JP2024089346A - 電子部品 - Google Patents

Abstract

【課題】マイグレーションの発生を抑制しつつ、内部導体と外部電極との接続性の低下を抑制する電子部品を提供する。
【解決手段】電子部品は、主面３ａ及び一対の端面３ｅを含む素体３と、素体３内に配置されており、一対の端面３ｅのうち対応する端面３ｅに露出している複数の内部電極７，９と、素体３上に配置されており、複数の内部電極７，９のうち対応する内部電極７，９と接続されている複数の外部電極５と、素体３上に配置されている電気絶縁膜ＥＩと、を備える。複数の内部電極７，９は、対応する端面３ｅにおいて、電気絶縁膜ＥＩから露出している。複数の外部電極５のそれぞれは、第二電極層Ｅ２を含む。電気絶縁膜ＥＩは、主面３ａにおける複数の外部電極５の間の領域上に少なくとも位置している膜部分ＥＩａを含む。
【選択図】図２

Description

本発明は、電子部品に関する。

知られている電子部品は、素体と、素体内に配置されている複数の内部導体と、素体上に配置されている複数の外部電極と、を備える（たとえば、特許文献１を参照）。複数の内部導体のそれぞれは、複数の外部電極のうち対応する外部電極と接続されている。複数の外部電極のそれぞれは、導電性樹脂層を含む。

特開２０１８－００６５０１号公報

導電性樹脂層は、一般に、複数の金属粒子と、樹脂とを含む。この場合、外部電極にマイグレーションが生じるおそれがある。マイグレーションは、たとえば、以下の事象により生じると考えられる。
電界が導電性樹脂層に含まれる金属粒子に作用し、金属粒子がイオン化する。発生した金属イオンは、外部電極間に生じる電界に引かれ、導電性樹脂層から移動する。金属粒子に作用する電界は、たとえば、外部電極間に生じる電界、又は、外部電極と、素体内に配置される内部導体との間に生じる電界を含む。導電性樹脂層から移動する金属イオンは、たとえば、内部導体又は外部電極から供給される電子と反応し、素体の表面上に金属として析出する。

本発明の一つの態様は、マイグレーションの発生を抑制しつつ、内部導体と外部電極との接続性の低下を抑制する電子部品を提供することを目的とする。

本発明の一つの態様に係る電子部品は、実装面を構成するように配置される主面と、互いに対向していると共に主面と隣り合う一対の端面と、を含む素体と、素体内に配置されており、一対の端面のうち対応する端面に露出している複数の内部導体と、素体上に配置されており、複数の内部導体のうち対応する内部導体と接続されている複数の外部電極と、素体上に配置されている電気絶縁膜と、を備える。複数の内部導体は、対応する端面において、電気絶縁膜から露出している。複数の外部電極のそれぞれは、導電性樹脂層を含む。電気絶縁膜は、主面における複数の外部電極の間の領域上に少なくとも位置している膜部分を含む。

上記一つの態様では、電気絶縁膜に含まれる膜部分が、主面における複数の外部電極の間の領域上に少なくとも位置する。したがって、導電性樹脂層に含まれる金属粒子がイオン化する場合でも、膜部分は、発生する金属イオンと、内部導体又は外部電極から供給される電子との反応を阻害する。すなわち、電子が金属イオンに供給されがたい。金属が、主面上に析出しがたい。この結果、上記一つの態様は、マイグレーションの発生を抑制する。
電気絶縁膜が素体上に配置されている構成では、電気絶縁膜は、内部導体と外部電極との接続を阻害するおそれがある。上記一つの態様では、複数の内部導体は、対応する端面において、電気絶縁膜から露出している。したがって、電気絶縁膜が素体上に配置されている構成であっても、電気絶縁膜は、内部導体と外部電極との接続を阻害しがたい。この結果、上記一つの態様は、内部導体と外部電極との接続性の低下を抑制する。

上記一つの態様では、素体は、主面及び一対の端面と隣り合う側面を含んでもよい。上記膜部分は、側面と主面との間に位置する稜線部における、複数の外部電極の間の領域上に位置していてもよい。
膜部分が、上記稜線部における複数の外部電極の間の領域上に位置している構成では、金属は、主面上だけでなく、上記稜線部上にも析出しがたい。したがって、本構成は、マイグレーションの発生をより一層抑制する。

上記一つの態様では、複数の内部導体のそれぞれは、主面と交差する方向に延在するように配置されていてもよいと共に、対応する端面に露出する端を含んでもよい。複数の内部導体のそれぞれが含む端は、電気絶縁膜から露出する領域を含んでいてもよい。
複数の内部導体のそれぞれが上述したように配置されていると共に、複数の内部導体のそれぞれが含む端は、電気絶縁膜から露出する領域を含む構成では、複数の内部導体のすべてが、複数の外部電極のうち対応する外部電極に確実に接続される。したがって、本構成は、内部導体と外部電極との接続性の低下を確実に抑制する。

上記一つの態様では、素体は、主面及び前記一対の端面と隣り合う側面を含んでいてもよい。膜部分は、側面における複数の外部電極の間の領域上に位置していてもよい。
膜部分が、側面における複数の外部電極の間の領域上に位置している構成では、金属は、主面上だけでなく、側面上にも析出しがたい。したがって、本構成は、マイグレーションの発生をより一層抑制する。

上記一つの態様では、素体は、主面及び一対の端面と隣り合う側面を含んでもよい。導電性樹脂層は、側面上に位置している層部分を含んでもよい。複数の内部導体は、側面と隣り合うと共に層部分と異なる極性を有する最外内部導体を含んでもよい。層部分と、最外内部導体とは、膜部分を間に介して、互いに間接的に対向していてもよい。
導電性樹脂層が側面上に位置する層部分を含むと共に、複数の内部導体が最外内部導体を含む構成では、上記層部分に含まれる金属粒子が、イオン化するおそれがある。しかしながら、層部分と最外内部導体とが、電気絶縁膜に含まれる膜部分を間に介して、互いに間接的に対向している構成では、膜部分は、上記層部分に含まれる金属粒子から生じる金属イオンと、内部導体又は外部電極から供給される電子との反応を確実に阻害する。したがって、層部分と最外内部導体とが、上述したように、互いに間接的に対向している構成は、マイグレーションの発生を確実に抑制する。

上記一つの態様では、素体は、主面及び一対の端面と隣り合う側面を含んでもよい。導電性樹脂層は、側面上に位置している層部分を含んでもよい。複数の内部導体は、側面と隣り合うと共に層部分と同じ極性を有するダミー導体を含んでもよい。層部分と、ダミー導体とは、互いに対向していてもよい。
導電性樹脂層が側面上に位置する層部分を含むと共に、複数の内部導体が、側面と隣り合うと共に層部分と異なる極性を有する内部導体を含む構成では、上記層部分に含まれる金属粒子が、イオン化するおそれがある。しかしながら、上記層部分とダミー導体とが互いに対向している構成では、上記層部分と、上記層部分と異なる極性を有する内部導体とが、互いに対向しがたい。したがって、上記層部分に含まれる金属粒子がイオン化しがたい。したがって、上記層部分とダミー導体とが互いに対向している構成は、マイグレーションの発生を確実に抑制する。

上記一つの態様では、素体は、主面及び一対の端面と隣り合う側面を含んでもよい。導電性樹脂層は、主面の一部と、対応する端面の一部と、側面の一部とを連続して覆うように形成されていてもよい。
導電性樹脂層が、主面の一部と、対応する端面の一部と、側面の一部とを連続して覆うように形成されている構成は、導電性樹脂層が、主面の一部と、対応する端面の全体と、側面の一部とを連続して覆うように形成されている構成に比して、導電性樹脂層の形成に用いられる導電性樹脂ペーストの使用量を減少させ得る。導電性樹脂ペーストの使用量の減少は、導電性樹脂層に含まれると共に主面上に位置する層部分の、一対の端面が対向している方向での長さを小さくさせ得ると共に、主面上において、複数の外部電極間の距離を増加させ得る。複数の外部電極間の距離の増加は、複数の外部電極間に生じる電界を低減する。したがって、発生した金属イオンが、導電性樹脂層から移動しがたい。この結果、導電性樹脂層が、上述したように形成されている構成は、マイグレーションの発生をより一層抑制し得る。

上記一つの態様では、主面に直交する方向での電気絶縁膜の高さは、主面に直交する方向での導電性樹脂層の高さより大きくてもよい。
電気絶縁膜が上述した高さを有する構成は、マイグレーションの発生を確実に抑制する。

上記一つの態様では、電気絶縁膜は、上記膜部分のみを含んでもよい。上記膜部分は、主面上のみに位置していてもよい。
電気絶縁膜が、上記膜部分のみを含むと共に、上記膜部分が、主面上のみに位置している構成は、内部導体と外部電極との接続性の低下を確実に抑制する。

上記一つの態様では、電気絶縁膜は、素体と導電性樹脂層との間に位置していてもよい。
電気絶縁膜が、素体と導電性樹脂層との間に位置している構成は、電子が金属イオンに供給されるのを確実に抑制する。したがって、本構成は、マイグレーションの発生を確実に抑制する。

上記一つの態様では、電気絶縁膜は、電気絶縁薄膜からなっていてもよい。
上記一つの態様では、電気絶縁膜は、シリコン酸化膜からなっていてもよい。
シリコン酸化膜は、電気絶縁性が高い。したがって、電気絶縁膜がシリコン酸化膜からなる構成は、マイグレーションの発生を確実に抑制する。

上記一つの態様では、導電性樹脂層は、複数の銀粒子を含んでもよい。

本発明の一つの態様は、マイグレーションの発生を抑制しつつ、内部導体と外部電極との接続性の低下を抑制する電子部品を提供する。

図１は、第一実施形態に係る積層コンデンサの斜視図である。 図２は、第一実施形態に係る積層コンデンサの断面構成を示す図である。 図３は、第一実施形態に係る積層コンデンサの断面構成を示す図である。 図４は、第一実施形態に係る積層コンデンサの断面構成を示す図である。 図５は、第一実施形態に係る積層コンデンサの断面構成を示す図である。 図６は、第一実施形態に係る積層コンデンサを含む電子部品装置の断面構成を示す図である。 図７は、第一実施形態の第一変形例に係る積層コンデンサの断面構成を示す図である。 図８は、第一実施形態の第二変形例に係る積層コンデンサの断面構成を示す図である。 図９は、第一実施形態の第二変形例に係る積層コンデンサの断面構成を示す図である。 図１０は、第二実施形態に係る積層コンデンサの斜視図である。 図１１は、第二実施形態に係る積層コンデンサの断面構成を示す図である。 図１２は、第二実施形態に係る積層コンデンサの断面構成を示す図である。 図１３は、第二実施形態に係る積層コンデンサの断面構成を示す図である。 図１４は、第二実施形態に係る積層コンデンサの断面構成を示す図である。 図１５は、第二実施形態の変形例に係る積層コンデンサの断面構成を示す図である。 図１６は、第二実施形態の変形例に係る積層コンデンサの断面構成を示す図である。 図１７は、第二実施形態の変形例に係る積層コンデンサの断面構成を示す図である。 図１８は、第二実施形態の変形例に係る積層コンデンサの断面構成を示す図である。

