JP2022541974A - 近赤外狭帯域光フィルタ及び製造方法 - Google Patents
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 141
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 32
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 22
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 8
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 8
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 8
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910017875 a-SiN Inorganic materials 0.000 claims description 7
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 4
- QUZPNFFHZPRKJD-UHFFFAOYSA-N germane Chemical compound [GeH4] QUZPNFFHZPRKJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052986 germanium hydride Inorganic materials 0.000 claims description 4
- ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N niobium pentoxide Chemical compound O=[Nb](=O)O[Nb](=O)=O ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910020286 SiOxNy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 3
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000013077 target material Substances 0.000 claims description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 2
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052990 silicon hydride Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 abstract description 12
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 51
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 20
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 11
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 8
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910020751 SixGe1-x Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- OQNXPQOQCWVVHP-UHFFFAOYSA-N [Si].O=[Ge] Chemical compound [Si].O=[Ge] OQNXPQOQCWVVHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N germanium oxide Inorganic materials O=[Ge]=O YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N oxogermanium Chemical compound [Ge]=O PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 2
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 2
- -1 Si 3 N 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003190 augmentative effect Effects 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 1
- BIXHRBFZLLFBFL-UHFFFAOYSA-N germanium nitride Chemical compound N#[Ge]N([Ge]#N)[Ge]#N BIXHRBFZLLFBFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/10—Glass or silica
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/221—Ion beam deposition
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
- G02B1/02—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements made of crystals, e.g. rock-salt, semi-conductors
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/20—Filters
- G02B5/28—Interference filters
- G02B5/281—Interference filters designed for the infrared light
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/20—Filters
- G02B5/28—Interference filters
- G02B5/285—Interference filters comprising deposited thin solid films
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/20—Filters
- G02B5/28—Interference filters
