JP2024068413A - インダクタ部品 - Google Patents

Abstract

【課題】インダクタ配線の電気抵抗を低減できるインダクタ部品を提供する。
【解決手段】インダクタ部品は、素体と、
前記素体内に設けられ、平面上で巻き回されたインダクタ配線と、
前記インダクタ配線の延在方向に直交し且つ前記平面に平行な方向の前記インダクタ配線の両側面に設けられた絶縁壁と、を備え、
前記絶縁壁は、前記インダクタ配線の最内周の内周面に設けられた第１部分と、前記インダクタ配線の最外周の外周面に設けられた第２部分と、を有し、
前記インダクタ配線の延在方向に直交する断面において、前記第１部分および前記第２部分の少なくとも一方の部分は、前記平面に直交する第１方向に対して傾斜している。
【選択図】図３

Description

本開示は、インダクタ部品に関する。

従来、インダクタ部品としては、特許６８７９３５５号公報（特許文献１）に記載されたものがある。インダクタ部品は、素体と、素体内に設けられ、平面上で巻き回されたインダクタ配線と、インダクタ配線の側面に設けられた樹脂壁と、を備える。インダクタ配線の最内周に位置する樹脂壁の幅は、最内周に位置する樹脂壁と最外周に位置する樹脂壁との間に位置する樹脂壁の幅よりも大きい。

特許６８７９３５５号公報

しかしながら、従来のインダクタ部品では、インダクタ配線の最内周に位置する樹脂壁の幅が相対的に大きいため、インダクタ配線の線幅が小さくなり、インダクタ配線の電気抵抗が大きくなる場合があった。

そこで、本開示の目的は、インダクタ配線の電気抵抗を低減できるインダクタ部品を提供することにある。

前記課題を解決するため、本開示の一態様であるインダクタ部品は、
素体と、
前記素体内に設けられ、平面上で巻き回されたインダクタ配線と、
前記インダクタ配線の延在方向に直交し且つ前記平面に平行な方向の前記インダクタ配線の両側面に設けられた絶縁壁と、を備え、
前記絶縁壁は、前記インダクタ配線の最内周の内周面に設けられた第１部分と、前記インダクタ配線の最外周の外周面に設けられた第２部分と、を有し、
前記インダクタ配線の延在方向に直交する断面において、前記第１部分および前記第２部分の少なくとも一方の部分は、前記平面に直交する第１方向に対して傾斜している。

前記態様によれば、第１部分および第２部分の少なくとも一方の部分が第１方向に対して傾斜していない場合と比較して、インダクタ配線の断面積を増大させることができるため、インダクタ配線の電気抵抗を低減できる。

本開示の一態様であるインダクタ部品によれば、インダクタ配線の電気抵抗を低減できる。

インダクタ部品の第１実施形態を示す模式平面図である。 図１のII－II断面図である。 図１のIII－III断面図である。 インダクタ部品の変形例を示す模式断面図である。 インダクタ部品の製法を説明する説明図である。 インダクタ部品の製法を説明する説明図である。 インダクタ部品の製法を説明する説明図である。 インダクタ部品の製法を説明する説明図である。 インダクタ部品の製法を説明する説明図である。 インダクタ部品の製法を説明する説明図である。 インダクタ部品の製法を説明する説明図である。 インダクタ部品の製法を説明する説明図である。 インダクタ部品の製法を説明する説明図である。 インダクタ部品の製法を説明する説明図である。 インダクタ部品の製法を説明する説明図である。 インダクタ部品の製法を説明する説明図である。 インダクタ部品の製法を説明する説明図である。 インダクタ部品の第２実施形態を示す模式平面図である。 図６のVII－VII断面図である。 図７のＡ部の拡大図である。

以下、本開示の一態様であるインダクタ部品を図示の実施の形態により詳細に説明する。なお、図面は一部模式的なものを含み、実際の寸法や比率を反映していない場合がある。

＜第１実施形態＞
（構成）
図１は、インダクタ部品の第１実施形態を示す模式平面図である。図２は、図１のII－II断面図である。図３は、図１のIII-III断面図である。図２および図３では、便宜上、シード層を省略している。図３が、特許請求の範囲に記載の「インダクタ配線の延在方向に直交する断面」の一例に相当する。

インダクタ部品１は、例えば、パソコン、ＤＶＤプレーヤー、デジタルカメラ、ＴＶ、携帯電話、カーエレクトロニクスなどの電子機器に搭載され、例えば全体として直方体形状の部品である。ただし、インダクタ部品１の形状は、特に限定されず、円柱状や多角形柱状、円錐台形状、多角形錐台形状であってもよい。

図１から図３に示すように、インダクタ部品１は、素体１０と、素体１０内に設けられ、平面上で巻き回されたインダクタ配線１５０と、インダクタ配線１５０の外面を覆う絶縁層３０と、素体１０の第１主面１０ａから端面が露出するように素体１０内に設けられた第１引出配線２１および第２引出配線２２と、素体１０の第１主面１０ａにおいて露出する第１外部端子５１および第２外部端子５２と、素体１０の第１主面１０ａに設けられた被覆膜６０と、を備える。

素体１０の形状は、特に限定されないが、この実施形態では直方体形状にされている。素体１０の外面は、第１主面１０ａおよび第２主面１０ｂと、第１主面１０ａと第２主面１０ｂの間に位置し第１主面１０ａと第２主面１０ｂを接続する第１側面１０ｃ、第２側面１０ｄ、第３側面１０ｅおよび第４側面１０ｆと、を有する。第１主面１０ａと第２主面１０ｂは、互いに対向する。第１側面１０ｃと第２側面１０ｄは、互いに対向する。第３側面１０ｅと第４側面１０ｆは、互いに対向する。

図中、素体１０の厚み方向をＺ方向とし、第２主面１０ｂから第１主面１０ａに向かう方向を順Ｚ方向とし、順Ｚ方向の逆方向を逆Ｚ方向とする。この明細書では、第１主面１０ａおよび第２主面１０ｂのうち、外部端子５１，５２が設けられている主面側を上側とする。この実施形態では、順Ｚ方向が上側となる。素体１０のＺ方向に直交する平面において、素体１０の長手方向であり、第１外部端子５１および第２外部端子５２が並ぶ方向である長さ方向をＸ方向とし、長さ方向に直交する方向である素体１０の幅方向をＹ方向とする。また、Ｘ方向であって、第１側面１０ｃから第２側面１０ｄに向かう方向を順Ｘ方向とし、順Ｘ方向の逆方向を逆Ｘ方向とする。Ｙ方向であって、第３側面１０ｅから第４側面１０ｆに向かう方向を順Ｙ方向とし、順Ｙ方向の逆方向を逆Ｙ方向とする。Ｚ方向が、特許請求の範囲に記載の「第１方向」の一例に相当する。

素体１０は、順Ｚ方向に沿って順に配置された第１磁性層１１および第２磁性層１２を含む。この「順に」とは、単に第１磁性層１１および第２磁性層１２の位置関係を示すだけであり、第１磁性層１１および第２磁性層１２の形成順とは関係ない。

第１磁性層１１および第２磁性層１２は、それぞれ、磁性粉と当該磁性粉を含有する樹脂とを含む。樹脂は、例えば、エポキシもしくはエポキシとアクリルの混合体もしくはエポキシ、アクリルとその他の混合体である有機絶縁材料である。磁性粉は、例えば、ＦｅＳｉＣｒなどのＦｅＳｉ系合金、ＦｅＣｏ系合金、ＮｉＦｅなどのＦｅ系合金、または、それらのアモルファス合金である。磁性粉は、フェライトであってもよい。磁性粉の平均粒子径は、５μｍ以下であることが好ましい。なお、第１磁性層１１および第２磁性層１２は、フェライトや磁性粉の焼結体など、有機樹脂を含まない場合であってもよい。