以下、添付図面を参照して、本発明の実施形態について詳細に説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。

（第一実施形態）
図１～図５を参照して、第一実施形態に係る積層コンデンサＣ１の構成を説明する。図１は、第一実施形態に係る積層コンデンサの斜視図である。図２、図３、図４、及び図５は、第一実施形態に係る積層コンデンサの断面構成を示す図である。
第一実施形態では、電子部品は、たとえば、積層コンデンサＣ１である。

積層コンデンサＣ１は、図１に示されるように、直方体形状を呈している素体３と、複数の外部電極５と、電気絶縁膜ＥＩと、を備える。本実施形態では、積層コンデンサＣ１は、一対の外部電極５を備える。一対の外部電極５は、素体３の外表面に配置されている。一対の外部電極５は、互いに離間している。直方体形状は、角部及び稜線部が面取りされている直方体の形状、又は、角部及び稜線部が丸められている直方体の形状を含む。

素体３は、互いに対向している一対の主面３ａ，３ｂと、互いに対向している一対の側面３ｃと、互いに対向している一対の端面３ｅと、を含む。一対の主面３ａ，３ｂ、一対の側面３ｃ、及一対の端面３ｅは、長方形状を呈している。一対の主面３ａ，３ｂが対向している方向は、第二方向Ｄ２を含む。一対の側面３ｃが対向している方向は、第三方向Ｄ３を含む。一対の端面３ｅが対向している方向は、第一方向Ｄ１を含む。積層コンデンサＣ１は、電子機器にはんだ実装される。電子機器は、たとえば、回路基板又は電子部品を含む。積層コンデンサＣ１では、主面３ａが、電子機器と対向する。主面３ａは、実装面を構成するように配置される。主面３ａは、実装面である。

第二方向Ｄ２は、各主面３ａ，３ｂに直交する方向を含み、第三方向Ｄ３と直交している。第二方向Ｄ２は、主面３ａ，３ｂと交差する方向に含まれる。第一方向Ｄ１は、各主面３ａ，３ｂと各側面３ｃとに平行な方向を含み、第二方向Ｄ２と第三方向Ｄ３とに直交している。第三方向Ｄ３は、各側面３ｃに直交する方向を含み、第一方向Ｄ１は、各端面３ｅに直交する方向を含む。本実施形態では、素体３の第一方向Ｄ１での長さは、素体３の第二方向Ｄ２での長さより大きく、かつ、素体３の第三方向Ｄ３での長さより大きい。第一方向Ｄ１が、素体３の長手方向を含む。素体３の第二方向Ｄ２での長さと素体３の第三方向Ｄ３での長さとは、互いに同等であってもよい。素体３の第二方向Ｄ２での長さと素体３の第三方向Ｄ３での長さとは、互いに異なってもよい。

素体３の第二方向Ｄ２での長さは、素体３の高さである。素体３の第三方向Ｄ３での長さは、素体３の幅である。素体３の第一方向Ｄ１での長さは、素体３の長さである。本実施形態では、素体３の高さは、０．１～２．５ｍｍであり、素体３の幅は、０．１～５．０ｍｍであり、素体３の長さは、０．２～５．７ｍｍである。たとえば、素体３の高さは、２．５ｍｍであり、素体３の幅は、２．５ｍｍであり、素体３の長さは、３．２ｍｍである。

一対の側面３ｃは、一対の主面３ａ，３ｂを連結するように第二方向Ｄ２に延在している。一対の側面３ｃは、第一方向Ｄ１にも延在している。一対の端面３ｅは、一対の主面３ａ，３ｂを連結するように第二方向Ｄ２に延在している。一対の端面３ｅは、第三方向Ｄ３にも延在している。

素体３は、四つの稜線部３ｇと、四つの稜線部３ｉと、四つの稜線部３ｊと、を含む。稜線部３ｇは、各端面３ｅと各主面３ａ，３ｂとの間に位置している。稜線部３ｉは、各端面３ｅと各側面３ｃとの間に位置している。稜線部３ｊは、各主面３ａ，３ｂと各側面３ｃとの間に位置している。本実施形態では、各稜線部３ｇ，３ｉ，３ｊは、湾曲するように丸められている。素体３には、いわゆるＲ面取り加工が施されている。各端面３ｅと各主面３ａ，３ｂとは、稜線部３ｇを介して、間接的に隣り合っている。各端面３ｅと各側面３ｃとは、稜線部３ｉを介して、間接的に隣り合っている。各主面３ａ，３ｂと各側面３ｃとは、稜線部３ｊを介して、間接的に隣り合っている。

素体３は、第三方向Ｄ３に複数の誘電体層が積層されて構成されている。素体３は、積層されている複数の誘電体層を含む。素体３では、複数の誘電体層の積層方向が第三方向Ｄ３と一致する。各誘電体層は、たとえば、誘電体材料を含むセラミックグリーンシートの焼結体から構成されている。誘電体材料は、たとえば、ＢａＴｉＯ_３系、Ｂａ(Ｔｉ，Ｚｒ)Ｏ_３系、又は（Ｂａ，Ｃａ）ＴｉＯ_３系などの誘電体セラミックを含む。実際の素体３では、各誘電体層は、各誘電体層の間の境界が視認できない程度に一体化されている。

電気絶縁膜ＥＩは、図２、図３、及び図５に示されるように、素体３に配置されている。電気絶縁膜ＥＩは、素体３に直接的に配置されている。電気絶縁膜ＥＩは、膜部分ＥＩａを含む。本実施形態では、電気絶縁膜ＥＩは、膜部分ＥＩａのみを含む。膜部分ＥＩａは、主面３ａ上に配置されている。膜部分ＥＩａは、主面３ａを覆っており、主面３ａと直接的に接している。膜部分ＥＩａは、主面３ａ上のみに位置している。各側面３ｃ、各端面３ｅ、及び各稜線部３ｇ，３ｉ，３ｊは、電気絶縁膜ＥＩから露出している。

電気絶縁膜ＥＩは、たとえば、素体３の電気抵抗率より高い電気抵抗率を有する。素体３の電気抵抗率は、素体３の体積抵抗率又は素体３の表面抵抗率を含む。電気絶縁膜ＥＩは、素体３の体積抵抗率より高く、かつ、素体３の表面抵抗率より高い電気抵抗率を有してもよい。
電気絶縁膜ＥＩは、たとえば、電気絶縁薄膜からなる。この場合、電気絶縁膜ＥＩは、スパッタ膜からなっていてもよい。電気絶縁膜ＥＩは、たとえば、シリコン酸化膜からなる。シリコン酸化膜は、たとえば、二酸化シリコン膜である。電気絶縁膜ＥＩは、たとえば、酸化アルミニウム膜からなっていてもよい。

膜部分ＥＩａの平均厚みは、たとえば、０．０２μｍ以上である。平均厚みは、０．０５μｍ以上であってもよい。
平均厚みは、たとえば、以下のようにして求めることができる。
各膜部分ＥＩａを含む電気絶縁膜ＥＩの断面写真を取得する。断面写真は、積層コンデンサＣ１を主面３ａに直交する平面で切断したときの断面を撮影した写真である。断面写真は、たとえば、一対の側面３ｃに平行であり、かつ、一対の側面３ｃから等距離に位置する平面で切断したときの積層コンデンサＣ１の断面を撮影した写真である。取得した断面写真が、ソフトウェアにより画像処理される。この画像処理により、電気絶縁膜ＥＩ（各膜部分ＥＩａ）の境界が判別される。取得した断面写真上での、膜部分ＥＩａの面積が算出される。
膜部分ＥＩａの面積を、取得した断面写真上での膜部分ＥＩａの長さで除し、得られた商を平均厚みＴ_ＥＩａとする。

積層コンデンサＣ１は、図２～図５に示されるように、複数の内部電極７と複数の内部電極９とを備える。各内部電極７，９は、素体３内に配置されている内部導体に含まれる。各内部電極７，９は、積層型電子部品の内部導体として通常用いられる導電性材料からなる。導電性材料は、たとえば、卑金属を含む。導電性材料は、たとえば、Ｎｉ又はＣｕを含む。各内部電極７，９は、上記導電性材料を含む導電性ペーストの焼結体として構成されている。本実施形態では、各内部電極７，９は、Ｎｉからなる。

内部電極７と内部電極９とは、第三方向Ｄ３において異なる位置（層）に配置されている。内部電極７と内部電極９とは、素体３内において、第三方向Ｄ３に間隔を有して対向するように交互に配置されている。内部電極７と内部電極９とは、互いに極性が異なる。各内部電極７，９の一端は、一対の端面３ｅのうち対応する端面３ｅに露出している。各内部電極７，９は、対応する端面３ｅに露出している一端を含む。
各端面３ｅは、上述したように、電気絶縁膜ＥＩ（膜部分ＥＩａ）から露出している。したがって、複数の内部電極７，９のそれぞれが含む上記一端は、電気絶縁膜ＥＩから露出する領域を含む。本実施形態では、複数の内部電極７，９のそれぞれが含む上記一端は、電気絶縁膜ＥＩから露出する領域のみを含む。複数の内部電極７，９のそれぞれが含む上記一端の全体が、電気絶縁膜ＥＩから露出している。
複数の内部電極７と複数の内部電極９とは、第三方向Ｄ３で交互に並んでいる。複数の内部電極７，９は、第三方向Ｄ３に並ぶように素体３内に配置されている。各内部電極７，９は、各側面３ｃと略平行な面内に位置している。すなわち、各内部電極７，９は、主面３ａと交差する方向に延在するように配置されている。本実施形態では、各内部電極７，９は、主面３ａと略直交する方向に延在するように配置されている。内部電極７と内部電極９とは、第三方向Ｄ３で互いに対向している。内部電極７と内部電極９とが対向している方向（第三方向Ｄ３）は、各側面３ｃと平行な方向（第二方向Ｄ２及び第一方向Ｄ１）と直交している。

本実施形態では、複数の内部電極７は、第三方向Ｄ３で最も外側に位置している一つの内部電極７Ａを含む。内部電極７Ａは、第三方向Ｄ３で、一対の側面３ｃのうち一方の側面３ｃと隣り合っている。内部電極７Ａは、複数の内部電極７の中で、一方の側面３ｃに最も近い。内部電極７Ａは、最外内部電極である。
本実施形態では、複数の内部電極９は、第三方向Ｄ３で最も外側に位置している一つの内部電極９Ａを含む。内部電極９Ａは、最外内部電極である。内部電極９Ａは、第三方向Ｄ３で、一対の側面３ｃのうち他方の側面３ｃと隣り合っている。内部電極９Ａは、複数の内部電極９の中で、他方の側面３ｃに最も近い。

