JP2519340B2 - Thermal recording device - Google Patents

Thermal recording device

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JP2519340B2
JP2519340B2 JP2120794A JP12079490A JP2519340B2 JP 2519340 B2 JP2519340 B2 JP 2519340B2 JP 2120794 A JP2120794 A JP 2120794A JP 12079490 A JP12079490 A JP 12079490A JP 2519340 B2 JP2519340 B2 JP 2519340B2
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【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、ファクシミリやプリンタ等に使用される感
熱記録装置に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION <Industrial Field of Application> The present invention relates to a thermal recording apparatus used in a facsimile, a printer or the like.

〈従来の技術〉 従来例による感熱記録装置について第7図を参照して
説明する。
<Prior Art> A thermal recording apparatus according to a conventional example will be described with reference to FIG.

従来、ファクシミリやワードプロセッサ用プリンター
等の各種記録装置にはワイヤードット方式、レーザープ
リンタ方式、感熱記録方式、あるいは熱転写方式等の印
字方式を用いた記録装置があり、それらは主に事務機器
として使用されてきたが、近年家庭用機器として需要が
高まるにつれて、その小型化、低価格化及び低騒音化が
要求されている。
2. Description of the Related Art Conventionally, various recording devices such as a printer for a facsimile or a word processor have a recording device using a printing method such as a wire dot method, a laser printer method, a thermal recording method, or a thermal transfer method, which are mainly used as office equipment. However, as demand for household appliances has increased in recent years, downsizing, price reduction, and noise reduction have been required.

そうした中、従来の感熱印字記録装置においては、第
7図に示すように純度が90%以上のAl2O3より成るセラ
ミック基板101上に蓄熱の為のグレーズ層102を形成した
グレーズドセラミック基板を使用し、その上に、複数個
の発熱抵抗体103を走査方向に一例に配置し、各々の発
熱抵抗体103の一端と制御素子104とを電気的に接続した
個別電極105と、他端を共通として電気的に接続する共
通電極106を形成し、更に前記発熱抵抗体103と個別電極
105及び共通電極106(以下前記個別電極105および共通
電極106を総称する場合、配線電極107と称す。)を摩耗
劣化等より防ぐ為の保護膜108を備えた構造となってい
る。
Under the circumstances, in a conventional thermal printing apparatus, a glazed ceramic substrate having a glaze layer 102 for heat storage formed on a ceramic substrate 101 made of Al 2 O 3 having a purity of 90% or more as shown in FIG. It is used, a plurality of heating resistors 103 are arranged in the scanning direction as an example, and one end of each heating resistor 103 and the individual electrode 105 electrically connecting the control element 104, and the other end A common electrode 106 that is electrically connected in common is formed, and the heating resistor 103 and the individual electrode are further formed.
The structure is provided with a protective film 108 for preventing the 105 and the common electrode 106 (hereinafter, the individual electrode 105 and the common electrode 106 are collectively referred to as the wiring electrode 107) from wear deterioration and the like.

また、前記セラミック基板101に前記制御素子104をフ
ェイスダウンボンディング法により前記個別電極105と
制御素子104の電極とを半田バンプを介して接続し、制
御素子104に樹脂モールド109を施している。
Further, the control element 104 is connected to the ceramic substrate 101 by a face-down bonding method between the individual electrode 105 and the electrode of the control element 104 via solder bumps, and the control element 104 is provided with a resin mold 109.

更に、サーミスタ、コネクタ、コンデンサー等を半田
付けした両面フレキシブル回路基板110を裏打ち基板111
に圧接し、該両面フレキシブル回路基板110及び裏打ち
基板111の一部をヘッドカバー112とヒートシンク113に
よって挟み、前記ヘッドカバー112からヒートシンク113
までをビスにより固定している。尚、114は外部接続用
コネクタ、115は前記両面フレキシブル回路基板110の電
気的接点を下方に押さえつけるための押さえゴムであ
る。
Furthermore, the double-sided flexible circuit board 110 to which a thermistor, a connector, a condenser, etc. are soldered is used as a backing board 111.
The head cover 112 and the heat sink 113 sandwich a part of the double-sided flexible circuit board 110 and the backing board 111 between the head cover 112 and the heat sink 113.
Are fixed with screws. In addition, 114 is an external connection connector, and 115 is a pressing rubber for pressing down the electrical contacts of the double-sided flexible circuit board 110.

〈発明が解決しようとする課題〉 ところで、第7図に示すような従来の感熱記録装置の
構造においては、前記発熱抵抗体103に電力を供給し、
感熱紙を発色させるためには、ある程度の印加電力が必
要となる。例えば、前記セラミック基板101の厚さ0.8m
m、グレーズ層102の厚さ75μm、発熱抵抗体103の厚さ
を0.2μm、配線電極107の厚さを0.8μm、保護膜108の
厚さを3μm、発熱抵抗体103の幅を110μm、長さを17
0μm、抵抗値を1700Ωに設定した感熱記録装置を印加
電圧24V、パルス印加周期5msで駆動すると1素子当たり
0.34mJ以上の印加エネルギーが必要となる。
<Problems to be Solved by the Invention> By the way, in the structure of the conventional thermal recording apparatus as shown in FIG. 7, power is supplied to the heating resistor 103,
A certain amount of applied power is required to color the thermal paper. For example, the thickness of the ceramic substrate 101 is 0.8 m
m, the glaze layer 102 has a thickness of 75 μm, the heating resistor 103 has a thickness of 0.2 μm, the wiring electrode 107 has a thickness of 0.8 μm, the protective film 108 has a thickness of 3 μm, and the heating resistor 103 has a width of 110 μm. Sa 17
One element when a thermosensitive recording device with 0 μm and resistance value set to 1700Ω is driven with an applied voltage of 24 V and a pulse application period of 5 ms.
Applied energy of 0.34 mJ or more is required.

このような感熱記録装置の印加エネルギーの低減化を
図る為には蓄熱層である前記グレーズ層102をより厚く
形成しなくてはならない。しかし、前記グレーズ層102
を厚くした場合には、印加エネルギーを低く押さえて駆
動できるが、前記グレーズ層102での蓄熱量が大きくな
るため印加パルスを止めても感熱紙が発色する、いわゆ
る尾引き現象が発生してしまう。また前記グレーズ層10
2を厚くし、印加エネルギーを低減させ、しかも尾引き
現象をなくす為には、印加パルスの周期を充分に長く
し、グレーズ層102に蓄積された熱を時間的余裕をもっ
て前記セラミック基板101に放熱すれば改善できるが、
高速化への要求を満足することができないという問題が
あった。
In order to reduce the energy applied to such a thermal recording apparatus, the glaze layer 102, which is a heat storage layer, must be formed thicker. However, the glaze layer 102
When the thickness is increased, the applied energy can be suppressed to be low, but the amount of heat stored in the glaze layer 102 becomes large, so that the thermal paper is colored even if the applied pulse is stopped, a so-called tailing phenomenon occurs. . Also, the glaze layer 10
In order to increase the thickness of 2, reduce the applied energy, and eliminate the tailing phenomenon, the period of the applied pulse is made sufficiently long and the heat accumulated in the glaze layer 102 is radiated to the ceramic substrate 101 with a time margin. Can be improved,
There is a problem that the demand for higher speed cannot be satisfied.

一方、前記セラミック基板101の製造上の観点から見
た場合、原料粉末からアルカリ成分を除去する工程、高
温焼成の際に発生するソリを研磨により修正する工程、
高い寸法精度を要求される発熱抵抗体103及び配線電極1
07をグレーズ上にフォトリソグラフィ等で形成する際に
必要になる基板端面の平担性を得る為の端面研磨工程等
が必要となる上、セラミック焼成の際、基板のソリやグ
レーズ層102のピンホール、うねり、突起等の問題によ
る歩留り低下が発生し、製造コストが高くなるという問
題点があった。
On the other hand, from the viewpoint of manufacturing the ceramic substrate 101, a step of removing the alkaline component from the raw material powder, a step of correcting the sled generated during high temperature firing by polishing,
Heating resistor 103 and wiring electrode 1 that require high dimensional accuracy
An edge polishing process is required to obtain the flatness of the substrate end face that is required when 07 is formed on the glaze by photolithography, etc., and when the ceramic is fired, the warp of the substrate and the pins of the glaze layer 102 are required. There is a problem in that the yield is reduced due to problems such as holes, undulations, and protrusions, and the manufacturing cost is increased.

更にセラミック基板の面積を大きくした場合、上記セ
ラミック基板101のソリやグレーズ層102のピンホールに
よる歩留り低下が更に著しくなり、しかも焼成炉の口径
を大きくするため設備コスト費の増加が生じ、セラミッ
ク基板の価格が高くなってしまうという問題点もあっ
た。
When the area of the ceramic substrate is further increased, the yield decrease due to the warpage of the ceramic substrate 101 and the pinholes of the glaze layer 102 becomes more significant, and moreover the equipment cost is increased because the diameter of the firing furnace is increased. There was also the problem that the price would rise.