インダクタ配線１５０は、第１磁性層１１と第２磁性層１２との間で、ＸＹ平面上で巻き回されている。具体的に述べると、第１磁性層１１は、インダクタ配線１５０よりも逆Ｚ方向に存在し、第２磁性層１２は、インダクタ配線１５０よりも順Ｚ方向、および順Ｚ方向に直交する方向に存在する。ＸＹ平面が、特許請求の範囲に記載の「平面」の一例に相当する。

インダクタ配線１５０は、スパイラル形状に延びている。具体的に述べると、インダクタ配線１５０は、Ｚ方向からみて、外周端から内周端に向かって時計回り方向に渦巻状に巻回されている。インダクタ配線１５０は、中心軸ＡＸを有する。この実施形態では、軸ＡＸ方向は、Ｚ方向と平行である。なお、この「平行」とは、完全に平行となる状態に限らず、実質的に平行である状態も含む。

インダクタ配線１５０のターン数は、１ターン以上であることが好ましい。これにより、インダクタンス値を向上させることができる。１ターン以上とは、インダクタ配線の軸に直交する断面において、インダクタ配線が、軸方向からみて径方向に隣り合って巻回方向に並走する部分を有する状態をいい、１ターン未満とは、軸に直交する断面において、インダクタ配線が、軸方向からみて径方向に隣り合って巻回方向に並走する部分を有さない状態をいう。この実施形態では、インダクタ配線１５０のターン数は、２．５ターンである。

インダクタ配線１５０は、ＸＹ平面上で巻き回された配線部１５３と、配線部１５３の延在方向の端部に設けられた第１パッド部１５１および第２パッド部１５２と、を有する。配線部とは、インダクタ配線の巻き回された部分であり、インダクタ配線のうち、パッド部を除いた部分である。パッド部とは、引出配線などの他の配線が接続される部分であり、配線部よりも幅広に形成されている。具体的に述べると、第１パッド部１５１は、インダクタ配線１５０の内周端に設けられ、第２パッド部１５２は、インダクタ配線１５０の外周端に設けられている。

インダクタ配線１５０は、Ｚ方向に対向する天面１５０ａおよび底面１５０ｂを有する。具体的に述べると、インダクタ配線１５０は、順Ｚ方向（すなわち、上側）を向く天面１５０ａと、逆Ｚ方向を向く底面１５０ｂと、を有する。インダクタ配線１５０は、天面１５０ａと底面１５０ｂとを接続する両側面１５０ｃ，１５０ｄを有する。言い換えると、インダクタ配線１５０は、インダクタ配線１５０の延在方向に直交し且つＸＹ平面に平行な方向（以下、この方向を「配線幅方向」という。）に両側面１５０ｃ，１５０ｄを有する。具体的に述べると、インダクタ配線１５０は、径方向外側を向く第１側面１５０ｃと、径方向内側を向く第２側面１５０ｄと、を有する。

インダクタ配線１５０の第２パッド部１５２は、その第２パッド部１５２の天面に接する第１引出配線２１を介して、第１外部端子５１に接続される。インダクタ配線１５０の第１パッド部１５１は、その第１パッド部１５１の天面に接する第２引出配線２２を介して、第２外部端子５２に接続される。以上の構成により、インダクタ配線１５０は、第１外部端子５１および第２外部端子５２と電気的に接続される。

インダクタ配線１５０は、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｗ、Ｆｅ、Ｓｎ、Ｉｎもしくはこれらの化合物からなることが好ましい。インダクタ配線１５０は、例えば電解めっきにより形成される。インダクタ配線１５０は、無電解めっき法、スパッタリング法、蒸着法、塗布法などにより形成されてもよい。

第１引出配線２１は、インダクタ配線１５０の第２パッド部１５２の天面から順Ｚ方向に延在し、絶縁層３０および第２磁性層１２の内部を貫通している。第１引出配線２１は、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｆｅもしくはこれらの化合物からなることが好ましい。第１引出配線２１は、インダクタ配線１５０の第２パッド部１５２の天面に設けられ、絶縁層３０の内部を貫通する第１ビア配線２１２と、該第１ビア配線２１２の天面から順Ｚ方向に延在し、第２磁性層１２の内部を貫通し、端面が素体１０の第１主面１０ａに露出する第１柱状配線２１１と、を含む。ビア配線は、柱状配線よりも線幅（径、断面積）が小さい導体である。

第２引出配線２２は、インダクタ配線１５０の第１パッド部１５１の天面から順Ｚ方向に延在し、絶縁層３０および第２磁性層１２の内部を貫通している。第２引出配線２２は、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｆｅもしくはこれらの化合物からなることが好ましい。第２引出配線２２は、インダクタ配線１５０の第１パッド部１５１の天面に設けられ、絶縁層３０の内部を貫通する第２ビア配線２２２と、該第２ビア配線２２２の天面から順Ｚ方向に延在し、第２磁性層１２の内部を貫通し、端面が素体１０の第１主面１０ａに露出する第２柱状配線２２１と、を含む。第１，第２引出配線２１，２２は、インダクタ配線１５０と同様の材料からなることが好ましい。

第１，第２外部端子５１，５２は、素体１０の第１主面１０ａに設けられている。第１，第２外部端子５１，５２は、導電性材料からなり、例えば、低電気抵抗かつ耐応力性に優れたＣｕ、耐食性に優れたＮｉ、はんだ濡れ性と信頼性に優れたＡｕが内側から外側に向かってこの順に並ぶ３層構成である。

第１外部端子５１は、第１引出配線２１の素体１０の第１主面１０ａから露出する端面に接触し、第１引出配線２１と電気的に接続されている。これにより、第１外部端子５１は、インダクタ配線１５０の第２パッド部１５２に電気的に接続される。第２外部端子５２は、第２引出配線２２の素体１０の第１主面１０ａから露出する端面に接触し、第２引出配線２２と電気的に接続されている。これにより、第２外部端子５２は、インダクタ配線１５０の第１パッド部１５１に電気的に接続される。なお、図１において、第１，第２外部端子５１，５２は、便宜上、二点鎖線で示している。

絶縁層３０は、磁性体を含まない絶縁性材料からなる。絶縁性材料は、例えば、エポキシ、アクリル、フェノール、ポリイミドのいずれか、もしくはそれらの混合体からなることが好ましい。絶縁層３０は、インダクタ配線１５０の底面１５０ｂを覆う下地絶縁層７０と、インダクタ配線１５０の天面１５０ａを覆う層間絶縁層３１と、インダクタ配線１５０の両側面１５０ｃ，１５０ｄを覆う絶縁壁３２と、を有する。下地絶縁層７０、層間絶縁層３１および絶縁壁３２の各材料は、同一であっても、それぞれ異なっていてもよい。

下地絶縁層７０は、第１磁性層１１の上面の全面を覆うように、第１磁性層１１上に積層されている。インダクタ配線１５０は、下地絶縁層７０上に積層されている。インダクタ配線１５０の底面１５０ｂの全面は、下地絶縁層７０の上面と接触している。これにより、インダクタ配線１５０の底面１５０ｂと他の導電部材との間の電気絶縁性を確保できる。

層間絶縁層３１は、インダクタ配線１５０の天面１５０ａのうち、第１，第２引出配線２１，２２との接続領域以外の領域に設けられている。これにより、インダクタ配線１５０の天面１５０ａと他の導電部材との間の電気絶縁性を確保できる。