外部電極５は、図１～図４に示されるように、素体３に配置されている。本実施形態では、外部電極５は、素体３上及び電気絶縁膜ＥＩ上に配置されている。外部電極５は、電気絶縁膜ＥＩに直接的に配置されている部分と、素体３に直接的に配置されている部分と、を含む。電気絶縁膜ＥＩに直接的に配置されている部分は、素体３に間接的に配置されている。
外部電極５は、図１に示されるように、素体３の第一方向Ｄ１での両端部にそれぞれ配置されている。各外部電極５は、素体３における、対応する端面３ｅに配置されている。本実施形態では、各外部電極５は、一対の主面３ａ，３ｂ、一対の側面３ｃ、及び一つの端面３ｅに配置されている。外部電極５は、図２～図４に示されるように、複数の電極部５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｅを含む。電極部５ａは、主面３ａ上及び稜線部３ｇ上に配置されている。電極部５ｂは、主面３ｂ上及び稜線部３ｇ上に配置されている。電極部５ｃは、側面３ｃ上及び稜線部３ｉ上に配置されている。電極部５ｅは、端面３ｅ上に配置されている。外部電極５は、稜線部３ｊ上に配置されている電極部も含む。

各外部電極５は、主面３ｂ、一対の側面３ｃ、及び一つの端面３ｅの四つの面、稜線部３ｇ，３ｉ，３ｊ、並びに、電気絶縁膜ＥＩに形成されている。各外部電極５は、主面３ａに間接的に形成されている。互いに隣り合う電極部５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｅは、接続されており、電気的に接続されている。各電極部５ｅは、複数の内部電極７，９のうち対応する内部電極７，９の一端をすべて覆っている。各電極部５ｅは、対応する内部電極７，９と直接的に接続されている。各外部電極５は、対応する内部電極７，９と電気的に接続されている。各外部電極５は、図２～図４も示されるように、第一電極層Ｅ１、第二電極層Ｅ２、及び第三電極層Ｅ３を含む。第三電極層Ｅ３は、外部電極５の最外層を構成する。各電極部５ａ，５ｃ，５ｅは、第一電極層Ｅ１、第二電極層Ｅ２、及び第三電極層Ｅ３を含む。電極部５ｂは、第一電極層Ｅ１及び第三電極層Ｅ３を含む。

電極部５ａの第一電極層Ｅ１は、電気絶縁膜ＥＩ上及び稜線部３ｇ上に配置されている。電極部５ａの第一電極層Ｅ１は、電気絶縁膜ＥＩの一部を覆うように電気絶縁膜ＥＩに形成されていると共に、稜線部３ｇの全体を覆うように素体３に形成されている。電極部５ａの第一電極層Ｅ１は、電気絶縁膜ＥＩの上記一部と稜線部３ｇの全体とに接している。電極部５ａの第一電極層Ｅ１は、稜線部３ｊの一部を覆うように素体３に形成されている。電極部５ａの第一電極層Ｅ１は、稜線部３ｊの上記一部に接している。電極部５ａでは、第一電極層Ｅ１は、電気絶縁膜ＥＩ（膜部分ＥＩａ）に直接的に接していると共に素体３に直接的に接している。電気絶縁膜ＥＩは、上記一部において第一電極層Ｅ１に覆われており、上記一部を除く残部において第一電極層Ｅ１から露出している。電気絶縁膜ＥＩの上記一部は、電気絶縁膜ＥＩにおける端面３ｅ寄りの一部領域を含む。電極部５ａの第一電極層Ｅ１は、電気絶縁膜ＥＩ上に位置している。主面３ａは、第一電極層Ｅ１に間接的に覆われている部分と、第一電極層Ｅ１から露出している部分と、を含む。第一電極層Ｅ１は、電気絶縁膜ＥＩに形成されていなくてもよい。第一電極層Ｅ１は、電気絶縁膜ＥＩ上に配置されていなくてもよい。
電極部５ａの第二電極層Ｅ２は、第一電極層Ｅ１上及び電気絶縁膜ＥＩ上に配置されている。電極部５ａの第二電極層Ｅ２は、電極部５ａの第一電極層Ｅ１を覆うように第一電極層Ｅ１に形成されていると共に、電気絶縁膜ＥＩの一部を覆うように電気絶縁膜ＥＩに形成されている。電極部５ａの第二電極層Ｅ２は、電気絶縁膜ＥＩの上記一部と第一電極層Ｅ１の全体とに接している。電極部５ａでは、第二電極層Ｅ２は、第一電極層Ｅ１と電気絶縁膜ＥＩ（膜部分ＥＩａ）とに直接的に接している。電極部５ａでは、第二電極層Ｅ２は、第一電極層Ｅ１及び電気絶縁膜ＥＩが第二電極層Ｅ２と主面３ａとの間に位置するように、主面３ａを間接的に覆っている。電極部５ａの第二電極層Ｅ２は、主面３ａ上に位置している。第二電極層Ｅ２に含まれると共に主面３ａ上に位置している部分は、主面３ａ上に位置している層部分を構成する。第二電極層Ｅ２は、主面３ａ上に位置している層部分を含む。
電極部５ａの第三電極層Ｅ３は、第二電極層Ｅ２上に配置されている。電極部５ａでは、第三電極層Ｅ３は、第二電極層Ｅ２を覆っている。電極部５ａでは、第三電極層Ｅ３は、第二電極層Ｅ２と接している。電極部５ａでは、第三電極層Ｅ３は、第二電極層Ｅ２と直接的に接している。電極部５ａでは、第三電極層Ｅ３は、第一電極層Ｅ１と直接的に接していない。電極部５ａの第三電極層Ｅ３は、主面３ａ上に位置している。

電極部５ｂの第一電極層Ｅ１は、主面３ｂ上及び稜線部３ｇ上に配置されている。電極部５ｂの第一電極層Ｅ１は、主面３ｂの一部と稜線部３ｇの全体とを覆うように形成されている。電極部５ｂの第一電極層Ｅ１は、主面３ｂの上記一部と稜線部３ｇの全体とに接している。電極部５ｂでは、第一電極層Ｅ１は、素体３と直接的に接している。主面３ｂは、上記一部において第一電極層Ｅ１に覆われており、上記一部を除く残部において第一電極層Ｅ１から露出している。主面３ｂの上記一部は、主面３ｂにおける端面３ｅ寄りの一部領域を含む。電極部５ｂの第一電極層Ｅ１は、主面３ｂ上に位置している。第一電極層Ｅ１は、主面３ｂに形成されていなくてもよい。第一電極層Ｅ１は、主面３ｂ上に配置されていなくてもよい。
電極部５ｂの第三電極層Ｅ３は、第一電極層Ｅ１上に配置されている。電極部５ｂでは、第三電極層Ｅ３は、第一電極層Ｅ１を覆っている。電極部５ｂでは、第三電極層Ｅ３は、第一電極層Ｅ１と接している。電極部５ｂでは、第三電極層Ｅ３は、第一電極層Ｅ１と直接的に接している。電極部５ｂの第三電極層Ｅ３は、主面３ｂ上に位置している。電極部５ｂは、第二電極層Ｅ２を含まない。主面３ｂは、第二電極層Ｅ２で覆われていない。

電極部５ｃの第一電極層Ｅ１は、側面３ｃ上及び稜線部３ｉ上に配置されている。電極部５ｃの第一電極層Ｅ１は、側面３ｃの一部と稜線部３ｉの全体とを覆うように形成されている。電極部５ｃの第一電極層Ｅ１は、側面３ｃの上記一部と稜線部３ｉの全体とに接している。電極部５ｃでは、第一電極層Ｅ１は、素体３と直接的に接している。側面３ｃは、上記一部において第一電極層Ｅ１に覆われており、上記一部を除く残部において第一電極層Ｅ１から露出している。側面３ｃの上記一部は、側面３ｃにおける端面３ｅ寄りの一部領域を含む。電極部５ｃの第一電極層Ｅ１は、側面３ｃ上に位置している。第一電極層Ｅ１は、側面３ｃに形成されていなくてもよい。第一電極層Ｅ１は、側面３ｃ上に配置されていなくてもよい。
電極部５ｃの第二電極層Ｅ２は、第一電極層Ｅ１上及び側面３ｃ上に配置されている。電極部５ｃでは、第二電極層Ｅ２は、第一電極層Ｅ１の一部と側面３ｃの一部とを覆うように形成されている。電極部５ｃでは、第二電極層Ｅ２は、第一電極層Ｅ１の上記一部と側面３ｃの上記一部とに直接的に接している。電極部５ｃの第二電極層Ｅ２は、電極部５ｃの第一電極層Ｅ１の上記一部を覆うように形成されている。側面３ｃの上記一部は、たとえば、側面３ｃにおける主面３ａ及び端面３ｅ寄りの角領域を含む。電極部５ｃでは、第二電極層Ｅ２は、第一電極層Ｅ１が第二電極層Ｅ２と側面３ｃとの間に位置するように、側面３ｃの上記一部を間接的に覆っている。電極部５ｃの第一電極層Ｅ１は、上記一部において第二電極層Ｅ２に覆われており、上記一部を除く残部において第二電極層Ｅ２から露出している。電極部５ｃの第二電極層Ｅ２は、側面３ｃ上に位置している。第二電極層Ｅ２に含まれると共に側面３ｃ上に位置している部分は、側面３ｃ上に位置している層部分を構成する。第二電極層Ｅ２は、側面３ｃ上に位置している層部分を含む。
電極部５ｃの第三電極層Ｅ３は、第一電極層Ｅ１上及び第二電極層Ｅ２上に配置されている。電極部５ｃでは、第三電極層Ｅ３は、第二電極層Ｅ２の全体を覆っていると共に、第一電極層Ｅ１の、第二電極層Ｅ２から露出している部分の全体を覆っている。電極部５ｃでは、第三電極層Ｅ３は、第二電極層Ｅ２の全体と接していると共に、第一電極層Ｅ１の、第二電極層Ｅ２から露出している部分の全体と接している。電極部５ｃでは、第三電極層Ｅ３は、第一電極層Ｅ１及び第二電極層Ｅ２と直接的に接している。電極部５ｃの第三電極層Ｅ３は、側面３ｃ上に位置している。

電極部５ｃは、複数の領域５ｃ_１，５ｃ_２を含む。本実施形態では、電極部５ｃは、二つの領域５ｃ_１，５ｃ_２のみを含む。領域５ｃ_２は、領域５ｃ_１よりも主面３ａ寄りに位置している。領域５ｃ_１は、第一電極層Ｅ１及び第三電極層Ｅ３を含む。領域５ｃ_１は、第二電極層Ｅ２を含まない。領域５ｃ_２は、第一電極層Ｅ１、第二電極層Ｅ２、及び第三電極層Ｅ３を含む。領域５ｃ_１は、第一電極層Ｅ１が第二電極層Ｅ２から露出している領域を含む。領域５ｃ_２は、第一電極層Ｅ１が第二電極層Ｅ２で覆われている領域を含む。