本発明は上記問題点に鑑み、絶縁基板として耐熱性樹
脂により成る銅張り印刷配線基板を使用した上で、熱伝
導率の低い材料、例えば耐熱性蓄熱層材料に使用し、且
つ前記絶縁基板の銅箔を利用して放熱層を適所に配置す
ることにより、熱特性の改善を図り、低消費電力化、高
速化及び低価格化のすべてを解決することを目的とす
る。
In view of the above problems, the present invention uses a copper-clad printed wiring board made of a heat-resistant resin as an insulating substrate, uses a low thermal conductivity material, for example, a heat-resistant heat storage layer material, and By arranging a heat dissipation layer in an appropriate place by using a copper foil, it is intended to improve thermal characteristics and solve all of low power consumption, high speed, and low price.

〈課題を解決するための手段〉 上記目的を達成するために本発明は、絶縁基板上に複
数個の発熱抵抗体を走査方向に並べて配置し、前記各発
熱抵抗体の一端を夫々制御素子と電気的に接続する個別
電極と、前記各発熱抵抗体の他端を共通に電気的に接続
される共通電極を備えた感熱記録装置において、前記絶
縁基板を耐熱樹脂より成る銅張り印刷配線基板で構成
し、該絶縁基板上に前記発熱抵抗体が凸状部の先端部に
位置するように、前記絶縁基板の銅箔により形成された
放熱層、ポリイミド樹脂より成る蓄熱層、発熱抵抗体と
略同等の面積を有しかつ発熱抵抗体より大きな熱拡散率
を有するSiO2のような無機物層が順次積層形成され、前
記無機物層の上に前記発熱抵抗体が形成されてなること
を特徴とする。
<Means for Solving the Problems> In order to achieve the above object, the present invention provides a plurality of heating resistors arranged side by side in the scanning direction on an insulating substrate, and one end of each heating resistor is a control element. In a thermal recording device comprising an electrically connected individual electrode and a common electrode electrically connected in common to the other end of each heating resistor, the insulating substrate is a copper-clad printed wiring board made of heat-resistant resin. A heat dissipation layer formed of copper foil of the insulating substrate, a heat storage layer made of a polyimide resin, and a heat generating resistor, so that the heat generating resistor is located on the tip of the convex portion on the insulating substrate. It is characterized in that inorganic material layers such as SiO 2 having an equivalent area and a thermal diffusivity larger than that of the heating resistor are sequentially laminated, and the heating resistor is formed on the inorganic material layer. .

〈作用〉 上述の構造においては、蓄熱層は、後述の表から明ら
かなように、ガラスグレーズによる蓄熱層の約1/4の熱
拡散率(熱拡散率が十分に低い)を有するポリイミド樹
脂を使用しているため熱遮断性能がセラミック基板によ
る感熱記録装置より優れており、電力印加時において、
前記ポリイミドの下層にある銅箔の放熱層に移動する熱
量を少なくし、感熱紙側に移動する熱量を多くする作用
を有するので、印加電圧が効率良く使用され、省エネル
ギー化が容易となる。
<Operation> In the structure described above, the heat storage layer is made of a polyimide resin having a thermal diffusivity of about 1/4 of that of the glass glaze (the thermal diffusivity is sufficiently low), as is apparent from the table below. Because it is used, it has better heat insulation performance than a thermal recording device that uses a ceramic substrate, and when power is applied,
Since it has the effect of reducing the amount of heat transferred to the heat dissipation layer of the copper foil under the polyimide and increasing the amount of heat transferred to the thermal paper side, the applied voltage is used efficiently and energy saving is facilitated.

またポリイミド蓄熱層の下部には、放熱層としてセラ
ミック基板による感熱記録装置の放熱層兼絶縁基板の材
料であるアルミナセラミックより約9倍の熱拡散率を有
する(熱拡散率が十分高い)銅をパターンエッチングに
より配置しているので印字後の放熱性が良く、例えば従
来のガラスグレーズ層を厚く形成した時に生じていた印
字の際の尾引き現象は前記放熱層に移動する熱のスピー
ドが早くなることにより、生じなくなる。
Copper having a thermal diffusivity (sufficiently high thermal diffusivity) about 9 times higher than that of alumina ceramic, which is a material of the thermal radiation layer and the insulating substrate of the thermal recording device using the ceramic substrate as the thermal radiation layer, is formed under the polyimide thermal storage layer. Since it is arranged by pattern etching, the heat dissipation after printing is good. For example, the trailing phenomenon during printing that occurs when a conventional glass glaze layer is formed thickly increases the speed of heat moving to the heat dissipation layer. It will not occur.

また、前記ポリイミド蓄熱層及び、銅放熱層の熱拡散
率の高低差を十分に大きく設定して熱効率の改善を図っ
たのに加え、それらの下に配置している絶縁基板を従来
のアルミナセラミック基板よりも十分に低い熱拡散率を
有する(または、ある程度低い熱拡散率を有する)耐熱
性樹脂で適度な厚さを有して構成することにより、この
絶縁基板で、ある程度の熱(直接的に印字に寄与しない
程度の熱量)を保持することができ、省エネルギー化が
図れる。
In addition to improving the thermal efficiency by setting the difference in the thermal diffusivity of the polyimide heat storage layer and the heat dissipation layer of the copper to be sufficiently large, the insulating substrate disposed thereunder is provided with a conventional alumina ceramic. A heat-resistant resin having a thermal diffusivity sufficiently lower than that of the substrate (or having a thermal diffusivity somewhat lower than that of the substrate) and having an appropriate thickness allows the insulating substrate to have a certain amount of heat (direct The amount of heat that does not contribute to printing can be retained, and energy can be saved.

更に、ポリイミド蓄熱層と放熱層の構成のみによる感
熱記録装置において印字を行った場合、印字を開始した
直後において印字かすれが生じる恐れがあるが、発熱抵
抗体の下部に、発熱抵抗体より大きな熱拡散率を有する
絶縁材料(例えばTaSiO2より約1.53倍大きい熱拡散率を
有するSiO2)で無機物層を形成することにより、発熱抵
抗体の中央部に集中していた熱をこの無機物層を通して
発熱抵抗体全体に拡散する。無機物層は絶縁物なので発
熱抵抗体の電気的特性に影響を与えることなく熱のみを
拡散させ、よって発熱抵抗体の温度分布特性は平坦化さ
れ、印字かすれが防止される。
Furthermore, when printing is performed in a thermal recording device that is composed only of a polyimide heat storage layer and a heat dissipation layer, print fading may occur immediately after printing is started. By forming an inorganic material layer with an insulating material having a diffusivity (for example, SiO 2 having a thermal diffusivity about 1.53 times larger than that of TaSiO 2 ), the heat concentrated in the central portion of the heating resistor is generated through this inorganic material layer. Diffuses throughout the resistor. Since the inorganic material layer is an insulator, only heat is diffused without affecting the electrical characteristics of the heating resistor, so that the temperature distribution characteristic of the heating resistor is flattened and print blurring is prevented.

また絶縁基板は、耐熱性樹脂により形成された銅張り
印刷配線基板(例えば耐熱性ガラスエポキシ基板)を使
用しているので、従来のセラミック基板と違いアルカリ
成分の除去、高温焼成、基板の研磨といった工程を必要
とせず、かつ基板の大型化を図ることが容易であること
から生産性の向上が図れ、コスト低減化ができる。
Moreover, since the insulating substrate uses a copper-clad printed wiring board (for example, a heat-resistant glass epoxy substrate) formed of a heat-resistant resin, unlike conventional ceramic substrates, removal of alkaline components, high-temperature baking, polishing of the substrate, etc. Since no steps are required and the size of the substrate can be increased easily, productivity can be improved and cost can be reduced.

〈実施例〉 以下に本発明の一実施例を図面を用いて詳述する。第
1図は本発明構成による感熱記録装置に関する要部斜視
図、第2図は本発明の一実施例による感熱記録装置の断
面図、第3図は本発明構造による発熱抵抗体の温度分布
特性図、第4図の(a)は放熱構造を有していない印刷
配線基板を使用した時の熱応答特性図、第4図(b)は
放熱層と裏面金属層を有した印刷配線基板を使用した時
の熱応答特性図、第4図(c)は放熱層のみを有した印
刷配線基板を使用した時の熱応答特性図、第5図は本発
明の一実施例及び従来例の印字パワーと印字濃度との関
係を示す図、第6図は(a)乃至(i)は本発明の一実
施例による感熱記録装置の製造工程図である。
<Example> An example of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a perspective view of a main part of a thermal recording apparatus according to the present invention, FIG. 2 is a sectional view of a thermal recording apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a temperature distribution characteristic of a heating resistor according to the present invention structure. FIG. 4 (a) is a thermal response characteristic diagram when a printed wiring board having no heat dissipation structure is used, and FIG. 4 (b) is a printed wiring board having a heat dissipation layer and a back surface metal layer. FIG. 4 (c) is a thermal response characteristic diagram when using a printed wiring board having only a heat dissipation layer, and FIG. 5 is a print of an embodiment of the present invention and a conventional example. FIG. 6 is a diagram showing the relationship between power and print density, and FIGS. 6A to 6I are manufacturing process diagrams of a thermal recording apparatus according to an embodiment of the present invention.

