JP2024039192A - 単結晶製造装置 - Google Patents

Abstract

【課題】保温筒の有無及びその垂直方向の位置によらず、溶融帯を斜め下方から撮影することが可能な単結晶製造装置を提供する。【解決手段】単結晶製造装置１は、設置高さ位置が異なる複数の覗窓１３Ａ，１３Ｂを有するチャンバー１０と、チャンバー１０内に設置された誘導加熱コイル１５と、チャンバー１０内かつ誘導加熱コイル１５の下方に設置された保温筒１６と、チャンバー１０の外側に設置され、複数の覗窓１３Ａ，１３Ｂのいずれかを通してチャンバー１０の内部を撮影する第１カメラ１９Ｃと、チャンバー内壁に設置されたミラー２０とを備える。ミラー２０は、保温筒１６の上端よりも下方に設置され、かつ誘導加熱コイル１５と保温筒１６との隙間１７から写し出される溶融帯５からの光を第１カメラ１９Ｃに向けて反射させるように配置される。第１カメラ１９Ｃは、ミラー２０の反射面に映る溶融帯５の光の鏡像を撮影する。【選択図】図１

Description

本発明は、ＦＺ（Floating Zone）法による単結晶の製造に用いられる単結晶製造装置に関する。

シリコン単結晶の製造方法としてＦＺ法が知られている。ＦＺ法は、多結晶シリコンからなる原料ロッドの一部を加熱して溶融帯を生成し、溶融帯の上方及び下方にそれぞれ位置する原料ロッド及び種結晶を徐々に降下させることにより、種結晶の上方に大きな単結晶を成長させる方法である。ＦＺ法ではＣＺ（Czochralski）法のように石英ルツボを使用しないため、酸素濃度が非常に低い単結晶を製造することができる。

ＦＺ法では単結晶育成工程中に溶融帯をカメラで撮影し、撮影画像に基づいて結晶成長条件を自動制御することが行われている。例えば、特許文献１には、ＦＺ単結晶引上げにおいて３つのカメラを使用し、炉内の温度や寸法を計測する方法が記載されている。特許文献２には、ＦＺ単結晶引上げにおいて４つのカメラを使用し、結晶直径やゾーン長を計測し、誘導加熱コイルへの供給電力や原料の下降速度などを制御することが記載されている。

特許文献３には、炉外に設置した直角プリズムミラーを用いてカメラの光路を変換することにより、溶融帯の上方幾何学量及び下方幾何学量を一つのカメラで撮影することが記載されている。特許文献４には、誘導加熱コイルの下方に保温筒を設置し、溶融帯が固化する過程におけるシリコン単結晶の温度を制御することが記載されている。

特表２０２０－５０７５５４号公報 特許第４０１６３６３号公報 特開２００９－２３４８７９号公報 特開２０１９－１０８２４８号公報

誘導加熱コイルの真横に設置した覗窓から溶融帯を観察する場合、誘導加熱コイルの上方及び下方に位置する溶融帯を同時に観察することはできるが、誘導加熱コイルの内側に位置する溶融帯を観察することができない。このため、誘導加熱コイルの上方に覗窓を設置して、溶融帯を斜め上方から撮影することが行われる。

誘導加熱コイルの上方に覗窓を設置することにより、原料ロッドと誘導加熱コイルとの間から溶融帯の状況を撮影できるものの、誘導加熱コイルよりも下方に位置する溶融帯の状況（特に溶融帯と単結晶との固液界面近傍）を撮影できないため、誘導加熱コイルの下方にも覗窓を設置する必要がある。

しかしながら、シリコン単結晶の熱履歴を調整するために誘導加熱コイルの下方に保温筒が設置される場合、その位置によっては、誘導加熱コイルの下方に設置した覗窓からの視野が保温筒に遮られ、溶融帯を撮影できないという問題がある。

したがって、本発明の目的は、保温筒の有無及びその位置によらず、溶融帯を斜め下方から撮影することが可能な単結晶製造装置を提供することにある。

上記課題を解決するため、本発明による単結晶製造装置は、原料ロッドの下端を溶融して得られる溶融帯から単結晶インゴットを育成するＦＺ法による単結晶製造装置であって、設置高さ位置が異なる複数の覗窓を有するチャンバーと、前記チャンバー内に設置された誘導加熱コイルと、前記チャンバー内かつ前記誘導加熱コイルの下方に設置された保温筒と、前記チャンバーの外側に設置され、前記複数の覗窓のいずれかを通して前記チャンバーの内部を撮影する第１カメラと、前記チャンバー内壁に設置されたミラーとを備え、前記ミラーは、前記保温筒の上端よりも下方に設置され、かつ前記誘導加熱コイルと前記保温筒との隙間から写し出される溶融帯からの光を前記第１カメラに向けて反射させるように配置され、前記第１カメラは、前記ミラーの反射面に映る前記溶融帯の光の鏡像を撮影することを特徴とする。