図３に示すように、絶縁壁３２は、第１側面１５０ｃおよび第２側面１５０ｄの各々に設けられている。絶縁壁３２は、第１側面１５０ｃの全面および第２側面１５０ｄの全面に接触している。絶縁壁３２の下面は、下地絶縁層７０の上面に接触している。要するに、絶縁壁３２は、インダクタ配線１５０の最内周の内周面１５０ｄ１と、インダクタ配線１５０の最外周の外周面１５０ｃ１と、インダクタ配線１５０のターン間と、に設けられている。

インダクタ配線の最内周とは、インダクタ配線が１ターン未満の場合、インダクタ配線の径方向内側の内周を指し、インダクタ配線が１ターン以上の場合、インダクタ配線のうち、内周端を含む１ターンを構成する部分における径方向内側の内周を指す。インダクタ配線の最外周とは、インダクタ配線が１ターン未満の場合、インダクタ配線の径方向外側の外周を指し、インダクタ配線が１ターン以上の場合、インダクタ配線のうち、外周端を含む１ターンを構成する部分における径方向外側の外周を指す。

絶縁壁３２は、インダクタ配線１５０の最内周の内周面１５０ｄ１に設けられた第１部分Ｐ１と、インダクタ配線１５０の最外周の外周面１５０ｃ１に設けられた第２部分Ｐ２と、第１部分Ｐ１および第２部分Ｐ２以外の第３部分Ｐ３と、を有する。第３部分Ｐ３は、インダクタ配線１５０のターン間に位置する絶縁壁３２である。このため、インダクタ配線１５０のターン数が１ターン未満の場合、第３部分Ｐ３は存在しない。この実施形態では、インダクタ配線１５０の延在方向に直交する断面（すなわち、図３に示す断面）において、第１から第３部分Ｐ１～Ｐ３の各々は、直線状に形成されている。しかしこれに限定されず、第１から第３部分Ｐ１～Ｐ３の各々は、曲線形状であってもよいし、曲線と直線とを組み合わせた形状であってもよい。

インダクタ配線１５０の延在方向に直交する断面において、第１部分Ｐ１および第２部分Ｐ２の少なくとも一方の部分は、ＸＹ平面に直交する第１方向（Ｚ方向）に対して傾斜している。好ましくは、インダクタ配線１５０の延在方向に直交する断面において、第１部分Ｐ１および第２部分Ｐ２の少なくとも一方の部分は、第１方向の順方向または逆方向に向かうに従ってインダクタ配線１５０のＸＹ平面に平行な方向の幅が広がるように、傾斜している、この実施形態では、第１部分Ｐ１および第２部分Ｐ２の両方が、ＸＹ平面に直交する第１方向（Ｚ方向）に対して傾斜している。

具体的に述べると、第１部分Ｐ１は、順Ｚ方向側に向かうに従って、インダクタ配線１５０の軸ＡＸに近づくように（インダクタ配線１５０の径方向内側に傾斜するように）形成されている。第２部分Ｐ２は、順Ｚ方向側に向かうに従って、インダクタ配線１５０の軸ＡＸから離隔するように（インダクタ配線１５０の径方向外側に傾斜するように）形成されている。なお、第１部分Ｐ１および第２部分Ｐ２の傾斜方向は、特に限定されない。第１部分Ｐ１は、順Ｚ方向側に向かうに従って、インダクタ配線１５０の軸ＡＸから離隔するように形成されていてもよい。第２部分Ｐ２は、順Ｚ方向側に向かうに従って、インダクタ配線１５０の軸ＡＸに近づくように形成されていてもよい。

なお、この実施形態では、図２に示す断面では、第１部分Ｐ１および第２部分Ｐ２は、Ｚ方向と平行に配置されている。すなわち、第１部分Ｐ１および第２部分Ｐ２は、Ｚ方向に対して傾斜していない。なお、この「平行」とは、第１部分Ｐ１とＺ方向とのなす角度が５°未満であり、第２部分Ｐ２とＺ方向とのなす角度が、５°未満であることを意味する。このように、第１部分Ｐ１および第２部分Ｐ２の少なくとも一方の部分は、インダクタ配線１５０の延在方向に直交する複数の断面のうち、何れかの断面においてＺ方向に対して傾斜していればよい。言い換えると、インダクタ配線１５０の最内周の少なくとも一部において、第１部分Ｐ１がＺ方向に対して傾斜していてもよいし、インダクタ配線１５０の最外周の少なくとも一部において、第２部分Ｐ２がＺ方向に対して傾斜していてもよい。

インダクタ部品１によれば、インダクタ配線１５０の延在方向に直交する断面において、第１部分Ｐ１および第２部分Ｐ２の少なくとも一方の部分がＺ方向に対して傾斜していない場合と比較して、インダクタ配線１５０の断面積を増大させることができるため、インダクタ配線１５０の電気抵抗を低減できる。

好ましくは、図３に示すように、インダクタ配線１５０の延在方向に直交する断面において、第１部分Ｐ１および第２部分Ｐ２の少なくとも一方の部分とＸＹ平面（言い換えると、下地絶縁層７０の上面）とのなす角度は、４５°以上８５°以下である。ここで、第１部分Ｐ１とＸＹ平面とのなす角度とは、第１部分Ｐ１とＸＹ平面とのなす角度（すなわち、鋭角および鈍角の２つの角度）のうち、内磁路により近い側の角度を指す。また、第２部分Ｐ２とＸＹ平面とのなす角度とは、第２部分Ｐ２とＸＹ平面とのなす角度（すなわち、鋭角および鈍角の２つの角度）のうち、外磁路により近い側の角度を指す。

具体的に述べると、第１部分Ｐ１とＸＹ平面のなす角度θ１は、４５°以上８５°以下である。第２部分Ｐ２とＸＹ平面のなす角度θ２は、４５°以上８５°以下である。なお、第１部分Ｐ１が直線状ではなく、例えば湾曲している場合、上記なす角度θ１は、第１部分Ｐ１の順Ｚ方向側の角部Ｃ１と、第１部分Ｐ１の逆Ｚ方向側の角部Ｃ２とを通る直線と、ＸＹ平面とのなす角度のうち、内磁路により近い側の角度とすればよい。同様に、第２部分Ｐ２が直線状ではなく、例えば湾曲している場合、上記なす角度θ２は、第２部分Ｐ２の順Ｚ方向側の角部Ｃ３と、第２部分Ｐ２の逆Ｚ方向側の角部Ｃ４とを通る直線と、ＸＹ平面とのなす角度のうち、外磁路により近い側の角度とすればよい。

上記構成によれば、上記なす角度θ１が４５°以上であることにより、第２磁性層１２の充填性を確保できる。上記なす角度θ１が４５°未満であると、第１部分Ｐ１と下地絶縁層７０との間の空間に、磁性粉、特に粒径が数μｍ以上の磁性粉を充填することが困難になり、第２磁性層１２の充填性が悪化する場合がある。上記なす角度θ１が８５°以下であることにより、インダクタ配線１５０の電気抵抗を効果的に低減できる。上記なす角度θ２が４５°以上８５°以下であることによる効果も同様である。

好ましくは、図３に示すように、インダクタ配線１５０のターン数は、１ターン以上であり、絶縁壁３２は、第１部分Ｐ１および第２部分Ｐ２以外の第３部分Ｐ３を有し、インダクタ配線１５０の延在方向に直交する断面において、第１部分Ｐ１および第２部分Ｐ２の少なくとも一方の部分とＸＹ平面に平行な方向（Ｙ方向）に隣り合って配置されている第３部分Ｐ３は、Ｚ方向と平行に配置されている。この「平行」とは、上記隣り合って配置されている第３部分Ｐ３とＺ方向とのなす角度が、５°未満であることを意味する。