電極部５ｅの第一電極層Ｅ１は、端面３ｅ上に配置されている。電極部５ｅの第一電極層Ｅ１は、端面３ｅの全体を覆うように形成されている。電極部５ｅの第一電極層Ｅ１は、端面３ｅの全体と接している。電極部５ｅでは、第一電極層Ｅ１は、端面３ｅと直接的に接している。
電極部５ｅの第二電極層Ｅ２は、第一電極層Ｅ１上に配置されている。電極部５ｅでは、第二電極層Ｅ２は、第一電極層Ｅ１の一部を覆うように形成されている。電極部５ｅでは、第二電極層Ｅ２は、第一電極層Ｅ１の上記一部に直接的に接している。電極部５ｅの第二電極層Ｅ２は、電極部５ｅの第一電極層Ｅ１の上記一部を覆うように形成されている。電極部５ｅでは、第二電極層Ｅ２は、第一電極層Ｅ１が第二電極層Ｅ２と端面３ｅとの間に位置するように、端面３ｅの一部を間接的に覆っている。端面３ｅの一部は、たとえば、端面３ｅにおける主面３ａ寄りの一部領域を含む。電極部５ｅの第一電極層Ｅ１は、上記一部において第二電極層Ｅ２に覆われており、上記一部を除く残部において第二電極層Ｅ２から露出している。第二電極層Ｅ２に含まれると共に端面３ｅ上に位置している部分は、端面３ｅ上に位置している層部分を構成する。第二電極層Ｅ２は、端面３ｅ上に位置している層部分を含む。
電極部５ｅの第三電極層Ｅ３は、第一電極層Ｅ１上及び第二電極層Ｅ２上に配置されている。電極部５ｅでは、第三電極層Ｅ３は、第二電極層Ｅ２の全体を覆っていると共に、第一電極層Ｅ１の、第二電極層Ｅ２から露出している部分の全体を覆っている。電極部５ｅでは、第三電極層Ｅ３は、第二電極層Ｅ２の全体と接していると共に、第一電極層Ｅ１の、第二電極層Ｅ２から露出している部分の全体と接している。電極部５ｅでは、第三電極層Ｅ３は、第一電極層Ｅ１及び第二電極層Ｅ２と直接的に接している。電極部５ｅの第三電極層Ｅ３は、端面３ｅ上に位置している。
電極部５ｅは、第二電極層Ｅ２を含まなくてもよい。電極部５ｅが第二電極層Ｅ２を含まない構成では、電極部５ｅが含む第三電極層Ｅ３は、第一電極層Ｅ１の全体を覆っていると共に、第一電極層Ｅ１と直接的に接している。

電極部５ｅは、複数の領域５ｅ_１，５ｅ_２を含む。本実施形態では、電極部５ｅは、二つの領域５ｅ_１，５ｅ_２のみを含む。領域５ｅ_２は、領域５ｅ_１よりも主面３ａ寄りに位置している。領域５ｅ_１は、第一電極層Ｅ１及び第三電極層Ｅ３を含む。領域５ｅ_１は、第二電極層Ｅ２を含まない。領域５ｅ_２は、第一電極層Ｅ１、第二電極層Ｅ２、及び第三電極層Ｅ３を含む。電極部５ｅでは、第三電極層Ｅ３は、第一方向Ｄ１から見て、端面３ｅの全体を覆うように形成されている。本実施形態では、第三電極層Ｅ３は、端面３ｅの全体を間接的に覆っている。領域５ｅ_１は、第一電極層Ｅ１が第二電極層Ｅ２から露出している領域を含む。領域５ｅ_２は、第一電極層Ｅ１が第二電極層Ｅ２で覆われている領域を含む。

電気絶縁膜ＥＩは、外部電極５で覆われている部分と、外部電極５から露出している部分と、を含む。膜部分ＥＩａは、電極部５ａで覆われている部分と、電極部５ａから露出している部分と、を含む。電気絶縁膜ＥＩ（膜部分ＥＩａ）に含まれる、外部電極５（電極部５ａ）から露出している部分は、主面３ａにおける複数の外部電極５（複数の電極部５ａ）の間の領域上に位置する。電気絶縁膜ＥＩは、主面３ａにおける複数の外部電極５の間の領域上に少なくとも位置している膜部分を含む。電気絶縁膜ＥＩは、主面３ａにおける複数の外部電極５から露出する領域上に少なくとも位置している膜部分を含む。

第一電極層Ｅ１は、素体３の表面に付与された導電性ペーストを焼き付けることにより形成されている。第一電極層Ｅ１は、各主面３ａ，３ｂの上記一部、各側面３ｃの上記一部、一つの端面３ｅ、及び稜線部３ｇ，３ｉ，３ｊを覆うように形成されている。第一電極層Ｅ１は、導電性ペーストに含まれる金属成分（金属粒子）が焼結することにより形成されている。第一電極層Ｅ１は、焼結金属層を含む。第一電極層Ｅ１は、素体３に形成された焼結金属層を含む。本実施形態では、第一電極層Ｅ１は、Ｃｕからなる焼結金属層を含む。第一電極層Ｅ１は、Ｎｉからなる焼結金属層を含んでもよい。第一電極層Ｅ１は、卑金属を含む。導電性ペーストは、たとえば、Ｃｕ又はＮｉからなる粒子、ガラス成分、有機バインダ、及び有機溶剤を含む。各電極部５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｅが含む第一電極層Ｅ１は、一体的に形成されている。

第二電極層Ｅ２は、第一電極層Ｅ１上に付与された導電性樹脂ペーストを硬化させることにより形成されている。第二電極層Ｅ２は、第一電極層Ｅ１上と素体３上とにわたって形成されている。第一電極層Ｅ１は、第二電極層Ｅ２を形成するための下地金属層を含む。第二電極層Ｅ２は、第一電極層Ｅ１を覆う導電性樹脂層を含む。導電性樹脂ペーストは、たとえば、樹脂、導電性材料、及び有機溶媒を含む。樹脂は、たとえば、熱硬化性樹脂を含む。導電性材料は、たとえば、金属粒子を含む。金属粒子は、たとえば、銀粒子又は銅粒子を含む。本実施形態では、第二電極層Ｅ２は、複数の銀粒子を含む。熱硬化性樹脂は、たとえば、フェノール樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、又はポリイミド樹脂を含む。第二電極層Ｅ２は、稜線部３ｊの一部と接している。各電極部５ａ，５ｃ，５ｅが含む第二電極層Ｅ２は、一体的に形成されている。

第三電極層Ｅ３は、第二電極層Ｅ２上と、第一電極層Ｅ１（第二電極層Ｅ２から露出している部分）上とにめっき法により形成されている。第三電極層Ｅ３は、複数層構造を有していてもよい。この場合、第三電極層Ｅ３は、たとえば、Ｎｉめっき層とはんだめっき層とを含む。Ｎｉめっき層は、第二電極層Ｅ２上と第一電極層Ｅ１上とに形成される。はんだめっき層は、Ｎｉめっき層上に形成される。はんだめっき層は、Ｎｉめっき層を覆っている。Ｎｉめっき層は、第二電極層Ｅ２に含まれる金属よりも耐はんだ喰われ性に優れている。第三電極層Ｅ３は、Ｎｉめっき層の代わりに、Ｓｎめっき層、Ｃｕめっき層、又はＡｕめっき層を含んでもよい。はんだめっき層は、たとえば、Ｓｎめっき層、Ｓｎ－Ａｇ合金めっき層、Ｓｎ－Ｂｉ合金めっき層、又はＳｎ－Ｃｕ合金めっき層を含む。各電極部５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｅが含む第三電極層Ｅ３は、一体的に形成されている。

積層コンデンサＣ１では、第二電極層Ｅ２は、主面３ａの一部のみ、端面３ｅの一部のみ、及び一対の側面３ｃの各一部のみを連続して覆っている。第二電極層Ｅ２は、主面３ａの一部のみ、端面３ｅの一部のみ、及び一対の側面３ｃの各一部のみを連続して覆うように設けられている部分を含む。端面３ｅの上記一部は、端面３ｅにおける主面３ａ寄りの一部を含む。側面３ｃの上記一部は、側面３ｃにおける主面３ａ寄りの一部を含む。第二電極層Ｅ２は、一方の稜線部３ｇの全体、稜線部３ｉの一部のみ、及び稜線部３ｊの一部のみを覆っている。第一電極層Ｅ１の、稜線部３ｉを覆っている部分の一部は、第二電極層Ｅ２から露出している。たとえば、各領域５ｃ_１，５ｅ_１が含む第一電極層Ｅ１は、第二電極層Ｅ２から露出している。
電極部５ｅが第二電極層Ｅ２を含まない構成では、第二電極層Ｅ２は、主面３ａの一部のみ及び一対の側面３ｃの各一部のみを連続して覆っている。第二電極層Ｅ２は、主面３ａの一部のみ及び一対の側面３ｃの各一部のみを連続して覆うように設けられている部分を含む。

積層コンデンサＣ１は、図２～図４に示されるように、複数の導体１１，１３を備える。本実施形態では、積層コンデンサＣ１は、二つの導体１１，１３を備える。積層コンデンサＣ１が含む複数の内部導体は、複数の内部電極７，９と、複数の導体１１，１３とを含む。図２及び図３では、説明のため、各内部電極７，９（内部電極７Ａ，９Ａ）及び各導体１１，１３は、意図的に、第二方向Ｄ２に互いにずれて図示されている。
導体１１は、内部電極７Ａと同じ層に位置していると共に内部電極７Ａから離間している。導体１１は、対応する端面３ｅに露出している一端を含む。導体１１の一端は、内部電極９の一端が露出している端面３ｅに露出している。導体１１の一端は、対応する電極部５ｅによりすべて覆われている。導体１１は、対応する電極部５ｅと直接的に接続されている。導体１１は、対応する外部電極５と電気的に接続されている。本実施形態では、導体１１は、内部電極９が電気的に接続されている外部電極５（電極部５ｅ）と電気的に接続されている。すなわち、導体１１は、内部電極７が電気的に接続されていない外部電極５と電気的に接続されている。
導体１３は、内部電極９Ａと同じ層に位置していると共に内部電極９Ａから離間している。導体１３は、対応する端面３ｅに露出している一端を含む。導体１３の一端は、内部電極７の一端が露出している端面３ｅに露出している。導体１３の一端は、対応する電極部５ｅによりすべて覆われている。導体１３は、対応する電極部５ｅと直接的に接続されている。導体１３は、対応する外部電極５と電気的に接続されている。本実施形態では、導体１３は、内部電極７が電気的に接続されている外部電極５（電極部５ｅ）と電気的に接続されている。すなわち、導体１３は、内部電極９が電気的に接続されていない外部電極５と電気的に接続されている。
導体１１は、第三方向Ｄ３において、内部電極９と対向すると共に内部電極７とは対向しない。導体１３は、第三方向Ｄ３において、内部電極７と対向すると共に内部電極９とは対向しない。導体１１，１３は、静電容量の形成に寄与しがたいダミー導体を構成する。