また下記表は感熱記録装置の各構成材料の熱拡散率を
示す表である。
The following table is a table showing the thermal diffusivity of each constituent material of the thermal recording apparatus.

まず第1図、第2図について説明する。尚、第7図に
示す従来例と同一機能部分については同一記号を付して
いる。
First, FIGS. 1 and 2 will be described. The same functional parts as those of the conventional example shown in FIG. 7 are designated by the same reference numerals.

第1図、第2図に示すように、本発明一実施例による
感熱記録装置は絶縁基板1上に複数個の発熱抵抗体2を
走査方向に並べて配置し、前記各発熱抵抗体2の一端を
制御素子3と電気的に接続する個別電極4と、前記各発
熱抵抗体2の他端と共通に、電気的に接続される共通電
極5を備え、前記絶縁基板1は耐熱樹脂より成る銅張り
印刷配線基板で構成し、前記発熱抵抗体2の下部に、前
記発熱抵抗体2より大きな熱拡散率を有する絶縁材料、
例えばSiO2膜の無機物層8と、ポリイミド系樹脂により
成る蓄熱層7と、前記絶縁基板の銅箔により形成された
放熱層6とを積層している。
As shown in FIGS. 1 and 2, a thermal recording apparatus according to an embodiment of the present invention has a plurality of heating resistors 2 arranged side by side in the scanning direction on an insulating substrate 1 and one end of each heating resistor 2 is disposed. Is provided with an individual electrode 4 electrically connected to the control element 3 and a common electrode 5 electrically connected to the other end of each heating resistor 2, and the insulating substrate 1 is made of a heat-resistant resin made of copper. An insulating material having a thermal diffusivity larger than that of the heating resistor 2 and formed on the printed wiring board under the heating resistor 2.
For example, an inorganic layer 8 of SiO 2 film, a heat storage layer 7 made of a polyimide resin, and a heat dissipation layer 6 made of a copper foil of the insulating substrate are laminated.

先の熱拡散率表に示す通り、本例による蓄熱層7は従
来のガラスグレーズによる蓄熱層の約1/4の熱拡散率を
有するポリイミド樹脂を使用し、放熱層6には、従来の
放熱層兼絶縁基板の材料であるアルミナセラミックより
約9倍の熱拡散率を有し、且つポリイミド樹脂の熱拡散
率より3桁程高い銅を使用している。また絶縁基板1も
熱拡散率の低い(本例ではポリイミドより約2倍、ガラ
スグレーズより約1/2倍の熱拡散率を有するガラスエポ
キシ樹脂基板を使用)耐熱性銅張り印刷配線基板を使用
し、その基板の表面側には前述の放熱層6が、裏面側に
は下部の放熱用金属層10が銅により形成されている。
As shown in the thermal diffusivity table above, the heat storage layer 7 according to this example uses a polyimide resin having a thermal diffusivity about 1/4 of that of the conventional glass glaze heat storage layer. Copper, which has a thermal diffusivity about 9 times that of alumina ceramics, which is the material of the layer / insulating substrate, and which is about three orders of magnitude higher than the thermal diffusivity of the polyimide resin is used. Further, the insulating substrate 1 also uses a heat-resistant copper-clad printed wiring board having a low thermal diffusivity (in this example, a glass epoxy resin substrate having a thermal diffusivity about twice that of polyimide and about half the glass glaze is used). The above-mentioned heat dissipation layer 6 is formed on the front surface side of the substrate, and the lower heat dissipation metal layer 10 is formed of copper on the back surface side.

第2図において、さらに詳述する。絶縁基板1は熱分
解開始温度350℃、厚さ0.8mm、長さ232mm、幅80mmの耐
熱性印刷配線基板であり、ガラス繊維にエポキシ樹脂を
含浸して形成したガラスエポキシ基板で構成されてい
る。この絶縁基板1は、従来使用していたセラミック基
板製の感熱記録装置より安価で生産できる反面、熱分
解温度より高い温度で加熱できない(本実施例では350
℃)、ソリやウネリが発生しやすい等の問題がある。
Further details will be described with reference to FIG. The insulating substrate 1 is a heat-resistant printed wiring board having a thermal decomposition starting temperature of 350 ° C., a thickness of 0.8 mm, a length of 232 mm and a width of 80 mm, and is composed of a glass epoxy substrate formed by impregnating glass fiber with epoxy resin. . Although this insulating substrate 1 can be produced at a lower cost than the conventional thermal recording device made of a ceramic substrate, it cannot be heated at a temperature higher than the thermal decomposition temperature (350 in this embodiment).
℃), there is a problem that warp and swell easily occur.

このため生産工程においては、前記絶縁基板1の温度
が熱分解温度を越えない条件で行う生産工程とし、また
感熱記録装置の製造中において絶縁基板1の熱変形を防
止する層、基板のソリやウネリを防止する層として絶縁
基板1の表裏両面の金属層(放熱層6,裏面金属層10)を
張り付けた状態のままで生産を行う。
Therefore, in the production process, the production process is performed under the condition that the temperature of the insulating substrate 1 does not exceed the thermal decomposition temperature, and a layer for preventing thermal deformation of the insulating substrate 1 during the production of the thermal recording apparatus, warp of the substrate, As a layer for preventing swelling, production is performed with the metal layers (heat dissipation layer 6, back surface metal layer 10) on both sides of the insulating substrate 1 stuck.

尚、放熱層6及び裏面金属層10は、絶縁基板1に銅箔
を張り付けた(いわゆる銅張り印刷配線基板)後、無電
解メッキ法によりNiP層(またはNi層)を介してAu層を
積層した3層構造となっている。3層構造とする理由は
以下の2点による。即ち、銅のみでは酸化しやすく、
後述するフェイスダウンボンディング部のバンプ形成時
に半田バンプの接続ができない。銅層上にAuを直接積
層した場合、生産工程中の熱処理工程において両層間に
拡散が発生し、この結果ちu層表面で銅が酸化を引き起
こすため銅層とAu層間に拡散防止バリヤー(NiP)層を
施した3層構造とすることで酸化防止を図る。
The heat dissipation layer 6 and the back surface metal layer 10 are obtained by laminating a copper foil on the insulating substrate 1 (so-called copper-clad printed wiring board) and then stacking an Au layer via a NiP layer (or Ni layer) by electroless plating. It has a three-layer structure. The reason for having a three-layer structure is as follows. That is, it is easy to oxidize with only copper,
Solder bumps cannot be connected at the time of forming bumps in the face-down bonding portion described later. When Au is directly laminated on the copper layer, diffusion occurs between both layers in the heat treatment process during the production process, and as a result, the copper oxidizes on the surface of the u layer, so a diffusion barrier (NiP ) Oxidation is prevented by using a three-layer structure with layers.

このように表裏両面に金属線層を施した絶縁基板1
は、表面側金属層をエッチングにより、放熱層6および
フェイスダウンボンディング部11をパターン形成し、ま
た裏面側金属層はエッチング等を行わずそのまま裏面金
属層10として使用される。
Insulating substrate 1 having metal wire layers on both sides
Is used to form the heat dissipation layer 6 and the face-down bonding portion 11 by etching the front side metal layer, and the back side metal layer is used as the back side metal layer 10 without etching.

蓄熱層7はポリイミド樹脂により形成され、またフェ
イスダウンボンディング部11を構成する半田ダム12も同
時に形成する。この蓄熱層7は熱拡散率が0.11(mm2/se
c)のシロキサン結合を含んだポリイミド樹脂を使用し
ている。
The heat storage layer 7 is formed of a polyimide resin, and the solder dam 12 forming the face-down bonding portion 11 is also formed at the same time. This heat storage layer 7 has a thermal diffusivity of 0.11 (mm 2 / se
The polyimide resin containing the siloxane bond of c) is used.

これは従来使用していたガラスグレーズの熱拡散率0.
45(mm2/sec)の約1/4に値し、よって従来と比較して絶
縁基板側にロスする熱が減少して、感熱紙に伝わる熱エ
ネルギーの割合が高くなり、省エネルギー化に対応でき
る。またシロキサン結合を含んだポリイミド樹脂は、金
属との密着性にも優れている。
This is the thermal diffusivity of the glass glaze used conventionally is 0.
It is equivalent to about 1/4 of 45 (mm 2 / sec), so the heat lost to the insulating substrate side is reduced compared to the conventional case, and the ratio of the thermal energy transmitted to the thermal paper is increased, which corresponds to energy saving. it can. Further, the polyimide resin containing a siloxane bond is also excellent in adhesion to a metal.