本発明によれば、誘導加熱コイルよりも下方に設置された覗窓から誘導加熱コイルの内側に存在する溶融帯を観察しようとしても保温筒が邪魔をして直接観察できない場合でも、ミラーを利用して別の方向から溶融帯を撮影することができる。したがって、誘導加熱コイル及び保温筒の位置によらず、誘導加熱コイルの内側領域に存在する溶融帯を斜め下方からカメラで撮影することができる。

本発明による単結晶製造装置は、前記チャンバー内で前記ミラーを上下左右に移動可能且つ角度変更可能に保持する固定治具をさらに備え、前記固定治具は、前記チャンバーの内壁面に取り付けられていることが好ましい。この構成によれば、チャンバー内へのミラーの設置及び位置調整を容易に行うことができる。

本発明において、前記ミラーはシリコン製であることが好ましい。これにより、ミラーの信頼性及び耐久性を確保することができ、単結晶の汚染を防止することができる。

本発明による単結晶製造装置は、前記チャンバーの外側に設置され、前記誘導加熱コイルを側方から観察可能な位置に設けられた前記覗窓を通して前記チャンバーの内部を撮影する第２カメラをさらに備え、前記第２カメラは、前記誘導加熱コイルの上方及び下方にそれぞれ位置する前記溶融帯の上部及び下部を撮影することが好ましい。これにより、直胴部育成工程において溶融帯の上端部から下端部までを広範囲に撮影し、撮影画像に基づいて直胴部育成工程の自動制御を行うことができる。

本発明による単結晶製造装置は、前記チャンバーの外側に設置され、前記誘導加熱コイルよりも上方に設置された前記覗窓を通して前記チャンバーの内部を撮影する第３カメラをさらに備え、前記第３カメラは、前記溶融帯を斜め上方から撮影することが好ましい。これにより、シード絞り工程において誘導加熱コイルの上方に位置する溶融帯と単結晶との固液界面を撮影することができ、撮影画像に基づいてシード絞り工程の自動制御を行うことができる。

本発明において、前記第１カメラは、前記誘導加熱コイルを側方から観察可能な位置に設けられた前記覗窓を通して前記ミラーの反射面に映る前記溶融帯の光の鏡像を撮影することが好ましい。通常、誘導加熱コイルの側方に設置された覗窓から溶融帯の内側領域を直接観察することはできないが、ミラー越しに観察することにより、誘導加熱コイルの側方に設けられた覗窓から誘導加熱コイルの内側領域を観察することができる。

本発明において、前記第１カメラは、前記誘導加熱コイルよりも上方又は下方に設置された前記覗窓を通して前記ミラーの反射面に映る前記溶融帯の光の鏡像を撮影してもよい。このように、本発明によれば、覗窓の位置によらず、誘導加熱コイルの内側領域に存在する溶融帯を斜め下方からカメラで撮影することができる。

本発明によれば、保温筒の有無及びその位置によらず、溶融帯を斜め下方から撮影することが可能な単結晶製造装置を提供することができる。

図１は、本発明の実施の形態による単結晶製造装置の構成を示す略側面断面図である。 図２は、カメラとミラーとの位置関係を示す略平面断面図である。 図３は、ミラーの形状の一例を示す略斜視図である。 図４は、固定治具の構成を示す図であって、図４（ａ）は略側面図、（ｂ）は略平面図である。 図５は、カメラを用いて結晶育成条件を制御する方法の説明図であって、シード絞り工程中における単結晶製造装置の動作を示す略側面断面図である。 図６は、カメラを用いて結晶育成条件を制御する方法の説明図であって、テーパー部育成工程中における単結晶製造装置の動作を示す略側面断面図である。

