JP2023144839A - 支持シート、ワーク加工物の製造方法、及びワーク加工物のピックアップ方法 - Google Patents

支持シート、ワーク加工物の製造方法、及びワーク加工物のピックアップ方法 Download PDF

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Abstract

【課題】基材と粘着剤層とを備えた支持シートであって、前記粘着剤層はエネルギー線硬化性であり、支持シートを加熱した場合であっても、支持シートをエキスパンドしたときに、支持シート中の粘着剤層の割れが抑制され、かつ、支持シートからのワーク加工物の正常なピックアップを可能とする支持シートの提供。【解決手段】基材１１と、その一方の面１１ａ上に設けられた粘着剤層１２を備え、粘着剤層１２がエネルギー線硬化性であり、粘着剤層１２から作製した第２試験片の、その温度が２３℃である場合の貯蔵弾性率（Ｅ’２３１）が１．５ＭＰａ以下であり、支持シート１を粘着剤層１２によってシリコンミラーウエハのミラー面に貼付し、粘着剤層１２を１３０℃で加熱し、エネルギー線硬化させたとき、そのエネルギー線硬化物とシリコンミラーウエハとの間の粘着力（Ｘ１）が４００ｍＮ／２５ｍｍ以下である、支持シート１。【選択図】図１

Description

本発明は、支持シート、ワーク加工物の製造方法、及びワーク加工物のピックアップ方法に関する。
ウエハ等のワークを加工し、チップ等のワーク加工物を製造する際には、支持シートが用いられる。典型的な支持シートとしては、基材と、前記基材の一方の面上に設けられた粘着剤層と、を備えて構成された支持シートが挙げられる。支持シート中の粘着剤層は、例えば、加工対象であるワークに貼付されて、支持シートは加工中のワークを固定する。加工がダイシングである場合には、支持シートはダイシングシートとして機能する。得られたワーク加工物は、最終的に、支持シートから引き離されてピックアップされ、目的とする用途で用いられる。このとき、粘着剤層がエネルギー線硬化性である場合には、粘着剤層をエネルギー線硬化させることで、その硬化物とワーク加工物との間の粘着力が低下するため、ワーク加工物のピックアップが容易となる。
粘着剤層の基材側とは反対側の面上には、さらに、ワークに保護膜を形成するための保護膜形成フィルムが設けられて、保護膜形成用複合シートが構成されることもある。保護膜形成用複合シート中の保護膜形成フィルムは、例えば、加工対象であるワークに貼付されて、保護膜形成用複合シートは加工中のワークを固定するとともに、ワーク又はワーク加工物に保護膜を形成する。得られたワーク加工物は、最終的に、保護膜を備えた状態で支持シートから引き離されてピックアップされ、目的とする用途で用いられる。そして、上記と同様に、粘着剤層がエネルギー線硬化性である場合には、粘着剤層をエネルギー線硬化させることで、保護膜を備えたワーク加工物のピックアップが容易となる。
一方、支持シートは、ワーク又はワーク加工物が貼付された状態で、加熱されることがある。この加熱は、例えば、ワークの表面に付着している低分子量の樹脂成分等の異物を除去するために行われることがある。また、ワークのダイシング等の加工時に発生し、ワーク加工物の表面に付着している微細な異物を水によって洗浄し、除去した後に、ワーク加工物等を乾燥させるために行われることもある。そして、これらの加熱は、通常、加熱温度の上限値を１３５℃程度として行われる。ところが、支持シートの耐熱性が不十分であると、ワーク又はワーク加工物が貼付された支持シートを、このような温度で加熱すると、最終的にワーク加工物を支持シートからピックアップできなくなることがあった。
耐熱性を有し、加熱を行うのに適した支持シートとしては、基材と粘着剤層を備え、１２０℃で４時間加熱した後における基材の２３℃におけるヤング率と、１２０℃における基材の貯蔵弾性率Ｅ’が、いずれも特定の範囲に規定された支持シート（ワーク加工用シート）が開示されている（特許文献１参照）。
特開２０２１－１１９５９２号公報
ところで、支持シートは、ワークが貼付された後から、ワーク加工物をピックアップするまでの間に、その表面に対して平行な方向に引き延ばされる、いわゆるエキスパンドがおこなわれることがある。例えば、後述するステルスダイシング（登録商標）では、半導体ウエハの内部に改質層を形成し、この状態の半導体ウエハを支持シート上で保持しておき、支持シートをエキスパンドすることで、改質層の部位において半導体ウエハを分割し、半導体チップを作製することがある。
例えば、半導体ウエハの半導体チップへの分割予定箇所において、半導体ウエハの厚さ方向に切れ込みを形成することで溝を形成する、いわゆるハーフカットを行い、この状態の半導体ウエハを支持シート上で保持しておき、支持シートをエキスパンドすることで、溝の部位において半導体ウエハを分割し、半導体チップを作製することもある。
例えば、半導体ウエハの分割によって形成された、多数の半導体チップが整列している状態の半導体チップ群を、支持シート上で保持しておき、支持シートをエキスパンドすることで、隣接する半導体チップ間において支持シートを拡張させ、隣接する半導体チップ間の距離、いわゆるカーフ幅を広げて、半導体チップの支持シートからのピックアップを容易とすることもある。
ここでは、ワークが半導体ウエハであり、ワーク加工物が半導体チップである場合を例に挙げて、支持シートのエキスパンドについて説明したが、支持シートのエキスパンドが適用されるのは、これらワーク及びワーク加工物の場合に限定されない。
一方で、１３５℃程度の温度を上限値として加熱した後の支持シートをエキスパンドした場合には、支持シート中の粘着剤層が割れることがあるという問題点があった。粘着剤層が割れると、ワーク加工物の表面等の目的外の部位に、粘着剤層の、その割れによって生じた端部や破片が付着して、ワーク加工物が汚染されてしまう。これに対して、特許文献１で開示されている支持シートは、このような問題点の解決を目的としていない。
本発明は、基材と粘着剤層とを備えた支持シートであって、前記粘着剤層はエネルギー線硬化性であり、支持シートを加熱した場合であっても、支持シートをエキスパンドしたときに、支持シート中の粘着剤層の割れが抑制され、かつ、支持シートからのワーク加工物の正常なピックアップを可能とする支持シートを提供することを目的とする。
上記課題を解決するため、本発明は、以下の構成を採用する。
［１］．支持シートであって、前記支持シートは、基材と、前記基材の一方の面上に設けられた粘着剤層と、を備え、前記粘着剤層がエネルギー線硬化性であり、厚さが２００μｍ未満の、複数枚の前記粘着剤層の第１試験片を、１３０℃で加熱し、加熱後の複数枚の前記第１試験片を積層することで、厚さが２００±２０μｍの第２試験片を作製し、前記第２試験片を、引張モードにより、周波数１１Ｈｚ、昇温速度３℃／ｍｉｎ、等速昇温の条件で、－２０℃から１５０℃まで前記第２試験片を昇温しながら、前記第２試験片の貯蔵弾性率Ｅ’を測定したとき、前記第２試験片の温度が２３℃である場合の前記貯蔵弾性率（Ｅ’２３１）が１．５ＭＰａ以下であり、前記支持シートを、前記粘着剤層によってシリコンミラーウエハのミラー面に貼付し、貼付後の前記粘着剤層を１３０℃で加熱し、加熱後の前記粘着剤層をエネルギー線硬化させ、前記粘着剤層のエネルギー線硬化物と、前記シリコンミラーウエハと、の間の粘着力（Ｘ１）を測定したとき、前記粘着力（Ｘ１）が４００ｍＮ／２５ｍｍ以下である、支持シート。
［２］．前記粘着剤層が、エネルギー線硬化性化合物と、エネルギー線硬化性アクリル樹脂と、を含有する、［１］に記載の支持シート。
［３］．前記支持シートを、前記粘着剤層によってステンレス鋼板の表面に貼付し、貼付後の前記粘着剤層を１３０℃で加熱し、加熱後の前記粘着剤層と、前記ステンレス鋼板と、の間の粘着力（Ｙ２）を測定したとき、前記粘着力（Ｙ２）が１３０００ｍＮ／２５ｍｍ以上である、［１］又は［２］に記載の支持シート。
［４］．前記支持シートを、前記粘着剤層によってステンレス鋼板の表面に貼付し、貼付後の前記粘着剤層を１３０℃で加熱し、加熱後の前記粘着剤層をエネルギー線硬化させ、前記粘着剤層のエネルギー線硬化物と、前記ステンレス鋼板と、の間の粘着力（Ｙ１）を測定したとき、前記粘着力（Ｙ１）が３００ｍＮ／２５ｍｍ以上である、［１］～［３］のいずれか一項に記載の支持シート。
［５］．前記第２試験片を、引張モードにより、周波数１１Ｈｚ、昇温速度３℃／ｍｉｎ、等速昇温の条件で、－２０℃から１５０℃まで前記第２試験片を昇温しながら、前記第２試験片のｔａｎδを測定したとき、前記ｔａｎδのピークを示す温度（Ｐ１）が１０℃以下である、［１］～［４］のいずれか一項に記載の支持シート。
［６］．前記支持シートを、前記粘着剤層によってシリコンミラーウエハのミラー面に貼付し、貼付後の前記粘着剤層を１３０℃で加熱し、加熱後の前記粘着剤層と、前記シリコンミラーウエハと、の間の粘着力（Ｘ２）を測定したとき、前記粘着力（Ｘ２）が１３０００ｍＮ／２５ｍｍ以上である、［１］～［５］のいずれか一項に記載の支持シート。
［７］．ワーク加工物の製造方法であって、前記製造方法は、［１］～［６］のいずれか一項に記載の支持シート中の前記粘着剤層を、ワークとリングフレームに貼付することにより、前記ワークと、前記ワークに設けられた前記支持シートと、を備えた支持シート付きワークを、前記リングフレームに固定する貼付工程と、前記貼付工程の後に、前記リングフレームに固定した前記支持シート中の前記粘着剤層を加熱する加熱工程と、前記貼付工程の後に、前記支持シート付きワーク中の前記ワークの内部に、前記ワークを分割するための改質層を形成して、改質層形成済みワークを作製するか、又は、前記支持シート付きワーク中の前記ワークの、その厚さ方向の一部の領域に、前記ワークを分割するための切れ込みを形成して、半切断済みワークを作製することにより、前記改質層形成済みワーク又は半切断済みワークと、前記支持シートと、を備えた支持シート付き予備加工体を得る予備加工工程と、前記予備加工工程の後に、前記リングフレームに固定した前記支持シート付き予備加工体を、前記支持シートの面に対して平行な方向においてエキスパンドすることにより、前記改質層形成済みワークを前記改質層の部位において分割するか、又は、前記半切断済みワークを前記切れ込みにおいて分割し、前記ワーク加工物を作製する加工工程と、前記加熱工程及び加工工程の後に、前記リングフレームに貼付した前記粘着剤層をエネルギー線硬化させる硬化工程と、前記硬化工程の後に、前記粘着剤層の硬化物から前記ワーク加工物を引き離してピックアップするピックアップ工程と、を有する、ワーク加工物の製造方法。
［８］．ワーク加工物のピックアップ方法であって、前記ピックアップ方法は、［１］～［６］のいずれか一項に記載の支持シートと、前記支持シート中の前記粘着剤層のうち、前記基材側とは反対側の面上に、ワークの分割により作製された複数個のワーク加工物が整列して構成されたワーク加工物群と、を備えた支持シート付きワーク加工物群における前記粘着剤層を、リングフレームに貼付して、前記支持シート付きワーク加工物群を前記リングフレームに固定する貼付工程と、前記貼付工程の後に、前記リングフレームに固定した前記支持シート付きワーク加工物群を加熱する加熱工程と、前記貼付工程の後に、前記リングフレームに固定した前記支持シート付きワーク加工物群を、前記支持シートの面に対して平行な方向においてエキスパンドすることにより、前記ワーク加工物群中の互いに隣り合う前記ワーク加工物間の距離を拡大するエキスパンド工程と、前記加熱工程及びエキスパンド工程の後に、前記リングフレームに貼付した前記粘着剤層をエネルギー線硬化させる硬化工程と、前記硬化工程の後に、前記粘着剤層の硬化物から前記ワーク加工物を引き離してピックアップするピックアップ工程と、を有する、ワーク加工物のピックアップ方法。
本発明によれば、基材と粘着剤層とを備えた支持シートであって、前記粘着剤層はエネルギー線硬化性であり、支持シートを加熱した場合であっても、支持シートをエキスパンドしたときに、支持シート中の粘着剤層の割れが抑制され、かつ、支持シートからのワーク加工物の正常なピックアップを可能とする支持シートが提供される。
本発明の一実施形態に係る支持シートの一例を模式的に示す断面図である。 本発明の一実施形態に係るワーク加工物の製造方法の一例を、模式的に説明するための断面図である。 本発明の一実施形態に係るワーク加工物の製造方法の他の例を、模式的に説明するための断面図である。 本発明の一実施形態に係るワーク加工物のピックアップ方法の一例を模式的に説明するための断面図である。
◇支持シート
本発明の一実施形態に係る支持シートは、基材と、前記基材の一方の面上に設けられた粘着剤層と、を備え、前記粘着剤層がエネルギー線硬化性であり、厚さが２００μｍ未満の、複数枚の前記粘着剤層の第１試験片を、１３０℃で加熱し、加熱後の複数枚の前記第１試験片を積層することで、厚さが２００±２０μｍの第２試験片を作製し、前記第２試験片を、引張モードにより、周波数１１Ｈｚ、昇温速度３℃／ｍｉｎ、等速昇温の条件で、－２０℃から１５０℃まで前記第２試験片を昇温しながら、前記第２試験片の貯蔵弾性率Ｅ’を測定したとき、前記第２試験片の温度が２３℃である場合の前記貯蔵弾性率（Ｅ’２３１）が１．５ＭＰａ以下であり、前記支持シートを、前記粘着剤層によってシリコンミラーウエハのミラー面に貼付し、貼付後の前記粘着剤層を１３０℃で加熱し、加熱後の前記粘着剤層をエネルギー線硬化させ、前記粘着剤層のエネルギー線硬化物と、前記シリコンミラーウエハと、の間の粘着力（Ｘ１）（本明細書においては、単に「粘着力（Ｘ１）」と称することがある）を測定したとき、前記粘着力（Ｘ１）が４００ｍＮ／２５ｍｍ以下である。
本実施形態の支持シートは、例えば、後述するように、ワーク加工物の製造に用いることができる。
本実施形態の支持シートは、例えば、後述するように、保護膜形成フィルムと積層することで、保護膜形成用複合シートを構成できる。
本実施形態の支持シートにおいて、前記貯蔵弾性率（Ｅ’２３１）が１．５ＭＰａ以下であることで、支持シートを高温で加熱した後であっても、支持シートをエキスパンドしたときに、支持シート中の粘着剤層の割れが抑制される。このように粘着剤層の割れが抑制されることで、ワーク加工物の表面等の目的外の部位に対する、粘着剤層の、その割れによって生じた端部や破片の付着も抑制され、ワーク加工物の汚染が抑制される。このときの加熱としては、例えば、ワークの表面に付着している低分子量の樹脂成分等の異物を除去するための加熱が挙げられる。また、このときの加熱としては、ワークの加工時に発生し、ワーク加工物の表面に付着している微細な異物を、水によって洗浄し、除去した後に、ワーク加工物等を乾燥させるときの加熱も挙げられる。これらの加熱時の加熱温度の上限値としては、１３５℃程度が挙げられる。
本実施形態の支持シートにおいて、前記粘着力（Ｘ１）が４００ｍＮ／２５ｍｍ以下であることで、ワーク又はワーク加工物が貼付された状態の支持シートを高温で加熱した後であっても、支持シート上でワークからワーク加工物を作製し、支持シート中の粘着剤層を硬化させて硬化済み支持シートとした後に、ワーク加工物を硬化済み支持シートから正常にピックアップでき、ピックアップ性が高い。このときの加熱としては、上記と同じ加熱が挙げられる。
本明細書においては、粘着剤層が硬化した後の支持シートを、特に、粘着剤層が硬化していない状態での支持シートと区別するために、「硬化済み支持シート」と称することがある。
本明細書において、「常温」とは、特に冷やしたり、熱したりしない温度、すなわち平常の温度を意味し、例えば、１８～２８℃の温度等が挙げられる。
本実施形態において、ワークとしては、例えば、ウエハ、半導体装置パネル等が挙げられる。
前記ウエハとしては、シリコン、ゲルマニウム、セレン等の元素半導体や、ＧａＡｓ、ＧａＰ、ＩｎＰ、ＣｄＴｅ、ＺｎＳｅ、ＳｉＣ等の化合物半導体、で構成される半導体ウエハ；サファイア、ガラス等の絶縁体で構成される絶縁体ウエハが挙げられる。
これらウエハを代表とするワークの一方の面上には、回路が形成されており、本明細書においては、このように回路が形成されている側のワークの面を「回路面」と称する。そして、ワークの回路面とは反対側の面を「裏面」と称する。
ウエハは、ダイシング等の手段により分割され、チップとなる。本明細書においては、ウエハの場合と同様に、回路が形成されている側のチップの面を「回路面」と称し、チップの回路面とは反対側の面を「裏面」と称する。
ワークの回路面には、いずれもバンプ、ピラー等の突状電極が設けられていることが好ましい。突状電極は、はんだで構成されていることが好ましい。
前記半導体装置パネルは、半導体装置の製造過程で取り扱うものであり、その具体例としては、１個又は２個以上の電子部品が封止樹脂によって封止された状態の半導体装置を用い、複数個のこれら半導体装置が、円形、矩形等の形状の領域内に、平面的に配置されて構成されたものが挙げられる。
本実施形態において、ワーク加工物は、ワークを加工して得られたものであり、例えば、ワークがウエハである場合、ワーク加工物としてはチップが挙げられ、ワークが半導体ウエハである場合、ワーク加工物としては半導体チップが挙げられる。
本明細書において、「エネルギー線」とは、電磁波又は荷電粒子線の中でエネルギー量子を有するものを意味する。エネルギー線の例としては、紫外線、放射線、電子線等が挙げられる。紫外線は、例えば、紫外線源として高圧水銀ランプ、ヒュージョンランプ、キセノンランプ、ブラックライト又はＬＥＤランプ等を用いることで照射できる。電子線は、電子線加速器等によって発生させたものを照射できる。
本明細書において、「エネルギー線硬化性」とは、エネルギー線を照射することにより硬化する性質を意味し、「非エネルギー線硬化性」とは、エネルギー線を照射しても硬化しない性質を意味する。
本明細書において、「非硬化性」とは、加熱やエネルギー線の照射等、如何なる手段によっても、硬化しない性質を意味する。
図１は、本発明の一実施形態に係る支持シートの一例を模式的に示す断面図である。なお、以下の説明で用いる図は、本発明の特徴を分かり易くするために、便宜上、要部となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率等が実際と同じであるとは限らない。
ここに示す支持シート１は、基材１１と、基材１１の一方の面１１ａ上に設けられた粘着剤層１２と、を備えて構成されている。支持シート１は、さらに、粘着剤層１２の基材１１側とは反対側の面１２ａ上に設けられた剥離フィルム１３を備えている。
基材１１の一方の面１１ａは、例えば、マット面であってもよいし、マット面でなくても（例えば、凹凸度が小さいツヤ面であっても）よい。
粘着剤層１２は、エネルギー線硬化性である。
厚さが２００μｍ未満の、複数枚の粘着剤層１２を用いて、前記第２試験片を作製し、測定した前記貯蔵弾性率（Ｅ’２３１）は、１．５ＭＰａ以下である。
支持シート１を用いて測定した前記粘着力（Ｘ１）は、４００ｍＮ／２５ｍｍ以下である。
本明細書において、「マット面」とは、凹凸度が比較的大きく、粗くなっており、光沢度が比較的低く、マット（ｍａｔｔｅ）処理されたように見える面を意味する。
本実施形態の支持シートは、図１に示すものに限定されず、本発明の効果を損なわない範囲内において、図１に示すものにおいて、一部の構成が変更、削除又は追加されたものであってもよい。
例えば、図１に示す支持シート１は、剥離フィルム１３を備えているが、本実施形態の支持シートにおいて、剥離フィルムは任意の構成であり、本実施形態の支持シートは剥離フィルムを備えていなくてもよい。
例えば、図１に示す支持シート１は、基材１１と、粘着剤層１２と、剥離フィルム１３と、を備えているが、本実施形態の支持シートは、基材と、粘着剤層と、剥離フィルムと、のいずれにも該当しない他の層を備えていてもよい。前記他の層は、目的に応じて任意に選択でき、特に限定されない。ただし、本実施形態の支持シートにおいては、基材及び粘着剤層が互いに直接接触して設けられ、粘着剤層及び剥離フィルムが互いに直接接触して設けられていることが好ましい。
次に、本実施形態の支持シートを構成する各層の詳細について、説明する。
＜＜粘着剤層、粘着剤組成物（Ｉ）＞＞
前記粘着剤層は、シート状又はフィルム状であり、エネルギー線硬化性である。粘着剤層は、その硬化前及び硬化後での物性を調節できる。
粘着剤層は１層（単層）からなるものであってもよいし、２層以上の複数層からなるものであってもよく、複数層からなる場合、これら複数層は、互いに同一でも異なっていてもよく、これら複数層の組み合わせは特に限定されない。
本明細書においては、粘着剤層の場合に限らず、「複数層が互いに同一でも異なっていてもよい」とは、「すべての層が同一であってもよいし、すべての層が異なっていてもよいし、一部の層のみが同一であってもよい」ことを意味し、さらに「複数層が互いに異なる」とは、「各層の構成材料及び厚さの少なくとも一方が互いに異なる」ことを意味する。
粘着剤層の厚さは、特に限定されないが、１～１００μｍであることが好ましく、３～６０μｍであることがより好ましく、５～３０μｍであることがさらに好ましく、８～２５μｍであることが特に好ましい。粘着剤層の厚さがこのような範囲であることで、基材のマット面に粘着剤層を設ける場合には、基材のマット面の粘着剤層による埋め込み性がより良好となり、ワーク加工物の硬化済み支持シートからの上述のピックアップ性がより高くなる。
ここで、「粘着剤層の厚さ」とは、粘着剤層全体の厚さを意味し、例えば、複数層からなる粘着剤層の厚さとは、粘着剤層を構成するすべての層の合計の厚さを意味する。
本明細書においては、粘着剤層の場合に限らず「厚さ」とは、特に断りのない限り、対象物において無作為に選出された５箇所で測定した厚さの平均で表される値であり、ＪＩＳ Ｋ７１３０に準じて、定圧厚さ測定器を用いて取得できる。
粘着剤層は、これを構成するための成分を含有する粘着剤組成物を用いて形成できる。例えば、粘着剤層の形成対象面に粘着剤組成物を塗工し、必要に応じて乾燥させることで、目的とする部位に粘着剤層を形成できる。粘着剤組成物における、常温で気化しない成分同士の含有量の比率は、通常、粘着剤層における前記成分同士の含有量の比率と同じとなる。
粘着剤層において、粘着剤層の総質量に対する、粘着剤層の１種又は２種以上の後述する含有成分の合計含有量の割合は、１００質量％を超えない。
同様に、粘着剤組成物において、粘着剤組成物の総質量に対する、粘着剤組成物の１種又は２種以上の後述する含有成分の合計含有量の割合は、１００質量％を超えない。
粘着剤組成物の塗工は、公知の方法で行えばよく、例えば、エアーナイフコーター、ブレードコーター、バーコーター、グラビアコーター、ロールコーター、ロールナイフコーター、カーテンコーター、ダイコーター、ナイフコーター、スクリーンコーター、マイヤーバーコーター、キスコーター等の各種コーターを用いる方法が挙げられる。
粘着剤組成物の乾燥条件は、特に限定されない。ただし、粘着剤組成物は、後述する溶媒を含有している場合、加熱乾燥させることが好ましい。そして、溶媒を含有する粘着剤組成物は、例えば、７０～１３０℃で１０秒～５分の条件で、加熱乾燥させることが好ましい。
基材上に粘着剤層を設ける場合には、例えば、基材上に粘着剤組成物を塗工し、必要に応じて乾燥させればよい。また、例えば、剥離フィルム上に粘着剤組成物を塗工し、必要に応じて乾燥させることで、剥離フィルム上に粘着剤層を形成しておき、この粘着剤層の露出面を、基材の一方の表面（例えば、マット面又はツヤ面）と貼り合わせることで、基材上に粘着剤層を積層してもよい。この場合の剥離フィルムは、支持シートの製造過程又は使用過程のいずれかのタイミングで、取り除けばよい。
粘着剤層は、エネルギー線硬化性化合物（α）を含有していることが好ましい。前記エネルギー線硬化性化合物（α）を含有する粘着剤層を用いることにより、前記貯蔵弾性率（Ｅ’２３１）及び粘着力（Ｘ１）の双方を調節することが、容易となる。
すなわち、好ましい粘着剤組成物としては、例えば、エネルギー線硬化性化合物（α）を含有する粘着剤組成物（Ｉ）が挙げられる。
＜エネルギー線硬化性化合物（α）＞
