JP2022527037A - 担持された貴金属－金属合金複合体を調製するための方法、および得られる担持された貴金属－金属合金複合体 - Google Patents
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Abstract
本発明は、高性能な担持された貴金属-M合金複合材料（Mは、当該貴金属と比較して電気化学的に貴度の低い金属である）を製造するための二重不動態化ガルバニック置換(GD)合成法と、該合成によって得られる担持された貴金属-M合金複合材料と、電極触媒材料としての該複合材料の使用とに関する。TIFF2022527037000006.tif47161
Description
本願は、ガルバニック置換合成プロセスによる担持された貴金属-金属合金複合材料の調製のための方法、および該プロセスによって得られる担持された貴金属-金属合金複合材料に関する。本願は、特に、高性能な担持された貴金属-M合金電極触媒複合材料を製造するための合成方法、該方法によって得られる担持された貴金属-M合金電極触媒複合材料およびその使用に関する。
副生成物が水（および熱）のみである、水素を電気エネルギーに効率的に変換することが可能なプロトン交換膜燃料電池(PEMFC)は、将来の持続可能なエネルギーソリューションにおいて重要な役割を果たすであろう。自動車分野を含む大規模産業で広く採用される前に、PEMFC技術はまず、翻って高コストにつながる高Pt添加量を必要とするカソード酸素還元反応(ORR)の高過電圧などの、電極触媒に関連する多くの内在的問題に対処する必要がある。この問題は、ORRの固有活性を高め、同時にPtの使用量を減少させる貴度のより低い遷移金属（例えば、Cu、NiまたはCoなど）とPtを合金化することで対処することができる。
近年、Pt系電極触媒の記録的なORR活性が毎年報告されている。多くの場合、これらの活性は2020年向けの性能目標案（0.9Vで0.44A mgPt；米国エネルギー省目標）を大幅に上回っている。しかしながら、それらの高活性は薄膜回転ディスク電極(TF-RDE)を用いてのみ達成されることをここに明記しておくべきである。よって、「記録的な」活性のうちのいずれも「記録的な」実際のPEMFCの性能には移行されてこなかった。この問題の主な理由の1つは、それらの調製方法がポリオールタイプの合成に基づいているからだという可能性がある。このタイプの合成はナノ粒子の形状の精密な制御を可能にする（すなわち、形状が制御された八面体ナノ粒子、ナノフレーム、ナノワイヤなどを作製できるようにする）一方で、(i) バッチ毎のミリグラムスケール範囲への限定；(ii) 合成時間の長さ；(iii) 温度の高さ、また圧力の高さ（例えば、ソルボサーマル合成）；(iv) アセチルアセトナートPt前駆体コストの高さ；(v) 追加の合成工程を介して除去される必要がある高価で複雑な有機溶媒および界面活性剤の使用；(vi) ナノ粒子の合成と、それに続くそれらの担体材料上への析出との連続性；および(vii) どのような熱アニーリングプロセスであっても既に温和である温度において望ましくない形態変化、ひいては望ましいナノ結晶面の喪失、を引き起こし得ることなどのいくつかの内在的な限定がある。PEMFCに関連したカソード条件でも同様の形態的不安定さが観察された。
PEMFCに使用するための担持されたPt系ナノ粒子を合成するための代替的な方法は、いわゆるガルバニック置換(GD)または金属交換であり、この方法は米国特許出願第2012/0208108号（特許文献1）に開示されている。GDタイプの合成の場合、より貴な金属のカチオンが、より卑な犠牲金属と、当該犠牲金属自体の表面で自発的に置き換わることが一般的に認識されている。これが起きるためには、より貴度の低い犠牲金属は金属状態にある。さらに、GD反応工程後にナノ粒子形態を達成するかまたはむしろそれを維持するためには、より貴度の低い犠牲金属が合成のGD工程前にすでに高度に分散したナノ粒子の形態である必要がある。これは、GDタイプの合成方法を、ポリオールタイプの合成と同様に、工業的に関連性のあるレベルの規模にすることを幾分困難にしている。
よって、従来技術の方法と比較して、貴金属を含む電極触媒材料の調製のためのよりシンプルかつ経済的に好ましいプロセスが必要である。本発明の目的は、したがって、従来技術の制限の少なくともいくつかを軽減する、担持された貴金属-合金ナノ粒子複合体電極触媒の調製のための方法を提供することである。
本発明の目的は、二重不動態化法によるガルバニック置換(GD)反応合成法に向けた新規なアプローチによって実現される。
第1の局面では、本発明は、担持された貴金属および/または貴金属-M合金ナノ粒子複合体（Mは、より貴度の低い金属であり、貴金属を析出させるようにガルバニック置換(GD)されている）を形成させるための方法に関連しており、該方法は以下の工程を含む：
(a) 電気伝導性担体粒子上に金属M粒子があるM/S前駆体材料（Mは、貴金属よりも標準電極電位が低い1つまたは複数の金属である）を準備する工程；
(b) 該M/S前駆体材料を液体媒体（少なくとも該液体媒体に曝露される金属M粒子の表面にインサイチュ（in situ）不動態化酸化物が熱力学的に形成されるpHを有する）に懸濁し、不動態化されたMOy/S懸濁液（yは、0より大きく、最大で化学量論的M酸化物値である）を形成させる、工程；
(c) 該不動態化されたMOy/S懸濁液に、析出させる貴金属に選択的に吸着可能な吸着ガスを供給する工程；
(d) 該不動態化されたMOy/S懸濁液に貴金属前駆体を添加し、それによって、ガルバニック置換反応により担体粒子上に結晶性貴金属ナノ粒子および/または結晶性貴金属-M合金ナノ粒子を反応生成物として析出させる、工程；および
(e) 合成されたまま（as-synthesized）の反応生成物を分離しかつ洗浄する工程。
(a) 電気伝導性担体粒子上に金属M粒子があるM/S前駆体材料（Mは、貴金属よりも標準電極電位が低い1つまたは複数の金属である）を準備する工程；
(b) 該M/S前駆体材料を液体媒体（少なくとも該液体媒体に曝露される金属M粒子の表面にインサイチュ（in situ）不動態化酸化物が熱力学的に形成されるpHを有する）に懸濁し、不動態化されたMOy/S懸濁液（yは、0より大きく、最大で化学量論的M酸化物値である）を形成させる、工程；
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(d) 該不動態化されたMOy/S懸濁液に貴金属前駆体を添加し、それによって、ガルバニック置換反応により担体粒子上に結晶性貴金属ナノ粒子および/または結晶性貴金属-M合金ナノ粒子を反応生成物として析出させる、工程；および
(e) 合成されたまま（as-synthesized）の反応生成物を分離しかつ洗浄する工程。
本発明に係る方法は二重不動態化GD法である。第1の不動態化は、担体粒子S上の曝露された表面金属粒子M上での不動態化酸化物層の自発的成長を含む。理論に拘束されることを望むものではないが、不動態化酸化物層の技術的効果は、液体媒体（例えば、水相）と貴度のより低い犠牲金属Mとの間の電子伝導度を低下させる一方で、液体媒体とMOy粒子との間のイオン伝導性を維持することであると考えられる。不動態化されたMOy/S懸濁液への貴金属前駆体の導入があると、貴金属前駆体と、酸化物で不動態化された金属Mとの間のGD反応が始まる。より貴度の低い金属の不動態化により、これは電気伝導性担体粒子を通じた電子の好ましい輸送をもたらす一方で、より貴度の低い犠牲金属M上に貴金属カチオンが直接析出することが実質的にブロックされる。したがって、貴金属が犠牲金属M上に直接析出することが回避され、代わりに、電気伝導性担体粒子を介してGD反応が起こるため、分散した貴金属ナノ粒子および/または貴金属-M合金ナノ粒子が担体粒子上に析出する。第2の不動態化は、貴金属の表面に選択的に吸着可能な吸着ガスを提供することを含む。第2の不動態化の技術的効果は、初期段階で形成される貴金属ナノ粒子および/または貴金属-M合金ナノ粒子を遮蔽（キャッピング）することである。これは過度の粒子成長を防止し、担体粒子上の新たな部位での新たな貴金属ナノ粒子および/または貴金属-M合金ナノ粒子の形成を促進する。したがって、本二重不動態化GD法で製造される合成されたままのナノ粒子は、コア・シェル型の粒子（例えば、貴金属カチオンが、より貴度の低い犠牲金属と、当該犠牲金属の表面で自発的に置き換わる、一般的に公知のGD法に従って製造されるもの）ではない。
ある態様では、工程(a)におけるM/S前駆体の金属Mは、その表面が少なくとも部分的に酸化されて、エクスサイチュ（ex situ）で不動態化されたM+MO/S前駆体を形成している。
ある態様では、液体媒体は、水、好ましくは精製水である。
ある態様では、液体媒体は、炭素原子を1～7個有する一般式CnH2n+1OHのアルコール、好ましくはC1～C3アルコール、またはそれらの混合物、または該アルコールの水溶液である。
ある態様では、液体媒体のpHは、M/S前駆体材料および/または少なくとも部分的にエクスサイチュで不動態化されたM+MO/S前駆体の懸濁前、懸濁中、および/または懸濁後に調整される。
ある態様では、不動態化されたMOy/S懸濁液は、貴金属前駆体の添加前に吸着ガスで飽和される。
ある態様では、吸着ガスは、外部源からMOy/S懸濁液に供給され加えられる。
ある態様では、液体は、炭素原子を1～7個有する一般式CnH2n+1OHのアルコール、好ましくはC1～C3アルコール、またはそれらの混合物、または該アルコールの水溶液を含み、ここで吸着ガスは、懸濁液中で少なくとも部分的にインサイチュで形成される。
ある態様では、吸着ガスの添加は、貴金属前駆体の添加全体にわたって継続される。
ある態様では、貴金属前駆体は、液体媒体に可溶性の塩または当該塩の対応する酸である。
ある態様では、貴金属前駆体は、貴金属のハロゲン化物塩（NMn+Yn）（水和物または無水物の両方を含む）、アルカリ金属ハロゲン化物塩（AmNMn+Ym+n）（水和物または無水物の両方を含む）、または対応するハロゲン化水素酸（HmNMn+Ym+n）を含む群より選択され、ここで、NM＝貴金属；m＝典型的には1または2、n＝典型的には1、2、3または4、X＝アルカリ金属カチオンLi+、Na+、K+；Y＝ハロゲン化物F-、Cl-、Br-、I-である。
ある態様では、貴金属は、Pt、Ir、Rh、Pd、またはAuである。
ある態様では、吸着ガスは、一酸化炭素(CO)、水素(H2)、メタンチオール(MeHS)、または硫化水素(H2S)である。
ある態様では、貴金属はPtまたはPdであり、吸着ガスはCOである。
ある態様では、貴金属はPdであり、吸着ガスは水素ガスである。
ある態様では、より貴度の低い金属であるMは、Cu、Ni、Co、Fe、Ag、Cr、Ti、Pb、Mo、W、Zn、Y、Gd、Pd、またはそれらの混合物より選択される。
ある態様では、より貴度の低い金属であるMは、Cu、Ni、Co、Fe、Ag、Mo、W、Zn、Cr、Pb、Ti、またはそれらの混合物より選択される。
ある態様では、より貴度の低い金属であるMは、Cu、Ni、Co、またはそれらの混合物より選択される。
ある態様では、担体材料は、形成された不動態化M酸化物の伝導性よりも電気伝導性（導電性）が大きい電気伝導性材料であり、炭素材料、セラミック材料、または複合材料より選択される。
ある態様では、炭素材料は、カーボンブラック、カーボンナノチューブ(CNT)、グラファイトもしくはグラフェン、またはそれらの誘導体より選択される電気伝導性炭素粒子である。
ある態様では、セラミック材料は、酸化アンチモンスズ(ATO)、フッ素ドープ酸化スズ(FTO)、酸化インジウムスズ(ITO)、または酸窒化チタン(TiOxNy)より選択される電気伝導性セラミック粒子である。
ある態様では、工程(e)における洗浄は、合成されたままの反応生成物を新たな液体媒体中に再分散させ、少なくとも1回ろ過することを含む。
ある態様では、洗浄されかつろ過された合成されたままの反応生成物は乾燥される。
ある態様では、方法は、合成されたままの生成物を熱アニーリングする工程(f)をさらに含む。
ある態様では、熱アニーリング工程(f)は、不活性、無酸素、かつ/または還元性の雰囲気下にて450～1200℃の温度で実施される。
第2の局面では、本発明は、担体材料S上のMOy（yは、0より大きく最大で化学量論的M酸化物値である）と組み合わされた貴金属および/または貴金属-M合金ナノ粒子を含む複合材料に関し、ここで、Mは、カチオン状態の貴金属によってガルバニック置換された貴度のより低い金属であり、当該複合材料は、熱アニーリング工程f)を除く本発明の第1の局面に係る態様のいずれかの方法によって得ることができる、合成されたままの反応生成物であり、当該複合材料は、担体材料上に高度に分散された貴金属ナノ粒子および/または貴金属-Mナノ粒子を含む。
第3の局面では、本発明は、担体材料S上の貴金属ナノ粒子および/または貴金属-M合金ナノ粒子を含む複合材料に関し、ここで、Mは、カチオン状態の貴金属によってガルバニック置換された貴度のより低い金属であり、当該複合材料は、熱アニーリング工程f)を含む本発明の第1の局面に係る態様のいずれかの方法によって得ることができ、担体材料上に高度に分散された貴金属ナノ粒子および/または貴金属-Mナノ粒子を含む。
第2または第3の局面に係る本発明の態様では、貴金属は、Pt、Ir、Rh、Pd、またはAuである。
第2または第3の局面に係る本発明の態様では、より貴度の低い金属であるMは、Cu、Ni、Co、Fe、Ag、Cr、Ti、Pb、Mo、W、Zn、Y、Gd、Pd、またはそれらの混合物である。
第2または第3の局面に係る本発明の態様では、より貴度の低い金属であるMは、Cu、Ni、Co、Fe、Ag、Mo、W、Zn、Cr、Pb、Ti、またはそれらの混合物より選択される。
第2または第3の局面に係る本発明の態様では、より貴度の低い金属であるMは、Cu、Ni、Coまたはそれらの混合物より選択される。
第2または第3の局面に係る本発明の態様では、担体材料は、炭素材料、セラミック材料、または複合材料より選択される電気伝導性材料である。
第2または第3の局面に係る本発明の態様では、炭素材料は、カーボンブラック、カーボンナノチューブ(CNT)、グラファイトもしくはグラフェン、またはそれらの誘導体より選択される電気伝導性炭素粒子である。
第2または第3の局面に係る本発明の態様では、セラミック材料は、酸化アンチモンスズ(ATO)、フッ素ドープ酸化スズ(FTO)、酸化インジウムスズ(ITO)、または酸窒化チタン(TiOxNy)より選択される電気伝導性セラミック粒子である。
第2または第3の局面に係る本発明の態様では、貴金属はPtであり、Mは、Cu、Ni、またはCoのうちの1つまたは複数であり、担体材料はカーボンブラックである。
第4の局面では、本発明は、電気化学エネルギー変換装置における電極触媒としての、本発明の第2の局面に係る態様のいずれか1つの複合材料の使用に関する。
第5の局面では、本発明は、電気化学エネルギー変換装置における電極触媒としての、本発明の第3の局面に係る態様のいずれか1つの複合材料の使用に関する。
複合材料の使用の態様では、電極触媒は、PEM燃料電池における炭素担持Pt-M合金ナノ粒子電極触媒である。
本発明は、以下に与えられる詳細な説明から明らかになるであろう。詳細な説明および具体例は単なる例示としての本発明の好ましい態様を開示している。当業者であれば、詳細な説明の指針から、添付の特許請求の範囲にて定められる本発明の範囲内で変更および修正を行い得ると理解する。
したがって、本明細書に開示の本発明の説明は、方法に変更が加えられてもよいので、そのような方法のうちの特定の記載された工程に限定されないと理解されたい。本明細書において用いられる用語は、特定の態様を説明することのみを目的としており、限定することを意図していないことも理解されたい。明細書および添付の特許請求の範囲で用いられているように、冠詞「a」、「an」、「the」、および「said」は、文脈からそうでないことが明らかな場合を除いて、1つまたは複数の要素が存在することを意味するよう意図されていることに留意されたい。さらに、「含む（comprising）」、「含む（including）」、「含有する（containing）」および類似の用語は、他の要素または工程を除外しない。
