C.H.の反応速度に応じて(すなわち、触媒活性、
反応温度、水素圧力)、T.C.H.の添加速度を決めること
が必要であり、後反応時間はそれを決定する基準とな
る。すなわち、後反応時間が1時間未満になるように、
T.C.H.の添加速度を設定することが好ましい。
次に、T.C.H.の反応器への添加の終了をどう判断する
かであるが、反応系内のA.D.O.濃度があまりに濃くなる
と反応に悪影響が出てくるため、反応系内のA.D.O.濃度
という観点からは、反応液中のA.D.O.濃度を80重量%以
下に抑えることが好ましい。
(発明の効果) 以上のような工夫をすることにより、触媒の劣化の防
止が可能になり、収率の大幅な向上を可能にしただけで
なく、単位触媒当りのA.D.O.の生産量の大幅な向上、い
わゆる触媒原単位の大幅な低減を可能にしたことは、工
業的に大きな意義を有するものである。
(実施例) 次に、実施例により本発明をさらに詳細に説明する。
実施例1 内容積4.0の誘導撹拌機および加熱冷却用ジヤケツ
ト付ステンレス製オートクレーブ(以下、単にオートク
レーブと略す)を用いた、ラネーニツケル触媒は、市販
のラネーニツケル合金(川研フアインケミカル製,Al:Ni
重量比=50:50)300gを25%NaOH水溶液1300g中へ、55℃
で1時間にわたつて撹拌下に投入して展開した後、熟
成、水洗して得た。このようにして得たラネーニツケル
触媒の水スラリーを95%(v/v)含水エタノールで置換
し、エタノールスラリーとしてオートクレーブに入れ
(ラネーニツケル触媒150g、エタノール分200g)、さら
に、95%(v/v)含水エタノール1050gおよび30重量%水
酸化カリウム水溶液18gをオートクレーブに入れた。次
に、オートクレーブを水素置換した後、水素で加圧し、
系を90℃、30kg/cm2Gに設定した。この反応系は、反応
終了時まで維持した。
次に、T.C.H.を4g/mmの速度で、加圧ポンプを用いて
オートクレーブ中に5.25時間にわたり逐次添加し、合計
で1260g添加した(0.027g/mm・g−Niに相当)。添加終
了後、後反応を10分間行なつた。反応終了後、冷却、N2
置換し、静置して触媒を沈降させた後に反応液を抜き出
した。その後、さらに95%(v/v)含水エタノールで触
媒を洗浄して、触媒に付着した反応液を抜き出した。反
応液および洗浄液を合わせてGC分析して、A.D.O.の生成
収率を求めたところ、92%の収率であつた。
実施例2〜6 実施例1と全く同様に反応を行ない、反応終了後、触
媒を沈降させて反応液を抜き出し、次いで、触媒を洗浄
して洗浄液を抜き出した。次に、反応を1回行なつた触
媒の存在しているオートクレーブ中に、実施例1と全く
同様にして含水エタノール1050gおよび水酸化カリウム
水溶液18gを入れ、次いで、系を90℃、30kg/cm2Gに設定
した。次に、実施例1と同様にしてT.C.H.をオートクレ
ーブ中に逐次添加し、T.C.H.を1260g添加した。T.C.H.
の添加終了後、後反応を行ない、反応終了後、実施例1
と同様にして反応後、洗浄液を抜き出した。以上の反応
操作を5回行なつた。結果は以下のとおりである。
実施例No. 後反応時間 A.D.O.収率 2 15分 90% 3 20分 89% 4 30分 85% 5 50分 80% 6 70分 72% 実施例1〜6までの反応は、同一触媒を用いて行なつ
ており、A.D.O.単位重量当りに必要な触媒量は21.8g−
ラネーニツケル触媒/kg−A.D.O.である。
実施例7 T.C.H.のオートクレーブ中への添加速度を0.015g/mm
・g−Niに変えた以外は、実施例6と全く同様にして反
応を行なつた。結果は、後反応時間が45分であり、A.D.
O.収率が79%であつた。
実施例8 実施例1のなかで、展開ラネーニツケル150gを50gに
変え、反応系を80℃、50kg/cm2に変える以外は、実施例
1と同様にしてオートクレーブに仕込み、反応準備をし
た。次に、T.C.H.を2.2g/mmの速度で、5時間にわたつ
て逐次的にオートクレーブ中に添加し、次いで、T.C.H.