前記エネルギー線硬化性化合物（α）は、エネルギー線硬化性を有していれば、特に限定されない。
２３℃でのエネルギー線硬化性化合物（α）の粘度は、３５０ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましく、例えば、３２０ｍＰａ・ｓ以下、２２０ｍＰａ・ｓ以下、１２０ｍＰａ・ｓ以下、及び６０ｍＰａ・ｓ以下のいずれかであってもよい。前記粘度が低いほど、基材のマット面の粘着剤層による埋め込み性が高くなる。
２３℃でのエネルギー線硬化性化合物（α）の粘度の下限値は、特に限定されない。例えば、前記粘度が５ｍＰａ・ｓ以上であるエネルギー線硬化性化合物（α）は、より容易に入手できる。
２３℃でのエネルギー線硬化性化合物（α）の粘度は、例えば、５～３５０ｍＰａ・ｓ、５～３２０ｍＰａ・ｓ、５～２２０ｍＰａ・ｓ、５～１２０ｍＰａ・ｓ、及び５～６０ｍＰａ・ｓ以下のいずれかであってもよい。ただし、これらは、前記粘度の一例である。
２３℃でのエネルギー線硬化性化合物（α）の粘度は、例えば、単一円筒型のＢ形（ブルックフィード形）回転粘度計を用いて、測定できる。
エネルギー線硬化性化合物（α）としては、例えば、エネルギー線重合性不飽和基を有し、エネルギー線の照射により硬化可能なモノマー又はオリゴマーが挙げられる。
１分子のエネルギー線硬化性化合物（α）は、前記エネルギー線重合性不飽和基を１個又は２個以上有し、３個以上有していてもよいが、１個又は２個有することが好ましい。
エネルギー線重合性不飽和基としては、例えば、（メタ）アクリロイル基が挙げられる。
本明細書において、「（メタ）アクリロイル基」とは、「アクリロイル基」及び「メタクリロイル基」の両方を包含する概念である。（メタ）アクリロイル基と類似の用語についても同様であり、例えば、「（メタ）アクリル酸」とは、「アクリル酸」及び「メタクリル酸」の両方を包含する概念であり、「（メタ）アクリレート」とは、「アクリレート」及び「メタクリレート」の両方を包含する概念である。
エネルギー線硬化性化合物（α）は、置換基を有していてもよい（メタ）アクリル酸エステルであることが好ましい。置換基を有する（メタ）アクリル酸エステルとしては、例えば、（メタ）アクリル酸エステル中の、アルコールに由来する炭化水素基（オキシカルボニル基（－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－）中のカルボニル基を構成していない酸素原子に結合している炭化水素基）の中の、１個又は２個以上の炭素原子が、この炭素原子に結合している水素原子と共に（例えば、－ＣＨ２－、＝ＣＨ－の単位で）、置換基で置換された構造を有する化合物が挙げられる。ただし、隣接する２個の炭素原子は置換基で置換されないものとする。
エネルギー線硬化性化合物（α）である前記（メタ）アクリル酸エステル中の前記炭化水素基は、直鎖状、分岐鎖状及び環状のいずれであってもよく、環状である場合には、単環状及び多環状のいずれであってもよい。前記炭化水素基は、鎖状構造（直鎖状構造及び分岐鎖状構造のいずれか一方又は両方）並びに環状構造をともに有していてもよい。
前記炭化水素基は、脂肪族炭化水素基及び芳香族炭化水素基のいずれであってもよく、前記脂肪族炭化水素基は、飽和脂肪族炭化水素基及び不飽和脂肪族炭化水素基のいずれであってもよい。本明細書においては、脂肪族基のみを有し、芳香族環式基を有しない炭化水素基は脂肪族炭化水素基であり、脂肪族基と芳香族環式基を共に有するか、又は、芳香族環式基のみを有する炭化水素基は、芳香族炭化水素基である。
前記炭化水素基は、環状構造を有すること、すなわち、環状の炭化水素基であるか、又は、鎖状構造及び環状構造をともに有する炭化水素基であることが好ましい。
前記炭化水素基は、アルキル基、アルキレン基又はアラルキル基（アリールアルキル基）であることが好ましい。
前記置換基は、複数個の原子が結合した構造を有する原子団であってもよいし、１個の原子であってもよい。
好ましい前記置換基としては、例えば、酸素原子（－Ｏ－）等が挙げられる。
前記炭化水素基が前記置換基を有する場合、置換基の数は、炭化水素基の種類によって適宜調節されるが、通常、１～４個であることが好ましく、１～３個であることがより好ましい。
前記炭化水素基の炭素数は、３～２０であることが好ましく、例えば、３～１６、３～１２、及び３～８のいずれかであってもよいし、４～２０、９～２０、及び１３～２０のいずれかであってもよいし、４～１６、及び９～１４のいずれかであってもよい。ただし、これらは、前記炭素数の一例である。ここで、「炭化水素基の炭素数」とは、炭化水素基が前記置換基を有する場合には、置換基で置換される前の炭化水素基の炭素数を意味する。
例えば、炭化水素基が置換基として酸素原子（－Ｏ－）のみを有する場合には、炭化水素基の炭素数とは、この酸素原子をメチレン基（－ＣＨ２－）等の置換前の基に置き換えたときの炭化水素基の炭素数を意味する。
前記炭化水素基は、環状構造を有し、かつ置換基として酸素原子を有していてもよい炭化水素基であることが好ましく；鎖状構造及び環状構造をともに有し、かつ置換基として酸素原子を有していてもよい炭化水素基であることがより好ましく；置換基として酸素原子を有していてもよい脂肪族炭化水素基又は芳香族炭化水素基であることがさらに好ましく；置換基として酸素原子を有する脂肪族基と、置換基を有しない芳香族環式基と、をともに有する芳香族炭化水素基である（本明細書においては、この場合のエネルギー線硬化性化合物（α）を「エネルギー線硬化性化合物（α１）」と称することがある）か、置換基を有しない環状構造と、置換基を有しない鎖状構造と、を共に有する脂肪族炭化水素基である（本明細書においては、この場合のエネルギー線硬化性化合物（α）を「エネルギー線硬化性化合物（α２）」と称することがある）か、又は、置換基として酸素原子を有する環状構造と、置換基を有しない鎖状構造と、を共に有する脂肪族炭化水素基である（本明細書においては、この場合のエネルギー線硬化性化合物（α）を「エネルギー線硬化性化合物（α３）」と称することがある）ことがさらに好ましい。このようなエネルギー線硬化性化合物（α）を用いることにより、基材のマット面に粘着剤層を設ける場合には、基材のマット面の粘着剤層による埋め込み性がより高くなる。
前記エネルギー線硬化性化合物（α１）の一例としては、実施例で後述するエネルギー線硬化性化合物（α）－１が挙げられる。
前記エネルギー線硬化性化合物（α２）の一例としては、実施例で後述するエネルギー線硬化性化合物（α）－２が挙げられる。
前記エネルギー線硬化性化合物（α３）の一例としては、実施例で後述するエネルギー線硬化性化合物（α）－３が挙げられる。
エネルギー線硬化性化合物（α）の分子量は、特に限定されないが、５００以下であることが好ましい。このようなエネルギー線硬化性化合物（α）を用いることにより、粘着剤層の特性がより良好となる。例えば、基材のマット面に粘着剤層を設ける場合には、基材のマット面の粘着剤層による埋め込み性が高くなる。
エネルギー線硬化性化合物（α）の分子量は、１００～５００であることが好ましく、２００～４００であることがより好ましく、例えば、２００～３１０、及び２００～２８０のいずれかであってもよいし、２５０～４００、及び３１０～４００のいずれかであってもよいし、２５０～３１０であってもよい。前記分子量が前記上限値以下であることで、粘着剤層の特性（例えば、基材のマット面の粘着剤層による埋め込み性）が、より良好となる。前記分子量が前記下限値以上であることで、粘着剤層の構造がより安定化する。ただし、これらは、エネルギー線硬化性化合物（α）の分子量の一例である。
エネルギー線硬化性化合物（α１）、エネルギー線硬化性化合物（α２）及びエネルギー線硬化性化合物（α３）で、ここに示すいずれかの分子量を有するものは、特に好ましいエネルギー線硬化性化合物（α）である。
エネルギー線硬化性化合物（α）は、（メタ）アクリル酸エステル中の、アルコールに由来する炭化水素基の中の、１個又は２個以上の炭素原子が、この炭素原子に結合している水素原子と共に置換基で置換された構造を有していてもよい（メタ）アクリル酸エステルであって、前記炭化水素基が環状構造を有し、分子量が５００以下の化合物であることが好ましい。
このようなエネルギー線硬化性化合物（α）は、前記炭化水素基がアルキル基、アルキレン基又はアラルキル基であるものが好ましく、前記置換基が酸素原子であるものが好ましく、前記エネルギー線硬化性化合物（α１）、前記エネルギー線硬化性化合物（α２）又は前記エネルギー線硬化性化合物（α３）であることが好ましく、上述のさらに限定されたいずれかの数値範囲の分子量であるものが好ましく、これら４条件の１以上を同時に満たすものがより好ましい。
粘着剤層及び粘着剤組成物（Ｉ）が含有するエネルギー線硬化性化合物（α）は、１種のみであってもよいし、２種以上であってもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
粘着剤組成物（Ｉ）において、溶媒以外の全ての成分の総含有量に対する、エネルギー線硬化性化合物（α）の含有量の割合は、５質量％以上であることが好ましく、１０質量％以上、及び１４質量％以上のいずれかであってもよい。一方、前記割合は、１００質量％以下である。
この内容は、粘着剤層における、粘着剤層の総質量に対する、エネルギー線硬化性化合物（α）の含有量の割合が、５質量％以上であることが好ましく、１０質量％以上、及び１４質量％以上のいずれかであってもよく、前記割合は１００質量％以下である、ことと同義である。
これは、溶媒を含有する樹脂組成物から溶媒を除去して、樹脂膜を形成する過程では、溶媒以外の成分の量は、通常、変化しないことに基づいており、樹脂組成物と樹脂膜とでは、溶媒以外の成分同士の含有量の比率は同じである。そこで、本明細書においては、以降、粘着剤層の場合に限らず、溶媒以外の成分の含有量については、樹脂組成物から溶媒を除去した樹脂膜での含有量のみ記載する。
＜エネルギー線硬化性アクリル樹脂（Ｉａ）＞
前記粘着剤層及び粘着剤組成物（Ｉ）は、さらに、エネルギー線硬化性アクリル樹脂を含有する（本明細書においては、「エネルギー線硬化性アクリル樹脂（Ｉａ）」とも称する）こと、すなわち、エネルギー線硬化性化合物と、エネルギー線硬化性アクリル樹脂と、をともに含有することが、より好ましい。エネルギー線硬化性化合物（α）及びエネルギー線硬化性アクリル樹脂（Ｉａ）を含有する粘着剤層を用いることにより、貯蔵弾性率（Ｅ’２３１）及び粘着力（Ｘ１）の双方を調節することが、より容易となる。
前記エネルギー線硬化性アクリル樹脂（Ｉａ）としては、例えば、非エネルギー線硬化性アクリル樹脂の側鎖に、不飽和基が導入された構造を有する樹脂が挙げられる。
［非エネルギー線硬化性アクリル樹脂］
前記非エネルギー線硬化性アクリル樹脂としては、例えば、（メタ）アクリル酸アルキルエステル由来の構成単位と、官能基含有モノマー由来の構成単位と、を有するアクリル重合体が挙げられる。
前記（メタ）アクリル酸アルキルエステルとしては、例えば、そのアルキルエステルを構成するアルキル基の炭素数が、１～２０であるのものが挙げられる。前記アルキルエステルを構成するアルキル基は、直鎖状、分岐鎖状及び環状のいずれであってもよいが、直鎖状又は分岐鎖状であることが好ましい。
前記（メタ）アクリル酸アルキルエステルのうち、前記アルキル基が直鎖状又は分岐鎖状であるものとして、例えば、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸ｎ－プロピル、（メタ）アクリル酸イソプロピル、（メタ）アクリル酸ｎ－ブチル、（メタ）アクリル酸イソブチル、（メタ）アクリル酸ｓｅｃ－ブチル、（メタ）アクリル酸ｔｅｒｔ－ブチル、（メタ）アクリル酸ペンチル、（メタ）アクリル酸ヘキシル、（メタ）アクリル酸ヘプチル、（メタ）アクリル酸２－エチルヘキシル、（メタ）アクリル酸イソオクチル、（メタ）アクリル酸ｎ－オクチル、（メタ）アクリル酸ｎ－ノニル、（メタ）アクリル酸イソノニル、（メタ）アクリル酸デシル、（メタ）アクリル酸ウンデシル、（メタ）アクリル酸ドデシル（（メタ）アクリル酸ラウリル）、（メタ）アクリル酸トリデシル、（メタ）アクリル酸テトラデシル（（メタ）アクリル酸ミリスチル）、（メタ）アクリル酸ペンタデシル、（メタ）アクリル酸ヘキサデシル（（メタ）アクリル酸パルミチル）、（メタ）アクリル酸ヘプタデシル、（メタ）アクリル酸オクタデシル（（メタ）アクリル酸ステアリル）、（メタ）アクリル酸ノナデシル、（メタ）アクリル酸イコシル等が挙げられる。
前記（メタ）アクリル酸アルキルエステルのうち、前記アルキル基が環状であるものとして、例えば、（メタ）アクリル酸イソボルニル、（メタ）アクリル酸ジシクロペンタニル等が挙げられる。
上記の中でも、前記（メタ）アクリル酸アルキルエステルは、粘着力（Ｘ１）をより小さくできる観点では、アクリル酸２－エチルヘキシル、メタクリル酸２－エチルヘキシル、アクリル酸ドデシル（アクリル酸ラウリル）、又はメタクリル酸ドデシル（メタクリル酸ラウリル）であることが好ましい。
前記官能基含有モノマーとしては、例えば、前記官能基が後述する架橋剤と反応することで架橋の起点となったり、前記官能基が後述する不飽和基含有化合物中の、非エネルギー線硬化性アクリル樹脂と結合（反応）可能な基と、反応することで、アクリル重合体の側鎖に不飽和基の導入を可能とするものが挙げられる。
前記官能基含有モノマーとしては、例えば、水酸基含有モノマー、カルボキシ基含有モノマー、アミノ基含有モノマー、エポキシ基含有モノマー等が挙げられる。
前記水酸基含有モノマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸ヒドロキシメチル、（メタ）アクリル酸２－ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２－ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸３－ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸２－ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸３－ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸４－ヒドロキシブチル等の（メタ）アクリル酸ヒドロキシアルキル；ビニルアルコール、アリルアルコール等の非（メタ）アクリル不飽和アルコール（（メタ）アクリロイル骨格を有しない不飽和アルコール）等が挙げられる。
これらの中でも、前記水酸基含有モノマーは、粘着力（Ｘ１）をより小さくできる観点では、メタクリル酸ヒドロキシアルキルであることが好ましく、メタクリル酸２－ヒドロキシエチル、メタクリル酸２－ヒドロキシプロピル又はメタクリル酸２－ヒドロキシブチルであることがより好ましい。
前記カルボキシ基含有モノマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸、クロトン酸等のエチレン性不飽和モノカルボン酸（エチレン性不飽和結合を有するモノカルボン酸）；フマル酸、イタコン酸、マレイン酸、シトラコン酸等のエチレン性不飽和ジカルボン酸（エチレン性不飽和結合を有するジカルボン酸）；前記エチレン性不飽和ジカルボン酸の無水物；２－カルボキシエチルメタクリレート等の（メタ）アクリル酸カルボキシアルキルエステル等が挙げられる。
前記エポキシ基含有モノマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸グリシジル等のグリシジル基含有（メタ）アクリル酸エステル等が挙げられる。
前記官能基含有モノマーは、水酸基含有モノマーであることが好ましい。
非エネルギー線硬化性アクリル樹脂は、（メタ）アクリル酸アルキルエステル由来の構成単位と、前記官能基含有モノマー由来の構成単位と、のいずれにも該当しない他のモノマー由来の構成単位を有していてもよい。
前記他のモノマーは、（メタ）アクリル酸アルキルエステル等と共重合可能なものであれば特に限定されない。
前記他のモノマーとしては、例えば、スチレン、α－メチルスチレン、ビニルトルエン、ギ酸ビニル、酢酸ビニル、アクリロニトリル、アクリルアミド等が挙げられる。
非エネルギー線硬化性アクリル樹脂が有する、（メタ）アクリル酸アルキルエステル由来の構成単位と、前記官能基含有モノマー由来の構成単位と、前記他のモノマー由来の構成単位は、それぞれ、１種のみであってもよいし、２種以上であってもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
非エネルギー線硬化性アクリル樹脂において、（メタ）アクリル酸アルキルエステル由来の構成単位の含有量は、構成単位の全量に対して、６５～９９質量％であることが好ましい。
非エネルギー線硬化性アクリル樹脂において、官能基含有モノマー由来の構成単位の含有量は、構成単位の全量に対して、１～３５質量％であることが好ましい。
非エネルギー線硬化性アクリル樹脂において、前記他のモノマー由来の構成単位の含有量は、構成単位の全量に対して、０～１０質量％であることが好ましい。
エネルギー線硬化性アクリル樹脂（Ｉａ）は、例えば、非エネルギー線硬化性アクリル樹脂中の前記官能基に、エネルギー線重合性不飽和基を有する不飽和基含有化合物を反応させることで得られる。
前記不飽和基含有化合物は、前記エネルギー線重合性不飽和基以外に、さらに非エネルギー線硬化性アクリル樹脂中の官能基と反応することで、非エネルギー線硬化性アクリル樹脂と結合可能な基を有する化合物である。
前記エネルギー線重合性不飽和基としては、例えば、（メタ）アクリロイル基、ビニル基（エテニル基）、アリル基（２－プロペニル基）等が挙げられ、（メタ）アクリロイル基が好ましい。
非エネルギー線硬化性アクリル樹脂中の前記官能基と結合可能な基としては、例えば、水酸基又はアミノ基と結合可能なイソシアネート基及びグリシジル基、並びにカルボキシ基又はエポキシ基と結合可能な水酸基及びアミノ基等が挙げられる。
前記不飽和基含有化合物としては、例えば、（メタ）アクリロイルオキシエチルイソシアネート、（メタ）アクリロイルイソシアネート、グリシジル（メタ）アクリレート等が挙げられる。
非エネルギー線硬化性アクリル樹脂中の前記官能基に、エネルギー線重合性不飽和基を有する不飽和基含有化合物を反応させることで、エネルギー線硬化性アクリル樹脂（Ｉａ）を得るときに、非エネルギー線硬化性アクリル樹脂中の前記官能基の総モル数に対する、前記不飽和基含有化合物中の前記不飽和基の総モル数は、０．６倍以上及び０．７５倍以上のいずれかであってもよいが、０．８倍以上であることが好ましく、０．８５倍以上であることがより好ましく、０．９倍以上であることがさらに好ましい。前記不飽和基の総モル数が多いほど、粘着力（Ｘ１）をより小さくでき、ワーク加工物の硬化済み支持シートからのピックアップ性を、より高くできる傾向にある。
一方、非エネルギー線硬化性アクリル樹脂中の前記官能基の総モル数に対する、前記不飽和基含有化合物中の前記不飽和基の総モル数は、１倍以下であることが好ましい。
粘着剤層及び粘着剤組成物（Ｉ）が含有するエネルギー線硬化性アクリル樹脂（Ｉａ）は、１種のみであってもよいし、２種以上であってもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
粘着剤層及び粘着剤組成物（Ｉ）がエネルギー線硬化性アクリル樹脂（Ｉａ）を含有する場合、粘着剤層における、粘着剤層の総質量に対する、エネルギー線硬化性化合物（α）の含有量の割合は、５～５０質量％であることが好ましく、例えば、５～３５質量％、及び５～２５質量％のいずれかであってもよいし、１０～５０質量％、及び１４～５０質量％のいずれかであってもよいし、１０～３５質量％であってもよい。前記割合が前記下限値以上であることで、粘着剤層の特性（例えば、基材のマット面の粘着剤層による埋め込み性）が、より良好となる。前記割合が前記上限値以下であることで、上述のワーク加工物を支持シートから異常無くピックアップできるピックアップ性が、より高くなる。
粘着剤層及び粘着剤組成物（Ｉ）がエネルギー線硬化性アクリル樹脂（Ｉａ）を含有する場合、粘着剤層における、粘着剤層の総質量に対する、エネルギー線硬化性アクリル樹脂（Ｉａ）の含有量の割合は、５０～９５質量％であることが好ましく、例えば、６５～９５質量％、及び７５～９５質量％のいずれかであってもよいし、５０～９０質量％、及び５０～８６質量％のいずれかであってもよいし、６５～９０質量％であってもよい。前記割合が、前記下限値以上であることで、上述のワーク加工物を支持シートから異常無くピックアップできるピックアップ性が、より高くなる。前記割合が前記上限値以下であることで、粘着剤層の特性（例えば、基材のマット面の粘着剤層による埋め込み性）が、より良好となる。
＜他の成分＞
粘着剤層及び粘着剤組成物（Ｉ）は、本発明の効果を損なわない範囲内において、エネルギー線硬化性化合物（α）と、エネルギー線硬化性アクリル樹脂（Ｉａ）と、のいずれにも該当しない、他の成分を含有していてもよい。
前記他の成分としては、例えば、架橋剤（β）、光重合開始剤（γ）、添加剤等が挙げられる。
粘着剤層及び粘着剤組成物（Ｉ）が含有する前記他の成分は、１種のみであってもよいし、２種以上であってもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
［架橋剤（β）］
エネルギー線硬化性アクリル樹脂（Ｉａ）の調製時に、非エネルギー線硬化性アクリル樹脂中の前記官能基として、前記不飽和基含有化合物と未反応のものが残存した場合、エネルギー線硬化性アクリル樹脂（Ｉａ）は、この官能基を有する。このようなエネルギー線硬化性アクリル樹脂（Ｉａ）を用いる場合には、粘着剤層及び粘着剤組成物（Ｉ）は、さらに、架橋剤（β）を含有していてもよい。前記架橋剤（β）を含有する粘着剤層及び粘着剤組成物（Ｉ）では、エネルギー線硬化性アクリル樹脂（Ｉａ）同士が架橋され得る。
架橋剤（β）としては、例えば、トリレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、これらジイソシアネートのアダクト体等のイソシアネート系架橋剤（イソシアネート基を有する架橋剤）；エチレングリコールグリシジルエーテル等のエポキシ系架橋剤（グリシジル基を有する架橋剤）；ヘキサ［１－（２－メチル）－アジリジニル］トリフオスファトリアジン等のアジリジン系架橋剤（アジリジニル基を有する架橋剤）；アルミニウムキレート等の金属キレート系架橋剤（金属キレート構造を有する架橋剤）；イソシアヌレート系架橋剤（イソシアヌル酸骨格を有する架橋剤）等が挙げられる。
これらの中でも、架橋剤（β）は、粘着力（Ｘ１）を後述の範囲とすることがより容易となる観点では、ヘキサメチレンジイソシアネートのアダクト体、又はヘキサメチレンジイソシアネートのイソシアヌレート変性体であることが好ましい。
粘着剤層及び粘着剤組成物（Ｉ）が含有する架橋剤（β）は、１種のみであってもよいし、２種以上であってもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
前記貯蔵弾性率（Ｅ’２３１）及び粘着力（Ｘ１）の双方を後述の範囲とすることがより容易となる点では、粘着剤層において、架橋剤（β）の含有量は、エネルギー線硬化性アクリル樹脂（Ｉａ）の含有量１００質量部に対して、０．１～７質量部であることが好ましく、例えば、０．１～５質量部、及び０．１～３質量部のいずれかであってもよいし、０．５～７質量部、１～７質量部、及び３～７質量部のいずれかであってもよいし、０．５～５質量部、及び１～３質量部のいずれかであってもよい。
［光重合開始剤（γ）］
粘着剤層及び粘着剤組成物（Ｉ）は、さらに光重合開始剤（γ）を含有していてもよい。光重合開始剤（γ）を含有する粘着剤層及び粘着剤組成物（Ｉ）は、紫外線等の比較的低エネルギーのエネルギー線を照射しても、十分に硬化反応が進行する。