発明の詳細な説明
本発明の上の目的およびさらなる目的、特徴、ならびに利点は、本発明の以下の例示的かつ非限定的な詳細な説明および例示の態様を参照することによって、さらに詳しく理解されるであろう。
本発明の上の目的およびさらなる目的、特徴、ならびに利点は、本発明の以下の例示的かつ非限定的な詳細な説明および例示の態様を参照することによって、さらに詳しく理解されるであろう。
本方法は、貴金属（貴金属は本明細書では「NM」と略される場合がある）を含む電極触媒材料を調製するための、従来技術の方法と比較して、より簡潔かつより経済的に好ましいプロセスである。本方法は、高性能な担持された貴金属-M合金電極触媒（Mは、GDプロセスにおいて貴金属と比較して電気化学的に貴度のより低い金属である）を製造するための「二重不動態化」ガルバニック置換(GD)合成法に基づいている。
当業者には公知のように、金属の貴度は、その標準電位（「標準電極電位」または「標準還元電位」とも呼ばれる）によって決まる。標準電位は、標準状態での、すなわち、有効濃度が1mol dm-3の溶質および圧力が1atmのガスによる、可逆電極の個々の電位の尺度である。すべての一般的な金属の標準電位の値は、25℃にて標準水素電極(SHE)を参照して示される。より高い標準電位（つまり、より正の標準電位）を有する金属は、より低い標準電位を有する金属よりも貴度が高い。よって、ある金属の別の金属に対する貴度は、それらの標準電位に基づいて個々の金属を列挙したいわゆるガルバニ列内の金属の位置によって簡単に求めることができる。標準電位の表は、例えば、Allen J. Bard and Larry R. Faulkner: "Electrochemical Methods, Fundamentals and Applications" 2001, 2nd Edition, ISBN 978-0-471-04372-0, John Wiley & Sons, Inc., pages 808-809に見出すことができ、したがって、「より貴度の低い金属」という用語は、本文脈で用いられるように、電解質中の2つの金属である貴金属(NM)と合金化（犠牲となる「より貴度の低い」）金属(M)との間の標準電極電位差を指し、ここで、より貴度の低い金属は、より貴度の高い金属（貴金属）よりも電極電位が低いために、ガルバニック腐食（置換）されることになる。貴金属はイオン状態（カチオン）である一方で、犠牲となるより貴度の低い金属は、酸化物層により不動態化した金属状態である。
担体材料の表面に析出した貴度のより低い犠牲金属M（本明細書では概してM/Sと呼ばれ、Sは担体材料である）と貴金属前駆体との液体媒体中でのGD反応を用いる本「二重不動態化」法は、担体粒子表面の貴金属-M合金ナノ粒子の高品質分散体を提供する。本発明の二重不動態化GD法は図1に概略的に示されており、図1には、貴金属と相互作用する吸着ガス（本明細書では一酸化炭素が例示される）で飽和された液体（例えば、水性M/S分散液：ここでM粒子は、当該液体に曝露された自由表面上の酸化物層を有する）への貴金属前駆体の添加が示されている。この方法の全工程(a)～(e)および付加的なアニーリング工程(f)は図15のフローチャートにも示されており、下に詳細に説明されている。
本明細書において用いられる「吸着ガス」という用語は、貴金属および貴金属-M合金に吸着することが可能なガス、特に金属性貴金属に化学吸着することが可能なガスを指す。ガスの分子は、好ましくは金属性貴金属部位と化学結合を形成することが可能である。吸着ガスは、本明細書においては「キャッピングガス」、「シールドガス」または「不動態化ガス」と呼ばれることもある。
本二重不動態化GD合成における第1の不動態化は、金属M上の表面M酸化物層の形成による、M/S前駆体（M＝担体粒子上に析出した金属または部分的に酸化されている金属）の不動態化である：図1(a)。表面M酸化物層の形成は液体媒体（電解質）/M界面の不動態化の効果を有する一方で、M/S界面は酸化物を含まないままであり、したがって、ガルバニック置換反応においてM/S界面が電子の優先的な経路になる。言い換えると、Mの表面酸化物層は担体粒子よりも導電性が低く、そのため、電子は担体粒子を介して移動せざるを得ない。その結果、貴金属前駆体の添加により、金属M自体の表面でガルバニック置換が起きるのではなく、むしろ担体粒子上に貴金属が析出し始め、その一方で、表面に不動態化酸化物層を有する金属Mは腐食される。好ましくは、液体媒体に曝露された金属Mの表面全体が酸化物層によって不動態化される。
第2の不動態化は、新たに形成された析出した貴金属ナノ粒子および/または貴金属-M合金ナノ粒子の表面に吸着した吸着ガスによる、析出した貴金属および/または貴金属-M合金ナノ粒子のキャッピング（シールドとも呼ばれる）であり、図1(b)を参照されたい。本方法は貴金属-吸着ガス相互作用を利用し、ここで、貴金属に吸着したガスは、GD反応中に貴金属ナノ粒子が成長するのを制限するキャッピング剤として用いられる。析出した貴金属ナノ粒子のキャッピングは、既に形成された貴金属および/または貴金属-M合金のナノ粒子上に貴金属がさらに析出するのを抑制し、翻って担体粒子上の新たな部位における新たな貴金属および/または貴金属-M合金ナノ粒子の形成につながる。このアプローチは、非常に小さく、良好に分散した、既に析出したナノ粒子の合成をもたらすだけでなく、エネルギー効率が非常に高く、またあらゆる界面活性剤除去のための追加の工程も必要としない。
図1(c)は、析出した貴金属および/または貴金属-M合金のナノ粒子がより大きな粒子に成長する、吸着ガスの非存在下での貴金属のGD析出を示す。
担持された貴金属-M合金ナノ粒子複合体（Mは、貴金属を析出させるようにガルバニック置換された犠牲金属である）を調製するための本二重不動態化GD法は、以下で詳細に説明されており、以下の工程を含む（図15に示す）。
(a) 第1の工程では、概してM/Sと記載される、電気伝導性担体材料S上に結晶性金属Mがある前駆体材料が提供される。金属Mはイオン状態における貴金属よりも貴度が低い金属であり、これは金属Mが貴金属イオンの標準電極電位よりも低い標準電極電位を有することを意味する。好適には、金属Mは以下の群より選択される1つまたは複数の金属である：Cu、Ni、Co、Fe、Ag、Cr、Ti、Pb、Mo、W、Zn、Y、GdおよびPd、好ましくはCu、Ni、Co、Fe、Ag、Mo、W、Zn、Cr、Pb、Ti、さらにより好ましくはCu、Ni、Co。前駆体M/Sは、担体材料上に金属を析出させるための任意の一般的に公知の方法、例えば、ゾルゲル法、含浸法、化学沈殿法、パルス燃焼法（熱音響反応器）などによって製造することができる。金属Mは任意の形状および形態で担体材料上に析出させることができる。炭素担体上の金属Mの粒子サイズ（粒度）および粒子サイズ分布（粒度分布）は重要ではなく、ナノメートルサイズ～ミクロンサイズ、例えば、約1nm～約20μm、例えば、50nm～約20μmまで様々であり得る。実際には、本発明のプロセスの1つの重要な利点は、M/S前駆体複合体中の金属粒子Mがナノサイズである必要はなく、ミクロンサイズの範囲で存在してもよいことである。加えて、金属Mが担体粒子上でナノ粒子（例えば、1～2nm）の形状であるM/S前駆体複合体は、本二重不動態化GD法からもたらされる合成されたままの生成物が非常に均質に分散したナノ粒子を含んでいるという重要な効果も示した。金属Mがナノ粒子（例えば、1～2nm）の形状であるM/S前駆体複合体は、熱音響/パルス燃焼反応器、当分野で公知の任意の他の方法を用いて得ることができる。
M/S前駆体材料は、酸素の存在下でボールミリングまたはグラインディングなど機械加工することができ、この機械加工プロセスの際に、担体材料上の金属粒子は、その表面が酸化または少なくとも部分的に酸化されることができる。あるいは、M/S前駆体が酸素の存在下でアニーリングされ、これにより、金属Mの表面の少なくとも一部に金属酸化物を形成してもよい。部分的に酸化されているM/S前駆体は、合成方法自体から、例えば熱音響/パルス燃焼反応器によって、獲得することもできる。概してM+MO/Sと呼ばれる、M/S前駆体の金属M表面の少なくとも一部にあるそのような初期の形成された酸化物層は、本明細書ではエクスサイチュ不動態化酸化物層と記載される。エクスサイチュM酸化物層は任意の公知の酸化方法によって形成できると理解されたい。本願では、M/S前駆体という用語は、特に明記しない限り、担体材料上の少なくとも部分的に酸化されている金属M（M+MO/S）も含むと理解されたい。
担体材料(S)は、その表面に析出した金属Mのあらゆる形成された不動態化M酸化物層よりも電気伝導性が大きい、粒子状材料である。担体材料は、10-15S/cmより大きい、好ましくは10-7S/cmより大きい、最も好ましくは0.03S/cmより大きい導電性を有するのがよい。担体材料は、合成条件および析出した貴金属-M合金ナノ粒子材料が触媒として用いられる電気化学セル内の条件に耐える安定かつ不活性な材料でなければならない。さらに、担体材料は高温（＞1200℃）に耐えるのがよい。好ましくは、担体材料は、少なくとも10m2/g、例えば、少なくとも20m2/g、または少なくとも50m2/gの表面積を有する。担体材料(S)は、電気伝導性炭素材料、導電性セラミック材料、または導電性複合材料であってもよい。炭素担体材料は、カーボンブラック、カーボンナノチューブ(CNT)、グラフェン、グラファイト、または他の導電性炭素材料、ならびにそれらの修飾物/誘導体からなる群より選択されるのがよい。炭素担体材料は、少なくとも10m2/g、好ましくは少なくとも20m2/g、より好ましくは少なくとも50m2/gの表面積を有するのがよい。炭素担体は、多くとも3000m2/g、例えば、多くとも1000m2/g、または多くとも800m2/g、例えば、多くとも500m2/g、多くとも250m2/g、多くとも200m2/g、または多くとも150m2/gの表面積を有するのがよい。例えば、炭素担体は、10m2/g～3000m2/g、好ましくは10m2/g～1000m2/g、例えば、20～800m2/g、または50～200m2/gの表面積を有する。表面は、BET法(Brunauer-Emmett-Teller法)によるN2の物理吸着を介して求めることができる。
セラミック担体材料は、電気伝導性セラミック、例えば、酸化スズアンチモン(ATO、Sb2SnO5)、フッ素ドープ酸化スズ(FTO、F:SnO2)、酸化インジウムスズ(ITO、(In2O3):(SnO2))または酸窒化チタン(TiOxNy)である。セラミック担体材料は、少なくとも10m2/gの表面積を有するのがよい。例えば、セラミック担体は10m2/g～200m2/g、例えば、10m2/g～100m2/gの表面積を有する。表面はBET法(Brunauer-Emmett-Teller法)によるN2の物理吸着を介して求めることができる。担体材料はまた、複合材料、例えば、セラミック-炭素複合体であってもよい。複合材料の表面積は、炭素担体材料について上に示したようなものがよい。
(b) エクスサイチュで不動態化された酸化物層を含む可能性があるM/S前駆体（M+MO/S前駆体）は、液体媒体、好適には水系媒体に懸濁される。水は水道水でもよいが、水道水中に存在する塩が実験条件に影響を与え得るため、水は有利には蒸留水または脱イオン水（高純度水）である。液体媒体はまた、炭素原子を1～7個有するアルコール：CH4O～C7H16O、好ましくはC1～C3アルコール：CH4O～C3H8Oより選択される、一般式CnH2n+1OHの水溶性アルコールをベースとしてもよい。液体媒体はまた、水と、炭素原子を1～7個有する水混和性アルコール：CH4O～C7H16Oとの混合物であってもよい。液体のpHは、当該液体中にM/S前駆体を懸濁させると金属Mの表面上に金属Mの酸化物層が熱力学的に形成されて（本明細書ではインサイチュ不動態化と記載される）、不動態化されたMOy/S懸濁液（yは、0より大きく最大で化学量論的M酸化物値である）を形成するように、調整されてもよい。本明細書全体を通じて、不動態化された金属Mは、少なくとも、液体に曝露された表面全体に酸化物層を有すると理解されたい。電気化学では、電位/pH図またはpE/pH図としても公知であるプールベ・ダイヤグラムは、水性電気化学系の可能な安定した相を示す。プールベ・ダイヤグラムは、2つの軸の表記によりEH-pH図とも呼ばれる。縦軸は、ネルンストの式により計算される標準水素電極(SHE)に対する電位(voltage potential)向けにEHと表記される。横軸は、H+イオン活性の-log関数向けにpHと表記される。プールベ・ダイヤグラムは以下の領域(pH)を示す：金属が攻撃されない領域（不感域）、表面に酸化物（または他の塩）の安定したコーティングを形成することによって不動態化された領域、または攻撃される領域（腐食域）。金属M上での不動態化金属酸化物MOの形成は、懸濁液におけるpHが酸化物形成条件に応じて調整されるので、液体-金属界面にて熱力学的に生じる。経験上、より高いpHで酸化物の形成が熱力学的に生じる場合は、より塩基性の媒体が必要になる。したがって、例えばNiとCoは、酸化物層の形成のためには、例えばCuよりも高いpHを必要とする。インサイチュ不動態化M酸化物層の形成の時間は異なってもよいことに留意されたい。一部の金属は急速に酸化されることがあり、M/S前駆体を液体媒体に懸濁すると即座に酸化物が形成される。他の金属はよりゆっくりと酸化されることがあり、不動態化反応が完了するまでにより多くの時間を必要とする。M酸化物の形成は、M/Sを液体媒体に懸濁した直後、例えば、1分後、15分後、またはさらには1時間後に起こり得る。酸化物形成の時間は、1週間未満、好ましくは最大で1日まで、最も好ましくは最大で3時間までであるのがよい。前駆体はまた、液体媒体に懸濁される前に少なくとも部分的にエクスサイチュで不動態化されてもよい。そのような場合、液体媒体は、不動態化されたM酸化物層が維持されるpHを有するのがよい。当業者であれば、通常の作業を用いることにより特定の金属M上での不動態化層の形成のために必要な好適な時間およびpHを見出すことが可能であり、実施例も参照される。本発明者らによって実施された試験は、M/S前駆体上での不動態化M酸化物層の形成を実証しており、試験1～4（下に記載）ならびに図3a)およびb)を参照されたい。
以下では、少なくとも不動態化M酸化物表面層（エクスサイチュおよび/またはインサイチュで形成される）を有する懸濁された担持金属Mは本明細書では概してMOy/Sと記載され、ここで、yは＞0からM酸化物の化学量論値までである。酸化物層は、少なくとも液体媒体に曝露された表面全体に、すなわち液体媒体-金属界面金属表面に形成されると理解されたい。液体媒体中のM/S前駆体の質量濃度は異なってもよい。概して、懸濁液を形成する液体へのM/S前駆体の好適な添加速度は10mg/液体1L～250g/Lである。実用上の理由から、液体懸濁液におけるM/S前駆体の量は少なくとも1g/L、例えば、少なくとも5g/Lまたは10g/Lであってもよい。
(c) 担体材料上に担持された金属がエクスサイチュおよび/またはインサイチュ不動態化酸化物層を有する、工程(b)で形成されたMOy/S懸濁液に、貴金属と相互作用するガスが供給される。ガスは、外部源から液体に添加する（例えば、ガスパージする）ことによって供給してもよいし、または少なくとも部分的にインサイチュで形成することができる。ガスパージにより液体媒体にガスをバブリングまたは分散させると理解されたい。ガスパージは好ましくは液体中のガスが飽和するまで継続するのがよい。「貴金属と相互作用するガス」という表現は、本明細書では「吸着ガス」、「キャッピングガス」、「シールドガス」、および「不動態化ガス」とも記載される、貴金属表面および/または貴金属-金属M合金表面に（選択的に）吸着するガスとして理解されたい。好ましくは、懸濁液は、例えば、マグネチックスターラー、傾斜翼タービンスターラー、プロペラスターラー、ラシュトンタービンスターラー、または他の公知の撹拌機などの機械的撹拌によって、吸着ガスの添加中に継続的に混合される。撹拌機の速度は、例えば5rpm～1000rpm（rpm＝1分間あたりの回転数）、例えば10rpm～250rpmの範囲内で、様々であり得る。混合はまた、吸着ガスの継続的なバブリングによる撹拌によって達成されてもよい。吸着ガスは、一酸化炭素ガス(CO)、水素ガス(H2)、硫化水素ガス(H2S)、およびメタンチオール(MeSH)より選択される。貴金属がPt、Ir、RhまたはPdである合成では、吸着ガスは好ましくはCOまたはH2より選択されるのがよい。貴金属がAuである場合、吸着ガスは好ましくはH2Sまたはメタンチオールであるのがよい。よって、合成のための貴金属＋吸着ガスの組み合わせは、Ir＋COガス；Ir＋H2ガス；Rh＋COガス；Rh＋H2ガス；Pd＋COガス；Pd＋H2ガス；Pt＋COガス；Pt＋H2ガス；Au＋H2S；Au＋メタンチオールより選択されてもよい。