ポリイミド蓄熱層7上には、無機物層8を介して走査
方向に配列した複数個の発熱抵抗体2が積層される。こ
のうち無機物層8は蓄熱層7より薄く形成したSiO2より
形成している。このSiO2は絶縁材料である上に熱拡散率
がTaSiO2より約1.53倍大きく、発熱抵抗体部の熱分布を
均一化するべく、熱を2次元方向にすばやく拡散させる
効果を有する。
A plurality of heating resistors 2 arranged in the scanning direction are laminated on the polyimide heat storage layer 7 with an inorganic layer 8 interposed therebetween. Of these, the inorganic layer 8 is made of SiO 2 formed thinner than the heat storage layer 7. This SiO 2 is an insulating material and has a thermal diffusivity about 1.53 times larger than that of TaSiO 2 , and has the effect of quickly diffusing heat in a two-dimensional direction in order to make the heat distribution in the heating resistor part uniform.

また発熱抵抗体2は例えばTaSiO2膜で形成され、一端
に制御素子3と電気的に接続を行う個別配線電極4と、
夫々の発熱抵抗体2の他端と共通に、電気的に接続を行
う共通配線電極5が配置され、制御素子3の制御により
選択的に電力が供給され発熱する。
The heating resistor 2 is formed of, for example, a TaSiO 2 film, and has an individual wiring electrode 4 electrically connected to the control element 3 at one end,
A common wiring electrode 5 for electrical connection is arranged in common with the other end of each heating resistor 2, and electric power is selectively supplied by the control of the control element 3 to generate heat.

尚、共通配線電極5と放熱層を電気的に接続すると熱
効率が向上すると同時に、共通電極に流れる電流に対し
て十分な電流容量を得ることができるため、感熱記録装
置の小型化が可能である。
When the common wiring electrode 5 and the heat dissipation layer are electrically connected, thermal efficiency is improved, and at the same time, a sufficient current capacity can be obtained for the current flowing through the common electrode, so that the thermal recording apparatus can be downsized. .

保護膜9は、フェイスダウンボンディングを構成する
半田ダム部12を除く、発熱抵抗体2,共通配線電極5,個別
電極4,ポリイミド蓄熱層7上に形成されており、耐湿性
酸化防止膜、摩耗防止膜として機能する。
The protective film 9 is formed on the heat-generating resistor 2, the common wiring electrode 5, the individual electrode 4, and the polyimide heat storage layer 7, excluding the solder dam portion 12 that constitutes face-down bonding. Functions as a preventive film.

制御素子3はフェイスダウンボンディング部11に取り
付けられ、エポキシ樹脂13によりモールドされる。
The control element 3 is attached to the face-down bonding portion 11 and molded with the epoxy resin 13.

絶縁基板1の裏面には裏面金属層10を介してヒートシ
ンク113が接着されている。このヒートシンク113は熱拡
散係数の高い金属(本実施例ではアルミ板)で形成され
ており、感熱記録装置の熱拡散を行っている。
A heat sink 113 is adhered to the back surface of the insulating substrate 1 via a back surface metal layer 10. The heat sink 113 is made of a metal having a high thermal diffusion coefficient (aluminum plate in this embodiment), and performs thermal diffusion of the thermal recording apparatus.

次に無機物層8について詳述する。発熱抵抗体2の下
部には発熱抵抗体2より大きな熱拡散率を有する絶縁材
料(例えばTaSiO2より約1.53倍大きい熱拡散率を有する
SiO2膜)により無機物層8を形成している。これは発熱
抵抗体2の中央部に集中していた熱を、発熱抵抗体2よ
り熱拡散率の大きいこの無機物層8を通して発熱抵抗体
全体に拡散し、また無機物層8は絶縁物で形成されてい
るので、発熱抵抗体2の電気的特性に影響を与えること
なく発熱抵抗体2の温度分布特性を平坦化できる。
Next, the inorganic layer 8 will be described in detail. An insulating material having a thermal diffusivity larger than that of the heating resistor 2 is provided under the heating resistor 2 (for example, a thermal diffusivity about 1.53 times larger than that of TaSiO 2 ).
The inorganic layer 8 is formed of a SiO 2 film. This diffuses the heat concentrated in the central portion of the heating resistor 2 to the entire heating resistor through the inorganic layer 8 having a larger thermal diffusivity than the heating resistor 2, and the inorganic layer 8 is made of an insulating material. Therefore, the temperature distribution characteristics of the heating resistor 2 can be flattened without affecting the electrical characteristics of the heating resistor 2.

尚、SiO2以外にサイアロン,SiN,Al2O3等の絶縁材料が
使用できる。ちなみに、サイアロンの熱拡散率は9.96
(mm2/sec),Al2O3の熱拡散率は12.1(mm2/sec),SiN
の熱拡散率はサイアロンと同等かそれ以上である。SiO2
膜は、エッチング加工がしやすい、安価(ターゲット
等)、蓄熱層のポリイミド樹脂との密着性が良い等の利
点があり有用である。
In addition to SiO 2 , insulating materials such as sialon, SiN, and Al 2 O 3 can be used. By the way, the thermal diffusivity of Sialon is 9.96.
(Mm 2 / sec), thermal diffusivity of Al 2 O 3 is 12.1 (mm 2 / sec), SiN
Has a thermal diffusivity equal to or higher than that of Sialon. SiO 2
The film is useful because it has advantages such as easy etching, low cost (target, etc.), and good adhesion to the polyimide resin of the heat storage layer.

上述の熱拡散について、第3図、第8図および第9図
に従って、無機物層8が有る場合と無い場合を比較して
説明する。
The above-mentioned thermal diffusion will be described with reference to FIGS. 3, 8 and 9 by comparing the case with the inorganic layer 8 and the case without the inorganic layer 8.

第8図(a)および(b)はそれぞれ印字かすれの無
い場合と有る場合の印字状態を示す図である。第8図
(b)に示す通り、印字かすれ81とは発熱抵抗体の印字
ドットサイズの全面で発色せず、一部分のみ発色した時
生じるもので、その印字ドットサイズに対し発色部分82
の割合が少ないと、人間の目には印字濃度が薄く感じら
れてしまう現象である。
FIGS. 8 (a) and 8 (b) are views showing the printing states with and without print blur, respectively. As shown in FIG. 8 (b), the print faint 81 is generated when only a part of the print dot size of the heating resistor does not develop, and a colored part 82 corresponds to the print dot size.
When the ratio of is small, the print density is perceived by the human eye as being light.

第9図は無機物層8が無い場合で、(a)は発熱抵抗
体2の平面図、(b)および(c)はそれぞれ(a)図
のX−X′,Y−Y′方向の温度分布を示している。尚、
この温度は赤外線温度放射計により測定されたものであ
る。
FIG. 9 shows the case where the inorganic layer 8 is not provided, (a) is a plan view of the heating resistor 2, and (b) and (c) are the temperatures in the XX ′ and YY ′ directions of FIG. The distribution is shown. still,
This temperature is measured by an infrared thermometer.

第9図(b)(c)に示す通り、電流密度が発熱抵抗
体2の中央部分に集中することで、中央部分の発熱量が
増加し、また発熱抵抗体2の材料として使用しているTa
SiO2の抵抗温度係数が負特性を示していることも相作用
して、更に電流が発熱抵抗体の中央部に集中するため、
第8図(b)で説明したような印字かすれが生じる。
As shown in FIGS. 9B and 9C, the current density is concentrated in the central portion of the heating resistor 2, so that the amount of heat generated in the central portion is increased and the heating resistor 2 is used as a material. Ta
The fact that the temperature coefficient of resistance of SiO 2 exhibits a negative characteristic also interacts, and the current is further concentrated in the center of the heating resistor.
Print fading occurs as described with reference to FIG.

この現象は第7図に示す従来のグレーズドセラミック
基板を使用した感熱記録装置においては発生じなかった
現象で、これは発熱抵抗体2の下部に配置しているポリ
イミド蓄熱層7の熱拡散係数が非常に低いために、この
部分を通って発熱抵抗体2の全体に拡散される熱量が非
常に少ないために生じる。
This phenomenon does not occur in the thermal recording apparatus using the conventional glaze ceramic substrate shown in FIG. 7. This is because the thermal diffusion coefficient of the polyimide heat storage layer 7 disposed below the heating resistor 2 is This is because the amount of heat diffused through this portion to the entire heating resistor 2 is very small because it is very low.

尚、この印字かすれが生ずるのは印字開始時のみで、
ある一定時間印字を行うと絶縁基板1等の温度が上昇
し、生じなくなる。
It should be noted that this print fading occurs only at the start of printing,
When printing is performed for a certain period of time, the temperature of the insulating substrate 1 and the like rises and the printing does not occur.

これに対し、第3図は本発明の一実施例のように無機
物層8を設けた場合で、第9図と同様、(a)は発熱抵
抗体2の平面図、(b)および(c)はそれぞれ(a)
図のX−X′,Y−Y′方向の温度分布を示している。
尚、この温度も赤外線温度放射計により測定されたもの
である。
On the other hand, FIG. 3 shows the case in which the inorganic layer 8 is provided as in the embodiment of the present invention. Like FIG. 9, (a) is a plan view of the heating resistor 2, (b) and (c). ) Are (a)
The temperature distributions in the directions X-X 'and Y-Y' in the figure are shown.
This temperature is also measured by an infrared thermometer.