具体的に述べると、第１部分Ｐ１とＹ方向に隣り合って配置されている第３部分Ｐ３（図３で紙面右側の第３部分Ｐ３）は、Ｚ方向と平行に配置されている。第２部分Ｐ２とＹ方向に隣り合って配置されている第３部分Ｐ３（図３で紙面左側の第３部分Ｐ３）は、Ｚ方向と平行に配置されている。

上記構成によれば、インダクタ配線１５０のうち、最内周に位置する部分と最外周に位置する部分との少なくとも一方の部分の断面積をより確実に大きくできるとともに、最内周と最外周の間に位置する部分の断面積も確保できる。

好ましくは、インダクタ配線１５０の延在方向に直交する断面において、第１部分Ｐ１および第２部分Ｐ２の少なくとも一方の部分の幅をＷ１とし、第１部分Ｐ１および第２部分Ｐ２の少なくとも一方の部分とＸＹ平面に平行な方向（Ｙ方向）に隣り合って配置されている第３部分Ｐ３の幅をＷ２としたとき、０．８＜（Ｗ１／Ｗ２）／＜１を満たす。ここで、第１部分Ｐ１の幅とは、第１部分Ｐ１の下面の配線幅方向の長さを指す。第２部分Ｐ２の幅とは、第２部分Ｐ２の下面の配線幅方向の長さを指す。第３部分Ｐ３の幅とは、第３部分Ｐ３の下面の配線幅方向の長さを指す。

具体的に述べると、第１部分Ｐ１の幅をＷ１ａとし、第１部分Ｐ１とＹ方向に隣り合って配置されている第３部分Ｐ３（図３で紙面右側の第３部分Ｐ３）の幅をＷ２ａとしたとき、０．８＜（Ｗ１ａ／Ｗ２ａ）／＜１を満たす。また、第２部分Ｐ２の幅をＷ１ｂとし、第２部分Ｐ２とＹ方向に隣り合って配置されている第３部分Ｐ３（図３で紙面左側の第３部分Ｐ３）の幅をＷ２ｂとしたとき、０．８＜（Ｗ１ｂ／Ｗ２ｂ）／＜１を満たす。幅Ｗ１ａ、幅Ｗ１ｂ、幅Ｗ２ａおよび幅Ｗ２ｂの各々は、例えば５μｍ以上１５μｍ以下程度である。

上記構成によれば、（Ｗ１／Ｗ２）／＜１を満たすことにより、第１部分Ｐ１および第２部分Ｐ２の少なくとも一方の部分の幅W１を、Ｙ方向に隣り合って配置されている第３部分Ｐ３の幅W２よりも小さくすることができる。これにより、後述するように、現像時に、第１部分Ｐ１および第２部分Ｐ２の少なくとも一方の部分を選択的に傾斜させることができ、傾斜した絶縁壁３２を有するインダクタ部品１を容易に得ることができる。さらに、第１部分Ｐ１および第２部分Ｐ２の少なくとも一方の部分の体積が減少し、第２磁性層１２の体積を増大させることができるため、インダクタンス値を向上させることができる。また、０．８＜（Ｗ１／Ｗ２）を満たすことにより、第１部分Ｐ１および第２部分Ｐ２の少なくとも一方の部分の下面と下地絶縁層７０の上面との接触面積を確保し、第１部分Ｐ１および第２部分Ｐ２の少なくとも一方の部分と下地絶縁層７０との接着強度を確保できる。

（変形例）
図４は、変形例に係るインダクタ部品１Ａを示す模式断面図である。図４は、図３に対応する。

図４に示すように、インダクタ配線１５０のターン数は、１ターン以上であり、絶縁壁３２は、第１部分Ｐ１および第２部分Ｐ２以外の第３部分Ｐ３を有し、インダクタ配線１５０の延在方向に直交する断面において、第１部分Ｐ１および第２部分Ｐ２の少なくとも一方の部分とＸＹ平面に平行な方向（Ｙ方向）に隣り合って配置されている第３部分Ｐ３は、Ｚ方向に対して傾斜し、第１部分Ｐ１および第２部分Ｐ２の少なくとも一方の部分とＸＹ平面（言い換えると、下地絶縁層７０の上面）とのなす角度は、上記隣り合って配置されている第３部分Ｐ３とＸＹ平面とのなす角度よりも小さい。

具体的に述べると、インダクタ部品１Ａでは、第１部分Ｐ１とＹ方向に隣り合って配置されている第３部分Ｐ３（図４で紙面右側の第３部分Ｐ３）は、Ｚ方向に対して傾斜している。より具体的に述べると、第１部分Ｐ１とＹ方向に隣り合って配置されている第３部分Ｐ３は、順Ｚ方向側に向かうに従って、インダクタ配線１５０の軸ＡＸに近づくように形成されている。

第２部分Ｐ２とＹ方向に隣り合って配置されている第３部分Ｐ３（図４で紙面左側の第３部分Ｐ３）は、Ｚ方向に対して傾斜している。より具体的に述べると、第２部分Ｐ２とＹ方向に隣り合って配置されている第３部分Ｐ３は、順Ｚ方向側に向かうに従って、インダクタ配線１５０の軸ＡＸから離隔するように形成されている。

第１部分Ｐ１とＸＹ平面とのなす角度θ１は、第１部分Ｐ１とＹ方向に隣り合って配置されている第３部分Ｐ３とＸＹ平面とのなす角度θ３よりも小さい。このなす角度θ３とは、第１部分Ｐ１とＹ方向に隣り合って配置されている第３部分Ｐ３とＸＹ平面とのなす角度（すなわち、鋭角および鈍角の２つの角度）のうち、第１部分Ｐ１側の角度を指す。第２部分Ｐ２とＸＹ平面とのなす角度θ２は、第２部分Ｐ２とＹ方向に隣り合って配置されている第３部分Ｐ３とＸＹ平面とのなす角度θ４よりも小さい。このなす角度θ４とは、第２部分Ｐ２とＹ方向に隣り合って配置されている第３部分Ｐ３とＸＹ平面とのなす角度（すなわち、鋭角および鈍角の２つの角度）のうち、第２部分Ｐ２側の角度を指す。

上記構成によれば、インダクタ配線１５０の延在方向に沿って、インダクタ配線１５０の断面積を均一にすることができる。これにより、インダクタ配線１５０に電流を効率的に流すことができる。一方、上記なす角度θ１および上記なす角度θ２の少なくとも一方が、上記隣り合って配置されている第３部分Ｐ３とＸＹ平面とのなす角度よりも大きい場合、インダクタ配線１５０の断面積が小さくなる部分が生じて、インダクタ配線１５０の電気抵抗が増大する可能性がある。

（製造方法）
次に、図５Ａから図５Ｍを参照してインダクタ部品１の製造方法について説明する。図５Ａから図５Ｇは、図１のIII－III断面（図３）に対応する。図５Ｈから図５Ｍは、図１のII－II断面（図２）に対応する。なお、図５Ｈから図５Ｍでは、便宜上、第２引出配線側の記載を省略している。

図５Ａに示すように、基板９０上に磁性体を含有しない下地絶縁層７０を形成する。基板９０は、例えば、焼結フェライトからなり、平板状である。

下地絶縁層７０は、例えば、磁性体を含有しないポリイミド系樹脂などからなる。下地絶縁層７０は、ポリイミド系樹脂を印刷、塗布などによって基板９０上にコーティングすることにより形成される。下地絶縁層７０は、コーティングされた後に、フォトリソグラフィ法を用いたパターニングにより、インダクタ配線１５０を形成する領域のポリイミド系樹脂のみを残してもよい。なお、下地絶縁層７０を形成する前に、研削保護層となる絶縁材料を基板９０上に形成してもよい。