内部電極７Ａを除く複数の内部電極７は、内部電極９と電気的に接続されている電極部５ａに含まれる第二電極層Ｅ２と、たとえば、第二方向Ｄ２で対向している。内部電極７Ａを除く複数の内部電極７と、内部電極９と電気的に接続されている電極部５ａに含まれる第二電極層Ｅ２とを、たとえば第二方向Ｄ２から見たとき、内部電極７Ａを除く複数の内部電極７と、内部電極９と電気的に接続されている電極部５ａに含まれる第二電極層Ｅ２とは、互いに重なっている。したがって、内部電極７Ａを除く複数の内部電極７と、内部電極９と電気的に接続されている電極部５ａに含まれる第二電極層Ｅ２との間に、電界が生じやすい。
膜部分ＥＩａは、内部電極７Ａを除く複数の内部電極７と、内部電極９と電気的に接続されている電極部５ａに含まれる第二電極層Ｅ２との間に位置する。内部電極７Ａを除く複数の内部電極７と、内部電極９と電気的に接続されている電極部５ａに含まれる第二電極層Ｅ２とは、内部電極７Ａを除く複数の内部電極７と、内部電極９と電気的に接続されている電極部５ａに含まれる第二電極層Ｅ２との間に、膜部分ＥＩａが存在している状態で、互いに対向している。内部電極７Ａを除く複数の内部電極７と、内部電極９と電気的に接続されている電極部５ａに含まれる第二電極層Ｅ２とは、間接的に対向している。

内部電極９Ａを除く複数の内部電極９は、内部電極７と電気的に接続されている電極部５ａに含まれる第二電極層Ｅ２と、たとえば、第二方向Ｄ２で対向している。内部電極９Ａを除く複数の内部電極９と、内部電極７と電気的に接続されている電極部５ａに含まれる第二電極層Ｅ２とを、たとえば第二方向Ｄ２から見たとき、内部電極９Ａを除く複数の内部電極９と、内部電極７と電気的に接続されている電極部５ａに含まれる第二電極層Ｅ２とは、互いに重なっている。したがって、内部電極９Ａを除く複数の内部電極９と、内部電極７と電気的に接続されている電極部５ａに含まれる第二電極層Ｅ２との間に、電界が生じやすい。
膜部分ＥＩａは、内部電極９Ａを除く複数の内部電極９と、内部電極７と電気的に接続されている電極部５ａに含まれる第二電極層Ｅ２との間に位置する。内部電極９Ａを除く複数の内部電極９と、内部電極７と電気的に接続されている電極部５ａに含まれる第二電極層Ｅ２とは、内部電極９Ａを除く複数の内部電極９と、内部電極７と電気的に接続されている電極部５ａに含まれる第二電極層Ｅ２との間に、膜部分ＥＩａが存在している状態で、互いに対向している。内部電極９Ａを除く複数の内部電極９と、内部電極７と電気的に接続されている電極部５ａに含まれる第二電極層Ｅ２とは、間接的に対向している。

内部電極７Ａは、内部電極９と電気的に接続されている電極部５ａに含まれる第二電極層Ｅ２と、たとえば、第二方向Ｄ２で対向していない。内部電極７Ａと、内部電極９と電気的に接続されている電極部５ａに含まれる第二電極層Ｅ２とを、たとえば第二方向Ｄ２から見たとき、内部電極７Ａと、内部電極９と電気的に接続されている電極部５ａに含まれる第二電極層Ｅ２とは、互いに重ならない。したがって、内部電極７Ａと、内部電極９と電気的に接続されている電極部５ａに含まれる第二電極層Ｅ２との間に、電界が生じがたい。
内部電極９Ａは、内部電極７と電気的に接続されている電極部５ａに含まれる第二電極層Ｅ２と、たとえば、第二方向Ｄ２で対向していない。内部電極９Ａと、内部電極７と電気的に接続されている電極部５ａに含まれる第二電極層Ｅ２とを、たとえば第二方向Ｄ２から見たとき、内部電極９Ａと、内部電極７と電気的に接続されている電極部５ａに含まれる第二電極層Ｅ２とは、互いに重ならない。したがって、内部電極９Ａと、内部電極７と電気的に接続されている電極部５ａに含まれる第二電極層Ｅ２との間に、電界が生じがたい。

内部電極７Ａは、内部電極９と電気的に接続されている電極部５ｃに含まれる第二電極層Ｅ２と、たとえば、第三方向Ｄ３で対向していない。内部電極７Ａと、内部電極９と電気的に接続されている電極部５ｃに含まれる第二電極層Ｅ２とを、たとえば第三方向Ｄ３から見たとき、内部電極７Ａと、内部電極９と電気的に接続されている電極部５ｃに含まれる第二電極層Ｅ２とは、互いに重ならない。したがって、内部電極７Ａと、内部電極９と電気的に接続されている電極部５ｃに含まれる第二電極層Ｅ２との間に、電界が生じがたい。
内部電極９Ａは、内部電極７と電気的に接続されている電極部５ｃに含まれる第二電極層Ｅ２と、たとえば、第三方向Ｄ３で対向していない。内部電極９Ａと、内部電極７と電気的に接続されている電極部５ｃに含まれる第二電極層Ｅ２とを、たとえば第三方向Ｄ３から見たとき、内部電極９Ａと、内部電極７と電気的に接続されている電極部５ｃに含まれる第二電極層Ｅ２とは、互いに重ならない。したがって、内部電極９Ａと、内部電極７と電気的に接続されている電極部５ｃに含まれる第二電極層Ｅ２との間に、電界が生じがたい。

導体１１は、内部電極９と電気的に接続されている電極部５ｃに含まれる第二電極層Ｅ２と、たとえば、第三方向Ｄ３で対向している。導体１１と、内部電極９と電気的に接続されている電極部５ｃに含まれる第二電極層Ｅ２とを、たとえば第三方向Ｄ３から見たとき、導体１１と、内部電極９と電気的に接続されている電極部５ｃに含まれる第二電極層Ｅ２とは、互いに重なっている。導体１１は、内部電極９と電気的に接続されているので、導体１１と、内部電極９と電気的に接続されている電極部５ｃに含まれる第二電極層Ｅ２との間に、電界が生じがたい。
導体１３は、内部電極７と電気的に接続されている電極部５ｃに含まれる第二電極層Ｅ２と、たとえば、第三方向Ｄ３で対向している。導体１３と、内部電極７と電気的に接続されている電極部５ｃに含まれる第二電極層Ｅ２とを、たとえば第三方向Ｄ３から見たとき、導体１３と、内部電極７と電気的に接続されている電極部５ｃに含まれる第二電極層Ｅ２とは、互いに重なっている。導体１３は、内部電極７と電気的に接続されているので、導体１３と、内部電極７と電気的に接続されている電極部５ｃに含まれる第二電極層Ｅ２との間に、電界が生じがたい。

積層コンデンサＣ１では、電気絶縁膜ＥＩに含まれる膜部分ＥＩａが、主面３ａにおける複数の外部電極５の間の領域上に少なくとも位置する。したがって、第二電極層Ｅ２に含まれる金属粒子がイオン化する場合でも、膜部分ＥＩａは、発生する金属イオンと、内部電極７，９又は外部電極５から供給される電子との反応を阻害する。すなわち、電子が金属イオンに供給されがたい。金属が、主面３ａ上に析出しがたい。この結果、積層コンデンサＣ１は、マイグレーションの発生を抑制する。
電気絶縁膜ＥＩが素体３上に配置されている構成では、電気絶縁膜ＥＩは、内部電極７，９と外部電極５との接続を阻害するおそれがある。積層コンデンサＣ１では、複数の内部電極７，９は、対応する端面３ｅにおいて、電気絶縁膜ＥＩ（膜部分ＥＩａ）から露出している。したがって、電気絶縁膜ＥＩが素体３上に配置されている構成であっても、電気絶縁膜ＥＩは、内部電極７，９と外部電極５との接続を阻害しがたい。この結果、積層コンデンサＣ１は、内部電極７，９と外部電極５との接続性の低下を抑制する。

積層コンデンサＣ１では、膜部分ＥＩａは、主面３ａと、電極部５ａに含まれる第二電極層Ｅ２との間に位置している。
膜部分ＥＩａは、内部電極７Ａを除く複数の内部電極７と、内部電極９と電気的に接続されている電極部５ａに含まれる第二電極層Ｅ２との間に位置している。したがって、内部電極９が電気的に接続されている外部電極５が、たとえば、正極性を有する場合でも、電子が、内部電極７から金属イオンに供給されるのを確実に抑制する。この結果、積層コンデンサＣ１は、マイグレーションの発生をより一層抑制する。
膜部分ＥＩａは、内部電極９Ａを除く複数の内部電極９と、内部電極７と電気的に接続されている電極部５ａに含まれる第二電極層Ｅ２との間に位置している。したがって、内部電極７が電気的に接続されている外部電極５が、たとえば、正極性を有する場合でも、電子が、内部電極９から金属イオンに供給されるのを確実に抑制する。この結果、積層コンデンサＣ１は、マイグレーションの発生をより一層抑制する。

積層コンデンサＣ１では、電気絶縁膜ＥＩは、主面３ａ上のみに位置している膜部分ＥＩａのみを含む。したがって、積層コンデンサＣ１は、内部電極７，９と外部電極５との接続性の低下を確実に抑制する。

積層コンデンサＣ１では、複数の内部電極７，９のそれぞれは、主面３ａと交差する方向に延在するように配置されていると共に、対応する端面３ｅに露出する一端を含む。複数の内部電極７，９のそれぞれが含む一端は、電気絶縁膜ＥＩから露出する領域を含む。
積層コンデンサＣ１では、複数の内部電極７，９のすべてが、複数の外部電極５のうち対応する外部電極５に確実に接続される。したがって、積層コンデンサＣ１は、内部電極７，９と外部電極５との接続性の低下を確実に抑制する。

積層コンデンサＣ１では、内部電極９と電気的に接続されている電極部５ｃに含まれる第二電極層Ｅ２と、導体１１とが互いに対向している。したがって、内部電極９と電気的に接続されている電極部５ｃに含まれる第二電極層Ｅ２と、内部電極７とが、互いに対向しがたい。内部電極９と電気的に接続されている電極部５ｃに含まれる第二電極層Ｅ２に含まれる金属粒子がイオン化しがたい。
積層コンデンサＣ１では、内部電極７と電気的に接続されている電極部５ｃに含まれる第二電極層Ｅ２と、導体１３とが互いに対向している。したがって、内部電極７と電気的に接続されている電極部５ｃに含まれる第二電極層Ｅ２と、内部電極９とが、互いに対向しがたい。内部電極７と電気的に接続されている電極部５ｃに含まれる第二電極層Ｅ２に含まれる金属粒子がイオン化しがたい。
これらの結果、積層コンデンサＣ１は、マイグレーションの発生を確実に抑制する。