第3図(b)に示すように、発熱抵抗体2のX−X′
方向の温度分布は、第9図(b)の無機物層8が無い場
合とほぼ同一である(これは発熱抵抗体の両端に熱拡散
率の大きいアルミ配線電極を形成していることによ
る)。しかし、第3図(c)に明示されるように、Y−
Y′方向は無機物層8を設けることにより速やかに平均
化され、印字かすれを防止できる。
As shown in FIG. 3 (b), XX ′ of the heating resistor 2
The temperature distribution in the direction is almost the same as that in the case where the inorganic layer 8 in FIG. 9B is not provided (this is because aluminum wiring electrodes having a large thermal diffusivity are formed at both ends of the heating resistor). However, as clearly shown in FIG.
By providing the inorganic material layer 8 in the Y'direction, the averaged value can be quickly averaged to prevent print blur.

以下に放熱層6、蓄熱層7および絶縁基板1の熱特性
について、より具体的に説明する。
The thermal characteristics of the heat dissipation layer 6, the heat storage layer 7, and the insulating substrate 1 will be described more specifically below.

発熱抵抗体2で発生したジュール熱は、個別配線電極
4,共通配線電極5を介して放熱されるロス分以外は、感
熱記録装置の断面上下方向に分散される。いまここで保
護膜9を介して感熱紙に移動するエネルギーをQ1,蓄熱
層7を介して放熱層6を通り絶縁基板1に移動するエネ
ルギーをQ2、蓄熱層7を介して絶縁基板1に移動するエ
ネルギーをQ3と仮に定義すると、印加電圧のON,OFF時に
おいて、夫々下記の条件が成り立つ。
The Joule heat generated in the heating resistor 2 is generated by the individual wiring electrode.
4. Except for the amount of heat radiated through the common wiring electrode 5, the heat is dispersed in the vertical direction of the cross section of the thermal recording apparatus. Now, the energy transferred to the thermal paper via the protective film 9 is Q 1 , the energy transferred to the insulating substrate 1 via the heat storage layer 7 through the heat dissipation layer 6 is Q 2 , and the insulating substrate 1 via the heat storage layer 7. If the energy transferred to is tentatively defined as Q 3 , the following conditions hold when the applied voltage is ON and OFF, respectively.

印加電圧ON時 Q1>Q2>Q3 印加電圧OFF時 Q2>Q1,Q2>Q3 これは印加電圧ON時において熱拡散率は保護膜9として
サイアロンを使用した場合、9.96(mm2/sec)に対し、
ポリイミド蓄熱層7は0.11(mm2/sec)であり、しかも
膜厚はサイアロンが3μmに対しポリイミド蓄熱層7で
は6〜10μmである。従って発熱抵抗体2の中心ライン
を原点として画いた等温度ラインは保護膜側が密とな
り、Q1>Q2+Q3の条件が常に成り立つ。一方同様に銅6
の膜厚9μm,熱拡散率112.8(mm2/sec)と、耐熱性ガラ
スエポキシ基板(絶縁基板1)の厚さ0.8mm,熱拡散率0.
25(mm2/sec)の関係によりQ2>Q3の関係が成り立つ。
When applied voltage is ON Q 1 > Q 2 > Q 3 When applied voltage is OFF Q 2 > Q 1 , Q 2 > Q 3 When the applied voltage is ON, the thermal diffusivity is 9.96 (when Sialon is used as the protective film 9). mm 2 / sec),
The polyimide heat storage layer 7 is 0.11 (mm 2 / sec), and the film thickness is 6 to 10 μm in the polyimide heat storage layer 7 as compared with 3 μm for sialon. Therefore, the isothermal line drawn with the center line of the heating resistor 2 as the origin becomes dense on the protective film side, and the condition of Q 1 > Q 2 + Q 3 always holds. On the other hand, similarly copper 6
Thickness of 9μm, thermal diffusivity of 112.8 (mm 2 / sec), heat-resistant glass epoxy substrate (insulating substrate 1) thickness of 0.8mm, thermal diffusivity of 0.
Due to the relationship of 25 (mm 2 / sec), the relationship of Q 2 > Q 3 is established.

また印加電圧OFF時においては、熱拡散率の低いポリ
イミド蓄熱層7に蓄熱された熱量を放熱させることにな
るため蓄熱層7をはさむTaSiO2(発熱抵抗体2)と銅
(放熱層6)の熱拡散率の比は、TaSiO2の0.58(mm2/se
c)に対し、銅112.8(mm2/sec)であり、その比率194.5
倍大きな銅放熱層を介してエネルギーQ2が、エネルギー
Q1より大きくなり、結果、感熱紙側に伝達されるエネル
ギーの切り換えが印加電圧ON,OFF時でQ1>Q2(印加電圧
ON時)Q1<Q2(印加電圧OFF時)となり、素早くエネル
ギーが切り換えることが可能となる。
When the applied voltage is OFF, the amount of heat stored in the polyimide heat storage layer 7 having a low thermal diffusivity is radiated, so that TaSiO 2 (heating resistor 2) and copper (heat dissipation layer 6) sandwiching the heat storage layer 7 the ratio of the thermal diffusivity, 0.58 TaSiO 2 (mm 2 / se
c) is 112.8 (mm 2 / sec) for copper, and its ratio is 194.5
Energy Q 2 through the double large copper heat dissipation layer, energy
Greater than Q 1, the result, switching the applied voltage ON of energy transferred to the thermal paper side, Q 1 at the time of OFF> Q 2 (applied voltage
ON time) Q 1 <Q 2 (when the applied voltage OFF), and the it is possible to switch quickly energy.

これは前記無機物層8の形成に影響しないで成立す
る。すなわち、TaSiO2層(発熱抵抗体2)より下層へ伝
わる熱は、熱拡散率のポリイミド蓄熱層7により遮断さ
れるため、Q1,Q2の熱量は無機物層8により左右されな
い。また、上層に伝わる熱は、無機物層8によりTaSiO2
(発熱抵抗体2)に拡散するものの、感熱紙に伝わる総
熱量は変わりがない。よって、 ON時 Q1>Q2>Q3 OFF時 Q2>Q1,Q2>Q3 の式は常に成り立つ。
This is established without affecting the formation of the inorganic layer 8. That is, the heat transferred from the TaSiO 2 layer (heating resistor 2) to the lower layer is blocked by the polyimide heat storage layer 7 having a thermal diffusivity, so that the heat quantities of Q 1 and Q 2 are not influenced by the inorganic layer 8. The heat transferred to the upper layer is TaSiO 2 due to the inorganic layer 8.
Although diffused in (heat-generating resistor 2), the total amount of heat transferred to the thermal paper remains unchanged. Therefore, the formulas of Q 1 > Q 2 > Q 3 when ON, Q 2 > Q 1 and Q 2 > Q 3 when OFF are always satisfied.

以上の点において、従来のグレーズドセラミック基板
を用いた感熱記録装置では、熱拡散率がサイアロン(保
護膜)で9.96(mm2/sec),アルミナセラミック基板で1
2.1(mm2/sec),ガラスグレーズで0.45(mm2/sec)で
あり本発明構造に比べて互いに近接しているため、前述
のQ1>Q2(印加電圧ON時),Q1<Q2(印加電圧OFF時)
の条件が成り立つものの、ON,OFFそれぞれの状態におい
てのQ1とQ2との差は大きくないため印字効率が悪い。し
かし、本発明構造は熱拡散率の十分低いポリイミド樹脂
と熱拡散率の十分高い銅を使用しているので、前記Q1
Q2との差は大きくなり、よって熱効率が著しく改善でき
る。
In view of the above points, in the thermal recording device using the conventional glaze ceramic substrate, the thermal diffusivity is 9.96 (mm 2 / sec) for sialon (protective film) and 1 for the alumina ceramic substrate.
2.1 (mm 2 / sec), 0.45 (mm 2 / sec) in glass glaze, which are closer to each other compared to the structure of the present invention. Therefore, Q 1 > Q 2 (when applied voltage is ON), Q 1 < Q 2 (when the applied voltage is OFF)
Although the condition of is satisfied, the printing efficiency is poor because the difference between Q 1 and Q 2 in the ON and OFF states is not large. However, the present invention structure because it uses a sufficiently high copper low enough polyimide resin and the thermal diffusivity of the thermal diffusivity, and above for Q 1 in
The difference from Q 2 becomes large, and therefore the thermal efficiency can be significantly improved.

尚、放熱層6は共通配線電極5と電気的に接続するこ
とにより、放熱層6の電気的、熱的容量を増加させるこ
とができ、よって前述のQ1とQ2の差は更に増加し、熱特
性を向上させることができる。また同時に、電流に対し
て十分な電流容量をえることができるため感熱記録装置
の小型化に対しても有効となる。
By electrically connecting the heat dissipation layer 6 to the common wiring electrode 5, the electric and thermal capacities of the heat dissipation layer 6 can be increased. Therefore, the difference between Q 1 and Q 2 described above is further increased. The thermal characteristics can be improved. At the same time, a sufficient current capacity can be obtained with respect to the current, which is also effective for downsizing the thermal recording apparatus.