の添加を停止し15分間加熱撹拌し、次いで、T.C.H.を同
速度で3時間再添加し、合計で1056g添加した(添加終
了までの平均速度は0.0427g/mm・g−Niに相当)。添加
終了後、後反応を25分行なつた。反応液の処理は、実施
例1と同様に行ない、A.D.O.を分析すると、A.D.O.の生
成収率は85%であつた。
実施例9 実施例1のなかで、オートクレーブへの30重量%KOH
水溶液を添加量18gを30重量%NaOH水溶液30g添加するこ
とに変え、反応系の設定を90℃、30kg/cm2Gから90℃、9
kg/cm2Gに変える以外は、実施例1と同様にして反応準
備を行なつた。次いで、T.C.H.を1.5g/mmの速度で12時
間オートクレーブ中に逐次添加し、合計で1080g添加し
た(0.01g/mm・g−Niの速度に相当)。反応終了後、後
反応時間を50分行なつた。反応液の処理は、実施例1と
同様に行ない、A.D.O.を分析すると、A.D.O.の生成収率
は83%であつた。
比較例1 実施例1と同じ反応装置を用いて、市販のラネーニツ
ケル合金(川研フアインケミカル製、Al:Ni重量比=50:
50)50gを、実施例1と同じ条件下で展開して得られた
ラネーニツケルの水スラリーの水分を、95%(v/v)エ
タノールで置換してエタノールスラリーとしてオートク
レーブに入れ(展開ラネーニツケル分25g、エタノール
分30g)、さらに95%(v/v)エタノール500g、および水
酸化カリウムの30%(w/w)水溶液5ml、最後にT.C.H.を
500gを加えた後、実施例1と同様に水添を行なつた。反
応温度90℃、反応圧力30kg/cm2Gの条件下で水素吸収を
追跡したが、反応開始後180分で、理論吸収量の60%ま
で水素を吸収して反応はほとんど止まつてしまい、反応
は完結しなかつた。生成物を分析したところ、A.D.O.は
ほとんど生成していなかった。
比較例2 比較例1において、T.C.H.の添加をアジポニトリルに
変える以外は、比較例1と全く同様にして反応を行なつ
た。反応開始後20分で、理論吸収量に相当分の水素を吸
収した。生成物を分析したところ、ヘキサメチレンジア
ミンの生成収率は98%であつた。

Claims (7)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】1,3,6−トリシアノヘキサンを、ラネーニ
    ツケル触媒を用いて液相水添し、4−アミノメチル−1,
    8−ジアミノオクタンを製造するに際し、反応器中にラ
    ネーニツケル触媒、アルコール溶媒、水酸化アルカリ、
    水素を入れ、触媒濃度1〜50重量%で,1,3,6−トリシア
    ノヘキサンを0.005〜0.045g/mm・g−ラネーニツケル触
    媒の平均速度で反応器中に逐次的に点火しながら反応を
    行なうことを特徴とする4−アミノメチル−1,8−ジア
    ミノオクタンの製造方法。
  2. 【請求項2】ラネーニツケル触媒がアルコール溶媒量に
    対し2〜15重量%である特許請求の範囲第1項記載の方
    法。
  3. 【請求項3】アルコール溶媒が80〜99%の含水エタノー
    ルである特許請求の範囲第1項記載の方法。
  4. 【請求項4】水酸化アルカリが水酸化ナトリウムまたは
    水酸化カリウムであり、添加量がアルコール溶媒量に対
    して0.1〜1.0重量%である特許請求の範囲第1項記載の
    方法。
  5. 【請求項5】1,3,6−トリシアノヘキサンの添加速度が
    0.008〜0.04g/mm・g−ラネーニツケル触媒である特許
    請求の範囲第1項記載の方法。
  6. 【請求項6】水添反応が50〜120℃の温度、かつ3〜100
    atmの水素圧力のもとで行なわれる特許請求の範囲第1
    項記載の方法。
  7. 【請求項7】1,3,6−トリシアノヘキサンの反応器への
    添加終了後、水素の吸収が実質的になくなるまでの時
    間、すなわち、後反応時間が1時間未満である特許請求
    の範囲第1項記載の方法。
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