JP2023508008A - 半導体基板を乾燥させるための改良された装置 - Google Patents

半導体基板を乾燥させるための改良された装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2023508008A
JP2023508008A JP2022537662A JP2022537662A JP2023508008A JP 2023508008 A JP2023508008 A JP 2023508008A JP 2022537662 A JP2022537662 A JP 2022537662A JP 2022537662 A JP2022537662 A JP 2022537662A JP 2023508008 A JP2023508008 A JP 2023508008A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chamfer
less
elongated body
top surface
edge
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2022537662A
Other languages
English (en)
Other versions
JP7379710B2 (ja
Inventor
ガイスラー,ゼバスティアン
ローテンアイヒャー,ジーモン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siltronic AG
Original Assignee
Siltronic AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siltronic AG filed Critical Siltronic AG
Publication of JP2023508008A publication Critical patent/JP2023508008A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7379710B2 publication Critical patent/JP7379710B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/67313Horizontal boat type carrier whereby the substrates are vertically supported, e.g. comprising rod-shaped elements
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F26DRYING
    • F26BDRYING SOLID MATERIALS OR OBJECTS BY REMOVING LIQUID THEREFROM
    • F26B5/00Drying solid materials or objects by processes not involving the application of heat
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67057Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Drying Of Solid Materials (AREA)

Abstract

Figure 2023508008000001
円板状基板を乾燥させるための装置であって、上面と、底面と、周面とを有する細長い本体(1)を備え、上面に、チャネル(6)を形成する穴を含み、穴は、細長い本体の下部排液部分(B)まで延在し、面取りされ、面取り深さ(L1)および面取り角度(α)を有し、面取り部と上面との間に縁部を形成し、円板状基板を載置するのに適した円錐形の凹部を形成し、面取り角度は10°より大きく30°より小さいこと、および面取り深さ(L1)は6mmより大きく12mm未満であることにおいて特徴付けられる。

Description

本発明の目的は、円板状半導体基板の乾燥に使用する装置である。
発明の背景
本発明は、半導体ウェハを処理するために使用される装置に関し、半導体ウェハは、液体を含む浴中にしばらくの間浸漬され、次いで、実質的に液体の全量が浴中に残るようにゆっくりとそこから取り出される。
先行技術/問題
この種の方法は、例えば、あらゆる種類の基板上の電気回路、例えば、(例えば、シリコンの)半導体ウェハ上の集積回路、ガラスまたは石英の透明プレート上の液晶ディスプレイ用のドライブ、または合成材料のプレート上の回路(回路基板)の製造に使用され得る。本方法はまた、テレビ受像管用のシャドウマスクの製造において、またはCDもしくはVLPレコードの製造においても使用され得る。これらのすべての場合において、基板は、液体を含む浴中に、例えば金属の堆積のためのガルバニック浴中に、金属層または半導体材料にパターンをエッチングするためのエッチング浴中に、露光されたフォトラッカー層を現像するための現像浴中に、および基板を洗浄するためのリンス浴中に、しばらくの間何度も浸漬される。液浴で処理した後、基板を液体から取り出し、乾燥させる。基板は、それらを液体から引き上げるかまたは引き出すことにより液体から取り出すことができるが、もちろん、液体を浴から流出させることにより液体から取り出すこともできる。
液浴から取り出される間、装置上に存在する半導体ウェハは、半導体ウェハを適所に保持するために使用される。このプロセス中に、基板の縁部に液体の残渣が残るという問題が生じ得る。これは、後に半導体ウェハの品質に影響を及ぼす、基板の縁部上の望ましくない粒子につながり得る。
それによって利用される物理的効果は、この方法の実施にある程度適している装置のように、CN1045539 A(EP 03 855 36 A1)に記載される。
半導体ウェハの残留粒子に対する洗浄の質を改善する装置および方法がDE 10 2014 207 266 A1に示される。しかしながら、これを使用すると、半導体ウェハの品質を低下させる粒子が依然として残っている。
本発明の目的は、前記装置を改善することであり、より詳細には、乾燥した基板上に見出される粒子の数を、この装置を使用することによってどのように低減することができるかを示すことである。
本発明のための装置(円板ホルダ)を示す。
装置は、上面、底面、および周面を有する細長い本体(1)を備える。
上面の穴は、細長い本体(1)の下部排液部分(B)まで延びるチャネル(6)を形成する。
上面の穴は、面取り深さ(L1)および面取り角度(α)を有して面取りされる。面取り深さは、装置の漏斗領域を画定する。面取り部と上面との間に縁部が形成され、好ましくは縁部に丸みがつけられる(5)。これは、円板状基板を載せるのに適した円錐形の凹部を形成する。
前記面取り角度は、60°以下10°以上であることが好ましく、面取り深さ(L1)は、15mm以下7mm以上であることが好ましい。
好ましくは、装置は、セラミック充填ポリエーテルエーテルケトン(CFM PEEK)から作製される。
より好ましくは、チャネルの直径は0.5mm以上3mm以下である。好ましくは、直径は0.8mm以上1.2mm以下である。
より好ましくは、チャネルの長さ(L2)は、5mm以上20mm以下である。
使用される参照番号のリスト
A 細長い本体の漏斗領域
B 細長い本体の排液部分
L1 細長い本体の上に形成された楔部の高さ
L2 排液部分の高さ
1 細長い本体
2 細長い本体の直径
3 穴
4 細長い本体の面取り直径
5 面取り部と上面との間に形成された丸みを帯びた縁部
6 上面の穴を下面に延在させるチャネル
α 楔部の角度、2つの表面と上縁との間の角度