また絶縁基板1はポリイミド蓄熱層7の約2倍、従来
のアルミナセラミック基板より約1/50倍の熱拡散率を有
する耐熱ガラスエポキシ材で構成しており、この結果ポ
リイミド蓄熱層7で蓄熱された熱の大部分は、銅放熱層
6を通って絶縁基板1へと放熱される。尚、この時絶縁
基板1は熱拡散率がある程度低いため、この絶縁基板自
身である程度熱を蓄熱するための機能を有することがで
き、省エネ駆動にも対応できる。
The insulating substrate 1 is made of a heat-resistant glass epoxy material having a thermal diffusivity about twice that of the polyimide heat storage layer 7 and about 1/50 times that of the conventional alumina ceramic substrate. As a result, heat is stored in the polyimide heat storage layer 7. Most of the heat is radiated to the insulating substrate 1 through the copper heat dissipation layer 6. At this time, since the insulating substrate 1 has a low thermal diffusivity to some extent, the insulating substrate itself can have a function of accumulating heat to some extent, and energy saving drive can be supported.

裏面金属層10は次の通り機能する。駆動パルスのOFF
時に、発熱抵抗体2からの熱を絶縁基板1を介して速や
かにこの裏面金属層10に拡散し、ついでこの裏面金属層
10の下面に接着しているヒートシンク113に熱を伝える
ことにより、さらに放熱性を向上させる。
The backside metal layer 10 functions as follows. Driving pulse OFF
At times, the heat from the heating resistor 2 is quickly diffused through the insulating substrate 1 to the back surface metal layer 10, and then the back surface metal layer.
The heat dissipation is further improved by transmitting heat to the heat sink 113 bonded to the lower surface of 10.

次に連続パルス駆動時の基板表面温度の時間変化を第
4図に示す。放熱層6及び裏面金属層10を施さなかった
構造では、第4図(a)に示すように、発熱抵抗体部で
発生したジュール熱は印加パルス数の増加と共に基板に
蓄熱され続け、その後、感熱紙の発色温度を越えた熱量
が蓄積され続けた場合、尾引き現象が生じてしまう。こ
れに対し第4図(b)に示すように、放熱層6及び裏面
金属層10を施した構造では、適所に放熱効果を付加する
ことにより、ヘッドに熱量が蓄積されることを防止して
熱特性の改善を図れる。放熱層6のみで裏面金属層10を
施さなかった場合も、第4図(C)に示す通り、温度上
昇する時間的差異及び、発熱抵抗体の温度上昇(印加電
圧OFF時における)が認められるものの、放熱構造を有
しないものより温度上昇の抑制が顕著に認められ(第4
図(a)参照)、結果、ある程度の熱特性の改善が図れ
る。
Next, FIG. 4 shows the time change of the substrate surface temperature during continuous pulse driving. In the structure in which the heat dissipation layer 6 and the back surface metal layer 10 are not provided, as shown in FIG. 4 (a), the Joule heat generated in the heating resistor portion continues to be accumulated in the substrate as the number of applied pulses increases, and thereafter, If the amount of heat that exceeds the coloring temperature of the thermal paper continues to be accumulated, a tailing phenomenon will occur. On the other hand, as shown in FIG. 4 (b), in the structure in which the heat dissipation layer 6 and the back surface metal layer 10 are provided, a heat dissipation effect is added in a proper place to prevent the heat quantity from being accumulated in the head. The thermal characteristics can be improved. Even when only the heat dissipation layer 6 is not provided with the back surface metal layer 10, as shown in FIG. 4C, a time difference in temperature rise and a temperature rise of the heating resistor (when the applied voltage is OFF) are recognized. However, the suppression of the temperature rise is remarkably recognized as compared with the one without the heat dissipation structure (4th
As a result, the thermal characteristics can be improved to some extent.

次に第5図に従って、本発明の一実施例及び従来例に
よる感熱記録装置のエネルギー消費について説明する。
Next, the energy consumption of the thermal recording apparatus according to the embodiment of the present invention and the conventional example will be described with reference to FIG.

第5図中、(a)および(b)はそれぞれ本発明の一
実施例及び従来例の印加パワーと印字濃度との間の特性
を示している。図に明らかなように、同一の印字濃度に
対して要する印字パワーは(a)に示す本発明の一実施
例のほうが(b)に示す実施例に比べて非常に少ないこ
とが分かる。これは蓄熱層7に熱拡散率の十分低いポリ
イミド樹脂を用いたためであり、電力印加中はこの蓄熱
層7で熱遮断されるため、従来に比べて発生した熱量の
ロスは少なくなる。よって少ないエネルギーで従来と同
レベルの印字が保証できる。また絶縁基板1は熱拡散率
の低い耐熱ガラスエポキシ材で構成されてるためこの絶
縁基板でも熱を保持することとなり、これらの結果、従
来と比べより少ないエネルギーで感熱記録装置を駆動で
きる。
In FIG. 5, (a) and (b) show the characteristics between the applied power and the print density in the embodiment of the present invention and the conventional example, respectively. As is apparent from the figure, the print power required for the same print density is much smaller in the embodiment of the present invention shown in (a) than in the embodiment shown in (b). This is because the heat storage layer 7 is made of a polyimide resin having a sufficiently low thermal diffusivity, and heat is cut off by the heat storage layer 7 during the application of electric power, so that the loss of the amount of heat generated is smaller than in the conventional case. Therefore, the same level of printing can be guaranteed with less energy. Further, since the insulating substrate 1 is made of a heat-resistant glass epoxy material having a low thermal diffusivity, the insulating substrate also retains heat, and as a result, the thermal recording apparatus can be driven with less energy as compared with the conventional case.

次に本発明による感熱記録装置の製造方法を第6図に
従って説明する。
Next, a method of manufacturing the thermal recording apparatus according to the present invention will be described with reference to FIG.

ガラス繊維に耐熱性エポキシ樹脂を含浸させて形成し
た、熱分解開始温度が350℃の耐熱性印刷回路基板1の
表裏両面に、金属箔を加熱プレス法により張り付ける。
この金属箔は厚さ40μmのアルミニウム箔14上に銅箔6A
を5〜12μm望ましくは9μm形成した構成とするもの
で、アルミニウム箔14を外面に露出するように絶縁基板
1に積層している。尚、前記アルミニウム箔14は薄膜状
の銅箔6Aを積層する為のキャリア材料として用いてお
り、金属箔の積層後、前記アルミニウム箔部分14をエッ
チングにより除去する。
Metal foils are attached to both front and back surfaces of a heat-resistant printed circuit board 1 formed by impregnating glass fibers with a heat-resistant epoxy resin and having a thermal decomposition starting temperature of 350 ° C. by a hot pressing method.
This metal foil consists of a copper foil 6A on an aluminum foil 14 with a thickness of 40 μm.
5 to 12 μm, preferably 9 μm, and the aluminum foil 14 is laminated on the insulating substrate 1 so as to be exposed on the outer surface. The aluminum foil 14 is used as a carrier material for laminating the thin copper foil 6A, and the aluminum foil portion 14 is removed by etching after the metal foil is laminated.

こうして出来上がった絶縁基板1(銅張り印刷配線基
板)上の銅層6Aの表面を不織布研磨材により整面処理を
施し残存アルミニウムの除去及び銅箔6A上の酸化膜の除
去を行う。
The surface of the copper layer 6A on the insulating substrate 1 (copper-clad printed wiring board) thus completed is subjected to a surface treatment with a non-woven cloth abrasive to remove the residual aluminum and the oxide film on the copper foil 6A.

その後絶縁基板1の寸法の安定化を図るため300℃の
オーブンに投入し、次いで銅箔6A上の酸化膜を除去する
目的で再度銅層6Aの表面を整面処理を施す。
Then, the insulating substrate 1 is placed in an oven at 300 ° C. in order to stabilize its dimensions, and then the surface of the copper layer 6A is subjected to a surface treatment again in order to remove the oxide film on the copper foil 6A.

以上のようにして第6図(b)に示す絶縁基板1が得
られる。
The insulating substrate 1 shown in FIG. 6 (b) is obtained as described above.

次に第6図(c)に示すように、絶縁基板1の表面の
銅層6Aを所定のパターンに形成するため、エレクトロ・
デポジション法によるレジストの形成、銅エッチング、
レジストの剥離を順次行う。放熱層銅層6Aおよびフェイ
スダウンボンディング部銅層11Aはこのパターニング工
程により同時に形成されるが、絶縁基板1裏面の銅層10
Aは基板の熱特性の改善からも、また熱による基板のソ
リを改善する意図からも、パターニングは行わず、全域
残している。
Next, as shown in FIG. 6 (c), in order to form the copper layer 6A on the surface of the insulating substrate 1 into a predetermined pattern, electro.
Resist formation by deposition method, copper etching,
The resist is peeled off sequentially. Although the heat dissipation layer copper layer 6A and the face-down bonding portion copper layer 11A are simultaneously formed by this patterning step, the copper layer 10 on the back surface of the insulating substrate 1 is formed.
A is not patterned, and is left in the entire area from the viewpoint of improving the thermal characteristics of the substrate and improving the warp of the substrate due to heat.