前記光重合開始剤（γ）としては、例えば、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンゾイン安息香酸、ベンゾイン安息香酸メチル、ベンゾインジメチルケタール等のベンゾイン化合物；アセトフェノン、２－ヒドロキシ－２－メチル－１－フェニル－プロパン－１－オン、２，２－ジメトキシ－１，２－ジフェニルエタン－１－オン、２－ヒドロキシ－１－（４－（４－（２－ヒドロキシ－２－メチルプロピオニル）ベンジル）フェニル）－２－メチルプロパン－１－オン等のアセトフェノン化合物；ビス（２，４，６－トリメチルベンゾイル）フェニルフォスフィンオキサイド、２，４，６－トリメチルベンゾイルジフェニルフォスフィンオキサイド等のアシルフォスフィンオキサイド化合物；ベンジルフェニルスルフィド、テトラメチルチウラムモノスルフィド等のスルフィド化合物；１－ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン等のα－ケトール化合物；アゾビスイソブチロニトリル等のアゾ化合物；チタノセン等のチタノセン化合物；チオキサントン等のチオキサントン化合物；パーオキサイド化合物；ジアセチル等のジケトン化合物；ベンジル；ジベンジル；ベンゾフェノン；２，４－ジエチルチオキサントン；１，２－ジフェニルメタン；２－ヒドロキシ－２－メチル－１－［４－（１－メチルビニル）フェニル］プロパノン；１－クロロアントラキノン、２－クロロアントラキノン等のキノン化合物が挙げられる。
光重合開始剤（γ）としては、例えば、アミン等の光増感剤等を用いることもできる。
これらの中でも、光重合開始剤（γ）は、粘着力（Ｘ１）を後述の範囲とすることがより容易となる観点では、２－ヒドロキシ－１－（４－（４－（２－ヒドロキシ－２－メチルプロピオニル）ベンジル）フェニル）－２－メチルプロパン－１－オンであることが好ましい。
粘着剤層及び粘着剤組成物（Ｉ）が含有する光重合開始剤（γ）は、１種のみであってもよいし、２種以上であってもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
粘着剤層において、光重合開始剤（γ）の含有量は、粘着剤層のエネルギー線硬化性アクリル樹脂（Ｉａ）の含有の有無によらず、エネルギー線硬化性化合物（α）と、エネルギー線硬化性アクリル樹脂（Ｉａ）と、の合計含有量１００質量部に対して、０．５～５質量部であることが好ましく、例えば、１～４質量部、及び１．５～３．５質量部のいずれかであってもよい。
［添加剤］
前記添加剤としては、例えば、帯電防止剤、酸化防止剤、軟化剤（可塑剤）、充填材（フィラー）、防錆剤、着色剤（顔料、染料）、増感剤、粘着付与剤、反応遅延剤、架橋促進剤（触媒）等の公知の添加剤が挙げられる。
前記反応遅延剤とは、例えば、粘着剤組成物（Ｉ）中に混入している触媒の作用によって、保管中の粘着剤組成物（Ｉ）において、目的としない架橋反応が進行するのを抑制する成分である。反応遅延剤としては、例えば、触媒に対するキレートによってキレート錯体を形成するものが挙げられ、より具体的には、１分子中にカルボニル基（－Ｃ（＝Ｏ）－）を２個以上有する成分が挙げられる。
粘着剤層及び粘着剤組成物（Ｉ）が含有する添加剤は、１種のみであってもよいし、２種以上であってもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
粘着剤組成物（Ｉ）の添加剤の含有量は、特に限定されず、その種類に応じて適宜選択すればよい。
［溶媒］
粘着剤組成物（Ｉ）は、溶媒を含有していてもよい。粘着剤組成物（Ｉ）は、溶媒を含有していることで、塗工対象面への塗工適性が向上する。
前記溶媒は有機溶媒であることが好ましく、前記有機溶媒としては、例えば、メチルエチルケトン、アセトン等のケトン；酢酸エチル等のエステル（カルボン酸エステル）；テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル；シクロヘキサン、ｎ－ヘキサン等の脂肪族炭化水素；トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素；１－プロパノール、２－プロパノール等のアルコール等が挙げられる。
粘着剤組成物（Ｉ）が含有する溶媒は、１種のみであってもよいし、２種以上であってもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
粘着剤組成物（Ｉ）の溶媒の含有量は、特に限定されず、適宜調節すればよい。
＜粘着剤層の一実施形態＞
好ましい粘着剤層及び粘着剤組成物（Ｉ）の一例としては、エネルギー線硬化性化合物（α）、エネルギー線硬化性アクリル樹脂（Ｉａ）、架橋剤（β）及び光重合開始剤（γ）を含有するものが挙げられる。
＜粘着剤組成物（Ｉ）の製造方法＞
粘着剤組成物（Ｉ）は、エネルギー線硬化性化合物（α）と、必要に応じてエネルギー線硬化性アクリル樹脂（Ｉａ）等の、粘着剤組成物（Ｉ）を構成するための各成分を配合することで得られる。
各成分の配合時における添加順序は特に限定されず、２種以上の成分を同時に添加してもよい。
配合時に各成分を混合する方法は特に限定されず、撹拌子又は撹拌翼等を回転させて混合する方法；ミキサーを用いて混合する方法；超音波を加えて混合する方法等、公知の方法から適宜選択すればよい。
各成分の添加及び混合時の温度並びに時間は、各配合成分が劣化しない限り特に限定されず、適宜調節すればよいが、温度は１５～３０℃であることが好ましい。
＜＜基材＞＞
前記基材は、シート状又はフィルム状であり、その構成材料としては、例えば、各種樹脂が挙げられる。
前記樹脂としては、例えば、低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ）、直鎖低密度ポリエチレン（ＬＬＤＰＥ）、高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ）等のポリエチレン；ポリプロピレン、ポリブテン、ポリブタジエン、ポリメチルペンテン、ノルボルネン樹脂等のポリエチレン以外のポリオレフィン；エチレン－酢酸ビニル共重合体、エチレン－（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン－（メタ）アクリル酸エステル共重合体、エチレン－ノルボルネン共重合体等のエチレン系共重合体（モノマーとしてエチレンを用いて得られた共重合体）；ポリ塩化ビニル、塩化ビニル共重合体等の塩化ビニル系樹脂（モノマーとして塩化ビニルを用いて得られた樹脂）；ポリスチレン；ポリシクロオレフィン；ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンイソフタレート、ポリエチレン－２，６－ナフタレンジカルボキシレート、すべての構成単位が芳香族環式基を有する全芳香族ポリエステル等のポリエステル；２種以上の前記ポリエステルの共重合体；ポリ（メタ）アクリル酸エステル；ポリウレタン；ポリウレタンアクリレート；ポリイミド；ポリアミド；ポリカーボネート；フッ素樹脂；ポリアセタール；変性ポリフェニレンオキシド；ポリフェニレンスルフィド；ポリスルホン；ポリエーテルケトン等が挙げられる。
また、前記樹脂としては、例えば、前記ポリエステルとそれ以外の樹脂との混合物等のポリマーアロイも挙げられる。前記ポリエステルとそれ以外の樹脂とのポリマーアロイは、ポリエステル以外の樹脂の量が比較的少量であるものが好ましい。
また、前記樹脂としては、例えば、ここまでに例示した前記樹脂の１種又は２種以上が架橋した架橋樹脂；ここまでに例示した前記樹脂の１種又は２種以上を用いたアイオノマー等の変性樹脂も挙げられる。
上記の中でも、基材の構成材料である前記樹脂は、基材の高温（１３５℃程度）での耐熱性と、可撓性と、がより高くなる点では、ポリプロピレン又はポリブチレンテレフタレートが好ましい。
基材を構成する樹脂は、１種のみであってもよいし、２種以上であってもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
基材は、前記樹脂等の主たる構成材料以外に、充填材、着色剤、酸化防止剤、有機滑剤、触媒、軟化剤（可塑剤）等の公知の各種添加剤を含有していてもよい。
前記支持シートにおいては、粘着剤層がエネルギー線硬化性であるため、基材はエネルギー線を透過させるものが好ましく、透明であることが好ましい。
基材においては、その少なくとも一方の面がマット面であることが好ましく、両面がマット面であってもよく、一方の面がマット面であり、他方の面が、凹凸度が小さいツヤ面であってもよい。
前記支持シートにおいては、基材のマット面上に粘着剤層が設けられていてもよい。そして、基材の両面がマット面である場合には、表面粗さ（Ｒａ）が大きい方のマット面上に、粘着剤層が設けられていてもよい。
基材のマット面は、基材の一定値以上の粗さを有する面であり、光沢度が低いことから、その外観によって明瞭に識別できる。少なくとも一方の面がマット面である基材は、市販品として入手可能であり、公知の方法で作製も可能である。
基材のマット面の表面粗さ（Ｒａ）は、０．０５μｍ以上であることが好ましく、例えば、０．１μｍ以上、０．４μｍ以上、及び０．７μｍ以上のいずれかであってもよい。前記表面粗さが前記下限値以上であることで、粘着剤層の組成を調節し、基材のマット面に粘着剤層を設ける場合、基材のマット面の粘着剤層による埋め込み性が高いという効果が、より顕著に得られる。また、基材を重ね合わせて保管したときの基材のブロッキングが、より抑制される。
基材のマット面の表面粗さ（Ｒａ）の上限値は、特に限定されない。例えば、表面の凹凸度が過剰に大きくならない点では、前記表面粗さは２μｍ以下であることが好ましい。
基材のマット面の表面粗さ（Ｒａ）は、例えば、０．０５～２μｍ、０．１～２μｍ、０．４～２μｍ、及び０．７～２μｍのいずれかであってもよい。ただし、これらは、前記表面粗さの一例である。
本明細書において、「表面粗さ（Ｒａ）」とは、基材のマット面に限定されず、ＪＩＳ Ｂ０６０１：２００１に準拠して求められる、いわゆる算術平均粗さを意味する。
基材のツヤ面の表面粗さ（Ｒａ）は、０．０５μｍ未満であることが好ましく、例えば、０．０４μｍ以下であってもよい。前記表面粗さがこのような範囲であることで、後述の支持シートの、４００～８００ｎｍの波長域での光透過率の平均値が、より高くなる。
基材のツヤ面の表面粗さ（Ｒａ）の下限値は、特に限定されない。例えば、基材を重ね合わせて保管したときの基材のブロッキングが抑制される点では、前記表面粗さは０．０１μｍ以上であることが好ましい。
基材のツヤ面の表面粗さ（Ｒａ）は、例えば、０．０１μｍ以上０．０５μｍ未満、及び０．０１～０．０４μｍのいずれかであってもよい。ただし、これらは、前記表面粗さの一例である。
基材の両面の表面粗さ（Ｒａ）は、例えば、基材の成形条件や、表面処理条件等により、調節できる。ここで表面処理としては、例えば、サンドブラスト処理、溶剤処理等による凹凸化処理と、研磨処理等による平滑化処理と、が挙げられる。
基材は、その上に設けられる粘着剤層との接着性を調節するために、コロナ放電処理、電子線照射処理、プラズマ処理、オゾン・紫外線照射処理、火炎処理、クロム酸処理、熱風処理等の酸化処理；親油処理；親水処理等が表面に施されていてもよい。基材の表面はプライマー処理されていてもよい。
基材は１層（単層）からなるものであってもよいし、２層以上の複数層からなるものであってもよく、複数層からなる場合、これら複数層は、互いに同一でも異なっていてもよく、これら複数層の組み合わせは特に限定されない。
基材の厚さは、５０～３００μｍであることが好ましく、６０～１００μｍであることがより好ましい。基材の厚さがこのような範囲であることで、前記支持シートの耐熱性（例えば１３５℃程度）と、可撓性と、ワークへの貼付適性がより向上する。
ここで、「基材の厚さ」とは、基材全体の厚さを意味し、例えば、複数層からなる基材の厚さとは、基材を構成するすべての層の合計の厚さを意味する。
基材は、公知の方法で製造できる。例えば、樹脂を含有する基材は、前記樹脂を含有する樹脂組成物を成形することで製造できる。
＜＜剥離フィルム＞＞
前記剥離フィルムは、公知のものであってよい。
剥離フィルムとして、より具体的には、例えば、剥離フィルム用基材の一方の面又は両面が、剥離処理面であるものが挙げられる。前記剥離フィルム用基材は、ポリエチレンテレフタレートフィルム製であることが好ましい。
前記剥離処理面は、剥離フィルム用基材の表面を、公知の剥離処理剤によって剥離処理することで形成できる。
剥離フィルムの厚さは、例えば、２～３００μｍであってもよく、２０～１００μｍであることが好ましい。
次に、前記支持シート（粘着剤層）の物性について説明する。
＜貯蔵弾性率（Ｅ’２３１）＞
前記貯蔵弾性率（Ｅ’２３１）は、１．５ＭＰａ以下であり、１．２ＭＰａ以下であることが好ましく、例えば、０．９ＭＰａ以下、０．７ＭＰａ以下、及び０．５ＭＰａ以下のいずれかであってもよい。貯蔵弾性率（Ｅ’２３１）が前記上限値以下であることで、支持シートを高温で加熱した後であっても、支持シートをエキスパンドしたときに、支持シート中の粘着剤層の割れの抑制効果が高くなる。
貯蔵弾性率（Ｅ’２３１）の下限値は、特に限定されない。例えば、貯蔵弾性率（Ｅ’２３１）が０．２ＭＰａ以上である粘着剤層は、より容易に形成できる。
前記貯蔵弾性率（Ｅ’２３１）は、例えば、０．２～１．５ＭＰａ、０．２～１．２ＭＰａ、０．２～０．９ＭＰａ、０．２～０．７ＭＰａ、及び０．２～０．５ＭＰａ以下のいずれかであってもよい。
貯蔵弾性率（Ｅ’２３１）は、例えば、以下に示す方法で測定できる。
すなわち、はじめに、厚さが２００μｍ未満の粘着剤層を複数枚用意し、これらを第１試験片とする。第１試験片としては、例えば、測定対象の粘着剤層から、目的とする大きさで切り出した切片が挙げられる。
次いで、これら第１試験片（粘着剤層）を、１３０℃で２時間加熱する。そして、これら加熱後の第１試験片を、これらの厚さ方向において互いに貼り合わせて積層していくことにより、厚さが２００±２０μｍ（すなわち、１８０～２２０μｍ）の積層物を作製する。さらに、前記積層物から幅が４ｍｍの切片を切り出し、これを第２試験片とする。
次いで、第２試験片を２０ｍｍの間隔を空けて２箇所で保持し、この状態で第２試験片を昇温速度３℃／ｍｉｎで－２０℃から１５０℃まで等速昇温しながら、周波数１１Ｈｚの条件下で、第２試験片の貯蔵弾性率Ｅ’を測定する。そして、第２試験片の、その温度が２３℃である場合の貯蔵弾性率Ｅ’を、貯蔵弾性率（Ｅ’２３１）として採用する。
第２試験片を２０ｍｍの間隔を空けて２箇所で保持する、ということは、第２試験片の貯蔵弾性率Ｅ’の測定対象部分の長さが２０ｍｍであることを意味する。
第２試験片の前記２箇所での保持は、例えば、公知のつかみ具等の保持手段を用いて行うことができる。
第２試験片を構成する、加熱後の第１試験片の枚数は、２枚以上であれば、特に限定されず、それぞれの第１試験片（粘着剤層）の厚さに応じて、任意に選択できる。
例えば、厚さが４０μｍである５枚の加熱後の第１試験片を用いることで、厚さが２００μｍである前記第２試験片を作製できる。また、厚さが１５μｍである１４枚の加熱後の第１試験片を用いることで、厚さが２１０μｍである前記第２試験片を作製できる。ただし、これらは一例であり、用いる第１試験片の枚数と厚さは、これらに限定されない。
＜ｔａｎδのピーク温度（Ｐ１）＞
厚さが２００μｍ未満の、複数枚の前記粘着剤層の第１試験片を、１３０℃で加熱し、加熱後の複数枚の前記第１試験片を積層することで、厚さが２００μｍ±２０の第２試験片を作製し、引張モードにより、周波数１１Ｈｚ、昇温速度３℃／ｍｉｎ、等速昇温の条件で、－２０℃から１５０℃まで前記第２試験片を昇温しながら、前記第２試験片の貯蔵弾性率Ｅ’及び損失弾性率Ｅ’’を測定し、これら測定値から損失正接を算出したとき、前記損失正接のピークを示す温度（本明細書においては、「ピーク温度（Ｐ１）」と称することがある）は、例えば、１２℃以下であってもよいが、１０℃以下であることが好ましい。このような支持シートを用いることで、支持シートを高温で加熱した後であっても、支持シートをエキスパンドしたときに、支持シート中の粘着剤層の割れの抑制効果がより高くなる。
本明細書においては、前記第２試験片の場合に限らず、「損失正接」とは、通常「損失係数」又は「ｔａｎδ」とも称され、貯蔵弾性率と損失弾性率との比（損失弾性率／貯蔵弾性率）であり、本明細書においては、「ｔａｎδ」と称することがある。
第１試験片は、例えば、１３０℃で２時間加熱することができ、第２試験片の幅は、例えば、４ｍｍとすることができる。
第２試験片の貯蔵弾性率Ｅ’及び損失弾性率Ｅ’’の測定時には、例えば、第２試験片を２０ｍｍの間隔を空けて２箇所で保持することができる。
前記ｔａｎδのピーク温度（Ｐ１）は、６℃以下であることがより好ましく、例えば、２℃以下、及び－２℃以下のいずれかであってもよい。ｔａｎδのピーク温度（Ｐ１）が低いほど、上述の支持シート中の粘着剤層の割れの抑制効果が、より高くなる。
ｔａｎδのピーク温度（Ｐ１）の下限値は、特に限定されない。例えば、ｔａｎδのピーク温度（Ｐ１）が－２０℃以上である粘着剤層は、より容易に形成できる。
ｔａｎδのピーク温度（Ｐ１）は、例えば、－２０～１２℃、－２０～１０℃、－２０～６℃、－２０～２℃、及び－２０～－２℃のいずれかであってもよい。ただし、これらは、ｔａｎδのピーク温度（Ｐ１）の一例である。
ｔａｎδのピーク温度（Ｐ１）は、例えば、以下に示す方法で測定できる。
すなわち、上述の第２試験片の貯蔵弾性率Ｅ’の測定時に、同時に、損失弾性率Ｅ’’も測定し、同一温度でのこれら貯蔵弾性率Ｅ’及び損失弾性率Ｅ’’の測定値から損失正接を算出し、そのピークを示す温度を、ｔａｎδのピーク温度（Ｐ１）（℃）として採用する。
＜貯蔵弾性率（Ｅ’２３２）＞
厚さが２００μｍ未満の、複数枚の前記粘着剤層の第１試験片を積層することで、厚さが２００±２０μｍの第３試験片を作製し、引張モードにより、周波数１１Ｈｚ、昇温速度３℃／ｍｉｎ、等速昇温の条件で、－２０℃から１５０℃まで前記第３試験片を昇温しながら、前記第３試験片の貯蔵弾性率Ｅ’を測定したとき、前記第３試験片の温度が２３℃である場合の前記貯蔵弾性率（Ｅ’２３２）は、１．５ＭＰａ以下であることが好ましい。このような支持シートを用いることで、ワーク又はワーク加工物が貼付された状態の支持シートを高温で加熱しなかった場合であっても、支持シートをエキスパンドしたときに、支持シート中の粘着剤層の割れの抑制効果がより高くなる。
第３試験片の貯蔵弾性率Ｅ’の測定時には、例えば、第３試験片を２０ｍｍの間隔を空けて２箇所で保持することができる。
前記貯蔵弾性率（Ｅ’２３２）は、１．２ＭＰａ以下であることがより好ましく、例えば、０．９ＭＰａ以下、０．７ＭＰａ以下、及び０．５ＭＰａ以下のいずれかであってもよい。貯蔵弾性率（Ｅ’２３２）が前記上限値以下であることで、支持シートを高温で加熱しなかった場合であっても、支持シートをエキスパンドしたときに、支持シート中の粘着剤層の割れの抑制効果がさらに高くなる。
貯蔵弾性率（Ｅ’２３２）の下限値は、特に限定されない。例えば、貯蔵弾性率（Ｅ’２３２）が０．２ＭＰａ以上である粘着剤層は、より容易に形成できる。
前記貯蔵弾性率（Ｅ’２３２）は、例えば、０．２～１．５ＭＰａ、０．２～１．２ＭＰａ、０．２～０．９ＭＰａ、０．２～０．７ＭＰａ、及び０．２～０．５ＭＰａ以下のいずれかであってもよい。
貯蔵弾性率（Ｅ’２３２）は、例えば、以下に示す方法で測定できる。
すなわち、はじめに、厚さが２００μｍ未満の粘着剤層を複数枚用意し、これらを第１試験片とする。この第１試験片は、上述の貯蔵弾性率（Ｅ’２３１）の測定時に用いる第１試験片と同じである。
次いで、これら第１試験片（粘着剤層）を、これらの厚さ方向において互いに貼り合わせて積層していくことにより、厚さが２００±２０μｍの第３試験片を作製する。第３試験片は、その作製に用いる第１試験片が１３０℃で加熱されていない点を除けば、第２試験片と同じであってよい。
次いで、第３試験片を２０ｍｍの間隔を空けて２箇所で保持し、この状態で第３試験片を昇温速度３℃／ｍｉｎで－２０℃から１５０℃まで等速昇温しながら、周波数１１Ｈｚの条件下で、第３試験片の貯蔵弾性率Ｅ’を測定する。そして、第３試験片の、その温度が２３℃である場合の貯蔵弾性率Ｅ’を、貯蔵弾性率（Ｅ’２３２）として採用する。
第２試験片の場合と同様に、第３試験片を２０ｍｍの間隔を空けて２箇所で保持する、ということは、第３試験片の貯蔵弾性率Ｅ’の測定対象部分の長さが２０ｍｍであることを意味する。
第３試験片の作製時における、第１試験片同士を貼り合わせる（積層する）方法は、第２試験片の作製時における、加熱後の第１試験片同士を貼り合わせる（積層する）方法と同じである。
第３試験片の貯蔵弾性率Ｅ’は、第２試験片の貯蔵弾性率Ｅ’の場合と同じ方法で測定できる。
＜ｔａｎδのピーク温度（Ｐ２）＞
厚さが２００μｍ未満の、複数枚の前記粘着剤層の第１試験片を積層することで、厚さが２００±２０μｍの第３試験片を作製し、前記第３試験片を、引張モードにより、周波数１１Ｈｚ、昇温速度３℃／ｍｉｎ、等速昇温の条件で、－２０℃から１５０℃まで前記第３試験片を昇温しながら、前記第３試験片の貯蔵弾性率Ｅ’及び損失弾性率Ｅ’’を測定し、これら測定値から損失正接を算出したとき、前記損失正接のピークを示す温度（本明細書においては、「ピーク温度（Ｐ２）」と称することがある）は、例えば、１２℃以下であってもよいが、１０℃以下であることが好ましい。このような支持シートを用いることで、支持シートを高温で加熱しなかった場合であっても、支持シートをエキスパンドしたときに、支持シート中の粘着剤層の割れの抑制効果がより高くなる。
第３試験片の貯蔵弾性率Ｅ’及び損失弾性率Ｅ’’の測定時には、例えば、第３試験片を２０ｍｍの間隔を空けて２箇所で保持することができる。
前記ｔａｎδのピーク温度（Ｐ２）は、６℃以下であることがより好ましく、例えば、２℃以下、及び－２℃以下のいずれかであってもよい。ｔａｎδのピーク温度（Ｐ２）が低いほど、上述の支持シート中の粘着剤層の割れの抑制効果が、より高くなる。
ｔａｎδのピーク温度（Ｐ２）の下限値は、特に限定されない。例えば、ｔａｎδのピーク温度（Ｐ２）が－－２０℃以上である粘着剤層は、より容易に形成できる。
ｔａｎδのピーク温度（Ｐ２）は、例えば、－２０～１２℃、－２０～１０℃、－２０～６℃、－２０～２℃、及び－２０～－２℃のいずれかであってもよい。ただし、これらは、ｔａｎδのピーク温度（Ｐ２）の一例である。
ｔａｎδのピーク温度（Ｐ２）は、例えば、以下に示す方法で測定できる。
すなわち、上述の第３試験片の貯蔵弾性率Ｅ’の測定時に、同時に、損失弾性率Ｅ’’も測定し、同一温度でのこれら貯蔵弾性率Ｅ’及び損失弾性率Ｅ’’の測定値から損失正接を算出し、そのピークを示す温度を、ｔａｎδのピーク温度（Ｐ２）（℃）として採用する。
＜粘着力（Ｘ１）＞
前記粘着力（Ｘ１）は、４００ｍＮ／２５ｍｍ以下であり、３４０ｍＮ／２５ｍｍ以下であることが好ましく、例えば、２８０ｍＮ／２５ｍｍ以下、２２０ｍＮ／２５ｍｍ以下、及び１８０ｍＮ／２５ｍｍ以下のいずれかであってもよい。粘着力（Ｘ１）が小さいほど、ワーク加工物を硬化済み支持シートから異常無くピックアップできるピックアップ性が高くなる。
粘着力（Ｘ１）の下限値は、特に限定されない。例えば、粘着力（Ｘ１）が３０ｍＮ／２５ｍｍ以上である粘着剤層は、より容易に形成できる。
粘着力（Ｘ１）は、例えば、３０～４００ｍＮ／２５ｍｍ、３０～３４０ｍＮ／２５ｍｍ、３０～２８０ｍＮ／２５ｍｍ、３０～２２０ｍＮ／２５ｍｍ、及び３０～１８０ｍＮ／２５ｍｍ以下のいずれかであってもよい。ただし、これらは、粘着力（Ｘ１）の一例である。
粘着力（Ｘ１）は、例えば、以下に示す方法で測定できる。
すなわち、はじめに、支持シートから、幅が２５ｍｍの試験片を切り出す。
次いで、この試験片（支持シート）を、その中の粘着剤層によってシリコンミラーウエハのミラー面に貼付することで、試験片付きシリコンミラーウエハを作製する。このときの貼付は、常温下で行うことが好ましく、貼付速度を２９０～３１０ｍｍ／ｍｉｎとし、貼付圧力を０．３ＭＰａとして、ラミネートローラーを用いて、行うことが好ましい。