好ましくは、貴金属としてのPtとの合成における吸着ガスはCOである。水溶性アルコールを含む液体媒体では、白金がアルコールを分解して、COガスの中間体を形成することがある。よって、キャッピング剤（ガス）はまた、少なくとも部分的にインサイチュで形成されて、外部源からのCOガスの添加を低減するかまたは回避することができる。あるいは、吸着COガスは、インサイチュ形成と組み合わせて外部源との両方から供給することができる。それに対応して、上で説明したように、懸濁液は懸濁液全体にわたって均一な条件を達成するように撹拌するのがよい。
(d) 不動態化したMOy/Sの懸濁液の形成および吸収ガスによる懸濁液の飽和後、方法は、吸着ガスで飽和させたMOy/S懸濁液への貴金属前駆体（すなわち、貴金属カチオン）の添加をさらに含む。貴金属前駆体の添加によって、上に説明したように、ガルバニック置換反応によって担体粒子上に結晶性貴金属ナノ粒子および/または結晶性貴金属-M合金ナノ粒子が析出する。形成された貴金属および/または貴金属-M合金ナノ粒子を不動態化ガスの（選択的）吸着によって不動態化させるのを確実にするために、貴金属前駆体の添加の間中、懸濁液において吸着ガスの飽和を維持するのがよい。好適な貴金属前駆体は、工程(b)において上で特定した水系媒体あるいはアルコールに可溶性の貴金属塩およびそれらの対応する酸を含む。貴金属前駆体は、固体形態で、または溶解した貴金属前駆体を含む溶液として、加えることができる。貴金属のハロゲン化物塩(NMn+Yn)（水和物または無水物の両方）、アルカリ金属ハロゲン化物塩(AmNMn+Ym+n)（水和物または無水物の両方）、または対応するハロゲン化水素酸(HmNMn+Ym+n)が、これらの多くが概して水溶性であるので、特に好適である（NM＝貴金属；m＝典型的には1または2、n＝典型的には1、2、3または4、X＝アルカリ金属カチオンLi+、Na+、K+；Y＝ハロゲン化物F-、Cl-、Br-、I-）。前駆体の添加速度は重要ではなく、貴金属は一度に、または、例えば、貴金属前駆体の全量が経時的に加えられるポンプを用いることによって、加えてもよい。好ましくは、混合は、貴金属前駆体がMOy/S前駆体全体にわたって等しく反応するように、添加速度と関連して適切であるのがよい。これは、金属のローディングにおいて実質的な局所的バラツキの無い、担体材料上での貴金属ナノ粒子および/または貴金属-M合金ナノ粒子の均一かつ良好に分散した成長をもたらす。貴金属前駆体の添加速度は、少なくとも1mL/h、例えば、10mL/h～3600mL/h、例えば、50～350mL/hであってもよい。理論に拘束されるものではないが、貴金属カチオンと貴度のより低い金属との間の標準電極電位の差が小さいと、標準電極電位の差が大きい場合と比べて、より遅い反応速度につながると考えられる。これに基づくと、貴金属カチオンと貴度のより低い金属との間の標準電極電位の差が小さい場合、貴金属前駆体の添加速度は、貴金属カチオンと貴度のより低い金属との間の標準電極電位の差が大きい際の添加速度と比較して遅いのがよい。懸濁液中のMOy/Sの質量あたりに加えられる貴金属前駆体の量は、貴金属-M合金ナノ複合体最終生成物の所望の組成に応じて異なってもよい。貴金属：Mの比率（すなわち、製造される合金生成物の化学組成）は以下に応じて異なる：1) 貴金属前駆体の総添加質量（すなわち、M/S前駆体における利用可能なMの様々な割合を置換することができる）、2) M/S前駆体におけるMの量(wt％)、および3) 貴金属とMとの間のガルバニック置換反応の化学量論（例えば、PtとCuとの1:1化学量論：
)。懸濁液は、例えば、マグネチックスターラー、傾斜翼タービンスターラー、プロペラスターラー、ラシュトンタービンスターラー、または他の公知の撹拌機などの機械的撹拌によって、貴金属前駆体の添加中に継続的に混合するのがよい。撹拌機の速度は、例えば、5rpm～30000rpm（rpm＝1分間あたりの回転数）、例えば、10rpm～1000rpmの範囲内で様々であってよい。混合はまた、吸着ガスの継続的なバブリングによる撹拌によって達成されてもよい。プロセスが高圧下で実施される場合、または上の工程(b)を参照すれば、吸着ガスがインサイチュで形成される場合、またはキャッピング剤がガスではない場合には、超音波による撹拌も可能である。
(e) 貴金属前駆体をすべて反応混合物に加え、任意で、反応が完了するまで懸濁液の混合をしばらく維持した後、懸濁した生成物をその後液体から分離し、例えば、反応生成物を新たな液体媒体中に再分散させることによって、生成物を洗浄する。分離は、ろ過、遠心分離、デカンテーションなどの任意の公知の手段によって行うことができる。遠心分離による分離が好ましい。すべての可溶性副生成物が生成物から除去されるまで、例えば、2～4回、または必要に応じてそれ以上、遠心分離および洗浄を繰り返してもよい。どの洗浄工程も、洗浄液を加熱すること、例えば、懸濁液の煮沸を伴ってもよい。あらゆる残存する不純物をEDX SEMを用いて検出できるが、結晶性不純物はXRD図でも見ることができ、これは、貴金属、より貴度の低いM、金属酸化物中に存在するO、および担体材料の元素を含む結晶相のみを示すのがよい。このようにして得られた貴金属または貴金属-M合金+MOy/S反応生成物は、続いて一般的に公知の方法に従って乾燥される。合成されたままの生成物は、析出した貴金属および/または貴金属-M合金ナノ粒子を、残存MOy粒子と共に、担体粒子上に含み、MOy粒子は、酸化物表面層を少なくとも部分的に有する（したがって、yは0より大きく最大で化学量論的なM酸化物値である）より貴度の低い金属であるM粒子である。ある態様では、合成されたままの生成物は、析出した貴金属および/または貴金属-M合金ナノ粒子を、残存MOy粒子と共に、カーボンブラックなどのカーボン担体粒子上に含む。生成物は、析出した貴金属ナノ粒子および/または貴金属-M合金ナノ粒子が担体材料上に非常に良好に分散していることを特徴とし、わずか数ナノメートル、ほとんどが10nmまたはさらには5nm未満の狭いサイズ分布を有する。したがって、従来のGD法によって形成される反応生成物とは対照的に、本二重不動態化GD法により形成されたナノ粒子は、コア・シェル型粒子の形状ではない。むしろ、析出した貴金属ナノ粒子および/または貴金属-M合金ナノ粒子と、残存MOy粒子とは、担体材料上で離れて分布する。
(f) 乾燥させた貴金属および/または貴金属-M合金＋残存MOy/S生成物は、不活性または還元性の雰囲気下で熱アニーリングすることによって、さらに処理することができる。熱アニーリングの目的は、熱的に還元されて元素Mになる残存MOy粒子を、貴金属および/または貴金属-M合金ナノ粒子と合金化させること、およびできるだけ貴金属-M合金結晶格子を整列させることである。乾燥させた反応生成物は、石英管などの高温安定容器に密封される不活性耐火るつぼに入れ、不活性ガス（例えば、Ar）などの無酸素ガス、または還元性ガス（例えば、CO）、または不活性ガスと還元性ガスとの混合物、例えば、Ar/H2(5％)などによってパージしてもよい。熱アニーリングの温度は、MOyをMに還元するレベルである。理論に拘束されるものではないが、炭素が担体材料として用いられる場合、金属酸化物が炭素担体材料との反応によって還元されると考えられる。典型的には、アニーリング温度は450～1200℃、例えば、500～900℃、好ましくは600～800℃である。処理時間および温度は様々であってもよく、数秒～数週間であってもよい。実用上の理由から、熱アニーリング処理時間は1分～1週間、好ましくは1分～1日であってもよい。アニーリング処理時間は、温度および合金中の金属に応じて異なる。450℃でアニーリングする場合、特にあまりうまく混ざり合わない特定の金属においては、合金化プロセスが非常に遅くなることがある（例えば、NiはCuよりもPtと合金化し難い）。一方で、例えば、800度以上のより高い温度が用いられる場合、反応速度が非常に速くなることがあるので、より高い温度ではたった1秒または数秒でもう十分である。密閉容器は、熱アニーリング処理全体を通して、不活性ガス（例えば、ArまたはN2）または還元ガス（例えば、Ar/H2(5％）混合物またはCO）でパージすることが好ましい。加熱速度は重要ではなく、非常に遅い（例えば、0.1K/min）～可能な限り速い（例えば、予熱した炉に生成物が導入される）ものであってもよい。加熱速度は、典型的には1～30K/min、例えば、2～15K/minであるのがよい。
冷却が遅いほどナノ粒子の結晶格子がより整列されることがあるため、冷却速度を制御することが重要な場合がある。よって、冷却は0.1K/minという遅さから液体窒素におけるできるだけ迅速な冷却までであってもよい。典型的には、冷却速度は1～20K/min、例えば、3～10K/minであるのがよい。ナノ結晶粒子の整列は、例えば、異なるアニーリング温度および保持時間を用いることによって、熱アニーリング時に、冷却前に、または制御された冷却と組み合わせても達成できることも理解されたい。
本発明に係るGD合成、すなわち、工程b)～e)は、常温（室温）かつ常圧（1atm）で実施することができる。また、当該合成工程の温度は室温より高くてもよい。温度を上昇させる利点は、1) 反応の速度が速くなる、2) ほとんどの貴金属前駆体（塩およびそれらの対応する酸）の溶解度が高くなることである。一方、ガスの溶解度は温度が高くなるほど低くなる。しかしながら、プロセスは周囲圧力よりも高い圧力下で実施することができ、これはほとんどのガスの溶解度を高めることができ、よって、より高い温度でのガスの溶解度の低下を回避することができる。
本発明の二重不動態化GD合成は、従来技術のポリオールタイプの合成方法に比べていくつかの利点を有する：(i) 本発明の方法は水性および/または水溶性アルコール媒体中で実施することができる（すなわち、方法は複雑な有機溶媒を伴わない）；(ii) 本発明の方法は、自発的なプロセス（第1の不動態化、GD反応、ならびに第2の不動態化）を利用するので、室温および大気圧で実施することができ、エネルギー効率が非常に高い；(iii) ナノ粒子の合成および析出（担体材料の表面での分散）は同じ合成工程内で生じる（貴金属ナノ粒子は担体材料自体の表面で成長する）；(iv) 本合成において用いられる前駆体は従来技術の方法で用いられる典型的な前駆体（例えば、ポリオールタイプの合成で用いられるPt(AcAc）2)よりも著しく安価である；ならびにさらに(v) 本方法は、商業生産にとって重要となるグラムバッチスケールへ容易に拡張可能である。また、本発明の二重不動態化GD合成は従来技術のGD合成法に対して重要な利点を有する：GD反応は、より貴度の低い金属上では行われず、代わりにこの電子経路は第1の不動態化によりブロックされるので、犠牲となる貴度のより低い金属の大きさおよび形態は重要ではない。これが前駆体M/S材料の合成を本質的に簡素化させ、それらの商業的な入手し易さが向上する。他方で、第2の不動態化は、第2の電子経路をブロックして、GDで形成された貴金属ナノ粒子および/または貴金属-M合金ナノ粒子の初期段階でもGD反応をブロックする。電子の3つの経路のうち2つ（1つ目は、より貴度の低い犠牲金属を介し、2つ目は、貴金属ナノ粒子および/または貴金属-M合金ナノ粒子を介する）がブロックされる本二重不動態化プロセスは、電子の唯一の残りの経路が担体材料を介するものであるため、貴金属ナノ粒子および/または貴金属-M合金ナノ粒子の完全な分散を本質的に可能にする。よって、貴金属前駆体の添加およびGD反応の過程で、貴金属ナノ粒子および/または貴金属-M合金ナノ粒子は常に担体材料の新たなスポット上に形成される。これはあらゆる他の公知の方法でも達成できない。
さらに、あるマテリアルデザインから別のマテリアルデザインに移行する際のシンプルなフレキシビリティは他の方法では不可能である。ポリオールからなるナノ粒子を担体材料上に析出させるための従来公知の方法ならびに他の方法は、貴金属ナノ粒子および/または貴金属-M合金ナノ粒子と担体材料とが互いに引き付け合う一方で貴金属ナノ粒子および/または貴金属-M合金ナノ粒子が互いに反発し合うことが確実になるよう、ゼータ電位を調整する必要がある。従来技術の方法に基づくと、ゼータ電位を完全に制御することは困難なため、どれもそのような調整を完全に行うことはできず、反発せずに互いに凝集してしまう少なくとも一部の貴金属ナノ粒子および/または貴金属-M合金ナノ粒子が存在することになる。本二重不動態化GDプロセスはゼータ電位に依存する必要がなく、よって、本方法は様々なマテリアルデザイン（例えば、NMおよび/または犠牲金属Mの変更、担体材料Sの調整、総NM+M添加量の調整、NMと貴度のより低い金属Mとの比率の調整）に容易に適合させることができる。これは、GD反応を介して形成された貴金属ナノ粒子および/または貴金属-M合金ナノ粒子は、NM前駆体塩が電子を受け取る担体材料の表面で直接的に結晶化するためである。よって、二重不動態化法には、GD反応中に電子が移動するための他の利用可能な経路をブロックすることのみが重要である。
熱アニーリング工程を含む本方法によって製造される担体粒子S上の結晶性貴金属ナノ粒子および/または貴金属-M合金ナノ粒子材料は、Pt、Ir、Rh、Pd、またはAuより選択される貴金属と、Cu、Ni、Co、Fe、Ag、Cr、Ti、Pb、Mo、W、Zn、Y、Gd、およびPdより選択される1つまたは複数の金属Mとの合金を含む。貴金属-M合金ナノ粒子は1～200nmの範囲の平均粒子径を有するのがよい。粒子サイズが非常に小さい場合、貴金属-M合金ナノ粒子（例えば、燃料電池動作下での白金合金触媒）の安定性は非常に低くなる。直径が1nm未満の粒子は、触媒材料として用いられると、あまり安定しないことがある。他方、粒子サイズが非常に大きい場合、表面の原子のみが触媒反応に関与し結果として質量活性が低くなるため、貴金属は触媒として十分に利用されない。したがって、生成される貴金属ナノ粒子および/または貴金属-M合金ナノ粒子は約1～約20nmの範囲の平均粒子径を有するのがよく、好ましくは粒子径が2～7nm、例えば、3～5nmの範囲である。本方法に従って調製される生成物は、電気化学的エネルギー変換装置における電極触媒材料として特に好適である。
本発明の方法によって製造される、担体材料S上のPt-M合金は、PEM燃料電池における電極触媒材料（カソードおよびアノードの両方）として特に好適である一方で、例えば、担持されたイリジウム-M合金はカソード用にPEM電解槽（PEM燃料電池に対して逆の反応）で用いることができる。また、Au-Cu合金が二酸化炭素の還元のための触媒として働くことも報告されている。よって、貴金属合金は電気化学エネルギー変換デバイス群において幅広い用途がある。
（熱処理工程を含む）本方法によって製造される担持された貴金属ナノ粒子および/または貴金属-M合金ナノ粒子生成物は、電解製造槽（例えばプロトン交換膜(PEM)電解槽）および燃料電池（例えばPEM燃料電池）などの電気化学的エネルギー変換装置における触媒材料として使用するのに好適である。同様に、本方法によって製造される、残存MOy粒子（yは＞0から対応する金属酸化物の化学量論値まで）と組み合わされた合成されたままの（熱処理されていない）担持された貴金属-M合金ナノ粒子も、電解製造槽（例えばプロトン交換膜(PEM)電解槽）および燃料電池（例えばPEM燃料電池）などの電気化学エネルギー変換装置における触媒材料として使用するのに好適である。当技術分野で一般的に公知のように、調製されたままの電極触媒材料は、例えば、概して「触媒活性化」と呼ばれるナノ粒子の表面上の貴度のより低い金属の除去によって、使用前に活性化されなければならない場合がある。電極触媒材料の触媒活性化を下に概略的に記載している。