積層コンデンサＣ１では、第二電極層Ｅ２は、主面３ａの一部と、対応する端面３ｅの一部と、側面３ｃの一部とを連続して覆うように形成されている。
積層コンデンサＣ１は、第二電極層Ｅ２が、主面３ａの一部と、対応する端面３ｅの全体と、側面３ｃの一部とを連続して覆うように形成されている構成に比して、第二電極層Ｅ２の形成に用いられる導電性樹脂ペーストの使用量を減少させ得る。導電性樹脂ペーストの使用量の減少は、第二電極層Ｅ２に含まれると共に主面３ａ上に位置する層部分の、第一方向Ｄ１での長さを小さくさせ得ると共に、主面３ａ上において、複数の外部電極５間の距離を増加させ得る。複数の外部電極５間の距離の増加は、複数の外部電極５間に生じる電界を低減する。したがって、発生した金属イオンが、第二電極層Ｅ２から移動しがたい。この結果、積層コンデンサＣ１は、マイグレーションの発生をより一層抑制し得る。
積層コンデンサＣ１では、第二電極層Ｅ２は、対応する端面３ｅの一部のみを覆うように形成されている。したがって。積層コンデンサＣ１は、ＥＳＲ（等価直列抵抗）を低下させる。

積層コンデンサＣ１では、電気絶縁膜ＥＩは、シリコン酸化膜からなる。
シリコン酸化膜は、電気絶縁性が高い。シリコン酸化膜には、銀が拡散しがたい。したがって、第二電極層Ｅ２が複数の銀粒子を含む構成でも、電気絶縁膜ＥＩの電気絶縁性が維持され得る。
これらの結果、積層コンデンサＣ１は、マイグレーションの発生を確実に抑制する。

第二電極層Ｅ２は、複数の銀粒子を含む。銀粒子は、たとえば、銅粒子に比して、マイグレーションを生じさせやすい。
積層コンデンサＣ１は、第二電極層Ｅ２が複数の銀粒子を含む場合でも、マイグレーションの発生を確実に抑制する。

次に、図６を参照して、第一実施形態に係る積層コンデンサを含む電子部品装置を説明する。図６は、電子部品装置の断面構成を示す図である。

図６に示されるように、電子部品装置は、積層コンデンサＣ１と、電子機器ＥＤと、を備える。電子機器ＥＤは、たとえば、回路基板又は電子部品である。積層コンデンサＣ１は、電子機器ＥＤにはんだ実装されている。電子機器ＥＤは、主面ＥＤａと、二つのパッド電極ＰＥとを含む。各パッド電極ＰＥは、主面ＥＤａに配置されている。二つのパッド電極ＰＥは、互いに離間している。積層コンデンサＣ１は、実装面である主面３ａと主面ＥＤａとが対向するように、電子機器ＥＤに配置されている。各内部電極７，９は、主面ＥＤａと略直交する面内に位置している。

積層コンデンサＣ１がはんだ実装される場合、溶融したはんだが外部電極５（第三電極層Ｅ３）を濡れ上がる。濡れ上がったはんだが固化することにより、はんだフィレットＳＦが外部電極５に形成される。互いに対応する外部電極５とパッド電極ＰＥとは、はんだフィレットＳＦを介して連結されている。

次に、図７を参照して、第一実施形態の第一変形例に係る積層コンデンサＣ１の構成を説明する。図７は、第一変形例に係る積層コンデンサの断面構成を示す図である。
第一変形例に係る積層コンデンサＣ１は、概ね、上述した第一実施形態に係る積層コンデンサＣ１と類似又は同じであるが、第一変形例は、電気絶縁膜ＥＩの構成に関して、上述した第一実施形態と相違する。以下、上述した第一実施形態と第一変形例との相違点を主として説明する。図７では、説明のため、各内部電極７，９及び導体１３は、意図的に、第二方向Ｄ２に互いにずれて図示されている。

電極部５ａの第一電極層Ｅ１は、主面３ａの一部と稜線部３ｇの全体とを覆うように、素体３に形成されている。電極部５ａの第一電極層Ｅ１は、主面３ａの上記一部上と稜線部３ｇ上とにおいて、素体３に接している。電極部５ａでは、第一電極層Ｅ１は、素体３と直接的に接している。主面３ａは、上記一部において第一電極層Ｅ１に直接的に覆われており、上記一部を除く残部において第一電極層Ｅ１から露出している。
電極部５ａでは、第二電極層Ｅ２は、第一電極層Ｅ１と側面３ｃの一部とを覆うように、第一電極層Ｅ１と素体３とに形成されている。電極部５ａでは、第二電極層Ｅ２は、第一電極層Ｅ１と素体３とに直接接している。電極部５ａでは、第二電極層Ｅ２は、第一電極層Ｅ１が第二電極層Ｅ２と主面３ａとの間に位置するように、主面３ａを間接的に覆っている。電極部５ａでは、第二電極層Ｅ２は、主面３ａを直接的に覆っている。

図７に示されるように、電気絶縁膜ＥＩに含まれる膜部分ＥＩａは、主面３ａにおける、電極部５ａに含まれる第二電極層Ｅ２から露出する領域に配置されている。膜部分ＥＩａは、電極部５ａに含まれる第二電極層Ｅ２に覆われている部分を含まない。膜部分ＥＩａは、電極部５ａに含まれる第二電極層Ｅ２から露出する領域のみを含む。膜部分ＥＩａは、第二電極層Ｅ２と接していてもよく、第二電極層Ｅ２から離間していてもよい。

第一変形例に係る積層コンデンサＣ１でも、膜部分ＥＩａが、素体３の表面における複数の外部電極５の間の領域上に少なくとも位置する。したがって、第一変形例に係る積層コンデンサＣ１は、上述したように、マイグレーションの発生を抑制する。

次に、図８及び図９を参照して、第一実施形態の第二変形例に係る積層コンデンサＣ１の構成を説明する。図８及び図９は、第二変形例に係る積層コンデンサの断面構成を示す図である。
第二変形例に係る積層コンデンサＣ１は、概ね、上述した第一実施形態に係る積層コンデンサＣ１と類似又は同じであるが、第二変形例は、電気絶縁膜ＥＩの構成に関して、上述した第一実施形態と相違する。以下、上述した第一実施形態と第二変形例との相違点を主として説明する。図８では、説明のため、各内部電極７，９及び導体１３は、意図的に、第二方向Ｄ２に互いにずれて図示されている。

図８及び図９に示されるように、電気絶縁膜ＥＩに含まれる膜部分ＥＩａは、主面３ａ上だけでなく、主面３ａと側面３ｃとの間に位置する一対の稜線部３ｊ上と、主面３ａと端面３ｅとの間に位置する一対の稜線部３ｇ上と、に配置されている。膜部分ＥＩａは、主面３ａと、上記一対の稜線部３ｊと、上記一対の稜線部３ｇとを覆っており、主面３ａと、上記一対の稜線部３ｊと、上記一対の稜線部３ｇとに直接的に接している。膜部分ＥＩａは、主面３ａ上のみに位置している。本変形例では、電気絶縁膜ＥＩは、主面３ａと、上記一対の稜線部３ｊと、上記一対の稜線部３ｇとの略全体に形成されている。各側面３ｃ、各端面３ｅ、及び各稜線部３ｉは、電気絶縁膜ＥＩから露出している。
電極部５ａの第一電極層Ｅ１は、電気絶縁膜ＥＩ上に配置されている。電極部５ａの第一電極層Ｅ１は、稜線部３ｇ，３ｊ上においても、電気絶縁膜ＥＩと直接的に接している。

第二変形例に係る積層コンデンサＣ１では、膜部分ＥＩａが、上記一対の稜線部３ｊにおける、複数の外部電極５の間の領域上に位置している。金属は、主面３ａ上だけでなく、上記一対の稜線部３ｊ上にも析出しがたい。したがって、第二変形例に係る積層コンデンサＣ１は、マイグレーションの発生をより一層抑制する。
電気絶縁膜ＥＩは、側面３ｃの一部上も配置されていてもよい。この場合、電気絶縁膜ＥＩは、主面３ａ上に位置する膜部分ＥＩａと、側面３ｃの上記一部上に位置する膜部分と、を含む。側面３ｃの上記一部上に位置する膜部分は、膜部分ＥＩａに連続している。側面３ｃは、電気絶縁膜ＥＩに覆われる上記一部を除いて、電気絶縁膜ＥＩから露出する。
電気絶縁膜ＥＩは、端面３ｅの一部上も配置されていてもよい。この場合、電気絶縁膜ＥＩは、主面３ａ上に位置する膜部分ＥＩａと、端面３ｅの上記一部上に位置する膜部分と、を含む。端面３ｅの上記一部上に位置する膜部分は、膜部分ＥＩａに連続している。端面３ｅは、電気絶縁膜ＥＩに覆われる上記一部を除いて、電気絶縁膜ＥＩから露出する。電気絶縁膜ＥＩが、端面３ｅの上記一部上に位置する膜部分を含む構成では、上記一部を除く残部において、積層コンデンサＣ１が含む複数の内部導体の各一端が、電気絶縁膜ＥＩから露出していればよい。
第一変形例のように、電気絶縁膜ＥＩ（膜部分ＥＩａ）は、主面３ａ及び上記一対の稜線部３ｊにおける、電極部５ａに含まれる第二電極層Ｅ２から露出する領域に配置されていてもよい。

（第二実施形態）
図１０～図１４を参照して、第二実施形態に係る積層コンデンサＣ２の構成を説明する。図１０は、第二実施形態に係る積層コンデンサの斜視図である。図１１、図１２、図１３、及び図１４は、第二実施形態に係る積層コンデンサの断面構成を示す図である。
第二実施形態では、電子部品は、たとえば、積層コンデンサＣ２である。積層コンデンサＣ２は、概ね、積層コンデンサＣ１と類似又は同じであるが、積層コンデンサＣ２は、複数の内部導体及び電気絶縁膜ＥＩの構成に関して、積層コンデンサＣ１と相違する。以下、積層コンデンサＣ１と積層コンデンサＣ２との相違点を主として説明する。

積層コンデンサＣ２は、図１０～図１４に示されるように、直方体形状を呈している素体３と、複数の外部電極５と、複数の内部電極７と、複数の内部電極９と、を備える。本実施形態では、積層コンデンサＣ２は、一対の外部電極５を備える。素体３は、互いに対向している一対の主面３ａ，３ｂと、互いに対向している一対の側面３ｃと、互いに対向している一対の端面３ｅと、を含む。各外部電極５は、複数の電極部５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｅを含む。各電極部５ａ，５ｃ，５ｅは、第一電極層Ｅ１、第二電極層Ｅ２、及び第三電極層Ｅ３を含む。電極部５ｂは、第一電極層Ｅ１及び第三電極層Ｅ３を含む。

複数の内部電極７と複数の内部電極９とは、積層コンデンサＣ１に含まれる複数の内部電極７，９と同じく、第三方向Ｄ３で交互に並んでいる。積層コンデンサＣ２では、複数の内部導体は、導体１１，１３を含まない。図１１では、説明のため、各内部電極７，９は、意図的に、第二方向Ｄ２に互いにずれて図示されている。