以下、添付図面を参照しながら、本発明の好ましい実施の形態について詳細に説明する。

図１は、本発明の実施の形態による単結晶製造装置の構成を示す略側面断面図である。

図１に示すように、この単結晶製造装置１は、シリコン単結晶４をＦＺ法により育成するための装置であって、原料ロッド２及び種結晶３上に成長するシリコン単結晶４が収容される水冷式のチャンバー１０と、原料ロッド２を回転可能及び昇降可能に支持する上軸１１と、種結晶３及びシリコン単結晶４を回転可能及び昇降可能に支持する下軸１２と、原料ロッド２の下端部を加熱する誘導加熱コイル１５と、誘導加熱コイル１５の下方に配置された保温筒１６と、結晶成長が進んで大型化したシリコン単結晶４の重量を支える単結晶保持具１８と、原料ロッド２とシリコン単結晶４との間の溶融帯５（シリコン融液）にドープガスを供給するガスドープ装置（不図示）と、チャンバー１０の外側から内部を撮影する３台のカメラ１９Ａ～１９Ｃと、チャンバー１０内に設置されたミラー２０とを備えている。

原料ロッド２はモノシラン等のシリコン原料を精製して得られた高純度多結晶シリコンからなり、原料ロッド２の上端部は上軸１１の下端部に取り付けられている。種結晶３の下端部は下軸１２の上端部に取り付けられている。上軸１１及び下軸１２は、図示しない駆動機構によってそれぞれ回転及び昇降駆動される。

誘導加熱コイル１５は、原料ロッド２又は溶融帯５を取り囲む扁平コイルであり、原料ロッド２の下端部を誘導加熱することにより、原料ロッド２とシリコン単結晶４との間に溶融帯５を発生させる。誘導加熱コイル１５の出力は高周波発振器によって制御される。

保温筒１６は、誘導加熱コイル１５の下方において溶融帯５の下部５ｂ（結晶側溶融帯）を取り囲む円環状の部材である。保温筒１６は、溶融帯５の下部５ｂの形状及び結晶化直後のシリコン単結晶４の熱履歴を制御して高品質な単結晶を育成するために設けられており、その開口径は育成されるシリコン単結晶４の狙い直径よりも少し大きい程度である。

単結晶保持具１８は、シリコン単結晶４のテーパー部４ａに当接してシリコン単結晶４を保持することにより、種結晶３及び下軸１２にシリコン単結晶４の大きな重量が掛からないようにシリコン単結晶４の重量の大部分を受け止める。

チャンバー１０は、誘導加熱コイル１５が収容されたメインチャンバー１０Ａと、メインチャンバー１０Ａの上部に接続されたトップチャンバー１０Ｂと、メインチャンバー１０Ａの下部に接続されたボトムチャンバー１０Ｃとで構成されており、シリコン単結晶４の育成はメインチャンバー１０Ａ内で行われる。トップチャンバー１０Ｂ内には原料ロッド２が収容されており、ボトムチャンバー１０Ｃ内には成長後のシリコン単結晶４が収容される。

メインチャンバー１０Ａには、誘導加熱コイル１５とほぼ同じ高さ位置に設けられた第１覗窓１３Ａと、誘導加熱コイル１５よりも上方に設けられた第２覗窓１３Ｂが設けられている。そして第１覗窓１３Ａの外側には、２台のカメラ１９Ａ、１９Ｃが設けられており、第２覗窓１３Ｂの外側には１台のカメラ１９Ｂが設けられている。

カメラ１９Ａ（第２カメラ）は、第１覗窓１３Ａの外側に設置されており、誘導加熱コイル１５の上方及び下方にそれぞれ位置する溶融帯５の上部５ａ及び下部５ｂを誘導加熱コイル１５の真横から撮影する。カメラ１９Ａから見て溶融帯５の中心部５ｃは誘導加熱コイル１５の裏側に位置するため、溶融帯５の中心部５ｃをカメラ１９Ａで観察することはできない。

カメラ１９Ｂ（第３カメラ）は、第２覗窓１３Ｂの外側に設置されており、誘導加熱コイル１５の内側領域を斜め上方から撮影するために設けられている。

カメラ１９Ｃ（第１カメラ）は、カメラ１９Ａと共に第１覗窓１３Ａの外側に設置されており、炉内に設置されたミラー２０の反射面に映る溶融帯５の鏡像を撮影する。上記のように、第１覗窓１３Ａは誘導加熱コイル１５の側方に設けられているため、第１覗窓１３Ａから誘導加熱コイル１５の内側領域を直接観察することはできない。また、誘導加熱コイル１５よりも下方に位置する覗窓が設けられていたとしても、当該覗窓から誘導加熱コイル１５の内側領域に向かう視野が保温筒１６に遮られる場合には、誘導加熱コイル１５の内側領域を斜め下方から観察することができない。しかし、本実施形態においてはチャンバー１０内にミラー２０を設置し、誘導加熱コイル１５の内側領域をミラー２０越しに撮影するので、第１覗窓１３Ａから普通に見ても捉えることができない誘導加熱コイル１５の内側領域に存在する溶融帯５を捉えることができる。