すべてのM/S前駆体材料、MOy/S（yは、＞0～対応する金属酸化物の化学量論値である）、基質材料S上の貴金属ナノ粒子および/または貴金属-M合金ナノ粒子、ならびに基質材料S上の残存MOy粒子（yは＞0～対応する金属酸化物の化学量論値である）と組み合わされた合成されたままの（熱処理されていない）担持された貴金属ナノ粒子および/または貴金属-M合金ナノ粒子について、担体材料Sは、カーボンブラック、カーボンナノチューブ(CNT)、グラフェン、グラファイト、または他の導電性炭素材料ならびにそれらの修飾物からなる群より選択される炭素担体材料であってもよく、これらは概してM/C前駆体材料およびMOy/C（yは＞0～対応する金属酸化物の化学量論値である）と記載されることがあることに留意されたい。同様に、上記のすべてのM/S前駆体材料、MOy/S（yは＞0～対応する金属酸化物の化学量論値である）、基質材料S上の貴金属ナノ粒子および/または貴金属-M合金ナノ粒子、ならびに基質材料S上の残存MOy粒子（yは＞0～対応する金属酸化物の化学量論値である）と組み合わされた合成されたままの（熱処理されていない）担持された貴金属ナノ粒子および/または貴金属-M合金ナノ粒子について、担体材料Sは、例えば、酸化アンチモンスズ(ATO)、フッ素ドープ酸化スズ(FTO)、酸化インジウムスズ(ITO)、または酸窒化チタン(TiOxNy)より選択される導電性セラミック材料であってもよい。導電性複合材料である担体材料Sについても、必要な変更を加えることになるが、同様である。
本発明の特定の態様では、担持された貴金属-M合金ナノ粒子は、電気化学反応を触媒するための触媒である白金合金電極触媒である。例えば、触媒は、アノード水素酸化反応(HOR)および/またはORRのための触媒である。好ましくは、触媒はORR触媒である。例えば、触媒は、燃料電池触媒、すなわち、PEM燃料電池などの燃料電池のアノード（HORを触媒する）またはカソード（ORRを触媒する）で採用される触媒である。
合成されたままの（特に熱アニーリングおよびMのさらなる濃縮の後の）白金合金触媒は、使用前にさらなる処理を受けない限り、一般に非常に低い触媒活性を示す（例えば、ORRでは）。合成後、触媒表面の大部分は、白金合金の表面にある白金活性部位へのアクセスをブロックする貴度のより低い金属原子で覆われていることが多い。したがって、白金合金触媒の表面の貴度のより低い金属は、触媒活性を低下させるため不純物とも呼ばれることが多い。よって、白金合金触媒は、通常は触媒の表面から貴度のより低い金属を除去するために処理を受ける必要がある。つまり、白金合金の表面からの貴度のより低い金属の脱合金化またはリーチングが必要となる。このようにして、内部は白金合金の組成を有する白金合金触媒が達成されるが、白金合金触媒の最も外側の原子層は、理想的には白金のみで構成され、よって白金上層を形成する。そのような白金上層は「白金スキン」または「白金スケルトン」上層と呼ばれることが多い（厚みは白金の単一原子層から最大で約2nmまでの範囲であってもよい）。触媒表面から貴度のより低い金属を除去することにより、触媒活性のある白金にアクセス可能になり、触媒活性が向上する。したがって、処理は「触媒活性化」と呼ばれることがある。
しかしながら、白金合金触媒のより貴度の低い金属は、触媒表面から除去する必要がある一方で、白金合金触媒の内部から除去してはいけない。白金合金の内部におけるより貴度の低い金属の存在は、白金のみの材料と比較して白金合金の構造的および/または電子的特性を改変し、よって配位子効果および/または歪み効果として公知の効果を引き起こす。例えば、配位子/歪み効果は、白金のより良好な利用と共に、ORRに関しては白金のみの触媒と比較して白金合金触媒の向上した活性の原因とされている。つまり、より貴度の低い金属は歪みを誘導し、したがって白金上層の構造を改変することがあり、これは白金合金触媒の触媒性能のために重要である。よって、白金合金からのより貴度の低い金属の完全な除去は最終的には触媒活性の低下をもたらす。
例えば、ORRを触媒するために用いられる白金合金触媒の活性を高めるための典型的な方法の1つは、いわゆる電気化学的活性化により実施できる。合成されたままの白金合金電極触媒のスクリーニングのために採用される典型的な電気化学的活性化法は、電気化学セルを用いて実施される。したがって、これは、触媒活性測定を行うことができる、または所望の反応を触媒するために触媒が利用される、電気化学セル内部で活性化が行われるため、インサイチュでの電気化学活性化（インサイチュEA）と呼ばれることがある。そのような活性化は、電気化学変換装置での使用前に用いられる活性化とは異なる。よってインサイチュEAはスクリーニングの目的にのみ用いられる。
標準的な実験室電気化学セル、例えば、Allen J. Bard and Larry R. Faulkner: "Electrochemical Methods, Fundamentals and Applications" 2001, 2nd Edition, ISBN 978-0-471-04372-0, John Wiley & Sons, Inc., Chapter 1.3.4、特に24～27ページに記載される三電極半電池構成が、通常は採用される。各電気化学セルにおいて、白金合金触媒を電極、特に作用電極に電気的に接触させる。この目的のためには、いわゆる薄膜法が通常は適用される。すなわち、触媒材料の薄膜を作用電極上に析出させる。これは、白金合金触媒の懸濁液を調製し、その後、作用電極の表面で乾燥させることによって、達成することができる。このようにして作用電極と電気的に接触した触媒の薄膜が得られる。触媒の触媒活性を決定する場合は、作用電極として回転ディスク電極(RDE)を用いることが有益である。RDEの基本原理は、例えば、Allen J. Bard and Larry R. Faulkner: "Electrochemical Methods, Fundamentals and Applications" 2001, 2nd Edition, ISBN 978-0-471-04372-0, John Wiley & Sons, Inc., Chapter 9.3にまとめられている。作用電極としてのRDE上に析出させた薄膜の測定は薄膜回転ディスク測定(TF-RDE)と呼ばれる。白金合金触媒を電気化学セルの作用電極と電気的に接触させた後、電気化学セルを完全に組み立て、触媒を上にした作用電極を好適な電解液と接触させる。その後、触媒を外部電流および/または電位に供することによって、電気化学的活性化を実施することができる。すなわち、触媒を、例えば、定電流、定電位、動電位条件、または同様の条件に供することができる。この目的のために、電気化学セルの電極は、ポテンショスタットを用いて制御することができるが、原理的には他の電源を用いてもよい。ほとんどの場合、電気化学的活性化は、白金合金触媒を動電位サイクル、すなわちサイクリックボルタンメトリー(CV)に供することによって実施される。これにより電位窓、電位サイクル数、スキャンレートを正確に制御することが可能である。電気化学セル内で白金合金触媒を好適な電流および/または電位に供することによって、白金合金触媒における貴度のより低い金属の溶解が達成されるので、白金合金触媒の表面からの貴度のより低い金属の脱合金化および/またはリーチングがもたらされる。この目的のために、サイクリックボルタンメトリーの際に適用される電位掃引が非常に効果的である。溶解した貴度のより低い金属は電解液に蓄積する。このようにして、白金上層を得ることができ、ORRに対する触媒の活性が増加する。
白金合金触媒のORR活性は、比活性(SA)および/または質量活性(MA)によって表すことができる。比活性は、触媒表面積に対してノーマライズされた活性である。すなわち、活性は、ORR（および／またはHOR）の場合では白金合金触媒の表面に存在する白金原子によって決定されるいわゆる電気化学的活性表面積(ECSA)に対してノーマライズされる。よってECSAは白金合金触媒の白金-表面積に対応する。白金合金触媒が炭素担体を含む場合、炭素担体は、ORRを触媒しないのでECSAには寄与しない。MAは、白金合金触媒に存在する白金の質量に対してノーマライズされた活性である。よって、SAは、ECSAによってノーマライズされた、所与の電位（典型的には0.9V vs. RHE；RHE＝可逆水素電極）でのORRのいわゆる反応電流を指す。これは一般的には[mA/cm2]という単位で表される。MAは、白金合金触媒に存在する白金の質量によってノーマライズされた、所与の電位（典型的には0.9V vs. RHE）でのORRのいわゆる反応電流を指す。これは一般的には[A/mgPt]という単位で表される。ECSAは、例えば、触媒表面上の一酸化炭素単分子層の吸着（COの吸着は、制御された電位、例えば、0.05V vs. RHEで実施される）およびそれに続くサイクリックボルタンメトリーを介した単分子層の酸化（いわゆるCO電解酸化またはCOストリッピング実験）を介して、電気化学的に求めることができる。次いで、COが酸化されるのに必要な電荷からECSACOが算出される。ECSACOは一般的には[m2/gPt]という単位を用いて表される。比活性および質量活性は、式：MA＝SA・ECSAにより、触媒のECSAを介して互いに関連している。
SA、MA、およびECSAの意味および測定は当業者に公知である。
本発明は、MがCu、Ni、またはCoであり貴金属がPtであるPt-M合金系による以下の実施例1～17において例示される。これらの実施例では、Vulcan XC72、Ketjen Black EC300J、Printex（登録商標） XE2、およびKetjen Black EC600Jという市販の炭素担体を用い、これらはすべてBET表面積が250～1400m2/gのカーボンブラック材料である。当該実施例は、還元型酸化グラフェンおよびTiOxNyという担体材料も含む。貴金属Ptは他のより貴度の低い金属Mと合金化されてもよいし、担体材料は上で規定した任意の他の担体材料であってもよいため、以下の実施例は本発明を限定するものと理解されるべきではない。
本Pt-M合金の態様では、CO（一酸化炭素）ガスとPtとの間の強い相互作用が、GD反応時にPtナノ粒子が成長するのを制限するキャッピング剤として用いられる。このアプローチは、非常に小さく良好に分散したナノ粒子の合成をもたらすだけでなく、非常にエネルギー効率が高くかつあらゆる界面活性剤の除去に追加の工程を必要としない。
Pt-Cu合金系では、本新規合成は3つの主な工程を伴う：(i) 本明細書では概してCu+CuO/Cと記載される、炭素担体上のCu結晶相および/または（エクスサイチュで）部分的に酸化された酸化銅CuO結晶相の調製。炭素担体上の犠牲金属としてのCuは、ナノ粒子の形状である必要はなく、図2aに示されるようにnmサイズ～ミクロンサイズであってもよい；(ii) PtCu+CuO/C複合体を得るための、液体（例えば、水系）中の（インサイチュおよび任意でエクスサイチュで）不動態化されたCuO/C（yは＞0～化学量論的酸化銅値である）と可溶性Pt塩前駆体とのGD反応、図2b)を参照されたい；および(iii) それに続く、不活性/還元性雰囲気下での熱アニーリングであって、Pt合金ナノ粒子のさらなる濃縮のために、残存するCu（ここでは、熱的に還元されるCuOの形態である）を合金化する、図2c)を参照されたい。さらに、図2d)では、XRDピークと結晶子サイズとの関係を説明するシェラーの式による、Cuの比較的狭くかつ高いピークを示す、すなわち、Cuの結晶子サイズが比較的大きいことを表している、炭素担体上の前駆体CuのXRD分析（XRD＝X線回折パターン）（一番下）が示されている。中央のXRD分析は、熱アニーリング前のGD生成物を示しており、ここではCuO相がPtCu合金相と共に明確に識別され、PtCu合金のピークは低くかつブロードであり、これは結晶子サイズが非常に小さいことを表している。一番上のXRD分析は、熱アニーリング後の、PtCu3合金からなる得られた材料を示す。ピークの広がりは、粒子サイズが非常に小さいことを表している。図2e)は、熱アニーリング前後の粒子サイズ分布の変化を示しており、比較的狭い粒子サイズ分布を示している。
Cu/Cの代わりにNi/CおよびCo/Cを用いたグラムスケールの合成にも同じ二重不動態化GD合成法が用いられると推定された。Cu/CのGDは超純水中で効率的に生じたが、NiおよびCoの不動態化には、各犠牲金属それぞれのプールベ線図の違いにより非常に低濃度のKOHでpHを調整した。これは、二重不動態化GD法を様々な系に用い得ることを示しているが、i)必要なpHを規定する、基質上に担持された犠牲金属のプールベ線図、およびii)その酸化物の形成、成長および特性の違いを常に考慮するのがよい。
実施例18～19は、COガスおよび水素ガスが吸着ガスとして用いられる、担持されたPdナノ粒子とCuO粒子との複合体の合成に関する。
すべての試料の粉末X線回折(XRD)測定は、全開にしたX'Celerator検出器を用いたPANalytical X'Pert PRO MPD回折計でCu Kα1線（λ＝1.5406Å）、10°～60°の2θ範囲、100秒当たり0.034°ステップ、またはSiemens D5000回折計でCu Kα1線（λ＝1.5406Å）、10°～60°の2θ範囲、1秒当たり0.04°ステップのいずれかで行った。試料はゼロバックグラウンドSiホルダー上で調製した。
TEM分析は、SDD Jeol Centuriaエネルギー分散型X線(EDX)分光器を備えたプローブCs補正走査透過型電子顕微鏡Jeol ARM 200 CFで行った。動作電圧は80kVに設定した。高角度環状暗視野(HAADF)画像は内側および外側の半角度が68および180mradで撮影した。収束角は25mradに設定した。
粒子サイズ分布の分析：用いたソフトウェアは、分布に応じてまたは粒子が重複しているかどうかに応じて手動かまたはアルゴリズムによるかのいずれかで粒子サイズを測定できるImage Jであった。それらが重複している場合は、手動で測定され、後にデータがグループ化されてMicrosoft Excel上でヒストグラムとして配置され、後にOriginLabにプロットされる。
本願におけるSA、MA、およびECSAに言及すると、それぞれの値は、明細書の概説部分に記載されているように、薄膜回転ディスク電極測定(TF-RDE)を介して実験的に決定される。SA、MA、およびECSAの実験的決定の詳細な説明は、少なくとも
- Mayrhofer et al., "Measurement of Oxygen Reduction Activities via Rotating Disc Electrode Method: From Pt Model Surfaces to Carbon-Supported High Surface Area Catalysts." Electrochimica Acta 2008, 53, 3181-3188；および
- Schmidt et al., "Characterization of High-Surface Area Electrocatalysts Using a Rotating Disk Electrode Configuration" J. Electrochem. Soc. 1998, 145, 2354-2359
によって提供されている。
- Mayrhofer et al., "Measurement of Oxygen Reduction Activities via Rotating Disc Electrode Method: From Pt Model Surfaces to Carbon-Supported High Surface Area Catalysts." Electrochimica Acta 2008, 53, 3181-3188；および
- Schmidt et al., "Characterization of High-Surface Area Electrocatalysts Using a Rotating Disk Electrode Configuration" J. Electrochem. Soc. 1998, 145, 2354-2359
によって提供されている。