電気絶縁膜ＥＩは、図１１、図１３、及び図１４に示されるように、複数の膜部分ＥＩａ，ＥＩｃ，ＥＩｅを含む。本実施形態では、電気絶縁膜ＥＩは、一つの膜部分ＥＩａと、一対の膜部分ＥＩｃと、一対の膜部分ＥＩｅとを含む。膜部分ＥＩａは、主面３ａ上に配置されている。膜部分ＥＩａは、主面３ａを覆っており、主面３ａと直接接している。
各膜部分ＥＩｃは、一対の側面３ｃのうち対応する側面３ｃ上に配置されている。各膜部分ＥＩｃは、対応する側面３ｃの一部に配置されている。各膜部分ＥＩｃは、対応する側面３ｃの上記一部を覆っており、対応する側面３ｃの上記一部と直接接している。側面３ｃは、上記一部において膜部分ＥＩｃに覆われており、上記一部を除く残部において膜部分ＥＩｃから露出している。側面３ｃにおいて、上記一部は、上記残部より主面３ａ寄りに位置している。
各膜部分ＥＩｅは、一対の端面３ｅのうち対応する端面３ｅ上に配置されている。各膜部分ＥＩｅは、対応する端面３ｅの一部に配置されている。各膜部分ＥＩｅは、対応する端面３ｅの上記一部を覆っており、対応する端面３ｅの上記一部と直接接している。端面３ｅは、上記一部において膜部分ＥＩｅに覆われており、上記一部を除く残部において膜部分ＥＩｅから露出している。端面３ｅにおいて、上記一部は、上記残部より主面３ａ寄りに位置している。
電気絶縁膜ＥＩは、各稜線部３ｇ，３ｉ，３ｊ上にそれぞれ配置されている複数の膜部分を含む。膜部分ＥＩａと膜部分ＥＩｃとは、稜線部３ｊ上に配置されている膜部分により連結されている。膜部分ＥＩａと膜部分ＥＩｅとは、稜線部３ｇ上に配置されている膜部分により連結されている。膜部分ＥＩｃと膜部分ＥＩｅとは、稜線部３ｉ上に配置されている膜部分により連結されている。本実施形態では、電気絶縁膜ＥＩは、素体３の一部のみを覆っている。主面３ｂは、電気絶縁膜ＥＩから露出している。

基準面ＰＬからの第二方向Ｄ２での電気絶縁膜ＥＩの高さＨ１は、基準面ＰＬからの第二方向Ｄ２での第二電極層Ｅ２の高さＨ２より大きい。高さＨ１は、たとえば、基準面ＰＬからの第二方向Ｄ２での膜部分ＥＩｃの高さを含む。高さＨ２は、たとえば、基準面ＰＬからの第二方向Ｄ２での電極部５ｃに含まれる第二電極層Ｅ２の高さを含む。基準面ＰＬは、主面３ａを含む。

内部電極７Ａは、内部電極９と電気的に接続されている電極部５ｃに含まれる第二電極層Ｅ２と、第三方向Ｄ３で対向している。内部電極７Ａと、内部電極９と電気的に接続されている電極部５ｃに含まれる第二電極層Ｅ２とを第三方向Ｄ３から見たとき、内部電極７Ａと、内部電極９と電気的に接続されている電極部５ｃに含まれる第二電極層Ｅ２とは、互いに重なっている。したがって、内部電極７Ａと、内部電極９と電気的に接続されている電極部５ｃに含まれる第二電極層Ｅ２との間に、電界が生じやすい。
膜部分ＥＩｃは、内部電極７Ａと、内部電極９と電気的に接続されている電極部５ｃに含まれる第二電極層Ｅ２との間に位置する。内部電極７Ａと、内部電極９と電気的に接続されている電極部５ｃに含まれる第二電極層Ｅ２とは、内部電極７Ａと、内部電極９と電気的に接続されている電極部５ｃに含まれる第二電極層Ｅ２との間に、膜部分ＥＩｃが存在している状態で、互いに対向している。内部電極７Ａと、内部電極９と電気的に接続されている電極部５ｃに含まれる第二電極層Ｅ２とは、間接的に対向している。

内部電極９Ａは、内部電極７と電気的に接続されている電極部５ｃに含まれる第二電極層Ｅ２と、第三方向Ｄ３で対向している。内部電極９Ａと、内部電極７と電気的に接続されている電極部５ｃに含まれる第二電極層Ｅ２とを第三方向Ｄ３から見たとき、内部電極９Ａと、内部電極７と電気的に接続されている電極部５ｃに含まれる第二電極層Ｅ２とは、互いに重なっている。したがって、内部電極９Ａと、内部電極７と電気的に接続されている電極部５ｃに含まれる第二電極層Ｅ２との間に、電界が生じやすい。
膜部分ＥＩｃは、内部電極９Ａと、内部電極７と電気的に接続されている電極部５ｃに含まれる第二電極層Ｅ２との間に位置する。内部電極９Ａと、内部電極７と電気的に接続されている電極部５ｃに含まれる第二電極層Ｅ２とは、内部電極９Ａと、内部電極７と電気的に接続されている電極部５ｃに含まれる第二電極層Ｅ２との間に、膜部分ＥＩｃが存在している状態で、互いに対向している。内部電極９Ａと、内部電極７と電気的に接続されている電極部５ｃに含まれる第二電極層Ｅ２とは、間接的に対向している。

端面３ｅは、上述したように、上記残部において膜部分ＥＩｅから露出している。複数の内部電極７，９の各一端は、対応する端面３ｅの上記残部において、膜部分ＥＩｅから露出している。したがって、複数の内部電極７，９は、対応する外部電極５（電極部５ｅ）と直接的に接続されている。

端面３ｅは、上述したように、上記一部において膜部分ＥＩｅに覆われている。しかしながら、複数の内部電極７，９の各一端は、対応する端面３ｅの上記一部においても、対応する外部電極５（電極部５ｅ）と直接的に接続され得る。
電気絶縁膜ＥＩ（膜部分ＥＩｅ）は、必ずしも、所定の膜厚で一様に形成されている訳ではない。電気絶縁膜ＥＩを構成する材料成分、たとえば、酸化シリコンは、素体３の外表面に密に付着しているのではなく、疎らに付着している。このため、第一電極層Ｅ１は、対応する内部電極７，９と部分的に直接接続され得る。
第一電極層Ｅ１を形成するための導電性ペーストを加熱する際に、電気絶縁膜ＥＩを構成する材料成分が導電性ペーストに拡散し、電気絶縁膜ＥＩを構成する材料成分と導電性ペーストとが混在する。このため、電気絶縁膜ＥＩを構成する材料成分が、素体３の外表面に密に付着している場合でも、第一電極層Ｅ１は、対応する内部電極７，９と部分的に直接接続され得る。

積層コンデンサＣ２では、積層コンデンサＣ１と同じく、電気絶縁膜ＥＩに含まれる膜部分ＥＩａが、主面３ａにおける複数の外部電極５の間の領域上に少なくとも位置する。したがって、積層コンデンサＣ２は、マイグレーションの発生を抑制する。
積層コンデンサＣ２では、複数の内部電極７，９の各一端は、対応する端面３ｅにおいて、電気絶縁膜ＥＩ（膜部分ＥＩｅ）から露出している。したがって、電気絶縁膜ＥＩが素体３上に配置されている構成であっても、電気絶縁膜ＥＩは、内部電極７，９と外部電極５との接続を阻害しがたい。この結果、積層コンデンサＣ２は、内部電極７，９と外部電極５との接続性の低下を抑制する。

積層コンデンサＣ２では、電気絶縁膜ＥＩに含まれる膜部分ＥＩｃは、側面３ｃにおける複数の外部電極５の間の領域上に位置している。したがって、積層コンデンサＣ２では、金属は、主面３ａ上だけでなく、側面３ｃ上にも析出しがたい。この結果、積層コンデンサＣ２は、マイグレーションの発生をより一層抑制する。

積層コンデンサＣ２では、内部電極７Ａと、内部電極９と電気的に接続されている電極部５ｃに含まれる第二電極層Ｅ２とは、層部分と、最外内部導体とは、膜部分ＥＩｃを間に介して、互いに間接的に対向している。
積層コンデンサＣ２では、膜部分ＥＩｃは、内部電極９と電気的に接続されている電極部５ｃに含まれる第二電極層Ｅ２に含まれる金属粒子から生じる金属イオンと、内部導体又は外部電極５から供給される電子との反応を確実に阻害する。したがって、積層コンデンサＣ２は、マイグレーションの発生を確実に抑制する。
膜部分ＥＩｃは、内部電極７Ａと、内部電極９と電気的に接続されている電極部５ｃに含まれる第二電極層Ｅ２との間に位置している。したがって、内部電極９が電気的に接続されている外部電極５が、たとえば、正極性を有する場合でも、電子が、内部電極７Ａから金属イオンに供給されるのを確実に抑制する。この結果、積層コンデンサＣ２は、マイグレーションの発生をより一層抑制する。
膜部分ＥＩｃは、内部電極９Ａと、内部電極７と電気的に接続されている電極部５ａに含まれる第二電極層Ｅ２との間に位置している。したがって、内部電極７が電気的に接続されている外部電極５が、たとえば、正極性を有する場合でも、電子が、内部電極９Ａから金属イオンに供給されるのを確実に抑制する。この結果、積層コンデンサＣ２は、マイグレーションの発生をより一層抑制する。

積層コンデンサＣ２では、第二方向Ｄ２での電気絶縁膜ＥＩの高さＨ１は、第二方向Ｄ２での第二電極層Ｅ２の高さＨ２より大きい。したがって、積層コンデンサＣ２は、マイグレーションの発生を確実に抑制する。

次に、図１５～図１８を参照して、第二実施形態の変形例に係る積層コンデンサＣ２の構成を説明する。図１５、図１６、図１７、及び図１８は、第二実施形態の変形例に係る積層コンデンサの断面構成を示す図である。
本変形例に係る積層コンデンサＣ２は、概ね、上述した第二実施形態に係る積層コンデンサＣ２と類似又は同じであるが、本変形例は、複数の内部電極７，９の構成に関して、上述した第二実施形態と相違する。以下、上述した第二実施形態と本変形例との相違点を主として説明する。

内部電極７と内部電極９とは、第二方向Ｄ２において異なる位置（層）に配置されている。内部電極７と内部電極９とは、素体３内において、第二方向Ｄ２に間隔を有して対向するように交互に配置されている。
複数の内部電極７と複数の内部電極９とは、第二方向Ｄ２で交互に並んでいる。複数の内部電極７，９は、第二方向Ｄ２に並ぶように素体３内に配置されている。各内部電極７，９は、各主面３ａ，３ｂと略平行な面内に位置する。内部電極７と内部電極９とは、第二方向Ｄ２で互いに対向している。内部電極７と内部電極９とが対向している方向（第二方向Ｄ２）は、各主面３ａ，３ｂと平行な方向（第一方向Ｄ１及び第三方向Ｄ３）と直交している。
積層コンデンサＣ２では、複数の内部導体は、導体１１，１３を含まない。図１６及び図１７では、説明のため、各内部電極７，９は、意図的に、第三方向Ｄ３に互いにずれて図示されている。