次いで、得られた試験片付きシリコンミラーウエハを、１３０℃で２時間加熱する。
次いで、試験片付きシリコンミラーウエハを、放冷によりその温度が２３℃になるまで冷却した後、照度２３０ｍＷ／ｃｍ２、光量２００ｍＪ／ｃｍ２の条件で、この冷却後の試験片付きシリコンミラーウエハ中の粘着剤層に対して、基材越しにエネルギー線を照射することで、試験片中の粘着剤層を硬化させる。
次いで、常温下で、剥離速度を３００ｍｍ／ｍｉｎとして、シリコンミラーウエハから試験片を剥離する。このとき、シリコンミラーウエハの試験片が貼付されていた面と、試験片のシリコンミラーウエハが貼付されていた面と、が１８０°の角度を為すように、試験片をその長さ方向へ剥離する、いわゆる１８０°剥離を行う。そして、この１８０°剥離のときの荷重（剥離力）を測定し、測定の長さを５０ｍｍとして、最初の長さ５ｍｍ分での測定値と、最後の長さ５ｍｍ分での測定値を、有効値から除外する。そして、その測定値の平均値を粘着力（Ｘ１）（ｍＮ／２５ｍｍ）として採用する。
本実施形態においては、このような剥離力の測定を、２枚以上の複数枚の試験片（支持シート）に対して行い、得られた複数の測定値の平均値を、粘着力（Ｘ１）として採用してもよい。
＜粘着力（Ｘ２）＞
前記支持シートを、前記粘着剤層によってシリコンミラーウエハのミラー面に貼付し、貼付後の前記粘着剤層を１３０℃で加熱し、加熱後の前記粘着剤層と、前記シリコンミラーウエハと、の間の粘着力（Ｘ２）（本明細書においては、単に「粘着力（Ｘ２）」と称することがある）を測定したとき、前記粘着力（Ｘ２）が１３０００ｍＮ／２５ｍｍ以上であることが好ましい。このような支持シートを用いることで、ワーク又はワーク加工物が貼付された状態の支持シートを高温で加熱した後であっても、ワークの加工や、ワーク加工物若しくはその周辺物の取り扱いなどによって、ワーク加工物に大きな力が加えられても、ワーク加工物の支持シートからの剥離が抑制される。
上述の「ワークの加工」としては、例えば、半導体ウエハの内部に改質層を形成し、この状態の半導体ウエハを支持シート上で保持しておき、支持シートをエキスパンドすることで、改質層の部位において半導体ウエハを分割し、半導体チップを得る、半導体チップの作製が挙げられる。また、ワークの加工としては、半導体ウエハの半導体チップへの分割予定箇所において、半導体ウエハの厚さ方向に切れ込みを形成することで溝を形成する、いわゆるハーフカットを行い、この状態の半導体ウエハを支持シート上で保持しておき、支持シートをエキスパンドすることで、溝の部位において半導体ウエハを分割し、半導体チップを得る、半導体チップの作製も挙げられる。
上述の「ワーク加工物若しくはその周辺物の取り扱い」としては、例えば、多数の半導体チップが整列している状態の半導体チップ群を、支持シート上で保持しておき、支持シートをエキスパンドすることで、隣接する半導体チップ間において支持シートを拡張させ、隣接する半導体チップ間の距離を広げる、いわゆるカーフ幅の拡大が挙げられる。ワーク加工物に大きな力が加えられても、ワーク加工物の支持シートからの剥離が抑制されるため、ワークの加工を伴わないカーフ幅の拡大でも、当然に、ワーク加工物の支持シートからの剥離が抑制される。
前記粘着力（Ｘ２）は、１４０００ｍＮ／２５ｍｍ以上であることがより好ましく、例えば、１４７００ｍＮ／２５ｍｍ以上、１５４００ｍＮ／２５ｍｍ以上、及び１６１００ｍＮ／２５ｍｍ以上のいずれかであってもよい。粘着力（Ｘ２）が大きいほど、上述のワーク加工物の支持シートからの剥離が抑制される効果が、より高くなる。
粘着力（Ｘ２）の上限値は、特に限定されない。例えば、粘着力（Ｘ２）が１９０００ｍＮ／２５ｍｍ以下である粘着剤層は、より容易に形成できる。
粘着力（Ｘ２）は、例えば、１３０００～１９０００ｍＮ／２５ｍｍ、１４０００～１９０００ｍＮ／２５ｍｍ、１４７００～１９０００ｍＮ／２５ｍｍ、１５４００～１９０００ｍＮ／２５ｍｍ、及び１６１００～１９０００ｍＮ／２５ｍｍのいずれかであってもよい。ただし、これらは、粘着力（Ｘ２）の一例である。
粘着力（Ｘ２）は、例えば、以下に示す方法で測定できる。
すなわち、粘着力（Ｘ１）の測定時と同じ方法で、試験片付きシリコンミラーウエハを作製し、１３０℃で２時間加熱した後、放冷によりその温度が２３℃になるまで冷却する。
次いで、２３℃の環境下で、剥離速度を３００ｍｍ／ｍｉｎとして、この冷却後のシリコンミラーウエハから試験片を剥離する。このとき、シリコンミラーウエハの試験片が貼付されていた面と、試験片のシリコンミラーウエハが貼付されていた面と、が１８０°の角度を為すように、試験片をその長さ方向へ剥離する、いわゆる１８０°剥離を行う。そして、この１８０°剥離のときの荷重（剥離力）を測定し、測定の長さを５０ｍｍとして、最初の長さ５ｍｍ分での測定値と、最後の長さ５ｍｍ分での測定値を、有効値から除外する。そして、その測定値の平均値を粘着力（Ｘ２）（ｍＮ／２５ｍｍ）として採用する。
本実施形態においては、このような剥離力の測定を、２枚以上の複数枚の試験片（支持シート）に対して行い、得られた複数の測定値の平均値を、粘着力（Ｘ２）として採用してもよい。
＜粘着力（Ｙ１）＞
前記支持シートを、前記粘着剤層によってステンレス鋼（ＳＵＳ）板の表面に貼付し、貼付後の前記粘着剤層を１３０℃で加熱し、加熱後の前記粘着剤層をエネルギー線硬化させ、前記粘着剤層のエネルギー線硬化物と、前記ステンレス鋼板と、の間の粘着力（Ｙ１）（本明細書においては、単に「粘着力（Ｙ１）」と称することがある）を測定したとき、前記粘着力（Ｙ１）が３００ｍＮ／２５ｍｍ以上であることが好ましい。
後述するワーク加工物の製造方法においては、ワークと、前記ワークに設けられた支持シートと、を備えた支持シート付きワークが、リングフレームに固定される。そして、この状態で、ワークからワーク加工物が作製され、支持シート中の粘着剤層がエネルギー線硬化物とされて、硬化済み支持シートとなる。すなわち、粘着剤層のエネルギー線硬化後には、支持シート付きワークからは、ワークと、前記ワークに設けられた硬化済み支持シートと、を備えた硬化済み支持シート付きワーク；ワーク加工物と、前記ワーク加工物に設けられた硬化済み支持シートと、を備えた硬化済み支持シート付きワーク加工物等が得られる。このように、粘着剤層のエネルギー線硬化後には、ワーク又はワーク加工物と、硬化済み支持シートと、の積層物が、リングフレームには固定される。
そして、前記粘着力（Ｙ１）が３００ｍＮ／２５ｍｍ以上である支持シートを用いることで、支持シート付きワークが、リングフレームに固定された状態で、さらに加熱され、その後に、支持シート（粘着剤層）のリングフレームとの接触部にエネルギー線が照射されてしまっても、上述のワーク又はワーク加工物と、硬化済み支持シートと、の積層物の、リングフレームからの剥離が抑制される。
前記粘着力（Ｙ１）は、４００ｍＮ／２５ｍｍ以上であることがより好ましく、例えば、５００ｍＮ／２５ｍｍ以上、及び６００ｍＮ／２５ｍｍ以上のいずれかであってもよい。粘着力（Ｙ１）が大きいほど、上述のワーク又はワーク加工物と、硬化済み支持シートと、の積層物の、リングフレームからの剥離が抑制される効果が、より高くなる。
粘着力（Ｙ１）の上限値は、特に限定されない。例えば、粘着力（Ｙ１）が２０００ｍＮ／２５ｍｍ以下である粘着剤層は、より容易に形成できる。
粘着力（Ｙ１）は、例えば、３００～２０００ｍＮ／２５ｍｍ、４００～２０００ｍＮ／２５ｍｍ、５００～２０００ｍＮ／２５ｍｍ、及び６００～２０００ｍＮ／２５ｍｍのいずれかであってもよい。ただし、これらは、粘着力（Ｙ１）の一例である。
粘着力（Ｙ１）は、例えば、以下に示す方法で測定できる。
すなわち、はじめに、支持シートから、幅が２５ｍｍの試験片を切り出す。
次いで、この試験片（支持シート）を、その中の粘着剤層によって、厚さ１０００μｍのＳＵＳ板の一方の面に貼付することで、試験片付きＳＵＳ板を作製する。このときの貼付は、常温下で行うことが好ましく、貼付速度を２９０～３１０ｍｍ／ｍｉｎとし、貼付圧力を０．３ＭＰａとして、ラミネートローラーを用いて、行うことが好ましい。
次いで、得られた試験片付きＳＵＳ板を、１３０℃で２時間加熱する。
次いで、試験片付きＳＵＳ板を、放冷によりその温度が２３℃になるまで冷却した後、照度２３０ｍＷ／ｃｍ２、光量２００ｍＪ／ｃｍ２の条件で、この冷却後の試験片付きＳＵＳ板中の粘着剤層に対して、基材越しにエネルギー線を照射することで、試験片中の粘着剤層を硬化させる。
次いで、常温下で、剥離速度を３００ｍｍ／ｍｉｎとして、ＳＵＳ板から試験片を剥離する。このとき、ＳＵＳ板の試験片が貼付されていた面と、試験片のＳＵＳ板が貼付されていた面と、が１８０°の角度を為すように、試験片をその長さ方向へ剥離する、いわゆる１８０°剥離を行う。そして、この１８０°剥離のときの荷重（剥離力）を測定し、測定の長さを５０ｍｍとして、最初の長さ５ｍｍ分での測定値と、最後の長さ５ｍｍ分での測定値を、有効値から除外する。そして、その測定値の平均値を粘着力（Ｙ１）（ｍＮ／２５ｍｍ）として採用する。
本実施形態においては、このような剥離力の測定を、２枚以上の複数枚の試験片（支持シート）に対して行い、得られた複数の測定値の平均値を、粘着力（Ｙ１）として採用してもよい。
＜粘着力（Ｙ２）＞
前記支持シートを、前記粘着剤層によってステンレス鋼（ＳＵＳ）板の表面に貼付し、貼付後の前記粘着剤層を１３０℃で加熱し、加熱後の前記粘着剤層と、前記ステンレス鋼板と、の間の粘着力（Ｙ２）（本明細書においては、単に「粘着力（Ｙ２）」と称することがある）を測定したとき、前記粘着力（Ｙ２）が１３０００ｍＮ／２５ｍｍ以上であることが好ましい。このような支持シートを用いることで、後述するワーク加工物の製造方法において、支持シート付きワーク、又は、ワーク加工物と、前記ワーク加工物に設けられた支持シートと、を備えた支持シート付きワーク加工物が、リングフレームに固定された状態で、さらに加熱されても、支持シート付きワーク又は支持シート付きワーク加工物のリングフレームからの剥離が抑制される。
前記粘着力（Ｙ２）は、１４０００ｍＮ／２５ｍｍ以上であることがより好ましく、例えば、１５０００ｍＮ／２５ｍｍ以上、１６０００ｍＮ／２５ｍｍ以上、及び１７０００ｍＮ／２５ｍｍ以上のいずれかであってもよい。粘着力（Ｙ２）が大きいほど、上述の支持シート付きワーク又は支持シート付きワーク加工物のリングフレームからの剥離が抑制される効果が、より高くなる。
粘着力（Ｙ２）の上限値は、特に限定されない。例えば、粘着力（Ｙ２）が２００００ｍＮ／２５ｍｍ以下である粘着剤層は、より容易に形成できる。
粘着力（Ｙ２）は、例えば、１３０００～２００００ｍＮ／２５ｍｍ、１４０００～２００００ｍＮ／２５ｍｍ、１５０００～２００００ｍＮ／２５ｍｍ、１６０００～２００００ｍＮ／２５ｍｍ、及び１７０００～２００００ｍＮ／２５ｍｍのいずれかであってもよい。ただし、これらは、粘着力（Ｙ２）の一例である。
粘着力（Ｙ２）は、例えば、以下に示す方法で測定できる。
すなわち、粘着力（Ｙ１）の測定時と同じ方法で、試験片付きＳＵＳ板を作製し、１３０℃で２時間加熱した後、放冷によりその温度が２３℃になるまで冷却する。
次いで、２３℃の環境下で、剥離速度を３００ｍｍ／ｍｉｎとして、この冷却後のＳＵＳ板から試験片を剥離する。このとき、ＳＵＳ板の試験片が貼付されていた面と、試験片のＳＵＳ板が貼付されていた面と、が１８０°の角度を為すように、試験片をその長さ方向へ剥離する、いわゆる１８０°剥離を行う。そして、この１８０°剥離のときの荷重（剥離力）を測定し、測定の長さを５０ｍｍとして、最初の長さ５ｍｍ分での測定値と、最後の長さ５ｍｍ分での測定値を、有効値から除外する。そして、その測定値の平均値を粘着力（Ｙ２）（ｍＮ／２５ｍｍ）として採用する。
本実施形態においては、このような剥離力の測定を、２枚以上の複数枚の試験片（支持シート）に対して行い、得られた複数の測定値の平均値を、粘着力（Ｙ２）として採用してもよい。
＜粘着剤層の粘着力の調節方法＞
上述の粘着剤層の各種粘着力、すなわち、加熱後の粘着剤層のエネルギー線硬化物と、シリコンミラーウエハと、の間の粘着力（Ｘ１）；加熱後の粘着剤層と、シリコンミラーウエハと、の間の粘着力（Ｘ２）；加熱後の粘着剤層のエネルギー線硬化物と、ＳＵＳ板と、の間の粘着力（Ｙ１）；加熱後の粘着剤層と、ＳＵＳ板と、の間の粘着力（Ｙ２）は、粘着剤層の含有成分の種類と含有量を調節することで、調節できる。
例えば、メタクリル基を有する官能基含有モノマー由来の構成単位を有するエネルギー線硬化性アクリル樹脂（Ｉａ）を、粘着剤層に含有させることで、粘着力（Ｘ１）を低くできる。
例えば、ガラス転移温度が比較的高いエネルギー線硬化性アクリル樹脂（Ｉａ）を、粘着剤層に含有させることで、粘着力（Ｘ１）を低くできる。
例えば、前記アクリル重合体中の官能基（例えば、水酸基）に、前記不飽和基含有化合物中の前記官能基と結合可能な基（例えば、（メタ）アクリロイルオキシエチルイソシアネート中のイソシアネート基）を反応させるときに、前記アクリル重合体中の前記官能基の総モル数に対する、前記不飽和基含有化合物中の前記官能基と結合可能な基の総モル数を、比較的多い量 （例えば、０．７５倍以上）としてエネルギー線硬化性アクリル樹脂（Ｉａ）を調製し、このようなエネルギー線硬化性アクリル樹脂（Ｉａ）を粘着剤層に含有させることで、粘着力（Ｘ１）を低くできる。
例えば、粘着剤層がエネルギー線硬化性化合物（α）を含有することによって、エネルギー線硬化性化合物（α）を含有しない場合よりも、粘着力（Ｘ２）を高くできるが、エネルギー線硬化性化合物（α）の種類を調節することで、粘着力（Ｘ２）をさらに高くできる。
例えば、前記アクリル重合体中の官能基（例えば、水酸基）に、前記不飽和基含有化合物中の前記官能基と結合可能な基（例えば、（メタ）アクリロイルオキシエチルイソシアネート中のイソシアネート基）を反応させて得られたエネルギー線硬化性アクリル樹脂（Ｉａ）を用いるときに、前記アクリル重合体由来の未反応の前記官能基が少ない（換言すると、架橋剤（β）と反応可能な前記官能基が少ない）エネルギー線硬化性アクリル樹脂（Ｉａ）を粘着剤層に含有させることで、粘着力（Ｘ２）を高くできる。
例えば、粘着剤層の架橋剤（β）の含有量を少なくすることで、粘着力（Ｘ２）を高くできる。
例えば、メタクリル基を有する官能基含有モノマー由来の構成単位を有するエネルギー線硬化性アクリル樹脂（Ｉａ）を、粘着剤層に含有させることで、粘着力（Ｙ１）を高くできる。
例えば、前記置換基として酸素原子（－Ｏ－）を有する（メタ）アクリル酸エステルを、エネルギー線硬化性化合物（α）として、粘着剤層に含有させることで、粘着力（Ｙ１）を高くできる。
例えば、前記アクリル重合体中の官能基（例えば、水酸基）に、前記不飽和基含有化合物中の前記官能基と結合可能な基（例えば、（メタ）アクリロイルオキシエチルイソシアネート中のイソシアネート基）を反応させて得られたエネルギー線硬化性アクリル樹脂（Ｉａ）を用いるときに、前記アクリル重合体由来の未反応の前記官能基が少ない（換言すると、架橋剤（β）と反応可能な前記官能基が少ない）エネルギー線硬化性アクリル樹脂（Ｉａ）を粘着剤層に含有させることで、粘着力（Ｙ１）を高くできる。
例えば、粘着剤層の架橋剤（β）の含有量を少なくすることで、粘着力（Ｙ１）を高くできる。
例えば、粘着剤層がエネルギー線硬化性化合物（α）を含有することによって、エネルギー線硬化性化合物（α）を含有しない場合よりも、粘着力（Ｙ２）を高くできるが、エネルギー線硬化性化合物（α）の種類を調節することで、粘着力（Ｙ２）をさらに高くできる。
例えば、前記アクリル重合体中の官能基（例えば、水酸基）に、前記不飽和基含有化合物中の前記官能基と結合可能な基（例えば、（メタ）アクリロイルオキシエチルイソシアネート中のイソシアネート基）を反応させて得られたエネルギー線硬化性アクリル樹脂（Ｉａ）を用いるときに、前記アクリル重合体由来の未反応の前記官能基が少ない（換言すると、架橋剤（β）と反応可能な前記官能基が少ない）エネルギー線硬化性アクリル樹脂（Ｉａ）を粘着剤層に含有させることで、粘着力（Ｙ２）を高くできる。
例えば、粘着剤層の架橋剤（β）の含有量を少なくすることで、粘着力（Ｙ２）を高くできる。
例えば、エネルギー線硬化性化合物（α）、エネルギー線硬化性アクリル樹脂（Ｉａ）及び架橋剤（β）を含有する粘着剤層においては、架橋剤（β）として、環構造を有しない鎖状構造のものを用いることで、環構造を有するものを用いた場合よりも、粘着力（Ｙ２）を高くし、粘着力（Ｘ１）を低くできる傾向にある。
例えば、エネルギー線硬化性化合物（α）、エネルギー線硬化性アクリル樹脂（Ｉａ）及び架橋剤（β）を含有する粘着剤層においては、架橋剤（β）として、ジイソシアネートのトリメチロールプロパンアダクト体等のウレタン結合を有するものを用いることで、ウレタン結合を有しないものを用いた場合よりも、粘着力（Ｙ２）を高くし、粘着力（Ｘ１）を低くできる傾向にある。
例えば、エネルギー線硬化性化合物（α）、エネルギー線硬化性アクリル樹脂（Ｉａ）及び架橋剤（β）を含有する粘着剤層においては、エネルギー線硬化性化合物（α）の含有量を少なくすることで、多くした場合よりも、粘着力（Ｘ１）を低くできる。
＜支持シートの光透過率（４００～８００ｎｍ）の平均値＞
前記支持シートの光透過率（４００～８００ｎｍ）の平均値は、８０％以上であることが好ましく、例えば、８２％以上、及び８４％以上のいずれかであってもよい。前記光透過率（４００～８００ｎｍ）の平均値が前記下限値以上であることで、ワーク加工物が支持シート上で保持されている状態で、支持シート越しに、ワーク加工物での割れや欠け等の破損（例えばチッピング）の有無を検査するときに、検査精度が高くなる。
前記光透過率（４００～８００ｎｍ）の平均値の上限値は、特に限定されない。例えば、前記光透過率（４００～８００ｎｍ）の平均値が９５％以下である支持シートは、より容易に製造できる。
前記光透過率（４００～８００ｎｍ）の平均値は、例えば、８０～９５％、８２～９５％、及び８４～９５％のいずれかであってもよい。ただし、これらは、前記光透過率（４００～８００ｎｍ）の平均値の一例である。
ただし、本明細書においては、特に断りのない限り、支持シートの光透過率とは、４００～８００ｎｍの波長域での光透過率に限らず、剥離フィルムを備えていない状態での支持シートの光透過率を意味する。
前記支持シートの光透過率（４００～８００ｎｍ）の平均値は、例えば、以下に示す方法で算出できる。
すなわち、支持シートに対して、その基材側の外部から光を照射し、積分球を使用せずに、直接受光により、光線透過率を測定し、４００～８００ｎｍの波長範囲で、１ｎｍごとに、波長がｎ（ｎｍ）である場合の光透過率の値Ｔｎ（式中、ｎは４００～８００の整数である）を測定する。そして、ｎが４００～８００である場合のＴｎをすべて合算し、その合計値Ｔ４００－８００を算出する。得られたＴ４００－８００を、Ｔｎの測定数（すなわち、８００－４００＋１＝４０１）で除する（Ｔ４００－８００／４０１）ことにより、支持シートの光透過率（４００～８００ｎｍ）の平均値を算出できる。
前記支持シートの光透過率（４００～８００ｎｍ）の平均値は、例えば、基材の含有成分の種類と含有量、基材の両面の粗さ（例えば、表面粗さ（Ｒａ））等を調節することで、調節できる。また、前記支持シートの光透過率（４００～８００ｎｍ）の平均値は、粘着剤層の含有成分の種類と含有量を調節することでも、調節できる。
＜支持シートの一例＞
前記支持シートは、貯蔵弾性率（Ｅ’２３１）及び粘着力（Ｘ１）以外に、さらに、ｔａｎδのピーク温度（Ｐ１）、貯蔵弾性率（Ｅ’２３２）、ｔａｎδのピーク温度（Ｐ２）、粘着力（Ｘ２）、粘着力（Ｙ１）、及び粘着力（Ｙ２）からなる群より選択される１種又は２種以上が、上述のいずれかの数値範囲であることが好ましい。
すなわち、好ましい支持シートの一例としては、例えば、下記条件（１－１）：
（１－１） 粘着剤層から作製した第２試験片の貯蔵弾性率（Ｅ’２３１）が、１．５ＭＰａ以下である。
と、下記条件（１－２）：
（１－２） 加熱後の粘着剤層のエネルギー線硬化物と、シリコンミラーウエハと、の間の粘着力（Ｘ１）が、４００ｍＮ／２５ｍｍ以下である。
と、を満たし、かつ、下記条件（１－３）～（１－８）：
（１－３） 粘着剤層から作製した第２試験片のｔａｎδのピーク温度（Ｐ１）が、１０℃以下である。
（１－４） 粘着剤層から作製した第３試験片の貯蔵弾性率（Ｅ’２３２）が、１．５ＭＰａ以下である。
（１－５） 粘着剤層から作製した第３試験片のｔａｎδのピーク温度（Ｐ２）が、１０℃以下である。
（１－６） 加熱後の粘着剤層と、シリコンミラーウエハと、の間の粘着力（Ｘ２）が、１３０００ｍＮ／２５ｍｍ以上である。
（１－７） 加熱後の粘着剤層のエネルギー線硬化物と、ＳＵＳ板と、の間の粘着力（Ｙ１）が、３００ｍＮ／２５ｍｍ以上である。
（１－８） 加熱後の粘着剤層と、ＳＵＳ板と、の間の粘着力（Ｙ２）が、１３０００ｍＮ／２５ｍｍ以上である。
からなる群より選択される１種又は２種以上を満たす支持シート、が挙げられる。
より好ましい支持シートの一例としては、例えば、前記条件（１－１）～（１－８）をすべて満たす支持シートが挙げられる。
ここに例示する支持シートにおいては、貯蔵弾性率（Ｅ’２３１）、粘着力（Ｘ１）、ｔａｎδのピーク温度（Ｐ１）、貯蔵弾性率（Ｅ’２３２）、ｔａｎδのピーク温度（Ｐ２）、粘着力（Ｘ２）、粘着力（Ｙ１）、及び粘着力（Ｙ２）からなる群より選択される１種又は２種以上が、先に説明したいずれかの数値範囲にさらに限定されていることが、特に好ましい。
◇支持シートの製造方法
前記支持シートは、これを構成する上述の各層を対応する位置関係となるように積層し、必要に応じて、一部又はすべての層の形状を調節することで、製造できる。各層の形成方法は、先に説明したとおりである。
例えば、基材の一方の面（例えば、マット面又はツヤ面）上に上述の粘着剤組成物（Ｉ）を塗工し、必要に応じて乾燥させることで、支持シートを製造できる。
剥離フィルムの一方の面上に粘着剤組成物（Ｉ）を塗工し、必要に応じて乾燥させることで、剥離フィルム上に粘着剤層を形成しておき、この粘着剤層の露出面を、基材の一方の面（例えば、マット面又はツヤ面）と貼り合わせることでも、支持シートを製造できる。このとき、粘着剤組成物（Ｉ）は、剥離フィルムの剥離処理面に塗工することが好ましい。
このように粘着剤層を基材と貼り合わせるときに加える圧力（貼付圧力）は、０．２～０．６ＭＰａであることが好ましい。前記圧力が前記下限値以上であることで、粘着剤層と基材との間の密着力を十分に大きくでき、さらに、粘着剤層の組成を調節し、基材のマット面に粘着剤層を設ける場合には、基材のマット面の粘着剤層による埋め込み性をより高くできる。前記圧力が前記上限値以下であることで、過剰な加圧が避けられる。
このような粘着剤層と基材との貼り合わせは、例えば、１５℃以上の温度条件下で行うことが好ましく、常温下で行ってもよい。
前記他の層を備えた支持シートは、例えば、基材上又は粘着剤層上の適切な箇所に、前記他の層を形成するための組成物を塗工し、必要に応じて乾燥させることで、他の層を形成し、必要に応じて、さらに必要な層を積層することで、製造できる。また、基材上又は粘着剤層上の適切な箇所に、フィルム状の他の層を積層することで、他の層を設け、必要に応じて、さらに必要な層を積層することでも、製造できる。
◇保護膜形成用複合シート
前記支持シートは、保護膜形成フィルムと積層することで、保護膜形成用複合シートを構成できる。すなわち、前記保護膜形成用複合シートは、前記支持シートと、前記支持シート中の前記粘着剤層の前記基材側とは反対側の面上に設けられた保護膜形成フィルムと、を備えている。より具体的には、前記保護膜形成用複合シートは、基材と、前記基材の一方の面上に設けられた粘着剤層と、前記粘着剤層の前記基材側とは反対側の面上に設けられた保護膜形成フィルムと、を備える。前記保護膜形成用複合シートは、さらに、保護膜形成フィルムの前記粘着剤層側とは反対側の面上に設けられた剥離フィルムを備えていてもよい。
＜＜保護膜形成フィルム＞＞