これらの文書はORR向けの電極触媒の触媒活性の決定に関する基準を規定している。HOR活性の決定はTF-RDE測定を適用して実施することもできる。本願において与えられるSA、MA、およびECSAのすべての測定は該文書に記載の基準に従って実施される。該文書のSA、MA、およびECSAの決定方法の説明は参照により本明細書に組み入れられる。
試験：M前駆体の不動態化
担体粒子上の金属M前駆体上のインサイチュで形成された不動態化酸化物層の形成を証明する試験。炭素担体粒子上のCuおよびCoについて、この試験を実施した。
担体粒子上の金属M前駆体上のインサイチュで形成された不動態化酸化物層の形成を証明する試験。炭素担体粒子上のCuおよびCoについて、この試験を実施した。
試験1：COパージによるCu/Cの不動態化。
二口丸底フラスコ内で、Cuを14.1wt%含むCu/C（C：BET表面積が250m2/gのカーボンブラック）1グラムを、100mLの超純水（Milli-Q - 18.2MΩcm）に懸濁した。この懸濁液を超音波浴（超音波浴Iskra Sonis 4）に3分間入れた（脱気）。その後、懸濁液をまずArで45分間パージし、次いでCOに切り替えて75分間パージした。その後、懸濁液をろ過した。得られたCu+CuO+Cu2O/C複合体を50℃で一晩放置して乾燥させた。
二口丸底フラスコ内で、Cuを14.1wt%含むCu/C（C：BET表面積が250m2/gのカーボンブラック）1グラムを、100mLの超純水（Milli-Q - 18.2MΩcm）に懸濁した。この懸濁液を超音波浴（超音波浴Iskra Sonis 4）に3分間入れた（脱気）。その後、懸濁液をまずArで45分間パージし、次いでCOに切り替えて75分間パージした。その後、懸濁液をろ過した。得られたCu+CuO+Cu2O/C複合体を50℃で一晩放置して乾燥させた。
試験2：ArパージによるCu/Cの不動態化。
二口丸底フラスコ内で、Cuを14.1wt%含むCu/C（C：BET表面積が250m2/gのカーボンブラック）1グラムを100mLの超純水に懸濁した。この懸濁液を超音波浴（超音波浴Iskra Sonis 4）に3分間入れた（脱気）。その後、懸濁液をまずArで120分間パージした。その後、懸濁液をろ過した。得られたCu+CuO+Cu2O/C複合体を50℃で一晩放置して乾燥させた。
二口丸底フラスコ内で、Cuを14.1wt%含むCu/C（C：BET表面積が250m2/gのカーボンブラック）1グラムを100mLの超純水に懸濁した。この懸濁液を超音波浴（超音波浴Iskra Sonis 4）に3分間入れた（脱気）。その後、懸濁液をまずArで120分間パージした。その後、懸濁液をろ過した。得られたCu+CuO+Cu2O/C複合体を50℃で一晩放置して乾燥させた。
図3a)は、調製したままのCu/C前駆体、水に懸濁しCOでパージした後（試験1）、および水に懸濁しArのみでパージした後（試験2）のXRDスペクトルを示す。金属Cuのピークは減少するがCu酸化物相は増加するという、Cu酸化物の形成が、両方の試験で明確に観察されている。一酸化炭素を導入した場合、実際にCu相がより少なくなり、酸化物相がより多くなることが見られ、これはプールベ線図と一致している。pHは一定に保たれたが、（開回路）電位は（Arなどの不活性ガスとは対照的に）COなどのより酸化性のガスの場合に高く、この条件は、不動態化が促進される領域へさらに移行した。
試験3：COパージによるCo/Cの不動態化。
二口丸底フラスコ内で、Coを14.1wt%含むCo/C（C：BET表面積が250m2/gのカーボンブラック）1グラムを100mLの超純水に懸濁した。この懸濁液を超音波浴（超音波浴Iskra Sonis 4）に3分間入れた（脱気）。その後、懸濁液をまずArで45分間パージし、次いでCOに切り替えて75分間パージした。その後、懸濁液をろ過した。得られたCo+Co3O4/C複合体を50℃で一晩放置して乾燥させた。
二口丸底フラスコ内で、Coを14.1wt%含むCo/C（C：BET表面積が250m2/gのカーボンブラック）1グラムを100mLの超純水に懸濁した。この懸濁液を超音波浴（超音波浴Iskra Sonis 4）に3分間入れた（脱気）。その後、懸濁液をまずArで45分間パージし、次いでCOに切り替えて75分間パージした。その後、懸濁液をろ過した。得られたCo+Co3O4/C複合体を50℃で一晩放置して乾燥させた。
試験4：COパージによるCo/Cの不動態化、pH調整。
二口丸底フラスコ内で、Coを14.1wt%含むCo/C（C：BET表面積が250m2/gのカーボンブラック）1グラムを100mLの0.001M KOH（Merck）に懸濁した。この懸濁液を超音波浴（超音波浴Iskra Sonis 4）に3分間入れた（脱気）。その後、懸濁液をまずArで45分間パージし、次いでCOに切り替えて75分間パージした。その後、懸濁液をろ過し、新たな超純水中に再分散させた。15分間の混合後、懸濁液を再度ろ過し、KOHの中和のためにプロセスを合計3回繰り返した。得られたCo+Co3O4/C複合体を放置して50℃で一晩乾燥させた。
二口丸底フラスコ内で、Coを14.1wt%含むCo/C（C：BET表面積が250m2/gのカーボンブラック）1グラムを100mLの0.001M KOH（Merck）に懸濁した。この懸濁液を超音波浴（超音波浴Iskra Sonis 4）に3分間入れた（脱気）。その後、懸濁液をまずArで45分間パージし、次いでCOに切り替えて75分間パージした。その後、懸濁液をろ過し、新たな超純水中に再分散させた。15分間の混合後、懸濁液を再度ろ過し、KOHの中和のためにプロセスを合計3回繰り返した。得られたCo+Co3O4/C複合体を放置して50℃で一晩乾燥させた。
図3b)は、調製したままのCo/C前駆体、水に懸濁しCOでパージした後（試験3）、および0.001M KOHに懸濁しCOでパージした後（試験4）のXRDスペクトルを示す。金属Coのピークは減少するがCo酸化物相は増加するという、Co酸化物の形成が、両方の試験で明確に観察されている。一部のCo酸化物は水中で形成されるが、塩基性のpHではCo酸化物相の形成が増加したことがさらに観察されている。
実施例1：
二口丸底フラスコ内で、Cuを25.5wt%含むCu/C（C：BET表面積が250m2/gのカーボンブラック）1～6グラムを100mL（6グラムバッチの場合は200mL）の超純水に懸濁した。脱気するために懸濁液を超音波浴（超音波浴Iskra Sonis 4）に3分間入れた。その後、懸濁液をArで45分間パージした。懸濁液を次いでマグネチックスターラーで900rpmにて撹拌しながら15分間COガスでバブリングして飽和を達成した。CO(g)で15分間バブリングした後、反応混合物をCO(g)で継続的にパージしながらシリンジポンプ（WPI sp100i、流速160mL/h）により1グラムのCu/Cあたり11mLの0.1M K2PtCl4（Apollo scientific）を加えた。Pt前駆体を全て反応混合物に加えた後、懸濁液をろ過し、新たな超純水中に再分散させた。15分間の混合後、懸濁液を再度ろ過し、プロセスを合計3回繰り返した。最後のろ過後、得られたPtCu+CuO/C電極触媒を50℃で一晩放置して乾燥させた。COの存在下で合成された乾燥PtCu+CuO/C電極触媒粉末をAl2O3坩堝に入れた。坩堝を石英管に入れ、密封してArで2時間パージした。2時間後（石英管内の雰囲気が無酸素の場合）、熱アニーリングプロセスの全期間にわたってArで継続的にパージしながら温度を10K/minの傾斜で800℃まで上昇させた。800℃で1時間後、温度を10K/minの傾斜で室温まで冷却し、Ptを20wt％およびCuを18.8wt％含むPtCu3/C電極触媒を回収した。
二口丸底フラスコ内で、Cuを25.5wt%含むCu/C（C：BET表面積が250m2/gのカーボンブラック）1～6グラムを100mL（6グラムバッチの場合は200mL）の超純水に懸濁した。脱気するために懸濁液を超音波浴（超音波浴Iskra Sonis 4）に3分間入れた。その後、懸濁液をArで45分間パージした。懸濁液を次いでマグネチックスターラーで900rpmにて撹拌しながら15分間COガスでバブリングして飽和を達成した。CO(g)で15分間バブリングした後、反応混合物をCO(g)で継続的にパージしながらシリンジポンプ（WPI sp100i、流速160mL/h）により1グラムのCu/Cあたり11mLの0.1M K2PtCl4（Apollo scientific）を加えた。Pt前駆体を全て反応混合物に加えた後、懸濁液をろ過し、新たな超純水中に再分散させた。15分間の混合後、懸濁液を再度ろ過し、プロセスを合計3回繰り返した。最後のろ過後、得られたPtCu+CuO/C電極触媒を50℃で一晩放置して乾燥させた。COの存在下で合成された乾燥PtCu+CuO/C電極触媒粉末をAl2O3坩堝に入れた。坩堝を石英管に入れ、密封してArで2時間パージした。2時間後（石英管内の雰囲気が無酸素の場合）、熱アニーリングプロセスの全期間にわたってArで継続的にパージしながら温度を10K/minの傾斜で800℃まで上昇させた。800℃で1時間後、温度を10K/minの傾斜で室温まで冷却し、Ptを20wt％およびCuを18.8wt％含むPtCu3/C電極触媒を回収した。
実施例2：
二口丸底フラスコ内で、Cuを9.3wt%含むCu/C（C：BET表面積が250m2/gのカーボンブラック）2グラムを250mLの超純水に懸濁した。この懸濁液を超音波浴（超音波浴Iskra Sonis 4）に3分間入れた（脱気）。その後、懸濁液をマグネチックスターラーで900rpmにて撹拌しながら15分間COでパージして飽和を達成した。COで15分間バブリングした後、反応混合物をCOで継続的にパージしながらシリンジポンプ（WPI sp100i、流速160mL/h）により1グラムのCu/Cあたり3.3mLの0.1M K2PtCl4（Apollo scientific）を加えた。合成の残りの部分は実施例1の場合と同様にした。Ptを6.1wt％およびCuを8.6wt％含むPtCu3/C電極触媒を最終的に回収した。
二口丸底フラスコ内で、Cuを9.3wt%含むCu/C（C：BET表面積が250m2/gのカーボンブラック）2グラムを250mLの超純水に懸濁した。この懸濁液を超音波浴（超音波浴Iskra Sonis 4）に3分間入れた（脱気）。その後、懸濁液をマグネチックスターラーで900rpmにて撹拌しながら15分間COでパージして飽和を達成した。COで15分間バブリングした後、反応混合物をCOで継続的にパージしながらシリンジポンプ（WPI sp100i、流速160mL/h）により1グラムのCu/Cあたり3.3mLの0.1M K2PtCl4（Apollo scientific）を加えた。合成の残りの部分は実施例1の場合と同様にした。Ptを6.1wt％およびCuを8.6wt％含むPtCu3/C電極触媒を最終的に回収した。
実施例3：
二口丸底フラスコ内で、Cuを9.3wt%含むCu/C（C：BET表面積が250m2/gのカーボンブラック）2グラムを100mLの超純水に懸濁した。この懸濁液を超音波浴（超音波浴Iskra Sonis 4）に3分間入れた（脱気）。その後、懸濁液をマグネチックスターラーで900rpmにて撹拌しながら15分間Arでパージして飽和を達成した。Arで15分間バブリングした後、反応混合物をArで継続的にパージしながらシリンジポンプ（WPI sp100i、流速160mL/h）により1グラムのCu/Cあたり3.3mLの0.1M K2PtCl4（Apollo scientific）を加えた。合成の残りの部分は実施例1の場合と同様にした。
二口丸底フラスコ内で、Cuを9.3wt%含むCu/C（C：BET表面積が250m2/gのカーボンブラック）2グラムを100mLの超純水に懸濁した。この懸濁液を超音波浴（超音波浴Iskra Sonis 4）に3分間入れた（脱気）。その後、懸濁液をマグネチックスターラーで900rpmにて撹拌しながら15分間Arでパージして飽和を達成した。Arで15分間バブリングした後、反応混合物をArで継続的にパージしながらシリンジポンプ（WPI sp100i、流速160mL/h）により1グラムのCu/Cあたり3.3mLの0.1M K2PtCl4（Apollo scientific）を加えた。合成の残りの部分は実施例1の場合と同様にした。
実施例4：
二口丸底フラスコ内で、Cuを14.1wt%含むCu/C（C：BET表面積が250m2/gのカーボンブラック）1グラムを100mLの超純水に懸濁した。この懸濁液を超音波浴（超音波浴Iskra Sonis 4）に3分間入れた（脱気）。その後、懸濁液をマグネチックスターラーで900rpmにて撹拌しながら15分間COでパージして飽和を達成した。COで15分間バブリングした後、反応混合物をCOで継続的にパージしながらシリンジポンプ（WPI sp100i、流速160mL/h）により5mLの0.1M K2PtCl4（Apollo scientific）を加えた。他はすべて実施例1と同様にした。Ptを11.6wt%およびCuを11.7wt%含むPtCu3/C電極触媒を最終的に回収した。
二口丸底フラスコ内で、Cuを14.1wt%含むCu/C（C：BET表面積が250m2/gのカーボンブラック）1グラムを100mLの超純水に懸濁した。この懸濁液を超音波浴（超音波浴Iskra Sonis 4）に3分間入れた（脱気）。その後、懸濁液をマグネチックスターラーで900rpmにて撹拌しながら15分間COでパージして飽和を達成した。COで15分間バブリングした後、反応混合物をCOで継続的にパージしながらシリンジポンプ（WPI sp100i、流速160mL/h）により5mLの0.1M K2PtCl4（Apollo scientific）を加えた。他はすべて実施例1と同様にした。Ptを11.6wt%およびCuを11.7wt%含むPtCu3/C電極触媒を最終的に回収した。
実施例5：
二口丸底フラスコ内で、Cuを14.1wt%含むCu/C（C：BET表面積が250m2/gのカーボンブラック）1グラムを100mLの超純水に懸濁した。この懸濁液を超音波浴（超音波浴Iskra Sonis 4）に3分間入れた（脱気）。その後、懸濁液をマグネチックスターラーで900rpmにて撹拌しながら15分間COでパージして飽和を達成した。COで15分間バブリングした後、反応混合物をCOで継続的にパージしながらシリンジポンプ（WPI sp100i、流速160mL/h）により10mLの0.1M K2PtCl4を加えた。他はすべて実施例1と同様にした。Ptを19.5wt%およびCuを7.3wt%含むPtCu/C電極触媒を最終的に回収した。
二口丸底フラスコ内で、Cuを14.1wt%含むCu/C（C：BET表面積が250m2/gのカーボンブラック）1グラムを100mLの超純水に懸濁した。この懸濁液を超音波浴（超音波浴Iskra Sonis 4）に3分間入れた（脱気）。その後、懸濁液をマグネチックスターラーで900rpmにて撹拌しながら15分間COでパージして飽和を達成した。COで15分間バブリングした後、反応混合物をCOで継続的にパージしながらシリンジポンプ（WPI sp100i、流速160mL/h）により10mLの0.1M K2PtCl4を加えた。他はすべて実施例1と同様にした。Ptを19.5wt%およびCuを7.3wt%含むPtCu/C電極触媒を最終的に回収した。
実施例6：
二口丸底フラスコ内で、Cuを14.1wt%含むCu/C（C：BET表面積が250m2/gのカーボンブラック）1グラムを100mLの超純水に懸濁した。この懸濁液を超音波浴（超音波浴Iskra Sonis 4）に3分間入れた（脱気）。その後、懸濁液をマグネチックスターラーで900rpmにて撹拌しながら15分間COでパージして飽和を達成した。COで15分間バブリングした後、反応混合物をCOで継続的にパージしながらシリンジポンプ（WPI sp100i、流速160mL/h）により12.5mLの0.1M K2PtCl4を加えた。他はすべて実施例1と同様にした。Ptを24wt%およびCuを5.5wt%含むPtCu/C電極触媒を最終的に回収した。