図５Ｂに示すように、下地絶縁層７０上にシード層８１を形成する。具体的に述べると、シード層８１の材料（例えば、チタン／銅合金）をスパッタにより下地絶縁層７０の上面に成膜し、フォトリソグラフィ法によりパターニングして、シード層８１を形成する。

図５Ｃに示すように、絶縁壁材料３２０を下地絶縁層７０上に成膜する。具体的には、例えば感光性の永久フォトレジストを下地絶縁層７０上にラミネートする。感光性の永久フォトレジストとは、加工処理をした後、取り除かないフォトレジストである。

図５Ｄに示すように、絶縁壁材料３２０上にフォトマスクＭを配置して、フォトマスクＭ上から紫外線を絶縁壁材料３２０に照射し、絶縁壁材料３２０を露光する。フォトマスクＭには、絶縁壁３２の形状に対応した形状の開口Ｍａが形成されている。そのため、紫外線照射後に、絶縁壁３２の形状に対応した形状の露光部３２１が絶縁壁材料３２０に形成される。この際、図５Ｄに示すように、隣り合う露光部３２１の間にシード層８１が配置されるようにする。

図５Ｅに示すように、絶縁壁材料３２０を現像して、露光部３１２以外の絶縁壁材料３２０を除去し、絶縁壁３２を形成する。この際、詳細は後述するように、絶縁壁３２の少なくとも一部を傾斜させる。その後、必要に応じて熱を加え、絶縁壁３２を硬化させる。

ここで、絶縁壁３２の少なくとも一部を傾斜させる方法の一例について説明する。例えば、スプレー現像機などを使用し、絶縁壁材料３２０の現像時の現像液およびリンス液の流量（例えば、１００～３００ｍＬ／ｍｉｎ）および水圧の調整（例えば、０．１～０．３ＭＰａ）を行うことにより、絶縁壁３２の少なくとも一部に応力を加え、傾斜させることができる。特に、傾斜させたい絶縁壁３２のみを選択的に傾斜させる方法の一例として、その他の絶縁壁３２の幅をやや広めに設定し機械的強度を高めておく方法などが挙げられる。具体的には、例えば、上述したように、第１部分Ｐ１の幅をＷ１とし、第３部分Ｐ３の幅をＷ２としたとき、０．８＜（Ｗ１／Ｗ２）／＜１を満たすようにすればよい。第１部分Ｐ１が傾斜させたい絶縁壁３２の一例であり、第３部分Ｐ３がその他の絶縁壁３２の一例である。

図５Ｆに示すように、シード層８１に給電しながら電解めっきを行う。これにより、絶縁壁３２の間にインダクタ配線１５０が形成される。

図５Ｇおよび図５Ｈに示すように、インダクタ配線１５０の天面１５０ａの一部に層間絶縁層３１を形成する。具体的に述べると、インダクタ配線１５０の天面１５０ａ上にドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）をラミネートし、露光および現像する。これにより、露光されなかった部分の材料が除去されて、層間絶縁層３１が形成される。この際、インダクタ配線１５０の天面１５０ａと第１，第２引出配線２１，２２とが接触する部分に位置するドライフィルムレジストが除去されるようにする。

図５Ｉに示すように、インダクタ配線１５０の天面１５０ａの露出部分と、層間絶縁層３１および絶縁壁３２と、を覆うように、シード層８２をスパッタにより形成する。

図５Ｊに示すように、インダクタ配線１５０の第２パッド部１５２上に第１ビア配線２１２および第１柱状配線２１１を形成する。具体的に述べると、シード層８２上にレジスト膜３３０を形成し、レジスト膜３３０の第１ビア配線２１２に対応する位置に開口部を設ける。その後、シード層８２に給電しながら電解めっきを行い、上記の開口部にめっき層を形成する。これにより、開口部に第１ビア配線２１２および第１柱状配線２１１を形成する。この際、図示しない第２ビア配線２２２および第２柱状配線２２１も形成する。

図５Ｋに示すように、レジスト膜３３０を剥離し、露出したシード層８２を除去して、基板９０の上方から第２磁性層１２をインダクタ配線１５０に向けて圧着する。

図５Ｌに示すように、第２磁性層１２の上面を研削して、第１柱状配線２１１の上面を露出させる。この際、図示しない第２柱状配線２２１の上面も露出させる。

図５Ｍに示すように、第２磁性層１２の上面に被覆膜６０を形成する。被覆膜６０は、例えば、ソルダーレジストにより形成される。その後、基板９０を研削して、下地絶縁層７０の下面を露出させる。その後、下地絶縁層７０の下方から第１磁性層１１をインダクタ配線１５０に向けて圧着する。これにより、下地絶縁層７０の下面を第１磁性層１１により覆う。その後、第１磁性層１１の下面を研削して、第１磁性層１１の厚みを調整する。その後、第１柱状配線２１１の上面を覆うように、第１外部端子５１を形成する。この際、図示しない第２柱状配線２２１の上面を覆うように、第２外部端子５２も形成する。第１，第２外部端子５１，５２は、例えば無電解めっきにより形成されたＣｕ／Ｎｉ／Ａｕの３層構成である。その後、ダイサー等により個片化して、インダクタ部品１を製造する。

＜第２実施形態＞
図６は、インダクタ部品の第２実施形態を示す模式平面図である。図７は、図６のVII－VII断面図に対応する。図８は、図７のＡ部の拡大図である。第２実施形態は、第１実施形態とは、インダクタ配線が２層である点と、第１，第２パッド部に設けられている絶縁壁も傾斜している点が主に相違する。この相違する構成を以下に説明する。その他の構成は、第１実施形態と同じ構成であり、第１実施形態と同一の符号を付してその説明を省略する。

図６および図７に示すように、インダクタ部品１Ｂは、素体１０内に配置された第１インダクタ配線１６１と第２インダクタ配線１６２とを備える。第２インダクタ配線１６２が、特許請求の範囲に記載の「インダクタ配線」の一例に相当する。図７に示す断面が、特許請求の範囲に記載の「インダクタ配線の延在方向に直交する断面」の一例に相当する。

第１インダクタ配線１６１および第２インダクタ配線１６２の各々は、第１磁性層１１と第２磁性層１２の間で、ＸＹ平面上で巻き回されている。具体的に述べると、第１磁性層１１は、第１インダクタ配線１６１および第２インダクタ配線１６２よりも逆Ｚ方向側に存在し、第２磁性層１２は、第１インダクタ配線１６１および第２インダクタ配線１６２よりも順Ｚ方向、および順Ｚ方向に直交する方向に存在する。

第１インダクタ配線１６１は、ＸＹ平面上で巻き回された、スパイラル形状に延びる配線である。この実施形態では、第１インダクタ配線１６１のターン数は、２ターンである。第１インダクタ配線１６１は、Ｚ方向からみて、内周端から外周端に向かって時計回り方向に渦巻状に巻回されている。第１インダクタ配線１６１は、最内周の内周面１６１ｄ１と、最外周の外周面１６１ｃ１と、を有する。

第１インダクタ配線１６１は、ＸＹ平面上で巻き回された配線部１６１３と、配線部１６１３の延在方向の端部に設けられた第１パッド部１６１１および第２パッド部１６１２と、を有する。具体的に述べると、第１パッド部１６１１は、第１インダクタ配線１６１の内周端に設けられ、第２パッド部１６１２は、第１インダクタ配線１６１の外周端に設けられている。第１パッド部１６１１および第２パッド部１６１２の各々は、配線部１６１３よりも幅広に形成されている。