Claims (5)

  1. 円板状基板を乾燥させるための装置であって、
    上面と、底面と、周面とを有する細長い本体(1)を備え、
    前記上面に、チャネル(6)を形成する穴を含み、
    前記穴は、前記細長い本体の下部排液部分(B)まで延在し、
    面取りされ、面取り深さ(L1)および面取り角度(α)を有し、面取り部と上面との間に縁部を形成し、円板状基板を載置するのに適した円錐形の凹部を形成し、
    前記面取り角度は10°より大きく30°より小さいこと、および
    前記面取り深さ(L1)は6mmより大きく12mm未満であることにおいて特徴付けられる、装置。
  2. 前記装置に使用される材料は、セラミック充填ポリエーテルエーテルケトン(CFM PEEK)を含むことにおいて特徴付けられる、請求項1に記載の装置。
  3. 面取り部と上面との間の縁部は、半径0.1mm以下1mm以上で丸みを帯びていることにおいて特徴付けられる、請求項1または2に記載の装置。
  4. 前記チャネルの直径は0.5mm以上3mm以下であり、好ましくは0.8mm以上1.2mm以下であることにおいて特徴付けられる請求項1~3のいずれか1項に記載の装置。
  5. 前記チャネルの長さ(L2)は30mm以上であることにおいて特徴付けられる、請求項1~4のいずれか1項に記載の装置。
JP2022537662A 2019-12-18 2020-11-27 半導体基板を乾燥させるための改良された装置 Active JP7379710B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP19217353.2A EP3840023B1 (en) 2019-12-18 2019-12-18 Improved device for drying semiconductor substrates
EP19217353.2 2019-12-18
PCT/EP2020/083653 WO2021121902A1 (en) 2019-12-18 2020-11-27 Improved device for drying semiconductor substrates

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2023508008A true JP2023508008A (ja) 2023-02-28
JP7379710B2 JP7379710B2 (ja) 2023-11-14

Family

ID=69055639

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2022537662A Active JP7379710B2 (ja) 2019-12-18 2020-11-27 半導体基板を乾燥させるための改良された装置

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20230019108A1 (ja)
EP (1) EP3840023B1 (ja)
JP (1) JP7379710B2 (ja)
KR (1) KR20220114608A (ja)
CN (1) CN114830316A (ja)
TW (1) TWI774153B (ja)
WO (1) WO2021121902A1 (ja)