二口丸底フラスコ内で、Cuを14.1wt%含むCu/C（C：BET表面積が250m2/gのカーボンブラック）1グラムを100mLの超純水に懸濁した。この懸濁液を超音波浴（超音波浴Iskra Sonis 4）に3分間入れた（脱気）。その後、懸濁液をマグネチックスターラーで900rpmにて撹拌しながら15分間COでパージして飽和を達成した。COで15分間バブリングした後、反応混合物をCOで継続的にパージしながらシリンジポンプ（WPI sp100i、流速160mL/h）により12.5mLの0.1M K2PtCl4を加えた。他はすべて実施例1と同様にした。Ptを24wt%およびCuを5.5wt%含むPtCu/C電極触媒を最終的に回収した。
実施例7：
二口丸底フラスコ内で、Cuを14.1wt%含むCu/C（C：BET表面積が250m2/gのカーボンブラック）1グラムを100mLの超純水に懸濁した。この懸濁液を超音波浴（超音波浴Iskra Sonis 4）に3分間入れた（脱気）。その後、懸濁液をマグネチックスターラーで900rpmにて撹拌しながら15分間COでパージして飽和を達成した。COで15分間バブリングした後、反応混合物をCOで継続的にパージしながらシリンジポンプ（WPI sp100i、流速160mL/h）により15mLの0.1M K2PtCl4（Apollo scientific）を加えた。他はすべて実施例1と同様にした。Ptを26wt%およびCuを4.1wt%含むPtCu/C電極触媒を最終的に回収した。
二口丸底フラスコ内で、Cuを14.1wt%含むCu/C（C：BET表面積が250m2/gのカーボンブラック）1グラムを100mLの超純水に懸濁した。この懸濁液を超音波浴（超音波浴Iskra Sonis 4）に3分間入れた（脱気）。その後、懸濁液をマグネチックスターラーで900rpmにて撹拌しながら15分間COでパージして飽和を達成した。COで15分間バブリングした後、反応混合物をCOで継続的にパージしながらシリンジポンプ（WPI sp100i、流速160mL/h）により15mLの0.1M K2PtCl4（Apollo scientific）を加えた。他はすべて実施例1と同様にした。Ptを26wt%およびCuを4.1wt%含むPtCu/C電極触媒を最終的に回収した。
実施例8：
二口丸底フラスコ内で、Cuを33wt%含むCu/C（C：BET表面積が250m2/gのカーボンブラック）1～3グラムを100mLの超純水に懸濁した。この懸濁液を超音波浴（超音波浴Iskra Sonis 4）に3分間入れた（脱気）。その後、懸濁液をマグネチックスターラーで900rpmにて撹拌しながら15分間COでパージして飽和を達成した。COで15分間バブリングした後、反応混合物をCOで継続的にパージしながらシリンジポンプ（WPI sp100i、流速160mL/h）により1グラムのCu/Cあたり15mLの0.1M K2PtCl4（Apollo scientific）を加えた。他はすべて実施例1と同様にした。Ptを26.8wt%およびCuを25.2wt%含むPtCu3/C電極触媒を最終的に回収した。
二口丸底フラスコ内で、Cuを33wt%含むCu/C（C：BET表面積が250m2/gのカーボンブラック）1～3グラムを100mLの超純水に懸濁した。この懸濁液を超音波浴（超音波浴Iskra Sonis 4）に3分間入れた（脱気）。その後、懸濁液をマグネチックスターラーで900rpmにて撹拌しながら15分間COでパージして飽和を達成した。COで15分間バブリングした後、反応混合物をCOで継続的にパージしながらシリンジポンプ（WPI sp100i、流速160mL/h）により1グラムのCu/Cあたり15mLの0.1M K2PtCl4（Apollo scientific）を加えた。他はすべて実施例1と同様にした。Ptを26.8wt%およびCuを25.2wt%含むPtCu3/C電極触媒を最終的に回収した。
実施例9：
二口丸底フラスコ内で、Cuを33wt%含むCu/C（C：BET表面積が800m2/gのカーボンブラック）1～6グラムを100mL（6グラムバッチの場合は200mL）の超純水に懸濁した。この懸濁液を超音波浴（超音波浴Iskra Sonis 4）に3分間入れた（脱気）。その後、懸濁液をマグネチックスターラーで900rpmにて撹拌しながら15分間COでパージして飽和を達成した。COで15分間バブリングした後、反応混合物をCOで継続的にパージしながらシリンジポンプ（WPI sp100i、流速160mL/h）により15mL（1グラムのCu/Cあたり）の0.1M K2PtCl4（Apollo scientific）を加えた。他はすべて実施例1と同様にした。Ptを26.4wt%およびCuを25.9wt%含むPtCu3/C電極触媒を最終的に回収した。
二口丸底フラスコ内で、Cuを33wt%含むCu/C（C：BET表面積が800m2/gのカーボンブラック）1～6グラムを100mL（6グラムバッチの場合は200mL）の超純水に懸濁した。この懸濁液を超音波浴（超音波浴Iskra Sonis 4）に3分間入れた（脱気）。その後、懸濁液をマグネチックスターラーで900rpmにて撹拌しながら15分間COでパージして飽和を達成した。COで15分間バブリングした後、反応混合物をCOで継続的にパージしながらシリンジポンプ（WPI sp100i、流速160mL/h）により15mL（1グラムのCu/Cあたり）の0.1M K2PtCl4（Apollo scientific）を加えた。他はすべて実施例1と同様にした。Ptを26.4wt%およびCuを25.9wt%含むPtCu3/C電極触媒を最終的に回収した。
実施例10：
二口丸底フラスコ内で、Cuを33wt%含むCu/C（C：BET表面積が1000m2/gのカーボンブラック）1～3グラムを100mLの超純水に懸濁した。この懸濁液を超音波浴（超音波浴Iskra Sonis 4）に3分間入れた（脱気）。その後、懸濁液をマグネチックスターラーで900rpmにて撹拌しながら15分間COでパージして飽和を達成した。COで15分間バブリングした後、反応混合物をCOで継続的にパージしながらシリンジポンプ（WPI sp100i、流速160mL/h）により15mL（1グラムのCu/Cあたり）の0.1M K2PtCl4（Apollo scientific）を加えた。他はすべて実施例1と同様にした。Ptを25.5wt%およびCuを26wt%含むPtCu3/C電極触媒を最終的に回収した。
二口丸底フラスコ内で、Cuを33wt%含むCu/C（C：BET表面積が1000m2/gのカーボンブラック）1～3グラムを100mLの超純水に懸濁した。この懸濁液を超音波浴（超音波浴Iskra Sonis 4）に3分間入れた（脱気）。その後、懸濁液をマグネチックスターラーで900rpmにて撹拌しながら15分間COでパージして飽和を達成した。COで15分間バブリングした後、反応混合物をCOで継続的にパージしながらシリンジポンプ（WPI sp100i、流速160mL/h）により15mL（1グラムのCu/Cあたり）の0.1M K2PtCl4（Apollo scientific）を加えた。他はすべて実施例1と同様にした。Ptを25.5wt%およびCuを26wt%含むPtCu3/C電極触媒を最終的に回収した。
実施例11：
二口丸底フラスコ内で、Cuを33wt%含むCu/C（C：BET表面積が1400m2/gのカーボンブラック）1グラムを100mLの超純水に懸濁した。この懸濁液を超音波浴（超音波浴Iskra Sonis 4）に3分間入れた（脱気）。その後、懸濁液をマグネチックスターラーで900rpmにて撹拌しながら15分間COでパージして飽和を達成した。COで15分間バブリングした後、反応混合物をCOで継続的にパージしながらシリンジポンプ（WPI sp100i、流速160mL/h）により15mLの0.1M K2PtCl4（Apollo scientific）を加えた。他はすべて実施例1と同様にした。Ptを26wt%およびCuを25.6wt%含むPtCu3/C電極触媒を最終的に回収した。
二口丸底フラスコ内で、Cuを33wt%含むCu/C（C：BET表面積が1400m2/gのカーボンブラック）1グラムを100mLの超純水に懸濁した。この懸濁液を超音波浴（超音波浴Iskra Sonis 4）に3分間入れた（脱気）。その後、懸濁液をマグネチックスターラーで900rpmにて撹拌しながら15分間COでパージして飽和を達成した。COで15分間バブリングした後、反応混合物をCOで継続的にパージしながらシリンジポンプ（WPI sp100i、流速160mL/h）により15mLの0.1M K2PtCl4（Apollo scientific）を加えた。他はすべて実施例1と同様にした。Ptを26wt%およびCuを25.6wt%含むPtCu3/C電極触媒を最終的に回収した。
（表１）200サイクルのインサイチュEA（0.05～1.2V vs. RHE、300mV/s）後の、同じタイプの炭素担体（BET表面積が250m2/gのカーボンブラック）に担持されているが金属添加量(Pt+Cu)が異なる4つのPtCu3/C電極触媒のTF-RDE評価。
（表２）200サイクルのインサイチュEA（0.05～1.2V vs. RHE、300mV/s）後の、同じタイプの炭素担体（BET表面積が250m2/gのカーボンブラック）に担持されているがPt:Cu化学組成が異なる4つのPtCu3/C電極触媒のTF-RDE評価。
（表３）200サイクルのインサイチュEA（0.05～1.2V vs. RHE、300mV/s）後の、異なるタイプの市販の炭素担体に担持された4つのPtCu3/C電極触媒のTF-RDE評価。
図4は、同じ炭素担体上のCu添加量が異なるCu/C前駆体を用いることによる、総金属添加量(Pt+Cu)に差異がある生成物のXRDスペクトルを示す（実施例1、2、4および8）。この一連の類似体（表1を参照されたい）および図5は、インサイチュEA後のPtCu3/C電極触媒のCOストリッピングCV、ORR分極曲線、および算出されたターフェルプロット（実施例1、2、4および8）を示す。総金属添加量(Pt+Cu)の増加によって、ECSACO（白金の質量によりノーマライズされた白金の表面積）ひいてはMAも低減するが、COストリッピング面積に対応する面積（触媒の質量あたりの白金の表面積）は実際に増加している。さらに、この一連の類似体は、異なる総金属添加量(Pt+M)の設計におけるフレキシビリティを示しており、これは、高い金属添加量が必要で同時にECSACOが最低でも40m2/gPtを超えるPEMFCにおける適用には非常に重要である。4つの電極触媒はすべて、SAおよびMAの点で最先端のPt/C電極触媒を大幅に上回っている。
図6は、Cu添加量が一定のCu/C前駆体に異なる量のK2PtCl4前駆体を添加した、Pt:Cu化学組成が異なる生成物のXRDスペクトルを示す（実施例4～7）。基準として、市販のPt-Cu/C電極触媒(PK触媒)を分析したところ、これは実施例5からのPtCu/C電極触媒と非常に似たXRDパターンを示した。この一連の類似体は、「二重不動態化」GD法がPtM3結晶構造によってではなく、むしろ犠牲金属(M)の量によって制限されることを示している。図7は、インサイチュEA後のPt-Cu/C電極触媒のCOストリッピングCV、ORR分極曲線、および算出されたターフェルプロット（実施例4～7）を示す。結果は、実施例4 ＞ 実施例5 ＞ 実施例6 ＞ 実施例7の順で、化学組成にPtが多いほど0.9V vs. RHEのORRについて低いSAを呈することをよく示している（表2および図7を参照されたい）。それでもなお、示されたPt-Cu/C電極触媒はすべて、最先端のPt/C電極触媒とは対照的に向上したSAを呈する。Pt-Cu/C電極触媒はすべて、十分なECSACO（40m2/gPt超）も呈し、よってMAの点でも最先端のPt/C電極触媒を上回っている。
図8は、金属の総添加量(Pt+Cu)およびPt:Cuの化学組成は類似するが炭素担体は異なる生成物のXRDスペクトルを示しており、これらの実施例ではBETが250～1400m2/gの炭素担体を用いた（実施例8～11）。図9におけるこの一連の類似体（表3を参照されたい）は、インサイチュEA後の対応するPtCu3/C電極触媒（実施例8～11）のCOストリッピングCV、ORR分極曲線、および算出されたターフェルプロットを示す。炭素担体のBET面積が大きいほどECSACOおよびCOストリッピング面積の増加傾向が観察された。よって、これらの実施例によると、炭素担体のBETがより高ければ、総金属添加量(Pt+Cu)が類似する貴金属合金ナノ粒子（実施例8～11）の分散がより良好であった。これは、実施例1、2、4および8の場合のように総金属添加量(Pt+Cu)を犠牲にすることなくECSACOおよびCOストリッピング面積を増加させる方法として優れた手法である。4つの電極触媒はすべて、SAおよびMAの点でも最先端のPt/C電極触媒を大幅に上回っている。
Pt塩前駆体添加時のCOの有無に関わりなく自発的なGD反応が起きたが、得られたPtCu+CuO/C複合体には大きな違いがあり（図10）、実施例3を参照されたい。図10aにおけるピークの重複から見られるように、COの存在下で反応を実施しても、得られるCuO相（35.7°(-111)および38.9°(111)2θ）には影響しない。一方で、PtCu相（41.2°(111)および47.9°(200)2θ）に対応する最も強いピークには、微細であるが有意な差がある。得られた違いは、形成されるナノ粒子の過度の凝集および成長をPt表面の不動態化により防止する非常に効率的なキャッピング剤としてCOが作用するという強力なPt-CO相互作用の直接的な結果である。両方の類似体のその後の熱アニーリング後（図10b）では、両方の類似体のPm3m PtCu3相（24.1°(100)、34.3°(110)、42.4°(111)および49.3°(200)2θ）について得られたXRDスペクトルの差がより明確になり、PtCu3/C-COの場合では結晶子サイズがはるかに小さいことを表している。図10a)およびb)のXRDスペクトルにおいて観察された差異をさらに確認するために、追加のエクスサイチュTEM分析を実施した（図10c）～f)）。PtCu+CuO/C類似体の場合の熱アニーリングの前（図10c）に、小さなPtCuナノ結晶子からなる大きな凝集体が観察される。観察された小さいが凝集したPtCuナノ結晶子は、PtCu相に対応するピークが依然かなりブロードであるXRDスペクトルと一致している。対照的に、PtCu+CuO/C-CO類似体の場合（図10d）、我々は翻ってPtCuナノ粒子のほぼ完全な分散を観察している。その後の熱アニーリング後では、分散が不十分な凝集したPtCuナノ結晶子は大きな球状粒子へと焼結している（図10e）。対照的に、至適に分散したPtCu粒子は熱処理後も小さいままでありよく分散していた（図10f）。この比較は、800℃の高温であっても、熱処理時の過度の粒子成長の防止における初期分散液の性質（酷い凝集がないこと）の重要な役割を明らかにしている。初期分散液のこのような性質は、本質的に、二重不動態化（電子の3つの経路のうちの2つがブロックされている）の場合にのみ可能であるが、この実施例に示されているように、第2の不動態化がない（電子の3つの経路のうちの1つだけがブロックされている）と酷い凝集がもたらされる。Pt表面積の違いは、PtCu3/C（実施例3）およびPtCu3/C-CO（実施例2）の両方の類似体を比較することによる0.1M HClO4における「COストリッピング」実験によってさらに評価することができる。「COストリッピング」実験に基づくECSACOは200サイクルの電気化学的サイクリング活性化（0.05～1.2V vs. RHE、300mV/s）後に測定した、図10g)およびh)。PtCu3/C-CO類似体は、2倍を超えるECSACOを有することにより、COガスなしで合成された類似体よりも遥かに良好に機能する。
実施例12：
二口丸底フラスコ内で、Niを14.1wt%含むNi/C（C：BET表面積が250m2/gのカーボンブラック）1グラムを100mLの0.0001M KOH （Merck）に懸濁した。この懸濁液を超音波浴（超音波浴Iskra Sonis 4）に3分間入れた（脱気）。その後、懸濁液をマグネチックスターラーで900rpmにて撹拌しながら15分間COでパージして飽和を達成した。COで15分間バブリングした後、反応混合物をCOで継続的にパージしながらシリンジポンプ（WPI sp100i、流速160mL/h）により5mLの0.1M K2PtCl4（Apollo scientific）を加えた。他はすべて実施例1と同様にした。PtNi3/C電極触媒を最終的に回収した。