第２インダクタ配線１６２は、第１インダクタ配線１６１よりも逆Ｚ方向側に配置され、ＸＹ平面上で巻き回された、スパイラル形状に延びる配線である。第２インダクタ配線１６２は、第１インダクタ配線１６１と電気的に接続している。この実施形態では、第２インダクタ配線１６２のターン数は、２．５ターンである。

第２インダクタ配線１６２は、Ｚ方向からみて、外周端から内周端に向かって時計回り方向に渦巻状に巻回されている。第２インダクタ配線１６２は、第１インダクタ配線１６１と第１磁性層１１との間に配置されている。これにより、第１インダクタ配線１６１および第２インダクタ配線１６２の各々は、Ｚ方向に沿って配置されている。第２インダクタ配線１６２は、最内周の内周面１６２ｄ１と、最外周の外周面１６２ｃ１と、を有する。

第２インダクタ配線１６２は、ＸＹ平面上で巻き回された配線部１６２３と、配線部１６２３の延在方向の端部に設けられた第１パッド部１６２１および第２パッド部１６２２と、を有する。具体的に述べると、第１パッド部１６２１は、第２インダクタ配線１６２の内周端に設けられ、第２パッド部１６２２は、第２インダクタ配線１６２の外周端に設けられている。第１パッド部１６２１および第２パッド部１６２２の各々は、配線部１６２３よりも幅広に形成されている。第１，第２パッド部１６２１，１６２２が、特許請求の範囲に記載の「パッド部」の一例に相当する。

第１インダクタ配線１６１の第２パッド部１６１２は、その第２パッド部１６１２の天面に接する第２引出配線２２を介して、第２外部端子５２に接続される。第２インダクタ配線１６２の第２パッド部１６２２は、その第２パッド部１６２２の天面に接する第１引出配線２１を介して、第１外部端子５１に接続される。第２インダクタ配線１６２の第１パッド部１６２１は、その第１パッド部１６２１の天面に接するビア配線２５を介して、第１インダクタ配線１６１の第１パッド部１６１１に接続される。以上の構成により、第１インダクタ配線１６１および第２インダクタ配線１６２は、直列に接続されて、第１外部端子５１および第２外部端子５２と電気的に接続される。

第１引出配線２１は、導電性材料からなり、第２インダクタ配線１６２の天面から順Ｚ方向に延在し、絶縁層３０および第２磁性層１２の内部を貫通している。第１引出配線２１は、第２インダクタ配線１６２の第２パッド部１６２２の天面に設けられ、層間絶縁層３１の内部を貫通するビア配線２５と、該ビア配線２５の天面から順Ｚ方向に延在し、第２磁性層１２の内部を貫通する第１柱状配線４１と、該第１柱状配線４１の天面に設けられ、層間絶縁層３１の内部を貫通するビア配線２５と、該ビア配線２５の天面から順Ｚ方向に延在し、第２磁性層１２の内部を貫通し、端面が素体１０の第１主面１０ａに露出する第２柱状配線４２と、を含む。

第２引出配線２２は、導電性材料からなり、第１インダクタ配線１６１の天面から順Ｚ方向に延在し、第２磁性層１２の内部を貫通している。第２引出配線２２は、第１インダクタ配線１６１の第２パッド部１６１２の天面に設けられ、層間絶縁層３１の内部を貫通するビア配線２５と、該ビア配線２５の天面から順Ｚ方向に延在し、第２磁性層１２の内部を貫通し、端面が素体１０の第１主面１０ａに露出する第３柱状配線４３と、を含む。

絶縁層３０は、第１インダクタ配線１６１の外面と第２インダクタ配線１６２の外面とを覆う。この実施形態では、絶縁層３０の層間絶縁層３１は、第１インダクタ配線１６１と第２インダクタ配線１６２との間にも配置されている。これにより、第１インダクタ配線１６１と第２インダクタ配線１６２との間の絶縁性を確保できる。

第１インダクタ配線１６１に設けられた絶縁壁３２は、Ｚ方向と平行に配置されている。具体的に述べると、第１インダクタ配線１６１の最内周の内周面１６１ｄ１に設けられている絶縁壁３２の第１部分と、第１インダクタ配線１６１の最外周の外周面１６１ｃ１に設けられている絶縁壁３２の第２部分と、第１インダクタ配線１６１のターン間に設けられている絶縁壁３２の第３部分との各々は、Ｚ方向と平行に配置されている。

第２インダクタ配線１６２の最内周の内周面１６２ｄ１に設けられている絶縁壁３２の第１部分と、第２インダクタ配線１６２の最外周の外周面１６２ｃ１に設けられている絶縁壁３２の第２部分とは、Ｚ方向に対して傾斜している。具体的に述べると、内周面１６２ｄ１に設けられている絶縁壁３２の第１部分は、順Ｚ方向側に向かうに従って、第２インダクタ配線１６２の中心軸に近づくように形成されている。外周面１６２ｃ１に設けられている絶縁壁３２の第２部分は、順Ｚ方向側に向かうに従って、第２インダクタ配線１６２の中心軸から離隔するように形成されている。第２インダクタ配線１６２のターン間に設けられている絶縁壁３２の第３部分は、Ｚ方向と平行に配置されている。

図８に示すように、第２インダクタ配線１６２の第１パッド部１６２１は、第２インダクタ配線１６２の最内周の内周面１６２ｄ１の一部、および、最外周の外周面１６２ｃ１の一部の少なくとも一方を含み、第２インダクタ配線１６２の延在方向に直交する断面において、上記少なくとも一方に設けられた絶縁壁３２は、Ｚ方向に対して傾斜している。

具体的に述べると、第２インダクタ配線１６２の第１パッド部１６２１は、第２インダクタ配線１６２の最内周の内周面１６２ｄ１の一部を含む。この内周面１６２ｄ１の一部に設けられた絶縁壁３２は、Ｚ方向に対して傾斜している。より具体的に述べると、この内周面１６２ｄ１の一部に設けられた絶縁壁３２は、順Ｚ方向側に向かうに従って、第２インダクタ配線１６２の中心軸に近づくように形成されている。なお、この内周面１６２ｄ１の一部に設けられた絶縁壁３２は、順Ｚ方向側に向かうに従って、第２インダクタ配線１６２の中心軸から離隔するように形成されていてもよい。

上記構成によれば、第１パッド部１６２１に設けられた絶縁壁３２が傾斜しているため、第１パッド部１６２１の断面積を増大でき、第２インダクタ配線１６２の電気抵抗をさらに低減できる。特に、本実施形態のように、上記内周面１６２ｄ１の一部に設けられた絶縁壁３２が、順Ｚ方向側に向かうに従って、第２インダクタ配線１６２の中心軸に近づくように形成されている場合、第１パッド部１６２１の上面の面積を大きくできるため、第１パッド部１６２１に接続されるビア配線２５のビア径ｄをより大きくすることができる。これにより、ビア配線２５と第１，第２インダクタ配線１６１，１６２との密着性を向上させることができる。また、第１パッド部１６２１の上面の面積を大きくできるため、２層目の第１インダクタ配線１６１の配線幅を狭めることなく、２層目の絶縁壁３２（図８で符号Ｚ１を付した絶縁壁３２）の露光アライメントのマージンを確保できる。これにより、２層目の絶縁壁３２の露光アライメントにずれが発生した場合でも、２層目の絶縁壁３２が層間絶縁層３１から外れて形成されてしまうことを抑制できる。

好ましくは、図８に示すように、第２インダクタ配線１６２の延在方向に直交する断面において、配線部１６２３に設けられた絶縁壁３２は、Ｚ方向と平行に配置され、配線部１６２３に設けられた絶縁壁３２の幅をＷ３とし、上記少なくとも一方に設けられた絶縁壁３２の幅をＷ４としたとき、０．５＜（Ｗ４／Ｗ３）＜０．８を満たす。