- G02B5/285—Interference filters comprising deposited thin solid films
- G02B5/288—Interference filters comprising deposited thin solid films comprising at least one thin film resonant cavity, e.g. in bandpass filters
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- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Optical Filters (AREA)
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Abstract
Description
本出願の実施例で提供される近赤外狭帯域光フィルタは、その第2側に広帯域通過膜系または長波帯域通過膜系がめっきされていても良い。表1aは広帯域通過膜系または長波帯域通過膜系の膜層の厚さの表であり、表1aは、本出願の近赤外狭帯域光フィルタの広帯域通過膜系または長波帯域通過膜系の膜層構造を示し、2つの膜料を交互することにより異なる厚さの膜層をめっきして、必要な膜系構造を形成する。表1aに示す構造において、SiO2は低屈折率誘電体材料であり、Si:Hは高屈折率シリコンベース材料である。
本出願の実施例で提供される近赤外狭帯域光フィルタは、その第2側に広帯域通過膜系または長波帯域通過膜系がめっきされていても良い。表2aは広帯域通過膜系または長波帯域通過膜系の膜層の厚さの表であり、表2aは、本出願の近赤外狭帯域光フィルタの広帯域通過膜系または長波帯域通過膜系の膜層構造を示し、2つの膜料を交互することにより異なる厚さの膜層をめっきして、必要な膜系構造を形成する。表2aに示す構造において、SiO2は低屈折率誘電体材料であり、TiO2は高屈折率材料である。
本出願の実施例で提供される近赤外狭帯域光フィルタは、その第2側に広帯域通過膜系または長波帯域通過膜系がめっきされていても良い。表3aは広帯域通過膜系または長波帯域通過膜系の膜層の厚さの表であり、表3aは、本出願の近赤外狭帯域光フィルタの広帯域通過膜系または長波帯域通過膜系の膜層構造を示し、2つの膜料を交互することにより異なる厚さの膜層をめっきして、必要な膜系構造を形成する。表3aに示す構造において、SiO2は低屈折率誘電体材料であり、Si:Hは高屈折率シリコンベース材料である。
本出願の実施例で提供される近赤外狭帯域光フィルタは、その第2側に広帯域通過膜系または長波帯域通過膜系がめっきされていても良い。表4aは広帯域通過膜系または長波帯域通過膜系の膜層の厚さの表であり、表4aは、本出願の近赤外狭帯域光フィルタの広帯域通過膜系または長波帯域通過膜系の膜層構造を示し、2つの膜料を交互することにより異なる厚さの膜層をめっきして、必要な膜系構造を形成する。表2aに示す構造において、SiO2は低屈折率誘電体材料であり、Si:Hは高屈折率材料である。
Claims (14)
- 近赤外狭帯域光フィルタであって、
基板と、狭帯域通過膜系と、広帯域通過膜系または長波通過膜系とを含み、
前記狭帯域通過膜系は前記基板の第1側に設けられ、
前記広帯域通過膜系は、前記基板の前記第1側と対向する第2側に設けられ、前記広帯域通過膜系の通過帯域は前記狭帯域通過膜系の通過帯域より広く、前記長波通過膜系は、前記基板の前記第1側と対向する第2側に設けられ、前記長波通過膜系の通過帯域は前記狭帯域通過膜系の通過帯域より広く、
前記狭帯域通過膜系は、780nm~3000nmの波長範囲において屈折率が3より大きい高屈折率層と、屈折率が3より小さい低屈折率層とを含み、
近赤外狭帯域光フィルタの反射色はCIE xyz座標系において
x<0.509;
y<0.363;及び
z<50%
を満足する、ことを特徴とする近赤外狭帯域光フィルタ。 - 前記近赤外狭帯域光フィルタの反射色はCIE xyz座標系において
x<0.509;
y<0.363;及び
z<30%
を満足する、ことを特徴とする請求項1に記載の近赤外狭帯域光フィルタ。 - 前記狭帯域通過膜系はさらに中屈折率層を含め、
前記中屈折率層の屈折率が前記高屈折率層の屈折率と前記低屈折率層の屈折率の間にある、ことを特徴とする請求項1に記載の近赤外狭帯域光フィルタ。 - 前記高屈折率層は、水素化シリコン、SixGe1-x、及びSixGe1-x:Hのうちの1つまたは複数の物質によって形成され、または、前記高屈折率ゲルマニウムベース層は、水素化ゲルマニウム、SixGe1-xおよびSixGe1-x:Hのうちの1つまたは複数の物質によって形成される、ことを特徴とする請求項1に記載の近赤外狭帯域光フィルタ。
- 前記低屈折率層は、SiO2、Si3N4、SiOxNy、Ta2O5、Nb2O5、TiO2、Al2O3、SiCNおよびSiCのうちの1つまたは複数の物質によって形成される、ことを特徴とする請求項1に記載の近赤外狭帯域光フィルタ。
- 780nm~3000nmの波長範囲における屈折率が1.7~4.5の間である複数の中屈折率層をさらに含む、ことを特徴とする請求項1に記載の近赤外狭帯域光フィルタ。
- 前記中屈折率層は、a-SiOx:Hy、a-SiNx:Hy、a-GeOx:Hy、a-GeNx:Hy、a-SizGe1-zOx:Hy及びa-SizGe1-zNx:Hyのうちの1つまたは複数の物質によって形成されることを特徴とする請求項3に記載の近赤外狭帯域光フィルタ。
- 入射光が0度から30度の間で近赤外狭帯域フィルタに入射する時、前記狭帯域通過膜系の通過帯域の中心波長のドリフト量が16nm以下となる、ことを特徴とする請求項1に記載の近赤外狭帯域光フィルタ。
- 前記近赤外狭帯域光フィルタのp光とs光の中心波長のドリフトが5nm以下である、ことを特徴とする請求項1に記載の近赤外狭帯域光フィルタ。
- 前記狭帯域通過膜系と前記広帯域通過膜系または前記長波通過膜系の総厚が15μm以下である、ことを特徴とする請求項1に記載の近赤外狭帯域光フィルタ。
- 近赤外狭帯域光フィルタの製造方法であって、
低屈折率層及び高屈折率層を基板の第1側で順次交互にめっきし、狭帯域通過膜系を形成することと、
前記基板の前記第1側と対向する第2側に広帯域通過膜系または長波通過膜系をめっきすることと、
を含み、
前記広帯域通過膜系または前記長波通過膜系の通過帯域は、前記狭帯域通過膜系の通過帯域より広きく、
前記狭帯域通過膜系は、780 nm~3000 nmの波長範囲において、屈折率が3より大きい高屈折率層と、屈折率が3より小さい低屈折率層とを含み、
近赤外狭帯域光フィルタの反射色は、CIE xyz座標系において
x<0.509;
y<0.363;及び
z<50%
を満足することを特徴とする近赤外狭帯域光フィルタの製造方法。 - その製造方法は、スパッタめっきまたは蒸発めっきによるめっき法である、ことを特徴とする請求項11に記載の近赤外狭帯域光フィルタの製造方法。