二口丸底フラスコ内で、Niを14.1wt%含むNi/C（C：BET表面積が250m2/gのカーボンブラック）1グラムを100mLの0.0001M KOH （Merck）に懸濁した。この懸濁液を超音波浴（超音波浴Iskra Sonis 4）に3分間入れた（脱気）。その後、懸濁液をマグネチックスターラーで900rpmにて撹拌しながら15分間COでパージして飽和を達成した。COで15分間バブリングした後、反応混合物をCOで継続的にパージしながらシリンジポンプ（WPI sp100i、流速160mL/h）により5mLの0.1M K2PtCl4（Apollo scientific）を加えた。他はすべて実施例1と同様にした。PtNi3/C電極触媒を最終的に回収した。
実施例13：
二口丸底フラスコ内で、Niを14.1wt%含むNi/C（C：BET表面積が250m2/gのカーボンブラック）1グラムを100mLの0.0001M KOH（Merck）に懸濁した。この懸濁液を超音波浴（超音波浴Iskra Sonis 4）に3分間入れた（脱気）。その後、懸濁液をマグネチックスターラーで900rpmにて撹拌しながら15分間Arでパージして飽和を達成した。Arで15分間バブリングした後、反応混合物をArで継続的にパージしながらシリンジポンプ（WPI sp100i、流速160mL/h）により5mLの0.1M K2PtCl4（Apollo scientific）を加えた。他はすべて実施例1と同様にした。Pt3Ni+PtNi3+Ni/C電極触媒を最終的に回収した。
二口丸底フラスコ内で、Niを14.1wt%含むNi/C（C：BET表面積が250m2/gのカーボンブラック）1グラムを100mLの0.0001M KOH（Merck）に懸濁した。この懸濁液を超音波浴（超音波浴Iskra Sonis 4）に3分間入れた（脱気）。その後、懸濁液をマグネチックスターラーで900rpmにて撹拌しながら15分間Arでパージして飽和を達成した。Arで15分間バブリングした後、反応混合物をArで継続的にパージしながらシリンジポンプ（WPI sp100i、流速160mL/h）により5mLの0.1M K2PtCl4（Apollo scientific）を加えた。他はすべて実施例1と同様にした。Pt3Ni+PtNi3+Ni/C電極触媒を最終的に回収した。
実施例14：
二口丸底フラスコ内で、Coを14.1wt%含むCo/C（C：BET表面積が250m2/gのカーボンブラック）1グラムを100mLの0.001M KOH（Merck）に懸濁した。この懸濁液を超音波浴（超音波浴Iskra Sonis 4）に3分間入れた（脱気）。その後、懸濁液をマグネチックスターラーで900rpmにて撹拌しながら15分間COでパージして飽和を達成した。COで15分間バブリングした後、反応混合物をCOで継続的にパージしながらシリンジポンプ（WPI sp100i、流速160mL/h）により5mLの0.1M K2PtCl4（Apollo scientific）を加えた。他はすべて実施例1と同様にした。PtCo3/C電極触媒を最終的に回収した。
二口丸底フラスコ内で、Coを14.1wt%含むCo/C（C：BET表面積が250m2/gのカーボンブラック）1グラムを100mLの0.001M KOH（Merck）に懸濁した。この懸濁液を超音波浴（超音波浴Iskra Sonis 4）に3分間入れた（脱気）。その後、懸濁液をマグネチックスターラーで900rpmにて撹拌しながら15分間COでパージして飽和を達成した。COで15分間バブリングした後、反応混合物をCOで継続的にパージしながらシリンジポンプ（WPI sp100i、流速160mL/h）により5mLの0.1M K2PtCl4（Apollo scientific）を加えた。他はすべて実施例1と同様にした。PtCo3/C電極触媒を最終的に回収した。
実施例15：
二口丸底フラスコ内で、Coを14.1wt%含むCo/C（C：BET表面積が250m2/gのカーボンブラック）1グラムを100mLの0.001M KOH（Merck）に懸濁した。この懸濁液を超音波浴（超音波浴Iskra Sonis 4）に3分間入れた（脱気）。その後、懸濁液をマグネチックスターラーで900rpmにて撹拌しながら15分間Arでパージして飽和を達成した。Arで15分間バブリングした後、反応混合物をArで継続的にパージしながらシリンジポンプ（WPI sp100i、流速160mL/h）により5mLの0.1M K2PtCl4（Apollo scientific）を加えた。他はすべて実施例1と同様にした。Pt3Co+PtCo3+Co/C電極触媒を最終的に回収した。
二口丸底フラスコ内で、Coを14.1wt%含むCo/C（C：BET表面積が250m2/gのカーボンブラック）1グラムを100mLの0.001M KOH（Merck）に懸濁した。この懸濁液を超音波浴（超音波浴Iskra Sonis 4）に3分間入れた（脱気）。その後、懸濁液をマグネチックスターラーで900rpmにて撹拌しながら15分間Arでパージして飽和を達成した。Arで15分間バブリングした後、反応混合物をArで継続的にパージしながらシリンジポンプ（WPI sp100i、流速160mL/h）により5mLの0.1M K2PtCl4（Apollo scientific）を加えた。他はすべて実施例1と同様にした。Pt3Co+PtCo3+Co/C電極触媒を最終的に回収した。
図11a)およびb)はPt-Ni系においてNi/C前駆体を用いた二重不動態化GD合成法のXRDパターンを示す（実施例12および13）。上に説明したPt-Cu系と同様に、Pt塩前駆体添加時のCOの有無に関わりなくGD反応が起こり、得られたPt+Ni/C複合体に大きな違いがあった。図11a)に見られるように、Pt相（39.8°(111)および46.2°(200)2θ）の最も強いピークはCOの存在下においてGDによって広がり、よって、より小さなナノ結晶子を表している。Pt-Cu系の場合と同じく、より貴度の低い金属(Ni)相（44.3°(111)および51.7°(200)2θ）の最も強いピークに目立った違いはなかった。さらに、熱アニーリング後（図11b）、COを用いた試料にはPtNi3相（42.4°(111)および49.3°(200)2θ）のみが存在する一方で、COを用いない試料は、PtNi3結晶相（42.4°(111)および49.3°(200)2θ）の他に、依然としてPt3Ni（40.4°(111)および51.7°(200)2θ）およびNi（44.3°(111)および46.8°(200)2θ）結晶相の存在も示す。GD合成工程時にCOが存在せずに合成された試料の場合の結晶相の不均一性は、キャッピングCOガスが存在しないためにPtナノ粒子の分散がより悪い結果である可能性が最も高い。
図11c)およびd)は、Pt-Co系においてCo/C前駆体を用いた二重不動態化GD合成法のXRDパターンを示す（実施例14および15）。上に説明したPt-Cu系と同様に、Pt塩前駆体添加時のCOの有無に関わりなくGD反応が起こり、得られたPt+Co3O4/C複合体に大きな違いがあった。図11c)に見られるように、Pt相（40.0°(111)および46.5°(200)2θ）のピークはCOの存在下においてGDによって広がり、よって、より小さなナノ結晶子を表している。Pt-Cu系の場合と同じく、より貴度の低い金属(Co3O4)相（19°(111)、31.3°(220)、36.8°(311)、44.8°(400)および55.6°(422)2θ）の最も強いピークに目立った違いはなかった。さらに、熱アニーリング後（図11d）、COを用いた試料にはPtCo3結晶相（42.6°(111)および49.6°(200)2θ）のみが存在する一方で、COを用いない試料は、いくらかの残存するCo（44.2°(111)および51.5°(200)2θ）結晶相と共に、Pt3Co（24.1(100)、33.3(110)、41.0°(111)および49.6°(200)2θ）ならびにPtCo3（42.2°(111)および49.1°(200)2θ）結晶相の両方を示した。GD合成工程時にCOが存在せずに合成された試料の場合の結晶相の不均一性は、キャッピングCOガスが存在しないためにPtナノ粒子の分散がより悪い結果である可能性が最も高い。
本発明の二重不動態化GD法が最終生成物の設計において高いフレキシビリティをもたらすことが示された。本方法は、貴金属：Mの化学組成、炭素担体上のMの総金属添加量におけるバリエーション、および炭素担体自体のバリエーションを可能にする。さらに、本二重不動態化GD法は炭素担体上に十分に分散されたナノ粒子を提供し、これは電極触媒材料として用いられた際に高い質量活性を与えることが示された。特に、本発明に従って製造された炭素担持白金合金ナノ粒子触媒は、粒子サイズが小さくかつ白金とMとが合金化しているため、ORR（酸素還元反応）について非常に高いSA（比活性）およびMA（質量活性）を有することが示された。
実施例16：
CuO+Cu還元型酸化グラフェン複合体を2工程で合成した。第1の工程では、酸化グラフェンは修正ハマー法を用いてグラファイト(TIMREX KS44)から製造した（"Improved synthesis of Graphene Oxide", Marcanto, D.C. et al, ACS Nano 2010, 4, 8, 4806-4814）。第2の工程では、合成されたままの酸化グラフェンと酢酸銅(II)一水和物（Merck）とMilli-Q水との懸濁液を、酢酸銅(II)一水和物および酸化グラフェンが不活性アセチレン雰囲気下で熱的に還元されるパルス燃焼/熱音響反応器に圧送した。CuO+Cu還元型酸化グラフェンの黒色複合体を回収した。二重不動態化法の目的のため、二口丸底フラスコ内で、Cuを38wt％含むCuO+Cu還元型酸化グラフェン複合体200mgを20mLの超純水に懸濁した。この懸濁液を超音波浴（超音波浴Iskra Sonis 4）に3分間入れた（脱気）。その後、懸濁液をマグネチックスターラーで900rpmにて撹拌しながら15分間COでパージして飽和を達成した。COで15分間バブリングした後、反応混合物をCOで継続的にパージしながらシリンジポンプ（WPI sp100i、流速160mL/h）により1.5mL（CuO+Cu還元型酸化グラフェン100ミリグラムあたり）の0.1M K2PtCl4（Apollo scientific）を加えた。他はすべて実施例1と同様にした。熱アニーリング後、PtCu+PtCu3還元型酸化グラフェン電極触媒を最終的に回収した。
CuO+Cu還元型酸化グラフェン複合体を2工程で合成した。第1の工程では、酸化グラフェンは修正ハマー法を用いてグラファイト(TIMREX KS44)から製造した（"Improved synthesis of Graphene Oxide", Marcanto, D.C. et al, ACS Nano 2010, 4, 8, 4806-4814）。第2の工程では、合成されたままの酸化グラフェンと酢酸銅(II)一水和物（Merck）とMilli-Q水との懸濁液を、酢酸銅(II)一水和物および酸化グラフェンが不活性アセチレン雰囲気下で熱的に還元されるパルス燃焼/熱音響反応器に圧送した。CuO+Cu還元型酸化グラフェンの黒色複合体を回収した。二重不動態化法の目的のため、二口丸底フラスコ内で、Cuを38wt％含むCuO+Cu還元型酸化グラフェン複合体200mgを20mLの超純水に懸濁した。この懸濁液を超音波浴（超音波浴Iskra Sonis 4）に3分間入れた（脱気）。その後、懸濁液をマグネチックスターラーで900rpmにて撹拌しながら15分間COでパージして飽和を達成した。COで15分間バブリングした後、反応混合物をCOで継続的にパージしながらシリンジポンプ（WPI sp100i、流速160mL/h）により1.5mL（CuO+Cu還元型酸化グラフェン100ミリグラムあたり）の0.1M K2PtCl4（Apollo scientific）を加えた。他はすべて実施例1と同様にした。熱アニーリング後、PtCu+PtCu3還元型酸化グラフェン電極触媒を最終的に回収した。
図12a)は、熱音響反応器で調製された還元型酸化グラフェン上のCuO+Cu複合体のXRDパターンを示す（実施例16）。上に説明した、カーボンブラック上のPt-Cu系と同様に、同じ二重不動態化機構を介してGD反応が起きた。図12b)は、二重不動態化GDを用いた合成後の還元型酸化グラフェン上のPtCu+CuO複合体（合成されたまま）のXRDパターンを示す（実施例16）。図12b)に見られるように、カーボンブラック上での合成と同様に、よりシャープなCuO相ピーク（35.7°(-111)および38.9°(111)2θ）に加えて、ブロードなPtCu相ピーク（41.2°(111)および47.9°(200)2θ）が存在する。その後の熱アニーリング後では、PtとCuとの比率により、Pm3m PtCu3相（24.1°(100)、34.3°(110)、42.4°(111)および49.3°(200)2θ）およびR-3m相（20.4°(021)、39.2°(205)、41°(006)および47.9°(404)2θ）の両方が見られる。XRDパターンのメインピークの幅広さは結晶子サイズが小さいことを表している（実施例16）。
本発明の二重不動態化GD法は、還元型酸化グラフェン系複合体の使用において担体材料の選択に高いフレキシビリティをもたらすことが示された。さらに、実施例16によれば、本発明は、エクスサイチュで部分的に不動態化されたM/S前駆体を用いる可能性も示している。
実施例17：
TiOxNy基質上の金属Cuを得るために次の手順を用いた。第1の工程では、TiOxNyは、NH3気流下（50cm3 min-1）にて730℃で12時間（加熱および冷却の速度はいずれも5℃ min-1であった）TiO2(Degussa P25)を熱アニーリングすることによって調製した。第2の工程では、180mgのCuBr2を0.4mLのMilli-Q水に溶解した。次いで、CuBr2溶液に第1の工程で得られたTiOxNy基質を200mg加えた。混合物を次いで50℃で30分間乾燥させた。乾燥させたCuBr2含浸TiOxNy粉末を次いでNH3（50cm3 min-1）の気流下にて730℃で再び熱アニーリングした（5時間、加熱速度2℃ min-1、冷却速度3℃ min-1）。最後の工程では、GDによる二重不動態化を用いてTiOxNy基質上にPtを析出させた。二重不動態化GD工程のために、二口丸底フラスコ内で、TiOxNy上のCu（約20wt％Cu）75mgを20mLの超純水に懸濁した。この懸濁液を超音波浴（超音波浴Iskra Sonis 4）に3分間入れた（脱気）。その後、懸濁液をマグネチックスターラーで900rpmにて撹拌しながら15分間COガスでパージして飽和を達成した。COガスで15分間バブリングした後、反応混合物をCOガスで継続的にパージしながらシリンジポンプ（WPI sp100i、流速160mL/h）により0.688mLの0.1M K2PtCl4（Apollo scientific）を加えた。Pt前駆体を全て反応混合物に加えた後、懸濁液をろ過し、新たな超純水に再分散させた。15分間の混合後、懸濁液を再度ろ過し、プロセスを合計3回繰り返した。最後のろ過後、得られたPtCu+CuO/TiOxNy複合体を50℃で一晩放置して乾燥させた。
TiOxNy基質上の金属Cuを得るために次の手順を用いた。第1の工程では、TiOxNyは、NH3気流下（50cm3 min-1）にて730℃で12時間（加熱および冷却の速度はいずれも5℃ min-1であった）TiO2(Degussa P25)を熱アニーリングすることによって調製した。第2の工程では、180mgのCuBr2を0.4mLのMilli-Q水に溶解した。次いで、CuBr2溶液に第1の工程で得られたTiOxNy基質を200mg加えた。混合物を次いで50℃で30分間乾燥させた。乾燥させたCuBr2含浸TiOxNy粉末を次いでNH3（50cm3 min-1）の気流下にて730℃で再び熱アニーリングした（5時間、加熱速度2℃ min-1、冷却速度3℃ min-1）。最後の工程では、GDによる二重不動態化を用いてTiOxNy基質上にPtを析出させた。二重不動態化GD工程のために、二口丸底フラスコ内で、TiOxNy上のCu（約20wt％Cu）75mgを20mLの超純水に懸濁した。この懸濁液を超音波浴（超音波浴Iskra Sonis 4）に3分間入れた（脱気）。その後、懸濁液をマグネチックスターラーで900rpmにて撹拌しながら15分間COガスでパージして飽和を達成した。COガスで15分間バブリングした後、反応混合物をCOガスで継続的にパージしながらシリンジポンプ（WPI sp100i、流速160mL/h）により0.688mLの0.1M K2PtCl4（Apollo scientific）を加えた。Pt前駆体を全て反応混合物に加えた後、懸濁液をろ過し、新たな超純水に再分散させた。15分間の混合後、懸濁液を再度ろ過し、プロセスを合計3回繰り返した。最後のろ過後、得られたPtCu+CuO/TiOxNy複合体を50℃で一晩放置して乾燥させた。