ここで、上記「平行」とは、配線部１６２３に設けられた絶縁壁３２とＺ方向とのなす角度が、５°未満であることを意味する。上記幅W３とは、Ｚ方向と平行に配置されている配線部１６２３に設けられた絶縁壁３２の下面の配線幅方向の長さを指す。同様に、幅Ｗ４とは、Ｚ方向に対して傾斜している第１パッド部１６２１に設けられた絶縁壁３２の下面の配線幅方向の長さを指す。

上記構成によれば、（Ｗ４／Ｗ３）＜０．８を満たすことにより、第１パッド部１６２１に設けられた絶縁壁３２の幅W４を、配線部１６２３に設けられた絶縁壁３２の幅W３の０．８倍よりも小さくすることができる。これにより、現像時に、第１パッド部１６２１に設けられた絶縁壁３２であっても傾斜させることができる。また、０．５＜（Ｗ４／Ｗ３）を満たすことにより、第１パッド部１６２１に設けられた絶縁壁３２の下面と下地絶縁層７０の上面との接触面積を確保し、第１パッド部１６２１に設けられた絶縁壁３２と下地絶縁層７０との接着強度を確保できる。

具体的に述べると、Ｚ方向から見て、配線部１６２３の外形は、直線状である部分が多い。そのため、配線部１６２３に設けられた絶縁壁３２もＺ方向から見て直線状である部分が多い。これに対し、Ｚ方向から見て、第１パッド部１６２１の外形は、曲線状（この実施形態では、略円形）である場合が多い。そのため、第１パッド部１６２１に設けられた絶縁壁３２の形状もＺ方向から見て曲線状である場合が多い。Ｚ方向から見て曲線状である絶縁壁３２は、直線状である絶縁壁３２よりも、Ｚ方向に直交する方向から受ける力に対して強く、傾斜させにくい。（Ｗ４／Ｗ３）＜０．８を満たすことにより、Ｚ方向から見て曲線状である、第１パッド部１６２１に設けられた絶縁壁３２であっても、幅が相対的に小さいため傾斜させることができる。なお、第１パッド部１６２１に設けられた絶縁壁３２の傾斜方法は、上記方法に限られず、例えば、第１実施形態で説明したスプレー現像機よりも強く薬液噴霧可能なスプレー現像機や２流体現像機などを用いる方法を採用してもよい。

好ましくは、図７に示すように、第２インダクタ配線１６２の第２パッド部１６２２は、第２インダクタ配線１６２の最内周の内周面１６２ｄ１の一部、および、最外周の外周面１６２ｃ１の一部の少なくとも一方を含み、第２インダクタ配線１６２の延在方向に直交する断面において、上記少なくとも一方に設けられた絶縁壁３２は、Ｚ方向に対して傾斜している。

具体的に述べると、第２インダクタ配線１６２の第２パッド部１６２２は、第２インダクタ配線１６２の最外周の外周面１６２ｃ１の一部を含む。この外周面１６２ｃ１の一部に設けられた絶縁壁３２は、Ｚ方向に対して傾斜している。より具体的に述べると、この外周面１６２ｃ１の一部に設けられた絶縁壁３２は、順Ｚ方向側に向かうに従って、第２インダクタ配線１６２の中心軸から離隔するように形成されている。なお、この外周面１６２ｃ１の一部に設けられた絶縁壁３２は、順Ｚ方向側に向かうに従って、第２インダクタ配線１６２の中心軸に近づくように形成されていてもよい。

上記構成によれば、第２インダクタ配線１６２の第２パッド部１６２２に設けられた絶縁壁３２が傾斜しているため、第２パッド部１６２２の断面積を増大でき、第２インダクタ配線１６２の電気抵抗をさらに低減できる。特に、上記外周面１６２ｃ１の一部に設けられた絶縁壁３２が、順Ｚ方向側に向かうに従って、第２インダクタ配線１６２の中心軸から離隔するように形成されている場合、第２パッド部１６２２の上面の面積を大きくできるため、第２パッド部１６２２に接続されるビア配線２５のビア径をより大きくすることができる。これにより、第１引出配線２１とビア配線２５と第２インダクタ配線１６２との密着性を向上させることができる。また、第２パッド部１６２２の上面の面積を大きくできるため、第１引出配線２１の配線幅を狭めることなく、２層目の絶縁壁３２（図７で符号Ｚ２を付した絶縁壁３２）の露光アライメントのマージンを確保できる。これにより、２層目の絶縁壁３２の露光アライメントにずれが発生した場合でも、２層目の絶縁壁３２が層間絶縁層３１から外れて形成されてしまうことを抑制できる。

なお、本開示は上述の実施形態に限定されず、本開示の要旨を逸脱しない範囲で設計変更可能である。例えば、第１および第２実施形態のそれぞれの特徴点を様々に組み合わせてもよい。前記実施形態では、幅Ｗ１と幅Ｗ２を同一の断面にて比較したが、インダクタ配線１５０の延在方向に直交する断面であれば、それぞれ別々の断面における幅であってもよい。幅Ｗ３と幅Ｗ４においても同様である。

前記実施形態では、第１，第２引出配線、第１，第２外部端子、層間絶縁層、下地絶縁層および被覆膜が設けられていたが、これらの部材は必須ではなく、設けられていなくてもよいし、他の部材に代えてもよい。

前記実施形態では、インダクタ配線は１層または２層であったが、３層以上であってもよい。

前記実施形態では、インダクタ配線の隣り合うターン間の全領域に絶縁壁が存在していたが、隣り合うターンの間に第２磁性層が存在していてもよい。具体的に述べると、インダクタ配線の延在方向に直交する断面において、インダクタ配線の両側面に絶縁壁が設けられているとともに、隣り合うターン間に第２磁性層が存在していてもよい。

前記第１実施形態では、インダクタ配線の延在方向に直交する断面において、絶縁壁の第３部分は２本であったが、第３部分が３本以上である場合、すなわち、インダクタ配線のターン数が２．５ターンを超える場合、これらの第３部分のうち、第１部分に隣り合って配置されている第３部分と、第２部分に隣り合って配置されている第３部分と、を除く第３部分は、Ｚ方向に対して平行であっても傾斜していてもよい。

前記第２実施形態では、第１インダクタ配線の最内周の内周面に設けられた絶縁壁と、第１インダクタ配線の最外周の外周面に設けられた絶縁壁との両方がＺ方向と平行に配置されていたが、少なくとも一方の絶縁壁がＺ方向に対して傾斜していてもよい。この場合、第１インダクタ配線は、特許請求の範囲に記載の「インダクタ配線」の一例に相当する。