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02291128A (ja) * 1989-02-27 1990-11-30 Philips Gloeilampenfab:Nv 液体での処理後基板を乾燥する方法及びその装置
JPH05109877A (ja) * 1991-10-14 1993-04-30 Tokyo Electron Ltd 基板支持装置
JPH08107137A (ja) * 1994-08-08 1996-04-23 Tokyo Electron Ltd 搬送装置、搬送方法、洗浄装置及び洗浄方法
JPH11145103A (ja) * 1997-11-10 1999-05-28 Dan Kagaku:Kk 基板乾燥装置
JP2004296552A (ja) * 2003-03-25 2004-10-21 Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd 基板乾燥装置
JP2004303836A (ja) * 2003-03-28 2004-10-28 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置
JP2015204463A (ja) * 2014-04-15 2015-11-16 ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフトSiltronic AG ウェハ基板を乾燥させるための方法およびウェハホルダ

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6497785B2 (en) * 2001-01-16 2002-12-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Wet chemical process tank with improved fluid circulation
JP2005522020A (ja) * 2002-02-06 2005-07-21 アクリオン・エルエルシー 基板の毛管乾燥
US20070157951A1 (en) * 2006-01-06 2007-07-12 Micron Technology, Inc. Systems and methods for processing microfeature workpieces
JP4999808B2 (ja) * 2008-09-29 2012-08-15 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
US20160201986A1 (en) * 2015-01-09 2016-07-14 Applied Materials, Inc. Substrate holder assembly, apparatus, and methods

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02291128A (ja) * 1989-02-27 1990-11-30 Philips Gloeilampenfab:Nv 液体での処理後基板を乾燥する方法及びその装置
JPH05109877A (ja) * 1991-10-14 1993-04-30 Tokyo Electron Ltd 基板支持装置
JPH08107137A (ja) * 1994-08-08 1996-04-23 Tokyo Electron Ltd 搬送装置、搬送方法、洗浄装置及び洗浄方法
JPH11145103A (ja) * 1997-11-10 1999-05-28 Dan Kagaku:Kk 基板乾燥装置
JP2004296552A (ja) * 2003-03-25 2004-10-21 Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd 基板乾燥装置
JP2004303836A (ja) * 2003-03-28 2004-10-28 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置
JP2015204463A (ja) * 2014-04-15 2015-11-16 ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフトSiltronic AG ウェハ基板を乾燥させるための方法およびウェハホルダ

Also Published As

Publication number Publication date
KR20220114608A (ko) 2022-08-17
WO2021121902A1 (en) 2021-06-24
TWI774153B (zh) 2022-08-11
EP3840023B1 (en) 2022-10-19
EP3840023A1 (en) 2021-06-23
JP7379710B2 (ja) 2023-11-14
CN114830316A (zh) 2022-07-29
TW202127569A (zh) 2021-07-16
US20230019108A1 (en) 2023-01-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI570875B (zh) 使用液態黏著劑於半導體封裝的電磁波干擾遮罩之濺射法和濺射設備
CN111033696B (zh) 硅晶圆的清洗方法
CN104064508B (zh) 消除晶圆曝光失焦缺陷的吸盘及方法
JP7379710B2 (ja) 半導体基板を乾燥させるための改良された装置
JP5661597B2 (ja) 基板保持体の再生方法
JP7407943B2 (ja) 半導体基板を乾燥させるための改良された装置
TW201128690A (en) Method for processing wafers
JP7451711B2 (ja) 半導体基板を乾燥させるための改良された装置
KR20070074398A (ko) 오염 물질 제거부를 포함하는 반도체 웨이퍼
KR20210020355A (ko) 웨이퍼용 서셉터의 제작 방법
KR101684572B1 (ko) 포토 마스크 재생방법
JP4059016B2 (ja) 半導体基板の洗浄乾燥方法
JP2002217275A (ja) 縦型ボート
KR20100074493A (ko) 더미 웨이퍼 및 이의 제조 방법
KR20100055564A (ko) 초박막 웨이퍼를 위한 웨이퍼 회전판
JPH05315248A (ja) 半導体ウェハの平坦化液状剤の塗布装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20220810

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20230901

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20231003

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20231101

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7379710

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150