ミラー２０は、保温筒１６の上端よりも下方かつ誘導加熱コイル１５と保温筒１６との間の隙間１７を通過した溶融帯５の輻射光を受光できる位置に設置されており、メインチャンバー１０Ａの内壁面に固定治具３０を介して固定されている。ミラー２０の反射面には、溶融帯５からの光が映り込むので、カメラ１９Ｃは溶融帯５をミラー２０越しに撮影することができる。

メインチャンバー１０Ａには、誘導加熱コイル１５の内側領域を斜め下方から観察するための第３覗窓（不図示）が設けられていてもよい。結晶品質の維持・向上のために設けられる保温筒１６の高さ位置は結晶育成条件に応じて適宜調整され、第３覗窓から溶融帯５の中心部５ｃに向かう視野が保温筒１６に遮られない場合もある。そのような場合には、第３覗窓が有効となるので、第３覗窓の外側にカメラを設置して、誘導加熱コイル１５の内側領域を斜め下方から直接撮影することが可能となる。このように、チャンバー１０自体は、溶融帯５の中心部５ｃ直接撮影する場合とミラー２０越しに撮影する場合の両方に対応可能なものである。

図２は、カメラ１９Ｃとミラー２０との位置関係を示す略平面断面図である。

図２に示すように、ミラー２０は、第１覗窓１３Ａからチャンバー１０内を見たときに、誘導加熱コイル１５や保温筒１６によって視線が遮られないように、誘導加熱コイル１５等の中央の炉内部品から見て横方向にずれた位置に配置されている。二点鎖線で示すように、溶融帯５からの光は、誘導加熱コイル１５及び保温筒１６に遮られることなくミラー２０に到達し、ミラー２０の反射面で反射してカメラ１９Ｃに到達する。ミラー２０と溶融帯５の中心部５ｃとを結ぶ直線上に保温筒１６が存在することがないようにミラー２０が設置されているので、ミラー２０の反射面には誘導加熱コイル１５の内側領域に存在する溶融帯５が映り込む。したがって、第１覗窓１３Ａの外側に設置されたカメラ１９Ｃは、溶融帯５をミラー２０越しに撮影することができる。

図３は、ミラー２０の形状の一例を示す略斜視図である。

図３に示すように、本実施形態によるミラー２０は矩形平板状の部材であり、鏡面加工が施された反射面２０ａのサイズは例えば１５０ｍｍ×２３ｍｍ程度である。ミラー２０の形状は矩形平板形状に限定されず、円板形状でもよく、ブロック形状でもよい。ただしミラー２０が薄い板状である場合、高温下で反りが発生するおそれがあるので、ある程度の厚みがあることが望ましい。

本実施形態によるミラー２０は単結晶シリコンからなることが好ましい。ミラー２０をシリコン製とすることで、ＦＺ法により育成されるシリコン単結晶４の汚染を防止することができる。

ミラー２０は固定治具３０を介してメインチャンバー１０Ａ内に設置されている。固定治具３０は、ミラー２０の外周部を保持し、これによりミラー２０は固定治具３０に取り付けられている。

図４は、固定治具の構成を示す図であって、図４（ａ）は略側面図、（ｂ）は略平面図である。

図４に示すように、固定治具３０は例えばＳＵＳ製の部材であって、ミラー２０を保持するミラーホルダ３１と、ミラーホルダ３１の位置及び向きを上下左右に変更可能な可動部材３２とで構成されている。可動部材３２は、ヒンジ部３３、第１アーム部３４、第１締結部３５、中間シャフト３６、第２締結部３７、第２アーム部３８、固定部３９を有する。ミラーホルダ３１はヒンジ部３３を介して第１アーム３４の一端部に接続されており、第１アーム３４の他端部は第１締結部３５を介して垂直方向に延在する中間シャフト３６の下部に取り付けられている。また第２アーム部３８の一端部は第２締結部３７を介して中間シャフト３６の上部に取り付けられており、第２アーム部３８の他端部は固定部３９を介してチャンバー１０の内壁面に取り付けられている。