本開示は、以下の態様を含む。
＜１＞
素体と、
前記素体内に設けられ、平面上で巻き回されたインダクタ配線と、
前記インダクタ配線の延在方向に直交し且つ前記平面に平行な方向の前記インダクタ配線の両側面に設けられた絶縁壁と、を備え、
前記絶縁壁は、前記インダクタ配線の最内周の内周面に設けられた第１部分と、前記インダクタ配線の最外周の外周面に設けられた第２部分と、を有し、
前記インダクタ配線の延在方向に直交する断面において、前記第１部分および前記第２部分の少なくとも一方の部分は、前記平面に直交する第１方向に対して傾斜している、インダクタ部品。
＜２＞
前記インダクタ配線の延在方向に直交する断面において、
前記第１部分および前記第２部分の少なくとも一方の部分は、前記第１方向の順方向または逆方向に向かうに従って前記インダクタ配線の前記平面に平行な方向の幅が広がるように、傾斜している、＜１＞に記載のインダクタ部品。
＜３＞
前記インダクタ配線の延在方向に直交する断面において、
前記少なくとも一方の部分と前記平面とのなす角度は、４５°以上８５°以下である、＜１＞または＜２＞に記載のインダクタ部品。
＜４＞
前記インダクタ配線は、前記平面上で巻き回された配線部と、前記配線部の延在方向の端部に設けられたパッド部と、を有し、
前記パッド部は、前記最内周の内周面の一部、および、前記最外周の外周面の一部の少なくとも一方を含み、
前記インダクタ配線の延在方向に直交する断面において、前記少なくとも一方に設けられた前記絶縁壁は、前記第１方向に対して傾斜している、＜１＞から＜３＞の何れか一つに記載のインダクタ部品。
＜５＞
前記インダクタ配線の延在方向に直交する断面において、
前記配線部に設けられた前記絶縁壁は、前記第１方向と平行に配置され、
前記配線部に設けられた前記絶縁壁の前記平面に平行な方向の幅をＷ３とし、前記少なくとも一方に設けられた前記絶縁壁の前記平面に平行な方向の幅をＷ４としたとき、０．５＜（Ｗ４／Ｗ３）＜０．８を満たす、＜４＞に記載のインダクタ部品。
＜６＞
前記インダクタ配線のターン数は、１ターン以上であり、
前記絶縁壁は、前記第１部分および前記第２部分以外の第３部分を有し、
前記インダクタ配線の延在方向に直交する断面において、
前記少なくとも一方の部分と前記平面に平行な方向に隣り合って配置されている前記第３部分は、前記第１方向と平行に配置されている、＜１＞から＜５＞の何れか一つに記載のインダクタ部品。
＜７＞
前記インダクタ配線の延在方向に直交する断面において、
前記少なくとも一方の部分の前記平面に平行な方向の幅をＷ１とし、前記隣り合って配置されている前記第３部分の前記平面に平行な方向の幅をＷ２としたとき、０．８＜（Ｗ１／Ｗ２）／＜１を満たす、＜６＞に記載のインダクタ部品。
＜８＞
前記インダクタ配線のターン数は、１ターン以上であり、
前記絶縁壁は、前記第１部分および前記第２部分以外の第３部分を有し、
前記インダクタ配線の延在方向に直交する断面において、
前記少なくとも一方の部分と前記平面に平行な方向に隣り合って配置されている前記第３部分は、前記第１方向に対して傾斜し、
前記少なくとも一方の部分と前記平面とのなす角度は、前記隣り合って配置されている前記第３部分と前記平面とのなす角度よりも小さい、＜１＞から＜５＞の何れか一つに記載のインダクタ部品。

１、１Ａ、１Ｂ インダクタ部品
１０ 素体
１０ａ 第１主面
１０ｂ 第２主面
１０ｃ～１０ｆ 第１から第４側面
１１ 第１磁性層
１２ 第２磁性層
２１ 第１引出配線
２１１ 第１柱状配線
２１２ 第１ビア配線
２２ 第２引出配線
２２１ 第２柱状配線
２２２ 第２ビア配線
３０ 絶縁層
３１ 層間絶縁層
３２ 絶縁壁
５１ 第１外部端子
５２ 第２外部端子
６０ 被覆膜
７０ 下地絶縁層
８１、８２ シード層
１５０ インダクタ配線
１６１ 第１インダクタ配線
１６２ 第２インダクタ配線
１５０ａ インダクタ配線の天面
１５０ｂ インダクタ配線の底面
１５０ｃ インダクタ配線の第１側面
１５０ｄ インダクタ配線の第２側面
１５０ｃ１、１６１ｃ１、１６２ｃ１ インダクタ配線の最外周の外周面
１５０ｄ１、１６１ｄ１、１６２ｄ１ インダクタ配線の最内周の内周面
１５１、１６１１、１６２１ 第１パッド部
１５２、１６１２、１６２２ 第２パッド部
１５３、１６１３、１６２３ 配線部
ＡＸ インダクタ配線の軸
ｄ ビア径
Ｐ１～Ｐ３ 第１から第３部分
Ｗ１ａ、Ｗ１ｂ、Ｗ２ａ、Ｗ２ｂ、Ｗ３、Ｗ４ 幅
θ１～θ４ なす角度

Claims (8)

1. 素体と、
   前記素体内に設けられ、平面上で巻き回されたインダクタ配線と、
   前記インダクタ配線の延在方向に直交し且つ前記平面に平行な方向の前記インダクタ配線の両側面に設けられた絶縁壁と、を備え、
   前記絶縁壁は、前記インダクタ配線の最内周の内周面に設けられた第１部分と、前記インダクタ配線の最外周の外周面に設けられた第２部分と、を有し、
   前記インダクタ配線の延在方向に直交する断面において、前記第１部分および前記第２部分の少なくとも一方の部分は、前記平面に直交する第１方向に対して傾斜している、インダクタ部品。
2. 前記インダクタ配線の延在方向に直交する断面において、
   前記第１部分および前記第２部分の少なくとも一方の部分は、前記第１方向の順方向または逆方向に向かうに従って前記インダクタ配線の前記平面に平行な方向の幅が広がるように、傾斜している、請求項１に記載のインダクタ部品。
3. 前記インダクタ配線の延在方向に直交する断面において、
   前記少なくとも一方の部分と前記平面とのなす角度は、４５°以上８５°以下である、請求項１または２に記載のインダクタ部品。
4. 前記インダクタ配線は、前記平面上で巻き回された配線部と、前記配線部の延在方向の端部に設けられたパッド部と、を有し、
   前記パッド部は、前記最内周の内周面の一部、および、前記最外周の外周面の一部の少なくとも一方を含み、
   前記インダクタ配線の延在方向に直交する断面において、前記少なくとも一方に設けられた前記絶縁壁は、前記第１方向に対して傾斜している、請求項１または２に記載のインダクタ部品。
5. 前記インダクタ配線の延在方向に直交する断面において、
   前記配線部に設けられた前記絶縁壁は、前記第１方向と平行に配置され、
   前記配線部に設けられた前記絶縁壁の前記平面に平行な方向の幅をＷ３とし、前記少なくとも一方に設けられた前記絶縁壁の前記平面に平行な方向の幅をＷ４としたとき、０．５＜（Ｗ４／Ｗ３）＜０．８を満たす、請求項４に記載のインダクタ部品。
6. 前記インダクタ配線のターン数は、１ターン以上であり、
   前記絶縁壁は、前記第１部分および前記第２部分以外の第３部分を有し、
   前記インダクタ配線の延在方向に直交する断面において、
   前記少なくとも一方の部分と前記平面に平行な方向に隣り合って配置されている前記第３部分は、前記第１方向と平行に配置されている、請求項１または２に記載のインダクタ部品。
7. 前記インダクタ配線の延在方向に直交する断面において、
   前記少なくとも一方の部分の前記平面に平行な方向の幅をＷ１とし、前記隣り合って配置されている前記第３部分の前記平面に平行な方向の幅をＷ２としたとき、０．８＜（Ｗ１／Ｗ２）／＜１を満たす、請求項６に記載のインダクタ部品。
8. 前記インダクタ配線のターン数は、１ターン以上であり、
   前記絶縁壁は、前記第１部分および前記第２部分以外の第３部分を有し、
   前記インダクタ配線の延在方向に直交する断面において、
   前記少なくとも一方の部分と前記平面に平行な方向に隣り合って配置されている前記第３部分は、前記第１方向に対して傾斜し、
   前記少なくとも一方の部分と前記平面とのなす角度は、前記隣り合って配置されている前記第３部分と前記平面とのなす角度よりも小さい、請求項１または２に記載のインダクタ部品。

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