前記保護膜形成フィルムは、前記ワーク加工物のいずれかの箇所に保護膜を形成するためのフィルムである。前記保護膜形成用複合シートを用いることにより、ワーク加工物と、前記ワーク加工物のいずれかの箇所に設けられた保護膜と、を備えた保護膜付きワーク加工物を製造できる。例えば、ワークがウエハである場合、前記保護膜形成用複合シートを用いることにより、チップと、前記チップの裏面に設けられた保護膜と、を備えた保護膜付きチップを製造できる。
前記保護膜形成フィルムは、硬化性であってもよいし、非硬化性であってもよい。すなわち、前記保護膜形成フィルムは、その硬化によって保護膜として機能するものであってもよいし、硬化していない状態で保護膜として機能するものであってもよい。
硬化性の保護膜形成フィルムは、熱硬化性及びエネルギー線硬化性のいずれであってもよく、熱硬化性及びエネルギー線硬化性の両方の特性を有していてもよい。
保護膜形成フィルムは、１層（単層）からなるものであってもよいし、２層以上の複数層からなるものであってもよい。保護膜形成フィルムが複数層からなる場合、これら複数層は、互いに同一でも異なっていてもよく、これら複数層の組み合わせは特に限定されない。
熱硬化性保護膜形成フィルムとしては、例えば、重合体成分（Ａ）及び熱硬化性成分（Ｂ）を含有するものが挙げられる。
重合体成分（Ａ）としては、例えば、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、フェノキシ樹脂、シリコーン樹脂、飽和ポリエステル樹脂等が挙げられる。
熱硬化性成分（Ｂ）としては、例えば、エポキシ系熱硬化性樹脂、熱硬化性ポリイミド樹脂、不飽和ポリエステル樹脂等が挙げられる。
本明細書において、熱硬化性ポリイミド樹脂とは、熱硬化することによってポリイミド樹脂を形成する、ポリイミド前駆体と、熱硬化性ポリイミドと、の総称である。
前記エポキシ系熱硬化性樹脂は、エポキシ樹脂（Ｂ１）及び熱硬化剤（Ｂ２）からなる。
熱硬化性保護膜形成フィルムは、これらの成分以外に、さらに、硬化促進剤（Ｃ）、充填材（Ｄ）、カップリング剤（Ｅ）、架橋剤（Ｆ）、エネルギー線硬化性樹脂（Ｇ）、光重合開始剤（Ｈ）、着色剤（Ｉ）及び汎用添加剤（Ｊ）からなる群より選択される１種又は２種以上を含有していてもよい。
エネルギー線硬化性保護膜形成フィルムとしては、例えば、エネルギー線硬化性成分（ａ）を含有するものが挙げられる。
エネルギー線硬化性成分（ａ）としては、例えば、エネルギー線硬化性基を有する、重量平均分子量が８００００～２００００００の重合体（ａ１）、エネルギー線硬化性基を有する、分子量が１００～８００００の化合物（ａ２）等が挙げられる。
エネルギー線硬化性保護膜形成フィルムは、エネルギー線硬化性成分（ａ）以外に、さらに、エネルギー線硬化性基を有しない重合体（ｂ）を含有することが好ましい。
エネルギー線硬化性基を有しない重合体（ｂ）としては、例えば、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、フェノキシ樹脂、シリコーン樹脂、飽和ポリエステル樹脂等が挙げられる。
エネルギー線硬化性保護膜形成フィルムは、エネルギー線硬化性成分（ａ）及びエネルギー線硬化性基を有しない重合体（ｂ）以外に、さらに、着色剤、熱硬化性成分、熱硬化剤、充填材、カップリング剤、架橋剤、光重合開始剤及び汎用添加剤からなる群より選択される１種又は２種以上を含有していてもよい。
非硬化性保護膜形成フィルムとしては、例えば、重合体成分を含有するものが挙げられる。
前記重合体成分としては、例えば、上述の熱硬化性保護膜形成フィルムの含有成分として挙げた重合体成分（Ａ）等の、硬化性ではない樹脂と同様のものが挙げられる。
非硬化性保護膜形成フィルムは、前記重合体成分以外に、さらに、着色剤、充填材、カップリング剤、架橋剤及び汎用添加剤からなる群より選択される１種又は２種以上を含有していてもよい。
保護膜形成フィルムの厚さは、１～１００μｍであることが好ましい。保護膜形成フィルムの厚さが前記下限値以上であることで、保護能がより高い保護膜を形成できる。保護膜形成フィルムの厚さが前記上限値以下であることで、保護膜の厚さが過剰となることが避けられる。
ここで、「保護膜形成フィルムの厚さ」とは、保護膜形成フィルム全体の厚さを意味し、例えば、複数層からなる保護膜形成フィルムの厚さとは、保護膜形成フィルムを構成するすべての層の合計の厚さを意味する。
保護膜形成フィルムは、その構成材料を含有する保護膜形成用組成物（熱硬化性保護膜形成フィルムを形成するための熱硬化性保護膜形成用組成物、エネルギー線硬化性保護膜形成フィルムを形成するためのエネルギー線硬化性保護膜形成用組成物、非硬化性保護膜形成フィルムを形成するための非硬化性保護膜形成用組成物）を用いて形成できる。例えば、保護膜形成フィルムは、その形成対象面に保護膜形成用組成物を塗工し、必要に応じて乾燥させることで、形成できる。保護膜形成用組成物における、常温で気化しない成分同士の含有量の比率は、通常、保護膜形成フィルムにおける前記成分同士の含有量の比率と同じとなる。
◇保護膜形成用複合シートの製造方法
前記保護膜形成用複合シートは、これを構成する上述の各層を対応する位置関係となるように積層し、必要に応じて、一部又はすべての層の形状を調節することで、製造できる。各層の形成方法は、先に説明したとおりである。
例えば、剥離フィルムの一方の面上に保護膜形成用組成物を塗工し、必要に応じて乾燥させることで、剥離フィルム上に保護膜形成フィルムを形成しておき、この保護膜形成フィルムの露出面（剥離フィルム側とは反対側の面）を、支持シート中の粘着剤層の露出面（基材側とは反対側の面）と貼り合わせることで、保護膜形成用複合シートを製造できる。保護膜形成用組成物は、剥離フィルムの剥離処理面に塗工することが好ましい。
◇ワーク加工物の製造方法（支持シートの使用方法）
前記支持シートは、ワーク加工物の製造に用いることができる。
すなわち、本発明の一実施形態に係るワーク加工物の製造方法は、前記支持シート中の前記粘着剤層を、ワークとリングフレームに貼付することにより、前記ワークと、前記ワークに設けられた前記支持シートと、を備えた支持シート付きワークを、前記リングフレームに固定する貼付工程と、前記貼付工程の後に、前記リングフレームに固定した前記支持シート中の前記粘着剤層を加熱する加熱工程と、前記貼付工程の後に、前記支持シート付きワーク中の前記ワークの内部に、前記ワークを分割するための改質層を形成して、改質層形成済みワークを作製するか、又は、前記支持シート付きワーク中の前記ワークの、その厚さ方向の一部の領域に、前記ワークを分割するための切れ込みを形成して、半切断済みワークを作製することにより、前記改質層形成済みワーク又は半切断済みワークと、前記支持シートと、を備えた支持シート付き予備加工体を得る予備加工工程と、前記予備加工工程の後に、前記リングフレームに固定した前記支持シート付き予備加工体を、前記支持シートの面に対して平行な方向においてエキスパンドすることにより、前記改質層形成済みワークを前記改質層の部位において分割するか、又は、前記半切断済みワークを前記切れ込みにおいて分割し、前記ワーク加工物を作製する加工工程と、前記加熱工程及び加工工程の後に、前記リングフレームに貼付した前記粘着剤層をエネルギー線硬化させる硬化工程と、前記硬化工程の後に、前記粘着剤層の硬化物から前記ワーク加工物を引き離してピックアップするピックアップ工程と、を有する。
ワークが半導体ウエハである場合のワーク加工物の製造方法、すなわち半導体チップの製造方法としては、前記支持シート中の前記粘着剤層を、半導体ウエハとリングフレームに貼付することにより、前記半導体ウエハと、前記半導体ウエハに設けられた前記支持シートと、を備えた支持シート付き半導体ウエハを、前記リングフレームに固定する貼付工程と、前記貼付工程の後に、前記リングフレームに固定した前記支持シート中の前記粘着剤層を加熱する加熱工程と、前記貼付工程の後に、前記支持シート付き半導体ウエハ中の前記半導体ウエハの内部に、前記半導体ウエハを分割するための改質層を形成して、改質層形成済み半導体ウエハを作製するか、又は、前記支持シート付き半導体ウエハ中の前記半導体ウエハの、その厚さ方向の一部の領域に、前記半導体ウエハを分割するための切れ込みを形成して、半切断済み半導体ウエハを作製することにより、前記改質層形成済み半導体ウエハ又は半切断済み半導体ウエハと、前記支持シートと、を備えた支持シート付き予備加工体を得る予備加工工程と、前記予備加工工程の後に、前記リングフレームに固定した前記支持シート付き予備加工体を、前記支持シートの面に対して平行な方向においてエキスパンドすることにより、前記改質層形成済み半導体ウエハを前記改質層の部位において分割するか、又は、前記半切断済み半導体ウエハを前記切れ込みにおいて分割し、前記半導体チップを作製する加工工程と、前記加熱工程及び加工工程の後に、前記リングフレームに貼付した前記粘着剤層をエネルギー線硬化させる硬化工程と、前記硬化工程の後に、前記粘着剤層の硬化物から前記半導体チップを引き離してピックアップするピックアップ工程と、を有する製造方法が挙げられる。
前記貼付工程の後、前記加熱工程、予備加工工程及び加工工程を行う順番は、前記予備加工工程及び加工工程をこの順に行う点を除けば、目的に応じて任意に選択でき、例えば、加熱工程を行ってから予備加工工程及び加工工程を行ってもよいし、予備加工工程及び加工工程を行ってから加熱工程を行ってもよいし、予備加工工程を行ってから、加熱工程及び加工工程をこの順に行ってもよい。例えば、前記製造方法においては、ワークの表面に付着している低分子量の樹脂成分等の異物を、揮発によって除去するために、加熱工程を行うことができる。この場合の加熱工程は、加工工程の前後のいずれであっても、行うことができる。また、前記製造方法においては、ワークの分割等の加工時、又は、ワークでの前記切れ込みの形成等の予備加工時に発生し、ワーク加工物の表面に付着している微細な異物を水によって洗浄し、除去した後に、ワーク加工物等を乾燥させるために、加熱工程を行うことができる。この場合の加熱工程は、加工工程又は予備加工工程の後に行う。そして、前記製造方法においては、これら異物の除去のための加熱工程と、乾燥のための加熱工程と、をともに行ってもよく、これら加熱工程を一括で行ってもよい。
＜＜ワーク加工物の製造方法の一例＞＞
図２は、ワークが半導体ウエハである場合の前記製造方法の一例を模式的に説明するための断面図である。ここでは、図１に示す支持シート１を用いた場合の製造方法について説明する。
＜貼付工程＞
前記貼付工程においては、支持シート１中の粘着剤層１２を、ワークである半導体ウエハ９（より具体的には、半導体ウエハ９の裏面９ｂ）と、リングフレーム８と、に貼付することにより、図２（ａ）に示すように、半導体ウエハ９と、半導体ウエハ９の裏面９ｂに設けられた支持シート１と、を備えた支持シート付き半導体ウエハ１０９を、リングフレーム８に固定する。支持シート付き半導体ウエハ１０９は、前記支持シート付きワークである。
支持シート１は、剥離フィルム１３を取り除いてから用いる。粘着剤層１２の基材１１側とは反対側の面１２ａは、支持シート１の一方の面（粘着剤層１２側の面）１ａと同じである。
図２においては、半導体ウエハ９において、回路面９ａ上のバンプ等の図示を省略している。
貼付工程においては、粘着剤層１２のうち、その幅方向における中央寄りの領域を半導体ウエハ９に貼付し、この半導体ウエハ９への貼付領域を取り囲む領域を、リングフレーム８に貼付する。
支持シート１（粘着剤層１２）の半導体ウエハ９とリングフレーム８への貼付は、常温下で行うことができる。
支持シート１（粘着剤層１２）を半導体ウエハ９とリングフレーム８へ貼付するときの貼付速度は、特に限定されないが、２００～４００ｍｍ／ｍｉｎであることが好ましい。
＜加熱工程＞
前記貼付工程の後、前記加熱工程においては、図２（ｂ）に示すように、リングフレーム８に固定した支持シート１中の粘着剤層１２を加熱する。この場合の粘着剤層１２の加熱は、支持シート付き半導体ウエハ１０９全体の加熱に伴うものであり、この加熱によって、例えば、半導体ウエハ９の表面（例えば、回路面９ａ）に付着している低分子量の樹脂成分等の異物を、揮発によって除去できる。
粘着剤層１２（すなわち、支持シート付き半導体ウエハ１０９における粘着剤層１２）の加熱時の温度（加熱温度）は、１００～１３５℃であることが好ましい。加熱温度が前記下限値以上であることで、加熱による効果が十分得られる。加熱温度が前記上限値以下であることで、過剰な加熱が避けられ、例えば、支持シート付き半導体ウエハ１０９の劣化が抑制される。
支持シート１において、前記粘着力（Ｙ２）が１３０００ｍＮ／２５ｍｍ以上である場合には、前記加熱工程において、支持シート付き半導体ウエハ１０９がリングフレーム８に固定された状態で加熱されても、支持シート付き半導体ウエハ１０９のリングフレーム８からの剥離が抑制される。
＜予備加工工程＞
前記貼付工程及び加熱工程の後、前記予備加工工程においては、図２（ｃ）に示すように、支持シート付き半導体ウエハ１０９中の半導体ウエハ９の内部に、半導体ウエハ９を分割するための改質層９ｄを形成して、改質層形成済み半導体ウエハ９１を作製することにより、改質層形成済み半導体ウエハ９１と、支持シート１と、を備えた支持シート付き予備加工体９１１Ａを得る。
改質層形成済み半導体ウエハ９１は、改質層９ｄが形成されている点を除けば、半導体ウエハ９と同じである。
改質層形成済み半導体ウエハ９１は、先に説明した改質層形成済みワークである。
図２（ｃ）中、符号９１ａは、半導体ウエハ９の回路面９ａに対応する、改質層形成済み半導体ウエハ９１の回路面を示している。
改質層９ｄは、半導体ウエハ９の分割箇所となる位置を焦点として、この焦点に集束するように、公知の方法に従って、レーザー光を照射することによって形成できる。
改質層９ｄは、改質層形成済み半導体ウエハ９１の他の箇所とは異なって変質しており、強度が弱くなっている。そのため、改質層形成済み半導体ウエハ９１に力が加えられることにより、改質層９ｄにおいて、改質層形成済み半導体ウエハ９１の両面方向に延びる亀裂が発生し、改質層形成済み半導体ウエハ９１（半導体ウエハ９）の分割（切断）の起点となる。
＜加工工程＞
前記予備加工工程の後、前記加工工程においては、リングフレーム８に固定した支持シート付き予備加工体９１１Ａを、支持シート１の面（一方の面１ａ）に対して平行な方向においてエキスパンドする。図２（ｃ）中では、このエキスパンドの方向を矢印Ｉで示している。このように支持シート付き予備加工体９１１Ａをエキスパンドすることは、半導体ウエハ９を、その回路面９ａ又は裏面９ｂに対して平行な方向においてエキスパンドすることと同義である。これにより、改質層形成済み半導体ウエハ９１（半導体ウエハ９）を改質層９ｄの部位において分割することにより、図２（ｄ）に示すように、ワーク加工物である半導体チップ９０を作製する。加工工程により、１枚の支持シート１上で複数個の半導体チップ９０が整列して保持されて構成されている、支持シート付き半導体チップ群９０１が得られる。このように、改質層の形成を経て、半導体ウエハを半導体チップへと分割する手法は、ステルスダイシング（登録商標）として知られている。本実施形態においては、改質層形成済み半導体ウエハ９１の分割は、通常のステルスダイシング（登録商標）による半導体ウエハの分割と同義である。
符号９０ａは、半導体ウエハ９の回路面９ａに対応する、半導体チップ９０の回路面を示している。
符号９０ｂは、半導体ウエハ９の裏面９ｂに対応する、半導体チップ９０の裏面を示している。
加工工程においては、支持シート付き予備加工体９１１Ａのエキスパンドによって、改質層形成済み半導体ウエハ９１（半導体ウエハ９）に力が加えられることにより、改質層９ｄの部位において、改質層形成済み半導体ウエハ９１（半導体ウエハ９）が分割され、半導体チップ９０が作製される。
支持シート付き予備加工体９１１Ａは、公知の方法でエキスパンドできる。例えば、上下動（支持シート１中の基材１１及び粘着剤層１２の積層方向である２方向での移動）が可能なテーブルを用意し、支持シート付き予備加工体９１１Ａ中の支持シート１（より具体的には基材１１）をこのテーブルの表面に接触させて、このテーブル上に支持シート付き予備加工体９１１Ａを固定する。そして、リングフレーム８を固定したまま、テーブルを上方（支持シート１中の基材１１から粘着剤層１２へ向かう方向）に突き上げることにより、支持シート付き予備加工体９１１Ａをエキスパンドできる。
このように、テーブルの突き上げによって、支持シート付き予備加工体９１１Ａをエキスパンドする場合には、例えば、突き上げ速度は１～４００ｍｍ／ｓであることが好ましく、突き上げ高さは５～３５ｍｍであることが好ましく、突き上げ保持時間（換言すると、突き上げ高さを最大で保持する時間）は０～２分間であることが好ましい。このような突き上げ条件とすることで、粘着剤層１２の割れを高度に抑制しつつ、改質層形成済み半導体ウエハ９１（半導体ウエハ９）をより正確に分割できる。
支持シート付き予備加工体９１１Ａをエキスパンドした場合には、必要に応じて、エキスパンドによって拡張された支持シート１に、固定用治具（例えば、テクノビジョン社製グリップリング）を装着して、支持シート１を拡張されたままで固定してもよい。また、熱収縮性（ヒートシュリンク性）を有する基材１１を用いて、支持シート１をエキスパンドした後、この基材１１の熱収縮性（ヒートシュリンク性）を利用して、支持シート１のたるみを除き、固定用治具を装着することなく、支持シート１を拡張されたままで固定してもよい。
加工工程において、支持シート付き予備加工体９１１Ａのエキスパンドは、例えば、－１０～４０℃の温度環境下で行うことができ、常温で行うことが好ましい。
支持シート１において、貯蔵弾性率（Ｅ’２３１）が１．５ＭＰａ以下であることにより、前記加熱工程において、半導体ウエハ９が貼付された状態の支持シート１（換言すると、支持シート付き半導体ウエハ１０９）を、１３５℃程度を上限値とする高温で加熱した後であっても、支持シート１をエキスパンドしたときに、支持シート１中の粘着剤層１２の割れが抑制される。
支持シート１において、例えば、ｔａｎδのピーク温度（Ｐ１）が１０℃以下である場合には、半導体ウエハ９が貼付された状態の支持シート１（換言すると、支持シート付き半導体ウエハ１０９）を高温で加熱した後であっても、支持シート１をエキスパンドしたときに、支持シート１中の粘着剤層１２の割れがより抑制される。
支持シート１において、例えば、貯蔵弾性率（Ｅ’２３２）が１．５ＭＰａ以下である場合には、半導体ウエハ９が貼付された状態の支持シート１（換言すると、支持シート付き半導体ウエハ１０９）を高温で加熱しなかった場合であっても、支持シート１をエキスパンドしたときに、支持シート１中の粘着剤層１２の割れがより抑制される。
支持シート１において、例えば、ｔａｎδのピーク温度（Ｐ２）が１０℃以下である場合には、半導体ウエハ９が貼付された状態の支持シート１（換言すると、支持シート付き半導体ウエハ１０９）を高温で加熱しなかった場合であっても、支持シート１をエキスパンドしたときに、支持シート１中の粘着剤層１２の割れがより抑制される。
支持シート１において、前記粘着力（Ｘ２）が１３０００ｍＮ／２５ｍｍ以上である場合には、前記加熱工程において、半導体ウエハ９が貼付された状態の支持シート１（換言すると、支持シート付き半導体ウエハ１０９）を、１３５℃程度を上限値とする高温で加熱した後であっても、加工工程において、改質層形成済み半導体ウエハ９１（半導体ウエハ９）の分割や、半導体チップ９０の水洗などによって、半導体チップ９０に大きな力が加えられても、半導体チップ９０の支持シート１（粘着剤層１２）からの剥離が抑制される。
＜硬化工程＞
前記加熱工程及び加工工程の後、前記硬化工程においては、図２（ｅ）に示すように、リングフレーム８に貼付した粘着剤層１２をエネルギー線硬化させる。硬化工程により、１枚の硬化済み支持シート１’上で、複数個の半導体チップ９０が整列して保持されて、構成されている、硬化済み支持シート付き半導体チップ群９０１’が得られる。
支持シート１は、粘着剤層１２がエネルギー線硬化されて、エネルギー線硬化物１２’となることによって、硬化済み支持シート１’となる。
硬化済み支持シート付き半導体チップ群９０１’は、先に説明した、ワーク加工物と、硬化済み支持シートと、の積層物（換言すると、硬化済み支持シート付きワーク加工物）であり、粘着剤層１２がそのエネルギー線硬化物１２’となっている点を除けば、支持シート付き半導体チップ群９０１と同じである。
粘着剤層１２のエネルギー線硬化時における（粘着剤層１２にエネルギー線を照射するときの）、エネルギー線の照度は、６０～３２０ｍＷ／ｃｍ２であることが好ましく、エネルギー線の光量は、１００～１０００ｍＪ／ｃｍ２であることが好ましい。
エネルギー線は、基材１１越しに（基材１１を介して）、支持シート１の外部から、粘着剤層１２に照射することが好ましい。
支持シート１において、前記粘着力（Ｙ１）が３００ｍＮ／２５ｍｍ以上である場合には、前記加熱工程において、支持シート付き半導体ウエハ１０９がリングフレーム８に固定された状態で加熱され、さらに、硬化工程において、支持シート１（粘着剤層１２）のリングフレーム８との接触部にエネルギー線が照射されてしまっても、硬化済み支持シート付き半導体チップ群９０１’のリングフレーム８からの剥離が抑制される。
＜ピックアップ工程＞
前記硬化工程の後、前記ピックアップ工程においては、図２（ｆ）に示すように、硬化済み支持シート１’中の粘着剤層のエネルギー線硬化物１２’から、半導体チップ９０を引き離してピックアップすることにより、硬化済み支持シート付き半導体チップ群９０１’から、目的とする半導体チップ９０を取り出すことができる。ここでは、ピックアップの方向を矢印Ｐで示している。
半導体チップ９０のピックアップ時には、半導体チップ９０の裏面９０ｂと、粘着剤層のエネルギー線硬化物１２’の基材１１側とは反対側の面１２ａ’と、の間で、剥離が生じる。このとき、粘着剤層のエネルギー線硬化物１２’と半導体チップ９０との間の粘着力は、粘着剤層１２と半導体チップ９０との間の粘着力よりも小さいため、半導体チップ９０は粘着剤層のエネルギー線硬化物１２’から容易に剥離し、容易にピックアップできる。
粘着剤層のエネルギー線硬化物１２’の基材１１側とは反対側の面１２ａ’は、粘着剤層１２の基材１１側とは反対側の面１２ａに対応しており、硬化済み支持シート１’の一方の面（粘着剤層のエネルギー線硬化物１２’側の面）１ａ’と同じである。
半導体チップ９０のピックアップは、公知の方法で行うことができる。例えば、半導体チップ９０を硬化済み支持シート１’（粘着剤層のエネルギー線硬化物１２’）から引き離すための引き離し手段７としては、真空コレット等が挙げられる。
支持シート１において、前記粘着力（Ｘ１）が４００ｍＮ／２５ｍｍ以下であることで、前記加熱工程において、半導体ウエハ９が貼付された状態の支持シート１（換言すると、支持シート付き半導体ウエハ１０９）を、１３５℃程度を上限値とする高温で加熱した後であっても、支持シート１上で半導体ウエハ９から半導体チップ９０を作製した後に、半導体チップ９０を硬化済み支持シート１’から正常にピックアップでき、ピックアップ性が高い。
＜他の工程＞
前記製造方法は、貼付工程と、加熱工程と、予備加工工程と、加工工程と、硬化工程と、ピックアップ工程と、のいずれにも該当しない他の工程を有していてもよい。
前記他の工程の種類と、前記他の工程の数と、前記他の工程を行うタイミングは、いずれも目的に応じて任意に選択でき、特に限定されない。
＜＜ワーク加工物の製造方法の他の例＞＞
上述の図２（ａ）～図２（ｆ）を参照して説明した、ワーク加工物の製造方法（以下、「製造方法（１Ａ）」と称することがある）では、予備加工工程においては、改質層形成済み半導体ウエハを作製し、加工工程においては、改質層形成済み半導体ウエハを改質層の部位において分割したが、本実施形態においては、先の説明のとおり、予備加工工程及び加工工程を、別の方法で行うこともできる。すなわち、本実施形態の予備加工工程においては、前記半切断済み半導体ウエハと、前記支持シートと、を備えた支持シート付き予備加工体を得て、加工工程においては、前記半切断済み半導体ウエハを前記切れ込みにおいて分割することにより、前記半導体チップを作製してもよい。次に、この場合のワーク加工物の製造方法（以下、「製造方法（１Ｂ）」と称することがある）について、説明する。図３は、この場合の前記製造方法の一例を模式的に説明するための断面図である。ここでも、図１に示す支持シート１を用いた場合の製造方法について説明する。