ミラー２０の上下方向の位置の調整は、中間シャフト３６に対する第１アーム部３４及び第２アーム部３８の少なくとも一方の高さ位置を変更することによって行うことができる。またミラー２０の左右方向の位置の変更は、中間シャフト３６を回転軸とする第１アーム部３４及び第２アーム部３８の回転角度を調整することによって行うことができる。さらにミラー２０の角度（チルト角）は、ヒンジ部３３の角度を調整することによって行うことができる。

固定治具３０の固定部３９は、チャンバー１０に予め設けられた接続ポートに接続されて固定されてもよい。接続ポートは炉内にアクセス可能な開口ポートであり、例えば計器類を炉内に設置する目的で設けられたものである。固定治具３０を接続ポートに設置することにより、チャンバー１０の内壁面を加工することなく固定治具３０を取り付けることができる。固定治具３０を介してチャンバー１０内に設置されたミラー２０は、溶融帯５の中心部５ｃが映り込むように、その位置及び向きが調整される。

次に、ＦＺ法による単結晶の製造方法について説明する。ＦＺ法では、原料ロッド２の先端部を溶融して種結晶３に融着させる融着工程、結晶直径を細く絞ることによりシリコン単結晶４中の転位を排除するシード絞り工程、結晶直径を徐々に拡大させたテーパー部４ａを育成するテーパー部育成工程、結晶直径が一定に維持された直胴部４ｂを育成する直胴部育成工程、結晶直径を徐々に縮小させたテイル部を育成するテイル部育成工程が順に行われる。そして、カメラ１９Ａは、その全工程において、誘導加熱コイル１５の上方及び下方における原料ロッド２、溶融帯５及びシリコン単結晶４の形状を撮影し、撮影画像は結晶育成条件の制御を制御する。制御項目は、原料送り速度、原料回転速度、誘導加熱コイル１５の出力、結晶送り速度、結晶回転速度等である。

またカメラ１９Ｂは、主にシード絞り工程において原料ロッド２の下端部から溶融帯５の中心部５ｃまでの範囲を撮影し、撮影画像に基づいてシード絞り工程の自動制御が行われる。カメラ１９Ｃは、シード絞り工程及びテーパー部育成工程において溶融帯５の中心部５ｃからシリコン単結晶４の上端部までの範囲を撮影し、撮影画像に基づいてテーパー部育成工程の自動制御が行われる。

図５は、カメラ１９Ｂを用いて結晶育成条件を制御する方法の説明図であって、シード絞り工程中における単結晶製造装置の動作を示す略側面断面図である。

図５に示すように、カメラ１９Ｂの撮影画像に基づく結晶育成条件の制御は、主にシード絞り工程中に行われる。シード絞り工程中は、溶融帯と単結晶との固液界面が誘導加熱コイル１５の上面よりも上方に位置するため、上側のカメラ１９Ｂから固液界面を観察することができる。

シリコン単結晶４の成長が進むにつれて固液界面の高さ位置は徐々に低下し、テーパー部育成工程の前半には固液界面が誘導加熱コイル１５の上面を下回る。このような状況になると、固液界面が誘導加熱コイル１５の内側に隠れてしまうため、カメラ１９Ｂを用いて固液界面を撮影することが難しくなる。そこで、固液界面の撮影に使用するカメラをカメラ１９Ｂからカメラ１９Ｃに切り替える。

図６は、カメラ１９Ｃを用いて結晶育成条件を制御する方法の説明図であって、テーパー部育成工程中における単結晶製造装置の動作を示す略側面断面図である。

図６に示すように、カメラ１９Ｃの撮影画像に基づく結晶育成条件の制御は、主にテーパー部４ａを育成するためのテーパー部育成工程、特にテーパー部育成工程の前半に行われる。テーパー部育成工程中は、カメラ１９Ｃの撮影画像に基づいて固液界面における結晶直径と高さ方向の位置が精密に制御される。

以上説明したように、本実施形態による単結晶製造装置１は、チャンバー１０内にミラー２０を設置し、ミラー２０に写り込む溶融帯５の中心部５ｃをカメラ１９Ｃで撮影するように構成したので、光路の途中に保温筒１６が存在することによって誘導加熱コイル１５の下方に設置された覗窓から溶融帯５の中心部５ｃを直接観察できない条件下においても、溶融帯５の中心部５ｃをミラー２０越しに撮影することができる。

以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、上記の実施形態に限定されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含されるものであることはいうまでもない。

例えば、上記実施形態においては、誘導加熱コイル１５よりも下方にミラー２０を設置し、溶融帯５の中心部５ｃをミラー２０越しに撮影する場合を例に挙げたが、誘導加熱コイル１５よりも上方にミラー２０を設置し、溶融帯の中心部５ｃを斜め上方から撮影することも可能である。