次ぎにパターン形成した放熱層銅層6A、フェイスダウ
ンボンディング部銅層11A及び裏面金属部銅層10A上に、
それぞれNiP層(6B,11B,10B)とAu層(6C,11C,10C)を
無電解メッキにより順次積層する。これは製造工程上で
銅表面が酸化するのを防止するためのものである。銅上
にAuを直接積層すると両金属による拡散が発生し、Au表
面上で銅が酸化する。そこで、この拡散防止のため銅層
とAu層の間に拡散防止バリヤーとしてNiP層を1〜2μ
m形成し3層構造とすることで酸化防止対策を施してい
る。
Next, on the heat dissipation layer copper layer 6A patterned, the face-down bonding portion copper layer 11A and the back surface metal portion copper layer 10A,
NiP layers (6B, 11B, 10B) and Au layers (6C, 11C, 10C) are sequentially laminated by electroless plating. This is to prevent the copper surface from being oxidized in the manufacturing process. When Au is directly laminated on copper, diffusion by both metals occurs and copper oxidizes on the Au surface. Therefore, to prevent this diffusion, a NiP layer of 1 to 2 μm is provided as a diffusion prevention barrier between the copper layer and the Au layer.
Anti-oxidation measures are taken by forming a 3-layer structure.

この後、第6図(d)に示すように、ポリイミド樹脂
を絶縁基板1の表面全域に、ロールコート法もしくはス
ピンコート法によりポリイミド前駆体15を塗布し、さら
に、第6図(e)に示すようにフェイスダウンボンディ
ングの半田ダム電極形成部12を除く同部金属層(11A,11
B,11C)と共通電極部金属層(6A,6B,6C:以下総称して放
熱層6と称す。)の一部上面を残してポリイミド樹脂を
定型パターンに形成し、熱処理によりポリイミド前駆体
のイミド化硬化を行いポリイミド蓄熱層7、およびフェ
イスダウンボンディング部の半田ダム12を形成する。前
記ポリイミド前駆体15のパターン形成する方法としてポ
ジレジスト法とネガレジスト法があるが、前者はレジス
トの現像とポリイミドのエッチングを同時に行うことが
できる反面、パターン精度が悪くなるといった特徴を持
っている。
Thereafter, as shown in FIG. 6 (d), a polyimide precursor 15 is applied to the entire surface of the insulating substrate 1 by a roll coating method or a spin coating method as shown in FIG. 6 (d). As shown in the figure, the metal layer (11A, 11A
B, 11C) and the common electrode part metal layer (6A, 6B, 6C: generically referred to as the heat dissipation layer 6 hereinafter), a polyimide resin is formed in a fixed pattern while leaving a part of the upper surface, and heat treatment is performed to remove the polyimide precursor. The polyimide heat storage layer 7 and the solder dam 12 of the face-down bonding portion are formed by imidization and curing. There are a positive resist method and a negative resist method as a method for forming the pattern of the polyimide precursor 15, but the former has a characteristic that the pattern accuracy is deteriorated while the resist development and the polyimide etching can be performed at the same time. .

まずポジレジスト法によるポリイミド蓄熱層5の形成
方法を説明する。ポジレジスト法ではポリイミド前駆体
15の塗布後、100〜150℃のオーブンで、半硬化状に熱硬
化を行い、その後レジスト形成、露光、現像、レジスト
の剥離工程を順次行う。尚、この現像工程で使用する現
像液はテトラ・メチル・ハイドロオキサイド5%溶液を
使用しており、これにより現像とエッチングを同時に行
うことができ、工数低減が可能となる。フォトエッチン
グ後は加熱によるポリイミド前駆体15のイミド化硬化を
行うが、クラックの防止のため200℃、及び300℃のオー
ブンで熱処理を施した後、さらに絶縁基板1の裏面を放
熱版に接触させて冷却しながら表面のポリイミド前駆体
15を赤外線照射により、300℃以上の温度で、熱処理を
施しポリイミド蓄熱層を形成する。この赤外線照射工程
を施す理由として絶縁基板1の熱分解温度が350℃迄に
対してポリイミド樹脂硬化温度が300℃と近接している
ことから直接的にオーブンで加熱することが出来ない為
である。
First, a method for forming the polyimide heat storage layer 5 by the positive resist method will be described. Polyimide precursor for positive resist method
After application of 15, heat curing is performed in a semi-cured state in an oven at 100 to 150 ° C., and then resist formation, exposure, development, and resist stripping steps are sequentially performed. Incidentally, the developing solution used in this developing step is a tetramethyl hydroxide 5% solution, which allows development and etching to be carried out at the same time, and the number of steps can be reduced. After photo-etching, the polyimide precursor 15 is imidized and cured by heating. To prevent cracks, heat treatment is performed in an oven at 200 ° C. and 300 ° C., and then the back surface of the insulating substrate 1 is contacted with a heat dissipation plate. Surface polyimide precursor while cooling
15 is heat-treated by infrared irradiation at a temperature of 300 ° C. or higher to form a polyimide heat storage layer. The reason for carrying out this infrared irradiation step is that the thermal decomposition temperature of the insulating substrate 1 is up to 350 ° C. and the polyimide resin curing temperature is close to 300 ° C., so that it cannot be directly heated in an oven. .

次に他方の製造法であるネガレジスト法によるポリイ
ミド蓄熱層7の形成方法について説明する。
Next, a method for forming the polyimide heat storage layer 7 by the negative resist method which is the other manufacturing method will be described.

まず、ポリイミド前駆体15の塗布後、オーブンで150
℃、200℃と段階的に加熱し、ポリイミド前駆体15を半
硬化状にする。この半硬化状態は、先に説明したポジレ
ジスト法による硬化状態より更にイミド化が進行してい
るため、エッチング精度が良くなる特徴がある。その
後、レジストを形成、露光、現像、ポリイミドのエッチ
ング工程を順次行う。
First, after applying the polyimide precursor 15, 150 in the oven
The polyimide precursor 15 is semi-cured by heating stepwise at ℃ and 200 ℃. This semi-cured state has a characteristic that the etching accuracy is improved because the imidization is further advanced than the cured state by the positive resist method described above. After that, the steps of forming a resist, exposing, developing, and etching a polyimide are sequentially performed.

この時のエッチング液にヒドラジンおよびエチレンジ
アミンの混合液を使用する。フォトエッチング後は300
℃のオーブンで熱処理を施した後、先のポジレジスト法
と同様に絶縁基板1の裏面に放熱板を接触させて冷却し
ながら表面のポリイミド前駆体15を赤外線照射により、
300℃以上の温度で熱処理を施し、ポリイミド蓄熱層7
を形成する。ここで、前記ポリイミド蓄熱層7の材料と
して、金属と樹脂の密着性のためシロキサン結合を含ん
だ非感光性のポリイミド樹脂を使用している。
A mixed solution of hydrazine and ethylenediamine is used as the etching solution at this time. 300 after photo etching
After heat treatment in an oven at ℃, by irradiating the polyimide precursor 15 on the surface with infrared rays while cooling by contacting a heat radiating plate with the back surface of the insulating substrate 1 as in the positive resist method described above,
Heat treatment is applied at a temperature of 300 ° C or higher, and polyimide heat storage layer 7
To form. Here, as the material of the polyimide heat storage layer 7, a non-photosensitive polyimide resin containing a siloxane bond is used for the adhesion between the metal and the resin.

次に、第6図(f)に示すようにポリイミド蓄熱層7
上に無機物層8を形成する。ここではスパッタリングで
SiO2層を形成後、ホトエッチングを施し、定型パターン
に仕上げている。
Next, as shown in FIG. 6 (f), the polyimide heat storage layer 7
The inorganic layer 8 is formed on top. Here by sputtering
After forming the SiO 2 layer, photoetching is performed to finish into a fixed pattern.

さらに、発熱抵抗体層をスパッタ法に形成後、複数個
の発熱抵抗体2を走査方向に一列に配置するようパター
ンエッチングを行う。
Further, after forming the heating resistor layer by the sputtering method, pattern etching is performed so that the plurality of heating resistors 2 are arranged in a line in the scanning direction.

ついで第6図(g)の如く、配線電極層16をスパッタ
法にて形成後、各々の発熱抵抗体2と制御素子3とを電
気的に接続するための個別電極4と、他の発熱抵抗体2
と電気的に接続するための共通配線電極5をエッチング
により形成する。尚、ここでは抵抗材料としてTaSiO
2を、また配線電極材料としてAl−Siを使用している。
Then, as shown in FIG. 6 (g), after the wiring electrode layer 16 is formed by the sputtering method, the individual electrodes 4 for electrically connecting each heating resistor 2 and the control element 3 and other heating resistors are formed. Body 2
The common wiring electrode 5 for electrically connecting with is formed by etching. Here, TaSiO is used as the resistance material.
2 and Al-Si is used as the wiring electrode material.