＜貼付工程、加熱工程＞
製造方法（１Ｂ）の前記貼付工程及び加熱工程は、それぞれ、図３（ａ）～図３（ｂ）に示すように、製造方法（１Ａ）の前記貼付工程及び加熱工程と同じである。そこで、製造方法（１Ｂ）での前記貼付工程及び加熱工程についての詳細な説明は、省略する。
図３においても、半導体ウエハ９において、回路面９ａ上のバンプ等の図示を省略している。
＜予備加工工程＞
製造方法（１Ｂ）の前記貼付工程の後、前記予備加工工程においては、図３（ｃ）に示すように、支持シート付き半導体ウエハ１０９中の半導体ウエハ９の、その厚さ方向の一部の領域に、半導体ウエハ９を分割するための切れ込み９ｅを形成して、半切断済み半導体ウエハ９２を作製することにより、半切断済み半導体ウエハ９２と、支持シート１と、を備えた支持シート付き予備加工体９１１Ｂを得る。
半切断済み半導体ウエハ９２は、切れ込み９ｅが形成されている点を除けば、半導体ウエハ９と同じである。
半切断済み半導体ウエハ９２は、先に説明した半切断済みワークである。
図３（ｃ）中、符号９２ａは、半導体ウエハ９の回路面９ａに対応する、半切断済み半導体ウエハ９２の回路面を示している。
符号９２ｂは、半導体ウエハ９の裏面９ｂに対応する、半切断済み半導体ウエハ９２の裏面を示している。
切れ込み９ｅは、半切断済み半導体ウエハ９２の回路面９２ａから、その反対側の裏面９２ｂへ向けて、裏面９２ｂに到達することなく、半切断済み半導体ウエハ９２の厚さ方向の途中の領域まで形成されている。
切れ込み９ｅは、公知の方法で形成できる。例えば、ブレードを用いるブレードダイシング、レーザー照射によるレーザーダイシング、又は研磨剤を含む水の吹き付けによるウォーターダイシング等の各種ダイシングによって、半導体ウエハ９に切れ込み９ｅを形成できる。
＜加工工程＞
製造方法（１Ｂ）の前記予備加工工程の後、前記加工工程においては、リングフレーム８に固定した支持シート付き予備加工体９１１Ｂを、支持シート１の面（一方の面１ａ）に対して平行な方向においてエキスパンドする。図３（ｃ）中では、このエキスパンドの方向を矢印Ｉで示している。このように支持シート付き予備加工体９１１Ｂをエキスパンドすることは、半導体ウエハ９を、その回路面９ａ又は裏面９ｂに対して平行な方向においてエキスパンドすることと同義である。これにより、半切断済み半導体ウエハ９２（半導体ウエハ９）を切れ込み９ｅにおいて分割することにより、図３（ｄ）に示すように、ワーク加工物である半導体チップ９０を作製する。加工工程により、１枚の支持シート１上で複数個の半導体チップ９０が整列して保持されて構成されている、支持シート付き半導体チップ群９０２が得られる。本実施形態においては、半切断済み半導体ウエハ９２の分割は、通常のハーフカットを伴う半導体ウエハの分割と同義である。
製造方法（１Ｂ）の加工工程においては、支持シート付き予備加工体９１１Ｂのエキスパンドによって、半切断済み半導体ウエハ９２（半導体ウエハ９）に力が加えられることにより、切れ込み９ｅにおいて、半切断済み半導体ウエハ９２（半導体ウエハ９）が分割され、半導体チップ９０が作製される。
支持シート付き予備加工体９１１Ｂは、製造方法（１Ａ）における支持シート付き予備加工体９１１Ａの場合と同じ方法で、エキスパンドできる。
製造方法（１Ｂ）で得られる支持シート付き半導体チップ群９０２は、隣り合う半導体チップ９０間の距離が異なり得る点を除けば、製造方法（１Ａ）で得られる支持シート付き半導体チップ群９０１と同じである。
支持シート１において、貯蔵弾性率（Ｅ’２３１）が１．５ＭＰａ以下であることにより、製造方法（１Ｂ）の前記加熱工程において、半導体ウエハ９が貼付された状態の支持シート１（換言すると、支持シート付き半導体ウエハ１０９）を、１３５℃程度を上限値とする高温で加熱した後であっても、支持シート１をエキスパンドしたときに、支持シート１中の粘着剤層１２の割れが抑制される。
支持シート１において、例えば、ｔａｎδのピーク温度（Ｐ１）が１０℃以下である場合には、製造方法（１Ｂ）において、半導体ウエハ９が貼付された状態の支持シート１（換言すると、支持シート付き半導体ウエハ１０９）を高温で加熱した後であっても、支持シート１をエキスパンドしたときに、支持シート１中の粘着剤層１２の割れがより抑制される。
支持シート１において、例えば、貯蔵弾性率（Ｅ’２３２）が１．５ＭＰａ以下である場合には、半導体ウエハ９が貼付された状態の支持シート１（換言すると、支持シート付き半導体ウエハ１０９）を高温で加熱しなかった場合であっても、支持シート１をエキスパンドしたときに、支持シート１中の粘着剤層１２の割れがより抑制される。
支持シート１において、例えば、ｔａｎδのピーク温度（Ｐ２）が１０℃以下である場合には、半導体ウエハ９が貼付された状態の支持シート１（換言すると、支持シート付き半導体ウエハ１０９）を高温で加熱しなかった場合であっても、支持シート１をエキスパンドしたときに、支持シート１中の粘着剤層１２の割れがより抑制される。
支持シート１において、前記粘着力（Ｘ２）が１３０００ｍＮ／２５ｍｍ以上である場合には、製造方法（１Ｂ）の前記加熱工程において、半導体ウエハ９が貼付された状態の支持シート１（換言すると、支持シート付き半導体ウエハ１０９）を、１３５℃程度を上限値とする高温で加熱した後であっても、製造方法（１Ｂ）の加工工程において、半切断済み半導体ウエハ９２（半導体ウエハ９）の分割や、半導体チップ９０の水洗などによって、半導体チップ９０に大きな力が加えられても、半導体チップ９０の支持シート１（粘着剤層１２）からの剥離が抑制される。
＜硬化工程＞
製造方法（１Ｂ）の前記加熱工程及び加工工程の後、前記硬化工程においては、図３（ｅ）に示すように、リングフレーム８に貼付した粘着剤層１２をエネルギー線硬化させる。硬化工程により、１枚の硬化済み支持シート１’上で、複数個の半導体チップ９０が整列して保持されて、構成されている、硬化済み支持シート付き半導体チップ群９０２’が得られる。
支持シート１は、粘着剤層１２がエネルギー線硬化されて、エネルギー線硬化物１２’となることによって、硬化済み支持シート１’となる。
硬化済み支持シート付き半導体チップ群９０２’は、先に説明した、ワーク加工物と、硬化済み支持シートと、の積層物（換言すると、硬化済み支持シート付きワーク加工物）であり、粘着剤層１２がそのエネルギー線硬化物１２’となっている点を除けば、支持シート付き半導体チップ群９０２と同じである。また、硬化済み支持シート付き半導体チップ群９０２’は、隣り合う半導体チップ９０間の距離が異なり得る点を除けば、製造方法（１Ａ）で得られる硬化済み支持シート付き半導体チップ群９０１’と同じである。
製造方法（１Ｂ）の硬化工程において、粘着剤層１２は、製造方法（１Ａ）の硬化工程の場合と同じ方法で、エネルギー線硬化させることができる。
支持シート１において、前記粘着力（Ｙ１）が３００ｍＮ／２５ｍｍ以上である場合には、製造方法（１Ｂ）の前記加熱工程において、支持シート付き半導体ウエハ１０９がリングフレーム８に固定された状態で加熱され、さらに、製造方法（１Ｂ）の硬化工程において、支持シート１（粘着剤層１２）のリングフレーム８との接触部にエネルギー線が照射されてしまっても、硬化済み支持シート付き半導体チップ群９０２’のリングフレーム８からの剥離が抑制される。
＜ピックアップ工程＞
製造方法（１Ｂ）の前記硬化工程の後、前記ピックアップ工程においては、図３（ｆ）に示すように、硬化済み支持シート１’中の粘着剤層のエネルギー線硬化物１２’から、半導体チップ９０を引き離してピックアップすることにより、硬化済み支持シート付き半導体チップ群９０２’から、目的とする半導体チップ９０を取り出すことができる。ここでは、ピックアップの方向を矢印Ｐで示している。
製造方法（１Ｂ）のピックアップ工程において、半導体チップ９０は、製造方法（１Ａ）のピックアップ工程の場合と同じ方法で、ピックアップでき、このとき、製造方法（１Ａ）のピックアップ工程の場合と同じ態様で、硬化済み支持シート１’中の粘着剤層のエネルギー線硬化物１２’から、半導体チップ９０が引き離される。
支持シート１において、前記粘着力（Ｘ１）が４００ｍＮ／２５ｍｍ以下であることで、製造方法（１Ｂ）の前記加熱工程において、半導体ウエハ９が貼付された状態の支持シート１（換言すると、支持シート付き半導体ウエハ１０９）を、１３５℃程度を上限値とする高温で加熱した後であっても、支持シート１上で半導体ウエハ９から半導体チップ９０を作製した後に、半導体チップ９０を硬化済み支持シート１’から正常にピックアップでき、ピックアップ性が高い。
＜他の工程＞
製造方法（１Ｂ）は、貼付工程と、加熱工程と、予備加工工程と、加工工程と、硬化工程と、ピックアップ工程と、のいずれにも該当しない他の工程を有していてもよい。
前記他の工程の種類と、前記他の工程の数と、前記他の工程を行うタイミングは、いずれも目的に応じて任意に選択でき、特に限定されない。
製造方法（１Ｂ）は、予備加工工程において、改質層形成済み半導体ウエハ９１に代えて半切断済み半導体ウエハ９２を作製する点と、加工工程において、改質層形成済み半導体ウエハ９１を用いて支持シート付き半導体チップ群９０１を作製するのに代えて、半切断済み半導体ウエハ９２を用いて支持シート付き半導体チップ群９０２を作製する点、を除けば、製造方法（１Ａ）と同じであってよい。
＜＜ワーク加工物の製造方法のさらに他の例＞＞
ここまでは、ワーク加工物の製造方法として、貼付工程、加熱工程、予備加工工程、加工工程、硬化工程及びピックアップ工程を、この順に行う場合の製造方法（製造方法（１Ａ）、製造方法（１Ｂ））について説明したが、本実施形態のワーク加工物の製造方法は、これらに限定されない。例えば、前記製造方法においては、加熱工程と、予備加工工程及び加工工程と、を行う順序が逆であってもよい。ただし、支持シートを高温で加熱した後であっても、支持シートをエキスパンドしたときに、支持シート中の粘着剤層の割れが抑制される、という本発明の効果が最も顕在化する点から、少なくとも、加熱工程を行ってから加工工程を行うことが好ましい。このようなワーク加工物の製造方法の一例としては、予備加工工程を行ってから、加熱工程及び加工工程をこの順に行う製造方法が挙げられる。
◎ワーク加工物の製造方法のさらに他の例１
＜貼付工程＞
このようなワーク加工物の製造方法のうち、予備加工工程において、前記改質層形成済み半導体ウエハを作製する場合の製造方法（以下、「製造方法（２Ａ）」と称することがある）においては、まず、貼付工程を行う。製造方法（２Ａ）の前記貼付工程は、製造方法（１Ａ）の貼付工程と同じである。
＜予備加工工程＞
製造方法（２Ａ）の前記貼付工程の後、前記予備加工工程においては、前記支持シート付き半導体ウエハ中の前記半導体ウエハの内部に、前記半導体ウエハを分割するための改質層を形成して、改質層形成済み半導体ウエハを作製することにより、前記改質層形成済み半導体ウエハと、未加熱の前記支持シートと、を備えた支持シート付き予備加工体を得る。予備加工工程より前に、加熱されていない点を除けば、製造方法（１Ａ）の場合と同様の支持シート付き予備加工体が得られる。
製造方法（２Ａ）の予備加工工程は、支持シート付き半導体ウエハとして、支持シート（粘着剤層）が加熱済みのものに代えて、支持シート（粘着剤層）が未加熱のものを用いる点を除けば、製造方法（１Ａ）の予備加工工程と同じであってよい。
＜加熱工程＞
製造方法（２Ａ）の前記予備加工工程の後、前記加熱工程においては、リングフレームに固定した前記支持シート中の前記粘着剤層を加熱する。加熱工程により、製造方法（１Ａ）の場合と同様の支持シート付き予備加工体が得られる。
製造方法（２Ａ）の加熱工程は、半導体ウエハに改質層が形成されていない支持シート付き半導体ウエハに代えて、半導体ウエハに改質層が形成されている支持シート付き予備加工体を用いる点を除けば、製造方法（１Ａ）の加熱工程と同じであってよい。
製造方法（２Ａ）の場合も、支持シートにおいて、前記粘着力（Ｙ２）が１３０００ｍＮ／２５ｍｍ以上である場合には、前記加熱工程において、支持シート付き予備加工体がリングフレームに固定された状態で加熱されても、支持シート付き予備加工体のリングフレームからの剥離が抑制される。
＜加工工程＞
製造方法（２Ａ）の前記加熱工程の後、前記加工工程においては、リングフレームに固定した支持シート付き予備加工体を、支持シートの面に対して平行な方向においてエキスパンドすることにより、改質層形成済み半導体ウエハを改質層の部位において分割し、半導体チップを作製する。加工工程により、製造方法（１Ａ）の場合と同様の支持シート付き半導体チップ群が得られる。
製造方法（２Ａ）の加工工程は、製造方法（１Ａ）の加工工程と同じであってよい。
製造方法（２Ａ）の場合も、支持シートにおいて、貯蔵弾性率（Ｅ’２３１）が１．５ＭＰａ以下であることにより、前記加熱工程において、半導体ウエハが貼付された状態の支持シート（換言すると、支持シート付き予備加工体）を、１３５℃程度を上限値とする高温で加熱した後であっても、支持シートをエキスパンドしたときに、支持シート中の粘着剤層の割れが抑制される。
製造方法（２Ａ）の場合も、支持シートにおいて、ｔａｎδのピーク温度（Ｐ１）が１０℃以下である場合には、半導体ウエハが貼付された状態の支持シート（換言すると、支持シート付き予備加工体）を、１３５℃程度を上限値とする高温で加熱した後であっても、支持シートをエキスパンドしたときに、支持シート中の粘着剤層の割れがより抑制される。また、貯蔵弾性率（Ｅ’２３２）が１．５ＭＰａ以下である場合、又はｔａｎδのピーク温度（Ｐ２）が１０℃以下である場合には、半導体ウエハが貼付された状態の支持シート（換言すると、支持シート付き予備加工体）を、高温で加熱することなくエキスパンドを行う場合であっても、支持シートをエキスパンドしたときに、支持シート中の粘着剤層の割れがより抑制される。
製造方法（２Ａ）の場合も、支持シートにおいて、前記粘着力（Ｘ２）が１３０００ｍＮ／２５ｍｍ以上である場合には、半導体ウエハが貼付された状態の支持シート（換言すると、支持シート付き予備加工体）を、１３５℃程度を上限値とする高温で加熱した後であっても、加工工程において、改質層形成済み半導体ウエハ（半導体ウエハ）の分割や、半導体チップの水洗などによって、半導体チップに大きな力が加えられても、半導体チップの支持シート（粘着剤層）からの剥離が抑制される。
＜硬化工程＞
製造方法（２Ａ）の前記加熱工程及び加工工程の後、前記硬化工程は、製造方法（１Ａ）の場合と同様に行うことができ、前記硬化工程により、製造方法（１Ａ）の場合と同様の硬化済み支持シート付き半導体チップ群が得られる。
製造方法（２Ａ）の場合も、支持シートにおいて、前記粘着力（Ｙ１）が３００ｍＮ／２５ｍｍ以上である場合には、前記加熱工程において、半導体ウエハが貼付された状態の支持シート（換言すると、支持シート付き予備加工体）がリングフレームに固定された状態で加熱され、さらに、硬化工程において、支持シート（粘着剤層）のリングフレームとの接触部にエネルギー線が照射されてしまっても、硬化済み支持シート付き半導体チップ群のリングフレームからの剥離が抑制される。
＜ピックアップ工程＞
製造方法（２Ａ）の前記硬化工程の後、前記ピックアップ工程は、製造方法（１Ａ）の場合と同様に行うことができ、前記ピックアップ工程により、製造方法（１Ａ）の場合と同様の、目的とする半導体チップを取り出すことができる。
製造方法（２Ａ）の場合も、支持シートにおいて、前記粘着力（Ｘ１）が４００ｍＮ／２５ｍｍ以下であることで、前記加熱工程において、半導体ウエハが貼付された状態の支持シート（換言すると、支持シート付き予備加工体）を、１３５℃程度を上限値とする高温で加熱した後であっても、半導体チップを硬化済み支持シートから正常にピックアップでき、ピックアップ性が高い。
＜他の工程＞
製造方法（２Ａ）は、製造方法（１Ａ）の場合と同様の他の工程を有していてもよい。
製造方法（２Ａ）においても、前記他の工程の種類と、前記他の工程の数と、前記他の工程を行うタイミングは、いずれも目的に応じて任意に選択でき、特に限定されない。
◎ワーク加工物の製造方法のさらに他の例２
＜貼付工程＞
上述のワーク加工物のさらに他の製造方法のうち、予備加工工程において、前記半切断済み半導体ウエハを作製する場合の製造方法（以下、「製造方法（２Ｂ）」と称することがある）においても、まず、貼付工程を行う。製造方法（２Ｂ）の前記貼付工程は、製造方法（１Ｂ）の貼付工程と同じである。
＜予備加工工程＞
製造方法（２Ｂ）の前記貼付工程の後、前記予備加工工程においては、前記支持シート付き半導体ウエハ中の前記半導体ウエハの、その厚さ方向の一部の領域に、前記半導体ウエハを分割するための切れ込みを形成して、半切断済み半導体ウエハを作製することにより、前記半切断済み半導体ウエハと、未加熱の前記支持シートと、を備えた支持シート付き予備加工体を得る。予備加工工程より前に、加熱されていない点を除けば、製造方法（１Ｂ）の場合と同様の支持シート付き予備加工体が得られる。
製造方法（２Ｂ）の予備加工工程は、支持シート付き半導体ウエハとして、支持シート（粘着剤層）が加熱済みのものに代えて、支持シート（粘着剤層）が未加熱のものを用いる点を除けば、製造方法（１Ｂ）の予備加工工程と同じであってよい。
＜加熱工程＞
製造方法（２Ｂ）の前記予備加工工程の後、前記加熱工程においては、リングフレームに固定した前記支持シート中の前記粘着剤層を加熱する。加熱工程により、製造方法（１Ｂ）の場合と同様の支持シート付き予備加工体が得られる。
製造方法（２Ｂ）の加熱工程は、半導体ウエハに前記切れ込みが形成されていない支持シート付き半導体ウエハに代えて、半導体ウエハに前記切れ込みが形成されている支持シート付き予備加工体を用いる点を除けば、製造方法（１Ｂ）の加熱工程と同じであってよい。
製造方法（２Ｂ）の場合も、支持シートにおいて、前記粘着力（Ｙ２）が１３０００ｍＮ／２５ｍｍ以上である場合には、前記加熱工程において、支持シート付き予備加工体がリングフレームに固定された状態で加熱されても、支持シート付き予備加工体のリングフレームからの剥離が抑制される。
＜加工工程＞
製造方法（２Ｂ）の前記加熱工程の後、前記加工工程においては、リングフレームに固定した支持シート付き予備加工体を、支持シートの面に対して平行な方向においてエキスパンドすることにより、半切断済み半導体ウエハを前記切れ込みにおいて分割し、半導体チップを作製する。加工工程により、製造方法（１Ｂ）の場合と同様の支持シート付き半導体チップ群が得られる。
製造方法（２Ｂ）の加工工程は、製造方法（１Ｂ）の加工工程と同じであってよい。
製造方法（２Ｂ）の場合も、支持シートにおいて、貯蔵弾性率（Ｅ’２３１）が１．５ＭＰａ以下であることにより、前記加熱工程において、半導体ウエハが貼付された状態の支持シート（換言すると、支持シート付き予備加工体）を、１３５℃程度を上限値とする高温で加熱した後であっても、支持シートをエキスパンドしたときに、支持シート中の粘着剤層の割れが抑制される。
製造方法（２Ｂ）の場合も、支持シートにおいて、ｔａｎδのピーク温度（Ｐ１）が１０℃以下である場合には、半導体ウエハが貼付された状態の支持シート（換言すると、支持シート付き予備加工体）を、１３５℃程度を上限値とする高温で加熱した後であっても、支持シートをエキスパンドしたときに、支持シート中の粘着剤層の割れがより抑制される。また、貯蔵弾性率（Ｅ’２３２）が１．５ＭＰａ以下である場合、又はｔａｎδのピーク温度（Ｐ２）が１０℃以下である場合には、半導体ウエハが貼付された状態の支持シート（換言すると、支持シート付き予備加工体）を、１３５℃程度を上限値とする高温で加熱することなくエキスパンドを行う場合であっても、支持シートをエキスパンドしたときに、支持シート中の粘着剤層の割れがより抑制される。
製造方法（２Ｂ）の場合も、支持シートにおいて、前記粘着力（Ｘ２）が１３０００ｍＮ／２５ｍｍ以上である場合には、半導体ウエハが貼付された状態の支持シート（換言すると、支持シート付き予備加工体）を、１３５℃程度を上限値とする高温で加熱した後であっても、加工工程において、半切断済み半導体ウエハ（半導体ウエハ）の分割や、半導体チップの水洗などによって、半導体チップに大きな力が加えられても、半導体チップの支持シート（粘着剤層）からの剥離が抑制される。
＜硬化工程＞
製造方法（２Ｂ）の前記加熱工程及び加工工程の後、前記硬化工程は、製造方法（１Ｂ）の場合と同様に行うことができ、前記硬化工程により、製造方法（１Ｂ）の場合と同様の硬化済み支持シート付き半導体チップ群が得られる。
製造方法（２Ｂ）の場合も、支持シートにおいて、前記粘着力（Ｙ１）が３００ｍＮ／２５ｍｍ以上である場合には、前記加熱工程において、半導体ウエハが貼付された状態の支持シート（換言すると、支持シート付き予備加工体）がリングフレームに固定された状態で加熱され、さらに、硬化工程において、支持シート（粘着剤層）のリングフレームとの接触部にエネルギー線が照射されてしまっても、硬化済み支持シート付き半導体チップ群のリングフレームからの剥離が抑制される。
＜ピックアップ工程＞
製造方法（２Ｂ）の前記硬化工程の後、前記ピックアップ工程は、製造方法（１Ｂ）の場合と同様に行うことができ、前記ピックアップ工程により、製造方法（１Ｂ）の場合と同様の、目的とする半導体チップを取り出すことができる。
製造方法（２Ｂ）の場合も、支持シートにおいて、前記粘着力（Ｘ１）が４００ｍＮ／２５ｍｍ以下であることで、前記加熱工程において、半導体ウエハが貼付された状態の支持シート（換言すると、支持シート付き予備加工体）を、１３５℃程度を上限値とする高温で加熱した後であっても、半導体チップを硬化済み支持シートから正常にピックアップでき、ピックアップ性が高い。
＜他の工程＞
製造方法（２Ｂ）は、製造方法（１Ｂ）の場合と同様の他の工程を有していてもよい。
製造方法（２Ｂ）においても、前記他の工程の種類と、前記他の工程の数と、前記他の工程を行うタイミングは、いずれも目的に応じて任意に選択でき、特に限定されない。
◇ワーク加工物のピックアップ方法（支持シートの使用方法）
前記支持シートは、ワーク加工物のピックアップに用いることができる。
すなわち、本発明の一実施形態に係るワーク加工物のピックアップ方法は、前記支持シートと、前記支持シート中の前記粘着剤層のうち、前記基材側とは反対側の面上に、ワークの分割により作製された複数個のワーク加工物が整列して構成されたワーク加工物群と、を備えた支持シート付きワーク加工物群における前記粘着剤層を、リングフレームに貼付して、前記支持シート付きワーク加工物群を前記リングフレームに固定する貼付工程と、前記貼付工程の後に、前記リングフレームに固定した前記支持シート付きワーク加工物群を加熱する加熱工程と、前記貼付工程の後に、前記リングフレームに固定した前記支持シート付きワーク加工物群を、前記支持シートの面に対して平行な方向においてエキスパンドすることにより、前記ワーク加工物群中の互いに隣り合う前記ワーク加工物間の距離を拡大するエキスパンド工程と、前記加熱工程及びエキスパンド工程の後に、前記リングフレームに貼付した前記粘着剤層をエネルギー線硬化させる硬化工程と、前記硬化工程の後に、前記粘着剤層の硬化物から前記ワーク加工物を引き離してピックアップするピックアップ工程と、を有する。
ワークが半導体ウエハである場合のワーク加工物のピックアップ方法、すなわち半導体チップのピックアップ方法としては、前記支持シートと、前記支持シート中の前記粘着剤層のうち、前記基材側とは反対側の面上に、半導体ウエハの分割により作製された複数個の半導体チップが整列して構成された半導体チップ群と、を備えた支持シート付き半導体チップ群における前記粘着剤層を、リングフレームに貼付して、前記支持シート付き半導体チップ群を前記リングフレームに固定する貼付工程と、前記貼付工程の後に、前記リングフレームに固定した前記支持シート付き半導体チップ群を加熱する加熱工程と、前記貼付工程の後に、前記リングフレームに固定した前記支持シート付き半導体チップ群を、前記支持シートの面に対して平行な方向においてエキスパンドすることにより、前記半導体チップ群中の互いに隣り合う前記半導体チップ間の距離を拡大するエキスパンド工程と、前記加熱工程及びエキスパンド工程の後に、前記リングフレームに貼付した前記粘着剤層をエネルギー線硬化させる硬化工程と、前記硬化工程の後に、前記粘着剤層の硬化物から前記半導体チップを引き離してピックアップするピックアップ工程と、を有するピックアップ方法が挙げられる。