端面３ｅは、上述したように、上記残部において膜部分ＥＩｅから露出している。複数の内部電極７，９は、対応する端面３ｅの上記残部に一端が露出する内部電極７，９を含む。対応する端面３ｅの上記残部に一端が露出する内部電極７，９は、対応する外部電極５（電極部５ｅ）と直接的に接続されている。
端面３ｅは、上述したように、上記一部において膜部分ＥＩｅに覆われている。複数の内部電極７，９は、対応する端面３ｅの上記一部に一端が露出する内部電極７，９を含み得る。複数の内部電極７，９が、対応する端面３ｅの上記一部に一端が露出する内部電極７，９を含む構成でも、上述したように、対応する端面３ｅの上記一部に一端が露出する内部電極７，９は、対応する外部電極５（電極部５ｅ）と直接的に接続され得る。

本変形例に係る積層コンデンサＣ２は、上述したように、マイグレーションの発生を抑制すると共に、内部電極７，９と外部電極５との接続性の低下を抑制する。

本明細書では、ある要素が他の要素上に配置されていると記述されている場合、ある要素は、他の要素上に直接的に配置されていてもよく、他の要素上に間接的に配置されていてもよい。ある要素が他の要素上に間接的に配置されている場合、介在要素が、ある要素と他の要素との間に存在している。ある要素が他の要素上に直接的に配置されている場合、介在要素は、ある要素と他の要素との間に存在しない。
本明細書では、ある要素が他の要素上に位置していると記述されている場合、ある要素は、他の要素上に直接的に位置していてもよく、他の要素上に間接的に位置していてもよい。ある要素が他の要素上に間接的に位置している場合、介在要素が、ある要素と他の要素との間に存在している。ある要素が他の要素上に直接的に位置している場合、介在要素は、ある要素と他の要素との間に存在しない。
本明細書では、ある要素が他の要素を覆うと記述されている場合、ある要素は、他の要素を直接的に覆っていてもよく、他の要素を間接的に覆っていてもよい。ある要素が他の要素を間接的に覆っている場合、介在要素が、ある要素と他の要素との間に存在している。ある要素が他の要素を直接的に覆っている場合、介在要素は、ある要素と他の要素との間に存在しない。

以上、本発明の実施形態及び変形例について説明してきたが、本発明は必ずしも上述した実施形態及び変形例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。

積層コンデンサＣ１が含む複数の内部導体は、第三方向Ｄ３において異なる位置（層）に配置されているが、積層コンデンサＣ１が含む複数の内部導体は、第二方向Ｄ２において異なる位置（層）に配置されていてもよい。
図６に示される電子部品装置は、積層コンデンサＣ１の代わりに、積層コンデンサＣ２を含んでもよい。

本実施形態及び変形例では、電子部品として積層コンデンサを例に説明したが、適用可能な電子部品は、積層コンデンサに限られない。適用可能な電子部品は、たとえば、積層インダクタ、積層バリスタ、積層圧電アクチュエータ、積層サーミスタ、積層固体電池部品、もしくは積層複合部品などの積層電子部品、又は、積層電子部品以外の電子部品である。

上述した実施形態及び変形例の記載から把握されるとおり、本明細書では以下に示す態様の開示を含んでいる。
（付記１）
実装面を構成するように配置される主面と、互いに対向していると共に前記主面と隣り合う一対の端面と、を含む素体と、
前記素体内に配置されており、前記一対の端面のうち対応する端面に露出している複数の内部導体と、
前記素体上に配置されており、前記複数の内部導体のうち対応する内部導体と接続されている複数の外部電極と、
前記素体上に配置されている電気絶縁膜と、を備え、
前記複数の内部導体は、前記対応する端面において、前記電気絶縁膜から露出しており、
前記複数の外部電極のそれぞれは、導電性樹脂層を含み、
前記電気絶縁膜は、前記主面における前記複数の外部電極の間の領域上に少なくとも位置している膜部分を含む、電子部品。
（付記２）
前記素体は、前記主面及び前記一対の端面と隣り合う側面を更に含み、
前記膜部分は、前記側面と前記主面との間に位置する稜線部における、前記複数の外部電極の間の領域上に位置している、付記１に記載の電子部品。
（付記３）
前記複数の内部導体のそれぞれは、前記主面と交差する方向に延在するように配置されていると共に、前記対応する端面に露出する端を含み、
前記複数の内部導体のそれぞれが含む前記端は、前記電気絶縁膜から露出する領域を含む、付記１又は２に記載の電子部品。
（付記４）
前記素体は、前記主面及び前記一対の端面と隣り合う側面を更に含み、
前記膜部分は、前記側面における前記複数の外部電極の間の領域上に位置している、付記１～３のいずれか一つに記載の電子部品。
（付記５）
前記素体は、前記主面及び前記一対の端面と隣り合う側面を更に含み、
前記導電性樹脂層は、前記側面上に位置している層部分を含み、
前記複数の内部導体は、前記側面と隣り合うと共に前記層部分と異なる極性を有する最外内部導体を含み、
前記層部分と、前記最外内部導体とは、前記膜部分を間に介して、互いに間接的に対向している、付記１～４のいずれか一つに記載の電子部品。
（付記６）
前記素体は、前記主面及び前記一対の端面と隣り合う側面を更に含み、
前記導電性樹脂層は、前記側面上に位置している層部分を含み、
前記複数の内部導体は、
前記側面と隣り合うと共に前記層部分と同じ極性を有するダミー導体を含み、
前記層部分と、前記ダミー導体とは、互いに対向している、付記１～４のいずれか一つに記載の電子部品。
（付記７）
前記素体は、前記主面及び前記一対の端面と隣り合う側面を更に含み、
前記導電性樹脂層は、前記主面の一部と、前記対応する端面の一部と、前記側面の一部とを連続して覆うように形成されている、付記１～６のいずれか一つに記載の電子部品。
（付記８）
前記主面に直交する方向での前記電気絶縁膜の高さは、前記主面に直交する方向での前記導電性樹脂層の高さより大きい、付記１～７のいずれか一つに記載の電子部品。
（付記９）
前記電気絶縁膜は、前記膜部分のみを含み、
前記膜部分は、前記主面上のみに位置している、付記１～７のいずれか一つに記載の電子部品。
（付記１０）
前記電気絶縁膜は、前記素体と前記導電性樹脂層との間に位置している、付記１～９のいずれか一つに記載の電子部品。
（付記１１）
前記電気絶縁膜は、電気絶縁薄膜からなる、付記１～１０のいずれか一つに記載の電子部品。
（付記１２）
前記電気絶縁膜は、シリコン酸化膜からなる、付記１～１１のいずれか一つに記載の電子部品。
（付記１３）
前記導電性樹脂層は、複数の銀粒子を含む、付記１～１２のいずれか一つに記載の電子部品。

３…素体、３ａ…主面、３ｃ…側面、３ｅ…端面、３ｊ…稜線部、７，７Ａ，９，９Ａ…内部電極、１１，１３…導体、Ｃ１，Ｃ２…積層コンデンサ、Ｅ１…第一電極層、Ｅ２…第二電極層、Ｅ３…第三電極層、ＥＩ…電気絶縁膜、ＥＩａ，ＥＩｃ，ＥＩｅ…膜部分、Ｈ１…電気絶縁膜の高さ、Ｈ２…第二電極層の高さ。

Claims (13)

1. 実装面を構成するように配置される主面と、互いに対向していると共に前記主面と隣り合う一対の端面と、を含む素体と、
   前記素体内に配置されており、前記一対の端面のうち対応する端面に露出している複数の内部導体と、
   前記素体上に配置されており、前記複数の内部導体のうち対応する内部導体と接続されている複数の外部電極と、
   前記素体上に配置されている電気絶縁膜と、を備え、
   前記複数の内部導体は、前記対応する端面において、前記電気絶縁膜から露出しており、
   前記複数の外部電極のそれぞれは、導電性樹脂層を含み、
   前記電気絶縁膜は、前記主面における前記複数の外部電極の間の領域上に少なくとも位置している膜部分を含む、電子部品。
2. 前記素体は、前記主面及び前記一対の端面と隣り合う側面を更に含み、
   前記膜部分は、前記側面と前記主面との間に位置する稜線部における、前記複数の外部電極の間の領域上に位置している、請求項１に記載の電子部品。
3. 前記複数の内部導体のそれぞれは、前記主面と交差する方向に延在するように配置されていると共に、前記対応する端面に露出する端を含み、
   前記複数の内部導体のそれぞれが含む前記端は、前記電気絶縁膜から露出する領域を含む、請求項１又は２に記載の電子部品。
4. 前記素体は、前記主面及び前記一対の端面と隣り合う側面を更に含み、
   前記膜部分は、前記側面における前記複数の外部電極の間の領域上に位置している、請求項１又は２に記載の電子部品。
5. 前記素体は、前記主面及び前記一対の端面と隣り合う側面を更に含み、
   前記導電性樹脂層は、前記側面上に位置している層部分を含み、
   前記複数の内部導体は、前記側面と隣り合うと共に前記層部分と異なる極性を有する最外内部導体を含み、
   前記層部分と、前記最外内部導体とは、前記膜部分を間に介して、互いに間接的に対向している、請求項１又は２に記載の電子部品。
6. 前記素体は、前記主面及び前記一対の端面と隣り合う側面を更に含み、
   前記導電性樹脂層は、前記側面上に位置している層部分を含み、
   前記複数の内部導体は、
   前記側面と隣り合うと共に前記層部分と同じ極性を有するダミー導体を含み、
   前記層部分と、前記ダミー導体とは、互いに対向している、請求項１又は２に記載の電子部品。
7. 前記素体は、前記主面及び前記一対の端面と隣り合う側面を更に含み、
   前記導電性樹脂層は、前記主面の一部と、前記対応する端面の一部と、前記側面の一部とを連続して覆うように形成されている、請求項１又は２に記載の電子部品。
8. 前記主面に直交する方向での前記電気絶縁膜の高さは、前記主面に直交する方向での前記導電性樹脂層の高さより大きい、請求項１又は２に記載の電子部品。
9. 前記電気絶縁膜は、前記膜部分のみを含み、
   前記膜部分は、前記主面上のみに位置している、請求項１に記載の電子部品。
10. 前記電気絶縁膜は、前記素体と前記導電性樹脂層との間に位置している、請求項１又は２に記載の電子部品。
11. 前記電気絶縁膜は、電気絶縁薄膜からなる、請求項１又は２に記載の電子部品。
12. 前記電気絶縁膜は、シリコン酸化膜からなる、請求項１又は２に記載の電子部品。
13. 前記導電性樹脂層は、複数の銀粒子を含む、請求項１又は２に記載の電子部品。

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