- 狭帯域通過膜系を形成するには、更に中屈折率層をめっきすることを含み、前記中屈折率層の屈折率は、前記高屈折率層の屈折率と前記低屈折率層の屈折率の間である、ことを特徴とする請求項11に記載の近赤外狭帯域光フィルタの製造方法。
- シリコン、ゲルマニウム、アルゴンガス、水素ガス、及び酸素ガスに基づいて、グロー放電によって得られた帯電イオンビームがターゲット材を衝撃することにより前記中屈折率層をめっきすることを含み、
前記中屈折率層は、a-SiOx:Hy、a-SiNx:Hy、a-GeOx:Hy、a-GeNx:Hy、a-SizGe1-zOx:Hy及びa-SizGe1-zNx:Hyのうちの一つまたは複数の物質を含む、ことを特徴とする請求項13に記載の近赤外狭帯域光フィルタの製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910487259.6A CN110082849A (zh) | 2019-06-05 | 2019-06-05 | 近红外窄带滤光片及制作方法 |
CN201910487259.6 | 2019-06-05 | ||
PCT/CN2019/130539 WO2020244219A1 (zh) | 2019-06-05 | 2019-12-31 | 近红外窄带滤光片及制作方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022541974A true JP2022541974A (ja) | 2022-09-29 |
JP7407839B2 JP7407839B2 (ja) | 2024-01-04 |
Family
ID=67423619
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021563621A Active JP7407839B2 (ja) | 2019-06-05 | 2019-12-31 | 近赤外狭帯域光フィルタ及び製造方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20220120949A1 (ja) |
EP (1) | EP3982172A4 (ja) |
JP (1) | JP7407839B2 (ja) |
KR (1) | KR20220002319A (ja) |
CN (1) | CN110082849A (ja) |
SG (1) | SG11202111627UA (ja) |
WO (1) | WO2020244219A1 (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110082849A (zh) * | 2019-06-05 | 2019-08-02 | 信阳舜宇光学有限公司 | 近红外窄带滤光片及制作方法 |
CN112444898B (zh) * | 2019-08-30 | 2023-06-16 | 福州高意光学有限公司 | 一种宽角度应用的滤光片 |
CN110673248B (zh) * | 2019-10-09 | 2021-11-16 | 复旦大学 | 一种近红外可调谐窄带滤波器 |
CN110724919B (zh) * | 2019-11-29 | 2022-03-25 | 湖南华庆科技有限公司 | 一种幻彩墨绿色手机背壳膜片及其制备方法 |
CN111638572B (zh) * | 2019-11-29 | 2021-03-05 | 苏州京浜光电科技股份有限公司 | 一种3D结构光940nm窄带滤光片及其制备方法 |
CN111736252B (zh) * | 2020-06-05 | 2022-04-01 | 浙江晶驰光电科技有限公司 | 一种近红外透过滤光片及其制备方法 |
CN113109898B (zh) * | 2021-04-07 | 2022-05-06 | 浙江水晶光电科技股份有限公司 | 一种氢化复合物薄膜的制备方法和滤光器 |
CN113194166A (zh) * | 2021-04-14 | 2021-07-30 | 维沃移动通信有限公司 | 显示模组及电子设备 |
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CN209911588U (zh) * | 2019-06-05 | 2020-01-07 | 信阳舜宇光学有限公司 | 近红外窄带滤光片及光学传感系统 |
-
2019
- 2019-06-05 CN CN201910487259.6A patent/CN110082849A/zh active Pending
- 2019-12-31 JP JP2021563621A patent/JP7407839B2/ja active Active
- 2019-12-31 WO PCT/CN2019/130539 patent/WO2020244219A1/zh unknown
- 2019-12-31 SG SG11202111627UA patent/SG11202111627UA/en unknown
- 2019-12-31 KR KR1020217034650A patent/KR20220002319A/ko not_active Application Discontinuation
- 2019-12-31 EP EP19932063.1A patent/EP3982172A4/en not_active Withdrawn
-
2021
- 2021-11-02 US US17/516,922 patent/US20220120949A1/en active Pending
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CN110082849A (zh) * | 2019-06-05 | 2019-08-02 | 信阳舜宇光学有限公司 | 近红外窄带滤光片及制作方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP3982172A4 (en) | 2022-12-14 |
CN110082849A (zh) | 2019-08-02 |
JP7407839B2 (ja) | 2024-01-04 |
SG11202111627UA (en) | 2021-11-29 |
WO2020244219A1 (zh) | 2020-12-10 |
US20220120949A1 (en) | 2022-04-21 |
KR20220002319A (ko) | 2022-01-06 |
EP3982172A1 (en) | 2022-04-13 |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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