前記貼付工程の後、前記加熱工程及びエキスパンド工程を行う順番は、目的に応じて任意に選択でき、加熱工程を行ってからエキスパンド工程を行ってもよいし、エキスパンド工程を行ってから加熱工程を行ってもよい。例えば、前記ピックアップ方法においては、ワーク加工物群の表面に付着している低分子量の樹脂成分等の異物を、揮発によって除去するために、加熱工程を行うことができる。この場合の加熱工程は、エキスパンド工程の前後のいずれであっても、行うことができる。また、前記ピックアップ方法においては、ワーク加工物群の表面に付着している微細な異物を水によって洗浄し、除去した後に、ワーク加工物群を乾燥させるために、加熱工程を行うことができる。この場合の加熱工程も、エキスパンド工程の前後のいずれであっても、行うことができる。そして、前記製造方法においては、これら異物の除去のための加熱工程と、乾燥のための加熱工程と、をともに行ってもよく、これら加熱工程を一括で行ってもよい。
＜＜ワーク加工物のピックアップ方法の一例＞＞
図４は、ワークが半導体ウエハである（すなわち、ワーク加工物が半導体チップである）場合の前記ピックアップ方法の一例を模式的に説明するための断面図である。ここでは、図１に示す支持シート１を用いた場合のピックアップ方法について説明する。
＜貼付工程＞
前記ピックアップ方法の前記貼付工程においては、図４（ａ）に示すように、支持シート１と、支持シート１中の粘着剤層１２のうち、基材１１側とは反対側の面１２ａ上に、半導体ウエハの分割により作製された複数個の半導体チップ９０が整列して構成された半導体チップ群９０３と、を備えた支持シート付き半導体チップ群９０３を用いる。そして、支持シート１中の粘着剤層１２（より具体的には、支持シート付き半導体チップ群９０３中の粘着剤層１２の前記面１２ａ）を、リングフレーム８に貼付することにより、支持シート付き半導体チップ群９０３をリングフレーム８に固定する。なお、支持シート付き半導体チップ群９０３中の粘着剤層１２は、その半導体チップ群を取り囲む領域が、リングフレーム８に貼付される。支持シート付き半導体チップ群９０３は、前記支持シート付きワーク加工物群である。
半導体チップ９０において、回路面９０ａ上のバンプ等の図示を省略している。
支持シート付き半導体チップ群９０３中の粘着剤層１２（支持シート１）は、例えば、上述の製造方法（１Ａ）の前記貼付工程における支持シート１（粘着剤層１２）の場合と同じ方法で、リングフレーム８へ貼付できる。
支持シート付き半導体チップ群９０３は、公知の方法で製造できる。例えば、図２（ａ）又は図３（ａ）に示す半導体ウエハ９と同様の半導体ウエハを用い、その回路面（半導体ウエハ９においては、その回路面９ａ）に、バックグラインドテープ等の樹脂膜を貼付した後、半導体ウエハを分割することにより、複数個の半導体チップ９０が前記樹脂膜上で整列して保持されて構成されている、樹脂膜付き半導体チップ群を作製する。次いで、前記樹脂膜付き半導体チップ群中の、整列している状態のすべての半導体チップ９０の裏面９０ｂに、支持シート１中の粘着剤層１２を貼付する。これにより、樹脂膜を備えた支持シート付き半導体チップ群９０３が得られる。
貼付工程においては、この支持シート付き半導体チップ群９０３のうち、前記半導体チップ群（より具体的には、整列している状態のすべての半導体チップ９０の回路面９０ａ）から前記樹脂膜を取り除くとともに、粘着剤層１２の基材１１側とは反対側の面１２ａを、リングフレーム８に貼付する。これにより、図４（ａ）に示すように、支持シート付き半導体チップ群９０３をリングフレーム８に固定できる。
前記樹脂膜上の半導体ウエハは、公知の方法で分割できる。例えば、樹脂膜を設ける前の半導体ウエハの回路面から裏面へ向けて、半導体ウエハの厚さ方向の途中の領域まで、半導体ウエハに切れ込みを形成することで溝を形成する、いわゆるハーフカットを行う。次いで、溝を形成後の半導体ウエハの回路面に、前記樹脂膜を貼付し、半導体ウエハの裏面を研削し、研削面（裏面）を前記溝（切れ込み）の底部にまで到達させることで、半導体ウエハを前記切れ込みにおいて分割する。これにより、半導体ウエハが分割され、樹脂膜付き半導体チップ群が得られる。
＜加熱工程＞
前記ピックアップ方法の前記貼付工程の後、前記加熱工程においては、図４（ｂ）に示すように、リングフレーム８に固定した支持シート付き半導体チップ群９０３中の粘着剤層１２を加熱する。この場合の粘着剤層１２の加熱は、支持シート付き半導体チップ群９０３全体の加熱に伴うものであり、この加熱によって、例えば、半導体チップ９０の表面（例えば、回路面９０ａ）に付着している低分子量の樹脂成分等の異物を、揮発によって除去できる。また、この加熱によって、半導体チップ９０の表面に付着している異物を水によって洗浄し、除去した後に、半導体チップ９０（半導体チップ群）を乾燥させることができる。
前記ピックアップ方法の前記加熱工程において、粘着剤層１２（すなわち、支持シート付き半導体チップ群９０３における粘着剤層１２）は、例えば、上述の製造方法（１Ａ）の前記加熱工程における粘着剤層１２（すなわち、支持シート付き半導体ウエハ１０９における粘着剤層１２）の場合と同じ方法で、加熱できる。
支持シート１において、前記粘着力（Ｙ２）が１３０００ｍＮ／２５ｍｍ以上である場合には、前記加熱工程において、支持シート付き半導体チップ群９０３がリングフレーム８に固定された状態で加熱されても、支持シート付き半導体チップ群９０３のリングフレーム８からの剥離が抑制される。
＜エキスパンド工程＞
前記ピックアップ方法の前記貼付工程及び加熱工程の後、前記エキスパンド工程においては、図４（ｃ）に示すように、リングフレーム８に固定した支持シート付き半導体チップ群９０３を、支持シート１の面（一方の面１ａ）に対して平行な方向においてエキスパンドする。図４（ｃ）中では、このエキスパンドの方向を矢印Ｉで示している。これにより、支持シート付き半導体チップ群９０３中の互いに隣り合う半導体チップ９０間の距離（カーフ幅）を拡大する。図４（ａ）中に示す、エキスパンド工程を行う前の互いに隣り合う半導体チップ９０間の距離Ｗ１と、図４（ｃ）中に示す、エキスパンド工程を行った後の互いに隣り合う半導体チップ９０間の距離Ｗ２は、Ｗ２＞Ｗ１の関係を満たす。
支持シート付き半導体チップ群９０３をエキスパンドした場合には、必要に応じて、エキスパンドによって拡張された支持シート１に、固定用治具（例えば、テクノビジョン社製グリップリング）を装着して、支持シート１を拡張されたままで固定してもよい。また、熱収縮性（ヒートシュリンク性）を有する基材１１を用いて、支持シート１をエキスパンドした後、この基材１１の熱収縮性（ヒートシュリンク性）を利用して、支持シート１のたるみを除き、固定用治具を装着することなく、支持シート１を拡張されたままで固定してもよい。
前記ピックアップ方法の前記エキスパンド工程において、支持シート付き半導体チップ群９０３（支持シート１）は、例えば、上述の製造方法（１Ａ）の前記加工工程における支持シート付き予備加工体９１１Ａ（支持シート１）の場合と同じ方法で、エキスパンドできる。
支持シート１において、貯蔵弾性率（Ｅ’２３１）が１．５ＭＰａ以下であることにより、前記ピックアップ方法の前記加熱工程において、半導体チップ９０が貼付された状態の支持シート１（換言すると、支持シート付き半導体チップ群９０３）を、１３５℃程度を上限値とする高温で加熱した後であっても、支持シート１をエキスパンドしたときに、支持シート１中の粘着剤層１２の割れが抑制される。
支持シート１において、例えば、ｔａｎδのピーク温度（Ｐ１）が１０℃以下である場合には、半導体チップ９０が貼付された状態の支持シート１（換言すると、支持シート付き半導体チップ群９０３）を高温で加熱した後であっても、支持シート１をエキスパンドしたときに、支持シート１中の粘着剤層１２の割れがより抑制される。
支持シート１において、例えば、貯蔵弾性率（Ｅ’２３２）が１．５ＭＰａ以下である場合には、半導体チップ９０が貼付された状態の支持シート１（換言すると、支持シート付き半導体チップ群９０３）を高温で加熱しなかった場合であっても、支持シート１をエキスパンドしたときに、支持シート１中の粘着剤層１２の割れがより抑制される。
支持シート１において、例えば、ｔａｎδのピーク温度（Ｐ２）が１０℃以下である場合には、半導体チップ９０が貼付された状態の支持シート１（換言すると、支持シート付き半導体チップ群９０３）を高温で加熱しなかった場合であっても、支持シート１をエキスパンドしたときに、支持シート１中の粘着剤層１２の割れがより抑制される。
支持シート１において、前記粘着力（Ｘ２）が１３０００ｍＮ／２５ｍｍ以上である場合には、前記ピックアップ方法の前記加熱工程において、半導体チップ９０が貼付された状態の支持シート１（換言すると、支持シート付き半導体チップ群９０３）を、１３５℃程度を上限値とする高温で加熱した後であっても、エキスパンド工程において、半導体チップ９０に大きな力が加えられても、半導体チップ９０の支持シート１（粘着剤層１２）からの剥離が抑制される。
＜硬化工程＞
前記ピックアップ方法の前記加熱工程及びエキスパンド工程の後、前記硬化工程においては、図４（ｄ）に示すように、リングフレーム８に貼付した粘着剤層１２をエネルギー線硬化させる。硬化工程により、１枚の硬化済み支持シート１’上で、複数個の半導体チップ９０が整列して保持されて、構成されている、硬化済み支持シート付き半導体チップ群９０３’が得られる。
支持シート１は、粘着剤層１２がエネルギー線硬化されて、エネルギー線硬化物１２’となることによって、硬化済み支持シート１’となる。
硬化済み支持シート付き半導体チップ群９０３’ は、先に説明した、ワーク加工物と、硬化済み支持シートと、の積層物（換言すると、硬化済み支持シート付きワーク加工物）である。
前記ピックアップ方法の前記硬化工程において、粘着剤層１２は、例えば、上述の製造方法（１Ａ）の前記硬化工程における粘着剤層１２の場合と同じ方法で、エネルギー線硬化させることができる。
支持シート１において、前記粘着力（Ｙ１）が３００ｍＮ／２５ｍｍ以上である場合には、前記ピックアップ方法の前記加熱工程において、支持シート付き半導体チップ群９０３がリングフレーム８に固定された状態で加熱され、さらに、硬化工程において、支持シート１（粘着剤層１２）のリングフレーム８との接触部にエネルギー線が照射されてしまっても、硬化済み支持シート付き半導体チップ群９０３’のリングフレーム８からの剥離が抑制される。
＜ピックアップ工程＞
前記ピックアップ方法の前記硬化工程の後、前記ピックアップ工程においては、図４（ｅ）に示すように、硬化済み支持シート１’中の粘着剤層のエネルギー線硬化物１２’から、半導体チップ９０を引き離してピックアップすることにより、硬化済み支持シート付き半導体チップ群９０３’から、目的とする半導体チップ９０を取り出すことができる。ここでは、ピックアップの方向を矢印Ｐで示している。
前記ピックアップ方法の前記ピックアップ工程において、半導体チップ９０は、例えば、上述の製造方法（１Ａ）の前記ピックアップ工程における半導体チップ９０の場合と同じ方法で、粘着剤層のエネルギー線硬化物１２’からピックアップできる。このときの、粘着剤層のエネルギー線硬化物１２’からの半導体チップ９０の引き離しとピックアップの態様は、上述の製造方法（１Ａ）の前記ピックアップ工程での態様と同じである。
支持シート１において、前記粘着力（Ｘ１）が４００ｍＮ／２５ｍｍ以下であることで、前記ピックアップ方法の前記加熱工程において、半導体チップ９０が貼付された状態の支持シート１（換言すると、支持シート付き半導体チップ群９０３）を、１３５℃程度を上限値とする高温で加熱した後であっても、半導体チップ９０を硬化済み支持シート１’から正常にピックアップでき、ピックアップ性が高い。
＜他の工程＞
前記ピックアップ方法は、貼付工程と、加熱工程と、エキスパンド工程と、硬化工程と、ピックアップ工程と、のいずれにも該当しない他の工程を有していてもよい。
前記他の工程の種類と、前記他の工程の数と、前記他の工程を行うタイミングは、いずれも目的に応じて任意に選択でき、特に限定されない。
＜＜ワーク加工物のピックアップ方法の他の例＞＞
ここまでは、ワーク加工物のピックアップ方法として、貼付工程、加熱工程、エキスパンド工程、硬化工程及びピックアップ工程を、この順に行う場合のピックアップ方法について説明したが、本実施形態のワーク加工物のピックアップ方法は、これに限定されない。例えば、前記ピックアップ方法においては、加熱工程と、エキスパンド工程と、を行う順序が逆であってもよい。ただし、支持シートを高温で加熱した後であっても、支持シートをエキスパンドしたときに、支持シート中の粘着剤層の割れが抑制される、という本発明の効果が最も顕在化する点から、加熱工程を行ってからエキスパンド工程を行うことが好ましい。
以下、具体的実施例により、本発明についてより詳細に説明する。ただし、本発明は、以下に示す実施例に、何ら限定されるものではない。
＜樹脂の製造原料＞
本実施例及び比較例において略記している、樹脂の製造原料の正式名称を、以下に示す。
２ＥＨＡ：アクリル酸２－エチルへキシル
２ＥＨＭＡ：メタクリル酸２－エチルへキシル
ＨＥＡ：アクリル酸２－ヒドロキシエチル
ＨＥＭＡ：メタクリル酸２－ヒドロキシエチル
ＭＯＩ：２－メタクリロイルオキシエチルイソシアネート
＜粘着剤組成物（Ｉ）の製造原料＞
本実施例及び比較例において、粘着剤組成物（Ｉ）の製造時に用いた製造原料を、以下に示す。
４種の架橋剤（β）の２３℃での粘度は、ビスコテック社製デジタル回転式粘度計「ビスコリード・アドバンス」を用いて測定した。
［エネルギー線硬化性化合物（α）］
（α）－１：２－（２－フェノキシエトキシ）エチルアクリレート、新中村化学工業社製「ＡＭＰ－２０ＧＹ」、２３℃での粘度１８ｍＰａ・ｓ、分子量２３６．１
（α）－２：日本化薬社製「Ｒ－６８４」、２３℃での粘度１８０ｍＰａ・ｓ、分子量３０４．４）
（α）－３：（２－（１－（アクリロイルオキシ）－２－メチルプロパン－２－イル）－５－エチル－１，３－ジオキサン－５－イル）メチルアクリレート、新中村化学工業社製「Ａ－ＤＯＧ」、２３℃での粘度３１０ｍＰａ・ｓ、分子量３２６．４）
［架橋剤（β）］
（β）－１：１，６－ヘキサメチレンジイソシアネートの トリメチロールプロパンアダクト体（東ソー社製「コロネートＨＬ」）
（β）－２：ヘキサメチレンジイソシアネートのイソシアヌレート変性体（東ソー社製「コロネートＨＸ」）
［光重合開始剤（γ）］
（γ）－１：２－ヒドロキシ－１－（４－（４－（２－ヒドロキシ－２－メチルプロピオニル）ベンジル）フェニル）－２－メチルプロパン－１－オン（ＩＧＭ Ｒｅｓｉｎｓ社製「オムニラッド（登録商標） １２７」）
Figure 2023144839000002
なお、エネルギー線硬化性化合物（α）－１及び（α）－３は、いずれも、置換基を有するアクリル酸エステルである。エネルギー線硬化性化合物（α）－１において、アルコールに由来する炭化水素基が有する置換基の数は２であり、前記炭化水素基の炭素数は１２である。エネルギー線硬化性化合物（α）－３において、アルコールに由来する炭化水素基が有する置換基の数は２であり、前記炭化水素基の炭素数は１３である。
一方、エネルギー線硬化性化合物（α）－２は、置換基を有しないアクリル酸エステルである。エネルギー線硬化性化合物（α）－２において、アルコールに由来する炭化水素基の炭素数は１２である。
［実施例１］
＜＜支持シートの製造＞＞
＜エネルギー線硬化性アクリル樹脂（Ｉａ）の製造＞
アクリル重合体（１）にＭＯＩを加え、空気気流中において５０℃で４８時間付加反応を行うことで、エネルギー線硬化性アクリル樹脂（Ｉａ）－１を得た。前記アクリル重合体（１）は、２ＥＨＡ（３５質量部）と、２ＥＨＭＡ（４５質量部）と、ＨＥＭＡ（２０質量部）と、の共重合体である。ＭＯＩの使用量は、前記アクリル重合体（１）中のＨＥＭＡ由来の水酸基の総モル数に対して、ＭＯＩ中のイソシアネート基の総モル数が、０．９５倍となる量とした。得られたエネルギー線硬化性アクリル樹脂（Ｉａ）－１の重量平均分子量は４４００００であり、ガラス転移温度は－２６℃である。
＜粘着剤組成物（Ｉ）の製造＞
エネルギー線硬化性アクリル樹脂（Ｉａ）－１（１００質量部）、エネルギー線硬化性化合物（α）－１（１５質量部）、架橋剤（β）－１（１．１７質量部）、及び光重合開始剤（γ）－１（３質量部）を含有し、さらに溶媒としてメチルエチルケトンを含有しており、溶媒以外のすべての成分の合計濃度が２５質量％である、エネルギー線硬化性の粘着剤組成物（Ｉ）－１を調製した。なお、ここに示すメチルエチルケトン以外の成分の含有量はすべて、溶媒を含まない目的物の含有量である。
＜粘着剤層の形成＞
ポリエチレンテレフタレート製フィルムの片面がシリコーン処理により剥離処理された剥離フィルム（第２剥離フィルム）を用い、その前記剥離処理面に、上記で得られた粘着剤組成物（Ｉ）－１を塗工し、１００℃で２分加熱乾燥させることにより、厚さ１５μｍのエネルギー線硬化性の粘着剤層を形成し、剥離フィルム付き粘着剤層とした。
＜支持シートの製造＞
次いで、常温下で、この粘着剤層の露出面に、基材としてポリプロピレン製フィルム（ダイヤプラスフィルム社製、厚さ８０μｍ）を、貼付速度を５ｍ／ｍｉｎとし、０．４ＭＰａの圧力を加えて貼り合わせた。このポリプロピレン製フィルムの一方の面は、その表面粗さ（Ｒａ）が０．９０μｍのマット面であり、他方の面は、その表面粗さ（Ｒａ）が０．１２μｍの微マット面であって、このポリプロピレン製フィルムの前記マット面に、前記粘着剤層を貼り合わせた。
以上により、目的とする支持シートを得た。
＜＜支持シートの評価＞＞
＜加熱後の支持シートのエキスパンド時における粘着剤層の割れの抑制効果の評価＞
（シリコンチップの製造）
一方の面が＃２０００研磨された８インチシリコンウエハ（厚さ３００μｍ）を用意した。上記で得られた支持シート中の粘着剤層のうち、その幅方向における中央寄りの領域を、このシリコンウエハに貼付し、このシリコンウエハへの貼付領域を取り囲む領域を、リングフレームに貼付した。このときの、粘着剤層のシリコンウエハ及びリングフレームへの貼付は、２３℃の貼付温度条件（ラミネートローラーの温度２３℃、シリコンウエハの温度２３℃）で、貼付速度を３００ｍｍ／ｍｉｎとして行った。これにより、シリコンウエハと、前記シリコンウエハの一方の面に設けられた支持シートと、を備えた支持シート付きシリコンウエハを、リングフレームに固定した（貼付工程）。
次いで、リングフレームに固定した支持シート付きシリコンウエハを、オーブンの内部に入れて、１３０℃で２時間加熱した（加熱工程）。
次いで、オーブンから、リングフレームに固定した支持シート付きシリコンウエハを取り出し、放冷によりその温度が２３℃になるまで冷却した。そしてレーザーソー（ディスコ社製「ＤＦＬ７３６０」）を用いて、シリコンウエハに対して、その支持シート側とは反対側の外部から、波長１０６４ｎｍのレーザー光を照射することにより、シリコンウエハの内部に、６ｍｍ×６ｍｍの大きさの網目状の改質層を形成した（予備加工工程）。
次いで、ダイセパレータ（ディスコ社製「ＤＤＳ２３００」）を用いて、２３℃の温度条件下で、テーブル突き上げ速度２００ｍｍ／ｓ、テーブル突き上げ高さ１５ｍｍ、テーブル突き上げ保持（エキスパンド）時間１分間の条件で、支持シート付きシリコンウエハを支持シート側から突き上げることで、シリコンウエハ及び支持シートの表面に対して平行な方向に、支持シート付きシリコンウエハをエキスパンドし、支持シート上の改質層形成済みシリコンウエハを、その改質層の部位において分割することによって、大きさが６ｍｍ×６ｍｍのシリコンチップを複数個作製した（加工工程）。
以上により、１枚の支持シート上で複数個のシリコンチップが整列して保持されている、支持シート付きシリコンチップ群を作製した。
（粘着剤層の割れの抑制効果の評価）
この支持シート付きシリコンチップ群のうち、そのシリコンチップ群の中心を含む中央領域と、シリコンチップ群における前記中心から等距離にある周縁部近傍の４箇所の周縁領域と、の合計で５箇所の領域を観察領域として定めた。なお、１箇所の前記周縁領域と、この周辺領域からの距離が最も遠いもう１箇所の周縁領域と、を線分で結び、残りの２箇所の周縁領域同士を線分で結んだときに、これら２本の線分が共に前記中心を通り、かつ、これら２本の線分が直交するように、４箇所の前記周縁領域の位置を設定した。光学顕微鏡（ＫＥＹＥＮＣＥ社製「ＶＨＸ－７０００」）を用いて、粘着剤層の割れの有無を観察し、下記基準に従って、粘着剤層の割れの抑制効果を評価した。前記５箇所の観察領域は、いずれも、その大きさが約３６ｍｍ×約３６ｍｍであり、互いに直交する２方向においてそれぞれ、６個のシリコンチップを含んでおり、これらシリコンチップ間の粘着剤層の露出面、換言すると、互いに直交する２方向における５本ずつの粘着剤層のライン、を有している。ここでは、これら粘着剤層の露出面（粘着剤層のライン）において、前記光学顕微鏡を用いて、粘着剤層の割れの有無を観察した。結果を表１に示す。
（評価基準）
Ａ：５箇所の領域すべてで、粘着剤層の割れが認められない。
Ｂ：５箇所の領域の少なくとも１箇所で、粘着剤層の割れが認められる。
＜粘着剤層の第２試験片の貯蔵弾性率（Ｅ’２３１）の測定＞
上記で得られた１４枚の剥離フィルム付き粘着剤層（粘着剤層は第１試験片に相当）を１３０℃で２時間加熱し、放冷によりその温度が２３℃になるまで冷却した。次いで、これら加熱後の剥離フィルム付き粘着剤層を用いて、これらの剥離フィルムを取り除きながら、加熱後の粘着剤層の露出面同士を順次貼り合わせていくことにより、厚さが２１０μｍの積層物を作製した。さらに、前記積層物から幅が４ｍｍの切片を切り出し、これを第２試験片とした。
次いで、動的粘弾性自動測定装置（エー・アンド・ディー社製「レオバイブロンＤＤＶ－０１ＦＰ」）を用いて、引張法（引張モード）により、チャック間距離２０ｍｍ、周波数１１Ｈｚ、昇温速度３℃／ｍｉｎ、等速昇温の測定条件で、－２０℃から１５０℃までの温度域において、前記第２試験片の貯蔵弾性率Ｅ’を測定した。そのうち、貯蔵弾性率（Ｅ’２３１）を表１に示す。
＜粘着剤層の第２試験片のｔａｎδのピーク温度（Ｐ１）の測定＞
上記の第２試験片の貯蔵弾性率（Ｅ’２３１）の測定時に、第２試験片のｔａｎδのピーク温度（Ｐ１）を測定した。結果を表１に示す。
＜粘着剤層の第３試験片の貯蔵弾性率（Ｅ’２３２）の測定＞
上記で得られた１４枚の剥離フィルム付き粘着剤層（粘着剤層は第１試験片に相当）を用いて、これらの剥離フィルムを取り除きながら、未加熱の粘着剤層の露出面同士を順次貼り合わせていくことにより、厚さが２１０μｍの第３試験片を作製した。
以下、前記第２試験片に代えて、この第３試験片を用いた点以外は、貯蔵弾性率（Ｅ’２３１）の場合と同じ方法で、前記第３試験片の貯蔵弾性率Ｅ’を測定した。そのうち、貯蔵弾性率（Ｅ’２３２）を表１に示す。
＜粘着剤層の第２試験片のｔａｎδのピーク温度（Ｐ２）の測定＞
上記の第２試験片の貯蔵弾性率（Ｅ’２３２）の測定時に、第２試験片のｔａｎδのピーク温度（Ｐ２）を測定した。結果を表１に示す。
＜加熱後の粘着剤層のエネルギー線硬化物とシリコンミラーウエハとの間の粘着力（Ｘ１）の測定＞
上記で得られた支持シートから、幅が２５ｍｍの試験片を切り出した。
２３℃の貼付温度条件（ラミネートローラーの温度２３℃、シリコンミラーウエハの温度２３℃）で、貼付速度を３００ｍｍ／ｍｉｎとし、貼付圧力を０．３ＭＰａとして、この試験片をその中の粘着剤層によって、シリコンミラーウエハ（厚さ６５０ｎｍ）のミラー面に貼付し、試験片付きシリコンミラーウエハを得た。この試験片付きシリコンミラーウエハを、１３０℃に温度調節したオーブンの内部に入れて、この温度（１３０℃）で２時間加熱した。