図13は、1)権利保護されたTiOxNy担体（実施例17）、2)二重不動態化GD法を用いた合成前のCu+TiOxNy複合体（実施例17）、および3)二重不動態化GD法を用いた合成後のPtCu+CuO/TiOxNy複合体（実施例17）のXRDパターンを示す。上に説明した、カーボンブラック上のPt-Cu系と同様に、同じ二重不動態化機構を介してGD反応が起きた。図13に見られるように、カーボンブラック上の合成と同様に、二重不動態化GD法を用いた合成後。純粋なCuFm-3m相（43.3°(111)および50.4°(200)2θ）が消失し、ブロードなPtCu相ピーク（41.2°(111)および47.9°(200)2θ）CuO相ピーク（35.7°(-111)および38.9°(111)2θ）が現れる。TiOxNy結晶相（37°(111)および43°(200)2θ）は合成全体を通して元の状態を維持する（実施例17）。
本発明の二重不動態化GD法は、導電性セラミック(TiOxNy)の使用において担体材料の選択に高いフレキシビリティをもたらすことが示された。
実施例18：
カーボンブラック上のCu+Cu2O+CuO複合体を単一の工程で合成した。BET表面積が800m2/gのカーボンブラックと酢酸銅(II)一水和物（Merck）とMilli-Q水との懸濁液を、酢酸銅(II)一水和物が不活性アセチレン雰囲気下においてカーボンブラック上で熱的に還元されるパルス燃焼/熱音響反応器に圧送した。Cu+Cu2O+CuOカーボンブラックの黒色複合体を回収した。二口丸底フラスコ内で、Cuを41wt%含むCu+Cu2O+CuOカーボンブラック100mgを30mLの超純水に懸濁した。この懸濁液を超音波浴（超音波浴Iskra Sonis 4）に3分間入れた（脱気）。その後、懸濁液をマグネチックスターラーで900rpmにて撹拌しながら15分間H2ガスでパージして飽和を達成した。H2ガスで15分間バブリングした後、反応混合物をH2ガスで継続的にパージしながらシリンジポンプ（WPI sp100i、流速10mL/h）により17.5mLの0.01M Na2PdCl4を加えた。0.01M Na2PdCl4溶液は非水溶性PdCl2(Sigma Aldrich)および3倍モル過剰のNaClからインサイチュで形成した。Pd前駆体を全て反応混合物に加えた後、懸濁液をろ過し、新たな超純水に再分散させた。15分間の混合後、懸濁液を再度ろ過し、プロセスを合計3回繰り返した。最後のろ過後、得られたPd+Cu2O+CuOカーボンブラック複合体を50℃で一晩放置して乾燥させた。
カーボンブラック上のCu+Cu2O+CuO複合体を単一の工程で合成した。BET表面積が800m2/gのカーボンブラックと酢酸銅(II)一水和物（Merck）とMilli-Q水との懸濁液を、酢酸銅(II)一水和物が不活性アセチレン雰囲気下においてカーボンブラック上で熱的に還元されるパルス燃焼/熱音響反応器に圧送した。Cu+Cu2O+CuOカーボンブラックの黒色複合体を回収した。二口丸底フラスコ内で、Cuを41wt%含むCu+Cu2O+CuOカーボンブラック100mgを30mLの超純水に懸濁した。この懸濁液を超音波浴（超音波浴Iskra Sonis 4）に3分間入れた（脱気）。その後、懸濁液をマグネチックスターラーで900rpmにて撹拌しながら15分間H2ガスでパージして飽和を達成した。H2ガスで15分間バブリングした後、反応混合物をH2ガスで継続的にパージしながらシリンジポンプ（WPI sp100i、流速10mL/h）により17.5mLの0.01M Na2PdCl4を加えた。0.01M Na2PdCl4溶液は非水溶性PdCl2(Sigma Aldrich)および3倍モル過剰のNaClからインサイチュで形成した。Pd前駆体を全て反応混合物に加えた後、懸濁液をろ過し、新たな超純水に再分散させた。15分間の混合後、懸濁液を再度ろ過し、プロセスを合計3回繰り返した。最後のろ過後、得られたPd+Cu2O+CuOカーボンブラック複合体を50℃で一晩放置して乾燥させた。
実施例19：
カーボンブラック上のCu+Cu2O+CuO複合体を単一の工程で合成した。BET表面積が800m2/gのカーボンブラックと酢酸銅(II)一水和物（Merck）とMilli-Q水との懸濁液を、酢酸銅(II)一水和物が不活性アセチレン雰囲気下においてカーボンブラック上で熱的に還元されるパルス燃焼/熱音響反応器に圧送した。Cu+Cu2O+CuOカーボンブラックの黒色複合体を回収した。二口丸底フラスコ内で、Cuを41wt%含むCu+Cu2O+CuOカーボンブラック100mgを30mLの超純水に懸濁した。この懸濁液を超音波浴（超音波浴Iskra Sonis 4）に3分間入れた（脱気）。その後、懸濁液をマグネチックスターラーで900rpmにて撹拌しながら15分間COガスでパージして飽和を達成した。COガスで15分間バブリングした後、反応混合物をCOガスで継続的にパージしながらシリンジポンプ（WPI sp100i、流速10mL/h）により17.5mLの0.01M Na2PdCl4を加えた。0.01M Na2PdCl4溶液は非水溶性PdCl2(Sigma Aldrich)および3倍モル過剰のNaClからインサイチュで形成した。Pd前駆体を全て反応混合物に加えた後、懸濁液をろ過し、新たな超純水に再分散させた。15分間の混合後、懸濁液を再度ろ過し、プロセスを合計3回繰り返した。最後のろ過後、得られたPd+Cu2O+CuO/カーボンブラック複合体を50℃で一晩放置して乾燥させた。
カーボンブラック上のCu+Cu2O+CuO複合体を単一の工程で合成した。BET表面積が800m2/gのカーボンブラックと酢酸銅(II)一水和物（Merck）とMilli-Q水との懸濁液を、酢酸銅(II)一水和物が不活性アセチレン雰囲気下においてカーボンブラック上で熱的に還元されるパルス燃焼/熱音響反応器に圧送した。Cu+Cu2O+CuOカーボンブラックの黒色複合体を回収した。二口丸底フラスコ内で、Cuを41wt%含むCu+Cu2O+CuOカーボンブラック100mgを30mLの超純水に懸濁した。この懸濁液を超音波浴（超音波浴Iskra Sonis 4）に3分間入れた（脱気）。その後、懸濁液をマグネチックスターラーで900rpmにて撹拌しながら15分間COガスでパージして飽和を達成した。COガスで15分間バブリングした後、反応混合物をCOガスで継続的にパージしながらシリンジポンプ（WPI sp100i、流速10mL/h）により17.5mLの0.01M Na2PdCl4を加えた。0.01M Na2PdCl4溶液は非水溶性PdCl2(Sigma Aldrich)および3倍モル過剰のNaClからインサイチュで形成した。Pd前駆体を全て反応混合物に加えた後、懸濁液をろ過し、新たな超純水に再分散させた。15分間の混合後、懸濁液を再度ろ過し、プロセスを合計3回繰り返した。最後のろ過後、得られたPd+Cu2O+CuO/カーボンブラック複合体を50℃で一晩放置して乾燥させた。
図14は、1) カーボンブラック上のCu+Cu2O+CuO複合体（実施例18および19）、2) 二重不動態化GD法を用いてH2ガスの存在下で合成されたままのカーボンブラック上のPd+Cu2O+CuO複合体（実施例18）、および3)二重不動態化GD法を用いてCOガスの存在下で合成されたままのカーボンブラック上のPd+Cu2O+CuO複合体（実施例19）のXRDパターンを示す。上に説明した、貴金属としてPtを用いたカーボンブラック上の系と同様に、同じ二重不動態化機構を介してGD反応が起きた。よって、図14は、2および3の場合では、H2ガス（実施例18）またはCOガス（実施例19）のいずれかを用いて合成したままの、カーボンブラック担体上のPd+Cu2O+CuO複合体の得られたXRDパターンの比較を示している。貴金属としてPtを用いた合成と同様に、よりシャープなCuO相ピーク（35.7°(-111)および38.9°(111)2θ）およびCu2O相ピーク（36.4°(111)および42.3°(200)2θ）に加えて、ブロードな貴金属(Pd)相ピーク（40.2°(111)および46.8°(200)2θ）が存在する。
本発明の二重不動態化GD法は他の貴金属および吸着ガスの使用において高いフレキシビリティをもたらすことが示された。さらに、実施例16と同様に、実施例18および19は、本発明が部分的にエクスサイチュで不動態化されたM/S前駆体を用いる可能性をもたらすことも示している。
本発明の種々の態様を説明したが、その概念を組み入れた他の態様を用い得ることが当業者には明らかであろう。上および添付の図面に示される本発明のこれらおよび他の例は例示のみを意図しており、本発明の実際の範囲は以下の特許請求の範囲により定められる。
Claims (31)
- 担持された貴金属ナノ粒子および/または貴金属-M合金ナノ粒子複合体を形成させるための方法であって、Mが、該貴金属を析出させるようにガルバニック置換された、より貴度の低い金属であり、該方法が、
(a) 電気伝導性担体粒子S上に金属粒子MがあるM/S前駆体材料を準備する工程であって、Mが、該貴金属よりも標準電極電位が低い1つまたは複数の金属である、工程；
(b) 該M/S前駆体材料を液体媒体中に懸濁し、不動態化されたMOy/S懸濁液を形成させる、工程であって、該液体媒体が、少なくとも該金属M粒子の該液体媒体に曝露される表面にインサイチュ（in situ）不動態化酸化物が熱力学的に形成されるpHを有し、yが、0より大きく最大で化学量論的M酸化物値である、工程；
(c) 析出させる該貴金属に選択的に吸着可能な吸着ガスを該MOy/S懸濁液に供給する工程；
(d) 該MOy/S懸濁液に貴金属前駆体を添加し、それによって、ガルバニック置換反応により該担体粒子上に結晶性貴金属ナノ粒子および/または結晶性貴金属-M合金ナノ粒子を反応生成物として析出させる、工程；および
(e) 合成されたままの該反応生成物を分離しかつ洗浄する工程
を含む、方法。 - 工程(a)における前記M/S前駆体の金属Mが、少なくとも部分的に酸化されて、エクスサイチュ（ex situ）で不動態化されたM+MO/S前駆体を形成している、請求項1記載の方法。
- 前記液体媒体が、水、炭素原子を1～7個有するアルコール、CH4O～C7H16O、またはそれらの混合物、または該アルコールの水溶液である、請求項1または2記載の方法。
- 前記液体媒体のpHが、前記M/S前駆体材料および/または少なくとも部分的にエクスサイチュで不動態化されたM+MO/S前駆体の懸濁前、懸濁中、および/または懸濁後に調整される、請求項1～3のいずれか1項記載の方法。
- 前記不動態化されたMOy/S懸濁液が、前記貴金属前駆体の添加前に前記吸着ガスで飽和される、請求項1～4のいずれか一項記載の方法。
- 前記吸着ガスが、外部源から供給され、かつ/または前記懸濁液中で少なくとも部分的にインサイチュで形成される、請求項5記載の方法。
- 前記吸着ガスの添加が、前記貴金属前駆体の添加中に継続される、請求項5または6記載の方法。
- 前記貴金属前駆体が、前記液体媒体に可溶性の塩または該塩の対応する酸である、請求項1～7のいずれか一項記載の方法。
- 前記貴金属が、Pt、Ir、Rh、Pd、またはAuである、請求項1～8のいずれか一項記載の方法。
- 前記吸着ガスが、一酸化炭素(CO)、水素(H2)、メタンチオール(MeHS)、または硫化水素(H2S)より選択される、請求項1～9のいずれか一項記載の方法。
- 前記貴金属がPtまたはPdであり、前記吸着ガスがCOである、請求項1～10のいずれか一項記載の方法。
- 前記貴金属がPdであり、前記吸着ガスがH2である、請求項1～10のいずれか一項記載の方法。
- より貴度の低い前記金属Mが、Cu、Ni、Co、Fe、Ag、Cr、Ti、Pb、Sn、Mo、W、Zn、Y、Gd、Pd、またはそれらの混合物より選択される、請求項1～12のいずれか一項記載の方法。
- 前記担体材料が、炭素材料、セラミック材料、または複合材料より選択される、形成される前記不動態化M酸化物の電気伝導性よりも大きい電気伝導性を有する電気伝導性材料である、請求項1～13のいずれか一項記載の方法。
- 前記炭素材料が、カーボンブラック、カーボンナノチューブ(CNT)、グラファイトもしくはグラフェン、またはそれらの誘導体より選択される導電性炭素粒子である、請求項14記載の方法。
- 前記セラミック材料が、酸化アンチモンスズ(ATO)、フッ素ドープ酸化スズ(FTO)、酸化インジウムスズ(ITO)、または酸窒化チタン(TiOxNy)より選択されるセラミック粒子である、請求項14記載の方法。
- 工程(e)における洗浄が、前記合成されたままの反応生成物を新たな液体媒体に再分散させて少なくとも1回ろ過することを含む、請求項1～16のいずれか一項記載の方法。
- 前記洗浄されかつろ過された合成されたままの反応生成物が乾燥される、請求項17記載の方法。
- 前記合成されたままの生成物を熱アニーリングする工程(f)をさらに含む、請求項1～18のいずれか一項記載の方法。
- 前記熱アニーリング工程(f)が、不活性、無酸素、および/または還元性雰囲気下にて450～1200℃の温度で実施される、請求項19記載の方法。
- 担体材料上の、yが0より大きく最大で化学量論的M酸化物値であるMOyと組み合わされた、貴金属および/または貴金属-M合金ナノ粒子を含む複合材料であって、Mが、カチオン状態の該貴金属によってガルバニック置換された、より貴度の低い金属であり、該複合材料が、請求項1～18に記載の方法によって得ることができ、該複合材料が、該担体材料上に高度に分散した貴金属ナノ粒子および/または貴金属-Mナノ粒子を含む合成されたままの反応生成物である、複合材料。
- 担体材料上の貴金属ナノ粒子および/または貴金属-M合金ナノ粒子を含む複合材料であって、Mが、カチオン状態の該貴金属によってガルバニック置換された、より貴度の低い金属であり、該複合材料が、請求項1～20に記載の方法によって得ることができ、該複合材料が、該担体材料上に高度に分散した貴金属ナノ粒子および/または貴金属-Mナノ粒子を含むアニーリングされた反応生成物である、複合材料。
- 前記貴金属が、Pt、Ir、Rh、Pd、またはAuである、請求項21または22記載の複合材料。
- より貴度の低い前記金属Mが、Cu、Ni、Co、Fe、Ag、Cr、Ti、Pb、Sn、Mo、W、Zn、Y、Gd、Pd、またはそれらの混合物である、請求項21～23のいずれか一項記載の複合材料。
- 前記担体材料が、炭素材料、セラミック材料、または複合材料より選択される導電性材料である、請求項21～24のいずれか一項記載の複合材料。
- 前記炭素材料が、カーボンブラック、カーボンナノチューブ(CNT)、グラファイトもしくはグラフェン、またはそれらの誘導体より選択される導電性炭素粒子である、請求項25記載の複合材料。
- 前記セラミック材料が、酸化アンチモンスズ(ATO)、フッ素ドープ酸化スズ(FTO)、酸化インジウムスズ(ITO)、または酸窒化チタン(TiOxNy)より選択されるセラミック粒子である、請求項25記載の複合材料。
- 前記貴金属がPtであり、前記Mが、Cu、Ni、またはCoのうちの1つまたは複数であり、前記担体材料がカーボンブラックである、請求項21または22記載の複合材料。
- 電気化学エネルギー変換装置における電極触媒としての、請求項21～28のいずれか一項記載の複合材料の使用。
- 前記複合材料が触媒活性化処理によって処理されている、請求項29記載の複合材料の使用。
- 前記触媒が、PEM燃料電池における炭素担持Pt-M合金ナノ粒子電極触媒である、請求項29または30記載の複合材料の使用。
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