また、上記実施形態においては、誘導加熱コイル１５を側方から観察可能な位置に設けられた覗窓１３Ａを通してミラー２０の反射面に映る溶融帯５の光の鏡像をカメラ１９Ａで撮影しているが、誘導加熱コイル１５よりも上方に設置された覗窓１３Ｂを通してミラーの反射面に映る溶融帯５の光の鏡像をカメラ１９Ｂで撮影することも可能である。あるいは、誘導加熱コイル１５よりも下方に設置された覗窓（不図示）を通してミラー２０の反射面に映る溶融帯５の光の鏡像をカメラ１９で撮影してもよい。

１ 単結晶製造装置
２ 原料ロッド
３ 種結晶
４ シリコン単結晶
４ａ テーパー部
４ｂ 直胴部
５ 溶融帯
５ａ 上部
５ｂ 下部
５ｃ 中心部
１０ チャンバー
１０Ａ メインチャンバー
１０Ｂ トップチャンバー
１０Ｃ ボトムチャンバー
１０ｐ 接続ポート
１１ 上軸
１２ 下軸
１５ 誘導加熱コイル
１６ 保温筒
１７ 隙間
１８ 単結晶保持具
１９Ａ カメラ（第２カメラ）
１９Ｂ カメラ（第３カメラ）
１９Ｃ カメラ（第１カメラ）
２０ ミラー
２０ａ 反射面
２０ｂ、２０ｂ 端面
３０ 固定治具
３１ ミラーホルダ
３２ 可動部材
３３ ヒンジ部
３４ 第１アーム部
３５ 第１締結部
３６ 中間シャフト
３７ 第２締結部
３８ 第２アーム部
３９ 固定部

Claims (8)

1. 原料ロッドの下端を溶融して得られる溶融帯から単結晶を育成するＦＺ法による単結晶製造装置であって、
   設置高さ位置が異なる複数の覗窓を有するチャンバーと、
   前記チャンバー内に設置された誘導加熱コイルと、
   前記チャンバー内かつ前記誘導加熱コイルの下方に設置された保温筒と、
   前記チャンバーの外側に設置され、前記複数の覗窓のいずれかを通して前記チャンバーの内部を撮影する第１カメラと、
   前記チャンバー内壁に設置されたミラーとを備え、
   前記ミラーは、前記保温筒の上端よりも下方に設置され、かつ前記誘導加熱コイルと前記保温筒との隙間から写し出される前記溶融帯からの光を前記第１カメラに向けて反射させるように配置され、
   前記第１カメラは、前記ミラーの反射面に映る前記溶融帯の光の鏡像を撮影することを特徴とする単結晶製造装置。
2. 前記チャンバー内で前記ミラーを上下左右に移動可能且つ角度変更可能に保持する固定治具をさらに備え、
   前記固定治具は、前記チャンバーの内壁面に取り付けられている、請求項１に記載の単結晶製造装置。
3. 前記ミラーはシリコン製である、請求項１に記載の単結晶製造装置。
4. 前記チャンバーの外側に設置され、前記誘導加熱コイルを側方から観察可能な位置に設けられた前記覗窓を通して前記チャンバーの内部を撮影する第２カメラをさらに備え、
   前記第２カメラは、前記誘導加熱コイルの上方及び下方にそれぞれ位置する前記溶融帯の上部及び下部を撮影する、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の単結晶製造装置。
5. 前記チャンバーの外側に設置され、前記誘導加熱コイルよりも上方に設置された前記覗窓を通して前記チャンバーの内部を撮影する第３カメラとをさらに備え、
   前記第３カメラは、前記溶融帯を斜め上方から撮影する、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の単結晶製造装置。
6. 前記第１カメラは、前記誘導加熱コイルよりも上方に設置された前記覗窓を通して前記ミラーの反射面に映る前記溶融帯の光の鏡像を撮影する、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の単結晶製造装置。
7. 前記第１カメラは、前記誘導加熱コイルを側方から観察可能な位置に設けられた前記覗窓を通して前記ミラーの反射面に映る前記溶融帯の光の鏡像を撮影する、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の単結晶製造装置。
8. 前記第１カメラは、前記誘導加熱コイルよりも下方に設置された前記覗窓を通して前記ミラーの反射面に映る前記溶融帯の光の鏡像を撮影する、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の単結晶製造装置。

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