次いで、オーブンから試験片付きシリコンミラーウエハを取り出し、放冷によりその温度が２３℃になるまで冷却した。そして、紫外線照射装置（リンテック社製「ＲＡＤ－２０００ＵＶ」）を用いて、照度２３０ｍＷ／ｃｍ２、光量２００ｍＪ／ｃｍ２の条件で、この取り出した試験片付きシリコンミラーウエハ中の粘着剤層に対して、基材越しに紫外線を照射することで、試験片中の粘着剤層を紫外線硬化させた。
次いで、２３℃の環境下で、剥離速度を３００ｍｍ／ｍｉｎとして、シリコンミラーウエハから前記試験片を剥離した。このとき、シリコンミラーウエハの前記試験片が貼付されていた面と、前記試験片のシリコンミラーウエハが貼付されていた面と、が１８０°の角度を為すように、前記試験片をその長さ方向へ剥離した（１８０°剥離を行った）。そして、この１８０°剥離のときの荷重（剥離力）を測定し、測定の長さを５０ｍｍとして、最初の長さ５ｍｍ分での測定値と、最後の長さ５ｍｍ分での測定値を、有効値から除外した。そして、その測定値の平均値を粘着力（ｍＮ／２５ｍｍ）として採用した。
このような、粘着力の測定を２回行い、その時の平均値を、加熱後の粘着剤層のエネルギー線硬化物とシリコンミラーウエハとの間の粘着力（Ｘ１）（ｍＮ／２５ｍｍ）として採用した。結果を表１に示す。
＜加熱後の粘着剤層とシリコンミラーウエハとの間の粘着力（Ｘ２）の測定＞
上記の粘着力（Ｘ１）の測定時と同じ方法で、試験片付きシリコンミラーウエハを作製し、１３０℃で２時間加熱し、放冷によりその温度が２３℃になるまで冷却した。
次いで、２３℃の環境下で、剥離速度を３００ｍｍ／ｍｉｎとして、この冷却後のシリコンミラーウエハから前記試験片を剥離した。このとき、シリコンミラーウエハの前記試験片が貼付されていた面と、前記試験片のシリコンミラーウエハが貼付されていた面と、が１８０°の角度を為すように、前記試験片をその長さ方向へ剥離した（１８０°剥離を行った）。そして、この１８０°剥離のときの荷重（剥離力）を測定し、測定の長さを５０ｍｍとして、最初の長さ５ｍｍ分での測定値と、最後の長さ５ｍｍ分での測定値を、有効値から除外した。そして、その測定値の平均値を粘着力（ｍＮ／２５ｍｍ）として採用した。
このような、粘着力の測定を２回行い、その時の平均値を、加熱後の粘着剤層とシリコンミラーウエハとの間の粘着力（Ｘ２）（ｍＮ／２５ｍｍ）として採用した。結果を表１に示す。
＜加熱後の粘着剤層のエネルギー線硬化物とＳＵＳ板との間の粘着力（Ｙ１）の測定＞
試験片の貼付を、前記シリコンミラーウエハのミラー面に代えて、ＳＵＳ板（パルテック社製「ＳＵＳ３０４ ♯１２００ＨＬ、厚さ１０００μｍ、サイズ７０ｍｍ×１５０ｍｍ」）の♯１２００研磨された面に対して行った点以外は、上記の粘着力（Ｘ１）の測定時と同じ方法で、試験片付きＳＵＳ板を得た。
次いで、この試験片付きＳＵＳ板について、上記の粘着力（Ｘ１）の測定時の試験片付きシリコンミラーウエハの場合と同じ方法で、１３０℃で２時間加熱し、放冷によりその温度が２３℃になるまで冷却し、試験片付きＳＵＳ板中の粘着剤層に対して、基材越しに紫外線を照射することで、試験片中の粘着剤層を紫外線硬化させた。
次いで、２３℃の環境下で、剥離速度を３００ｍｍ／ｍｉｎとして、ＳＵＳ板から前記試験片を剥離した。このとき、ＳＵＳ板の前記試験片が貼付されていた面と、前記試験片のＳＵＳ板が貼付されていた面と、が１８０°の角度を為すように、前記試験片をその長さ方向へ剥離した（１８０°剥離を行った）。そして、この１８０°剥離のときの荷重（剥離力）を測定し、測定の長さを５０ｍｍとして、最初の長さ５ｍｍ分での測定値と、最後の長さ５ｍｍ分での測定値を、有効値から除外した。そして、その測定値の平均値を粘着力（ｍＮ／２５ｍｍ）として採用した。
このような、粘着力の測定を２回行い、その時の平均値を、加熱後の粘着剤層のエネルギー線硬化物とＳＵＳ板との間の粘着力（Ｙ１）（ｍＮ／２５ｍｍ）として採用した。結果を表１に示す。
＜加熱後の粘着剤層とＳＵＳ板との間の粘着力（Ｙ２）の測定＞
上記の粘着力（Ｙ１）の測定時と同じ方法で、試験片付きＳＵＳ板を作製し、１３０℃で２時間加熱し、放冷によりその温度が２３℃になるまで冷却した。
次いで、２３℃の環境下で、剥離速度を３００ｍｍ／ｍｉｎとして、この冷却後のＳＵＳ板から前記試験片を剥離した。このとき、ＳＵＳ板の前記試験片が貼付されていた面と、前記試験片のＳＵＳ板が貼付されていた面と、が１８０°の角度を為すように、前記試験片をその長さ方向へ剥離した（１８０°剥離を行った）。そして、この１８０°剥離のときの荷重（剥離力）を測定し、測定の長さを５０ｍｍとして、最初の長さ５ｍｍ分での測定値と、最後の長さ５ｍｍ分での測定値を、有効値から除外した。そして、その測定値の平均値を粘着力（ｍＮ／２５ｍｍ）として採用した。
このような、粘着力の測定を２回行い、その時の平均値を、加熱後の粘着剤層とＳＵＳ板との間の粘着力（Ｙ２）（ｍＮ／２５ｍｍ）として採用した。結果を表１に示す。
＜支持シートの光透過率（４００～８００ｎｍ）の平均値の算出＞
ＵＶ－ｖｉｓ測定装置（島津製作所社製「ＵＶ－ｖｉｓ―ＮＩＲ３６００」）を用いて、上記で得られた支持シートに対して、その基材側の外部から光を照射し、積分球を使用せずに、直接受光により、光線透過率を測定した。このときの測定の波長範囲は、１９０～２０００ｎｍとした。そして、可視光領域の４００～８００ｎｍの波長範囲で、１ｎｍごとに光透過率の値を合算し、その合計値を、合算した光透過率の値の数（すなわち、８００－４００＋１＝４０１）で除することにより、支持シートの光透過率（４００～８００ｎｍ）の平均値（％）を算出した。結果を表１に示す。
＜支持シートのシリコンチップのピックアップ性の評価＞
（支持シート付きシリコンチップ群の製造）
シリコンチップの大きさを、６ｍｍ×６ｍｍに代えて３ｍｍ×３ｍｍとした点以外は、上記の「粘着剤層の割れの抑制効果の評価」時と同じ方法で、大きさが３ｍｍ×３ｍｍの複数個のシリコンチップが、１枚の支持シート上で整列して保持されている、支持シート付きシリコンチップ群を作製した。
（支持シートのシリコンチップのピックアップ性の評価）
次いで、紫外線照射装置（リンテック社製「ＲＡＤ－２０００ＵＶ」）を用いて、この支持シート付きシリコンチップ群中の粘着剤層に対して、その基材側の外部から基材越しに、照度２３０ｍＷ／ｃｍ２、光量２００ｍＪ／ｃｍ２の条件で紫外線を照射することで、リングフレームに貼付した粘着剤層を紫外線硬化させた（硬化工程）。
次いで、ピックアップ・ダイボンディング装置（キャノンマシナリー社製「ＢＥＳＴＥＭ Ｄ－５１０」）を用いて、硬化済み支持シート付きシリコンチップ群のシリコンチップを、下記のピックアップ条件で、粘着剤層の硬化物から引き離してピックアップした（ピックアップ工程）。このピックアップは、硬化済み支持シート付きシリコンチップ群のシリコンチップのうち、ダイシング前のシリコンウエハにおける中心とその近傍の領域から分割された、直交する２方向における１０列分の領域の、合計で１００個のシリコンチップに対して行い、１個のシリコンチップを、支持シート側から１本のピンによって突き上げる方式で行った。そして、下記基準に従って、支持シートのピックアップ性を評価した。結果を表１に示す。
（ピックアップ条件）
突き上げ速度：５ｍｍ／ｓ
エキスパンド量：４ｍｍ
ピン先端部の曲率半径：０．７５ｍｍ
（評価基準）
Ａ：すべて（１００個）のシリコンチップを正常にピックアップできた。
Ｂ：１～４個のシリコンチップを正常にピックアップできなかったが、他のすべて（９６～９９個）のシリコンチップを正常にピックアップできた。
Ｃ：５個以上のシリコンチップを正常にピックアップできなかった。
［実施例２］
＜＜支持シートの製造及び評価＞＞
エネルギー線硬化性化合物（α）－１（１５質量部）に代わりエネルギー線硬化性化合物（α）－３（１０質量部）を含有する点と、架橋剤（β）－１の含有量が１．１７質量部に代わり１．３３質量部である点、以外は、実施例１の場合と同じ組成である、エネルギー線硬化性の粘着剤組成物（Ｉ）－２を調製した。そして、粘着剤組成物（Ｉ）－１に代えてこの粘着剤組成物（Ｉ）－２を用いた点以外は、実施例１の場合と同じ方法で、支持シートを製造し、評価した。結果を表１に示す。
［実施例３］
＜＜支持シートの製造及び評価＞＞
エネルギー線硬化性化合物（α）－１（１５質量部）に代わりエネルギー線硬化性化合物（α）－２（１０質量部）を含有する点と、架橋剤（β）－１の含有量が１．１７質量部に代わり１．３３質量部である点、以外は、実施例１の場合と同じ組成である、エネルギー線硬化性の粘着剤組成物（Ｉ）－３を調製した。そして、粘着剤組成物（Ｉ）－１に代えてこの粘着剤組成物（Ｉ）－３を用いた点以外は、実施例１の場合と同じ方法で、支持シートを製造し、評価した。結果を表１に示す。
［実施例４］
＜＜支持シートの製造＞＞
＜エネルギー線硬化性アクリル樹脂（Ｉａ）の製造＞
前記アクリル重合体（１）にＭＯＩを加え、空気気流中において５０℃で４８時間付加反応を行うことで、エネルギー線硬化性アクリル樹脂（Ｉａ）－２を得た。ＭＯＩの使用量は、前記アクリル重合体（１）中のＨＥＭＡ由来の水酸基の総モル数に対して、ＭＯＩ中のイソシアネート基の総モル数が、０．７８５倍となる量とした。得られたエネルギー線硬化性アクリル樹脂（Ｉａ）－２の重量平均分子量は５０００００であり、ガラス転移温度は－２６℃であった。
＜粘着剤組成物（Ｉ）の製造＞
エネルギー線硬化性アクリル樹脂（Ｉａ）－２（１００質量部）、エネルギー線硬化性化合物（α）－１（２５質量部）、架橋剤（β）－２（４．１２質量部）、及び光重合開始剤（γ）－１（３質量部）を含有し、さらに溶媒としてメチルエチルケトンを含有しており、溶媒以外のすべての成分の合計濃度が２５質量％である、エネルギー線硬化性の粘着剤組成物（Ｉ）－４を調製した。なお、ここに示すメチルエチルケトン以外の成分の含有量はすべて、溶媒を含まない目的物の含有量である。
＜支持シートの製造＞
粘着剤組成物（Ｉ）－１に代えてこの粘着剤組成物（Ｉ）－４を用いた点以外は、実施例１の場合と同じ方法で、支持シートを製造した。
＜＜支持シートの評価＞＞
上記で得られた支持シートについて、実施例１の場合と同じ方法で評価した。結果を表１に示す。
［比較例１］
＜＜支持シートの製造＞＞
＜粘着剤組成物の製造＞
エネルギー線硬化性アクリル樹脂（Ｉａ）－１（１００質量部）、架橋剤（β）－１（０．５３質量部）、及び光重合開始剤（γ）－１（３質量部）を含有し、さらに溶媒としてメチルエチルケトンを含有しており、溶媒以外のすべての成分の合計濃度が２５質量％である、エネルギー線硬化性の粘着剤組成物（Ｒ）－１を調製した。なお、ここに示すメチルエチルケトン以外の成分の含有量はすべて、溶媒を含まない目的物の含有量である。
＜支持シートの製造＞
粘着剤組成物（Ｉ）－１に代えてこの粘着剤組成物（Ｒ）－１を用いた点以外は、実施例１の場合と同じ方法で、支持シートを製造した。
＜＜支持シートの評価＞＞
上記で得られた支持シートについて、実施例１の場合と同じ方法で評価した。結果を表１に示す。
［比較例２］
＜＜支持シートの製造＞＞
＜エネルギー線硬化性アクリル樹脂（Ｉａ）の製造＞
アクリル重合体（２）にＭＯＩを加え、空気気流中において５０℃で４８時間付加反応を行うことで、エネルギー線硬化性アクリル樹脂（Ｉａ）－３を得た。前記アクリル重合体（２）は、２ＥＨＡ（３５質量部）と、２ＥＨＭＡ（４５質量部）と、ＨＥＡ（２０質量部）と、の共重合体である。ＭＯＩの使用量は、前記アクリル重合体（２）中のＨＥＡ由来の水酸基の総モル数に対して、ＭＯＩ中のイソシアネート基の総モル数が、０．７倍となる量とした。得られたエネルギー線硬化性アクリル樹脂（Ｉａ）－３の重量平均分子量は８８００００であり、ガラス転移温度は－３５℃であった。
＜粘着剤組成物の製造＞
エネルギー線硬化性アクリル樹脂（Ｉａ）－３（１００質量部）、架橋剤（β）－１（９．２６質量部）、及び光重合開始剤（γ）－１（３質量部）を含有し、さらに溶媒としてメチルエチルケトンを含有しており、溶媒以外のすべての成分の合計濃度が２５質量％である、エネルギー線硬化性の粘着剤組成物（Ｒ）－２を調製した。なお、ここに示すメチルエチルケトン以外の成分の含有量はすべて、溶媒を含まない目的物の含有量である。
＜支持シートの製造＞
粘着剤組成物（Ｉ）－１に代えてこの粘着剤組成物（Ｒ）－２を用いた点以外は、実施例１の場合と同じ方法で、支持シートを製造した。
＜＜支持シートの評価＞＞
上記で得られた支持シートについて、実施例１の場合と同じ方法で評価した。結果を表１に示す。
Figure 2023144839000003
上記結果から明らかなように、実施例１～４では、貯蔵弾性率（Ｅ’２３１）が１ＭＰａ以下であり、シリコンウエハが貼付された状態の支持シートを１３０℃で２時間加熱した後であっても、支持シートをエキスパンドしたときに、支持シート中の粘着剤層の割れが抑制されていた。特に、実施例１及び４では、貯蔵弾性率（Ｅ’２３１）が０．７６ＭＰａ以下であり、粘着剤層の割れが抑制されるために、特に優れた特性を有していた。
実施例１～４では、ｔａｎδのピーク温度（Ｐ１）が１１．６℃以下であり、なかでも実施例１及び４では、ｔａｎδのピーク温度が１．３℃以下であった。
また、実施例１～４では、粘着力（Ｘ１）が３５０ｍＮ／２５ｍｍ以下であり、シリコンミラーウエハが貼付された状態の支持シートを１３０℃で２時間加熱した後であっても、シリコンチップを概ねすべて正常にピックアップでき、ピックアップ性が高かった。特に、実施例１～３では、粘着力（Ｘ１）が２００ｍＮ／２５ｍｍ以下であり、ピックアップ性がより高かった。
このように、実施例１～４の支持シートは、目的とする特性を有していた。
実施例１～４では、粘着剤組成物（Ｉ）がエネルギー線硬化性アクリル樹脂（Ｉａ）とエネルギー線硬化性化合物（α）を含有しており、上記のような特性を容易に達成できたと推測された。特に、エネルギー線硬化性化合物（α）が特定範囲の構造を有していることで、上記のような特性を、さらに、容易に達成できたと推測された。
さらに、実施例１～４では、貯蔵弾性率（Ｅ’２３２）が１．０１ＭＰａ以下であり、シリコンウエハが貼付された状態の支持シートを加熱せずにエキスパンドしたときにも、支持シート中の粘着剤層の割れが抑制可能であると推測された。
実施例１～４では、ｔａｎδのピーク温度（Ｐ２）が１０．７℃以下であり、なかでも実施例１及び４では、ｔａｎδのピーク温度が０．１℃以下であった。
さらに、実施例１～３では、粘着力（Ｙ２）が１５６００ｍＮ／２５ｍｍ以上であり、十分に大きく、リングフレームに固定した支持シート付きシリコンウエハを高温で加熱しても、支持シート付きシリコンウエハのリングフレームからの剥離を抑制できた。
さらに、実施例１～３では、粘着力（Ｘ２）が１５０００ｍＮ／２５ｍｍ以上であり、十分に大きく、支持シート付きシリコンウエハを高温で加熱した後、シリコンウエハの分割や、分割後のシリコンチップの水洗などによって、シリコンチップに大きな力が加えられても、シリコンチップの支持シートからの剥離が抑制された。
特に、実施例１～２では、粘着力（Ｙ１）が４７０ｍＮ／２５ｍｍ以上であり、顕著に大きかった。実施例１～２の支持シートは、支持シート付きシリコンウエハの状態でリングフレームに固定され、加熱された後、仮に支持シート（粘着剤層）のリングフレームとの接触部にエネルギー線が照射されてしまっても、硬化済み支持シート付きシリコンチップ群のリングフレームからの剥離を抑制可能であると推測された。
さらに、実施例１～４では、支持シートの光透過率（４００～８００ｎｍ）の平均値が８０．１％以上であり、十分に高く、基材のマット面の粘着剤層による埋め込み性が高いことを示していた。
このように、実施例１～３の支持シートは、目的外の特性にも優れており、より好ましかった。
これに対して、比較例１～２では、貯蔵弾性率（Ｅ’２３１）が２．４７ＭＰａ以上であり、シリコンウエハが貼付された状態の支持シートを１３０℃で２時間加熱した後、支持シートをエキスパンドしたときに、支持シート中の粘着剤層の割れが抑制されていなかった。
比較例１～２では、エネルギー線硬化性化合物（α）が不使用であった。さらに、比較例１では、ｔａｎδのピーク温度（Ｐ１）が２０．４℃であった。
加えて、比較例２では、粘着力（Ｘ１）が大きく、シリコンミラーウエハが貼付された状態の支持シートを１３０℃で２時間加熱した後、シリコンチップを正常にピックアップできず、ピックアップ性が低かった。
さらに、比較例１では、ｔａｎδのピーク温度（Ｐ２）が２０．３℃であり、シリコンウエハが貼付された状態の支持シートを加熱せずにエキスパンドしたときにも、支持シート中の粘着剤層の割れが抑制されないと推測された。
さらに、比較例１では、粘着力（Ｙ１）及び粘着力（Ｙ２）も不十分であり、この支持シートは、支持シート付きシリコンウエハ、硬化済み支持シート付きシリコンチップ群のいずれの状態でも、リングフレームからの剥離を抑制する効果も、不十分であると推測された。
さらに、比較例２では、粘着力（Ｘ２）が小さく、支持シート付きシリコンウエハを高温で加熱した後、シリコンミラーウエハの分割や、分割後のシリコンチップの水洗などによって、シリコンチップに大きな力が加えられたときの、シリコンチップの支持シートからの剥離を抑制する効果が低いと推測された。
さらに、比較例１～２では、支持シートの光透過率（４００～８００ｎｍ）の平均値が７９．１％以下であり、不十分であり、基材のマット面の粘着剤層による埋め込み性が低いと推測された。
本発明は、半導体チップ等のワーク加工物の製造に利用可能である。
１・・・支持シート、１ａ・・・支持シートの一方の面（粘着剤層側の面）、１１・・・基材、１１ａ・・・基材の一方の面、１２・・・粘着剤層、１２ａ・・・粘着剤層の基材側とは反対側の面、１２’・・・エネルギー線硬化物、８・・・リングフレーム、９・・・半導体ウエハ、９ｄ・・・改質層、９ｅ・・・切れ込み、９１・・・改質層形成済み半導体ウエハ、９１１Ａ・・・支持シート付き予備加工体、９２・・・半切断済み半導体ウエハ、９１１Ｂ・・・支持シート付き予備加工体、９０・・・半導体チップ、９０３・・・支持シート付き半導体チップ群、１０９・・・支持シート付き半導体ウエハ、Ｉ・・・エキスパンドの方向、Ｗ１・・・エキスパンド工程を行う前の互いに隣り合う半導体チップ間の距離、Ｗ２・・・エキスパンド工程を行った後の互いに隣り合う半導体チップ間の距離

Claims (8)

  1. 支持シートであって、
    前記支持シートは、基材と、前記基材の一方の面上に設けられた粘着剤層と、を備え、
    前記粘着剤層がエネルギー線硬化性であり、
    厚さが２００μｍ未満の、複数枚の前記粘着剤層の第１試験片を、１３０℃で加熱し、加熱後の複数枚の前記第１試験片を積層することで、厚さが２００±２０μｍの第２試験片を作製し、前記第２試験片を、引張モードにより、周波数１１Ｈｚ、昇温速度３℃／ｍｉｎ、等速昇温の条件で、－２０℃から１５０℃まで前記第２試験片を昇温しながら、前記第２試験片の貯蔵弾性率Ｅ’を測定したとき、前記第２試験片の温度が２３℃である場合の前記貯蔵弾性率（Ｅ’２３１）が１．５ＭＰａ以下であり、
    前記支持シートを、前記粘着剤層によってシリコンミラーウエハのミラー面に貼付し、貼付後の前記粘着剤層を１３０℃で加熱し、加熱後の前記粘着剤層をエネルギー線硬化させ、前記粘着剤層のエネルギー線硬化物と、前記シリコンミラーウエハと、の間の粘着力（Ｘ１）を測定したとき、前記粘着力（Ｘ１）が４００ｍＮ／２５ｍｍ以下である、支持シート。
  2. 前記粘着剤層が、エネルギー線硬化性化合物と、エネルギー線硬化性アクリル樹脂と、を含有する、請求項１に記載の支持シート。
  3. 前記支持シートを、前記粘着剤層によってステンレス鋼板の表面に貼付し、貼付後の前記粘着剤層を１３０℃で加熱し、加熱後の前記粘着剤層と、前記ステンレス鋼板と、の間の粘着力（Ｙ２）を測定したとき、前記粘着力（Ｙ２）が１３０００ｍＮ／２５ｍｍ以上である、請求項１又は２に記載の支持シート。
  4. 前記支持シートを、前記粘着剤層によってステンレス鋼板の表面に貼付し、貼付後の前記粘着剤層を１３０℃で加熱し、加熱後の前記粘着剤層をエネルギー線硬化させ、前記粘着剤層のエネルギー線硬化物と、前記ステンレス鋼板と、の間の粘着力（Ｙ１）を測定したとき、前記粘着力（Ｙ１）が３００ｍＮ／２５ｍｍ以上である、請求項１～３のいずれか一項に記載の支持シート。
  5. 前記第２試験片を、引張モードにより、周波数１１Ｈｚ、昇温速度３℃／ｍｉｎ、等速昇温の条件で、－２０℃から１５０℃まで前記第２試験片を昇温しながら、前記第２試験片のｔａｎδを測定したとき、前記ｔａｎδのピークを示す温度（Ｐ１）が１０℃以下である、請求項１～４のいずれか一項に記載の支持シート。
  6. 前記支持シートを、前記粘着剤層によってシリコンミラーウエハのミラー面に貼付し、貼付後の前記粘着剤層を１３０℃で加熱し、加熱後の前記粘着剤層と、前記シリコンミラーウエハと、の間の粘着力（Ｘ２）を測定したとき、前記粘着力（Ｘ２）が１３０００ｍＮ／２５ｍｍ以上である、請求項１～５のいずれか一項に記載の支持シート。
  7. ワーク加工物の製造方法であって、
    前記製造方法は、請求項１～６のいずれか一項に記載の支持シート中の前記粘着剤層を、ワークとリングフレームに貼付することにより、前記ワークと、前記ワークに設けられた前記支持シートと、を備えた支持シート付きワークを、前記リングフレームに固定する貼付工程と、
    前記貼付工程の後に、前記リングフレームに固定した前記支持シート中の前記粘着剤層を加熱する加熱工程と、
    前記貼付工程の後に、前記支持シート付きワーク中の前記ワークの内部に、前記ワークを分割するための改質層を形成して、改質層形成済みワークを作製するか、又は、前記支持シート付きワーク中の前記ワークの、その厚さ方向の一部の領域に、前記ワークを分割するための切れ込みを形成して、半切断済みワークを作製することにより、前記改質層形成済みワーク又は半切断済みワークと、前記支持シートと、を備えた支持シート付き予備加工体を得る予備加工工程と、
    前記予備加工工程の後に、前記リングフレームに固定した前記支持シート付き予備加工体を、前記支持シートの面に対して平行な方向においてエキスパンドすることにより、前記改質層形成済みワークを前記改質層の部位において分割するか、又は、前記半切断済みワークを前記切れ込みにおいて分割し、前記ワーク加工物を作製する加工工程と、
    前記加熱工程及び加工工程の後に、前記リングフレームに貼付した前記粘着剤層をエネルギー線硬化させる硬化工程と、
    前記硬化工程の後に、前記粘着剤層の硬化物から前記ワーク加工物を引き離してピックアップするピックアップ工程と、を有する、ワーク加工物の製造方法。
  8. ワーク加工物のピックアップ方法であって、
    前記ピックアップ方法は、請求項１～６のいずれか一項に記載の支持シートと、前記支持シート中の前記粘着剤層のうち、前記基材側とは反対側の面上に、ワークの分割により作製された複数個のワーク加工物が整列して構成されたワーク加工物群と、を備えた支持シート付きワーク加工物群における前記粘着剤層を、リングフレームに貼付して、前記支持シート付きワーク加工物群を前記リングフレームに固定する貼付工程と、
    前記貼付工程の後に、前記リングフレームに固定した前記支持シート付きワーク加工物群を加熱する加熱工程と、
    前記貼付工程の後に、前記リングフレームに固定した前記支持シート付きワーク加工物群を、前記支持シートの面に対して平行な方向においてエキスパンドすることにより、前記ワーク加工物群中の互いに隣り合う前記ワーク加工物間の距離を拡大するエキスパンド工程と、
    前記加熱工程及びエキスパンド工程の後に、前記リングフレームに貼付した前記粘着剤層をエネルギー線硬化させる硬化工程と、
    前記硬化工程の後に、前記粘着剤層の硬化物から前記ワーク加工物を引き離してピックアップするピックアップ工程と、を有する、ワーク加工物のピックアップ方法。
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