最後に第6図(i)に示すようにプラズマCVD法でSiO
Nを積層することにより保護膜9を形成している。(あ
るいはスパッタ法でサイアロンを積層して保護膜9を形
成してもよい。) 尚、以上の製造方法においては、生産性を考慮し複数
分の基板を1枚基板で同時に形成した後、個別に分割す
るようにしている。そして所定のサイズにダイシング法
により基板を分割した後、第2図に示すように分割後の
基板をフェイスダウンボンディング法により、前記制御
素子3を赤外線炉によりフローしてフェイスダウンボン
ディング部11に接続する。更にエポキシ樹脂13により制
御素子3をモールドシ、サーミスタ、コネクタ、コンデ
ンサ等を半田付けした後両面フレキシブル回路基板110
をヘッドカバー112とヒートシンク113の間に挟み、ビス
により固定することにより感熱記録装置ヘッド部と信号
の入出力を行う前記フレキシブル回路基板110とを接続
する。
Finally, as shown in Fig. 6 (i), SiO is formed by plasma CVD.
The protective film 9 is formed by stacking N. (Alternatively, the protective film 9 may be formed by stacking sialon by a sputtering method.) In the above manufacturing method, a plurality of substrates are simultaneously formed on one substrate in consideration of productivity, and then individually formed. I am trying to divide it into. Then, after the substrate is divided into a predetermined size by the dicing method, the divided substrate is connected by the face-down bonding method to the face-down bonding portion 11 by the face down bonding method by the infrared furnace as shown in FIG. To do. Further, after the control element 3 is soldered to the control element 3 with the epoxy resin 13, the double-sided flexible circuit board 110
Is sandwiched between the head cover 112 and the heat sink 113 and fixed with screws to connect the head portion of the thermal recording apparatus to the flexible circuit board 110 for inputting / outputting signals.

以上の工程を経て本発明の一実施例の構造の感熱記録
装置が完成する。
The thermal recording apparatus having the structure of one embodiment of the present invention is completed through the above steps.

尚、本実施例で使用した蓄熱層7の材料として、シロ
キサン結合を含んだ非感光性のポリイミド樹脂を使用し
ているが、これに限られるものではなく、例えば、他の
非感光性ポリイミド樹脂や、感光性ポリイミド樹脂を用
いてもよい。
Although a non-photosensitive polyimide resin containing a siloxane bond is used as the material of the heat storage layer 7 used in the present embodiment, the material is not limited to this and, for example, another non-photosensitive polyimide resin. Alternatively, a photosensitive polyimide resin may be used.

〈発明の効果〉 以上のように本発明によれば、絶縁基板を熱拡散率の
低い耐熱樹脂で形成しているため感熱記録装置の低コス
トが図れ、更に発熱抵抗体部下には熱拡散率の充分に低
いポリイミド蓄熱層と絶縁基板上の銅箔により形成した
放熱層を有することにより低消費電力化、および高速印
字を実現することもできるとともに、さらに発熱抵抗体
の下部に、発熱抵抗体材料より熱拡散率の高い材料で無
機物層を形成しており、印字開始時の印字かすれも防止
でき、印字品位の高い感熱記録装置が提供できる。
<Effects of the Invention> As described above, according to the present invention, the insulating substrate is formed of a heat-resistant resin having a low thermal diffusivity, so that the cost of the thermal recording apparatus can be reduced, and the thermal diffusivity is provided under the heating resistor portion. By having a sufficiently low polyimide heat storage layer and a heat dissipation layer formed of a copper foil on an insulating substrate, low power consumption and high-speed printing can be realized, and a heating resistor below the heating resistor. Since the inorganic material layer is formed of a material having a higher thermal diffusivity than that of the material, it is possible to prevent print blur at the start of printing and provide a thermal recording device having high print quality.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図は本発明による感熱記録装置の要部斜視図、第2
図は本発明は本発明の一実施例による感熱記録装置の断
面図、第3図(a)乃至(c)は本実施例における発熱
抵抗体の温度分布を説明する図、第4図の(a)は放熱
構造を有していない印刷配線基板を使用した時の熱応答
特性図、第4図(b)は放熱層と裏面電極層を有した印
刷配線基板を使用した時の熱応答特性図、第4図(c)
は放熱層のみを有した印刷配線基板を使用した時の熱応
答特性図、第5図は本発明の一実施例及び従来例の印字
パワーと印字濃度との関係を示す図、第6図(a)乃至
(i)は本発明の一実施例によ感熱記録装置の製造工程
図、第7図は従来のセラミック基板による感熱記録装置
の構造図、第8図(a)(b)は印字かすれを説明する
図、第9図(a)乃至(c)は無機物層の無い場合の発
熱抵抗体の温度分布を説明する図である。 1……絶縁基板(印刷配線基板)、2……発熱抵抗体、
3……制御素子、4……個別電極、5……共通電極、6
……放熱層、7……蓄熱層、8……無機物層。
FIG. 1 is a perspective view of essential parts of a thermal recording apparatus according to the present invention, and FIG.
The present invention is a sectional view of a thermal recording apparatus according to an embodiment of the present invention, FIGS. 3A to 3C are views for explaining the temperature distribution of a heating resistor in the present embodiment, and FIG. FIG. 4A is a thermal response characteristic diagram when a printed wiring board having no heat dissipation structure is used, and FIG. 4B is a thermal response characteristic when a printed wiring board having a heat dissipation layer and a back electrode layer is used. Figure, Figure 4 (c)
Is a thermal response characteristic diagram when a printed wiring board having only a heat dissipation layer is used, FIG. 5 is a diagram showing a relationship between print power and print density in one embodiment of the present invention and a conventional example, FIG. a) to (i) are manufacturing process diagrams of a thermal recording device according to an embodiment of the present invention, FIG. 7 is a structural diagram of a conventional thermal recording device using a ceramic substrate, and FIGS. 8 (a) and 8 (b) are printing. FIGS. 9 (a) to 9 (c) are diagrams for explaining the blurring, and FIGS. 9 (a) to 9 (c) are diagrams for explaining the temperature distribution of the heating resistor in the absence of the inorganic layer. 1 ... Insulating board (printed wiring board), 2 ... Heating resistor,
3 ... Control element, 4 ... Individual electrode, 5 ... Common electrode, 6
... Heat dissipation layer, 7 ... Heat storage layer, 8 ... Inorganic material layer.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 吉川 光彦 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (56)参考文献 特開 昭61−181657(JP,A) 特開 昭61−181658(JP,A) 特開 平3−121862(JP,A) 特開 昭64−97665(JP,A) 特開 平4−1064(JP,A) 特開 平3−75157(JP,A) 特開 平3−65356(JP,A) 特開 昭62−288060(JP,A) 実開 平2−86740(JP,U) ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Mitsuhiko Yoshikawa 22-22 Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka Within Sharp Corporation (56) References JP 61-181657 (JP, A) JP 61- 181658 (JP, A) JP 3-121862 (JP, A) JP 64-97665 (JP, A) JP 4-1064 (JP, A) JP 3-75157 (JP, A) JP-A-3-65356 (JP, A) JP-A-62-288060 (JP, A) Actually open 2-86740 (JP, U)

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】絶縁基板上に複数個の発熱抵抗体を走査方
向に並べて配置し、前記各発熱抵抗体の一端を夫々制御
素子と電気的に接続する個別電極と、前記各発熱抵抗体
の他端を共通に電気的に接続される共通電極を備えた感
熱記録装置において、前記絶縁基板を耐熱樹脂より成る
銅張り印刷配線基板で構成し、該絶縁基板上に前記発熱
抵抗体が凸状部の先端部に位置するように、前記絶縁基
板の銅箔により形成された放熱層、ポリイミド樹脂より
成る蓄熱層、発熱抵抗体と略同等の面積を有しかつ発熱
抵抗体より大きな熱拡散率を有する無機物層が順次積層
形成され、前記無機物層の上に前記発熱抵抗体が形成さ
れてなることを特徴とする感熱記録装置。
1. A plurality of heating resistors are arranged side by side in the scanning direction on an insulating substrate, and an individual electrode electrically connecting one end of each heating resistor to a control element, and each heating resistor. In a thermal recording apparatus having a common electrode whose other end is commonly electrically connected, the insulating substrate is a copper-clad printed wiring board made of heat-resistant resin, and the heating resistor is convex on the insulating substrate. The heat dissipation layer formed by the copper foil of the insulating substrate, the heat storage layer made of polyimide resin, and the thermal diffusivity that is substantially the same as that of the heat generating resistor and is located so as to be located at the tip of the heat generating resistor. A heat-sensitive recording apparatus comprising: an inorganic material layer having a layered structure and a heat generating resistor formed on the inorganic material layer.
【請求項2】前記無機物層をSiO2膜で形成したことを特
徴とする特許請求の範囲第1項記載の感熱記録装置。
2. The thermal recording apparatus according to claim 1, wherein the inorganic material layer is formed of a SiO 2 film.
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